JP6334877B2 - 電磁波ノイズ抑制体及び回路基板 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体素子、高周波電子部品等を用いた電子機器で問題となる電磁波ノイズを抑制する電磁波ノイズ抑制体及びそれを備えた回路基板に関する。
近年、パーソナルコンピューター（ＰＣ）、携帯電話器、携帯情報端末（ＰＤＡ）、情報家電、高速道路情報システム等、０．１〜２０ＧＨｚの高いクロック周波数を利用した電子機器、情報通信機器が普及している。特に、ＰＣではＣＰＵでの動作周波数は１ＧＨｚを超え、通信機器においては、例えば携帯電話器では０．９ＧＨｚ、１．５ＧＨｚ、１．９ＧＨｚが用いられ、無線ＬＡＮでは２．４５ＧＨｚ、５．０ＧＨｚ、１９．０ＧＨｚが用いられるようになっており、このような背景から、今後ますますＧＨｚ帯域での高速な半導体集積素子の利用は増加することが予想される。
一方、携帯電話、ノートパソコン、デジタルカメラ等のモバイル電子機器や、液晶テレビ、ブルーレイディスクレコーダー、ゲーム機等の情報家電では、小型化、軽量化、薄型化、高機能化の要求に伴い、これら電子機器内部に搭載されているＣＰＵ、ＬＳＩ、周辺半導体等の電子部品の高密度化、高集積化、およびプリント配線基板への電子部品の高密度実装化が進んでいる。その結果、過密に集積、実装された電子部品や配線が互いに近接する状況となり、前述の高周波化の影響もあって電磁波の不要輻射が発生しやすい状態となっている。そして、このことが機器の誤作動等の問題を引き起こし、電子機器の不具合の発生および小型化や高機能化を阻害する重大な要因となっている。
このように、最近では、不要輻射などの電磁波障害（ＥＭＩ）が指摘されており、その総合的な対策として電磁両立性（ＥＭＣ）が重視され、この分野での研究が盛んに行われている。例えば、駆動周波数が低周波〜数ＭＨｚまでの電子機器では、筐体などを軟磁性材料で覆う方法がなされており、１〜２ＧＨｚ程度の電子機器では、シート状の複合磁性体を電子部品や電磁波ノイズ発生源に直接貼り付ける対策が施されている。
前述の電子機器の小型化、高機能化等の要求に鑑み、これらに用いられる電磁波シールド材、電磁波吸収体、電磁波ノイズ抑制体においても、電磁波障害を抑制する効果が高いことに加え、薄くて軽い材料が望まれている。また、電磁波ノイズ抑制効果と軽薄化を兼ね備えた材料は、半導体素子の集積回路、半導体パッケージのサブストレート、多層回路基板等への実装作業の簡便さという点でも有効であり、さらに、フレキシブルプリント基板等のフレキシブル性が必要な部分には、薄くて軽い特徴に加え、屈曲性に富んだ材料が待望されている。
プリント配線板の電磁波障害を防止する方法として、例えば特許文献１では、伝導ノイズ抑制機能を有するプリント配線板が提案されている。特許文献１によると、プリント配線板における導体層を流れる伝導ノイズを抑制するため、抵抗体層をエッジ部の近傍に配置するとともに、２対の抵抗体層が対向するように配置する必要がある。また、特許文献２では、表面抵抗が１０〜９０Ω／□の範囲内にあり、配線基板の配線層との間隔が３０〜７０μｍの範囲内にある金属薄膜を電磁波ノイズ抑制層としてカバーレイフィルムに積層することが提案されている。
本発明は、電子機器の小型化への対応が可能で、かつ高周波帯域における電磁波ノイズ抑制効果が高い電磁波ノイズ抑制体を提供することを目的とする。
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、電磁波ノイズを熱に変換する複数の抵抗体層と、前記抵抗体層の間に介在する絶縁層と、を備えている。本発明の電磁波ノイズ抑制体は、前記抵抗体層として、少なくとも第１の抵抗体層及び第２の抵抗体層を有し、前記第１の抵抗体層は、表面抵抗が２０Ω／□以上９０Ω／□以下の範囲内の金属薄膜である。また、本発明の電磁波ノイズ抑制体において、前記絶縁層は、厚さが１２μｍ以上１２０μｍ以下の範囲内の樹脂フィルムであり、前記第２の抵抗体層は、表面抵抗が２０Ω／□以上１５０Ω／□以下の範囲内の金属薄膜である。
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、前記第１の抵抗体層、前記絶縁層及び前記第２の抵抗体層が、この順番で積層されてなり、さらに、前記第２の抵抗体層の上に、前記絶縁層を介して、第３の抵抗体層を備えていてもよい。
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、前記複数の抵抗体層が、同じ材質によって形成されていてもよい。
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、前記複数の抵抗体層が、ニッケル−クロム合金からなる金属薄膜であってもよい。
本発明の回路基板は、基材及び該基材上に形成された配線層を有する配線基板と、上記のいずれかに記載の電磁波ノイズ抑制体と、を備えている。本発明の回路基板において、前記電磁波ノイズ抑制体は、該電磁波ノイズ抑制体の第１の抵抗体層側を、前記配線基板の配線層側に絶縁性を維持した状態で配置される。
本発明の回路基板は、前記第１の抵抗体層と前記配線基板の配線層との間隔が、５μｍ以上９０μｍ以下の範囲内にあってもよい。
本発明の回路基板は、１ＧＨｚ以上２０ＧＨｚ以下の動作周波数領域の電子部品に使用されるものであってもよい。
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、特定範囲の表面抵抗を有する金属薄膜からなる抵抗体層を複数層設けることによって、回路基板の配線層で生じる電磁波ノイズを導電損失として熱に変換して除去できる。本発明の電磁波ノイズ抑制体は、電磁波ノイズ抑制効果が高く、かつ薄く、軽量であり、電子機器の小型化にも容易に対応できる。
以下、本発明の実施の形態について、適宜図面を参照しながら説明する。
［電磁波ノイズ抑制体］
本実施の形態の電磁波ノイズ抑制体は、回路配線から発生する電磁波ノイズを熱に変換する複数の抵抗体層と、前記抵抗体層の間に介在する絶縁層と、を備えている。図１は、本発明の一実施の形態に係る電磁波ノイズ抑制体の概略構成を示す断面図である。図１に示す電磁波ノイズ抑制体１００は、第１の抵抗体層１０１Ａと、この第１の抵抗体層１０１Ａに積層された絶縁層１０２と、第２の抵抗体層１０１Ｂとを備えている。なお、抵抗体層は３層以上とすることができる。以下、各層を区別しない場合は、単に、抵抗体層１０１と記す。
本実施の形態の電磁波ノイズ抑制体は、回路配線から発生する電磁波ノイズを熱に変換する複数の抵抗体層と、前記抵抗体層の間に介在する絶縁層と、を備えている。図１は、本発明の一実施の形態に係る電磁波ノイズ抑制体の概略構成を示す断面図である。図１に示す電磁波ノイズ抑制体１００は、第１の抵抗体層１０１Ａと、この第１の抵抗体層１０１Ａに積層された絶縁層１０２と、第２の抵抗体層１０１Ｂとを備えている。なお、抵抗体層は３層以上とすることができる。以下、各層を区別しない場合は、単に、抵抗体層１０１と記す。
［電磁波ノイズ抑制層］
第１の抵抗体層１０１Ａ及び第２の抵抗体層１０１Ｂは、電磁波ノイズ抑制層として機能するものである。抵抗体層１０１は、絶縁層１０２の表面に形成された金属薄膜である。第１の抵抗体層１０１Ａと第２の抵抗体層１０１Ｂは、同じ金属材料によって形成してもよいし、異なる金属材料によって形成してもよいが、電磁波ノイズ抑制効果をコントロールしやすくなるため、同じ金属材料を用いることが好ましい。
第１の抵抗体層１０１Ａ及び第２の抵抗体層１０１Ｂは、電磁波ノイズ抑制層として機能するものである。抵抗体層１０１は、絶縁層１０２の表面に形成された金属薄膜である。第１の抵抗体層１０１Ａと第２の抵抗体層１０１Ｂは、同じ金属材料によって形成してもよいし、異なる金属材料によって形成してもよいが、電磁波ノイズ抑制効果をコントロールしやすくなるため、同じ金属材料を用いることが好ましい。
抵抗体層１０１に含まれる金属材料は、抵抗体層１０１の耐酸化性及び耐熱性を考慮し、ニッケルを主成分とするニッケル合金であることが好ましい。また、抵抗体層１０１を加熱処理した後においても電磁波ノイズ抑制効果が低下し難いニッケル合金として、ニッケル−クロム合金がより好ましい。ニッケル−クロム合金は、高温加熱処理後においても金属薄膜が脆化しにくく、しかも好適な発熱素子として機能し、効率よく電磁波エネルギーを熱エネルギーに変換できるものと考えられる。このような抵抗体層１０１の特徴は、電磁波ノイズ抑制体１００を配線基板に貼り合わせる際に、例えば熱プレス装置などを用いて熱圧着する場合においても、電磁波ノイズ抑制効果を低下させることがないので、特に有利である。
抵抗体層１０１の表面抵抗は、例えば２０Ω／□以上１５０Ω／□以下の範囲内、好ましくは２０Ω／□以上９０Ω／□以下の範囲内とすることができる。抵抗体層１０１の表面抵抗が２０Ω／□以上１５０Ω／□以下の範囲内にあることによって、金属薄膜の導電損失によって電磁波エネルギーを容易に熱に変換することができる。
抵抗体層１０１を構成する金属材料がニッケル−クロム合金である場合、抵抗体層１０１の平均厚さＴ１は、例えば３５ｎｍ以上１６０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは４０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内である。抵抗体層１０１の平均厚さＴ１を３５ｎｍ以上にすることにより、電磁波の透過を抑制し、充分な電磁波ノイズ抑制効果を発揮することができる。一方、抵抗体層１０１の平均厚さＴ１が１６０ｎｍを超えると、表面抵抗が２０Ω／□よりも小さくなり、その結果、抵抗体層１０１の表面で電磁波の反射機能が強まることで電磁波ノイズ抑制効果が小さくなる。なお、抵抗体層１０１の平均厚さＴ１は、抵抗体層１０１の膜厚方向断面のＴＥＭ画像をもとにして、５箇所の抵抗体層１０１の厚さを透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の画像上で測定し、平均した厚さである。
電磁波ノイズ抑制体１００の第１の抵抗体層１０１Ａと第２の抵抗体層１０１Ｂの平均厚さＴ１は、同じでもよく、異なっていてもよい。電磁波ノイズ抑制体１００に含まれる２層以上の抵抗体層１０１において、配線に最も近い側の第１層目の抵抗体層１０１は、電磁波ノイズの大部分を除去する観点から、表面抵抗（Ｒ１）が２０Ω／□以上９０Ω／□以下の範囲内となるように平均厚さＴ１を設定することが好ましい。また、配線との距離が離れている第２層目以降の抵抗体層１０１は、第１層目の抵抗体層１０１で除去しきれなかった電磁波ノイズを確実に除去する観点から、表面抵抗（Ｒ２）が２０Ω／□以上１５０Ω／□以下の範囲内となるように平均厚さＴ１を設定することが好ましい。更に、第１層目の抵抗体層１０１における表面抵抗（Ｒ１）と第２層目の抵抗体層１０１における表面抵抗（Ｒ２）との比（Ｒ２／Ｒ１）が、好ましくは０．５以上４．０以下の範囲内、より好ましくは０．８以上２．５以下の範囲内となるように平均厚さＴ１を設定することがよい。
抵抗体層１０１を構成する金属薄膜の形成方法としては、例えば物理的蒸着法、湿式還元法等が挙げられる。量産性の観点から、物理的蒸着法による形成方法を適用することが好ましい。物理的蒸着法は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられ、製造コスト面のメリットから、スパッタリング法を適用することが特に好ましい。このスパッタリング法は、２極型、３極型、４極型、対抗ターゲット型、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ、ＤＣマグネトロンスパッタ、ＲＦマグネトロンスパッタ、ＥＣスパッタ、レーザービームスパッタ、ミラートロンスパッタ、イオンビームスパッタ、デュアルイオンビームスパッタ、ＥＣＲスパッタ、ＰＥＭＳスパッタ等の各種手法が挙げられる。また、スパッタリングに使用するガス種としては、例えばアルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、窒素、酸素等を用いることができる。特に、アルゴンガスはスパッタリングの効率が高いため、好適に用いられる。これらのガスは２種類以上混合して使用することもできる。スパッタリング法による金属薄膜の成膜条件については、例えば、アルゴンガスをスパッタガスとして使用し、圧力は好ましくは１×１０−２Ｐａ以上１Ｐａ以下、より好ましくは５×１０−２Ｐａ以上５×１０−１Ｐａ以下であり、スパッタの電力は、好ましくは１０Ｗ以上１０００Ｗ以下、より好ましくは２０Ｗ以上６００Ｗ以下の条件で行う方法がよい。
抵抗体層１０１を構成する金属材料が、例えばニッケル−クロム合金である場合、金属薄膜の形成は、物理的蒸着法によることが好ましく、スパッタリング法によることが特に好ましい。ニッケル−クロム合金をスパッタリングのターゲットとして用いる場合は、クロム含有率が好ましくは５重量％以上３５重量％以下の範囲内、より好ましくは１５重量％以上２５重量％以下の範囲内がよい。このような範囲内とすることで優れた電磁波ノイズ抑制作用を持つ抵抗体層１０１を形成することができる。
［絶縁層］
絶縁層１０２は、任意の合成樹脂により形成することができる。絶縁層１０２の材質として使用可能な合成樹脂としては、例えばポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリブテン樹脂、ポリブチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリメタアクリル酸エステル樹脂、メタアクリル酸メチル−スチレン共重合体樹脂、無水マレイン酸−スチレン共重合体樹脂、無水マレイン酸−スチレン共重合体樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンオキサイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリアセタール樹脂、キシレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、マレイン酸樹脂、メラミン樹脂、ポリシロキサン樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、カルド樹脂（フルオレン樹脂）、フッ素樹脂等が挙げられるが、これに限定されない。これらの樹脂中でも、耐熱性に優れ、適度な可とう性を有するポリイミド樹脂が好ましい。
絶縁層１０２は、任意の合成樹脂により形成することができる。絶縁層１０２の材質として使用可能な合成樹脂としては、例えばポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリブテン樹脂、ポリブチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリメタアクリル酸エステル樹脂、メタアクリル酸メチル−スチレン共重合体樹脂、無水マレイン酸−スチレン共重合体樹脂、無水マレイン酸−スチレン共重合体樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンオキサイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリアセタール樹脂、キシレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、マレイン酸樹脂、メラミン樹脂、ポリシロキサン樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、カルド樹脂（フルオレン樹脂）、フッ素樹脂等が挙げられるが、これに限定されない。これらの樹脂中でも、耐熱性に優れ、適度な可とう性を有するポリイミド樹脂が好ましい。
絶縁層１０２の厚みＴ２は、２つの抵抗体層１０１の間隔に等しい。絶縁層１０２の厚み（間隔）Ｔ２は、導電損失によって電磁波ノイズを除去するという観点では小さいほどよいが、高い電磁波ノイズ抑制効果を得るためには、２つの抵抗体層１０１を、電気的に導通しない一定の間隔をとって配置することが好ましい。例えば、２つの抵抗体層１０１の間隔がゼロ（絶縁層１０２が存在しない状態）では、絶縁層１０２が存在する場合に比べて電磁波ノイズ抑制効果が低下する。このことは、単一の抵抗体層１０１の厚みを大きくしていくと、抵抗体層１０１の表面抵抗が小さくなって電流が流れやすくなり過ぎ、導電損失による電磁波ノイズの抑制効果が低減する傾向からも理解される。従って、例えば、厚みがＴμｍである１層の抵抗体層１０１を設けるよりも、絶縁層１０２を介在させて、抵抗体層１０１の合計厚みが同じＴμｍとなるように複数の抵抗体層１０１を設ける方が、各抵抗体層１０１の表面抵抗が大きくなって導電損失による電磁波ノイズの除去効果が増大する。また、抵抗体層１０１を複数層とし、抵抗体層間の絶縁が保持された状態で、絶縁層１０２の厚み（間隔）Ｔ２を制御することによって、渦電流の集中を避けることができる。渦電流が集中しすぎると、その集中した部分から再度電磁波ノイズが生じる懸念がある。以上の理由から、絶縁層１０２の厚みＴ２によって規定される２つの抵抗体層１０１の間隔は、例えば、１２μｍ以上１２０μｍ以下の範囲内が好ましく、１５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内がより好ましい。また、上記範囲内であれば、電磁波ノイズ抑制体１００及びそれを使用する回路基板に可とう性を付与することも可能である。
絶縁層１０２としては、市販の合成樹脂フィルムを用いることができる。ポリイミド樹脂を用いる場合は、例えば東レ・デュポン株式会社製のカプトンＥＮ、カプトンＨ、カプトンＶ（いずれも商品名）、鐘淵化学株式会社製のアピカルＮＰＩ（商品名）、宇部興産株式会社製のユーピレックスＳ（商品名）、三菱ガス化学社製のネオプリム（商品名）、東洋紡社製のゼノマックス（商品名）、クラボウ社製のミドフィル（商品名）、三井化学社製のオーラム（商品名）等を使用することが可能である。
また、絶縁層１０２は、抵抗体層１０１との接着性を強固なものにするために、抵抗体層１０１を形成する前に、抵抗体層１０１を積層する側の表面にプラズマ処理を施してもよい。また、電磁波ノイズ抑制体１００からの放熱を促進したり、機能性や意匠性を向上させたりするために、電磁波ノイズ抑制性能を損なわない範囲で、例えば絶縁層１０２内に、強磁性フィラー、導電性フィラー、熱伝導性フィラー、補強性フィラー、難燃剤、酸化防止剤、着色剤、耐熱向上材などを添加してもよい。
本実施の形態の電磁波ノイズ抑制体１００は、配線を保護するカバーレイとして使用できる。また、電磁波ノイズ抑制体１００は、抵抗体層１０１と絶縁層１０２以外に、任意の層を設けてもよい。
本実施の形態の電磁波ノイズ抑制体１００は、複数の抵抗体層１０１を有しているので、電磁波エネルギーから熱エネルギーへの変換効率が高く、全体の厚みを薄くすることができる。従って、電磁波ノイズ抑制体１００は、電子機器の小型化への対応を図りやすい。また、電磁波ノイズ抑制体１００は、例えば０．１ＧＨｚ以上２０ＧＨｚ以下の準マイクロ波のノイズ抑制能力に優れており、動作駆動周波数が主にＧＨｚ帯域の電子部品に好適に使用できる。また、電磁波ノイズ抑制体１００は、抵抗体層１０１をグランド層に接続する必要がないため、回路基板への適用も容易である。
［回路基板］
次に、本実施の形態の電磁波ノイズ抑制体を設けた回路基板について、好ましい態様を挙げて説明する。図２から図５は、電磁波ノイズ抑制体を備えた回路基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄの構成例を示している。以下、回路基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄを区別しない場合は、単に回路基板２００と記す。
次に、本実施の形態の電磁波ノイズ抑制体を設けた回路基板について、好ましい態様を挙げて説明する。図２から図５は、電磁波ノイズ抑制体を備えた回路基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄの構成例を示している。以下、回路基板２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄを区別しない場合は、単に回路基板２００と記す。
図２及び図３は、抵抗体層１０１を２層設けた態様を示している。まず、図２に示す態様の回路基板２００Ａは、基材１１０と、この基材１１０上に形成された配線層１２０と、配線層１２０の上に積層された接着材層１３０と、接着材層１３０の上に積層された電磁波ノイズ抑制体１００Ａとを備えている。また、基材１１０における配線層１２０の形成面と反対側には、グランド層１４０が設けられている。基材１１０及び配線層１２０は、配線基板１５０を構成している。図２の回路基板２００Ａにおいて、電磁波ノイズ抑制体１００Ａは、第１の抵抗体層１０１Ａと、第１の絶縁層１０２Ａと、第２の抵抗体層１０１Ｂと、第２の絶縁層１０２Ｂとが、この順番に積層された構造を有している。ここで、第１の抵抗体層１０１Ａは、配線層１２０に最も近接しており、接着剤層１３０に直接貼り合わされている。なお、図２の電磁波ノイズ抑制体１００Ａにおいて、第２の絶縁層１０２Ｂは必須の構成ではなく、省略することも可能である。
［基材］
基材１１０は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、カルド樹脂（フルオレン樹脂）、ポリシロキサン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ビニル樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーなどの絶縁性の樹脂材料によって形成することができる。これらの樹脂材料の１種又は２種以上で構成されてもよく、単層又は複数層であってもよい。また、出来るだけ耐熱性の高い絶縁材料を用いることが好ましい。このような観点から、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。基材１１０の厚みは、例えば５μｍ以上２００μｍ以下の範囲内が好ましく、回路基板２００に屈曲性を付与する観点から、例えば５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内が好ましく、１５μｍ以上４０μｍ以下の範囲内がより好ましい。
基材１１０は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、カルド樹脂（フルオレン樹脂）、ポリシロキサン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ビニル樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーなどの絶縁性の樹脂材料によって形成することができる。これらの樹脂材料の１種又は２種以上で構成されてもよく、単層又は複数層であってもよい。また、出来るだけ耐熱性の高い絶縁材料を用いることが好ましい。このような観点から、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。基材１１０の厚みは、例えば５μｍ以上２００μｍ以下の範囲内が好ましく、回路基板２００に屈曲性を付与する観点から、例えば５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内が好ましく、１５μｍ以上４０μｍ以下の範囲内がより好ましい。
［配線層］
配線層１２０は、金属等の導電性材料によって構成することができる。配線層１２０の材質として利用可能な金属としては、例えば銅、アルミニウム、ステンレス、鉄、銀、金、パラジウム、ニッケル、コバルト、クロム、モリブデン、タングステン、ベリリウム、亜鉛、インジウム、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、マグネシウム、マンガン又はそれらの合金を挙げることができる。この中でも銅又は銅合金が好ましい。配線層１２０の厚みは、例えば５μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内が好ましく、回路基板２００に屈曲性を付与する観点から、５μｍ以上３５μｍ以下の範囲内がより好ましく、９μｍ以上１８μｍ以下の範囲内が更に好ましい。また、配線層１２０の表面には、接着力等の向上を目的として、その表面に化学的又は機械的な表面処理を施してもよい。
配線層１２０は、金属等の導電性材料によって構成することができる。配線層１２０の材質として利用可能な金属としては、例えば銅、アルミニウム、ステンレス、鉄、銀、金、パラジウム、ニッケル、コバルト、クロム、モリブデン、タングステン、ベリリウム、亜鉛、インジウム、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、マグネシウム、マンガン又はそれらの合金を挙げることができる。この中でも銅又は銅合金が好ましい。配線層１２０の厚みは、例えば５μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内が好ましく、回路基板２００に屈曲性を付与する観点から、５μｍ以上３５μｍ以下の範囲内がより好ましく、９μｍ以上１８μｍ以下の範囲内が更に好ましい。また、配線層１２０の表面には、接着力等の向上を目的として、その表面に化学的又は機械的な表面処理を施してもよい。
［接着剤層］
接着剤層１３０は、配線基板１５０の配線層１２０を被覆し、且つ配線層１２０と第１の抵抗体層１０１Ａとの間隔を制御する機能を有する。従って、配線基板１５０に貼り合わせる前の接着剤層１３０の厚みは、配線基板１５０全体又は単位面積当たりに存在する配線層１２０の占有面積比率などを考慮して設定することが好ましい。接着剤層１３０の厚みは、配線基板１５０に貼り合わせる前であれば、例えば１０μｍ以上８５μｍ以下の範囲内が好ましく、２５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内がより好ましい。
接着剤層１３０は、配線基板１５０の配線層１２０を被覆し、且つ配線層１２０と第１の抵抗体層１０１Ａとの間隔を制御する機能を有する。従って、配線基板１５０に貼り合わせる前の接着剤層１３０の厚みは、配線基板１５０全体又は単位面積当たりに存在する配線層１２０の占有面積比率などを考慮して設定することが好ましい。接着剤層１３０の厚みは、配線基板１５０に貼り合わせる前であれば、例えば１０μｍ以上８５μｍ以下の範囲内が好ましく、２５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内がより好ましい。
接着剤層１３０の材質は、特に限定されるものではないが、例えばポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂や、フェノール系、エポキシ系、シロキサン系、ウレタン系、メラミン系、アルキッド系などの熱硬化性樹脂等を挙げることができる。耐熱性や可撓性が要求される場合においては、信頼性が高く好ましいものとして、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等を挙げることができる。ここで、ポリイミド樹脂としては、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリイミドエステル、ポリエーテルイミド、ポリシロキサンイミド等を挙げることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、テトラメチルビスフェノールＡ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等のような芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等を挙げることができる。なお、エポキシ系の熱硬化性樹脂を使用する場合には、熱プレス時のにじみ出し（リフロー）の小さいものが好ましい。
また、接着剤層１３０は、フィルム状の接着シートであってもよく、市販のボンディングシートも利用できる。また、接着剤層１３０には、強磁性フィラー、導電性フィラー、熱伝導性フィラー、補強性フィラー、難燃剤、酸化防止剤、着色剤、耐熱向上材などを添加してもよい。
図３に示す態様の回路基板２００Ｂは、配線基板１５０と、配線基板１５０の上に積層された電磁波ノイズ抑制体１００Ｂとを備えている。図３の回路基板２００Ｂにおいて、電磁波ノイズ抑制体１００Ｂは、第１の絶縁層１０２Ａと、第１の抵抗体層１０１Ａと、第２の絶縁層１０２Ｂと、第２の抵抗体層１０１Ｂとが、この順番に積層された構造を有している。ここで、第１の絶縁層１０２Ａは、配線層１２０に最も近接しており、接着剤層１３０に貼り合わされている。配線基板１５０の構成は、図２と同様である。また、基材１１０における配線層１２０の形成面と反対側には、グランド層１４０が設けられている。なお、図３の電磁波ノイズ抑制体１００Ｂにおいて、第１の絶縁層１０２Ａは必須の構成ではなく、省略することも可能である。
図４及び図５は、抵抗体層１０１を３層設けた態様を示している。まず、図４に示す態様の回路基板２００Ｃは、は、配線基板１５０と、配線基板１５０の上に積層された電磁波ノイズ抑制体１００Ｃとを備えている。図４の回路基板２００Ｃにおいて、電磁波ノイズ抑制体１００Ｃは、第１の抵抗体層１０１Ａと、第１の絶縁層１０２Ａと、第２の抵抗体層１０１Ｂと、第２の絶縁層１０２Ｂと、第３の抵抗体層１０１Ｃと、第３の絶縁層１０２Ｃとが、この順番に積層された構造を有している。ここで、第１の抵抗体層１０１Ａは、配線層１２０に最も近接しており、接着剤層１３０に直接貼り合わされている。また、配線基板１５０の構成は、図２と同様である。また、基材１１０における配線層１２０の形成面と反対側には、グランド層１４０が設けられている。なお、図４の電磁波ノイズ抑制体１００Ｃにおいて、第３の絶縁層１０２Ｃは必須の構成ではなく、省略することも可能である。
図５に示す態様の回路基板２００Ｄは、は、配線基板１５０と、配線基板１５０の上に積層された電磁波ノイズ抑制体１００Ｄとを備えている。図５の回路基板２００Ｄにおいて、電磁波ノイズ抑制体１００Ｄは、第１の絶縁層１０２Ａと、第１の抵抗体層１０１Ａと、第２の絶縁層１０２Ｂと、第２の抵抗体層１０１Ｂと、第３の絶縁層１０２Ｃと、第３の抵抗体層１０１Ｃとが、この順番に積層された構造を有している。ここで、第１の絶縁層１０２Ａが、配線層１２０に最も近接しており、接着剤層１３０に貼り合わされている。図５において、配線基板１５０の構成は、図２と同様である。また、基材１１０における配線層１２０の形成面と反対側には、グランド層１４０が設けられている。なお、図５の電磁波ノイズ抑制体１００Ｄにおいて、第１の絶縁層１０２Ａは必須の構成ではなく、省略することも可能である。
図２〜図５に示した回路基板２００Ａ〜２００Ｄにおいて、配線層１２０の上端から第１の抵抗体層１０１Ａの下端までの距離Ｌは、渦電流の発生による導電損失によって電磁波ノイズを除去するという観点では小さいほどよいが、配線層１２０と抵抗体層１０１との電気的な短絡を防止することや、配線層１２０の影響を受けて抵抗体層１０１で発生する渦電流による電磁波ノイズを防止するという観点において、一定の距離が必要となる。従って、距離Ｌは、例えば５μｍ以上９０μｍ以下の範囲内、好ましくは１０μｍ以上７０μｍ以下の範囲内、より好ましくは１０μｍ以上３５μｍ以下の範囲内とすることがよい。図２及び図４に示した回路基板２００Ａ，２００Ｃにおいては、接着剤層１３０の厚みによって距離Ｌを制御することができる。図３及び図５に示した回路基板２００Ｂ，２００Ｄにおいては、接着剤層１３０の厚み及び第１の絶縁層１０２Ａの厚みによって距離Ｌを制御することができる。
以上、抵抗体層１０１を２層ないし３層設けた態様の回路基板２００Ａ〜２００Ｄを例示したが、抵抗体層１０１は４層以上設けることもできる。
本実施の形態の回路基板２００は、配線基板１５０において基材１１０及び配線層１２０以外に、任意の層を設けてもよいし、また、電磁波ノイズ抑制体１００、接着剤層１３０以外に、任意の層を設けてもよい。
［製造方法］
本実施の形態の回路基板２００は、配線基板１５０及び電磁波ノイズ抑制体１００をそれぞれ作製し、配線基板１５０の配線層１２０側に接着剤層１３０を介して電磁波ノイズ抑制体１００を重ね、例えば熱プレス等の手段で張り合わせることによって製造できる。
本実施の形態の回路基板２００は、配線基板１５０及び電磁波ノイズ抑制体１００をそれぞれ作製し、配線基板１５０の配線層１２０側に接着剤層１３０を介して電磁波ノイズ抑制体１００を重ね、例えば熱プレス等の手段で張り合わせることによって製造できる。
以上説明したように、本実施の形態の電磁波ノイズ抑制体１００は、特定範囲の表面抵抗を有する金属薄膜からなる抵抗体層１０１を複数層設けることによって、回路基板２００の配線層１２０で生じる電磁波ノイズを導電損失として効率良く熱に変換して除去できる。従って、本実施の形態の電磁波ノイズ抑制体１００は、電磁波ノイズ抑制効果が高く、かつ薄く、軽量であり、電子機器の小型化にも容易に対応できる。また、本実施の形態の電磁波ノイズ抑制体１００によれば、電磁波を効率よく熱に変換して吸収できるため、抵抗体層１０１をグランド回路に接続させる必要がない、という効果も奏する。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、本発明の実施例において特にことわりのない限り、各種測定、評価は下記によるものである。
［金属薄膜の厚みの測定］
金属薄膜の厚みは、試料の断面をミクロトーム（ライカ社製、商品名；ウルトラカットＵＴＣウルトラミクロトーム）を用いて厚さ１００ｎｍの超薄切片を作製し、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子社製、商品名；ＪＥＭ−２０００ＥＸ）により観察し、５箇所の電磁波ノイズ抑制層の厚さを画像上で測定し、平均した値を算出した。
金属薄膜の厚みは、試料の断面をミクロトーム（ライカ社製、商品名；ウルトラカットＵＴＣウルトラミクロトーム）を用いて厚さ１００ｎｍの超薄切片を作製し、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子社製、商品名；ＪＥＭ−２０００ＥＸ）により観察し、５箇所の電磁波ノイズ抑制層の厚さを画像上で測定し、平均した値を算出した。
［金属薄膜の表面抵抗の測定］
金属薄膜の表面抵抗は、抵抗率計（三菱化学社製、商品名；ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４探針プローブ（三菱化学社製、商品名；ＭＣＰ−ＴＰ０３Ｐ）により測定した。
金属薄膜の表面抵抗は、抵抗率計（三菱化学社製、商品名；ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４探針プローブ（三菱化学社製、商品名；ＭＣＰ−ＴＰ０３Ｐ）により測定した。
［電磁界強度抑制効果の評価］
線路長が１２０ｍｍ、線路幅が２．２ｍｍで特性インピーダンスが５０Ωとなる配線基板Ａを作製した。その配線基板Ａの線路上に、３０ｍｍ×３０ｍｍ角にカットしたサンプルを貼付けて、線路の片側の端子を５０Ω終端とし、もう一方の線路の端子から、電圧２Ｖで０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ、又は２．５ＧＨｚの高周波信号を入力した。電磁界測定器（ＮＥＣエンジニアリング社製、商品名；４ＥＭ５００)の磁界プローブを用いて、配線基板Ａの線路から２ｍｍ上の空間における電磁界強度を測定した。配線基板Ａの線路上にサンプルを貼り付けた部分の電磁界強度の値について、高周波信号の入力端子側と終端端子側の測定値差を確認した。この電磁波強度の測定値差が大きい程、サンプルの電磁界抑制効果が高いと評価した。
線路長が１２０ｍｍ、線路幅が２．２ｍｍで特性インピーダンスが５０Ωとなる配線基板Ａを作製した。その配線基板Ａの線路上に、３０ｍｍ×３０ｍｍ角にカットしたサンプルを貼付けて、線路の片側の端子を５０Ω終端とし、もう一方の線路の端子から、電圧２Ｖで０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ、又は２．５ＧＨｚの高周波信号を入力した。電磁界測定器（ＮＥＣエンジニアリング社製、商品名；４ＥＭ５００)の磁界プローブを用いて、配線基板Ａの線路から２ｍｍ上の空間における電磁界強度を測定した。配線基板Ａの線路上にサンプルを貼り付けた部分の電磁界強度の値について、高周波信号の入力端子側と終端端子側の測定値差を確認した。この電磁波強度の測定値差が大きい程、サンプルの電磁界抑制効果が高いと評価した。
［実施例１］
フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、このフィルムをバッチ式スパッタリング装置（ＡＮＥＬＶＡ社製、商品名；ＳＰＦ−３３２ＨＳ）へセットし、真空ポンプ及びターボモレキュラーポンプを用いて、３．０×１０−４Ｐａまで減圧し、アルゴンガスを導入して、２．０×１０−１Ｐａの圧力になるよう調整した。次に、Ｎｉ８０重量％／Ｃｒ２０重量％の合金（Ｎｉ−Ｃｒ合金として９９．９重量％以上）のターゲットを用いて、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜１ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した。同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面にもスパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜１ｂ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム１を得た。
フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、このフィルムをバッチ式スパッタリング装置（ＡＮＥＬＶＡ社製、商品名；ＳＰＦ−３３２ＨＳ）へセットし、真空ポンプ及びターボモレキュラーポンプを用いて、３．０×１０−４Ｐａまで減圧し、アルゴンガスを導入して、２．０×１０−１Ｐａの圧力になるよう調整した。次に、Ｎｉ８０重量％／Ｃｒ２０重量％の合金（Ｎｉ−Ｃｒ合金として９９．９重量％以上）のターゲットを用いて、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜１ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した。同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面にもスパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜１ｂ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム１を得た。
得られた金属薄膜形成フィルム１における金属薄膜１ａの上に、フィルム両面テープ（寺岡製作所社製、商品名；７０７０、厚さ；１０μｍ）を重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板１を得た。このとき、回路基板１における線路と金属薄膜１ａとの間隔は１０μｍ、金属薄膜１ａと金属薄膜１ｂとの間隔は、３５μｍであった。結果を表１に示す。
また、電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ９．３ｄＢ／μＶ、１７．４ｄＢ／μＶ、２３．０ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
［実施例２］
フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムの代わりに、厚さ７０μｍのポリイミドフィルムを使用したこと以外、実施例１と同様にして、金属薄膜２ａ（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）と金属薄膜２ｂ（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）を有する金属薄膜形成フィルム２を得た。
フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムの代わりに、厚さ７０μｍのポリイミドフィルムを使用したこと以外、実施例１と同様にして、金属薄膜２ａ（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）と金属薄膜２ｂ（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）を有する金属薄膜形成フィルム２を得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルム２における金属薄膜２ａの上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板２を得た。このとき、回路基板２における線路と金属薄膜２ａとの間隔は１０μｍ、金属薄膜２ａと金属薄膜２ｂとの間隔は、７０μｍであった。結果を表１に示す。
また、電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ４．９ｄＢ／μＶ、７．９ｄＢ／μＶ、１８．２ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
［実施例３］
フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムの代わりに、厚さ９５μｍのポリイミドフィルムを使用したこと以外、実施例１と同様にして、金属薄膜３ａ（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）と金属薄膜３ｂ（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）を有する金属薄膜形成フィルム３を得た。
フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムの代わりに、厚さ９５μｍのポリイミドフィルムを使用したこと以外、実施例１と同様にして、金属薄膜３ａ（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）と金属薄膜３ｂ（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）を有する金属薄膜形成フィルム３を得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルム３における金属薄膜３ａの上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板３を得た。このとき、回路基板３における線路と金属薄膜３ａとの間隔は１０μｍ、金属薄膜３ａと金属薄膜３ｂとの間隔は、９５μｍであった。結果を表１に示す。
また、電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ５．４ｄＢ／μＶ、９．２ｄＢ／μＶ、１８．６ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
［実施例４］
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜４ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した後、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ１０５ｎｍの金属薄膜４ｂ（表面抵抗；２０Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム４を得た。
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜４ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した後、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ１０５ｎｍの金属薄膜４ｂ（表面抵抗；２０Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム４を得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルム４における金属薄膜４ａの上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板４を得た。このとき、回路基板４における線路と金属薄膜４ａとの間隔は１０μｍ、金属薄膜４ａと金属薄膜４ｂとの間隔は、３５μｍであった。結果を表１に示す。
また、電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ７．０ｄＢ／μＶ、１３．４ｄＢ／μＶ、１６．９ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
［実施例５］
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜５ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した後、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ３５ｎｍの金属薄膜５ｂ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム５を得た。
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜５ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した後、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ３５ｎｍの金属薄膜５ｂ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム５を得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルム５における金属薄膜５ａの上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板５を得た。このとき、回路基板５における線路と金属薄膜５ａとの間隔は１０μｍ、金属薄膜５ａと金属薄膜５ｂとの間隔は、３５μｍであった。結果を表１に示す。
また、電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ７．０ｄＢ／μＶ、１１．０ｄＢ／μＶ、２０．３ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
［実施例６］
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜６ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した後、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ１５ｎｍの金属薄膜６ｂ（表面抵抗；１３５Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム６を得た。
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜６ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した後、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ１５ｎｍの金属薄膜６ｂ（表面抵抗；１３５Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム６を得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルム６における金属薄膜６ａの上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板６を得た。このとき、回路基板６における線路と金属薄膜６ａとの間隔は１０μｍ、金属薄膜６ａと金属薄膜６ｂとの間隔は、３５μｍであった。結果を表１に示す。
また、電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ６．０ｄＢ／μＶ、８．８ｄＢ／μＶ、１８．８ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
［実施例７］
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にてスパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの金属薄膜７ａ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成した後、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ３５ｎｍの金属薄膜７ｂ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム７を得た。
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にてスパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの金属薄膜７ａ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成した後、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ３５ｎｍの金属薄膜７ｂ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム７を得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルム７における金属薄膜７ａの上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板７を得た。このとき、回路基板７における線路と金属薄膜７ａとの間隔は１０μｍ、金属薄膜７ａと金属薄膜７ｂとの間隔は、３５μｍであった。結果を表１に示す。
また、電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ７．８ｄＢ／μＶ、１１．２ｄＢ／μＶ、１６．９ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
［実施例８］
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜８ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した後、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ９０ｎｍの金属薄膜８ｂ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した。金属薄膜８ｂ上に、両面テープを重ね、更にその上に、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを重ね、貼り合わせた後、再度、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ９０ｎｍの金属薄膜８ｃ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム８を得た。
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの金属薄膜８ａ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した後、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ９０ｎｍの金属薄膜８ｂ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成した。金属薄膜８ｂ上に、両面テープを重ね、更にその上に、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを重ね、貼り合わせた後、再度、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ９０ｎｍの金属薄膜８ｃ（表面抵抗；３５Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム８を得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルム８における金属薄膜８ａの上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板８を得た。このとき、回路基板８における線路と金属薄膜８ａとの間隔は１０μｍ、金属薄膜８ａと金属薄膜８ｂとの間隔は、３５μｍ、金属薄膜８ｂと金属薄膜８ｃとの間隔は、３５μｍであった。結果を表１に示す。
また、電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ９．８ｄＢ／μＶ、１９．４ｄＢ／μＶ、２１．４ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
［実施例９］
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にてスパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの金属薄膜９ａ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成した後、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ３５ｎｍの金属薄膜９ｂ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成した。金属薄膜９ｂ上に、両面テープを重ね、更にその上に、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを重ね、貼り合わせた後、再度、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ３５ｎｍの金属薄膜９ｃ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム９を得た。
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にてスパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの金属薄膜９ａ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成した後、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ３５ｎｍの金属薄膜９ｂ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成した。金属薄膜９ｂ上に、両面テープを重ね、更にその上に、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを重ね、貼り合わせた後、再度、同条件にて、フィルム材の金属薄膜を形成していない側の面に、厚さ３５ｎｍの金属薄膜９ｃ（表面抵抗；７８Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルム９を得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルム９における金属薄膜９ａの上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板９を得た。このとき、回路基板９における線路と金属薄膜９ａとの間隔は１０μｍ、金属薄膜９ａと金属薄膜９ｂとの間隔は、３５μｍ、金属薄膜９ｂと金属薄膜９ｃとの間隔は、３５μｍであった。結果を表１に示す。
また、電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ８．２ｄＢ／μＶ、１２．９ｄＢ／μＶ、２０．３ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
比較例１
金属薄膜１ｂを形成しなかったこと以外、実施例１と同様にして、金属薄膜（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）を有する金属薄膜形成フィルムを得た。
金属薄膜１ｂを形成しなかったこと以外、実施例１と同様にして、金属薄膜（厚さ；９０ｎｍ、表面抵抗；３５Ω／□）を有する金属薄膜形成フィルムを得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルムにおける金属薄膜の上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板を得た。このとき、回路基板における線路と金属薄膜との間隔は１０μｍであった。結果を表１に示す。
電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ５．０ｄＢ／μＶ、４．６ｄＢ／μＶ、８．４ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
比較例２
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にてスパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの金属薄膜（表面抵抗；７８Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルムを得た。
実施例１と同様にして、フィルム材として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムを用意し、スパッタリングの実施時間のみを変更した条件にてスパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの金属薄膜（表面抵抗；７８Ω／□）を形成し、金属薄膜形成フィルムを得た。
実施例１と同様にして、金属薄膜形成フィルムにおける金属薄膜の上に、フィルム両面テープを重ね、更にその上に、配線基板Ａの線路側の面を重ね合わせ、貼り合わせることによって、回路基板を得た。このとき、回路基板における線路と金属薄膜との間隔は１０μｍであった。結果を表１に示す。
電磁界強度抑制効果について評価を行ったところ、０．８ＧＨｚ、１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの高周波信号を入力したときの入力端子側と終端端子側での電磁界強度差は、それぞれ７．１ｄＢ／μＶ、７．８ｄＢ／μＶ、１０．３ｄＢ／μＶであった。結果を表２に示す。
以上の結果をまとめて、表１及び２に示す。
表２から、抵抗体層として、２層ないし３層の金属薄膜を形成した実施例１〜９では、１層の金属薄膜を形成した比較例１、２に比べ、高い電磁波ノイズ抑制効果が得られた。実施例１〜９では、特に１．６ＧＨｚ、２．５ＧＨｚの高い周波数において、電磁波ノイズ抑制効果が大きかった。また、実施例７と比較例１、２から、１層の金属薄膜の厚みを大きくした場合（比較例１）よりも、２層の金属薄膜を設けた場合（実施例７）の方が、電磁波ノイズ抑制効果が向上することも確認された。
［シミュレーション試験］
次に、本発明の効果を確認したシミュレーション試験の結果について説明する。縦横１１ｍｍ×１１ｍｍの大きさのガラスエポキシ製の基材（厚さ７６４μｍ）上に、ほぼ直角に屈曲した平面視Ｌ字形のＣｕ製配線層（厚さ１８μｍ、幅２．２ｍｍ）を有する配線基板をモデルとして想定した。この配線基板のＣｕ製配線層の側に、厚さ２８μｍのアクリル製の接着剤層と、厚さ２５μｍのポリイミド絶縁層をこの順番で積層するとともに、基材側に、厚さ１８μｍのＣｕ製グランド層を積層したものをベースサンプルとした。このベースサンプルのポリイミド絶縁層の上に、厚さ１００ｎｍのニッケル−クロム合金製の抵抗体層（表面抵抗３５Ω／□）を１層積層したものをリファレンスサンプルとした。
次に、本発明の効果を確認したシミュレーション試験の結果について説明する。縦横１１ｍｍ×１１ｍｍの大きさのガラスエポキシ製の基材（厚さ７６４μｍ）上に、ほぼ直角に屈曲した平面視Ｌ字形のＣｕ製配線層（厚さ１８μｍ、幅２．２ｍｍ）を有する配線基板をモデルとして想定した。この配線基板のＣｕ製配線層の側に、厚さ２８μｍのアクリル製の接着剤層と、厚さ２５μｍのポリイミド絶縁層をこの順番で積層するとともに、基材側に、厚さ１８μｍのＣｕ製グランド層を積層したものをベースサンプルとした。このベースサンプルのポリイミド絶縁層の上に、厚さ１００ｎｍのニッケル−クロム合金製の抵抗体層（表面抵抗３５Ω／□）を１層積層したものをリファレンスサンプルとした。
上記リファレンスサンプルの抵抗体層の上に、厚さ３５μｍの絶縁層を介在させて、さらに１層以上の抵抗体層（厚さ１００ｎｍ、表面抵抗３５Ω／□）を積層したものを本発明サンプルとした。絶縁層及び抵抗体層が各２層である場合の本発明サンプルの構成は、図２又は図３に示した回路基板２００Ａ又は２００Ｂとほぼ同様である。また、絶縁層及び抵抗体層が各３層である場合の本発明サンプルの構成は、図４又は図５に示した回路基板２００Ｃ又は２００Ｄとほぼ同様である。
シミュレーションでは、上記リファレンスサンプル及び本発明サンプルについて、高周波信号を入力して放射ノイズを計算した。ここでは、各サンプルのＣｕ製配線層に０．８ＧＨｚ又は１．６ＧＨｚの高周波信号を入力した場合に、Ｃｕ製配線層の終端部分において、抵抗体層より２ｍｍ上方の空間の電磁界強度を放射ノイズに換算した。また、各サンプルのＣｕ製配線層に２．５ＧＨｚの高周波信号を入力した場合に、Ｃｕ製配線層の屈曲部分において、ノイズ抑制層より２ｍｍ上方の空間の電磁界強度を放射ノイズに換算した。
シミュレーション（比較例）：
図６は、リファレンスサンプルについて、Ｃｕ製配線層の上端から抵抗体層の下端までの距離を変化させた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。
図６は、リファレンスサンプルについて、Ｃｕ製配線層の上端から抵抗体層の下端までの距離を変化させた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。
シミュレーション（１）：
図７は、絶縁層及び抵抗体層が各２層である場合の本発明サンプルについて、抵抗体層どうしの間隔を３５μｍとし、Ｃｕ製配線層の上端から該Ｃｕ配線層に最も近い抵抗体層の下端までの距離を変化させた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。図６と図７の比較から、抵抗体層が１層だけの場合（図６）に比べ、図７では、放射ノイズ強度が弱くなっており、抵抗体層を２層以上設けることによって電磁波ノイズ抑制効果が向上することが確認された。また、抵抗体層を２層以上設ける場合に、Ｃｕ製配線層の上端から該Ｃｕ配線層に最も近い抵抗体層の下端までの距離（図３〜図５に示す距離Ｌと同じ。以下、距離Ｌと記す。）が小さい方が、電磁波ノイズ抑制効果がより向上することが確認された。例えば、図７では、周波数０．８ＧＨｚでは距離Ｌ≦３０μｍ、周波数１．６ＧＨｚでは距離Ｌ≦６５μｍ、周波数２．５ＧＨｚでは距離Ｌ≦９０μｍにおいて、それぞれ、抵抗体層を１層とする場合（図６）に比較して、電磁波ノイズ抑制効果の向上が認められた。
図７は、絶縁層及び抵抗体層が各２層である場合の本発明サンプルについて、抵抗体層どうしの間隔を３５μｍとし、Ｃｕ製配線層の上端から該Ｃｕ配線層に最も近い抵抗体層の下端までの距離を変化させた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。図６と図７の比較から、抵抗体層が１層だけの場合（図６）に比べ、図７では、放射ノイズ強度が弱くなっており、抵抗体層を２層以上設けることによって電磁波ノイズ抑制効果が向上することが確認された。また、抵抗体層を２層以上設ける場合に、Ｃｕ製配線層の上端から該Ｃｕ配線層に最も近い抵抗体層の下端までの距離（図３〜図５に示す距離Ｌと同じ。以下、距離Ｌと記す。）が小さい方が、電磁波ノイズ抑制効果がより向上することが確認された。例えば、図７では、周波数０．８ＧＨｚでは距離Ｌ≦３０μｍ、周波数１．６ＧＨｚでは距離Ｌ≦６５μｍ、周波数２．５ＧＨｚでは距離Ｌ≦９０μｍにおいて、それぞれ、抵抗体層を１層とする場合（図６）に比較して、電磁波ノイズ抑制効果の向上が認められた。
シミュレーション（２）：
図８は、絶縁層及び抵抗体層が各２層である場合の本発明サンプルについて、距離Ｌを１０μｍに固定し、抵抗体層どうしの間隔（図１に示す厚みＴ２と同じ。以下、間隔Ｔ２と記す。）を変化させた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。図６と図８の比較から、抵抗体層が１層だけの場合（図６）に比べ、図８では、放射ノイズ強度が弱くなっており、抵抗体層を２層以上設けることによって電磁波ノイズ抑制効果が向上することが確認された。また、抵抗体層を２層以上設ける場合に、抵抗体層間の間隔Ｔ２が小さい方が、電磁波ノイズ抑制効果がより向上することが確認された。例えば、図８では、周波数０．８ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦３７．５μｍ、周波数１．６ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦９５μｍ、周波数２．５ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦７５μｍにおいて、それぞれ、抵抗体層を１層とする場合（図６）に比較して、電磁波ノイズ抑制効果の向上が認められた。
図８は、絶縁層及び抵抗体層が各２層である場合の本発明サンプルについて、距離Ｌを１０μｍに固定し、抵抗体層どうしの間隔（図１に示す厚みＴ２と同じ。以下、間隔Ｔ２と記す。）を変化させた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。図６と図８の比較から、抵抗体層が１層だけの場合（図６）に比べ、図８では、放射ノイズ強度が弱くなっており、抵抗体層を２層以上設けることによって電磁波ノイズ抑制効果が向上することが確認された。また、抵抗体層を２層以上設ける場合に、抵抗体層間の間隔Ｔ２が小さい方が、電磁波ノイズ抑制効果がより向上することが確認された。例えば、図８では、周波数０．８ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦３７．５μｍ、周波数１．６ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦９５μｍ、周波数２．５ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦７５μｍにおいて、それぞれ、抵抗体層を１層とする場合（図６）に比較して、電磁波ノイズ抑制効果の向上が認められた。
シミュレーション（３）：
図９は、絶縁層及び抵抗体層が各２層である場合の本発明サンプルについて、距離Ｌを３５μｍに固定し、間隔Ｔ２を変化させた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。図６と図９の比較から、抵抗体層が１層だけの場合（図６）に比べ、図９では、放射ノイズ強度が弱くなっており、抵抗体層を２層以上設けることによって電磁波ノイズ抑制効果が向上することが確認された。また、抵抗体層を２層以上設ける場合に、抵抗体層間の間隔Ｔ２が小さい方が、電磁波ノイズ抑制効果がより向上することが確認された。例えば、図９では、周波数１．６ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦１００μｍ、周波数２．５ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦１２０μｍにおいて、それぞれ、抵抗体層を１層とする場合（図６）に比較して、電磁波ノイズ抑制効果の向上が認められた。
図９は、絶縁層及び抵抗体層が各２層である場合の本発明サンプルについて、距離Ｌを３５μｍに固定し、間隔Ｔ２を変化させた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。図６と図９の比較から、抵抗体層が１層だけの場合（図６）に比べ、図９では、放射ノイズ強度が弱くなっており、抵抗体層を２層以上設けることによって電磁波ノイズ抑制効果が向上することが確認された。また、抵抗体層を２層以上設ける場合に、抵抗体層間の間隔Ｔ２が小さい方が、電磁波ノイズ抑制効果がより向上することが確認された。例えば、図９では、周波数１．６ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦１００μｍ、周波数２．５ＧＨｚでは間隔Ｔ２≦１２０μｍにおいて、それぞれ、抵抗体層を１層とする場合（図６）に比較して、電磁波ノイズ抑制効果の向上が認められた。
また、図８と図９との比較では、図８の方が図９よりも放射ノイズ強度が小さく、電磁波ノイズ抑制効果が大きくなっており、抵抗体層を２層以上設ける場合には、距離Ｌが小さい方が、電磁波ノイズ抑制効果がより向上することが確認された。
以上のシミュレーション試験の結果をまとめて表３に示した。
図１０は、Ｃｕ製配線層の上端から該Ｃｕ配線層に最も近い抵抗体層の下端までの距離を１０μｍに固定し、絶縁層及び抵抗体層の数をそれぞれ０〜５層まで変化させた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。なお、絶縁層及び抵抗体層の数が各１層の場合はリファレンスサンプルであり、各２〜５層である場合が本発明サンプルである。図１０から、絶縁層及び抵抗体層の数を増やすに伴って、放射ノイズ強度が小さくなっていることがわかる。従って、抵抗体層を複数層設けることによって、電磁波ノイズ抑制効果がより向上することが確認された。ただし、抵抗体層を増やしていくと、放射ノイズ強度の変化が小さくなっている傾向も読み取れるため、電磁波ノイズ抑制体全体の厚みを抑制して電子部品の小型化に対応する観点から、抵抗体層の数は、２層ないし３層が好ましいと考えられた。
また、図１０において、各周波数の曲線を比較すると、０．８ＧＨｚよりも１．６ＧＨｚ及び２．５ＧＨｚの方が放射ノイズ強度の低下が大きくなっており、周波数が高い程、抵抗体層を増やした場合の電磁波ノイズ抑制効果が大きいことが確認された。なお、図１０における周波数２．５ＧＨｚのシミュレーション結果は、Ｃｕ製配線層の屈曲部分の放射ノイズ強度を計算しているため、Ｃｕ製配線層の終端部分の放射ノイズ強度を計算した周波数１．６ＧＨｚよりも放射ノイズ強度が大きくなっている。
以上のシミュレーション結果より、抵抗体層を複数層設けた本発明の電磁波ノイズ抑制体の効果が確認された。
以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ…電磁波ノイズ抑制体、１０１Ａ…第１の抵抗体層、１０１Ｂ…第２の抵抗体層、１０２…絶縁層、１０２Ａ…第１の絶縁層、１０２Ｂ…第２の絶縁層、１２０…配線層、１３０…接着剤層、１４０…グランド層、１５０…配線基板、２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄ…回路基板
Claims (3)
- 基材及び該基材上に形成された、ＧＨｚ帯域の高周波信号を伝送する配線層を有する配線基板と、
電磁波ノイズ抑制体と、
を備え、
前記電磁波ノイズ抑制体は、
電磁波ノイズを熱に変換する複数の抵抗体層と、
前記抵抗体層の間に介在する絶縁層と、
を有し、
前記複数の抵抗体層が、ニッケル−クロム合金からなる金属薄膜であって、少なくとも第１の抵抗体層及び第２の抵抗体層を有し、
前記第１の抵抗体層は、表面抵抗が２０Ω／□以上９０Ω／□以下の範囲内の金属薄膜であり、
前記絶縁層は、厚さが１２μｍ以上１２０μｍ以下の範囲内の樹脂フィルムであり、
前記第２の抵抗体層は、表面抵抗が２０Ω／□以上１５０Ω／□以下の範囲内の金属薄膜であり（ただし、前記第１の抵抗体層の表面抵抗と前記第２の抵抗体層の表面抵抗が、いずれも２０Ω／□である場合を除く）、
前記第１の抵抗体層と前記第２の抵抗体層は、いずれも欠落部がなく、前記絶縁層の両側において互いに対向する領域に存在するように形成されており、
前記電磁波ノイズ抑制体の第１の抵抗体層側を、前記配線基板の配線層側に絶縁性を維持した状態で配置するとともに、前記第１の抵抗体層及び前記第２の抵抗体層の両方を、前記配線層と厚み方向に重なる領域に存在するように配置している回路基板。 - 前記第１の抵抗体層と前記配線基板の配線層との間隔が、５μｍ以上９０μｍ以下の範囲内にある請求項１に記載の回路基板。
- １ＧＨｚ以上２０ＧＨｚ以下の動作周波数領域の電子部品に使用されるものである請求項１又は２に記載の回路基板。
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