201217264 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種石墨膜及其製造方法。 【先前技術】 石墨膜係作為散熱零件使用於搭載於電腦等各種電子 電氣設備之半導體元件或其他發熱零件等。將厚度為75 pm 之高分子膜於氣氣中升溫至1〇〇〇。(：為止，將所得之碳化膜 於氬氣環境中加熱至3000。(：為止，對所得之石墨化膜實施 輥軋處理，藉此可獲得機械強度優異，如圖丨所示具有柔軟 性之石墨膜（專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻日本公開專利公報「日本專利特表特開平 3-75211 號」 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 由石墨膜產生之石墨粉係使用於電子設備等之情形時， 污染設備内成為短路等之原因，故而改善此方面成為課題。 [解決問題之技術手段] 即’本發明包括以下發明。 ⑴-種石墨膜’其係將聚醯亞胺膜作為原料製造而成 者.上述聚醯亞胺膜係使作為酸二酐之PMDA/BPDA=80/20〜 5〇/5〇(莫耳比率）與作為二胺之〇DA/PDA=30/70〜90/10(莫 耳比率）進行反應所得者。 158222.doc 201217264 (2) 如（1)之石墨膜，其中上述酸二酐為PMDA/BPDA=70/30〜 60/40(莫耳比率），上述二胺為00入/?0八=40/60〜85/15(莫耳 比率）。 (3) —種石墨膜之製造方法，其包含如下步驟：對使作 為酸二酐（1)之PMDA/BPDA=80/20~50/50(莫耳比率）與作 為二胺（2)之ODA/PDA=30/70~90/10(莫耳比率）進行反應所 得之聚醯亞胺膜，於2600°C以上進行熱處理。 (4) 如（3)之石墨膜之製造方法，其中上述·聚醯亞胺膜係 使作為上述酸二肝（1)之PMDA/BPDA=70/30〜60/40(莫耳比 率）與作為上述二胺（2)之ODA/PDA=40/60~85/1 5(莫耳比 率）進行反應所得者。 (5) —種石墨膜，其係將聚醯亞胺膜作為原料製造而成 者：上述聚醯亞胺膜係使作為酸二酐之PMDA與作為二胺之 ODA/PDA=100/0〜80/20(莫耳比率）進行反應所得者。 (6) —種石墨膜之製造方法，其包含如下步驟：對使作 為酸二酐（1)之PMDA與作為二胺（2)之ODA/PDA=1〇〇/〇〜 80/20(莫耳比率）進行反應所得之聚醯亞胺膜，於26〇〇°C以 上進行熱處理。 (7) 如（1)、（2)、（5)之石墨膜，其中上述聚醯亞胺膜之厚 度為 5 μιη~125 μηι。 (8) 如（1)、（2)、（5)中任一項之石墨膜，其中石墨膜之厚 度為 5 μηι〜300 μηι。 (9) 如（1)、（2)、（5)中任一項之石墨膜，其中積層切割為 3 0 mm邊長之石墨膜與5〇 mm邊長之聚酿亞胺膜，於平台上 158222.doc 201217264 利用ISO/DIS2411所揭示之質量2kg之輥壓接，剝除石墨膜 後，聚醯亞胺膜上之長徑Ο.〗mm以上之石墨粉之個數未達3 個。 (10) 如(1)、(2)、（5)中任一項之石墨膜，其中石墨膜之 MIT耐彎曲試驗中之彎折次數為5〇〇〇次以上。 (11) 如（3)、（4)或（6)之石墨膜之製造方法，其中上述聚 醯亞胺膜之厚度為5 μηι〜125 μηι。 [發明之效果] 藉由本發明’可製造產生少量石墨粉之石墨膜。 ;本發明之其他㈣、特徵及優異點係可藉由以下所示之 S己載充分明白。又，本發明之優點係可根據參照隨附圖式 之以下說明明白。 【實施方式】 對本發明之實_態，町進行詳細㈣。再者，本說 明書t記載之非專敎獻及專歡獻全料為參考引用於 本^明書t。只要本說明書+不特別記載，表示數值範圍 」意扣A以上（包括A且大於a)B以下（包括B且小 ^明#、㈣適#選擇構成作為石墨膜之原料之聚酿亞 :酸二軒與二胺，可獲得產生少量石墨粉之石墨膜。 具體而言，藉士淑丄、，__ L下2種莫耳比構成之聚醢亞胺膜進 订‘、、、處理所得之石墨膜 胰具有掉奋叙少之待徵。以等莫耳調 配鮫二酐與二胺合成聚醯亞胺。 種石墨m ’其係將聚醯亞胺M作為原料製造而成 I58222.doc 201217264 者：聚醯亞胺膜包含酸二酐與二胺，上述酸二酐為均苯四 甲酸二酐（以下揭示為PMDA)，上述二胺為4,4，-二胺基二苯 醚（以下揭示為ODA)/對苯二胺（以下揭示為 PDA)=100/0〜80/20(莫耳比率）。若係如上所述之調配量，則 可獲得產生少量石墨粉之石墨膜。ODA/PDA之莫耳比率更 佳為 ODA/PDA=97/3〜83/27，尤佳為 ODA/PDA=95/5〜85/25， 進而可抑制石墨粉之產生。 (2) —種石墨膜，其係將聚醯亞胺膜作為原料製造而成 者：聚醯亞胺膜包含酸二酐與二胺，上述酸二酐為 卩1^0八/3,3|，4,4’-聯苯四曱酸二酐（以下揭示為3?0八)=80/20〜 50/50(莫耳比率），上述二胺為ODA/PDA=30/70〜90/10(莫耳 比率）。若係如上所述之調配量，貝|J可獲得具有柔軟性，產 生少量石墨粉之石墨膜。PMDA/BPDA之莫耳比率更佳為 PMDA/BPDA=75/25〜55/45，尤佳為 PMDA/BPDA=70/30〜 60/40，進而可獲得柔軟性優異，產生少量石墨粉之石墨 膜。ODA/PDA之莫耳比率更佳為 ODA/PDA=40/60~90/10， 尤佳為 ODA/PDA=50/50〜90/10 ’ 進而較佳為 ODA/PDA=40/60〜 85/15，更佳為〇DA/PDA=50/50~90/10。進而可抑制石墨粉 之產生，又，亦可提高耐彎曲性。 藉由變更本發明之聚醯亞胺之合成中使用之PMDA與 BPDA之混合比率，可調節聚醯亞胺膜之分子定向。若增加 苯環比率較高之BPDA之調配量，則可提高交叉方向之分子 定向性。 又，藉由變更本發明之聚醯亞胺之合成中使用之ODA與 158222.doc 201217264 PDA之混合比率，可調節聚醯亞胺膜之分子定向。若增加 不具有醚鍵且自由度較低之驗之調配量，則可提高交又 方向之刀子定向性。如此，ϋ由變更單體調配量，可控制 聚醢亞胺膜之分子定向，可調整作為表示高導熱性、柔軟 性且產生少$石墨粉之石墨膜之原料適合的聚醯亞胺膜。 猎由提高分子定向，可獲得容易發泡' 柔軟之石墨膜，但 即便提高分子定向’亦於熱處理中急劇進行石墨化而產生 容易自膜產生石墨粉之情形等不良情況，故而重要的是考 慮單體之調配量平衡·。 <聚醯亞胺膜之厚度> 並無特別限制，較佳 μηι以上75 μηι以下， 對於本發明之聚醯亞胺膜之厚度， 為5 μπι以上125 μηι以下，更佳為12 5 進而較佳為20 μηι以上45 μηι以下。若係5 以上，則完成 後之石墨膜之強度充分，故而成為表示耐彎曲性之石墨 膜。另一方面，若係125 μπι以下，則成為產生少量石墨粉 之石墨膜。再者，於聚醯亞胺膜之厚度較薄之情形時，有 可獲得產生少量石墨粉之石墨膜之傾向。另一方面，於聚 醯亞胺膜之厚度較厚之情形時，有可獲得耐彎曲性良好之 石墨膜之傾向。 〈石墨膜之製造方法〉 本發明之石墨膜之製造方法包含碳化步驟及石墨化步_ 驟。 <碳化步驟> 碳化係將作為起始物質之聚醯亞胺膜於減壓下或氮氣中 158222.doc 201217264 進行預備加熱處理而進行。該預備加熱係於室溫〜⑼代之 溫度下進行。作為碳化之熱處理溫度，最低亦必須為800。(： 以上’較佳為以上、更佳為議代以上進行熱處理對 於獲得柔軟性、熱擴散性優異之石墨而言較佳。亦可於升 溫階段，以起始高分子膜中不產生稽敵之方式，以不會引 起膜破裂之程度沿著膜之厚度方向施加壓力。 <石墨化步驟> 石墨化係亦可於將經碳化之聚醯亞胺膜取出-次後，轉 移到石墨化用爐後進行，亦可自碳化連續進行石墨化。石 墨，係於—減虔下或惰性氣體中進行，作為惰性氣體，適合 的是氬、氦。作為熱處理溫度，於議t以上較佳為漏 以上、進而較佳為290代以上為止進行處理即可。若執處 理溫度為2600eC以上，目丨丨可^〜'、 則了獲付柔軟性、熱擴散性優異且 石墨粉較少之石墨膜。 <碳化步驟、石墨化步驟之膜安放方法> 對於本發明之碳化步驟、石墨化步驟之膜安放方法，並 無特別限定’例如可列舉如圖2、圖3所示由碳質薄片夾住 -層或複數層之原料膜加以保持而進行熱處理之方法。 作為本發明之具有柔軟性之石墨膜之製造方法之更佳離 樣，較佳為將碳化步驟、石墨化步驟中安放之原料膜積層2 層以上之方法。 處如圖4所示亦可以將原料膜捲成圓筒狀之狀態進行熱 此處’碳質薄片可列舉東洋碳（股）公司製造之等向性石 158222.doc 201217264 墨薄片（商品名：IG-ll、iSEM_3等）、東洋碳（股）公司製造 之 c/c複合板（商品名：cx_26、CX 27等）、sec carb〇n(股） △司製造之擠壓石墨板（商品名：ρ%」2、pSG_332等）、東 洋碳（股）公司製造之膨服石,墨薄片（商品名：pERMA_F〇iL(等 級名：PF、PF-R2、PF-UHPL))等。 <本發明之熱處理中之溫度> 將本發明之熱處理中（碳化步驟、石墨化步驟）之溫度設 為加熱器中央之貫際溫度。就加熱器溫度而言，若係丨2⑽。^ 以下，則可使用熱電偶測定，若超過12〇〇它，則可使用輻 射溫度計測定。 <石墨膜之厚度> 對於本發明之;5墨膜之厚度，並無特別限制。石墨膜之 厚度較佳為5〜300 μηι，更佳為5〜4〇 μπι，進而較佳為ι〇〜2ι μιη。例如，若使用厚度為5叫以上⑵叫以下之範圍之聚 酸亞胺膜，則可獲得厚度為5 μιη~ι〇〇μιη之石墨膜，又若 使用厚度為12.5 μηι以上75 μηι以下之範圍之聚酿亞胺膜， 則可獲得厚度為5 μιη〜4()叫之石墨膜又若使用厚度為 、5 μΐΏ以下之範圍之聚酿亞胺膜，則可獲得厚度 為1 〇帅〜2 1㈣之石墨膜。若係該範圍内’則成為產生少^ 石墨粉之石墨膜’故較理想。再者，於石墨膜之厚度較薄 之清形時，有產生少量石墨粉之傾向。另-方面，於石墨 膜之厚度較厚之情形時’有耐彎曲性變好之傾向。 <聚醯亞胺膜與雙折射> 對於本發明中可❹之《亞胺膜之雙折射，並無特別 158222.doc 201217264 限制。雙折射較高之膜係容易獲得膜容易發泡且柔軟之石 墨膜，但亦存在亦容易產生石墨粉之問題。即便將雙折射 0’12以上尤其疋雙折射0.13以上、進而雙折射ο”以上之 聚醯亞胺獏用作原料膜，只要聚醯亞胺膜包含酸二酐與二 胺、上述酸二酐為PMDA/BPDA=8〇/2〇〜5〇/5〇(莫耳比率）、 上述二胺為〇DA/PDA=30/70〜90/10(莫耳比率），便可獲得具 有柔軟性、產生少量石墨粉之石墨膜。 <雙折射> 所謂雙折射，意指膜面内之任 °之折射率之差。雙折射之測定方法揭示於實施例-欄。 <聚醯亞胺膜之製作方法〉 作為轉明中使用之聚醯胺酸之製造方法，並無特別限 制，例如藉由將芳香族酸二肝與二胺以實質上等莫耳 ☆劑巾’並於經控制之溫度條件下料該有機溶 酸mat與二胺之聚合結束為止，從而可製造聚酿胺 作為聚合方法，並無特別限制，例如較佳為如 聚合方法（1)-(5卜 ^ 的〇)將芳香族二胺溶解於有機極性溶劑中，使其與 寺、耳之—方香族四曱酸二酐進行反應而聚合之方法。 ⑺使方香族四甲酸項和與此相對莫耳量過小之 二 合物於有機極性溶劑中進行反應，獲得兩末端具 二土之預聚物。接[以相對於芳香族 ： 為貫質上等莫耳之方式，使用芳香族二胺化合物進 158222.doc 201217264 與如下方法相同：使用二 上述酸二針之預聚物，㈣上：不:野而5成兩末端具有 進行反應而合成聚酿胺酸 不同之二胺與上述預聚物 ⑷吏芳香族四w二野和與此相對莫耳量過剩之芳香 =化合物於有機極性溶劑中進行反應 有=聚物。接著，於該預聚物中追加添加芳香族^ 成為實質上等莫耳之方式二广與方香族二胺化合物 合之方法。 ；使用方香族四甲酸二酐進行聚 7使料族四甲酸二1轉及以分散於 相對於該酸二奸成為實質上等莫耳之方式使:！ 方香叔一胺化合物進行聚合之方法。 (5)使貫質上等莫耳之芳香族四曱酸二 之混合物於有機極性溶”進行反應而聚合之方法胺 =之中’較佳為進行經由⑺、（3)所示之預聚物 ^ 。職«合物彼此之組合·嵌段^ =:之連接之控制)而聚合之方法。其原因二 聚醯亞= _大且線膨脹係數較心 導-性、柔，=胺膜進行熱處理，“獲得 等…f生柔权性優異之石墨。 <石墨臈之耐彎曲性> 石墨膜之贿耐f㈣財之料絲較 上。更佳為⑽嫩以上，進而較佳心_次^:上，= 158222.doc •II- 201217264 為100000次以上。若MIT耐彎曲試驗中之彎折次數為5〇〇〇 次以上，則操作時之破裂較少，故而其係優異之石墨膜。 再者，MIT耐彎曲試驗中之彎折次數係可根據下述實施例 所揭示之「石墨膜之MIT耐彎曲試驗」進行評價。 <薄物聚醯亞胺膜> 於聚醯亞胺膜之厚度較薄之情形時，存在使其發泡較困 難（難以賦予柔軟性）之問題。於該情形時，宜調整作為本發 明原料之聚醯亞胺膜之單體調配，而提高分子定向。然而， 於將提高分子定向之聚醯亞胺膜使用於原料中之情形時， 存在容易產生石墨粉之問題，針對該問題，本發明之抑制 石墨粉產生之方法亦有效。 聚醯亞胺膜之厚度之下限值較佳為5 μιη以上，較佳為7 μηι以上，更佳為10 μηι以上，進而較佳為2〇 以上，上限 值較佳為45 μηι以下，較佳為40 μιη以下，進而較佳為3〇 μηι 以下。即便於使用該下限值〜上限值之範圍内之聚醯亞胺膜 之情形時，只要聚醯亞胺膜包含酸二酐與二胺、上述酸二 酐為PMDA/BPDA=80/20〜50/50(莫耳比率）、上述二胺為 〇DA/PDA=3 0/70〜90/10(莫耳比率），便可獲得具有柔軟性、 產生少量石墨粉之石墨膜。 再者’上述上限值、下限值係可適當組合。 <加熱爐之有效加熱體積> 於使用50 μπι以上之高分子膜的石墨膜之製造方法中，於 獲知具有柔軟性之石墨膜之條件下，使用4 5 以下之高分 子膜’使用有效加熱體積為2 L以上之加熱爐之情形時，亦 158222.doc -12- 201217264 子在二法獲传具有柔軟性之石墨膜之問題。認為其原因在 ;右爐内有效體積增加，則爐内之鐵等金屬雜質濃度上 升，該金屬雜質會使石墨臈進行硬質化。 為表現柔軟性，通常進行變更原料之聚酿亞胺膜之組 成、提高分子定向之處理，但同時產生石墨膜之掉粉容易 產生之問題。本發明中使用之聚酿亞胺膜係不會產生石墨 臈之掉粉，而可賦予柔軟性。 因此，本發明係於所使用之加熱爐之有效加熱體積為2l 以上、進而30 L以上、尤其是5〇 L以上時，發揮效果。重 要的是有效加熱體積為2 L以上之加熱爐之要件。再者，所 謂加熱爐之有效加熱體積係指由隔熱材包圍之實質上經均 熱化之空間之體積。 又’本發明可包括以下態樣之發明。 (a) —種石墨膜，其係積層切割為3〇mm邊長之石墨膜與 50 mm邊長之聚醯亞胺膜’於平台上利用IS〇/Dls 24ιι所揭 不之質量2 kg之輥壓接，剝除石墨膜後，聚醯亞胺膜上之 長徑0.1 mm以上之石墨粉之個數未達2個者。 (b) 如（a)之石墨膜，其係將聚醯亞胺膜作為原料製造而 成者’聚醯亞胺膜包含酸二酐與二胺，上述酸二軒為 PMDA，上述二胺為〇DA/PDA=10〇/〇〜80/20(莫耳比率）。 (c) 如（a)之石墨膜，其係將聚醯亞胺膜作為原料製造而 成者’聚醯亞胺膜包含酸二酐與二胺，上述酸二肝為 PMDA/BPDA=80/20〜50/50(莫耳比率），上述二胺為 ODA/PDA=30/70〜90/10(莫耳比率）。 I58222.doc -13- 201217264 (d) —種石墨膜之製造方法，其係使用包含酸二酐（1)與 二胺（2)之聚醯亞胺膜於26〇〇〇c以上進行熱處理，其中酸二 酐⑴為PMDA、二胺⑺為ODA/PDA=1〇〇/〇〜8〇/2〇(莫耳比 率）。 (e) —種石墨膜之製造方法’其係使用包含酸二酐（1)與 二胺（2)之聚醯亞胺骐於26〇(rc以上進行熱處理，其中酸二 酐（1)為 PMDA/BPDA=80/20〜50/50(莫耳比率），二胺（2)為 00八/卩0八=3 0/70~90/1〇(莫耳比率）。 本發明並不限定於以上說明之各構成，可於說明書所揭 示之範圍内進行各種變更，將不同實施形態所分別揭示之 技術手段適當組合所得之實施形態亦包含於本發明之技術 範圍内。X，將本說明書中所揭示之文獻全部作為參考引 用。以下，藉由實施例，對本發明進行更詳細說明，但本 發明並不僅限定於相關實施例。 【實施例】 以下，對本發明之各個實施例與幾個比較例一併進行說 明。 <各種物性測定條件> <石墨膜之交又方向之熱擴散率測定> 石墨膜之交叉方向之熱擴散率係使用藉由光交流法之埶 擴散率測定裝置（ULVAC理工（股）公司製造之「Law Pit」）’於23°C之環境下，以1〇 Hz測定將石墨膜切割為4χ4〇 mm之形狀之樣品Q自薄片樣品之中央附近抽出3張試驗 片。積層複數張進行熱處理之樣品係測定正中央之膜之物 I58222.doc •14· 201217264 性。輥樣品係自圖5之卜2、3點抽出。丨係自石墨膜之捲取 之内側距離10 mm之中央附近，3係自外側距離1〇 mm之中 央附近’ 2係1與3之中間。所謂十央附近，若係瓜寬度為 200 „1„1捲取之輥，則指寬度1〇〇 mm附近。將使用3張試驗 片測定之熱擴散率之平均值揭示於表i。 <石墨膜之MIT耐彎曲試驗> 進行石墨膜之而耐彎曲試^自薄片#品之中央附近 抽出1.5 Cmx12 cmi試驗片3張。積層複數張進行熱處理之 樣品係測定正中央之膜之物性。輥樣品係自圖5之丨、2、3 點抽出。使用東洋精機（股）製造之贿耐揉疲勞試驗機型式 D，於試驗荷重1〇〇 gf(0_98 N)、速度9〇次/分鐘、彎折夾具 之曲率半徑R為2 _下進行。於抑之環境下，測定弯折 角度向左右90度切斷為止之料次數。使用3張試驗片 測定，將平均值揭示於表1。 <聚醯亞胺膜及石墨膜之面積之測定方法〉 部分（1〇〇 作為聚醯亞胺膜及石墨膜之面積之測定方法，以膜之 度與敎長度所得值之積進行預估。其中，對 測定聚醯亞胺膜及石墨膜之總重量，以與切割一 7 °°， mmXI00 mm)後之重量之比算出面積。 <聚醯亞胺膜及石墨膜之厚度之測定方法〉 作為聚酿亞胺膜及石墨膜之厚度之測定方法，於Ml 環境下使用厚度計（HEIDENHAIN(股）公司製1之 HEIDENHAIN-CERTO)測定。 衣 k ’ <聚醯亞胺膜之雙折射之測定方法> 158222.doc • J5- 201217264 聚醯亞胺膜之雙折射係使用Metricon公司製造之折射率 膜厚測定系統（型號：2010稜鏡耦合器）進行測定。測定係 於23°C之環境下使用波長594 nm之光源，於TE模式與了馗模 式下分別測定折射率，測定TE_TM之值作為雙折射。再者j 所謂上述「膜面内之任意方向X」，意指例如以膜形成時之 材料流動之方向為基準，如圖6所示，χ方向為面内之〇。方 向、45。方向、90。方向、135〇方向之任—方向。因此，測 定較佳為將樣品以0。方向、45。方向、90。方向、135。方向安 放於裝置，以各角度測定雙折射’將其平均作為雙折射記 載於表1。 <石墨膜之糟敵> 測定如圖7之石墨化處理後產生之石墨膜之褶皺之最大 長度。將可目測觀察之褶皺之最大長度為〇mm以上未達5爪⑺ 者a己載為A，將5 mm以上〜未達10爪爪者記載為B，將1〇 mm 以上未達20 mm者記载為C，將2〇 mm以上者記載為D。 <石墨膜之石墨掉粉> 測定自石墨化處理後之石墨膜產生之石墨粉之數量。積 層切割為30 mm邊長之石墨膜與5〇 mm邊長之聚醯亞胺膜 (Kaneka製聚醯亞胺膜Apicai AH : 50 μπι)，於平台上利用 ISO/DIS 2411所揭示之質量2 4之輥壓接，剝除石墨膜後， 將聚醯亞胺膜上之長徑〇.丨mm以上之石墨粉之個數未達2 個者記載為A，將2個以上未達3個者記載為A，，將3個以上 未達5個者記載為B，將5個以上未達10個者記載為c，將1〇 個以上者記載為D。 158222.doc 】6 201217264 <聚醯亞胺膜Α~Κ> [聚醯亞胺膜Α之製作方法] 於溶解有包含75莫耳％之ODA、25莫耳％之pda之二胺的 DMF(二甲基甲醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 式溶解包含100莫耳％之PMD A之酸二酐，獲得包含185 wt%之聚醯胺酸之溶液。一面冷卻該溶液，一面相對於聚 醯胺酸中所含之羧酸基，添加包含1當量之乙酸肝、丨當量 之異喹啉及DMF之醯亞胺化觸媒進行脫泡。接著，將該混 合溶液以乾燥後成為規定厚度之方式塗佈於鋁箔上。麵箱 上之混合溶液層係使用熱風烘箱、遠紅外線加熱器進行乾 燥。 表示完成厚度為75 μιη時之乾燥條件。鋁箔上之混合溶液 層係利用熱風烘箱於120eC下乾燥240秒，製成具有自樓性 之凝膝膜。將該凝膠膜自銘箔剝除’固定於框架。進而， 將凝膠膜在以下條件下階段性地加熱而使其乾燥：利用熱
風烘箱於120°C下30秒、275。(：下40秒、400°C下43秒、450°C 下50秒、以及利用遠紅外線加熱器於46〇»c下23秒。對於其 他厚度，與厚度成比例地調整煅燒時間。例如厚度為25 之膜之情形時’將鍛燒時間縮短設定為75 μπι時之1/3。 如此，製作厚度為25 μηι、37 μηι之2種聚醯亞胺膜Α(雙折 射均為0.143 ’線膨脹係數均。 [聚醯亞胺膜B之製作方法] 於溶解有包含90莫耳％之〇1)入、10莫耳％之？1)八之二胺的 DMF(二甲基曱醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 158222.doc -17· 201217264 式溶解包含100莫耳％2PMDA之酸二酐而製作聚醯胺酸， 除此以外，以與聚酿亞胺膜A相同之方式製作厚度為25 μιη、37 μιη之2種聚醯亞胺膜B(雙折射均為〇 122，線膨脹係 數均為 23.7xl(T6/°C )。 [聚醯亞胺膜C之製作方法] 於洛解有包含100莫耳％之〇D A之二胺的DMF(二甲基甲 醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方式溶解包含1〇〇 莫耳％2PMDA之酸二酐而製作聚醯胺酸，除此以外，以與 聚酿亞胺膜A相同之方式製作厚度為25 μηι、37 μηΐ22種聚 醯亞胺膜C(雙折射均為0.115，線膨脹係數均為 27.9xlO'6/°C ) ° [聚醯亞胺膜D之製作方法] 於溶解有包含4〇莫耳％之ODA、60莫耳％之pda之二胺的 DMF(二甲基曱醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 式溶解包含65莫耳％iPMDA、35莫耳％之BPDA之酸二酐 而製作聚醯胺酸，除此以外，以與聚醯亞胺膜A相同之方式 製作厚度為25 μιη、37 μηι之2種聚醯亞胺膜D(;雙折射均為 〇♦ 148，線膨脹係數均為16_8X 1 〇·V°c )。 [聚醯亞胺膜E之製作方法] 於溶解有包含85莫耳。/。之〇DA、15莫耳％之PDA之二胺的 DMF(二甲基曱醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 式溶解包含65莫耳％2PMDA、35莫耳％iBpDA之酸二酐 而製作聚醯胺酸，除此以外，以與聚醯亞胺膜A相同之方式 製作厚度為12.5、25、37、50、75 μηι之聚醯亞胺膜E(厚度 158222.doc •18- 201217264 為12.5 μϊη2雙折射0.150,厚度為25 μιη、37 μηι之雙折射 0.149’厚度為50μιη之雙折射〇·148，厚度為75)^之雙折射 0.147，線膨脹係數均為16.2><1〇_6/。〇。 [聚醯亞胺膜F之製作方法] 於溶解有包含25莫耳％之〇〇八、75莫耳❶/。之pDA之二胺的 DMF(二甲基曱醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 式溶解包含100莫耳％之PMDA之酸二酐而製作聚醯胺酸， 除此以外，以與聚醯亞胺膜八相同之方式製作厚度為25 μηι、37 μηι之2種聚醯亞胺膜F(雙折射均為〇 148，線膨脹係 數均為 16.9><10_6/。(：）》 [聚醯亞胺膜G之製作方法] 於溶解有包含80莫耳％之〇〇八、20莫耳％之PDA之二胺的 DMF(二曱基甲醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 式溶解包含100莫耳％之PMDA之酸二酐而製作聚醯胺酸， 除此以外’以與聚醯亞胺膜A相同之方式製作厚度為25 μιη、37 μιη之2種聚醯亞胺膜G(雙折射均為〇135，線膨脹係 數均為 22.6><10_6/。(：）。 [聚醯亞胺膜Η之製作方法] 於溶解有包含90莫耳％之〇DA、10莫耳％之PDA之二胺的 DMF(二曱基甲醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 式溶解包含65莫耳％2PMDA、35莫耳％2BPDA之酸二酐 而製作聚醯胺酸，除此以外，以與聚醯亞胺膜A相同之方式 製作厚度為25 μιη、37 μιη之2種聚醯亞胺膜Η(雙折射均為 〇·149，線膨脹係數均為^^⑺力它）。 158222.doc •19· 201217264 [聚醯亞胺膜i之製作方法] 於溶解有包含30莫耳％2〇DA、70莫耳％之PDA之二胺的 DMF(二甲基甲醢胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 式溶解包含65莫耳％之PMDA、35莫耳％之BPDA之酸二酐 而製作聚醯胺酸，除此以外，以與聚醯亞胺膜A相同之方式 製作厚度為25 μηι、37 μηι之2種聚醯亞胺膜1(雙折射均為 0.148，線膨脹係數均為16.8xlO_6/°C )。 [聚醯亞胺膜J之製作方法] 於溶解有包含85莫耳％之ODA、15莫耳％之PDA之二胺的 DMF(二曱基甲醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 式溶解包含80莫耳％之PMDA、20莫耳％iBPDA之酸二酐 而製作聚醯胺酸，除此以外，以與聚醯亞胺膜A相同之方式 製作厚度為25 μηι、37 μιη之2種聚醯亞胺膜J(雙折射均為 0.134，線膨脹係數均為20.1xl0_6/°C )。 [聚醯亞胺膜K之製作方法] 於溶解有包含85莫耳％之ODA、15莫耳％之PDA之二胺的 DMF(二甲基甲醯胺）溶液中，以與二胺成為等莫耳量之方 式溶解包含50莫耳％iPMDA、50莫耳％之BPDA之酸二酐 而製作聚醯胺酸，除此以外，以與聚醯亞胺膜A相同之方式 製作厚度為25 μηι、37 μιη之2種聚醯亞胺膜J(雙折射均為 0.153，線膨脹係數均為15_9xl0_6/°C )。 (實施例1) 將尺寸200 mmx200 mm、厚度25 μιη之聚酿亞胺膜 Β(ΡΙ(Β))直接拉齊5張端部而進行積層，並由尺寸220 158222.doc -20- 201217264 mmx220 mm之石墨薄片夾持（交替地積層聚醯亞胺膜5張與 石墨薄片）’使用有效加熱體積為70L之電爐，於氮氣環境 下以2°C /min之升溫速度升溫至1〇〇〇艽為止後，於1〇〇〇β(：下 熱處理1小時而進行碳化。 其後，以厚度方向之壓力成為20 g/cm2之方式，上面放置 尺寸220 mmx220 mm、重量5.12Kg之石墨板，使用石墨化 爐，1400C〜2200C之溫度區域在5〇 Pa以下之減壓下（利用 派藍尼真空計測定）高於2 2 0 0 °C之溫度區域係於氬氣環境 下，以石墨化升溫速度2.5°C/min升溫至2900。(：（石墨化最高 温度）為止後，於290(TC下保持30分鐘而製作石墨膜。此處 使用之石墨化爐之有效加熱體積為7〇 L。 將所得之180 mmxl80 mm之膜！張，由尺寸2〇〇 mmx2〇〇 mmx厚度400 μηι之PET膜夾持，使用壓縮成型機實施壓縮 處理。使施加之壓力為1〇 MPa。對厚度為37 μπι之聚醯亞胺 膜Β，亦實施相同之實驗。 (實施例2) 將厚度為25 μιη之聚醯亞胺膜c(pi(c))使用於原料，除此 以外，以與實施例1相同之方式製作石墨膜。對厚度為37 之聚醯亞胺膜C，亦實施相同之實驗。 (實施例3) 將厚度為37μιη之聚醯亞胺膜D(pi(D))使用於原料，除此 以外，以與實施例1相同之方式製作石墨膜。對厚度為25 pm 之聚醯亞胺膜D，亦實施相同之實驗。 (貫施例4) 158222.doc •21 - 201217264 將厚度為37 μιη之聚醯亞胺膜E(PI(E乃使用於原料，κ此 以外，以與實施例i相同之方式製作石墨膜。對厚度為12 $ μπι、25μηι、50μιη、75μιη之聚醯亞胺膜E，亦實施相同之 實驗。 (實施例5) 將厚度為25 μιη之聚醯亞胺膜G(PI(G))使用於原料，除此 以外，以與貫施例2相同之方式製作石墨膜。對厚度為π卩爪 之聚醯亞胺膜G，亦實施相同之實驗。 (實施例6) 將厚度為37μιη之聚醯亞胺膜Η(ρι(Η))使用於原料，除此 以外，以與實施例1相同之方式製作石墨膜。對厚度為U 之聚醯亞胺膜Η，亦實施相同之實驗。 (實施例7) 將厚度為37 μιη之聚醯亞胺膜Ι(ρι⑴）使用於原料，除此以 外’以與實施例丨相同之方式製作石墨膜。對厚度為25㈣ 之聚酿亞胺膜I，亦實施相同之實驗。 (實施例8) 將厚度為37 μηι之聚醯亞胺膜J(pi(J))使用於原料，除此 以外’以與實施例14目同之方式製作S $膜。對厚度為25_ 之聚醯亞胺膜J，亦實施相同之實驗。 (實施例9) 將厚度為37 μιη之聚酿亞胺膜κ(ρι(κ))使用於原料，除此 以外，以與貫施例1相同之方式製作石,墨膜。對厚度為25㈣ 之聚醯亞胺膜Κ，亦實施相同之實驗。 158222.doc •22· 201217264 (比較例1) 將厚度為25 pm之聚酿亞胺膜Α(ρι(Α))使用於原料 以外，以與實施例丨相同之方式製作石墨膜。對厚度為3除此 之聚醯亞胺膜A，亦實施相同之實驗。 又7 μιη (比較例2) 將厚度為25叫之聚酿亞胺膜F(pi(F))使用於原料， 以外’以與實施例1相同之方式製作石墨膜。對厚度為37于_ 之聚醯亞胺膜F，亦實施相同之實驗。 μ (參考例1) 除此以外，以與實施 使用有效加熱體積為丨.5 L之電爐 例2相同之方式製作石墨膜。 (參4例2) 除此以外，以與實施 使用有效加熱體積為1_5 L之電爐 例4相同之方式製作石墨膜。 下將所侍之聚醯亞胺臈之製作方法、各種物性及石 墨膜之物性總結於表工。 [表1] 158222.doc 23· 201217264 石墨膜之物性 熱擴 散率 (cm2/s) cn 00 <N 00 〇6 (N οό VO 00 oo Γ ΟΟ Ό 00 VO oo oo 寸 οό 00 〇6 PO 00 (N 00 石墨粉 掉落 < < < < < < < < < < < CQ CQ Q Q 褶皺 U CQ 〇 U U CQ CQ < < < < < < < < | 6734 I 7908 r^) | 379933 | | 495872 1 Γ 89367 | | 504289 | | 768334 I [108947 | 1 39874 1 | 239435 1 | 284783 1 | 108934 1 238940 耐彎曲性 (次） >5000 | i >5000 Ο o V | >100000 | >100000 | >50000 | | >500000 | | >500000 ! >100000 | 1 >10000 ! | >100000 1 >100000 i | >100000 I >100000 : S1 〇 卜 ο 卜 o 卜 in o 卜 o 卜 o 卜 聚醞亞胺膜 雙折射 i 0.122 | 0.122 1 0.115 1 | 0.115 1 | 0.148 1 | 0.148 1 | 0.150 1 | 0.149 | | 0.149 1 | 0.148 | 1 0.147 1 | 0.143 1 0.143 | 「0.148 1 0.148 厚度 (μπι) 1_ V-J oi (N 卜 m PDA 對苯二胺 〇 1 § CN JO 0DA 4，-二胺基二笨醚 § Ο o Ό oo JQ fN 酸二酐 BPDA 3,3\4,札聯笨四甲酸二酐 1 I m Ό m 1 1 PMDA 均笨四曱酸二酐 〇 Ο v〇 V) v〇 〇 〇 i種類 PI(B) PI(C) PI(D) PI(E) PI(A) PI(F) 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1 ! 比較例2 m 00 (N 00 tn oo 寸 οό ro 00 (S 00 oo v〇 00 00 m οό '< < < < < < < < < < < < PQ < < CO DD < CQ < 100089 | | 138976 | 1 418941 46765 1 388873 1 | 418998 | [8938 | | 9453 | | 512349 1 1 753923 1 >100000 | I >100000 | 丨 >10000 >10000 1 >100000 1 >100000 [>50000 | >50000 I >500000 | 1 >500000 1 o 卜 o 卜 ο 卜 〇 卜 o 卜 0.135 | | 0.135 1 I 0.149 1 0.149 1 0.148 1 | 0.148 | [0.134 | | 0.134 1 「0.153 | 1 0.153 1 (N 卜 ΓΟ yr) (N 卜 V-J (N in (N o 〇 g § 00 • yn ro o wo \D «〇 PI(G) PI(H) PI(I) PI(J) PI(K) 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 CM οό 'O 00 < < U < 38784 | 879376 | >10000 >500000 卜 1-— 卜 0.115 | 0.149 I P； 5 I yn 〇 00 1 ro 〇 VO 1 Pi(C) I 1 PI(E) I |參考例i | |參考例2 1 158222.doc -24- 201217264 <結果> 將實施例1~實施例9、比較例1〜比較例2進行比較。 於實施例1、實施例2、實施例5中，原料之聚醯亞胺膜係調 配作為酸二酐之PMDA、作為二胺之ODA/PDA=100/0〜80/20， 故而可獲得產生少量石墨粉之石墨膜。於實施例1、5中， 調配不具有醚鍵且自由度較低之PDA而使向聚醯亞胺膜交 叉方向之定向性高於實施例2，故而可獲得MIT試驗為5000 次以上且具有柔軟性之石墨膜。又，於實施例1中，與實施 例5相比PDA之調配量適量，故而可獲得產生非常少量石墨 粉之石墨膜》 於實施例3、實施例4、實施例6〜實施例9中，原料之聚醯 亞胺膜係調配PMDA/BPDA=80/20〜50/50、作為二胺之 ODA/PDA=30/70〜90/10，故而可獲得產生少量石墨粉之石 墨膜。又，亦調配有提高聚醯亞胺膜之交叉方向之定向性 的BPDA、PDA，故而可獲得膜進行發泡且柔軟性非常優異 之石墨膜。尤其是，於PDA之調配量少至ODA/PDA=85/15 之實施例4中，可獲得MIT試驗為500000次以上且柔軟性非 常優異之石墨膜。於實施例3中，雖然PDA之比率較高，但 BPDA之比率亦較高，故而認為產生少量石墨粉。 另一方面，於比較例1、2中，雖然可獲得具有柔軟性之 石墨膜，但因作為二胺之PDA之比率太高，故而如圖8所示 產生大量石墨粉。尤其是，於比較例2中，因ODA/PDA=25/75 及PDA比率較高，故而產生大量石墨粉。 將實施例3、實施例4、實施例6〜實施例9、比較例2進行 158222.doc 25· 201217264 比較。於實施例3、實施例4、實施例6〜實施例9、比較例2 中’因原料聚醢亞胺膜表示較高之雙折射，故而雖然可獲 得柔軟性優異之石墨膜，但僅於比較例2中產生大量石墨粉。 根據此情況，亦可知只要係以PMDA/BPDA=80/20〜50/50、 作為一胺之〇DA/PDA=30/70〜90/10之平衡調配而提高雙折 射的聚醯亞胺膜，便可獲得不產生石墨粉且柔軟之石墨膜。 考察各實施例、比較例之原料膜之厚度之不同所引起之 結果《於各實施例、比較例中，若原料厚度為25 pm、37 ， 則結果幾乎不存在不同。當觀察實施例4之12 5 pm、25 μηι、37 μπι、50 μιη、75 μιη之厚度依存時，可知尤其是厚 度為25 μϊη、37μπι者可獲得不產生石墨粉且柔軟之石墨膜。 將實施例2、實施例4、參考例丨、參考例2進行比較。於 使用有效加熱體積為1.5 L之電爐之參考例1、參考例2中， 可獲得彎曲次數均為10000次以上之柔軟之石墨膜。另一方 面，於使用有效加熱體積為70 L之電爐之實施例2、實施例 4中尤其疋貫施例2之柔軟性非常差。如此，於使用4 以下之高分子膜且使用有效加熱體積為2 L以上之加熱爐 之情形時，存在無法獲得具有柔軟性之石墨膜之問題，相 對於該問題，如本發明般，藉由變更單體調配比率而獲得 柔軟之石墨膜。 [產業上之可利用性] 根據本發明，可獲得產生少量石墨粉之石墨膜。因此， 例如可作為散熱零件等各種電子.電氣設備材料利用於搭 載於電腦等各種電子.電氣設備之半導體元件或其他發熱 158222.doc -26· 201217264 零件等。 【圖式簡單說明】 圖1係可賦予柔軟性之石墨膜之彎折。 圖2係交替地積層一層之原料膜與碳質薄片。 圖3係交替地積層複數層之原料膜與碳質薄片。 圖4係輥狀下之石墨化步驟。 圖5係石墨膜之物性測定之樣品採集場所。 圖6係雙折射測定之樣品之角度。 圖7係石墨膜中產生之褶皺。 圖8係產生石墨粉之石墨膜。 【主要元件符號說明】 11 柔軟 31 碳質薄片 32 原料膜 71 捲取之内側 72 捲取之外側 81 〇度 82 45度 83 90度 84 135度 158222.doc -27-