TW201233319A - Electromagnetic wave noise suppression member, method for use thereof and electronic device - Google Patents

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201233319 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 在例如0. 1至20GHz之高頻區域的電子機器之半導體 元件或高頻電子零件有會成為問題之近場電磁波雜訊，本 發明係關於以抑制該近場電磁波雜訊為目的而可利用的電 磁波雜訊抑制體、其使用方法及使用其之電子機器。 【先前技術】 近年來，個人電腦（PC)、行動電話、行動資訊終端 (PDA)、資訊家電、高速道路資訊系統等利用0. 1至20GHz 的高時鐘頻率（clock frequency)之電子機器、資訊通訊機 器正在普及。尤其，在PC係使用CPU之動作頻率超過1GHz， 在通訊機器中係例如在行動電話中使用0. 9GHz、1. 5GHz、 1. 9GHz，在無線 LAN 中係使用 2. 45GHz、5. 0GHz、19. 0GHz。 從如此之背景來看，預測今後在GHz區域之高速半導體積 體元件的利用會漸漸增加。另外，在行動電話、筆記型電 腦、數位相機等之行動電子機器、或液晶電視、藍光光碟 錄放影機、遊戲機等之資訊家電中，隨著小型化、輕量化、 薄型化、高功能化之要求，搭載於該等電子機器内部之 CPU、LSI、周邊半導體等之電子零件的高密度化、高積體 化、及對於印刷配線基板之電子零件的高密度裝設化正進 展中。其結果，被過密地積體、裝設之電子零件或配線成 為互相接近之狀況，與前述之高頻化融合而為容易產生電 磁波之不需要輻射的狀態。即，此事會引起機器的誤動作 等之問題，並成為電子機器產生不良情形及阻礙小型化或 4 323737 201233319 高功能化之重要因素。 對於如此之問題，最近係指出為不需要幅射等之電磁 干擾（EMI)，並以重視電磁兼容性（EMC)作為其綜合性對 策，此領域之研究正在盛行。例如在驅動頻率為至低頻至 數MHz之電子機器中，係有以軟磁性材料被覆框體等之方 法，在1至2GHz左右之電子機器中，係實施將片狀之複合 磁性體直接貼黏於電子零件或電磁波雜訊發生源之對策。 進一步，對於前述之電子機器的小型化、高功能化等之要 求’使用於該等之電磁波屏蔽材、電磁波吸收體、電磁波 雜訊抑制體除了抑制電磁干擾之效果高，尚且期望薄且輕 之材料。又，兼備電磁波雜訊抑制體效果與輕薄化之材料 ^於半導體元狀觀轉、半_賊叙基材、多層 電路基板等之裝設作#的簡便性數點亦有效，進—步，於 :撓性印刷基板等需要可撓性部耗，除了薄且輕之特徵 尚且期待富彎曲性之材料。 有關對應於前述課題之電磁波雜訊抑制體，例如在專 2獻1中係已提出-種雜訊抑制體，其係具有支樓體、 :制：成於該支撐體上之金屬材料的雜訊抑制層(電磁波 電阻^從雜訊抑制層之表面阻抗的實測值所換算的體積 滿^ Rl(〇 ·與金屬材料之體積電…0(Ω · cm) 丄· 5$1ο_ —i〇gR〇$3。更具體地，專利文獻i之 97nm ^藉 成之_構成，具備厚為6至 =之雜訊抑㈣。又’在專利文獻2中係已提出 由剪切彈性率為W至1χ1。、之有機高分子所成之基 323737 5 201233319 體上，積層複數片物理蒸鍍鐵或鐵合金等強磁性體者的雜 訊抑制體。進一步’在專利文獻3中係已提出一種使導電 性薄膜之表面電阻Rs(q/[])與空間之特性阻抗（至377 Ω)引起整合並控制在50Q/□以上，藉此使反射降低至 實務程度之-l〇dB以下，若將表面電阻（Rs)控制於與空間 之特性阻抗約同等之值，則兩者完全地整合且電磁干擾以 高效率被吸收於薄膜内之後，因薄膜之電阻損失及磁性損 失以更高效率損失，可得到非常大的近場電磁波雜訊抑制 效果。 專利文獻1至3記載之電磁波雜訊抑制體均藉由技術 已確立之濺鍍法而形成，並有可利用既有設備而容易製造 之優點。 [參考文獻] (專利文獻） 專利文獻1 :日本特開2006-295101號公報 專利文獻2:日本特開2005-45193號公報 專利文獻3 :日本特開2006-279912號公報 【發明内容】 (發明欲解決之課題） 但’在專利文獻1中因使用之鎳的阻抗率低，故鎳之 團簇（c 1 uster)必須以非常接近之狀態且個別獨立存在之 構造而形成，必須使從所使用之雜訊抑制層的表面阻抗之 實測值換算出之體積電阻率R1(Q · cm)與金屬材料之體積 電阻率R0(Q .cm)控制於〇.5SlogRl —l〇gR〇$3之範圍。 323737 6 201233319 亦即’控制於前述範圍之雜訊抑制層係並非均質之金屬薄 膜’鎳團簇互相接觸而集團化，雖然鎳團簇之大小變大， 但於集團化之鎳團簇間係殘存許多鎳材料不存在之缺陷的 狀態。進一步’在專利文獻1中係需要可構成訊號傳送層、 電源層及接地詹任一者的導體箱。 又，在專利文獻2中係因必須使強磁性體超微粒子分 散於基體之有機高分子之表層起數微米（//m)的範圍，故必 須使用有機高分子之剪切彈性率為lxio4至lxl〇i〇Pa者。 此係因使強磁性體超微粒子僅蒸鍵於有機高分子表面，而 有防止成為表面電阻率低之金屬的連續膜並提高抑制電磁 波雜訊的效果。又，以往使用磁性材料之電磁波雜訊抑制 體其構造係不形成均質的磁性體膜，此係因藉由形成金屬 之連續膜’而產生渦電流並使電磁波吸收效果消失，反而 出現反射功能。 又，在專利文獻3中係因使金屬之薄膜材料的表面電 阻Rs(p/t)與空間之特性阻抗ζ(377Ω)整合，故必須控 制於10Ω/□以上、□以下，因此金屬材料二 形成奈米晶粒構造或奈米異質構造。此亦與專利文獻1及 2同樣地，其特徵在於不成為金屬材料連續之薄膜。 因此’抑制電磁波雜訊之習知技術的材料係並非為連 續之金屬的薄膜，而形成導電部份與非導電部份共存之奈 米晶粒構造等之狀態，並使阻抗率控制於特定的範圍。但 此構造之情轉在導電部份巾係可抑制電磁波雜訊，但在 非導電部份中無抑㈣訊之效果，故為了提昇電磁波雜訊 323737 7 201233319 抑制必須增加雜訊抑制材料的使用面積。 者，目的在於提供一種電磁波雜題所提出 應用於電子機n或電子零件其係容易裝入 的每單位面積之電磁波雜訊：丄;，頻帶域之近場 間安定之雷磁h α抑制效果兩，且可維持長期 門女疋之電磁波雜訊抑制效果。&，本 薄、輕量、且有可撓性，不須與接 層連接之電磁波雜訊抑制體。 (解決課題之手段） 本發明們有鑑於上述實情而專心努力進行社 求構成的金屬薄膜之電磁波雜訊抑： 體係滿足上述要求者，終完成本發明。 本發明之電磁波雜訊抑制體’係具備合成樹脂 製之支禮層、形成於該支抑上之含有金騎料的電磁波 雜訊抑制層之電磁波雜訊抑制體’其特徵.係：前述電磁波 雜訊抑制層為連續之金屬薄膜，該金屬薄膜之表面電阻率 為10至90Ω/□的範圍内，且從前述金屬薄膜之表面電 阻的實測值及該金屬薄膜之厚度所算出的比電阻值R1 (Ω · cm)、與前述金屬材料之比電阻值R〇(n · cm)滿足i SRl/RiX/ltK/" 10係表示1〇之平方根）。 本發明之電磁波雜訊抑制體，前述金屬材料可由鎳合 金所成。 本發明之電磁波雜訊抑制體，前述金屬材料較佳為鎳_ 鉻合金，此時’前述電磁波雜訊抑制層之平均厚度較佳為 323737 8 201233319 35至30〇n_範圍内，進一步，前述電磁波雜訊抑制層可 為物理性蒸鑛金屬材料所形成之金屬薄膜。 曰 又，本發明之電磁波雜訊抑制體，前述金屬材料 佳為錄-縣金祕，合賴構成，此時前述電磁波雜^ 抑制層之平均厚度更佳為60至300nm的範圍内進一 前述電磁波雜訊抑制層可為使金屬材料之前驅體、 或金屬離子還原所形成之金屬薄膜^ ” 又’本發明之電磁波雜訊抑制體，前述 較佳為以上200从下之範圍内。 日之厚度 又，本發明之電磁波雜訊抑制體，構成前 合成樹脂較佳為聚醯亞胺樹脂。 牙層之 又，本發明之電磁波雜訊抑制體，較佳為於， Si?電磁波雜訊抑制層之表面積層接著劑層== ^明之電磁波雜訊抑制體之使用方法，其特 " 項之電磁波雜訊抑制體使用在〇 1ΓΗ ' 以下之頻率區域使用。 .匕心以上20GHz 本發明之電磁波雜訊抑制體之使用 上述任1之電磁波雜訊抑制體，以電路徵係將 之狀態配置。 备板維持絕緣性 本發明之電磁波雜訊抑制體之使肖方 上述任1之電磁波雜訊抑制體配置於電路其其特徵係將 本發明之電子機器，其係具備電子零件1之附近。 電子零件產生之雜訊的上述任-項所述之H抑制由該 〈蕙磁波雜訊抑制 323737 9 201233319 (發明之效果） 本發明之電磁波雜訊抑制體係具備一種電磁波雜訊抑 制層，該電磁波雜訊抑制層係連續之金屬薄膜，該金屬薄 膜之表面電阻率為10至90Ω/□的範圍内，且從金屬薄 膜中之比電阻值( Ω · cm)與金屬材料之比電阻值r〇 (Ω · cm)係滿足係表示1〇之平方 根）。因此，在〇. 1GHz以上20GHz以下之頻率區域每單位 面積的電磁波雜訊抑制效果高，且薄、輕量、可挽性、— 曲性優異。進一步，若依本發明’因可使電磁波效率佳地 轉換成熱而吸收，故可提供一種無須使電磁波雜訊抑制層 連接於接地電路之電磁波雜訊抑制體。 【實施方式】 以下’一邊參照適當圖面，一邊說明有關本發明之實 施形態。 [電磁波雜訊抑制體] 本實施形態之電磁波雜訊抑制體100係例如第1圖所 示般具備合成樹脂製之支撐層U0、積層於此支撐層u〇 之電磁波雜訊抑制層120。此電磁波雜訊抑制體1〇〇抑制 0. 1GHz至20GHz之準微波的雜訊能力優異，可適宜使用於 動作驅動頻率主要為GHz帶域之電子零件，但不限定於此。 [電磁波雜訊抑制層] 電磁波雜訊抑制層120係連續之金屬薄膜。此處，連 續之膜係可從金屬薄膜中之表面電阻的實測值及金屬薄膜 10 323737 201233319 之厚度所算出的比電阻值R1(Q · cra)與金屬材料之比電阻 值Κ0(Ω · cm)之關係確認。亦即，比電阻值R1與比電阻 值滿足係表示之平方根） 時，金屬薄膜為連續的狀態，可發揮優異之電磁波雜訊抑 制效果。此處，比電阻值R1係可依據後述之實施例的「金 屬薄膜之表面電阻之測定」及「金屬薄膜之厚度的測定」 而算出，比電阻值R〇係可從金屬材料（塊（blUk)材）之固有 值（例如文獻之值）確認。又，Rl/R〇為丨時，所形成之電 磁波雜訊抑制層與塊材的狀態相等，故可看做均質且完全 連續之膜（皮膜）的狀態。又，R1/R0小於y10時，係專利 文獻1記載之式「1〇§1^_1〇8則」之值小於下限值之（).5。 依據此文獻，記载為式rlog R1 —1〇g R〇」之值在於〇 5 以上3以下之範圍時，電磁波雜訊抑制層並非作為金屬薄 膜而存在，金屬材料之金屬㈣為非t接近之狀態，且可 形成各別獨立存在之構造’小於此範圍之值，即 /"10時係可認為電磁波雜訊抑制層為連續的金屬薄膜。藉 由如此而認為藉由減少無抑制電磁波雜訊效果的非導電部 在使用後述之微帶線（microstrip line)傳送路之雜訊 衰減效果測定中，可發揮大於顯現團錄構造之雜訊抑制 效果的抑制效果。 p第a 2圖係以掃描型電子顯微鏡（S E Μ)觀察本發明之一 實，形態的電磁波雜訊抑制體1GG中，鎳-鉻合金（以重量 μ '、路20)藉由錢錄法所形成的電磁波雜訊抑制 表面的圖像，第3圖係以穿透型電子顯微鏡（τεμ) 323737 11 201233319 觀察本發明之一實施形態的電磁波雜訊抑制體100之截面 的圖像。可確認該電磁波雜訊抑制體100中，電磁波雜訊 抑制層120並非先前技術文獻所揭示之金屬團鎮狀、奈米 晶粒構造、或異質（hetero)構造等具有缺陷之金屬薄膜（非 均質或非連續之金屬薄膜）’形成於支撐層11〇上之電磁波 雜訊抑制層120為連續的金屬薄膜。從此事亦可確認電磁 波雜訊抑制層120為以.1$Κ1/Κ〇</·ΐ〇的範圍内形成且 為連續之金屬薄膜。 電磁波雜訊抑制層120為連續之金屬薄犋，但該金屬 薄膜之表面電阻率在1〇至90Ω/□之範圍内，故可抑制 反射功能並亦抑制穿透功能，亦即入射來之 電磁波雜訊抑制…表面反射，而且可== 磁波雜訊抑制層120之背面。又，認為藉由抑制反射功能 t連續之金屬薄膜，使電磁波在金屬薄膜内部傳播並流動 導電電流’被攝人於金屬薄膜内部之電磁波能量係係效率 η轉換成熱能。從此事來看，本發明之電磁波雜訊抑制 100係每單位面積之電磁波雜訊抑制效果特優者。又， 電^皮雜訊抑㈣12G為連續之金屬薄膜，故例如即使在 電 金屬薄膜之狀態很難變化且金屬薄膜之表面 很難變化’故可得到安定之電磁波雜訊抑制效果。 ’電磁波雜訊抑制層12G係由電磁波能量至執能之 轉換效率南，故無料接雌㈣ 於電路基板等之電子零^ 了4地進灯裝載 電磁波雜訊抑制層12G所含之金屬材料係考量電磁波 323737 12 201233319 雜訊抑制層120之耐氧化性及耐熱性，較佳為以鎳作為主 成份之鎳合金。又’即使加熱處理電磁波雜訊抑制層 後也幾乎不會文到電磁波雜訊抑制效果降低之影響之錄合 金，更佳係鎳-鉻合金、鎳_磷合金或鎳—硼合金，最佳係鎳 -鉻合金。該等之轉合金的比電阻值RM系較純錄還高，故 即使金屬薄膜為連續也易控制金屬薄膜之表©電阻率於1〇 至90Ω/□的範圍内’故為適宜。尤其認為為鎳一鉻合金 時係即使金屬薄料溫加熱處理後亦很難脆化，而且發揮 適且的發熱元件：^，並可有效率地使電磁波能量轉換 熱能。 、 “在電磁波雜訊抑制層12〇之表面積層接著劑層（或接 者膜之本發明的―實施形態之電磁波雜訊抑制體（參第4 圖後述）中錄-路合金係於電磁波雜訊抑制層⑽之矣

反12敉隹為35至3〇〇nm之範圍内， 35至3〇〇咖之範圍内，更佳為40至150nm

心芽透，可發揮充分的電 若電磁波雜訊抑制層120之平 323737 13 201233319 均厚度T2超過30〇nm，則表面電阻率小於iqq/口，其垆 果使電磁波雜訊抑制層12〇之表面電磁波之反射功能^ 強，致使電磁波雜訊抑制效果變小，並使實用性消失。此 處，所謂電磁波雜訊抑制層丨2〇之平均厚度Tz係例如第3 圖所示般，依據電磁波雜訊抑制層12〇之膜厚方向戴面的 Τ Ε Μ圖像，在Τ Ε Μ圖像上測定5處之電磁波雜訊抑制層i 2 〇 的厚度並平均之厚度。 3 金屬材料為鎳-磷合金或鎳-硼合金時，電磁波雜訊抑 制層120之平均厚度I較佳為60至3〇〇nm之範圍内，更佳 為65至250mn之範圍内。此時嘯由使電磁波雜訊抑制層 120之平均厚度1為6Gmn以上，而可抑制電磁波之穿透二 可發揮充分的電磁波雜訊抑制效果。另外，若電磁波雜訊 抑制層120之平均厚度T2超過30〇nm，則表面電阻率小於 ΙΟΩ/D ’ Μ果使t#波雜tfi抑制層12Q之表面電磁波 之反射功能增強，致使電磁波雜訊抑制效果 用性消失。 、’貫 電磁波雜訊抑制層120係若為造痒+ a 马連續之金屬薄膜，則即 使於電磁波雜訊抑制層120之表面右料έ ^ 有锨細的凹凸亦無特別 問題。例如，藉由支撐層110之表面四几 ^ 衣面凹凸、或支撐層表面 之前處理條件、f磁波雜訊_層12G之形成條 時會於電磁波雜訊抑制層120之表面报士 ιλ /成丨〇至150nm左 右的凹凸。即使疋如此之情形，所形点 π沿成之電磁波雜訊抑制 層120為在前述記載之1SR1<r〇< /~ιη / 1 〇的範圍内所形成 之連續金屬薄膜’且該金屬薄犋之表面蕾Rn * 〈衣囟電阻率若為10至 323737 14 201233319 90Ω/□的範圍内’則不影響電磁波雜訊抑制效果。 [支撐層] 支撐層110係可藉由任意之合成樹脂形成，可舉例如 聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚丁二烯樹脂、 聚丁烯（polybutene)樹脂、聚丁烯（p〇iybutylene)樹脂、 聚苯乙烯樹脂、AS樹脂、ABS樹脂、MBS樹脂、聚乙烯醇 樹脂、聚甲基丙烯酸酯樹脂、甲基丙烯酸曱酯-苯乙烯共聚 物樹脂、馬來酸酐（maleic acid anhydride)-苯乙稀共聚 物樹脂、馬來酸酐-苯乙烯共聚物樹脂、聚醋酸乙烯酯樹 脂、纖維素樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂、 聚醯胺酿亞胺樹脂、聚芳酯（polyarylate)樹脂、聚謎醯亞 胺樹脂、聚醚酮樹脂、聚環氧乙烷樹脂、聚對苯二曱酸乙 二酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚颯（polysulfone)樹脂、聚乙 稀基鍵樹脂、聚乙烯醇縮丁醒(polyCvinyl butyral)樹 脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚對苯二曱酸丁二酯樹 脂、聚甲基戊烯樹脂、聚縮醛樹脂、二曱笨樹脂、胍 (guanamine)樹脂、鄰苯二曱酸二烯丙酯 (diallylphthalate)樹脂、乙烯基酯樹脂、紛樹脂、吱喊 (furan)樹脂、聚胺基曱酸酯樹脂、馬來酸樹脂、三聚氰胺 樹脂、聚矽氧烷樹脂、液晶聚合物（LCP)、卡多樹脂（cardo resin)(第（fluorine)樹脂）、氟樹脂等，但不限定於此。 該等之樹脂中，較佳為耐熱性優異、具有適度的可撓性之 聚酿亞胺樹脂。 支撐層110之厚度L係可依照組入電磁波雜訊抑制體 15 323737 201233319 100之電子零件的尺寸或間隙而設定，故無特別限— 若舉出一例則較佳為m以上200 //Π1以下之範園。藉由 如此之膜厚’不僅在Q1GHz至·z之準微波 = 異的電磁波雜訊抑制能力，亦可使電磁波雜訊抑制體1〇〇 形成薄膜狀之薄膜，容易適用於電子零件或電礤波雜訊產 生源。因此，被對象物為平面狀時係不用說，即使為立體 時亦可適用，又，亦可適用於要求可撓性能或彎曲性处 可撓性印刷基板。 ％ 支樓層110可使用市售之合成樹脂薄膜。使用聚酿亞 胺樹脂時可使用例如Toray Dupont股份公司製之Kapt〇n ΕΝ、Kapton Η、Kapton V(任一者均為商品名）、鐘淵化學 股份公司製之Apical Νρι(商品名）、宇部興產股份公司= 之upiiexs(商品名）、三菱氣體化學公司製之Ne〇奸^ (商 品名）、東洋紡社製之ΧΕΝ0ΜΑΧ (商品名）、Kurab〇公司製之 Midfil(商品名）、三井化學公司製之AURUM(商品名）等。 从在電磁波雜訊抑制體⑽中之電磁波雜訊抑制效果係 可藉由改憂支撐層110之厚度Τι、或改變電磁波雜訊產生 源至電磁波雜訊抑制層12〇之距離等來控制。例如需要高 的電磁波雜訊抑制效果時，較佳為使用厚^為15〇vm以下 之支標層11G以使離電磁波雜訊發生源之距離為l5—以 下。 $ ’支樓層110較佳為使用於形成電磁波雜訊抑制層 120前，在積層電磁波雜訊抑制層12〇之側的表面實施電 漿處理者。藉由電處理而可使其與電磁波雜訊抑制層12〇 323737 16 201233319 =性更牢固。電裂處理之條件於後述。又，為了促進 =自電磁波雜訊抑制體議之放熱，或提昇功能性或設計 \ ’而在無彳i電磁波雜訊抑制性能之範圍，亦可例如於支 禮層110内添加強磁性填充劑、導電性填充劑、導熱性填 充劑、補強性填充劑、阻燃劑、抗氧化劑 耐熱 提昇材等。 電磁波雜訊抑制體100除了支撐層11〇及電磁波雜訊 抑制層120之外’亦可具備接著劑層（或接著膜）、電磁波 屏蔽層、電磁波吸收層等之任意的層。 [接著劑層或接著膜] 第4圖係表示於電磁波雜訊抑制層120之上進一步形 成接著刎層130(或接著膜130’）之電磁波雜訊抑制體ιοί 的構成例之截面圖。亦即，電磁波雜訊抑制體1〇1係具備： 合成樹脂製之支樓層11〇、積層於此支撐層110之電磁波 雜訊抑制層120、積層於此電磁波雜訊抑制層120之接著 劑層130(或接著膜13〇,）。 (接著劑層） 接著劑層130之厚度I為任意，但由確保對電子零件 充刀的接著性之觀點來看，較佳為例如1 # m以上30 // m以 下之範圍内。又，接著劑層13〇中亦可添加強磁性填充劑、 導電性填充劑、導熱性填充劑、補強性填充劑、阻燃劑、 抗氧化劑、著色劑、耐熱提昇材等。於接著劑層13〇中未 添加填充劑時，接著劑層130之厚度τ3係較佳為例如1 Am 以上10以下之範圍内。接著劑層13〇之材質係無特限 17 323737 201233319 定，但可列舉：聚苯乙稀系、醋酸乙歸 乙烯系、聚丙烯系、聚醯胺系、橡膠系、⑽酸 塑性樹脂、及酚系、環氧系、矽氣p备 肺酜糸寺之… :聚^醇酸系等之熱硬化性:旨等胺性 或可撓性時，信賴性高且較佳者可舉牡受r 了… 環氧樹脂等。X，使用環氧系之熱硬化性樹=細:::為 =?=f1·者。此處，聚醯亞』 =列如:酿亞胺、聚酿胺酿亞胺、聚苯… (P〇1ybenzimidazole)、㈣亞胺醋、聚_亞胺、聚石夕氧 烧醯亞胺等。環驗料舉例如魏A型 =型、四甲基雙齡A型等之㈣型環氣樹脂、繼清 ^(Phenol novolac)^、甲紛祕清漆㈣之祕清漆型 衣氧捕W水甘油㈣（triphenQimethane rrigr:^，er)等之芳香族環氧樹脂、萘型環氧樹 曰第樹脂、二環戊二稀型環氧樹脂 (接著膜） ▲接者膜130’係在第4圖_省略圖示，但於成為基 膜的單面或雙面具備有接著劑層或接著劑層二可利 接^波雜訊抑龍⑻對電子料等之賴。此處， 層13^=2^ =層的材⑽可舉出與前述接著劑 劑。接著Π ㈣係可舉例如⑽酸系接著 上200 、之厚度Τ3為任意，但例如較佳為Um以 内又於接者膜130’中亦可添加強磁性填充劑、導 323737 18 201233319 電性填充劑、導熱性填充劑、補強性填充劑、阻燃劑、抗 氧化劑、著色劑、耐熱提昇材等。 成為接著膜130’之基材的樹脂薄膜例如可列舉：聚乙 烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚丁二烯樹脂、聚丁烯（p〇lybutene) 樹脂、聚丁烯（polybutylene)樹脂、聚苯乙烯樹脂、…樹 脂、ABS樹脂、MBS樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚曱基丙烯酸酯 樹脂、甲基丙浠酸曱酯-苯乙稀共聚物樹脂、馬來酸針-苯 乙烯共聚物樹脂、馬來酸酐-苯乙稀共聚物樹脂、聚酷酸乙 婦輯樹脂、纖維素樹脂、聚醢亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、環 氧樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚芳酯樹脂、聚醚醯亞胺樹 脂、聚醚酮樹脂、聚環氧乙烷樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯 樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚砜樹脂、聚乙烯基醚樹脂、聚乙 烯醇縮丁醛樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚對苯二 曱酸丁二酯樹脂、聚曱基戊烯樹脂、聚縮醛樹脂、二甲苯 樹脂、胍樹脂、鄰苯二曱酸二烯丙酯、乙烯基酯樹脂、酚 樹脂、呋喃樹脂、聚胺基曱酸酯樹脂、馬來酸樹脂、三聚 氰胺樹脂、聚矽氧烷樹脂、液晶聚合物（LCP)、卡多樹脂（第 樹脂）、氟樹脂等之材質的薄膜’但不限定於此。接著膜 130’係可利用市售者，可舉例如寺岡製作所公司製之薄膜 雙面膠帶「商品名：7070(0. 01 )Wj、「商品名：7072(0· 005) w」、「商品名·· 707」等。 [電磁波雜訊抑制體之製造方法] 電磁波雜訊抑制體100之製造方法係可包含於支撐層 1〇〇之表面形成金屬薄膜而形成電磁波雜訊抑制層120之 323737 19 201233319 步驟（金屬薄膜形成步驟）。 [金屬薄膜形成步驟] 金屬薄膜之形成方法係可舉出物理蒸鍍法、濕式還原 法等，重要的是金屬薄膜於支撐層110上連續地形成。又， 從於支樓層110上直接形成緻密的金屬薄膜之觀點來看， 較佳為適用以物理蒸鍍法之形成方法。 [物理蒸鑛法之金屬薄膜形成] 物理蒸鍍法可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、電子束蒸鍍 法、離子鍍法等，從製造成本面之優點來看，尤其較佳為 適用濺鍍法。此濺鍍法係可舉出：2極型、3極型、4極型、 對抗乾材型、DC減:鑛、RF丨賤鐘、DC磁控錢鍵（DC magnetron sputtering)、RF磁控濺鍍、EC濺鍍、雷射束濺鍍、相對 面乾減:錄（mirror-tron sputtering)、離子束減:鐘、雙離

子束丨賤鍍（dual ion beam sputtering)、ECR 濺鑛、PEMS 濺鍍等之各種方法。又，使用於濺鍍之氣體種可使用例如 氬、氦、氖、氙、氪、氮、氧等。尤其，因氬氣其濺鍍之 效率高故適宜使用。該等之氣體亦可混合2種類以上而使 用。有關以濺鍍法之金屬薄膜的成膜條件，係例如在使用 氬氣作為濺鍍氣體，壓力較佳為lxl〇-2至IPa，更佳為5χ 1〇'2至5x1013，濺鍍之電力係較佳為10至i〇0〇w，更佳 為以20至600W之條件下進行的方法。 如此，於支撐層110之表面形成連續之金屬薄膜（電磁 波雜訊抑制層120)。此時根據支撐層11〇之種類或表面狀 態、或是金屬薄膜之成膜條件，而在金屬薄膜與支撐層u〇 323737 20 201233319 之邊界會有所析出之金屬材料一部份被包埋於支撐層u〇 之情形°如此之金屬材料的包埋部份係提昇支撐層11〇與 金屬薄膜之接著強度’但係不包含於電磁波雜訊抑制層 120。亦即，金屬材料被包埋之範圍係不影響得到比電阻值 R1之電磁波雜訊抑制層12〇的厚度。藉第3圖說明其具體 例。第3圖係以穿透型電子顯微鏡（TEM)攝影在後述之實施 例3所製作的電磁波雜訊抑制體中之支撐層11〇及電磁波 雜訊抑制層120之截面的圖像。在第3圖中為了算出電磁 波雜訊抑制層120之厚度，在圖像上計算以白色的兩端箭 號所示之5處的金屬薄膜之厚度。此時，金屬薄膜與支撐 層110之邊界係可如第3圖所示般未必明確，而存在邊界 不明確的區域。此區域係所析出之金屬薄膜的一部份被包 埋於支撐層110之部份，因並非連續金屬膜，故將該包埋 區域除外而計測電磁波雜訊抑制層12〇之厚度。 又，從相對於電磁波雜訊抑制層12〇表面之垂直的角 度觀察電磁波雜訊抑制體1〇〇時，會有確認附著於金屬薄 膜表面的金屬團簇之情形。如此之金屬團簇係為不連續者 且存在於金屬薄膜之外部，故與本發明之連續的金屬薄膜 (電磁波雜訊抑制層丨2〇)明確地區別。因此，如此外部附 著之金屬團簇存在時，亦與上述包埋區域同樣地，只要將 該金屬團簇之部份除外而計測金屬薄膜之厚度即可，不影 響比電阻值R1之電磁波雜訊抑制層120的厚度。 如此，在本發明之電磁波雜訊抑制體100中，電磁波 雜訊抑制層120係藉由具有約為一定厚度之連續的金屬薄 323737 201233319 成者，以任意的5處之平均膜厚作為基準時，該金 :薄膜係的最大膜厚與最小膜厚之偏差寬較佳為土5〇%以 ，更佳為侧以内。又’本發明之電磁波雜訊抑制體1〇〇, ^磁波雜訊抑制層12〇而言只要具有約為—定厚度之連 二的金屬薄膜即可，亦可存在例如上述之包埋區域或附著 於外在之金屬團簇等。 屬材料為例如鎳-鉻合金時’金屬薄膜之形成較佳為 ^物理蒸鍍法’特佳為適用濺鍵法，但使用錄_鉻合金^ 為錢鍵之乾材時絡含有率較佳係5重量％以上35重量％以7 一々圍内更佳係15重罝％以上25重量％以下之範圍内。 藉由如此之範圍内，可形成具有優異之電磁波雜訊抑制努 果的金屬薄膜。 於以物理蒸鍍法形成金屬薄膜之步驟前，以提昇支撙 曰uo與金屬薄膜之接著性為目的，可於支撐層〖Μ之表 面實施物理性處理或化學性處理。例如相較於研磨處理等 之物理性表面處理，化學性處理不會使支撐層1丨〇之表面 明顯粗链’故可抑制電磁波雜訊抑制層120之厚度不均， 且電磁波雜tfl抑制層120易發揮安定之電磁波雜訊抑制效 果’故為較佳。化學性處理係可舉例如鹼處理、電聚處理、 電暈放電㈣、紫外線處理、臭氧處理、電子束照射處理 電聚處理因可得除去支樓層110表面的有機污染物 質之放果、使支擇層110之表面的化學鍵結狀態產生變化 |層丨丨〇之表面產生奈来級的粗化等之效果，故為 最佳。又’藉由進行電漿處理可於支撐層11〇之表面導入 22 323737 201233319

電漿中可導入胺基等之含氮官能基。藉 導入，可提昇與下個步驟所形成之金^ 此，即使在由金屬薄膜所成之電磁波雜

t可導入羥基、羧基或 、或氮及氫之混合氣體 。藉由如此之官能基的 ’ * a J，刃、p万夂得層 110與電磁波雜訊抑制層120剝離等的不佳情形。 電衆處理之條件較佳為根據支撑層110月之種類而適宜 設定’但以下舉例適用聚醯亞㈣_為支撐層110時之

屬薄膜的接著性。因 雜訊抑制層120上進 )，亦可防止支撐層 態，對上部及下部之平行平板電極間以50至2000W施加直 "丨l或乂仙_電而輝光放電（giow discharge)，藉此產生無機 氣體之低溫電漿，並可使支撐層11〇之表面電漿處理。有

種或2種以上的混合氣體。 [以還原法形成金屬薄膜] 可利用於金屬薄膜之形成的還原方法可舉例如藉還原 笼還原之濕式還原法、或藉光或加熱而還原之乾式還原 本發明之金屬薄膜之形成可適宜利用濕式還原 法。若與乾式還原法相較，濕柄原法易形成連續的金屬 * 、如此之濕式還原法可採用例如無電解鍍層法、直接 323737 23 201233319 金屬化（direct metallization)法等。又，從金屬薄膜之 接著性、緻密的金屬薄膜之形成、及抑制金屬薄膜之厚度 不均之觀點來看’特佳為使用直接金屬化。以下，舉例說 明以直接金屬化法之製造方法。 直接金屬化法係可具備例如以下之步驟1至3 : 1) 離子交換基之導入步驟； 於支撐層110之表面（或表層部）導入離子交換基之步驟。 2) 金屬離子之導入步驟； 於前述離子交換基導入金屬材料之前驅體的金屬離子之步 驟。 3) 金屬離子之還原步驟； 藉由還原前述金屬離子而形成金屬薄膜之步驟。 1)離子交換基之導入步驟 離子交換基係可為陽離子交換基及陰離子交換基任一 者，可舉例如羥基、羧基、硫羧基、二硫羧基、磺酸基、 亞磺酸基、次磺酸基、_甲醯基（haloformyl)、胺甲醯基 (carbamoyl)、肼基幾基（hydrazinocarbonyl)、甲脒基 (amidino)、氰基、氮基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、 硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基、甲醯基、羰基、硫甲醯基、 硫酮基（thioxo)、毓基（mercapt0)、氫過氧基 (hydroperoxyl)、胺基、亞胺基、肼基、重氮基（diazo)、 疊氮基（azide)、硝基、亞硝基等。其中，較佳為羥基、羧 基、羰基、胺基、亞胺基、氰基或硝基。 於支撐層110之表面（或表層部）導入離子交換基之方 24 323737 201233319 法可舉例如電漿處理或離子交換基導入劑處理。離子交換 基導入劑處理係使用含有可於支撐層110之表層部導入具 有離子交換基功能之基的藥劑（以下，稱為「離子交換基導 入劑」）之溶液（以下，稱為「離子交換基導入處理溶液」）， 可舉例如使支撐層110浸潰於離子交換基導入處璉溶液之 方法、或將離子交換基導入處理溶液塗佈於支撐層U〇之 方法。離子交換基導入劑可舉例如路易士酸或路易士鹼， 但不限定於此。離子交換基導入劑之具體例較佳係可舉出 硫酸、發煙硫酸、三氧化硫、氯磺酸（chl〇r〇sulf〇nic acid)、氣化亞颯（thionyl chloride)等之續化劑、鹽酸、 石肖I、醋酸、蟻酸、檸檬酸、乳酸等之酸、氬氧化鉀、氫 氧化鈉、氨等之鹼、該等以外之胺化劑、硝化劑、氰化劑、 氧化劑等’更佳為氫氧化鉀、氫氧化鈉、硫酸。使用例如 氫氧化鉀、氫氧化鈉等之鹼時’可導入羥基、羧基、幾基 等。又，離子交換基導入於支撐層110之表面（或表層部） 係可依需要而併用電漿處理與離子交換基導入劑處理。 離子交換基導入處理溶液，若以例如鹼水溶液之情形 說明’較佳為使用鹼水溶液的濃度為0.01至l〇m〇l/升之 紅圍内’液溫在於5至80°C之範圍内的氫氧化鉀、氫氧化 鈉之水溶液。鹼水溶液係可以例如浸潰法、喷塗法或刷塗 等之方法適用於支撐層110。較佳為依照構成支撐層11〇 之合成樹脂的種類而適宜變更其處理條件。一般鹼水溶液 之濃度稀時處理時間長，又若鹼水溶液之液溫變高則處理 時間可縮短。 25 323737 201233319 以下舉出例如適用聚醯亞胺_作為支撐層ιι〇時較 佳之條件。例如顧浸潰㈣，將聚㈣⑽脂層 秒至30分鐘左右之處理係有效的，較佳係以濃 度為〇. i至5m〇1/升之範圍内、液溫為25至6〇。 内:水溶液，可花2G秒至25分鐘處理㈣亞胺薄膜， 依=醜亞胺薄膜之化學構造可適宜變更其。、 ;驗::=理，則從聚酿亞胺薄膜之表面側浸透驗水溶 膜之表層料續基。料·親亞胺薄 解。可藉由如此之處理而=主要為醯亞胺鍵結之水 溶液處理後，較佳為m 屬離子之導入篁。以鹼水 支樓層山之合成樹脂為聚醯至下個步驟。又’ 而使聚醜亞胺樹脂之醯亞胺 、月日時，因藉由此處理 離子之還原步驟後，較佳^成為開環的狀態，故在金屬 於醯亞胺環之處理（以，’、、、由熱處理而進行使羧基閉環 理之方法係無特別限二，為醯亞胺化處理)。·亞胺化處 度條件下加熱丨至如，列如適合採用在80至400°C之溫 成之金屬薄膜的氧化’.、、、慝理。此時為抑制還原所形 具體來說較佳為在M n、故較佳為在低氧環境下之熱處理， 等之還原氣體氛圍下或稀有氣體等之惰性氣體氛圍下、氫 u〇之合成樹脂為〜或真空中進行。此處’舉出支撐層 合成樹脂即使為聚，，旨時為例’但支撐層no之 處理。 Λ亞胺樹脂以外，亦可依需要而進行熱 323737 26 201233319 又’在直接金屬化法中，在上述1：)之離子交換基的導 入步驟中，例如適用聚醯亞胺薄膜作為支撐層ιι〇時，可 將含有㈣㈣㈣之前㈣㈣_酸樹脂的聚酿胺酸 樹脂溶液祕（㈣叫)純意的基材上，藉此形成聚酿胺 酸樹脂膜。此時可將聚醯胺酸樹脂則⑼胺化而得聚酿亞 胺薄膜’藉此而構成支撐層110之-部份或全部，上述2) 之金屬離子的導入步驟中，可使金屬離子導人於該聚醢胺 酸樹脂膜。 進-步，在直接金屬化法中，用以取代上述 交換基的導人步驟及2)金屬離子之“㈣，而可將含有 聚醯胺酸樹脂與金屬材料之前㈣@ 洗鑄於任意之基材上，藉此 物之錢液 樹脂膜…藉由此方法而形離子之聚醯胺酸 樹脂膜時，可省略㈣之金屬離 ㈣千之㈣驗 可將聚醯胺酸樹脂膜醯亞胺化而彳β取入^驟又此時， 聚酿亞胺薄膜構成支樓層⑽之===膜’並以該 從容易控制支撐層110之厚片…:3、全部。 成樹脂之化學構造無特別限⑽控制此點、或從合 鑄法之有利點多並可依需要而適：易：用此點等來看’洗 成樹脂除了聚酿亞胺樹脂以外 ，支撲層110之合 2)金屬離子之導入㈣ 亦可依需要而適用洗鑄法。 以含有金屬離子的溶液（以 處理導入有離子交換基之切層η、稱為金屬離子溶液） 藉此而導人金屬軒。認為# i的表面（或表層部）， 係从此處理而使支撐層110所 323737 27 201233319 導入之離子交換基進行金屬離子與離子交換反應，藉此而 導入金屬離子。金屬離子溶液係可使用金屬成份形成金屬 離子而存在的溶液，前述金屬成份係構成目的之含金屬元 素成份之金屬成份。例如，當形成含有所求金屬材料之金 屬薄膜時，係使用含有金屬成份之金屬離子的溶液，前述 金屬成份係構成所求金屬薄膜之全部或一部份的金屬成 份，藉由在後面之步驟中以含有所殘留金屬材料之成份元 素的還原劑處理，而可還原成所求合金。金屬係可舉出鎳、 鈷、鉑等，但較佳為鎳。金屬材料若舉出例如鎳-硼合金或 鎳-磷合金之情形，則使用含有鎳離子之金屬離子溶液，在 後面之步驟中，藉由以含有含删的化合物或含填的化合物 之還原劑處理，而還原為鎳-硼合金或鎳-磷合金。又，金 屬離子亦可在溶液中形成錯離子而存在。 金屬離子溶液一般係使用水作為溶劑，但可適宜利用 例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丙酮、四氫α夫喃、二曱 基曱醯胺、二曱基乙醯胺等之極性有機溶劑取代水。該等 可使用2種以上，亦可為與水之混合物。又，依需要而可 調配以調整pH作為目的之緩衝劑或以防止金屬離子沉澱 作為目的之錯化劑等。 金屬離子一般以金屬化合物調配於金屬離子溶液。所 使用之金屬化合物係可舉例如羧酸鹽、碳酸鹽、亞硫酸鹽、 硫代硫酸鹽、硝酸鹽、亞硝酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽、磷 酸鹽、亞磷酸鹽、焦磷酸鹽、偏磷酸鹽、硒酸鹽、硫氰酸 鹽、四氟硼酸鹽、氯酸鹽、過氯酸鹽、溴酸鹽、過溴酸鹽、 28 323737 201233319 :酉夂鹽、過溴酸鹽、氟化物、氣化物、溴化物、碘化物、 一乙一胺氣化物、氰化物等，但無特別限定。 金屬離子溶液所含金屬化合物較佳為於1至300_〇1 之範圍内，更佳為於1〇至i5〇mmol//Li範圍内。又， 可依所形成之金屬薄膜中的金屬材料之莫耳比而調配金屬 化合物。 以金屬離子溶液處理支撐層110的方法係，只要為於 支撐層110中使金屬離子溶液接觸離子交換基之方法即無 1寺別限叱’而可利用公知之方法。可使用例如浸漬法、喷 塗法Y刷塗或印刷法等。溫度可為〇至10(TC，較佳為20 C附近之常溫。適用浸潰法時，含浸時間例如較佳為 ^分至5小時’更佳為5分至2小時。在以金屬離子溶液 理支撐層1H)後，依需要而可進行水洗、乾料之處理。 金屬離子之還原步驟 金屬離子之導入步驟後，支撐Μ 11〇係藉由浸漬於 、原劑之溶液中，而還原金屬離子（濕式還原）。 b0丄原劑係較佳為例如氫爛化钟“ssium y nde)、氫硼化納、二甲基胺佩、三甲基胺觸烧 化八I爛的化合物、次亞魏舒、次亞鱗酸鈉等之含鱗的 入二：。使用氫硼化鈉等之鹼金屬鹽作為還原劑時，可加 如:去驗金屬之步驟。前述含有硼之化合物係亦可形成例 而使用 義、福馬林、聯胺類等之溶液（還原劑溶液） 如 1原劑溶液中之含㈣之化合物的濃度較佳為例 至〇.5mol/L之範圍内，更佳為〇 〇〇5至〇 im〇i 323737 29 201233319 /L之範圍内。 濕式還原處理係於10至90°c之範圍内，較佳係5〇 70°C之範圍内的溫度之還原劑溶液中，以2〇秒至3〇分铲 較佳係30秒至20分鐘，更佳係1分至15分鐘的時間浸=、 藉由浸潰使導入於離子交換基之金屬離子（或金屬鹽還 原劑之作用還原，而使金屬於支撐層110之表層部析出: 粒子狀。在還原之終點係於支撐層110之表面形成連續成 金屬薄膜。此時，在金屬薄膜中之與支撐層11〇的接點^之 可確認所析出之金屬材料的一部份被包埋於支撐層 如此之金屬材料的包埋部份係提昇支撐層11〇與金屬薄膜 之接著強度，但不包含於電磁波雜訊抑制層12〇。亦即、 金屬材料之包埋部份係形成不影響得到比電阻值Μ之 磁波雜訊抑制層12〇的厚度。 電 [接著劑層（或接著膜）之形成步驟] 在實施上述表面改質步驟與金屬薄膜形成步驟之後， ，一步於電磁波雜訊抑制層12〇上形成接著劑層13〇(或接 著膜130’），藉此實施電磁波雜訊抑制體1〇1之製造一。 ，’接著劑層13G之形成可藉由例如將接著劑樹脂$解^ 溶劑之塗佈液塗佈於電磁波雜訊抑制層12〇上並乾燥而進 行。溶解接著劑樹脂之溶劑可使用例如N，N-二曱基曱醯胺 (DMF)、N，N-二甲基乙醢胺、N—曱基—2—吡咯烧酮（NMp)等之 醯胺系溶劑、1-曱氧基一2-丙醇等之醚系溶劑、甲基乙基 酮、甲基異丁基酮（MIBK)、環己酮、環戊酮等之酮系溶劑、 甲笨、二曱笨等之芳香族系溶劑等之1種或2種以上。塗 323737 30 201233319 佈塗佈液之方法係舞 頭、刮刀、辰描r .、、、，制，而可以逗號式（comma)、模 「敎姓 等之塗布機進行塗佈。乾燥塗佈液之 方法得盔姓^ β 〜主叩機進仃笪怖。乾燥塗佈液之 條件H 1 疋’可以例如60至200°c之範圍内的溫度 fin 5 1^。至6〇分鐘的範圍内之時間實施，但較佳係以 Qc之範圍内的溫度條件進行乾燥。又， =，時係使接著劑成份預先以溶液的狀態塗佈於任意： 二j膜上’並以例如8〇 i 18〇。〇之溫度乾燥後，可將剝 、所得到之接著性的薄膜直接使用作為接著膜 130’，亦可 以將此接著性之薄膜與任意之基材（樹脂薄膜）積層的狀態 P使用。接著膜130’亦可為於接著劑面貼合離型材而具有 離型材層之形態。離型材之材質只要無損作為接著膜13〇, 之形態而可剝離，即無特別限定，但可使用例如聚對苯二 曱酸乙二0旨、聚乙晞、聚丙料之樹脂薄膜或使該等之樹 脂薄膜積層於紙上者等。 如以上做法所得之電磁波雜訊抑制體1〇〇、1〇1係可有 效率地吸收電磁波雜訊。又，本發明之電磁波雜訊抑制體 101與接著劑層130之接著性亦優異。因此，本發明之電 磁波雜訊抑制體100、101係可長期間安定維持優異之電磁 波雜訊抑制作用者，可適用於例如筆記型電腦、行動電話 器、行動資訊終端（PDA)等之電子機器。 (實施例） 接著，藉由實施例而具體地說明本發明，但本發明係 不受此等實施例任何限定。又，在本發明之實施例中只要 無特別聲明，各種測定、評估係如下述般。 323737 31 201233319 [金屬薄獏之厚度的測定] 金屬溥膜之厚度係使用切片機（micr〇t〇me)(Leica公 司製商品名；Ultracut UTC ultramicrotome)而製作厚 lOOnm之超薄切片’藉穿透型電子顯微鏡（TEM :曰本電子 公司製、商品名：jEM-2〇〇〇 EX)觀察試料之截面，在圖像 上測疋5處之電磁波雜訊抑制層的厚度並算出平均之值。 [金屬薄膜之表面電阻率的測定] 金屬薄膜之表面電阻率係使用電阻率計（三菱化學公 司製’商品名：MCP-T 610) ’藉4探針偵測器（三菱化學公 司製，商品名：MCP-TP03P)進行測定。 [電磁波雜訊抑制效果的評估] 電磁波雜訊抑制效果係藉由近場用雜訊抑制薄片評估 系統（IEC 規格 No· : IEC 62333-:1、IEC 62333-2)進行評估。 具體上’如第5圖所示般，設於測試設備（test fixture) 201 ’並於具有規定之特性阻抗（5〇 Ω )的微帶線 (microstrip line)2〇2上密接電磁波雜訊抑制體1〇〇而放 置’使裝載電磁波雜訊抑制體1〇〇之前後的s參數變化（反 射衰減量S11及穿透衰減量S2i)於微帶線202透過同軸纜 線203a、203b而與網路分析儀204電氣連接並測定。從所 得到之反射衰減量（sll[dB]及穿透衰減量S2[dB])，藉下 述式求出電磁波雜訊抑制效果（APloss/Pin) ^又，就評 估用之s式料而言，準備尺寸為l〇〇mmx5〇mm、5〇mmx50mm、 及20mmx20mm之3種類的試料。 32 323737 201233319 』Pl〇SS/Pin= -^ {l-[iQisin/i〇+1〇is2ii^i〇]} {l-10|sul/1。} [金屬薄膜表面之XPS分析] 金屬薄膜表面之金屬的狀態係使用XPS分析計（曰本 子a T製商0口名.jps-9〇i〇)而分析。又，有關藉激鑛 去所製作之試料’係從測定所得到之Cr 2p3/2、Ni 2ρ3 /2之鍵結能量鑑定Cr及Ni之存在及化學狀態。又，有 關直接金屬化法所製作之試料係分析金屬膜之組成。 [金屬薄膜之接著性的評估] 金屬薄臈之接著性係依據JIS K5400-5-6而進行交叉 切割試驗（棋盤狀膠帶法），進行評估。 [實施例1] 準備聚醯亞胺薄膜（T〇ray Dupont公司製、商品名：

Kapton EN、12cm2、厚 25/zm、剪切彈性率：1. 5xl08 Pa 至 1. 5xl〇9 pa、二氧化碳穿透係數：l 〇xl〇-n[cm3(STp)cm/ (cm2 · sec · cmHg)])作為用以形成支撐層之支撐體。將此 薄膜安置於批式濺鍍裝置（ANELVA公司製SPF-332HS)，使 用真空系浦及渴輪分子栗（turbo molecular pump)，減壓 至3. 〇xl(T4Pa並導入氬氣’調整壓力為2. Oxli^Pa。其次， 使用 Ni 80wt%/Cr 20wt%之合金（Ni-Cr 合金為 99.9wt%以 上）之靶材’以輸出400W之條件進行濺鍍200秒，而於支 撐體之單面得到形成有平均厚度121nm(最小厚度：119nm、 最大厚度：122nm)之金屬薄膜的電磁波雜訊抑制體1。在 323737 33 201233319 此電磁波雜訊抑制體！中之金 Ω/□。又，從金屬薄膜的主工雨卞睿 丰為14.7 膜之厚度所算_電:=阻=值與金屬薄 ，η 之比(R1/RG)為h 77，滿足應 -1G所得5丨之電磁波雜訊抑制體ι(評估$料之大 小：100瞧50_)的電磁波雜訊抑制效果（Api〇ss/ 之百分率在1GHz至6GHz中具有超過93%之特性。又，藉 XPS分析確認於金屬壤 、 鸯溥膜表面存在O-0H(鍵結能量 .e)。以掃▲型電子顯微鏡（sem)觀察金屬薄膜之表 面’同時並以穿透型電子顯微鏡（TEM)觀察金屬薄膜之截 面，但未確㈣金屬㈣、奈米1輯造、及異質構造任 -者’而確認為均質之連續的金屬薄膜。χ 接著性亦無問題。 接著’將電磁波雜訊抑制體丨設置於減壓至2.⑹咖 之房間並進行3GGc、1G分鐘的熱處理。熱處理後之電磁 $雜訊抑制體Γ中的金屬薄狀平均厚度為lQ9nm(最小 尽度.108nm，最大厚度：n〇nm)，表面電阻率為 /□。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜 之厚度所算出的比電阻值R1(Q · cm)與金屬材料（塊材）之 比電阻值R0(Q · cm)之比（ri/r〇)為1. 50，滿足i$R1/ R0 $ γΛ 1 〇。此電磁波雜訊抑制體1的電磁波雜訊抑制效果 (APloss/Pin)之百分率在1GHz至6GHz中具有超過93% 之特性。 [實施例2] 34 323737 201233319 準備聚醯亞胺薄膜（Toray Dupont公司製、商品名： Kapton EN、12cm2、厚 25Aim、剪切彈性率：1. 5xl08 Pa 至 1.5xl09Pa、二氧化碳穿透係數：i.〇xl〇-n[cm3(STP)cm/ (cm2 · sec · cmHg)])作為形成支撐層之支撐體。將此薄膜 安置於批式濺鍍裝置（ANELVA公司製SPF-332HS)，使用真 空栗浦及渦輪分子泵，減壓至3.0xl〇_4Pa並導入氬氣，調 整壓力為 2. OxlO·1 Pa。接著，使用 Ni 80wt%/Cr 20wt°/〇之 合金（Ni-Cr合金為99. 9wt%以上）之乾材，以輸出4〇〇w之 條件進行濺鍍100秒，而於支撐體之單面得到形成有平均 厚度85nm(最小厚度：82nm、最大厚度：88nm)之金屬薄膜 的電磁波雜訊抑制體2。在此電磁波雜訊抑制體2中之金 屬薄膜的表面電阻率為34· 6Ω/□。又，從金屬薄膜的表 面電阻率之實測值與金屬薄膜之厚度所算出的比電阻值 ΚΚΩ · cm)與金屬材料（塊材）之比電阻值· CIQ)之比 (R1/R0)為2. 94，滿足isri/r〇s/1〇。所得到之電磁 波雜sfl抑制體2(s平估試料之大小：i〇〇mmx5〇mm)的電磁波 雜訊抑制效果（APloss/Pin)之百分率在1GHz至6GHz中 具有超過93%之特性。又，藉xps分析確認於金屬薄膜表 面存在Cr-OH(鍵結能量576. 3eV)的存在。以掃描型電子顯 微鏡（SEM)觀察金屬薄膜之表面，同時並以穿透型電子顯微 鏡（TEM)觀察金屬薄膜之截面，但並未確認到金屬團簇、奈 米晶粒構造、及異質構造任一者，而確認為均質之連續的 金屬薄膜。又，金屬薄膜之接著性亦無問題。 接著’將電磁波雜訊抑制體2設置於減壓至2. 5><1()3pa 323737 35 201233319 房1並進行30(TC、10分鐘的熱處理。熱處理後之電 =雜訊抑制體2’中的金㈣膜之平均厚度為76簡（最小 又75nm，最大厚度：77nm)，表面電阻率為30 5Ω/ □又〃從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之 厚度所算出的比電阻值R1⑴· cm)與金屬材料（塊材）之比 值 · cm)之比（R1/R0)為 2. 32，滿足 l$Rl/R〇 此電磁波雜訊抑制體2’的電磁波雜訊抑制效果（△ Ploss/Pin)之百分率在1GHz至6GHz中具有超過⑽％之特 性。以掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察金屬薄膜之表面，同時 並以穿透型電子顯微鏡⑽)觀察金屬薄膜之截面，但並未 確到金屬團簇、奈米晶粒構造、及異質構造任一者，而 確'^為均貪之連續的金屬薄膜。又，金屬薄膜之接著性亦 無問題。 [實施例3] 準備聚酿亞胺薄膜（Toray Dupont公司製、商品名： Kapton EN、I2cm2、厚 25/zm、剪切彈性率：至 1.5xl09Pa、二氧化碳穿透係數： (cm · sec . cmHg)])作為用以形成支撐層之支撐體。將此 溥膜女置於批式藏鑛裝置（ANELVA公司製SPF-332HS)，使 用真空泵浦及渦輪分子泵減壓至3. Oxio-4 pa並導入氬氣， 调整壓力為2. OxliTPa之壓力。接著，使用Ni 80wt%/Cr 20wt%之合金（Ni-Cr合金為99.9wt%以上）之靶材，以輸出 400W之條件進行濺鍍33秒，於支撐體之單面得到形成有 平均厚度40nm(最小厚度：39nm、最大厚度：42nm)之金屬 36 323737 201233319 薄膜的電磁波雜訊抑制體3。在此電磁波雜訊抑制體3中 之金屬薄膜的表面電阻率為44. 9Ω /□。又，從金屬薄膜 的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之厚度所算出的比電阻 值Κ1(Ω · cm)與金屬材料（塊材）之比電阻值· cm) 之比（R1/R0)為1.80，滿足isri/ros^o。所得到之 電磁波雜訊抑制體3(評估試料之大小：i00mmx50mm)的電 磁波雜訊抑制效果（^Ploss/Pin)之百分率在1Ghz至 6GHz中具有超過93%之特性。又，藉xps分析確認於金屬 薄膜表面存在有Cr-OH(鍵結能量576.3eV)。以掃描型電子 顯微鏡（SEM)觀察金屬薄膜之表面，同時並以穿透型電子顯 Μ鏡（TEM)觀察金屬薄膜之截面，但並未確認到金屬團鎮、 奈米晶粒構造、及異質構造任一者，而確認為均質之連續 的金屬薄膜。又’金屬薄膜之接著性亦無問題。將此電磁 波雜訊抑制體3之S11 (反射衰減量）表示於第6圖中，S21 (穿透衰減量）表示於第7圖中，將電磁波雜訊抑制效果 (Ploss)表示於第8圖中，將電磁波雜訊抑制效果（Api〇ss /Pin)表示於第9圖中。又將此電磁波雜訊抑制體3中之 電磁波雜訊抑制層之厚度測定所使用之穿透型電子顯微鏡 (TEM)的圖像表示於第3圖中。 然後’將電磁波雜訊抑制體3設置於減壓至2. 5xl〇3pa 之房間’進行30G°C、10分鐘的熱處理。熱處理後之電磁 波雜訊抑制體3’中的金屬薄膜之平均厚度為36nm(最小厚 度：35nm，最大厚度：38nm)，表面電阻率為4〇 〇Ω/π。 又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之厚度 323737 37 201233319 所算出的比電阻值Κ1(Ω · cm)與金屬材料（塊材）之比電阻 值 Κ0(Ω · cm)之比（R1/R0)為 1.44，滿足

10。此電磁波雜訊抑制體3,的電磁波雜訊抑制效果（A

Ploss/Pin)之百分率在至6GHz中具有超過93%之特 性。以掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察金屬薄膜之表面，同時 並以穿透型電子顯微鏡（TEM)觀察金屬薄膜之截面，但未確 認到金屬團簇、奈米晶粒構造、及異質構造任一者，而確 認為均質之連續的金屬薄膜。又，金屬薄膜之接著性亦無 問題。 [實施例4] 與實施例1同樣地準備聚醯亞胺薄膜，於此聚醯亞胺 薄膜之單面進行電漿處理（處理條件：氬電漿、頻率 13· 56MHz、壓力33. 9Pa、輸出60W、照射時間30秒）。對 此聚醯亞胺薄膜之電漿處理面與實施例1同樣地使用Ni 80wt%/Cr 20wt%之合金（Ni-Cr合金為99. 9wt%以上）之靶 材進行濺鍍’而得形成有平均厚度133nm(最小厚度： 129nm、最大厚度：I35nm)之金屬薄膜的電磁波雜訊抑制體 4。在此電磁波雜訊抑制體4中之金屬薄膜的表面電阻率為 15. 7Ω/□。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金 屬薄膜之厚度所算出的比電阻值R1(Q .cm)與金屬材料（塊 材）之比電阻值R0(D · cm)之比（R1/R0)為2. 09，滿足1 SRl/ROS/lO。所得到之電磁波雜訊抑制體4的電磁波 雜訊抑制效果（ΔΡΙοβε/Ρίη)之百分率在1GHz至6GHz中 具有超過93%之特性》又，藉XPS分析確認於金屬薄膜表 38 323737 201233319 面存在有Cr-OH(鍵結能量576· 3eV)。以掃描型電子顯微鏡 (SEM)觀察金屬薄膜之表面，同時並以穿透型電子顯微鏡 (TEM)觀察金屬薄膜之截面，但未確認到金屬團簇、奈米晶 粒構造、及異質構造任一者，而確認為均質之連續的金屬 薄膜。又’金屬薄膜之接著性亦無問題。 然後’將電磁波雜訊抑制體4設置於減壓至2 5xl〇3Pa 之房間，進行300C、10分鐘的熱處理。熱處理後之電磁 波雜訊抑制體4,中的金屬薄膜之平均厚度為12〇nm(最小 厚度.119nm，最大厚度：121nm)，表面電阻率為14.6Ω /□。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜 之厚度所算出的比電阻值R1(Q · cm)與金屬材料（塊材）之 比電阻值Κ0(Ω · cm)之比（R1/R0)為1.75，滿足 R0^，10。此電磁波雜訊抑制體4,的電磁波雜訊抑制效果 (APl〇Ss/Pin)之百分率在1GHz至6GHz中具有超過9沭 之特性。以掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察金屬薄膜之表面， 同時並以穿透型電子顯微鏡（TEM)觀察金屬薄膜之截面，但 未觀察到金屬團簇、奈米晶粒構造、及異質構造任一者Γ 而確認微均質之連續的金屬薄膜。又，金屬薄膜之接著性 亦無問題。

[實施例5J 薄與實施们㈣地準備聚酿亞胺㈣，於此聚醯亞胺 /膜之單面進行電漿處理（處理條件··氬電漿、.頻率 ΐ3·56ΜΗζ、壓力33.9Pa、輸出60W、照射時間3〇秒）。對 此聚醯亞胺薄膜之電漿處理面與實施例1同樣地使用Ni 323737 39 201233319 8〇wn/Cr 20wt%之合金（Ni-Cr合金為99 9wt%以上）之靶 材進行濺鍍，而得形成有平均厚度91nm(最小厚度：89⑽、 最大厚度：93nm)之金屬薄膜的電磁波雜訊抑制體5。在此 電磁波雜訊抑制體5中之金屬薄膜的表面電阻率為34 6Ω /口。X，從金屬薄膜的表面電阻率之實測俊鱼金屬薄膜 之厚度所算出的比電阻值R1(Q .cm)與金屬材料材之 比電阻值Κ〇(Ω · Cm)之比（R1/R0)為3 15，滿足 _/~10。所得之電磁波雜訊抑制體5的電磁波雜訊抑制 效果UPloss/Pin)之百分率在1GHz至_ζ中罝有超過 93%之特性。又，# XPS分析確認於金屬薄膜表面存在有 Cr-ΟΗ(鍵結能量576.3eV)。以掃描型電子顯微鏡（SEM)觀 察金屬薄膜之表面，同時並以穿透型電子顯微鏡（觸觀察 金屬薄膜之截面，但未確認到金屬團簇、奈米晶粒構造、 及異質構造任一者，而確認微均質之連續的金屬薄膜。又， 金屬薄膜之接著性亦無問題。 然後’將電磁波雜訊抑制體5設置於減麈至2. 5χ 1 〇3 Pa 之房間，進行30(TC、10分鐘的熱處理。熱處理後之電磁 波雜訊抑制體5,中的金屬薄膜之平均厚度為82nm(最小厚 度.81nm，最大厚度：83nm)，表面電阻率為。 又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之厚度 所算出的比電阻值· cm)與金屬材料（塊材）之比電阻 值 Κ〇(Ω · cm)之比（R1/R0)為 2. 52，滿足 !〇。此電磁波雜訊抑制體5’的電磁波雜訊抑制效果（△

Ploss/Pin)之百分率係在1GHz至6GHz中具有超過93%之 40 323737 201233319 特性。以掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察金屬薄獏之表面，同 時並以穿透型電子顯微鏡（TEM)觀察金屬薄臈之截面，但未 確認到金屬團簇、奈米晶粒構造、及異質構造任一者，而 確認為均質之連續的金屬薄膜。又，金屬薄膜之接著性亦 無問題。 [實施例6] 與實施例1同樣地準備聚醯亞胺薄膜，於此聚醯亞胺 薄膜之單面進行電漿處理（處理條件：氬電漿、頻率 13·56ΜΗζ、壓力33. 9Pa、輸出60W、照射時間30秒）。對 此聚醯亞胺薄膜之電漿處理面與實施例1同樣地使用Ni 80wt%/Cr 20wt%之合金（Ni_Cr合金為99.9wt%以上）之把 材進行濺鍍，而得形成有平均厚度50nm(最小厚度：47nm、 最大厚度：53nm)之金屬薄膜的電磁波雜訊抑制體6。在此 電磁波雜訊抑制體6中之金屬薄膜的表面電阻率為46. 2Ω /□。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜 之厚度所算出的比電阻值R1(Q · cm)與金屬材料（塊材）之 比電阻值R0(Q · cm)之比（R1/R0)為2. 31，滿足丨^以/ /"10。所得到之電磁波雜訊抑制體6的電磁波雜訊抑 制效果（△Ploss/Pin)之百分率在1GHz至6GHz中具有超 過93%之特性。又’藉XPS分析確認於金屬薄臈表面存在 有Cr-ΟΗ(鍵結能量576.3eV)。以掃描型電子顯微鏡（SEM) 觀察金屬薄膜之表面’同時並以穿透型電子顯微鏡（TEM) 觀察金屬薄膜之截面，但未確認到金屬團簇、奈米晶粒構 造、及異質構造任一者，而確認微均質之連續的金屬薄膜。 323737 41 201233319 又，金屬薄膜之接著性亦無問題。 然後，將電磁波雜訊抑制體6設置於減壓至2. 5x1 〇3pa 之房間，進行300°C、1〇分鐘的熱處理。熱處理後之電磁 波雜訊抑制體6’中的金屬薄膜之平均厚度為45nm(最小厚 度：44nm，最大厚度：46nm)，表面電阻率為45. 1 Ω /□。 又’從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之厚产 所算出的比電阻值Rl(〇 · cm)與金屬材料（塊材）之比電阻 值 R0(Q · cm)之比（R1/R0)為 2· 03，滿足 10。此電磁波雜抑制體6的電磁波雜訊抑制效果（△ Ploss/Pin)之百分率在1GHz至6GHz中具有超過93%之特 性。以掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察金屬薄膜之表面，同時 並以穿透型電子顯微鏡（TEM)觀察金屬薄膜之截面，但未確 認到金屬團簇、奈米晶粒構造、及異質構造任一者，而確 認為均質之連續的金屬薄膜。又，金屬薄膜之接著性亦無 問題。 [實施例7] 於5當量之氫氧化鉀水溶液中以5 0。(：浸漬聚醯亞胺薄 膜（Toray Dupont 公司製、Kapton EN :厚 25/zm)20 分鐘 後’將所浸潰之聚酿亞胺薄膜以離子交換水充分洗淨，製 作表面改質聚醯亞胺薄膜A1。此時之聚醯亞胺改質層的厚 度為2. 8# m。測定薄膜A1中之聚醯亞胺改質層的紅外線 吸收光譜’而確認到源自於緩基之钟鹽的1580cm-1及 1406cm_1的吸收。使薄膜A1浸潰於混合有i〇〇mm〇1/L之醋 酸鎳與100匪ol/L之氨的水溶液（25。〇1〇分鐘後，吹以 323737 42 201233319 壓縮空氣而乾燥並製作表面改質聚醯亞胺薄膜B1。使薄膜 B1浸潰於10mmol/L之氫硼化鈉水溶液（3〇。〇1〇分鐘而形 成金屬薄膜。 繼而浸潰於lwt%之鹽酸水溶液5分鐘（3(rc )，之後洗 淨並乾燥後’在真空下以30(TC加熱處理1〇分鐘而進行醯 亞胺化，藉此得形成有平均厚90nm(最小厚度：87nm、最 大厚度93mn)的金屬薄膜之電磁波雜訊抑制體7。在此電磁 波雜訊抑制體7中之金屬薄膜的表面電阻率為25 7Ω/ □。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之 厚度所算出的比電阻值Κ1(Ω · cm)與金屬材料（塊材）之比 電阻值R0(Q · cm)之比（尺1/肋）為L 16，滿足丨^以/則 S/ΊΟ。所得之電磁波雜訊抑制體7的電磁波雜訊抑制效 果（APloss/Pin)之百分率在1(；112至6別2中具有超過93% 之特性。又，藉XPS分析確認於金屬薄膜表面存在有Ni之 氧化皮膜（鍵結能量856· 〇eV)。金屬薄膜之組成係則（鎳） 9⑽.B(硼）7%’確認為錄，合金。以掃描型電子顯微鏡⑽） 觀察金屬薄膜之表面，同時並以穿透型電子顯微鏡⑽） ，察金屬薄膜之截面’但未確認到金屬團簇、奈米晶粒構 造、及異質構造任·者，而確認為均f之連續的金屬薄膜。 又，金屬薄膜之接著性亦無問題。 、 然後’將電磁波雜訊抑制體7設置於減壓至2 5xi〇3pa 之房間，進行300〇C、1〇分鐘的熱處理。熱處理後 ，制體7,中的金屬薄膜之平均厚度為89: & . 87nm，最大厚度：92nm) ’表面電阻率為25. ΟΩ/口。 323737 43 201233319 又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之厚度 所算出的比電阻值R1(Q · cm)與金屬材料（塊材）之比電阻 值 R0(Q · cm)之比（R1/R0)為 1. 11，滿足 .10。此電磁波雜訊抑制體7’的電磁波雜訊抑制效果（△

Ploss/Pin)之百分率在1GHz至6GHz中具有超過93%之特 性。以掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察金屬薄膜之表面，同時 並以穿透型電子顯微鏡（TEM)觀察金屬薄膜之截面，但未確 δ忍到金屬團族、奈米晶粒構造、及異質構造任一者，而確 §忍為均質之連續的金屬薄膜。又，金屬薄膜之接著性亦無 問題。 [實施例8] 在500ml之分離式燒瓶中，一邊擾拌一邊使29. 2g之 1，3-雙（4-胺基笨氧基苯）溶解於332g之N，N-二曱基乙醯 胺。其次，於其溶液中在氮氣流中加入29. 4g之3, 3,，4, 4,-聯本基四叛酸軒。其後持續授拌約3小時而進行聚合反 應，而得到15 .重量％之聚醯胺酸溶液。此溶液之黏度為 38, 974 厘泊（centipoise)(=38. 9 Pa · s)。 使所得到之聚醯胺酸溶液塗佈於基板上後，以l3〇<t 乾燥10分鐘，而製作厚20/zm之聚醯胺酸薄膜。使此聚醯 胺酸薄膜以25°C浸潰於含有i〇〇mm〇i/L之醋酸鎳之 600mmol/L氨水溶液中1小時，藉此使Ni離子含浸於聚 醯胺酸薄膜中之後，浸潰於5nm〇l/L之氫硼化鈉水溶液 (30°C)20分鐘而還原處理，而形成金屬薄膜。 繼而’浸潰於lwt%之鹽酸水溶液1〇分鐘（3〇〇c)，之 323737 44 201233319 後洗淨並乾燥後，在真空下以30(rc加熱處理1〇分鐘而進 行醯亞胺化，而得形成有平均厚95nm(最小厚度：92nm、 最大厚度98nm)的金屬薄膜之電磁波雜訊抑制體8。在此電 磁波雜訊抑制體8中之金屬薄膜的表面電阻率為27.5Ω/ □。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之 厚度所算出的比電阻值R1(Q · cm)與金屬材料（塊材）之比 電阻值 R0(Q · cm)之比（R1/R0)為 1. 30，滿足 isRi/R〇 $/~10。所得到之電磁波雜訊抑制體8的電磁波雜訊抑制 效果（ΔΡΙοεβ/Ρίη)之百分率在1GHz至6GHz中具有超過 93%之特性。又，藉xps分析確認於金屬薄膜表面存在有 Ni之氧化皮膜（鍵結能量856. OeV)的存在。金屬薄膜之組 成係Ni(鎳）93% : B(硼）7%，確認為鎳-硼合金。以掃描型 電子顯微鏡（SEM)觀察金屬薄膜之表面，同時並以穿透型電 子顯微鏡（TEM)觀察金屬薄膜之截面，但未確認到金屬團 簇、奈米晶粒構造、及異質構造任一者，而確認微均質之 連續的金屬薄膜。又，金屬薄膜之接著性亦無問題。 然後，將電磁波雜訊抑制體8設置於減壓至2. 5xl〇3Pa 之房間，進行30(TC、10分鐘的熱處理。熱處理後之電磁 波雜訊抑制體8’中的金屬薄膜係厚度91nm，表面電阻率為 26. 5Ω/□。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金 屬薄膜之厚度所算出的比電阻值Rl(Q.cm)與金屬材料（塊 材）之比電阻值R0(Q · cm)之比（Rl/R〇)為1. 21，滿足1 SRl/ROS/lO。使用掃描型電子顯微鏡（SEM)與穿透型電 子顯微鏡（TEM)觀察金屬薄膜之表面及截面時，熱處理前幾 45 323737 201233319 乎無變化。又，此電磁波雜訊抑制體8,的電磁波雜訊抑制 效果（APloss/Pin)之百分率在iGHz至6GHz中具有超過 93%之特性。 [實施例9] 與實施例1同樣地使用Ni 80wt%/Cr 20wt%之合金 (Ni-Cr合金為99. 9wt%以上）之靶材進行濺鍍，而得到形成 有平均厚度121nm(最小厚度：ii9nm、最大厚度：I22nm) 之金屬薄膜（表面電阻率14. 7Ω/1Ζ1)的電磁波雜訊抑制體 9 〇 使用銅箔積層板（新日鐵化學公司製，MB12-25-12 REQ)，以使電路之線/間隙為之方式蝕刻 加工銅箔而形成梳型電路圖型後，使覆蓋膜（c〇verlay film)(信越化學工業公司製、商品名：CN 383)以160、30 分鐘、壓力5MPa的條件進行沖壓，而製作電路配線基板。 繼而，使調配有雙酚A型環氧樹脂（東都化成公司製、 商品名：YD-128)、作為硬化劑之酚醛清漆型酚樹脂（昭和 高分子公司製、商品名：BRG-555)、及作為硬化促進劑之 2-乙基-4-曱基咪唑（四國化成工業公司製、商品名：2E4Mz) 之環氧樹脂清漆（varnish)，塗佈於電磁波雜訊抑制體9之 金屬薄膜的表面’並於120°C之熱風烘箱乾燥，而形成25 厚之B階段狀態的接著劑層。將此接著劑層之表面貼 合於上述電路配線基板之覆蓋膜側的表面而層合後，以 它之熱風烘箱硬化而得到多層電路基板9。 [實施例10] 323737 46 201233319 與實施例1同樣地使用Ni 80wt%/Cr 20wt%之合金 (Ni-Cr合金為99· 9wt%以上）之靶材進行濺鍍，而得形成有 平均厚度121nm(最小厚度：119nm、最大厚度：122nm)之 金屬薄膜（表面電阻率14.7Ω/ΙΖ])的電磁波雜訊抑制體 10。 與實施例9同樣地製作電路配線基板後，以薄膜雙面 膠帶（寺岡製作所公司製’商品名：7070(0. 〇l)w)而貼合此 電路配線基板之覆蓋膜側的表面、與電磁波雜訊抑制體1〇 之金屬薄膜的表面，藉此得到多層電路基板1〇。 [比較例1] 除了使用Ni 100%之靶材取代使用實施例1中之Ni 80wt%/Cr 20wt%之合金的靶材、及進行216秒之濺鍍以取 代進行200秒之濺鍍以外’其餘係與實施例1同樣做法而 製作平均厚度140nm之電磁波雜訊抑制體。在此電磁波雜 訊抑制體申之金屬薄膜的表面電阻率為2. 8Ω/□。又， 從金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之厚度所算 出的比電阻值R1(Q · cm)與金屬材料（塊材）之比電阻值 (Ω · cm)之比（R1/R0)為 5. 73，未滿足 lgRi/ROg/io。 所得到之電磁波雜訊抑制體的電磁波雜訊抑制效果（△ Ploss/Pin)之百分率在1GHZ至6GHz之範圍有低於9〇%之 部份。將此電磁波雜訊抑制體之電磁波雜訊抑制效果（△ Ploss/Pin)表示於第1〇圖。 然後’將電磁波雜訊抑制體設置於減壓至2. 5xl〇3pa 之房間，進行300 C、1〇分鐘的熱處理。熱處理後之電磁 323737 47 201233319 波雜訊抑制體中的金屬薄膜之平均厚度係125nm ’表面電 阻率為2.2Ω/□。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測 值與金屬薄膜之厚度所算出的比電阻值· cm)與金屬 材料（塊材）之比電阻值R0(Q · cm)之比（R1/R0)為4. 02， 未滿足1 SRl/ROS/lO。又’此電磁波雜訊抑制體的電 磁波雜訊抑制效果（APloss/Pin)之百分率在1GHz至 6GHz中有低於90°/◦之部份。 [比較例2] 除了使用Ni 100%之靶材取代使用實施例1中之Ni 80wt%/Cr 20wt%之合金的靶材、及以進行43秒之濺鍍取 代進行200秒之濺鍍以外，其餘係與實施例1同樣做法而 製作平均厚度75nm之電磁波雜訊抑制體。在此電磁波雜訊 抑制體中之金屬薄膜的表面電阻率為26. 4Ω/□。又，從 金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之厚度所算出 的比電阻值R1(Q .cm)與金屬材料（塊材）之比電阻值R0 (Ω · cm)之比（Ri/R〇)為 28. 9，未滿足 。 所知之電磁波雜訊抑制體的電磁波雜訊抑制效果（A p 1 〇ss /pin)之百分率係在1GHz至6GHz之範圍有低於93%之部 份。 然後’將電磁波雜訊抑制體設置於減壓至2 5xl〇3pa 之房間，進行3〇〇°c、1〇分鐘的熱處理。熱處理後之電磁 i皮雜afl抑制體中的金屬薄膜之平均厚度係65四，表面電阻 率為23. 5Q/□。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值 與金屬薄膜之厚度所算出的比電阻值R1(Q · cm)與金屬材 48 323737 201233319 料（塊材）之比電阻值R0(q L,D1 ^ cm)之比（Rl/R0)為 22 3,未 滿足ISRI/ROSvOO。又 ，•在4丄 ，此電磁波雜訊抑制體的電磁 波雜訊抑制效果CPlQSS々in)之百分率在⑽z至6GHz 中有低於93%之部份。 [比較例3 ] 除了使用Nl國之^•材取代使用實施例1中之Ni 8〇Wt%/Cr· 2_之合金叫材、及轉行21秒之麟取 代進行秒之麟料，其餘係與實_丨⑽做法而 製作平均厚度26nm之電錢雜訊抑制體。在此電磁波雜訊 抑制體中之金屬薄膜的表面電阻率為96. 7Ω/□。又，從 金屬薄膜的表面電阻率之實測值與金屬薄膜之厚度所算出 的比電阻值R1(Q .cm)與金屬材料（塊材）之比電阻值r〇 (Ω · cm)之比（R1/R0)為 36. 7，未滿足 。 所得到之電磁波雜訊抑制體的電磁波雜訊抑制效果（△ Ploss/Pin)之百分率在iGHz至6GHz之範圍有低於7〇%之 部份。 然後’將電磁波雜訊抑制體設置於減壓至2. 5xl〇3 Pa 之房間，進行300¾、10分鐘的熱處理。熱處理後之電磁 波雜訊抑制體中的金屬薄膜之平均厚度係25mn，表面電阻 率為86. 1 Ω /□。又，從金屬薄膜的表面電阻率之實測值 與金屬薄膜之厚度所算出的比電阻值ΐη(Ω · cm)與金屬材 料（塊材）之比電阻值r〇(q · cm)之比（以/肋）為31. 5 ’未 滿足1SR1/R0S/10。又，此電磁波雜訊抑制體的電磁 波雜訊抑制效果之百分率在1GHz至6GHz 49 323737 201233319 中有低於70%之部份。 將上述實施例1至8的結果表示於表1及表2中，將 比較例1至3之結果表示於表3中。 [表1] 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 金 屬 薄 膜 金屬材料 (比率） Ni ： Cr (80 ： 20) Ni ： Cr (80 : 20) Ni ： Cr (80 ： 20) Ni ： Cr (80 : 20) Ni : Cr (80 ： 20) 膜狀態 連續膜 連續膜 連續膜 連續膜 連續膜 形成方法 濺鍍法 濺鍍法 濺鍍法 濺鍍法 濺鍍法 平均厚度 [nm] 熱處理前 121 85 40 133 91 熱處理後 109 76 36 120 82 表面電阻率 [Ω/m 熱處理前 14. 7 34. 6 44. 9 15. 7 34. 6 熱處理後 13. 8 30. 5 40. 0 14. 6 30. 7 R1/R0 熱處理前 1. 77 2. 94 1.80 2. 09 3. 15 熱處理後 1. 50 2. 32 1.44 1. 75 2. 52 雜訊抑制效果 (1 至 60GHz) [%] 熱處理前 >93 >93 >93 >93 >93 熱處理後 >93 >93 >93 >93 >93 50 323737 201233319 [表2] 實施例6 實施例7 實施例8 金 屬 薄 膜 金屬材料 (比率） Ni ： Cr (80 : 20) Ni ： B (93 : 7) Ni ： B (93 : 7) 膜狀態 連續膜 連續膜 連續膜 形成方法 濺鍍法 濕式還原法 濕式還原法 平均厚度 [nm] 熱處理前 50 90 95 熱處理後 45 89 91 表面電阻率 [Ω/〇] 熱處理前 46. 2 25. 7 27. 5 熱處理後 45. 1 25. 0 26. 5. R1/R0 熱處理前 2. 31 1.16 1. 30 熱處理後 2. 03 1. 11 1. 21 雜訊抑制效果 (1 至 60GHz) 熱處理前 >93 >93 >93 熱處理後 >93 >93 >93 [表3] 比較例1 比較例2 比較例3 金 屬 薄 膜 金屬材料 (比率） Ni (100) Ni (100) Ni (100) 膜狀態 — — — 形成方法 濺鍍法 濺鍍法 濺鍍法 平均厚度 [nm] 熱處理前 140 75 26 熱處理後 125 65 25 表面電阻率 [Ω/ϋ] 熱處理前 2. 8 26. 4 96. 7 熱處理後 2. 2 23. 5 86. 1 R1/R0 熱處理前 5. 73 28. 9 36. 7 熱處理後 4. 02 22. 3 31. 5 雜訊抑制效果 (1 至 60GHz) [%] 熱處理前 有< 90 有< 93 有< 70 熱處理後 有< 90 有< 93 有<70 51 323737 201233319 [對於電磁波雜訊抑制體之面積的評估] 如以下般評估本發明之電磁波雜訊抑制體中，姆於 磁波雜訊抑制體面積之電磁波雜訊抑制效果。 5電 [參考例1 ] 將實施例3所得到之電磁波雜訊抑制體3的坪估 之大小從100mmx50mm變更成50mmx5〇mm，並測定電礤〜丁吁 訊抑制效果（ΔΡΙο^ε/Ρίη)之結果，其百分率在波雜 2GHz中有低於95%之部份，但在2GHz至6GHz中夏士2至 95%之特性。 ”有超過 [參考例2] 將實施例3所得到之電磁波雜訊抑制體3的評估 之大小從100mmx50mm變更成20mmx2〇mm，並測定電、、竹 訊抑制效果（ΔΡ1〇33/Ρίη)之結果，其百分率在1 =波雜 5GHz中有低於90%之部份，但在5GHz至6GHz中 至 90%之特性。 ’、有超過 將以上之參考例1及參考例2之電磁波雜訊扣卩制 電磁波雜訊抑制效果（△ Ploss/Pin)表示於第丨1圖 的 [對於微帶線路離電磁波雜訊抑制體的距離之之影響坪估] 如下般評估本發明之電磁波雜訊抑制體中，微帶線路 至電磁波雜訊抑制體之距離對於電磁波雜訊抑制效果之与 響。 衫 [參考例3] 使實施例3所得之電磁波雜訊抑制體3(評估試料之大 小：100irnnx50iM)的電磁波雜訊抑制層與微帶線之距離為 323737 52 201233319 150 #m(於電磁波雜訊抑制體3與微帶線之間挾住25#m厚 之聚醯亞胺薄膜5片）’測定電磁波雜訊抑制效果（Δρι〇π /Pin)之結果’其百分率在igHz至2GHz中有低於96%之 部份，但在2GHz至6GHz中具有超過96%之特性。其結果 表示於第12圖中。 [參考例4] 使實施例3所得到之電磁波雜訊抑制體3(評估試料之 大小.100mmx50mm)的電磁波雜訊抑制層與微帶線之距離為 225/zm(於電磁波雜訊抑制體3與微帶線之間挾住25^/111厚 之聚醯亞胺薄膜8片），測定電磁波雜訊抑制效果（Δρι〇% /Pin)之結果，其百分率在igHz至3GHz中有低於96%之 部份，但在3GHz至6GHz中具有超過％%之特性。其結果 表示於第12圖中。 [參考例5] 使實施例3所得到之電磁波雜訊抑制體3(評估試料之 大小：100mmx50mm)的電磁波雜訊抑制層與微帶線之距離為 275/zm(於電磁波雜訊抑制體3與微帶線之間挾住25//〇1厚 之聚醯亞胺薄膜10片），測定電磁波雜訊抑制效果（△ Ploss/Pin)。其結果表不於第.12圖中。 [參考例6] 使實施例3所得到之電磁波雜訊抑制體3(評估試料之 大小.100匪x50mn〇的電磁波雜訊抑制層與微帶線之距離為 400"111(於電磁波雜訊抑制體3與微帶線之間挾住25以111厚 之聚醯亞胺薄膜15片），剛定電磁波雜訊抑制效果（厶 323737 53 201233319

Ploss/Pin)。其結果表示於第12圖中。 [參考例Ή 使實施例3所得到之電磁波雜訊抑制體3(評估試料之 大小：100mmx50inm)的電磁波雜訊抑制層與微帶線之距離為 525/zm(於電磁波雜訊抑制體3與微帶線之間挾住25#m厚 之聚醯亞胺薄膜20只）’測定電磁波雜訊抑制效果（△ Ploss/Pin)。其結果表示於第12圖中。 參考例3至參考例7係表示本發明之電磁波雜訊抑制 體的使用方法。亦即，本發明之電磁波雜訊抑制體係依使 用目的不同’使用方法可例示藉由控制電磁波雜訊抑制體 與電路基板等之距離，而控制電磁波雜訊抑制效果。例如， 抑制1至3GHz之特定頻率區域的電磁波雜訊抑制效果至很 低’並欲活用3至6GHz之頻率區域的電磁波雜訊抑制效果 時’係可考慮如參考例6或參考例7之使用方法。 如以上般’本發明之實施形態的電磁波雜訊抑制體 100、101具有優異之電磁波雜訊抑制效果。因此，本實施 形態之電磁波雜訊抑制體1〇〇、101係在具備電路基板等之 電子零件的電子機器中可利用作為電磁波雜訊對策。例 如’於覆蓋電路基板之電路之覆蓋膜表面張貼電磁波雜訊 抑制體101之接著劑層130，並不連接於接地電路而以維 持絕緣性之狀態配置而使用。又，例如於收容電路基板之 框體的内壁面貼黏電磁波雜訊抑制體1 〇〇，藉此可在電磁 波雜訊抑制體100為從電路基板離開狀態下，配置於其附 近而使用。 54 323737 201233319 >上’以例示之目的詳細說明本發明之實施形態，但 本lx月不限制於上述實施形態。例如，可重疊複數具有第 1圖所不之支撐層U〇與電磁波雜訊抑制層120之電磁波 雜訊抑制體100 ’而形成積層構造體。又，可於支撐層110 之雙面分別設有電磁波雜訊抑制層12〇及依需要之接著劑 層130的構成。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示電磁波雜訊抑制體之構成例的截面圖。 第2圖係以掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察在本發明之 -實施形態的電磁波雜訊抑龍中之電磁隸訊抑制層表 面的圖像。 第3圖係以穿透型電子顯微鏡（TEM)觀察在本發明之 1施形態的電磁波雜訊抑制體中之電磁波雜訊抑制層表 面的圖像。 第4圖係表示形成接著劑層（或接著膜）之電磁波雜訊 抑制體的構成例之截面圖。 第5圖係表示測定電磁波雜訊抑制體之電磁波雜訊抑 制效果的方法之概略圖。 第6圖係表示實施例3之電磁波雜訊抑制體的S11 (反 射衰減量）之圖表。 第7圖係表示實施例3之電磁波雜訊抑制體的S21(穿 透衰減量）之圖表。 第8圖係表示實_ 3之電磁波雜訊抑制體的電磁波 雜訊抑制效果（Ploss)之圖表。 323737 55 201233319 第9圖係表示實施例3之電磁波雜訊抑制體的電磁、皮 雜訊抑制效果（APloss/Pin)之圖表。 第10圖係表示比較例1之電磁波雜訊抑制體的電磁 雜訊抑制效果（△Pl〇ss/Pin)之圖表。 第11圖係表示參考例1及參考例2之電磁波雜訊抑制 體的電磁波雜訊抑制效果（APloss/Pin)之圖表。 第12圖係表不參考例3至7之電磁波雜訊抑制體的電 磁波雜訊抑制效果（APloss/Pin)之圖表。 【主要元件符號說明】 100 、 101 110 120 130 201 202 203a、203b 204 電磁波雜訊抑制體 支撐層 電磁波雜訊抑制層 接著劑層 9 測試設備 微帶線 同軸纜線 網路分析儀 323737 56

Claims (1)

1. 201233319 七、申請專利範圍： 種電磁波雜訊抑制體，係具備合成樹脂製之支撐層、 形成於該支撐層上之含有金屬材料的電磁波雜訊抑制 層之電磁波雜訊抑制體，其特徵係： ^ 前述電磁波雜訊抑制層為連續之金屬薄膜，該金屬 薄膜之表面電阻率為10至90Ω/□的範圍内，且從前 述金屬薄膜之表面電阻的實測值及該金屬薄膜之厚度 所算出的比電阻值ΐη(Ω · cm)、與前述金屬材料之比 電阻值 R0(〇 · cm)滿足 isRi/RO<v/~1〇(，1〇 係表示 10之平方根）之公式者。 •如申請專利範圍第1項所述之電磁波雜訊抑制體，其 中’前述金屬材料為由鎳合金所構成。 •如申請專利範圍第1項所述之電磁波雜訊抑制體，其 令’前述金屬材料為由鎳-鉻合金所構成。 *如申請專利範圍第3項所述之電磁波雜訊抑制體，其 + ’前述電磁波雜訊抑制層之平均厚度為35至300nm 的範圍内。 5 j. • 申請專利範圍第3或4項所述之電磁波雜訊抑制體， "中’刖述電磁波雜訊抑制層為物理方式蒸鍵金屬材料 所形成之金屬薄膜。 6 •如申請專利範圍第2項所述之電磁波雜訊抑制體，其 7 中’前述金屬材料為由鎳-磷合金或鎳-硼合金所構成。 •如申請專利範圍第6項所述之電磁波雜訊抑制體’其 中’則述電磁波雜訊抑制層之平均厚度為6〇至300nm 1 323737 201233319 的範圍内。 8· ΐ!請!利範圍第6或7項所述之電磁波雜訊抑制體， 二® &刚述電磁波雜訊抑制層為使金屬材料之前驅體的 、’二或金屬離子還賴形成之金屬薄膜。 9.如申请專利範圍第〗$ g工苗由γ 固弟1至8項中任一項所述之電磁波雜訊 抑制體，其中，俞、+. ± 月1J返支樓層之厚度為3"m以上2〇〇 以下之範圍内。 .如申4專彳j範ij第丨至9項中任—項所述之電磁波雜訊 抑制體’其中，構成前述支撐層之合成樹脂為聚醯亞胺 樹脂。 11. 一種電磁波雜訊抑制體’其係於如申請專利範圍第i 至10項中任一項所述之電磁波雜訊抑制層之表面積層 接著劑層或接著膜而成。 12· —種電磁波雜訊抑制體之使用方法，其特徵係在 〇· 1GHz以上20GHz以下之頻率區域使用申請專利範圍 第1至11項中任一項所述之電磁波雜訊抑制體。 13. —種電磁波雜訊抑制體之使用方法，其特徵係以於電路 基板維持絕緣性之狀態下配置申請專利範圍第丨至u 項中任一項所述之電磁波雜訊抑制體。 —種電磁波雜訊抑制體之使用方法，其特徵係將如申請 專利範圍第1至11項中任一項所述之電磁波雜訊抑制 體配置於電路基板之附近。 5 ·種電子機器’其係具備電子零件、與抑制由該電子零 件產生之雜訊的如申請專利範圍第1至丨丨項中任一項 323737 2 201233319 所述之電磁波雜訊抑制體。