TW201248928A - Light-emitting device - Google Patents

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201248928 六、發明說明： c發明所屬之技術領城3 技術領域 本發明係有關於一種在形成發光二極體（以下，記為 LED。）裝置、高亮度光二極體背光源、與顯示器相關的光 源、汽車照明、裝飾照明、標識、廣告照明及含資訊顯示 用途之照明裝置中的發光裝置，以及其所使用的安裝基板。 L· 3 背景技術 近年來，伴隨著LED等發光裝置之高亮度、白色化， 行動電話、大型液晶TV等之背光源係已使用了利用LED 的發光裝置。在將LED燈適用於各種用途時，獲得白色發 光係變得重要。以LED燈實現白色發光的代表性方式，係 可舉例如以下四種方式：使用會發出藍、綠及紅各色光的3 種LED晶片的方式、組合發藍色光之LED晶片與發黃色 或者撥色光之螢光體的方式、組合發藍色光之led與藉由 此光而激發出紅、綠之螢光體的方法、組合發出紫外線之 LED晶片與發出藍色、綠色及紅色光之三色混合螢光體的 方式。 組合上述螢光體的方式，已知使混合有螢光體的環氧 樹脂或矽酮樹脂等透明樹脂流入，並使其固化而形成含有 螢光體之樹脂層的砲彈型構造。又，已知將led晶片安妒 至在主面形成有配線圖案的基板上，再將透明樹脂所造成 之密封部形成於該基板上的構造。於該等LED燈中，在經 201248928 安裝的LED晶片周圍的基板上係形成有銀等之光反射層》 而後，可藉由此光反射層，使自LED晶片向基板側放射之 發光或自螢光體所激發發光之螢光朝前方反射，以提昇光 提取效率。 然而，銀係易腐蝕，且一置之不理就會生成AgS等化 合物而易使得光反射率降低。因此，雖可於銀上形成樹脂 密封層以防止反射率之降低’但通常作為樹脂密封劑使用 的環氧樹脂或矽酮樹脂的密封性弱，而無法使用在要求有 長期可靠性的製品。 於是，為了防止銀導體層之腐触，已有以石夕酮樹脂、 丙烯酸樹脂、環氧樹脂 '胺基曱酸酯樹脂等樹脂塗布於銀 表面之方法的k案（參照專利文獻1)。然而，即使藉由此方 法，水分或腐蝕性氣體亦會自樹脂中或會從銀導體層與樹 脂之界面進入，而會經時的使銀導體層腐蝕，因此無法使 用於要求有長期可靠性的製品。 另一方面’作為不使用銀導體來提高反射率的方法， 雖亦有咼反射率之氧化鋁材料等之提案，但仍有因必須在 大於1000eC的高溫下燒製等而有使製造步驟負荷大之問題 存在。 先前技術文獻 專利文獻

【專利文獻1】日本專利特開2007_67116號公報 【菊h明内溶L 發明所欲解決之課題 4 201248928 本發明係為了解決如此的問題而作成者，且其目的在 於··提供一種具有光反射率高且因腐蝕所致的反射率降低 少的光反射層，而提昇光提取效率之發光裝置。 再者，本發明之目的亦在於：在形成如此的光反射層 時儘可能地抑制製程之負荷。 用以解決課題的手段 本發明係提供一種發光裝置’其係具有表面上形成有 導體層的基板及配置於導體層上的發光元件者，且前述導 體層係以保護膜層覆蓋’該保護膜層係硼矽酸玻璃，該硼 矽酸玻璃以氧化物基準之莫耳％表示含有Si〇262~84%、 B2〇3 10〜25%、AI2O3O〜5%、合計為 〇〜5%之 Na20 與 K20 之一者以上，且Si〇2與Abo〗之含有量合計為62〜84%、 含有MgOO〜10%、於含有CaO、SrO、BaO之任一者以上 時其含有量之合計為5%以下。 再者，提供一種發光裝置，其係具有表面上形成有導 體層的基板及配置於導體層上的發光元件者，且前述導體 層係以保護膜層覆蓋，該保護膜層以質量％表示含有60% 以上之硼矽酸玻璃與40%以下之陶瓷填料，前述硼矽酸玻 璃為以氧化物基準之莫耳％表示含有Si0262〜84%、 B2〇31〇〜25%、Al2〇3〇〜5%、合計為 0〜5%之 Na20 與 K20 之一者以上，且Si02與Α12〇3之含有量合計為62〜84%、 含有Mg〇〇〜10%、於含有CaO ' SrO ' BaO之任一者以上 時其含有量之合計為5%以下者。 本發明人係實現了藉由將導體層作為反射膜使用’且 201248928 將玻璃作為以保5蒦導體層為目的之保護膜層使用，而不會 使光反射層之反射率降低的發光裝置。特別是以將銀導體 層作為導體層使用者為佳。再者，藉由調整玻璃層之組成， 可成功地以1次燒製步驟形成作為反射膜之銀導體層與覆 蓋銀導體層之玻璃層。 玻璃層由於熱導率低，故因設置保護膜層所致的發光 元件所發出的熱會變得難以擴散，且元件溫度會變得容易 上昇’因此會有發光效率降低、或發光元件壽命降低等問 題發生的情況。 發明效果 藉由在基板的表面上形成有光反射率高的導體層，可 以高反射率使從發光元件放射至基板側之發光向基板與相 反側的開口方向反射《再者，於基板上具有凹部，且於其 底面搭載發光元件時，可藉由例如第2圖般亦於凹部壁面 設置導體層，而有效率地使發光元件壁面側的發光向開口 方向反射。 藉此，可使光提取效率提昇，而可期待提昇發光效率。 在具有包含可藉由源自發光元件之光激發而發出可見 光之螢光體之層（以下稱為螢光體層。）時，由於該從螢光體 發出的螢光亦可藉由導體層而以高反射率向基板與相反側 之前方反射，故可使白色光之提取效率提昇，該白色光係 藉由從螢光體發出的可見光與從發光元件放射之光之混色 而成。 於本發明之發光裝置中，於前述導體層上設有以玻璃 製作的保護膜層，而藉由該層來化學性地保護下層之導體 6 201248928 層。因此，可防止導體層之腐蝕而抑制光反射率之降低。 再者，導體層與保護膜層可經由調整玻璃組成以能藉 由同時燒製來形成，因此可減少製造步驟之負荷。 曰 再者，當保護膜層含有前述硼矽酸玻璃與陶瓷填料 時’可提高保護膜層之放熱性或強度。 圖式簡單說明 第1圖係本發明所使用的基板之截面圖之—例。 第2圖係於本發明所使用的基板上配置發光元件後之 截面圖之一例。 第3圖係本發明發光裝置之截面圖之一例。 C實施方式;1 用以實施發明之最佳形態 本發明之發光裝置係於基板表面設置作為反射骐的導 體層，在以包含硼矽酸玻璃之保護膜層覆蓋的前述導體層 上係配置有發光元件，該棚石夕酸玻璃（以下，稱為本發明之 玻璃）係以氧化物基準之莫耳％表示含有Si〇262〜84%、 B2〇310〜25%、Al2〇3〇〜5%、合計為 0〜5%之 Na2〇 與 κ 〇 之一者以上，且si〇2與八丨2〇3之含有量合計為62〜84%、 含有MgOO〜10%、於含有CaO、SrO、BaO之任-者時其 含有量之合計為5%以下。 基板係搭載發光元件之平板狀構件。構成基板的材質 雖無特別限定，但因必須烘烤用於保護膜層的玻璃，而以 無機材料為宜。由熱導率或放熱性、強度、成本的觀點來 看’可舉例如氧化鋁陶瓷、低溫同時燒製陶究（L〇w 201248928

Temperature c〇_fired Ceramic ’以下，稱為 ltcc。）、氮化 銘等。於LTCC之情況’可以同時燒製來形絲板與表面 導體層與覆蓋導體的保護膜層。 由反射率③低來看係使用銀作為反射膜之導體層。 保護膜層係一種用於保護下層之銀導體層不受腐轴等 之層’且如緻密的玻璃或玻m來形成者。保護膜層 中包含的坡餐、本發明之卿朗。本發明之玻璃係用 以使保護膜層緻㈣成分，且較佳為無色以不使反射率降 低。前述坡螭係以可與銀導體同時燒製者為佳且以在與 銀導體同時燒製後*會產生發色者更佳。脚#在將銀導 體與玻璃同時燒製時，若燒製溫度高於9G(rc則銀導體會變 形’因此保護膜層之玻璃必須為在9〇〇〇c以下的溫度燒製之 下可緻密化者。再者，以不會因銀與玻璃的反應而發色(銀 發色）為佳。又，銀發色係在保護膜層之燒製時銀離子自銀 導體擴散至玻璃中，其係膠體化而發色成黃色、紅色者。 銀向玻璃中的擴散，係有玻璃軟化點愈低而愈多的傾 向。另一方面，為了藉由燒製而得到緻密的保護膜層，則 必須降低軟化點。也就是說’在燒製時難以使玻璃常流動 而進行緻密化以及抑制銀發色兩者同時成立。雖已知例如 藉由在玻璃中添加CuO等過渡元素氧化物來抑制銀離子之 膠體化以抑制銀發色的方法，但添加過渡元素氧化物之方 法中玻璃會因過渡金屬離子而著色成藍色等，故無法順應 本發明之目的。 本發明人在研究以玻璃組成作為損及作為銀反射層之 8 201248928 機能且光吸收非常小的保護膜層後，結果找到了不添加過 渡元素等無色且不會有銀發色的玻璃組成。亦即，係含 有Al2〇3〇〜5°/。、合計為〇〜5%之Na2〇與κ2〇之一者以上， 且Si〇2 .、八丨2〇3之含有量合計為62〜84%、含有 Mg〇0〜10%、於含有Ca〇、Sr〇、祕之任一者以上時其含 有量之合計為5%以下之玻璃。 保護膜層亦以耐酸性、耐候性高為宜。 發光元件係LED元件。可舉藉由經放射之光來激發榮 光體而發出可見光者為例。舉例而言，可例示有藍色發光 型的LED晶片、紫外發光型的LED晶片等。但，並不限 定於其等，只要是可激發螢光體而發出可見光的發光元 件即可因應發光裝置之用途或作為目的之發光色等而使 用各種發光元件。 於本發明之發光裝置較佳係設置螢光體層。螢光體係 被從發光元件放射的光激發而發出可見光，且藉由此可見 光與從發光元件放射的光之混色，或是藉由從螢光體發出 的可見光或可見光本身的混色，而得到作為發光裝置所希 望的發光色者。螢光體之種類並無特別限定，可因應作為 目的的發光色或從發光元件放射的光等而適當地選擇。 螢光體層係形成為使螢光體混合、分散於如碎酮樹脂 或環氧樹脂的透明樹脂中之層。螢光體層雖可形成來覆蓋 發光元件的外側（參照第3圖），但亦可於形成來直接覆蓋發 光元件之覆蓋層上，另外設置螢光體層。亦即，螢光體層 係較佳形成於發光裝置之發光元件所形成之側的最上層。 201248928 本發明之發光裝置典型地係於基板表面上具有電連接 LED元件的端子部，且以保護膜層覆蓋除該端子部之外的 區域者。此時，發光元件的安裝可藉由例如以下方法來進 行：以環氧樹脂或矽酮樹脂將LED晶片黏著在基板上（晶粒 黏合）’並以金線等接合線為中介將晶片上面的電極連接至 基板之襯墊部的方法，或是，將設於LED晶片裏面的銲料 凸塊、Au凸塊、Au-Sn共晶凸塊等凸塊電極覆晶連接於基 板之導線端子或襯墊部的方法等。 則述基板雖只要可設置作為反射膜的銀導體層與保護 其之保護膜層即無特別限定，但以下則針對基板為LTCC 基板之情況進行說明。 LTCC基板係燒製玻璃粉末與氧化紹粉末等陶竞填料 之混合物而製造的基板，且係可與銀導體層同時燒製而製 造的基板。 於LTCC基板中使用的玻璃粉末與氧化紹粉末等之陶 瓷填料通常係進行生坯片材化來使用。例如，首先將玻璃 粉末與氧化鋁粉末等及因應需要添加鄰苯二曱酸二丁 g旨、 鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸丁基苯曱酯等可塑劑等， 來與聚乙烯丁醛、丙烯酸樹脂等樹脂混合。接著，添加甲 苯、二甲苯、丁醇等溶劑而作成漿體，並藉由到刀法等在 聚對苯二甲酸乙二酯等薄膜上將漿體成形成片狀。最後， 乾燥此成形成片狀者以去除溶劑而作成生坯片材。該等生 坯片材上可因應需要，藉由網版印刷等使用銀糊來形成配 線圖案、通路等。 10 201248928 構成LTCC基板的玻璃之組成，以莫耳％表示，可例如

Si02 為 6〇.4%、B2〇3 為 15·6%、Α1203 為 6%、CaO 為 15%、 K20 為 1%且 Na20 為 2%。 於LTCC基板製造中所使用的玻璃粉末，係可粉碎藉 由溶融法得到的玻璃而製造。粉碎的方法只要是不損及本 發明目的者即無限定’可為乾式粉碎且亦可為濕式粉碎。 在濕式粉碎時’以使用水作為溶劑為佳。再者，輥磨機、 球磨機、喷射磨機等粉碎機係可適當地使用來粉碎。玻璃 於粉碎後係因應需要而被乾燥、分級。 乳化銘粉末之粒度、形狀專雖無特別限定，但典型地 可使用平均粒徑D5〇在1〜5μηι左右者。可舉例如，昭和電 工公司製的AL-45H。 玻璃粉末與氧化铭粉末之換合比例典型為玻璃粉末 質量％、氧化鋁粉末60質量％。 前述生坯片材於燒製後係因應需要加工成所希望的形 狀而作成基板。此時，被燒製體係1片或重疊複數片生场 片材而成者。前述燒製係典型在850〜90CTC保持20〜60分 鐘來進行。更典型的燒製溫度係860〜880°C。 又，在同時形成銀導體層時，前述燒製溫度以在880 。(：以下為佳。大於88(TC在燒製時銀或含銀導體會軟化，而 恐會變得無法保持導體圖案或通路形狀。更佳者係在87〇 °C以下。 作為形成在基板表面上的反射膜之銀導體層，以反射 率的觀點來看，以不含有其他無機成分為佳。 201248928 接下來’針對保護膜層作說明。 保護膜層係本發明玻璃之層或是含有本發明玻璃之玻 璃-陶資*(以下’稱為本發明之玻璃·陶瓷）之層。 保護膜層之厚度典型為5〜20μηι。若小於5μΐη則平坦 性會變得不足。亦即，例如在發光元件之下部設置供放熱 的通路時’通路的前端會容易突出，而當在其上配置發光 &件時會傾斜而有使光提取效率變差之虞，故為了防止發 光元件之傾斜而較佳使覆蓋層之厚度比通路之突出量更 大’以5μπι以上更佳。大於20μπι則會阻礙發光元件之放 熱性’而會有使發光效率降低之虞。 在保護膜層係以本發明之玻璃形成時，保護膜層係例 如將本發明玻璃之粉末糊化而進行網版印刷、燒製而形 成。然而，典型地，只要是可平坦地形成5〜20μΠ1之厚度 者的方法即無特別限定。 在保護膜層係以本發明之玻璃-陶瓷形成時，保護膜層 係例如將本發明之玻璃粉末與陶瓷填料的混合粉末糊化且 進行網版印刷、燒製而形成。然而，典型地，只要是可平 坦地形成5〜20μηι之厚度者的方法即無特別限定。 本發明之玻璃-陶瓷以質量％表示係含有60%以上本發 明之玻璃。若小於60%，則會有反射率變得不足之虞。為 了更為提高反射率，係以含有70%以上更佳。再者，係含 有40%以下陶瓷填料。陶瓷填料之含有量典型地為5%以 上。藉由含有陶瓷填料，會有可提高保護膜層之強度之情 形。再者，會有可提高保護膜層之放熱性的情形。 12 201248928 前述陶瓷填料係以氧化鋁為佳。 接下來針對本發明玻璃之成分作說明。又，以下只要 無特別預先通知，組成即是以莫耳％表示者，且僅標示為％β SiCb係玻璃之網絡形成劑，且為提高化學耐久性、特 別是耐酸性的成分而為必須❶小於62%會有耐酸性變得不 足之虞。大於84%則會有玻璃熔融溫度變高，或是玻璃轉 移點(Tg)變得過高之虞。 B2〇3係玻璃之網絡形成劑而為必須。小於10%會有玻 璃溶融溫度變高，或是破璃變得不穩定之虞。較佳在12〇/〇 以上。大於25%會有難以得到穩定的玻璃，或是化學耐久 性降低之虞。

Al2〇3雖非必須’但為了提高玻璃之穩定性或是化學 耐久性，可在5%以下之範圍内含有。大於5%會有玻璃之 透明性降低之虞。再者，銀發色會變得容易發生。 又’ Si〇2與八丨2〇3之含有量合計為62〜84%。若小於 62%會有化學耐久性變得不足之虞。若大於84%則玻璃熔 融溫度會變高，或是Tg會變得過高。

NazO及雖非必須，但為使Tg降低之成分，而町 含有合計達5%。大於5%會有化學耐久性，特別是耐酸性 惡化之虞，或者是會有燒製體的電絕緣性降低之虞。再者， 銀發色會變得容易發生。 再者，含有Na20、κ20之任一者以上e Na2〇、K2〇 之含有量之合計係以0.9%以上為佳。

MgO雖非必須，但為了使Tg降低或是為了使玻璃穩 13 201248928 定化而可含有達10%。若大於10%則銀發色會變得容易發 生。較佳係在8%以下。

CaO、SrO、BaO任一者雖皆非必須，但為了使玻璃的 熔融溫度降低或是使玻璃穩定化，可含有合計達5%。若大 於5%則會有耐酸性降低之虞。或者銀發色會變得容易發 生。 本發明之玻璃本質上雖由上述成分所組成，但亦可在 不損及本發明目的的範圍内含有其他成分。在含有如此的 成分時，該等成分之含有量之合計以在10%以下為佳。但， 不含有鉛氧化物。 本發明之保護膜層，耐酸性以在10(Vg/cm2以下為宜， 且以3(Vg/cm2以下為佳，並以5pg/cm2以下更佳，又以 lpg/cm2以下特佳。大於10(Vg/cm2會有玻璃申的成分溶出 至電鍍溶液中而變得無法連續運轉、或保護膜層變得白濁 而使反射率降低之虞。 保護膜層之耐酸性係可藉由將其燒結體浸潰於 pHl.68、溫度85。。之草酸鹽緩衝液700cm3中，測量經過1 小時後的質量減少量而評定。 本發明之玻璃在欲特別提高反射率時，係以含有 Si0278〜84%、B2〇316〜18%、合計為 0.9~4%之 Na20 及 K20 之任一者以上、Α12〇3〇〜0.5%、CaOO〜0.6%之玻璃（以下， 稱為本發明之玻璃A。），或是含有Si0272〜78%、 B203 13〜18。/。、合計0.9〜4%之Na20及K20之任一者以上、 Mg02〜10%之玻璃（以下稱為本發明之玻璃Β。）更佳。 14 201248928 接下來針對本發明之玻璃A之組成作說明。

Si〇2係破璃之網絡形成劑而為必須。小於78%則化學 耐久性會降低。較佳係在80%以上。大於84%則會有玻璃 炫融溫度變高，或是玻璃轉移點（Tg)變得過高之虞，而以 83%以下為佳，且以82%以下更佳。 B2〇3係玻璃之網絡形成劑而為必須。小於16%會有玻 璃熔融溫度變高，或是Tg變得過高之虞，大於18%則會有 變得難以得到穩定的玻璃，或是化學财久性降低之虞。較 佳係在17%以下。

Al2〇3雖非必須，但為了提高玻璃之穩定性或是化學 耐久性，可在0.5%以下之範圍内含有。大於0.5%則玻璃熔 融溫度會變高、或Tg會變得過高。再者，銀發色會變得容 易發生。

Na20及K20係使Tg降低之成分，而必須至少含有其 中一者。其等合計小於0.9%會有玻璃熔融溫度變高，或是 Tg變得過高之虞，而以在1.0%以上為佳，且以在1.5%以 上更佳。大於4%則會有化學耐久性’特別是耐酸性惡化之 虞，或是會有燒製體之電絕緣性降低之虞。再者，銀發色 會變得容易發生。以在3%以下為佳，且以2%以下更佳。

CaO雖非必須，但為了使Tg降低或是使玻螭穩定化， 可在0.6%以下之範圍内含有。大於〇.6%則玻璃熔融溫度會 變得過低，或促進結晶化而無法得到透明的玻璃層。再者， 銀發色會變得容易發生。 本發明之玻璃A本質上雖由上述成分所組成，但亦可 15 201248928 在不損及本發明之目的的範圍内含有其他成分。在含有如 此的成分時，該等成分之含有量之合計以在10%以下為 佳。但，不含有鉛氧化物。 接下來針對本發明之玻璃B之組成作說明。

Si02係玻璃之網絡形成劑而為必須❶小於72%則化學 耐久性會降低。較佳係在73%以上。大於78%則會有玻璃 熔融溫度變高，或是Tg變得過高之虞，較佳係在76%以下。 B2〇3係玻璃之網絡形成劑而為必須。小於13%會有玻 璃熔融溫度變高，或是Tg變得過高之虞，大於18〇/〇則會有 變得難以得到穩定的玻璃，或是化學耐久性降低之虞。較 佳係在17%以下。

MgO係降低玻璃之熔融溫度，穩定化玻璃之成分，而 以含有2〜10%為宜。小於2%會有效果變得不足之虞。較佳 係在4%以上。若大於1〇°/。則銀發色會變得容易發生。以在 8%以下為佳，且以在6%以下更佳。

Na2 Ο及Κ：2 Ο係使Tg降低之成分，而必須至少含有其 中一者《其等合計小於0.9%會有玻璃熔融溫度變高，或是 Tg變得過高之虞，而以在1.0%以上為佳，且以在15%以 上更佳。大於4%則會有化學耐久性，特別是耐酸性惡化之 虞，或是會有燒製體之電絕緣性降低之虞。再者，銀發色 會變得容易發生》較佳係在3%以下。 本發明之玻璃B本質上雖由上述成分所組成，但亦可 在不損及本發明目的的範圍内含有其他成分。在含有如此 的成分時，該等成分之含有#之合計以在1Q%以下為隹。 16 201248928 但，不含有錯氧化物。 實施例 關於例1〜20 ’係摻合、混合玻璃原料以成為表1及表 2中以莫耳所示之組成，將此混合的原料置入白金坩堝以 1550〜1600°C熔融60分後，流出並冷卻熔融玻璃。以乙醇 作為溶劑’藉由氧化鋁製球磨機將得到的玻璃粉碎2〇〜6〇 小時而得到玻璃粉末。例卜5及例12〜20之玻璃係本發明 之破璃。例1〜4之破璃係本發明之玻璃a。例12〜14之玻 璃係本發明之玻璃B。例6〜11之玻璃係比較例《例15~19 係將氧化紹填料（昭和電工公司製AL-45H)加至與例1相同 的玻璃粉末中的本發明玻璃·陶瓷之例，例2〇係非本發明 之玻璃•陶竟之例。於表中的玻璃欄及氧化鋁欄顯示玻璃與 氧化紹的質量比。 分別使用島津製作所公司製SALD2100來測量各玻璃 杯末之平均粒徑D50(單位：pm)，並使用BrukerAXS公司 製熱分析裝置TG-DTA2000，以昇溫速度l〇°C/分之條件昇 溫至100(rC來測量軟化點Ts(單位：。〇。表中之Ts欄中記 載為「·」者係表示無法藉由該等方法測量Ts。再者，關於 例1〜11中任一者於測量Ts時皆無法確認結晶峰值。 將玻璃粉末與氧化鋁粉末之混合物置入模具中並壓製 成形者於890°C保持60分燒製後，加工成直徑5mm、長度 2〇mm之棒狀，並於其加上l〇g之負重，且使用BrukerAXS 公司製熱膨脹測量裝置TD5000SA，以昇溫速度i〇°C/分之 條件軟化樣品並測量開始收縮的溫度Td(單位：。〇。Td係 17 201248928 X在780 C以下為佳。令例中未測量Td值者為「*」。 關於例1〜2Q，將以質量％表示令添加氧化銘填料至各 璃叙末中而成的混合粉末為、樹脂成分為40%者， 於究器研射進行混練1小時m請行3次分散而 製作破璃糊。再者，樹脂成分係使用以質#比85 : 15之比 例換合乙基纖維素與α松脂醇並分散者。 銀糊係以質量比85: 15之比例摻合導電性粉末（大研 化學工業公司製S400-2)及乙基纖維素，並令固態部分之質 量/〇表示濃度為85%分散於溶劑（〇；松脂醇)後，於瓷器研妹 中進行混練1小時，再以三輥進行3次分散而製作。 將銀糊印刷於生坯片材，並於乾燥後，將玻璃糊印刷 於銀糊上’且於550°C將其保持5小時而分解除去樹脂成分 後，於870 C保持30分進行燒製。測量得到的LTCC基板 表面的反射率。反射率之測量係使用〇cean 〇ptics公司之 分光光度計USB2000與小型積分球^P-rf來測量，而計 算出可見光區的400〜800nm之平均值作為反射率（單位： %)。將結果示於表1。又，例11之玻璃粉末因無法燒結而 並未進行測量。 關於反射率，由於無保護膜層的銀導體層表面為95〇/〇 之反射率，因此希望儘可能為與其相近的反射率。於87% 以下因無法有效率地反射來自發光元件的光，故不宜作為 保護膜層。在92%以上特佳。 耐酸性試驗係以模具壓製玻璃粉末4g並燒製而得到直 徑14mm、高度15mm左右的燒結體後，測量將該燒結體浸 18 201248928 潰於PHL68、溫度85t之草酸鹽緩衝液彻⑽3中經】小 夺後之質量減J/量。又，凌潰後的質量係於乾燥1 J時後進〃了。將燒製體之每單位表面積的質量減少量（單 叫）不於表1的耐酸性欄。又，例11之玻璃粉末 因未燒結而無測量。 【表1】

5 6 7 8 9 10 11 .80.0 85.0 69.5 63,2 63.2 60,4 81.6 13 0 5.0 20.5 7.6 7.6 15.6 14.8 0 0 0 11.3 11.3 6.0 1.8 3 0 "* ** 1111» 0 6.0 ~0~~ 5.0 ~~Q 4.7 4.9— 4.7 13.0 0 4.9 0 0 •上 -Ι ο 0 2.0 2.0 0 0 5.3 5.3 0 0 0 0 0 1.0 0 0 0 4 0 4.0 5.0 0 1.0 1.0 0.9 丄一 0 0 0 0 2 0 0.9 -~L-_ 0 0 0 0 2.0 0 100 100 100 100 100 100 100 2.5 -丨"丨,·_ Ts........ 1_ 2.5 0_ 2.5 0 0 0 2.5 2.5 2.5 Ί\Α 7Λ〇 770 751 750 856 τη — 一 δ8 2 86 7 595 86 23 646 76 15 645 76 14 /1 / 78 8 19 201248928 【表2】 12 13 14 15 16 17 18 19 2 〇 S丨0, 75 75 75 81 6 8Ι.6 8Ι 6 at 6 8I 6 A| a Β 2 〇 3 Π Ι5 13 16.6 16.6 Ι6.6 !6 6 I6 6 R iVt g 0 δ 8 10 0 0 0 0 0 〇 KgO 2 2 2 1.8 1.8 1.8 18 18 18 I 0 0 0 0 0 0 0 〇 玻墒 ΙΟΟ ΙΟΟ 100 95 90 80 70 60 Γ40 氧化鋁 0 0 0 5 10 20 30 40 60 D s。 2.5 2.5 2 5 2.5 2 5 2.5 2 5 ? 5 2 5 Ts 793 831 854 115 775 775 775 775 775 Td 724 750 //9 本 * 744 7f51 「790 反射率 93 91 89 94 93 93 92 89 83 耐酸性 0 0 0 0 0 0 0 0 0 產業上的可利用性 可利用於行動電話、大型液晶τν等背光源。 又，於2008年8月21日提申之日本專利申請案 2008-212591號以及於2008年12月25日提申之日本專利 申請案2008-329890號之說明書、申請專利範圍、圖式及 摘要全内谷皆引用至此，而併入作為本發明之說明書之揭 示。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明所使用的基板之截面圖之一例。 第2圖係於本發明所使用的基板上配置發光元件後之 截面圖之一例。 第3圖係本發明發光裝置之載面圖之一例。 【主要元件符號說明】 1...LTCC基板 2…導體層（反射層） 20 201248928 3.. .保護膜層 4.. .通路導體 5.. .密封樹脂（螢光體層） 6.. .發光元件 7.. .接合線 8.. .金電鍍層 21

Claims (1)

1. 201248928 七、申請專利範圍： L 種發光元件搭载基板，係由在表面上形成有作為反射 層之銀導體層的無機材料基板所構成，且該銀導體層上 搭載有發光元件者；該發光元件搭載基板的特徵在於： 前述銀導體層係藉由糊體的燒成而形成，且具有厚 度為5〜20μηι之保護膜層，該保護膜層係以覆蓋前述銀 導體層之方式燒著而形成於前述無機材料基板上； 又，該保護膜層係硼矽酸玻璃，且該硼矽酸玻璃以 氧化物基準之莫耳％表示，含有Si〇2 : 62〜84%、β20；}: 10〜25%、Α12〇3 : 〇〜5%、合計為〇〜5%之Na2〇與κ2〇之 一者以上’且Si〇2與八丨2〇3之含有量合計為62〜84%、含 有MgO : 0〜1〇%、於含有CaO、SrO、BaO之任-者以上 時其含有量之合計為5%以下。 2_ —種發光元件搭載基板，係由在表面上形成有作為反射 層之銀導體層的無機材料基板所構成，且該銀導體層上 搭載有發光元件者；該發光元件搭載基板的特徵在於： 前述銀導體層係藉由糊體的燒成而形成，且具有厚 度為5〜20μηι之保護膜層，該保護膜層係以覆蓋前述銀 導體層之方式燒著而形成於前述無機材料基板上； 又’該保護膜層以質量％表示’含有60%以上之蝴 矽酸玻璃與40%以下之陶瓷填料，前述硼矽酸玻璃以氧 化物基準之莫耳％表示，含有Si02 : 62〜84%、Β203 : 10〜25%、Al2〇3 : 0〜5%、合計為0〜5%之Na20與Κ20之 一者以上，且Si〇2與八丨2〇3之含有量合計為62〜84%、含 有MgO · 0~10%、於含有CaO、SrO、BaO之任一者以上 時其含有量之合計為5%以下。 22 201248928 3. 如申請專利範圍第2項之發光元件搭載基板其中前述 陶瓷填料係氧化鋁。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任丨項之發光元件搭載基 板，其中前述無機材料基板係低溫共燒陶瓷(LTCC)。 5. 如申請專利範圍第丨至3項中任丨項之發光元件搭載基 板’其係於前述無機材料基板上設有通孔。 6·如申請專鄉圍第5項之發統件搭載基板其中前述 通孔係自前述無機材料基板突出，且該突出量小於前述 保護膜層的厚度。 7.如申請專利範圍第1至3項中任丨項之發光元件搭載基 板，其係於前述無機材料基板表面具有與前述發光元件 電〖生連接之端子部，且於該端子部之外的區域具有前述 保護膜層。 8·如申請專利範圍第1至3項中任-項之發光元件搭載基 板，其中前述無機材料基板具有凹部，且於凹部之底面 配置有發光元件》 •如申明專利範圍第丨至3項中任一項之發光元件搭載基 板，其中前述硼矽酸玻璃以氧化物基準之莫耳％表示， 含有Si02 :78〜82%、B2〇3 : 16〜18%、合計為〇.9~4%之 Na2〇與K2O之一者以上。 1〇·如申請專利範圍第1至3項中任—項之發光元件搭载基 板，其中前述硼矽酸玻璃以氧化物基準之簞 含柳―、B2〇3:1 —^ Na2〇與K20之一者以上。 如申請專利範圍第⑴項中任-項之發光元件搭載基 板，其中前述保護膜層於85。〇且ρΗ168之草酸溶液中^ 23 201248928 潰1小時的溶解量在30pg/cm2以下。 24