TW201233233A - Light emitting device, illuminating system, and illuminating method - Google Patents

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TW201233233A
TW201233233A TW100132595A TW100132595A TW201233233A TW 201233233 A TW201233233 A TW 201233233A TW 100132595 A TW100132595 A TW 100132595A TW 100132595 A TW100132595 A TW 100132595A TW 201233233 A TW201233233 A TW 201233233A
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TW
Taiwan
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light
wavelength conversion
led
emitting
unit
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Application number
TW100132595A
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English (en)
Inventor
Hiroya Kodama
Naoto Kijima
Toru Takeda
Eiji Hattori
Tadahiro Katsumoto
Toshiaki Yokoo
Fumiko Yoyasu
Takashi Kojima
Original Assignee
Mitsubishi Chem Corp
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Description

201233233 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種發光裝置、使用該發光裝置之照明系統 以及照明方法，該發光裝置使用發出可見光區域至近紫外區 域為止之間之既定波長範圍之光的LED晶片、及對該LED 曰曰片所發出之光進行波長轉換的波長轉換構件，該照明方法 用於藉由波長轉換構件對自複數個LED晶片發出之光進行 波長轉換同時將其合成而形成所需之合成光。 【先前技術】 作為發光裝置之光源，自先前廣泛使用有白熾燈或螢光 燈。近年來，除了白熾燈或螢光燈之外，開發且不斷使用有 一種將發光一極體(LED:Light Emitting Diode)或有機電致 發光元件（EL:Electro Luminescence)(有機發光二極體 (OLED;Organic Light-Emitting Diode))等半導體發光元件作 為光源之發光裝置。由於利用該等半導體發光元件可獲得各 種發光色，故組合發光色不同之複數個半導體發光元件並合 成其發光色從而獲得所需之色之發出光的發光裝置亦得以 開發並開始使用。 例如，於專利文獻1中揭示有下述發光裝置，該發光裝置 藉由將使用發光色為紅色之LED晶片之紅色LED、使用發 光色為綠色之LED晶片之綠色LED以及使用發光色為藍色 之LED晶片之藍色LED組合，並調整供給至各LED之驅 100132595 4 201233233 動電流，對由各LED發出之光進行合成，而發出所需之白 色光。 原本由於LED晶片本身之發光光譜寬度較小，故於將 LED晶片本身發出之光直制於照明之情形時，會出現於 普通照明光中較為重要之演色性降低之問題。@此，為了消 除此種問題，藉由螢光财波長轉換構件對晶片所發 出之光進行波長轉換從而發㈣由波長轉換所得 之光的 LED得以開發’組合此種LED之發域置揭示於例如專利 文獻2中。 於專利文獻2之發光裝置中，除了使用發光色為藍色之 LED晶片之藍色LED之外，還使用有：向相同哪晶片組 合由該LED晶片發出之光激發而發出綠色光之綠色營光體 而成之綠色LED、以及向相同咖晶片組合由該㈣晶片 發出之光激發而發出紅色光之紅色螢光體而成之紅色 LED。因此，藉㈣料藍色咖、綠色咖及紅色哪 各自發出之光進行合成而可確保發光裝置所發出之光具有 優異的演色性’並且藉由調整各LED之光輸出，可使發光 裝置所發出之光之色豐富多彩地變化。 通常而言，較佳為可調整為於發光裝置或照明裂置中能夠 獲付各種色溫之白色光L於如專利文獻2之發光裝置 般藉由對藍色LED、綠色LED及紅色咖各自發出之光進 行合成所得所需之發光色之情形時，為了可於既定範圍内變 100132595 5 201233233 更例如白色光之色溫，而需要進行用於適當調整供給至各 LED之驅動電流之複雜控制。 並且，於近年，要求在白熾燈以外之發光骏置中使發光強 度與色溫同時變化從而獲得具有所需之發光強度及色溫之 白色光。亦即要求如下控制：同時控制發光強度及色溫，庐 得具有對所需之發光強度而言最為適合之色溫之白色光。然 而’如專利文獻2般之發光裝置儘管可藉由複雜的控制動作 獲得具有所需色溫之白色光’然而卻難以控制為可獲得如上 述般之具有對所需之發光強度而言最為適合之色溫之白色 光。為了應對此種要求’於例如專利文獻3中揭示可同時控 制發光強度及色溫從而具有所需之發光強度及色溫之發光 裝置。 於專利文獻3之發光裝置中使用有：複數個發光源，其發 出色溫不同之白色光；調光裝置，其為了能夠獲得所需之發 光強度而控制由交流電壓源供給之電壓波形以進行調光；相 位角檢測器，其檢測與調光等級相關之相位角；驅動器控制 部，其基於由相位角檢測裝置供給之相位角資訊決定供給至 各發光源之驅動電流之量；及驅動器，其根據驅動控制部之 指示向各發光源供給既定的驅動電流。如此一來，由於專利 文獻3之發光裝置係根據與發光強度相關之相㈣資訊決
定供給至每個發光源之驅動電流之量，故可獲得具有與發光 強度相適應之色溫之白色光。 X 100132595 6 201233233 並且’於專利文獻4之照明裝置中可使用：第1發光裝置， 其發出第1色溫之白色光；及第2發光裝置，其發出高於第 1色溫之第2色溫之白色光。而且，將第丨及第2發光裝置 之各個之發光色規定為於CIE(1976)L*u*v*表色系統色度圖 ‘中自黑體輻射執跡偏離之偏差Auv處於〇2〜+0.02之範圍 内，藉由調整第i及第2發光裝置各自發出之光之強度，可 使由照明裝置發出之合成光之色溫於第丨色溫至第2色溫之 範圍内變更，並可獲得協調的自然白色光。 於CIEU93DXYZ表色系統之χγ色度圖中，由此種照明 裝置發出之白色光之色度在連結第丨發光裝置所發出之光 之色度點與第2發光裝置所發出之光之色度點之線上移 動，因此不會大幅偏離黑體輻射執跡，從而可獲得協調的 良好的白色光。然而’於該ΧΥ色度圖中，黑體輻射軌跡為 向上凸出之曲線，與此相對，連結第丨發光裝置所發出之光 之色度點與第2發光裝置所發出之光之色度點之線為直 線，因此，自黑體輕射軌跡偏離之偏差根據色溫而增大。 因此’於此種照明裝置中’為了獲得良好的白色光，尚有進 一步改善之餘地。 因此，於專利文獻4中亦提出了顧及該點之照明裝置。亦 即提出了下述照明裝置，該照明裝置除了使用第ι及第2 發光裝置之外，還使用有第3發光健，該第3發光裝置之 發光色色溫處於第1色溫與第2色溫之間，發光色自黑體輕 100132595 η 201233233 射軌跡偏離之偏差Δϋν處於-0.02〜+0.02之範圍内。於該照 明裝置中，藉由調整第1〜第3發光裝置各自發出之光之強 度，而可使由照明裝置發出之白色光之色度更良好地近似於 黑體輻射軌跡地變化。 [先行技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1:日本專利特開2006-4839號公報 專利文獻2 :曰本專利特開2007-122950號公報 專利文獻3 :美國專利第7288902號說明書 專利文獻4 :國際公開第2009/063915號 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 由於在如專利文獻3所揭示之發光裝置中，所有發光源均 係於調光等級之全體範圍内發出光，因此必須考慮於調光等 級之全體範圍内自複數個發光源發出之光之合成，為了獲得 具有所需色溫之白色光，下述問題將出現：計算供給至各發 光源之驅動電流之計算步驟通常較為複雜。當增加發光源 時，相關問題更為顯著。而且，於如專利文獻3所揭示之發 光裝置中，由於如上述般之驅動電流計算步驟通常較為複 雜，故帶給驅動器控制部及驅動器之負擔增大。為了降低此 種帶給驅動器控制部及驅動器之負擔，而需要具有較高處理 能力之驅動器控制部及驅動器，將引起發光裝置之製造成本 100132595 8 201233233 增加之問題。 並且’於專利文獻4之照明裝置中，雖然由照明褒置發出 之白色光之色溫可變，但於使白色光之色溫變化時，亮度並 不會與此對應地適當變化，因此色溫較低時亮度過高，或色 溫較高時亮度聽料起人們未必錢色溫之變化 適之問題點。 ％ 而且，由於使用有發出作為範圍下限色溫之第i色溫之白 色光之第1發光裝置，故於自照明裝置發出第ι色溫之 光之情形時’僅由第i發域置發出之白色光得以使用 2及第3發光裝置為熄燈狀態。因此，於如此自照明裝置發 出第i色溫之白色光之情形時’或者於發出色溫近於第【^ 溫之白色光之情形時’會發出自照明裝置獲得之照明光之總 光通量過度降低之問題。 本發明係鑒於此種課題研究而成者，其目的在於提供—種 -方面可確保優異的演色性，—方面可抑，調整色溫時之不 適宜的光束滅少之發光裝置’亦即提供—種可控制發光強度 及色溫從而獲得具有適於所需發光強度之色溫之光且能抑 制製造成本的發光裴置以及使用該發光裴置之照明系統。 又，本發明之目的在於提供一種照明方法，該照明方法可抑 制發光裝置之製造成本，並且可控制發光強度及色溫從而發 出具有適於所需發光強度之色溫之光。 (解決問題之手段) 100132595 9 201233233 為了達成上述目的，本發明之發光裝置係亮度隨著調光等 級之變動而變動者，其特徵在於，其包括：雜基板；複數 個LED曰曰片’該等係配置於上述佈線基板之哪晶片安裝 面，^出可見絲輕近料區域為止之波長區域t之既定 皮長範圍之光’且射彳分為複數個LED群；波長轉換構件， 其係設置於與±述佈·板之上述㈣W安裝面相對應 ^置對應於上述複數個LED晶片而被分割為複數個波 長轉換區域’上述複數個波長轉換區域係對應於上述· 群而被劃分為複油波長轉換區域，且上述每個波長轉換區 域具有不同的波長轉換躲，上述波長轉換構件對相對應之 LED晶片所發出之光進行波長轉換，發出對於上述每個波長 轉換區域而具有互不相同之色溫的初級光；電流供給部，其 經由上述佈線基板，對上述每個LED群而獨立地向上述led 晶片供給驅動電流；及控制部，其根據自外部輸入之控制信 號控制供給至上述每個led群之電流；且上述控制部係根 據上述調光等級而獨立地控制上述led群之點燈開始時 期。 於上述發光裝置中，亦可隨著自上述電流供給部供給至上 述複數個LED群之電流之總量上升，上述控制部使上述 LED群依序點燈。 於上述發光裝置中，上述複數個LED晶片亦可被劃分為 3個以上之LED群。 100132595 10 201233233 於上述發光裝置卜亦可隨著自上述電流供給部供 述複數個LED群之電流之總量上升，上述控制部自鄉出 色溫較低之上述初級光之上述波長轉換區域相對應的上述 ㈣群起’至與發出色溫較高之上述初級光之上述波長轉換 區域相對應的上述LED群為止，使上述哪群依序點燈。、 於上述發光裝置中，亦可隨著自上述電流供給部供給至五上 述複數個LED群之電流之總量上升，上述控制部增加糾 之LED群。 ‘且 於上述發光裝置中，上述控制部包含：相位角檢測器，盆 接收屬於導通相位諸應於上述調料級而變化之電壓波 形的控制信號，檢測上述導通相位角；及選擇電路，其根據 上述導通相位角而選擇要點燈之LED群。 於上述發光裝置中’上述控制部接收屬於振幅電壓值對應 於上述調光等級而變化之電壓波形的控制信號，根據上述振 幅電壓值而選擇要點燈之LED群。 又，為了達成上述目的，本發明之發光裝置之特徵在於， 其包括：佈線基板；複數個LED曰曰曰片，該等係配置於上述 佈絲板之LED晶>}絲面，發丨可見光區域至近紫外區 域為止之波長區域中之既枝長範圍之光，且被劃分為複數 個LED群；波長轉換構件’其係設置於與上述佈線基板之 上述LED晶片安裝面相對應之位置，對應於上述複數個 LED晶片而被分縣複數個波長轉換區域，上述複數個波 100132595 11 201233233 長轉換區域對應於上述LED群而被劃分為複數個波長轉換 區域’且上.述每個波長轉換區域均具有不同的波長轉換特 性’上述波長轉換構件對相對應之LED晶片所發出之光進 行波長轉換，發出對於上述每個波長轉換區域具有互不相同 之色溫的初級光；電流供給部，其經由佈線基板，對於上述 每個LED群而獨立地向上述LED晶片供給驅動電流；控制
部’其根據自外部輸入之控制信號控制供給至上述每個LED 群之電流篁，隨著自上述複數個波長轉換區域發出之初級光 經合成所得之合成白色光之亮度上升，上述控制部使上述 LED群依序點燈。 於上述發光裝置中，亦可隨著上述合成白色光之亮度上 升，上述控制。卩自與發出色溫較低之上述初級光之上述波長 轉換區域相對應的上述LED群起，至與發出色溫較高之上 述初級光之上述波長轉換區域相對應的上述LED群為止， 使上述LED群依序點燈。 於上述發絲置巾’上述複數個LED W與上述波長變 化構件亦可關設置，II由上述各咖群以及與上述每個 LED群相對應之上述各波長轉換區域，而形成複數個發光 單兀上述複數個發光單元之各個係一體設置，並且形成發 光單元群。 於上述發光裝置中，上述波長變化構件.亦可以覆蓋上述複 數個LED晶片之方式設置，藉由上述各LED群以及與上述 100132595 12 201233233 而形成複數個 設置，並且形 每個LED群相對應之上述各波長轉換區域， 發光單元，上述複數個發光單元之各個係分開 成發光單元群。 於上述發絲置巾，亦可藉由上述複數個咖晶片及上 述波長轉換構件形成—個縣’且具有複數個上述封裳。 又’作為具體的照明系統之構成，例如為包括：佈線基板； 複數個LED晶片’該等係配置於上述佈絲板之咖晶片 安裝面’發出可見光區域至近紫外區域為止之波長區域中之 既疋波長範圍之光’且被劃分為複數個LED群；波長轉換 構件’其係設置於與上述佈絲板之上述LED晶片安震面 相對應之位置’對應於上述複數個LED晶片㈣分割為複 數個波長轉換區域，上述複數個波長轉換區域對應於上述 LED群而被劃分為複數個波長轉換區域，且上述每個波長 轉換區域均具有不同的波長轉換特性，上述波長轉換構件對 相對應之LED晶片所發出之光進行波長轉換，發出對於上 述每個波長轉換區域具有互不相同之色溫之初級光；電流供 給部，其經由上述佈線基板，對於上述每個LED群而獨立 地向上述LED晶片供給驅動電流；指示部，其以合成上述 初級光而獲得具有所需亮度之合成白色光的方式作出指 示，調光部，其根據來自上述指示部之指示，輸出用於使上 述合成白色光之亮度變化之控制信號；及控制部，其根據自 上述調光部輸出之控制信號控制供給至上述每個LED群之 100132595 13 201233233 上述控制部使上 電流量；隨著上述合成白Μ之亮度上升， 述LED群依序點燈。 於上述照明系 々上述合成白色 升，上述控制部自與發出色溫較低之 Μ之儿度上 轉換區域相對應的上述LED n光之上述波長 、+、、/ 述LED群起，至與發出色溫較高之上 、〔初級光之上述波長轉換區域相對應的上述LED群為止， 使上述LED群依序點燈。 於上述照明系統中，亦可隨著上述合成白色光之亮产上 升，上述控制部增加點燈之LED群。 又 於上述照明系統中，自上述調光部輸出之控制信號亦可為 電壓波形，同時導通相位角根據來自上述指示部之指示而變 二’上述控制部亦可包括檢測上述導通相位角之相位角檢測 器及根據上述導通相位角而選擇將點燈之[ED群的 電路。 、评 於上述照明系統中，自上述調光部輸出之控制信號亦可為 電壓波形’同時振幅電麗值根據來自上述指示部之指示而變 化，上述控制部亦可根據上述振幅電壓值選擇要點燈之led 群。 於上述照明系統中，亦可隨著調光等級沿著上述合成白色 光之亮度上升之方向變化，上述控制部增加供給至上述每個 LED群之上述驅動電流的總和。 於上述照明系統中，上述控制部亦可以目標光束0根據目 100132595 201233233 標相關色溫τ而變化。且存在使不等式 -80743·(1000/Τ)5+164973·(1000/Τ)4-135260·(1000/Τ)3+57994·( 1000/Τ)2-13995·(1000/Τ)+1632.9<^/Α0<βχρ{-342.11·(1000/Τ)3+ 450.43 ·( 1000/Τ)2-212.19x( 1000/Τ)+39.47} 成立之常數Α0的方式，設定上述目標相關色溫及目標總 光通量。 進而’用於達成上述目的之照明方法的特徵在於：相對於 被劃分為複數個LED群之複數個LED晶片，向上述每個 LED群獨立地供給電流而使上述每個LED群發光，向對應 於上述複數個LED晶片而被分割為複數個波長轉換區域， 且上述複數個波長轉換區域對應於上述LED群而被劃分為 複數個波長轉換區域，並且上述每個波長轉換區域均具有不 同的波長轉換特性的波長轉換構件供給LED晶片所發出之 光，發出對應上述每個波長轉換區域而具有互不相同之色溫 之初級光，對上述初級光進行合成而形成合成白&光，隨著 上述=成*色光之亮度上升，㈣供給至上述每個咖群 之電流量，使上述LED群依序點燈。 於上述照明方法中，亦可隨著上述合成白色光之亮度上 升’自與發出色溫較低之上述本 初級光之上料轉換區域相
100132595 15 201233233 又’為了達成上述目的，本發明之發光裝置包括：發光單 元群’其包含各自發出之光之色度不同之2個以上的發光單 元’發出自上述發光單元之各個發出之初級光經合成所得之 合成光；及控制手段’其以自上述發光單元群發出之合成光 之色度點位於在CIE(1931)XYZ表色系統之χγ &度圖中於 第1色溫至南於上述第1色溫之第2色溫為止的範圍内預先 s史疋之控制曲線上之方式，控制上述各發光單元之發光；該 發光裝置之特徵在於.上述控制手段具備：目標值設定部， 其設定自上述發光單元群發出之合成光之目標總光通量《或 目標相關色溫Τ之一者，並根據上述一者設定另一者；及 發光控制部，其以使自上述發光單元群發出之合成光之色溫 及總光通量成為藉由上述目標值設定部設定之上述目標總 光通量#及上述目標相關色溫Τ的方式，控制上述各發光單 元之發光；上述目標設定部使上述目標相關色溫τ於至少 3500 Κ至4500 Κ之範圍内依序變化，並且對應於上述合成 光照射之被照射物之對上述發光裝置之要求照度，將4500 Κ之上述目標總光通量4相對於3500 Κ之上述目標總光通 量多而設定為2倍以上且30倍以下。 於上述發光裝置中，上述目標設定部亦可以3500 Κ之上 述被照射物之照度處於100 Lux至500 Lux之範圍内、且 4500 K之上述被照射物之照度處於300 Lux至40000 Lux 之範圍内的方式，設定上述目標總光通量彡。 100132595 16 201233233 於上述發光裝置中，上述目標設定部亦可使上述目標相關 色溫T於2000 K至4500 K之範圍内依序變化，並且對應於 上述要求照度之範圍而將4500 K之上述目標總光通量多相 對於2000 K之上述目標總光通量4設定為10倍以上且1〇〇 倍以下。 於上述發光裝置中，上述目標設定部亦可以2000 K之上 述被照射物之照度處於15 Lux至20Lux之範圍内、且4500 K之上述被照射物之照度處於300 Lux至40000 Lux之範圍 内的方式，設定上述目標總光通量多。 於上述發光裝置中，上述目標值設定部亦可於上述目標相 關色溫T之下限至上限為止之設定範圍内，以存在使不等 式 -80743·(1000/Τ)5+164973·(1000/Τ)4-135260·(1000/Τ)3+579 94·(1000/Τ)2-13995·(1000/Τ)+1632.9< ί^/Α0< exp{-342.11· (1000/Τ)3+450.43·(1000/Τ)2-212.19χ(1000/Τ)+39.47} 成立之常數AO的方式，設定上述目標總光通量多。 於具體構成中，上述發光單元較佳為3個以上。 又，為了達成上述目的，本發明之發光裝置包括：發光單 元群，其包含各自發出之光之色度不同之3個以上的發光單 元，發出自上述發光單元之各個發出之初級光經合成所得之 合成光；及控制手段，其以自上述發光單元群發出之合成光 之色度點位於在CIE(1931)XYZ表色系統之XY色度圖中於 100132595 17 201233233 第1色溫至向於上述第1色溫之第2色溫為止的範圍内預先 設定之向上方凸出之控制曲線上的方式，控制上述各發光單 元之發光，該發光裝置之特徵在於：上述控制手段具備：目 標值設定部，其設定自上述發光單元群發出之合成光之目標 相關色溫T及目標總光通量0 ;及發光控制部，其以使自上 述發光單元群發出之合成光之色溫及總光通量成為藉由上 述目標值設定部設定之上述目標相關色溫T及上述目標總 光通量#的方式’控制上述各發光單元之發光；上述目標值 設定部以上述目標光束根據目標相關色溫T而變化，且存 在使不等式 -80743·(1000/Τ)5+ΐ64973·(1000/Τ)4-ΐ35260·(1000/Τ)3+579 94·(1000/Τ)2-13995.(1000/Τ)+1632·9<《/A0<exp{-342.11. (1000/Τ)3+450.43·(1000/χ)2_2ΐ2.19χ(1000/Τ)+39.47} 成立之常數ΑΟ的方式，設定上述目標相關色溫τ及上述 目標總光通量# ’且以於上述χγ色度圖中以上述發光單元 各自發出之初級光之色度點為頂點而形成之多角形内包含 上述控制曲線的方式，規定上述發光單元各自發出之初級光 之色度。 (發明效果） 根據本發明之發光裝置，可控制發光強度及色溫，從而獲 %•具有適於所需發光強度之色溫之光，並且可抑制製造成 本。 1⑻132595 18 201233233 又，於上述發光裝置中，於隨著供給至複數個LEd群之 電流之總量上升而使該LED群依序點燈之情形時，可使自 發光裝置發出之合成白色光之亮度上升，同時改變該合成白 色光之色溫以便與該亮度之上升相適。 又，於上述發光裝置中，於複數個LED晶片被劃分為3 個以上之LED群之情料’可使自發光裝置發出之合成白 色光沿著CIE( i 931 )XYZ表色系統之xy色度圖中之黑體轄射 執跡而變化。 "、丄地货尤衣罝甲，隨著合成白色光之亮度上升，市 自與發出色溫較低之初級光之波長轉換區域相對應的破 群起，至與發出色溫較高之初級光之波長轉換區域相對 ㈣群為止’#由㈣部使咖龍序點燈，於該情料' 可使自發光裝置發出之合成白色光之亮度上升，同時可改㈣ 該合成白Μ之色溫以便與該亮度之上升相適。 交 二’於上述發光裝置中，於隨著供給至咖群 總篁上升而增加點燈之^ 爪之 置發出之合成白色光之亮^#^，可提高自發光裝 化。 '又"可使5成白色光之色溫變 < 發光奘 形，故可綱以、旦r ’ m於上述控制信號為電愚 作為發綱之發光裝置 100132595 19 201233233 LED群相對應之各波長轉換區域而形成複數個發光單元， 複數個發光單元之各㈣—體設置同時形成發光單元群，於 該情形時，發光單元群之操作變得容易，且可降低發光裝置 之製造工時或製造成本。 作為發光裝置之更具體之構成，可為波長變化構件以覆蓋 複數個LED晶>}之方式設置，藉由各LED群以及與上述每 個LED群相對應之各波長轉換區域而形成複數個發光單 元複數個發光單凡之各個分開設置同時形成發光單元群， 於該情形時’各發料元之配置之自由度增大。 又二根據本發明之照明系統，可控制發光強度及色溫’從 而Uk、有適於所需發光強度之色溫之光，且可抑制製造 本。 又’於上述照明系統中，隨著合成白色光之亮度上升，而 Ux出色恤車乂低之初級光之波長轉換區域相對應的LED 群起，至與翻色溫較高之初級光之波長難區域相對應的 LED群為止，藉㈣制部使咖群依序點燈，因此，於使 ==供給之合成白色光之亮度上升之情形時，可改 交該&成白色光之色溫以便與該亮度之上升相適。 進^«本發明之照明方法，可抑制發絲置之 :度:：:光強度及色溫，發一需發光 又，於上述照明方法中，隨著合成白色光之亮度上升，而 100132595 201233233
自與發出色溫較低之初級光之波長轉換區域相對應的LED 羊I至與發出色溫較高之初級光之波長轉換區城相對應的 群為止，使led群依序點燈，於該情形時，藉由照明 方法而獲得之合成白色光具有適於藉由調光而獲得之所需 亮度之色溫。 於本發明之發光裝置中，藉由各自發出之初級光之色度不 同之3個以上的發光單元構成發光單it群，控制手段以自發 光單70群發出之合成光之色度點位於在⑽(1931)χγζ表色 系2ΧΥ色度圖中於第1色溫至第2色溫為止的範圍内預 先:疋之向上方凸出之控制曲線上的方式，控制發光單元之 發光此時’以於灯色度圖中連接發光單元各自發出之勒 料之色度點而形成之多角形内包含控制曲線的方式， 定發光單元各自發出之初級光之色度，因此，可將自發光駿 置發出之光控制為所需之色度。例如，藉由沿著黑_射執 跡進行調色·調光，可提供更為舒適之照明。 發光k制相自發光單元群發出之合成光之色溫 =控制手段之目標值蚊部·定之目標相關色溫㈣ 制各^單疋之發光，因此若將與目標相關色溫相對 發光單元之發光控制量對應每個發光單元而預先儲存 己隐裝置中’則無須自目標相關色溫重複運算發光控制 量，從而可降低控制手段之運算負荷。 進而’當發光控制部基於由目樑二定部設定之目標相關 100132595 201233233 色溫而控制各發光單元之發光時，係一併控制自發光單元群 發出之合成光之總光通量，故於使照明裝置之照明光之色溫 進行各種變化之情形時，可根據照明裝置之使用目的或使用 者之要求等而一併調整照明光之總光通量。例如，對於白熾 燈而言’使其亮度變化之情形時，亮度越暗色溫越低，因此 藉由使照明裝置之照明光與利用此種白熾燈而獲得之照明 光之變化類似地變化，可消除調整照明光時之不協調。或者 根據照明裝置之使用目的’而可能存在低色溫下不欲過度降 低亮度之情形時，此種照明光之變化亦可實現。 進而，由於係以目標光束4根據目標相關色溫τ而變化， 且存在使不等式 -80743·(10〇〇/Τ)5+ΐ64973·(1000/Τ)4-13526〇·(1000/Τ)3+579 94·(1000/Τ)2-13995·(1000/Τ)+1632.9< ^/A0< exp{-342.11· (1000/Τ)3+450.43·(1〇〇〇/Τ)2-212.19χ(1〇〇〇/Τ)+39.47} 成立之常數AO之方式，設定目標相關色溫t及目標總光 通量4，且以於ΧΥ色度圖中以發光單元各自發出之初級光 之色度點為頂點所形成之多角形内包含控制曲線的方式，規 定發光單元各自發出之初級光之色度，故自發光裝置獲得之 光於色溫變化時始終可確保舒適性。 【實施方式】 下面’參照圖式，基於若干實施例詳細說明本發明之實施 形態。另外’本發明並不限定於以下所說明之内容，於不變 100132595 22 201233233 更其主旨之範圍内可作任意變更 實施例之圖式均係示意性地表示根說明各 了加深理解，會進行部分性的強調、^月之發光襄置，為 有時並未正確地表示各構成構件之縮〜略等’ 各實施例中使用之各種數值均係表示;_ 於 變更。 j J視而要作各種 〈第1實施例〉 (發光部之構成） 圖1係表林實施例之發光I置( 之整體構成之概略的立體圖，圖2係圖i二)中之發光部1 圖。另外，於圖！及圖2中，將發光…發先部1之俯視 X方6… 則山1之寬度方向定義為
方向，將長度方向定義為γ方向 古扑阿度方向定義為Z 圖1所示，發光部1具備包括電絕緣性優異且且有 =㈣熱性之氧化銘系陶变之佈線基板2。於佈線基板2之 女農面2a上’以等間隔沿佈線基板2之寬度方向（亦即 X方向)排列有4個，沿長度方向（亦即γ方向)排列有5個 發光一極體(LED: Light Emitting Diode)晶片 3，合計 20 個。 雖未示於圖1中’於佈線基板2上形成有用於向各該LED 曰曰片3供給電力之佈線圖案，構成下述電路。 另外’佈線基板2之材質並不限定於氧化鋁系陶瓷，例如， 亦可使用選自樹脂、麵環氧樹脂以及於樹脂中含有填充料 之複合樹脂等之材料作為電絕緣性優異之材料而形成佈線 100132595 23 201233233 基板2之本體。或者’於改良佈線基板2之晶片安裝面& 中之光之反射性從而提高發光部1之發光效率之方面，較佳 為使用包含氧化鋁粉末、二氧化矽粉末、氧化鎂、氧化鈦等 白色顏料之聚矽氧;ί封脂。另一方面，為了獲得更優異的散熱 性，而亦可利用屬製造佈線基板2之本體。於該情形時，必 須將佈線基板2之佈線圖案等與金屬製之本體進行電絕緣。 如圖1所示，與安裝有LED晶片3之佈線基板2之晶片 安裝面2a相對向地配設有由玻璃製造之板狀透光基板4。 另外，為方便起見，於圖1中係隔開地表示佈線基板2與透 光基板4，但是，如下所述，實際上佈線基板2與透光基板 4係接近地配置。另外，透光基板4之材質並不限定於玻璃， 亦可使用對LED晶>5 3所發出之光具有透光性之樹脂等而 形成透光基板4。 螢光構件5劃分為第1波長轉換區域ρι及第2波長轉換 區域P2之2個波長轉換區域。與此種螢光構件5之劃分相 對應，安裝於佈線基板2上之各LED晶片3如圖丨及圖2 所不，亦對應於第1波長轉換區域ρι及第2波長轉換區域 P2之各位置而劃分為各LED群。亦即，如圖2所示，於平 面観察發光部1之情形（亦即於發光部丨之χγ俯視圖中）， 對應於該等第1波長轉換區域P1及第2波長轉換區域ρ2 之2個波長轉換區域而分別配置有1〇個LED晶片3。此處， 對應係指與第1LED群D1相對向（以及重疊或疊蓋)地設置 100132595 24 201233233 第1波長轉換區域Pl以及盥第2Lpr>雜m 乂汉^、弟儿ED_D2相對向地設置 第2波長轉換區域j>2之壯能。-^；二 之狀態下面’於區別為對應上述每 個等波長轉換區域地稱呼LED晶片 a /1 J Η牙，係對應於第^波
長轉換區域P1及第2波長棘拖戸杓p0 I 反长轉換5"域P2而於符號末尾分別 附上a或b。根據以上所述，位於與第1波長轉換區域η 相對應之位置之Η)個LEDy 3a構成第丨咖群⑴，位 於與第2波長轉換區域P2減應之位置之1()自咖晶片 3b構成第2LED群D2。 因此，於本實施例中，第1波長轉換區域P1及第2波長 轉換區域P2之各個與對應於其之第11^〇群〇1及第 群D2之組合之各個係相當於本發明之各發光單元。亦即， 第匕^^群以及第！波長轉換區域P1構成第光單元 m，第2LED群D2及第2波長轉換區域P2構成第2發光 單兀U2。統合該等兩個發光單元之發光部丨係相當於本發 明之發光單元群於本實施例中，第1發光單元1；1及第2 ^ 光單元U2係一體設置同時構成作為發光單元群之發光^ 1。另外’下面將第1發光單元U1及第2發光單元1；2各自 發出之光稱為初級光，將對第1發光單元U1及第2發光單 元U2各自發出之初級光進行合成所得並自發光部丨發出之 光稱為合成白色光。 圖3係沿圖2中之m_ni線之發光部1之剖面圖，圖4 係圖3所示之剖面圖之要部放大圖。如圖3所示，透光義板 100132595 25 201233233 4經由複數個間隔件6與佈線基板2接合，如圖4所示，藉 由介设該等間隔件6而於透光基板4與各LED晶片3之間 設置空隙。 此處設置之空隙係按照以由LED晶片3發出之光確實地 到達位於與該LED晶片3相對應之位置之螢光構件5之方 式而預先計算出之距離L1設置。使LED晶片3儘量接近螢 光構件5雖可使LED晶片3所發出之光確實地到達螢光構 件5,然而若LED晶片3過分接近螢光構件5,則存在lED 晶片3所發出之熱將加熱螢光構件5從而招致波長轉換功能 或發光效率降低之擔憂。因此，為了防止此種過分的溫度上 升’較佳為LED晶片3與螢光構件5之間隔為〇.〇1 mm以 上。 並且’若發光部1不懼熱，則亦可不設置此種空隙，使透 光基板4之第1面4a與LED晶片3密接。並且，於LED 晶片3與透光基板4相隔開之情形亦可利用具有透光性之聚 矽氧樹脂、環氧樹脂或玻璃等密封空隙。藉此可將來自LED 晶片3之光有效地引導至螢光構件5° 另外，於本實施例中’係於透光基板4之第2面4b上設 置螢光構件5,亦可於透光基板4之第1面4a亦即佈線基板 2側之面上設置螢光構件5。於該情形亦可與本實施例相同 地於螢光構件5與LED晶片3之間設置適宜的空隙’但是 於不懼熱之情形等，亦可使榮光構件5與LED晶片3密接 100132595 26 201233233 或接近至LED晶片3最前面為止。 (LED晶片） 於本實施例中，LED晶片3係使用發出具有460 nm之峰 值波長之藍色光的LED晶片。具體而言，此種LED晶片有 例如將InGaN半導體用於發光層中之GaN係LED晶片。另 外，LED晶片3之種類或發光波長特性並不限定於此’只 要不脫離本發明之主旨，當可使用各種LED晶片等半導體 發光元件。於本實施例中，較佳為LED晶片3所發出之光 之峰值波長處於420 nm〜500 nm之波長範圍内。 於各LED晶片3之朝向佈線基板2侧之面上，設置有p 電極7及η電極8。對於圖4所示之LED晶片3，ρ電極7 係與形成於佈線基板2之晶片安裝面2a上之佈線圖案9接 合’並且η電極8係與同樣形成於晶片安裝面2a上之佈線 圖案10接合。該等p電極7及η電極8係經由未圖示之金 屬凸塊藉由焊接而連接至佈線圖案9及佈線圖案丨〇。其他 LED晶片3亦係同樣地將各自之ρ電極7及η電極8接合 至對應於各LED晶片3而形成於佈線基板2之晶片安裝面 2a上之佈線圖案。 另外’將LED晶片3安裝至佈線基板2之方法益不限定 於此’可根據LED晶片3之種類或構造等選擇適宜的方法。 例如，既可於將LED晶片3黏著固定至佈線基板2之既定 位置之後，藉由線接合將各LED晶片3之2個電極連接至 100132595 27 201233233 相對應之佈線圖案，亦可將一電 佈線圖案，並藉由線接合將另一 案。 (螢光構件） 極如上述般接合至相對應之 電極連接至相對應之佈線圖 如上所述，螢光構件5對應於第1LED群EU及第2LED 群D2而劃分為第1波長轉換區域pl及第2波長轉換區域 P2之2個波長轉換區域。第i波長轉換區域ρι及第2波長 轉換區域P2分散簡有對自LED晶片3發出 轉換從而發出具有各種波長之光的各種營光體。作為各種營 光體’可以使用對LED晶片3所發出之藍色光進行波長轉 換從而發出紅色光之紅色螢光體（第丨f光體）、對_晶片 3所發出之藍色光進行波長轉換從而發出綠色光之綠色:光 體（第2螢光體）以及對LED晶片3所發出之藍色光進行波 長轉換從而發出黃色光之黃色螢光體（第3螢光體）。另外， 亦可進一步使用對㈣晶片3所發出之藍色絲行波長轉 換從而發出橙色光之橙色螢光體（第4m光 螢絲、綠w光體及黃色營 光體之全部’只要可自螢光構件5發岣需之初級光，則亦. 可自上述營光體中選擇1種或2種以上之鸯光體。例如，榮 光構件5可分散㈣紅色螢光體及綠色以體，而不分散保 持黃色螢光體。 於此，對上述各榮光體之具體例於下面進行說明。另外， 100132595 28 201233233 該等螢光體係例示本實施例之較佳螢光體，可應用之螢光體 並不限定於此，只要不脫離本發明之主旨，當可應用種類繁 多之螢光體。 (紅色螢光體） •紅色螢光體之發光峰值波長之較好的波長範圍通常為 570 nm以上，較佳為580 nm以上，更佳為585 以上， 通常為780 nm以下，較佳為7〇〇 nm以下，更佳為 以下。其中紅色營光體例如較佳為：（Ca、&、Β&碗(N、 〇)8:Eu、（Ca、Sr、Ba)si(N、〇)2:Eu、（Ca、〜、Β&)·(Ν、 o)3:Eu、（Sr、Ba)3Si〇5:Eu、（Ca、Sr)s:Eu、SrAisi4N7:Eu、 (La、Y)202S:Eu、Eu(二苯曱醯曱烧)3. u〇啡啉錯合物等^ 二酮系Eu錯合物、鲮酸系恥錯合物、κ^ρ6:Μη;更佳為： (Ca、Sr、Ba)2Si5(N、0)8:Eu、（Sr、Ca)A1Si(N、〇)3:Eu、
SrA1Si4N7:Eu、（La、Y)2〇必Eu、Κ^6:Μη(其中 Si 之一部 分亦可由A1或Na取代）。 (綠色螢光體） 、、亲色榮光體之發光峰值波長之較好的波長範圍通常為 500 nm以上’較佳為51〇 nm以上，更佳為515啦以上， 通常為未滿550 nm，較佳為542 nm以下，更佳為535 nm 以下。其中綠色榮光體例如較佳為：Y3(M、Ga)爪: CaSC204:Ce、Ca3(SC、Mg)2Si3〇i2:Ce、⑸、Ba)2Si〇4:Eu、⑸、 A1)6(〇、N)8:EU( $ ·塞隆）、（Ba、Sr)3Si6〇12:N2:Eu、 100132595 29 201233233
SrGa2S4:Eu、BaMgAl10〇17:Eu、Μη 〇 (黃色螢光體） 黃色螢光體之發光峰值波長之較好的波長範圍通常為 530 nm以上，較佳為540 nm以上，更佳為550 nm以上， 通常為620 nm以下，較佳為600 nm以下，更佳為580 nm 以下。其中黃色螢光體例如較佳為：Y3Al5〇12:Ce、（Y、 Gd)3Al5012:Ce、（Sr、Ca、Ba、Mg)2Si04:Eu、（Ca、 Sr)Si2N202:Eu、a -塞隆、LasSkNvCe(其中其一部分亦可由 Ca或Ο取代）。 (橙色螢光體） 可較好地使用發光峰值波長處於580 nm以上，較佳為590 nm以上，620 nm以下，較佳為610 nm以下之範圍之橙色 螢光.體來代替紅色螢光體。此種橙色螢光體有：（Sr、
Ba)3Si05:Eu、（Sr、Ba)2Si04:Eu、（Ca、Sr、Ba)2Si5(N、〇)8:Eu、 (Ca、Sr、Ba)AlSi(N、0)3:Ce 等。 並且’第1波長轉換區域PI及第2波長轉換區域j>2之 紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之質量及混合比率不 同。因此’經波長轉換地自第1波長轉換區域P1發出之紅 色光、綠色光及黃色光以及未經波長轉換地發出之藍色光之 比率、與經波長轉換地自第2波長轉換區域p2發出之紅色 光、綠色光及黃色光以及未經波長轉換地發出之藍色光之比 率不同。因此，作為對自第1波長轉換區域P1發出之紅色 100132595 30 201233233 光、、綠色光、頁色光及藍色光進行合成所得之初級光的白色 光、與作為對自第2波長轉換區域p2發出之紅色光、綠色 光、黃色光及藍色光it行合成所得之初級光的白色光具有互 不相同之色溫。 另外，亦可使分散保持於第工波長轉換區域pl及第2波 長轉換區域P2中之螢光體之種類數互不相同，例如，亦可 僅於第1波長轉換區域P1中分散保持紅色螢光體，使得第 1波長轉換區域P1及第2波長轉換區域p2各自發出之初級 光之色溫相異。 繼而’參照圖5對第1波長轉換區域P1及第2波長轉換 區域P2中之螢光體之混合比率之規定方法進行說明。圖5 係CIE(1931)XYZ表色系統之Xy色度圖中之黑體輻射執跡 BL周邊之要部放大圖。於本實施例中，以自包括第1LED 群D1及第1波長轉換區域P1之第1發光單元U1發出之初 級光具有圖5中之色度點T1(約2700 K)之色度之方式，規 定第1波長轉換區域P1中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃 色螢光體之混合比率。並且，以自包括第2LED群D2及第 2波長轉換區域P2之第2發光單元U2發出之初級光具有圖 5中之色度點Τ2(約6500 K)之色度之方式，規定第2波長轉 換區域Ρ2中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之混 合比率。 另外’較佳為自第1發光單元m及第2發光單元U2之 100132595 31 201233233 各個發出之初級光之色度點之CIE(1931)ΧΥΖ表色系統y值 均為0.65以下。於y值超過0.65之情形時，各發光單元中 之可見光之取光效率會惡化’無法使發光裝置整體有效地發 光。另一方面，於使用如下所述之發出近紫外光之led晶 片代替發出藍色光之LED晶片3之情形時’ y值亦可超過 0.65。 藉由利用上述方法規定各波長轉換區域中之螢光體之混 合比率’而可使自第2發光單元U2發出之初級光之色溫高 於自第1發光單元U1發出之初級光之色溫。 於本實施例中，紅色螢光體係使用（Sr、Ca；hAlSm3 : Eu， 綠色螢光體係使用CaASc、MgLShC^2 : Ce，黃色螢光體係 使用YsAlsOn : Ce。並且，如圖6所示，第1波長轉換區 域P1中之螢光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體： 黃色螢光體=〇.24: 1:0.05,第2波長轉換區域p2中之螢 光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體：黃色螢光體= 0 : 0.9 : 0.1 。 而且’第1波長轉換區域P1與第2波長轉換區域Μ具有不 同之膜厚。具體而言’如圖6所示，第丨波長轉換區域ρι之膜 厚為11〇π ’第2波長轉換區域p2之膜厚為。 (發光裝置之電路構成） 如上所述’於本實施例之發光裝置中，自第1發光單元 m及第2發光單元U2之各個發出之初級光之色溫係設定為 100132595 32 201233233 互不相同，對自該等發光單元發出之初級光進行合成所得之 合成白色光係自發光裝置發出。因此，於本實施例之發光裝 置中，藉由使自第1發光單元U1及第2發光單元U2之各 個發出之初級光之總光通量（亦即發光強度或亮度）變化，而 調整自發光裝置射之合成白色光之總光通量，並根據該合成 白色光之總光通里使合成白色光之色溫變化，而發出具有所 需之總光通量及適於該總光通量之色溫之合成白色光。下 面，參照圖7對構成為可發出如上所述之具有所需強度及適 於該總光通量之色溫之合成白色光的發光裝置之電路進行 說明。 圖7係表示本實施例之發光裝置u及照明系統12之電路 構成之概略的電路圖。如圖7所示，照明系統12具有：發 光裝置11，其為電燈泡或_素燈等各種照明器具；調光部 13，其連接於發光裝置11 ;及指示部14，其連接於調光部 13。並且，發光裝置Π係由發光部丨、電流供給部15及控 制部16構成。 發光部1具有上述第1LED群D1之LED晶片3a及第
2LED群D2之LED晶片3b。作為第ileD群D1及第2LED 群D2之具體構成’第iled群D1之1〇個LED晶片3a係 極性相同地互相串聯，同樣，第2LED群D2之1〇個 晶片3b亦係極性相同地互相串聯。並且，第iLED群D1 及第2LED群D2係經由下述開關電路15c而互相並聯。另 100132595 33 201233233 外，同一 LED群内之LED晶片3之連接形態並不限定於串 聯’亦可例如使LED晶片3極性相同地互相並聯。 調光部13與指示部14、電流供給部15、控制部16及交 流電壓源vAC連接。調光部13根據由指示部14供給之指示 信號(表示調光等級之信號）’對由交流電壓源Vac供給之交 流電壓之波形之導通相位角進行控制，生成交流調光電壓 並且，調光部13將所生成之調光電壓呵AC)供 給至電流供給部15及控制部16。例如，調光部13係包括 作為相位控制元件使用之三端雙向可控矽開關元件（雙向可 控矽）之調光電路。 此處，調光等級可由以下數式表示。 ⑴ 調光等級= 最大供給電流係指供給至發光裝置14(更具體而言為發光 部1)之最大的電流，實供給電流係指實際供給至發光裝置 u(更具體而言為發光部D之電流。亦即，於調光等級為〇% 之情形時’向發料i供給最大電流，當調光等級增加時， 供給至發光部1之電流量減少。 如圖8所示’指示部14具備.：操作旋紐^，其供使用 本實施例之發光裂置u之使用者進行操作；及本體⑽， 其内裝有用於檢測操作餘14a之操作位置然後生成指示 信號，並向調光部13發送該指示信號之電路(省略圖 100132595 34 201233233 操作旋鈕14a藉由使用者之操作而轉動，如圖8所示，本體 14b顯示越順時針轉動操作旋知i4a則越可使自發光裝置^ 發出之合成白色光之總光通量（發光強度或亮度）上升。既可 • 使核作旋钮14a與此種本體14b之標記相對應地階段性地轉 .動’亦可使其能連續性地轉動。 電流供給部15係由整流電路15a、電壓電流轉換電路l5b 及開關電路15c構成。整流電路15a為由4個二極體構成之 全波整流電路或包括一個二極體之半波整流電路。整流電路 15a與調光部13連接，其將由調光部13供給之交流調光電 壓乂加叫从彡轉換為直流調光電壓電壓電流轉換電 路15b將由整流電路15a供給之直流調光電壓Vdim(dc)轉換 為供給至LED晶片3之驅動電流。因此，驅動電流係根據 導通相位角而增減。開關電路15c由電晶體Qi、q2構成。 電晶體Ql、Q2各自之集電極與第1LED群D1及第2LED 群D2之最陰極侧端部連接，電晶體qi、Q2之發射極與電 壓電流轉換電路15b連接，電晶體Q1、Q22基極與控制部 16連接。另外，電流供給部15不具備整流電路15a，亦可 將交流驅動電流供給至LED晶片3。於該情形時，LED晶 片3係週期性地發光。 根據如上所述之調光部13、指示部14及電流供給部15 之構成及連接關係，僅藉由轉動操作旋紐14a即可調整供給 至led晶片3之驅動電流之量（電流供給量並且，藉由 100132595 35 201233233 調整供給至發光部1之電流量，而可自發光裝置u發出具 有所需總光通量之合成白色光（亦即調光）。 控制部16由相位角檢測器16a、記憶體16b及選擇電 16c構成。相位角檢測器16a與調光部13連接，檢剛於= 光部13中受控制之導通相位角。記憶體16b中儲存有根^康 導通相位角而應供給至電晶體q1、q2之基極之電壓值次 料。此處，電壓值資料不是用於單使電晶體q〗、q2開啟= 關閉的資料，而是用於藉由變更施加至電晶體Ql、Q2之義 極的基極電壓Vs之電壓值而變更由電壓電流轉換電路工讣 供給至第1LED群D1及第2LED群D2之各個之驅動電流 的資料。選擇電路16c對照由相位角檢測器16a檢測出之導 通相位角與儲存於記憶體中之電壓值資料，決定應施加至電 晶體Q卜Q2之基極電壓乂3之電壓值。繼而，選擇電路16β 將具有該經決定之電壓值之基極電壓Vs施加至電晶體 Q卜Q2之基極。 如此一來，由於控制部16係根據交流調光電壓 而獨立地使電晶體Ql、Q2進行開啟驅動，因此可根據自發 光部1發出之合成白色光之總光通量，自發光單元及發 光單元U2之兩者或者自發光單元υ〗或發光單元U2中之 任一者發出初級光。並且，控制部16係根據調光等級變更 她加至電晶體Ql、Q2之基極的基極電麼乂5之電壓值，從 而變更由電壓電流轉換電路15b供給至第11^〇群〇1及第 100132595 36 201233233 2LED群D2之各個之驅動電流之大小，因此，可調整自發 光單元U1及發光單元U2發出之初級光之總光通量。並且， 如上所述’第1波長轉換區域P1及第2波長轉換區域p2 之螢光體之重量、混合比率及膜厚互不相同，故自第丨波長 轉換區域P1及第2波長轉換區域P2發出之初級光之色溫不 同。根據以上所述，於本實施例之發光裝置n中，當為了 獲得所需總光通量而變更調光等級時，可根據該調光等級使 自發光裝置11發出之合成白色光之色溫亦進行變化。 (發光部之控制） 奚發光裝置11之使用者操作操作旋钮14a時，指示部14 之本體14b檢測操作旋鈕14a之位置’並將基於檢測到之操 作旋钮14a之位置之指示信號（表示調光等級之信號)供給至 調光部13。調光部13基於由指示部14供給之指示信號， 對由交流電壓源VAC供給之交流電壓之波形之導通相位角 進行控制，生成交流調光電壓Vdim(ac)。作為具體的控制方 法，調光部13藉由輸入相對於由交流電壓源供給之交流正 弦波形之零交叉點而具有任意相位差之觸發脈衝，而控制導 通相位角。因此，當所供給之指示信號變動時，調光部Η 與所供給之指示信號之變動相對應地使觸發脈衝之相位差 變動’從而控制導通相位角。 電流供給部15之整流電路i5a將由調光部13供給之交流 調光電壓Vd^aq轉換為直流調光電壓Vdim(dc)，並將該直 100132595 37 201233233 流調光電壓Vdim(dc)供給至電壓電流轉換電路15b。電壓電 流轉換電路15b將由整流電路15a供給之直流調光電壓 VDIM(DC)轉換為用於供給至LED晶片3之驅動電流，並將該 驅動電流供給至第1LED群D1及第2LED群D2。因此，驅 動電流係根據交流調光電壓VDIM(AC)2導通相位角而增減。 控制部16根據由調光部13供給之交流調光電壓Vdim(ac) 而選擇性地使電晶體Ql、Q2進行開啟驅動’並控制施加至 電晶體Ql、Q2之基極的基極電壓Vs之電壓值，控制流至 每個LED群之驅動電流之大小。於此，當向電晶體q卜q2 之基極施加相等之電壓時，流至第iLED群D1及第2LED 群D2之驅動電流之量變得相等。並且，於不向電晶體Qi、 Q2之基極施加基極電壓vs之情形時，電晶體Q卜Q2不進 行開啟驅動’因此，即便自電壓電流轉換電路15b向第1LED 群D1及第2LED群D2供給驅動電流，驅動電流亦不會流 至第1LED群D1及第2LED群D2，從而LED晶片3不會 發光。於本實施例中，當自未施加基極電壓Vs之狀態起逐 漸使基極電壓Vs上升時，電晶體Q1開啟驅動。 本實施例之控制部16之詳細控制方法如下所述。控制部 16之相位角檢測器16a根據由調光部π供給之調光電壓 Vdin^ac}檢測於調光部13中受控制之導通相位角。具體而 言’相位角檢測器16a係根據調光電壓Vdim(ac)之電壓波形 (控制信號)檢測導通相位角。相位角檢測器l6a將表示檢測 100132595 38 201233233 出之導通相位角之資料信號供給至選擇電路16c。為了根據 所供給之導通相位角決定施加至電晶體Q1及92之基極的 基極電壓vs之電壓值，選擇電路16c對儲存於記憶體16b 中之電壓值資料與表示所供給之導通相位角之資料信號進 行對照。繼而，選擇電路16c將具有藉由該對照而決定之電 壓值之基極電壓Vs施加至電晶體qi、之基極。藉此， 電晶體Q卜Q2中之任一者或兩者進行開啟驅動，並且供給 至第1LED群D1及第2LED群D2之驅動電流之大小根據 施加至電晶體Q1、Q2之基極的基極電壓ys之電壓值而受 到控制，從而自第1發光單元U1及第2發光單元U2中之 一者或兩者發出具有與調光等級相對應之總光通量以及與 各波長轉換區域相對應之色溫之初級光。 繼而，參照圖9及圖1〇 ’對為了自發光裝置^發出具有 所需總光通量以及適於該總光通量之色溫之合成白色光而 如何向電晶體Ql、Q2之基極施加基極電壓vs、以及如何 控制供給至第1LED群Di及第2LED群D2之驅動電流之 大小進行說明。圖9係表示調光部13之調光等級與自發光 裝置11發出之合成白色光之發光強度之關係的圖表。圖1〇 係表示自發光裝置U發出之合成白色光之總光通量（單位： "丨1月（lm))與色溫（單位：克耳文(κ))之關係的圖表。 首先’於操作操作旋鈕14a而以自發光裝置11發出最暗 的合成白色光之方式開始LED群之點燈之情形時，僅電晶 100132595 39 201233233 體Q1進仃開啟驅動，僅自第】發光單元⑴發出初級光。 亦P此時自發光裳置11發出之合成白色光係僅由自第1
發光單元U1發屮夕、 L 奴出之初級光構成。於圖9及圖10中，相關之 第1LED群D1夕甲μ k 之點燈開始係由點A表示。 " 步操作操作旋紅14a而調光為發出更亮的合成白色 光（亦即降低調光等級)時，供給至帛1LED群D1之驅動電 加自第1發光單元U1發出之初級光之總光通量增加。 相關之總光通量之增加係相當於圖9之圖表上之曲線9A部 分。並且，由於螢光體之合成比率係調整為自第1發光單元 U1發出之初級光之色溫為約 2700 K，因此，於僅自第1發 光單元U1發出初級光之情形時，自發光裝置11發出之合成 白色光之色溫維持在約2700 K。相關之色溫得以維持之同 時總光通量增加之情形係相當於圖10之實線10A。 當進一步操作操作旋鈕14a而調光等級進一步降低時，施 加至電晶體Q1之基極的基極電壓Vs之電壓值藉由控制部 16控制為流至第1LED群D1之驅動電流不再增加，從而自 第1發光單元U1發出之初級光之總光通量不再增加。將此 種總光通量不再增加之狀態定義為第1發光單元U1之全部 燈亮狀態。此種總光通量不再增加之狀態係相當於圖9之圖 表上之直線9B部分。如此使總光通量不再增加係為了防止 過剩的驅動電流帶給LED晶片3之熱影響。 當自如上所述之合成白色光之總光通量之增加得到抑制 1⑻132595 40 201233233 之狀fe起進步彳呆作操作旋紐l4a而調光等級進一步降低 時’電晶體Q2亦進行開啟驅動，從而第2LED群開始點燈， 亦自第2發光單元U2發出相級光。此時’控制部以維 持第1發光單元U1之全部燈亮狀態之方式，向電晶體Q1 之基極施加基極電壓Vs。於圖9及圖1〇中，相關狀態係由 點B表示。 當自第2LED群開始點燈起進一步操作操作旋鈕Ma而調 光等級進一步降低時，以維持第丨發光單元1；1之全部燈亮 狀態之同時自第2發光單元U2發出之初級光之總光通量增 加之方式，向電晶體Ql、q2之基極施加基極電壓Vs。相 關之總光通量之增加係相當於圖9之圖表上之曲線9C部 分。並且，由於螢光體之合成比率係調整為自第2發光單元 U2發出之初級光之色溫為約6500 κ，故當自第2發光單元 U2發出之初級光之總光通量增加時，自發光裝置u發出之 合成白色光之色溫係以接近65〇〇 κ之方式增加。相關之色 溫之增加係由圖10之實線10B表示。 當進一步操作操作旋鈕14a而調光等級進一步降低時，施 加至電晶體Q2之基極的基極電壓Vs之電壓值藉由控制部 16控制為不僅流至第1LED群D1之驅動電流不再增加， 至第2LED群D2之驅動電流亦不再增加，從而自第2發光 單元U2發出之初級光之總光通量不再增加。亦即，第2發 光單元U2亦進入全部燈亮狀態。此種第〗發光單元u〗及 100132595 41 201233233 第2發光單元U2之全部燈亮狀態儀相a於 直線9D部分。另外，於第1發光單 U2之全部燈亮狀態中，自發光敦4 圖9之圖表上之 元U1及第2發光單元 發出之合成白色光之 色溫雖未達到6500 K ’但卻會读&丨y 中之點C)。 沒到約5300 K(圖9及圖10 於如上所述之控制中， Ql、Q2進行開啟驅動， 1LED群D1的LED晶片3a :、根據光等級獨立地使電晶體 因此可根據調光等級控制構成第 之發光開始時序以及構成第 2LED群D2的LED晶片3b之發光開始時序。亦即，於本 實施例之發光裝置11中，可根據調光等級獨立地控制第 1LED群D1及第2LED群D2之點燈開始時序（點燈開始時 期）。換言之，於本實施例之發光裝置11中，每個LED群 之驅動電流供給開始時序不同，該電流供給開始時序係根據 調光等級而對應每個LED群作為電流供給開始調光等級而 設定，根據由指示部14供給之指示信號(表示調光等級之信 號)與該電流供給開始調光等級之關係而選擇將點燈之LED 群。 並且’當第1 LED群D1開始點燈然後第1發光單元ui 進入全部燈亮狀態時，第2LED群D2開始點燈。亦即，隨 著供給至第1LED群D1之電流量上升，第2LED群D2開 始點燈。並且，在自第2發光單元U2發出之初級光之總光 通量增加期間’第1發光單元U1之全部燈亮狀態得以維 100132595 42 201233233 持，故於第2LED群D2開始點燈之後，合成白色光之色溫 與自發光裝置11發出之合成白色光之總光通量之増加相對 應地接近自第2發光單元U2發出之初級光之色溫（亦即色溫 增加）。通常，於總光通量較低之情形時，色溫較低之白色 光（亦即自白熾燈發出之光）較佳，於總光通量較高之情形 時，色溫較髙之白色光（亦即自螢光燈發出之光)較佳，因此 於本實施例之發光裝置11及照明系統12中，隨著合成白色 光之總光通量增加，色溫亦同時得到控制，從而可發出具有 所需總光通量以及適於該總光通量之色溫之合成白色光。 圖11〜圖14係記載本實施例之發光裝置之光線追蹤模擬 結果。圖11係表示於僅第1LED群D1點燈之模式（第j點 燈模式）、第1LED群D1及第2LED群D2點燈之模式（第2 點燈模式）中自發光裝置U發出之合成白色光之相關色溫、 於CIE1931中之Cx、Cy值、平均演色評估值及總光通量之 模擬結果。圖12係示為於第1點燈模式及第2點燈模式中 自發光裝置11發出之合成白色光之分光發出通量譜的圖 表。圖13係於第1點燈模式及第2點燈模式中將圖u所示 之相關色溫之模擬結果設為橫軸、將總光通量之模擬結果設 為第1縱軸、將平均演色評估值設為第2縱軸地表示總光通 量相對於相關色溫之變化以及平均演色評估值相對於相關 色溫之變化的圖表。圖14係將於第1點燈模式及第2點燈 模式中自本實施例之發光裝置n發出之合成白色光之Cx、 100132595 43 201233233
Cy值之模擬結果示於CIE1931之色溫座標上的圖表。 (L E D群及波長轉換區域之圖案形狀之變形例） 於上述實施例中，螢光構件5係劃分為長方形狀之1個第 1波長轉換區域P1及長方形狀之1個第2波長轉換區域 P2,但本發明並不限定於此。例如，亦可如圖15(a)〜圖15(b) 所示般將螢光構件5劃分為第1波長轉換區域P1及第2波 長轉換區域P2。另外，於圖15(a)〜（d)中，係表示16個LED 晶片3配置為4行χ4列之情形。 如圖15(a)所示，螢光構件5係劃分為長方形狀之2個第 1波長轉換區域Ρ1及長方形狀之2個第2波長轉換區域 Ρ2，第1波長轉換區域Ρ1及第2波長轉換區域Ρ2亦可交 互（亦即條狀）配置。並且，交互配置之第1波長轉換區域Ρ1 及長方形狀之第2波長轉換區域Ρ2之各個於圖15(a)中之平 面狀面積相等，並具有相同的平面形狀。而且，雖未圖示符 號，包括LED晶片3a之第1LED群D1及包括LED晶片 3b之第2LED群D2亦係交互地劃分，第1LED群D1與第 1波長轉換區域P1相對向，第2LED群D2與第2波長轉換 區域P2相對向。因此，4個LED晶片3a係設置為與1個 第1波長轉換區域P1相對向，4個LED晶片3b係設置為 與1個第2波長轉換區域P2相對向。 配置於1個第1LED群D1内之4個LED晶片3a既可串 聯又可並聯。並且，與隔開劃分之2個第1波長轉換區域 100132595 44 201233233 P1相對向之2個第1LED群D1彼此之間既可串聯又可並 聯。同樣，配置於1個第2LED群D2内之4個LED晶片 3b既可串聯又可並聯。而且，與隔開劃分之2個第2波長 轉換區域P2相對向之2個第2LED群D2彼此之間既可串 聯又可並聯。 如圖15(b)所示，螢光構件5亦可劃分為正方形狀之1個 第1波長轉換區域P1及環狀之1個第2波長轉換區域P2， 並且第1波長轉換區域P1及第2波長轉換區域P2係配置 為第2波長轉換區域P2包圍第1波長轉換區域P1之外周 部分。並且，雖未圖示符號，複數個LED晶片3亦係劃分 為正方形狀之第1LED群D1及環狀之第2LED群，並配置 為第2LED群D2包圍第1LED群D1，並且第1LED群D1 與第1波長轉換區域P1相對向，第2LED群D2與第2波 長轉換區域P2相對向。因此，4個LED晶片3a係設置為 與第1波長轉換區域P1相對向，12個LED晶片3b係設置 為與第2波長轉換區域P2相對向。 配置於第1LED群D1内之4個LED晶片3a既可串聯又 可並聯。同樣，配置於第2LED群D2内之12個LED晶片 3b既可串聯又可並聯。 如圖15(c)所示，螢光構件5亦可劃分為長方形狀之2個 第1波長轉換區域P1及長方形狀之1個第2波長轉換區域 P2，並且第1波長轉換區域P1及第2波長轉換區域P2係 100132595 45 201233233 配置為2個第1波長轉換區域P1夾持第2波長轉換區域 P2。2個第1波長轉換區域P1之各個之面積相等，並具有 相同的平面形狀。並且，圖15(c)中之第2波長轉換區域P2 之平面狀面積係第1波長轉換區域P1之平面狀面積之2 倍。而且，雖未圖示符號，包括LED晶片3a之第1LED群 D1亦係配置為夾持包括LED晶片3b之第2LED群D2，第 1LED 寒D1 與第 1 说 e __ /皮長轉換區域P1相對向，第2LED群 D2與第2波長轉換區域 A P2相對向。因此，4個LED晶片 3a係設置為與1個第1、、由
及長轉換區域P1相對向，8個LED 晶片3b係設置為盥第？、士 E 〃弟2波長轉換區域p2相對向。 配置於1個第1LED群咖 f川内之4個LED晶片3a既可串 聯又可並聯。並且，鱼隔 ，、隔開釗分之2個第1波長轉換區域 Ρ1相對向之2個第1Led , 群叫彼此之間既可串聯又可並 内之8個LED晶片3b既 聯。冋樣’配置於第2LED群的 可串聯又可並聯。 如圖15(d)所不，螢光播彼 ^構件5亦可劃分為格子狀，並且正 方形狀之8個第i波長 才子狀並且正 沾真鹼揸F η μ〆 A P1及正方形狀之8個第2 波長轉換&域P2係交互配置 ^ pi » ^ ^ 並且，父互配置之第1波長 轉換區域P1及長方形狀之 ⑼ ^ ^ ις, ^ τ 弟2波長轉換區域Ρ2之各個於 圖15(a)中之平面狀面積 分、 即麓]冰隸# 具有相同的平面形狀。亦 為棋盤格式樣狀。而且，雖2 &⑽_域P2係配置 且雖未圖示符號，包括LED晶片3a 100132595 46 201233233 之第1LED群D1及包括LED晶片3b之第2LED群D2亦 係交互地劃分，第1LED群D1與第1波長轉換區域P1相 對向，第2LED群D2與第2波長轉換區域P2相對向。亦 即，第1LED群D1及第2LED群D2亦與第1波長轉換區 域P1及第2波長轉換區域P2相同，係配置為棋盤格式樣 狀。因此，1個LED晶片3a係設置為與1個第1波長轉換 區域P1相對向，1個LED晶片3b係設置為與1個第2波 長轉換區域P2相對向。 配置於第1LED群D1内之LED晶片3a彼此之間既可串 聯又可並聯。同樣，配置於第2LED群D2内之LED晶片 3b彼此之間既可串聯又可並聯。 (發光部之變形例） 關於螢光構件5，於本實施例中，螢光構件5之第1波長 轉換區域P1及第2波長轉換區域P2均混合分散保持有紅 色螢光體、綠色螢光體及藍色螢光體之3種螢光體。然而， 如圖16、圖17(a)、圖7(b)所示，亦可將第1波長轉換區域 P1及第2波長轉換區域P2之各個分割為與1個LED晶片3 相對應之複數個單元區域17,並將紅色螢光體、綠色螢光 體及黃色螢光體分別區別配置於每個單元區域Π中，以此 代替此種分散保持。 圖16係表示於第1波長轉換區域P1及第2波長轉換區域 P2分割為複數個單元區域17之情形之發光部1之整體構成 100132595 47 201233233 之概略的立體圖，圖17(a)係表示第1波長轉換區域P1内之 單元區域17之螢光體部分，圖17(b)係表示第2波長轉換區 域P2内之單元區域17之螢光體部分。於圖17(a)中，自圖 之左側起，按照紅色螢光體18a、綠色螢光體18b及黃色螢 光體18c之順序，區別設置有各螢光體。另外，於圖17(a) 中，為了識別各螢光體之發光色而使用點陰影記載各螢光 體。於第1波長轉換區域P1内之單元區域17中，藉由調整 該等3種螢光體之面積比率而自各單元區域17發出色溫為 2700°K之初級光。於圖17(b)中，自圖之左側起，按照綠色 螢光體19a及黃色螢光體19b之順序，區別設置有各螢光 體。另外，於圖17(b)中，為了識別各螢光體之發光色而使 用點陰影記載各螢光體。於第2波長轉換區域P2内之單元 區域17中，藉由調整該等2種螢光體之面積比率而自各單 元區域17發出色溫為6500°K之初級光。於如此分割第1 波長轉換區域Ρ1及第2波長轉換區域Ρ2從而形成單元區 域17之情形時，亦可獲得與如上所述之發光裝置相同之效 果。另外，單元區域17中之螢光體之組合並不限定於上述 組合，可根據所發出之初級光作適當變更。 並且，於混合分散保持有紅色螢光體、綠色螢光體及黃色 螢光體之情形時，雖可實現於各螢光區域中可良好地對光進 行合成發出之效果，然而卻可能會因為1個螢光區域内混合 存在有紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體而發出級聯激 100132595 48 201233233 光體，而可良黃色營 體之發出光之人成:面_激發m於來自各營光 區別配置红色Μ體二域17觀察之情形時， 混合分m/ 誉光體及黃色營光體之情形劣於 色螢絲、綠色料體及黃㈣光體之情 綠色營先體及黃色蟹光體之情形良好地進行。㉔先體、 门進仃各觀更地分散配置，並對 數個單㈣域17之方向進行各種變更地八換區 置’而可整體良好地對來自各波長轉換區域/更地分散配 成。此種單元區域17之配置例示於圖18丨發出光進行合 構件5之概略俯視圖。另外，於圖18令，，、圖18係鸯光 體之發光色而使用點陰影記載各螢光體。如為了^Uj各鸯光 第1波長轉換區域P1内之複數個單元區域/ 18所示，鮮 作出4種變化而分散設置單元區域17。對於7之各個之方向 區域P2内之複數個單元區域P亦係同樣地=攻長轉換 配置。 免更方向而分散 另外’於上述變形例t，係使紅色營光體 黃色營光體之排列順序於第1波長轉換區、綠色聲切及 轉換區域P2之各個中相同，並對第"皮：Pl及第2波長 方向及第2波長轉換區域p2 : _換區域杓 Π進仃各種變 〈 100132595 ^ X地分散配 201233233 之紅色螢光體、綠 置，除此之外，亦可變更各單元區域a 色螢光體及黃色螢光體之排列順序。 並且，於上述實施例及變形例中， TX ^ 1 ^ 波長轉換區域P1 及弟2波長轉換區域P2分別使用 J、·工色螢光體、铮声瑩并 體及黃色螢光體之3種蝥光體，於需對刹E體、、彔色發光 利用藍色之色之性質 (凟色性）進行利用之情形時，可使用 赞出近紫外光之led 晶片代替發出藍色光之LED晶片。於相 ^相關情形時，除了上 述螢光體之外，還使用將近紫外光波長轉換為藍色光之藍色 瑩光體。於該情形時，此種藍色f光體之發光峰值波長之較 好的波長範圍通常為420mn以上，較佳為43〇nm以上更 佳為440 mn以上’通常為未滿500 nm，較佳為49〇 nm以 下’更佳為480 nm以下’進一步較佳為47〇nm以下，尤其 佳為460nm以下。其中藍色螢光體例如較佳為：（Ca、Sr、 Ba)MgAl1()017:Eu、（Sr、Ca、Ba、Mg)10(p〇4)6(a、F)2:Eu、 (Ba、Ca、Mg、Sr)2Si04:Eu、（Ba、Ca、Sr)3MgSi208:Eu ;更 佳為：（Ba、Sr)MgAl10〇i7:Eu、（Ca、Sr、Ba)10(P〇4)6(Cl、 F)2:Eu、Ba3MgSi208:Eu ;尤其佳為：Sr10(P〇4)6Cl2:Eu、 BaMgAl10O17:Eu。 另外，於使用發出近紫外光之led晶片之情形時，紅色 螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之比例調整不同於使用發 出藍色光之LED晶片之情形之調整。 如此一來，於使用發出近紫外光之LED晶片之情形時， 100132595 50 201233233 若如上述般變更發光構件之種類、量比及數量，則亦可與上 述實施例之情形相同地獲得目標光色，因此可發出與上述實 施例之發光裝置相同之合成白色光’藉由階段性地調整各發 光單元數，可獲得與上述實施例之發光裝置相同之效果。 (發光袈置之電路構成之變形例） 於上述實施例中，調光部13係藉由根據由指示部14供給 之指示信號控制由交流電壓源Vac供給之交流電壓之波形 之導通相位角，而進行調光。然而，調光部13亦可藉由使 由父流電壓源VAC供給之交流電壓之電壓值本身變化而實 施調光，例如，亦可藉由使交流電壓之電壓波形(控制信齋^ 之振幅電壓值變化而實施調光。 並且’於藉由使交流電壓之電壓波形之振幅電壓值變化而 實施調光之情形時’控制部16具備代替相位角檢測器16a 檢測振幅電壓值之電壓檢測器，於構成控制部16之記憶體 中。己錄有相對於振幅電壓值之基極電壓之電壓值資料。如 =，於根據振幅電壓值進行調光之情料，亦可獲得與上述 實施例相同之效果。 電阳體Ql、Q2之開啟關閉控制並不限定於如上所 述之根據基極電壓Vs之電壓值進行調整，亦可根據施加至 電晶體 Ql、Q2 之 | & λα '^卷極的基極電壓Vs之供給時間（亦即脈衝 寬度之負載）而調整。 於上述貝知例中，調光部13連接有交流電壓源VAC，亦 100132595 201233233 可連接直流電>1源Vdg。於該情形不需要整流電路…。 (本實施例之效果） 本實施例之發光裝置11具有：佈線基板2 ;複數個LED 晶片3，其係配置於佈線基板2之LED晶片安裝面，發出可 見光區域至近紫外區域為止之波長區域巾之既定波長範圍 之光，且被劃分為複數個LED群；螢光構件5，其係設置 於與佈線基板2 < LED晶#安裝面相對應之位置，對應於 複數個LED晶片3而被分割為複數個波長轉換區域，複數 個波長轉換區域對應於LED群而被劃分為複數個波長轉換 區域’同時’每個波長轉換區域均具有不同的波長轉換特 性，上述螢光構件5對相對應之LED晶片3所發出之光進 行波長轉換’發出對應於每個波長轉換區域而具有互不相同 之色溫的初級光；電流供給部15，其係經由佈線基板2，對 應於每個LED群而獨立地向led晶片3供給驅動電流；及 控制部16’其根據作為自外部輸入之控制信號的電壓波形 而控制供給至每個LED群之電流。如此，由於控制部16係 根據調光等級獨立地控制複數個LED群之點燈開始時期， 故可控制發光強度及色溫而獲得具有適於所需發光強度之 色溫之光，並且可抑制製造成本。 並且’本實施例之發光裝置11具有：佈線基板2 ;複數個 LED晶片3，其係配置於佈線基板2之LED晶片安裝面， 發出可見光區域至近紫外區域為止之波長區域中之既定波 100132595 52 201233233 長範圍之光，且被齡為減個LED群；螢麵件5，其 係設置於與佈線基板2之LED晶片安裝面相對應之位/，、 對應於複數個LED晶片3而被分割為複數個波長轉換區 域，複數個波長轉換㈣制於LED群㈣t彳分 波長轉換區域，同時，每個波長轉換區域均具有不同的波長 轉換特性，上述螢光構件5對相對應之晶片3所發出 之光進行波長轉換，發出對應於每個波長轉換區域而具有互 不相同之色溫之初級光；電流供給部15，其係、經由佈線A =對應於每個LED群而獨立地向心日…供二^ μ ’控制部16,其根據作為自外部輸入之控制信號的電壓 波形而控制供給至每個LED群之電流。如此，由於隨著對 自複數個波長轉換區域發丨之初級光騎合絲得之合成 白色光之亮度上升，控制部群依序點燈，故可控 制發光強度及色溫而獲得適於所需發光強度之色溫之光，並 且可抑制製造成本。 並且，由於於上述發光裝置11中，係隨著合成白色光之 免度上升，自與發出色溫較低之初級光之波長轉換區域相對 應的LED群起，至與發出色溫較高之初級光之波長轉換區 域相對應的LED群為止，藉由控制部使LED群依序點燈， 故可使自發光裝置U發出之合成白色光之亮度上升，並可 使δ亥合成白色光之色溫適於該亮度之上升地變化。 作為發光裝置11之更具體之構成，複數個LED晶片與波 100132595 53 201233233 長變化構件為隔開設置，藉由各LED群以及與上述每個 LED群相對應之波長轉換區域而形成複數個發光單元，複 數個發光單元之各個係一體設置同時形成發光單元群，於該 情形時’發光單元群之操作變得容易，且可降低發光裝置之 製造工時或製造成本。 並且，本實施例之照明系統12具有：佈線基板2 ;複數個 LED晶片3，其係配置於佈線基板2之led晶片安裝面， 發出可見光區域至近紫外區域為止之波長區域中之既定波 長範圍之光，且被劃分為複數個LED群；螢光構件5，其 設置於與佈線基板2之LED晶片安裝面相對應之位置，對 應於複數個LED晶片3而被分割為複數個波長轉換區域， 複數個波長轉換區域對應於LED群而油分為複數個波長 轉換區域，並且，每個波長轉換區域均具有不同的波長轉換 特性，上述螢光構件5對相對應之LED晶片3所發 進行波長轉換，發出對應於每個波長轉換區域而具有互不相 同之色溫之初級光；電流供給部15，其係經由佈線基板2， 對應每個LED群而獨立地向LED晶片3供給轉電流；指 示部4’其以合成初級光而獲得具有所需亮度之合成白色光 的方式作出指示；調光部13，其根據來自指示部14之指示， 輸出用於使合成白色光之亮度變化之控制信號即電壓波 形；控制部16’其根據自調光部13輸出之電壓波形控制供 給至每個LED群之電流量。並^，隨著合成白色光之亮度 100132595 54 201233233 升16使LED群依序點燈，故可控制發光強度及 色溫而獲得具有適於所需之發光強度之色溫之光，且可抑制 W造成本。 並且 令 由於於上述照明系統12中，係隨著合成白色光之 升自4出色溫較低之初級光之波長轉換區域相對 "勺ED群起’至與發出色溫較高之初級光之波長轉換區 域相對應的LED群為止，藉由控制部使led群依序點燈， 故可使由照明系統12供給之合成白色光之亮度上升，並可 使"亥a成白色光之色溫適於該亮度之上升地變化。 而且本貝轭例之照明方法係相對於被劃分為複數個LED 群之複數個LED晶# 3，㈣個LED賴立祕給電流而 使每個LED群發光’向對應於複數個LED晶片3而被分割 為複數個波長轉換區域’且複數個波長轉換區域對應於led 群而被劃分為複數個波長轉換區域，同時每個波長轉換區域 均具有不同的波長轉換特性的波長轉換構件供給 LED晶片 3所叙出之光，發出對應每個波長轉換區域而具有互不相同 之色溫之初級光，對初級光進行合成而形成合成白色光。並 且，由於於該照明方法中，係隨著合成白色光之亮度上升， 控制供給至每個LED群之電流量，使LED群依序點燈，故 可抑制發光裝置11之製造成本，並且可控制發光強度及色 溫，從可而發出具有適於所需發光強度之色溫之光。 並且’由於於上述照明方法中，係隨著合成白色光之亮度 100132595 55 201233233 上升，自與發出色溫較低之初級光之波長轉換區域相對應的 L· E D群起，至與發出色溫較高之初級光之波長轉換區域相對 應的LED群為止，使LED群依序點燈，故藉由照明方法而 獲得之合成白色光具有適於藉由調光而獲得之所需亮度之 色溫。 另外，於上述實施例中，發光裝置11為具備1個發光部 1之構造，但本發明並不限定於此，發光裝置u亦可具備 複數個發光部1 ’使每個發光部i發出具有不同色溫之合成 白色光亦即’亦可對每個發光部】進行封裝化，由複數個 封裝構成11。並且，於本實施例中，已對發光裝 置(照明I置)之單獨的構成進行了說明，但其構成亦可係如 向本實施例之發光裝置添加電燈泡及下照燈等其他發光裝 置（,、、、月&施）甚至政熱系統及光學透鏡系統而成之昭= 具，於該情形亦可獲得上述效果。 …° <第2實施例> 於上述第1實施例中，传 ^ ^ ^ 係猎由發出色溫互不相同 之第1波長轉換區域Pl另贫Λ 』之初級先 ,an 弟2波長轉換區域P2 &姐Λ、Μ 光構件5。亦即，自螢光構 而構成螢 則千5發出色溫同 然而，只要不脫離本發明之 ‘種仞級光。 因此’將使用營光構件5,曰自可作各種變更或替換。 照明系統！2,之-例作為本t之發光部卜發光裝置U,及 說明，該螢光構件5,具備蛊 貫 柃下面進行 100132595 一— 〃貫施例之技構件 56 201233233 構成另外，關於與第1實施例相同之構件及構成部分，係 附上相同符號，省略對其之說明。 (發光部之構成） 圖19係表示本貫施例之發光裝置η，中之發光部1，之整體 構成之概略的立體圖，圖20係圖19之發光部丨，之俯視圖。 另外，於圖19及圖20中，將發光部丨，中之一方向定義為χ 方向，將與該一方向正交之方向定義為γ方向，將發光部 1之咼度方向定義為Z方向。如圖19所示，發光部1，具儀 於XY平面内之形狀為正方形狀之佈線基板2。於佈線基板2 之晶片安裝面2a上’以等間隔沿佈線基板2之X方向排列 有4個，沿Y方向排列有4個LED晶片3，合計16個。另 外，由於發光部1'、佈線基板2及LED晶片3之基本構造 與第1實施例之LED晶片3相同，故省略對其之說明。炎 且，如圖19所示，與安裝有LED晶片3之佈線基板2之晶 片安裝面2a相對向地配設有透光基板4，該透光基板4係 由玻璃製造，為板狀，於χΥ平面内之形狀為正方形狀。 螢光構件5’係劃分為第1波長轉換區域Ρ1，、第2波長轉 換區域Ρ2,、第3波長轉換區域Ρ3,及第4波長轉換區域ρ4, 之4個波長轉換區域。於ΧΥ平面中，第1波長轉換區域 ΡΓ、第2波長轉換區域Ρ21、第3波長轉換區域Ρ3，及第4 波長轉換區域具有相同的平面形狀及面積。如圖19及圖 20所示’與此種榮光構件5’之劃分相對應，安裝於佈線基板 100132595 57 201233233 2上之各LED晶片3亦對應於第丨波長轉換區域ρι，、第2 波長轉換區域P2’、第3波長轉換區域ρ3ι及第4波長轉換區 域P4’之各位置而被劃分為各LED群。亦即，如圖2〇所示 於平面觀察發光部1，之㈣時，對應於第丨波長轉換區域 P1’、第2波長轉換區域P2,、第3波長轉換區域p3，及第4 波長轉換區域P4,之4個波長轉換區域而分別各配置有4個 LED晶片3。此處1應之含義與第以施例補。下面， 於區別為對應上述每個等波⑽換區域地财㈣晶片3 時，係對應於第1波長轉換區域P1，、第2波長轉換區域打，、 第3波長轉換區域P3,及第4波長轉換區域p4,而於符號末尾 分別附上a，、b，、e’或d，。根據以上所述，位於與第丄波^ 轉換區域pi，相對應之位置之4個LED晶片3a，構成第 群D1，，位於與第2波長轉換區域p2，相對應之位置之4個 LED晶片3b，構成第2LED群D2,，位於與第3波長轉換區 域P3’相對應之位置之4個LED晶片3c，構成第3LED群 D3'，位於與第4波長轉換區域P4’相對應之位置之4個lED 晶片3d’構成第4LED群D4,。 因此，於本實施例中，第1波長轉換區域P1，、第2波長 轉換區域P2,、第3波長轉換區域P3.及第4波長轉換區域 P4’之各個、與對應於其之第比印群叫，、第几郎群加，、 第3LED群D3,及第4LED群D4,之組合之各個係分別相 當於本發明之各發光單元。亦即，第1LED群D1，及第1波 100132595 58 201233233 長轉換區域ΡΓ構成第1發光單元Ul'，第2LED群D2'及第 2波長轉換區域P2'構成第2發光單元U2’，第3LED群D3' 及第3波長轉換區域P3’構成第3發光單元U3’，第4LED 群D4’及第4波長轉換區域P4’構成第4發光單元U41。統合 該等4個發光單元之發光部Γ係相當於本發明之發光單元 群。於本實施例中，第1發光單元IJT、第2發光單元U2’、 第3發光單元U3’及第4發光單元U4’係一體設置同時構成 作為發光單元群之發光部Γ。另外，下面將第1發光單元 U1’、第2發光單元U2’、第3發光單元U3’及第4發光單元 U4’各自發出之光稱為初級光，將對第1發光單元U1'、第2 發光單元U2’、第3發光單元U3’及第4發光單元U4’各自發 出之初級光進行合成並自發光部Γ發出之光稱為合成白色 光。 (螢光構件） 如上所述，螢光構件i對應於第1LED群Dr、第2LED 群D2，、第3LED群D3,及第4LED群D4,而被劃分為第1波 長轉換區域ΡΓ、第2波長轉換區域P21、第3波長轉換區域 P3'及第4波長轉換區域P4’之4個波長轉換區域。第1波長 轉換區域ΡΓ、第2波長轉換區域P2’、第3波長轉換區域 P3'及第4波長轉換區域P4’分散保持有對自LED晶片3發 出之光進行波長轉換並發出之各種螢光體。各種螢光體與第 1實施例相同，可以使用對LED晶片3所發出之藍色光進 100132595 59 201233233 行波長轉換從而發出紅色光之紅色螢光體、對咖晶片3 所發出之藍色光進行波長轉換從而發出綠色光之綠色榮光 體、以及對LED晶片3所發出之藍色光進行波長轉換從而 發出黃色光之黃色榮光體。而且，亦可進一步使用對㈣ 晶片3所發出之藍色紐行波長轉換從而發出橙色光之橙色 勞光體。並且’與第】實施例相同，勞光 持上述紅色螢光體、綠色螢光體 …、刀政保 可自營光船發出所需全部，只要 、·及+則亦可自上述螢光體中 螢光體。例如，勞光構件5,可分散保 營光體’而不分散保持黃色榮光體。其 他具體的：體之組成及構造等與第1實施例相同。 並且：區域P1，、第2波長轉換_，、第 3波長轉糾域P3,及第4波長轉換區域p 綠色螢光體及黃色勞光體之質 ％ 、 _ 波長轉換地自各波長轉換區域比率不同。因此，經 光、以及未經波長轉換地：藍==綠色光及黃色 轉換區域㈣不同。因此，作為對 趙於母個波長 發出之紅色光、綠色光、戈洛h 波長轉換區域ΡΓ 級光的白色光、作為對自；藍色光進行合成所得之初 光、綠色光、黃色光及藍色=轉換區域p2,發出之紅色 光、作為對自第3波長轉換所得之初級光的白色 黃色光及兹色先進行合成 *出之紅色光、綠色光、 于初級光的白色光、以及作為 100132595 201233233 對自第4波長轉換區域P4’發出之紅色光、綠色光、黃色光 及藍色光進行合成所得之初級光的白色光，具有互不相同之 色溫。 與第1實施例相同，亦可使分散保持於第1波長轉換區域 ΡΓ、第2波長轉換區域P2’、第3波長轉換區域P3’及第4 波長轉換區域P4’中之螢光體之種類數互不相同。於該情形 時，第1波長轉換區域ΡΓ、第2波長轉換區域P2’、第3 波長轉換區域P3'及第4波長轉換區域P4'各自發出之初級光 之色溫亦互不相同。 繼而，參照圖21對第1波長轉換區域ΡΓ、第2波長轉換 區域P2’、第3波長轉換區域P3'及第4波長轉換區域P4’中 之螢光體之混合比率之規定方法進行說明。圖21係 CIE(1931)XYZ表色系統之xy色度圖中之黑體輻射軌跡BL 周邊之要部放大圖。於本實施例中，以自包括第1LED群 D1’及第1波長轉換區域ΡΓ之第1發光單元U1'發出之初級 光具有圖21中之色度點T1(約2700 K)之色度之方式，規定 第1波長轉換區域ΡΓ中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色 螢光體之混合比率。並且，以自包括第2LED群D2’及第2 波長轉換區域P2’之第2發光單元U2’發出之初級光具有圖 21中之色度點T2(約3400 K)之色度之方式，規定第2波長 轉換區域Ρ2’中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之 混合比率。而且，以自包括第3LED群D3'及第3波長轉換 100132595 61 201233233 區域P3'之第3發光單元U3’發出之初級光具有圖21中之色 度點T3(約4500 K)之色度之方式，規定第3波長轉換區域 Ρ3’中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之混合比 率。並且，以自包括第4LED群D4’及第4波長轉換區域Ρ4’ 之第4發光單元U4’發出之初級光具有圖21中之色度點 Τ4(約6500 Κ)之色度之方式，規定第4波長轉換區域Ρ4’中 之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之混合比率。 另外，較佳為自第1發光單元U1’、第2發光單元U2’、 第3發光單元U3’及第4發光單元U4’之各個發出之初級光 之色度點之CIE(1931)XYZ表色系統之y值均為0.65以下。 於y值超過0.65之情形時，各發光單元中之可見光之取光 效率會惡化，無法使發光裝置整體有效地發光。另一方面， 於使用發出近紫外光之LED晶片代替發出藍色光之LED晶 片3之情形時，y值亦可超過0.65。 藉由利用上述方法規定各波長轉換區域中之螢光體之混 合比率，可按照第1發光單元U1’、第2發光單元U2’、第 3發光單元U3’及第4發光單元U4’之順序，提高自第1發 光單元U1’、第2發光單元U21、第3發光單元U3’及第4 發光單元U4發出之初級光之色溫。 於本實施例中，紅色螢光體係使用（Sr、CahAlSiN^Eu， 綠色螢光體係使用Ca3(Sc、Mg)2Si3012 : Ce，黃色螢光體係 使用Y3A15012 : Ce。並且，如圖22所示，第1波長轉換區 100132595 62 201233233 域P1中之螢光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體： 頁色螢光體= 0.24 : 1 : 〇·〇5 ,第2波長轉換區域Ρ2ι中之螢 光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體：黃色螢光體= 0.15 . 1 : 〇.〇5。並且’第3波長轉換區域p3，中之螢光體之 混合比率為紅色螢光體\綠色螢光體：黃色螢光體=〇〇5 : 1 . 0.05，第4波長轉換區域P4’中之螢光體之混合比率為紅 色螢光體：綠色螢光體：黃色螢光體=〇 ·· 0.9 : 〇 j。 而且，第1波長轉換區域P1，、第2波長轉換區域p2，、第 3波長轉換區域P3’及第4波長轉換區域P4f具有不同的膜 厚。具體而s，如圖22所示，第1波長轉換區域之膜厚 為110//m，第2波長轉換區域P2,之膜厚為8〇vm，第3 波長轉換區域P3之膜厚為45 // m，第4波長轉換區域p4, 之膜厚為30#m。 (發光裝置之電路構成） 如上所述，於本實施例之發光裝置中，自第i發光單元 U11、第2發光單元U2’、第3發光單元U3,及第4發光單元 U4之各個發出之初級光之色溫係設定為互不相同，對自亨 等發光單元發出之初級光進行合成所得之合成白色光係自 發光裝置發出。因此’於本實施例之發光裝置中，藉由使自 第1發光單元U1'、第2發光單元U2'、第3發光單元U3, 及第4發光單元U4,之各個發出之初級光之總光通量（亦即發 光強度或亮度）變化，而調整自發光裝置發出之合成白色光 100132595 63 201233233 之總先通量，並根據該合成白色光之總光通量使合成白色光 之色溫變化，而發出具有所需之總光通量及適於該總光通量 之色溫之合成白色光。下面，參照圖23對作為與第1實施 例不同之電路構成部分的發光部1，及電流供給部15,之構成 進行說明。此處，圖23係表示本實施例之發光裴置u，中之 發光部1’及電流供給部15’之電路構成之概略的電路圖，省 略了作為與第1實施例相同之部分的調光部13、指示部(操 作部）14及控制部16。下面，基於與第丨實施例相關之圖式， 對調光部13、指示部(操作部）14及控制部16進行說明。 發光部Γ具有：上述第1LED群D1，之LED晶片3a，、第 2LED群D2’之LED晶片3b’、第3LED群D3,之LED晶片 3c’及第4LED群D4·之LED晶片3d'。作為第1lEE^D1, 及第2LED群D2’之具體構成，第1Led群D1，之4個led 晶片3a’係極性相同地互相串聯，第2LED群D2,之4個LED 晶片3b·亦係極性相同地互相串聯。同樣，作為第群 D3’及第4LED群D4’之具體構成，第扎即群阳,之4個led 晶片3c·亦係極性相同地互相串聯，第4LED群之4個 LED晶片3d’亦係極性相同地互相串聯。並且，第iled群 D1'、第 2LED 群 D2’、第 3LED 群 〇3,及第 4LED 群 D41 係 經由下述開關電路l5ci而互相並聯。另外，同一 led群内 之LED晶片3之連接形態並不限定於串聯，亦可例如使led 晶片3之極性相同地互相並聯。 100132595 64 201233233 電流供給部15’係由整流電路15a、電壓電流轉換電路15b 及開關電路15c·構成。由於整流電路15a及電壓電流轉換電 路15b與第1實施例為相同構成，故省略對其之說明。開關 電路15c，係由電晶體Φ、Q2、Q3、Q4構成。電晶體φ、 Q2、Q3、Q4之集電極分別與第1LED群D1，、第2LED群 D2，、第3LED群D3,及第4LED群D4,之最陰極側端部連接， 電晶體Q1、Q2、Q3、Q4之發射極與電壓電流轉換電路15b 連接’電晶體Qi、Q2、Q3、Q4之基極與控制部15連接。 於本實施例之照明系統12'中，亦係根據調光部13、指示 部14及電流供給部15’之構成及連接關係，僅藉由轉動操作 旋粗14a即可調整供給至LED晶片3之驅動電流之量（電流 供給量）。如此，藉由調整供給至發光部1，之電流量，而可 自發光裝置111發出具有所需總光通量之合成白色光（即調 光）。 (發光部之控制） 當發光裝置11’之使用者操作操作旋鈕14a時，指示部14 ••之本體14b檢測操作旋鈕14a之位置，並將基於檢測到之操 作旋鈕14a之位置之指示信號（表示調光等級之信號)供給至 5周光部13。調光部13基於由指示部14供給之指示信號， 對由交流電壓源vAc供給之交流電壓之波形之導通相位角 進订控制，生成交流調光電壓vdim(ac)。作為具體的控制方 法’调光部13係藉由輸人相對於由交流電壓源供給之交流 100132595 65 201233233 正弦波形之零交叉點而具有任意相位差之觸發脈衝，而控制 導通相位角。因此，當所供給之指示信號變動時，調光部 13與所供給之指示信號之變動相對應地使觸發脈衝之相位 差變動’從而控制導通相位角。 電流供給部15,之整流電路15a將由調光部13供給之交流 調光電壓vDIM(AC)轉換為直流調光電壓Vdim(dc)，並將該直 流調光電壓vDIM(DC)供給至電壓電流轉換電路15b。電壓電 流轉換電路15b將由整流電路15a供給之直流調光電壓 VDIM(DC)轉換為用於供給至LED晶片3之驅動電流，並將該 驅動電流供給至第1LED群D1，、第2LED群D2,、第3LED 群D3·及第4LED群D4,。 控制部16根據由調光部13供給之交流調光電壓 而選擇性地使電晶體Ql、Q2·、Q3、Q4進行開啟驅動，並 控制施加至電晶體Q1、Q2、Q3、Q4之基極的基極電壓％ 之電壓值，控制流至每個LED群之驅動電流。於此，當向 電晶體Ql、Q2、Q3、Q4之基極施加電壓值相等之基極電
壓Vs時’流至第1LED群D1，、第2LED群D21、第3LED 群D3'及第4LED群D4·之驅動電流之量變得相等。並且， 於不向電晶體Ql、（j2、Q3、Q4之基極施加基極電壓％之 情形時，電晶體Ql、Q2、Q3、Q4不進行開啟驅動，因此， 即便自電壓電流轉換電路15b向第1LED群D1，、第2LED 群D2，、第3LED群D3,及第4LED群04,供給驅動電流，驅 100132595 66 201233233 動電流亦不會流至第1LED群D1’、第2LED群Μ1、第3LED 群D3’及第4LED群04’ ’從而LED晶片3不會發光。於本 實施例中，當自未施加基極電壓Vs之狀態起逐漸使基極電 壓Vs上升時，電晶體按照電晶體Q卜Q2、Q3、Q4之順序 進行開啟驅動。 本實施例之控制部16之詳細控制方法如下所述。另外’ 於控制部16之記憶體16b中，與於調光部13中受控制之導 通相位角相對應地記錄有施加至電晶體卩丨、q2、 之基極的基極電壓之電壓值資料。控制部16之相位角檢測 器16a根據由調光部13供給之交流調光電壓v酬构檢測 於調光部U中受控制之導通相位角。具體而言，相位角檢 測器㈣根據調光電壓Vdim(ag)之電壓波形(控制信^ 測相位角。相位角檢測器l6a將表示檢測出之導 =號供給至選擇電路l6g。為了根據 角決定施加至電晶體Q1、〇 位 之電驗，選擇電路！ fi Q、Q4之基極的基極電壓 QLQ3、Q4_之;^體鳩中之與電晶體 相位角之㈣錢進行_料、躲稍供給之導通 由該對照而決定之電麼值之#而，選擇電路⑹將具有藉 Q2、Q3、Q4之基極。藉此，土極電堡施加至電晶體Q1、 之至少一者進行開啟驅動，並=曰體Q1、Q2、Q3、Q4中 2LED群D2,、第3LED群供給至第1LED群Dl，、第 及第4LED群D4,之驅動電流 100132595 201233233 之大小根據施加至電晶體Q卜Q2、Q3、Q4之基極的基極 電壓之電壓值而受到控制，從而自第1發光單元U1，、第2 發光單元U2’、第3發光單元U3’及第4發光單元U4,之至少 一者發出具有與調光等級相對應之總光通量以及與各波長 轉換區域相對應之色溫之合成白色光。 繼而，參照圖25及圖26,對為了自發光裝置u，發出具有 所需總光通量及適於該總光通量之色溫之合成白色光而如 何對電晶體Q1、Q2、Q3之基極施加基極電壓、以及如何 控制供給至第1LED群Di’、第2LED群D2'、第3LED群 D3'及第4LED群D4'之驅動電流之大小進行說明。圖24係 表示調光部13之調光等級與自發光裝置η，發出之合成白色 光之發光強度之關係的圖表。圖25係表示自發光裝置u, 發出之合成白色光之總光通量（單位：流明（lm))與色溫（單 位：克耳文(K))之關係的圖表。 首先’於操作操作旋叙14a而以自發光裝置11'發出最暗 的合成白色光之方式開始LED群之點燈之情形時，僅電晶 體Q1進行開啟驅動，僅自第1發光單元m，發出初級光。 亦即，此時自發光裝置發出之合成白色光係僅由自第丨發光 單元U1’發出之初級光構成。於圖24及圖25中，相關之第 1LED群D1'之點燈開始係由點a表示。 當進一步操作操作旋鈕14a而調光為發出更亮的合成白色 光（亦即降低調光等級）時，供給至第1LED群D1，之驅動電 100132595 68 201233233 流增加，自第1發光單元ur發出之初級光之總光通量增 加。相關之總光通量之增加係相當於圖24之圖表上之曲線 24A部分。並且，由於營光體之合成比率係調整為自第1 發光單元U1’發出之初級光之色溫為約2700 K，因此，於僅 自第1發光單元U1’發出初級光之情形時，自發光裝置11’ 發出之合成白色光之色溫維持在約2700K。相關之色溫得以 維持之同時總光通量增加之情形係相當於圖25之實線 25A。 當進一步操作操作旋鈕14a而調光等級進一步降低時，施 加至電晶體Q1之基極之電壓值藉由控制部16控制為流至 第1LED群D1'之驅動電流不再增加，從而自第1發光單元 U1'發出之初級光之總光通量不再增加。將此種總光通量不 再增加之狀態定義為第1發光單元U1·之全部燈亮狀態。此 種總光通量不再增加之狀態係相當於圖24之圖表上之直線 24B部分。如此使總光通量不再增加係為了防止過剩的驅動 電流帶給LED晶片3之熱影響。 當自如上所述之合成白色光之總光通量之增加得到抑制 之狀態起進一步操作操作旋鈕14a而調光等級進一步降低 時’電晶體Q2亦進行開啟驅動’從而第2LED群D2'開始 點燈，亦自第2發光單元U2'發出初級光。此時，控制部16 以維持第1發光單元U1，之全部燈亮狀態之方式，向電晶體 Q1之基極施加基極電壓。於圖24及圖25中，相關狀態係 100132595 69 201233233 由點B表示。 當自第2LED群D2,開始點燈起進一步操作操作旋紐⑷ 而調光等級進-步降低時，以維持第丨發光單元训之全部 燈亮狀態之同時自第2發光單元仍，發出之初級光之總光通 量增加之方式，向電晶體Q1、Q2之基極施加基極電壓。相 關之總光通量之增加係相當於圖24之圖表上之曲線24C部 分。並且，由於螢光體之合成比率係調整為自第2發光單元 U2’發出之初級光之色溫為約34〇〇 κ，故當自第2發光單元 U2’發出之初、級光之總光通量增加日寺，自發光裝i u，發出之 合成白色光之色溫係以接近3400 κ之方式增加。相關之色 溫之增加係由圖25之實線25Β表示。 虽進一步操作刼作旋钮14a而調光等級進一步降低時，施 加至電晶體Q2之基極的基極電壓之電壓值藉由控制部 控制為不僅流至第1LED群D1，之驅動電流不再增加，流至 第2LED群D2’之驅動電流亦不再增加，從而自第2發光單 兀U2’發出之初級光之總光通量不再增加。亦即，第2發光 單元U2，亦進入全部燈亮狀態。此種第1發光單元U!，及第 2發光單元U2’之全部燈亮狀態係相當於圖24之圖表上之直 線24D部分。另外，當第2發光單元U2，進入全部燈亮狀態 時，自發光裝置1],發出之合成白色光之色溫為約3200 K。 當自合成白色光之總光通量之增加藉由第2發光單元υ2· 進入王。卩燈売狀態而得到抑制之狀態起進一步操作操作旋 100132595 70 201233233 Γ=Γ等級進一步降低時，電晶體Q3亦進行開啟驅 動’從而纽肪群出，開始點燈，亦自第3發光單元仍, 發出减光。此時’控制部16以維持第）發光單 第2發光單元U2，之全部燈亮狀態之方式，向電晶體、 Q2之基極施加基極電壓。於圖24及圖25中，相日關狀態係 當自第3LED群D3，開始點燈起進1操作操作旋叙⑷ 而調光等級進—步降低時’以維持第1發光單元饥，及第2 發光單元U2,之全部燈亮狀態之同時自第3發光單元U3’發 出之初級光之總光通量增加之方式，向電晶體Qi、Q2, 之基極施加基極電壓。相關之總錢量之增加係相當於圖 =之圖表上之曲線24E部分。並且，·螢紐之合成比 丰係㈣為自第3發光單元U3,發出 自第3發™發出一= 侧κ之^U’發出之合成白色光之色溫係以接近 Me表示一。相關之色溫之增加係由圖… 當進一步操作操作旋鈕14a而調 加至電晶體Q3之基極的基極_之電步降低時’施 控制為不僅流至第〗咖群〇1•及 值错由控制部16 流不爯擗如咕 弟2LBD群D2丨之驅動電 抓不再心加，流至第3咖群〇 從而自第3發光單元⑺，發出之初碎電流亦不再增加， #、’及光之總光通量不再增 100132595 71 201233233 加亦即，第3發光單元U3,亦進入全部燈亮狀態。此種第 1發光單70 Ul’、第2發光單元U2,及第3發光單元U3，之全 部燈免狀態係相當於® 2 4之圖表上之直、線2 4 F部分。另外， *第3發光單元U3,進入全部燈亮狀態時，自發光襄置u, 發出之合成白色光之色溫為約 4300 K。 當自合成白色光之總光通量之增加藉由第3發光單元^^， 進入全部燈亮狀態而得到抑制之狀態起進一步操作操作旋 鈕14a而調光等級進一步降低時，電晶體Q4亦進行開啟驅 動，從而第4LED群D4,開始點燈，亦自第4發光單元U4, 發出初級光。此時，控制部16以維持第丨發光單元uif、 第2發光單元U2,及第3發光單元U3,之全部燈亮狀態之方 式，向電晶體Ql、Q2、Q3之基極施加基極電壓。於圖24 及25中，相關狀態係由點〇表示。 當自第4LED群D4,開始點燈起進一步操作操作旋鈕Ma 而調光等級進一步降低時，以維持第丨發光單元，、第2 發光單元U2'及第3發光單元U3，之全部燈亮狀態之同時自 第4發光單元U4’發出之初級光之總光通量增加之方式，向 電晶體Ql、Q2、Q3、Q4之基極施加基極電壓。相關之總 光通量之增加係相當於圖24之圖表上之曲線24G部分。並 且，由於螢光體之合成比率係調整為自第4發光單元U4，發 出之初級光之色溫為約6500 K，故當自第4發光單元U4,發 出之初級光之總光通量增加時，自發光裝置11，發出之合成 100132595 72 201233233 白色光之色溫係以接近6500 κ之方式增加。相關之色溫之 增加係由圖25之實線25D表示。 意 當進一步操作操作旋鈕14a而調光等級進一步降低時，施 加至電晶體Q4之基極的基極電麗之電壓值藉由控制部a 控制為不僅流至第1LED群D1，、第2LED群D2'及第3Led 群D3’之驅動電流不再增加，流至第4·群μ之驅動電 流亦不再增加，從而自第4發光單元U4，發出之初級光之總 光通量不再增加❶亦即，第4發光單元1；4，亦進入全部燈^ 狀態。此種第1發光單元m，、第2發光單元1；2，、第3 = 光單元U3,及第4發光單元U4’之全部燈亮狀態係相當於圖 24之圖表上之直線24H部分。另外，於第i發光單元uif、 第2發光單兀U2’、第3發光單元U3，及第4發光單元U4, 之全部燈亮狀態中，自發光裝f u,發出之合成白色光之色 溫雖未達到6500 K’但卻會達到約55〇〇κ(圖24及圖乃中 之點Ε)。 於如上所述之控制中，係根據調光等級獨立地使電晶體 Q卜Q2、Q3、Q4進行開啟驅動，因此可根據調光等級而獨 立地控制LED晶片3a’之發光開始時序、LED晶片3b，之發 光開始時序、LED晶片3c’之發光開始時序及led晶片3d， 之發光開始時序。亦即，於本實施例之發光裝置U，中，可 根據調光等級控制第1LED群D1，、第2LED群D2，、第3LED 群D31及第4LED群D4A點燈開始時序。換言之，於本實 100132595 73 201233233 施例之發光裝置11，中，每個led群之電流供給開始時序均 不同，該電流供給開始時序係根據調光等級而對應每個LED 群作為電流供給開始調光等級而設定’根據由指示部14供 給之指示信號（表示調光等級之信號）與該電流供給開始調 光等級之關係而選擇將點燈之LED群。 並且，當第1LED群D1，開始點燈然後第1發光單元m， 進入全部燈亮狀態時，於第2LED群D2'開始點燈且自第2 發光單元U2'發出之初級光之總光通量增加期間，第1發光 單元U1’之全部燈亮狀態得以維持。因此自第2led群D2i 開始點燈之後，自發光裝置n，發出之合成白色光之色溫亦 與合成白色光之總光通量之增加相對應地增加。同樣，於第 3LED群D3'開始點燈且自第3發光單元^^，發出之初級光之 總光通量增加期間，第1發光單元m，及第2發光單元 之全部燈売狀態得以維持，於第41^〇群〇4,開始點燈且自 第4發光單元U4,發出之初級光之總光通量增加期間，第工 發光單元U1，、第2發光單sU2，及第3發光單元仍，之全部 燈亮狀態得輯持。亦即’隨著供給至複數個群之電 流之總量上升，各LED群依序點燈。因此，自第3咖群 D3開始點燈之後以及自第4咖群〇4,開始點燈之後，自發 光裝置11發出之合成白色光之色溫亦與合成白色光之總光 通量之增加相對應地增加。通常，於總光通量較低之情形 寺色/皿車父低之白色光（亦即自白織燈發出之光)較佳，於總 100132595 201233233 光通畺較咼之情形時，色溫較高之白色光（亦即自螢光燈發 出之光)較佳，因此於本實施例之發光裝置u，及照明系統12, 中，Ik著合成白色光之總光通量增加，色溫亦同時得到控 制’從而可發出具有所需總光通量及適於該總光通量之色溫 之合成白色光。 圖26〜圖29係記載本實施例之發光裝置之光線追蹤模擬 結果。圖26係表示於僅第1LED群⑴，點燈之模式（第i點 k模式）、第1LED群D1，及第2LED群D2,點燈之模式（第2 點燈模式）、第1LED#D1，、第2LEE^d2,及第3励群 D3’點燈之模式（第3點燈模式）、第1LED群D1，、第2LED 群D2’、第3LED群卬，及第礼肋群D4,點燈之模式（第* 點燈模式）中自發光裝置u，發出之合成白色光之相關色溫、 於CIE1931中之Cx、Cy值、平均演色評估值及總光通量之 模擬結果。圖27 —為於第1點賴式、第2點燈模式、 第3點燈模式及第4點燈模式中自發光裝置IP發出之合成 色光之刀光&出通里_的圖表。圖28係於第^點燈模式、 第2點k模式、第3點燈模式及第4點燈模式中將圖26所 示之相關—之觀㈣設為級量之模擬結果 ,又為第1縱軸、將平均廣色評估值設為第2縱軸地表示 通量相對於相關色溫之變化以及平均演色評估值相料相 關色溫之變化的圖表。圖29係練第以燈模式、第2點 燈模式、第3麟模式及第4點賴以自本實關之發光 100132595 75 201233233 裝置1Γ發出之合成白色光之Cx、Cy值之模擬結果示於 CIE1931之色溫座標上的圖表。 (L E D群及波長轉換區域之圖案形狀之變形例） 於上述實施例中，螢光構件5’係劃分為4個正方形狀之波 長轉換區域（亦即第1波長轉換區域P1'、第2波長轉換區域 P2’、第3波長轉換區域P3'及第4波長轉換區域P4’），但本 發明並不限定於此。例如，亦可如圖30所示般將螢光構件 5’劃分為第1波長轉換區域ΡΓ、第2波長轉換區域P2’、第 3波長轉換區域P3’及第4波長轉換區域P4’。 如圖30所示，螢光構件5’亦可劃分為長方形狀之第1波 長轉換區域ΡΓ、第2波長轉換區域P2’、第3波長轉換區域 P3’及第4波長轉換區域P4’，並且第1波長轉換區域ΡΓ、 第2波長轉換區域P2'、第3波長轉換區域P3’及第4波長轉 換區域P4’係並列配置。並且，第1波長轉換區域ΡΓ、第2 波長轉換區域P2’、第3波長轉換區域P3’及第4波長轉換區 域P4’之各個於圖30中之平面狀面積相等，並具有相同的平 面形狀。而且，雖未圖示符號，第1LED群D1·、第2LED 群D21、第3LED群D3’及第4LED群D4'亦係並列配置，第 1LED群D1’與第1波長轉換區域ΡΓ相對向，第2LED群 D2’與第2波長轉換區域P2’相對向，第3LED群D3’與第3 波長轉換區域P3’相對向，第4LED群D4’與第4波長轉換 區域P4’相對向。 100132595 76 201233233 配置於第1LED群D1’内之4個LED晶片3a，及配置於第 2LED群D2,内之4個LED晶片3b'既可串聯又可並聯。同 樣，配置於第3LED群D3·内之4個LED晶片3c，及配置於 第4LED群D4'内之4個LED晶片3d1既可串聯又可並聯。 (本實施例之效果） 本實施例之發光裝置11'及照明系統12’與第1實施例之發 光裝置11及照明系統12相比，雖然存在LED群及波長轉 換區域之數量不同之差異’但基本構造相同，因此本實施例 之發光裝置1Γ、照明系統12’及照明方法亦可獲得與第1實 施例相同的效果。並且，本實施例之發光裝置u，及照明系 統12’較之於第1實施例之發光裝置u及照明系統12，Led 群及波長轉換區域之數量較多，因此可相對於合成白色光之 亮度之變化以更高精度控制色溫。 <第3實施例> 於上述第1實施例中，係藉由發出色溫互不相同之初級光 之第1波長轉換區域P1及第2波長轉換區域P2而構成 光構件5。亦即’自螢光構件5發出色溫不同之2種初級光。 然而，只衫麟本”之主旨，當可做各種變更或替換 因此，將使用螢光構件5，，構成之發光部Γ,、發光裝置; 及照明系統12”之-例作為本發明之第3實施 行說明，該螢光構株ς,, θ 义Μ下進 冓件5具備與第1實施例之螢光構件 同之構成。另外，關秌… 再彳千5不 100132595 與第1實施例相同之構件及構成部 77 201233233 分，係附上相同符號，省略對其之說明。 (發光部之構成） 圖31係表示本實施例之發光裝置11"中之發光部Γ之整 體構成之概略的立體圖，圖32係圖31之發光部Γ之俯視 圖。另外，於圖31及圖32中，將發光部Γ中之一方向定 義為X方向，將與該一方向正交之方向定義為Y方向，將 發光部1Π之高度方向定義為Z方向。如圖31所示，發光部 Γ具備於ΧΥ平面内之形狀為正方形狀之佈線基板2。於佈 線基板2之晶片安裝面2a上，以等間隔沿佈線基板2之X 方向排列有6個，沿Y方向排列有6個LED晶片3，合計 36個。另外，由於發光部Γ’、佈線基板2及LED晶片3之 基本構造與第1實施例之LED晶片3相同，故省略對其之 說明。並且，如圖31所示，與安裝有LED晶片3之佈線基 板2之晶片安裝面2a相對向地配設有透光基板4 ’該透光 基板4係由玻璃製造，為板狀，於XY平面内之形狀為正方 形狀。 螢光構件5"係劃分為第1波長轉換區域P1"、第2波長轉 換區域P2"、第3波長轉換區域P3’’、第4波長轉換區域P4" 及第5波長轉換區域P5"之5個波長轉換區域。具體而言， 正方形狀之第1波長轉換區域ΡΓ及第2波長轉換區域P2" 係配置於螢光構件5"之2個角部，長方形狀之第3波長轉 換區域P3"及第4波長轉換區域P41’係配置為自螢光構件5" 100132595 78 201233233 之端部朝向第1波長轉換區域P1"或第2波長轉換區域P2" 且沿X方向延伸，長方形狀之第5波長轉換區域P5"係配置 為由第1波長轉換區域ΡΓ、第2波長轉換區域P2”、第3 波長轉換區域P3"及第4波長轉換區域P4”夾持且沿X方向 延伸。並且，於XY平面中，第1波長轉換區域ΡΓ及第2 波長轉換區域Ρ2Π具有相同的平面形狀及面積，第3波長轉 換區域Ρ3"及第4波長轉換區域Ρ4"具有相同的平面形狀及 面積。 如圖31及圖32所示，與此種螢光構件5Π之劃分相對應， 安裝於佈線基板2上之各LED晶片3亦對應於第1波長轉 換區域ΡΓ、第2波長轉換區域P2"、第3波長轉換區域P3"、 第4波長轉換區域P4”及第5波長轉換區域P5"之各位置而 被劃分為各LED群。亦即，如圖32所示，於平面觀察發光 部Γ之情形時，對應於第1波長轉換區域、ΡΓ及第2波長轉 換區域P2’1而分別配置有4個LED晶片3,對應於第3波長 轉換區域P3”及第4波長轉換區域P4"而分別配置有8個 LED晶片3，對應於第5波長轉換區域P5"而分別配置有16 個LED晶片3。此處，對應之含義與第1實施例相同。 下面，於區別為對應上述每個等波長轉換區域地稱呼LED 晶片3時，係對應於第1波長轉換區域ΡΓ、第2波長轉換 區域Ρ2"、第3波長轉換區域Ρ3"、第4波長轉換區域Ρ4” 及第5波長轉換區域Ρ5"而於符號末尾分別附上a"、b"、c"、 100132595 79 201233233 d"或e’’。根據以上所述，位於與第1波長轉換區域ΡΓ相對 應之位置之4個LED晶片3a"構成第1LED群D1”，位於與 第2波長轉換區域P2’’相對應之位置之4個LED晶片3b" 構成第2LED群D2"，位於與第3波長轉換區域P3"相對應 之位置之8個LED晶片3c"構成第3LED群D3"，位於與第 4波長轉換區域P4"相對應之位置之8個LED晶片3d"構成 第4LED群D4"，位於與第5波長轉換區域Ρ5Π相對應之位 置之16個LED晶片3e"構成第5LED群D5’’。 因此，於本實施例中，第1波長轉換區域ΡΓ、第2波長 轉換區域P2"、第3波長轉換區域P3”、第4波長轉換區域 P4"及第5波長轉換區域P5”之各個、與對應於其之第1LED 群 D1"、第 2LED 群 D2"、第 3LED 群 D3"、第 4LED 群 D4" 及第5LED群D5"之組合之各個，係相當於本發明之各發光 單元。亦即，第1LED群D1"及第1波長轉換區域ΡΓ構成 第1發光單元Uln，第2LED群D2"及第2波長轉換區域P2’’ 構成第2發光單元U2"，第3LED群D3"及第3波長轉換區 域P3M構成第3發光單元U3”，第4LED群D4”及第4波長 轉換區域P4"構成第4發光單元U4"，第5LED群D5"及第 5波長轉換區域P5”構成第5發光單元U5"。統合該等5個 發光單元之發光部Γ係相當於本發明之發光單元群，於本 實施例中，第1發光單元U1"、第2發光單元U2”、第3發 光單元U3’’、第4發光單元U4”及第5發光單元U5”係一體 100132595 80 201233233 設置同時構成作為發光單元群之發光部1”。另外， 第1發光單元U1”、第2發光單元U2"、第3發光〜下面將 第4發光單元4，，及第5發光單元U5"各自發出之光凡仍、 光，將對第i發光單元W，、第2發光單元U2"、=為初級 單兀U3"、第4發光單元U4"及第5發光單元〇 發光 之初級光進行合成並自發光部丨"發出之光稱為 自發出 (螢光構件） ° 如上所述，螢光構件5,'對應於第1LED群Dl" 群D2"、第几邱群阶、第—群D4"及第5咖群23 而被劃分為第i波長轉換區域pi"、第2波長轉換區物"、 第3波長轉換區域P3，，、第4波長轉換區域⑽及 轉換區域P5”之5個波長轉換區域。第i波長轉換區域= 第2波長轉換區域P2"、第3波長轉換區域P3"、第 轉換區域斤及第5波長轉換區域p5，•分散保持有對自= 晶片3發出之光進行波長轉換並發出之各種營光體。各種勞 先體與第1實施例相同’可以使用對LED晶片3所發出之 藍色光進行波長轉換從㈣恤色光社色螢絲4咖 晶片3所發出之藍色光進行波長轉換從而發出綠色光之綠色 營光體、以及對所發出之藍色光騎波長轉換 從而發出黃色光之黃色榮光體。而且，亦可進一步使用對 ㈣晶片3所發出之藍色光進行波長轉換從而發出橙色光之 橙色螢光體。並且，與第μ Μ 只施例相同’螢光構件5，'無須 100132595 81 201233233 分散保持上述紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之全 部，只要可自螢光構件5"發出所需之初級光，則亦可自上述 螢光體中選擇1種或2種以上之螢光體。例如，螢光構件 5"可分散保持紅色螢光體及綠色螢光體，而不分散保持黃色 螢光體。其他具體的各螢光體之組成及構造等與第1實施例 相同。 並且，第1波長轉換區域ΡΓ、第2波長轉換區域P2"、 第3波長轉換區域P3"、第4波長轉換區域P4"及第.5波長 轉換區域P5"之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之質 量及混合比率不同。因此，經波長轉換地自各波長轉換區域 發出之紅色光、綠色光及黃色光以及未經波長轉換地發出之 藍色光之比率於每個波長轉換區域中不同。因此，作為對自 第1波長轉換區域ΡΓ發出之紅色光、綠色光、黃色光及藍 色光進行合成所得之初級光的白色光、作為對自第2波長轉 換區域P2”發出之紅色光、綠色光、黃色光及藍色光進行合 成所得之初級光的白色光、作為對自第3波長轉換區域P3" 發出之紅色光、綠色光、黃色光及藍色光進行合成所得之初 級光的白色光、作為對自第4波長轉換區域P4”發出之紅色 光、綠色光、黃色光及藍色光進行合成所得之初級光的白色 光、以及作為對自第5波長轉換區域P5"發出之紅色光、綠 色光、黃色光及藍色光進行合成所得之初級光的白色光具有 互不相同之色溫。 100132595 82 201233233 與第1實施例相同，亦可使分散保持於第1波長轉換區域 ΡΓ、第2波長轉換區域P2"、第3波長轉換區域Ρ3Π、第4 波長轉換區域Ρ4"及第5波長轉換區域Ρ5"中之螢光體之種 類數互不相同。於該情形時，第1波長轉換區域Ρ1’’、第2 波長轉換區域Ρ2，’、第3波長轉換區域Ρ3"、第4波長轉換 '區域Ρ4，，及第5波長轉換區域Ρ5"各自發出之初級光之色溫 亦互不相同。 繼而，參照圖33對第1波長轉換區域Ρ1"、第2波長轉 換區域Ρ2Π、第3波長轉換區域Ρ3"、第4波長轉換區域Ρ4" 及第5波長轉換區域Ρ5"中之螢光體之混合比率之規定方法 進行說明。圖33係CIE(1931)XYZ表色系統之xy色度圖中 之黑體輻射執跡BL周邊之要部放大圖。於本實施例中’以 自包括第1LED群D1'·及第1波長轉換區域ΡΓ之第1發光 單元U1’·發出之初級光具有圖33中之色度點T1(約2050 K) 之色度之方式’規定第1波長轉換區域P1”中之紅色螢光 體、綠色螢光體及黃色螢光體之混合比率。並且’以自包括 . 第2LED群D2”及第2波長轉換區域P2"之第2發光單元U2·’ 發出之初級光具有圖33中之色度點T2(約2300 K)之色度之 方式，規定第2波長轉換區域Ρ2"中之紅色螢光體、綠色螢 光體及黃色螢光體之混合比率°而且’以自包括第3LED群 D3'，及第3波長轉換區域Ρ3"之第3發光單元U3"發出之初級 光具有圖33中之色度點Τ3(約2550 Κ)之色度之方式’規定 100132595 83 201233233 第3波長轉換區域P3’’中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色 螢光體之混合比率。並且，以自包括第4LED群D4·’及第4 波長轉換區域P4’1之第4發光單元U4"發出之初級光具有圖 33中之色度點T4(約2800 K)之色度之方式，規定第4波長 轉換區域Ρ4"中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之 混合比率。而且，以自包括第5LED群D5”及第5波長轉換 區域Ρ5"之第5發光單元U5”發出之初級光具有圖33中之色 度點Τ5(約3100 Κ)之色度之方式，規定第5波長轉換區域 Ρ5”中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之混合比率。 另外，較佳為自第1發光單元U1"、第2發光單元U2，，、 第3發光單元U3"、第4發光單元υ4"及第5發光單元υ5，， 之各個發出之初級光之色度點之CIE(1931)XYZ表色系統y 值均為0.65以下。於y值超過〇 65之情形時，各發光翠元 中之可見光之取光效率會惡化，無法使發光裝置整體有效地 發光。另一方面，於使用發出近紫外光之LED晶片代替發 出I色光之LED晶片3之情形時，y值亦可超過〇 65。 人藉由利用上述方法規定各波長轉換區域中之螢光體之混 :比率’而可按照第i發光單元⑴,，、第2發光單元U2"、 第3么光單U3"、第4發光單元w，，及第5發光單元U5" 員序提同自第1發光單元抑，、第2發光單元瓜"、第3 光單元U3第4發光單元U4，，及第5發光單元u5，,發出 之初級光之色溫。 100132595 84 201233233 於本實施例中，紅色螢光體係使用（Sr、CahAlSilS^ : Eu， 綠色螢光體係使用Ca3(Sc、Mg)2Si3〇12·· Ce，黃色螢光體係 使用YsAlsOu : Ce。並且，如圖34所示，第1波長轉換區 域ΡΓ中之螢光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體： 黃色螢光體= 0.35: 1:0.05,第2波長轉換區域P2"中之螢 光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體：黃色螢光體= 0.30 : 1 : 〇.〇5。並且，第3波長轉換區域p3"中之螢光體之 混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體：黃色螢光體=〇.: 1 : 0.05 ’第4波長轉換區域P4”中之螢光體之混合比率為紅 色榮光體.綠色螢光體：黃色螢光體=〇175 : 1〇 : 〇〇5， 第5波長轉換區域P5”中之螢光體之混合比率為紅色螢光 體.綠色榮光體：黃色螢光體= 0150: 1〇: 〇 〇5。 而且，第1波長轉換區域P1"、第2波長轉換區域P2,·、 第3波長轉換區域P3”、第4波長轉換區域p4"及第$波長 轉換區域P5”具有不同的膜厚。具體而言，如圖34所示， 第1波長轉換區域P1’’之膜厚為！卿m ’第2波長轉換區 域P2"之膜厚為12Q/Zm ’第3波長轉換區域p3，，之膜厚為 110/zm，第4波長轉換區域p4，，之膜厚為95#m，第$波長 轉換區域P5"之膜厚為8〇#m。 (發光裝置之電路構成） 如上所述’於本實關之發光裝置中，自第丨發光單元 U1"、第2發光單元U2,，、第3發光單元仍"、第4發光單 100132595 85 201233233 元U4”及第5發光單元U5”之各個發出之初級光之色溫係設 疋為互不相同’對自該等發光單元發出之初級光進行合成所 得之合成白色光係自發光裝置發出。因此，於本實施例之發 光裝置中，藉由使自第1發光單元仍"、第2發光單元U2,，、 第3發光單元U3'’、第4發光單元U4”及第5發光單元υ5ι， 之各個發出之初級光之總光通量（亦即發光強度或亮度）變 化，而調整自發光裝置發出之合成白色光之總光通量，並根 據該合成白色光之總光通量使合成白色光之色溫變化，而發 出具有所需之總光通量及適於該總光通量之色溫之合成白 色光。下面，參照圖35對作為與第1實施例不同之電路構 成部分的發光部Γ及電流供給部15”之構成進行說明。此 處’圖35係表示本貫施例之發光裝置η"中之發光部1，，及 電流供給部15"之電路構成之概略的電路圖，省略了作為與 第1實施例相同之部分的調光部13、指示部(操作部）14及 控制部16。下面，基於與第.1實施例相關之圖式，對調光 部13、指示部（操作部）14及控制部16進行說明。 發光部Γ具有：上述第1LED群D1，，之LED晶片3a"、第 2LED群D2’’之LED晶片3b"、第3LED群D3，，之LED晶片 3c’’、第4LED群D4”之LED晶片3d"及第5LED群D5，，之 LED晶片3e”。作為第1LED群D11，及第2LED群D2，'之具 體構成，第1LED群D1"之4個LED晶片3a"係極性相同地 互相串聯，第2LED群D2"之4個LED晶片3b，，亦係極性相 100132595 86 201233233 同地互相串聯。同樣’作為第3LED群D3”及第4LED群 D4之具體構成’第3LED群之8個led晶片w亦係 極f生相同地互相串聯，第4LED群D4，，之8個led晶片 亦係極性相同地互相争聯。而且，作為第似〇群〇5"之具 肢構成’第5LED群D5"之16個之LED晶片3e"亦係極性 相同地互相串聯。並且，第1LED群以"、第群⑴，，、 第3LED群Ε)3Μ、第4LED群D4'1及第5LED群D5，，係經由
下述開關電路15cn而互相並聯。另外，同一 LED群内之LED b曰片3之連接形態並不限定於串聯，亦可例如使led晶片 3之極性相同地互相並聯。 電流供給部15”係由整流電路15a、電壓電流轉換電路15b 及開關電路15cn構成。由於整流電路15a及電壓電流轉換 電路15b與第1實施例為相同構成，故省略對其之說明。開 關電路15c，，係由電晶體φ、q2、Q3、Q4、Q5構成。電晶 體Φ、Q2、Q3、Q4、Q5之集電極分別與第1LED群D1，，、
第 2LED 群 D2’'、第 3LED 群 D3，'、第 4LED 群 D4，，及第 5LED 群D5，’之最陰極側端部連接，電晶體QbQ2、Q3、Q4、 > Q5之發射極與電壓電流轉換電路15b連接，電晶體 Q2、Q3、Q4、Q5之基極與控制部15連接。 於本實施例之照明系統12"中，亦係根據調光部13、指示 部Μ及電流供給部I5"之構纽連翻係，鶴由轉動操 作旋钮Ma即可鑛供給至LED晶片3之_電流之量（電 100132595 87 201233233 流供給量）。如此，藉由調整供給至發光部丨，，之電流量，而 可自發光裝！· 1Γ發出具有所需總光通量之合成白色光（即 調光）。 (發光部之控制） 當發光裝置11"之使用者操作操作旋紐14a時，指示部14 之本體14b檢測操作旋鈕14a之位置，並將基於檢測到之操 作旋鈕14a之位置之指示信號（表示調光等級之信號）供給至 調光部13。調光部13基於由指示部14供給之指示信號， 對由交流電壓源VAC供給之交流電壓之波形之導通相位角 進行控制，生成交流調光電壓vDIM(Ac)。作為具體的控制方 法’調光部13係藉由輸入相對於由交流電壓源供給之交流 正弦波形之零交叉點而具有任意之相位差之觸發脈衝，而控 制導通相位角。因此，當所供給之指示信號變動時，調光部 13對應於所供給之指示信號之變動而使觸發脈衝之相位差 變動，從而控制導通相位角。 電流供給部15π之整流電路15a係將由調光部13供給之 父流調光電壓VdiivKAC}轉換為直流調光電壓VDIM(DC)，並將 該直流調光電壓Vdim(dc;>供給至電壓電流轉換電路15b。電 壓電流轉換電路15b將由整流電路l5a供給之直流調光電壓 Vdim(dc)轉換為用於供給至LED晶片3之驅動電流，並將該 驅動電流供給至第1LED群D1’’、第2LED群D2，’、第3LED 群 D3，，、第 4LED 群 D41’及第 5LED 群 D5，，。 100132595 88 201233233 控制部16根據由調光部13供給之交流調光電壓vDIM(Ae) 而選擇性地使電晶體（3卜（?2、（53、（^4、〇5進行開啟驅動， 並控制施加至電晶體Ql、Q2、Q3、Q4、Q5之基極的基極 電壓Vs之電壓值，控制流至每個led群之驅動電流。於此， 當向電晶體Ql、Q2、Q3、Q4、Q5之基極施加電壓值相等 之基極電壓Vs時，流至第1LED群D1"、第2LED群D2"、 第3LED群D3"、第4LED群D4，'及第5LED群D5"之驅動 電流之量變得大致相等。並且，於不向電晶體Qi、Q2、Q3、 Q4、Q5之基極施加基極電壓vs之情形時，電晶體Q卜Q2、 Q3、Q4、Q5不進行開啟驅動，因此’即便自電壓電流轉換 電路15b向第1LED群D1"、第2LED群D2，，、第3LED群 D3"、第4LED群D4，，及第5LED群D5"供給驅動電流，驅 動電流亦不會流至第1LED群D1，，、第21^1)群1)2"、第3led 群D3’，、第4LED群D4”及第5LED群D5"，從而LED晶片 3不會發光。 本貫施例之控制部16之詳細控制方法如下所述。另外， 於控制部16之記憶體16b中，對應於在調光部中受控制 之導通相位角而記錄有施加至電晶體Ql、Q2、Q3、Q4、 Q5之基極的基極電壓之電壓值資料。控制部16之相位角檢 :16a根據由調光部13供給之交流調光電壓VDIM(AC)檢 /振調先部i3中受控制之導通相位角。具體而言，相位角 檢測器⑹係根據調光電壓V酬AC)之電壓波形(控制信號) 100132595 89 201233233 檢測導通相位角。相位角檢測器16a將表示檢蜊出之導通相 位角之資料信號供給至選擇電路16c。為了根據所供給之導 通相位角決定施加至電晶體Ql、Q2、Q3、q4、之芙極 的基極電壓之電壓值，選擇電路16c對儲存於記憶體 中之與電晶體Ql、Q2、Q3、Q4、Q5相關之電壓值資料、 與表示所供給之導通相位角之資料信號進行對照。繼而，選 擇電路16c將具有藉由該對照而決定之電壓值之基極電壓 施加至電晶體Ql、Q2、Q3、Q4、Q5之基極。藉此，電晶 體Ql、Q2、Q3、Q4、Q5中之至少-者進行開啟驅動，並 且供給至第 1LED 群 D1，，、第 2LED 群 D2，'、第 3Lee^D3,,、 第4LED群D4”及第5LED群D5"之驅動電流之大小根據施 加至電晶體Ql、Q2、Q3、Q4、Q5之基極的基極電壓之電 壓值而受到控制，從而自第1發光單元U1，'、第2發光單元 U2、第3發光單元U3’’、第4發光單元U4”及第5發光單 元U5”中之至少一者發出具有與調光等級相對應之總光通 里以及與各波長轉換區域相對應之色溫之合成白色光。於本 實施例中，當自未施加基極電壓Vs之狀態起逐漸使基極電 壓Vs上升時，電晶體將按照電晶體91、Q2、Q3、Q4、以 之順序進行閧啟驅動。 繼而’參照圖36及圖37 ’對為了自發光裝置u，，發出具 有所需總錢量以及適於該、縣通量之色溫之合成白色光 而如何對電晶體Q卜Q2、Q3、q4、Q5之基極施加基極電 100132595 201233233 麗、以及如何控制供給至第1LED群D1，，、第2led群Μ"、 第3LED群D3"、第4LED群w"及第細群D5"之驅動 電抓之大小進仃糾。圖36係表示調光部η之調光等級與 自發光裝置U"發出之合成白色光之發光強度之關係的圖 表。圖37係表示自發光裝置『發出之合成白色光之總光通 量(單位：流明㈣)與色溫(單位：克耳文(κ))之關係的圖表。 百先’於操作操作旋-…而以自發光褒置11"發出最暗 的合成白色光之方式開始LED群之點燈之情形時，僅電晶 體Q1進行開啟驅動，僅自第！發光單••發出初級光。 亦即此時自發光裝置發出之合成白色光係僅由第i發光單 /GUI”發出之初級光構成。於圖36及圖37中，相關之第 群D1"之點燈開始係由點A表示。 虽進一步操作操作旋鈕14a而調光為發出更亮的合成白色 光（亦即降低調光等級)時，供給至帛1LED群D1，，之驅動電 流增加，自第丨發光單元Ui，，發出之初級光之總光通量增 加。相關之總光通量之增加係相當於圖36之圖表上之曲線 36A部分。並且，由於螢光體之合成比率係調整為自第工 發光單tl U1"發出之初級光之色溫為約2〇5〇κ，因此，於僅 自第1發光單元ui’，發出初級光之情形時，自發光裝置η„ 發出之合成白色光之色溫維持在約2050 Κ。相關之色溫得以 維持之同時總光通量增加之情形係相當於圖37之實線 37Α。 100132595 201233233 當進一步操作操作旋鈕14a而調光等級進一步降低時，施 加至電晶體Q1之基極之電壓值藉由控制部16控制為流至 第1LED群D1"之驅動電流不再增加，從而自第！發光單元 U1"發出之初級光之總光通量不再增加。將此種總光通量不 再增加之狀態定義為第1發光單元Ui"之全部燈亮狀態。此 種總光通量不再增加之狀態係相當於圖36之圖表上之直線 3 6B部分。如此使總光通量不再增加係為了防止過剩的驅動 電流帶給LED晶片3之熱影響。 當自如上所述之合成白色光之總光通量之增加得到抑制 之狀態起進一步操作操作旋鈕14a而調光等級進一步降低 時，電晶體Q2亦進行開啟驅動，從而第2LED群D2"開始 點燈，亦自第2發光單元U2"發出初級光。此時，控制部 16以維持第1發光單元U1"之全部燈亮狀態之方式，向電 晶體Q1之基極施加基極電壓。於圖36及圖37中，相關狀 態係由點B表示。 當自第2LED群D2”開始點燈起進一步操作操作旋鈕14& 而調光等級進一步降低時，以維持第丨發光單元Ui，，之全部 燈亮狀態之同時自第2發光單元^^”發出之初級光之總光通 量增加之方式，向電晶體Q1、Q2之基極施加基極電壓。相 關之總光通量之增加係相當於圖36之圖表上之曲線36C部 分。並且，由於螢光體之合成比率係調整為自第2發光單元 U2n發出之初級光之色溫為約23〇〇κ，故當自第2發光單元 100132595 92 201233233 U2n發出之初級光之總光通量增加時，自發光裝置11"發出之 合成白色光之色溫係以接近2300 K之方式增加。相關之色 溫之增加係由圖37之實線37B表示。 當進一步操作操作旋鈕14a而調光等級進一步降低時，施 加至電晶體Q2之基極的基極電壓之電壓值藉由控制部16 控制為不僅流至第1LED群D1"之驅動電流不再增加，流至 第2LED群D2"之驅動電流亦不再增加，從而自第2發光單 元U2"發出之初級光之總光通量不再增加。亦即，第2發光 單元U2"亦進入全部燈亮狀態。此種第1發光單元U1"及第 2發光單元U2"之全部燈亮狀態係相當於圖36之圖表上之 直線36D部分。另外，當第2發光單元U2"進入全部燈亮 狀態時，自發光裝置1Γ發出之合成白色光之色溫為約2200 K。 當合成白色光之總光通量之增加藉由第2發光單元U2” 進入全部燈亮狀態而得到抑制之狀態起進一步操作操作旋 鈕14a而調光等級進一步降低時，電晶體Q3亦進行開啟驅 動，從而第3LED群D3"開始點燈，亦自第3發光單元U3" 發出初級光。此時，控制部16以維持第1發光單元U1"及 第2發光單元U2"之全部燈亮狀態之方式，向電晶體Q1、 Q2之基極施加基極電壓。於圖3 6及圖3 7中，相關狀態係 由點C表示。 當自第3LED群D3"開始點燈起進一步操作操作旋鈕14a 100132595 93 201233233 而調光等級進一步降低時，以維持第1發光單元U1"及第2 發光單元U2"之全部燈亮狀態之同時自第3發光單元U3"發 出之初級光之總光通量增加之方式，向電晶體Q卜Q2、Q3 之基極施加基極電壓。相關之總光通量之增加係相當於圖 36之圖表上之曲線36E部分。並且，由於螢光體之合成比 率係調整為自第3發光單元U3"發出之初級光之色溫為約 2550 K，故當自第3發光單元U3’'發出之初級光之總光通量 增加時，自發光裝置1Γ發出之合成白色光之色溫係以接近 2550 K之方式增加。相關之色溫之增加係由圖37之實線 37C表示。 當進一步操作操作旋鈕14a而調光等級進一步降低時，施 加至電晶體Q3之基極的基極電壓之電壓值藉由控制部16 控制為不僅流至第1LED群D1"及第2LED群D2"之驅動電 流不再增加’流至第3LED群D3 "之驅動電流亦不再增加》 從而自第3發光單元U3"發出之初級光之總光通量不再增 加。亦即，第3發光單元U3”亦進入全部燈亮狀態。此種第 1發光單元U1”、第2發光單元U2"及第3發光單元U3"之 全部燈亮狀態係相當於圖36之圖表上之直線36F部分。另 外，當第3發光單元U3"進入全部燈亮狀態時，自發光裝置 11"發出之合成白色光之色溫為約2470 K。 當合成白色光之總光通量之增加藉由第3發光單元U3n 進入全部燈亮狀態而得到抑制之狀態起進一步操作操作旋 100132595 94 201233233 鈕14:而調光等級進-步降低時，電晶體Q4亦進行開啟驅 動’從而第4LED群D4·，開始點燈，亦自第4發光單元⑽ 發出初級光。此時，控制部16以維持第i發光單元U1M、 第心光單元及第3發光單元U3'·之全部燈亮狀態之方 式向電阳體Ql、Q2、Q3之基極施加基極電壓。於圖 及® =中’相關狀態係由點d表示。 、 上、第4LED群D4"開始點燈起進一步操作操作旋鈕 '^周，等級進—步降低時，以維持第1發光單元U1"、第2 發光早7LU2”及第3發光單元似，之全部燈亮狀態 第4發#留_ Ί可目 疋U4"發出之初級光之總光通量增加之方式， 電晶體Q1、 一 、Q3、Q4之基極施加基極電壓。相關之總 、之增加係相當於圖36之圖表上之曲線36G部分。並 且，由於馨止μ 衷九體之合成比率係調整為自第4發光單元U4” 叙出之初級光之色溫為約2800 Κ,故當自第4發光單元U4，, 發出之初級光之總光通量增加時，自發光裝置11"發出之合 成白色光之色溫係以接近28G0 Κ之方式增加。相關之色溫 之增加係由圖37之實線 37D表示。 田進步操作操作旋鈕I4a而調光等級進一步降低時，施 Q4之基極的基極電壓之電壓值藉由控制部16
控制為不僅流至第1LED群D1"、第2LED群〇2"及第3LED 群D3"夕I 驅動電流不再増加，流至第4LED群D4"之驅動電 肌亦不再增加，從而自帛4發光單SU4·，發出之初級光之總 100132595 95 201233233 光通量不再增加。亦即，第4發光單元U4"亦進入全部燈亮 狀態。此種第1發光單元U1"、第2發光單元U2"、第3發 光單元U3"及第4發光單元U4"之全部燈亮狀態係相當於圖 36之圖表上之直線36H部分。另外，當第4發光單元U4" 進入全部燈亮狀態時，自發光裝置1Γ發出之合成白色光之 色溫為約2670 K。 當自合成白色光之總光通量之增加藉由第4發光單元U4" 進入全部燈亮狀態而得到抑制之狀態起進一步操作操作旋 鈕14a而調光等級進一步降低時，電晶體Q5亦進行開啟驅 動，從而第5LED群D5"開始點燈，亦自第5發光單元U5’’ 發出初級光。此時，控制部16以維持第1發光單元U1"、 第2發光單元U2"、第3發光單元U3"及第4發光單元U4" 之全部燈亮狀態之方式，向電晶體Ql、Q2、Q3、Q4之基 極施加基極電壓。於圖36及圖37中，相關之狀態係由點E 表示。 當自第5LED群D5’’開始點燈起進一步操作操作旋鈕14a 而調光等級進一步降低時，以維持第1發光單元U1’'、第2 發光單元U2"、第3發光單元U3"及第4發光單元U4"之全 部燈亮狀態之同時自第5發光單元U5"發出之初級光之總光 通量增加之方式，向電晶體Ql、Q2、Q3、Q4、Q5之基極 施加基極電壓。相關之總光通量之增加係相當於圖3 6之圖 表上之曲線361部分。並且，由於螢光體之合成比率係調整 100132595 96 201233233 為自弟5發光單元仍，’發出之初級光之色溫為約31〇〇K，故 當自第5發光單元U5，，發出之初級光之總光通量增加時 發光裝置U"發出之合成白色光之色溫係以接近3_Κ之方 .式；力相關之色溫之増加係由圖37之實線37Ε表示。 . #進—步操作操作杨W而難等級進-步降低時，施 加至電曰曰體Q5之基極的基極電壓之電壓值藉由控制部μ 控制為不僅流至第1LED群m "、第2led群μ，，第3咖 群〇3"及第4咖群⑽，之驅動電流不再增加，流至第5Led 群D5"之驅動電流亦不再增加，從而自第5發光單元仍"發 出之初級光之總光通量不再增力口。亦即，第$發光單元收 亦進入全部燈亮狀態。此種第1發光單元ur、第2發光單 元似，、第3發光單元咖、第4發光單元⑽，，及第5發光 單元U5"之全部燈亮狀態係相當於圖36之圖表上之直線初 部分。另外，於第1發光單元m"、第2發光單元U2"、第 3發光單元U3"、f4發光單元別，，及第5發光單元仍，，之 全部燈亮狀態中，自發光裝置u"發出之合成白色光之色溫 - 雖未達到31〇0K，但卻會達到約2930 K(圖36及圖37中之 點 Ε)。 並且，圖49記载下述要部放大圖，該要部放大圖係表示 將第3貫施例中之第1波長轉換區域設定為24〇〇κ、將第2 波長轉換區域設定為3100 Κ、將第3波長轉換區域設定為 3900 Κ、將第4波長轉換區域設定為5〇〇〇 κ、將第5波長 100132595 97 201233233 轉換區域設定為6500 K時之CIE(1931)XYZ表色系統xy色 度圖中的、發光部之每個發光單元之色度點與控制曲線之關 係。並且，圖50記載表示藉由圖49之照明系統而獲得之合 成白色光之色溫與合成白色光之總光通量之關係的圖表。
於如上所述之控制中，係根據調光等級獨立地使電晶體 Q卜Q2、Q3、Q4、Q5進行開啟驅動’因此可根據調光等 級獨立地控制LED晶片3a，，之發光開始時序、LED晶片3b·， 之毛光開始時序、LED晶片3 c"之發光開始之時序、led晶 片3d"之發光開始時序及LED晶片3e”之發光開始時序。亦 即，於本實施例之發光裝置1Γ，中，可根據調光等級控制第 1LED 群 D11’、第 2LED 群 D2"、第 3LED 群 D3，，、第 4LED 群D4”及第5LED群D5"之點燈開始時序。換言之，於本實 施例之發光裝置11”中，每個LED群之電流供給開始時序不 同’ §玄電流供給開始時序係根據調光等級而對應每個led 群作為電流供給開始調光等級而設定，根據由指示部14供 給之指示信號（表示調光等級之信號）與該電流供給開始調 光等級之關係而選擇將點燈之LED群。 並且’當第1LED群D1"開始點燈然後第1發光單元υΓ 進入全部燈亮狀態時，於第2LED群D2"開始點燈且自第2 發光單元U2·’發出之初級光之總光通量增加期間，第1發光 單元U1"之全部燈亮狀態得以維持。因此自第2LEr)群D2，， 開始點燈之後’自發光裝置U”發出之合成白色光之色溫與 100132595 98 201233233 。成白色光之總光通量之增加相對應地增加。同樣，於第 3LED群D3，，開始點燈且自第3發光單元u3，.發出之初級光 之總光通量增加期間，第1發光單元U1”及第2發光單元 ‘ U2之全部燈党狀態得以維持，於第札ed群d4，，開始點燈 • 且自第4發光單AU4’’發出之初級光之總光通量增加期間， 第1發光單元m，，、第2發光單元m,，及第3發光單元U3，， 之全部燈兜狀態得以維持。因此，自第3LE〇群，，開始點 燈之後以及自第4LED群抑，開始點燈之後，㈣光裝置U" ♦出之δ成白色光之色溫亦與合成白色光之總光通量之增 加相對應地增加。而且，於第51^£>群1)5"開始點燈且自第 5發光單το U5"發出之贿光之總紐量增加期間，第】發 光單元Ul”、第2發光單元U2，，、第3發光單元U3，，及第4 發光單7L U4’1之全部燈亮狀態得以維持。亦即，隨著供給至 複數個LED群之電流之總量上升，各LED群依序點燈。因 此’自第5LED群D5，，開始點燈之後，自發光裝置u，，發出 之合成白色光之色溫隨著合成白色光之總光通量之增加而 *增加。通常，於總光通量較低之情形時，色溫較低之白色光 "(亦即自白熾燈發出之光)較佳，於總光通量較高之情形時， 色溫較高之白色光(亦即自f光燈發出之⑹較佳，因此於本 發明之發光裝置11”及照明系統12"中，隨著合成白色光之 總光通量之增加，色溫亦同時得到控制，從而可發出具有所 需總光通量及適於該總光通量之色溫之合成白色光。 100132595 99 201233233 圖38〜圖41係記載本實施例之發光裝置之光線追蹤模擬 結果。圖38係表示於僅第iLEd群D1，，點燈之模式（第1點 燈模式）、第1LED群D1"及第2LED群D2"點燈之模式（第2 點燈模式）、第1LED群D1"、第2LED群D2"及第3LED群 D3'’點燈之模式（第3點燈模式）、第1LED群D1"、第2LED 群D2"、第3LED群D3，，及第4LED群D4"點燈之模式（第4 點燈模式）、第1LED群m，，、第2LED群D2，，、第3LED群 D3n、第4LED群D4，，及第5LED群D5，，點燈之模式（第5點 燈模式）中自發光裝置11”發出之合成白色光之相關色溫、於 CIE1931中之Cx、Cy值、平均演色評估值及總光通量之模 擬結果。.圖39係示為於第！點燈模式、第2點燈模式、第 3點燈模式、第4點燈模式及第5點燈模式中自發光裝置11 ,， 發出之合成白色光之分光發出通量譜的圖表。圖4〇係於第工 點燈模式、第2點燈模式、第3點燈模式、第4點燈模式及 第5點燈模式f將圖38所示之相關色溫之模擬結果設為橫 軸、將總光通量之模擬結果設為第丨_、將平均演色評估 值設為第2㈣地表示總紐量相對於相關色溫之變化以 及平均演色評估值相對於相關色溫之變化的圖表。圖41係 將於第1點燈模式、第2雜m 3點燈模式、第4 點燈模式及第5點燈模式中自本實施例之發光震置^"發出 之合成白色光之Cx、Cy值之模擬結果示於cm側之色溫 座標上的圖表。 100132595 100 201233233 (LED群及波長轉換區域之圖案形狀之變形例） 於上述實施例中，在螢光構件5"中，各波長轉換區域係 各設置有1個，但本發明並不限定於此。例如，亦可如圖 42所示般將螢光構件5”劃分為第1波長轉換區域ΡΓ、第2 波長轉換區域P2"、第3波長轉換區域P3"、第4波長轉換 區域P4’及第5波長轉換區域P5"。 如圖42所示，螢光構件5"亦可劃分為正方形狀之4個第 1波長轉換區域PT、L字狀之4個第2波長轉換區域P2"、 長方形狀之2個第3波長轉換區域P3'、2個第4波長轉換 區域P4’及1個第5波長轉換區域P5"。並且，第1波長轉 換區域ΡΓ係位於螢光構件5’’之4個角，第2波長轉換區域 P2’’係位於第1波長轉換區域ΡΓ’之周圍。而且，第3波長 轉換區域P3"係定位為填充第2波長轉換區域P2"彼此之間 之Y方向之間隙，第4波長轉換區域P4”係定位為填充第2 波長轉換區域Ρ2Π彼此之間之X方向之間隙。並且，第5波 長轉換區域Ρ5"係位於螢光構件5’’之中央部，由第2波長轉 換區域Ρ2’’、第3波長轉換區域Ρ3"及第4波長轉換區域Ρ4’ 包圍。藉由如此配置第1波長轉換區域Ρ1"、第2波長轉換 區域Ρ2"、第3波長轉換區域Ρ3"、第4波長轉換區域Ρ4’ 及第5波長轉換區域Ρ5’’，而螢光構件5’’相對於X方向之 中心軸及Υ方向之中心軸達到對稱。 並且，雖未圖示符號，與上述實施例相同，與各波長轉換 100132595 101 201233233 區域相對應之各LED群係設置為與各波長轉換區域相對 向。並且，與第1波長轉換區域P1"相對向之第1LED群 D1"分別具備1個LED晶片3a"，與第2波長轉換區域P2，， 相對向之第2LED群D2’，分別具備3個LED晶片3b'，，與第 3波長轉換區域P3"相對向之第3LED群D3，，分別具備2個 LED晶片3c"，與第4波長轉換區域P4"相對向之第4LED 群D4"分別具備2個LED晶片3d1·，與第5波長轉換區域 P5"相對向之第5LED群D5，，分別具備6個LED晶片3e，，。 與上述實施例相同，各LED群内之LED晶片3彼此之間 既可串聯亦可並聯。 並且’於文獻 Kruithof A A:Tubular Luminescence Lamps for General Illumination, Philips Technical Review, 6, pp.65-96(1941)中’記載有於使合成白色光之色溫變化時會 讓人感到舒適之照度。為了基於該文獻（以下稱為Kruithof 文獻）之記載，維持舒適度地使合成白色光之色溫變化，可 以於根據目標相關色溫T使目標光束0變化時存在使下述 不等式（1)成立之常數A0的方式控制發光單元之發光。 -80743.(1000/T)5+164973.(1000/T)4-135260.(1000/T)3+ 57994·(1000/Τ)2-13995·(1000/Τ)+1632.9< 0/AO<exp {-342.11·(1000/Τ)3+450.43·(1000/Τ)2-212.19χ(1000/Τ)+39.47} …⑴ 於上述第1實施例〜第3實施例中，正對於發光部1、發 100132595 102 201233233 光部r及發光部r且處於距離R之位置之照射面中之照度 為0/(;r，R2)。此處，該發光裝置之配光分佈為朗伯分佈。 於設置有N個此種發光裝置之情形時，根據於上述不等式 中Α0=ττ .R2/N’而可計算出與目標相關色溫τ相對應之適 宜的目標光束。因此，於使發光裝置所發出之照明光之總光 通量與色溫之關係總是滿足上述不等式（1)之常數Α〇存在 之情形時，適當地設定上述R及Ν，可實現於任何照度中 均會讓人感覺舒適之色溫。 於進行上述第1實施例〜第3實施例之發光控制之情形 時’藉由設定與Α0相對應之R及Ν，而可基於Kruithof文 獻之記載’實現於任何調光等級中色溫均會對應照度讓人感 覺舒適之照明’其中A0使自發光裝置發出之照明光之總光 通量與色溫之關係滿足上述式（1)。例如，對於第2實施例 之發光裝置’藉由將R設為2m，N= 70，而可使照度（總光 通量）及色溫按照如由實線示於圖43(a)中之關係進行變 化。另外，由圖43(a)中之2條一點鏈線夾持之區域C1係表 示基於Kruithof文獻之記載讓人感覺舒適之範圍，除C1之 外之區域D1及D2係表示讓人感覺不舒適之範圍。當可知， 如圖43(a)所示，自發光裝置獲得之照明光於照度及色溫變 化時，總是能確保舒適性。同樣，對於第3實施例之發光裝 置，藉由將R設為2m，N= 33，而可使照度及色溫按照如 由實線示於圖43(b)中之關係進行變化。另外，由圖43(b) 100132595 103 201233233 中之2條一點鏈線夾持之區域c 1係表示基於Kruithof文獻 之記載讓人感覺舒適之範圍，除C1之外之區域D1及D2 係表示讓人感覺不舒適之範圍。當可知，如圖43(b)所示， 自發光裝置獲得之照明光於照度及色溫變化時，總是能確保 舒適性。 (本實施例之效果） 本實施例之發光裝置11，，及照明系統12"與第1實施例之 發光裝置11及照明系統12相比，雖然存在LED群及波長 轉換區域之數量不同之差異，但基本構造相同，因此本實施 例之發光裝置11"、照明系統12"及照明方法亦可獲得與第 1實施例相同之效果。並且，本實施例之發光裝置1Γ及照 明系統12··較之於第1實施例及第2實施例之發光裝置及照 明系統，LED群及波長轉換區域之數量較多，因此可相對 於合成白色光之亮度之變化以更高精度控制色溫。 <第4實施例> 於上述第1實施例〜第3實施例中，係使用由安襄於佈線 基板2上之複數個LED晶片3以及設置於透光基板4上之 螢光構件5構成之發光單元群而構成發光裝置。然而，本發 明之發光裝置並不限定於此種形態，只要不脫離本發明之主 旨’當可作各種變更或替換。此處，將使用與第丨.〜第3實 施例之發光單元群不同之發光單元群而構成之發光裝置之 一例，作為本發明之第4實施例，並於下面進行說明。 100132595 104 201233233 (發光部之構成） 圖44係表示本實施例之發光裝置中之發光部1〇1之基本 構成的立體圖，圖45係發光部101之俯視圖。發光部101 具備於佈線基板102之晶片安裝面l〇2a上以每行4個安裝 為2行之LED晶片103 ’該佈線基板102包括電絕緣性優異 且具有良好散熱性之氧化鋁系陶瓷。而且，於佈線基板1〇2 之晶片安裝面l〇2a上’包圍該等LED晶片1〇3地設置有為 環狀且為圓錐台形狀之反射體（壁構件）1〇4。 反射體104之内側由間隔構件1〇5分割為第1區域1〇6 及第2區域1〇7。並且，於第1區域1〇6中配置有2行排列 之LED晶片1〇3中之i rLED晶片ι〇3，於第2區域ι〇7 中配置有另一行LED晶片103。另外，反射體1〇4及間隔 構件105可利用樹脂、金屬、陶瓷等形成，使用黏接劑等固 定於佈線基板102上。並且，於將具有導電性之材料用於反 射體104及間隔構件105之情形時，必須進行用於使其相對 於下述佈線圖案具有電絕緣性之處理。 另外，本實施例中之LED晶片1〇3之齡吾氣y . 〜双里馬一例，可視 需要作增減’亦可於第1區域106及第2區域1〇7中各設i 個，並且，各區域之LED晶片103之數量亦可不同。並=， 佈線基板102之材質亦並不限定於氧化叙系 尔』究，而可使用 各種材質’例如可使用選自陶竟、樹月旨、玻璃環氧樹脂以及 於樹脂中含有填充料之複合樹脂等之材料。而 曰 卫· ’於改良佈 100132595 105 201233233 線基板102之Ba片安裝面1G2a中的光之反射性從而提高發 光部101之發光效率之方面，較佳為使用包含氧化链粉末、 二氧化㈣末、氧化鎂、氧化鈇等白色顏料之聚魏樹脂。 另一方面，亦可使用如銅製基板或鋁製基板等金屬製基板而 提尚散熱性。然而，於該情形時，必須係於佈線基板上電絕 緣地形成佈線圖案》 並且，上述反射體1〇4及間隔構件1〇5之形狀亦為一例， 可視需要作各種變更。例如，亦可使用分配器等於佈線基板 102之晶片安裝面102a上形成相當於反射體1〇4之環狀壁 部（壁構件）’然後形成相當於間隔構件1〇5之間隔壁（間隔構 件）’以此代替預先成形之反射體1〇4及間隔構件ι〇5。於 該情形時’用於環狀壁部及間隔壁部之材料有例如糊狀之熱 硬化性樹脂材料或UV(紫外線；Ultraviolet)硬化性樹脂材料 等’較佳為含有無機填充料之聚矽氧樹脂。 如圖44及圖45所示，於反射體104内之第！區域i〇6 中’ 4個LED晶片1〇3與間隔構件105之延設方向平行地 配置為一行’於反射體1〇4内之第2區域107中，4個LED 晶片103亦係與間隔構件1〇5之延設方向平行地配置為一 行。另外，於圖45中，為方便起見，用虛線表示反射體1〇4 及間隔構件105。 於佈線基板102之晶片安裝面l〇2a上，如圖45所示般形 成有用於向LED晶片103之各個供給驅動電流之佈線圖案 100132595 106 201233233 108、109、110及111。於佈線圖案1〇8之位於反射體1〇4 外側之一端部，形成有用於外部連接之連接端子，位 於第1區域106内之另一端部側則如圖45所示般與間隔構 件105平行地延設。並且，於佈線圖案1〇9之位於反射體 104外侧之一端部，形成有用於外部連接之連接端子1〇9a， 位於第1區域106内之另一端部側則如圖45所示般與間隔 構件105平行地延設。 位於第1區域106内之4個LED晶片1〇3係極性方向相 同地並聯於如此形成之佈線圖案1〇8與佈線圖案1〇9之間。 更具體而言，LED晶片1〇3於佈線基板1〇2側之面具有用於 供給驅動電流之2個電極(省略圖示）。並且，該等LED晶 片1〇3之一電極(p電極)與佈線圖案108連接，並且另一電 極(n電極)與佈線圖案_連接。另外，LED晶片1〇3並不 限定於並聯，亦可互相串聯。 另方面於佈線圖案u〇之位於反射體ι〇4外側之一端 部’形成有用於外部連接之連接端子 110a，位於第2區域 107内之另一端部側 〜則如圖45所示般與間隔構件1〇5平行 地延設。並且，於你給 、π硬圖案111之位於反射體1〇4外侧之一 端部’形成有用於外Λ 1 #連接之連接端子111a，位於第2區 域107内之另一媳· % ^側則如圖45所示般與間隔構件1〇5平 行地延設。 位於第2區域1〇7 内之4個LED晶片103係極性方向相 100132595 107 201233233 同地並聯於如此形成之佈線圖案110與佈線圖案iu之間 更具體而言，該等LED晶片1G3之—電極(p電極)與佈線圖 案110連接，並且另一電極(η電極)與佈線圖案U1連接。 此種LED晶1G3之安裝以及^電極對於各佈線圖案之 連接係採用倒裝晶片安裝，經由未圖示之金屬凸塊，並經由 103安裝至佈線基板 共晶焊錫而進行。另外，將led晶片 102之方法並不限定於此，可根據LED晶片1〇3之種類或 構造等而選擇適宜的方法。例如，可採用雙線接合，該雙線 接合係於將LED晶片103㈣固定至如上所述之佈線基板 102之既定位置之後，藉由線接合將LED晶片1〇3之電極 連接至相對應之佈線圖案，亦可採用單線接合，該單線接合 係如上述般將一電極接合至佈線圖案，並藉由線接合將另一 電極連接至佈線圖案。 於反射體104内之第1區域1〇6及第2區域1〇7中，覆蓋 LED晶片103地收容螢光構件(波長轉換構件），該瑩光構件 分別具有不同的波長轉換特性。於本實施例中，採用了 2 種螢光構件。並且，該2種螢光構件係由3種螢光體構成， 該2種螢光構件之螢光體混合比不同。因此，下面將第1 區域106中之發光部設為第i發光部1〇1A，將第2區域1〇7 中之發光部設為第2發光部101B。 該等第1發光部101A與第2發光部1〇18如上所述，除 了螢光構件不同以外，其基本構造係相同構造，LED晶片 100132595 108 201233233 103亦均為相同類型。其中為了便於說明，對位於第1區域 106中之LED晶片應用符號l〇3a，對位於第2區域107中 之LED晶片應用符號103b。除螢光構件及LED晶片以外之 各構件，係使用於第1發光部101A與第2發光部101B中 共通之符號。 圖46係沿圖45中之XXXXVI-XXXXVI線之發光部101 之剖面圖。如圖46所示，於發光部1〇1中，於反射體1〇4 内之第1區域106中’分別覆蓋4個LED晶片l〇3a地收容 有第1螢光構件（波長轉換構件）112a，於反射體104内之第 2區域107中，分別覆蓋4個LED晶片l〇3b地收容有第2 螢光構件（波長轉換構件）112b。 第1榮光構件112a係由複數個螢光體及填充材構成，該 螢光體係由LED晶片i〇3a所發出之光激發，發出波長與 LED晶片l〇3a所發出之光之波長不同之光，該填充材分散 保持該複數個螢光體。並且，第2螢光構件U2b係由複數 個螢光體及填充材構成，該螢光體係由led晶片103b所發 出之光激發，發出波長與LED晶片1〇3b所發出之光之波長 不同之光’该填充材分散保持該複數個營光冑。另外，填充 材可使用熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂及玻 璃等。 a
因此’於本實施例中’帛1營光構件112a及第2螢光構 件U2b之各個、與對應於其地使用之LED晶片103a及LED 100132595 109 201233233 晶月臟之組合之各個，係相當於本發明之各發光單元。 此處對應地使用之含義係指第丨螢光構件ma設置為覆 蓋LED晶片1〇3a，第2螢光構件U2b設置為覆蓋LED晶 片職’自LED晶片職發出之光藉由第j螢光構件U2a 進行波長轉換，並且自LED晶片1 〇3b發出之光藉由第2勞 光構件U2b進行波長轉換。根據以上所述，LED晶片l〇3a 及第1螢光構件112a構成第！發光單元Ul〇1，LED晶片 l〇3b及第2螢光構件112b構成第2發光單μ.並且， 統合該等2種發光單元者係相當於本發明之發光單元群。另 外，下面將該等第1發光單元1；101及第2發光單元1；1〇2 各自發出之光稱為初級光，將對第丨發光單元ul〇1及第2 發光單元U102各自發出之初級光進行合成並自發光部1〇1 發出之光稱為合成白色光。 (LED晶片） 於本貫施例中，LED晶片i〇3a及l〇3b係使用發出具有 460 nm之峰值波長之藍色光的LED晶片。具體而言，此種 LED晶片有例如將InGaN半導體用於發光層中之GaN系 LED晶片。另外，LED晶片1〇3之種類或發光波長特性並 不限定於此，只要不脫離本發明之主旨，當可使用各種led 晶片等半導體發光元件。於本實施例中，較佳為led晶片 103a及l〇3b所發出之光之峰值波長處於420nm〜500nm之 波長範圍内。 100132595 110 201233233 (螢光構件） 第1螢光構件112a與第1實施例中之螢光構件5之第工 波長轉換區域P1相同，構成為發出具有圖5之 CIE(1931)XYZ表色系統之xy色度圖中之色度點叫約27〇〇 • κ)之色度的初級光。亦即，第丄螢光構件U2a中之螢光體 之混合比與第1實施例中之螢光構件5之第i波長轉換區域 P1相同。並且，第2螢光構件112b與第1實施例中之螢光 構件5之第2波長轉換區域p2相同，構成為發出具有圖5 之cm(1931)XYZ表色系統之xy色度圖中之色度點τ2(約 6500 Κ)之色度的初級光。亦即，第2螢光構件U2b中之螢 光體之混合比與第1實施例中之螢光構件5之第2波長轉換 區域P2相同。因此，於本實施例中，紅色螢光體係使用（Sr、 CahAlSiNyEu，綠色榮光體係使用 Ca3(Sc、Mg)2Si3〇i2:Ce， 黃色螢光體係使用AAhOaCe。並且，如圖6所示，第i 波長轉換區域P1中之螢光體之混合比率為紅色螢光體：綠 色螢光體：黃色勞光體= 0.24 : i : ，第2波長轉換區域 ·· P2中之螢光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體：黃 -* 色螢光體=0 : 0.9 : 0.1。 藉由如上述般規定螢光體之混合比率，而可使自第2發光 單元U102發出之初級光之色溫咼於自第丨發光單元υι 〇1 發出之初級光之色溫。 另外，與第1實施例相同，第1螢光構件112a及第2螢 100132595 111 201233233 光構件mb無項分散保持上述紅 黃色螢紐之入# 、料f光體及 丄先體之全部，只要可自第1螢光構件U2a m慈 先構件112b發出所 螢 擇_種以上一列如，第 第2 2構件U2b可分散保持紅色料體及綠色螢光體， 而不分散保持黃色營光體^他具 造等與第^實施例相同。 先體之組成及構 (發光裝置之電路構成及發光部之控制） 如上所述’於本實施例之發光裝置中，自第i發光單元 U 01及第2啦光單元ul〇2之各個發出之初級光之色溫係設 疋為互不相同’對自該等發光箪元發出之初級光進行合成所 得之合成白色光係自發光裝置發出。因此，於本實施例之發 光裝置中，藉由使自第！發光單元Ul〇1及第2發光單元 U102之各個發出之初級光之總光通量（亦即發光強度或亮度) 變化，而調整自發光裝置發出之合成白色光之總光通量，並 根據該合成白色光之總光通量使合成白色光之色溫變化，而 發出具有所需總光通量及適於該總光通量之色溫之合成白 色光。因此’本實施例中之發光裝置與第1實施例中之發光 裝置11相比，僅外觀形狀之構成不同，使用了具備與第i 實施例中之發光部1之第1波長轉換區域P1及第2波長轉 換區域P2相同之混合比的第1螢光構件1]L2a及第2螢光構 件112b ’故内部電路構成係同於發光裝置u之電路構成。 100132595 112 201233233 亦即，於本實施例中，使用了將第丨實施例中之第丨波長轉 換區域P1與第2波長轉換區域P2分離設置之構造。因此， 省略本實_中之發光裝置之電路構成及發光部之控制之 說明。 (發光部之變形例） 於上述實施例中，藉由利用間隔構件1〇5對反射體1〇4 内進行間隔，從而形成第1區域106及第2區域1〇7，於第 1區域106内設置LED晶片i03a及第丨螢光構件ll2a，於 第2區域107内設置LED晶片咖及第2榮光構件112b， 但並不限定於此_造。以，本發明並不限定於此種構 造，亦可將具有如圖47或圖48所示之構造之發光部2〇ι 或發光部3〇1用於發光裝置中。另外，圖47及圖48係發光 部201及發光部301之俯視圖。 於圖47所示之發光部2()1中，藉由十字狀之間隔構件撕 將反射體104之内部區域分離為第丨區域靡、第2區域 207、第3區域2〇8及第4區域2〇9之4個區域。具體而言， 於平面觀察發光部201之情形時，第1區域206、第2區域 207、第3區蜮2〇8及第4區域2〇9具有相同的形狀及相同 的面積。亦即，第！區域206、第2區域2〇7、第3區域2〇8 及第4區域209係配置為以間隔構件2〇5之交點為中心而對 稱。 於第1區域2〇6内，設置有4個LED晶片203a以及覆蓋 100132595 113 201233233 該4個LED晶片203a之第1螢光構件211。因此，係由4 個LED晶片203a及第1螢光構件211構成第1發光單元 U201。並且’於第2區域207内，設置有4個LED晶片203b 以及覆蓋該4個LED晶片203b之第2螢光構件212。因此， 係由4個LED晶片203b及第2螢光構件212構成第2發光 單元U202。而且’於第3區域208内，設置有4個LED晶 片203c以及覆蓋該4個LED晶片203c之第3螢光構件 213。因此’係由4個LED晶片203c及第3螢光構件213 構成第3發光單元U203。並且，於第4區域209内，設置 有4個LED晶片203d以及覆蓋該4個LED晶片203d之第 4螢光構件214。因此，係由4個LED晶片203d及第4螢 光構件214構成第4發光單元U204。另外，於圖47中，為 了識別各螢光構件之發光色而使用點陰影記載各螢光體。 第1螢光構件211與第2實施例中之螢光構件5,之第1波 長轉換區域P1，相同，構成為發出具有圖21之CIE(1931)XYZ 表色系統之xy色度圖中之色度點T1(約2700 K)之色度的初 級光。亦即，第1螢光構件211中之螢光體之混合比與第2 實施例中之螢光構件5,之第1波長轉換區域ΡΓ相同。並且， 第2螢光構件212與第2實施例中之螢光構件5,之第2波長 轉換區域P2’相同，構成為發出具有圖21之CIE(1931)XYZ 表色系統之xy色度圖中之色度點T2(約3400 K)之色度的初 級光。亦即’第2螢光構件212中之螢光體之混合比與第2 100132595 114 201233233 實施例中之榮光構件5,之第2波長轉換區域 P2’相同。而且， 第3螢光構件213與第2實施例中之螢光構件5，之第3波長 轉換區域P3相同’構成為發出具有圖21之CIE(1931)XYZ 表色系統之xy色度圖中之色度點T3(約45〇〇κ)之色度的初 、’及S ’亦即’第3螢光構件213中之螢光體之混合比與第2 實施例中之螢光構件5,之第3波長轉換區域ρ3，相同 。並且， 第4榮光構件214與第2實施例中之螢光構件5，之第4波長 轉換區域Ρ4,相同，構成為發出具有圖21之CIE(1931)XYZ 表色系統之xy色度圖中之色度點T4(約65〇〇κ)之色度的初 級光。亦即，第4螢光構件214中之螢光體之混合比與第2 實施例中之螢光構件5,之第4波長轉換區域ρ4,相同。 因此，於® 47所示之發光部2〇1中，紅色榮光體係使用 (Sr、CahAlSiNyEu，綠色螢光體係使用Ca3(Sc、
MghShOaCe ’黃色榮光體係使用Y3Al5〇i2:Ce。並且，如 圖22所示’第1波長轉換區域ρι，中之螢光體之混合比率為 紅色螢光體.綠色螢光體：黃色螢光體=〇 24 :丨：〇 〇5，第 2波長轉換區域P2’中之螢光體之混合比率為紅色螢光體： 綠色螢光體：黃色螢光體=0.15 : i : 〇 〇5。並且，第3波長 轉換區域P3巾之螢光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢 光體：黃色營光體= 0.05 : 1 : 〇.〇5，第4波長轉換區域P4， 中之螢光體之/¾合比率為紅色螢光體：綠色螢光體··黃色螢 光體=〇 : 0.9 : 〇.1。 100132595 115 201233233 ⑽错由如上述般規定料體之混合比率，而可按照第i發光 二麵、第2發光單元臟、第3發光單元画及第 毛先早A U2G4之順序提高自第i發光單元麵、 f元觀、第3發光單元卿及第4發光單元丽發 出之初級光之色溫。 另外，與第2實施例相同，第 構件2Π、第3螢光構件213及第4 /螢先 保持上述紅色榮光體、綠色螢光體及，214無須分散 要可自第1㈣構件21卜第2$ : ^光體之全部，只 件扣及第4蟹光構件214發出所需之、第3螢光構 述榮光體中選擇1種或2種以上 '，，則亦可自上 構件爪、第2營光構件21 ^體。例如’ ^螢光 光構件川可分散保持紅色營光體及鸯光構件^及第4勞 保持黃色螢絲。其他糾的各及/色螢规，而不分散 1實施例相同。 鱟忐體之組成及構造等與第 另外，圖47所示之發光部2〇 !，相比，僅外卿狀之構心同，^ 2減射之料部 中之發光部1'之篦1、rb E 用了具備與第2貫施例 P2 ^ P2、第3波長轉換區域p ^ 混合比的第i螢光構件川 ，長轉換區域P4,相同之 構件213及第4螢光構件 螢光構件212、第3螢光 實施例中之發光裝置U，之雷隸内部電路構成係同於第2 路構成。亦即，於圖47所示之 100132595 116 201233233 ^光。P 201中’使用了將第2實施例中之第^波長轉換區域 第2波長轉換區域p2,、第3波長轉換區域w，及第4 波長轉換區域P4,分離設置之構造。因此，省略本實施例甲 • 之Is光裝置之電路構成及發光部之控制之說明。 e 於圖48所示之發光部301中，藉由間隔構件305將反射 體1〇4之内部區域分離為第1區域306、第2區域307、第 3區域308、第4區域3〇9及第5區域310之5個區域。具 體而言，於平面觀察發光部3〇1之情形時，間隔構件3〇5 係設置為自反射體104之中心朝向外部以輻射線狀擴展，第 1區域306、第2區域307、第3區域308、第4區域309 及第5區域310具有相同的形狀及相同的面積。 於第1區域306内，設置有4個LED晶片303a以及覆蓋 該4個LED晶片303a之第1螢光構件311。因此，係由4 個LED晶片303a及第1螢光構件311構成第1發光單元 U301。並且’於第2區域307内，設置有4個LED晶片303b 以及覆蓋該4個LED晶片303b之第2螢光構件312。因此’ -係由4個LED晶片303b及第2螢光構件312構成第2發光 - 單元U302。而且，於第3區域308内，設置有4個LED晶 片303c以及覆蓋該4個LED晶片303c之第3螢光構件 313。因此，係由4個LED晶片303c及第3螢光構件313 構成第3發光單元U303。並且，於第4區域309内，設置 有4個LED晶片303d以及覆蓋該4個LED晶片303d之第 100132595 117 201233233 4螢光構件3M。因此，係由4個LED晶片3〇3d及第4螢 光構件314構成第4發光單元U3〇心同樣，於第5區域31〇 内，没置有4個LED晶片3〇3e以及覆蓋該4個LED晶片 303e之第5螢光構件315。因此，係由4個哪晶片叢 及第5螢光構件315構成第5發光單元U305。另外，於圖 48中，為了識別各營光構件之發光色而使用點陰影記載各 螢光體。 第1螢光構件3η與第3實施例中之螢光_ 5„之第i 波長轉換區域Pr相同，構成為發出具有圖33之 CIE(1931)XYZ表色系統之xy色度圖中之色度點τι(約删 κ)之色度的初級光。亦即’第i營光構件311中之螢光體之 混合比與第3實施财之螢光構件5，，之第丨波長轉換區域 ΡΓ相同。並且’第2螢光構件312與第3實施例中之營光 構件5"之第2波長轉換區域P2，，相同，構成為發出具有圖％ 之CIE(1931)XYZ表色系統之度圖中之色度點T2(約 2300 K)之色度的初級光。亦即’帛2螢光構件312中之榮 光體之混合比與第3實施例中之f光構件5,|之第2波長轉 換區域P2，’相同。而且，第3螢光構件阳與第3實施例中 之螢光構件5”之第3波長轉換區域P3"相同，構成為發出具 有圖33之CIE(1931)XYZ表色系統之xy色度圖中之色度點 T3(約2550 K)之色度的初級光。亦即，第3營光構件313 中之螢光體之混合比與第3實施例中之螢光構件5，，之第3 100132595 118 201233233 波長轉換區域P3"相同。並且，第4營光構件3i4與第 施例t之f光構件5"之第4波長轉換區域p4"相同，構成為 發出具有圖33之αΕ(193ΐ)χγΖ表色系統之xy色度圖中之 色度點T4(約2800 K)之色度的初級光。亦即，第4螢光構 件叫中之榮光體之混合比與第3實施例中之營光構件 之第4波長轉換區域Ρ4”相同。同樣，第5螢光構件祀與 第3實施例中之螢光構件5，，之第5波長轉換區域p5"相同: 構成為發出具有圖332CIE(1931)XYZ表色系統之巧色度 圖中之色度點T5(約3100 K)之色度的初級光。亦即，第5 螢光構件315中之榮光體之混合比與第3實施例中之營光構 件5’’之第5波長轉換區域ρ5"相同。 因此，於圖48所示之發光部301中，紅色螢光體係使用 (Sr、CaXAlSiN〗：Eu ’ 綠色營光體係使用 Ca3(Sc、Mg)2SiA2: &， 黃色螢光體係使用AAlsOaCe。並且，如圖34所示，第j 波長轉換區域P1"中之螢光體之混合比率為紅色螢光體：綠 色榮光體：黃色螢光體=〇.35:丨：0.05 ’第2波長轉換區域 P2·'中之螢光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體：黃 色螢光體= 0.30 : 1 : 〇.〇5。並且，第3波長轉換區域P3，， 中之螢光體之混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體：黃色螢 光體= 0.20 : 1 : 〇.〇5，第4波長轉換區域P4"中之螢光體之 混合比率為紅色螢光體：綠色螢光體：黃色螢光體= 0.175 : 1·〇 : 0.05 ’第5波長轉換區域P5”中之螢光體之混合比率為 100132595 119 201233233 紅色螢光體：綠色螢光體··黃色螢光體=〇15〇: iq.〇仍。 藉由如上述般規定螢光體之混合比率，而可按照第^光 單元刪、第2發光單元刪、第3發林元咖1 4發光單元麵及第5發光單元_之順序提高自第】 發光單元麵、第2發光單元U3〇2、第3發光單元麵、 第4發光料㈣4及第5發料元咖5發出之初 色溫。 另外，與第3實施例相同，第j螢光構件31卜第2榮光 構件312、第3螢光構件313、第4榮光構件314及第$榮 光構件315無須分散保持上述紅色螢光體、綠㈣光體及黃 色螢光體之全部，只要可自第1榮光構件3U、第2榮光構 件312、第3螢光構件313、第4螢光構件314及第5螢光 構件315發出所需之初級光，則亦可自上述螢光體中選擇】 種或2種以上之螢光體。例如，第1螢光構件311、第2螢 光構件312、第3螢光構件313、第4螢光構件314及第5 螢光構件315可分散保持紅色螢光體及綠色螢光體，而不分 散保持黃色螢光體。其他具體的各螢光體之組成及構造等與 第1實施例相同。 另外’圖48所示之發光部301與第3實施例中之發光部 1相比’僅外觀形狀之構成不同，使用了具備與第3實施例 中之發光部1”之第1波長轉換區域ρι，，、第2波長轉換區域 P2、第3波長轉換區域p3,，、第4波長轉換區域p4"及第5 100132595 120 201233233 波長轉換區域P5"相同之現合比的第）榮光構件3ιι、第2 榮光構件3i2、第3螢光構件阳、第4螢光構件314及第 5螢光構件315，故内部電路構成係同於第3實施例中之發 光裝置U，，之電路構成。亦即，於圖48戶斤示之發光部則 中’使用了將第3實施例中之第i波長轉換區域ρι,·、第2 波長轉換區域P2”、第3波長轉換區域p3,,、第4波長轉換 區域P4"及第5波長轉換區域p5"分離設置之構造。因此， 省略本實施财之發域置之魏構減發光部之控制之 說明。 (本實施例之效果） 本實施例之發綠置及糾“與第i實_之發光裝 置11及照明系統12相比，雖然外觀構造存在差異，但基本 的内部構造㈣，因此本實施例之發絲置、照餘統及照 明方法亦可㈣與第1實施_同之效果。 <第5實施例> (發光部之構成） 圖51係表示本實施例之照明裳置(發光裝置）中之發光部 5〇1之整體構成之概略的立體圖，圖52係圖5丨之發光部5〇1 、圖彡圖51所不，發光部5〇1具備包括電絕緣性優 異且具有良好散熱性之氧化究之佈、絲板皿。於佈 線基板502之晶片安梦而ς 女裝面502a上，以等間隔沿佈線基板5〇2 又方向排歹]有16個，沿寬度方向排列有10個LED晶 100132595 121 201233233 片503，合計160個。雖未示於圖51中，於佈線基板5〇2 上形成有用於向該等LED晶片503之各個供給電力之佈線 圖案’構成下述電路。 另外’佈線基板502之材質並不限定於氧化鋁系陶竞，例 如，亦可使用選自樹脂、玻璃環氧樹脂以及樹脂中含有填充 料之複合樹脂等之材料作為電絕緣性優異的材料而形成佈 線基板502之本體。或者，於改良佈線基板5〇2之晶片安裝 面502a中之光之反射性從而提高發光部5〇1之發光效率之 方面’較佳為使用包含氧化紹粉末、二氧化石夕粉末、氧化鎮、 氧化鈦等白色顏料之聚石夕氧樹脂。另一方面，為了獲得更優 異的散熱性，而亦可利用金屬製造佈線基板502之本體。於 該情形時，必須將佈線基板502之佈線圖案等與金屬製之本 體進行電絕緣。 如圖51所示，與安裝有LED晶片503之佈線基板502之 晶片安裝面502a相對向地配設有由玻璃製造之板狀透光基 板504。另外，為方便起見，於圖51中係隔開地表示佈線 基板502與透光基板504，但是，如下所述，實際上佈線基 板502與透光基板504係接近地配置。另外，透光基板504 之材質並不限定於玻璃，亦可使用對LED晶片503所發出 之光具有透光性之樹脂等而形成透光基板504。 在相對於與佈線基板502相對向之第1面504a為相反側 之透光基板504之第2面504b上，以覆蓋安裝於佈線基板 100132595 122 201233233 502上之LED晶片5〇3之方式，設置有螢光構件（波長轉換 構件）505 °因此’勞光構件5〇5係經由透光基板5〇4而配置 於與佈線基板502之晶片安裝面502a相對向之位置。該螢 光構件505對應於位於相對向之位置之各LED晶片503而 被分割為袓數個單元區域506，於如圖52般平面觀察發光 部501之情形時，於各單元區域506之中央部分定位有與各 單元區域506相對應之LED晶片503。因此，螢光構件5〇5 與LED晶片503之數量相同地分割為16〇個單元區域5〇6。 如下面所詳細敍述，螢光構件5〇5具有對咖晶片5〇3 所發出之光進行波長轉換從而發出峰值波長與咖晶片5〇3 所發出之光不同之光的功能。如上所述，榮光構件5〇5係分 割為⑽個單元區域遍，與各咖晶片5〇3 —一對應地 設置單元區域506,因此，自與發光之哪晶片5〇3相對 應之單元區域506分別發出之光經合成並自f光構件5〇5發 出。並且’自螢光構件505發出之光即為本實施例之照明裝 置之照明光。 ••如圖51及圖52所示，該等單元區域寫係劃分為各有 ,40個單元區域506之第U皮長轉換區域p51、第2波長轉換 區域P52、第3波長轉換區域P53及第4波長轉換區域p54。 a此，換言之’螢光構件505係劃分為第i波長轉換區域 P5i、第2波長轉換區域P52、第3波長轉換區域p53及第 4波長轉換區域P54之4個波長轉換區域，該等波長轉換區 100132595 123 201233233 域係分割為各有40個單元區域506。 與此種榮光構件505之劃分相對應，如圖51所示，安穿 於佈線基板502上之各LED晶片5〇3亦對應於第1波:轉 換區域P51、第2波長轉換區域P52、第3波長轉換區域P53 及第4波長轉換區域p54之各位置而被劃分為各咖群。 下面，於區別為對應上述每個等波長轉換區域地稱呼㈣ 晶片503時，係對應於第1波長轉換區域P51、第2波長轉 換區域P52、第3波長轉換區域p53及第4波長轉換區域 P54而於符號末尾分別附上a、b、c及d。 亦即，位於與第1波長轉換區域P51相對應之位置之4〇 個LED晶片503a構成第iLED群D51，位於與第2波長轉 換區域P52相對應之位置之40個LED晶片503b構成第 2LED群D52。並且，位於與第3波長轉換區域p53相對應 之位置之40個LED晶片503c構成第3LED群D53，位於 與第4波長轉換區域p54相對應之位置之4〇個LED晶片 503d構成第4LED群D54。 因此，於本實施例中，第1〜第4波長轉換區域 P51〜P54 之各個與對應於其之第i〜第4LED群D51〜脱之組合之 各個’係分別相當於本發明之各發光單元、亦即，第1led 群D51及第1波長轉換區域p51構成第工發光單元， 第2LED群D52及第2波長轉換區域p52構成第2發光單 兀U52。並且，第3LED群D53及第3波長轉換區域P53 100132595 124 201233233 構成第3發光單元U53，第4LED群D54及第4波長轉換區 域P54構成第4發光單元仍扣統合該等4個發光單元之發 光部501係相當於本發明之發光單元群。另外，下面將該第 1〜第4發光單元U51〜U54各自發出之光稱為初級光，將 對第1〜帛4發光單元U51〜U54各自發出之初級光進行合 成並自發光部501發出之光稱為合成光。 圖53係沿圖52中之LIII-LIII線之發光部501之剖面圖， 圖54係其要部放大圖。如圖53所示，透光基板5〇4係經由 複數個間隔件507而與佈線基板502接合，如圖54所示， 藉由介设该等間隔件507而可於透光基板5〇4與各LED晶 片503之間設置空隙。 於此處設置之空隙係按照距離L51設置，該距離L51係 以由LED晶片503發出之光可確實地到達位於與該led晶 片503相對應之位置的螢光構件505之單元區域506，並且 漏至與該單元區域506鄰接之其他單元區域5〇6之光量較少 之方式預先求出。亦即，例如，如圖54所示，由LED晶片 503發出之光在按照由一點鏈線示於圖54中之範圍到達透 光基板504之後’進一步透過透光基板504内而到達螢光構 件505。空隙距離L51係規定為此時之螢光構件505之光之 到達範圍處於對應於該LED晶片503而設置之單元區域506 之範圍内。 於實現上述内容方面’在本實施例中，LED晶片503與 100132595 125 201233233 螢光構件505之間隔必須為5 mm以下，故將空隙距離⑸ 規定為包含透光基板504之厚度而為5酿以下。關於該 點，本實施例中之LED晶片503全部相同。藉由設置此種 距離L51之"，可確實軸止絲至相鄰接之其他單元 區域。其結果為，配合將螢光構件5〇5配置於與LED晶片 503相對向之位置，而可高精度地進行螢光構件5〇5中之波 長轉換’並可確保較高的發光效率。 另外，使LED晶片503儘量接近相對應之單元區域5〇6 雖可使LED晶片5G3所發出之光確實地到達該單元區域 506’但若LED晶片503過分接近單元區域5〇6，則存在LED 晶片503所發出之熱加熱單元區域5〇6而招致波長轉換功能 或發光效率降低之擔憂。因此，為了防止此種過剩的溫度上 升’較佳為LED晶片503與螢光構件505之間隔為〇 〇丨mm 以上。因此，考慮到透光基板504之厚度而將空隙距離l51 規定為LED晶片503與螢光構件505之間隔為〇.〇丨mm〜5 mm之範圍内。 於本實施例中，將空隙距離L51設為〇.1 mm，根據向該 空隙距離L51添加LED晶片503之高度L52而得之L53， 而規定透光基板504之第1面504a與佈線基板502之晶片 安裝面502a之距離。另外’若發光部5〇1不懼熱，則亦可 不設置此種空隙’而以於透光基板504之第1面504a密接 LED晶片503之狀態下LED晶片503與單元區域506之距 100132595 126 201233233 離成為如上所述之適宜的距離之方式，規定透光基板504 之厚度。並且，於隔開設置LED晶片503與透光基板504 之情形時，亦可利用具有透光性之聚矽氧樹脂、環氧樹脂或 玻璃等密封空隙。藉此可將來自LED晶片503之光有效地 引導至螢光構件505。 另外，於本實施例中，係於透光基板504之第2面504b 上設置螢光構件505，亦可於透光基板504之第1面504a 亦即佈線基板502側之面上設置螢光構件505。於該情形亦 可與本實施例相同地於螢光構件505與LED晶片503之間 設置適宜的空隙，但是於不懼熱之情形等，亦可使螢光構件 505與LED晶片503密接或接近至LED晶片503最前面為 止。 (LED晶片） 於本實施例中，LED晶片503係使用發出具有460 nm之 峰值波長之藍色光的LED晶片。具體而言，此種LED晶片 有例如將InGaN半導體用於發光層之GaN系LED晶片。另 外，LED晶片503之種類或發光波長特性並不限定於此， 只要不脫離本發明之主旨’當可使用各種LED晶片等半導 體發光元件。於本實施例中，較佳為LED晶片5〇3所發出 之光之峰值波長處於420 nm〜500 nm之波長範圍内。 於各LED晶片503之朝向佈線基板502側之面上，設置 有P電極508及η電極509。對於圖54所示之LED晶片503, 100132595 127 201233233 P電極·係與形成於佈線基板5G2之晶片安農面她上之 佈線圖案510接合，並且n電極係與同樣形成於晶片安 裝面502a上之佈緩fij安C1, Λ 圖案511接合。該等ρ電極5〇8及11電 "509係’士由未圖不之金屬凸塊藉由焊接而連接至佈線圖 案10及511其他LED晶片5〇3亦係同樣地將各自之ρ 電極508及η電極50Q姑：人@ μ Λ U9接合至對應於各LED晶片503而形 成於佈絲板502之晶片安裝面職上的佈線圖案。 另外，將LED晶片5〇3安裝至佈線基板5〇2上之方法並 不限疋於itb ▼根據LED晶片5〇3之種類或構造等選擇適 且的方法例如’既可於將LED晶片5〇3黏著固定至佈線 基板502之既定位置之後，藉由線接合將各led晶片⑽ 之2個電極連接至相對應之佈線圖案，亦可將—電極如上述 H至相對應之佈線圖案，並藉由線接合將另—電極連接 至相對應之佈線圖案。 (螢光構件） 如上所述，螢光構件505對應於安裝於佈線基板502上之 各LED B曰片503之位置而被分割為ι6〇個單元區域5〇6。 該等單元區域506劃分為紅色單元（第1單元區域)506r、綠 色單元（第2單元區域)5〇6g、黃色單元（第3單元區域)506y 及藍色單元（第4單元區域)5〇6b之4種單元區域。於紅色單 儿5〇6r中’分散保持有對LED晶片503所發出之藍色光進 行波長轉換從而發出紅色光之紅色螢光體（第1螢光體）。因 100132595 128 201233233 此係自紅色單元5061>發出經波長轉換並由紅色發光體發出 之紅色光、以及未經紅色榮光體進行波長轉換地透過紅色單 元506r之LEI)晶片5〇3之藍色光。 =且，於綠色單元5Q6g中’分散保持有對咖晶片5〇3 所發出之藍色光進行波長轉換從而發出綠色光之綠色營光 體(第2 $光體）。因此，係自綠色單元5(%發出經波長轉換 並由、’彔色f光體發出之綠色光、以及未經綠色瑩光體進行波 長轉換地透過綠色單元5一之咖晶片5()3之藍色光。 並且，於黃色單元5〇6y中，分散保持有對LED晶片5〇3 所發出之藍色光進行波長轉換從㈣出黃色光之黃色勞光 體(第^光體）。因此，係自黃色單元5(%發出經波長轉換 並由頁色螢光體發出之黃色光、以及未經黃色螢光體進行波 長轉換地透過黃色單元5(%之咖晶片5()3之藍色光。 另一方面’藍色單元5〇6b係不對咖晶片5〇3所發出之 藍色光進行波長轉換地讓其透過之單元區域，分散保 於使藍色光良好地擴散《之擴散用粒子。具體而^該擴 散用粒子較佳級㈣他、二氧化鈦、氧㈣或二氧化石夕 等。因此，係自藍色單元5G6b發絲經波長轉換地透過藍 色單兀506b之LED晶片503之藍色光。 蝥光構件505係劃分為第1波長轉換區域P51、第2波長 轉換區域！>52、第3波長轉換區域p53及第4波長轉換區域 朽4之4個波長轉換區域’料4個波長轉魅域各自所包 100132595 129 201233233 含之紅色單元506r、綠色單元506g、黃色單元506y及藍色 單元506b之4種單元區域之數量不同。圖55係表示各波長 轉換區域中之該等單元區域之數量之一例的表。 於第1波長轉換區域P51、第2波長轉換區域P52、第3 波長轉換區域P53及第4波長轉換區域P54之各波長轉換 區域中’為了於各LED晶片503發光時良好地合成自各單 το區域發出之光，係藉由分散配置各單元區域使相同種類之 單7°區域儘量不相鄰。圖56係抽出第1波長轉換區域p51 之一部分而部分性地表示第1波長轉換區域P51中的紅色單 兀5〇6Γ、綠色單元5〇6g、黃色單元506y及藍色單元506b 之4種Μ " , 70區域之分散配置例的模式圖。另外，於圖56中， 為了識別各單元之發光色而，使用點陰影記載各螢光體。於第 2波長轉換區域P52、第3波長轉換區域Ρ53及第4波長轉 換區域Ρ54巾’對於其各自具有之數種單元區域，亦係與第 、皮長轉換區域p5l之情形相同地分散配置為不同種類之單 元區域儘量不鄰接。 藉由如圖56所例示般將數種單元區域506分散配置於各 皮長轉換區域中’而可於與第1波長轉換區域P51相對應之 第 1LED 群 D51 > « τ 之各LED晶片503a發光之情形時，自第1 域P51亦即第1發光單元U51發出對自紅色單元 506r、綠多置— 早兀5〇6g、黃色單元506y及藍色單元506b之 么出之紅色光、綠色光、黃色光及藍色光進行合成所得 100132595 130 201233233 之初級光。圖57係CIE(1931)XYZ表色系統之χγ色度圖 中的黑體輪射軌跡BL周邊之要部放大圖。於本實施例中， 二長轉換區域P51中之紅色單元506γ、綠色單元5〇6g、 黃色單元506y及藍色單元506b之數量係以如上述般自第} •發光單元叫發出之初級光具有圖57中之色度點額之色 度之方式而規定。 如圖55所示，第2波長轉換區域朽2之紅色單元術 之數量為0個，第2波長轉換區域吻中不含紅色單元 506r。因此’於與第2波長轉換區域吻相對應之第2led 群D52之LED晶片503b發光之情形時，係自第2波長轉 換區域P52亦即第2發光單元U52發出對自綠色單元5〇知、 黃色單元506y及藍色單元506b之各個發出之綠色光、黃色 光及藍色光進行合成所得之初級光。於本實施例中第2 波長轉換區域P52中之綠色單元506g、黃色單元物及藍 色單元506b之數量係以如此自*2發光單元收發出之初 級光具有圖57中之色度點體之色度之方式而規定。 -並且’如圖56所示，第3波長轉換區域p53之藍色單元 ^ 50沾之數量為〇個，第3波長轉換區域P53中不含藍色單 元506b。因此，於與第3波長轉換區域p53相對應之第3LED 群D53之LED晶片503c發光之情形時，係自第3波長轉換 區域P53亦即第3發光單元U53發出對自紅色單元5〇如、 綠色單元506g及黃色單元506y之各個發出之紅色光、綠色 100132595 131 201233233 光及黃色光進行合成所得之初級光。於本實施例中，第3 波長轉換區域P53中之紅色單元506r、綠色單元5〇6g及十 色單元506y之數量係以如此自第3發光單元U53發出之初 級光具有圖57中之色度點WP3之色度之方式而規定。 並且’於與第4波長轉換區域P54相對應之第4LEr)群 D54之LED晶片503d發光之情形時，係自第4波長轉換區 域P54亦即第4發光單元U54發出對自紅色單元5〇如、綠 色單元506g、黃色單元506y及藍色單元5〇6b之各個發出 之紅色光、綠色光、黃色光及藍色光進行合成所得之初級 光。於本實施例中，第4波長轉換區域p54中之紅色單_ 5〇6r、綠色單元506g、黃色單元5〇6y及藍色單元5〇6b = 數量係以如此自第4發光單元U54發出之初級光具有圖57 中之色度點WP4之色度之方式而規定。 如圖57所示，第1發光單元U51所發出之初級光之色度 點WIM、以及第2發光單元U52所發出之初級光之色度 WP2自黑體輪射轨跡bl偏離之偏差^uv為正數側，與此相 對第3發光單元U53所發出之初級光之色度點wp3、以 及第4發光單元U54所發出之初級光之色度點曹4自黑體 輻射轨跡BL偏離之偏差為負數側。亦即，如圖57所示， 色度點WP1及WP2與色度點WP3及跑係相對於黑體轉 射軌跡BL互相位於相反側，並形成以該等4個色度點為了員 點之四角形。 100132595 132 201233233 另外，第1〜第4發光單元收〜⑽各自發出之初級光 之色度點並不限定於如圖57所示之色度點侧〜wp4，當 可作各種變更。其中於如本實施例般組合使用發出藍色光之 LED晶片503與螢光構件5〇5之情形時，較佳為自第i〜第 4發光單兀U51〜U54之各個發出之初級光之色度點之 αΕ^υχγζ表色系統y值均為〇65以下。於y值超過 0.65之情形時’各發光單元中之可見光之取光效率會惡化， 無法使照明裝置整體有效地發光。另一方面，於使用如下所 述之發出近紫外光之LED晶片代替發出藍色光之led晶片 503之情形時，y值亦可超過〇,65。 並且’於如本實施例般使用4個發光單元之情形時，較佳 為各發光單元所發出之初級光之色度點如圖57所示之色度 點WP1〜WP4般於高色溫侧與低色溫側各設定2個。具體 而言，較佳為4個色度點中之兩個色度點及其中點處於〇 22 <x< 0.36且0.23 <y< 〇.4〇之範圍，剩餘2個色度點及其 中點處於0.37<χ< 0.55且0.30<y< 0.50之範圍。於4個 色度點不處於此種範圍之情形雖亦可沿著控制曲線CL進行 調色，然而各發光單元之利用效率降低，無法使照明裝置整 體有效地發光。 此處，對於可應用於紅色單元506γ、綠色單元5〇6g及黃 色單元506y之各個中之各種螢光體之具體例，於下面進行 說明。另外’該等螢光體係例示本實施例之較佳螢光體，可 100132595 133 201233233 應用之螢光體並不限定於此，只要不脫離本發明之主旨，當 可應用種類繁多之螢光體。 (紅色螢光體） 紅色螢光體之發光峰值波長之較好的波長範圍通常為 570nm以上，較佳為580nm以上，更佳為585nm以上，通 常為78〇nm以下，較佳為7〇〇nm以下，更佳為68〇nm以下。 其中紅色螢光體奴佳為例如：（Ca、SpBa)2Si5(N、⑺8:Eu、 (Ca、Sr、Ba)Si(N、η、 〇)2:Eu、（Ca、Sr、Ba)AlSi(N、〇)3:Eu、 (Sr、Ba)3Si05:Eu、m (Ca、Sr)S:Eu、SrAlSi4N7:EU、（La、 Y)2〇2S:Eu、Eu(二絮田此 、 V本甲醯曱烷)3.U〇-啡啉錯合物等石-二酮 糸Eu錯合物、窥酸备ρ 久系Eu錯合物、LSiFyMn ;更佳為：（Ca、 &、Ba)2Sl5(N、0)咖、（Sr、Ca)AlSi(N、0)3:Eu、 SrAlSi4N7.Eu、（La、Y)2〇2S:Eu、K2SiF6:Mn。 (橙色螢光體） 可較好地使用發光峰值波長處於 580nm以上，較伟 590nm 1 乂上’ 62〇nm以下，較佳為61〇㈣以下之範 色螢光體而代替紅色榮光體。此種撥色勞光體有检 Ba)3Si05：Eu' (Sr' Ba\ ^ 〇 Γ ' a)2Si〇4:Eu、(Ca、Sr、Ba)2Si5(N、〇) ·ρ (Ca、sr、Ba)AISi(N、〇)3:Ce^ ㈣、 (綠色螢光體） 、彔色螢光體之發光峰值波長之較好的波長範園通 5〇〇細以上，較佳為5l〇nm以上，更佳為515邮以上： 100132595 134 201233233 通常為未滿550⑽，較佳為542 nm以下，更佳為535 nm 以下。其中綠色螢光體例如較佳為：y3(a卜Ga)5〇12.Ce、 CaSc2〇4:Ce > Ca3(Sc. Mg)2Si3〇12：Ce ^ (Sr ^ Ba)2Si〇4：Eu. (Si . A1)6(〇、N)8:EU( ^ 塞隆）、伽、Sr)3Si6〇12 : N2:Eu、
SrGa2S4:Eu、BaMgAl1G〇17:Eu、驗。 (黃色螢光體） 5色螢光體之發光峰值波長之較好的波長範圍通常為 53〇 nm以上，較佳為Μ。nm以上，更佳為mo邮以上， 通吊為620 nm以下，較佳為刪⑽以下，更佳為⑽細 以下。其中黃色螢光體例如較佳為：Y3Al5〇i2: Ce、（γ、 Gd)3A15012: Ce、（Sr、Ca、Ba、Mg)2Si〇4: Eu、⑽、Sr)Si2N2〇2 :
Eu、α-塞隆、LasSi^uiCe(其中其一部分亦可由以或〇取 代）。 (照明裝置之電路構成） 如上所述，於本實施例之照明裝置中，自第丨〜第4發光 單元U51〜U54之各個發出之初級光之色度係設定為互不相 同，對自該等發光單元發出之初級光進行合成所得之合成光 係作為照明裝置之照明光而發出。因此，於本實施例之照明 裝置中，藉由調整自第1〜第4發光單元U51〜U54之各個 發出之初級光之強度，而發出作為照明光之各種色溫之白色 光。此處’基於圖58對以可變更自各發光單元發出之初級 光之強度之方式構成之照明裝置之電路構成進行說明。 100132595 135 201233233
圖58係表示本實施例之照明裝置之電路構成之概略的電 路圖。如圖58所示’於發光部501中，除了上述第ilED
群D51之LED晶片503a、第2LED群D52之LED晶片503b、 第3LED群D53之LED晶片503c及第4LED群D54之LED 晶片503d之外，還設置有用於限制電流之電阻、r2、 R3及R4、以及用於對應每個LED群而向各LED晶片503 供給驅動電流之電晶體Q51、Q52、Q53及Q54。另外，電 阻R1〜R4係為了將流至分別與其對應之LEd晶片503之 電流限制為適當大小（例如每個LED晶片503為60 mA)而 設置。 具體而言’第1LED群D51之LED晶片503a係極性相同 地互相並聯，各LED晶片503a之陽極係經由電阻R1與電 源512之正極連接。並且，各LED晶片5〇3a之陰極係與電 晶體Q51之集電極連接，電晶體q51之發射極係與電源512 之負極連接。第2LED群D52之LED晶片503b亦係極性相 同地互相並聯，與LED晶片5〇3a相同，陽極係經由電阻 R2與電源512之正極連接，並且陰極係經由電晶體q52與 電源512之負極連接。並且，第3LED群D53之LED晶片 503c亦係極性相同地相互並聯，與LED晶片5〇3&相同，陽 極係經由電阻R3與電源512之正極連接，並且陰極係經由 電晶體Q53與電源512之負極連接。而且，第4LED群D54 之LED晶片503d亦係極性相同地互相並聯，與LED晶片 100132595 136 201233233 503a相同，陽極係經由電阻R4與電源512之正極連接，並 且陰極係經由電晶體Q54與電源512之負極連接。 於此種電路構成中，藉由電晶體Q51進入開啟狀態，而 由電源512供給至第1LED群D51之各LED晶片503a之正 向電流流通’ LED晶片503a分別發光。因此，藉由使電晶 體Q51進入開啟狀態，而自包括第1LED群D51以及與其 對應之第1波長轉換區域P51之第1發光單元U51發出具有 圖57中之色度點WP1之色度的初級光。 同樣’藉由電晶體Q52進入開啟狀態，而由電源$ 12供 給至第2LED群D52之各LED晶片503b之正向電流流通， LED晶片503b分別發光。因此’藉由使電晶體q52進入開 啟狀態’而自包括第2LED群D52以及與其對應之第2波 長轉換區域P52之第2發光單元U52發出具有圖57中之色 度點WP2之色度的初級光。 並且，藉由電晶體Q53進入開啟狀態，而由電源512供 給至弟3LED群D53之各LED晶片503c之正向電流流通， LED晶片503c分別發光。因此，藉由使電晶體Q53進入開 啟狀態，而自包括第3LED群D53以及與其對應之第3波 長轉換區域P53之第3發光單元U53發出具有圖57中之色 度點WP3之色度的初級光。 而且’藉由電晶體Q54進入開啟狀態，而由電源512供 給至第4LED群D54之各LED晶片503d之正向電流流通， 100132595 137 201233233 LED晶片503d分別發光。因此，藉由使電晶體Q54進入開 啟狀態，而自包括第4LED群£>54以及與其對應之第4波 長轉換區域P54之第4發光單元u54發出具有圖57中之色 度點WP4之色度的初級光。 為了控制此種電晶體Q51〜q54之開啟/關閉狀態，而於 本實施例之照明裝置中設置有發光控制部513。電晶體Q51 〜Q54均可根據各自之基極信號切換開啟/關閉狀態，基極 信號係對應各基極而自發光控制部513個別地發送。 自第1〜第4發光單元收〜脱之各個發出之初級光之 強度，於分別對應於其之電晶體q 5!〜Q 5 4為連續開啟狀態 時達到最大。因此，於本貫施例中，發光控制部5l3可藉由 如此使電晶體Q51〜Q54中之任一者為連續開啟狀態，而使 自與該電晶體相對應之發光單元發出之初級光之強度達到 最大。另一方面，於使自第1〜第4發光單元U51〜U54中 之任一者發出之初級光之強度低於其最大值之情形時，係使 與該發光單元相對應之電晶體以既定週期間斷地開啟關 閉，調整此時之電流供給脈衝之負载比，藉此調整供給至該 發光單元之LED群之電力。而且，當減少此時之電流供给 脈衝之負載比而不再供給僅可使LED晶片503發光之電力 時，則不再自具備該LED晶片503之發光單元發出初級光。 如圖58所示，由於電晶體Q51〜Q54可分別獨立地控制 開啟/關閉狀態，故可分別獨立地調整供給至第1〜第4發光 100132595 138 201233233 單兀U51〜U54之各個之LED群 〜笫- 電力。因此’可將自第1 U51〜U54^_之初級光個別地調整 態至發4各發光單元之^強度初級光之狀態為 止之任意狀態。 勺 於本實施例之照明裝置中，由於對第卜第4 _ 所糾之初級光騎合柄得之合成光城明裝 置之…、明光，故藉由如此對自第i〜第4發光單元⑽〜_ 之各個發出之不同色度之初級光之強度進行調整，昭 明裝置之照明光之Μ進行各種調整。因此，為了獲得所需 之照明先而於本實施例之酬裝置中設置有：操作單 作構件)514，其供使用者操作；及目標值設定部…，其1 定用於根據對賴作料514之彳㈣而適#軸整照明^ 度之目標值。於本實施财’該等發光控制部513、操作 單元514及目標值設定部515構成本發明之控制手段。、 »圖59係表示於本實施例中使用之操作單元514之一例的 权式圖。如圖59所示’操作單元5Μ具備：操作旋紅514a， 其供使用者操作；及本體514b，其内裝有用於檢測操作旋 奴514a之操作位置並將操作餘⑽之位置資訊發送至發 光控制。p 513之電路(省略圖示）。操作旋紐514&係藉由使 用者之操作而轉動’如圖59所示，於本體514b之操作面， 沿者没置於操作旋鈕514a上之標記514c之移動範圍而在順 時針方向上標記有「電燈泡色」、「暖白色」、「白色」、「中性 100132595 139 201233233 白色」、「曰光色」。 該標記與照明裝置發出之作為照明光之白色光之色溫相 對應，相較於將色溫數值本身標記於本體514b上之情形 時，能讓使用者更直觀地理解色溫之高低◊具體而言，例如 「電燈泡色」為約255(ΓΚ，「暖白色」為約35〇(Γκ，「白色」 為約420(ΤΚ’γ中性白色」為約5〇〇(Γκ，「日光色」為約 6400 Κ既可使操作旋紐514a與此種標記相對應地階段性 地轉動’亦可連續地轉動。 (發光部之控制） 操作單元514之本體514b檢測操作旋知心之位置，並 將檢測到之操作旋紐514a之位置通知至目標值設定部 5!5。目標值奴部515基於以整合為由操作單元514之本 體⑽顯示之方式而預先設定之操作旋紐仙之位置鱼目 標相關色溫之關係’而決定與檢測到之操作触⑽之位 置相對應之目標相關色溫。如此決^之目標相關色溫由目標 值设定部515發送至發光控制部513，發光控制部⑴執行 發據由目標值設定部515發送之目標相關色溫 而控制發光部501之發光。 此時發光控制部513所進行之發光控制，係以自照明裝置 發出之照明光成為經由操作單元514設定之目標相關色溫之 白色先之方式，調整自第1〜第4發光單元U51〜U54之各 個發出之减光之強度。具體而言，於圖57之XY色度圖 100132595 140 201233233 中’係以照明光之色度位於控制曲線CL上之方式進行發光 控制。如圖57所示，於本實施例中，控制曲線CL自黑體輻 射執跡BL偏離之偏差Auv為+0.005以内，係與黑體輻射轨 跡BL近似之向上凸出之曲線。 並且，如圖57所示，控制曲線CL係包含於以自第1〜第 4發光單元U51〜U54之各個發出之初級光之色度點WP1〜 wp4為頂點而形成之四角形内。亦即，換言之，自第1〜第 4發光單元U51〜U54之各個發出之初級光之色度係規定為 以色度點WP1〜WP4為頂點之四角形包含控制曲線CL。並 且，作為控制曲線CL上之下限色溫（第1色溫)T1之色度點 CT1，位於連結色度點WP1與色度點WP3之線上，作為控 制曲線CL上之上限色溫（第2色溫)T2之色度點CT2,相較 於連結色度點WP2與色度點WP4之線，位於更低色溫側。 另外，於本實施例中，以一併整合上述操作單元514之色 溫設定範圍之方式，將下限色溫T1設為2550 K，並將上限 色溫T2設為6400 K。藉由如此設定下限色溫τι及上限色 溫T2，而可自照明裝置發出於普通照明裝置中可獲得之照 明光之色溫範圍之照明光。該等下限色溫T1及上限色溫T2 並不限定於上述值，可視需要作增減，但為了自照明裝置發 出於普通照明裝置中可獲得之照明光之色溫範圍之照明 光，較佳為將下限色溫Τ1設為2800Κ以下，並將上限色溫 Τ2設為6000 Κ以上。 100132595 141 201233233 由於自照明裝置發出之照明光係對自第丨〜第4發光單元 U51〜U54之各個發出之初級光進行合成所得故必須使4 個色度點WP1〜WP4之至少1健於與㈣曲線CL之下 限色溫T1相比之更低色溫側’並使4個色度點wpl〜wp4 之至少1個位於與控制曲線CL之上限色溫T2相比之更高 色溫側。因此，本實施例之情形係將於4個色度點wpi〜 WP4中色溫最低之色度點WP3設定於與控制曲線CL之下 限色溫τι相比之更低色溫側，並將色溫最髙之色度點wp2 及色溫繼而較高之色度點WP4設定於與控制曲線CL之上 限色溫T2相比之更高色溫側。 並且，如上所述，控制曲線CL係包含於以色度點wpi 〜WP4為頂點而形成之四角形内，而且色度點WP1〜WP4 分別位於以其他3個色度點為頂點而形成之三角形之外 側。若第1〜第4發光單元1；51〜1；54中之任一發光單元所 發出之初級光之色度點位於以其他色度點為頂點而形成之 三角形之内侧，則根據調整之照明光之色溫，而會出現使用 與位於該内側之色度點相對應的發光單元代替與位於該内 側之色度點之兩側之色度點相對應的兩個發光單元即足夠 之情形時，從而存在照明光總光通量降低，無法獲得所需之 總光通量之擔憂。因此，若如本實施例般使色度點wpi〜 WP4分別位於以其他3個色度點為頂點而形成之三角形之 外侧，則可使第1〜第4發光單元U51〜U54分別儘量平衡 100132595 142 201233233 地發光’從而可確保照明光所需之總光通量。 圖60係表示於本實施例之照明裝置中發光控制部513進 行發光控制時的、自照明裝置發出之照明光之色溫與供給至 第1〜第4發光單元U51〜U54之各個之電力、作為該等供 • 給電力之總和之總供給電力以及照明光之總光通量之關係 的圖表。另外，於本實施例中，供給至第2發光單元U52 之電力與供給至第4發光單元U54之電力係為相同大小， 但圖60所示之供給至各發光單元之電力之大小以及總供給 電力之大小係一例，本發明並不限定於此。因此，供給至第 2發光單元U52及第4發光單元U54之各個之電力有時根 據各發光單元之發光特性或照明光特性等而互不相同。 另外，於本實施例中可供給至發光部5〇1之電力之上限係 基於设置於發光部501中之散熱構件之熱容而設定為8 w(瓦特）。因此，必須將供給至第丨〜第4發光單元U5i〜 U54之各個之電力設定為其總和不超過8W之大小。另一方 面，可供給至第1〜第4發光單元U51〜U54之各個之電力 ，‘之上限係根據設置於各發光單元中之LED晶片5〇3之額定 * 最大電力而定，於本實施例中係設定為4W。因此，可供給 至每個發光單元之電力之上限和為16w，大於可供給至發 光部501之合計電力之上限之。 如此一來，由於係將可供給至每個發光單元之電力之上限 和设定為大於可供給至發光部5〇1之合計電力之上限，故供 100132595 143 201233233 給至第1〜第4發光單元加〜υΜ之各個之電力之和不超 過可供給至發光部5G1之合計電力之上限之，並可將供 給至第I〜第4發光單开TTC1 π ϋ51〜U54中之任一發光單元之電 力設定f上限之4W為止，其結果為，相較於將可供給至每 個舍光早凡之電力之上限和限制在可供給至發光部⑽I之 口十電上限以下之情形時，可增大自照明裝置發出之昭 明光之總光通量。 … 另外’此處示出之可供給至發光部5〇1之電力之上限值以 及可供給至每個發光單元之電力之上限值均為—例，本發明 並不限定於此’t可減_裝置或各發料元之規格等作 適當變更。總之，若考慮到可增大自照明襄置發出之照明光 之總光通量之優點，則較佳為將可供給至每個發光單元之電 力之上限和設定為大於可供給至發光部Ml之合計電 上限。 藉由如上述般規定㈣曲線CL，並規定可供給至第卜 第4發光單元U51〜U54之各個之電力之上限，如圖的所 示，可於^溫為約4_〖以上之區域，儘量不發出偏離地 向各發光早讀給電力，並且，可向—部分發光單元供給超 過用可=給至發光部則之合計電力之上限請除以發光單 兀數而传之2W的電力’從而可為照明裝置之照明光確保 500流明以上之總光通量。 ’、 另外，於色溫為4_K以下之區域，為了消除普通白織 100132595 144 201233233 燈中之總光通量與色溫之變化之不_，而對應照明裝置之 照明光色溫之降低使總光通量降低。但是，於本實施例中， 於此種情料，亦健到色溫降低至下限色溫了丨為止均將 總光通量確保為最大光束之1/3以上，從而抑制色溫降低情 形之照明光之總光通量降低，即便色溫較低亦可獲得明亮的 照明光。 如上所述之照明光之色溫與供給電力之關係係藉由模擬 或實驗等而預先掌握’基於作為雜或實料之結果而獲得 之如圖60所示之關係，可求出為了獲得所需色溫之照明光 而需要之供給至各發光單元之電力。另外，供給至各發光單 兀之電力係根據各發光單元之電流供給脈衝之負載比而定。 因此，於本實施例中，基於圖00中之色溫與供給至各發 光單元之電力之關係’預先求出照明光色溫與對發光部501 之電晶體Q51〜Q54之各個進行之開啟/關閉控制之控制量 (發光控制量）的關係。繼而，將圖6〇中之照明光之色溫作 為目標相關色溫，並將與目標值設定部515可設定之目標相 關色溫相對應之電晶體q51〜q54之控制量，作為控制圖預 先儲存於發光控制部513所具有之記憶體（記憶裝置）513a 中。另外，若基於圖60所示之關係，進行電晶體Q51〜Q54 之開啟/關閉控制’則如圖60所示，照明光之總光通量亦與 此時之目標相關色溫相對應地自動規定。因此，藉由確定目 標相關色溫’而目標總光通量亦得以確定。因此，基於目標 100132595 145 201233233 相關色溫的電晶體Q51〜Q54之開啟/關閉控制實質上係基 於目標相關色溫及目標總光通量的控制。 當發光控制部513自目標值設定部515接收與操作單元 514中之插作旋钮514a之操作位置相對應之目標相關色溫 時，其會自儲存於記憶體513a中之控制圖獲取與目標相關 色溫相對應之各電晶體Q51〜Q54之各個之開啟/關閉控制 S，並利用所獲取之控制量，對發光部501之電晶體Q51 Q54分別進行開啟/關閉控制。其結果為，自照明裝置發 出色溫具有圖57之XY色度圖中之控制曲線CL上之色度的 照明光，此時之照明光之色溫為於操作單元514中設定之色 溫。 如上所述，於圖57之XY色度圖中，控制曲線cl自黑體 輻射軌跡BL偏離之偏差△1^為+〇 〇〇5以内，並且可獲得平 均演色評估值Ra為90以上之演色性極優異的白色光，另 外，自控制曲線CL之黑體輻射軌跡Bl偏離之偏差Δυν越 小，則越可獲得協調的自然白色光，並可不降低演色性地實 現較高的總光通量，但是，偏差Auv並非如本實施例般必須 為+0.005以内，可根據照明裝置所要求之特性或使用目的 等設定偏差Auv之大小。其中通常，將偏差心設為正值與 没為相同絕對值之貞值之情形相比，更能提高發纽率，故 為了獲得高亮度照明光’較佳為將偏差—設定為正值，若 亦考慮到上述效果’較佳為將控制曲線CL設定成偏差為 100132595 146 201233233 Διιν+0.01±0·01 〇 如上所述，於本實施例之照明裝 至上限色溫丁2為止之範圍内使自照明 色溫根據操作單元514之操作旋明光之 14a之麵作量而變化， 此時之照明光之色度近似於黑體_執跡扯，偏差伽為 +0.005以内，故可使照明光成為協調的自“色光。並且， 照明光之色溫及總光通量之兩者藉由對操作杨5⑷之操 作得以適當調整。 並且，由於控制曲線CL係設定為包含於下述四角形中， 該四角形係在圖57之XY色度圖中以自第！〜第4發光單 元U51〜U54之各個發出之初級光之色度點wpi〜wp4為 頂點而形成之四角形，故2個以上之發光單元所發出之初級 光必可用於獲得照明光’從而可抑制照明光中之不適宜的總 光通量降低。 而且，於本實施例中，係將LED晶片503與含有發光體 之單元區域506組合使用，故藉由螢光體之發光光譜特性， 而於各發光單元之發光光譜中，直接使用LED晶片所發出 之光之情形之欠缺部分消除，從而可獲得演色性優異的照明 光。 而且，由於係於各單元區域506中混合使用波長轉換特性 不同之數種螢光體’故可抑制經一螢光體進行波長轉換之光 再經另一螢光體進行波長轉換之級聯激發發出，從而可防止 100132595 J 147 201233233 此種級聯激發引起各波長轉換區域中之發光致率降低。 並且’於本實施例中，係藉由將設置有螢光構件505之透 光基板504設置為與安裝有LED晶片503之佈線基板5〇2 相對向，而形成具有發光單元群之發光部5〇1，故第丨〜第 4發光單元U51〜U54係一體設置’從而發光部5〇 1之操作 變得容易，且可降低照明裝置之製造工時或製造成本。 (照明裝置之電路構成之變形例） 為將各種色溫之白色光作為照明光發出而對自第i〜第4 發光早元U51〜U54之各個發出之初級光之強度進行變更所 使用之照明裝置之電路並不限定於如上所述之圖58所示之 構成。因此，下面，基於圖61，對用於對自第i〜第4發光 單元U51〜U54之各個發出之初級光之強度進行變更的照明 裝置之電路構成之變形例進行說明。另外，本變形例之發光 部521係與上述第5實施例之發光部5〇1相同地於基板上排 列有160個LED晶片503，並使用與該等LED晶片5〇3相 對應地同於第5實施例般設置有螢光構件5〇5之透光基板 504。亦即，於本變形例中，僅基板中之電路構成及其發光 控制與上述第5實施例存在差異，其他構成與第5實施例相 同。 於本變形例中，亦與第5實施例相同，4〇個[ED晶片503a 構成第1LED群DSl’40個LED晶片503b構成第2LED群 D52。並且，同樣，40個LED晶片503c構成第3LED群 100132595 148 201233233 D53 ’ 40個LED晶片503d構成第4LED群D54。其中如圖 61所示，於本變形例中，各LED群中LED晶片為串聯。 如圖61所示，於上述第1LED群D51之LED晶片503a 上，串聯有用於調整供給至各LED晶片503a之驅動電流並 將驅動電流供給至各LED晶片503a之電晶體Q61以及電流 檢測用電阻R21，其等連接於電源522之正極與負極之間。 同樣，於第2LED群D52之LED晶片503b上，串聯有電晶 體Q62及電流檢測用電阻R22，於第3LED群D53之LED 晶片503c上，串聯有電晶體Q63及電流檢測用電阻R23， 於第4LED群D54之LED晶片503d上，串聯有電晶體Q64 及電流檢測用電阻R24。 電晶體Q61〜Q64之基極分別與相對應之運算放大器〇pl 〜OP4之輸出連接。並且，如圖61所示，該等運算放大器 Ο P1〜Ο P 4之各個之倒相輸入分別與相對應之電流檢測用 電阻R21 R24連接。因此，例如當相對應之電晶體 對應運算放大器OP1之輸出信號等級而進入導通狀態，從 ，·. 而電流流至LED晶片503a及電阻R21時，電阻R21之電 - 位上升。此時，電晶體Q61之導通狀態被許可直至運算放 大器OP1之倒相輸入電位變得與非倒相輸入電位相等，當倒 相輸入電位超過非倒相輸入電位時，運算放大器⑽之輸 出信號逆轉，電晶體Q61進入非導通狀態。其結果為，流 至LED晶片5〇3a之電流保持為與運算放大器〇ρι之非倒 100132595 149 201233233 相輸入電位相對應之固定值。亦即，藉由運算放大器OP1、 電阻R21及電晶體Q61構成供給至led晶片503a之驅動 電流用之恆流電路，其電流值根據運算放大器〇ρι之非倒 相輸入電位而定。 同樣，運算放大器OP2、電阻R22及電晶體Q62構成供 給至LED晶片503b之驅動電流用之恆流電路，運算放大器 OP3、電阻R23及電晶體Q63構成供給至LED晶片503c 之驅動電流用之恆流電路，運算放大器〇P4、電阻R24及 電晶體Q64構成供給至LED晶片503d之驅動電流用之恆 机電路。並且，該卓LED晶片503b〜503d之驅動電流之大 小與LED晶片503a之情形相同，分別根據相對應之運算放 大裔之非倒相輸入電位而定。 於本變形例中，當僅對第i〜第4LED群D51〜以斗中之 任一個LED群供給驅動電流時，自第1〜第4發光單元^幻 〜U54中之與該LED群相對應之發光單元發出之初級光與 上述第5實施例之情形亦相同。亦即，當第iled群阳 之各LED晶片503a分別發光時，係自包括第1led_d5i 以及與其對應之第1波長轉換區域P51之第丨發光單元υ5ι 發出具有圖57中之色度點WP1之色度的初級光。同樣，當 第2LED群D52之各LED晶片通分別發光時，係自包: 第2LED群D52以及與其對應之第2波長轉換區域牧之 第2發光單元U52發出具有圖57中之色度點赠之色度的 100132595 150 201233233 初級光。並且，當第3LED群D53之各LED晶片503c分別 發光時，係自包括第3LED群D53以及與其對應之第3波 長轉換區域P53之第3發光單元U53發出具有圖57中之色 度點WP3之色度的初級光。並且，當第4LED群D54之各 LED晶片503d分別發光時，係自包括第4LED群D54以及 與其對應之第4波長轉換區域P54之第4發光單元U54發 出具有圖57中之色度點WP4之色度的初級光。 為了控制此種第1〜第4發光單元U51〜U54之發光，使 對自第1〜第4發光單元U51〜U54之各個發出之初級光進 行合成並自照明裝置發出之照明光之色度，可與第5實施例 之照明裝置相同地於圖57所示之控制曲線CL上變化，於 本變形例中’發光部521具備微電腦CPIH、記憶體(記憶裝 置)Ml及D/A轉換器DAC1。另外’該等微電腦cpui、記 憶體Ml及D/A轉換器DAC1與上述LED晶片503a〜 503d、電晶體Q61〜Q64、電阻R21〜R24及運算放大器0P1 〜OP4 —起安裝於發光部521之基板上。 微電腦CPU1具備2個類比輸入埠IP1及ip2，並具備輸 出8位元數位信號之4個數位輸出埠#1、#2、#3及#4。並 且’記憶體Ml為了在其與微電腦CPU1之間授受資料，而 藉由信號線與微電腦CPU1連接。並且，D/A轉換器DAC1 具備4個數位輸入埠DPI、DP2、DP3及DP4，並具備將輸 入至該等數位輸入埠DPI、DP2、DP3及DP4之數位信號轉 100132595 151 201233233 換為類比信號然後輸出之類比輸出埠AP1、AP2、AP3及 AP4。另外，數位輸入埠DPI、DP2、DP3及DP4與類比輸 出埠AP1、AP2、AP3及AP4按照該記載順序分別--對應。 為了使可變電阻VR1可藉由使用者之操作而調整照明光 之色溫，以與第5實施例之操作單元514相同之形態，可藉 由色/JEL 5周整旋紐（省略圖示）操作地將可變電阻vri設置於 照明裝置中。可變電阻VR1之2個固定端子之—者與電源 522之正極連接，另一者與電源522之負極連接。另一方面， 可變端子與微« CPU1之類比輪人埠⑻連接，施加至類 比輸入埠ΠΜ <電位藉由使用者對色溫調整旋叙之操作而 變化。 於本變形财，係以當可變電阻VR1之可變端子之電位 為最小值時，照明光之色溫成為圖57之控制曲線π中之 下限色溫（第1色溫)T1，當該電位為最大值時，照明光之色 溫成為圖57之控制曲線CL +之上限色溫（第2色溫)T2之 方式進行發光控制。並且，細可㈣阻州之可變端子 之電位於最小值與最大值之_化時，照明光之色溫與該電 位對應地在圖57之控制曲線CL上於下限色溫㈣上限色 温T2,之間連續變化之方式進行發光㈣。另外，於本變形 例中，與第5實施例之情形相比，將控㈣線CL延長此許， 將下限色溫T1，設為2飄，並且將上限色溫T2|設為讀) K。於該情形時，控制曲線CL之延長部分亦可藉由與第$ 100132595 152 201233233 實施例之情形相同之方式規定相對於第1〜第4發光單元 U51〜U54之電力分配。 如此一來，可變電阻VR1之可變端子之電位與色溫調整 旋鈕之操作所需之照明光之色溫——對應，照明光之目標相 關色溫係與可變電阻VR1之可變端子之電位相對應地確 定。另一方面，用於在控制曲線CL上實現所設定之目標相 關色溫的第1〜第4發光單元U51〜U54之電力分配與上述 第5實施例之情形相同，可藉由相同方式，與可設定之目標 相關色溫相對應地預先求出供給至各發光單元之電力供給 量。並且，當供給至第1〜第4發光單元U51〜U54之電力 確定時，相對於LED晶片503a〜503d之各個之驅動電流之 大小亦確定。因此，於本變形例中，將表示目標相關色溫的 可變電阻VR1之可變端子電位作為參數，將相當於與下限 色溫ΤΓ至上限色溫T2’為止之間的各種色溫相對應的第1 〜第4發光單元U51〜U54之驅動電流值的8位元資料，作 為控制圖預先儲存於記憶體Ml中。圖62係表示與此種目 標相關色溫相對應的每個發光單元之供給電力之一例的 表。根據如圖62所示之目標溫度與供給電力之關係而與目 標相關色溫相對應地針對每個發光單元求出之驅動電流 值，作為控制圖儲存於記憶體Ml中。 當與色溫調整旋鈕之操作位置相對應的可變端子之電位 添加至微電腦CPU1之類比輸入埠IP1時，微電腦CPU1自 100132595 153 201233233 έ己憶體Ml獲取表示與添加至類比輸入谭IP1之電位亦即目 標相關色溫相對應的第1〜第4發光單元U51〜U54之驅動 電流值的4個8位元資料。微電腦CPU1將如此獲取之4個 8位元資料與第1〜第4發光單元U51〜U54之各個相對應 地輸出至輸出埠#1〜#4。另外，此時對於4個8位元資料之 各個，若分別乘以相同降低係數，則可使照明光之總光通量 降低而不變更色溫。因此，於本變形例中，在所獲取之4 個8位元資料乘以用於調整總光通量之降低係數〇〜丨之 後，輸出至輸出埠#1〜#4。用於調整該總光通量之降低係數 於下面敍述’下面係以將降低係數設為〗而不降低總光通量 之情形為例進行說明。 微電腦cpui之輸出埠#丨與D/A轉換器DAC1之數位輸 入埠DPI連接，輸人至該數位輸人琿肥之數位信號經轉 換為類比信號之後自類比輸出埠Αρι輸出。類比輸出淳Αρι 與運算放大If QP1之非倒相輸人連接，運算放大器〇ρι之 輸出如上所述與對應於第丨發光單元U51之電晶體Q6i之 基極連接。因此’微電腦CPU1將如上述般自記憶體m獲 取之4個8位元資料中表示供給至第光單元u5i之驅 動電流的8位元資料自輸出埠#1輸出。 同樣，連接微電腦CPU1之輸出軸的D/A轉換器DAC1 之數位輸人埠DP2與類崎出埠Ap2相對應，類比輸出璋 AP2與運算放大器⑽之非倒相輸人連接。並且，運算放 100132595 154 201233233 大器㈣之輸出與對應於第2發光單元呢之電晶體⑽ 之基極連接。因此’微電腦CPU1將如上述般自記憶體⑷ 獲取之4個8位元資料中表示供給至第2發光單元U52之 • 驅動電流的8位元資料自輸出埠#2輪出。 . 並且，連接微電腦圓之輪出埠^的腸轉換器DAC1 之數位輸人埠DP3與類比輪出埠納相對應，類比輸出璋 奶與運算放大器QP3之非倒相輪人連接。並且，運算放 大器⑽之輸出與對應於第3發光單元收之電晶體⑽ 之基極連接。因此，微電腦CPU1將如上述般自記憶體m 獲取之4個8位元資料中表示供給至第3發光單元咖之驅 動電流的8位元資料自輸出埠#3輸出。 而且，連接微電腦CPU1之輸出軸的D/A轉換器DA。 之數位輸人埠DP4與類比輸料Ap4㈣應，類比輸出淳 AP4與運算放A||⑽之非倒相輸人連接。並^，運算放 大器⑽之輸出與對應於第4發光單元心之電晶體_ 之基極連接。因此’微電腦CPm將如上述般自記憶體m .‘獲取之4個8位元資料中表示供給至第4發光單元㈣之 - 驅動電流的8位元資料自輪出埠#4輸出。 因此，為了獲得根據可變電阻VR1而定之目標相關色溫 之照明光，而自D/A轉換器說丄之斗個類比輸出痒Μ 〜AP4之各個輸出應供給至第丨〜第4發光單元四〜⑽ 之各個之㈣電流相對應之電壓值喃比錢。並且，該等 100132595 155 201233233 類比信號分別供給至相對應之運算放大器〇ρι〜⑽之非 倒相輸人。如上所述，藉切料運算放大器Qpi〜〇p4 之輸出#说分別供給至相對應之電晶體Q6 1〜Q64之基 極，而相對應之LED晶片503a〜503d之各個流通與供給至 運算放大器OP1〜OP4之非倒相輸入的類比信號之電壓值 相對應的電流。其結果為，藉由對自第1〜第4發光單元 U51〜U54之各個發出之初級光進行合成，而可獲得藉由色 溫調整旋鈕之操作而設定之色溫之照明光。 如上所述，於本變形例中，除了此種色溫之調整之外，還 可對照明光之總光通量進行調整。圖61之電路中之可變電 阻VR2係為了於熄燈狀態至可於照明裝置中獲得之總光通 量之上限為止之間調整照明光之總光通量而設置，以可藉由 供使用者操作之總光通量調整旋紐（省略圖示）操作之方式 設置於照明装置中。可變電阻VR2之2個固定端子之一者 與電源522之正極連接，另一者與電源522之負極連接。另 一方面，可變端子與微電腦CPU1之類比輸入埠IP2連接， 施加至類比輪入埠IP2之電位藉由使用者對總光通量調整 旋紐進行操作而變化。 於本變形例中，係按照相對於在照明裝置中可獲得之總光 通I之上限的比率而規定照明光之總光通量之目標值’於媳 燈狀態下目標值為0，於獲得上限總光通量之狀態下目標值 為1。並且，當可變電阻VR2之可變端子之電位為最小值 100132595 156 201233233 時係將目標值設為〇,於該電位為最大值時係將目標值設為 1。並且’當可變電阻VR2之可變端子之電位於最小值與最 大值之間變化時，使總光通量之目標值根據該電位於〇至1 為止之間連續變化。 如上所述’當微電腦CPU1自記憶體Ml獲取表示與目標 相關色溫相對應的第1〜第4發光單元U51〜U54之驅動電 流值的4個8位元資料並輸出至輸出埠#1〜#4時，利用用 於降低照明光總光通量之降低係數分別乘以該等4個8位元 資料。微電腦CPU1應用根據可變電阻VR2之可變端子之 電位而定的目標值〇〜1作為此處使用之降低係數。因此， 藉由對用於調整可變電阻VR2之總光通量之旋鈕進行操 作，而可自熄燈狀態至總光通量達到上限之狀態為止之間連 續地調整照明光之總光通量。 如此一來，由於本變形例亦可與上述第5實施例相同地調 整照明光之色溫，故可獲得與第5實施例相同之效果。並 且，本變形例除了可調整色溫之外，還可調整照明光之總光 通里，故可結合色溫之調整獲得使用者所需之各種色溫及亮 度之照明光。另外，自關於本變形例之以上之說明可明白， 除了微電腦CPU1之外，記憶體]νπ、d/α轉換器DACn、 可變電阻VR1及可變電阻VR2係相當於本發明之控制手 段。 (發光單元數之另一例） 100132595 157 201233233 於本實施例中，控制曲線CL係設定為包含於下述四角形 中，該四角形係在圖57之χγ色度圖中以自第i〜第4發 光單元U51〜U54之各個發出之初級光之色度點WI>1〜Wp4 為頂點而形成之四角形。但是，用於照明裝置中之發光單元 之數量並不限定於4個，亦可為於χγ色度圖中可形成多角 形之數量。 例如，將發光單元之數量為3個之情形亦即自各發光單元 發出之初級光之色度點為3個之例示於圖63中。圖63係對 圖57之ΧΥ色度圖進行部分性簡化之圖。於圖63之例中， 係用第5發光單元U55代替第2發光單元U52及第4發光 單元U54而與第1發光單元U51及第3發料元U53組合 使用，自第5發光單元U55發出之初級光之色度點為wp5。 並且，控制曲線CL係使用與上述第5實施例相同者。 如圖63所示，色度點WP5係設定為以3個色度點wpi、 WP3及WP5為頂點而形成之三角形包含控制曲線。因 此，色度點WP5位於與控制曲線CL之上限色溫T2相比之 更南色溫側。具體而言，例如亦可於連結上述第5實施例所 使用之色度點WP2與色度點WP4之線上設定色度點WP5。 當然，亦可於與此不同之位置設定色度點wp5。此種色度 點WP5之設定係藉由設定相對於第5發光單元U55而設定 之紅色單元506r、綠色單元506g、黃色單元5〇6y及藍色單 元506b各自之數量而進行。 100132595 158 201233233 於圖63之例中，亦由於以3個色度點WPl、WP3及WP5 為頂點而形成之三角形包含控制曲線CL，故可與上述第5 實施例相同地難自第1發光單元U5卜第3發光單元U53 及第5發光單元U55之各個發出之初級光之強度，藉此可使 自照明裝置發出之照明光之色度位於控制曲線CL上，並且 可於下限色溫T1至上限色溫T2為止之範圍内調整照明光 之色溫。因此，於圖63所示之例中，亦可獲得與上述第5 實施例之照明裝置相同之效果。 於發光單tl之數量為4個之情形時，各發光單元所發出之 光之色度點亦並不限定於上述第5實施例之色度點，當可視 品要作各種變更。圖64與圖63相同，係對圖57之ΧΥ色 度圖進行部分性簡化，係表示採用與第5實施例不同之4 個色度點之例。圖64之例雖使用了於第$實施例中使用之 控制曲線CL，但卻係使用第6〜第9發光單元U56〜U59 代替第1〜第4發光單元U51〜IJ54。並且，自該等第ό〜 第9發光單元υ 5 6〜U 5 9分別發出之初級光之色度點分別為 WP6〜WP9。 如圖64所不，自第6發光單元U56發出之初級光之色度 點WP6以及自第8發光單元U58發出之初級光之色度點 WP 8均係位於與控制曲線CL之下限色溫τ!相比之更低色 溫侧。另一方面，自第7發光單元U57發出之初級光之色度 點WP7以及自第9發光單元U59發出之初級光之色度點 100132595 159 201233233 WP9均係位於與控制曲線cl之上限色溫T2相比之更高色 溫側。該等4個色度點WP6〜WP9係設定為以色度點WP6 〜WP9為頂點而形成之四角形包含控制曲線CL。並且，色 度點WP6〜WP9分別位於以剩餘色度點為頂點而形成之三 角形之外側。此種設定係藉由設定設置於第6〜第9發光單 元U56〜U59之各個中之紅色單元506r、綠色單元506g、 黃色單元506y及藍色單元506b各自之數量而進行。 於圖64之例中，亦由於以4個色度點WP6〜WP9為頂點 而形成之四角形包含控制曲線CL，故可與上述第5實施例 相同地調整自第6〜第9發光單元U56〜U59之各個發出之 初級光之強度，藉此可使自照明裝置發出之照明光之色度位 於控制曲線CL上，並且可於下限色溫τΐ至上限色溫T2 為止之範圍内調整照明光之色溫。因此，於圖64之例中， 亦可獲得與上述第5實施例之照明裝置相同之效果。 發光單元之數量亦可自4個起進一步增加。例如，作為發 光單元之數量為5個之情形之一例，除了第6〜第9發光單 元U56〜U59之外，亦可進一步使用第10發光單元U6〇。 於該情形時，為了防止因上述理由而對於特定之發光單元產 生偏離，而可將例如圖64所示之色度點wpi〇設定為位於 以色度點WP6〜WP9為頂點而形成之四角形之外侧。 藉由如此設定色度點wpio，而控制曲線包含於以色 度點WP6〜WP10為頂點而形成之五角形内。並且，色度點 100132595 160 201233233 W P 6〜W P10分別位於以剩餘色度點為頂點而形成之四角形 之外側。此種色度點WP10之設定亦係藉由設定設置於第 10發光單元U60中之紅色單元506r、綠色單元506g、黃色 單元506y及藍色單元506b各自之數量而進行。 於該情形時，亦由於以5個色度點WP6〜WP10為頂點而 形成之五角形包含控制曲線CL，故可與上述第5實施例相 同地調整自第6〜第10發光單元U56〜U60之各個發出之光 之強度’藉此可使自照明裝置發出之照明光之色度位於控制 曲線CL上，並且可於下限色溫T1至上限色溫T2為止之範 圍内調整照明光之色溫。因此，可獲得與上述第5實施例之 照明裝置相同之效果。 (LED晶片之變形例） 於上述第5實施例中，LED晶片503發出具有460 nm之 峰值波長之藍色光，如上所述，LED晶片503之種類或發 光波長特性並不限定於此，只要不脫離本發明之主旨，當可 使用各種LED晶片等半導體發光元件。因此，下面對例如 使用發出具有405 nm之峰值波長之近紫外光之LED晶片作 為LED晶片之變形例的情形進行說明。另外，對於本變形 例，伴隨此種LED晶片之變更，僅如下述般於螢光構件505 中使用之螢光體之種類與第5實施例有一部分不同，而構造 與第5實施例相同。因此，下面係使用於第5實施例中用於 說明之圖式而進行說明。 100132595 161 201233233 於本麦幵y例中使用之Led晶片係發出具有405 nm之峰值 波長之近紫外& ’此種LK)晶片較佳為將InGaN半導體用 於發光層中從而發出近紫外區域光之祕系LED晶片等。 並且，於本變形财，較佳為LED晶丨所發光之峰值 波長處於360 nm〜420 nm之波長範圍内。 榮光構件之單元區域5〇6係與第5實施例相同地劃分為紅 色單元506r、綠色單元5〇6g、黃色單元5〇办及藍色單元 506b之4種。於紅色單元5〇6r、綠色單元5〇6g及黃色單元 5〇6y中，使用了將代替藍色光之近紫外光分別波長轉換為 、.色光、，杂色光及H色光之紅色螢光體、綠色勞光體及黃色 螢光體，該等㈣體可應用於第5實_巾例示之各種勞光 體。另-方面’藍色單元獅並非如第5實施例之藍色單 元506b般使藍色光透過 而係分散保持有將LED晶片503 ::)出之近嫩嶋罐心軸卿4登 此種藍色螢光體之發料值波長之較好的波長範圍通常 為420nm以上，較佳為430nm以上，更佳為楊⑽以上， 通常未滿500 nm，較佳為49〇 nm以下，更佳為·舢以 下，進一步較佳為470 nm以下，尤其麵_nm以下。其 中藍色螢光體例如較佳為_· (Ca、Sr、Ba)MgAli〇〇i7別、阼、 Ca、Ba、Mg)10(PO4)6(Cl、F)2:Eu、（Ba、Ca ,一 100132595 162 201233233 (Ca、Sr、Ba)10(PO4)6(a、F)2:Eu、Ba3MgSi208:Eu ;尤其佳 為.Sri〇(P〇4)6Cl2:Eu、BaMgAli〇〇i7:Eu。 另外，於使用發出近紫外光之LED晶片之情形時，透過 紅色單元506r、綠色單元506g及黃色單元506y而發出之藍 色光會消失，故為了補償此種藍色光之減少，而調整第1〜 第4波長轉換區域P51〜P54中之紅色單元506r、綠色單元 5〇6g、黃色單元506y及藍色單元506b之數量。 如此一來，於使用發出近紫外光之LED晶片之情形時， 若如上述般變更藍色單元506b，則亦可與第5實施例之情 形相同地自藍色單元506b獲得藍色光，故可發出與第5實 施例之照明裝置相同之照明光，藉由調整自各發光單元發出 之初級光之強度，而可獲得與第5實施例之照明裝置相同之 效果。 (螢光構件之第1變形例） 於上述第5實施例中，係對應於第1〜第4發光單元U51 〜U54而將螢光構件505劃分為第1〜第4波長轉換區域 P51〜P54，並將該等波長轉換區域之各個對應於各LED晶 片503而分割為單元區域506。進一步將該等單元區域506 劃分為所分散保持之螢光體之種類分別不同之紅色單元 506r、綠色單元506g、黃色單元506y及藍色單元506b之4 種。並且，於第1〜第4波長轉換區域P51〜P54之各個中， 紅色單元506r、綠色單元506g、黃色單元506y及藍色單元 100132595 163 201233233 5〇6b之數量不同，藉此使自第！〜第4發光單元u5i〜υΜ 之各個發出之初級光之色度不同。 然而’第5實施例中之螢光構件之構成並不限定於此，當 可作各種變更。因此，將變更之一作為螢光構件之第丨變形 例，並基於圖65於下面進行說明。另外，於本變形例中， 對於與上述第5實施例相同之構件，係使用相同符號並省略 詳細說明。 圖65係應用了本變形例之發光部5〇1，的俯視圖。與第5 實施例相同，於透光基板504之第2面5〇仆上設置有螢光 構件（波長轉換構件)505,，於未示於圖65中之佈線基板5〇2 之曰曰片女裝面502a上，與第5實施例相同地排列安裝有16〇 個LED晶片503。並且，與第5實施例相同，藉由與佈線基 板502之晶片安裝面5〇2a相對向地配設透光基板5〇4，而 螢光構件505’經由該透光基板5〇4配置於與佈線基板5〇2之 晶片安裝面502a相對向之位置。 螢光構件505’與第5實施例相同地劃分為第丨波長轉換區 / 第2波長轉換區域P52’、第3波長轉換區域p53, 及第4波長轉換區域Ρ54·之4個波長轉換區域。另外，於圖 65中為了識別各波長轉換區域之發光色而使用點陰影記載 各螢光體。ϋΑ，於如圖65般平面觀察發光部卿之情形 時’對應於該等第1波長轉換區域P51，、第2波長轉換區域 P52、第3波長轉換區域p53,及第4波長轉換區域p54,之4 100132595 164 201233233 個波長轉換區域而各配置有40個LED晶片503。亦即，與 第5貫施例相同’各LED晶片503如圖65所示般對應於第 1波長轉換區域P51’、第2波長轉換區域P52·、第3波長轉 換區域P53·及第4波長轉換區域P541之位置而被分別劃分為
第 1LED 群 D51、第 2LED 群 D52、第 3LED 群 D53 及第 4LED 群 D54。 因此，於本變形例中，第1LED群D51及第1波長轉換 區域P51’構成第1發光單元U51i，第2LED群〇52及第2 波長轉換區域P52’構成第2發光單元U52'。並且，第3LED 群D53及第3波長轉換區域P53,構成第3發光單元U53,， 第4LED群D54及第4波長轉換區域p54,構成第4發光單 元U54。並且，統合該等4個發光單元之發光部5〇1，係相 虽於本發明之發光單元群。另外，下面將該等第i〜第4發 光單元U51，〜U54,各自發出之光稱為初級光，將對第i〜第 4毛光單το U51’〜U54’各自發出之初級光進行合成並自發光 部501’發出之光稱為合成光。 營光構件5〇5與帛5實施例之瑩光構件5〇5相$，具有每 個波長轉換區域對LED晶片5()3所發出之光進行波長轉換 從^發出峰值波長與LED晶片5G3所發出之光不同之光的 功此但疋，螢光構件505,未被分割為單元區域，每個波長 轉換區域只質上均勻地分散保持有f光體。具體而f，於本 炎形例之f域件5Q5,中，係混合使用紅色螢光體、綠色榮 100132595 165 201233233 光體及黃色螢光體，並針對每個波長轉換區域變更該等紅色 螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之混合比率，而代替如第 5實施例般於各波長轉換區域調整紅色單元5〇6r、綠色單元 506g、貫色單元506y及藍色單元5〇6b之數量。 更具體而§，係以圖55所示之，第5實施例中之每個波 長變換區域之紅色單元506r、綠色單元5〇6g、黃色單元5〇办 及藍色單7L 506b各自之數量為基準，而針對每個波長轉換 區域規定紅色螢光體、綠色瑩絲及黃色§光體之混合比 率。藉此使自第1〜第4發光單元U51，〜U54,之各個發出之 初級光與第5實施例之情形相同，於圖57之χγ色度圖中 具有色度點WP卜色度點WP2、色度點wp3及色度點糖 之色度。 另外，如圖55所示’於第5實施例中，第2波長轉換區 域P52不包含紅色單元5〇6r，故以此為準，於本變形例中 第2波長轉換區域p52，中之紅色營光體之混合比率亦為 0%並且’於第5實施例中’自藍色單元5嶋發出之藍色 光係使用未經波長轉換地透過各波長轉換區域而發出之藍 色光、:因此，於本變形财，亦針對每個波長轉換區域將紅 色螢絲、綠色螢光體及黃色勞光體之密度規定為自各波長 轉換區域發出與第5實施例之情形同等級之藍色光。 自第1〜第4發光單元U51’〜U54.之各個發出之初級光藉 由如上述般構成螢光構件5〇5，之第i〜第4波長轉換區域 100132595 166 201233233 Ρ5Γ〜P54’ ’而與第5實施例之情形相同，於圖57之XY色 度圖中具有色度點WP1〜WP4之色度。因此，藉由與第5 實施例之情形相同地調整自發光單元U51，〜U54'之各個發 出之初級光之強度，而可以圖57所示之控制曲線CL上之 色度將本變形例之照明裝置之照明光調整為下限色溫τ丨至 上限色溫T2為止之間之色溫。其結果為，於本變形例中， 亦可獲得與第5實施例之情形相同之效果。 另外，於本變形例中，可使用發出近紫外光之led晶片 代替發出藍色光之LED晶片。於該情形時，除了於螢光構 件505’中使用之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之 外，亦可混合使用對LED晶片所發出之近紫外光進行波長 轉換從而發出藍色光之藍色螢光體。 (螢光構件之第2變形例） 將螢光構件之進一步之變形例作為第2變形例，基於圖 66及圖67於下面進行說明。另夕卜，於本變形例巾，對於與 上述第5實施例相同之構件，亦係使用相同符號並省略詳細 說明。並且，於圖66及圖67中，為了識別各單元之發光色 而使用點陰影記载各螢光體。 於本變形例中，發光部之基本構成亦與第5實施例相同， 僅設置於透光基板5〇4上之螢光構件之劃分與第5實施例或 第1變形例不同。具體而言，與第5實施例相同，於本變形 例中，螢光構件亦係對應於LED晶片5〇3之各個而分割為 100132595 167 201233233 160個單元區域506"，但各單元區域506π之構成與第5齒 施例之單元區域506不同。 亦即，於本變形例中，與第5實施例相同，螢光構件亦分 割為第1波長轉換區域、第2波長轉換區域、第3波長轉換 區域及第4波長轉換區域之4個波長轉換區域，於各波長轉 換區域中各包含40個單元區域506·'。於第5實施例中，係 將160個單元區域506劃分為紅色單元506r、綠色單元 506g、黃色單元506y及藍色單元506b之4種單元區域，於 各波長轉換區域中，該等紅色單元506r、綠色單元5〇6g、 黃色單元506y及藍色單元506b之數量不同。 與此相對，於本變形例中，各單元區域506"進一步分宝j 為紅色區域520r、綠色區域520g、黃色區域52〇y及藍色區 域520b之4個區域。於紅色區域520r中，分散保持有對 L E D晶片5 03所發出之藍色光進行波長轉換從而發出紅色光 之紅色螢光體，於綠色區域520g中，分散保持有對LED晶 片503所發出之藍色光進行波長轉換從而發出綠色光之綠色 螢光體。並且，於黃色區域520y中，分散保持有對LED晶 片503所發出之藍色光進行波長轉換從而發出黃色光之黃色 螢光體。並且，藍色區域520b與第5實施例之藍色單元5〇6b 相同，係不對LED晶片503所發出之藍色光進行波長轉換 地讓其透過之單元區域’分散保持有躲使藍色光良好地擴 散發出之擴散用粒子。 ' 100132595 168 201233233 圖66係例示本變形例中之單元區域506"之一的俯視圖， 如圖66所示，各單元區域506"中之該等紅色區域520r、綠 色區域520g、黃色區域520y及藍色區域520b之面積不一 定相同。亦即，於本變形例中，係針對每個波長轉換區域變 更單元區域506’’中之紅色區域520r、綠色區域520g、黃色 區域520y及藍色區域520b之面積，而代替如第5實施例般 於各波長轉換區域中調整紅色單元506r、綠色單元506g、 黃色單元506y及藍色單元506b之數量。 具體而言，係以圖55所示之，第5實施例中之紅色單元 506r、綠色單元506g、黃色單元506y及藍色單元506b各 自之數量為基準，而針對每個波長轉換區域規定單元區域 506’’中之紅色區域520r、綠色區域520g、黃色區域520y及 藍色區域520b之面積。藉此使自各發光單元發出之初級光 與第5實施例之情形相同，於圖57之XY色度圖中具有色 度點WP1、色度點WP2、色度點WP3及色度點WP4之色 度。 另外，如圖55所示，於第5實施例中，第2波長轉換區 域P52不包含紅色單元506r，故以此為準，於本變形例中， 位於第2波長轉換區域中之單元區域506"亦未設置有紅色 區域520r。並且，於第5實施例中，第3波長轉換區域P53 不包含藍色單元506b，故以此為準，於本變形例中，位於 第3波長轉換區域中之單元區域506"亦未設置有藍色區域 100132595 169 201233233 520b。 圖67係抽取如此形成之單元區域506”配置於第i波長轉 換區域中之配置例之部分而表示的模式圖。於各波長轉換區 域中，單元區域506”之江色區域520r、綠色區域5叫'黃 色區域520y及藍色區域520b之面積係規定為固定值，但如 圖67所示，各單元區域責，係以於相鄰之單元區域5〇6" 之間單元區域506”之方向不同之方仏分別旋轉9()度之狀 態而排列。於第2〜第4波長轉換區域中，亦係與此相同地 排列各單元區域5G6"。藉此使自各單篇，，發出之光 之合成更良好地進行。另外’各單元區域蕭，之排列方法 並不限定於圖67之方式，當可作各種變更。 自各發光單元獅之減光藉由如切般構成包含於各 波長轉換區域中之單元區域，，，而” 5實_之_ 相同，於圖57之XY色度圖中具有色度點wpi〜之色/ 度。因此，藉由與第5實施例之情形相同地調整自各發光單 元發出之初級光之強度，而可以圖57所示之控制曲線⑶ 上之色度將本變形例之照明裝置之照明細整為下限色、、田 T1至上限色溫T2為止之間之色溫。其結果為，於本變形I； 中，亦可獲得與第5實施例之情形相同之效果。 另外’於本㈣射，亦可使用發出近紫外光之哪晶 片代替發出藍色光之LED晶片。於該情形時，於單元區域 506·’中之藍色區域520b中分散保持對LED晶片所發出之近 100132595 170 201233233 紫外光進行波長轉換從而發出藍色光之藍色螢光體即可 是，於使用發出近料光之LED “之情料，由旦 紅色區域52〇r、綠色區域啊及黃色區域5脚而發出之= 色光將會消失，故為了補償此種藍色光之減少部分，而針 每個波長轉換區域於各單元區域置，中調整紅色區域 52〇r、綠色區域52Gg、黃色區域52办及藍色區域如 面積。 (螢光構件之第3變形例） 於第5貫施例中，係將螢光構件5〇5四分割為第【〜第4 波長轉換II域P51〜P54，並應於該等波長轉換區域而將 LED晶片503劃分為第！〜第4LED群D51〜DM,該螢光 構件505與該LED晶片5〇3形成第】〜第4發光單元收 〜U54各1個。然而’亦可對該等第1〜第4波長轉換區域 P51〜P54之至少i個作進一步分割。 圖68係將作為此種情形之一例而對第1波長轉換區域 P51及第3波長轉換區域p53分別作進一步二分割之情形之 營光構件作為第3變形例而表示的俯視圖。如圖68所示， 第1波長轉換區域P51經二分割，並配置為於其間夹持第2 波長轉換區域P52。同樣，第3波長轉換區域P53經二分割， 並配置為於其間夾持第4波長轉換區域 P54。
伴隨此種波長轉換區域之分割，第1LED群D51亦經二 分割，並配置為於其間夾持第2LED群D52。同樣，第3LED 100132595 171 201233233 群D53亦經二分割，並配置為於其間夾持第41^〇群D54。 其結果為，包括第1LED群D51及第1波長轉換區域P51 之第1發光單元U51亦經二分割，並配置為於其間夾持第2 發光單元U52。並且，包括第3LED群053及第3波長轉換 區域P53之第3發光單元U53亦經二分割，並配置為於其 間夾持第4發光單元U54。另外，於該情形時，包含該等第 1〜第4發光單元U51〜U54之發光部501"亦相當於本發明 之發光單元群。 經二分割之第1波長轉換區域P51中之、紅色單元5〇6r、 綠色單元506g、黃色單元506y及犛色單元5〇6b之總數與 第5貫施例之第1波長轉換區域p51相同’經二分割之第3 波長轉換區域P53中之、紅色單元506r、綠色單元5〇6g、 黃色單元5 06y及藍色單元5 〇 6 b之總數亦與第5實施例之第 3波長轉換區域P53相同。因此，藉由與第5實施例之情形 相同地凋整自各發光單元發出之初級光之強度，而可以圖57 所不之控制曲線C L上之色度將本變形例之照明裝置之照明 光調整為下限色溫丁!至上限色溫T2為止之間之色溫。其 結果為’於本變形财亦可獲得與第5實施例之情形相同之 效杲。 而且’由於第1波長轉換區域p5l及第3波長轉換區域 分別經二分割而分散配置，故可更良好地對自各波長 域發出之初級光進行合成。另外’於本變形例中，係 100132595 172 201233233 對第1波長轉換區域P51及第3波長轉換區域pa分別進 行二分割，但是分割之波長轉換區域並不限定於第丨波長轉 換區域P51及第3波長轉換區域P53，亦可同樣地分割第j 〜第4波長轉換區域P51〜P54之至少一者。並且，分割數 亦並不限定於二分割，亦可為三分割以上。而且，各波長轉 換區域之配置亦並不限定於圖68之形態，當可作各種變更。 本變形例係將如第5實施例般將各波長轉換區域進一步 分割為單元區域之情形作為對象，如圖65所示之第i變形 例亦可應用本變形例。亦即，亦可將如圖65所示之未分割 為單元區域之第1〜第4波長轉換區域p51，〜p54，之至少j 個如本變形例般進行分割。並且，將各波長轉換區域進一步 分割為單元區域之情形之變形例亦即第2變形例亦可如同 應用至第5實施例中般應用本變形例。 (發光控制之第1變形例） 於第5實施例中’係根據操作單元514中之操作旋紐心 之操作位置而蚊目標相關色溫，細㈣裝置(發光裝置 1)之照明光色溫達到目標相關色溫之方式，執行對第卜第 4發光單元U51〜U54之發光進行控制之發光控制。此時， 尤其於4000K以下之色溫區域中，如圖6〇所示，對應色溫 之降低而使Μ光之總光通量降低，、;肖除f通㈣燈中之總 光通量與色溫之變化之㈣·此種伴隨色溫降低之總光通 量降低之程度可藉由自圖6G所示之大小起變更供給至第丄 100132595 173 201233233 〜第4發光單元U51〜U54之各個之電力之大小而作各種調 整。 因此，亦可使照明裝置之照明光總光通量可於熄燈狀態至 最大總光通量狀態之間進行調整，而代替如第5實施例般根 據對操作單7L 514之操作調整色溫。並且，若如對於第5 實施例之發光控制之說明㉟，基於圖6〇所示之關係進行電 晶體Q51〜Q54之開啟/關閉控制，則如圖6〇所示，照明光 之、光通塁亦與此時之目標相關色溫相對應地自動規定，故 目標總光通量藉由規定目標相關色溫而亦得以規定。下面將 可如此5周整照明光總光通量之情形之發光控制作為發光控 制部513於第5實施例中所進行之發光控制之變形例，並^ 行說明。 圖69係於本變形例之發光控制中代替第5實施例之操作 單元514而使用之操作單元514，之模式圖。另外，本變形例 僅發光控制内容及操作單^14，與第5實施例存在差異，其 他構成與第5實施例相同，對於與第5實施例相同地構成之 構件，使用相同符號，並省略詳細說明。 如圖69所示，操作單元^具備：操作旋紐⑽，，坏 使用者操作；及本體體，其内裝有用於檢測操作杨 514a，之操作位置並發送至發光控制部513之電路（省略圖 示）。操作旋紐514a，藉由使用者之操作而轉動，如圖69所 示’本體514b，顯示越順時針轉動操作旋紐5Ma，則越可使自 100132595 174 201233233 照明裝置發出之照明光之總光通量上升。既可使操作旋鈕 514a’與此種本體514b，之標記相對應地階段性地轉動，亦可 使其此連續性地轉動。 圖7 〇係表示藉由進行本變形例之發光控制而與操作單元 514’之操作旋鈕514a，之位置相對應地自照明裝置發出之照 月光之色^^與總光通量之關係的圖表，如圖70所示，於本 變形例中，藉由操作操作單元514’之操作旋鈕514a，，而可 於熄燈狀態至近600 lm為止之間調整照明光之總光通量， 並且照明光色溫與此種總光通量之變化相對應地於下限色 溫T1至上限色溫T2為止之間變化。 照明光中之此種色溫及總光通量之變化可藉由自圖6〇所 示之大小起變更如上述般供給至第丨〜第4發光單元U51〜 U54之各個之電力之大小而實現。於第5實施例中，係基於 照明光色溫與供給至第1〜第4發光單元U51〜U54之各個 之電力之關係’將目標相關色溫與發光部5〇 1之電晶體qs 1 〜Q 5 4之控制量(發光控制量）之關係作為控制圖預先儲存於 發光控制部513之記憶體513a中。此時，照明光色溫與供 給電力之關係係藉由進行模擬或實驗等而預先掌握，色溫與 總光通量之關係亦係一併掌握。因此，亦可藉由相同之模擬 或實驗而掌握如圖70所示之關係’亦即色溫、總光通量及 供給電力之相互關係。亦即，若作為目標之總光通量或色溫 確定’則可與第5貫施例之情形相同地使用所設定之控制 100132595 175 201233233 圖·，確定供給至帛卜第4發光單元U51〜仍4之各個之電 力，亦即發光部5〇1之電晶體（^〜收之控制量(發光控 制量)。0A ’於本變形例中’係以目標總光通量代替於第 5實施例中使用之目標相關色溫作為主體進行發光控制。 操作單元514·之本體514b，檢測操作旋鈕51如,之位置，並 與第5實施例相同地將檢測到之操作旋鈕51如，之位置通知 至目標值設定部515。目標值設定部化基於以整合為由操 作單元5欧本體514b，_之方式而縣設定之操作旋紅 ⑽之位置與目標總光通量之_，而蚊與檢測到之操 作旋钮5Ma，之位置相對應之目標總转量，並發送至發光 控制。M13。另外’由於照明光之色溫與總光通量預先確定 有士圖70之關係’故目標相關色溫與此種目標總光通量之 決疋相對應，亦自動確定。 毛光1制513自儲存於記憶體⑴a中之控制圖獲取與 自目標值設定部51 S旅、、’ I运之目標總光通量相對應之電晶體 Q51〜Q54之扣告丨丨旦 工里’並利用獲取到之控制量控制電晶體 H Q_T之開啟/關閉°其結果為，自照明裝置發出總光通 早W之操作旋-5Ha之位置相對應之照明光。 如圖70所示 、θ f之照明光對應總光通量降低而逐漸降 色、於即將進入熄燈狀態之前達到下限色溫Ή。 由於下限色溫Τ1為的 、 崎^ 255〇Κ，故藉由此種色溫變化而可實 it 自點燈㈣域燈狀態為止逐漸變化之 100132595 176 201233233 情形實質相同之發光色變化。 並且’於文獻 Kruithof A A:Tubular Luminescence Lamps for General Illumination,Philips Technical Review,6,pp.65-96 (1941)中，記載有於使照明光之色溫變化時會讓人感到舒適 之照度。為了基於該文獻（以下稱為Kruithof文獻）之記載維 持舒適度地使照明光色溫變化，而可於根據目標相關色溫T 使目標光束0變化時，以存在使下述不等式（1)成立之常數 A0的方式控制發光單元之發光。 -80743.(1000/T)5+164973.(1000/T)4-135260.(1000/T)3+579 94·(1000/Τ)2-13995·(1000/Τ)+1632.9< 0/AO< exp{-342.11· (1000/T)3+450.43.(1000/T)2-212.19x(1000/T)+39.47}…（1) 於上述第5實施例中，正對於照明裝置之發光部5〇1且處 於距離R之位置之照射面（亦即藉由照明裝置而照射光之被 照射物）中之照度為(^/(TT.R2)。此處，該照明裝置之配光分 佈為朗伯分佈。於設置有]^個此種照明裝置之情形（亦即上 述被照射物中之照度為Ν·0/(ττ .R2)之情形），根據於上述不 等式（1)中A 0 = π · R2. Ν，而可計算出與目標相關色溫τ相對 應之適宜的目標光束。例如，於將R設為2m，Ν=12之情 形時，若以如圖71之表所示般將與目標相關色溫相對應之 電力供給至第1〜第4發光單元U51〜U54之各個之方式進 行發光控制，則可使照明裝置之照明光之色溫及總光通量之 變化達到舒適。於該情形使用之電路可為圖58及圖61之任 100132595 177 201233233 一構成。 藉由進行此種發光控制，自照明裝置發出之照明光之總光 通量與色溫按照如由實線示於圖72中之關係變化。另外， 由圖72中之2條一點鏈線夾持之區域c丨係表示基於
Kmithof文獻之記載讓人感覺舒適之範圍，除此之外之區域 D1及D2係表示讓人感覺不舒適之範圍。當可知，如圖 所示，自照明裝置獲得之照明光於色溫變化時，總是能確保 舒適性。 並且，圖84係將圖72之縱軸變更為藉由照明裝置照射光 之被照射物之照度的圖表。於圖84中，由2條一點鏈線夾 持之區域C1係表示基於Kmith〇f文獻之記載讓人感覺舒適 之範圍’除C1之外之區域01及〇2係表示讓人感覺不舒適 之範圍。於圖84中，在使色溫（亦即目標相關色溫τ)於測 Κ至45GGK之範圍内依序變化之情形時，為了於挪κ至 4500 Κ之全體範圍内獲得區域之照度，而必須根據圖 72及圖84之關仙絲補照㈣之照度的公式（亦即N_ 0/U .R2))，與35。。κ至·。κ之範_之適宜的照度(亦 即被照射物對各照明裝置之要求照度)相對應地使45〇〇Κ之 總光通量(亦即目標總光通量0)相對於35〇〇κ之總光通量 (亦即目標總光通量0)為2倍]^且3()倍以下。更佳為2 倍以上且20倍以下，進一步較佳為2倍以上且川倍以下。 此處，與3500 K至4500 夕々々防 K之趣圍中之適宜的照度相對應係 100132595 201233233 指例如以3500 K之被照射物之照度處於100 Lux至500 Lux 之範圍内、且4500 K之被照射物之照度處於300 Lux至 40000 Lux之範圍内之方式而設定目標總光通量必。 於圖84中，在使色溫（亦即目標相關色溫T)於2000 K至 4500K之範圍内依序變化之情形時，為了於2000 K至4500 K之全體範圍内獲得區域C1之照度，而必須根據圖72及 圖84之關係以及表示被照射物之照度之公式（亦即Ν·φ /(tt.R2))，與2000 Κ至4500 Κ之範圍内之適宜的照度（亦即 被照射物對各照明裝置之要求照度)相對應地使45 00 Κ之總 光通量（亦即目標總光通量Φ)相對於2000 Κ之總光通量（亦 即目標總光通量¢)為10倍以上且100倍以下。更佳為15 倍以上且85倍以下，進一步較佳為20倍以上且70倍以下。 此處，與2000 Κ至4500 Κ之範圍内之適宜的照度相對應係 指例如以2000 Κ之被照射物之照度處於15 Lux至50 Lux 之範圍内、且4500 K之被照射物之照度處於300 Lux至 40000 Lux之範圍内之方式而設定目標總光通量0。 如上所述，設定目標相關色溫T並根據目標相關色溫T 設定目標總光通量Φ之情形（本實施例之情形）以及設定目 標總光通量Φ並根據目標總光通量0設定目標相關色溫T 之情形（變形例之情形）均可於所設定之全部色溫範圍内獲 得適宜的照度，從而於自照明裝置發出之光之色溫變化之情 形時，亦可總是提供舒適的光。 100132595 179 201233233 (發光控制之第2變形例)
量。於該情形時， ^與所设定之目標相關色溫相對應之控制 了減少、佔據设置於發光控制部513中之記 憶體513a的資料量。 (發光控制之第3變形例） 於第5實施例中，可根據對操作單元514之操作而變更照 明光之色溫，亦可根據預先設定之方式代替此種使用者之操 作而變更照明光之色溫或總光通量。於該情形時，可將隨時 間經過而發出之照明光色溫變化或總光通量變化之方式所 對應之控制量（發光控制量）預先儲存於發光控制部513之記 憶體513a中，使用與内裝於發光控制部513中之計時器之 時間計數相對應地獲取之控制量而控制電晶體q5i〜q54。 並且’亦可對溫度、濕度、季節或照明裝置使用場所或使用 目的等照明襞置使用環境進行檢測，根據檢測到之環境而變 更照明光之色溫或總光通量，以代替預先設定之方式。 (發光控制之第4變形例） 於第5實施例中，係根據對操作單元514之操作而決定目 100132595 180 201233233 標相關色溫’並進-步根_目標相關色溫確以目對應之控 制量’從而控制電晶體⑹〜Q54，亦可根據對操作單元514 之操作直接決定控制量(發光控制量）。該情形亦_ 例之情形相同，係基於圖6G所示之關係確定控制量’故實 質上係基於目標相關色溫進行控制。 〈第6實施例> 於上述第5實施例中，係使用藉由安裝於佈線基板502上 之複數個LED晶片503以及設置於透光基板綱上之營光 構件奶而構成之發光單元群構成照明裝置。然而，本發明 之照明農置並不限定於此種㈣，只要不脫離本發明之主 旨’當可作各種變更或替才臭。因此，將使用與第5實施例之 發光單it料同之發光單元群而構叙闕裝置之一例作 為本發明之第6實施例，於下面進行說明。 (發光部之構成） 圖73係表示本實施例之照明裝置中之發光部6〇1之基本 構成的立體圖，圖74係發光部6〇1之俯視圖。發光部6〇1 具備於佈線基板602之晶片安裝面6〇2a上以每行4個安裝 為2订之LED晶片603’該佈線基板6〇2包括電絕緣性優異 且/、有良好政熱性之氧化|呂系陶究。而且，於怖線基板602 之晶片安裝面602a上，包圍該等LED晶片6〇3地設置有為 環狀且為圓錐台形狀之反射體(壁構件)6〇4。 反射體604之内侧由間隔構件6〇5分割為第i區域6〇6 100132595 181 201233233 及第2區域607。並且，於第1區域606中配置有2行排列 之LED晶片603中之1行，於第2區域6〇7中配置有另一 行LED晶片603。另外，反射體604及間隔構件605可利 用樹脂、金屬、陶瓷等形成，使用黏接劑等固定於佈線基板 602上。並且，於將具有導電性之材料用於反射體6〇4及間 隔構件605之情形時’必須進行用於使其相對於下述佈線圖 案具有電絕緣性之處理。 另外，本實施例中之LED晶片6〇3之數量係為一例，可 視需要作增減’亦可於第i區域6〇6及第2區域6〇7中各設 1個，並且’各區域之LED晶片6G3之數量亦可不同。並 且’佈線基板602之材質並不限定於氧化銘系陶究，而可使 用各種材質’例如可使用選自喊、樹脂、玻璃環氧樹脂以 及於樹脂中含有填充料之複合樹脂等之材料。而且，於改良 佈線基板親之晶片安裝面嶋中的光之反射性從而提高 愈光部601之發光效率之方面，較佳為使用包含氧化銘粉 末氧化夕叙末氧化鎂、氧化欽等白色顏料之聚石夕氧樹 脂。另一方面，亦可使用如㈣基板或喊基板等金屬製基 板而提高散祕。“’於騎料，必_於佈線基板上 電絕緣地形成佈線圖案。 並且，上述反射體604及間隔構件605之形狀亦為一例， 可視需要作各種變更。例如，使时配器等於祕基板6〇2 之晶片安裝面6似上形成相當於反射體_之環狀壁部(壁 100132595 182 201233233 構件）’然後形成相當於間隔構件605之間隔壁（間隔構件）， 以此代替預先成形之反射體604及間隔構件605。於該情形 時，用於環狀壁部及間隔壁部之材料有例如糊狀之熱硬化性 樹脂材料或UV硬化性樹脂材料等，較佳為含有無機填充料 之聚矽氧樹脂。 如圖73及圖74所示’於反射體604内之第1區域606 中’ 4個LED晶片603與間隔構件605之延設方向平行地 配置為一行，於反射體604内之第2區域607中，4個LED 晶片603亦係與間隔構件605之延設方向平行地配置為一 行。另外，於圖74中，為方便起見，用虛線表示反射體604 及間隔構件605。 於佈線基板602之晶片安裝面602a上，如圖74所示般形 成有用於向LED晶片603之各個供給驅動電流之佈線圖案 608、609、610及611。於佈線圖案608之位於反射體6〇4 外侧之一端部，形成有用於外部連接之連接端子6〇8a，位 於第1區域606内之另一端部側則如圖74所示般與間隔構 件605平行地延設。並且，於佈線圖案609之位於反射體 604外侧之一端部，形成有用於外部連接之連接端子6〇9a， 位於第1區域606内之另—端部側則如圖74所示般與間隔 構件605平行地延設。 位於第1區域606内之4個LED晶片6〇3係極性方向相 同地並聯於如此形成之佈線圖案608與佈線圖案6〇9之間。 100132595 183 201233233 更具體而吕’LED晶片603於佈線基板602側之面具有用於 供給驅動電流之2個電極（省略圖示）。並且，該等led晶 片603之一電極(p電極)與佈線圖案6〇8連接，並且另一電 極(η電極)與佈線圖案609連接。 另一方面，於佈線圖案61〇之位於反射體6〇4外側之一端 部，形成有用於外部連接之連接端子61〇a，位於第2區域 607内之另一端部侧則如圖74所示般與間隔構件6仍平行 地延設。並且’於佈線圖案611之位於反射體6〇4之外側之 一端部，形成有用於外部連接之連接端子6Ua，位於第2 區域607内之另一端部侧則如圖74所示般與間隔構件6仍 平行地延設。 位於第2區域6〇7内之4個咖晶片6〇3係極性方向相 同地並聯於如此形成之佈線圖案61〇與佈線圖案6ιι之間。 更具體而言’該等LED晶片6G3之-電極(p電極)與佈線圖 案610連接，並且另一電極(11電極)與佈線圖案6ιι連接❶ 此種LED晶片6〇3之安裝以及兩電極對於各佈線圖案之 連接係採用倒裝晶片安裝，經由未圖示之金屬凸塊，並經由 共晶焊錫而進行。另外，將LED晶片6G3安1至佈線基板 602之方法並不限定於此’可根據咖晶片6()3之種類或 構造等而選擇適宜的方法。例如，可採用雙線接合，該雙線 接合係於將LED晶片603黏著固定至如上所述之佈線基板 602之既定位置之後，藉由線接合將咖晶片6()3之電極 100132595 184 201233233 連接至相對應之佈關案’亦可採用單線接合，該單線接合 係如上述般將-電極接合至佈線圖案，並藉由線接合將另二 電極連接至佈線圖案。 於反射體604内之第1區域_及第2區域607中，亦覆 蓋晶片⑽地收容螢光構件(波長轉換構件），該螢光 構件分別具有不同的波長轉換特性。於本實施例中，採用了 4種榮光構件’並使用收容有該等4種榮光構件中之2種榮 光構件之發光部以及收容有其餘2種螢光構件之發光部之2 類發光部。因此，下面將一發光部設為第i發光部謝A， 將另一發光部設為第2發光部6〇ib。 該等第1發光部601A與第2發光部6_如上所述，除 了螢光構件不同以外，其基本構造係相同構造，晶片 603亦均為相同類型。其中為了便於說明，對於第^發光部 601A，對位於第i區域6〇6中之lED晶片應用符號6〇3&， 對位於第2區域607中之LED晶片應用符號難。並且， 對於第2發光部6〇1B，對位於第工區域祕中之晶片 應用符號6〇3c ’對位於第2區域607中之LED晶片應用符 號603d。除螢光構件及lED晶片以外之各構件，係使用於 第1發光部601A及第2發光部601B中共通之符號。 圖75係沿圖74中之LXXV-LXXV線之第1發光部601A 之剖面圖。如圖75所示’於第1發光部601A中，於反射 體604内之第1區域606中，分別覆蓋4個LED晶片603a 100132595 185 201233233 地收容有第1螢光構件（波長轉換構件)612a，於反射體604 内之第2區域607中’分別覆蓋4個led晶片603b地收容 有第2螢光構件(波長轉換構件)612b。 第1螢光構件612a包括：第1螢光體613，其由LED晶 片603a所發出之光激發，發出波長與LED晶片603a所發 出之光之波長不同之光；及第1填充材614，其分散保持該 第1螢光體613。並且，第2螢光構件612b包括：第2螢 光體615 ’其由LED晶片603b所發出之光激發，發出波長 與LED晶片603b所發出之光之波長不同之光；及第2填充 材616 ’其分散保持該第2螢光體615。 圖76係沿圖74中之LXXV-LXXV線之第2發光部601B 之剖面圖。如圖76所示，於第2發光部601B中，於反射 體604内之第1區域606中，分別覆蓋4個LED晶片603c 地收容有第3螢光構件（波長轉換構件)617,於反射體604 内之第2區域607中’分別覆蓋4個LED晶片603d地收容 有第4螢光構件(波長轉換構件)618。 第3螢光構件617包括：第3螢光體619，其由LED晶 片603c所發出之光激發，發出波長與LED晶片603c所發 出之光之波長不同之光；及第3填充材620，其分散保持該 第3螢光體619。並且，第4螢光構件618包括：第4螢光 體621，其由LED晶片603d所發出之光激發，發出波長與 LED晶片603d所發出之光之波長不同之光；及第4填充材 100132595 186 201233233 622，其分散保持該第4螢光體621。 因此’於本實關中，第丨$光構件6仏、第2勞光構 件6m、第3登光構件617及第4營光構件618之各個、 與對應於其地使狀LED晶片6G3a、_、敵及刪 之組合之各個，係相當於本發明之各發光單元。亦即，娜 晶片603a及第1榮光構件612a構成第1發光單元麵， LED晶片603b及第2螢光構件⑽構成第2發光單元 臟。並且，LED晶片紙及第3螢光構件617構成第3 發光單元麵，晶片6咖及第4螢光構件618構成 第4發光單元刪4。並且，統合料4種發光單元者係相 當於本發明之發光單元群。另外，下面將料第丨〜第4發 光單元U601〜U604各自發出之光稱為初級光將對第卜 第4發光單元麵〜刪各自發出之初級紐行合成並自 第1發光部601A及第2發光部咖一併發出之光稱為合 成光。 (LED晶片） 於本實施射，LED晶片6〇3a、6〇3b、及觀係使 用發出具有460 nm之蜂值波長之藍色光的LED晶片。具體 而s，此種LED晶片有例如將InGaN半導體用於發光層中 之GaN得、LED晶片。另外，咖晶片5〇3之種類或發光波 長特性並不限定於此，只要不脫離本發明之主旨，當可使用 各種㈣晶片等半導體發光元件。於本實施射，較佳為 100132595 187 201233233 LED晶片603a、603b、603c及603d所發出之光之峰值波長 處於420 nm〜500 nm之波長範圍内。 (螢光構件） 第1螢光構件612a與第5實施例中之螢光構件5〇5之第 1波長轉換區域P51相·同，構成為發出具有圖57之χγ色度 圖中之色度點WP1之色度的初級光。具體而言，係將紅色 螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之3種螢光體混合分並散 保持於第1填充材614中而作為第1螢光體613。該等紅色 螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體對LED晶片6〇3a所發出 之藍色光進行波長轉換’分別發出紅色光、綠色光及黃色 光’其可使用於第5實施例中示出具體例之各種螢光體。並 且，第1填充材614可使用熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、 光硬化性樹脂及玻璃等。 LED晶片603a所發出之藍色光之一部分藉由包含於第1 螢光構件012a中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體 進行波長轉換’而自第1螢光構件612a發出紅色光、綠色 光及黃色光。此時，由LED晶片603a發出而未經第1螢光 構件612&進行波長轉換地透過第1螢光構件612a之藍色光 係與該等紅色光、綠色光及黃色光一起自第1螢光構件612a 發出。因此’對如此發出之紅色光、綠色光、黃色光及藍色 光進行合成所得之初級光自第1發光單元U601發出。 第1螢光構件612a中的、第1填充材614中之紅色螢光 100132595 201233233 體、綠色螢光體及黃色螢光體之混合比率及密度，係以如圖 55所示之包含於第5實施例之第1波長轉換區域p51中之 紅色單元506Γ、綠色單元506g、黃色單元5〇办及藍色單元 506b各自之數罝為基準，規定為具有圖57之乂丫色度圖中 之色度點wpi之色度的初級光自第1發光單元U601發出。 第2螢光構件612b與第5貫施例中之螢光構件之第 2波長轉換區域P52相同，構成為發出具有圖π之χγ色产 圖中之色度點WP2之色度的初級光。具體而言，係將綠色 勞光體及黃色螢光體之2種營光體混合並分散保持於第2 填充材616中而作為第2螢光體615。該等綠色螢光體及黃 色螢光體對LED晶片6G3b所發出之藍色光進行波長轉換， 分別發出綠色光及黃色光’其可使用於第5實施例中示出具 體例之各種螢光體。並且，$ 2填充材616與第i填綠 614相同，可使用熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性 樹脂及玻璃等。 LED晶片603b所發出之藍色光之一部分藉由包含於第2 榮光構件612b巾之綠色螢光體及黃色榮光體進行波長轉 換’而自第2營光構件612b發出綠色光及黃色光。此時， 由LED晶片603b發出而未經第2螢光構件612b進行波長 轉換地透過第2螢光構件612b之藍色光係與該等綠色光及 黃色光一起自第2螢光構件612b發出。因此，對如此發出 之綠色光、百色光及藍色光進行合成所得之初級光自第2 100132595 189 201233233 發光單元U602發出。 第2榮光構件612b中的、第2填充材616中之綠色榮光 體及育色螢光體之混合比率及密度，係以如圖55所示之包 含於第5實施例之第2波長轉換區域p52中之綠色單元 506g、黃色單元506y及藍色單元5_各自之數量為基準， 規定為具有圖57之XY色度圖中之色度點卿2之色度的初 級光自第2發光單元U602發出。另外，如圖&所示於第 5實施例中，第2波長轉換區域P52中之紅色單元刈&之 數量為G個。因此，於本實施例中，第2螢光體615亦不使 用紅色螢光體。 第3螢光構件617與第5實施例中之螢光構件5〇5之第3 波長轉換區域P53相同，構成為發出具有圖57之χγ色度 圖中之色度點WP3之色度的初級光。具體而言，係將紅色 螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之3種螢光體混合並分散 保持於第3填充材620中而作為第3螢光構件617。該等紅 色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體對LED晶片603c所發 出之藍色光進行波長轉換’分別發出紅色光、綠色光及黃色 光，其可使用於第5實施例中示出具體例之各種螢光體。並 且，第3填充材620與第1填充材614及第2填充材616 相同，可使用熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂 及玻璃等。 LED晶片603c所發出之藍色光之一部分藉由包含於第3 100132595 190 201233233 =:::7中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體進 轉換’而自第3螢光構件⑽發出紅色光、綠色光及 二;::轉二ED晶片603c發“未經第叫 H轉換地透過第3螢光構件617之藍色光係與該 因此二：光及黃色光一起自第3榮光構件， 合成所得之初^之紅色光、綠色光、黃色光及藍色光進行 第3 [ Μ光自第3發光單元刪3發出。 綠色營光617中的、第3填充材620中之紅色螢光體、 所示之包Α Θ色㈣體之混合比率及密度，係以如圖55 ’一、^於第5實施例之第3波長轉換區域P5 早兀 5〇6r、^An口一 巴 μ色早兀5〇6g、黃色單元506y及藍色單元5〇沾 度點卿3 ^ 規定為具有圖57之XY色度圖中之色 外，如圖^度的初級光自第3發光單元麵發出。另 , 所不，於第5實施例中，雖然第3波長轉換區 域Ρ53中之趑 〇 成色單元50汕之數量為0個，但自第3波長轉 、品^ 53發出之光中包含有透過紅色單元506r、綠色單元 5〇6g及黃色 ^ 平兀506y之各個之藍色光。因此，於本實施例 亦係考慮該點地決定第3填充材620中之紅色螢光體、 綠色榮光辦n 及貢色螢光體之混合比率及密度。 、 營光構件618與第5實施例中之螢光構件505之第4 皮長轉換區域P54相同，構成為發出具有圖 57之XY色度 圖中之色声
Ad WP4之色度的初級光。具體而言，係將紅色 100132595 191 201233233 螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體之3種螢光體混合並分散 保持於第4填充材622中而作為第4螢光體621。該等紅色 螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體對LED晶片6〇3d所發出 之藍色光進行波長轉換，分別發出紅色光、綠色光及黃色 光’其可使用於第5實施例中示出具體例之各種螢光體。並 且，第4填充材622與第1填充材614、第2填充材616及 第3填充材620相同，可使用熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、 光硬化性樹脂及玻璃等。 LED晶片603d所發出之藍色光之一部分藉由包含於第4 螢光構件618中之紅色螢光體、綠色螢光體及黃色營光體進 行波長轉換，而自第4螢光構件618發出紅色光、綠色光及 黃色光。此時，由LED晶片603d發出而未經第4螢光構件 618進行波長轉換地透過第4螢光構件618之藍色光係與該 等紅色光、綠色光及黃色光一起自第4螢光構件618發出。 因此，對如此發出之紅色光、綠色光、黃色光及藍色光進行 合成所得之初級光自第4發光單元U604發出。 第4螢光構件618中的、第4填充材622中之紅色螢光體、 綠色榮光體及黃色螢光體之混合比率及密度，係以如圖55 所示之包含於第5實施例之第4波長轉換區域p54中之紅色 單元506r、綠色單元506g、黃色單元506y及藍色單元5〇仍 各自之數量為基準，規定為具有圖57之XY色度圖中之色 度點WP4之色度的光自第4發光單元U604發出。 100132595 192 201233233 (照明裝置之電路構成） 於本實施例之照明裝置中’第1〜第4發光單元U601〜 U604分別需要至少1個發光部’故各組合第1發光部6〇1A 及第2發光部601B至少1個用於照明裝置中。並且，與第 5實施例相同’對自第1〜第4發光單元U601〜U604之各 個發出之初級光進行合成所得之合成光作為照明裝置之照 明光而發出。因此，藉由調整自第1〜第4發光單元U601 〜U604之各個發出之初級光之強度，而可與第5實施例相 同’發出各種色溫之白色光作為照明光。對如此般以可變更 自各發光單元發出之初級光之強度之方式構成的照明裝置 之電路構成’基於圖77於下面進行說明。 圖77係表示本實施例之照明裝置之電路構成之概略的電 路圖。如圖77所示，本實施例中之照明裝置之電路係構成 為實質上與第5實施例之照明裝置之電路相同。亦即，於本 實施例中，係使用上述第i發光部601A及第2發光部601B 各1個’因此，除此之外，進一步設置有用於限制電流之電 阻R11、R12、R13及RH、以及用於向LED晶片603a〜603d 之各個供給驅動電流之電晶體Q6U、Q612、Q613及Q614。
另外’電阻R611〜R614係為了將流至分別與其對應之LED 晶片之電流限制為適當大小（例如每個LED晶片為60 mA) 而設置。 於第1發光部601A中，藉由LED晶片603a及603b如上 100132595 193 201233233 述般安裝於佈線基板6G2上，而LED晶片6G3a互相並聯， 陽極與連接端子608a連接，且陰極與連接端子6〇9a連接。 並且’ LED晶片603b互相並聯，陽.極與連接端子_連 接’且陰極與連接端子6Ua連接。 與第1發光部601A相同，於第2發光部6〇1B中，led 晶片603c互相並聯，陽極與連接端子6〇8a連接，且陰極與 連接端子609a連接。並且，LED晶片6〇3d互相並聯，陽 極與連接端子610a連接，且陰極與連接端子6Ua連接。 第1电光。卩601A之連接端子6〇8a經由電阻R11與電源 623之正極連接，且連接端子6〇9a與電晶體Q6U之集電極 連接。並且，連接端子61〇a經由R12與電源623之正極連 接，且連接端子611a與電晶體Q612之集電極連接。另一 方面’第2發光部601B之連接端子608a經由電阻R13與 電源623之正極連接，且連接端子6〇9a與電晶體q613之 集電極連接。並且，連接端子610a經由R14與電源623之 正極連接’且連接端子611a與電晶體Q614之集電極連接。 並且’電晶體Q611〜614之各個之發射極係與電源623之 負極連接。 於此種電路構成中’藉由電晶體Q611進入開啟狀態，而 由電源623供給至第1發光部601A之各LED晶片603a之 正向電流流通，LED晶片603a分別發光。因此，藉由使電 晶體Q611進入開啟狀態，而自包括LED晶片603a及第1 100132595 194 201233233 螢光構件611之第1發光單元U6〇l發出圖57之XY色度圖 中之色度點WP1之初級光。 同樣，藉由電晶體Q612進入開啟狀態，而由電源623供 給至第1發光部601Α之各LED晶片603b之正向電流流 通’ LED晶片603b分別發光。因此，藉由使電晶體Q612 進入開啟狀態，而自包括LED晶片603b及第2螢光構件 612之第2發光單元U602發出圖57之XY色度圖中之色度 點WP2之初級光。 並且’藉由電晶體Q613進入開啟狀態，而由電源623供 給至第2發光部601B之各LED晶片603c之正向電流流通， LED晶片603c分別發光。因此，藉由使電晶體Q613進入 開啟狀態’而自包括LED晶片603c及第3螢光構件617之 第3發光單元U603發出圖57之XY色度圖中之色度點WP3 之初級光。 而且’藉由電晶體Q614進入開啟狀態，而由電源623供 給至第2發光部601B之各LED晶片603d之正向電流流通， LED晶片6〇3d分別發光。因此，藉由使電晶體Q614進入 開啟狀態’而自包括LED晶片603d及第4螢光構件618之 第4發光單元U604發出圖57之XY色度圖中之色度點WP4 之初級光。 為了控制此種電晶體Q611〜Q614之開啟/關閉狀態，而 於本實施例之照明裝置中設置有發光控制部624。電晶體 100132595 195 201233233 Q6U〜Q614肖可根據各自之基極信號切換開啟/關閉狀 態’基極信_對應各基極*自發光㈣部624個別地發 送。發光控制部624係、構成為實質上與第5實施例之發光控 制部5U相同，並執行與發光控制部513相同之發光控制。 因此，發光控制部6M本身具有用於對發光控制所需之資 訊進行儲存等之記憶體(記憶裝置)624a。並且，與第5實施 例之情形相同，於本實施例之照明裝置中亦設置有：操作單 元625 ’其供使用者设疋照明光之色溫或總光通量；及目標 值"又疋。卩626，其根據對該操作單元625之操作而設定目標 相關色溫或目標總光通量。因此，於本實施例中，該等發光 控制部624、操作單元625及目標值設定部626構成本發明 之控制手段。 藉由發光控制部624與第5實施例之情形相同地執行發光 控制，而可於本實施例之照明裝置中亦獲得與第5實施例之 照明裝置相同之照明光。因此可使自照明裝置發出之照明光 色m·於下限色溫τ 1至上限色溫T2為止之範圍内變化， 並且’此時之照明光之色度近似於黑體輻射執跡BL，從而可 使照明光成為協調的自然白色光。 另外，於本實施例中，照明裝置之電路亦並不限定於圖 77所示之構成。亦即，例如可應用於第5實施例中作為變 形例示出之圖61之電路構成。 (發光部之配置例） 100132595 196 201233233 咖 發光部6G1A及第2發光部 _係各使用1個，亦可㈣1發光部6Q1A及第2發光 部咖B分別組合複數個使用。圖78係表示此種情敎、 第1發光部6〇1A及第2發光部咖之配置例的模式圖。 另外，於圖78中，為了識別各螢光構件之發光色而使用點 陰影錢各螢光體。如圖78所示，第丨發光部嶋及第2 發光部觀B係交互配置’以避免相同發光部偏於—方，並 ^ ’於相鄰接之同類發光部之間，分別旋轉9Q度之角度。 藉由進行此種配置，而可良好地對自各發光部之各發光單元 發出之初級光進行合成。另外，第1發光部6〇iA及第2發 光部601B之配置並不限定於圖78之形態’當可作各種變 更。 (發光部之變形例） 並且’於本實施例中，在第1發光部6〇1A中形成有第i 發光單元U601及第2發光單元U602，在第2發光部6〇1β 中形成有第3發光單元U603及第4發光單元U6〇4，但各 發光單元之組合並不限定於此，可將該等4種發光單元中之 每任意2個進行組合。而且，4種發光單元之組合並不僅限 於如本實施例般第1發光部601A及第2發光部6〇1B各有 2個發光單元，亦可採用其他組合而使用3種以上之發光部。 另外，於本實施例中亦可使用發出近紫外光之LED晶片 代替發出藍色光之LED晶片。於該情形時，為了獲得藍色 100132595 197 201233233 光’除了於本實施例中使用之紅色螢光體、綠色螢光體及黃 色螢光體之外，還可使用對LED晶片所發出之近紫外光進 行波長轉換從而發出藍色光之藍色螢光體。由於該情形係使 用自藍色螢光體發出之藍色光代替分別透過第1螢光構件 61h、第2螢光構件612b、第3螢光構件617及第4鸯光 構件618而發出之藍色光’故考慮到該點地調整各螢光構件 中之各螢光體之含率及密度即可。 並且’於使用發出近紫外光之LED晶片之情形時，關於 用於第1螢光構件612a、第2螢光構件612b、第3螢光構 件617及第4螢光構件618中之第丨填充材614、第2填充 材616、第3填充材620及第4填充材622，較佳為使用對 LED晶片所發出之近紫外光具有充分的透明性及耐久性之 材料。具體而言該等填充材可以列舉例如：聚（甲基）丙烯酸 甲醋等（甲基)丙烯酸系樹脂、聚笨乙稀或苯乙烯.丙稀猜共聚 物等苯乙烯樹脂、聚碳_旨樹脂、聚g旨樹脂、苯氧基樹脂' 丁喊脂、聚乙騎、乙基纖維素或醋酸纖維素或醋酸丁酸 纖維素等纖維素系樹脂、環氧樹脂、_脂、聚魏樹脂等。 另外可使用無機系材料’例如金屬燒氧化物、陶究前驅體聚 合物或將對含有金輕氧化物之溶㈣由溶豕凝膠法進行 轉聚合而成之溶液或者該等之組合固化所得之無機系材 料，例如具有梦氧烧鍵之無機系材料或玻璃。 如上所述，於本實施例及其變形例中，係使用兩個發光單 100132595 198 201233233 ^經:體化喊之發切形成發光單元群，故發光單元私 钿作谷易，且可降低照明裝置之製造工時或製造成本。 〈第7貫施例> 於上述第6只施例中，係使用組合有各包括2個發光單元 之第1發光部6G1A及第2發光部刪的發光單元群而構 而’亦可將形成於該等第1發㈣601A及 Ρ發光部6G1B中之各發光·單元—體化。因此，將與第6 貝以！之各&光單疋相同地形成之各發光單元—體化而構 成的照日錄置之1作為本發明之第 7實施例，並於下面進 行說明。 (發光部之構成） 圖79係以省略了—部分構件的狀態表示本實施例之照明 裝置中之發光部7G1之概略構成的俯視圖 ’圖80係表示發 光部701之整體構成之俯視圖。另外，於圖8〇中，為了識 別各螢光構件之發光色而使用點陰影記載各螢光體。發光部 701具備以每組4個劃分為4個LED群地安裝於佈線基板 702之晶片安襞面702a上之LED晶片，該佈線基板7〇2包 括電絕緣性優異且具有良好散熱性之氧化鋁系陶瓷。該等 LED晶片係與於第6實施例中使用之LED晶片603相同之 LED晶片’下面為了便於說明，將各LED群作為LED晶片 703a、LED 晶片 703b、LED 晶片 703c 及 LED 晶片 703d 而 說明。 100132595 199 201233233 於佈線基板702之晶片安裝面7〇2a上，以包圍該等LED 晶片703a〜703d之方式設置有與第6實施例之反射體604 相同之為環狀且為圓錐台形狀之反射體（壁構件)7〇4。反射 體704之内側藉由十字狀之間隔構件7〇5而分割為第1區域 706、第2區域707、第3區域708及第4區域709之4個 區域。另外，於圖79中，為方便起見，用虛線表示該等反 射體704及間隔構件7〇5。於第1區域706中，配置有4個 LED晶片703a，於第2區域707中，配置有4個LED晶片 703b。並且，於第3區域708中’配置有4個LED晶片703c， 於第4區域709中’配置有4個LED晶片703d。 反射體704及間隔構件7〇5與第6實施例之反射體6〇4 及間隔構件605相同，可利用樹脂、金屬、陶瓷等形成，使 用黏接劑等固定於佈線基板7〇2上。並且，於將具有導電性 之材料用於反射體704及間隔構件705之情形時，必須進行 用於使下述佈線圖案具有電絕緣性之處理β 另外，本貫施例中之LED晶片703a〜703d之各個之數量 係一例，可視需要作增減，亦可於第i〜第4區域7〇6〜7〇9 中各設1個，並且，各區域中之數量亦可不同。並且，佈線 基板702之材質並不限定於氧化鋁系陶瓷，可應用各種材 質，例如可使用選自陶瓷、樹脂、玻璃環氧樹脂以及於樹脂 中含有填充料之複合樹脂等之材料。而且，於改良佈線基板 702之晶片安裝面7〇2a中之光之反射性從而提高發光部7〇1 100132595 200 201233233 之叙光效率之方面，較佳為使用包含氧化鋁粉末、二氧化石夕 粉末、氧化鎂、氧化鈦等白色顏料之聚矽氧樹脂。另一方面， 亦可使用如銅製基板或鋁製基板等金屬製基板而提高散熱 性。然而，於該情形時，必須係於佈線基板上電絕緣地形成 佈線圖案。 並且’上述反射體704及間隔構件705之形狀亦為一例， 可視需要作各種變更。例如，亦可使用分配器等於佈線基板 702之晶片安裴面7〇2a上形成相當於反射體704之環狀壁 部（壁構件）’然後形成相當於間隔構件705之間隔壁（間隔構 件），以此代替預先成形之反射體704及間隔構件705。於 該情形時，用於環狀壁部及間隔壁部之材料有例如糊狀之熱 硬化性樹脂材料或UV硬化性樹脂材料等，較佳為含有無機 填充料之聚矽氧樹脂。 於佈線基板702之晶片安裝面702a上，如圖79所示般形 成有用於向LED晶片703a、703b、703c及703d之各個供 給驅動電流之佈線圖案710、711、712、713、714、715、 716 及 717。於該等佈線圖案 710、711、712、713、714、 715、716及717之位於反射體704之外側之一端部，分別 形成有用於外部連接之連接端子710a、711a、712a、713a、 714a、715a、716a 及 717a。 並且，位於第1區域706内之4個LED晶片703a係極性 方向相同地互相並聯於位於第1區域706内之佈線圖案710 100132595 201 201233233 與佈線圖案711之間。更具體而言，LED晶片7〇3a於佈線 基板702側之面具有用於供給驅動電流之2個電極(省略圖 不）。並且，各LED晶片703a之一電極(p電極)與佈線圖案 710連接，且另一電極(n電極)與佈線圖案711連接。 同樣’位於第2區域707内之4個LED晶片703b係極性 方向相同地互相並聯於第2區域7〇7内之佈線圖案7與佈 線圖案713之間。更具體而言’ LED晶片鳩亦於佈線基 板側之面具有用於供給驅動電流之2個電極（省略圖 不）。並且’各LED晶片703b之-電極(p電極)與佈線圖案 712連接，且另一電極(n電極)與佈線圖案713連接。 而且，位於第3區域708内之4個LED晶片7〇允係極性 方向相同地互相並聯於第3區域7〇8内之佈線圖案714與佈 線圖案715之間。更具體而言’咖日日日片版亦於佈線基 板02側之面具有用於供給驅動電流之2個電極（省略圖 不）並且，各LED晶片703c之一電極(p電極)與佈線圖案 714連接，且另一電極(η電極)與佈線圖案715連接。 並且，位於第4區域709内之4個LED晶片703d係極性 方向相同地互相並聯於第4區域7〇9内之佈線圖案716與佈 線圖案7Π之間。更具體而言，咖晶片雇亦於佈線基 板702側之面具有用於供給驅動電流之2個電極（省略圖 不）。並且，各LED晶片703d之一電極(p電極)與佈線圖案 716連接，並且，另一電極(n電極)與佈線圖案π?連接。 100132595 202 201233233 此種LED晶片7G3a〜期d之安裝以及兩電極對於各佈線 圖案之連接係採用姆晶片安裝，經由未圖示之金屬凸塊， 並經由共晶焊錫而進行。另外，將LED晶片施〜則安 裝至佈線基板702之方法並不限定於此，可根據咖晶片 703a〜703d之種類或構造等選擇適宜的方法。例如，可採 用雙線接纟，該雙線接合係於將咖晶片7〇3a〜7〇3d黏著 固疋至如上所述之佈線基板7G2线定位置之後，藉由線接 合將LED晶片703a〜703d之各電極連接至相對應之佈線圖 案，亦可採用單線接合，該單線接合係如上述般將一電極接 合至相對應之佈線圖案，並藉由線接合將另一電極連接至相 對應之佈線圖案。 如圖80所示，於反射體704内之第丨區域7〇6内，分別 覆蓋4個LED晶片703a地收容有第1螢光構件(波長轉換 構件)718。該第1螢光構件718構成為與第6實施例之第工 螢光構件612a相同。因此，於本實施例之情形時，第i區 域706中之4個LED晶片703a與第1螢光構件718之組合 係相當於本發明之發光單元。亦即，LED晶片703a及第1 螢光構件718構成第1發光單元U7(H。 並且，於反射體704内之第2區域707内，如圖80所示， 分別覆蓋4個LED晶片703b地收容有第2螢光構件(波長 轉換構件)719。該第2螢光構件719構成為與第6實施例之 第2螢光構件612b相同。因此，於本實施例之情形時，第 100132595 203 201233233 2區域707中之4個LED晶片703b與第2螢光構件719之 組合係相當於本發明之發光單元。亦即，LED晶片703b及 第2螢光構件719構成第2發光單元U702。 而且，於反射體704内之第3區域708内，如圖80所示， 分別覆蓋4個LED晶片703c地收容有第3螢光構件（波長 轉換構件)720。該第3螢光構件720構成為與第6實施例之 第3螢光構件617相同。因此，於本實施例之情形時，第3 區域708中之4個LED晶片703c與第3螢光構件720之組 合係相當於本發明之發光單元。亦即，LED晶片703c及第 3螢光構件720構成第3發光單元U703。 並且，於反射體704内之第4區域709内，如圖80所示， 分別覆蓋4個LED晶片703d地收容有第4螢光構件（波長 轉換構件)721。該第4螢光構件721構成為與第6實施例之 第4螢光構件618相同。因此，於本實施例之情形時，第4 區域709中之4個LED晶片703d與第4螢光構件721之組 合係相當於本發明之發光單元。亦即，LED晶片7〇3d及第 4螢光構件721構成第4發光單元U704。 如此一來，於本實施例中，4個第i〜第4發光單元。7〇1 〜U704係設置為一體，具有該等第i〜第4發光單元。?^ 〜U704之發光部701形成本發明之發光單元群。另外，下 面將該等第1〜第4發光單元U701〜U704各自發出之光稱 為初級光，將對第1〜第4發光單元U7〇1〜U7〇4各自發出 100132595 204 201233233 之初級光進行合成並自發光部701發出之光稱為合成光。 (LED晶片） 於本實施例中’ LED晶片703a、703b、703c及703d係使 用發出具有460 nm之峰值波長之藍色光的led晶片。具體 而言’此種LED晶片有例如將inGaN半導體用於發光層中 之GaN系LED晶片。另外，LED晶片503之種類或發光波 長特性並不限定於此，只要不脫離本發明之主旨，當可使用 各種LED晶片等半導體發光元件。於本實施例中，較佳為 LED晶片703a、703b、703c及703d所發出之光之峰值波長 處於420 nm〜500 nm之波長範圍内。 (螢光構件） 如上所述，第1螢光構件718構成為與第6實施例之第i 螢光構件612a相同，混合使用有紅色螢光體、綠色螢光體 及黃色螢光體之3種螢光體。並且，與第6實施例之第J 營光構件612a相同’第1螢光構件718中之紅色勞光體、 綠色榮光體及育色發光體之混合比率及密度係以下述方式 規定：藉由對利用紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體波 長轉換LED晶片703a所發出之藍色光而獲得之紅色光、綠 色光及黃色光、以及透過第1螢光構件718之LED晶片703a 之藍色光進行合成，而自第1螢光構件718發出具有圖57 之XY色度圖中之色度點WP1之色度的初級光。因此，藉 由LED晶片703a發光而自第1發光單元U701發出具有圖 100132595 205 201233233 57之XY色度圖中之色度點WP1之色度的初級光。另外， 該等紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體可使用於第5 實施例中示出具體例之各種螢光體。 並且，第2螢光構件719構成為與第6實施例之第2螢光 構件612b相同，混合使用有綠色螢光體及黃色螢光體之2 種螢光體。並且，與第6實施例之第2螢光構件612b相同， 第2螢光構件719中之綠色螢光體及黃色螢光體之混合比率 及密度係以下述方式規定：藉由對利用綠色螢光體及黃色螢 光體波長轉換L E D晶片7 03 b所發出之藍色光而獲得之綠色 光及黃色光、以及透過第2螢光構件719之LED晶片703b 之藍色光進行合成，而自第2螢光構件719發出具有圖57 之XY色度圖中之色度點WP2之色度的初級光。因此，藉 由LED晶片703b發光而自第2發光單元U702發出具有圖 57之XY色度圖中之色度點WP2之色度的初級光。另外， 該等綠色螢光體及黃色螢光體亦可使用於第5實施例中示 出具體例之各種螢光體。
而且，第3螢光構件720構成為與第6實施例之第3螢光 構件617相同，混合使用有紅色螢光體、綠色螢光體及黃色 螢光體之3種螢光體。並且，與第6實施例之第3螢光構件 617相同，第3螢光構件720中之紅色螢光體、綠色螢光體 及黃色螢光體之混合比率及密度係以下述方式規定：藉由對 利用紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光體波長轉換LED 100132595 206 201233233 晶片術所發出之藍色光而獲得之紅色光、綠色光及黃色 光、以及透過第3螢光構件72〇之⑽曰曰曰片7〇3c之藍色光 進行合成，而自第3螢光構件MO發出具有圖π之χγ色 度圖中之色度點WP3之色度的初級光。因此，藉由哪晶 片703c發光而自第3發光單元U7〇3發出具有圖57之χγ 色度圖中之色度點WP3之色度的初級光。另外，該等紅色 螢光體、綠色榮光體及黃色螢光體亦可使用於第5實施例中 示出具體例之各種螢光體。 並且，第4螢光構件721構成為與第6實施例之第4榮光 構件618相同，混合使用有紅色螢光體、綠色螢光體及黃色 螢光體之3種勞光體。並且，與第6實施例之第4榮光構件 618相同’第4螢光構件721中之紅色螢光體、、綠色榮光體 及黃色螢光體之混合比率及密度係以下述方式規定：藉由對 利用紅色榮光體、綠色螢光體及黃色螢光體波長轉換㈣ 晶片703d所發出之藍色光而獲得之紅色光、綠色光及黃色 光、以及透過第4營光構件721之LED晶片7〇3d之藍色光 -進行合成，而自第4螢光構件721發出具有圖572χγ色 * 度圖中之色度點WP4之色度的初級光。因此，藉由led晶 片發光而自第4發光單元⑽4發出具有圖之XY 色度圖中之色度點WP4之色度的初級光。另外，該等紅色 螢光體、綠色螢光體及黃色爱光體亦可使用於第5實施例中 示出具體例之各種螢光體。 100132595 207 201233233 (照明裝置之電路構成） 藉由如上述般構成發光部701而使本實施例之照明裝置 亦與第1實施例及第6實施例之照明裝置相同，將藉由對來 自第1〜第4發光單元U7〇1〜U7〇4之各初級光進行合成所 得之合成光作為照明裝置之照明光而發出。因此，藉由調整 自第1〜第4發光單元U7〇1〜U7〇4之各個發出之初級光之 強度，而可與第1實施例及第6實施例之照明裝置相同，發 出各種色溫之白色光作為照明光。下面，基於圖81對如此 般構成為可使自各發光單元發出之初級光之強度變更的照 明裝置之電路構成進行說明。 圖81係表示本實施例之照叼裝置之電路構成之概略的電 路圖。如圖81所示，本實施例中之照明裝置之電路實質上 係構成為與第6實施例之照明裝置之電路相同、亦即，除 了上述發光部701之外，還設置有用於限制電流之電阻 R21、R22、R23及R_24、以及用於向LED晶片703a〜703d
之各個供給驅動電流之電晶體q72卜q722、Q723及Q724。 另外，電阻R21〜R24係為了將流至分別與其對應之lED b曰片之電流限制為適當大小（例如每個LED晶片為60 mA) 而設置。 於發光部701中，藉由如上述般將LED晶片7〇3a〜7〇3d 安裝於佈線基板702上，而LED晶片703a互相並聯，陽極 與連接端子710a連接’且陰極與連接端子7na連接。並且， 100132595 208 201233233 LED晶片703b互相並聯，陽極與連接端子712a連接，且 陰極與連接端子713a連接。而且，LED晶片703c互相並聯， 陽極與連接端子714a連接，且陰極與連接端子715a連接。 並且，LED晶片703d互相並聯，陽極與連接端子716a連 接’且陰極與連接端子717a連接。 如圖81所示’連接端子71〇a、712a、714a及716a分別 經由相對應之電阻R21、R22、R23及R24與電源723之正 極連接。另一方面，連接端子711a、713a、715a及717a分 別與相對應之電晶體Q72卜Q722、Q723及Q724之集電極 連接。並且，電晶體Q721〜Q724之各個之發射極係與電源 723之負極連接。 於此種電路構成中’藉由電晶體Q721進入開啟狀態，而 由電源723供給至LED晶片703a之各個之正向電流流通， LED晶片703a分別發光。因此，藉由使電晶體q721進入 開啟狀態，而自包括LED晶片703a及第1螢光構件718之 第1發光單元U701發出圖57之XY色度圖中之色度點WP1 的初級光。 同樣’藉由電晶體Q722進入開啟狀態，而由電源723供 給至LED晶片703b之各個之正向電流流通，LED晶片703b 分別發光。因此，藉由使電晶體Q722進入開啟狀態，而自 包括LED晶片703b及第2螢光構件719之第2發光單元 U702發出圖57之XY色度圖中之色度點WP2的初級光。 100132595 209 201233233 並且，藉由電晶體Q723進入開啟狀態，而由電源723供 給至LED晶片703c之各個之正向電流流通，LED晶片7〇3c 分別發光。因此，藉由使電晶體Q723進入開啟狀態，而自 包括LED晶片703c及第3螢光構件720之第3發光單元 U703發出圖57之XY色度圖中之色度點WP3的初級光。 而且，藉由電晶體Q724進入開啟狀態，而由電源723供 給至LED晶片703d之各個之正向電流流通，led晶片7〇3d 分別發光。因此，藉由使電晶體q724進入開啟狀態，而自 包括LED晶片703d及第4螢光構件721之第4發光單元 U704發出圖57之XY色度圖中之色度點wp4的初級光。 為了控制此種電晶體Q721〜Q724之開啟/關閉狀態，而 於本實施例之照明裝置中設置有發光控制部724。電晶體 Q721〜Q724均可根據各自之基極信號切換開啟/關閉狀 態，基極信號係對應各基極而自發光控制部724個別地發 送。發光控制部724係構成為實質上與第5實施例之發光控 制部513相同，並執行與發光控制部513相同之發光控制。 因此’發光控制部724本身具有用於對發光控制所需之資訊 進行儲存等之記憶體（記憶裝置）724a。 並且，與第5貫施例之情形相同，於本實施例之照明裝置 中亦設置有：操作單元725，其供使用者設定照明光之色溫 或總光通量；及目標值設定部726,其根據對該操作單元725 之操作而設定目標相關色溫或目標亮度。因此，於本實施例 100132595 210 201233233 中’該等發光控制部724、操作單元725及目標值設定部726 構成本發明之控制手段。 藉由發光控制部724與第5實施例之情形相同地執行發光 控制，而可於本實施例之照明裝置中亦獲得與第5實施例之 照明裝置相同之照明光。因此可使自照明農置發出之照明光 之色溫於下限色溫T1至上限色溫T2為止之範圍内變化， 並且，此時之照明光之色度近似於黑體輻射軌跡bl，從而可 使照明光成為協調的自然白色光。 另外’於本實施例中，照明裝置之電路亦並不限定於圖 81所示之構成。亦即，例如可應用於第5實施例中作為變 形例示出之圖61之電路構成。 於圖81之電路構成中’僅使用了 i個發光部7〇1，亦可 使用複數個發光部701。如圖80所示，於本實施例中使用 之發光部701於由間隔構件705四分割而成之區域中配置第 1〜第4發光單元U701〜U704,故無須如第6實施例之情 形般考慮到良好的光合成地配置各發光部，僅以相同方向排 列複數個發光部701即可使自第1〜第4發光單元U701〜 U704之各個發出之初級光良好地進行合成。 (發光部之變形例） 於本實施例中亦可使用發出近紫外光之LED晶片代替發 出藍色光之LED晶片。於該情形時，為了獲得藍色光，除 了於本實施例中使用之紅色榮光體、綠色榮光體及黃色螢光 100132595 211 201233233 體之外’還可使用對LED晶片所發出之近紫外光進行波長 轉換從而發出藍色光之藍色螢光體。由於該情形係使用自藍 色榮光體發出之藍色光代替分別透過第1螢光構件718、第 2榮光構件719、第3螢光構件720及第4螢光構件721而 發出之藍色光’故考慮到該點地調整各螢光構件中之各螢光 體之混合比率及密度即可。 並且，於使用發出近紫外光之LED晶片之情形時，如對 第6實施例之說明中所敍述，於第1〜第4螢光構件718〜 721之各個中使用之填充材較佳為使用對LED晶片所發出 之近紫外光具有充分的透明性及耐久性之材料。該等填充材 之具體例亦可使用於第6實施例之說明中示出之填充材。 如上所述’於本實施例及其變形例中，係由4個發光單元 經一體化而成之發光部形成發光單元群，故發光單元群之操 作變得更易’且可降低照明裝置之製造工時或製造成本。 <第8實施例> 於第5實施例〜第7實施例中’係將對4個發光單元之一 部分或全部進行一體化而構成之發光部用於照明裝置中，但 亦可個別地形成發光單元而用於照明裝置中。因此，下面將 此種示例之一作為第8實施例進行說明。 (發光單元之構成） 圖82係表示本實施例之照明裝置中之發光單元8〇1之基 本構成的剖面圖。如圖82所示，發光單元8〇1具借安裝於 100132595 212 201233233 佈線基板802上之LED晶片803。另外，於本實施例中，佈 線基板802之基板本體8〇2a係使用散熱性優異的金屬製基 板。 該金屬製基板較佳為使用鋁製基板或銅製基板等散熱性 優異的基板’其中自成本、輕量性及散熱性之觀點考慮，較 佳為鋁製基板。另外，由於係使用此種金屬製基板本體 802a，故係與基板本體8〇2a之間介設電絕緣層802b地將佈 線圖案804及佈線圖案8〇5形成於安裝led晶片803之佈 線基板802之面上。另外，基板本體8〇2a之材質並不限定 於此種金屬製基板’與第5實施例〜第7實施例之情形相 同’亦可使用電絕緣性優異且具有良好散熱性之氧化鋁系陶 瓷等具有電絕緣性之材料。 LED晶片803於上表面具有用於供給驅動電流之2個電 極中之一電極(例如p電極），並且於下表面具有另一電極(例 如η電極），上表面之電極藉由金屬線8〇6與佈線圖案804 連接，並且下表面之電極利用共晶焊錫8〇7而直接與佈線圖 案805連接。另外，將LED晶片8〇3安裝至佈線基板8〇2 之方法並不限定於此，可根據設置於LED晶片8〇3中之電 極之位置專選擇適宜的方法。例如，可採用雙線接合，該雙 線接合係於將LED晶片803黏著固定至佈線基板8〇2之既 定位置之後，藉由金屬線將位於LED晶片8〇3之上表面侧 之2個電極分別連接至佈線基板8〇2之相對應之佈線圖案， 100132595 213 201233233 亦可採用如第5實施例〜第7實施例般將位於LED晶片803 之下表面側之2個電極經由金屬凸塊分別連接至相對應之 佈線圖案的倒裝晶片安裝等。 如圖82所示，於安裝於佈線基板802上之LED晶片803 上，設置對LED晶片803所發出之光進行波長轉換之螢光 構件（波長轉換構件)808。該螢光構件808例如使用分配器 而設置為覆蓋LED晶片803。螢光構件808包括：螢光體 809 ’其由LED晶片803所發出之光激發，發出波長與led 曰曰片803所發出之光不同之光；及填充材§ 1 〇，其分散保持 該螢光體809。 以上為本實施例中之發光單元之基本構成，本實施例與第 2實施例及第7實施例之情形相同地使用4種發光單元構成 本發明之發光單元群。並且，該等4種發光單元相互之間之 蝥光構件議之波長轉換特性不同。因此，下面將該等4 種發光單元分別設為第1發光單元謝a、第2發光單元 8(Hb、第3發光單元801c及第4發光單元肋^。只 與此相對應，將設置於第1發光單元80U中之營光構件
填充材810中分散保持有第3榮光體之第3 100132595 構件808設為於 3螢光構件。而 214 201233233 且’將設置於第4發光單元嶋中之螢光構件麵設為於 填充材81G中分散保持有第4螢光體之第*螢光構件。另 外，下面將該等第1〜第4發光單元U801a〜U8〇ld各自發 出之光稱為初級光，將對第丨〜第4發光單元刪a〜us〇id 各自發出之初級光進行合成所得之光稱為合成光。 (LED晶片） -、第5 A施例〜第7實施例之照明裝置相同，晶片 8〇3係發出具有460 nm之峰值波長之藍色光的lED晶片， 有例如將InGaN半導體用於發光層中之GaN系LED晶片 等。另外，LED晶片803之種類或發光波長特性並不限定 於此，只要不脫離本發明之主旨，當可使用各種LED晶片。 於本變形例中，較佳為LED晶片8〇3所發出之光之峰值波 長處於42〇nm〜500 nm之波長範圍内。 (螢光構件） 第1發光單元801a之螢光構件808亦即第1螢光構件與 第5貫施例中之螢光構件5〇5之第丨波長轉換區域p51相 同，構成為發出具有圖57之XY色度圖中之色度點wp 1之 色度的初級光。具體而言，係將紅色螢光體、綠色螢光體及 黃色螢光體之3種螢光體混合並分散保持於填充材81〇中而 作為第1螢光體。該等紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光 體對LED晶片803所發出之藍色光進行波長轉換，分別發 出紅色光、綠色光及黃色光，其可使用於第5實施例中示出 100132595 215 201233233 具體例之各種螢光體。並且，各發光單元中之填充材81〇 可使用熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂及玻璃 等。 第1發光單元801a之LED晶片8〇3所發出之藍色光之一 4刀藉由包含於第1螢光構件中之紅色螢光體、綠色螢光體 及黃色螢光體進行波長轉換，而發出紅色光、綠色光及黃色 光此時，未經第1螢光構件進行波長轉換地透過第1螢光 構件的藍色光led晶片803之藍色光係與該等紅色光、綠 色光及黃色光-起自第丨螢祕件發出。因此，對如此發出 之紅色光、綠色光、黃色光及藍色光進行合成所得之初級光 係自第1發光單元801a發出。 、，第螢光構件中的、填充材81〇中之紅色榮光體、綠色營 光=及5色料體之混合比率及密度，係以如圖55所示之 包含於第5實施例之第1波長轉換區域P51中之紅色單元 5〇61色早疋5G6g、黃色單元5G6y及藍色單元通各 自之數里為基準，規定為具有圖57之XY色度圖中之色产 點WP1之多许沾、 又的初級光自第1發光單元U801a發出。 h杳t光早7^ 8〇lb之f光構件808亦即第2榮光構件與 第5貫施例中之 同，構成為發出^件5G5之第2波長轉換區域P52相 x、有圖57之XY色度圖中之色度點WP2之 色度的初級光。且 /、體而δ，係將綠色螢光體及黃色螢光體之 一心合並分散保持於填充材 810中而作為第2螢光 100132595 216 201233233 體。該等綠色螢光體及黃色營光體對LED晶片8〇3所發出 之藍色光進行波長轉換，分別發出綠色光及黃色光，其可使 用於第5實施财Μ具義之各種榮光體。 第2發光單元8〇lb之LED晶片期所發出之藍色光之一 ^刀藉由包含於第2 ®光構件巾之綠色榮紐及黃色螢光 體進行波長轉換，從而發出綠色光及黃色光。此時，未經第 2瑩光構件進仃波長轉換地透過第2螢光構件的藍色光㈣ 晶片’之藍色光係與該等綠色光及黃色光—起自第2榮光 構件發出。因此，對如此糾之綠色光、黃色光及藍色光進 行合成所得之她光自第2發光單元麵發出。 第2發光構件中的、填充材請中之綠色營光體及黃色螢 光體之犯σ比率及③、度，係以如圖％所示之包含於第$實 加例之第2波長轉換區域ρ52中之綠色單元篇g、黃色單 兀506y及藍色單凡5〇6b各自之數量為基準，規定為具有圖 57之XY色度圖中之色度點wp2之色度的初級光自第2發 光單το 801b發出。另外，如圖％所示於第5實施例中第 2波長轉換區域P52中之紅色單元5〇6r之數量為〇個。因 此’於本實施例中第2登光體亦不使用紅色螢光體。 第3發光單凡8〇lc之螢光構件8〇8亦即第3螢光構件與 第5實施例中之榮光構件5〇5之第3波長轉換區域p53相 同’構成為發出具有圖57之χγ色度圖中之色度點WP3之 色度的初級光。具體而言，係將紅色螢光體、綠色螢光體及 100132595 217 201233233 黃色螢光體之3種螢光體混合並分散保持於填充材8i〇中而 作為第3螢光體。該等紅色螢光體、綠色螢光體及黃色螢光 體對LED晶片803所發出之藍色光進行波長轉換，分別發 出紅色光、綠色光及黃色光，其可使用於第5實施例中示出 具體例之各種螢光體。 第3發光早元801c之LED晶片803所發出之藍色光之一 部分藉由包含於第3螢光構件中之紅色螢光體、綠色營光體 及黃色勞光體進行波長轉換’發出紅色光、綠色光及黃色 光。此時，未經第3螢光構件進行波長轉換地透過第3螢光 構件的藍色光LED晶片803之藍色光與該等紅色光、綠色 光及黃色光一起自第3螢光構件發出。因此，對如此發出之 紅色光、綠色光、黃色光及藍色光進行合成所得之初級光自 第3發光單元801 c發出。 第3螢光構件中的、填充材810中之紅色螢光體、綠色螢 光體及黃色螢光體之混合比率及密度，係以圖55所示之包 含於第5實施例之第3波長轉換區域p53中之紅色單元 506r、綠色單％ 506g、黃色單元506y及藍色單元5〇6b各 自之數量為基準，規定為具有圖57之χγ色度圖中之色度 點WP3之色度的初級光自第3發光單元肋^發出另外， 如圖55所示，於第5實施例中第3波長轉換區域ρ53中之 藍色單元506b之數量為〇個’但是自第3波長轉換區域ρ53 發出之初級光中包含透過紅色單元506γ、綠色單元5〇6§及 100132595 218 201233233 只色單元5G6y之各個之藍色光。因此，於本實施例之第^ 螢光構件中亦係考慮該點地蚊填充材㈣中之紅色勞光 體、綠色榮光體及黃色t光體之混合比率及密度。 第4發光單兀801d之螢光構件8〇8亦即第4榮光構件與 第5具把例中之螢光構件5()5之第4波長轉換區域w相 同，構成為發出具有圖57之χγ色度圖中之色度點wp4之 色度的减光。具體而言’係將紅色#光體、綠色螢光體及 黃色螢光體之3種螢絲混合並分散簡於填储81〇中而 作為第4螢総。鱗紅色螢級、綠色料體及黃色榮光 體對咖晶片803所發出之藍色光進行波長轉換，分別發 出紅色光、綠色敍黃色光’其可使用於第5實施例中示出 具體例之各種螢光體。 第4發光單元謝之咖晶片8〇3所發出之藍色光之一 部分藉由包含於第4榮光構件中之紅色螢光體、綠色榮光體 及黃色螢光體進行波長轉換，發出紅色光、綠色光及黃色 光。此時’未經第4勞祕件波長轉換地透過第4螢光構件 的藍色光LED晶片803之藍色光與該等紅色光、綠色光及 黃色光-起自第4榮光構件發出。因此，對如此發出之紅色 光、綠色光、黃色光及藍色光進行合成所得之初級光自第4 發光單元801d發出。 第4營光構件中的、填充材81〇中之紅色營光體、綠色榮 光體及黃色螢光體之齡比率絲度，係以如圖s5所示之 100132595 201233233 包含於第5實施例之第4波長轉換區域p54中之紅色單元 506r、綠色單元5〇6g、黃色單元5〇知及藍色單元$嶋各 自之數里為基準’規定為具有圖57之以色度圖中之色度 點WP4之色度的初級光自第4發光單元謝d發出。 (照明裝置之電路構成） 本實施例中之照明裝置之電路藉由如上述般構成第卜 第4發光單元〜_，而構成為與圖81所示之第7實 施例之電路相同。亦即，_ 81之電路構射，可將於發 光部70i中示出之4個發光單元替換為本實施例中之第卜 第4發光單元801a〜801d。 因此’藉由調整自第卜第4發光單元_〜_之各 個發出之减光之強度，而與第7實施例之情形相同，可發 出各種色溫之自色光作為照明光。因此，藉由執行與第5實 施例帛7貞施例之情形相同之發光控制，而可使自照明裝 置發出之照明光之色溫於下限色溫T1至上限色溫τ2為止之 fc圍内變化’並且’此時之照明光之色度近似於黑體輕射執 跡BL ’從而可使照明光成為協調的自然白色光。 (發光單元之變形例） 於本實施例中亦可使用發出近紫外光之LED晶片代替發 出藍色光之LED 0日日片。於該情科，為了獲得藍色光，除 了於本實施射使社紅色榮絲、綠色榮光體及黃色勞光 體之外’還可使用對LED晶片所發出之近料光進行波長 100132595 220 201233233 轉換從而發出藍色光之藍色螢光體。於該情形時，係使用自 藍色螢光體發出之藍色光代替分別透過第1螢光構件、第2 螢光構件、第3螢光構件及第4螢光構件而發出之藍色光， 故考慮到該點地調整各螢光構件中之各螢光體之含率及密 度即可。 並且’於使用發出近紫外光之LED晶片之情形時，填充 材810較佳為使用對LED晶片所發出之近紫外光具有充分 的透明性及耐久性之材料。該情形之填充材81〇可使用於第 6實施例中示出具體例之填充材。 (發光單元之配置例） 另外，於本實施例中使用之第i〜第4發光單元8〇la〜 801d之數量可根據照明裝置所要求之規格或各發光單元之 特性等而任意規定。例如，於使用分別為複數個之第工〜第 4發光單元8Gla〜8Gld之情料，㈣免相_型之發光 單兀偏於-方，該點於良好地進行初級光之合成之方面較 佳。圖83係表示該等第i〜第4發光單元謝卜麵之配 置例的模式圖。另外於圖83之例中，各發光單元共用佈線 f反8〇2 °並且’於圖83中’為了識別各螢光構件之發光 色而使用點陰影記載各螢光體。 於圖83之配置财，係將各發光單元分散 型之魏並域由拉相轉之 間將各發光單仙其半_度橫向 100132595 221 201233233 密地排列各發光單元。藉由此種配置，可良好地進行自各發 光单兀發出之初級光之合成，並可儘量減少各發光單元於照 明裝置中之佔據面積。另外，各發光單元之數量或分散配置 方法並不限定於圖83之形態，當可作各種變更。並且，於 本貫施例中，各發光單元之形狀為圓形，但亦可採用四角形 或六角形等非圓形形狀。 <第8實施例之變形例〉 於第8實施例中，使用了圖82所示之基本構成而構成4 種發光單元801。然而，除了使用圖82所示之基本構成作 為各發光單元，亦可使用圖82所示之基本構成來代替第5 實施例之各單元區域與LED晶片503之組合。亦即，第5 實施例之LED晶片503及第8實施例之基本構成中之lED 晶片803均發出藍色光，故若使用第8實施例之基本構成之 螢光構件808代替第5實施例之各單元區域，則可獲得與第 5貫加例之各單元區域及led晶片503之組合相同之組合。 具體而言，藉由將於第5實施例中之紅色單元5〇6r中使 用之紅色螢光體用作螢光體809分散保持於填充材81〇中而 形成紅色發光部，藉由將於第.5實施例中之綠色單元5〇6g 中使用之綠色螢光體用作螢光體8〇9分散保持於填充材81〇 中而形成綠色發光部。並且，藉由將於第5實施例中之黃色 單元506y中使用之黃色螢光體用作螢光體8〇9分散保持於 填充材810中而形成黃色發光部，藉由使用於第5實施例中 100132595 222 201233233 之藍色單元506b中使用之擴散用粒子代替螢光體8〇9分散 保持於填充材810中而形成藍色發光部。 若藉由基於圖55之表所示之第5實施例之紅色單元 506Γ、綠色單元506g、黃色單元5〇6y及藍色單元5〇沾之 數量，將如此構成之紅色發光部、綠色發光部、黃色發光部 及藍色發光部配置於每個第1〜第4波長轉換區域p5i〜 P54之波長轉換區域中，代替第5實施例之紅色單元5〇6r、 綠色單元506g、黃色單元506y及藍色單元5〇6b，則可構成 與第5實施例之照明裝置相同之照明裝置。 另外，於此種變形例中，亦可進一步變更於紅色發光部、 綠色發光部及黃色發光部中使用之LED晶片8〇3，於紅色 發光部中使用發出紅色光之LED晶片，於綠色發光部中使 用發出綠色光之LED晶片，於黃色發光部中使用發出黃色 光之LED晶片。於該情形時，與藍色發光部相同，螢光體 809可使用擴散用粒子代替於紅色發光部、綠色發光部及黃 色發光4中使用之紅色榮光體、綠色螢光體及黃色榮光體。 而且，亦可不使用擴散用粒子，而直接發出各LED晶片所 發出之光。 並且，於紅色發光部、綠色發光部、黃色發光部及藍色發 光部之各個中使用之LED晶片803亦可使用發出近紫外光 之LED晶片代替發出藍色光之LED晶片。於該情形時，亦 可於藍色發光部中使用藍色螢光體代替用擴散用粒子作為 100132595 223 201233233 螢光體809。 ϊ尤以上内谷凡成對本發明之實施形態之照明裝置之說 明，但本發明並不限定於上述各實施例及變形你】。例如，於 各實施例及變形例中，係利用紅色光、綠色光、黃色先及藍 色光之^種光獲得自各發光單元發出之初級光，但用於對自 各七光早7G發出之初級光進行合成之光之種類並不限定於 此，只要不脫離本發明之主旨，當可㈣各種光。並且，用 於發出該等光之構成亦並*限定於如上述各實施例及變形 例般之LED晶W LED W與t紐狀 例如有機EL元件等而獲得相同的發光色。 使用 並二各實施例及變形例中之照明裝置 例，只要不脫離本發明 取馬 U# Lpn 3 ΰ . 4 主S，當可作各種變更。例如，叮 ㈣⑹切並聯，亦可併 亦可使用低電流電路代 王韧並且， 制電流供給而對電f體 < 限制電Μ電阻。進而，為控 送至電晶體之基極二:開啟，關閉控制時’亦可利用發 亦無需電流限_之^流至電晶體之電流。該情形 =細且特定之實施態樣對本發明加 本技藝者可知只要不脫雜^ ^彳-熟心 變更或修正。 改精神及範圍，當可作各種 本申請案細纖年…日巾狀 願2010-202493)、2011牟3 B n 』〒明案（特 曰申请之曰本專利申請案（特 100132595 224 201233233 願2011-051854)及2011年8月29日申請之日本專利申請案 (特願2011-186451)為基礎，本申請案將其内容作為參考而 併入本文。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之第1實施例之發光裝置中之發光光源 之構成的立體圖。 圖2係圖1之發光光源之概略俯視圖。 圖3係沿圖2中之Ill-m線之概略剖面圖。 圖4係圖3中之要部之放大剖面圖。 元之色度點與控制曲線 圖5係表示CIE(1931)XYZ表色系统之xy色度圖中的、 第1實施例之發光部之每個發光單 之關係的要部放大圖。 之螢光體混合 圖6係表示於第1實施例中使用之螢光構件 比及膜厚的表。 之電路構成之概略的電 圖7係表示第1實施例之照明系統 路圖。 月系、絶中使用之指示部(操 圖8係表示於第1實施例之照 作部）之一例的模式圖。 強度之關係的 圖9係表示第1實施例之照明系統中 述每個調光等級而獲得之合成白色級與對應上 圖表。 圖10係表示利用第1實施例之昭 、、糸統而獲得之合成白 100132595 225 201233233 色光之色溫與合成白色光之總光通量之關係的圖表。 圖11係表示第1實施例之照明系統之模擬結果的表。 圖12係表示第1實施例之照明系統之模擬結果的圖表。 圖13係表示第1實施例之照明系統之模擬結果的圖表。 圖14係表示第1實施例之照明系統之模擬結果的圖表。 圖15(a)至圖15(d)係表示用於本發明第1實施例之發光裝 置中之LED群及波長轉換區域之圖案形狀之變形例的概略 圖。 圖16係表示本發明第1實施例之發光襄置之變形例中之 發光光源之構成的立體圖。 圖17(a)及圖17(b)係表示於本發明第1實施例之發光裝置 之變形例中使用之單元區域的模式圖。 圖18係部分性地表示圖16之發光部中之單元區域之配置 例的模式圖。 圖19係表示本發明第2實施例之發光裝置中之發光光源 之構成的立體圖。 圖20係圖19之發光光源之概略俯視圖。 圖21係表示CIE(1931 )XYZ表色系統之Xy色度圖中的、 發光部之每個發光單元之色度點與控制曲線之關係的要部 放大圖。 圖22係表示於第2實施例中使用之螢光構件之螢光體混 合比及膜厚的表。 100132595 226 201233233 概略的 圖23係表示第2實施例之照明系統之電路構成之 電路圖。 圖24係表示第2實施例之照明系統中之調光等級與針 之關係 上述每個調光等級而獲得之合成白色光之發光強度 ^ 的圖表。 圖25係表示利用第2實施例之照明系統而獲得之合成白 色光之色溫與合成白色光之總光通量之關係的圖表。 圖26係表示第2實施例之照明系統之模擬結果的表。 圖27係表示第2實施例之照明系統之模擬結果的圖表。 圖28係表示第2實施例之照明系統之模擬結果的圖表。 圖29係表示第2實施例之照明系統之模擬結果的圖表。 圖3〇係表示用於本發明第2實施例之發光裝置中之lEd 群及波長轉換區域之圖案雜之變形例的概略圖。 圖31係表示本發明第3實施例之發光裝置中之發光光源 之構成的立體圖。 圖32係圖31之發光光源之概略俯視圖。 圖33係表示CIE(1931)XYZ表色系統之Xy色度圖中的、 發光部之每個發光單元之色度點與控制曲線之關係的要部 放大圖。 圖34係表示於第3實施例中使用之螢光構件之螢光體混 合比及膜厚的表。 圖35係表示第3實施例之照明系統之電路構成之概略的 100132595 227 201233233 電路圖。 圖36係表示第3實施例之照明系統中之調光等級與針對 上述每個調光等級而獲得之合成白色光之發光強度之關係 的圖表。 圖37係表示利用第3實施例之照明系統而獲得之合成白 色光之色溫與合成白色光之總光通量之關係的圖表。 圖38係表示第3實施例之照明系統之模擬結果的表。 圖39係表示第3實施例之照明系統之模擬結果的圖表。 圖40係表示第3實施例之照明系統之模擬結果的圖表。 圖41係表示第3實施例之照明系統之模擬結果的圖表。 圖42係表示用於本發明第3實施例之發光裝置中之LED 群及波長轉換區域之圖案形狀之變形例的概略圖。 圖43(a)係表示於向第2實施例之發光裝置流通驅動電流 之情形的、自發光裝置發出之合成白色光之色溫與總光通量 之關係的圖表，圖43(b)係表示於向第3實施例之發光裝置 流通驅動電流之情形的、自發光裝置發出之合成白色光之色 溫與總光通量之關係的圖表。 圖44係表示第4實施例之發光裝置中之發光部之基本構 成的立體圖。 圖45係圖44之發光部之俯視圖。 圖46係沿圖45中之XXXXVI-XXXXVI線之剖面圖。 圖47係第4實施例之發光裝置中之發光部之變形例的概 100132595 228 201233233 略俯視圖。 圖48係第4實施例之發光裝置中之發光部之變形例的概 略俯視圖。 圖49係表示CIE(1931)XYZ表色系統之xy色度圖中的、 發光部之每個發光單元之色度點與控制曲線之關係的要部 放大圖。 圖50係表示利用圖49之照明系統而獲得之合成白色光之 色溫與合成白色光之總光通量之關係的圖表。 圖51係表示第5實施例之照明裝置中之發光部之整體構 成之概略的立體圖。 圖52係圖51之發光部之俯視圖。 圖53係沿圖52中之LIII-LIII線之發光部之剖面圖。 圖54係圖53所示之發光部之剖面的要部放大圖。 圖55係表示圖51之發光部中之各波長轉換區域之單元區 域數之一例的表。 圖56係部分性地表示圖51之發光部中之單元區域之配置 例的模式圖。 圖57係表示CIE(1931)XYZ表色系統之χγ色度圖中的、 發光部之每個發光單元之色度點與控制曲線之關 放大圖。 Η 置之電路構成之概略的 圖58係表示第5實施例之照明裝 電路圖。 100132595 229 201233233 圖59係表示於第5實施例之照明裝置中使用之操作單元 之一例的模式圖。 圖60係表示利用第5實施例之照明裝置而獲得之照明光 之色溫、與每個發光單元之供給電力、總供給電力及照明光 總光通量之關係的圖表。 圖61係表示第5實施例之照明裝置之電路構成之變形例 的電路圖。 圖62係表示於使用圖61之電路構成之情形的、與目標色 溫相對應之每個發光單元之供給電力之一例的表。 圖63係表示CIE(1931)XYZ表色系統之XY色度圖中的、 發光部之每個發光單元之色度點與控制曲線之關係之另一 例的要部放大圖。 圖64係表示CIE(1931)XYZ表色系統之XY色度圖中的、 發光部之每個發光單元之色度點與控制曲線之關係之另一 例的要部放大圖。 圖65係表示第5實施例之照明裝置中之螢光構件之第1 變形例的俯視圖。 圖66係表示作為第5實施例之照明裝置中之螢光構件之 第2變形例的單元區域之一的俯視圖。 圖67係部分性地表示圖66之單元區域配置於第2變形例 之螢光構件中之配置例的模式圖。 圖68係表示第5實施例之照明裝置中之螢光構件之第3 100132595 230 201233233 變形例的俯視圖。 圖69係表示於照明裝置中執行之發光控制之第！變形例 所使用之操作單元的模式圖。 圖7〇係表示於照明裝置中執行之發光控制之第i變形例 中的、照明裝置之照明光色溫與總光通量之關係之-例的圖 表0 圖71係表示用於使照明裝置之照明光之色溫與總光通量 之隻化舒適的、與目標色溫相對應之每個發光單元之供給電 力之一例的表。 圖72係表示於將圖71之表所示之電力供給至各發光單元 之情形的、色溫與總光通量之關係的圖表。 圖73係表示第6實施例之照明裝置中之發光部之基本構 成的立體圖。 圖74係圖73之發光部之俯視圖。 圖75係沿圖74中之LXXV-LXXV線之第i發光部之剖 面圖。 圖76係沿圖74中之線q 2 ϋ 面圖。 圖77係表示第6實施例之照明裝置之電路構成之概略的 電路圖。 圖78係表示第6實施例之照明裝置中的、第1發光部及 第2發光部之配置例的模式圖。 尤°[ 100132595 231 201233233 圖79係表示第7實施例之照明裝置中之發光部之概略構 成的俯視圖。 圖80係表示第7實施例之照明裝置中之發光部之整體構 成的俯視圖。 圖81係表示第7實施例之照明裝置之電路構成之概略的 電路圖。 圖82係表示第8實施例之照明裝置中之發光單元之基本 構成的剖面圖。 圖83係表示第8實施例之照明裝置中的、第1〜第4發 光單元之配置例的模式圖。 圖84係表示於將圖71之表所示之電力供給至各發光單元 之情形的、色溫與照度之關係的圖表。 【主要元件符號說明】 卜Γ、Γ、21 發光部(發光單元群） 2、 102、502、602、702、802 佈線基板 2a、102a、502a、702a 晶片安裝面 3、 3a、3a，、3a，'、3b、3b'、3b"、3c，、3c"、3d，、3d"、103、 103a、103b、203a、203b、203c、203d、303a、303b、303c、 303d、303e、503、503a、503b、503c、503d、603、603a、 603b、603c、603d、703a、703b、703c、703d、803 LED晶片 透光基板 4、 504 100132595 232 201233233 8、 509 9、 10、108、109、110、111、510、511、608、609、610 6η、710、711、712、713、714、715、716、717、804、 4a、504a 4b 、 504b 5、 5"、505、505,、808 5' 6、 507 7、 508 第1面 第2面 榮光構件（波長轉換構件) 螢光構件 間隔件 P電極 η電極 805 佈線圖案 9Α、9C、24Α、24C、24Ε、24G、36Α、36C、36Ε、36G、 361 曲線 9Β、9D、24Β、24D、24F、24Η、36Β、36D、36F、36Η、
36J 直線
10Α、10Β、25Α、25Β、25C、25D、37Α、37Β、37C、37D 37Ε U、1Γ、1Γ 12 ' 12' ' 12" 13 14 14a、514a、514a， 14b 、 514b 、 514b， 實線 發光裝置（照明裝置) 照明系統 調光部 指示部 操作旋紐 本體 100132595 233 201233233 15 、 15, 、 15” 電流供給部 15a 整流電路 15b 電壓電流轉換電路 15c、15c， 開關電路 16 控制部 16a 相位角檢測器 16b 、 513a 記憶體 16c 選擇電路 17 > 506 ' 506" 單元區域 18a 紅色螢光體 18b 、 19a 綠色螢光體 18c 、 19b 黃色螢光體 101、201、301、501、501， 、501" 、 521 、 601 、 7〇1 發光部 101A、601A 第1發光部 104、604、704 反射體(壁構件） 105、205、305、605、705 間隔構件 106 、 206 、 306 、 606 、 706 第1區域 107 、 207 、 307 、 607 、 707 第2區域 108a、109a、110a、111a、608a、609a、610a、611a、710a、 711a、712a、713a、714a、 715a、716a、717a 連接端子 112a 第1螢光構件(波長轉換構件） 100132595 234 201233233 112b 208、308、708 209 、 309 、 709 21卜 311、612a、718 212、312、612b 213 、 313 ' 617 、 720 214、314、618、721 310 315 506b 506g 506r、506y 512、 522、623、723 513、 624、724 514、 514·、625、725 514c 515、 626、726 . 520b 520g 520r 520y
601B 第2營光構件(波長轉換構件） 第3區蜮 第4區域 第1 f光構件(波長轉換構件) 第2螢光構件(波長轉換構件) 第3鸯光構件(波長轉換構件) 第4營光構件(波長轉換構件) 第5區域 第5螢光構件(波長轉換構件) 藍色單元 綠色單元 黃色單元 電源 發光控制部 操作單元(操作構件） 標記 目標值設定部 藍色區域 綠色區域 紅色區域 黃色區域 第2發光部 100132595 235 201233233 602a 613 614 615 616 619 620 621 622 624a、724a 801 806 807 809 810 m、Ul，、Ul"、U51、U51' 801a 801b 801d 802a 802b
A、B、C、D、E 安裝面 第1螢光體 第1填充材 第2螢光體 第2填充材 第3螢光體 第3填充材 第4螢光體 第4填充材 記憶體（記憶裝置） 發光單元 金屬線 共晶焊錫 螢光體 填充材 、U101、U201、U301、U701、 第1發光單元 •第2發光單元 第4發光單元 基板本體 電絕緣層 100132595 236 201233233 BL 黑體輻射軌跡 CL 控制曲線 CPU1 微電腦 D1、Dl，、Dl，'、D51 第1LED群 D2、D2,、D2，'、D52 第2LED群 D3'、D3M、D53 第3LED群 D4' ' D4" 第4LED群 D5n、D54 第5LED群 DAC1 D/A轉換器 III 線 LI 距離 Ml 記憶體（記憶裝置） OP1、OP2、OP3、OP4 運算放大器 P卜 PI，、PI，'、P5卜 P51， 第1波長轉換區域 P2、P2,、Ρ2Π、P52、P52' 第2波長轉換區域 P3’、P3"、P53、Ρ53» 第3波長轉換區域 P4,、P4”、P54、P54. 第4波長轉換區域 P5" 第5波長轉換區域 Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q5 卜 Q52、Q53、Q54、Q61 Q62、Q63、Q64、Q611、Q612 、Q613、Q614、Q721、 Q722、Q723、Q724 電晶體 IU、R2、R3、R4、Rll、R12、 > R13、R14、R21、R22 100132595 237 201233233 R23、R24 電阻 ΤΙ、T2、T3、T4、WP1、WP2、WP3、WP4、WP5、WP6、 WP7、WP8、WP9、WP10、CT卜 CT2 色度點 U3,、U3"、U53、U53’ 、U203、U303、U603、U703、801c 第3發光單元 U4' ' U4" ' U54 ' U54' 、U204、U304、U604、U704 第4發光單元 U5"、U305 第5發光單元 Vac 交流電壓源 Vdim(ac) 交流調光電壓 VdIM(DC) 直流調光電壓 VR1 > VR2 可變電阻 Vs 基極電壓 △uv 偏差 100132^5 238 100132595

Claims (1)

  1. 201233233 七、申請專利範圍： 1. 種發光裝置，其係亮度伴隨調光等級之變動而變動 者，其特徵在於，其包括： 佈線基板； 複數個LED晶片，該等係配置於上述佈線基板之LED晶 片安裝面，發出可見光區域至近紫外區域為止之波長區域中 之既疋波長範圍之光，且被劃分為複數個LED群； 波長轉換構件，其係設置於與上述佈線基板之上述LED 晶片安裝面相對應之位置，對應於上述複數個LED晶片而 被分割為複數個波長轉換輯，上述複數個波長轉換區域係 對應於上述LED群而被劃分為複數個波長轉換區域，且上 述每個波長轉換區域均具有不同的波長轉換特性，上述波長 轉換構件對相對應之LED晶片所發出之光進行波長轉換， 發出對於上述每個波長轉換區域具有互不相同之色溫的初 級光； 電流供給部，其係經由上述佈線基板，對於上述每個LED -群而獨立地向上述LED晶片供給驅動電流；及 ‘ 控制°卩，其根據自外部輸入之控制信號而控制供給至上述 每個LED群之電流； 且上述控制部係根據上述調光等級而獨立地控制上述 LED群之點燈開始時期。 2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，隨著自上述 100132595 239 201233233 電流供給部供給至上述複數個Led靜ι電/瓜之'悤里上升， 上述控制部使上述led群依序點燈。 3. 如申請專利範圍第2項之發光裝蓼，其中，上述複數個 LED晶片係被劃分為3個以上之LEP _ ° 4. 如申請專利範圍第2項之發光裝蓼，其中，隨著自上述 電流供給部供給至上述複數個LED婵之電流之總量上升， 上述控制部自與發出色溫較低之上述初級光之上述波長轉 換區域相對應的上述LED群起，至與發出色溫較高之上述 初級光之上述波長轉換區域相對應的上述LED群為止， 上述LED群依序點燈。 5. 如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中，隨著自上述 電流供給部供給至上述複數個LED群之電流之總量上升， 上述控制部增加點燈之LED群。 6·如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中，上述控制部 包含：相位角檢測器，其接收屬於導通相位角對應於上述調 光等級而變化之電壓波形的㈣信號，檢測上述導通相位 角及k擇電路，其根據上述導通相位角而選擇要點燈之 LED 群。 7·如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中，上述控制部 接收屬於振幅電壓值對應於上述調光等級而變化之電壓波 形的控制賴’根據±賴幅電隸而選擇要點燈之 群。 100132595 240 201233233 8. —種發光裝置，其特徵在於，其包括： 佈線基板； 複數個LED晶片，該等係配置於上述佈線基板之led晶 片安裝面’發出可見光區域至近紫外區域為止之波長區域中 之既定波長範圍之光，且被劃分為複數個LED群； 波長轉換構件，其係設置於與上述佈線基板之上述· 晶片安裳面相對應之位置，對應於上述複數個咖晶片而 被分割為複數個波長轉換區域，上述複數個波長轉換區域係 對應於上述LED群而被劃分為複數個波長轉換區域，且上 述每個波長轉換區域均具有不同的波長轉換特性，上述波長 轉換構件對相對應之LED晶片所發出之光進行波長轉換， 發出對於上述每個波長轉換區域具有互不相同之色溫的初 級光； 電流供給部’其經由上述佈線基板，對於上述每個led 群而獨立地向上述LED晶片供給驅動電流；及 控制部，其根據自外部輸入之控制信號而控制供給至上述 每個LED群之電流量； 且隨著對自上述複數個波長轉換區域發出之初級光進行 合成所得之合成白色光的亮度上升，上述控制部使上述 群依序點燈。 9. 如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中，隨著上述合 成白色光之壳度上升，上述控制部自與發出色溫較低之上述 100132595 241 201233233 初級光之上述波長轉換區域相對應的上述LED群起，至與 發出色溫較高之上述初級光之上述波長轉換區域相對應的 上述LED群為止，使上述LED群依序點燈。 10.如申請專利範圍第9項之發光裝置，其令，上述複數 個LED aa片與上述波長變化構件係隔開設置， 藉由上述各led群、及與上述每個LED群相對應之上述 各波長轉換區域，而形成複數個發光單元， 且上述複數個發光單元之各個係一體設置，並且形成發光 單元群。 11.如申請專利範圍第9項之發光裝置，其中，上述波長 變化構件仙覆蓋上述複數個LED晶 之方式設置， 藉由上述各LED群、及與上述每個咖群相對應之上述 各波長轉換區域，而形成複數個發光單元， 上述複數個I光單元之各個係分開設置，並且形成發光 單元群。 12.如申請專利範圍第9項之發光裝置，其 複數個LED晶片及上述波長轉換構件而形成
    佈線基板； ’其中，藉由上述 多成一個封裝， 複數個LED晶片 片安裝面， ―曰月，該等係配置於上述佈線基板之㈣晶 發出可見光區域至近紫外輯為权波長區域中 100132595 242 201233233 之既定波長範圍之光’且被劃分為複數個LED群； 波長轉換構件’其係Μ於與上述佈線基板之上述led 晶片安裝面相對應之位置，對應於上述複數個咖晶片而 被分割為複數做長轉換區域，上料數個波長轉換區域係 對應於上述LED群而被劃分為複數個波長轉換區域，且上 述每個波長轉換區域均具有不同的波長轉換特性，上述波長 轉換構件對相對應之晶片所發出之歧行波長轉換， 發出對於上述每個波長轉換區域具有互不相同之色溫的初 級光； 電流供給部，其經由上述佈線基板，對於上述每個LED 群而獨立地向上述led晶片供給驅動電流； 指示部，其係以合成上述初級光而獲得具有所需亮度之合 成白色光之方式作出指示； 調光部，其根據來自上述指示部之指示，輸出用於使上述 合成白色光之亮度變化之控制信號；及 控制部，其根據自上述調光部輸出之控制信號而控制供給 至上述每個LED群之電流量； 且隨著上述合成白色光之亮度上升’上述控制部使上述 LED群依序點燈。 14.如申請專利範圍第13項之照明系統，其中，隨著上述 合成白色光之亮度上升，上述控制部自與發出色溫較低之上 述初級光之上述波長轉換區域相對應的上述LED群起，至 100132595 243 201233233 與發出色μ較面之上述初級光之上述波長轉換區域相對應 的上述LED群為止，使上述LED群依序點燈。 15. 如申請專利範圍第14項之照明系統’其中，隨著上述 合成白色光之贵度上升，上述控制部增加點燈之led群。 16. 如申請專利範圍第13項之照明系統，其十，上述控制 ^[吕號為電壓波形，並且依照來自上述指示部之指示而改變導 通相位角， 上述控制部包含檢測上述導通相位角之相位角檢測器、及 根據上述導通相位角而選擇要點燈之LED群的選擇電路。 17. 如申請專利範圍第13項之照明系統，其中，上述控制 信號為電壓波形’並且依照來自上述指示部之指示而改變振 幅電壓值， 上述控制部根據上述振幅電壓值而選擇要點燈之LED 群。 18·如申請專利範圍第13至17項中任一項之照明系統， 其中，隨著調光等級沿著上述合成白色光之亮度上升之方向 變化，上述控制部增加供給至上述每個LED群之上述驅動 電流的總和。 19·如申請專利範圍第13至17項中任一項之照明系統， 其中，上述控制部係以目標光束0根據目標相關色溫T變 化，且存在使不等式 -80743·(1000/Τ)5+ΐ64973·(1000/Τ)4-13526〇·(1〇〇〇/Τ)3+579 100132595 244 201233233 94·(1000/Τ)2-13995·(1000/Τ)+1632.9< 0/ΑΟ< exp{-342.1 l· (1000/Τ)3+450.43.(1000/Τ)2·212.19χ(1000/τ)+39.47} 成立之常數ΑΟ的方式’設定上述目標相關色溫及目標總光 通量。 20. —種照明方法，其相對於劃分為複數個led群之複數 個LED晶片，向上述每個LED群獨立地供給電流而使上述 每個LED群發光，向對應於上述複數個LED晶片而被劃分 為複數個波長轉換區域’且上述複數個波長轉換區域對應於 上述LED群而被劃分為複數個波長轉換區域，並且上述每 個波長轉換區域均具有不同的波長轉換特性的波長轉換構 件供給LED晶片所發出之光，發出對於上述每個波長轉換 區域具有互不相同之色溫的初級光，對上述初級光進行合成 而形成合成白色光；其中， 隨著上述合成白色光之壳度上升，控制供給至上述每個 LED群之電流量’使上述LED群依序點燈。 21. 如申請專利範圍第20項之照明方法，其中’隨著上述 合成白色光之亮度上升，自與發出色温較低之上述初級光之 上述波長轉換區域相對應的上述LED群起，至與發出色溫 較高之上述初級光之上述波長轉換區域相對應的上述led 群為止，使上述LED群依序點燈。 22. -種發光裝置，其包括： 發光單元群’其包含各自發出之光之色度不同之2個以上 100132595 245 201233233 疋之各個所發出之初級光 的發光單元，且發出自上述發光單 經合成所得之合成光；及 控制手段，其以自上述發光單元群發出之合成光之 位於在αΕ(觀)XYZ表色系統之χγ色度圖中於第…田 至高於上述第1色溫之第2色溫為止之範圍内預先設定的： 制曲線上之方式’控制上述各發光單元之發光；其特徵為， 上述控制手段具備：目標值設定部，其設定自上述發光單 元群發出之合成光之目標總光通量或目標相關色溫τ之 一者，並且根據上述一者而設定另一者；及發光控制部，其 以使自上述發光單元群發出之合成光之色溫及總光通量成 為藉由上述目標值設定部設定之上述目標總光通量必及上 述目標相關色溫Τ的方式，控制上述各發光單元之發光； 上述目標設定部使上述目標相關色溫Τ於至少3500 Κ至 4500 Κ之範圍内依序變化，並且對應於上述合成光照射之 被照射物對於上述發光裴置之要求照度，將45〇〇 Κ之上述 目標總光通量0相對於35〇〇 Κ之上述目標總光通量0而設 定為2倍以上且30倍以下。 23.如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，上述目標 設定部以3500 Κ之上述被照射物之照度處於1〇〇 LUX至500 Lux之範圍内、且4500 κ之上述被照射物之照度處於300 Lux至40000 Lux之範圍内的方式，設定上述目標總光通量 100132595 246 201233233 24. 如申請專利範圍第22或23項之發光裝置，其中，上 述目標設定部使上述目標相關色溫τ於2000 κ至45〇〇 κ 之範圍内依序變化，並且對應於上述要求照度之範圍而將 4500 Κ之上述目標總光通量0相對於2〇〇〇 κ之上述目標總 光通量0而設定為10倍以上且1〇〇倍以下。 25. 如申§青專利範圍第22至24項中任一項之發光裝置， 其中，上述目標設定部以2000 Κ之上述被照射物之照度處 於15 Lux至20 Lux之範圍内、且4500 Κ之上述被照射物 之照度處於300 Lux至40000 Lux之範圍内的方式’設定上 述目標總光通量0。 26. 如申請專利範圍第22至25項中任一項之發光裝置， 其中’上述目標值設定部係於上述目標相關色溫T之下限 至上限為止之設定範圍内，以存在使不等式 -80743·(1000/Τ)5+164973·(1000/Τ)4-ΐ35260·(1000/Τ)3+579 94·(1000/Τ)2-13995·(1000/Τ)+1632.9< 0/AO<exp{-342.11· (1000/Τ)3+450.43·(1000/Τ)2-212.19χ(1〇〇〇/Τ)+39.47} - 成立之常數Α0的方式，設定上述目標總光通量0。 - 27.如申請專利範圍第22至26項中任一項之發光裝置， 其中，上述發光單元為3個以上。 28.—種發光裝置，其包括：發光單元群，其包含各自發 出之光之色度不同之3個以上的發光單元，且發出自上述發 光單元之各個所發出之初級光經合成所得之合成光；及控制 100132595 247 201233233 手段’其以自上述發光單元群發出之合成光之色度點位於在 CIE(1931)XYZS色系統之χγ色度圖中於第i色溫至高於 上述第1色溫之第2色溫為止的範圍内預先設定之向上方凸 出之控制曲線上之方式，控制上述各發光單元之發光；其特 徵為， 上述控制手段具備：目標值設定部，其設定自上述發光單 元群發出之合成光之目標相關色溫T及目標總光通量必；及 發光控制部，其以使自上述發光單元群發出之合成光之色溫 及總光通量成為藉由上述目標值設定部設定之上述目標相 關色溫T及上述目標總光通量0的方式，控制上述各發光單 元之發光； 上述目標值設定部係以上述目標光束0根據上述目標相 關色溫T而變化，且存在使不等式 -80743.(1000/T)5+164973.(1000/T)4-135260.(1000/T)3+57994. (1000/Τ)2-13995·(1000/Τ)+1632.9< 0/AO< exp{-342.11· (1000/Τ)3+450.43·(1000/Τ)2-212.19χ(1000/Τ)+39.47} 成立之常數AO的方式，設定上述目標相關色溫T及上述目 標總光通量Φ， 於上述ΧΥ色度圖中，以上述發光單元各自發出之初級光 之色度點作為頂點而形成之多角形内包含上述控制曲線的 方式，規定上述發光單元各自發出之初級光之色度。 100132595 248
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