TW201338105A - 固態電解電容基板模組及包括該固態電解電容基板模組的電路板 - Google Patents

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Abstract

一種固態電解電容基板模組及包括此基板模組的電路板。固態電解電容基板模組包括基板、氧化層、第二電極、絕緣層、導通薄片及導通孔。基板包括第一電極與多孔隙結構，第一電極包括第一表面。多孔隙結構包括表面及多個分布區域，每一分布區域分別具有一深度。氧化層設置於多孔隙結構之表面上。第二電極設置於氧化層之上，並包括導電性高分子材料。絕緣層設置於第二電極上，且包括第三表面及第四表面，第四表面連接第二電極。導通薄片設置於第一電極之第一表面上及絕緣層之第三表面上，並對應性地與導通孔電性連接。

Description

固態電解電容基板模組及包括該固態電解電容基板模組的電路板
本發明是有關於一種電容基板模組，且特別是有關於一種具有低共生電感的固態電解電容基板模組及包括該固態電解電容基板模組的電路板。
可攜式電子產品發展講求輕、薄、短、小、高速、低耗電率及多功能性。近年來，隨著IC製程技術不斷地提升以及訊號傳輸速度增加，印刷電路板(Printed Circuit Board)或IC載板(substrate)必須要傳輸更高頻的訊號，同步切換所產生之電源雜訊相互干擾也日益嚴重。目前被廣泛用於降低電源雜訊的方法是在電源接腳(power/ground pin)附近放置SMD電容，稱之為去耦合電容(decoupling capacitor)或是旁路電容(bypass capacitor)。主要功能是將電能儲存在電容器中，在電能不足時可以適時補給電能，以達到吸收突波(glitch)、降低電源雜訊及穩定電源的效果。
然而，未來電路系統強調多功能(Multi-function)，其雜訊產生的頻帶也愈來愈寬，在IC載板有限的面積下，擺放的SMD型式電容數目勢必受限，因此以前述方法抑制電源雜訊亦將遇到瓶頸。而近年來開發內藏式電容基板，例如某些金屬-絕緣體-金屬(MIM)結構的電容，其單位面積所能提供的電容值仍然不能滿足CPU載板上的電容值需求。
本揭露內容提供一種固態電解電容基板模組。
在多個實施例其中之一，提供一種固態電解電容基板模組，包括基板、第二電極、絕緣層、導通薄片及導通孔。所述基板包括第一電極與多孔隙結構，第一電極包括第一表面，相對於第一表面為多孔隙結構。多孔隙結構包括表面及多個分布區域，分布區域具有多個深度，氧化層設置於多孔隙結構之表面上。第二電極設置於氧化層之上，第二電極包括具有導電性之高分子材料。絕緣層設置於第二電極相對於面向基板的相對另一面上，絕緣層包括第三表面以及第四表面，第四表面連接第二電極。所述導通薄片設置於第一電極之第一表面上及絕緣層之第三表面上。所述導通孔選擇性地與導通薄片電性連接。
在多個實施例其中之一，提供一種固態電解電容基板模組，包括多個固態電解電容結構、絕緣層、導通薄片及導通孔，以陣列方式依序相鄰排列，其中每一固態電解電容結構包括基板及第二電極。所述基板包括第一電極與多孔隙結構，第一電極包括第一表面，相對於第一表面為多孔隙結構。氧化層設置於多孔隙結構之表面上。第二電極設置於氧化層之上，第二電極包括導電性高分子材料。其中，每兩固態電解電容結構之多孔隙結構包括至少一第一分布區域以及至少一第二分布區域，第一分布區域以與第二分布區域具有不同的深度。絕緣層設置於固態電解電容結構的上方，絕緣層包括第三表面以及第四表面，第四表面連接固態電解電容結構的第二電極。所述導通薄片，分別設置於固態電解電容結構的第一電極之第一表面上以及絕緣層之第三表面上。所述導通孔，對應地與導通薄片電性連接。
為讓本發明之上述特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本揭露內容之一種實施例之固態電解電容基板模組結構剖面示意圖。固態電解電容基板模組100可內藏於印刷電路板或是IC載板內部，其包括一基板110、氧化層112b、第二電極130、絕緣層150、多個導通薄片160以及多個導通孔170。固態電解電容結構包括上述之基板110、氧化層112b以及第二電極130。在本發明之實施例中，提供一基板110，其中此基板110包括多孔隙結構121與第一電極112，其中，基板110經由蝕刻製程在不同區域(116,118)形成不同深度(118H,116H)的多孔隙結構121，此多孔隙結構121相較於傳統MIM平板電容為一具有較高表面面積的粗糙介面(High Surface Area Interface)。而基板110藉由蝕刻製程區域的控制，此多孔隙結構121可以具有不同的深度。
底下以圖示的實施例說明。請參照圖1A，此基板110為一鋁基板，在經過蝕刻製程後，此鋁基板形成包括第一電極112與多孔隙結構121。在此，由電化學製程產生的多孔隙結構是不規則狀，故在圖1A的剖面圖中，多孔隙結構的剖面例如是一不規則的鋸齒線。鋁基板經由電化學製程在多孔隙結構121的表面上形成氧化層112b，例如是氧化鋁(Al2O3)，且氧化層112b覆蓋在多孔隙結構121的表面上，此氧化層112b是絕緣物質，即可當作是電容結構中的介電層(Dielectric layer)。因此在圖1A之部分結構剖面放大圖中，氧化層112b即為覆蓋在鋸齒線的上緣。而多孔隙結構121的分布區域包括第一分布區域116以及第二分布區域118。在第一分布區域116中的多孔隙結構深度為第一深度116H，在第二分布區域118中的多孔隙結構深度為第二深度118H，其中，第一深度116H小於第二深度118H。
第二電極130設置於氧化層112b之上，在一實施例中，覆蓋在氧化層112b上之導電材料可以是導電性高分子材料132。所述第二電極130可單獨為導電性高分子材料132，在另一實施例中，更可包括一含碳層134以及一導電銀膠136，以提供較佳的導電率。在其他未繪示實施例中，導電銀膠更可以導電錫膏取代。上述含碳層134設置於導電性高分子材料132之上，導電銀膠136更設置於含碳層134之上。
絕緣層150設置於固態電解電容基板模組100之第二電極130上方，包括一第三表面152以及一第四表面154，其中第四表面154與第二電極130相連接。在第一電極112之第一表面112a，以及絕緣層150的第三表面152設置有多個導通薄片160。在本實施例中，導通薄片160包括一第一導通薄片162以及多個第二導通薄片164，第一導通薄片162與第一電極112之第一表面112a電性連接，第二導通薄片164設置在絕緣層150之第三表面152上。
導通孔170包括多個盲孔172以及多個貫通孔174，盲孔172貫穿絕緣層150，在本實施例中，盲孔172具有一導通層，且盲孔172藉由該導通層與第二導通薄片164之負電極導通薄片168以及第二電極130電性連接。貫通孔174是藉由先在固態電解電容基板模組100上設置多個絕緣貫通孔173，絕緣貫通孔173穿過絕緣層150、第二電極130及基板110，且在絕緣貫通孔173內再設置一層絕緣材料174a，使得絕緣貫通孔173可藉由絕緣材料174a分別與第一電極112及第二電極130電性絕緣。接著，並在絕緣材料174a內層再設置一導通層成為一貫通孔174。其中，絕緣貫通孔173之孔壁直徑較貫通孔174大。貫通孔174貫穿絕緣材料174a，分別與第一導通薄片162以及第二導通薄片164之正電極導通薄片166電性連接。
在本實施例中，第一電極112為一正電極，且電性連接至第一導通薄片162後，再經由貫通孔174電性連接至第二導通薄片164之正電極導通薄片166上。第二電極130為一負電極，藉由盲孔172電性連接至第二導通薄片164之負電極導通薄片168上。
在圖1A中，多孔隙結構121上的第一分布區域116，具有一第一電容C1，多孔隙結構121上的第二分布區域118具有一第二電容C2，因為第一分布區域116的鋁基板蝕刻深度較第二分布區域118的鋁基板蝕刻深度小，換句話說，第一深度116H較第二深度118H小。在蝕刻深度較深的區域，孔隙結構較多相對的其表面積也較大，因此有效電容面積也越大，故第二電容C2大於第一電容C1。
此外，因盲孔172位在多孔隙結構中的蝕刻深度較淺的第一分布區域116，所以第二電極130藉由盲孔172電性連接至負電極導通薄片168的距離較短，因此本揭露內容之固態電解電容基板模組100更具有低寄生電感值之特點。
圖1B為圖1A的固態電解電容基板模組的實施例俯視示意圖。請參考圖1B，在本揭露內容之範例實施例中，第一區域A1為圖1A中的第一分布區域116，第二區域A2為圖1A中的第二分布區域118。第一分布區域116周圍被第二分布區域118圍繞，在固態電解電容基板模組100中，中央區域A1的第一電容C1小於周圍區域A2的第二電容C2。因此中央區域A1可抑制較高頻的雜訊，而周圍區域A2藉由貫通孔174將第一電極引出，可抑制較低頻的雜訊區。因此，此固態電解電容基板模組100可以為具有寬頻效應的固態電解電容基板模組。此外，中央區域A1的第一電容C1可以大於或小於周圍區域A2的第二電容C2。
圖2A為本揭露內容其中一個實施例的陣列式固態電解電容基板模組剖面示意圖，圖2B為圖2A之俯視示意圖。請同時參考圖2A與圖2B，本實施例中，固態電解電容基板模組200具有多個陣列式排列之固態電解電容結構，其包括至少一分布區域，且此分布區域相對於第二電極130具有一深度。而本實施例之固態電解電容基板模組200，每兩相鄰的固態電解電容結構包括至少一第一分布區域116以及至少一第二分布區域118。在此實施例中，採用如圖1A的固態電解電容結構加以說明，但並非以此為限制。為方便說明，圖2A與圖1A的固態電解電容基板模組相同元件部份以相同標號表示，不再冗述。
在本實施例中，因為每兩相鄰的固態電解電容結構包括不同的多孔隙結構分布區域，所以第一分布區域116及第二分布區域118即相鄰且周期性地交互地排列。因為第一分布區域116之第一電容C1小於第二分布區域118之第二電容C2，故圖2B中電容較大的第二區域A2與電容較小的第一區域A1相互交錯排列於固態電解電容陣列中。然而，第一區域A1與第二區域A2可具有不同電容值，其面積及多孔隙結構深度可依照電路需求作不同的排列設計，例如此實施例以矩陣的方式排列，但並非以此為限制。
圖3A為本揭露內容的其中一種實施例的固態電解電容基板模組剖面示意圖，圖3B為圖3A之俯視示意圖，而圖3C為圖3A之等效電路示意圖。為方便說明，圖3A與圖1A的固態電解電容基板模組相同元件部份以相同標號表示，不再冗述。
請參考圖3A及圖3B，在本實施例中，固態電解電容基板模組300包括基板310、第二電極330、絕緣層150、多個導通薄片160以及多個導通孔170。此外，固態電解電容基板模組300更可包括一溝槽340，以將在基板310上的第二電極330、多孔隙結構321及第一電極310間隔出第一分布區域316以及第二分布區域318，其中第二電極330中的第一分布區域316與第二分布區域318藉由溝槽340相互電性絕緣。第二電極330之導電性高分子材料332、含碳層334、導電銀膠336以及多孔隙結構321也被溝槽340相互電性絕緣隔開成不同區域。
本實施例中，基板310之第一電極312仍與第一導通薄片162電性連接，並藉由貫通孔174連接至第二導通薄片164之正電極導通薄片166上，不同區域的第二電極330藉由盲孔172引出至第二導通薄片164之負電極導通薄片168上，提供多組電容值。因此，在圖3B中，固態電解電容基板模組300之第一區域A1所示為圖3A之第一分布區域316的上視區域，第二區域A2所示為圖3A之第二分布區域318的上視區域，在第一區域A1與第二區域A2之間，即具有一溝槽340間將此二區域絕緣地間隔開。
此外，在圖3C所示之等效電路示意圖中，第一分布區域316具有一第一電容C1，並有一寄生電感L1及寄生電阻R1，而第二分布區域318具有一第二電容C2，並有一寄生電感L2及寄生電阻R2。當不同區域的負電極導通薄片168相互電性連接時，即可將不同區域的固態電解電容結構所產生的電容相互並聯，因此而更能降低固態電解電容之寄生電感值。
圖4A為本揭露內容多個實施例其中之一的陣列式固態電解電容基板模組剖面示意圖，圖4B為圖4A之俯視示意圖，而圖4C為圖4A之等效電路示意圖。請同時參考圖4A以及圖4B，在本實施例中，固態電解電容基板模組400包括多個第一固態電解電容結構與多個第二固態電解電容結構。第一固態電解電容結構包括一第一基板410及第二電極330。第一基板410包括第一電極412與第一多孔隙結構421，第一電極412包括一第一表面412a，相對於第一表面412a為第一多孔隙結構421，第一多孔隙結構421包括至少一第一分布區域416，且第一分布區域416中的多孔隙結構深度為第一深度416H。經由電化學製程，在具有高表面面積的第一多孔隙結構421之表面形成一氧化層412b。第二電極330設置於一氧化層412b之上，第二電極330包括導電性高分子材料332、含碳層334及導電銀膠336。
第二固態電解電容結構包括第二基板510及第四電極330a，第二基板510包括第三電極512與第二多孔隙結構521，第三電極512包括一第三表面512a，相對於第三表面512a為第二多孔隙結構521，第二多孔隙結構521包括至少一第二分布區域418，且第二分布區域418中的多孔隙結構深度為第二深度418H。經由電化學製程，在具有高表面面積的第二多孔隙結構521之表面形成一氧化層512b。第四電極330a設置於氧化層512b之上，第四電極330a包括導電性高分子材料332a、含碳層334a及導電銀膠336a。
如圖4A及圖4B所示，在第一基板410以及第二基板510的多孔隙結構421,521分布中，第一分布區域416以及第二分布區域418相鄰交互地排列，且第一深度416H小於第二深度418H。此外，藉由溝槽440使得第一分布區域416以及第二分布區域418相互電性絕緣。因此，由圖4B所示之俯視示意圖可知，具有陣列式排列之固態電解電容結構的固態電解電容基板模組400由多個不同蝕刻深度的第一分布區域416及第二分布區域418在水平方向以陣列方式排列而成。且因為第一分布區域416之第一電容C1小於第二分布區域418之第二電容C2，故圖4B中電容較大的第二區域A2與電容較小的第一區域A1相互交錯排列於固態電解電容結構陣列中。然而，第一區域A1與第二區域A2可具有不同電容值，其面積及多孔隙結構深度可依照電路需求作不同的排列設計，例如此實施例以矩陣的方式排列，但並非以此為限制。
因此在圖4C之等效電路圖中，藉由第一分布區域416以及第二分布區域418矩陣地排列，並將不同區域的負電極導通薄片168電性連接，則不同區域的固態電解電容結構所產生的電容也可以如矩陣形式地並聯，因此而更能降低固態電解電容之寄生電感值。
圖5為應用本揭露多個實施例之固態電解電容基板模組的印刷電路板剖面示意圖。請參考圖5，在本實施例中，電路板結構600中的固態電解電容基板模組60，可為圖1至圖4任一固態電解電容基板模組。藉由在導通薄片660走線並聯電容，貫通孔674及盲孔672可將電容引出至電路板結構600之表面62，提供積體電路70所需的電容值。因此本揭露內容之固態電解電容結構以及基板模組可內藏應用在軟式或硬式之印刷電路板或IC載板中，並可提供一電容值提供給積體電路使用。
綜上所述，本揭露內容之固態電解電容基板模組，其基板的多孔隙結構在不同的區域具有不同的深度，使得固態電解電容基板模組可同時具有多種不同的電容值。且多孔隙結構深度較深的區域具有更大的導體表面積，因此更可具有較大的電容值。此外，在本揭露內容之多個實施例其中之一，將固態電解電容結構周期性排列，形成包括固態電解電容陣列的固態電解電容基板模組，再藉由走線將不同分布區域的負極電性連接，更可降低基板模組之寄生電感值。
雖然本揭露內容已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露內容，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露內容之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本揭露內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、300．．．固態電解電容基板模組
110、310．．．基板
112、312、412．．．第一電極
112a、412a．．．第一表面
112b、412b、512b．．．氧化層
116、316、416．．．第一分布區域
116H、416H．．．第一深度
118、318、418．．．第二分布區域
118H、418H．．．第二深度
121、321．．．多孔隙結構
130、330．．．第二電極
132、332、332a．．．導電性高分子材料
134、334、334a．．．含碳層
136、336、336a．．．導電銀膠
150．．．絕緣層
152．．．第三表面
154．．．第四表面
160、660．．．導通薄片
162．．．第一導通薄片
164．．．第二導通薄片
166．．．正電極導通薄片
168．．．負電極導通薄片
170．．．導通孔
172、672．．．盲孔
173．．．絕緣貫通孔
174、674．．．貫通孔
174a．．．絕緣材料
C1．．．第一電容
C2．．．第二電容
A1．．．第一區域
A2．．．第二區域
200、400．．．具有陣列式排列之固態電解電容結構的固態電解電容基板模組
330a．．．第四電極
340、440．．．溝槽
L1、L2．．．寄生電感
R1、R2．．．寄生電阻
410．．．第一基板
421．．．第一多孔隙結構
510．．．第二基板
512．．．第三電極
512a．．．第三表面
521．．．第二多孔隙結構
600．．．電路板結構
60．．．固態電解電容基板模組
62．．．表面
70．．．積體電路
圖1A及1B為本揭露內容之固態電解電容基板模組側視剖面圖及俯視圖。
圖2A及2B為本揭露內容之包括固態電解電容陣列的固態電解電容基板模組剖面圖及俯視圖。
圖3A、3B及3C為本揭露內容之固態電解電容基板模組側視剖面圖、俯視圖及等效電路圖。
圖4A、4B及4C為本揭露內容之包括固態電解電容陣列的固態電解電容基板模組側視剖面圖、俯視圖及等效電路圖。
圖5為應用本揭露內容多個實施例的固態電解電容基板模組之印刷電路板結構的側視剖面圖
100．．．固態電解電容基板模組
110．．．基板
112．．．第一電極
112a．．．第一表面
112b．．．氧化層
116．．．第一分布區域
116H．．．第一深度
118．．．第二分布區域
118H．．．第二深度
121．．．多孔隙結構
130．．．第二電極
132．．．導電性高分子材料
134．．．含碳層
136．．．導電銀膠
150．．．絕緣層
152．．．第三表面
154．．．第四表面
160．．．導通薄片
162．．．第一導通薄片
164．．．第二導通薄片
166．．．正電極導通薄片
168．．．負電極導通薄片
170．．．導通孔
172．．．盲孔
173．．．絕緣貫通孔
174．．．貫通孔
174a．．．絕緣材料

Claims (18)

  1. 一種固態電解電容基板模組，包括：一基板，包括一第一電極與一多孔隙結構，該第一電極包括一第一表面，相對於該第一表面為該多孔隙結構，該多孔隙結構包括一表面及多個分布區域，每一分布區域分別具有一深度；一氧化層，設置於該多孔隙結構之該表面上；一第二電極，設置於該氧化層之上，該第二電極包括一導電性高分子材料；一絕緣層，設置於該第二電極面向該基板的相對另一面上，該絕緣層包括一第三表面以及一第四表面，該第四表面連接該第二電極；多個導通薄片，分別設置於該第一電極之該第一表面上以及該絕緣層之該第三表面上；以及多個導通孔，對應地與該些導通薄片電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之固態電解電容基板模組，其中該材質為一鋁基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之固態電解電容基板模組，其中該第二電極更包括：一含碳層，設置於該導電性高分子材料之上；以及一導電銀膠，設置於該含碳層之上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之固態電解電容基板模組，其中該些分布區域包括一第一分布區域及一第二分布區域，該第一分布區域相對於該第二電極具一第一深度及一第一電容，該第二分布區域相對於該第二電極具有一第二深度及一第二電容，該第一深度小於該第二深度，且該第一電容不等於該第二電容。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之固態電解電容基板模組，其中該第一分布區域與該第二分布區域相鄰交互排列。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之固態電解電容基板模組，更包括一溝槽，設置於該第一分布區域與該第二分布區域之間，並且電性絕緣該第一分布區域與該第二分布區域之間的該第一電極與該第二電極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之固態電解電容基板模組，其中該些導通孔包括：多個盲孔，每一盲孔具有一導通層，該些盲孔貫穿該絕緣層並藉由該導通層選擇性地與該些第二電極電性連接；以及多個貫通孔，每一貫通孔具有一導通層，該些貫通孔貫通該固態電解電容結構，並藉由該導通層對應地與該些導電薄片電性連接。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之固態電解電容基板模組，其中該些導通薄片更包括：多個第一導通薄片，設置於該第一電極之第一表面上，並與該第一電極電性連接；以及多個第二導通薄片，分別設置於該絕緣層之該第三表面上。
  9. 一種固態電解電容基板模組，包括多個固態電解電容結構，以陣列方式依序相鄰排列，其中每一該固態電解電容結構包括：一基板，包括一第一電極與一多孔隙結構，該第一電極包括一第一表面，相對於該第一表面為該多孔隙結構，該多孔隙結構包括一表面；一氧化層，設置於該多孔隙結構之該表面上；以及一第二電極，設置於該氧化層之上，該第二電極包括一導電性高分子材料；其中，每兩固態電解電容結構之該些多孔隙結構包括至少一第一分布區域以及至少一第二分布區域，該第一分布區域與該第二分布區域具有不同的深度；一絕緣層，設置於該些固態電解電容結構的上方，該絕緣層包括一第三表面以及一第四表面，該第四表面連接該些固態電解電容結構的該些第二電極；多個導通薄片，分別設置於該些固態電解電容結構的該些第一電極之第一表面上以及該絕緣層之該第三表面上；以及多個導通孔，對應地與該些導通薄片電性連接。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之固態電解電容基板模組，其中該基板材質為一鋁基板。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之固態電解電容基板模組，其中該第二電極更包括：一含碳層，設置於該導電性高分子材料之上；以及一導電銀膠，設置於該含碳層之上。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之固態電解電容基板模組，其中該第一分布區域相對於該第二電極具一第一深度及一第一電容，該第二分布區域相對於該第二電極具有一第二深度及一第二電容，該第一深度小於該第二深度，且該第一電容不等於該第二電容。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之固態電解電容基板模組，其中該第一分布區域與該第二分布區域相鄰交互排列。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之固態電解電容基板模組，更包括一溝槽，設置於該第一分布區域與該第二分布區域之間，並且電性絕緣該第一分布區域與該第二分布區域之間的該第一電極與該第二電極。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之固態電解電容基板模組，其中該些導通孔包括：多個盲孔，每一盲孔具有一導通層，該些盲孔貫穿該絕緣層並藉由該導通層選擇性地與該些第二電極電性連接；以及多個貫通孔，每一貫通孔具有一導通層，該些貫通孔貫通該固態電解電容結構，並藉由該導通層對應地與該些導電薄片電性連接。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之固態電解電容基板模組，其中該些導通薄片更包括：多個第一導通薄片，設置於該第一電極之該第一表面上，並與該第一電極電性連接；以及多個第二導通薄片，分別設置於該絕緣層之該第三表面上。
  17. 一種固態電解電容基板模組，包括：多個第一固態電解電容結構與多個第二固態電解電容結構，以陣列方式共平面依序相鄰排列其中，在每一該第一固態電解電容結構與每一該第二固態電解電容結構之間具有一絕緣溝槽，每一該第一固態電解電容結構包括：一第一基板，包括一第一電極與一第一多孔隙結構，該第一電極包括一第一表面，相對於該第一表面為該第一多孔隙結構，該第一多孔隙結構包括至少一第一分布區域及一表面，該第一分布區域具有一第一深度；一氧化層，設置於該多孔隙結構之該表面上以及一第二電極，設置於該氧化層之上，該第二電極包括一導電性高分子材料；每一該第二固態電解電容結構包括一第二基板，包括一第三電極與一第二多孔隙結構，該第三電極包括一第三表面，相對於該第三表面為該第二多孔隙結構，該第二多孔隙結構包括至少一第二分布區域及一表面，該第二分布區域具有一第二深度；一氧化層，設置於該多孔隙結構之該表面上；以及一第四電極，設置於該氧化層之上，該第四電極包括一導電性高分子材料，其中，該第一深度大於該第二深度；一絕緣層，包括一第一表面與一第二表面，其中該絕緣層的該第二表面連接該些第一固態電解電容結構中該第二電極面向該第一基板的相對另一面，以及設置於該些第二固態電解電容結構中該第四電極面向該第二基板的相對另一面；多個導通薄片，分別設置於該些第一固態電解電容結構中該第一電極之該第一表面上、該些第二固態電解電容結構中該第三電極之該第三表面上，以及該絕緣層之該第一表面上；以及多個導通孔，對應地與該些導通薄片電性連接。
  18. 一種電路板，內嵌至少一如申請專利範圍第1到17項其中任一項所述的固態電解電容基板模組。
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