201251537 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域] 本發明係關於基板本體側面之凹缺部附近的毛邊少 且設於該凹缺部之内壁面的導體層之焊接安裝性優良之 陶瓷配線基板、用以獲得複數個該基板之多片式陶瓷配 線基板、及該多片式配線基板之製造方法。 【先前技術】 一般而吕’陶資•配線基板係藉由將多片式陶竟配線 基板沿設於其表面及背面之分割槽分割成一個個的陶曼 配線基板而予個片化所製作而成。於該分割時，為了使 位於分割槽附近之金屬層等難以產生碎屑或毛邊，提出 一種多片式配線基板之製造方法（例如，參照專利文獻1) ，其藉由將既定範圍内之刀刃角的刀具沿胚片（green sheet)積層體之預定切斷面插入，即可形成所需之分割槽 〇 但是，於藉由專利文獻1之製造方法的刀具對胚片實 施切槽之作業的情況下，因在待形成之分割槽在徑向上 交叉的通孔之内壁面上，破斷面（龜裂之走勢）發生蛇行 ，所以變得容易產生凹凸或毛邊。尤其是於在通孔之内 壁面形成有導體層之情況下，變得容易因撕裂該導體層 之金屬而產生毛邊，造成分割後未實施鍍敷被膜處理之 導體層的切斷面露出，恐有對該導體層進行焊接安裝時 之可靠度降低之虞。 為了防止由該胚片之通孔中的内壁面上的破斷面（ 龜裂之走勢）之蛇行所帶來的毛邊或缺口’還提出一種多 201251537 片式配線基板（例如’參照專利文獻2)，其藉由使用尉於 相同刀嶺（刀身）具有不同之刀尖高度（寬度）的刀具，即可 形成分割槽之深度不連續改變的部分。 但是’於專利文獻2之多片式配線基板中，每次待形 成通孔之位置被變更至與分割槽交叉的任意位置時，需 要準備多把對應於胚片之表面附近及通孔附近的雙方之 各種刀尖的尚度（寬度）及長度不同之特殊刀具。因此， 需要多種類之特殊刀具，而存在有不僅製造成本顯著提 高’且生產性降低之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本國特開2009-21 83 19號公報（第j〜 1 1頁、第1〜8圖） [專利文獻2]日本國特開2009-266992號公報（第1〜 U頁、第1〜8圖） 【發明内容】 [發明欲解決之課題] 本發明之目的在於解決先前技術中所作說明之問題 ，提供基板本體侧面之凹缺部附近的毛邊少且設於該凹 、[^之内壁面的導體層之焊接安裝性優良之陶瓷配線基 板 '用以獲得複數個該基板之多片式陶瓷配線基板、及 可確實地獲得該配線基板之製造方法。 [解決課題之手段及發明之效果] 為了解決上述課題，本發明係設想使待形成於多片. 式配線基板之分割槽的底部在通孔附近沿厚度方向朝該 201251537 通孔之孔深側-曲並深入而達成者。 亦即，本發明 項Η系具備··基板(申請專利範圍第1 面，及位於該表面俯視為矩形之表面及背 « ^ ,01 . ^ ^ 旁面之間且具有表面側的槽切入面 及背面側的破斷面夕/n, ^ 側面；及俯視為凹形之凹缺邱立 係於至少一個該侧而L W办之凹缺部，其 it X ^ ^ Μ 位於該表面及背面之間；該陶 免配綠基板之特微岌· Α ^ ^ ^ 5八有δ亥凹缺部之側面，該槽切 入面與破斷面之培男& Λ .έΒ ^^ ^兄界線，係於該凹缺部之兩側具有側視 為朝該基板本體之表面側外凸之彎曲部。 本發月之第2陶瓷配線基板（申請專利範圍第2 項），係具備：基板太鲈 甘 本體’其具有俯視為矩形之表面及背 面，及位於該砉而Β # π οα 寺面之間且具有表面側的槽切入面 及背面側的破斷面之彻丨 彳丨面，及俯視為1/4圓弧形狀之凹缺 部’其形成於相鄰之—έ 、.且側面間的角部，且位於該表面 及背面之間；該陶咨 是配線基板之特徵為：於位在該凹缺 I5兩彳 對侧面’該槽切入面與破斷面之境界線，係 於e亥凹缺部之兩側具有側視為朝該基板本體之表面側外 凸之彎曲部。 ，根據本發0月，該肖切入面與破斷面之境界線係於每 °玄凹缺。卩的兩側具有側視為朝該基板本體之表面側外 凸之彎曲部，所以，认播丄 n 於槽切入面之底部端部、凹缺部之 内壁面及該彎曲邱 Λ ^ ^ ^之間’連3又有被這些所包圍之該槽切 入面的細尖的Μ且加 地长。丨°因此’於位在第1及第2陶瓷配線 基板 板本體的侧面中間或者相鄰之一對側面間的角 部之該凹缺部R/4 4 , 附近’不存在較粗之表面的該破斷面，所 201251537 :、:：：有陶竞之毛邊或後述之導體層的撕裂，或者r 面體：在極小程度。而且，於形成在凹缺部之“ 之截面中與該槽切入面的延長部相鄰接且露 =、卜。P之切斷面（端面）上亦被覆有鍍膜，所以，可 门將本陶究配線基板焊接安襄於母基板等時之可靠度 體二該基板本體係由單層之陶竟層所構成，或者二 ==層之陶竞層所成者。該陶竞係由氧化銘或莫 之鬲溫燒結陶瓷或者屬低溫燒結陶瓷之一種的 璃-陶瓷等所構成。 另外，該配線基板係於四邊之每一側面的中間具有 該凹缺部之形態、或者於位在相鄰之一對側面間的4個角 部之各角部具有該凹缺部的形態、或者該兩種凹缺部之 合併形態中之任一形態。 又，該槽切入面，於對構成多片式配線基板之大尺 寸胚片或胚片積層體之表面，沿藉由後述之雷射加工所 形成^截面v字形或u字形等的分割槽按各配線基板分 割成單片時，係露出於每個配線基板之側面的該分割槽 的内壁面。因此，該槽切入面係相對地比陶瓷本身之 破斷面更為平滑。 此外，该第1陶瓷配線基板上之俯視為凹形的凹缺部 ’亦包含俯視為半圓形或者長方形等的矩形截面。 又’本發明還包含一陶瓷配線基板（申請專利範圍第 3項），其中δ玄破斷面係炎於表面側之槽切入面及背面側 的槽切入面之間。 據此，依呈線對稱地位於該基板本體之同一側面的 201251537 表面側及背面侧的一對槽切入面的底部之各端部，使每 一該槽切入面之延長部位於該凹缺部之兩侧。因此，可 進一步抑制毛邊或後述之導體層的撕裂。又，於形成在 凹缺部之内壁面的導體層中，與表面及背面側之每一槽 切入面的延長部相鄰且露出於外部之切斷面上亦被覆有 鐘膜’所以’該焊接安裝時之可靠度進一步變高。 此外，本發明還包含一種陶瓷配線基板（申請專利範 圍第4項），其中於該凹缺部之内壁面之一部或全面形成 有圓弧形的導體層，該導體層之切斷面係構成該槽切入 面之一部分。 根據本發明，於該導體層t與表面及背面側之至少 一槽切=面的延長部相鄰且露出於外部之切斷面（端面） 亦確貫地被覆有鐘膜，所以，可確實地獲得該焊接安 裝時之可靠度。 利範圍 有複數 耳部， 之表面 間、及 側形成 該分割 式陶瓷 表面側 對稱之 部’係 另外:本發明之多片式陶竞配線基板（申請專 第5項），係具備：製品區域其縱橫相鄰地拼接 個具有俯視為㈣之表面及f面的配線基板部； 其，於該製品區域之周目，具有俯視為矩形框狀 及背面’刀割肖，其沿相鄰之該配線基板部彼此 舌亥製品區域與耳弓 | 、 /、斗。卩之間，至少於製品區域之表面 為俯視為格子姑· β被Τ- ~ 狀，及截面圓形之通孔，其俯視為 槽沿徑向交又日#主^ 。 且貝通5亥表面與背面之間；該多片 配線基板之特徵兔.哮八*丨姑> — 试馮.該刀割槽之底部具有俯視為 外凸之彎曲部， 並且於该通孔之内壁面且徑向 位置上，露出維_ #4_八u ~。卩之對分割槽之底部的該彎曲 201251537 位於比該端部以外之底部更靠背面側。 根據本^明’於该製品區域之表面側形成為俯視為 格子狀之分割槽的底部中， - 〇亥刀割槽交叉之通孔的内壁 面附近之端部，形成右俯通 ^ 有俯視為表面側外凸且位於比該底 口P更靠背面側之彎曲部。因屮 .. u此，於沿分割槽對該製品區 域進行彎曲加工而將 線基板。P個片化時，該通孔成為 相鄰之陶甍配線基板的側 ^ 刃训面之俯視為凹形的凹缺部，且 該分割槽之内壁面之—古士、& 成為配線基板之槽切入面，但 於該槽切入面之底部且該缺 u缺。卩的兩側附近難以產生毛 邊或撕裂，且形成有包含該彎 弓坶口丨4之延長部。而且，於 :個陶究配線基板上之形成於凹缺部的内壁面之導體層 :與该延長部相鄰而露出的切斷面上，被覆有在個片化 别所施加之鍍膜（例如，鍍鋅膜 规騍臊及鍍金膜），所以，還可 提高焊接安裝性之可靠度。 另外，本發明還包含一種多片式陶究配線基板(申請 :利範圍第6項）’其中該通孔係形成於該分割槽在俯視 下且沿徑向縱橫交又之位置上，於該通孔之内壁面之圓 周方向上的每9G度之位置上，露出端部之：對分割槽之 底部的該彎曲部，係位於比該端部以外之底部更靠^面 側。 根據本發明，在相互正交之二對分割槽交又的通孔 之内壁面附近的端部形成有側視為表面侧 ^ 〇且位於比 ，底部更靠背面側之彎曲部。因此，於沿分割槽對該製 品區域進行彎曲加工而將配線基板部個片化時，，畐
係於相鄰之陶瓷配線基板上相鄰的側面間 以I 月。Ρ成為俯 201251537 該分割槽之一内壁面成為每 於該槽切入面之底部且該凹 毛邊或撕裂，且形成有包含 形成於凹缺部之内壁面的導 提高焊接安裝性之可靠度。 多片式陶瓷配線基板（申請專 槽係至少於該製品區域之背 該背面側之分割槽的底部之 呈線對稱。 區域之表面及背面的各分割 的各端部，呈線對稱地形成 凸且位於比該各分割槽之底 對彎曲部。因此，於沿分割 曼配線基板之側面的凹缺部 毛邊或導體層的撕裂，並可 體層之烊接安裝性的可靠度 視為1 /4之圓弧形四缺部，且 一配線基板之槽切入面，但 缺部的兩側附近，難以產生 該彎曲部之延長部。而且， 體層’係與上述相同，還可 又’本發明還包含一種 利範圍第7項），其中該分割 面亦形成為俯視為格子狀， 彎曲部係與表面侧之彎曲部 根據本發明，在該製品 槽交又之通孔的内壁面附近 有側視為表面側或背面側外 部更靠背面側或表面侧之一 槽個片化時所獲得之各個陶 附近，可進一步抑制陶瓷之 使位於凹缺部之内壁面的導 更為穩定。 另外.，本發明之多片式陶究配線基板之製造方法（ ，專利範圍第8項），該多片式陶竞配線基板係具備： ^區域’其縱橫相鄰地拼接有複數個具有俯視為矩形 之。面及背面的配線基板部；耳部，其位於該製品區域 复。圍具有俯視為矩形框狀之表面及背面；分割槽， '、相鄰之该配線基板部彼此間、及該製品區域與耳部 :間’於表面及背面之至少一方形成為俯視為格子狀； 截面圓形之通孔，其俯視為該分割槽沿徑向交叉且貫 -10- 201251537 通該表面與背面之間；該多片式陶瓷配線基板之製造方 法的特徵為包含：於俯視為矩形之表面及背面的胚片之 既定位置形成複數個通孔之製程；及於該胚片之至少表 面及背面的一方，以俯視為與該通孔在徑向上交又且區 隔配線基板部之周圍及製品區域與耳部的方式連續地照 射雷射進行掃描，藉此形成俯視為格子狀之複數個分割 槽的製程。 很跟+赞明’可效率佳且確實地製造多片式陶瓷配 線基板，該多片式陶瓷配線基板係在該製品區域之表面. 及背面的至少一方之分割槽交叉的通孔的内壁面附近之 各端部，呈線對稱地形成有側視為製品區域之表面侧或 月面側外凸且位於比該各分割槽之底部更靠背面側或表 面側之-對彎曲部4且，包含f曲部之分割槽係藉由 雷射加工所形成，所以，不需要使用特殊形狀之刀具， 可抑制製造成纟，且彳容易&進行槽切&製程之管理。 又，於該多片式陶究配線基板之製造方法中’以形 成該分割槽之雷射，係對於通孔之内側及胚片的表背面 $以相同之條件連續地進行照射較為適宜。另外，以咳 點係於該胚片之厚度方向，-面保持大致-定 之^準（位置）一面進行該雷射加工較 【貫施方式】 [貫施發明之形態] =下’針對本發明之實施形態進行說明。 第1陶竞以從斜上方向下觀察之姿勢顯示本發明之 4基板(以下’簡稱為配線基板)la的立體圖。 -11- 201251537 如第1圖所示，第1配線基板la係具備：基板本體2& ，其具有俯視為正方形（矩形）之表面3及背面4，及位於 §亥表面3及背面4之間的四邊之側面5 ;俯視為半圓弧（凹） 形之凹缺部6，其形成於各侧面5之水平方向之中間；及 表面3側之槽切入面8 a及背面4侧的破斷面7，其係位於除 了該凹缺部6以外之各側面5上。又，基板本體2 a係將複 數層之陶瓷層（未圖示）積層而得者，該陶瓷為例如氧化 鋁。 該槽切入面8 a係藉由後述之雷射加工所形成的分割 槽之一内壁面’其比氧化鋁之破斷面的該破斷面7較為平 滑。另外，於每一侧面5之凹缺部6中除表面3側的内壁面 6 a以外之背面4側之内壁面形成有圓弧形狀之導體層丄〇 。該導體層10係由W或Mo所構成，於上端之外周突出有 進入槽切入面8a的半圓形之凸緣部10a，且於下端之外周 突出有延伸於背面4上的半圓形之凸緣部1〇b。又，該凸 緣部1 0 a係可與内部配線（未圖示）導通，且該凸緣部1 〇 b 亦可用作為外部連接端子用之墊。 如第1圖所示，於在水平方向之中央部具有凹缺部6 的各側面5 ’位於基板本體2a之表面3側的帶狀槽切入面 8a及位於基板本體2a之背面4側的帶狀破斷面7之境界線 1 1 ’係於沿該側面5之長度方向的凹缺部6之兩側對稱地 具有俯視為朝基板本體2a之表面3側外凸的彎曲部n^。 亦即’位於凹缺部6兩侧之各槽切入面83係於該槽切入面 8a之底部的端部、凹缺部6的内壁面及該彎曲部Ur之間 ’分別連设有自被這些所包圍之該槽切入面“朝向深處（ -12- 201251537 表面3與背面4之中間）漸漸變細之延長部^該延長部9係 與槽切入面8a相同，相對於破斷面7而較為平滑，且藉由 後述之雷射加工所形成，所以，於此彎曲部丨丨r附近幾乎 不會有蛇行及毛邊。 又，於形成在凹缺部6之内壁面的導體層1〇上、且比 f曲部1 lr位於上方之凸緣部1〇a、内周面及切斷面（端面 )12上，於W等之喷鍍金屬的表面被覆有未圖示之鍍鎳膜 及鍍金膜（以下，簡稱為鍍膜）。另一方面，於該導體層 ίο上、且比彎曲部llr位於下方之凸緣部i〇b及切斷面13 上未被覆有該鍍膜。該鍍膜係於多片式陶瓷配線基板中 ，基於對在藉由雷射加工所形成之分割槽的内側露出之 部分實施電解鍍敷。導電層1〇之該切斷面12係構成槽切 入面8a之一部分。 又，於基板本體2a之表面3上形成有與未圖示之内部 配線連接之複數個墊16，於基板本體2a之背面4上形成有 未圖示之複數個外部連接端子。又，於每一側面5之破斷 面7露出有在後述之多片式陶瓷配線基板的鍍敷製程中 所使用的鍍敷用連結線的端面。 根據如以上之第i配線基板丨a，該槽切入面8a與破斷 面7之境界線1丨係於各該凹缺部6之兩側具有側視為朝該 基板本體2a之表面3側外凸之彎曲部丨lr，所以，於槽切 入面8a之底部端部、凹缺部6之内壁面及彎曲部Ur之間 ，連設有被這些所包圍之該槽切入面“的細尖的延長部9 。因此，於位在基板本體2a之各側面5中間的該凹缺部ό 附近’不存在較粗之表面的該破斷面7，所以，不會有陶 -13- 201251537 資之毛邊或導體層ίο的撕裂 程度。 或者能將這些抑制在最小 向且’於形成在凹缺部6之 :與該槽切入面_延長部9相鄰接且露= =:被覆有鑛膜’所以，可提高將本配線基La 坪接女裝於母板等時之可靠度。 第2圖為顯示該配線基板la之應用形態的配線基板 之與上述相同的立體圖。如第2圖所示，該^配線基 乂b係由上述相同之陶究所構成，其具備：基板本體几 ，/、具有表面3、背面4及側面5 ;凹缺部 側面5與上述相同地形成·，一對平行之槽切：=二 ’，其沿除該凹缺部6以外之每一側面5的表面3側及背面4 側形成為帶狀；及破斷面7，其被夾在這些構件之間。 該配線基板lb與該配線基板ia之差異在於，於每一 面5之彦面4側亦具有該槽切入面8 b，且於槽切入面“ 、8b與破斷面7之上下2個境界線丨丨，上下對稱地具有朝 表面3側外凸或者朝背面4側外凸的一對彎曲部1 ir，並與 k些對應還上下對稱地形成有連設於槽切入面8a ' 8b之 —對延長部9。與上述相同，於該延長部9之彎曲部u Γ 的附近幾乎沒有陶瓷之毛邊。 又’於形成在凹缺部6之内壁面的導體層1〇上、且位 於表面3側之彎曲部Ur的上方及背面4側之彎曲部14的 下方之凸緣部l〇a、l〇b、内周面及切斷面12上，於W等 之基底部的表面被覆有未圖示之鍍膜。另一方面，於該 導體層10上、且被夾在上下一對彎曲部1 lr之中間的弧形 -14- 201251537 切斷面13上未被覆有該鍍膜。 根據如以上之配線基板1 b，於基板本體2b之各側面5 的凹缺部6附近，不存在較粗之表面的該破斷面7，所以 ’可進一步抑制陶瓷之毛邊或導體層1〇的撕裂。而且， 於形成在凹缺部6之内壁面的導體層1〇之大部分截面（端 面）12上亦被覆有鍍膜，所以，可進一步提高焊接安裝時 之可靠度。 又，於該配線基板1 a、i b中，亦可為以於每一側面5 a又置2個以上之凹缺部6，對應於此之同數量的導體層 ’及於每一凹缺部6之兩側具有與上述相同之彎曲部1 『 及延長部9的方式所作成之形態。 第3圖為顯示本發明之第2配線基板u的與上述相同 之立體圖。 二如第3圖所不，第2配線基板ic係由與上述相同之陶 竟所構成’其具備：基板本體2c，其具有表面3、背面4 及側面5;俯視為1/4圓弧形狀之凹缺部14，其形成於相 鄰之一對側面5、5 pi之久& Α 間之谷角〇Ρ ,且位於表面3及背面4之 間；及表面3側的槽切入面8a與背面4側破斷面7,其位於 各側面5上。 ' 於該凹缺部14中除表面3側之内壁面W以外的背面 亦儀由wl面形成有圓弧形狀之導體層15 1導體層15 “的1/4/所構成，於上端之外周突出有進入槽切入面 的1/4圓弧形之凸緣部15a，於 上延伸之與上述相同的凸緣部丨：外周穴出有朝㈣ 如第3圖所示，於各側面5上’位於基板本體2C之表 -15- 201251537 面3側之帶狀的槽切入面8a與位於背面4側之帶狀的破斷 竟界線1 1 ’係於凹缺部1 4之兩側對稱地具有側視為 朝基板本體2c之表面3側外凸的彎曲部丨丨”亦即，位於 凹缺部14之兩側的各槽切入面8a，係於該槽切入面“之 底部端部、凹缺部14之内壁面及該彎曲部1 1Γ之間，分 對稱地連設有被這些所包圍且自該槽切入面“細尖地延 伸之延長部9。於該延長部9之彎曲部1 lr的附近幾乎产 毛邊。 又於$成在凹缺部14之内壁面的導體層15上，、 與上述相同之理由，於比彎曲部丨lr位於上方之凸緣= 15a、内周面及切斷面（端面）17上被覆有與上述相同之铲 膜，於比彎曲部llr位於下方之凸緣部15b及切斷面18二 未被覆有鍍膜。 又，導體層15之該切斷面17係構成槽切入面“之一 部分。另外，於基板本體2c之表面3形成有與未圖示之内 部配線連接的複數個墊19,於基板本體2c之背面4形成有 未圖示的複數個外部連接端子，又，於每一側面5之破斷 面7上露出與上述相同之鍍敷用連結線的端面。 根據如以上之第2配線基板丨c，該槽切入面8 &與破斷 面7之境界線11係於各凹缺部14之兩側具有侧視為朝基 板本體2c之表面3側外凸之彎曲部Ur，所以，於槽切 面8 a之底部端部、凹缺部14之内壁面及彎曲部i卜之間 連設有被這些所包圍之該槽切入面8a的細尖的延長部9 。因此，於在基板本體2c上位於相鄰之一對側面5間之角 部的凹缺部14附近，不存在較粗之表面的破 (Μ / ’所以 •16- 201251537 ，不會有毛邊或導體層15的撕裂，+ ^ 或者能將這些抑制在 極小程度。而且’於形成在凹缺部丨 4之内壁面的導體層 15之截面中與該槽切入面8a的延長邻洲拉 焚峥9相鄰接且露出於 外部之切斷面（端面）1 7上亦被覆有鍍膜所以，可提高 焊接安裝時之可靠度。 μ 第4圖為顯不該配線基板1 c之庵田#缺& 心應用形態的配線基板 1 d之立體圖。 如第4圖所示，配線基板ld係由與上述相同之陶瓷所 構成，其具備：基板本體2d，其具有表面3、背面4及側 面5 ;凹缺部14 ’其係於相鄰之側面5、5間與上述相同地 形成；一對平行之槽切入面8a、8b，其沿每一側面5的表 面3側及背面4側形成為帶狀；及破斷面7，其被夾在這些 構件之間。 該配線基板Id與該配線基板ic之差異在於，於每一 側面5之背面4側亦具有該槽切入面8b，且於槽切入面8a 、8b與破斷面7之上下2個境界線11，上下對稱地具有朝 表面3側外凸或者朝背面4側外凸的一對彎曲部1 1 r，並還 與這些對應而上下對稱地配置有自槽切入面8a、8b所連 設之一對延長部9。與上述相同，於該延長部9之彎曲部 llr的附近幾乎沒有陶瓷之毛邊。 又，於形成在凹缺部14之内壁面的導體層15上、且 比表面3侧之彎曲部1丨Γ位於上方及比背面4側之彎曲部 Ur位於下方之凸緣部15a、15b、内周面及切斷面丨7上， 於w等之基底部的表面被覆有鍍膜，但於該導體層15上 、且被夾在上下一對彎曲部Ur之中間的小圓弧形切斷面 -17- 201251537 18上未被覆有該鍍膜。 根據如以上之配線基板1 d ’於基板本體2 d之側面5 、5間的凹缺部14附近，不存在較粗之表面的該破斷面7 ，所以，可進一步抑制陶瓷之毛邊或導體層丨5的撕裂。 而且，於形成在凹缺部14之内壁面的導體層15之大部分 截面17上亦被覆有鍍膜，所以，可進一步提高焊接安= 時之可靠度。 t 第5圖為顯示將該第丨配線基板丨a之形態與第2配線 基板lc的形態合併之複合形態的配線基板丨e之立體圖。 如第5圖所示，配線基板le係由與上述相同之陶：免所 構成，其具備：基板本體2e，其具有表面3、背面4及 面5 ;凹缺部6 ’其係於每一側面5之中央部與上述相同地 形成；凹缺部14，其係於相鄰之側面5 ' 5之間與上述才 同地形成；及表面3側之槽切入面8a及背面4側的破斷面目 ，其位於各侧面5上。 於該凹缺部6、14中除表面3側之内壁面以、Ma以 之背面4側的内壁面上形成有與上述相同之導體層丨〇、 ’於各該導體層1()、15之上端外周突出有進人槽切 h的半圓形之凸緣部l5a，於下端外周突出有在背 延伸之半圓形的凸緣部丨5b。 人，於該凹缺部6、14之兩側存在有槽切入面㈣ 面7之境界線1 1的端部之彎曲部i u及延長部9，且 成在凹缺部6、14之各内壁面的導體層1〇、]5上、盘上： 相同’比彎曲部Ur位於上方之凸緣部…、⑸、内地 及切斷面12、17上’被覆有與上述相同之鍍膜，而於： -18- 201251537 彎曲部1 lr位於下方之凸緣部10b、15b及切斷面13、18上 未被覆有該鍍膜。 根據以上之配線基板1 e，於位在基板本體2 e之側面5 的中央部及侧面5、5間之凹缺部6、14附近，不存在較粗 之表面的該破斷面7,所以，可進一步抑制該毛邊或導體 層10、15的撕裂。又，於形成在凹缺部6、14之内壁面的 導體層10、15之大部分截面12、17上亦被覆有鍍膜，所 以，焊接安裝時之可靠度進一步變高。 又，於該配線基板1 e中，亦可作成於每一側面5之背 面4側亦與表面3側之槽切入面8 a對稱地設置槽切入面8 b ，且於該槽切入面8b與破斷面7之境界線11的兩端部亦與 表面3側對稱地設置彎曲部11 r及延長部9的形態之配線 基板。 第6圖為顯示本發明之一形態的多片式陶瓷配線基 板（以下，簡稱為多片式配線基板）2〇a之俯視圖，第7圖 為該多片式配線基板2 0 a之表面^ 1的通孔2 7之開口部附 近的部分放大立體圖，第8圖為沿第6圖中之χ_χ線之箭 頭之部分垂直剖視圖。 如第6圖及第8圖所示，該多片式配線基板2〇a係具備 :製品區域25，其縱橫相鄰地拼接有複數個具有俯視為 正方形（矩形）之表面21及背面22的配線基板部ln(la);耳 部26，其位於該製品區域25之周圍，且具有俯視為長方 形（矩形）框狀之表面21及背面22;及分割槽23，其沿相 鄰之配線基板部ln、ln間、及製品區域25與耳部％之間 ，於製品區域25之表面21側形成為俯視為格子狀。該分 -19· 201251537 割槽23之截面係大致v字形或u字形狀。 又，該製品區域25及耳部26亦與該配線基板^等相 同，係一體地積層多層之陶究（氧化鋁）層3所成者。另外 ，表面及背面22係於製品區域25及耳部26共同使用。 又，於配線基板部In、“間、及製品區域25與耳部％之 境界面’肖以導通這些内部配線彼此之鍵敷用連結線（ 未圖示）交叉。此外，於該耳部26之一對長邊形成有各複 數個錄敷用電極（未圖示）。 該配線基板部In係在被進一步個片化時成為該配線 基板la者。如第6圖所示，俯視時，於區隔各配線基板部 ln之四邊的每一分割槽23之中間附近，形成有該分割槽 23沿徑向交叉、且貫通表面21與背面22之間的截面圓形 之通孔27。 如第7及8圖所示，於每—通孔27之背面22側的内壁 面形成有由W或Mo所構成之圓筒形狀的筒形導體28 ◎另 外，於第8圖中沿左右方向切開陶瓷s之分割槽23的底部 30，係於交叉之各通孔27側之端部具有側視為朝表面2 i 側外凸之彎曲部3 1。 亦即’位於通孔27兩側之各分割槽23，係於該分割 槽23之底部30的端部、通孔27的内壁面及該彎曲部31之 間，分別連設有被這些所包圍、且朝向該通孔27之深處 側（表面21與煮面22之中間）深入之槽延長部24。該槽延 長部24係與分割槽23相同，藉由後述之雷射加工所形成 ，所以，於此彎曲部3 1附近幾乎不會有蛇行及陶瓷之也 邊。 -20- 201251537 如第7及8圖所示，於筒形導體28之表面2 1側沿徑向 對稱地貫通有具有彎曲部3 1的一對槽延長部24。於該槽 延長部24之内壁面露出被覆有與上述相同之鍍膜（鍍錄 媒及鐘金膜）的切斷面（端面）2 9。又，如第8圖所示，於沿 左右方向之分割槽23的中間交叉有與該分割槽23正交的 分割槽23。 根據如以上之多片式配線基板20a ’在該分割槽23 交叉之通孔27的内壁面附近之端部，形成有側視為表面 2 1側外凸且位於比分割槽23之底部30更靠背面22側之彎 曲部3 1。因此，於沿分割槽23對該製品區域25進行贊曲 加工而將配線基板部丨n個片化而獲得複數個配線基板1 a 時，該通孔27成為相鄰之一對配線基板丨a的每—側面5 上之俯視為凹形的凹缺部6,且該分割槽23之内壁面單獨 成為一對配線基板1 a之槽切入面8a，但於該槽切入面h 之底部且該凹缺部6的兩側附近，可抑制陶瓷S之毛邊或 導體層10的撕裂，且可形成包含該彎曲部Ur之延長部9 。又，於各個配線基板la上之形成於凹缺部6的内壁面之 導體層10中與該延長部9相鄰而露出的凸緣部i〇a之截面 ，亦被覆有在個片化前所施加之鍍膜 性之可靠度亦變高。 所以，焊接安裝 成有該分割槽23、 槽延長部24、彎曲部3 1及筒形導體28
第9圖為顯示 示不同形態之多片式配線基板20d的俯視 另外藉由於製品區域2 5之背面2 2側亦線對稱地形 -21- 201251537 圖’第10圖為沿第9圖中之Y-Y線之箭頭之部分垂直剖视 圖。 如第9及10圖所示，多片式配線基板2〇d係由與上逃 相同之陶瓷所構成，其具備：製品區域25，其縱橫相鄰 地拼接有複數個具有與上述相同之表面2丨及背面22的配 線基板部1 n( 1 d);耳部26，其位於該製品區域25之周圍 ，且具有俯視為正方形（矩形）框狀之表面21及背面22. 及分割槽23 ’其沿相鄰之配線基板部丨n、丨n間、及製〇 區域25與耳部26之間’於製品區域25之表面21及背面22 側的雙方形成為俯視為格子狀且形成於重複之位置。 該配線基板部1 η係在被進一步個片化時成為該配線 基板Id者。如第9圖所示’俯視時，於區隔各配線基板部 In之四邊的分割槽23交叉之4個角部，形成有二對之該分 割槽23沿徑向正交交又、且貫通表面2丨與背面22之間的 截面圓形之通孔27。 如第10圖所示’於每一通孔27之背面22側的内壁面 形成有由贾或Mo所構成之圓筒形狀的筒形導體28。另外 ’於第10圖中沿左右方向切開表面21及背面22附近之陶 究S的上下對分割槽2 3的各底部3 0，係在該分割槽2 3 交叉之各通孔27側之端部，呈線對稱地具有側視為朝表 面2 1側外凸之彎曲部3 1及朝背面22侧外凸之弯曲部3 j。 因此’位於各通孔2 7之徑向兩側的各分割槽2 3，係 於該分割槽23之底部30的端部、通孔27的内壁面及該彎 曲部3 1之間，於表面2 1側及背面22側之雙方分別連設有 被這些所包圍且朝向該通孔2 7之深處側（表面2 1與背面 -22- 201251537
22之中間）深入之柚E A 心延長部24。該槽延長部24係與分割槽 23相同藉由後述之雷射加工所形成，所以，於此f曲 部31附近幾乎不會有毛邊。 如第1〇圖所不’於筒形導體28之表面21側及背面22 側彳二向對稱地貫通有具有彎曲部3 1的一對槽延長部Μ 於該槽I長。ρ 24之内壁面露出被覆有與上述相同之鍍 膜的切斷面(端面)29a、29b。又，如第1〇圖所示，於自 左右方向分割槽23交又之筒形導體28的上下端部露出有 與該分割槽23正交的沿前後方向之分割槽23的端部（槽 延長部24)。 根據如以上之多片式配線基板2 0 d，在表面2 1及背面 22側之各分割槽23交又之通孔27的内壁面附近，呈線對 稱地形成有侧視為表面2丨側或背面22側外凸且位於比分 割槽23之底部30更靠背面22或表面21側之一對彎曲部31 。因此，於沿分割槽23對該製品區域25進行彎曲加工而 將配線基板部ln個片化而獲得複數個配線基板U時，該 通孔27成為相鄰之一對配線基板ld的側面$、$之各角部 的俯視為1/4圓弧形之凹缺部14，且該分割槽23之一内壁 面成為配線基板Id之槽切入面8a、8b，但於該槽切入面 8a 8b之底部且該凹缺部丨4的兩側附近，可抑制該毛邊 或撕裂，且可形成包含該彎曲部Ur2延長部9。 又，於各個配線基板Id上之形成於凹缺部14的内壁 面之導體層15中與該延長部9相鄰而露出的切斷面η，亦 被覆有在個片化前所施加之鍍膜，所以， ’' ^ μ ^ 阿焊接安 -23- 201251537 另外，藉由作成僅在製品區域25之表面21侧形成該 分割槽23、槽延長部24、彎曲部31及筒形導體28的切斷 面29的形態，還可製作依各配線基板部丨n而形成有該配 線基板lc的形態之多片式配線基板（2〇c)。又，藉由合併 多片式配線基板20a、2〇d之雙方的通孔27等，還可製作 依各配線基板部In而形成有該配線基板le的形態之多片 式配線基板（20e等）。 以下，針對該多片式配線基板2〇a之製造方法進行說 明。 如第圖（a)所示’預先將結合劑樹脂及溶劑適宜混 合於主成分之氧化銘粉末中，準備厚度不同之胚片gi、 g2。首先，對該胚片gl、g2實施使用相同外徑之沖頭之 冲孔加工’如第11圖沙)所*，形成相同内徑之通孔h 1、 h2 ° 接著 面’"一面 漿糊，形 通孔h2的 述相同之 緣 fl 、 f2 接著 的方式積 片積層體 通孔27。 又， ’如第12圖（a)所示，對胚片g2之通孔h2的内壁 以減f狀態。及弓丨-面塗布含有W粉末之導電性 成圓筒狀之筒形導體28。接著，在胚片g2之與 開口。P相鄰之表面及背面，亦呈環形印刷與上 導電陡漿糊’於筒形導體28之兩端形成上下凸 ，如第12圖（b)所示 層胚片gl、g2， gs。此時，相 以通孔h 1、h 2之軸心一致 形成具有表面21及背面22之胚 互連通之通孔hi、h2成為單一之 如第13圖（a)所示，自胚片g 1之表面側沿厚度方 -24- 201251537 向照射雷射L ’且沿該表面連續地進行掃描。該雷射L係 使用例如UV-YAG雷射，將其焦點F設為一定深度，且以 一定之傳送速度（約100mm/秒）進行。 又’於待形成之截面v字形的分割槽23之深度約為 200μη1且開口部之寬度約為，(^爪的情況下，該雷射l之條 件係設定為頻率：約3 0〜1 〇 〇 Η ζ，重複次數：2〜5次。 如第1 3圖（b)及第14圖（a)所示，於該雷射L沿徑向通 過通孔27之内側（中空部）時，亦在將該雷射[之焦點F、 傳送速度及上述各雷射條件保持為一定的狀態下，使雷 射L沿徑向連續地通過該通孔27之中心部。此時，於通孔 27及筒形導體28之内側（中空部），該雷射[之加工能量一 時變得剩餘。 其結果’如第13圖（b)及第14圖（a)所示，於形成在通 孔27之兩側的一對分割槽23之端部分別對稱地形成有該 刀割槽2 3之底面3 0朝表面側外凸之彎曲部3 1，且於.弯曲 # 3 1與通孔27之間形成有連通於各分割槽23之槽延長部 24。包含該槽延長部24之該分割槽23，係於胚片積層體 gs之表面21以俯視成為格子狀的方式形成。又，於槽延 長部24之内壁面亦包含於筒形導體28之表面21側露出之 切斷面（29)。 又’以胚片gl、g2之燒結溫度對胚片積層體gs進行 燒。其結果，可獲得胚片g 1、g2成為一體化之陶瓷層 Sl、S2的陶瓷積層體。此時，該筒形導體28或各配線基 板部1 η之内部配線等亦同時被燒結。 然後’將該陶瓷積層體依序浸泡於既定之電解鍍敷 -25- 201251537 浴中，應用該鐘敷電極等施加電解金屬（Ni及Au)锻敷。 其結果’如第1 4圖（b)所示’不僅於筒形導體2 8中比彎曲 面31位於上方且露出於外部之内周面等上，還於露出於 槽延長部24的内壁面之表面21側的切斷面29上被覆有鍍 鎳膜及鍍金膜。 經由以上之各製程’可獲得多片式配線基板2〇a。 根據如以上之多片式配線基板20a的製造方法，可效 率佳且確實地製造多片式陶瓷配線基板2〇a，該多片式陶 £配線基板2 0 a係在該製品區域2 5之表面2 1側的分割槽 交又之通孔27的内壁面側之各端部，呈線對稱地形成有 側視為製品區域2 5之表面2 1側外凸且位於比各分割槽2 3 之底部3 0更靠背面2 2側之一對彎曲部3 1。 而且’包含槽延長部24之分割槽係藉由使用該雷射l 之雷射加工而可精度良好且確實地形成，所以，不需要 使用特殊形狀之刀具，可抑制製造成本，且可容易地進 行槽切入製程之管理。 又，藉由追加於製品區域25之背面22側亦呈線對稱 地形成έ亥分割槽23、槽延長部24、彎曲部3 1及筒形導體 28之切斷面29的製程，亦可作為依每一配線基板部^而 配設有該配線基板lb之形態的多片式配線基板（2〇b)的 製造方法。 另外，藉由包含於製品區域25之表面21及背面22的 一方或雙方呈格子形狀所形成的縱橫之分割槽23的各交 點附近形成通孔27或筒形導體28等之製程，亦可作為依 每一配線基板部In而配設有該配線基板lc、id、k之形 -26 - 201251537 態的多片式配線基板（20c〜2〇e)的製造方法。 本發明不限於以上說明之各形態。 例如，該配線基板或多片式配線基板之陶瓷，亦可 為氧化鋁以外之高溫燒結陶究（例如，氮化鋁或莫來石） 或者使用玻璃-陶究等之低溫燒結陶究。於後者之情兄下 ，該導體層H)等或筒形導體28等之導體，係使用cu或Ag 另外，該配線基板或多片式配線基板，亦可為由 一陶瓷層所構成之形態或者由3丨 田J層以上的陶瓷層的積層 體所構成之形態。 又，該基板本體亦可為俯視為呈長方形之形態。 另外，該I線基板U等亦可為於這些之基板本體2a 等的表面3具有開口於該表面且具有底面及側面之腔 (cavity)的形態。 又，亦可為於該凹缺部6、14之肉辟工入 ^ a 14之内壁面全面形成該導 體層1 〇、1 5的形態。 另外’該多片式配線基板之製诰古i 1 土极又裊圮方法中的雷射加工 ’亦可於通孔27之内側與胚片 ^ A 乃g 1寻之表面側之間，以盥 該雷射條件不同的方式適宜地進行調整。 誇地進亦可接續該多片式配線基板之製造方法，連 、.只進仃對各配線基板進行個片化的製程。 [產業上之可利用性] 本發明可效率良好且確實地 ^ ^ ^ . A 供—種在基板本體側 面 缺。卩附近的毛邊少且設於咳凹4：i Arr 4凹缺部之内壁面的導 體層之焊接安裝性優良 闹尤配線基板、及可獲得複數 -27- 201251537 個該配線基板之多片式陶瓷配線基板。 【圖式簡單說明】 第1圖為從斜上方顯示本發明之第1陶瓷配線基板的 立體圖。 第2圖為顯示該陶瓷配線基板之應用形態的立體圖。 第3圖為與上述相同地顯示本發明之第2陶瓷配線基 板的立體圖。 第4圖為顯示該陶瓷配線基板之應用形態的立體圖。 第5圖為與上述相同地顯示第1及第2應用形態之陶 瓷配線基板的立體圖。 第6圖為顯示本發明之一形態的多片式陶瓷配線基 板之俯視圖。 第7圖為該配線基板之表面的通孔之開口部附近的 部分放大立體圖。 第8圖為沿第6圖中之X-X線之箭頭之部分垂直剖視 圖。 第9圖為顯示不同形態之多片式陶瓷配線基板的俯 祝圖。 第1 〇圖為沿第9圖中之Y-Y線之箭頭之部分垂直剖 視圖。 第11圖為顯示第6圖〜第8圖所示之多片式配線基板 的〆製造製程的概略圖。 第12圖為顯示接續第11圖之製造製程的概略圖。 第13圖為顯示接續第12圖之製造製程的概略圖。 第14圖為顯示接續第13圖之製造製程的概略圖。 -28 - 201251537 【主要元件符號說 1 a〜1 e In 2 a 〜2 e 3、 21 4、 22 5 6、14 6a 7 8a、8b 9 10、15 10a、10b 11 llr 12、17 15a 、 15b 16 18 19 20a〜20e 23 24 明】 配線基板（陶瓷配線基板） 配線基板部 基板本體 表面 背面 側面 凹缺部 内壁面 破斷面 槽切入面 延長部 導體層 凸緣部 境界線 彎曲部 切斷面 凸緣部 墊 切斷面 墊 多片式配線基板（多片式陶 基板） 分割槽 槽延長部 瓷配線 -29- 201251537 25 製品區域 26 耳部 27 通孔 28 筒形導體 29、 29a 、 29b 切斷面 30 分割槽之底部 31 分割槽之彎曲部 gl、 g2 胚片 hi、 h2 通孔 L 雷射 S 陶瓷 -30-