TW201347037A - ＳｉＣＮ膜之形成方法及裝置 - Google Patents

ＳｉＣＮ膜之形成方法及裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201347037A
TW201347037A TW102129039A TW102129039A TW201347037A TW 201347037 A TW201347037 A TW 201347037A TW 102129039 A TW102129039 A TW 102129039A TW 102129039 A TW102129039 A TW 102129039A TW 201347037 A TW201347037 A TW 201347037A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
process gas
supply
field
film
Prior art date
Application number
TW102129039A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI552225B (zh
Inventor
Pao-Hwa Chou
Kazuhide Hasebe
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201347037A publication Critical patent/TW201347037A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI552225B publication Critical patent/TWI552225B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/36—Carbonitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

本發明係關於一種在製程場中之目標基板上形成SiCN膜之方法，其經安排以執行複數個週期。每一週期包括：執行供應含有矽烷族氣體之第一製程氣體之第一步驟；執行供應含有氮化氣體之第二製程氣體之第二步驟；執行供應含有碳氫化物氣體之第三製程氣體之第三步驟；及停止供應該第一製程氣體之第四步驟。各週期係安排為並非將第一製程氣體、第二製程氣體及第三製程氣體中之任一者在其供應期間在製程場外部轉變成電漿，而是將製程場加熱至第一溫度，在該第一溫度下，矽烷族氣體、氮化氣體及碳氫化物氣體彼此反應。

Description

SiCN膜之形成方法及裝置
本發明係關於用於在諸如半導體晶圓之目標基板上形成SiCN膜之膜形成方法及裝置。在本文中所用之術語"半導體加工"包括各種種類之加工，其經執行以在諸如半導體晶圓或用於例如LCD(液晶顯示器)之FPD(平板顯示器)之玻璃基板的目標基板上藉由在目標基板上以預定圖案形成半導體層、絕緣層及導電層來製造半導體器件或與半導體器件連接之具有佈線層、電極及其類似物之結構。
在製造用於構成半導體積體電路之半導體器件中，諸如半導體晶圓之目標基板經受各種加工，諸如膜形成、蝕刻、氧化、擴散、重組、退火及自然氧化膜移除。US 2006/0286817 A1揭示在(所謂分批類型之)垂直熱處理裝置中執行之此種類之半導體處理方法。根據此方法，首先將半導體晶圓自晶圓盒轉移至垂直晶舟上且在垂直方向上相隔一定距離地支撐於其上。晶圓盒可儲存例如25個晶圓，而晶舟可支撐30個至150個晶圓。接著，將晶舟自下方載入製程容器中，且氣密性地封閉製程容器。接著，在控制諸如製程氣體流率、加工壓力及加工溫度之加工條件之時，執行預定熱加工。
為改良半導體積體電路之效能，改良半導體器件中所使用之絕緣膜之性質為重要的。半導體器件包括由諸如SiO2、PSG(磷矽玻璃)、P-SiO(由電漿CVD形成)、P-SiN(由電漿CVD形成)及SOG(旋塗 式玻璃)、Si3N4(氮化矽)之材料製成之絕緣膜。特定而言，因為氮化矽膜具有比氧化矽膜好之絕緣性質，且其可充分地充當蝕刻擋止膜或層間絕緣膜，所以其得以廣泛使用。
已知用於在半導體晶圓之表面上藉由熱CVD(化學氣相沈積)形成氮化矽膜的若干方法。在該熱CVD中，諸如單矽烷(SiH4)、二氯矽烷(DCS：SiH2Cl2)、六氯二矽烷(HCD：Si2Cl6)或雙第三丁基胺基矽烷(BTBAS：SiH2(NH(C4H9))2)之矽烷族氣體用作矽源氣體。舉例而言，氮化矽膜藉由熱CVD使用SiH2Cl2+NH3(參見US 5,874,368 A)或Si2Cl6+NH3之氣體組合來形成。
近年來，歸因於對於增加半導體積體電路之小型化及整合之需求，需要減輕半導體器件在製造步驟中之熱歷程，藉此改良器件之特性。對於垂直處理裝置，亦需要根據如上所述之需求來改良半導體處理方法。舉例而言，作為源自CVD(化學氣相沈積)之膜形成加工，存在一種在間歇地供應源氣體等以便以每次一個或每次若干個之方式重複地形成數層(每一者具有原子或分子級厚度)之時執行膜形成的方法(例如，日本專利申請KOKAI公開案第2-93071號及第6-45256號及US 6,165,916 A)。通常，此膜形成方法稱作ALD(原子層沈積)或MLD(分子層沈積)，其允許在沒有將晶圓暴露於極高溫度的情況下執行預定加工。
舉例而言，當供應分別作為矽烷族氣體及氮化氣體之二氯矽烷(DCS)及NH3以形成氮化矽膜(SiN)時，執行如下加工。具體而言，將DCS及NH3氣體交替地且間歇地供應至製程容器中，且於其之間插入淨化時段。當供應NH3氣體時，施加RF(射頻)以在製程容器內產生電漿以便促進氮化反應。更特定而言，當將DCS供應至製程容器中時，使具有一個或多個DCS分子之厚度的層吸附至晶圓之表面上。在淨化時段期間將多餘DCS移除。接著，供應NH3且產生電漿，藉此執行低 溫氮化以形成氮化矽膜。重複此等連續步驟以完成具有預定厚度之膜。
當形成如以上所述彼等中之一者的絕緣膜且接著於其上形成另一薄膜時，諸如有機物質及顆粒之污染物可能已黏著於絕緣膜之表面。因此，根據需要，執行清潔加工以移除污染物。在此清潔加工中，將半導體晶圓浸沒於諸如稀氫氟酸之清潔溶液中，以在絕緣膜之表面上執行蝕刻。因此，將絕緣膜之表面蝕刻極小量，藉以移除污染物。
當該絕緣膜在(例如)約760℃之較高加工溫度下由CVD形成時，絕緣膜在清潔加工期間之蝕刻速率極低。相應地，絕緣膜並未由清潔過度地蝕刻，且因此清潔加工在可高度地控制膜厚度之情況下執行。然而，當具有低耐熱性之薄膜作為下層存在時，在高溫下之熱CVD加工為不合適的。
另一方面，當該絕緣膜在(例如)約400℃之較低加工溫度下由ALD膜形成來形成時，絕緣膜在清潔加工期間之蝕刻速率相對較高。相應地，絕緣膜可由清潔過度地蝕刻，且因此清潔加工需要膜厚度之較低可控性。
另外，氮化矽膜可用作蝕刻擋止膜或層間絕緣膜。在此情形下，氮化矽膜之蝕刻速率必須極低。然而，習知膜形成方法不能滿足此要求。
本發明之目標為提供形成SiC膜之方法及裝置，其可在膜形成中使用相對低的加工溫度，且使膜在清潔加工期間蝕刻較少量，以使得可在可高度控制膜厚度之情況下執行清潔加工，同時允許膜充分地充當蝕刻擋止膜或層間絕緣膜。應注意本發明為揭示於US 2005/095770 A1及US 2007/167028 A1中之發明之改良。
根據本發明之第一態樣，提供用於在製程場中之目標基板上形成SiCN膜之方法，該製程場經組態以選擇性地供應有含有矽烷族氣體之第一製程氣體、含有氮化氣體之第二製程氣體及含有碳氫化物氣體之第三製程氣體，該方法經安排以執行複數個週期以層疊分別由該等週期形成之薄膜，藉此形成具有預定厚度之SiCN膜，該等週期中之每一者包含：執行供應第一製程氣體至製程場之第一步驟；執行供應第二製程氣體至製程場之第二步驟；執行供應第三製程氣體至製程場之第三步驟；及停止供應第一製程氣體至製程場之第四步驟，其中該等週期中之每一者經安排為並非將第一、第二及第三製程氣體中之任一者在其供應期間在製程場外部轉變成電漿，而是在第一、第二、第三及第四步驟期間將製程場加熱至第一溫度，矽烷族氣體、氮化氣體及碳氫化物氣體在該第一溫度下彼此反應。
根據本發明之第二態樣，提供用於在目標基板上形成SiCN膜之裝置，該裝置包含：具有經組態以容納目標基板之製程場的製程容器；經組態以支撐製程場內之目標基板之支撐構件；經組態以加熱製程場內之目標基板之加熱器；經組態以自製程場中排放氣體之排放系統；經組態以將含有矽烷族氣體之第一製程氣體供應至製程場之第一製程氣體供應管路；經組態以將含有氮化氣體之第二製程氣體供應至製程場之第二製程氣體供應管路；經組態以將含有碳氫化物氣體之第三製程氣體供應至製程場之第三製程氣體供應管路；及經組態以控制裝置之運作之控制部，其中控制部經預設以進行用於在製程場中之目標基板上形成SiCN膜之方法，該方法藉由執行複數個週期以層疊分別由該等週期所形成之薄膜，藉此形成具有預定厚度之SiCN膜，該等週期中之每一者包含：執行供應第一製程氣體至製程場之第一步驟；執行供應第二製程氣體至製程場之第二步驟；執行供應第三製程氣體至製程場之第三步驟；及停止供應第一製程氣體至製程場之第四 步驟，其中該等週期中之每一者經安排為並非將第一、第二及第三製程氣體中之任一者在其供應期間在製程場外部轉變成電漿，而是在第一、第二、第三及第四步驟期間將製程場加熱至第一溫度，矽烷族氣體、氮化氣體及碳氫化物氣體在該第一溫度下彼此反應。
根據本發明之第三態樣，提供含有用於在處理器上執行之程式指令的電腦可讀媒體，其用於具有經組態以選擇性地供應有含有矽烷族氣體之第一製程氣體、含有氮化氣體之第二製程氣體及含有碳氫化物氣體之第三製程氣體之製程場的膜形成裝置，其中程式指令當由處理器執行時使膜形成裝置進行用於在製程場中之目標基板上形成SiCN膜之方法，該方法藉由執行複數個週期以層疊分別由該等週期形成之薄膜，藉此形成具有預定厚度之SiCN膜，該等週期中之每一者包含：執行供應第一製程氣體至製程場之第一步驟；執行供應第二製程氣體至製程場之第二步驟；執行供應第三製程氣體至製程場之第三步驟；及停止供應第一製程氣體至製程場之第四步驟，其中該等週期中之每一者經安排為並非將第一、第二及第三製程氣體中之任一者在其供應期間在製程場外部轉變成電漿，而是在第一、第二、第三及第四步驟期間將製程場加熱至第一溫度，矽烷族氣體、氮化氣體及碳氫化物氣體在該第一溫度下彼此反應。
本發明之額外目標及優點將闡述於以下實施方式中，且部分地將自實施方式中而顯而易見，或可藉由本發明之實踐而獲悉。本發明之目標及優點可藉助於在下文中特定指出之手段及組合而實現及獲得。
2‧‧‧膜形成裝置
4‧‧‧製程容器
5‧‧‧製程場
6‧‧‧石英頂板
8‧‧‧歧管
10‧‧‧密封構件
12‧‧‧晶舟
12A‧‧‧撐桿
14‧‧‧絕熱圓筒
16‧‧‧台
18‧‧‧蓋
20‧‧‧旋轉軸
22‧‧‧密封件
24‧‧‧密封構件
25‧‧‧升降機構
26‧‧‧臂
28‧‧‧第三製程氣體供應管路
28S‧‧‧氣體源
30‧‧‧第一製程氣體供應管路
30S‧‧‧氣體源
32‧‧‧第二製程氣體供應管路
32S‧‧‧氣體源
36‧‧‧淨化氣體供應管路
36S‧‧‧氣體源
38‧‧‧氣體分配噴嘴
38A‧‧‧氣體噴射孔
40‧‧‧氣體分配噴嘴
40A‧‧‧氣體噴射孔
42‧‧‧氣體分配噴嘴
42A‧‧‧氣體噴射孔
46‧‧‧短氣體噴嘴
48‧‧‧氣體供應管線
48A‧‧‧開關閥
48B‧‧‧流率控制器
48C‧‧‧儲存槽
48D‧‧‧第二開關閥
50‧‧‧氣體供應管線
50A‧‧‧開關閥
50B‧‧‧流率控制器
50C‧‧‧儲存槽
50D‧‧‧第二開關閥
52‧‧‧氣體供應管線
52A‧‧‧開關閥
52B‧‧‧流率控制器
56‧‧‧氣體供應管線
56A‧‧‧開關閥
56B‧‧‧流率控制器
60‧‧‧噴嘴接收凹槽
62‧‧‧排放口
64‧‧‧開口
66‧‧‧石英覆蓋物
68‧‧‧排放口覆蓋構件
70‧‧‧氣體出口
71‧‧‧罩殼
72‧‧‧加熱器
73‧‧‧真空排放系統
74‧‧‧控制部
76‧‧‧儲存區
77‧‧‧排放通道
78‧‧‧閥單元
79‧‧‧真空泵
80‧‧‧執行供應第一製程氣體之步驟
82‧‧‧停止供應第一製程氣體之步驟
84‧‧‧執行供應第二製程氣體之步驟
86‧‧‧停止供應第二製程氣體之步驟
88‧‧‧執行供應第三製程氣體之步驟
90‧‧‧停止供應第三製程氣體之步驟
94‧‧‧第一製程氣體儲存步驟
96‧‧‧第三製程氣體儲存步驟
P1‧‧‧淨化步驟
P2‧‧‧淨化步驟
P3‧‧‧淨化步驟
T1‧‧‧第一時段
T2‧‧‧第二時段
T3‧‧‧第三時段
T4‧‧‧第四時段
T5‧‧‧第五時段
T6‧‧‧第六時段
W‧‧‧晶圓
圖1為展示根據本發明之一實施例之垂直膜形成裝置之截面圖；圖2為展示圖1中所示之裝置之部分的截面平面圖；圖3A、3B、3C為展示根據本發明之第一實施例之膜形成方法之 氣體供應之時序圖及其修改；圖4為展示由實驗獲得之SiCN膜之碳含量與蝕刻速率之間的關係的圖表；圖5A、5B及5C為展示根據本發明之第二實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖6A、6B、6C及6D為展示根據本發明之第三實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖7A、7B、7C及7D為展示根據本發明之第四實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖8A、8B、8C及8D為展示根據本發明之第五實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖9A、9B、9C及9D為展示根據本發明之第六實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖10A、10B及10C為展示根據本發明之第七實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖11A、11B及11C為展示根據本發明之第八實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖12A、12B及12C為展示根據本發明之第九實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖13A、13B及13C為展示根據本發明之第十實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖14為展示用於根據一修改之膜形成裝置中之氣體供應管路之部分的結構圖；圖15A、15B及15C為展示根據本發明之第十一實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖16A、16B及16C為展示根據本發明之第十二實施例之膜形成方 法之氣體供應之時序圖及其修改；圖17A、17B、17C及17D為展示根據本發明之第十三實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖18A、18B、18C及18D為展示根據本發明之第十四實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖19A、19B、19C及19D為展示根據本發明之第十五實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖20A、20B、20C及20D為展示根據本發明之第十六實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖21A、21B及21C為展示根據本發明之第十七實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖22A、22B及22C為展示根據本發明之第十八實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；圖23A、23B及23C為展示根據本發明之第十九實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改；及圖24A、24B及24C為展示根據本發明之第二十實施例之膜形成方法之氣體供應之時序圖及其修改。
併入本說明書中且構成其一部分之隨附圖式說明本發明之目前較佳實施例，且連同以上所給出之概述及以下所給出之較佳實施例之詳細描述一起用來解釋本發明之原理。
在開發本發明之加工中，發明者研究與形成氮化矽膜之方法有關之半導體加工之習知技術的問題。結果，發明者已得出以下所給出之研究結果。
包括本發明者之研究小組已鑒於在"先前技術"中解釋之問題而開發一種將ALD或MLD類型之製程氣體供應與藉由電漿進行之製程氣體 活化組合的膜形成方法(US 2006/205231 A1等)。根據此方法，NH3等藉由使用電漿來活化以促進氮化加工以實現高產量，同時將一定量之碳引入SiCN膜中以將其耐化學性改良至某種程度。在此情形下，與甚至其中SiCN膜在低溫下形成之習知技術相比，膜可具有展示較低蝕刻速率且適合於層間絕緣膜之性質。
然而，根據稍後之研究，已發現如上所述之使用電漿之膜形成方法在產量方面較佳，但在增加絕緣膜之碳含量(增添量)方面有困難，導致對於耐化學性之改良的嚴密限制。
近年來，歸因於對於減小半導體器件之線寬度及膜厚度之需求，關於絕緣膜之可處理性之要求已變得較嚴格。因此，如上所述之膜形成方法可能不能滿足該等要求。
基於以上給出之研究結果所達成之本發明之實施例現在將參照隨附圖式來描述。在以下描述中，具有大體上相同功能及安排之構成元件由相同參考數字來表示，且僅在必須時進行重複描述。
圖1為展示根據本發明之一實施例之垂直膜形成裝置之截面圖。圖2為展示圖1中所示之裝置之部分的截面平面圖。膜形成裝置2具有製程場，其經組態以選擇性地供應有含有二氯矽烷(DCS)氣體作為矽烷族氣體之第一製程氣體、含有氨(NH3)氣體作為氮化氣體之第二製程氣體，及含有C2H4氣體(乙烯氣體)作為碳氫化物氣體之第三製程氣體。膜形成裝置2經組態以在製程場中之目標基板上形成SiCN膜，其為含有碳之氮化矽膜。
裝置2包括製程容器4，其形狀為具有頂板及開放底部之圓筒柱，其中製程場5經界定以容納及處理在垂直方向上相隔一定距離堆疊之複數個半導體晶圓(目標基板)。製程容器4之全體由(例如)石英製成。製程容器4之頂部具有氣密性地密封頂部之石英頂板6。製程容器4之底部經由諸如O型環之密封構件10與圓筒形歧管8連接。製程容器 可完全由不具有獨立形成之歧管8的圓筒形石英柱來形成。
歧管8由(例如)不鏽鋼製成，且支撐製程容器4之底部。由石英製成之晶舟12穿過歧管8之底部口上下移動，使得將晶舟12載入製程容器4中/自製程容器4中卸載。一定數目之目標基板或半導體晶圓W堆疊於晶舟12上。舉例而言，在此實施例中，晶舟12具有撐桿12A，其可支撐在垂直方向上相隔基本上規則距離之具有300mm直徑之(例如)約50至100個晶圓。
經由一由石英製成之絕熱圓筒14將晶舟12置於台16上。台16由旋轉軸20支撐，旋轉軸20穿透由(例如)不鏽鋼製成之蓋18，且用於開放/閉合歧管8之底部口。
旋轉軸20穿透之蓋18之部分具有(例如)磁性流體密封件22，以使得在氣密性密封之狀態下可旋轉地支撐旋轉軸20。將諸如O型環之密封構件24插入蓋18之周邊與歧管8之底部之間，以使得製程容器4之內部可保持密封。
將旋轉軸20附接於由諸如舟升降機之升降機構25所支撐之臂26之遠端處。升降機構25將晶舟12及蓋18一致地上下移動。台16可固定至蓋18，使得在不旋轉晶舟12的情況下處理晶圓W。
氣體供應區連接至歧管8之側以將預定製程氣體供應至製程容器4內之製程場5。具體而言，氣體供應區包括第三製程氣體供應管路28、第一製程氣體供應管路30、第二製程氣體供應管路32及淨化氣體供應管路36。第一製程氣體供應管路30經安排以供應含有諸如DCS(二氯矽烷)氣體之矽烷族氣體的第一製程氣體。第二製程氣體供應管路32經安排以供應含有諸如氨(NH3)氣體之氮化氣體的第二製程氣體。第三製程氣體供應管路28經安排以供應含有諸如C2H4氣體(乙烯氣體)之碳氫化物氣體的第三製程氣體。淨化氣體供應管路36經安排以供應作為淨化氣體之諸如N2氣體之惰性氣體。根據需要，將第一 至第三製程氣體中之每一者與合適量之運載氣體(諸如N2氣體)混合。然而，在下文中，為解釋簡單性起見，將不提及該運載氣體。
更特定而言，第三、第一及第二製程氣體供應管路28、30及32分別包括氣體分配噴嘴38、40及42，其每一者由石英管形成，該石英管自外部穿透歧管8之側壁且接著轉向且向上延伸(參見圖1)。氣體分配噴嘴38、40及42分別具有複數個氣體噴射孔38A、40A及42A，每一組孔在縱向(垂直方向)中相隔預定距離地形成於晶舟12上之所有晶圓W上。氣體噴射孔38A、40A及42A中之每一者幾乎均一地在水平方向上輸送相應製程氣體，以便形成與晶舟12上之晶圓W平行之氣體流。淨化氣體供應管路36包括短氣體噴嘴46，其自外部穿透歧管8之側壁。
噴嘴38、40、42及46分別經由氣體供應管線(氣體通路)48、50、52及56而分別連接至C2H4氣體、DCS氣體、NH3氣體及N2氣體之氣體源28S、30S、32S及36S。氣體供應管線48、50、52及56分別具有開關閥48A、50A、52A及56A及諸如質量流量控制器之流率控制器48B、50B、52B及56B。使用此安排，可以經控制的流率供應C2H4氣體、DCS氣體、NH3氣體及N2氣體。氣體供應管線(氣體通路)48、50及52進一步連接至N2氣體之氣體源(未圖示)。
噴嘴接收凹槽60形成於製程容器4之側壁處以在垂直方向上延伸。噴嘴接收凹槽60具有藉由在垂直方向上切割製程容器4之側壁之預定寬度所形成之垂直地較長且較細之開口64。開口64覆蓋有氣密性地連接至製程容器4之外表面之石英覆蓋物66。覆蓋物66具有具備凹形橫截面之垂直地較長且較細之形狀，以使得其自製程容器4向外突出。
因此，形成噴嘴接收凹槽60以使得其自製程容器4之側壁向外突出且在另一側上連接至製程容器4之內部。換言之，噴嘴接收凹槽60 之內部空間經由開口64與製程容器4內之製程場5連通。開口64具有足以在垂直方向上覆蓋晶舟12上之所有晶圓W的垂直長度。
氣體分配噴嘴38、40及42在比晶舟12上之最低晶圓W低之位置處在製程容器4之徑向方向上向外彎曲。接著，氣體分配噴嘴38、40及42在噴嘴接收凹槽60中之最深位置(距製程容器4之中心之最遠位置)處垂直地並排延伸。氣體分配噴嘴38、40及42之氣體噴射孔38A、40A及42A形成於晶舟12上之晶圓W之間的位置處以分別在水平方向上基本上均一地輸送相應氣體，以便形成與晶圓W平行之氣體流。氣體自氣體分配噴嘴38、40及42之氣體噴射孔38A、40A及42A向內噴射，且經由開口64供應至晶舟12上之晶圓W上。當包含N2氣體之惰性氣體自氣體分配噴嘴38、40及42噴射時，此氣體以相同方式供應以形成與晶圓W平行之氣體流。
另一方面，在製程容器4之與噴嘴接收凹槽60相對之側上，藉由切割製程容器4之側壁來形成用於真空排放內部氣氛之較長且較細之排放口62。如圖1中所示，排放口62具有足以在垂直方向上覆蓋晶舟12上之所有晶圓W的垂直長度。排放口62覆蓋有由石英製成之具有U形橫截面且藉由焊接來附接的排放口覆蓋構件68。排放口覆蓋構件68沿製程容器4之側壁向上延伸，且在製程容器4之頂部具有氣體出口70。氣體出口70連接至包括真空泵等之真空排放系統73。真空排放系統73具有連接至氣體出口70之排放通道77，閥單元(開度調整閥)78、真空泵79等自上游側以此順序放置於排放通道77上。
製程容器4由罩殼71圍繞。罩殼71在內表面上具有用於加熱製程容器4內之氣氛及晶圓W之加熱器72。舉例而言，加熱器72由碳線形成，其不導致污染且具有用於提高及降低溫度之良好特性。熱電偶(未圖示)接近排放口62放置於製程容器4中以控制加熱器72。
如上所述構造之膜形成裝置2之運作總體上由諸如電腦之控制部 74來控制。執行裝置2之運作之電腦程式儲存於包含諸如軟性磁碟、CD(緊密光碟)、硬碟及/或快閃記憶體之儲存媒體的儲存區76中。根據來自控制部74之指令，控制各別氣體之供應之開始/停止、其氣體流率、加工溫度及加工壓力。
接著，將給出在圖1中所示之裝置中執行之膜形成方法(所謂ALD或MLD膜形成)的解釋。在此膜形成方法中，SiCN(矽碳氮化物)之絕緣膜藉由ALD或MLD形成於半導體晶圓上。為達成此，將含有二氯矽烷(DCS)氣體作為矽烷族氣體之第一製程氣體、含有氨(NH3)氣體作為氮化氣體之第二製程氣體，及含有C2H4氣體(乙烯氣體)作為碳氫化物氣體之第三製程氣體選擇性地供應至容納晶圓W之製程場5中。具體而言，隨著以下運作來執行膜形成加工。
首先，將處於室溫下之支撐一定數目(例如50個至100個)之具有300mm直徑之晶圓的晶舟12載入在預定溫度下加熱之製程容器4中，且氣密性地封閉製程容器4。接著，將製程容器4之內部排放為真空且保持於預定加工壓力下，且將晶圓溫度增加至用於膜形成之加工溫度。此時，裝置處於等待狀態直至溫度變得穩定為止。接著，在旋轉晶舟12時，將第一至第三製程氣體自各別氣體分配噴嘴40、42及38以經控制的流率間歇地或連續地供應。
含有DCS氣體之第一製程氣體、含有NH3氣體之第二製程氣體及含有C2H4氣體之第三製程氣體分別自氣體分配噴嘴40、42及38之氣體噴射孔40A、42A及38A供應，以形成與晶舟12上之晶圓W平行之氣體流。在供應DCS氣體、NH3氣體及C2H4氣體時，DCS氣體、NH3氣體及C2H4氣體之分子及由其分解所產生之分解產物之分子及原子吸附於晶圓W上。此等氣體分子及/或分解組份藉由使用加熱器72之熱量在晶圓W上彼此反應，藉此在晶圓W上形成SiCN之單位薄膜。將用於形成單位薄膜之該週期重複若干次，且層疊由各別批次所形成之SiCN 薄膜，藉此達到具有目標厚度之SiCN膜。
舉例而言，當每一週期經安排以在供應第二製程氣體之前供應第一及第三製程氣體時，DCS與C2H4首先在晶圓表面上彼此反應，且形成吸附於晶圓W上之薄的SiC膜。接著，當供應第二製程氣體時，NH3與吸附於晶圓W上之SiC膜反應且形成SiCN之單位薄膜。或者，例如，當每一週期經安排以在供應第三製程氣體之前供應第一及第二製程氣體時，DCS與NH3首先在晶圓表面上彼此反應，且形成吸附於晶圓W上之薄的SiN膜。接著，當供應第三製程氣體時，C2H4與吸附於晶圓W上之SiN膜反應且形成SiCN之單位薄膜。
接著，將給出根據本發明之實施例之氣體供應時序之解釋。為方便理解起見，在所有展示時序圖之圖式中，如(例如)圖3A中所示，第一製程氣體由DCS表示，第二製程氣體由NH3表示，且第三製程氣體由C2H4表示。另外，在此等圖式中，參考符號80及82分別表示執行及停止供應第一製程氣體之步驟。參考符號84及86分別表示執行及停止供應第二製程氣體之步驟。參考符號88及90分別表示執行及停止供應第三製程氣體之步驟。
<第一實施例>
圖3A為展示根據本發明之第一實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖3A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以交替地重複第一至第四時段T1至T4。將包含第一至第四時段T1至T4之週期重複若干次，且層疊由各別批次所形成之SiCN薄膜，藉此達到具有目標厚度之SiCN膜。
具體而言，第一時段T1經安排以在停止將第二製程氣體供應至製程場5之時，執行將第一及第三製程氣體供應至製程場5。第二時段T2經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5。第三時段T3經安排以在停止將第一及第三製程氣體供應至製程場5之時， 執行將第二製程氣體供應至製程場5。第四時段T4經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5。
在此實施例中，第一製程氣體供應步驟80、第二製程氣體供應步驟84及第三製程氣體供應步驟88係設定為具有彼此相同或接近之長度。第一及第三製程氣體供應步驟80及88同步地執行(以完全地彼此重疊)，且因此第一及第三製程氣體停止步驟82及90同步地執行(以完全地彼此重疊)。第二製程氣體供應步驟84基本上在第一及第三製程氣體停止步驟82及90之中間執行。第一及第三製程氣體供應步驟80及88基本上在第二製程氣體停止步驟86之中間執行。
第二及第四時段T2及T4分別用作淨化步驟P1及P2以移除製程容器4內之殘餘氣體。術語"淨化"意謂藉由在將諸如N2氣體之惰性氣體供應至製程容器4中之同時使製程容器4之內部排放至真空，或藉由在停止供應所有氣體之同時使製程容器4之內部排放至真空來移除製程容器4內之殘餘氣體。在此方面，第二及第四時段T2及T4可安排為使得前半時段僅利用排放至真空且後半時段利用排放至真空及供應惰性氣體兩者。另外，第一及第三時段T1及T3可安排為在各供應第一至第三製程氣體之同時停止使製程容器4排放至真空。然而，當隨著使製程容器4排放至真空而執行供應各第一至第三製程氣體時，可在全部第一至第四時段T1至T4內連續地使製程容器4之內部排放至真空。
舉例而言，在圖3中，第一時段T1設定為約4秒，第二時段T2設定為約5秒，第三時段T3設定為約6秒，及第四時段T4設定為約5秒。通常，由第一至第四時段T1至T4之一個週期所獲得之膜厚度為約0.048至0.13nm。因此，例如，當目標膜厚度為70nm時，週期重複約600次。然而，次數及厚度之此等值僅為實例且因此並不具有限制性。
如上所述，將在沒有在製程場5外部將第一及第三製程氣體轉變 成電漿(亦即不將其轉變成自由基)的情況下同時供應第一及第三製程氣體之時段T1，以及在沒有在製程場5外部將第二製程氣體轉變成電漿(亦即不將其轉變成自由基)的情況下唯一地供應第二製程氣體之時段T3交替地執行，且停止供應製程氣體之時段T2及T4(淨化步驟P1及P2)分別插入其之間。在此情形下，雖然膜形成溫度設定為低於(例如)約760℃之習知膜形成溫度，但是可能將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中，以便降低與在膜表面上所執行之清潔加工或蝕刻加工中所使用之稀氫氟酸有關之膜蝕刻速率。因此，膜並未由清潔過度地蝕刻，且因此清潔加工在可高度控制膜厚度之情況下執行。另外，膜可充分地充當蝕刻擋止膜或層間絕緣膜。
此外，如上所述，介於執行供應製程氣體之時段T1及T2之間的停止供應製程氣體之時段T2及T4不僅用作淨化步驟P1及P2，而且用作重組膜品質之時段。直接在此等時段中之每一者之前所形成之SiCN膜之表面在此時段中重組，藉此改良膜品質。因此，進一步降低SiCN膜之蝕刻速率。重組加工在原子級下之效應被認為如下。具體而言，當形成含有碳原子之SiCN膜時，由DCS氣體衍生之Cl原子中之一些並未解除吸附而是以活化狀態鍵結至此薄膜之最上層表面。在停止供應DCS氣體之時段T2及T4期間，由C2H4或NH3氣體衍生之C原子或N原子置換薄膜之最上層表面上之Cl原子，且減少膜中之Cl組份，藉此降低蝕刻速率。特定而言，當使用C2H4氣體時，引入膜中之C原子之數目增加，藉此進一步降低蝕刻速率。
膜形成加工之加工條件如下。DCS氣體之流率經設定為處於500至5,000sccm之範圍內，例如處於1,000sccm(1 slm)下。NH3氣體之流率經設定為處於100至10,000sccm之範圍內，例如處於1,000sccm下。C2H4氣體之流率經設定為處於100至5,000sccm之範圍內，例如處於500sccm下。C2H4氣體之流率經設定為不超過DCS氣體之流率之 三倍。此情況歸因於若用作碳氫化物氣體之C2H4氣體之流率過高，則膜品質不當地急劇降低。
加工溫度比一般CVD加工低，且經設定為處於300至700℃之範圍內，且較佳為550至650℃之範圍，諸如630℃。若加工溫度低於300℃，則因為幾乎不導致任何反應，所以基本上不沈積膜。若加工溫度高於700℃，則沈積低品質CVD膜，且諸如金屬膜之現有膜遭受熱損傷。
加工壓力經設定為處於13Pa(0.1托)至1,330Pa(10托)之範圍內，且較佳為40Pa(0.3托)至266Pa(2托)之範圍。舉例而言，加工壓力在第一時段(吸附步驟)T1期間經設定為1托，且在第三時段(氮化步驟)T3期間經設定為10托。若加工壓力低於13Pa，則膜形成速率變得低於實用水準。另一方面，若加工壓力超過1,330Pa，則反應模式自吸附反應變換成氣相反應，其接著變得遍及於晶圓W上。此情況為不當的，因為膜之基板間均一性及平面均一性劣化，且歸因於氣相反應之顆粒之數目突然增加。
展示於圖3A中之時序圖包括兩個淨化步驟P1及P2，但其可部分地或完全地省略。圖3B展示第一實施例之修改1之時序圖，其中省略圖3A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。具體而言，第一及第三製程氣體供應步驟80及88之後直接為第二製程氣體供應步驟84而無淨化步驟插入其間，且接著執行淨化步驟P2。
圖3C展示第一實施例之修改2之時序圖，其中省略圖3A中之兩淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。具體而言，完成一個週期以使得第一及第三製程氣體供應步驟80及88之後直接為第二製程氣體供應步驟84而無淨化步驟插入其間。另外，雖然未展示於圖式中，但第一實施例之修改3經安排以使得僅省略圖3A中之 最後淨化步驟P2。根據淨化步驟部分地或完全地省略之膜形成方法，處理速率增加較多，藉此改良產量。
為控制由此形成之SiCN膜之碳含量，可調整第三製程氣體供應步驟88之長度，亦即C2H4吸附時間；及/或第二製程氣體供應步驟84之長度，亦即氮化時間。
<對SiCN膜之檢查>
作為當前實例，使用根據第一實施例之膜形成方法，同時調整第二及/或第三製程氣體供應步驟84及/或88之長度以形成具有碳濃度(含量)之不同值的SiCN膜。作為對照實例CE1，在不供應C2H4氣體之情況下形成SiN膜。作為對照實例CE2，藉由使用電漿來形成SiN膜(根據US 2007/167028 A1之揭示內容之膜形成方法)。由此形成之膜中之每一者以稀氫氟酸DHF(200：1)蝕刻。
圖4為展示由實驗獲得之SiCN膜之碳含量與蝕刻速率之間的關係的圖表。如圖4中所示，對照實例CE1(不含有碳之SiN膜)提供0.6nm/min之極高蝕刻速率。對照實例CE2(藉由使用電漿形成之SiCN膜)具有至多約3.5%之碳濃度，且提供0.35nm/min之顯著蝕刻速率。
另一方面，在根據第一實施例之膜形成方法之情況下，SiCN膜中之碳濃度極大地增加且可藉由條件調整而控制在15.2%至28.5%之範圍內。作為由根據第一實施例之膜形成方法所形成之SiCN膜之代表，圖4展示與具有15.2%之碳濃度之第一當前實例PE1、具有26.2%之碳濃度之第二當前實例PE2及具有28.5%之碳濃度之第三當前實例PE3有關的數據。第一、第二、第三當前實例PE1、PE2及PE3提供0.22至0.1nm/min範圍內之蝕刻速率，其充分低於對照實例CE1及CE2之彼等蝕刻速率。
<第二實施例>
圖5A為展示根據本發明之第二實施例之膜形成方法之氣體供應 的時序圖。如圖5A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以使得第一製程氣體之供應(DCS供應)以與圖3A中所示之第一實施例相同之時序來執行，且第二製程氣體之供應(NH3供應)及第三製程氣體之供應(C2H4供應)以與圖3A中所示之方法相比彼此互換之時序來執行。
具體而言，第一時段T1經安排以在停止將第三製程氣體供應至製程場5之時，執行將第一及第二製程氣體供應至製程場5(第一及第二製程氣體供應步驟80及84)。第二時段T2經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P1)。第三時段T3經安排以在停止將第一及第二製程氣體供應至製程場5之時，執行將第三製程氣體供應至製程場5(第三製程氣體供應步驟88)。第四時段T2經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P2)。
此實施例亦可提供與第一實施例相同之效應，亦即雖然膜形成溫度經設定為較低，但可能將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中。因此，降低SiCN膜之蝕刻速率，且因此清潔加工在可高度控制膜厚度之情況下執行。另外，SiCN膜可充分地充當用於特定目的之絕緣膜，諸如蝕刻擋止膜或層間絕緣膜。
展示於圖5A中之時序圖包括兩個淨化步驟P1及P2，但其可部分地或完全地省略。圖5B展示第二實施例之修改1之時序圖，其中省略圖5A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。具體而言，第一及第二製程氣體供應步驟80及84之後直接為第三製程氣體供應步驟88而無淨化步驟插入其間，且接著執行淨化步驟P2。
圖5C展示第二實施例之修改2之時序圖，其中省略圖5A中之兩淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。具體而言，完成一個週期以使得第一及第二製程氣體供應步驟80及84之後直 接為第三製程氣體供應步驟88而無淨化步驟插入其間。另外，雖然未展示於圖式中，但第二實施例之修改3經安排以使得僅省略圖5A中之最後淨化步驟P2。根據淨化步驟部分地或完全地省略之膜形成方法，處理速率增加較多，藉此改良產量。
<第三實施例>
圖6A為展示根據本發明之第三實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖6A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以交替地重複第一至第六時段T1至T6。將包含第一至第六時段T1至T6之週期重複若干次，且層疊由各別批次所形成之SiCN薄膜，藉此達到具有目標厚度之SiCN膜。
具體而言，第一時段T1經安排以在停止將第二及第三製程氣體供應至製程場5之時，執行將第一製程氣體供應至製程場5(第一製程氣體供應步驟80)。第二時段T2經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P1)。第三時段T3經安排以在停止將第一及第二製程氣體供應至製程場5之時，執行將第三製程氣體供應至製程場5(第三製程氣體供應步驟88)。第四時段T4經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P2)。第五時段T5經安排以在停止將第一及第三製程氣體供應至製程場5之時，執行將第二製程氣體供應至製程場5(第二製程氣體供應步驟84)。第六時段T6經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P3)。
舉例而言，第一至第四時段T1至T4經設定為具有與第一實施例之彼等時段相同之長度，而第五時段T5經設定為約6秒，且第六時段T6經設定為約5秒。此實施例亦可提供與第一實施例相同之效應，亦即雖然膜形成溫度經設定為較低，但可將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中。
展示於圖6A中之時序圖包括三個淨化步驟P1、P2及P3，但其可部分地或完全地省略。圖6B展示第三實施例之修改1之時序圖，其中省略圖6A中之第二淨化步驟P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T2、T3、T5及T6形成。具體而言，第三製程氣體供應步驟88之後直接為第二製程氣體供應步驟84而無淨化步驟插入其間。
圖6C展示第三實施例之修改2之時序圖，其中省略圖6A中之第一及第二淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T3、T5及T6形成。
圖6D展示第三實施例之修改3之時序圖，其中省略圖6A中之第一至第三淨化步驟P1至P3。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T5形成。
<第四實施例>
圖7A為展示根據本發明之第四實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖7A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖6A中所示之第三實施例之膜形成方法相同，除了第二製程氣體之供應(NH3供應)不僅在第五時段T5中執行而且在第一時段T1中執行以外。換言之，第二製程氣體供應步驟84在一個週期中執行兩次(複數次)。此複數次之數目可進一步增加。
此實施例亦可提供如第一實施例之相同效應，亦即雖然膜形成溫度經設定為較低，但可將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中。
展示於圖7A中之時序圖包括三個淨化步驟P1、P2及P3，但其可部分地或完全地省略。圖7B展示第四實施例之修改1之時序圖，其中省略圖7A中之第二淨化步驟P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T2、T3、T5及T6形成。具體而言，第三製程氣體供應步驟88之後直接為第二製程氣體供應步驟84而無淨化步驟插入其間。
圖7C展示第四實施例之修改2之時序圖，其中省略圖7A中之第一 及第二淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T3、T5及T6形成。
圖7D展示第四實施例之修改3之時序圖，其中省略圖7A中之第一至第三淨化步驟P1至P3。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T5形成。
<第五實施例>
圖8A為展示根據本發明之第五實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖8A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖6A中所示之第三實施例之膜形成方法相同，除了第三製程氣體之供應(C2H4供應)不僅在第三時段T3中執行而且在第一時段T1中執行以外。換言之，第三製程氣體供應步驟88在一個週期中執行兩次(複數次)。此複數次之數目可進一步增加。
此實施例亦可提供與第一實施例相同之效應，亦即雖然膜形成溫度經設定為較低，但可將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中。
展示於圖8A中之時序圖包括三個淨化步驟P1、P2及P3，但其可部分地或完全地省略。圖8B展示第五實施例之修改1之時序圖，其中省略圖8A中之第二淨化步驟P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T2、T3、T5及T6形成。具體而言，第三製程氣體供應步驟88之後直接為第二製程氣體供應步驟84而無淨化步驟插入其間。
圖8C展示第五實施例之修改2之時序圖，其中省略圖8A中之第一及第二淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T3、T5及T6形成。第三製程氣體供應步驟88之兩個時段為連續的，且因此變得總計比第一製程氣體供應步驟80長。
圖8D展示第五實施例之修改3之時序圖，其中省略圖8A中之第一至第三淨化步驟P1至P3。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T5形成。
<第六實施例>
圖9A為展示根據本發明之第六實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖9A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖6A中所示之第三實施例之膜形成方法相同，除了第二製程氣體之供應(NH3供應)不僅在第五時段T5中執行而且在第一時段T1中執行，且第三製程氣體之供應(C2H4供應)不僅在第三時段T3中執行而且在第一時段T1中執行以外。換言之，第二製程氣體供應步驟84及第三製程氣體供應步驟88中之每一者在一個週期中執行兩次(複數次)。此複數次之數目可進一步增加。
此實施例亦可提供與第一實施例相同之效應，亦即雖然膜形成溫度經設定為較低，但可將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中。
展示於圖9A中之時序圖包括三個淨化步驟P1、P2及P3，但其可部分地或完全地省略。圖9B展示第六實施例之修改1之時序圖，其中省略圖9A中之第二淨化步驟P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T2、T3、T5及T6形成。具體而言，第三製程氣體供應步驟88之後直接為第二製程氣體供應步驟84而無淨化步驟插入其間。
圖9C展示第六實施例之修改2之時序圖，其中省略圖9A中之第一及第二淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T3、T5及T6形成。
圖9D展示第六實施例之修改3之時序圖，其中省略圖9A中之第一至第三淨化步驟P1至P3。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T5形成。
<第七實施例>
圖10A為展示根據本發明之第七實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖10A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖3A中所示之第一實施例之膜形成方法相同，除了第二製程氣體之 供應(NH3供應)不僅在第三時段T3中執行而且在第一時段T1中執行，且第三製程氣體之供應(C2H4供應)不僅在第一時段T1中執行而且在第三時段T3中執行以外。換言之，第二製程氣體供應步驟84及第三製程氣體供應步驟88中之每一者在一個週期中執行兩次(複數次)。此複數次之數目可進一步增加。
此實施例亦可提供與第一實施例相同之效應，亦即雖然膜形成溫度經設定為較低，但可將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中。
展示於圖10A中之時序圖包括兩個淨化步驟P1及P2，但其可部分地或完全地省略。圖10B展示第七實施例之修改1之時序圖，其中省略圖10A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。具體而言，一起執行之第一、第二及第三製程氣體供應步驟80、84及88之後直接為一起執行之第二及第三製程氣體供應步驟84及88而無淨化步驟插入其間，且接著執行淨化步驟P2。
圖10C展示第七實施例之修改2之時序圖，其中省略圖10A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。具體而言，此實施例經安排以在連續執行第二製程氣體(NH3)及第三製程氣體(C2H4)之供應之時，交替地執行及停止第一製程氣體之供應(DCS)。另外，雖然未展示於圖式中，但第七實施例之修改3經安排以使得僅省略圖10A中之最後淨化步驟P2。
<第八實施例>
圖11A為展示根據本發明之第八實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖11A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖5A中所示之第二實施例之膜形成方法相同，除了第二製程氣體之供應(NH3供應)不僅在第一時段T1中執行而且在第三時段T3中執行以外。換言之，第二製程氣體供應步驟84在一個週期中執行兩次(複數次)。此複數次之數目可進一步增加。
此實施例亦可提供與第一實施例相同之效應，亦即雖然膜形成溫度經設定為較低，但可將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中。
展示於圖11A中之時序圖包括兩個淨化步驟P1及P2，但其可部分地或完全地省略。圖11B展示第八實施例之修改1之時序圖，其中省略圖11A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。具體而言，一起執行之第一及第二製程氣體供應步驟80及84之後直接為一起執行之第二及第三製程氣體供應步驟84及88而無淨化步驟插入其間，且接著執行淨化步驟P2。
圖11C展示第八實施例之修改2之時序圖，其中省略圖11A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。具體而言，此實施例經安排以在連續執行第二製程氣體(NH3)之供應之時，交替地執行及停止第一製程氣體(DCS)及第三製程氣體(C2H4)中之每一者之供應。另外，雖然未展示於圖式中，但第八實施例之修改3經安排以使得僅省略圖11A中之最後淨化步驟P2。
<第九實施例>
圖12A為展示根據本發明之第九實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖12A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖3A中所示之第一實施例之膜形成方法相同，除了第三製程氣體之供應(C2H4供應)在第三時段T3中而非在第一時段T1中執行以外。
此實施例亦可提供與第一實施例相同之效應，亦即雖然膜形成溫度經設定為較低，但可將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中。
展示於圖12A中之時序圖包括兩個淨化步驟P1及P2，但其可部分地或完全地省略。圖12B展示第九實施例之修改1之時序圖，其中省略圖12A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。具體而言，第一製程氣體供應步驟80之後直接為一起執行之第二及第三製程氣體供應步驟84及88而無淨化步驟插入其間，且接 著執行淨化步驟P2。
圖12C展示第九實施例之修改2之時序圖，其中省略圖12A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。具體而言，完成一個週期以使得第一製程氣體供應步驟80之後直接為一起執行之第二及第三製程氣體供應步驟84及88而無淨化步驟插入其間。另外，雖然未展示於圖式中，但第九實施例之修改3經安排以使得僅省略圖12A中之最後淨化步驟P2。
<第十實施例>
圖13A為展示根據本發明之第十實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖13A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖3A中所示之第一實施例之膜形成方法相同，除了第三製程氣體之供應(C2H4供應)不僅在第一時段T1中執行而且在第三時段T3中執行以外。換言之，第三製程氣體供應步驟88在一個週期中執行兩次(複數次)。此複數次之數目可進一步增加。
此實施例亦可提供與第一實施例相同之效應，亦即雖然膜形成溫度經設定為較低，但可將較大量之碳引入所形成之SiCN膜中。
展示於圖13A中之時序圖包括兩個淨化步驟P1及P2，但其可部分地或完全地省略。圖13B展示第十實施例之修改1之時序圖，其中省略圖13A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。具體而言，一起執行之第一及第三製程氣體供應步驟80及88之後直接為一起執行之第二及第三製程氣體供應步驟84及88而無淨化步驟插入其間，且接著執行淨化步驟P2。
圖13C展示第十實施例之修改2之時序圖，其中省略圖13A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。具體而言，此實施例經安排以在連續執行第三製程氣體(C2H4)之供應之時，交替地執行及停止第一製程氣體(DCS)及第二製程氣體(NH3)中之 每一者之供應。另外，雖然未展示於圖式中，但第十實施例之修改3經安排以使得僅省略圖13A中之最後淨化步驟P2。
<膜形成裝置之修改>
圖14為展示用於根據一修改之膜形成裝置中之氣體供應管路之部分的結構圖。如圖14中所示，第三製程氣體供應管路28之氣體通路48具有自流率控制器48B及開關閥48A向下游依照如下順序之具有某一容積之儲存槽48C及第二開關閥48D。第一製程氣體供應管路30之氣體通路50具有自流率控制器50B及開關閥50A向下游依照如下順序之具有某一容積之儲存槽50C及第二開關閥50D。儲存槽48C及50C中之每一者具有(例如)約200至5,000毫升之容積。
根據此修改，膜形成方法可經安排以在停止將製程氣體供應至製程場5之時將待隨後供應至製程場5之量的製程氣體儲存於儲存槽48C或50C中，且接著在下一供應步驟中立刻將由此儲存於儲存槽48C或50C中之氣體供應至製程場5。在此情形下，可在較短時間中將較大量之製程氣體供應至製程場5，藉此減少吸附時間。將製程氣體供應至製程場5之開始與停止之間的切換由第二開關閥48D或50D開啟/閉合來執行，而將製程氣體儲存在儲存槽48C或50C中之開始及停止之間的切換由上游開關閥48A或50A之開啟/閉合來執行。第二開關閥48D或50D之開啟/閉合由控制部74來控制(參見圖1)。上游開關閥48A或50A可經設定於正常開啟狀態中，或僅當將氣體儲存於儲存槽48C或50C中時經設定於開啟狀態中。
在此修改中，第三製程氣體供應管路28之氣體通路48及第一製程氣體供應管路30之氣體通路50兩者分別具有儲存槽48C及50C以及開關閥48D及50D。然而，氣體通路中之僅一者具有儲存槽。是否放置儲存槽48C及50C可根據供應製程氣體之方式確定。當省略儲存槽48C及50C中之一者時，改變根據下列實施例中之每一者之膜形成方 法以便不執行相應製程氣體之儲存步驟。
<第十一實施例>
圖15A為展示根據本發明之第十一實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖15A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以如圖3A中所示之第一實施例般交替地重複第一至第四時段T1至T4。將包含第一至第四時段T1至T4之週期重複若干次，且層疊由各別批次所形成之SiCN薄膜，藉此達到具有目標厚度之SiCN膜。
具體而言，第一時段T1經安排以執行在停止將第二製程氣體(NH3)供應至製程場5之時，將第一及第三製程氣體(DCS及C2H4)供應至製程場5(第一及第三製程氣體供應步驟80及88)。第二時段T2經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P1)。第三時段T3經安排以在停止將第一及第三製程氣體供應至製程場5之時，執行將第二製程氣體供應至製程場5(第二製程氣體供應步驟84)。第四時段T4經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P2)。
另外，在停止將第一製程氣體供應至製程場5之第一製程氣體停止步驟82內，執行將第一製程氣體儲存在儲存槽50C中之第一製程氣體儲存步驟94。類似地，在停止將第三製程氣體供應至製程場5之第三製程氣體停止步驟90內，執行將第三製程氣體儲存在儲存槽48C中之第三製程氣體儲存步驟96。
在展示於圖15A中之時序圖中，在第三時段T3中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96，但可分別在第一及第三製程氣體停止步驟82及90內之任何時序中執行步驟94及96。具體而言，第一及第三製程氣體儲存步驟94及96中之每一者可經設定在任何位置處，且可具有第二至第四時段T2至T4內之任何長度。對於第一週期，較佳將各別製程氣體預先儲存於儲存槽50C及48C中。此等情況為以下第十二至第 二十實施例所共有。
如上所述，此膜形成方法經安排以在停止將第一及第三製程氣體供應至製程場5之時將各自具有待隨後供應至製程場5之量的第一及第三製程氣體儲存於儲存槽50C及48C中，且接著在下一供應步驟中立刻將由此儲存於儲存槽50C及48C中之氣體供應至製程場5。在此情形下，可在較短時間中將較大量之製程氣體供應至製程場5，藉此減少吸附時間(時段T1之長度)且改良產量。另外，當將第一及第三製程氣體供應至製程場5時，排放通道上之壓力調整閥(圖1中之閥單元78)之開度可經設定為較小以增加製程容器4中之氣體量。
圖15B展示第十一實施例之修改1之時序圖，其中省略圖15A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。在第四時段T4中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96。
圖15C展示第十一實施例之修改2之時序圖，其中省略圖15A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。在第四時段T3中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96。
<第十二實施例>
圖16A為展示根據本發明之第十二實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖16A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以使得第一製程氣體之供應(DCS供應)以與圖15A中所示之第十一實施例相同之時序來執行，且第二製程氣體之供應(NH3供應)及第三製程氣體之供應(C2H4供應)以與圖15A中所示之方法相比彼此互換之時序來執行。另外，在第二時段T2中執行第三製程氣體儲存步驟96時，並不執行第一製程氣體儲存步驟94。
圖16B展示第十二實施例之修改1之時序圖，其中省略圖16A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。在第一時段T1中執行第三製程氣體儲存步驟96。
圖16C展示第十二實施例之修改2之時序圖，其中省略圖16A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。在第一時段T1中執行第三製程氣體儲存步驟96。
此實施例亦可提供與第十一實施例相同之效應。另外，此實施例亦可經安排以利用如第十一實施例中所述之第一製程氣體儲存步驟94。
<第十三實施例>
圖17A為展示根據本發明之第十三實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖17A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以如圖6A中所示之第三實施例般交替地重複第一至第六時段T1至T6。將包含第一至第六時段T1至T6之週期重複若干次，且層疊由各別批次所形成之SiCN薄膜，藉此達到具有目標厚度之SiCN膜。
具體而言，第一時段T1經安排以在停止將第二及第三製程氣體供應至製程場5之時，執行將第一製程氣體供應至製程場5(第一製程氣體供應步驟80)。第二時段T2經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P1)。第三時段T3經安排以在停止將第一及第二製程氣體供應至製程場5之時，執行將第三製程氣體供應至製程場5(第三製程氣體供應步驟88)。第四時段T4經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P2)。第五時段T5經安排以在停止將第一及第三製程氣體供應至製程場5之時，執行將第二製程氣體供應至製程場5(第二製程氣體供應步驟84)。第六時段T6經安排以停止將第一、第二及第三製程氣體供應至製程場5(淨化步驟P3)。
另外，在停止將第一製程氣體供應至製程場5之第一製程氣體停止步驟82內，執行將第一製程氣體儲存在儲存槽50C中之第一製程氣體儲存步驟94。類似地，在停止將第三製程氣體供應至製程場5之第 三製程氣體停止步驟90內，執行將第三製程氣體儲存在儲存槽48C中之第三製程氣體儲存步驟96。
在展示於圖17A中之時序圖中，在第四時段T4中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96，但可分別在第一及第三製程氣體停止步驟82及90內之任何時序中執行步驟94及96。具體而言，第一及第三製程氣體儲存步驟94及96中之每一者可設定在任何位置處，且可具有第二至第六時段T2至T6內之任何長度。
圖17B展示第十三實施例之修改1之時序圖，其中省略圖17A中之第二淨化步驟P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T2、T3、T5及T6形成。在第五時段T5中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96。
圖17C展示第十三實施例之修改2之時序圖，其中省略圖17A中之第一及第二淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T3、T5及T6形成。在第六時段T6中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96。
圖17D展示第十三實施例之修改3之時序圖，其中省略圖17A中之第一至第三淨化步驟P1至P3。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T5形成。在第五時段T5中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96。
此實施例亦可提供與第十一實施例相同之效應。
<第十四實施例>
圖18A為展示根據本發明之第十四實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖18A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖17A中所示之第十三實施例之膜形成方法相同，除了第二製程氣體之供應(NH3供應)不僅在第五時段T5中執行而且在第一時段T1中執行，且在第二時段T2中執行第三製程氣體儲存步驟96時並不執行第一 製程氣體儲存步驟94以外。
圖18B展示第十四實施例之修改1之時序圖，其中省略圖18A中之第二淨化步驟P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T2、T3、T5及T6形成。在第二時段T2中執行第三製程氣體儲存步驟96。
圖18C展示第十四實施例之修改2之時序圖，其中省略圖18A中之第一及第二淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T3、T5及T6形成。在第一時段T1中執行第三製程氣體儲存步驟96。
圖18D展示第十四實施例之修改3之時序圖，其中省略圖18A中之第一至第三淨化步驟P1至P3。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T5形成。在第一時段T1中執行第三製程氣體儲存步驟96。
此實施例亦可提供與第十一實施例相同之效應。另外，此實施例亦可經安排以利用如第十一實施例中所述之第一製程氣體儲存步驟94。
<第十五實施例>
圖19A為展示根據本發明之第十五實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖19A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖17A中所示之第十三實施例之膜形成方法相同，除了第三製程氣體之供應(C2H4供應)不僅在第三時段T3中執行而且在第一時段T1中執行，且在第二及第五時段T2及T5中執行第三製程氣體儲存步驟96之時在第五時段T5中執行第一製程氣體儲存步驟94以外。在此情形下，第二時段T2需要包括第三製程氣體儲存步驟96以便為直接在其後之第三製程氣體供應步驟88作準備。
圖19B展示第十五實施例之修改1之時序圖，其中省略圖19A中之第二淨化步驟P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T2、T3、T5及T6形成。在第二及第五時段T2及T5中執行第三製程氣體儲存步驟96之時，在第五時段T5中執行第一製程氣體儲存步驟94。
圖19C展示第十五實施例之修改2之時序圖，其中省略圖19A中之第一及第二淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T3、T5及T6形成。僅在第五時段T5中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96。
圖19D展示第十五實施例之修改3之時序圖，其中省略圖19A中之第一至第三淨化步驟P1至P3。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T5形成。僅在第五時段T5中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96。
此實施例亦可提供與第十一實施例相同之效應。
<第十六實施例>
圖20A為展示根據本發明之第十六實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖20A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖17A中所示之第十三實施例之膜形成方法相同，除了第二製程氣體之供應(NH3供應)不僅在第五時段T5中執行而且在第一時段T1中執行，第三製程氣體之供應(C2H4供應)不僅在第三時段T3中執行而且在第一時段T1中執行，且在第二及第五時段T2及T5中執行第三製程氣體儲存步驟96之時並不執行第一製程氣體儲存步驟94以外。在此情形下，第二時段T2需要包括第三製程氣體儲存步驟96以便為直接在其後之第三製程氣體供應步驟88作準備。
圖20B展示第十六實施例之修改1之時序圖，其中省略圖20A中之第二淨化步驟P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T2、T3、T5及T6形成。在第二及第六時段T2及T6中執行第三製程氣體儲存步驟96。
圖20C展示第十六實施例之修改2之時序圖，其中省略圖20A中之第一及第二淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1、T3、T5及T6形成。在第五及第六時段T5及T6中執行第三製程氣體儲 存步驟96。
圖20D展示第十六實施例之修改3之時序圖，其中省略圖20A中之第一至第三淨化步驟P1至P3。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T5形成。僅在第五時段T5中執行第三製程氣體儲存步驟96。
此實施例亦可提供與第十一實施例相同之效應。另外，此實施例亦可經安排以利用如第十一實施例中所述之第一製程氣體儲存步驟94。
<第十七實施例>
圖21A為展示根據本發明之第十七實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖21A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖15A中所示之第十一實施例之膜形成方法相同，除了第二製程氣體之供應(NH3供應)不僅在第三時段T3中執行而且在第一時段T1中執行，第三製程氣體之供應(C2H4供應)不僅在第一時段T1中執行而且在第三時段T3中執行，且在第二及第四時段T2及T4中執行第三製程氣體儲存步驟96之時在第四時段T4中執行第一製程氣體儲存步驟94以外。在此情形下，第二時段T2需要包括第三製程氣體儲存步驟96以便為直接在其後之第三製程氣體供應步驟88作準備。
圖21B展示第十七實施例之修改1之時序圖，其中省略圖21A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。僅在第四時段T4中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96。
圖21C展示第十七實施例之修改2之時序圖，其中省略圖21A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。具體而言，此實施例經安排以在連續地執行第二製程氣體(NH3)及第三製程氣體(C2H4)之供應之時，交替地執行及停止第一製程氣體(DCS)之供應。因此，在第三時段T3中僅執行第一製程氣體儲存步驟94。
此實施例亦可提供與第十一實施例相同之效應。
<第十八實施例>
圖22A為展示根據本發明之第十八實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖22A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖16A中所示之第十二實施例之膜形成方法相同，除了第二製程氣體之供應(NH3供應)不僅在第一時段T1中執行而且在第三時段T3中執行以外。在第二時段T2中執行第三製程氣體儲存步驟96之時，並不執行第一製程氣體儲存步驟94。
圖22B展示第十八實施例之修改1之時序圖，其中省略圖22A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。在第一時段T1中執行第三製程氣體儲存步驟96。
圖22C展示第十八實施例之修改2之時序圖，其中省略圖22A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。在第一時段T1中執行第三製程氣體儲存步驟96。
此實施例亦可提供與第十一實施例相同之效應。另外，此實施例亦可經安排以利用如第十一實施例中所述之第一製程氣體儲存步驟94。
<第十九實施例>
圖23A為展示根據本發明之第十九實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖23A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖15A中所示之第十一實施例之膜形成方法相同，除了第三製程氣體之供應(C2H4供應)在第三時段T3中執行而非在第一時段T1中執行，且在第二時段T2中執行第三製程氣體儲存步驟96之時並不執行第一製程氣體儲存步驟94以外。
圖23B展示第十九實施例之修改1之時序圖，其中省略圖23A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。 在第一時段T1中執行第三製程氣體儲存步驟96。
圖23C展示第十九實施例之修改2之時序圖，其中省略圖23A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。在第一時段T1中執行第三製程氣體儲存步驟96。
此實施例亦可提供與第十一實施例相同之效應。另外，此實施例亦可經安排以利用如第十一實施例中所述之第一製程氣體儲存步驟94。
<第二十實施例>
圖24A為展示根據本發明之第二十實施例之膜形成方法之氣體供應的時序圖。如圖24A中所示，根據此實施例之膜形成方法經安排以與圖15A中所示之第十一實施例之膜形成方法相同，除了第三製程氣體之供應(C2H4供應)不僅在第一時段T1中執行而且在第三時段T3中執行，且在第二及第四時段T2及T4中執行第三製程氣體儲存步驟96之時在第四時段T4中執行第一製程氣體儲存步驟94以外。在此情形下，第二時段T2需要包括第三製程氣體儲存步驟96以便為直接在其後之第三製程氣體供應步驟88作準備。
圖24B展示第二十實施例之修改1之時序圖，其中省略圖24A中之第一淨化步驟P1。在此情形下，一個週期由時段T1、T3及T4形成。僅在第四時段T4中執行第一及第三製程氣體儲存步驟94及96。
圖24C展示第二十實施例之修改2之時序圖，其中省略圖24A中之兩個淨化步驟P1及P2。在此情形下，一個週期由時段T1及T3形成。具體而言，此實施例經安排以在連續執行第三處理氣體(C2H4)之供應之時，交替地執行及停止第一製程氣體(DCS)及第二製程氣體(NH3)中之每一者之供應。因此，僅在第三時段T3中執行第一製程氣體儲存步驟94。
此實施例亦可提供與第十一實施例相同之效應。
<第一至第二十實施例所共有之情況>
上述實施例由形成SiCN膜之情形來例示，但膜可另外摻雜有雜質，諸如B(硼)。上述實施例由每一週期經安排以首先供應第一製程氣體(DCS)之情形來例示，但每一週期可經安排以首先供應第二製程氣體(NH3)或第三製程氣體(C2H4)。
展示於圖1及2中之裝置包括形成於製程容器4之側壁上之噴嘴接收凹槽60以容納噴嘴38、40及42。然而，當足以容納噴嘴之空間存在於製程容器4與晶圓邊緣之間時，可省略噴嘴接收凹槽60。
展示於圖1及2中之膜形成裝置具有單一管類型，但可使用包括同心安排之內管及外管之雙管類型之膜形成裝置。製程容器內之氣體流動並不限於橫向流動。舉例而言，本發明可應用於具有垂直製程容器之膜形成裝置，在該垂直製程容器中，氣體在垂直方向上自一端供應且自另一端排放以形成垂直流動。展示於圖1及2中之裝置為用於一起處理複數個晶圓之分批類型之膜形成裝置。或者，本發明可應用於用於逐一處理晶圓之單一基板類型之膜形成裝置。
在上述實施例中，第一製程氣體含有DCS氣體作為矽烷族氣體。在此方面，矽烷族氣體可為一或多種選自由以下氣體組成之群之氣體：二氯矽烷(DCS)、六氯二矽烷(HCD)、單矽烷(SiH4)、二矽烷(Si2Cl6)、六甲基二矽氮烷(HMDS)、四氯矽烷(TCS)、二矽烷胺(DSA)、三矽烷胺(TSA)、雙第三丁基胺基矽烷(BTBAS)及二異丙基胺基矽烷(DIPAS)。
在上述實施例中，第二製程氣體含有NH3氣體作為氮化氣體。在此方面，氮化氣體可為一或多種選自由以下氣體組成之群之氣體：氨(NH3)、氮(N2)、氧化二氮(N2O)及氧化氮(NO)。
在上述實施例中，第三製程氣體含有乙烯氣體作為碳氫化物氣體。在此方面，碳氫化物氣體可為一或多種選自由以下氣體組成之群 之氣體：乙炔、乙烯、甲烷、乙烷、丙烷及丁烷。
目標基板並不限於半導體晶圓，且其可為另一基板，諸如LCD基板或玻璃基板。
熟習此項技術者將易於想起額外優點及修改。因此，本發明在其較廣泛態樣中並不限於本文中展示及描述之特定細節及代表性實施例。因此，在不偏離如附加申請專利範圍及其均等物所定義之本發明之一般概念的精神或範疇之情況下可作出各種修改。
80‧‧‧執行供應第一製程氣體之步驟
82‧‧‧停止供應第一製程氣體之步驟
84‧‧‧執行供應第二製程氣體之步驟
86‧‧‧停止供應第二製程氣體之步驟
88‧‧‧執行供應第三製程氣體之步驟
90‧‧‧停止供應第三製程氣體之步驟
P1‧‧‧淨化步驟
P2‧‧‧淨化步驟
T1‧‧‧第一時段
T2‧‧‧第二時段
T3‧‧‧第三時段
T4‧‧‧第四時段

Claims (13)

  1. 一種用於在一製程場中之目標基板上形成SiCN膜之方法，該製程場係架構為選擇性地供應含有矽烷族氣體之第一製程氣體、含有氮化氣體之第二製程氣體及含有碳氫化物氣體之第三製程氣體，該方法經安排以執行複數個週期，以層疊分別由該等週期形成之薄膜，藉此形成具有一預定厚度之該SiCN膜，該等週期各包含：執行將該第一製程氣體供應至該製程場之第一步驟；執行將該第二製程氣體供應至該製程場之第二步驟；執行將該第三製程氣體供應至該製程場之第三步驟；及停止供應該第一製程氣體至該製程場之第四步驟，其中該等週期各係安排為不將該第一製程氣體、該第二製程氣體及該第三製程氣體中之任一者在其供應期間在該製程場外部轉變成電漿，而在該第一步驟、該第二步驟、該第三步驟及該第四步驟期間將該製程場加熱至第一溫度，在該第一溫度下，該矽烷族氣體、該氮化氣體及該碳氫化物氣體彼此反應，該第三步驟至少一部分係於該第一步驟與該第二步驟之間執行。
  2. 如請求項1之方法，其中該第三步驟不與該第二步驟重疊。
  3. 如請求項1之方法，其中該第三步驟與該第一步驟重疊。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該第三步驟長於該第一步驟。
  5. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該第一步驟不與該第二步驟重疊。
  6. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該等週期各包含在停止供 應該第一製程氣體、該第二製程氣體及該第三製程氣體至該製程場之時自該製程場中排放氣體之一步驟。
  7. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該等週期各包含在執行該第四步驟之時，將隨後欲供應至該製程場之量的該第一製程氣體儲存在一儲存槽中之步驟，該儲存槽設置於一流率控制器與該製程場之間。
  8. 一種用於在目標基板上形成SiCN膜之裝置，該裝置包含：一製程容器，其具有架構成容納該目標基板之製程場；一支撐構件，其係架構成支撐該製程場內之該目標基板；一加熱器，其係架構成加熱該製程場內之該目標基板；一排放系統，其係架構成自該製程場中排放氣體；一第一製程氣體供應管路，其係架構成將含有矽烷族氣體之第一製程氣體供應至該製程場；一第二製程氣體供應管路，其係架構成將含有氮化氣體之第二製程氣體供應至該製程場；一第三製程氣體供應管路，其係架構成將含有碳氫化物氣體之第三製程氣體供應至該製程場；及一控制部，其係架構成控制該裝置之運作，其中該控制部係預設成進行用於在該製程場中之該目標基板上形成SiCN膜之方法，該方法藉由執行複數個週期以層疊分別由該等週期形成之薄膜，藉此形成具有預定厚度之該SiCN膜，該等週期各包含執行將該第一製程氣體供應至該製程場之第一步驟，執行將該第二製程氣體供應至該製程場之第二步驟，執行將該第三製程氣體供應至該製程場之第三步驟，及停止供應該第一製程氣體至該製程場之第四步驟， 其中該等週期各經安排為不將該第一製程氣體、該第二製程氣體及該第三製程氣體中之任一者在其供應期間在該製程場外部轉變成電漿，而在該第一步驟、該第二步驟、該第三步驟及該第四步驟期間將該製程場加熱至一第一溫度，在該第一溫度下，該矽烷族氣體、該氮化氣體及該碳氫化物氣體彼此反應，該第三步驟至少一部分係於該第一步驟與該第二步驟之間執行。
  9. 如請求項8之裝置，其中該第三步驟不與該第二步驟重疊。
  10. 如請求項8之裝置，其中該第三步驟與該第一步驟重疊。
  11. 如請求項8至10中任一項之裝置，其中該等週期各包含停止供應該第二製程氣體至該製程場之第五步驟。
  12. 如請求項8至10中任一項之裝置，其中該等週期各包含停止供應該第三製程氣體至該製程場之第六步驟。
  13. 如請求項8至10中任一項之裝置，其中該第一製程氣體供應管路包含設置於一流率控制器與該製程場之間的儲存槽，且該等週期各包含在執行該第四步驟之時將隨後欲供應至該製程場之量的該第一製程氣體儲存於該儲存槽中之步驟。
TW102129039A 2007-02-16 2008-02-14 ＳｉＣＮ膜之形成方法及裝置 TWI552225B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007037112 2007-02-16
JP2008001689A JP4924437B2 (ja) 2007-02-16 2008-01-08 成膜方法及び成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201347037A true TW201347037A (zh) 2013-11-16
TWI552225B TWI552225B (zh) 2016-10-01

Family

ID=39845660

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102129039A TWI552225B (zh) 2007-02-16 2008-02-14 ＳｉＣＮ膜之形成方法及裝置
TW097105244A TW200845208A (en) 2007-02-16 2008-02-14 SiCN film formation method and apparatus

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097105244A TW200845208A (en) 2007-02-16 2008-02-14 SiCN film formation method and apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP4924437B2 (zh)
KR (2) KR20080076828A (zh)
CN (1) CN101252087B (zh)
TW (2) TWI552225B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI617692B (zh) * 2014-05-30 2018-03-11 東京威力科創股份有限公司 SiCN膜之成膜方法

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5384291B2 (ja) 2008-11-26 2014-01-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP2010147139A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5421736B2 (ja) * 2009-11-13 2014-02-19 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
US8409352B2 (en) 2010-03-01 2013-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus
JP5651451B2 (ja) 2010-03-16 2015-01-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP5374638B2 (ja) 2010-04-09 2013-12-25 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP5841222B2 (ja) * 2010-04-12 2016-01-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP5654862B2 (ja) 2010-04-12 2015-01-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP5572447B2 (ja) 2010-05-25 2014-08-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP5545061B2 (ja) 2010-06-18 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び成膜方法
JP2012015344A (ja) * 2010-07-01 2012-01-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法
JP5689398B2 (ja) * 2010-12-21 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
JP5847566B2 (ja) * 2011-01-14 2016-01-27 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6151335B2 (ja) * 2011-01-14 2017-06-21 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US9123530B2 (en) 2011-03-23 2015-09-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method and substrate processing apparatus
JP5699980B2 (ja) 2011-06-16 2015-04-15 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
CN102881632B (zh) * 2011-07-13 2014-12-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
CN102881631B (zh) * 2011-07-13 2014-12-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
CN102891101B (zh) * 2011-07-18 2015-05-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
CN103620745B (zh) 2011-08-25 2016-09-21 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质
KR101628211B1 (ko) * 2011-10-14 2016-06-08 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
JP5758829B2 (ja) 2012-03-27 2015-08-05 東京エレクトロン株式会社 ボロン含有シリコン酸炭窒化膜の形成方法およびシリコン酸炭窒化膜の形成方法
JP6047039B2 (ja) * 2012-04-20 2016-12-21 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6022274B2 (ja) * 2012-09-18 2016-11-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6024484B2 (ja) * 2013-01-29 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP6035166B2 (ja) * 2013-02-26 2016-11-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP5446022B2 (ja) * 2013-03-06 2014-03-19 国立大学法人東北大学 光電変換部材
JP5847783B2 (ja) 2013-10-21 2016-01-27 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
JP6246558B2 (ja) * 2013-10-29 2017-12-13 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸炭窒化物膜、シリコン酸炭化物膜、シリコン酸窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP6315699B2 (ja) * 2014-03-17 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 炭窒化チタン膜を形成する方法
KR101764959B1 (ko) 2014-03-21 2017-08-03 주식회사 엘지화학 고속 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
JP6176811B2 (ja) 2014-06-25 2017-08-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US9685325B2 (en) * 2014-07-19 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Carbon and/or nitrogen incorporation in silicon based films using silicon precursors with organic co-reactants by PE-ALD
JP6345136B2 (ja) * 2015-03-06 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 炭素含有シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
CN105161411B (zh) * 2015-07-09 2018-01-05 江苏德尔森传感器科技有限公司 可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置
JP2016034043A (ja) * 2015-11-25 2016-03-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体
JP7203670B2 (ja) * 2019-04-01 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP7227122B2 (ja) 2019-12-27 2023-02-21 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7072012B2 (ja) 2020-02-27 2022-05-19 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
JP2021172841A (ja) * 2020-04-22 2021-11-01 東京エレクトロン株式会社 成膜方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3529989B2 (ja) * 1997-09-12 2004-05-24 株式会社東芝 成膜方法及び半導体装置の製造方法
JP4049214B2 (ja) * 2001-08-30 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置
JP4403824B2 (ja) * 2003-05-26 2010-01-27 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法
KR100591762B1 (ko) * 2004-01-19 2006-06-22 삼성전자주식회사 증착 장치 및 증착 방법
DE102004015174A1 (de) * 2004-03-27 2005-10-13 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Metalloxiden mittels nicht kontinuierlicher Precursorinjektion
JP4179311B2 (ja) * 2004-07-28 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4258518B2 (ja) * 2005-03-09 2009-04-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4506677B2 (ja) * 2005-03-11 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI617692B (zh) * 2014-05-30 2018-03-11 東京威力科創股份有限公司 SiCN膜之成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5287964B2 (ja) 2013-09-11
JP2012023399A (ja) 2012-02-02
JP4924437B2 (ja) 2012-04-25
KR20080076828A (ko) 2008-08-20
CN101252087B (zh) 2013-01-02
KR101314002B1 (ko) 2013-10-01
KR20130064766A (ko) 2013-06-18
TWI552225B (zh) 2016-10-01
TW200845208A (en) 2008-11-16
CN101252087A (zh) 2008-08-27
JP2008227460A (ja) 2008-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI552225B (zh) ＳｉＣＮ膜之形成方法及裝置
US8591989B2 (en) SiCN film formation method and apparatus
US7507676B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
US7351668B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
US7964241B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
US8257789B2 (en) Film formation method in vertical batch CVD apparatus
KR100954243B1 (ko) 반도체 처리용 성막 장치 및 방법과 컴퓨터로 판독 가능한 매체
US7825039B2 (en) Vertical plasma processing method for forming silicon containing film
US8119544B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
US9177786B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium
TWI383448B (zh) 形成含矽絕緣膜之方法及裝置
US8080290B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
TWI478238B (zh) 成膜方法及半導體製程用裝置
TWI420597B (zh) 用以形成掺雜有金屬之含矽絕緣膜的膜形成方法與膜形成設備
US20060207504A1 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
US8168270B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process