JPH10154868A - セラミック回路基板の製造方法 - Google Patents
セラミック回路基板の製造方法Info
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- JPH10154868A JPH10154868A JP32789596A JP32789596A JPH10154868A JP H10154868 A JPH10154868 A JP H10154868A JP 32789596 A JP32789596 A JP 32789596A JP 32789596 A JP32789596 A JP 32789596A JP H10154868 A JPH10154868 A JP H10154868A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗体の抵抗値の変化を抑制することができ
る，セラミック回路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミック焼結基板６の表面に導体層５
を形成する。次いで，導体層と接続するように，抵抗体
３をセラミック焼結基板の表面に形成する。その後，抵
抗体の表面を紫外線硬化型樹脂からなる塗膜１により被
覆し，紫外線を照射して該塗膜を硬化させる。抵抗体
は，塗膜により被覆する前に，ガラスコート層により被
覆し，該ガラスコート層２を抵抗体に焼付けることが好
ましい。
る，セラミック回路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミック焼結基板６の表面に導体層５
を形成する。次いで，導体層と接続するように，抵抗体
３をセラミック焼結基板の表面に形成する。その後，抵
抗体の表面を紫外線硬化型樹脂からなる塗膜１により被
覆し，紫外線を照射して該塗膜を硬化させる。抵抗体
は，塗膜により被覆する前に，ガラスコート層により被
覆し，該ガラスコート層２を抵抗体に焼付けることが好
ましい。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，抵抗体を有するセラミック回路
基板を製造する，セラミック回路基板の製造方法に関
し，特に抵抗体の耐湿性を改善する方法に関する。
基板を製造する，セラミック回路基板の製造方法に関
し，特に抵抗体の耐湿性を改善する方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来，セラミック回路基板としては，例え
ば，図２に示すごとく，セラミック焼結基板９６の表面
に抵抗体９３を設けたものがある。抵抗体９３は，導体
層９５と接続している。抵抗体９３及び導体層９５の表
面は，ガラスコート層９２により被覆されている。これ
は，導体層９５の表面に半田付けする場合の半田の盛り
状態を良好にし，また抵抗体及び導体層を湿気及び外傷
から保護するためである。
ば，図２に示すごとく，セラミック焼結基板９６の表面
に抵抗体９３を設けたものがある。抵抗体９３は，導体
層９５と接続している。抵抗体９３及び導体層９５の表
面は，ガラスコート層９２により被覆されている。これ
は，導体層９５の表面に半田付けする場合の半田の盛り
状態を良好にし，また抵抗体及び導体層を湿気及び外傷
から保護するためである。
【０００３】上記セラミック回路基板９の製造方法とし
ては，従来，例えば，セラミック材料からなるグリーン
シートを成形し，焼成してセラミック焼結基板を得る。
次いで，セラミック焼結基板に，導体ペーストを印刷
し，焼成して導体層を形成する。次いで，セラミック焼
結基板の表面に，導体層の一部を被覆するように，Ｓｎ
Ｏ2 系の抵抗ペーストを印刷し，加熱焼成して抵抗ペー
ストを焼結させて抵抗体を形成するとともにセラミック
焼結基板に接合する。次いで，抵抗体９３及び導体層９
５の表面をガラスコート層９２により被覆し，焼付け
る。これにより，上記セラミック回路基板９が得られ
る。
ては，従来，例えば，セラミック材料からなるグリーン
シートを成形し，焼成してセラミック焼結基板を得る。
次いで，セラミック焼結基板に，導体ペーストを印刷
し，焼成して導体層を形成する。次いで，セラミック焼
結基板の表面に，導体層の一部を被覆するように，Ｓｎ
Ｏ2 系の抵抗ペーストを印刷し，加熱焼成して抵抗ペー
ストを焼結させて抵抗体を形成するとともにセラミック
焼結基板に接合する。次いで，抵抗体９３及び導体層９
５の表面をガラスコート層９２により被覆し，焼付け
る。これにより，上記セラミック回路基板９が得られ
る。
【０００４】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記従来のセ
ラミック回路基板においては，ガラスコート層９２によ
る抵抗体９３の被覆だけでは抵抗体を湿気から十分に保
護することはできない。そのため，セラミック回路基板
の使用中に抵抗体の抵抗値が変化してしまうという問題
がある。
ラミック回路基板においては，ガラスコート層９２によ
る抵抗体９３の被覆だけでは抵抗体を湿気から十分に保
護することはできない。そのため，セラミック回路基板
の使用中に抵抗体の抵抗値が変化してしまうという問題
がある。
【０００５】本発明はかかる従来の問題点に鑑み，抵抗
体の抵抗値の変化を抑制することができる，セラミック
回路基板の製造方法を提供しようとするものである。
体の抵抗値の変化を抑制することができる，セラミック
回路基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，導体層を有する
セラミック焼結基板の表面に，上記導体層と接続するよ
うに，抵抗体を形成し，その後，上記抵抗体の表面を紫
外線硬化型樹脂からなる被膜により被覆し，紫外線を照
射して該被膜を硬化させることを特徴とするセラミック
回路基板の製造方法である。
セラミック焼結基板の表面に，上記導体層と接続するよ
うに，抵抗体を形成し，その後，上記抵抗体の表面を紫
外線硬化型樹脂からなる被膜により被覆し，紫外線を照
射して該被膜を硬化させることを特徴とするセラミック
回路基板の製造方法である。
【０００７】本発明において最も注目すべきことは，抵
抗体を紫外線硬化型樹脂からなる塗膜により被覆するこ
とである。
抗体を紫外線硬化型樹脂からなる塗膜により被覆するこ
とである。
【０００８】次に，本発明の作用及び効果について説明
する。本発明においては，抵抗体が塗膜により被覆され
ている。塗膜は紫外線硬化型樹脂からなり，これは一般
にガラスコート層よりも湿気の遮断性が高い。そのた
め，抵抗体への湿気の侵入を防止することができる。
する。本発明においては，抵抗体が塗膜により被覆され
ている。塗膜は紫外線硬化型樹脂からなり，これは一般
にガラスコート層よりも湿気の遮断性が高い。そのた
め，抵抗体への湿気の侵入を防止することができる。
【０００９】また，抵抗体を被覆する塗膜は，紫外線硬
化型樹脂よりなる。紫外線硬化型樹脂は，紫外線照射に
より硬化する。また，加熱を紫外線照射と併用するタイ
プのものもある。このように紫外線硬化型樹脂は加熱併
用型のものであっても，加熱時間は熱硬化型樹脂よりも
低く，加熱時間も短時間でよい。そのため，加熱時の導
体層の酸化を抑制できる。
化型樹脂よりなる。紫外線硬化型樹脂は，紫外線照射に
より硬化する。また，加熱を紫外線照射と併用するタイ
プのものもある。このように紫外線硬化型樹脂は加熱併
用型のものであっても，加熱時間は熱硬化型樹脂よりも
低く，加熱時間も短時間でよい。そのため，加熱時の導
体層の酸化を抑制できる。
【００１０】次に，請求項２の発明のように，上記抵抗
体を上記被膜により被覆する前には，少なくとも抵抗体
の表面をガラスコート層により被覆することが好まし
い。これにより，抵抗体の耐湿性を更に向上させること
ができ，また外傷から保護することができる。また，導
体層の耐湿性を向上させ，導体層の外傷を防止できる。
また，導体層の半田付けの際における半田の盛り状態を
良好にすることができる。上記ガラスコート層として
は，例えば，ホウケイ酸ガラスを用いることができる。
体を上記被膜により被覆する前には，少なくとも抵抗体
の表面をガラスコート層により被覆することが好まし
い。これにより，抵抗体の耐湿性を更に向上させること
ができ，また外傷から保護することができる。また，導
体層の耐湿性を向上させ，導体層の外傷を防止できる。
また，導体層の半田付けの際における半田の盛り状態を
良好にすることができる。上記ガラスコート層として
は，例えば，ホウケイ酸ガラスを用いることができる。
【００１１】上記抵抗体としては，ＳｎＯ2 系抵抗体，
Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体，ＬａＢ6 系抵抗体等の，印刷膜厚
基板として用いることができる材料等がある。この中，
ＳｎＯ2 系抵抗体，Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体は特に耐湿性に
弱いため，本発明のように塗膜により被覆することが特
に要求される。
Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体，ＬａＢ6 系抵抗体等の，印刷膜厚
基板として用いることができる材料等がある。この中，
ＳｎＯ2 系抵抗体，Ｃｕ−Ｎｉ系抵抗体は特に耐湿性に
弱いため，本発明のように塗膜により被覆することが特
に要求される。
【００１２】上記導体層としては，銅等の印刷膜厚材料
として構成できる材料を用いる。上記セラミック材料と
しては，例えば，ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3 系ガラス，アルミナ等の低温焼結材料を用いること
もできる。
として構成できる材料を用いる。上記セラミック材料と
しては，例えば，ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3 系ガラス，アルミナ等の低温焼結材料を用いること
もできる。
【００１３】
実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかるセラミック回路基板の製造
方法について，図１を用いて説明する。本例により製造
されるセラミック回路基板７は，図１に示すごとく，セ
ラミック焼結基板６の表面に抵抗体３を設けたものであ
る。抵抗体３は，導体層５と接続している。抵抗体３及
び導体層５の表面は，ガラスコート層２により被覆され
ている。ガラスコート層２により被覆された抵抗体３の
表面には，紫外線硬化型樹脂からなる塗膜１が設けられ
ている。
方法について，図１を用いて説明する。本例により製造
されるセラミック回路基板７は，図１に示すごとく，セ
ラミック焼結基板６の表面に抵抗体３を設けたものであ
る。抵抗体３は，導体層５と接続している。抵抗体３及
び導体層５の表面は，ガラスコート層２により被覆され
ている。ガラスコート層２により被覆された抵抗体３の
表面には，紫外線硬化型樹脂からなる塗膜１が設けられ
ている。
【００１４】次に，本例のセラミック回路基板の製造方
法の概要について説明すると，まず，導体層５を有する
セラミック焼結基板６の表面に抵抗体３を形成する。抵
抗体３及び導体層５をガラスコート層２により被覆し，
その表面を紫外線硬化型樹脂からなる被膜１により被覆
し，紫外線を照射して該被膜を硬化させる。
法の概要について説明すると，まず，導体層５を有する
セラミック焼結基板６の表面に抵抗体３を形成する。抵
抗体３及び導体層５をガラスコート層２により被覆し，
その表面を紫外線硬化型樹脂からなる被膜１により被覆
し，紫外線を照射して該被膜を硬化させる。
【００１５】次に，上記セラミック回路基板の製造方法
の詳細について説明する。まず，アルミナ９２〜９６重
量％とフラックスとを有するセラミック材料に，バイン
ダー及び溶剤を加えて混合しこれをシート状に成形して
グリーンシートを得る。次いで，グリーンシートを，空
気中，１５００〜１６００℃で焼成して，セラミック焼
結基板を得る。また，グリーンシートは，中性雰囲気中
で焼成してもよい。
の詳細について説明する。まず，アルミナ９２〜９６重
量％とフラックスとを有するセラミック材料に，バイン
ダー及び溶剤を加えて混合しこれをシート状に成形して
グリーンシートを得る。次いで，グリーンシートを，空
気中，１５００〜１６００℃で焼成して，セラミック焼
結基板を得る。また，グリーンシートは，中性雰囲気中
で焼成してもよい。
【００１６】なお，上記セラミック焼結基板としては，
内部に導体層を有するセラミック多層焼結基板を用いて
もよい。このセラミック多層焼結基板は，例えば，導体
層を印刷形成した複数のグリーンシートを積層し，これ
らを同時に焼成することにより得ることができる。
内部に導体層を有するセラミック多層焼結基板を用いて
もよい。このセラミック多層焼結基板は，例えば，導体
層を印刷形成した複数のグリーンシートを積層し，これ
らを同時に焼成することにより得ることができる。
【００１７】次いで，スクリーン印刷法により，セラミ
ック焼結基板の表面に，導体層形成用の導体ペーストを
印刷する。導体ペーストは，銅粉及びガラスフリットよ
りなる導体材料に樹脂溶剤を加え混練して調製する。
ック焼結基板の表面に，導体層形成用の導体ペーストを
印刷する。導体ペーストは，銅粉及びガラスフリットよ
りなる導体材料に樹脂溶剤を加え混練して調製する。
【００１８】次いで，導体ペーストを乾燥させた後，導
体ペーストを窒素ガス中，９００℃で焼成する。これに
より，導体ペーストが焼結して導体層が形成される。次
いで，スクリーン印刷法により，セラミック焼結基板の
表面に，導体層の一部を被覆するようにＳｎＯ2 系の抵
抗体ペーストを印刷する。抵抗体ペーストはＳｎＯ2 及
びガラスフリットよりなる材料に，樹脂及び溶剤を加え
て混練したものからなる。
体ペーストを窒素ガス中，９００℃で焼成する。これに
より，導体ペーストが焼結して導体層が形成される。次
いで，スクリーン印刷法により，セラミック焼結基板の
表面に，導体層の一部を被覆するようにＳｎＯ2 系の抵
抗体ペーストを印刷する。抵抗体ペーストはＳｎＯ2 及
びガラスフリットよりなる材料に，樹脂及び溶剤を加え
て混練したものからなる。
【００１９】次いで，これらを窒素ガス中，９００℃で
焼成して，抵抗体を焼結させる。次いで，抵抗体及び導
体層の表面に，スクリーン印刷方法によりガラスコート
層を被覆する。ガラスコート層は，ホウケイ酸ガラスに
樹脂及び溶剤を加えて混練したものである。次いで，窒
素中，６００〜７００℃でセラミック焼結基板を加熱し
て，ガラスコート層をセラミック焼結基板に焼付ける。
焼成して，抵抗体を焼結させる。次いで，抵抗体及び導
体層の表面に，スクリーン印刷方法によりガラスコート
層を被覆する。ガラスコート層は，ホウケイ酸ガラスに
樹脂及び溶剤を加えて混練したものである。次いで，窒
素中，６００〜７００℃でセラミック焼結基板を加熱し
て，ガラスコート層をセラミック焼結基板に焼付ける。
【００２０】次いで，ガラスコート層を焼付けた抵抗体
の表面を，紫外線硬化型樹脂からなる塗膜により被覆す
る。紫外線硬化型樹脂は，アクリル系モノマー及びプレ
ポリマーを硬化成分としたものである。次いで，塗膜に
紫外線を照射し，次いでこれを１１０〜１２０℃で１分
間硬化する。以上により，上記セラミック回路基板を得
る。
の表面を，紫外線硬化型樹脂からなる塗膜により被覆す
る。紫外線硬化型樹脂は，アクリル系モノマー及びプレ
ポリマーを硬化成分としたものである。次いで，塗膜に
紫外線を照射し，次いでこれを１１０〜１２０℃で１分
間硬化する。以上により，上記セラミック回路基板を得
る。
【００２１】得られたセラミック回路基板について，導
体層の酸化の有無をハンダ濡れ性（ディッピング方法）
により調査した。その結果，導体層の表面は酸化しなか
った。
体層の酸化の有無をハンダ濡れ性（ディッピング方法）
により調査した。その結果，導体層の表面は酸化しなか
った。
【００２２】実施形態例２ 本例においては，抵抗体としてＣｕ−Ｎｉ系抵抗体を用
いたほかは，実施形態例１と同様である。Ｃｕ−Ｎｉ系
抵抗体は，Ｃｕ−Ｎｉ及びガラスフリットよりなる材料
に樹脂及び溶剤を加えて混練したものである。本例によ
り得られたセラミック回路基板について，実施形態例１
と同様に導体層表面の酸化の有無を調査したところ，導
体層の表面は酸化しなかった。
いたほかは，実施形態例１と同様である。Ｃｕ−Ｎｉ系
抵抗体は，Ｃｕ−Ｎｉ及びガラスフリットよりなる材料
に樹脂及び溶剤を加えて混練したものである。本例によ
り得られたセラミック回路基板について，実施形態例１
と同様に導体層表面の酸化の有無を調査したところ，導
体層の表面は酸化しなかった。
【００２３】（比較例１）本例においては，紫外線硬化
型樹脂からなる塗膜の代わりに，熱硬化型樹脂からなる
塗膜を，ガラスコート層を焼き付けた抵抗体の表面に塗
布した。熱硬化型樹脂は，エポキシ系樹脂からなる材料
に，溶剤を加えて混練したものである。熱硬化型樹脂か
らなる塗膜は，１２０〜１５０℃，窒素雰囲気下で，３
０〜５０分間の加熱によりガラスコート層の表面に硬化
させた。その他は，実施形態例１と同様である。本例に
より得られたセラミック回路基板について，実施形態例
１と同様に導体層表面の酸化の有無を調査したところ，
導体層の表面は酸化していた。
型樹脂からなる塗膜の代わりに，熱硬化型樹脂からなる
塗膜を，ガラスコート層を焼き付けた抵抗体の表面に塗
布した。熱硬化型樹脂は，エポキシ系樹脂からなる材料
に，溶剤を加えて混練したものである。熱硬化型樹脂か
らなる塗膜は，１２０〜１５０℃，窒素雰囲気下で，３
０〜５０分間の加熱によりガラスコート層の表面に硬化
させた。その他は，実施形態例１と同様である。本例に
より得られたセラミック回路基板について，実施形態例
１と同様に導体層表面の酸化の有無を調査したところ，
導体層の表面は酸化していた。
【００２４】（比較例２）本例においては，抵抗体の表
面を紫外線硬化型樹脂からなる塗膜を被覆することなく
セラミック回路基板を製造した。その他は，実施形態例
１と同様である。
面を紫外線硬化型樹脂からなる塗膜を被覆することなく
セラミック回路基板を製造した。その他は，実施形態例
１と同様である。
【００２５】（比較例３）本例においては，抵抗体の表
面を紫外線硬化型樹脂からなる塗膜を被覆することなく
セラミック回路基板を製造した。その他は，実施形態例
２と同様である。
面を紫外線硬化型樹脂からなる塗膜を被覆することなく
セラミック回路基板を製造した。その他は，実施形態例
２と同様である。
【００２６】（実験例）本例においては，セラミック回
路基板について，耐湿性の評価をした。評価に際して，
セラミック回路基板を８５℃，８５％ＲＨの高温多湿雰
囲気に静置した。高温多湿雰囲気に静置する前，及び１
０００時間静置した後について，抵抗体の抵抗値を測定
し，その変化率を求めた。その結果を表１に示した。評
価に供した試料は，実施形態例１，２，比較例２，３の
セラミック回路基板である。
路基板について，耐湿性の評価をした。評価に際して，
セラミック回路基板を８５℃，８５％ＲＨの高温多湿雰
囲気に静置した。高温多湿雰囲気に静置する前，及び１
０００時間静置した後について，抵抗体の抵抗値を測定
し，その変化率を求めた。その結果を表１に示した。評
価に供した試料は，実施形態例１，２，比較例２，３の
セラミック回路基板である。
【００２７】同表より知られるように，実施形態例１，
２における抵抗体の抵抗値は，殆ど変化しなかった。一
方，比較例２，３の場合には，抵抗値が１〜２％と大き
く変化した。
２における抵抗体の抵抗値は，殆ど変化しなかった。一
方，比較例２，３の場合には，抵抗値が１〜２％と大き
く変化した。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば，抵抗体の抵抗値の変化
を抑制することができる，セラミック回路基板の製造方
法を提供することができる。
を抑制することができる，セラミック回路基板の製造方
法を提供することができる。
【図１】実施形態例１のセラミック回路基板の断面図。
【図２】従来例におけるセラミック回路基板の断面図。
１．．．塗膜， ２．．．ガラスコート層， ３．．．抵抗体， ５．．．導体層， ６．．．セラミック焼結基板， ７．．．セラミック回路基板，
Claims (2)
- 【請求項１】 導体層を有するセラミック焼結基板の表
面に，上記導体層と接続するように，抵抗体を形成し，
その後，上記抵抗体の表面を紫外線硬化型樹脂からなる
被膜により被覆し，紫外線を照射して該被膜を硬化させ
ることを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において，上記抵抗体を上記被
膜により被覆する前には，少なくとも抵抗体の表面をガ
ラスコート層により被覆することを特徴とするセラミッ
ク回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32789596A JPH10154868A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | セラミック回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32789596A JPH10154868A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | セラミック回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154868A true JPH10154868A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18204196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32789596A Pending JPH10154868A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | セラミック回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154868A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4570190B2 (ja) * | 2000-01-20 | 2010-10-27 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
| US8604499B2 (en) | 2008-08-21 | 2013-12-10 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting device |
| JP2014135403A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | プリント基板およびプリント基板の製造方法 |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP32789596A patent/JPH10154868A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4570190B2 (ja) * | 2000-01-20 | 2010-10-27 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
| US8604499B2 (en) | 2008-08-21 | 2013-12-10 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting device |
| JP2014135403A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | プリント基板およびプリント基板の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Effective date: 20040105 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
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