TW201313784A - 無縫帶 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露一種製造無縫帶的方法,包括以下步驟:使一二胺單體與一二酐單體在一充滿導電性填料分散液的反應器中反應而獲得一反應產物,並對該反應產物實施熟化,其後由該反應器排放該熟化反應產物,而製備分子量分布(Mw/Mn)為1.3~3.0且重量平均分子量(Mw)為30,000~300,000的一半導體性聚醯胺酸溶液;以及將該半導體性聚醯胺酸溶液塗覆於一無縫模並進行一醯亞胺化反應,而製得一聚醯亞胺薄膜。
Description
本發明係有關於一種可用作影像形成裝置之中間傳送帶的無縫帶,且尤其係有關於一種具有均勻表面電阻及改良之耐久性的可靠的無縫帶,以及一種製造該無縫帶的方法。
一般而言,帶體係用於各種領域,並已於使用回轉軸與馬達的產業如汽車產業、傳送機產業等中用作代替齒輪的構件。尤其是,帶體既已用於電子設備,如影印機、雷射印表機、傳真機等,以固定並傳送形成於影印紙或傳送紙的碳粉影像,因此已作為熔合器帶(fuser belt)、中間傳送帶或傳送機帶使用。
帶體由於其旋轉時容易發生靜電現象,而要求抗靜電性能。在電子設備中,抗靜電性能的半導體性可用作供傳送碳粉的物理特性。
存有各種所述帶體。基於管狀帶,該等帶體具有直徑約為20 mm的小型帶體,乃至直徑數公尺的大型帶體,有各式各樣。然而,大多數帶體為有縫帶(seam belt),其各者係由扁皮帶或V型帶彼此相接所構成。此等有縫帶的問題在於,因接縫不均勻,以致接縫的表面特性與其周緣的表面特性不同。尤其是利用帶體平坦面之電子設備(尤為彩色雷射印表機)的中間傳送帶的不平坦會損及光學鼓輪或使列印影像品質劣化。當接縫些微彎折時,管狀帶的直線性即受損,從而導致管狀帶彎曲。因帶體彎曲使帶體由驅動滾筒脫落時,便有損害電子設備其自身的問題。
因此,若管狀帶無接縫,則帶體可展現最高的耐久性,可以防止帶體、或接觸帶體的物體在旋轉期間因不均勻而彈起,且帶體可容易地獲得直線性。
尤為用於電子設備,如印表機、影印機、複合機、傳真機等的熔合器帶、中間傳送帶等必須具有優良的防汙特性、耐熱性、熱輻射特性、彈性、耐久性、撥水性、撥油性及抗靜電特性,且須具有適當的表面電阻值以供傳送碳粉。於此情況下,當帶體的表面電阻值小於或大於所要
的表面電阻值時,其物理特性如抗靜電特性、傳送性、影像特性、可釋放性及防汙特性將變差,而導致列印的影像變差。
如此之熔合器帶、中間帶等係由聚碳酸酯樹脂、聚偏二氟乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂或橡膠製成,並可藉由混合導電性添加劑,如碳黑等與樹脂或橡膠,或藉由使導電性添加劑分散於樹脂或橡膠中來製造。在此等樹脂當中,為了快速實施列印,係較佳使用聚醯亞胺樹脂,其原因在於,中間帶要求在行進期間不發生其色彩重疊及錯位所導致的變形,並要求可充分重複使用之程度的高強度,且要求阻燃性。進而,導電性添加劑如碳黑等係用作導電性填料。此時,若未適量添加導電性添加劑,便難以充分確保半導體性樹脂的導電性達所要程度,且需要大量分散劑來確保表面電阻的均勻性,而導致帶體耐久性劣化。
作為與包括聚醯亞胺樹脂及導電性填料相關的習知技術,韓國未審查專利申請第10-2011-0032917號揭露一種無縫帶,其起始溫度為300℃或300℃以上,其中由熱重分析所測得之其重量損失為5%,表面電阻值為107~1013 Ω/sq,且表面電阻偏差為101或101以下,該表面電阻偏差係由「於一產物的十處測得之最大表面電阻與最小表面電阻之間的差」所定義。
因此,本發明係用於解決所述問題而製作,本發明目的在於提供一種具有改良之耐久性與均勻表面電阻的無縫帶。
為達上述目的,本發明的型態係提供一種無縫帶,其包括一聚醯亞胺樹脂及一導電性填料,其中該聚醯亞胺樹脂的分子量分布(Mw/Mn)為1.3~3.0且重量平均分子量(Mw)為30,000~300,000。
上述習知技術的問題在於,一用於影像形成裝置之半導體性無縫帶中的電阻不規則,且存在由數個批次產生之半導體性無縫帶之間的表面電阻差。該用於影像形成裝置之半導體性無縫帶係用以使傳送滾筒與光導體接觸,藉由施加電壓將帶電碳粉由光導體傳送至帶體,使傳送滾筒
與記錄媒體如紙張等接觸,並將帶電碳粉二次傳送至記錄媒體。
若一用於影像形成裝置之半導體性無縫帶較為均勻,且任一半導體性無縫帶的表面電阻與其他半導體性無縫帶的表面電阻相等時,可均勻地傳送碳粉。
以含有導電性填料之聚醯亞胺樹脂尚未形成為無縫帶的狀態存在的半導體性聚醯胺酸係具有流動性,因其尚未經醯亞胺化。於此情況下,當半導體性聚醯胺酸為低分子量聚醯胺酸與高分子量聚醯胺酸的混合物時,相較於高分子量聚醯胺酸,低分子量聚醯胺酸隨著時間經過快速減少,因此不均勻的聚醯胺酸會加速導電性填料的再凝聚。從而,當半導體性聚醯胺酸的分子量分布近似單峰時,其較不受環境影響。
更者,當大量低分子量聚醯胺酸含於所製備的半導體性聚醯胺酸時,在儲存半導體性聚醯胺酸、或將半導體性聚醯胺酸塗覆於模具後再乾燥之際,未反應的單體會彼此反應而導致導電性填料的再凝聚。
反之,當大量高分子量聚醯胺酸含於所製備的半導體性聚醯胺酸時,半導體性聚醯胺酸的黏度增加,當半導體性聚醯胺酸的分子量達到預定的分子量時,塗佈溶液的擴展性變差,以致於不易將半導體性聚醯胺酸塗覆於模具。
考量到這幾點,較佳的是聚醯亞胺樹脂的分子量分布(Mw/Mn)為1.3~3.0且重量平均分子量(Mw)為30,000~300,000。
再者,十條無縫帶之間的表面電阻偏差的常用對數值可為1.0或1.0以下。
進而,一條無縫帶的表面電阻偏差的常用對數值可為1.0或1.0以下。
更者,無縫帶可具有1000次或1000次以上的耐折度。
更且,無縫帶可具有100或100以上的光澤度。
本發明另一形態係提供一種製造無縫帶的方法,其包括以下步驟:使一二胺單體與一二酐單體在一充滿導電性填料分散液的反應器中反應而獲得一反應產物,並對該反應產物實施熟化,其後由該反應器排放該熟化反應產物,而製備分子量分布(Mw/Mn)為1.3~3.0且重量平均分子量(Mw)為30,000~300,000的一半導體性聚醯胺酸溶液;以及將該半導
體性聚醯胺酸溶液塗覆於一無縫模並進行一醯亞胺化反應,而製得一聚醯亞胺薄膜。
該方法的特徵在於,當將原料導入導電性填料分散液中而獲得反應產物,其後在預定條件下對該反應產物實施熟化持續一段預定時間時,可將未反應單體與低分子量聚醯胺酸的量最小化,能夠使所有聚醯胺酸具有均勻的分子量分布。
於該方法中,反應產物的熟化可在合乎上述聚醯胺酸的分子量分布與重量平均分子量的範圍內進行調整。具體而言,較佳的是,反應產物的熟化可於溫度25~55℃實施3~72小時。
本發明的無縫帶可作為影像形成裝置的中間傳送帶使用。
進而,本發明的無縫帶因由其去除低分子量聚醯胺酸,而具有均勻表面電阻並具備優良的機械特性。因此,此無縫帶可作為具耐久性的中間傳送帶使用。
以下將詳述本發明之較佳實施例。
本發明的無縫帶係使藉由添加奈米碳管至聚醯胺酸溶液所得到的半導體性聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化來製造,該聚醯胺酸溶液係由二胺與二酐的反應所製備。
只要可用於製備聚醯亞胺樹脂,則二胺與二酐並未特別限定。二胺之實例可包括1,4-苯二胺(1,4-PDA)、1,3-苯二胺(1,3-PDA)、4,4’-亞甲二(苯胺)(MDA)、4,4’-氧基二(苯胺)(ODA)、4,4’-氧基苯二胺(OPDA)等。二酐之實例可包括1,2,4,5-苯四羧酸二酐(PMDA)、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸酐(ODPA)、4,4’-六氟亞異丙基二鄰苯二甲酸酐等。一般上,二胺與二酐係以等莫耳量使用。
本發明之聚醯亞胺樹脂的分子量可根據二酐或二胺的種類或其聚合條件來控制,惟較佳為可藉由調整二酐與二胺的莫耳比來控制。具體上,二酐/二胺的莫耳比可調整於100/100~90或100~90/100之範圍。若其莫耳比大幅偏離該範圍時,聚醯亞胺樹脂的分子量降低、所形成之帶
體的機械強度下降,且分散於半導體性聚醯胺酸溶液的導電性填料發生再凝聚,致使所形成之帶體的表面電阻不均度增加。
用以聚合本發明之聚醯亞胺樹脂的溶劑的實例可包括醯胺系極性溶劑,諸如N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N-甲基己內醯胺等。其等可單獨或以其混合物使用。
本發明的聚醯亞胺樹脂可於導入二酐與二胺兩者,隨後在其黏度增加後予以排出的條件下聚合。然而,即使在導入二酐與二胺兩者後其視黏度立即增加,若未於預定溫度下對其等充分實施熟化持續一段預定時間時,二酐與二胺的一部分亦不會反應,而殘留為未反應產物。於此情況下,當利用膠透層析法(GPC)對反應產物進行分析時,可確知低分子量聚醯胺酸與高分子量聚醯胺酸互相混合,以致聚醯胺酸的分子量分布較寬。當導入二酐與二胺兩者,隨後於預定溫度下實施熟化持續一段預定時間時,二酐與二胺的未反應產物與低分子量聚醯胺酸緩慢反應,而使聚醯胺酸整體具有均勻的分子量。於此情況下,當利用膠透層析法(GPC)對反應產物進行分析時,可確知聚醯胺酸的分子量分布較窄。即使在聚醯胺酸的分子量分布較寬時,無縫帶仍可於聚醯胺酸的醯亞胺化後形成。然而,當聚醯胺酸的分子量分布較寬時,大量製備的聚醯胺酸變得不均勻,且分散於不均勻聚醯胺酸的導電性填料發生再凝聚,使得分散性惡化,因此在形成無縫帶的時候,表面電阻偏差發生於帶體間或帶體內,將此帶裝設於影像形成裝置上時,碳粉便被不均勻地傳送,而發生影像形成裝置之間的列印影像品質的差異。由於再凝聚之導電性填料會導致無縫帶的光澤度惡化,當量測無縫帶的光澤度時,可確知導電性填料已再凝聚至某種程度。再者,由於低分子量聚醯胺酸會導致所形成之無縫帶的機械特性部分惡化,其在對無縫帶實施耐折度試驗時會使無縫帶斷裂,而快速降低無縫帶的耐折度。
如此,其可滿足在聚合過程中實施熟化所得之聚醯亞胺樹脂的分子量分布(Mw/Mn)為1.3~3.0且其重量平均分子量(Mw)為30,000~300,000。
如上所述,以含有導電性填料之聚醯亞胺樹脂尚未形成為無縫帶的
狀態存在的半導體性聚醯胺酸係具有流動性,因其尚未經醯亞胺化。於此情況下,當半導體性聚醯胺酸為低分子量聚醯胺酸與高分子量聚醯胺酸的混合物時,相較於高分子量聚醯胺酸,低分子量聚醯胺酸隨著時間經過快速減少。因此,不均勻的聚醯胺酸會加速導電性填料的再凝聚。從而,當半導體性聚醯胺酸的分子量分布近似單峰時,其較不受環境影響。更者,當大量低分子量聚醯胺酸含於所製備的半導體性聚醯胺酸時,在儲存半導體性聚醯胺酸、或將半導體性聚醯胺酸塗覆於模具後再加以乾燥之際,未反應的單體會彼此反應而導致導電性填料的再凝聚。與此相對,當大量高分子量聚醯胺酸含於所製備之半導體性聚醯胺酸時,半導體性聚醯胺酸的黏度增加,當半導體性聚醯胺酸的分子量達到預定的分子量時,塗佈溶液的擴展性變差,以致於不易將半導體性聚醯胺酸塗覆於模具。考量到這幾點,較佳的是聚醯亞胺樹脂的分子量分布(Mw/Mn)為1.3~3.0且聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量(Mw)為30,000~300,000。
奈米碳管係用作本發明的導電性填料。自從奈米碳管首先由Iijima[S.Iijima,Natural Vol.354,P.56(1991)]發現起,已積極對其進行研究。奈米碳管具有潛在的物理性質,諸如無法由傳統材料獲得的約1.0~1.8 TPa的高彈性係數、可於真空中耐受2800℃高溫的高耐熱性、近似鑽石的兩倍的高傳熱性、以及近似銅的1000倍的電流傳輸能力。因此,茲認為亟可能將奈米碳管應用於各種領域,如奈米級電器裝置、奈米級電子裝置、奈米級感測器、光電裝置、高功能複合材料等。
已知習知方法係使用碳黑作為填料以對用於影像形成裝置的無縫帶賦予導電性。惟,由於碳黑須以10 wt%或10 wt%以上的量添加,以便將絕緣性聚醯亞胺樹脂的導電性增高至碳粉可帶電的程度,因此有大量添加的碳黑使聚醯亞胺樹脂原本優良的機械特性惡化的問題。
同時,較佳的是無縫帶為一種無接縫帶(seamless belt),而其製造方法並未特別限制。於本發明中,舉例來說,無縫帶可藉由利用分配器對圓柱形模具表面塗佈聚醯亞胺樹脂溶液,其後對塗佈有聚醯亞胺樹脂溶液的圓柱形模具實施熱處理來製造。熱處理係於50~400℃,以分段式實施。首先於50~100℃實施預烘烤10~120分鐘,以初次除去殘留於塗佈有聚醯亞胺樹脂溶液的圓柱形模具表面的溶劑與水氣。接著,以2~
10℃/分鐘的加熱速率予以加熱至350~400℃,來對塗佈於圓柱形模具表面的聚醯亞胺樹脂溶液實施後硬化,以完全除去殘留於圓柱形模具表面的溶劑與水氣,藉此使後硬化之聚醯亞胺樹脂醯亞胺化來製造固化的無縫帶。
在製造無縫帶的過程中,當帶體的厚度過度減少時,帶體的強度便大幅降低,因此帶體在列印過程中可能斷裂或被重複旋轉應力扭曲。較佳的是,帶體的厚度為30~300 μm。
此後,將參考下述實例來詳述本發明。惟,此等實例係供闡明本發明,本發明的範圍並未受限於此。
在提供有機械攪拌器、回流冷凝器及氮氣進氣口的2升四頸燒瓶中混合1488g的DMF、1.30g奈米碳管(多壁奈米碳管:NC700,Nanocyl Corporation製)與1.30g分散劑(Triton X-100),其後將氮氣導入四頸燒瓶中。接著,利用200W、40kHz的超音波使該混合物分散30分鐘,隨後利用離心分離器(RC5C,Sorvall Instruments Corporation製),以轉速12000 rpm予以離心分離5分鐘,以使固體沉澱至離心分離器的底部。其後,除去沉澱固體而得到奈米碳管分散液。隨後提供一可溫控水浴,設反應溫度為35℃,然後將68.7g的ODA(Wakayama Corporation,Japan製)與24.7g的1,4-PDA(Dupont Corporation製)溶解於奈米碳管分散液中,其後對其添加166.6g的BPDA(Ube Industries,Ltd.製)。完全導入原料後,將反應器溫度增至55℃,隨後對反應產物實施熟化3小時以製備半導體性聚醯胺酸。
所製備的半導體性聚醯胺酸係一均勻黑色溶液,其黏度為200泊(poise)。
對由鍍鉻SUS 304製成且直徑300 mm、厚5 mm及寬500 mm的無縫模噴塗脫模劑(Kapia Corporation製)並加以旋轉。其後,利用分配塗佈器將所製備的半導體性聚醯胺酸溶液均勻塗覆於模具上。此後,將塗佈有半導體性聚醯胺酸溶液的模具置入乾燥烘箱中,以10℃/分鐘之加熱速率予以加熱,其後分別放置於100℃、200℃及300℃下30分鐘,以完成
醯亞胺化反應並立即完全除去溶劑與水氣。然後,將反應產物冷卻而得到聚醯亞胺薄膜。最終使用所得的聚醯亞胺薄膜製作厚65 μm的無縫帶,並將無縫帶的兩端切成寬300 mm。
在提供有機械攪拌器、回流冷凝器及氮氣進氣口的2升四頸燒瓶中混合1488g的DMF、1.30g奈米碳管(多壁奈米碳管:NC700,Nanocyl Corporation製)與1.30g分散劑(Triton X-100),其後將氮氣導入四頸燒瓶中。接著,利用200W、20kHz的超音波使該混合物均勻分散60分鐘而得到奈米碳管分散液。隨後提供一可溫控水浴,設反應溫度為30℃,然後將68.7g的ODA(Wakayama Corporation,Japan製)與24.7g的1,4-PDA(Dupont Corporation製)溶解於奈米碳管分散液中,其後對其添加166.6g的BPDA(Ube Industries,Ltd.製)。完全導入原料後,將反應器溫度保持於40℃,隨即對反應產物實施熟化5小時以製備半導體性聚醯胺酸。
所製備的半導體性聚醯胺酸係一均勻黑色溶液,其黏度為250泊。
對由鍍鉻SUS 304製成且直徑300 mm、厚5 mm及寬500 mm的無縫模噴塗脫模劑(Kapia Corporation製)並加以旋轉。其後,利用分配塗佈器將所製備的半導體性聚醯胺酸溶液均勻塗覆於模具上。此後,將塗佈有半導體性聚醯胺酸溶液的模具置入乾燥烘箱中,以10℃/分鐘之加熱速率予以加熱,其後分別放置於100℃、200℃及300℃下30分鐘,以完成醯亞胺化反應並立即完全除去溶劑與水氣。然後,將反應產物冷卻而得到聚醯亞胺薄膜。最終使用所得的聚醯亞胺薄膜製作厚65 μm的無縫帶,並將無縫帶的兩端切成寬300 mm。
在提供有機械攪拌器、回流冷凝器及氮氣進氣口的2升四頸燒瓶中混合1488g的DMF、1.30g奈米碳管(多壁奈米碳管:NC700,Nanocyl Corporation製)與1.30g分散劑(Triton X-100),其後將氮氣導入四頸燒瓶中。接著,利用200W、40kHz的超音波使該混合物分散30分鐘,隨後利用離心分離器(RC5C,Sorvall Instruments Corporation製),以轉速12000 rpm予以離心分離5分鐘,以使固體沉澱至離心分離器的底部。其後,
除去沉澱固體而得到奈米碳管分散液。隨後提供一可溫控水浴,設反應溫度為35℃,然後將68.7g的ODA(Wakayama Corporation,Japan製)與24.7g的1,4-PDA(Dupont Corporation製)溶解於奈米碳管分散液中,其後對其添加166.6g的BPDA(Ube Industries,Ltd.製)。完全導入原料後,將反應器溫度降至25℃,隨後對反應產物實施熟化72小時以製備半導體性聚醯胺酸。
所製備的半導體性聚醯胺酸係一均勻黑色溶液,其黏度為200泊。
對由鍍鉻SUS 304製成且直徑300 mm、厚5 mm及寬500 mm的無縫模噴塗脫模劑(Kapia Corporation製)並加以旋轉。其後,利用分配塗佈器將所製備的半導體性聚醯胺酸溶液均勻塗覆於模具上。此後,將塗佈有半導體性聚醯胺酸溶液的模具置入乾燥烘箱中,以10℃/分鐘之加熱速率予以加熱,其後分別放置於100℃、200℃及300℃下30分鐘,以完成醯亞胺化反應並立即完全除去溶劑與水氣。然後,將反應產物冷卻而得到聚醯亞胺薄膜。最終使用所得的聚醯亞胺薄膜製作厚65 μm的無縫帶,並將無縫帶的兩端切成寬300 mm。
在提供有機械攪拌器、回流冷凝器及氮氣進氣口的2升四頸燒瓶中混合1488g的DMF、1.30g奈米碳管(多壁奈米碳管:NC700,Nanocyl Corporation製)與1.30g分散劑(Triton X-100),其後將氮氣導入四頸燒瓶中。接著,利用200W、40kHz的超音波使該混合物分散30分鐘,隨後利用離心分離器(RC5C,Sorvall Instruments Corporation製),以轉速12000 rpm予以離心分離5分鐘,以使固體沉澱至離心分離器的底部。其後,除去沉澱固體而得到奈米碳管分散液。隨後提供一可溫控水浴,設反應溫度為35℃,然後將68.7g的ODA(Wakayama Corporation,Japan製)與24.7g的1,4-PDA(Dupont Corporation製)溶解於奈米碳管分散液中,其後對其添加166.6g的BPDA(Ube Industries,Ltd.製)。完全導入原料後,保持反應器溫度,並對反應產物實施熟化24小時以製備半導體性聚醯胺酸。
所製備的半導體性聚醯胺酸係一均勻黑色溶液,其黏度為240泊。
對由鍍鉻SUS 304製成且直徑300 mm、厚5 mm及寬500 mm的無
縫模噴塗脫模劑(Kapia Corporation製)並加以旋轉。其後,利用分配塗佈器將所製備的半導體性聚醯胺酸溶液均勻塗覆於模具上。此後,將塗佈有半導體性聚醯胺酸溶液的模具置入乾燥烘箱中,以10℃/分鐘之加熱速率予以加熱,其後分別放置於100℃、200℃及300℃下30分鐘,以完成醯亞胺化反應並立即完全除去溶劑與水氣。然後,將反應產物冷卻而得到聚醯亞胺薄膜。最終使用所得的聚醯亞胺薄膜製作厚65 μm的無縫帶,並將無縫帶的兩端切成寬300 mm。
在提供有機械攪拌器、回流冷凝器及氮氣進氣口的2升四頸燒瓶中混合1497g的DMF、1.30g奈米碳管(多壁奈米碳管:NC700,Nanocyl Corporation製)與1.30g分散劑(Triton X-100),其後將氮氣導入四頸燒瓶中。接著,利用200W、20kHz的超音波使該混合物均勻分散60分鐘而得到奈米碳管分散液。隨後提供一可溫控水浴,設反應溫度為30℃,然後將68.7g的ODA(Wakayama Corporation,Japan製)與24.7g的1,4-PDA(Dupont Corporation製)溶解於奈米碳管分散液中,其後對其添加168.0g的BPDA(Ube Industries,Ltd.製)。完全導入原料後,將反應器溫度保持於40℃,隨即對反應產物實施熟化1小時以製備半導體性聚醯胺酸。
所製備的半導體性聚醯胺酸係一均勻黑色溶液,其黏度為1030泊。
對由鍍鉻SUS 304製成且直徑300 mm、厚5 mm及寬500 mm的無縫模噴塗脫模劑(Kapia Corporation製)並加以旋轉。其後,擬利用分配塗佈器將所製備的半導體性聚醯胺酸溶液均勻塗覆於模具上,惟因半導體性聚醯胺酸溶液具有1,000,000的高重量平均分子量與1030泊的高黏度,而未均勻地塗覆於模具上。
在提供有機械攪拌器、回流冷凝器及氮氣進氣口的2升四頸燒瓶中混合1488g的DMF、1.30g奈米碳管(多壁奈米碳管:NC700,Nanocyl Corporation製)與1.30g分散劑(Triton X-100),其後將氮氣導入四頸燒瓶中。接著,利用200W、40kHz的超音波使該混合物分散30分鐘,隨後利用離心分離器(RC5C,Sorvall Instruments Corporation製),以轉速12000
rpm予以離心分離5分鐘,以使固體沉澱至離心分離器的底部。其後,除去沉澱固體而得到奈米碳管分散液。隨後提供一可溫控水浴,設反應溫度為20℃,然後將68.7g的ODA(Wakayama Corporation,Japan製)與24.7g的1,4-PDA(Dupont Corporation製)溶解於奈米碳管分散液中,其後對其添加166.6g的BPDA(Ube Industries,Ltd.製)。完全導入原料後,在未實施熟化下旋即將反應產物排出,以製備半導體性聚醯胺酸。
所製備的半導體性聚醯胺酸係一均勻黑色溶液,其黏度為300泊。
對由鍍鉻SUS 304製成且直徑300 mm、厚5 mm及寬500 mm的無縫模噴塗脫模劑(Kapia Corporation製)並加以旋轉。其後,利用分配塗佈器將所製備的半導體性聚醯胺酸溶液均勻塗覆於模具上。此後,將塗佈有半導體性聚醯胺酸溶液的模具置入乾燥烘箱中,以10℃/分鐘之加熱速率予以加熱,其後分別放置於100℃、200℃及300℃下30分鐘,以完成醯亞胺化反應並立即完全除去溶劑與水氣。然後,將反應產物冷卻而得到聚醯亞胺薄膜。最終使用所得的聚醯亞胺薄膜製作厚65 μm的無縫帶,並將無縫帶的兩端切成寬300 mm。
在提供有機械攪拌器、回流冷凝器及氮氣進氣口的2升四頸燒瓶中混合1497g的DMF、1.30g奈米碳管(多壁奈米碳管:NC700,Nanocyl Corporation製)與1.30g分散劑(Triton X-100),其後將氮氣導入四頸燒瓶中。接著,利用200W、20kHz的超音波使該混合物均勻分散60分鐘而得到奈米碳管分散液。隨後提供一可溫控水浴,設反應溫度為30℃,然後將68.7g的ODA(Wakayama Corporation,Japan製)與24.7g的1,4-PDA(Dupont Corporation製)溶解於奈米碳管分散液中,其後對其添加164.5g的BPDA(Ube Industries,Ltd.製)。完全導入原料後,在未實施熟化下旋即將反應產物排出,以製備半導體性聚醯胺酸。
所製備的半導體性聚醯胺酸係一均勻黑色溶液,其黏度為1030泊。
對由鍍鉻SUS 304製成且直徑300 mm、厚5 mm及寬500 mm的無縫模噴塗脫模劑(Kapia Corporation製)並加以旋轉。其後,利用分配塗佈器將所製備的半導體性聚醯胺酸溶液均勻塗覆於模具上。此後,將塗佈有半導體性聚醯胺酸溶液的模具置入乾燥烘箱中,以10℃/分鐘之加熱速
率予以加熱,其後分別放置於100℃、200℃及300℃下30分鐘,以完成醯亞胺化反應並立即完全除去溶劑與水氣。然後,將反應產物冷卻而得到聚醯亞胺薄膜。最終使用所得的聚醯亞胺薄膜製作厚65 μm的無縫帶,並將無縫帶的兩端切成寬300 mm。
例1~4及比較例1~3之無縫帶的物理性質係如下評定:
(1)分子量分布與重量平均分子量
將例1~4及比較例1~3中所製備的聚醯胺酸各者溶於0.2%DMAc(二甲基乙醯胺),藉由0.45 μm PTFE針筒過濾器(syringe filter)過濾,其後予以注射至GPC(Varian Corporation製)。於此條件下使用顯影溶劑:30mM LiBr、30mM H3PO4含於THF:DMF=1:1之比例、顯影速率1.0 ml/min及溫度40℃。聚醯胺酸的數量平均分子量與重量平均分子量係基於0.1%聚苯乙烯標準來獲得。其校正曲線係利用九種具有不同分子量的聚苯乙烯標準來計算,且聚苯乙烯標準的分子量分別為723000、402100、219000、89300、52200、30300、13000、7000及5000。
(2)表面電阻偏差的常用對數值
茲由例1~4及比較例1~3中所製造的無縫帶當中選擇十條無縫帶。於寬度方向切割每條所選擇的無縫帶,以使其以二維薄膜形式展開。由每條無縫帶的內表面選擇五點,並由其內表面選擇五點。於外加電壓100V下,利用提供有UR-100探針的Hiresta UP電阻計(Mitsubishi Chemical Corporation製)量測所選擇之十點處的表面電阻。得到十個所量測之表面電阻值的最大及最小值的常用對數值,並計算其差。
(3)耐折度
由任一條無縫帶採集各大小為15 mm×100 mm的試片十片,其後予以懸吊於MIT試驗機上。每一試片的耐折度係於R=2、折射角135°及轉速175 rpm的條件下量測。藉由量測每一試片被摺疊至斷裂為止的次數來得到耐折度。
(4)光澤度
利用光澤計,以60°之角度量測無縫帶的光澤度。
設備名稱:光澤計型號名稱:VG2000
製造商:Nippon Denshoku
其結果示於以下表1。
由以上表1可確知,包括根據本發明實施例的分子量分布(Mw/Mn)為1.3~3.0且重量平均分子量(Mw)為30,000~300,000的聚醯亞胺樹脂的無縫帶具有小的表面電阻偏差與100或100以上之高光澤度,且十條帶間具有均勻的表面電阻,因此無縫帶可均勻地傳送碳粉,且因耐折度高,以致無縫帶的耐久性實質上得以改善。
基於說明目的而既已揭示本發明的較佳實施例,惟本領域人士應理解在不悖離如隨附申請專利範圍所揭示之本發明的範圍暨精神下,可實施各種修飾、添加及取代。
Claims (7)
- 一種無縫帶,其包括一聚醯亞胺樹脂及一導電性填料,其中該聚醯亞胺樹脂的分子量分布(Mw/Mn)為1.3~3.0且重量平均分子量(Mw)為30,000~300,000。
- 如申請專利範圍第1項所述的無縫帶,其中十條該無縫帶之間的表面電阻偏差的常用對數值為1.0或1.0以下。
- 如申請專利範圍第1項所述的無縫帶,其中一條該無縫帶的表面電阻偏差的常用對數值為1.0或1.0以下。
- 如申請專利範圍第1項所述的無縫帶,其中該無縫帶具有1000次或1000次以上的耐折度。
- 如申請專利範圍第1項所述的無縫帶,其中該無縫帶具有100或100以上的光澤度。
- 一種製造無縫帶的方法,包括以下步驟:使一二胺單體與一二酐單體在一充滿導電性填料分散液的反應器中反應而獲得一反應產物,並對該反應產物實施熟化,其後由該反應器排放該熟化反應產物,而製備分子量分布(Mw/Mn)為1.3~3.0且重量平均分子量(Mw)為30,000~300,000的一半導體性聚醯胺酸溶液;以及將該半導體性聚醯胺酸溶液塗覆於一無縫模並進行一醯亞胺化反應,而製得一聚醯亞胺薄膜。
- 如申請專利範圍第6項所述之製造無縫帶的方法,其中該反應產物的熟化係於溫度25~55℃實施3~72小時。
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