201214848 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種鋰二次電池用之負極活性材料及鐘二 次電池用之負極。 【先前技術】 傳統已知鋰二次電池包含一使用碳材諸如石墨作為負極 活性材料的負極’一使用含鋰化合物諸如氧化鈷的正極， 及插置在該等正極與負極間作為電解液之链鹽諸如Lipp6。 於鋰二次電池中，於電池充電期間鋰離子係吸收在負極活 性材料中’及於電池放電期間’ II離子係從負極活性材料 中釋放。 近年來，此型鋰二次電池作為電動車的電源引人注目。 但目前廣泛使用的負極活性材料石墨只具有372毫安典小 時/克(mAh/g)之理論電容，而期望能具有更高電容。因此理 由故，晚近已經積極從事研究預期具有高電容的金屬材料 諸如矽及錫來作為含碳負極活性材料的替代材料。 但石夕及錫隨著鐘離子的吸收與釋放造成大量體積膨服與 收縮。膨脹與㈣應力引發#及錫粒子破裂或從集電器分 離，及回收再利用特性亦即當重複充放電時的電容保持特 性降級的問題。 至於對治措施，專利文件旧述具有大量石夕核被以紹老 (A1-C〇)為主之合金基體所包_結構之負極活性材料可釋 100135466 4 201214848 放膨脹與收縮應力，藉此改良回收再利用特性。 專利文件 1 : JP-A-2009-32644 但習知技術具有下述各點進一步改良的空間。亦即，於 具有矽核被以Al-Co為主之合金基體所包圍的結構之負極 活性材料中，觀察得回收再利用特性改良，但難以提升活 性材料之利用率。 鋁合金具有若干鋰活性，但不可視為鋁合金充分扮演作 為鋰擴散路徑的角色，活性材料之利用率相對於其理論電 容活性材料之初放電電容/理論電容xlOO)減低。即便在選 用銅作為基體之情況下也可能出現此類現象。 【發明内容】 签於上述而完成本發明，本發明之目的係提供一種可達 成活性材料之利科相對於其理論電容改良及回收再利用 特性改良二者_二次電池用之負極活性材料，及使用該 活性材料之鋰二次電池用之負極。 為了達成前述目的，本發明提供一種鋰二次電池用之負 極活性材料’錢财含自·至65%質量比切之喊、 且具有二相基體結構，該二相基體結構包含具有观質量比 或以上之錫含量的以Sn_Cu為主之合金基 為主之合金基體的销晶，及結晶化因而至少部純 盍该4矽微晶的以Si-X為主之合金， 其中X為選自於鐵、鎳及財之至少一種元素且係以1% 100135466 201214848 質量比或以上之量添加於該以⑽為主之合金中。 於該鐘二次電池用之負極活性材料中，較佳該以似為主 之合金係以25%或以上之覆蓋率覆蓋該等额晶。 此外，於該經二次電池用之負極活性材料中，該添加於 以s卜X為主之合金之x量總計為3%至15%質量比。 、較佳雜二次電池狀貞極活性材料係藉液體冷激法製 刖 本發明也提供一種包括 料之鋰二次電池用之負極 述鋰二次電池用之負極活性 材 於依據本發明之鋰二次電池用之負極活性材料中，石夕微 晶係分散於以Sn偶主之合金基體。此項組成可同時達成 活性材料之利科相對於其理論電容改良及时再利用特 性改良。如此推定係由於下列理由故。 以紹為主之合金及銅罕見地吸收鐘。因此當其用在包圍 石夕微晶之合金基體之情況下，合金基财的_散路徑減 少。結果，將與魄應之㈣主要為存在粉末表面上的石夕， 而在粉末㈣產生;^與贿應_，結果導致活性材料之 利用率的減低。 另-方面’雖然電容低，但以Sn_Cu為主之合金吸收鋰。 因此:當以Sn_Cu為主之合金用在包圍石夕微晶的合金基體 時，變成容易確保經於合金基體之擴散路徑。因此，依據 本發明種二次電池用之負極活性材料可以改良活性材料 100135466 6 201214848 之利用率相對於其理論電容。 以鋁為主之合金及元素銅罕見地吸收鋰。因此當其用在 包圍矽微晶之合金基體之情況下，合金基體本身的膨脹 小。因此理由故，基體無法耐受矽的膨脹應力而坍塌，使 得其難以更一進步改良回收再利用特性。另一方面，雖然 電容低，但以Sn-Cu為主之合金吸收鋰，使得其基體也略微 膨脹。因此理由故，當以Sn-Cu為主之合金用在包圍矽微晶 的合金基體時，合金係與矽同時膨脹，如此使得其容易鬆 弛矽的膨脹應力，且使其容易控制坍塌。因此，依據本發 明之鋰二次電池用之負極活性材料可以改良回收再利用特 性。 此處當以Sn-Cu為主之合金基體中之錫量為50%質量比或 以上時，前述效果特別高。 此外，當以Si-X為主之合金(其中X表示選自於鐵、鎳及鈷 中之至少一種元素）係於至少部分覆蓋矽微晶之狀態結晶 時，除了包圍矽微晶的以Sn-Cu為主之合金基體坍塌外，矽 的坍塌可藉以Si-X為主之合金加以抑制，故可更進一步改良 回收再利用特性。 推定回收再利用特性之更進一步改良係藉以Si-X為主之 合金處在至少部分覆蓋以Sn-Cu為主之合金基體中的矽微 晶之狀態下結晶化而獲得的理由說明如下。 以Si-X為主之合金是一種罕見吸收鋰之相，及部分覆蓋矽 100135466 7 201214848 微晶之以Si.x為主之合金阻止领晶的膨服。 =_塌係受到，微晶之膨脹藉以μ為主之合金 Γ制作用及”微晶之膨脹應力藉以Sn-Cu為主之合金 基體的fe弛作用而有效地永 再利用特性。抑制'Μ可更進-步改良回收 本發明之經二次電池収負極讀材料具有含曹。質量 比或m㈣之組成。此種組成可確保活性材料具有大的 初放電電容。 另方面本發明之鐘二次電池用之負極活性材料具有 含65%質量比或以下⑽之組成。切含量係大於㈣質量 比時，基體量係_含量之增加而減少，及藉基體作用對 回收再利用特性的改良效果減低。 因此理由故，依據本發明，石夕係以3〇%至㈣質量比之量 含在活性材料。 於本發明之鐘一次電池用之負極活性材料中，較佳石夕微 晶受以Si-X為主之合金之覆蓋率為25%或以上，原因在於如 此使得顯現因以Si-X為主之合金而充分提高回收再利用特 性的效果。 於此種情況下，當於以Si-X為主之合金中之χ添加量總計 為3%或以上時變成容易獲得25%或以上之覆蓋率。 另一方面，當X之添加量係超過15。/。時，呈矽單相而存在 的矽量可能減低，而放電電容減低。 100135466 8 201214848 當經二次電池用之負極活性材料係藉液體冷激法製造 時，藉由考慮諸如熔點及自由能等因素，矽、以Si_x為主之 合金、及以Sn-C_主之合金係透過熔解而循序地結晶化。 如此使得其容易形成前述二相基體結構，此處以Si-X為主之
合金及以Sn-Cu為主之合金係環繞秒微晶而存在，此乃本發 明之特性結構。 X 本發明之鐘二次電池用之負極活性材料係採用前文描述 之链一人笔池用之負極活性材料，因此可同時達成活性材 料之利用率相對於其理論電容改良及回收再利用特性改 良。 【實施方式】 後文將以細節描述依據本發明之具體例’ 一種鋰二次電 池用之負極活性材料(後文稱作為「負極活性材料」）及使用 该負極活性材料之鋰二次電池用之負極（後文稱作為「負 極」）0 1·負極活性材料 百先描述負極活性材料之組成。負極活性材料為一種用 於鐘一次電池諸如轉子二次電池或絲合物二次電池之 負極之材料。 負極活性材料包括頻晶、以Sn-Cu為主之合金基體及 Si X為主之合金。$負極活性材料具有其中大量梦微晶分散 於以Sn Cu為主之合金基體之結構。更明確言之，大量微晶 100135466 9 201214848 係被周圍以Sn-Cu為主之合金基體所包圍。 於負極活性材料$，⑦微晶為主要含梦之一相 。從鋰吸 收里變大的觀點’石夕微晶較佳係由石夕單相所組成。無法避 免的雜質可含在矽微晶。 石夕微晶之形狀並無特殊限制。輪廓外型可能相當均一， 也可能不規則。此外，個別石夕微晶可彼此隔開，但也可彼 此部分連結。 有關矽微晶之大小，其上限較佳為1微米或以下，更佳為 700奈米或以下，及又更佳為3〇〇奈米或以下。矽尺寸細小， 因此容易減少石夕的破裂，使得其容易促成回收再利用特性 的改良。 隨著尺寸的縮小，矽微晶變得更佳。較佳矽微晶尺寸之 下限並無特殊限制。但從例如矽被氧化能力減低之觀點， 其下限較佳為50奈米或以上。 石夕微晶之大小為經由測量選擇性地選自負極活性材料之 微結構相片（一個視野）的2 0顆矽微晶測量所得矽微晶大小 之平均值。 負極活性材料係以3〇〇/。至65%質量比及較佳40%至50%質 量比之量含有石夕。 當矽含量為30%或以上時，變成容易達成800毫安小時/ 克(mAh/g)或以上之放電電容，此乃初放電電容之目標值。 此外’當矽含量為40%或以上時，變成容易達成1,1〇〇 mAh/g 100135466 10 201214848 或以上之放電電容，其又為更期望之放電電容。 另方面以Sn-cu為主之合金基體之含量較佳係鳩至 69%質量比’及更佳為35%至抓質量比。若石夕含量極低， 則負極活性材料之電容減低，作為石墨之替储 變小。另一方面，切含量極大時W為主之合2 體之含量相對減少，抑制石夕微晶漲縮的效果減低。當石夕及 以Sn-Cu為主之合金基體之含量係於前述範圍時，回: 用特性之改良效果與高電容間之平衡優異。 於負極活性材料中，組成基體之以Sn-Cu為主之人金且右 裡活性及含有_為第—子元素。「具有絲 ^ 即便單獨以⑽為主之合金可與鐘反應而形二 物。本發明中，由於組成基體之以W為主之合全二 活性，故鋰容易到達基體内側 八有鋰 /m晶。此外，以s Γ 主之合金:贿性係小於㈣活性。因此，以心 之合金適當地膨脹，但不會如同 … 抑制_。 μ”般膨脹，如此容易 以Sn-Cu為主之合金更可含有鋼以外之子元 一者。此外’以Sn_CU為主之合金可含有無法避免的雜/ 銅以外之子元素實例包括長週期，表中2錢元素、# 7G素、3B族兀素、及4B族元素。兮 ^ S H少去”人以子兀素可單獨含有或 有主之合 括Sn-Cu合金(二元系），及Sn_Cu-Al 、特例包
Sn-Cu-In、Sn-Cu-Sb、 100135466 11 201214848
Sn-Cu-Zn、Sn-Cu-Mn及Sn-Cu-Mo合金(三元系）。其中，從 適當鋰活性及膨脹、矽膨脹應力的容易鬆弛、傳導係數等 觀點，以Sn-Cu合金(二元系）或Sn-Cu_A1合金(三元系）為佳。 錫元素可單獨含於組成該等基體之合金中。 要求以Sn-Cu為主之合金基體之矽含量為5〇%質量比或以 上，較佳55%質量比或以上，及更佳6〇%質量比或以上。原 因在於此種含量容易促成活性材料利用率改良至理論電容 且負極活性材料之安定性改良。另一方面，當錫含量超過 95%質量比時，特性之改良效果傾向於相當減低。因此理由 故，以Sn-Cu為主之合金基體較佳係以95%質量比或以下之 量含有矽。 於負極活性材料中，以Si-X為主之合金係於至少部分覆蓋 矽微晶之狀態下結晶化。以Si_x為主之合金結晶化，使得其 除了抑制環繞矽微晶之以Sn-Cu為主之合金基體坍塌之 外，也可藉以Si-X為主之合金抑制矽的坍塌，且可更進一步 改良回收再利用特性。 本發明中，從容易環繞矽微晶形成以si_x為主之合金及抑 制矽坍塌之效果大的觀點，組成以Si_x為主之合金之元素X 較佳為過渡金屬元素諸如Fe、Ni或Co。 此等元素可單獨或呈兩種或多種元素之混合物而含有。 其中，從鐵可促成負極活性材料之成本降低之觀點，可特 佳選用鐵。以Si-X為主之合金可能含有無法避免的雜質。 100135466 12 201214848 矽粒子坍塌之 於以Si-X為主 本發明中，就獲得藉以Si-X為主之合金抑制 效果而言，X係以1〇/。質量比或以上之數量添加 之合金。 以以為主之合金覆蓋傾晶之覆蓋率較佳為挪或 以上。當覆蓋率小於25%時，難以獲得藉以&4為主之合金 抑制梦粒子明塌的充分效果。 〃 另一方面，當覆蓋率過高時，矽利用率減低，結果導致 電容減低。因此覆蓋率期望為95%或以下。 此種情況下，組成以Si-X為主之合金之乂元素之含量較佳 為3%至15%質罝比。當X之含量小時，難以獲得前述期望之 覆蓋率’且難以具有藉以Si-X為主之合金抑制矽粒子坍塌之 效果，結果導致回收再利用特性減低。另—方面，去 田从bl·入 為主之合金之δ畺過大時，石夕微晶之數量相對減少，從以 Si-X為主之合金暴露的石夕微晶之暴露面積相對減少。結果石夕 之利用率減低，結果導致電容減低。當χ含量係於前述範圍 時’改良回收再利㈣性之效果與高電容間之平衡優異。 負極活性材料之形狀並無特殊限制。其形狀特例包括雪 花片及粉末形式。從容易應用於負極製造之觀點，以粉= 形式為佳。貞極#性材料可分散於適當溶劑内。 有關負極活性材料之尺寸，其上限較佳為75微米或以 下，更佳為5〇微米或以下，及又更佳為25微米或以下。合 粒子直㈣大時，轉叫餘时材料㈣，及^ 100135466 201214848 料相對於理論值電容之利用率傾向於減低。此外，考慮鋰 擴散路徑變長，輸入-輸出特性減低。 另一方面，有關負極活性材料之大小，其下限較佳為1〇〇 奈米或以上，更佳為500奈米或以上，及又更佳為丨微米或 以上。當粒子直徑過小時，粒子容易被氧化，結果導致電 容的減低及不可逆電容的增加。 負極活性材料之尺寸可使用雷射繞射/散射型粒徑分布測 量設備測量。 其次，負㈣性材料之製造方妓明如τ。貞極活性材 料之製造方法包含—種方法包含冷激含有至少.& 及X(其中X為選自於Fe、Ni及CQ中之至少—種元素)之溶融 合金來形成冷激合金之步驟。兄下，㈣合金可含 有需要元素以外之其它添加元素。 於所得冷激合金並非粉末形式或期望具有小型粒徑時， 可增加使_當祕裝置綠化冷激合金_彡成粉末之步 驟。！^若有所需’可增加所得冷激合金接受分類處理 來控制適當粒徑之步驟。 方法中’例如經由稱重各種原料來達到給定 使用嶋置諸如電弧爐、高頻感應爐或 加熱爐w解各個已稱重的補，特财獲得騎合金。 冷;=炫μ。金之方法之特定實例包括液體冷激法，諸如 親快速冷妓(單_料㈣、雙_速转料)及霧化 100135466 14 201214848 法（氣體霧化法、水霧化法、離心霧化法等）。從改良生產力 觀點，較佳使用氣體霧化法。從溶液獲得前述微結構之觀 點，熔融合金之最大冷激率較佳為l〇3K/sec或以上，及更佳 為106 K/sec或以上。 於使用含有至少Si、Sn、Cu及X之炫融合金製造負極活性 材料之情況下，較佳使用下列特定方法。 於施加霧化法之情況下，高壓氣體(例如丨至1〇 Mpa)諸如 氮氣(N2)、氬氣(Ar)|氦氣(He)注入導入至霧化室内之炫％ 合金及連續地(棒狀)向下降落，該溶融合金於粉化時冷 冷卻後的溶融合金趨近於球體狀，同時於霧化室内以半炫 融態自由落下’獲得粉狀負極活性材料。從改良冷卻效果 觀點，可注入高壓水來替代氣體。 —於應用輥快速冷激法之情況下，導人室諸如冷激及回收 室内且連續(棒狀）向下掉落的炼融合金係在以約1〇米/秒至 1〇0米/秒之周邊速度轉_轉_(材料為Cu、Fe等，及輥 表可、里錄復)上冷卻。當溶融合金係於輥表面上冷卻時， 或$件形式之合金材料。此種情況下，合金材料 係藉適田粉化震置諸如球磨機、盤式磨機、咖啡磨機或研 銖; 以畚化及選擇性地分類，藉此獲得粉狀負極活性 材料。 2.負極 負極係使用負極活性材料組成。 100135466 15 201214848 更明確言之，負極包括 體表面上之料性_ =絲及積層在麟導性基 極活性材料之連結劑 細難用含有至少前述負 傳導性輔助劑。當該傳^要地傳導性薄膜可進—步含有 成更容易獲得電子之傳導路含有傳導性輔助劑時’變 傳導性薄膜視需要可I ^ 下，充電·放電㈣貞極。於麟聚集體之情2 之枬塌。結果，可更進〜缩容易受抑制’且可抑制負才』 傳導性基體係用作為;=良回收再利用特性。 銅、銅合金、鎳、H合金、&。傳導性基體之材料包本 銅及銅合金為佳。傳^鐵及以鐵為主之合金。其中c 從做為電池的體積H ^體之特疋形式為、〉自狀及板狀。 為佳。 、及形狀自由度改良觀點，以绪乐 乂/ 、結劑材料實例包括含氧樹脂諸如聚亞乙 烯絲(PVdF)樹脂或聚四“稀、聚乙烯醇_、聚酿亞 胺樹脂、㈣胺樹脂、聚醯胺酿亞胺樹脂、苯乙稀·丁二稀 橡膠(SBR)及聚丙稀酸。該等可單獨使用或呈其中二者或多 者之混合物使用。其中，從電化學反應安定性及連結力強 度觀點，以聚醯亞胺樹脂為佳。 傳導性輔助劑之實例包括碳黑諸如凱珍(Ketjen)黑、乙炔 黑或爐黑、石墨、碳奈米管及富勒烯(fullerene)。該等可單 獨使用或呈其中二者或多者之混合物使用。其中，從溶液 100135466 16 201214848 確保電子傳導係數觀點，較佳使用凱珍黑及乙炔黑。 從傳導係數及電極電容改良觀點，傳導性輔助劑之含量 相對於每100份質量比負極活性材料，較佳為〇至3〇份質量 比及更佳為6至I3份質量比。從分散性及容易處理觀點，傳 導性輔助劑之平均粒子直徑較佳為1〇奈米至丨微米，及更佳 為20奈米至50奈米。 聚集體較佳使用於充電-放電期間不會膨脹與收縮或具有 極小膨脹與收縮之材料。聚集體之實例包括石墨、氧化鋁、 氧化妈、氧化錯及活性碳。該等可單獨使用或呈直中二者 或多者之混合物使用。其中，從傳導係數及鋰活性觀點較 佳使用石墨。 從回收再利用特性改良觀點，相對於每1〇〇份質量比負極 活性材料，聚集體之含量較佳為10至.4〇〇份質量比，及更佳 為43至100份質量比。從作為聚集體之功能及電極薄膜厚度 之控制觀點，聚集體之平均粒子直徑較佳為1〇至5〇微米及 更佳為2〇至3〇微米。聚集體之平均粒子直徑為使用雷射繞 射/散射型粒徑分布測量裝置測量之值。 例如負極可如下製造。負極活性材料及視需要之傳導輔 助劑及聚集體係以需要量添加至連結劑溶解於適當溶劑而 形成糊料，及該糊料係施用至傳導性基體表面，^燥及若 有所需接受加固或加熱處理。 於使用本發明之負極組植二次電池之狀下，除了負 100135466 17 201214848 極以外屬於電池的基本組成元件之正極、電解液、隔件等 並無特殊限制。 正極之特例包括包含集電器諸如減，及形成於集電器 表面上之έ正極活性材料諸如[丨匸〇〇2、[腕〇2、[脱？〇4或 LiMn〇2之—層之電極。 電解液之特例包括含鋰鹽溶解於非水性溶劑(鋰離子二次 電池)之電解,谷液。此外，可使用包含鐘鹽溶解於聚合物之 電解冷液，及包含聚合物含浸以電解質溶液之聚合物固體 電解液(鐘聚合物二次電池）。 非水I*生冷劑之特例包括碳酸伸乙醋、碳酸伸丙醋、碳酸 伸:酉曰、碳酸二甲酉旨、碳酸二乙醋及碳酸甲酷乙醋。該等 可單獨使用或呈其中二者或多者之混合物使用。 鐘鹽之特例包括叫、卿彳、Μα、⑽⑽及 轉可早獨或呈於其中二者或多者之混合物使用。 -匕電缝成疋件包括隔件、罐狀容器（電池外殼）、氣密 塾等。該等組成元件可使用常用於鋰二次電池之任何材 料，且可藉ϋ當組合物組成電池。 電池形式亚減殊限制，而可呈任何形式諸如圓柱狀、 方形或硬_。形式可依據特定❹目的適當選擇。 [實施例] :經由參考實施例將更特定地說明本發明如下。除非另行 才曰不，否則「％」係有關合金組成，而合金混合比例係以「％ 100135466 201214848 質量比」表示。 1.負極活性材料之製備 [實施例1]
各原料經稱重獲得如表旧示之合金組成 S，48^〇 Sn-3.〇〇/o Fe-4.8〇/〇 Cu) 〇 J 頻感應爐加熱及熔解獲得料合金。依據實施例丨二^ =性=料係藉氣體霧化法而從所得炫融合金製備。溶融 曰金之幻#期間及霧⑽ =下高壓(4㈣氮氣係喷射至炫融合金在霧化室内呈棒 所得粉末係使用篩子分類成25微米或以下之 所得粉末係用作為活性材料。 〃 如此 [實施例2至28及31至35] 依據實施例2錢及31至35之負極活性材料係以實施州 之相同方式獲得，但各種原料經稱重獲得表⑻所示之各 種合金組成物（但於實施⑽，分類成18微米或以;之粉 末；於實_27，分誠45鮮或以下之粉末；及於實: 例28，分類成75微米或以下之粉末）。 [實施例29] 依據實施例29之負極活性材料係以實施例丨之相同方式 獲得，但各原料經稱重獲得表2所示各合金組成物，及使用 水霧化法來替代氣體霧化法。水霧化期間之氣氛為空氣。 100135466 19 201214848 於水霧化期間，高壓_Pa)水嗔射至霧化室内 下之熔融合金。 备 [實施例30] 2原料經稱重獲得表2所示各合金組賴。各種經稱重之 原；斗係使用向頻感應爐加熱及融化而獲得炫融人> :融合金係藉液體單輥快速冷激法冷激而獲得二：:: 帶。輕周邊速度為42米/秒，及噴嘴距離為3毫米。戶〜、4 合金薄帶係使用研鉢法以機械方式粉化獲得=件令激 之粉狀負極活性材料。 貫施例3〇 [比較例1] 藉氣體霧化法製備之純矽粉末係用作為 負極活性材料。 據比較例丨之 [比較例2至4、6至8及10至14] 依據比較例2至4、6至8及10至14之負極活性材料係、 施例1之相同方式獲得’但原料經稱重獲得表 、以實 不各合& 組成物。 忠 [比較例5] 各原料經稱重獲得表3所示各合金組成物。各插奴 ^ 、’’里稱重之 原料係使用高頻感應爐加熱及融化而獲得熔融合金。 炫融合金係藉液體單輥快速冷激法冷激而獲得冷激人二二 帶。輥周邊速度為42米/秒，及喷嘴距離為3毫米。 薄 、所得冷激 合金薄帶係使用研鉢法以機械方式粉化獲得依據比争, 100135466 20 201214848 之粉狀負極活性材料。 [比較例9] 製備石夕粉末(於大同特殊鋼公司（Daido Steel Co.，Ltd.)藉 氣體霧化法製備；平均粒徑：18微米）、錫粉末(藉高純度化 學研究所公司（Kojundo Chemical Laboratory Co.，Ltd.)製 造’「SNE04PB」’ 38微米或以下）、銅粉末(藉福田金屬箔粉 工業公司（Fukuda Metal Foil & Power Co_，Ltd.)製造， 「Cu-HWQ」，5微米）、及鐵粉末(藉高純度化學研究所公司 (Kojundo Chemical Laboratory Co.，Ltd.)製造，「FEE04PB」， 5 3微米或以下）。各原料經稱重獲得表3所示各合金組成物， 置於行星式球磨機裝置内（盆材質：SUS304,球材質：SUJ2, 球直控：6.4毫米），以氬氣密封，及以300 rpm轉數混合歷 經30小時之混合時間。如此獲得根據比較例9之負極活性材 料。 2.負極活性材料之結構之觀察 依據實施例及比較例之各種負極活性材料之結構係使用 掃描電子顯微鏡(SEM)觀察。此外’藉能量分散X射線光譜 術(EDX)進行元素分析及藉XRD (X光繞射）進行分析。 藉掃描電子顯微鏡觀察依據實施例4之負極活性材料之 反射電子影像係顯示於圖1作為負極活性材料之代表例，其 中石夕微晶係分散於以Sn-Cu為主之合金基體及以Si-X為主之 合金係呈覆蓋矽微晶之狀態結晶化。 100135466 21 201214848 藉XRD之分析結果顯示於圖3。 圖2為圖1之部分放大示意圖（虛線方框環繞部分）。 依據圖1所示藉掃描電子顯微鏡觀察結構所得結果，證實 依據實施例4之負極活性材料具有下述結構，大量矽微晶分 散於Sn-Cu合金内，及石夕微晶表面係以si-Fe合金部分覆蓋 換έ之’證貫依據實施例4之負極活性材料具有二相基體妹 構’此處細小矽微晶周邊係以Si-Fe合金部分覆蓋，；ςκ 晶 周邊係由Sn-Cu合金基體圍繞。 證實於圖3所示XRD分析結果，分別觀察得si、SiFe化人 物、SnCu化合物及Sn之特性峰，及該等Si、SiFe化合物、 SnCu化合物及Sn之各相係形成於圖1所示結構。 XRD分析係藉使用鈷管以每分鐘2 〇度之速度測量於12 〇 度至20度之角度範圍。 藉以Si-X為主之合金覆蓋矽微晶之覆蓋率係於各個負極 活性材料獲得。 此處使用「覆蓋率」一詞表示矽粒子周邊以合金粉末内 的Si-X化合物覆蓋之比例，及經由將剖面SEM影像中別相與
Si-X化合物相間接觸部分之長度除以矽粒子總周長所得值 係用作為覆蓋率。 就一種合金粉末組成物，獲得十個視野之覆蓋率，計算 其平均值作為覆蓋率。 測量於各種負極活性材料中之矽微晶大小。矽微晶大小 100135466 22 201214848 為S E Μ影像上於選擇性2 0粒矽微晶（一個視野）測得之矽微 晶大小之平均值。 所製備之各負極活性材料之細節係顯示於表1至表3。 100135466 23 201214848 【1崦】 JD 03 Jj jJ jJ -Ο -D Jj ad A3 ,〇 Jj ；D ft 镞 镞 镞 镞 镞 δ δ 镞 睇 铋 δ 鲅 铱 镞 轎 韜 饀 饀 饀 韜 韜 鍥 韜 韜 麵 韜 韜 韜 鍥 鍥 麵 ι®1 胡· ^ Μ ^ \〇 CS 00 <Ν m m m ΓΛ m CN IT) ^Ti v〇 cs to cs 00 cs 卜 W-) _ w φ Φ Μ φ 命 m 如 4〇 <0 <〇 Φ <D 々> <0 4〇 <0 ·ΚΤ\ .IWnt W W w 觀 Ήΐ Ή1 Ή1 +H 口 U Ρ U U υ P U U P U 7 υ U U U δ υ υ u δ U 1 案 <0 cS eg 这 eg eg eg eg 埤 Ήΐ •Φ φ <〇 <〇 Φ <〇 >< ^ (U 今 <υ <ύ U-i <D <〇 <υ * <D 〇 U <υ Plh <υ Ρη <υ <υ (D tL, <D Ο U 〇 U 00 m • wrn 00 •— 00 • pH 00 ΰο • **H 0Q Ui • 1-^ 00 • 00 碎微晶 勃妥 •Η ^ 's—✓ 00 〇 00 d 00 d ο Ο) 〇 On Ο ON c5 〇〇 〇 ο 〇 卜 Ο ρ ^Η 00 c5 σ\ c5 o o ΟΝ Ο 卜 〇 粒子 直徑 (微米） 呆 呆 呆 呆 呆 来 来 呆 朱 呆 呆 呆 呆 呆 _ 蕤 鞀 ¥ 年 鲳 蕤 轾 蕤 ν/Ί <Si v〇 ό rs W) rji C<l CN| CA V C<l V rji Cji ΟΑ CN| 5 41 之比例 (wt%) g V 〇 VO ^D ^o Ο d o d 〇 〇 〇 〇 〇 d ο ο 〇 〇 〇 〇 〇 d ο ο o o 〇 〇 〇 o o o o o ο ο 〇 〇 00 — m — in 〇 m c4 (Ν 00 1 < 寸· 〇 〇 vd τ—^ 〇\ Os 卜 cn 〇 — *> •-H C\ t> 寸· 卜 CO 〇 — ο ο O o 〇 c5 〇 〇 ο ο ο ο 〇 〇 〇 〇 ο 〇\ Ο ο O o 〇 d o o o o o d ο c> ο ο 滅 ο W 案 X ^〇 ο ο o d ο ο 〇 〇 ο ο Ο Ο 〇 〇 〇 〇\ ο ο ο ο o o 〇 d o o o d o o ο u-ί 邀 〇 ο ΓΟ v〇 r〇 ο 〇\ 〇 ON ο σ\ ο as 〇 〇\ 〇 〇 q ο ο o in ρ — r*H o d 1-H o 寸· o rS ο d ο ο CN xn <η 〇· 卜 00 〇\ q q CO Ο rn VO ΓΟ ο 孤 in CN 00 (Ν (Ν m Γ0 in <s uS CN m (N CN (Ν 00 00 <N <N <S 1-^ <s (Ν <Ν 00 ρ v〇 ο ο ^η ο Ο Ο ο ο «ο 〇 〇 ο ο o o ο υ"ί CO 〇 S Ο cJ o s o o V"i 〇 s ο d V〇 Ο ο cn 寸 νο 卜 00 c^ Ο r-H <Ν m 寸 i-H tTi r*·^ 卜 ^κ 碧 ^Ϊ8 99 寸ίε52 201214848 1--1¾ 水霧化法ι -Ο δ3 Jj Jj JJ 〇J Λ3 A3 Jj 03 aJ JO 镞 铋 镞 镞 铋 鲦 鲦 鲦 轎 铋 蛛 镞 镞 镞 镞 镞 ΨΗ 饀 鹬 韜 韜 韜 韜 觀 鹬 鍥 韜 韜 韜 韜 韜 韜 κ4 κ4 id 跻^ CO m 00 CS VO CN CN) cs 艺 t〇 cn CO ro Ά \〇 m ro m m m vn m i〇 4ι Μ Φ 喊 <D <0 <〇 <0 <〇 <〇 Φ 4。 如 .>fhi> Wi W V V w V V V 製 Ήΐ 州 M\ Ή1 Ήΐ Ήΐ 辦 ±i U υ U U P U U 7 U 1 υ P U 口 〇 Ρ Ο U U U υ 口 U U Φ eg eg cS eg eg a 坶 Μ Φι Μ ♦l >M0 4〇 命 Si-Fe, -Ni合 Si-Fe -Co合 g t ζΛ ^ 〇 U 〇 U Ο U 1 g 1 |^1 1 1 1 0) <υ <u (L) 〇 tL, ύ 〇 〇 pH <υ •— ΧΠ • pH GO • ΚΑ • 00 ·— 00 • ι-Η 00 00 * — CZ3 ΰ5 μ CO 石夕微晶 直徑 (微米） 00 〇 〇\ 〇 〇 00 〇 V〇 Ο χ> d 00 d ON 〇 ON 〇 ON d 〇\ 〇 t> Ο CO d ON o 〇\ d ON 0 ON ο 卜 〇 屮 呆 呆 呆 呆 呆 呆 采 呆 呆 呆 呆 呆 呆 呆 呆 蕤 寒 _ 蕤 寒 _ _ 蕤 _ _ U 栖1 _ m (N V (N V rs V yn \/ CN V 00 V V (S V ό \/ »n ^Ti V U-l Csl \/ »〇 Cji θ ^ | s S "v〇 VO ~S 1 < VO M\ 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 d ο ο 〇 〇 o d 〇 d O o 〇 o 〇 d o d ο ο 〇 d o o o d 〇 〇 ο ο 卜 〇\ t> ρ 1> OS· 寸· o o ο ν〇 p ο o p o (Ν <Ν υ 1—Η ΓΟ r—H vH t> VO v〇 v〇 <5 VO ^0 t—^ v〇 »—H 00 cn <Ν I ρ ο d r-H g Ο d 〇 〇 〇 〇 Ο uS p 寸 〇 rn o d o d ο ο 〇 d ο ο o d 〇 d Ο Ο t X ^o ο d 〇 寸 〇 ΓΛ ο ο ο ο o d o d 〇 d o d o o ο ο o d ο ο o d — ο ο ο ο <u o d 〇 〇 〇 d ο ο ο ο o d o d ο d o Cs o ON ο α\ o cK ο 〇\ — o o ι〇 七 ο cn f—H V〇 cn ο cn VO p p ο q ο p 〇 q ΓΛ 00 — 00 »-H 00 CN oi CN CS (Ν CS 00 〇〇 CN (N CN CN wS (N ιτί cs 幻 l〇 cs wS <N <N CM p 〇 o ο ο o 〇 p o 〇 ο O ο o o o 〇 ο Ο ρ ~s § S 沄 s S 泛 沄 C> -V) wS ΓΟ 00 r—H 〇\ r-H (Ν CN ro CN *r> (N V〇 (N 00 <Ν a\ CN CN m m 寸 ro ΙΓ) 991^-001 s 201214848 氣體霧化法 氣體霧化法 氣體霧化法 氣體霧化法 快速冷激法 氣體霧化法 氣體霧化法 氣體霧化法 機械合金化法 氣體霧化法 氣體霧化法 氣體霧化法 氣體霧化法 氣體霧化法 負極活性材料 覆蓋率 (%) 1 1 1 1 1 m 1 (N r—^ cs 合金基體種類 咖 a 以Al-Sn-Co為主之合金 cS ζΛ 产 a k f 以Sn-Cu為主之合金 以Sn-Cu為主之合金 以Sn-Cu為主之合金 以Sn-Cu為主之合金 以Sn>Cu為主之合金 以Si-X為 主之合金 1_ 1 1 1 1 1 Si-Fe合金 1 Si*Co合金 I 1 Si-Ni 合金 1 1 Si-Fe合金 Si-Fe合金 | Si-Fe合金 Si-Fe合金 Si-Fe合金 珍微晶 直徑 (微米） 1_ 1 in 〇 p d ρ Ο) Os Ο p CN S in 〇 粒子 直徑 (微米） <25微米| | <25 微 ifT] | <25 微 $ 1 <25微米1 | <25微米| 1 <5微米1 P<5微米| <25微米 [<25微米 f<25微米 <25微米 <25微米 <25微米 <25微米 Sn^以 Sn-Cu 為主之合金之 比例 (wt%) 〇 〇 〇 Τ-Ν Ο 〇 8 〇 Ο 負極活性材料之組成(wt%) 〇 〇 P 〇 〇 ρ ㈣ ρ ρ ρ 0 cJ 〇 〇 0 0 ρ P P a P P 〇 〇 〇 〇 ο ο ο ο ρ 16.0 10.9 00 33.1 1 29.2] 24.21 X g 〇 〇 〇 〇 〇 d ρ 〇 d ο ο ο ο ο 〇\ 0 as 〇 c5 q 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 P 〇 〇 ο ο ㈣ ο ο S ο ο 0 0 0 d 0 d 〇 〇 ρ 〇 〇 〇 〇 P p ρ ρ ο Os ο ο ο ο p 0 CN 10.0 〇 ίο 10.0 18.0 〇 〇 75.0 50.0 ρ ㈣ 41.0 ㈣ ㈣ 25.0 17.1 12.2 51.9 45.8 37.8 100.0 25.0 50.0 I |^5.0 [38.0 [50.0 1 [50.0 「50.0 「50.0 70.0 70.0 10.0 |15.0 20.0 <S cn IT) ν〇 卜 00 ON 〇 T-H CS m 2 。-¥鉍％硪-<0^^<0^噠刼^<0-杯举％-夺翠实噼(*) 93 991-301 201214848 3.負極活性材料之評估 3.1用於充電-放電測試之硬幣型電池之製備 各100伤貝里比負極活性材料藉分類而調整為具有Μ微卡 或以下之尺寸，混合8份質量比乙炔黑（藉電氣化學工業公司 (Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha)製造，d5〇=36齐 米）’作為傳導性輔助劑，43份質量比石墨（由伊藤黑鉛工業 公司（Ito Kokuen Co.，Ltd)製造；SG-BH)作為視需要添加的 聚集體及17伤貝量比聚亞乙稀基氟(pvdF)作為連結劑，所得 混合物使用N-曱基-2-吡咯啶酮(NMP)作為溶劑而製備各自 含有負極活性材料之各種糊料。 各硬幣型半電池之製備如下。為了簡化評估，使用負極活 性材料製備之電極⑽為:c作電極，及㈣用作為反電極。 各糊料係使用刮刀法施用至銅箔(厚度：18微米）表面上作為 厚50微米之負極集電器，及乾燥而形成各負極活性材料層。 形成後，負極活性材料係藉輥壓機加固。如此，製備依據實 施例及比較例之工作電極。 依據實施例及比較例之玉作電極衝壓成具有11€米直徑 之圓錠狀而獲得各個工作電極。 二 ㈣(厚度：5GG微米）衝麗成與卫作電極形狀幾乎相同形 狀來製備各個正極。挪6以！莫耳/升溶解於碳酸伸乙醋㈣ 與碳酸二乙g|(DEC)以等量之混合溶劑來製備非水性電解 溶液。 100135466 27 201214848 各工作電極置於各個正極罐内（各工作電極須為鋰二次電 池t之負極’但當反電極為㈣時，郎為負極而工作電極 為正極）&電極置於各個負極罐内，聚烯烴微孔膜之隔件 係設置於各個工作電極與各個反電極間。 非水性電解溶液倒入各罐内，各個負極罐及各 別經安装及固定。 躍刀 3.2充電·放電測試
使用各個硬幣型半電池，進行Q1毫安電流值之值定電产 充電-放電歷經—個週期，及放電電容用作為初電容C〇。第L 二週期後，充電·放電測試係以1/5C速率進行。（c速率放 電（充電）電極歷經H、時時間放f電扣所 5C表權f則細2讀完成，㈣ 值^ 係在5小時完成)。藉將放電期間所使用的電=電)放電 性材料重量(g)所得值係用作為各個放電電m )除以活 於實施例中，經由進行充電·放電週期5。二::=)° 由所得各個放電電容獲得電K 週期特性。 更付電谷保持性[第 電容/初放電電容（第一週期放電電容)χΐ〇〇，义期後之放電 放電電容/初放電電容（第-週期之 二及第5G週期後之 示於表4及5。 各Xl00]。結果顯 100135466 28 201214848 [表4] 放電電容(mAh/g)初 活性材料相對於理 放電電容保持性(％) 論電容之利用率(％) 初 第二週期後 第50週期後 目標值 800或以上 50或以上 75或以上 55或以上 1 1744 75 100 84 74 2 1805 77 100 83 72 3 1497 65 100 86 76 4 1573 67 100 85 75 5 1621 68 100 83 73 6 1722 71 100 83 72 7 1800 73 100 81 70 8 1620 69 100 85 74 9 1643 70 100 86 75 10 889 50 100 87 77 11 2048 75 100 79 66 12 1414 61 100 88 77 13 1863 69 100 81 68 14 1688 71 100 81 72 15 2195 80 100 77 63 16 2130 78 100 80 67 實 17 1460 63 100 86 78 施 18 1917 71 100 80 69 例 19 1712 72 100 80 70 20 2249 82 100 75 62 21 2157 79 100 80 68 22 1483 64 100 89 78 23 1971 73 100 82 70 24 1736 73 100 82 73 25 2222 81 100 ΊΊ 64 26 1573 67 100 83 72 27 1385 59 100 82 70 28 1174 50 100 79 68 29 1854 79 100 68 55 30 1643 70 100 88 80 31 1596 68 100 85 76 32 1596 68 100 84 74 33 1620 69 100 85 75 34 1683 71 100 78 57 35 998 55 100 80 58 (*)於原料欄中，％表示合金組成及合金混合比係以％質量比表示。 29 100135466 201214848 [表5] 放電電容(mAh/g)初 活性材料相對於理 論電容之利用率(％) 放電電容保持性(％) 初 第二週期後 第50週期後 目標值 800或以上 50或以上 75或以上 55或以上 1 3568 85 100 45 5 2 1507 84 100 68 13 3 2128 82 100 54 9 4 504 48 100 51 10 5 794 45 100 39 45 6 1760 75 100 69 50 7 1737 74 100 71 51 例 8 1737 74 100 67 49 9 2089 89 100 60 10 10 2549 82 100 48 11 11 2295 75 100 52 15 12 178 19 100 88 85 13 163 15 100 90 87 14 | 207 17 100 88 84 (*)於原料攔中’ ％表示合金組成及合金混合比係以％質量比表示。 由表4及5可知下列事實。依據比較例丨之負極活性材料為 純矽，活性材料相對於理論電容之利用率為高，但回收再利 用特性不佳。於依據比較例2及3之負極活性材料中，基體為 純錫。因此純石夕及純錫類似地膨脹與游塌，回收再利用特性 不佳。於依據比較例4之負極活性材料中，基體為純銅。純 銅不具鋰活性，因此活性材料相對於理論電容之利用率低。 此外回收再利用特性不佳。於依據比較例5之負極活性材料 中，基體為Al-Sn-Co合金。Al-Sn-Co合金罕見地具有鋰活 性’因此活性材料相對於理論電容之利用率低。回收再利用 特性比較其它比較例改良，但仍不足。於依據比較例6至8 之負極活性材料中，基體為純錫。因此純矽及純錫皆同樣地 30 100135466 201214848 膨脹及坍塌，結果回收再利用特性不佳。但因WSi_X為主之 合金係環繞矽微晶結晶化，故回收再利用特性比較比較例2 至4略微改良但仍不足。依據比較例9之負極活性材料未能通 過熔解/結晶化步驟。因此無法獲得目標基體結構(二相基體 結構）’個別元素只是混合而已。因此理由故，回收再利用 特性不佳。 於比較例10及11中，矽含量過高，超過依據本發明之上限 65%，基體數量降至該程度。因此回收再利用特性不佳。 比較例12、13及14中，矽量分別小至1〇_〇〇/。、15 〇%及 20.0%。因此，放電電容低。 另一方面，於依據實施例1至35之負極活性材料中，石夕含 量係於30%至65%質量比之範圍，如此初放電電容高。此 外，矽微晶係分散於以Sn-Cu為主之合金基體，此外，以Si_x 為主之合金係於覆蓋石夕微晶之狀態而結晶化。因此可同時達 成活性材料相對於理論電容之利用率改良及回收再利用特 性的改良。 更明確言之，證實比較依據實施例3 4及3 5之負極活性材料 其中覆蓋率係小於25%，依據實施例1至33之負極活性材料 其中覆蓋率為25%或以上具有優異的回收再利用特性。 前文敘述依據本發明之鋰二次電池用之負極活性材料及 鋰二次電池用之負極。但，本發明並非限於前述具體例及實 施例，可未悖離本發明之精髓及範圍而做出多項修改或變 100135466 31 201214848 化。 本案係基於曰本專利申請案第2〇i〇_220126號申請日2010 年9月30曰及曰本專利申請案第2〇1M7543〇號申請日2〇11 年8月10日，其全部内容係以引用方式併入此處。 【圖式簡單說明】 圖1為依據實施例4之負極活性材料藉掃描電子顯微鏡 (SEM)之反射式電子影像。 圖2為圖1之部分放大示意圖。 圖3為視圖顯示藉X光繞射(XRD)分折所得之結果。 100135466 32