TW201226465A - Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same - Google Patents

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same Download PDF

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Eun-Jung Lee
Kyoung-Chul Bae
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Description

201226465 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關於一種用於包封一半導體元件之 環氧樹脂組成物，及使用此組成物之一種半導體元件。更 特別地，本發明係有關於一種具有優異阻燃性之用於包封 一半導體元件之環氧樹脂組成物，及使用此組成物之一種 半導體元件。 相關技藝說明 一般，用於包封一半導體元件之一環氧樹脂組成物需 具有V0之UL94可燃性。可燃性可以Underwriters
Laboratories之UL94標準為基準決定。UL94測試係依據 ASTM D635實施，且一樣本可以燃燒棉花、燃燒時間、灼 熱時間、燃燒程度等之性能為基準而給予一V等級。 為賦予於包封一半導體元件之一環氧樹脂組成物阻燃 性，溴環氧物或三氧化銻(Sb2〇3)—般係作為阻燃劑。但是， 使用此鹵素阻燃劑或三氧化錄之環氧樹脂組成物於燃燒時 產生有毒之致癌物，諸如，戴奥辛或二°夫喃。再者，於燃 燒時，鹵素阻燃劑產生諸如HBr及HC1之氣體，其對人係有 害且造成半導體晶片或線路及引線架腐蝕。為解決此等問 題，包含磷阻燃劑，例如，偶磷氮及磷酸酯’及含氮原子 之樹脂之新穎阻燃劑已被研究。但是，磷阻燃劑與水反應， 因而形成磷酸及聚磷酸，此使半導體元件之可靠度惡化。 201226465 再者’含氮之樹脂S展現不足之I1 且燃性。 再者，藉由增加諸如矽石之無機填料之含量而賦予阻 燃性已被建議。但是，雖然此等方法確保阻燃性及可靠度， 無機填料會於流動性、分散性，及反應性造成劇烈減少， 因此’使模製性及加工性惡化。 【考务明内J 發明概要 本發明之方面係提供一種用於包封半導體元件之 環氧彳对脂組成物，其包含水銘土作為非鹵素阻燃劑，以提 供優異之熱穩定性、可靠度，及限燃性，及使用此組成物 之一種半導體元件。 本發明之一方面係提供一種用於包封一半導體元件之 壌氧樹脂組成物。此環氧樹脂組成物包括一環氧樹脂、一 固化劑、一固化加速劑、無機填料，及—阻燃劑，其中， 此阻燃劑包括以化學式丨表示之水鋁土，且以 環氧樹脂組成物總量為基準，此水紹土係以qi至2〇重量 %(Wt%)之量存在。 [化學式1] AIO(OH) 水銘土可具有ο·1至10叫之平均顆极直徑。 無機填料可包括砂石。 水銘土對石夕石之重量比率可為1:3至1:900。 環氧樹脂組成物可包括2至15重量％之環氧樹脂，05 之固化劑’ _至2重量％之固化加速劑，70至 4 201226465 95重量％之無機填料，及0.1至20重量％之水鋁土。 以環氧樹脂總量為基準，環氧樹脂可包括10至90重量 %之以化學式2表示之一環氧樹脂。 [化學式2]
其中，η係從1至7之整數。 以固化劑總量為基準，固化劑可包括10至90重量％之 以化學式4表示之酚樹脂。 [化學式4]
其中，η係從1至7之整數。 本發明之另一方面係提供一種使用前述之 環氧樹脂組成物包封一半導體元件之方法。此方法包括使 用此環氧樹脂組成物包封具有一引線架之一半導體元件， 及固化此組成物。 本發明之另一方面係提供以此環氧樹脂組成物包封之 一半導體元件。 I：實施方式3 發明詳細說明 本發明之實施例現會詳細說明。 201226465 半導體元件之一 固化劑、一 依據一實施例之用於包封一半 環氧樹脂組成物包括一環氧樹脂、_ 固化加速劑、無機填料，及水I呂土。 環氧樹脂 環氧樹脂可包括用於半導體封裝之任 別地，含有至少二環氧基團之一環|[仆a 環氧樹脂。特 環氧化合物可被使用。 環氧樹脂之例子可包括盼或烧基酚與羥基笨甲齡之縮人產 物環氧化而獲得之環氧樹脂、紛搭清漆型環氧樹脂、鄰-甲 酚清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、多官能性環氧樹脂、 萘酚清殺型環氧樹脂、雙酚-A/雙酚-F/雙醛_AD之清漆型環 氧樹脂、雙酚-A/雙酚-F/雙酚-AD之環氧丙基醚、雙經基聯 苯環氧樹脂、二環戊二烯環氧樹脂等。 環氧樹脂可包括以化學式2表示之含有一聯笨衍生物 之一清漆結構之一酚芳烷基型環氧樹脂： [化學式2]
其中，η係從1至7之整數。 以化學式2表示之酚芳烷基型環氧樹脂具有包括—紛 主鏈及於結構中間之聯苯基之一結構。由於此結構特徵， 環氧樹脂展現優異之抗吸濕性、勤性、抗氧化性，及抗裂 性’與低交聯密度，其於高溫燃燒時，經由形成一碳層（炭) 而確保一特定程度之阻燃性。以環氧樹脂總量為基準，齡 6 201226465 芳烷基環氧樹脂可以ι〇至90重量％之量存在。於此範圍 内，阻燃性及流動性之優異平衡可被獲得’且模製瑕庇於 用於包封一半導體元件之低壓轉移模製方法不會發生。以 氧樹脂總量為基準，齡芳烧基壞乳樹脂可以12至85重量 %，較佳係15至80重量％ ’之量存在。於一實施例，以 環氧樹脂總量為基準，酚芳烷基環氧樹脂可以15至45重量 %，特別是20至40重量％之量存在。 再者，環氧樹脂可為以化學式2表示之環氧樹脂及鄰_ 曱齡清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙紛_?型 環氧樹脂、雙酚-A型環氧樹脂’及二環戊二稀環氧樹脂之 至少一者之混合物。 環氧樹脂可與以化學式3表示之一聯笨型環氧樹脂組 合使用： [化學式3]
其中，R代表一 C1至C4烷基基團， 於化學式3中，R較佳係代表—甲基基 團，更佳係一甲基基團。 且η係從〇至7之整數。 甲基基團或一乙基基 以改良樹脂組成物之流動性可靠度而言， 示之聯苯型環氧樹脂可為適合。 以化學式3表 於一實施例，以化學式2表示之環氧樹脂 表示之聯笨型環氧樹脂之重量比率可為^ 1 旨對以化學式3 至1:8.5，較佳 201226465 係1.1.5至1:6。於此範圍内，可獲得優異之可模製性及 可靠度。 此等環氧樹脂可單獨或以其等之組合使用。再者，亦 可使用藉由此等環氧樹脂與諸如固化劑、固化加速劑、脫 模劑、偶合劑、應力釋放料之其它la份反應祕得之加 成物，諸如，一熔融母料(MMB)。再者，含有較少氯化物 離子納離子’及離子性雜質之環氧樹脂可被使用以改良抗 濕性。 以環氧樹脂組成物總量為基準，環氧樹脂可以2至15重 里％，較佳係2.5至12重量％，且更佳係3至1〇重量％，之量 存在。 固化劑 作為固化劑’一般用於半導體包封且含有至少二反應 性基團之任何固化劑可被使用。 固化劑之例子可不受限地包括酚芳烷基型酚樹脂、酚 清漆型紛樹脂、盼i|(xyl〇k)型酸樹脂、曱盼清漆型齡樹脂、 秦盼型齡樹脂、萜稀型紛樹脂、多官能性紛樹脂、二環戊 一稀齡樹脂 '雙盼-A及可溶盼醒樹脂、多經基紛化合物， 例如，三(羥基苯基）曱烧、二羥基聯苯，酸酐，例如，馬來 酸酐及酜酸酐，及芳香族胺，例如，間-笨二胺、二胺基一 苯基甲烧’及二胺基二苯基諷合成之清漆型紛樹脂。 固化劑可包含含有聯苯衍生物且以化學式4表示之— 清漆結構之一酚芳烷基型酚樹脂： 8 201226465 [化學式4]
OH OH
其中，η係從1至7之整數。 以化學式4表示之酚芳烷基型酚樹脂與以化學式2表示 之酚芳烷基型環氧樹脂反應形成一炭層，此阻斷環境之熱 及氧之傳送，藉此，實現阻燃性。 以固化劑總量為基準，以化學式4表示之酚樹脂可以10 至90重量％之量存在。於此範圍内，可獲得優異阻燃性， 且不會折衷掉流動性。特別地，以固化劑總量為基準，此 量可為12至85重量％，較佳係15至80重量％。於一實施例， 以固化劑總量為基準，此量可為15至45重量％，較佳係15 至42重量％。 固化劑可為以化學式4表示之酚樹脂及酚清漆樹脂、曱 酚清漆樹脂、酚醚樹脂，及二環戊二烯樹脂之至少一者之 混合物。 以化學式4表示之酚樹脂可與以化學式5表示之一酚醚 型酚樹脂組合使用： [化學式5] OH OH ΟΗ
其中，η係從0至7之整數。 以改良樹脂組成物之流動性及可靠度而言，以化學式5 201226465 表示之酚醚型酚樹脂可為適合。 於一實施例，以化學式4表示之酚樹脂對以化學式5表 示之盼醚型酌樹脂之重量比率可為1:1.1至1: 6.5，較佳係 1:1.4至1:6。於此範圍内，可獲得優異之可模製性及可靠度。 此等固化劑可單獨或以其等之組合使用。再者，亦可 使用藉由此等固化劑與諸如環氧樹脂、固化加速劑、脫模 劑、偶合劑、應力釋放劑等之其它組份反應而獲得之加成 物，諸如，MMB。 固化劑可以0.5至12重量％，較佳係1至10重量％，且更 佳係2至8重量％之量存在於用於包封半導體元件之環氧樹 脂組成物内。於一實施例，固化劑可以2.5至5.5重量％之量 存在。 無機填料 無機填料被用以改良環氧樹脂組成物之機械性質及降 低應力。無機填料之例子可不受限地包括稠合矽石、結晶 矽石、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鋁、氧化鎂、黏土、滑石、 石夕酸妈、氧化鈦、氧化銻、玻璃纖維等。 具有低線性膨脹係數之稠合矽石可用以降低應力。桐 合矽石係指具有2.3或更少之真比重之非結晶矽石，其可藉 由熔融結晶矽石或藉由自各種原料合成而製備。 稠合矽石之形狀及顆粒直徑無特別限制。於一實施 例，可使用具有0.1至35 μιη之平均顆粒直徑之稠合或合成 矽石。於另一實施例，以無機填料總量為基準，含有50至 99重量％之具有5至30 μπι之平均顆粒直徑之球形稠合矽石 10 201226465 及1至50重量％之具有0.001至1 μιη之平均顆粒直徑之球形 稠合矽石之一稠合矽石混合物可以40至100重量％之量使 用。於此範圍内，優異之可模製性可於製造半導體元件之 方法中獲得。因為球形稠合矽石會於表面上包含導電性碳 作為雜質，所欲地係使用含有較低含量極性雜質之球形稠 合矽石。 無機填料之量可依所欲性質調整，諸如，可模製性、 低應力性質，及於高溫之強度。於一實施例，以用於 包封半導體元件之環氧樹脂組成物之總量為基準， 無機填料可以70至95重量％，較佳係75至92重量％之量存 在。 水I呂土 水鋁土係一無機阻燃劑，且可以化學式1表示： [化學式1] ΑΙΟ(ΟΗ) 與傳統無機阻燃劑材料，諸如，氧化銘及氫氧化銘， 相比，水銘土展現優異之熱穩定性、分散性，及阻燃性， 具有高純度，且係非毒性。 一般，氫氧化鋁係於200至230°C之相對較低溫度脫 水，且10 %之質量於300°C劇烈地損失。用於 包封半導體元件之環氧樹脂組成物之模製溫度可為160至 200°C，且焊接或基材安裝方法之溫度可為240至270°C。因 此，使用氫氧化鋁之環氧樹脂組成物確保阻燃性，然而， 模製產品之熱穩定性於半導體封裝物之模製、焊接，及基 11 201226465 材安裝方法期間會降低’且内部應力由於產生之水分而增 加，以產品可靠度而s ’造成問題。 於本發明’此等問題可藉由使用水紹土解決。水紹土 於340。(：開始脫水’且進行1%或更少之質量損失至4〇〇0(：。 因此，優異之可靠度由於在半導體封裝物之模製、焊接， 及基材安裝方法之高達穩定性而展現。 水鋁土可具有0.1至10 μιη之平均顆粒直徑。於此範圍 内，可獲得優異之流動性及可靠度。特別地，平均顆粒直 徑可為1至7 μιη。 以環氧樹脂組成物之總量為基準，水鋁土可以〇1至2〇 重量％之量存在。於此範圍内，可確保優異之分散性、耐 衝擊性、可靠度，及可模製性，且可獲得所欲阻燃性。 於一實施例，水鋁土對矽石之重量比率可為1:3至 1:900。於此範圍内，可獲得阻燃性及可靠度之良好平衡。 重量比率可為1:5至1:875，較佳係1:1〇至1:87〇。
固化加迷齊,J 固化加速劑係促進環氧樹脂與固化劑之間反應之材 料。固化加迷射不受限地包括三級胺、有機金屬化合物、 有機磷化合物、料化合物、職合物等。三級胺之例子 可不受限地包括苯甲基三甲基胺、三乙基胺、三伸乙二胺、 一乙基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)齡、2-2-(二甲基胺基 甲）’4’6~二（二胺基甲基）酚、三-2-乙基己酸之鹽類 等有機金屬化合物之例子可不受限地包括乙醯基丙_酸 絡乙醯基内鋼酸鋅、乙醯基丙狗酸錄等。有機碟化合物 12 201226465 之例子可不受限地包括三-4-甲氧基膦、四丁基鐫溴化物、 四苯基鱗溴化物、苯基膦、二苯基膦、三苯基膦、三苯基 膦三苯基硼烷、三苯基-膦_14_苯醌加成物等。咪唑化合物 之例子可不受限地包括2-曱基咪唑、2-苯基咪唑、2_胺基咪 唑、2-甲基-1-乙烯基咪唑、2_乙基_4_甲基咪唑、2_十七烷基 咪0坐4。删化合物之例子可不受限地包括四苯基鎮_四笨基 硼烷、三苯基膦四苯基硼烷、四苯基硼鹽、三氟硼烷正己 基胺、二氟硼烧單乙基胺、四氟删烧三乙基胺、四氟石朋烧 胺等。此外’可使用1,5-二氮雜二環[4.3.0]壬_5_烯(DBN)、 1，8-二氮雜二環[5·4·0]十一_7_烯(DBU)之鹽類，及酚清漆樹 脂鹽類。特別地，有機磷、胺或咪唑固化加速劑可單獨或 以其等之組合使用。固化加速劑亦可包括自與環氧樹脂或 固化劑反應而獲得之加成物。 以環氧樹脂组成物總重量為基準，固化加速劑可以 0.01至2重量％ ’較佳係仏⑽至^重量％，且更佳係0 05至1 重量％ ’之量存在。 矽烷偶合劑 用於包封半導體元件之環氧樹脂組成物可進一步包括 —偶合劑。此偶合劑可為一矽烷偶合劑。矽烷偶合劑不被 特別限制’只要其與環氧樹脂及無機填料反應而改良 環氧樹脂與無機填料間之界面強度。矽烷偶合劑之例子可 不党限地包括環氧矽烷、胺基矽烷、脲基矽烷、巯基矽烷 等’其可單獨或以其等之組合使用。 以環氧樹脂組成物總重量為基準，偶合劑可以1至5 13 201226465 重量％ ’較佳係〇·〇5至3重量％， 量存在。 且更佳係0· 1至2重量％ 之 此外，於未偏離本發明範圍，環氧樹脂組成物可進一 步包括添加劑。添加劑之例子可包括脫模劑，諸如，較高 脂肪酸、較高脂騎金屬鹽及g旨躐；著色劑，諸如，碳零、 有機染料，及無機染料’及應力釋放劑，諸如，經改質之 聚石夕氧油、聚>6夕氧粉末，及聚妙氧樹脂。 以環氧樹脂組成物總量為基準，脫模劑可以〇〇1至7重 量％，較佳係0.05至5重量％ ’且更佳係〇1至3重量％，之量 存在。 以環氧樹脂組成物總量為基準，著色劑係以〇〇1至7重 量％，較佳係0_05至5重量％，且更佳係〇1至3重量％，之量 存在。 經改質之聚矽氧油可為具有優異耐熱性之聚矽氧聚合 物。例如，以環氧樹脂組成物總重量為基準，具有一環氧 官能基基團之聚矽氧油、具有一胺官能基團之聚矽氧油、 具有一羧基官能基團之聚矽氧油，或其等之混合物可以 0_05至2重量％之量使用。於此範圍内，表面污染不會發生， 樹脂滲出不被擴大，且足夠低之模量可被獲得。 環氧樹脂組成物可使用上述組份藉由下列一般方法製 備 預疋組成物之組份係使用一 Henschel或Redige混合機 均勻且完全地混合。混合物於一輥磨機或一捏合機内熔融 捏合，冷卻，及研磨成粉未狀產物。 一種使用環氧樹脂組成物包封一半導體元件之方法包 201226465 括使用此環氧樹脂組成物包封具有—引線架之一 半導體元件，及固化此組成物。於包封此半導體元件… 般係使用低壓轉移模製，讀出成型或鑄造亦可被使用。 依據此方法，環氧樹脂組成物係附接至引線架，藉此，製 造具有經包封之半導體元件之-半導體元件。^架可包 括銅引線架，例如，一鍍銀之銅引線架、一鎳合金引線架 等。 為了使用’引線架可以含有錄及!巴之材料電鍛，然後， 以銀及金之至少一者電鑛。 其次，本發明之組態功能將參考下列範例作更詳細說 明。但疋’需瞭解本發明不限於例示範例’且可以各種不 同方式實施。 未被包括於此處之實施例可由熟習此項技藝者輕易認 知及瞭解，且其解釋被省略。 範例 範例1至6及比較例1至4使用之組份之詳情如下 (A)環氧樹脂 (al)酚芳烷基型環氧樹脂：NC-3000，Nippon Kayaku (a2)聯苯型環氧樹脂：YX-4000H，Japan Epoxy Resin (a3)鄰-曱酚清漆型環氧樹脂：EOCN-1020-55，Nippon Kayaku (B)固化劑 (bl)酚芳烷基型酚樹脂：HE200C-10，Airwater (b2)酚喊型酚樹脂：HE100C-10，Airwater 15 201226465 (C) 無機填料：具有14 μιη之平均顆粒直徑之石夕石 (D) 水紹土 . C-30 ’ Taimei Chemical (D) 風氧化紹.CL303，Sumitomo Chemical (E) 固化加速劑：三苯基膦，Hokko Chemical (F) 矽烷偶合劑：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基 石夕炫（ΚΜΒ-403，Shin Etsu Silicon) 範例1至6 組份係依據第1表中列示之組成物製備，且使用一 Henschel混合機均勻混合，藉此，製備一初步粉末產物。產 物係於ll〇°C之最大溫度使用一雙螺桿捏合機熔融捏合，然 後，冷卻及研磨，藉此，產生用於包封半導體元件之環氧 樹脂組成物。 環氧樹脂組成物之物理性質及可靠度係如下般評估。 每一環氧樹脂組成物之性質、阻燃性、可靠度，及可模製 性之測試結果係於第3表提供。 比較例1至4 與範例1至6相同之程序被實施，但組份係依據第2表中 之組成物混合。每一環氧樹脂組成物之性質、阻燃性、 可靠度，及可模製性之測試結果係於第4表提供。 <物理性質評估方法> 1.旋流 每一組成物之流動長度（單位：英吋)係使用一測量模具 及一轉移模製壓製機於175°C及70 kgf/cm2依據EMMI-1-66 測量。較高數值代表優異流動性。 16 201226465 2. 玻璃轉移溫度(Tg)
Tg係使用一熱機械分析機(TM A)於以5 °C /分鐘之速率 增加溫度時測量。 3. 導電性(ps/cm)
每一經固化之環氧樹脂組成物之一樣本使用一研磨機 研磨成100至400篩目之顆粒尺寸。2克± 0.2毫克之研磨樣 本置於一萃取瓶内’且添加80 cc之蒸餾水，其後於100oC 之爐内萃取24小時。然後，導電性使用萃取水之上層液測 量0 4. 撓曲強度及撓曲模量(kgf/mm2，於25°C) 一樣本(125 X 12.6 X 6·4 mm)係依據ASTM D-79〇製備 且於1750C固化4小時，其後，撓曲強度及撓曲模量係使用 一通用測試機器（UTM)於250C以3-點彎曲測量。 5. 阻燃性 阻燃性係使用具有1/8英吋厚度之一樣本依據^^^ V-0標準評估。 4 6. 可模製性 第1或2表中之每-環氧樹脂組成物係使用具有 機之多柱塞系統(MPS)K 175。(：轉移模製12〇秒，藉此，製 -叫型之多晶片封裝物(MCP，14 x 18 X L6咖)，: 中’四個半導體晶片係藉由一有機黏合膜上下堆叠。在’、 裝物接受於175。。之模製後固化(PMC)持續4小時了及：封 至室溫 '然後，計算以肉眼於封裴物表面上觀察到之孔:部 7·耐裂性(可靠度） ：：。 17 201226465 用於可模製性測試之封裝物於125°C乾燥24小時，然 後，接受5周期之熱銜擊測試（1周期意指封裝物係於_65。(： 留置10分鐘，於25°c持續5分鐘’且於15〇〇c持續1〇分鐘）。 其後，封裝物接受預調節，即，封裝物於85°C及85%之RH 留置168小時’然後’通過三次之於260°C之IR迴流1〇秒。 使用一非破壞性測試機，例如，掃瞄式聲波顯微術(SAT)， 評估裂縫之產生。此處’當裂縫發生時，其後1〇〇〇周期之 熱衝擊測試未被實施。當裂縫於預調節後未發生，1〇〇〇周 期之熱衝擊測试（1周期意指封裝物係於-65 °C留置1 〇分 鐘，於25。(：持續5分鐘’且於150°C持續10分鐘）係使用一溫 度周期測試機實施，且裂縫之發生係使用SAT評估。計算於 預調節或1000周期之熱衝擊測試後具有至少一裂縫之 半導體元件，且結果係顯示於第3及4表。 第1表 組份 (單位:重量％) 範例1 範例2 範例3 範例4 範例5 範例6 (A) (al) 2.39 2.17 2.59 0.72 0.48 0.92 (A) (a2) 3.59 3.26 3.89 4.08 2.65 5.24 (B) (bl) 1.93 1.75 2.09 0.6 0.4 0.77 (B) (b2) 2.89 2.62 3.13 3.40 2.27 4.37 (C) 87 84 87 80 73 87 (D) 1 5 0.1 10 20~~ '—----- 0.5 (D，） - - - - * (E) 」 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 (F) 0.4 0.4 0.4 0.4 04^ 0.4 碳黑 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 Camauba 敏 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 18 201226465 第2表 組份 (單位：重量％) 比較例1 比較範2 比較範3 比較範4 (A) (al) - - 0.65 0.54 ㈧ (a2) 3.86 3.1 5.81 4.82 ㈧ (a3) 1.74 - - - (B) (bl) - - - - (B) (b2) 4.91 2.7 5.34 4.44 (C) 87 70 87 84 (D) - 23 - - (〇') - - - 5 (E) 0.2 0.2 0.2 0.2 (F) 0.4 0.4 0.4 0,4 阻 燃 劑 溴化環氧 樹脂 0.29 - - - 三氧化銻 1 - - - 碳黑 0.3 0.3 0.3 0.3 Camauba 虫鼠 0.3 0.3 0.3 0.3 第3表 種類 範例1 範例2 範例3 範例4 範例5 範例6 旋流(英忖） 48 43 51 43 39 53 Tgfc) 118 115 120 113 110 115 導電性(邺/cm) 15 17 12 18 21 12 棱曲強度(kgf/mm2) 16 14 17 13 12 17 挽曲模量(kgf/mm2) 2429 2332 2445 2294 2112 2455 阻燒性 UL94V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 可模製 性 孔隙數 (視覺檢測） 0 0 0 0 1 0 測試半導體 元件總數量 3000 3000 3000 3000 3000 3000 可靠度 耐裂性 (熱衝擊測試） 裂縫數 0 0 0 0 0 0 測試半導體 元件總數量 3000 3000 3000 3000 3000 3000 19 201226465 第4表 種類 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 旋流(英叶） 48 36 54 41 Tg (°〇 121 109 114 112 導電性(埤/cm) 14 22 11 18 換曲強度(kgf/mm2) 17 1 10 16 14 撓曲模量(kgf/mm2) 2433 1965 2434 2297 阻燃性 UL 94 V-0 V-0 V-0 V-1 V-0 可模製性 孔隙數量 (視覺檢測） 0 38 0 1 測試半導體 元件之總數量 3000 3000 3000 3000 可靠度 财裂性 (熱衝擊測試） 裂縫數 1 3 0 2 測試半導體 元件總數量 3000 3000 3000 3000 如第3及4表所示，與依據比較例1至4之傳統 環氧樹脂組成物相比，依據範例丨至6之環氧樹脂組成物兔 足UL94 V_〇可燃性標準且亦展現優異可模製性及可靠度。 雖然前述之本發明實施例已參考附圖及表格作說明， 於此等實施例且可以各種不同型式實施。离 ΐΐΪΪίΪ會瞭解本發明可在未改變本發明之技術精利 不同於特別說明者實施。因此，需瞭解血 制的意味。、斤有方面係破認為係例^，且不應被認為有阳 【圖式簡單說明】 (無） 【主要元件符號說明】 (無） 20

Claims (1)

  1. 201226465 七、申請專利範圍： 1. 一種用於包封一半導體元件之環氧樹脂組成物，包含： 一環氧樹脂；一固化劑；一固化加速劑；無機填料；以 及一阻燃劑；其中，該阻燃劑包含以化學式1表示之 水鋁土，以環氧樹脂組成物之總重量為基準，該水鋁土 係以0.1至20重量％(wt%)之一含量存在： [化學式1] AIO(OH)。 2. 如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物，其中，該 水鋁土具有0.1至10 μιη之一平均顆粒直徑。 3. 如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物，其中，該 無機填料包含矽石。 4. 如申請專利範圍第3項之環氧樹脂組成物，其中，該 水鋁土對該矽石之一重量比率係1:3至1:900。 5. 如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物，其中，該環 氧樹脂組成物包含2至15重量％之該環氧樹脂，0.5至12 重量％之該固化劑，0.01至2重量％之該固化加速劑，70 至95重量％之該無機填料，及0.1至20重量％之該水鋁 土。 6. 如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物，其中，以該 環氧樹脂之總量為基準，該環氧樹脂包含10至90重量％ 之以化學式2表示之一環氧樹脂： 21 201226465 [化學式2]
    其中，η係從1至7之一整數。 7.如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物，其中，以該 固化劑之總量為基準，該固化劑包含10至90重量％之以 化學式4表示之一酌樹脂： [化學式4] OH ΟΗ
    其中，η係從1至7之整數。 8. —種包封一半導體元件之方法，該方法包含： 使用如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物包封具有 一引線架之一半導體元件；以及 固化該組成物。 9. 一種半導體元件，其係以如申請專利範圍第1項之 環氧樹脂組成物包封。 22 201226465 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（ ）圖。（無) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
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