JP2021172841A - 成膜方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】生産性の改善と膜厚方向の元素濃度の均一性の向上を両立できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による成膜方法は、少なくとも３つの元素を含む膜の成膜方法であって、処理容器内に第１の元素を含む第１の反応ガスを供給するステップと、前記第１の反応ガスをパージするステップと、前記処理容器内に前記第１の反応ガスと反応する第２の元素を含む第２の反応ガスを供給するステップと、前記第２の反応ガスをパージするステップと、を有し、前記第１の反応ガスをパージするステップ及び前記第２の反応ガスをパージするステップの少なくとも一方において、前記処理容器内に第３の元素を含む第３の反応ガスを供給する。【選択図】図２

Description

本開示は、成膜方法に関する。
ＴｉＣｌ４供給、パージ、ＮＨ３供給、パージ、Ｏ２供給、パージを１サイクルとし、ウエハの上にＡＬＤ法を用いて所定膜厚の酸窒化チタン膜を成膜する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１２−１７２１７１号公報
本開示は、生産性の改善と膜厚方向の元素濃度の均一性の向上を両立できる技術を提供する。
本開示の一態様による成膜方法は、少なくとも３つの元素を含む膜の成膜方法であって、処理容器内に第１の元素を含む第１の反応ガスを供給するステップと、前記第１の反応ガスをパージするステップと、前記処理容器内に前記第１の反応ガスと反応する第２の元素を含む第２の反応ガスを供給するステップと、前記第２の反応ガスをパージするステップと、を有し、前記第１の反応ガスをパージするステップ及び前記第２の反応ガスをパージするステップの少なくとも一方において、前記処理容器内に第３の元素を含む第３の反応ガスを供給する。
本開示によれば、生産性の改善と膜厚方向の元素濃度の均一性の向上を両立できる。
実施形態の成膜方法の一例を示すフローチャート 実施形態の成膜装置の一例を示す概略図 実施形態の成膜方法のガス供給シーケンスの一例を示す図 実施形態の成膜方法のガス供給シーケンスの別の一例を示す図 実施形態の成膜方法のガス供給シーケンスの更に別の一例を示す図 実施形態の成膜方法のガス供給シーケンスの更に別の一例を示す図 サイクル数と膜厚との関係を示す図 酸素供給時間と膜中酸素濃度との関係を示す図 基板温度が一定であるときの酸素流量と膜中酸素濃度との関係を示す図 基板温度を変化させたときの酸素流量と膜中酸素濃度との関係を示す図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔成膜方法〕
図１を参照し、実施形態の成膜方法について、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition)法により、基板の上に酸窒化チタン（ＴｉＯＮ）膜を成膜する場合を例に挙げて説明する。図１は、実施形態の成膜方法の一例を示すフローチャートである。
まず、処理容器内に基板を収容すると共に、処理容器内を減圧（真空）状態に保持し、基板を所定の温度に調整する。基板は、例えばシリコンウエハ等の半導体ウエハであってよい。
続いて、基板が収容された処理容器内にＴｉ含有ガスである四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）ガスを供給することにより、基板の上にＴｉＣｌ４ガスを吸着させる（ステップＳ１）。なお、本実施形態において、Ｔｉ含有ガスとしてＴｉＣｌ４ガスを用いているが、例えばテトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）ガス、テトラキスエチルメチルアミノチタン（ＴＥＭＡＴ）ガスを用いてもよい。
続いて、処理容器内に不活性ガスである窒素（Ｎ２）ガスを供給することにより、処理容器内に残存するＴｉＣｌ４ガスをパージする（ステップＳ２）。このとき、Ｎ２ガスと共に酸素含有ガスである酸素（Ｏ２）ガスを供給する。これにより、基板の上に吸着したＴｉＣｌ４ガスの一部が酸化される。Ｏ２ガスは、ステップＳ２の全期間において処理容器内に供給してもよく、ステップＳ２の一部の期間において処理容器内に供給してもよい。Ｏ２ガスを供給する期間やＯ２ガスの流量を調整することにより、ＴｉＣｌ４ガスを酸化させる量を制御できる。言い換えると、成膜されるＴｉＯＮ膜の膜中酸素濃度を制御できる。なお、本実施形態において、不活性ガスとしてＮ２ガスを用いているが、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを用いてもよい。また、酸素含有ガスとしてＯ２ガスを用いているが、例えばオゾン（Ｏ３）ガスを用いてもよい。
続いて、処理容器内に窒素含有ガスであるアンモニア（ＮＨ３）ガスを供給することにより、基板の上に吸着したＴｉＣｌ４ガスを窒化させる（ステップＳ３）。なお、本実施形態において、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを用いているが、例えばヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）ガス、モノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）ガスを用いてもよい。
続いて、処理容器内に不活性ガスであるＮ２ガスを供給することにより、処理容器内に残存するＮＨ３ガスをパージする（ステップＳ４）。このとき、Ｎ２ガスと共に酸素含有ガスであるＯ２ガスを供給する。これにより、基板の上に吸着したＴｉＣｌ４ガスの一部が酸化される。Ｏ２ガスは、ステップＳ４の全期間において処理容器内に供給してもよく、ステップＳ４の一部の期間において処理容器内に供給してもよい。なお、本実施形態において、不活性ガスとしてＮ２ガスを用いているが、例えばＡｒガスを用いてもよい。また、酸素含有ガスとしてＯ２ガスを用いているが、例えばＯ３ガスを用いてもよい。
続いて、ステップＳ１〜Ｓ４の実行回数が、予め定められた回数Ｘ（Ｘは１以上の整数）に達したか否かを判定する（ステップＳ５）。ステップＳ５において、ステップＳ１〜Ｓ４の実行回数が回数Ｘに到達していない場合、ステップＳ１に戻り、再びステップＳ１〜Ｓ４を実行する。ステップＳ５において、ステップＳ１〜Ｓ４の実行回数が回数Ｘに達した場合、処理を終了する。このようにステップＳ１〜Ｓ４を回数Ｘに達するまで繰り返すことにより、基板の上に予め定められた膜厚を有するＴｉＯＮ膜が形成される。
なお、図１に示される例では、ステップＳ２及びステップＳ４において処理容器内にＯ２ガスを供給する場合を説明したが、本開示はこれに限定されず、ステップＳ２とステップＳ４のいずれかにおいて処理容器内にＯ２ガスを供給すればよい。すなわち、ステップＳ２において処理容器内にＯ２ガスを供給し、ステップＳ４において処理容器内にＯ２ガスを供給しないようにしてもよい。また、ステップＳ４において処理容器内にＯ２ガスを供給し、ステップＳ２において処理容器内にＯ２ガスを供給しないようにしてもよい。
以上に説明した実施形態の成膜方法によれば、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２及びＮＨ３ガスをパージするステップＳ４の少なくとも一方において、処理容器内にＯ２ガスを供給することにより、ＴｉＯＮ膜を成膜する。これにより、ステップＳ１〜Ｓ４とは別にＯ２ガスを供給するステップを行うことでＴｉＯＮ膜を成膜する場合と比較してステップ数を削減でき、ＴｉＮ膜を成膜する場合と同等の時間でＴｉＯＮ膜を成膜できる。また、すべてのサイクルにおいてＯ２ガスが供給されるので、膜厚方向の酸素濃度の均一性が向上する。すなわち、生産性の改善と膜厚方向の酸素濃度の均一性の向上を両立できる。
これに対し、ＴｉＣｌ４供給、パージ、ＮＨ３供給、パージ、Ｏ２供給、パージを１サイクルとし、基板の上にＡＬＤ法を用いて所定膜厚のＴｉＯＮ膜を成膜する場合、Ｏ２供給及びパージの分だけステップ数が多くなるため、成膜時間が長くなる。また、ＴｉＣｌ４供給、パージ、ＮＨ３供給、パージのサイクルを複数回繰り返すごとにＯ２供給を行うことによりＴｉＯＮ膜を成膜する場合、膜厚方向の酸素濃度に分布が生じやすく、また膜厚方向の酸素濃度の調整が困難である。
〔成膜装置〕
図２を参照し、前述のＴｉＯＮ膜の成膜方法を実施するための成膜装置の一例について説明する。図２は、実施形態の成膜装置の一例を示す概略図である。
成膜装置は、処理容器１、載置台２、シャワーヘッド３、排気部４、ガス供給部５及び制御部６を有する。
処理容器１は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有する。処理容器１は、基板の一例である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を収容する。処理容器１の側壁には、ウエハＷを搬入又は搬出するための搬入出口１１が形成されている。搬入出口１１は、ゲートバルブ１２により開閉される。処理容器１の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト１３が設けられている。排気ダクト１３には、内周面に沿ってスリット１３ａが形成されている。排気ダクト１３の外壁には、排気口１３ｂが形成されている。排気ダクト１３の上面には、処理容器１の上部開口を塞ぐように天壁１４が設けられている。排気ダクト１３と天壁１４との間は、シールリング１５で気密に封止されている。
載置台２は、処理容器１内でウエハＷを水平に支持する。載置台２は、ウエハＷよりも大きい円板状を有し、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で構成されている。載置台２の内部には、ウエハＷを加熱するためのヒータ２１が埋め込まれている。ヒータ２１は、ヒータ電源（図示せず）から給電されて発熱する。そして、載置台２の上面の近傍に設けられた熱電対（図示せず）の温度信号によりヒータ２１の出力を制御することにより、ウエハＷが所定の温度に制御される。載置台２には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材２２が設けられている。
載置台２は、支持部材２３に支持されている。支持部材２３は、載置台２の底面中央から処理容器１の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１の下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続されている。載置台２は、昇降機構２４により、図１で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示すウエハＷの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。支持部材２３の処理容器１の下方には、鍔部２５が取り付けられている。処理容器１の底面と鍔部２５との間には、ベローズ２６が設けられている。ベローズ２６は、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、載置台２の昇降動作にともなって伸縮する。
処理容器１の底面近傍には、昇降板２７ａから上方に突出するように３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン２７が設けられている。ウエハ支持ピン２７は、処理容器１の下方に設けられた昇降機構２８により昇降板２７ａを介して昇降する。ウエハ支持ピン２７は、搬送位置にある載置台２に設けられた貫通孔２ａに挿通されて載置台２の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン２７を昇降させることにより、搬送ロボット（図示せず）と載置台２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
シャワーヘッド３は、処理容器１内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド３は、例えば金属材料により形成され、載置台２に対向して配置されている。シャワーヘッド３は、載置台２とほぼ同じ直径を有する。シャワーヘッド３は、本体部３１及びシャワープレート３２を含む。本体部３１は、天壁１４の下面に固定されている。シャワープレート３２は、本体部３１の下に接続されている。本体部３１とシャワープレート３２との間には、ガス拡散空間３３が形成されている。ガス拡散空間３３には、天壁１４及び本体部３１の中央を貫通するようにガス導入孔３６，３７が設けられている。シャワープレート３２の周縁部には、下方に突出する環状突起部３４が形成されている。シャワープレート３２における環状突起部３４の内側の平坦面には、多数のガス吐出孔３５が形成されている。
載置台２が処理位置に存在した状態では、載置台２とシャワープレート３２との間に処理空間３８が形成され、カバー部材２２の上面と環状突起部３４とが近接して環状隙間３９が形成される。
排気部４は、処理容器１の内部を排気する。排気部４は、排気配管４１及び排気機構４２を含む。排気配管４１は、排気口１３ｂに接続されている。排気機構４２は、排気配管４１に接続されており、真空ポンプ、圧力制御バルブ等を含む。排気機構４２は、排気ダクト１３及び排気配管４１を介して、処理容器１内のガスを排気する。
ガス供給部５は、シャワーヘッド３に各種のガスを供給する。ガス供給部５は、ＴｉＣｌ４供給源５１ａ、ＮＨ３供給源５２ａ、Ｎ２供給源５３ａ、Ｎ２供給源５４ａ、Ｏ２供給源５５ａ、ＮＨ３供給源５６ａ、Ｎ２供給源５７ａ及びＮ２供給源５８ａを有する。
ＴｉＣｌ４供給源５１ａは、ガス供給ライン５１ｂを介してＴｉ含有ガスの一例であるＴｉＣｌ４ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５１ｂには、上流側から流量制御器５１ｃ、貯留タンク５１ｄ及びバルブ５１ｅが介設されている。ガス供給ライン５１ｂのバルブ５１ｅの下流側は、ガス導入孔３７に接続されている。ＴｉＣｌ４供給源５１ａから供給されるＴｉＣｌ４ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５１ｄで一旦貯留され、貯留タンク５１ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５１ｄから処理容器１へのＴｉＣｌ４ガスの供給及び停止は、バルブ５１ｅにより行われる。このように貯留タンク５１ｄへＴｉＣｌ４ガスを一旦貯留することで、ＴｉＣｌ４ガスを比較的大きい流量で安定して処理容器１内に供給できる。
ＮＨ３供給源５２ａは、ガス供給ライン５２ｂを介して窒素含有ガスの一例であるＮＨ３ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５２ｂには、上流側から流量制御器５２ｃ、貯留タンク５２ｄ及びバルブ５２ｅが介設されている。ガス供給ライン５２ｂのバルブ５２ｅの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。ＮＨ３供給源５２ａから供給されるＮＨ３ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５２ｄで一旦貯留され、貯留タンク５２ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５２ｄから処理容器１へのＮＨ３ガスの供給及び停止は、バルブ５２ｅにより行われる。このように貯留タンク５２ｄへＮＨ３ガスを一旦貯留することで、ＮＨ３ガスを比較的大きい流量で安定して処理容器１内に供給できる。
Ｎ２供給源５３ａは、ガス供給ライン５３ｂを介してパージガスの一例であるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５３ｂには、上流側から流量制御器５３ｃ、貯留タンク５３ｄ及びバルブ５３ｅが介設されている。ガス供給ライン５３ｂのバルブ５３ｅの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。Ｎ２供給源５３ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５３ｄで一旦貯留され、貯留タンク５３ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５３ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５３ｅにより行われる。このように貯留タンク５３ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、Ｎ２ガスを比較的大きい流量で安定して処理容器１内に供給できる。
Ｎ２供給源５４ａは、ガス供給ライン５４ｂを介してキャリアガスの一例であるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５４ｂには、上流側から流量制御器５４ｃ、バルブ５４ｅ及びオリフィス５４ｆが介設されている。ガス供給ライン５４ｂのオリフィス５４ｆの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。Ｎ２供給源５４ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２供給源５４ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５４ｅにより行われる。オリフィス５４ｆは、貯留タンク５１ｄ，５２ｄ，５３ｄによってガス供給ライン５１ｂ，５２ｂ，５３ｂに供給される比較的大きい流量のガスがＮ２ガス供給ライン５４ｂに逆流することを抑制する。
Ｏ２供給源５５ａは、ガス供給ライン５５ｂを介して酸素含有ガスの一例であるＯ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５５ｂには、上流側から流量制御器５５ｃ、貯留タンク５５ｄ及びバルブ５５ｅが介設されている。ガス供給ライン５５ｂのバルブ５５ｅの下流側は、ガス導入孔３６に接続されている。Ｏ２供給源５５ａから供給されるＯ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５５ｄで一旦貯留され、貯留タンク５５ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５５ｄから処理容器１へのＯ２ガスの供給及び停止は、バルブ５５ｅにより行われる。このように貯留タンク５５ｄへＯ２ガスを一旦貯留することで、Ｏ２ガスを比較的大きい流量で安定して処理容器１内に供給できる。
ＮＨ３供給源５６ａは、ガス供給ライン５６ｂを介して窒素含有ガスの一例であるＮＨ３ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５６ｂには、上流側から流量制御器５６ｃ、貯留タンク５６ｄ及びバルブ５６ｅが介設されている。ガス供給ライン５６ｂのバルブ５６ｅの下流側は、ガス供給ライン５５ｂに接続されている。ＮＨ３供給源５６ａから供給されるＮＨ３ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５６ｄで一旦貯留され、貯留タンク５６ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５６ｄから処理容器１へのＮＨ３ガスの供給及び停止は、バルブ５６ｅにより行われる。このように貯留タンク５６ｄへＮＨ３ガスを一旦貯留することで、ＮＨ３ガスを比較的大きい流量で安定して処理容器１内に供給できる。
Ｎ２供給源５７ａは、ガス供給ライン５７ｂを介してパージガスの一例であるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５７ｂには、上流側から流量制御器５７ｃ、貯留タンク５７ｄ及びバルブ５７ｅが介設されている。ガス供給ライン５７ｂのバルブ５７ｅの下流側は、ガス供給ライン５５ｂに接続されている。Ｎ２供給源５７ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５７ｄで一旦貯留され、貯留タンク５７ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５７ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５７ｅにより行われる。このように貯留タンク５７ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、Ｎ２ガスを比較的大きい流量で安定して処理容器１内に供給できる。
Ｎ２供給源５８ａは、ガス供給ライン５８ｂを介してキャリアガスの一例であるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５８ｂには、上流側から流量制御器５８ｃ、バルブ５８ｅ及びオリフィス５８ｆが介設されている。ガス供給ライン５８ｂのオリフィス５８ｆの下流側は、ガス供給ライン５５ｂに接続されている。Ｎ２供給源５８ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２供給源５８ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５８ｅにより行われる。オリフィス５８ｆは、貯留タンク５５ｄ，５６ｄ，５７ｄによってガス供給ライン５５ｂ，５６ｂ，５７ｂに供給される比較的大きい流量のガスがガス供給ライン５８ｂに逆流することを抑制する。
制御部６は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、成膜装置の動作を制御する。制御部６は、成膜装置の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部６が成膜装置の外部に設けられている場合、制御部６は、有線又は無線等の通信ネットワークによって、成膜装置を制御できる。
〔成膜装置の動作〕
図２及び図３を参照し、前述の成膜装置を用いてウエハＷの上にＴｉＯＮ膜を成膜する方法の一例について説明する。図３は、実施形態の成膜方法のガス供給シーケンスの一例を示す図であり、ステップＳ２において処理容器１内にＯ２ガスを供給し、ステップＳ４において処理容器１内にＯ２ガスを供給しない場合のガス供給シーケンスを示す。
最初に、バルブ５１ｅ〜５８ｅが閉じられた状態で、ゲートバルブ１２を開いて搬送ロボット（図示せず）によりウエハＷを処理容器１内に搬送し、搬送位置にある載置台２に載置する。搬送ロボットを処理容器１内から退避させた後、ゲートバルブ１２を閉じる。載置台２のヒータ２１によりウエハＷを所定の温度（例えば３００℃〜７００℃）に加熱すると共に載置台２を処理位置まで上昇させ、処理空間３８を形成する。また、排気機構４２の圧力制御バルブにより処理容器１内を所定の圧力（例えば２００Ｐａ〜１２００Ｐａ）に調整する。
次いで、バルブ５４ｅ，５８ｅを開き、Ｎ２供給源５４ａ，５８ａから夫々ガス供給ライン５４ｂ，５８ｂに所定の流量（例えば３００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ）のキャリアガス（Ｎ２ガス）を供給する。また、ＴｉＣｌ４供給源５１ａ、ＮＨ３供給源５２ａ、Ｏ２供給源５５ａ及びＮＨ３供給源５６ａから夫々ＴｉＣｌ４ガス、ＮＨ３ガス、Ｏ２ガス及びＮＨ３ガスをガス供給ライン５１ｂ，５２ｂ，５５ｂ，５６ｂに供給する。このとき、バルブ５１ｅ，５２ｅ，５５ｅ，５６ｅが閉じられているので、ＴｉＣｌ４ガス、ＮＨ３ガス、Ｏ２ガス及びＮＨ３ガスは、貯留タンク５１ｄ，５２ｄ，５５ｄ，５６ｄに夫々貯留され、貯留タンク５１ｄ，５２ｄ，５５ｄ，５６ｄ内が昇圧する。
次いで、バルブ５１ｅを開き、貯留タンク５１ｄに貯留されたＴｉＣｌ４ガスを処理容器１内に供給し、ウエハＷの上に吸着させる（ステップＳ１）。また、処理容器１内へのＴｉＣｌ４ガスの供給と並行して、Ｎ２供給源５３ａ，５７ａからガス供給ライン５３ｂ，５７ｂに夫々パージガス（Ｎ２ガス）を供給する。このとき、バルブ５３ｅ，５７ｅが閉じられているので、パージガスは貯留タンク５３ｄ，５７ｄに貯留され、５３ｄ，５７ｄ内が昇圧する。
バルブ５１ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０３秒〜３．０秒）が経過した後、バルブ５１ｅを閉じると共にバルブ５３ｅ，５７ｅ，５５ｅを開く。これにより、処理容器１内へのＴｉＣｌ４ガスの供給を停止すると共に、貯留タンク５３ｄ，５７ｄに夫々貯留されたパージガス及び貯留タンク５５ｄに貯留されたＯ２ガスを処理容器１内に供給する（ステップＳ２）。このとき、圧力が上昇した状態の貯留タンク５３ｄ，５７ｄから供給されるので、処理容器１内には比較的大きな流量、例えばキャリアガスの流量よりも大きい流量でパージガスが供給される。そのため、処理容器１内に残留するＴｉＣｌ４ガスが速やかに排気配管４１へと排出され、処理容器１内がＴｉＣｌ４ガス雰囲気からＮ２ガス雰囲気に短時間で置換される。また、処理容器１内にＯ２ガスが供給されるので、ウエハＷの上に吸着したＴｉＣｌ４ガスの一部が酸化される。一方、バルブ５１ｅが閉じられたことにより、ＴｉＣｌ４供給源５１ａからガス供給ライン５１ｂに供給されるＴｉＣｌ４ガスが貯留タンク５１ｄに貯留され、貯留タンク５１ｄ内が昇圧する。
バルブ５３ｅ，５７ｅ，５５ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０３秒〜３．０秒）が経過した後、バルブ５３ｅ，５７ｅ，５５ｅを閉じると共にバルブ５２ｅ，５６ｅを開く。これにより、処理容器１内へのパージガス及びＯ２ガスの供給を停止すると共に貯留タンク５２ｄ，５６ｄに貯留されたＮＨ３ガスを処理容器１内に供給し、ウエハＷの上に吸着したＴｉＣｌ４ガスを窒化する（ステップＳ３）。このとき、バルブ５３ｅ，５７ｅが閉じられたことにより、Ｎ２供給源５３ａ，５７ａからガス供給ライン５３ｂ，５７ｂに夫々供給されるパージガスが貯留タンク５３ｄ，５７ｄに貯留され、貯留タンク５３ｄ，５７ｄ内が昇圧する。また、バルブ５５ｅが閉じられたことにより、Ｏ２供給源５５ａからガス供給ライン５５ｂに供給されるＯ２ガスが貯留タンク５５ｄに貯留され、貯留タンク５５ｄ内が昇圧する。
バルブ５２ｅ，５６ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０３秒〜３．０秒）が経過した後、バルブ５２ｅ，５６ｅを閉じると共にバルブ５３ｅ，５７ｅを開く。これにより、処理容器１内へのＮＨ３ガスの供給を停止すると共に貯留タンク５３ｄ，５７ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する（ステップＳ４）。このとき、圧力が上昇した状態の貯留タンク５３ｄ，５７ｄから供給されるので、処理容器１内には比較的大きな流量、例えばキャリアガスの流量よりも大きい流量でパージガスが供給される。そのため、処理容器１内に残留するＮＨ３ガスが速やかに排気配管４１へと排出され、処理容器１内がＮＨ３ガス雰囲気からＮ２ガス雰囲気に短時間で置換される。一方、バルブ５２ｅ，５６ｅが閉じられたことにより、ＮＨ３供給源５２ａ，５６ａからガス供給ライン５２ｂ，５６ｂに供給されるＮＨ３ガスが貯留タンク５２ｄ，５６ｄに貯留され、貯留タンク５２ｄ，５６ｄ内が昇圧する。
上記のステップＳ１〜Ｓ４のサイクルを１サイクル実施することにより、ウエハＷの上にＴｉＮに酸素（Ｏ）が添加されたＴｉＯＮ単位膜を形成する。そして、ステップＳ１〜Ｓ４のサイクルを予め定められた回数Ｘだけ繰り返すことで（ステップＳ５）、ウエハＷの上に予め定められた膜厚を有するＴｉＯＮ膜が形成される。
その後、処理容器１内への搬入時とは逆の手順でウエハＷを処理容器１から搬出する。
なお、上記の例では、ステップＳ２及びステップＳ４において、貯留タンク５３ｄ，５７ｄに貯留されたパージガス（Ｎ２ガス）を処理容器１内に供給して処理容器１内をパージする場合を説明したが、これに限定されない。例えば、貯留タンク５３ｄ，５７ｄに貯留されたパージガス（Ｎ２ガス）を処理容器１内に供給することなく、Ｎ２供給源５４ａ，５８ａから処理容器１内に供給されるキャリアガス（Ｎ２ガス）によって処理容器１内をパージしてもよい。
図２及び図４を参照し、前述の成膜装置を用いてウエハＷの上にＴｉＯＮ膜を成膜する方法の別の一例について説明する。図４は、実施形態の成膜方法のガス供給シーケンスの別の一例を示す図であり、ステップＳ４において処理容器１内にＯ２ガスを供給し、ステップＳ２において処理容器１内にＯ２ガスを供給しない場合のガス供給シーケンスを示す。
図４に示される例では、ステップＳ２において、バルブ５１ｅを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ５１ｅを閉じると共にバルブ５３ｅ，５７ｅを開く。これにより、処理容器１内へのＴｉＣｌ４ガスの供給を停止すると共に、貯留タンク５３ｄ，５７ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する。
また、ステップＳ４において、バルブ５２ｅ，５６ｅを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ５２ｅ，５６ｅを閉じると共にバルブ５３ｅ，５７ｅ，５５ｅを開く。これにより、処理容器１内へのＮＨ３ガスの供給を停止すると共に、貯留タンク５３ｄ，５７ｄに夫々貯留されたパージガス及び貯留タンク５５ｄに貯留されたＯ２ガスを処理容器１内に供給する。なお、ステップＳ１及びステップＳ３については図３に示される例と同様であってよい。
図４に示される例においても、図３に示される例と同様に、ステップＳ１〜Ｓ４のサイクルを１サイクル実施することにより、ウエハＷの上にＴｉＮに酸素（Ｏ）が添加されたＴｉＯＮ単位膜を形成する。そして、ステップＳ１〜Ｓ４のサイクルを予め定められた回数Ｘだけ繰り返すことで（ステップＳ５）、ウエハＷの上に予め定められた膜厚を有するＴｉＯＮ膜が形成される。
図２及び図５を参照し、前述の成膜装置を用いてウエハＷの上にＴｉＯＮ膜を成膜する方法の更に別の一例について説明する。図５は、実施形態の成膜方法のガス供給シーケンスの更に別の一例を示す図であり、ステップＳ２及びステップＳ４において処理容器１内にＯ２ガスを供給する場合のガス供給シーケンスを示す。
図５に示される例では、ステップＳ２において、バルブ５１ｅを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ５１ｅを閉じると共にバルブ５３ｅ，５７ｅ，５５ｅを開く。これにより、処理容器１内へのＴｉＣｌ４ガスの供給を停止すると共に、貯留タンク５３ｄ，５７ｄに夫々貯留されたパージガス及び貯留タンク５５ｄに貯留されたＯ２ガスを処理容器１内に供給する。
また、ステップＳ４において、バルブ５２ｅ，５６ｅを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ５２ｅ，５６ｅを閉じると共にバルブ５３ｅ，５７ｅ，５５ｅを開く。これにより、処理容器１内へのＮＨ３ガスの供給を停止すると共に、貯留タンク５３ｄ，５７ｄに夫々貯留されたパージガス及び貯留タンク５５ｄに貯留されたＯ２ガスを処理容器１内に供給する。なお、ステップＳ１及びステップＳ３については図３に示される例と同様であってよい。
図５に示される例においても、図３に示される例と同様に、ステップＳ１〜Ｓ４のサイクルを１サイクル実施することにより、ウエハＷの上にＴｉＮに酸素（Ｏ）が添加されたＴｉＯＮ単位膜を形成する。そして、ステップＳ１〜Ｓ４のサイクルを予め定められた回数Ｘだけ繰り返すことで（ステップＳ５）、ウエハＷの上に予め定められた膜厚を有するＴｉＯＮ膜が形成される。
図２及び図６を参照し、前述の成膜装置を用いてウエハＷの上にＴｉＯＮ膜を成膜する方法の更に別の一例について説明する。図６は、実施形態の成膜方法のガス供給シーケンスの更に別の一例を示す図であり、ステップＳ２の一部の期間において処理容器１内にＯ２ガスを供給する場合のガス供給シーケンスを示す。
図６に示される例では、ステップＳ２において、バルブ５１ｅを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ５１ｅを閉じると共にバルブ５３ｅ，５７ｅを開く。これにより、処理容器１内へのＴｉＣｌ４ガスの供給を停止すると共に、貯留タンク５３ｄ，５７ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する。また、バルブ５３ｅ，５７ｅを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ５５ｅを開く。これにより、ステップＳ２の期間の途中から貯留タンク５５ｄに貯留されたＯ２ガスを処理容器１内に供給する。また、ステップＳ２においては、バルブ５５ｅを閉じてから所定の時間が経過した後、バルブ５３ｅ，５７ｅを閉じる。
また、ステップＳ４において、バルブ５２ｅ，５６ｅを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ５２ｅ，５６ｅを閉じると共にバルブ５３ｅ，５７ｅを開く。これにより、処理容器１内へのＮＨ３ガスの供給を停止すると共に、貯留タンク５３ｄ，５７ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する。なお、ステップＳ１及びステップＳ３については図３に示される例と同様であってよい。
図６に示される例においても、図３に示される例と同様に、ステップＳ１〜Ｓ４のサイクルを１サイクル実施することにより、ウエハＷの上にＴｉＮに酸素（Ｏ）が添加されたＴｉＯＮ単位膜を形成する。そして、ステップＳ１〜Ｓ４のサイクルを予め定められた回数Ｘだけ繰り返すことで（ステップＳ５）、ウエハＷの上に予め定められた膜厚を有するＴｉＯＮ膜が形成される。
以上、図２〜図６を参照して成膜装置を用いてウエハＷの上にＴｉＯＮ膜を成膜する方法の例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、図４に示される例において、ステップＳ４の一部の期間において処理容器１内にＯ２ガスを供給するようにしてもよい。また、図５に示される例において、ステップＳ２及びステップＳ４の少なくとも一方の一部の期間において処理容器１内にＯ２ガスを供給するようにしてもよい。
〔評価〕
（成膜速度及び面内均一性）
図７を参照し、前述の成膜装置を用いた実施形態の成膜方法により成膜されるＴｉＯＮ膜の成膜速度及び面内均一性について説明する。図７は、サイクル数と膜厚との関係を示す図である。図７中、横軸にサイクル数［回］を示し、縦軸に膜厚［Å］を示す。
図７の黒丸（●）印で示されるプロットは、前述の図３に示される成膜方法により基板の上にＴｉＯＮ膜を成膜した場合（以下「実施例１」という。）の結果を示す。すなわち、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給し、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給しなかった場合の結果を示す。
図７の白丸（〇）印で示されるプロットは、前述の図４に示される成膜方法により基板の上にＴｉＯＮ膜を成膜した場合（以下「実施例２」という。）の結果を示す。すなわち、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給し、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給しなかった場合の結果を示す。
図７の四角（■）印で示されるプロットは、ＴｉＣｌ４供給、パージ、ＮＨ３供給、パージを１サイクルとし、パージの際にＯ２ガスを供給することなく、このサイクルを繰り返して基板の上にＴｉＮ膜を成膜した場合（以下「比較例１」という。）の結果を示す。
図７の菱形（◆）印で示されるプロットは、ＴｉＣｌ４供給、パージ、ＮＨ３供給、パージ、Ｏ２供給、パージを１サイクルとし、このサイクルを繰り返して基板の上にＴｉＯＮ膜を成膜した場合（以下「比較例２」という。）の結果を示す。
なお、上記のいずれの成膜方法においても、基板温度を３００℃に設定して成膜を行った。
図７に示されるように、いずれの成膜方法においても、ＴｉＯＮ膜（ＴｉＮ膜）の膜厚がサイクル数に比例することが分かる。すなわち、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２及びＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給しても、Ｏ２ガスを供給しない場合と同様の膜厚制御性が得られると言える。
また、実施例１、実施例２及び比較例２において、基板の面内における複数箇所のＴｉＯＮ膜の膜厚を測定し、測定した膜厚に基づいて１σ％（標準偏差σを平均値で割って百分率表示した値）を算出した。その結果、実施例１、実施例２及び比較例２における１σ％の値は、それぞれ１．０９、１．３７、１．０７であった。この結果によれば、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２及びＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給しても、パージするステップとは別にＯ２ガスを供給するステップを行う場合と同等の面内均一性が得られると言える。
（パーティクル）
まず、前述の成膜装置を用いて図３及び図４のそれぞれに示される成膜方法により基板の一例であるベアシリコンウエハの上にＴｉＯＮ膜を成膜した。続いて、該ＴｉＯＮ膜の表面に付着した、粒径が０．０３２μｍ以上のパーティクルの数を測定し、パーティクルの数が基準値（１０個）以下であるかを確認した。なお、パーティクル評価では、図３及び図４に示される成膜方法をそれぞれ５回行い、それぞれについてパーティクルの数を測定した。
図３に示される成膜方法では、パーティクルの数は０個、４個、０個、１個、９個であり、５回とも基準値を下回る結果であった。すなわち、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを添加してもパーティクル性能への悪影響は確認されなかった。
図４に示される成膜方法では、パーティクルの数は０個、２個、１個、０個、５個であり、５回とも基準値を下回る結果であった。すなわち、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを添加してもパーティクル性能への悪影響は確認されなかった。
なお、パーティクルの評価における図３及び図４に示される成膜方法の条件はそれぞれ以下である。
（図３に示される成膜方法の条件）
基板温度：３００℃
ＴｉＣｌ４（流量制御器５１ｃ）：１４０ｓｃｃｍ
ＮＨ３（流量制御器５２ｃ）：７０００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５３ｃ）：３６００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５４ｃ）：４５００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５７ｃ）：３６００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５８ｃ）：４５００ｓｃｃｍ
Ｏ２（流量制御器５５ｃ）：１１３０ｓｃｃｍ
時間：Ｓ１／Ｓ２／Ｓ３／Ｓ４＝０．０５／０．２（Ｏ２ガス添加）／０．３／０．３秒
Ｏ２ガスの貯留タンク５５ｄへの貯留時間：０．７５秒
Ｏ２ガスの供給時間：０．１秒
サイクル数：９６回
（図４に示される成膜方法の条件）
基板温度：３００℃
ＴｉＣｌ４（流量制御器５１ｃ）：１４０ｓｃｃｍ
ＮＨ３（流量制御器５２ｃ）：７０００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５３ｃ）：３６００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５４ｃ）：４５００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５７ｃ）：３６００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５８ｃ）：４５００ｓｃｃｍ
Ｏ２（流量制御器５５ｃ）：１１３０ｓｃｃｍ
時間：Ｓ１／Ｓ２／Ｓ３／Ｓ４＝０．０５／０．２／０．３／０．３秒（Ｏ２ガス添加）
貯留タンク５５ｄへの貯留時間：０．７５秒
Ｏ２ガスの供給時間：０．１秒
サイクル数：１０７回
（膜中酸素濃度）
図８〜図１０を参照し、前述の成膜装置を用いた実施形態の成膜方法により成膜されるＴｉＯＮ膜の膜中酸素濃度の評価結果について説明する。
図８は、酸素供給時間と膜中酸素濃度との関係を示す図である。図８中、横軸に酸素供給時間［秒］を示し、縦軸に膜中酸素濃度［％］を示す。
図８の黒丸（●）印で示されるプロットは、前述の図３に示される成膜方法により基板の上にＴｉＯＮ膜を成膜した場合の結果を示す。すなわち、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給し、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給しなかった場合の結果を示す。
図８の白丸（〇）印で示されるプロットは、前述の図４に示される成膜方法により基板の上にＴｉＯＮ膜を成膜した場合の結果を示す。すなわち、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給し、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給しなかった場合の結果を示す。
図８に示されるように、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給し、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給しない場合、Ｏ２ガスの供給時間を長くするほど膜中酸素濃度が高くなることが分かる。すなわち、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２におけるＯ２ガスの供給時間を変更することで、膜中酸素濃度を調整できると言える。
一方、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給し、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給しない場合、Ｏ２ガスの供給時間を変更しても膜中酸素濃度は略一定であることが分かる。
これらの結果から、膜中酸素濃度を調整する際には、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給し、Ｏ２ガスの供給時間を変更することが有効であると考えられる。
図９は、基板温度が一定であるときの酸素流量と膜中酸素濃度との関係を示す図である。図９中、横軸に酸素流量［ｓｃｃｍ］を示し、縦軸に膜中酸素濃度［％］を示す。
図９の黒丸（●）印で示されるプロットは、前述の図３に示される成膜方法により基板の上にＴｉＯＮ膜を成膜した場合の結果を示す。すなわち、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給し、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給しなかった場合の結果を示す。
図９の白丸（〇）印で示されるプロットは、前述の図４に示される成膜方法により基板の上にＴｉＯＮ膜を成膜した場合の結果を示す。すなわち、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給し、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給しなかった場合の結果を示す。
図９に示されるように、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給し、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給しない場合、酸素流量を大きくするほど膜中酸素濃度が高くなることが分かる。すなわち、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２における酸素流量を変更することで、膜中酸素濃度を調整できると言える。
一方、ＮＨ３ガスをパージするステップＳ４においてＯ２ガスを供給し、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給しない場合、酸素流量を変更しても膜中酸素濃度は略一定であることが分かる。
これらの結果から、膜中酸素濃度を調整する際には、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２においてＯ２ガスを供給し、酸素流量を変更することが有効であると考えられる。
図１０は、基板温度を変化させたときの酸素流量と膜中酸素濃度との関係を示す図である。図１０中、横軸に酸素流量［ｓｃｃｍ］を示し、縦軸に膜中酸素濃度［％］を示す。
図１０の三角（▲）印、丸（●）印、四角（■）印及び菱形（◆）印で示されるプロットは、それぞれ基板温度を３００℃、３５０℃、３７５℃及び４００℃に設定し、前述の図３に示される成膜方法により基板の上にＴｉＯＮ膜を成膜した場合の結果を示す。
図１０に示されるように、基板温度が３００℃〜４００℃の範囲におけるいずれの温度でも、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２における酸素流量を大きくするほど膜中酸素濃度が高くなることが分かる。すなわち、基板温度が３００℃〜４００℃の範囲におけるいずれの温度でも、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２における酸素流量を変更することで、膜中酸素濃度を調整できると言える。また、ＴｉＣｌ４ガスをパージするステップＳ２において酸素ガスを供給する時間及び流量を小さくすることで、膜中酸素濃度が低い（例えば２５〜４０％）ＴｉＯＮ膜を形成できると言える。
なお、膜中酸素濃度の評価における図３に示される成膜方法の条件はそれぞれ以下である。
（図３に示される成膜方法の条件）
基板温度：３００、３５０、３７５、４００℃
ＴｉＣｌ４（流量制御器５１ｃ）：１４０ｓｃｃｍ
ＮＨ３（流量制御器５２ｃ）：７０００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５３ｃ）：３６００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５４ｃ）：４５００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５７ｃ）：３６００ｓｃｃｍ
Ｎ２（流量制御器５８ｃ）：４５００ｓｃｃｍ
Ｏ２（流量制御器５５ｃ）：１５、３０、５０、１００、３００ｓｃｃｍ
時間：Ｓ１／Ｓ２／Ｓ３／Ｓ４＝０．０５／０．２（Ｏ２ガス添加）／０．３／０．３秒
Ｏ２ガスの貯留タンク５５ｄへの貯留時間：０．８２秒
Ｏ２ガスの供給時間：０．０３秒
サイクル数：９６回
なお、上記の実施形態において、チタン（Ｔｉ）は第１の元素の一例であり、ＴｉＣｌ４ガスは第１の反応ガスの一例である。また、窒素（Ｎ）は第２の元素の一例であり、ＮＨ３ガスは第２の反応ガスの一例である。また、酸素（Ｏ）は第３の元素の一例であり、Ｏ２ガスは第３の反応ガスの一例である。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、成膜方法としてＴｉＯＮ膜を成膜する場合を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されず、少なくとも３つの元素を含む膜を成膜する場合に適用できる。３つの元素を含む膜の別の例としては、例えばＴｉＳｉＮ膜が挙げられる。ＴｉＳｉＮ膜を成膜する場合には、酸素含有ガスに代えて、モノシラン（ＳｉＨ４）ガス、ジクロロシラン（ＤＣＳ）ガス等のシリコン含有ガスを用いればよい。
１ 処理容器

Claims (6)

  1. 少なくとも３つの元素を含む膜の成膜方法であって、
    処理容器内に第１の元素を含む第１の反応ガスを供給するステップと、
    前記第１の反応ガスをパージするステップと、
    前記処理容器内に前記第１の反応ガスと反応する第２の元素を含む第２の反応ガスを供給するステップと、
    前記第２の反応ガスをパージするステップと、
    を有し、
    前記第１の反応ガスをパージするステップ及び前記第２の反応ガスをパージするステップの少なくとも一方において、前記処理容器内に第３の元素を含む第３の反応ガスを供給する、
    成膜方法。
  2. 前記第１の反応ガスをパージするステップにおいて前記処理容器内に前記第３の反応ガスを供給し、
    前記第２の反応ガスをパージするステップにおいて前記処理容器内に前記第３の反応ガスを供給しない、
    請求項１に記載の成膜方法。
  3. 前記第１の反応ガスを供給するステップ、前記第１の反応ガスをパージするステップ、前記第２の反応ガスを供給するステップ及び前記第２の反応ガスをパージするステップを繰り返すステップを更に有する、
    請求項１又は２に記載の成膜方法。
  4. 前記第１の反応ガスをパージするステップ及び前記第２の反応ガスをパージするステップにおいて、前記処理容器内に不活性ガスを供給する、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の成膜方法。
  5. 前記第１の反応ガスは、金属を含むガスであり、
    前記第２の反応ガスは、窒素含有ガスであり、
    前記第３の反応ガスは、酸素含有ガス又はシリコン含有ガスである、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の成膜方法。
  6. 前記第１の反応ガスは、ＴｉＣｌ４ガスであり、
    前記第２の反応ガスは、ＮＨ３ガスであり、
    前記第３の反応ガスは、Ｏ２ガスである、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載の成膜方法。
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