WO2021054334A1 - モジュール - Google Patents

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新開　秀樹
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株式会社村田製作所
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    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields

Definitions

  • the present invention relates to a module.
  • the upper surface of the mold resin on which the magnetic film is formed may not be sufficiently flattened. Then, in order to form the magnetic film so as to cover the entire mold resin, it is necessary to thicken the magnetic film, and as a result, the low frequency noise to be shielded may not be sufficiently suppressed.
  • an object of the present invention is to provide a module having a shielding characteristic capable of sufficiently suppressing low frequency noise.
  • the module based on the present invention contains a substrate having a first surface, a first component mounted on the first surface, and a filler, and seals the first surface and the first component.
  • a first sealing resin to be stopped and a shield film covering the upper surface and side surfaces of the first sealing resin and the side surface of the substrate are provided.
  • the shield film contains a magnetic material.
  • the filler does not protrude on the first surface of the first sealing resin, which is the surface on which the shield film is formed, and a nitrogen functional group is formed on the first surface.
  • each layer can be formed thin, and a module having a shielding characteristic capable of sufficiently suppressing low frequency noise can be realized.
  • the substrate 1 has a first surface 1a and a second surface 1b which is a surface opposite to the first surface 1a.
  • the shield film 8 includes a first shield layer 81 and a second shield layer 82.
  • the first shield layer 81 is a so-called low frequency shield layer.
  • the second shield layer 82 is a so-called high frequency shield layer.
  • the second shield layer 82 covers the first shield layer 81 from the outside. Another layer may be interposed between the first shield layer 81 and the second shield layer 82.
  • the GND electrode 7 is built in the substrate 1.
  • the GND electrode 7 is exposed on the side surface of the substrate 1.
  • the shield film 8 is electrically connected to the GND electrode 7 on the side surface of the substrate 1.
  • FIG. 4 shows an enlarged portion of Z1 in FIG.
  • the module 101 includes a substrate 1 having a first surface 1a, a first component 3a mounted on the first surface 1a, and a filler 23, and first seals the first surface 1a and the first component 3a.
  • a resin 6a and a shield film 8 covering the upper surface and side surfaces of the first sealing resin 6a and the side surface of the substrate 1 are provided.
  • the shield film 8 contains a magnetic material.
  • the filler 23 does not protrude on the first surface 61, which is the surface on which the shield film 8 is formed, and the nitrogen functional group 25 is formed on the first surface 61.
  • the first sealing resin 6a contains a resin component 21 and a filler 23.
  • the first surface 61 has high flatness.
  • the filler 23 may be exposed on the first surface 61 without protruding.
  • the first adhesion layer 9a is arranged so as to cover the first surface 61.
  • the first adhesion layer 9a is interposed between the first sealing resin 6a and the shield film 8.
  • the first adhesion layer 9a is formed of a transition metal.
  • the first shield layer 81 includes one or more magnetic layers 12 and one or more intermediate layers 13.
  • the magnetic layer 12 and the intermediate layer 13 are alternately laminated.
  • the first shield layer 81 is formed by alternately laminating magnetic layers 12 and intermediate layers 13.
  • the uppermost layer is a magnetic layer 12, and the lowermost layer is also a magnetic layer 12.
  • the intermediate layer 13 may have conductivity.
  • the intermediate layer 13 may be made of a magnetic material.
  • the second shield layer 82 includes the conductive layer 14.
  • the conductive layer 14 is covered with an antioxidant film 10.
  • a second adhesion layer 9b is arranged between the first shield layer 81 and the second shield layer 82.
  • the method for obtaining the structure shown in FIG. 4 will be described with reference to FIGS. 5 to 7.
  • the vicinity of the first surface 61 is enlarged to be in the state shown in FIG.
  • the filler 23 is bound by the resin component 21.
  • the first surface 61 is smooth. There is almost no filler 23 protruding from the first surface 61.
  • the first surface 61 which is the surface of the first sealing resin 6a facing the shield film 8, has a nitrogen functional group 25, and therefore is sufficiently adhered to the layer formed on the upper side thereof. be able to.
  • the fact that the first surface 61 can be adhered in this way means that it is not necessary to intentionally form irregularities on the first surface 61 for improving the adhesion force, and the first surface 61 can be left in a flat state.
  • the filler 23 does not protrude on the first surface 61 and the first surface 61 is flat, other layers formed on the first surface 61 can be thinly formed.
  • the magnetic layer 12 in the first shield layer 81 in the shield film 8 is thick, the magnetic moment tends toward the film thickness direction and magnetic flux leakage is likely to occur. Therefore, in order to prevent magnetic flux leakage as much as possible, The magnetic layer 12 should be thin.
  • the first shield layer 81 can be formed thinly. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to realize a module having a shield characteristic capable of sufficiently suppressing low frequency noise. Further, since the first shield layer 81 may be thin, it is not necessary to form the shield film 8 thickly, so that the module 101 in the present embodiment can obtain excellent shielding characteristics at low cost.
  • the intermediate layer 13 included in the first shield layer 81 in the shield film 8 is provided to suppress the grain growth during film formation of the magnetic layer 12, it may be thinner than the magnetic layer 12.
  • the thickness of the magnetic layer 12 is preferably 50 nm or more and 300 nm or less, and the thickness of the intermediate layer 13 is preferably 5 nm or more and 50 nm or less.
  • the first adhesion layer 9a made of a transition metal is interposed between the shield film 8 and the first sealing resin 6a.
  • the transition metal has a property of coordinating with the nitrogen functional group 25 formed on the first surface 61 of the first sealing resin 6a.
  • the shield film 8 includes a first shield layer 81 including one or more magnetic layers 12 and a second shield layer 82 arranged so as to overlap the first shield layer 81.
  • the second shield layer 82 preferably includes a conductive layer 14.
  • the second shield layer 82 covers the first shield layer 81 from the outside.
  • the first shield layer 81 can be protected by the second shield layer 82.
  • the second adhesion layer 9b is interposed between the first shield layer 81 and the second shield layer 82.
  • the second shield layer 82 can be brought into close contact with the first shield layer 81.
  • the second shield layer 82 preferably includes an antioxidant film 10 that covers the conductive layer 14.
  • an antioxidant film 10 that covers the conductive layer 14.
  • the first shield layer 81 may include a multilayer structure in which magnetic layers 12 and intermediate layers 13 are alternately laminated and the uppermost layer and the lowermost layer are magnetic layers 12. preferable. By adopting this configuration, it is possible to obtain a sufficient shielding performance by stacking as many as necessary.
  • FIG. 2 A cross-sectional view of the module 102 in this embodiment is shown in FIG.
  • the module 102 in the present embodiment is the same as the module 101 described in the first embodiment in terms of the basic configuration, but includes the following configurations.
  • the shield film 8 is composed of a first shield layer 81 arranged so as to cover only the upper surface of the first sealing resin 6a, the upper surface and side surfaces of the first shield layer 81, and the first sealing resin 6a. It includes a side surface and a second shield layer 82 arranged so as to cover the side surface of the substrate 1.
  • the first shield layer 81 includes one or more magnetic layers 12, and the second shield layer 82 includes a conductive layer 14.
  • the first shield layer 81 since the first shield layer 81 only covers the upper surface of the first sealing resin 6a, the first shield layer 81 is formed in the state of the collective substrate, and after being separated into individual pieces, the second shield is formed. It is also possible to form layer 82.
  • FIGS. 9 to 10 A cross-sectional view of the module 103 in this embodiment is shown in FIG.
  • An enlarged view of the Z2 portion in FIG. 9 is shown in FIG.
  • the module 102 in the present embodiment is the same as the module 101 described in the first embodiment in terms of the basic configuration, but includes the following configurations.
  • the upper surface and the side surface of the first sealing resin 6a are first covered with the second shield layer 82, and the outside of the second shield layer 82 is covered with the first shield layer 81. That is, as compared with the module 101 shown in the first embodiment, the overlapping order of the first shield layer 81 and the second shield layer 82 is reversed.
  • the same effect as described in the first embodiment can be obtained. That is, it is possible to obtain excellent shielding characteristics at low cost.
  • the module according to the fourth embodiment based on the present invention will be described with reference to FIG.
  • the module in the present embodiment is the same as the module 101 described in the first embodiment in terms of the basic configuration, but includes the following configurations.
  • the details of the first shield layer 81 provided in the module in this embodiment are shown in FIG.
  • the first shield layer 81 includes a multi-layer structure in which magnetic layers 12 and intermediate layers 13 are alternately laminated and the uppermost layer and the lowermost layer are magnetic layers 12.
  • the multilayer structure includes a magnetic layer 12 having a first thickness and a magnetic layer 12 having a second thickness different from the first thickness. In other words, the ratio of the thickness of the magnetic layer 12 and the intermediate layer 13 changes depending on the portion in the multilayer structure.
  • FIG. 5 A cross-sectional view of the module 104 in this embodiment is shown in FIG.
  • the module 104 has the same basic configuration as the module 101 described in the first embodiment, but has the following configuration.
  • the substrate 1 has a second surface 1b on the side opposite to the first surface 1a.
  • the module 104 includes a component 3c as a second component mounted on the second surface 1b, and a second sealing resin 6b that seals the second surface 1b and the second component.
  • the parts 3c and 3d are mounted on the second surface 1b of the substrate 1.
  • the parts 3c and 3d are sealed with the second sealing resin 6b.
  • An external terminal 4 is provided on the lower surface of the module 104.
  • the external terminal 4 includes a columnar conductor 17 and a solder bump 18.
  • the columnar conductor 17 is arranged on the second surface 1b.
  • the columnar conductor 17 penetrates the second sealing resin 6b.
  • a solder bump 18 is connected to the lower end of the columnar conductor 17.
  • the configuration of the external terminal 4 shown here is just an example, and is not always the same.
  • the columnar conductor 17 may be formed of a protruding electrode, a metal pin, plating, or the like. Further, instead of the columnar conductor, solder bumps may be used.
  • the same effect as described in the first embodiment can be obtained. Since the present embodiment has a double-sided mounting structure, more components can be mounted on the substrate 1.
  • FIG. 6 A cross-sectional view of the module 105 in this embodiment is shown in FIG.
  • the module 105 has the same basic configuration as the module 102 described in the second embodiment, but has the following configuration.
  • the module 105 has a double-sided mounting structure.
  • the structure on the second surface 1b side of the substrate 1 is the same as that described in the fifth embodiment.
  • the same effect as described in the second embodiment can be obtained. Since the present embodiment has a double-sided mounting structure, more components can be mounted on the substrate 1.

Abstract

モジュール（１０１）は、第１面（１ａ）を有する基板（１）と、第１面（１ａ）に実装された第１部品（３ａ）と、フィラー（２３）を含み、第１面（１ａ）および第１部品（３ａ）を封止する第１封止樹脂（６ａ）と、第１封止樹脂（６ａ）の上面および側面ならびに基板（１）の側面を覆うシールド膜（８）とを備え、シールド膜（８）は、磁性材料を含んでおり、第１封止樹脂（６ａ）における、シールド膜（８）が形成される表面である第１表面（６１）ではフィラー（２３）が突出しておらず、第１表面（６１）には窒素官能基が形成されている。

Description

モジュール
　本発明は、モジュールに関するものである。
　従来、モジュールとして、電気シールド機能と磁気シールド機能をともに有する電子回路パッケージが知られている。たとえば、特許第５９８８００３号（特許文献１）には、基板と、基板の表面に搭載された電子部品と、電子部品を埋め込むように基板の表面を覆うモールド樹脂と、モールド樹脂の上面に接して設けられた磁性膜と、磁性膜およびモールド樹脂を覆う金属膜とを備える電子回路パッケージが提案されている。
特許第５９８８００３号
　特許文献１に開示されているモジュールでは、磁性膜を形成する際、モールド樹脂の上面に磁性膜を直接形成している。さらに、磁性膜とモールド樹脂との密着性を改善するために、モールド樹脂の上面に物理的な凹凸を形成したり、表面を改質したり、有機官能性カップリング処理をしてもよいことが示されている。
　この場合、磁性膜が形成されるモールド樹脂の上面は、十分に平坦化されない状態となることがある。そうすると、モールド樹脂全体を覆うように磁性膜を形成するには、磁性膜を厚くする必要が生じ、その結果、シールド対象の低周波ノイズが十分に抑制されなくなるおそれがあった。
　そこで、本発明は、低周波ノイズを十分に抑制することができるシールド特性を有するモジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するため、本発明に基づくモジュールは、第１面を有する基板と、上記第１面に実装された第１部品と、フィラーを含み、上記第１面および上記第１部品を封止する第１封止樹脂と、上記第１封止樹脂の上面および側面ならびに上記基板の側面を覆うシールド膜とを備える。上記シールド膜は、磁性材料を含む。上記第１封止樹脂における、上記シールド膜が形成される表面である第１表面では上記フィラーが突出しておらず、上記第１表面には窒素官能基が形成されている。
　本発明によれば、第１表面の平坦性が向上するので、各層を薄く形成することができ、低周波ノイズを十分に抑制可能なシールド特性を有するモジュールを実現することができる。
本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの第１の斜視図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの第２の斜視図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの断面図である。 図３におけるＺ１部の拡大図である。 第１表面に対して行なわれる工程の第１の説明図である。 第１表面に対して行なわれる工程の第２の説明図である。 第１表面に対して行なわれる工程の第３の説明図である。 本発明に基づく実施の形態２におけるモジュールの断面図である。 本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールの断面図である。 図９におけるＺ２部の拡大図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールに備わる第１シールド層の部分断面図である。 本発明に基づく実施の形態５におけるモジュールの断面図である。 本発明に基づく実施の形態６におけるモジュールの断面図である。 本発明に基づく実施の形態７におけるモジュールの断面図である。
　図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
　（実施の形態１）
　図１～図４を参照して、本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０１の斜視図を図１に示す。モジュール１０１の上面および側面はシールド膜８によって覆われている。モジュール１０１を斜め下から見た斜視図を図２に示す。モジュール１０１の下面には外部端子４が配列されている。図２では、８個の外部端子４が配列されている例を示しているが、これはあくまで一例であり、外部端子４の形状、サイズ、個数、レイアウトはこのとおりとは限らない。モジュール１０１の断面図を図３に示す。図３に示すように、モジュール１０１は基板１を備える。基板１は、第１面１ａとその反対側の面である第２面１ｂとを有する。シールド膜８は、第１シールド層８１と第２シールド層８２とを含む。第１シールド層８１はいわゆる低周波シールド層である。第２シールド層８２はいわゆる高周波シールド層である。第２シールド層８２は第１シールド層８１を外側から覆っている。第１シールド層８１と第２シールド層８２との間には他の層が介在してもよい。基板１にはＧＮＤ電極７が内蔵されている。ＧＮＤ電極７は、基板１の側面に露出している。シールド膜８は、基板１の側面においてＧＮＤ電極７に電気的に接続されている。図３におけるＺ１部を拡大したところを図４に示す。
　モジュール１０１は、第１面１ａを有する基板１と、第１面１ａに実装された第１部品３ａと、フィラー２３を含み、第１面１ａおよび第１部品３ａを封止する第１封止樹脂６ａと、第１封止樹脂６ａの上面および側面ならびに基板１の側面を覆うシールド膜８とを備える。シールド膜８は、磁性材料を含む。第１封止樹脂６ａにおける、シールド膜８が形成される表面である第１表面６１ではフィラー２３が突出しておらず、第１表面６１には窒素官能基２５が形成されている。
　第１封止樹脂６ａは、樹脂成分２１とフィラー２３とを含む。本実施の形態では、第１表面６１においてフィラー２３が突出していないので、第１表面６１は平坦性が高い。なお、第１表面６１においてフィラー２３が突出することなく露出している構成であってもよい。第１表面６１を覆うように第１密着層９ａが配置されている。第１封止樹脂６ａとシールド膜８との間に第１密着層９ａが介在している。第１密着層９ａは遷移金属によって形成されている。
　第１シールド層８１は、１以上の磁性層１２と１以上の中間層１３とを含む。磁性層１２と中間層１３とは交互に積層されている。第１シールド層８１は、磁性層１２と中間層１３とが交互に積層されて形成されたものであり、最上層は磁性層１２であり、最下層も磁性層１２である。中間層１３は導電性を有していてもよい。中間層１３は磁性材料で形成されていてもよい。
　第２シールド層８２は、導電層１４を含む。導電層１４は酸化防止膜１０によって覆われている。第１シールド層８１と第２シールド層８２との間には、第２密着層９ｂが配置されている。
　図４に示した構造を得るための方法について、図５～図７を参照して説明する。第１封止樹脂６ａを形成した直後は、第１表面６１の近傍を拡大すると、図５に示す状態にある。フィラー２３は樹脂成分２１によって結びつけられている。第１表面６１は平滑である。第１表面６１から突出するフィラー２３はほぼない。
　この状態で図６に示すように、第１表面６１に向けて窒素イオン５を照射する。これにより、第１表面６１に元々あった官能基が窒素官能基に変わる。窒素イオン５の照射によって第１表面６１の表層部が若干除去されてもよい。この第１表面６１を覆うように第１密着層９ａを形成することによって、図７に示すようになる。窒素官能基２５の働きにより第１密着層９ａは第１封止樹脂６ａに対して十分に密着して形成される。
　本実施の形態では、第１封止樹脂６ａのシールド膜８に対向する側の表面である第１表面６１は、窒素官能基２５を備えるので、その上側に形成される層と十分に密着することができる。このように密着ができるということは、第１表面６１に密着力向上のための凹凸を意図的に形成する必要がなく、第１表面６１を平坦な状態のままとすることができる。本実施の形態では、第１表面６１においてフィラー２３が突出しておらず、第１表面６１が平坦であるので、第１表面６１の上に形成される他の層を薄く形成することができる。特に、シールド膜８中の第１シールド層８１における磁性層１２が厚い場合、磁気モーメントが膜厚方向を向いて磁束の漏れが発生しやすくなるので、磁束の漏れをなるべく発生させないためには、磁性層１２は薄い方がよい。本実施の形態によれば、第１シールド層８１を薄く形成することができる。したがって、本実施の形態によれば、低周波ノイズを十分に抑制可能なシールド特性を有するモジュールを実現することができる。また、第１シールド層８１が薄くてよいということは、シールド膜８を厚く形成する必要がなくなるので、本実施の形態におけるモジュール１０１では、安価で優れたシールド特性を得ることができる。
　また、シールド膜８中の第１シールド層８１に含まれる中間層１３は、磁性層１２の膜形成時の粒成長を抑制するために設けられるものであるので、磁性層１２よりも薄いことが好ましい。具体的には、磁性層１２の厚みは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、中間層１３の厚みは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
　本実施の形態で示したように、シールド膜８と第１封止樹脂６ａとの間に遷移金属からなる第１密着層９ａが介在していることが好ましい。遷移金属は、第１封止樹脂６ａの第１表面６１に形成した窒素官能基２５と配位結合する性質がある。この構成を採用することにより、シールド膜８を第１封止樹脂６ａに対して密着させることができる。
　本実施の形態で示したように、シールド膜８は、１以上の磁性層１２を含む第１シールド層８１と、第１シールド層８１に重なるように配置された第２シールド層８２とを含み、第２シールド層８２は導電層１４を含むことが好ましい。この構成を採用することにより、低周波の電磁波に対しても高周波の電磁波に対してもシールド効果を持たせることができる。ここで、「低周波の電磁波」とは、周波数１０ＭＨｚ以下（特に１００ｋＨｚ以上１０ＭＨｚ以下）の電磁波を指し、「高周波の電磁波」といった場合、周波数が１０ＭＨｚを超える電磁波を指すものとする。
　本実施の形態で示したように、第２シールド層８２は第１シールド層８１を外側から覆っていることが好ましい。この構成を採用することにより、第２シールド層８２によって第１シールド層８１を保護することができる。
　本実施の形態で示したように、第１シールド層８１と第２シールド層８２との間に第２密着層９ｂが介在していることが好ましい。この構成を採用することにより、第２シールド層８２を第１シールド層８１に対して密着させることができる。
　本実施の形態で示したように、第２シールド層８２は、導電層１４を覆う酸化防止膜１０を含むことが好ましい。この構成を採用することにより、導電層１４の酸化を防止することができる。
　本実施の形態で示したように、第１シールド層８１は、磁性層１２と中間層１３とが交互に積層されかつ最上層および最下層が磁性層１２となっている多層構造を含むことが好ましい。この構成を採用することにより、必要な数だけ積層して、十分なシールド性能を得ることができる。
　（実施の形態２）
　図８を参照して、本発明に基づく実施の形態２におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０２の断面図を図８に示す。本実施の形態におけるモジュール１０２は、基本的な構成に関しては、実施の形態１で説明したモジュール１０１と同様であるが、以下の構成を備える。
　モジュール１０２においては、シールド膜８は、第１封止樹脂６ａの上面のみを覆うように配置された第１シールド層８１と、第１シールド層８１の上面および側面、第１封止樹脂６ａの側面、ならびに基板１の側面を覆うように配置された第２シールド層８２とを含む。第１シールド層８１は、１以上の磁性層１２を含み、第２シールド層８２は、導電層１４を含む。
　本実施の形態においても、安価で優れたシールド特性を得ることができる。本実施の形態では、上面のみが第１シールド層８１および第２シールド層８２の二重のシールド構造となっているので、上方に関しては低周波、高周波のいずれについてもシールドすることができるが、側方に関しては第２シールド層８２で覆われているのみであるので、側方に関しては高周波のみをシールドする状態となっている。用途によっては、このような構成であっても十分である。
　本実施の形態では、第１シールド層８１は第１封止樹脂６ａの上面を覆うのみであるので、集合基板の状態で第１シールド層８１を形成し、個片化した後で第２シールド層８２を形成することも可能である。
　（実施の形態３）
　図９～図１０を参照して、本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０３の断面図を図９に示す。図９におけるＺ２部を拡大したところを図１０に示す。本実施の形態におけるモジュール１０２は、基本的な構成に関しては、実施の形態１で説明したモジュール１０１と同様であるが、以下の構成を備える。
　第１封止樹脂６ａの上面および側面を、まず第２シールド層８２が覆っており、第２シールド層８２の外側を第１シールド層８１が覆っている。すなわち、実施の形態１で示したモジュール１０１に比べて、第１シールド層８１と第２シールド層８２との重なる順序が逆となっている。
　本実施の形態においても、実施の形態１で説明したのと同様の効果を得ることができる。すなわち、安価で優れたシールド特性を得ることができる。
　（実施の形態４）
　図１１を参照して、本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュールは、基本的な構成に関しては、実施の形態１で説明したモジュール１０１と同様であるが、以下の構成を備える。
　本実施の形態におけるモジュールに備わる第１シールド層８１の詳細を図１１に示す。
　第１シールド層８１は、磁性層１２と中間層１３とが交互に積層されかつ最上層および最下層が磁性層１２となっている多層構造を含む。前記多層構造は、第１の厚みの磁性層１２と前記第１の厚みとは異なる第２の厚みの磁性層１２とを含む。言い換えれば、多層構造の中の部位によって、磁性層１２と中間層１３との厚みの比率が変化している。
　電磁波のシールド方法としては、反射、減衰、迂回などがあるが、ノイズの反射が何度か繰り返されると、一部の周波数が強調され、当該周波数のノイズが大きくなる。本実施の形態で示したように、磁性層１２と中間層１３との厚みの比率を変えることにより、透磁率が変化するので、透磁率の違いにより特定の周波数のノイズを逃がしやすくすることができる。
　（実施の形態５）
　図１２を参照して、本発明に基づく実施の形態５におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０４の断面図を図１２に示す。モジュール１０４は、基本的な構成に関しては、実施の形態１で説明したモジュール１０１と同様であるが、以下の構成を備える。
　モジュール１０４においては、基板１は、第１面１ａとは反対側に第２面１ｂを有する。モジュール１０４は、第２面１ｂに実装された第２部品としての部品３ｃと、第２面１ｂおよび前記第２部品を封止する第２封止樹脂６ｂとを備える。
　モジュール１０４においては、基板１の第２面１ｂには、部品３ｃ，３ｄが実装されている。部品３ｃ，３ｄは、第２封止樹脂６ｂによって封止されている。モジュール１０４の下面には外部端子４が設けられている。外部端子４は、柱状導体１７とはんだバンプ１８とを含む。柱状導体１７は第２面１ｂに配置されている。柱状導体１７は、第２封止樹脂６ｂを貫通している。柱状導体１７の下端にははんだバンプ１８が接続されている。ここで示した外部端子４の構成は、あくまで一例であり、この通りとは限らない。柱状導体１７は、突起電極、金属ピン、めっきなどで形成されていてもよい。また、柱状導体に代えて、はんだバンプを用いてもよい。
　本実施の形態においても、実施の形態１で説明したのと同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、両面実装構造となっているので、より多くの部品を基板１に実装することができる。
　（実施の形態６）
　図１３を参照して、本発明に基づく実施の形態６におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０５の断面図を図１３に示す。モジュール１０５は、基本的な構成に関しては、実施の形態２で説明したモジュール１０２と同様であるが、以下の構成を備える。
　モジュール１０５は、両面実装構造となっている。基板１の第２面１ｂ側の構造については、実施の形態５で説明したものと同様である。
　本実施の形態においても、実施の形態２で説明したのと同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、両面実装構造となっているので、より多くの部品を基板１に実装することができる。
　（実施の形態７）
　図１４を参照して、本発明に基づく実施の形態７におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０６の断面図を図１４に示す。モジュール１０６は、基本的な構成に関しては、実施の形態３で説明したモジュール１０３と同様であるが、以下の構成を備える。
　モジュール１０６は、両面実装構造となっている。基板１の第２面１ｂ側の構造については、実施の形態５で説明したものと同様である。
　本実施の形態においても、実施の形態３で説明したのと同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、両面実装構造となっているので、より多くの部品を基板１に実装することができる。
　なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
　なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
　１　基板、１ａ　第１面、１ｂ　第２面、３ａ　第１部品、３ｂ，３ｃ，３ｄ　部品、４　外部端子、５　窒素イオン、６ａ　第１封止樹脂、６ｂ　第２封止樹脂、７　ＧＮＤ電極、８　シールド膜、９ａ　第１密着層、９ｂ　第２密着層、１０　酸化防止膜、１２　磁性層、１３　中間層、１４　導電層、１７　柱状導体、１８　はんだバンプ、２１　樹脂成分、２３　フィラー、２５　窒素官能基、６１　第１表面、８１　第１シールド層、８２　第２シールド層、１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６　モジュール。

Claims (10)

  1. 　第１面を有する基板と、
    　前記第１面に実装された第１部品と、
    　フィラーを含み、前記第１面および前記第１部品を封止する第１封止樹脂と、
    　前記第１封止樹脂の上面および側面ならびに前記基板の側面を覆うシールド膜とを備え、
    　前記シールド膜は、磁性材料を含んでおり、
    　前記第１封止樹脂における、前記シールド膜が形成される表面である第１表面では前記フィラーが突出しておらず、前記第１表面には窒素官能基が形成されている、モジュール。
  2. 　前記シールド膜と前記第１封止樹脂との間に遷移金属からなる第１密着層が介在している、請求項１に記載のモジュール。
  3. 　前記シールド膜は、１以上の磁性層を含む第１シールド層と、前記第１シールド層に重なるように配置された第２シールド層とを含み、前記第２シールド層は導電層を含む、請求項１または２に記載のモジュール。
  4. 　前記第２シールド層は前記第１シールド層を外側から覆っている、請求項３に記載のモジュール。
  5. 　前記第１シールド層と前記第２シールド層との間に第２密着層が介在している、請求項３に記載のモジュール。
  6. 　前記シールド膜は、前記第１封止樹脂の上面のみを覆うように配置された第１シールド層と、前記第１シールド層の上面および側面、前記第１封止樹脂の側面、ならびに前記基板の側面を覆うように配置された第２シールド層とを含み、
    　前記第１シールド層は、１以上の磁性層を含み、前記第２シールド層は、導電層を含む、請求項１または２に記載のモジュール。
  7. 　前記第２シールド層は、前記導電層を覆う酸化防止膜を含む、請求項３から５のいずれか１項に記載のモジュール。
  8. 　前記第１シールド層は、磁性層と中間層とが交互に積層されかつ最上層および最下層が磁性層となっている多層構造を含む、請求項３から７のいずれか１項に記載のモジュール。
  9. 　前記多層構造は、第１の厚みの磁性層と前記第１の厚みとは異なる第２の厚みの磁性層とを含む、請求項８に記載のモジュール。
  10. 　前記基板は、前記第１面とは反対側に第２面を有し、
    　前記モジュールは、
    　前記第２面に実装された第２部品と、
    　前記第２面および前記第２部品を封止する第２封止樹脂とを備える、請求項１から９のいずれか１項に記載のモジュール。
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