TW201214811A - Thermally conductive sealing member and electronic device sealed thereby - Google Patents

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201214811 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於例如用於將電致發光元件等之電子元件密 封的密封構件、及以此密封構件將上述電子裝置密封的電子 裝置。 【先前技術】 近年來’在進行開發的電子裝置中，係有例如電致發光（以 下，有時簡稱為£L)元件等，對於水分的耐性弱，並且由於 水分的影響而使顯示品質等裝置品質降低的電子裝置。 作為防止水分浸入此種電子裝置内的手法，主流為將EL 元件以也、封構件或密封構造予以密封，且自以往已進行各種 檢討。 例如，一般進行以接黏劑將玻璃基板貼合於元件的支持基 板，藉此將元件密封。然而，玻璃密封雖然密封性能優異， 但玻璃基板係厚至數百μιη以上，難以使元件整體薄塑化。 特別是，以剖面形狀加工成口字型的玻璃製密封蓋進行密封 之情況，為了具有強度，必須加厚密封蓋，故使薄型化更加 困難。又，由於玻璃加工性的問題，使接黏部分的寬度難以 變細’而阻礙元件的小型化。 另一方面，於此種電子裝置中，係由於驅動而產生熱，此 種熱在電子|置㈣蓄積，有時亦造纽礙電子裝置驅動的 不良影響。 100112189 4 201214811 為了解決此等問題，即，防止水分浸入及防止内部蓄熱的 問題，已檢討對密封構件或密封構造賦予放熱性，例如，已 提案於金屬板或金屬箔上，依序積層將EL元件的發熱予以 吸收的吸熱體、及將由此吸熱體所吸收的熱放熱至外部的放 熱體的密封構造(例如參照專利文獻1〜3)。又，亦檢討並非 對密封構件或密封構造，而是對支持EL元件的基板賦與放 熱性(例如參照專利文獻4)。 然而，該等方法係在EL元件上塗佈接黏劑，再於EL元 件上形成密封構造，其後使接黏劑硬化，故製造步驟繁雜。 作為解決此種問題點的方法，已提案使用具有指定熱傳導率 之金屬板的至少一面以絕緣層被覆之密封構件的方法（參照 專利文獻5)。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1 :日本專利特開2008-10211號公報 專利文獻2:曰本專利特開2008-34142號公報 專利文獻3 :日本專利特開2008-181832號公報 專利文獻4 :日本專利特開2006-331694號公報 專利文獻5 :日本專利特開2006-331695號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 然而，使用此種密封構件的方法，於密封時在支持基板與 100112189 5 201214811 金屬板之間，必定介存有絕緣層。且 封構件與支持基板以不會透過水分、的密二;==密 =，因為密封樹脂係在支持基板與絕緣層之間二 :樹：金屬板之間變成介存有絕緣層，且 :有時不一定足夠充分’此種情況，水分由絕緣層的端面 戌入，而有水分穿透内部之虞。 一知面 為了不使絕緣層的端面露出，亦考慮以圍 ::周之方式配置密—以密封樹脂覆=: 、知面的方法。然而，由於密封部分係在密封構件的外側形 成，故具有電子裝置之形狀大型化的問題。 古本發明係鏗於上述實情而完成者’以提供水分的阻斷性極 咼，且具備放熱性之熱傳導性密封構件為其主要目的。 (解決問題之手段） 务月為了達成上述目的，係提供一種熱傳導性密封構 件’其特徵為，具有：金屬基材；在上述金屬基材上形成， 並由具有絕緣性之樹脂所構成的絕緣層；及屬於在上述金屬 基材上未形成上述絕緣層之部分，且以圍住上述絕緣層之中 心部分之方式連續形成的絕緣層除去部。 备根據本發明，因為具有上述絕緣層除去部，故使用本發 月之熱傳導性密封構件將在具有水分阻斷性之阻擋性基板 上形成的電子元件密封時，經由在上述絕緣層除去部形成由 100112189 201214811 密封樹脂所構成的密封樹脂部，則可將上述金屬基材與上述 阻擋性基板直接以上述密封樹脂部予以密封。藉此，相較於 介隔著絕緣層以密封樹脂部密封之情況，可進行水分阻斷性 更高的密封。又，由於可經由放熱性高的金屬基材進行密 封，故可將電子元件内部產生的熱迅速地放熱。更且，經由 絕緣層的微細加工，可縮窄絕緣層除去部的寬度，而有助於 元件的大型化，同時，可經由金屬基材及絕緣層將熱傳導性 密封構件薄膜化，而可實現元件的薄型化。 於本發明中，上述絕緣層除去部係在比上述絕緣層的外緣 更内侧形成為佳。經由如此使上述絕緣層除去部在比上述絕 緣層的外緣更内侧形成，使得絕緣層在絕緣層除去部的外側 存在。藉此，在形成上述密封樹脂部時，只要在絕緣層除去 部填充密封樹脂即可，故可輕易形成密封樹脂部，且具有提 高施工性的優點。更且，將密封樹脂配置於上述絕緣層除去 部且與上述電子裝置之阻擋性基板壓黏時，上述密封樹脂不 會流到外側，故可形成密封性更高的密封樹脂部。又，於此 種構成之情況，密封時，經由元件内部與外部的氣壓差，可 減低密封樹脂部中形成與外部的洩漏途徑（外部與内部間的 連通孔)之情形，故可提高水分屏蔽性，可更加提高密封性。 又，於本發明中，上述絕緣層除去部係從上述絕緣層的中 心部朝外緣方向形成複數周為佳。此乃由於經由如此形成複 數周絕緣層除去部，使得在各個絕緣層除去部形成有密封樹 100112189 7 201214811 月曰。P之It况，即使最外周的密封樹脂部未完全密封而使水分 由外。k入内。|5 ’由於其内側進一步存在密封樹脂部，故可 將水分完全阻斷。 —於本發明中，上述絕緣層除去部的寬度為鄭心10臟之 I巳圍内為佳。此乃由於小於上述範圍之情況，在絕緣層除去 二真充密封樹^有變得困難之情形、及在形成密封樹脂部時 选子有SL差的可H而大於上述範圍之情況，雖然提高 密封性，但有阻礙所得元件小型化的可能性。 本發明中，進一步具有在上述絕緣層上形成’並具有耐熱 層為佳。此乃由於因為如此形成黏著層，經由將熱 =、Γ件的黏著層貼付至電子元件等之被密封物，則 皮密封物的凹凸，使熱傳導性密封構件與被

二』：。從而’不需要繁雜的步驟便可以簡便的方法將 被密封物予以密封。 W 於==傳t上述黏著層上形成有剝離層為佳。此乃由 = 密封構件的操作係變得容易。 本發月中’上述絕緣芦 厚則熱傳導性有降低之虡私度過則絕緣性降低，若過 _為主成分為 性、耐_二:亞：::成分’則可作成絕緣 100112189 特另!疋鉍由以聚醯亞胺作為主成 8 201214811 並且 分，則可將絕緣層薄膜化且可提高絕緣層的熱傳導性 可作成熱傳導性更優異的熱傳導性密封構件。 層之情 如此’將以聚酿亞胺作為主成分的樹脂使用於絕緣 況’上述絕緣層之吸濕膨脹係數為〇 PP1^/[〜15 者 ppm/%RH的範圍内為佳。此乃由於絕緣層較佳為吸火丨_ 又，將以聚醯亞胺作為主成分的樹脂使用於絕緣層> 況’上述絕緣層之線熱膨脹係數為0ppm/°c〜3〇卯讲/它的: 圍内為佳。此乃由於絕緣層的線熱膨脹係數若為上述範圍 則可作成接近絕緣層及金屬基材的線熱膨脹係數者，可抑制 熱傳導性密封構件的彎曲，同時，可提高絕緣層及金屬基材 的密合性。 更且’將以聚酿亞胺作為主成分的樹脂使用於絕緣層之情 况’上述絕緣層之線熱膨脹係數與上述金屬基材之線熱膨脹 係數之差為15 ppm/ C以下為佳。如上述，絕緣層及金屬基 材的線熱膨脹係數愈接近，則愈可抑制熱傳導性密封構件的 彎曲’同時’可提高絕緣層及金屬基材的密合性。 本發明係提供一種電子裝置，係具有：具水分隔擋性之阻 擋性基板、在上述阻擋性基板上形成的電子元件、及以覆蓋 上述電子元件之方式配置之熱傳導性密封構件者，其特徵 為，上述熱傳導性密封構件係具有：金屬基材；在上述金屬 基材上形成’並由具有絕緣性之樹脂所構成的絕緣層；及屬 100112189 9 201214811 於在上述金屬基材上未形成上述絕緣層之部分，且以圍住上 述絕緣層之中心部分之方式連續形成的絕緣層除去部；於上 述絕緣層除去部形成有由密封樹脂所構成的密封樹脂部，在 上述阻擋性基板與上述熱傳導性密封構件之間，上述電子元 件被加以密封。 若根據本發明，由於在上述絕緣層除去部形成有密封樹脂 部’並藉此在上述阻擋性基板與上述熱傳導性密封構件之間 密封上述電子元件，故上述密封樹脂料與金屬基材及阻擔 性基板直接接觸並减行密•藉此，與介隔著絕緣層密封 之情況相比較，則可以更高機率阻斷水分的浸人。因此，可 作成水分浸人所造狀㈣的可能性極少的電子裝置。又， 由於經由具有上述金屬基材之熱傳導性密封射進行密 封’故可提高放熱性。藉此，可作成無電子 造成之不適的電子裝置。 n

_於本發明中，上述電子元件係EL元件為佳。此乃由於EL 牛係對於水刀U，更且會產生因蓄熱所造成之不適的電 子7G件，可更有效達成本發明之效果。 (發明效果） 於本發明中，因為具有絕緣層除去部，故經由在此部分形 t封樹脂部’而達成可獲得更高水分密封效果的效果。 【實施方式】 以下，說明說明關於本發明之熱傳導性密封構件及電子裝 100112189 201214811 置。 A.熱傳導性密封構件 首先，說明關於本發明之熱傳導性密封構件。 本發明之熱傳導性密封構件，其特徵為，具有：金屬基材； 及在上述金屬基材上形成，並由具有熱傳導性之樹脂所構成 的絕緣層；及屬於上述金屬基材上形成未形成上述絕緣層之 部分，且以圍住上述絕緣層之中心部分般連續形成的絕緣層 除去部。 關於本發明之熱傳導性密封構件，一邊參照圖面一邊說 明。 圖1係顯示本發明之熱傳導性密封構件之一例的概略剖 面圖。此處，圖1(a)為平面圖，圖1(b)為圖1(a)之A-A線剖 面圖。圖1例示之熱傳導性密封構件1具有：金屬基材2 ; 及在金屬基材2上形成，並由具有絕緣性之樹脂所構成的絕 緣層3 ;在上述絕緣層3上形成的黏著層4 ;及屬於在上述 金屬基材2上未形成上述絕緣層3及黏著層4之部分，且以 圍住上述絕緣層3之中心部分般連續形成的絕緣層除去部 10 ° 圖2係顯示使用本發明之熱傳導性密封構件予以密封之 電子裝置之一例的概略剖面圖。圖2例示之電子裝置20具 有：具水分阻擋性之阻擋性基板21、在阻擋性基板21上形 成之電子元件22、及以覆蓋上述電子元件22之方式形成之 100112189 11 201214811 上述圖1所示之熱傳導性密封構件1者。此處，上述阻擋性 基板與上述熱傳導性密封構件1，係經由上述熱傳導性密封 構件1的黏著層4而接黏。 在上述熱傳導性密封構件1的絕緣層除去部，係配置 由街封樹脂所構成的密封樹脂部23，此密封樹脂部23經由 將上述熱傳導性密封構件1的金屬基材2及上述阻擋性基板 21直接密合，而將上述電子元件22密封。 於本發明中，如此密封電子元件時，密封樹脂部可直接將 金屬基材及阻擋性基板以直接接觸狀態密封。由於上述金屬 基材及阻擋性基板對於水分的阻擋性通常為極高者，故經由 密封樹脂部如此以直接接觸金屬基材及阻擋性基板之狀態 密封，則可對於電子元件發揮對於水分極高的密封性。 一般而言，金屬基材於熱傳導性方面均優異。因此，於本 發明之熱傳導性密封構件中，水分的阻斷性高，同時可將熱 迅速傳導或放射。®此，使用此種本發明之熱傳導性密封構 件密封例如EL元件之情況，熱傳導性高，且可抑制發紙所 造成料請響，可實現無發光不㈣均勻發光，且可減低 壽命縮短及元件破壞。又，熱傳導性密封構件如上述對於水 分的阻擋性錢異，故可㈣安定維躲光特性。 又，經由絕緣層的微細加x 則可縮窄絕緣層除去部的寬 度，可加大發光區域之同時，可細山A 53 J、、&由金屬基材及絕緣層使得 熱傳導性密封構件薄膜化，可訾ϊ目-从二％…" J貫現兀件的薄型化。 100112189 12 201214811 另外’上述圖1及圖2所示之例中，顯示 成黏著層4之例，但黏著層4為任意之構成，絕緣μ 3 ^他手段與電子元件22接黏之情況，成為無特別:要^構

以下，說明關於本發明之熱傳 絕緣層除去部 導性密封構件的各構成。 本發明中之絕緣層除去部，係表示屬於金屬基材上未形成 絕緣層的部分，且以圍住上述絕緣層之中心部分 的部位。 (1)金屬基材上未形成絕緣層之部分 本發明中之絕緣層除去部，係、如上述於電子農置中將€子 兀件密㈣’形成密封樹脂部的雜，經由此密封樹脂部將 金屬基材與阻触基板之間騎㈣。因此，若考慮通過絕 緣層浸入水分方面’於上述絕緣層除去部中將絕緣層完全除 去則為最佳態樣。但是，由構成密封樹脂部之密封樹脂之接 黏性關係等之必要性，有時以指定膜厚殘存絕緣層者為佳， 此種態樣亦被包含於本發明。此乃由於m亦可大幅減 少通過絕緣層浸入的水分。 (2)以圍住絕緣層之中心部連續形成的部位 本發明之熱傳導性㈣構件，係以覆蓋電子元件之方式配 置’並將電子TL件的周圍以上述絕緣層除去部所形成的密封 樹脂部予以密封者。此處，將本發明之熱傳導性密封構件使 100112189 13 201214811 用於電子裝置之情況，熱傳導性密封構件之絕緣層側之面與 電子裝置之電子元件側之面為對向，且熱傳導性密封構件之 主面的中心部’即絕緣層之主面的巾心部變成對應電子元件 的。p刀。本發明中所謂絕緣層的中心部，係絕緣層主面的中 “。p如此將本發明之熱傳導性密封構件使用於電子裝置之 情況’作為對應電子元件的部分，上述絕緣層除去部係以圍 住其周圍，即中心部之方式形成。 又，用以密封上述電子元件的密封樹脂部，由於必須圍住 電子元件的全部，故此密_脂部所㈣的絕緣層除去 部亦必須以圍住絕緣層之中心部的全部周圍之方式形成。此 處’所謂連續形成’係表心不錄少絕緣層之巾心部的全 部周圍圍住之方式形成者。料，於本發日种，只要實質上 連續形成即可’只要對電子裝置巾之電子元件的密封性能不 會造成影響的範圍，則亦可為絕緣層之中心部的全部周圍的 4刀未形成的部分。此時，以其他方法，例如由熱傳導性 密封構件之外側部分形成密封樹脂部的方法㈣可確保密 封性。 (3)絕緣層除去部之形狀 本發明中之絕緣層除去部的寬度，只要使此處形成的密封 ㈣Μ發揮㈣性的寬度，則無特別限定，通常為 20μπι〜10mm之範圍内’特別以5_〜3臟之範圍内更佳 為50μιη〜1mm之範圍内i _^為佳。寬度比上述範圍更狹窄之情 100112189 201214811 況，在絕緣層除去部埴 密封樹脂部有未充分密==赌有變得困難之情況、及以 況’雖然提高密封性，^上糊更= 有產生問題的可能性。^小型化_等在設計面上 上述絕緣層除去部 封性不會造成影響的範圍:二句形成’但只要是對密 又，上述絶緣層除去部：::部分變動。 形狀，但並非限定:^ 通常如圖1⑷所示般為矩 ⑷絕緣層除去部之形成 :: 為其他形狀’例如圓形狀等。 二^緣層除去^如上述…所示般…比上 =之外側於更内側形成’又，亦可如一在外 如圖⑽般，比上述_之外緣 成的祕，即在外緣存在絕緣層，且在其内侧形 成絕緣層除去部㈣樣為佳。經由如此於外緣存在絕緣層， 且在其内側形成絕緣層除去部，因形成上述的㈣樹脂部， 故將密封樹脂配置於上述絕緣層除去部並與上述電子元件 之阻擔性基板壓黏時，上述密封翻不會流到外侧。因此， 可經由密封樹脂部完全進行密封。又，熱傳導性密封構件與 電子元件之阻擋性基板貼合時’首先使熱傳導性密封構件的 黏著層與電子元件的阻擋性基板接觸，其後進一步密合「按 壓）。此時，在元件内部與外部產生氣壓差，經由使元件内 100112189 15 201214811 部的氣體逃往外側而將其緩和，有時發生連通密封樹脂部之 内側與外側的微細孔（洩漏通道）。又，經由密封樹脂中所含 的氣泡，有時亦在密封樹脂部形成與外部的洩漏通道。上述 圖1所示態樣之情況，可減低此種洩漏通道的發生，可更加 完全以密封樹脂部進行密封。更且，如圖1所示般以溝形式 形成絕緣層除去部之情況，在形成上述密封樹脂部時，只要 在絕緣層除去部填充密封樹脂即可，故可輕易形成密封樹脂 部，又，具有提高施工性的優點。 另外，圖3中，與圖1之情況不同，顯示出未形成黏著層 4之例。又，圖3所示之符號因與圖1所示者相同，故於此 處省略說明。 (5) 絕緣層除去部之個數 本發明中之絕緣層除去部的數目，只要可確保所形成之密 封樹脂部的密封性，則無特別限定。但是，為了使密封樹脂 部中的密封性完成，形成複數個，即，從上述絕緣層之中心 部朝外緣方向形成複數周為佳。 圖4係顯示絕緣層除去部10為2個，即形成2周之例。 此例中，外周側的絕緣層除去部10,係在絕緣層之外緣的 内側形成。另一方面，圖5顯示出亦同樣形成2周絕緣層除 去部10之例，此例中，外周側之絕緣層除去部10，在絕緣 層的外緣形成。 如此，於本發明中形成複數周絕緣層除去部之情況，其最 100112189 16 201214811 外周的絕緣層除去部亦可在外緣形成，且亦可在外緣存在絕 緣層，並且在其内側形成。 上述例中，顯示出絕緣層除去部完全形成複數周之例，但 於本發明中，亦可以部分複數周之方式形成。例如，於矩形 狀之絕緣層除去部中，其一邊側接觸外部氣體，且另一邊成 為模件内部之情況，亦可僅接觸外部氣體一邊之部分以成為 複數之方式形成絕緣層除去部。 另外，圖4及圖5所示之符號，因與圖1所示者相同，故 於此處省略說明。 (6) 絕緣層除去部之形成方法 作為上述絕緣層除去部之形成方法，可使用在金屬基材整 面形成絕緣層後，部分除去絕緣層的方法、及在金屬基材上 直接部分形成絕緣層的方法。 具體而言，作為形成上述絕緣層除去部的方法，可使用印 刷法、光刻法、以雷射直接加工的方法等。 例如，絕緣層為聚醯亞胺之情況，作為光刻法，可列舉將 聚醯亞胺前驅物之聚醯胺酸在金屬基材上製膜後，在聚醯胺 酸膜上形成感光性樹脂膜（光阻層），並且以光刻法形成感光 性樹脂膜圖案（光阻圖案），其後，以此圖案作為光罩，將圖 案開口部的聚醯胺酸膜除去後，除去感光性樹脂膜圖案，將 聚醯胺酸予以醯亞胺化的方法；在上述感光性樹脂膜圖案形 成時，同時亦將聚醯胺酸膜顯像，其後，除去感光性樹脂膜 100112189 17 201214811 亞胺化的方法；以金屬基材及絕緣

亞胺或感光性聚醯亞胺前驅物， 圖案’將聚醯胺酸予以酿 層之積層體狀態，右这 丨案的方法；使用感光性聚 於金屬基材上直接形成絕 緣層圖案的方法。 作為p刷法’可例示使用凹版印刷及塑膠版印刷、網版印 刷、喷墨法等公知的印刷技術的方法。 2.絕緣層 本發明中之絕緣層，其特徵為，係在金屬基材上形成，並 具有絕緣性者。 作為本發明所用之絕緣層所必要的絕緣性，以絕緣層的體 積電阻為1·〇χ1〇9Ω · m以上為佳，以！ 〇χ1〇ι〇Ω ·爪以上為 更佳’且以l.〇xl〇uQ · m以上為再佳。 另外’體積電阻可根據JIS K6911、JIS C2318、ASTM D257 等之規格為準的手法測定。 又，本發明中之絕緣層，以熱傳導性良好者為佳。作為具 體的絕緣層之熱傳導率，並無特別限定，通常為 0.1W/mK〜l.〇W/mK左右。熱傳導率愈大則愈佳。熱傳導率 愈大則於相同膜厚中的熱傳導性愈優。 100112189 18 201214811 另外’熱傳導率可根據雷射閃光法、熱線法、平板熱流計 法'皿度傾斜辑測定，根據絕緣層的材料適當選擇。 作為开/成本發明所祕緣層的細旨’只要具有如上述之絕 彖!·且車乂佳為熱傳導性優異者，則無特別限定，可列舉例 如’聚酿亞胺、絮而、〜 本紛樹脂、PPS(聚苯硫）、PPE(聚苯醚）、PEK(聚 驗酮）PEEK(聚喊峻酮）、聚酜醯胺、pTFE(聚對苯二甲酸 乙一S曰）、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙稀、 1晨氧化物環氧樹脂等。其中，由财熱性及絕緣性的觀點 而吕，以聚醯亞胺、PPS(聚苯硫）、PPE(聚苯硫）、環氧樹脂 為較佳使用。 本發明所用之絕緣層，其中亦以含有聚醯亞胺為佳，特別 是’以聚酿亞胺作為主成分為佳。經由聚醯亞胺作為主成 刀則了作成絕緣性、耐熱性優異的絕緣層。又，經由聚酿 亞胺作為主成分’則可使絕緣層薄膜化並提高絕緣層的熱傳 導性’可作成熱傳導性更優異的熱傳導性密封構件。 另外’所謂絕緣層以聚醯亞胺作為主成分，係指以滿足如 後述各種特性之程度之方式，使絕緣層含有聚醯亞胺。具體 而s ’係指絕緣層中之聚醯亞胺含量為75重量％以上的情 況’較佳為90質量％以上，特別以絕緣層僅由聚醯亞胺所 構成為佳。絕緣層中之聚醯亞胺含量只要為上述範圍，則可 顯不出達成本發明目的之充分特性’而聚醯亞胺的含量愈 多’則聚酿亞胺本來的耐熱性及絕緣性等特性愈良好。 100112189 201214811 又’本發明之熱傳導性密封構件因具有絕緣層除去部，故 由在絕緣層除去部之形成過程削減步驟數的觀點而言，較佳 使用感光性樹脂作為上述樹脂。但，來自感光劑的成分使膜 物性降低’故使用非感光性樹脂作為上述樹脂的情況亦有優 點。非感光性樹脂之情況，例如，可使用光阻形成圖案。 以聚醯亞胺作為絕緣層之主成分時，一般而言，聚醯亞胺 具有吸水性。因此，將EL裝置、有機薄膜太陽電池、固體 攝像兀件等對水分較弱的電子元件予以密封時，為使元件内 邰的水刀減低，作為以聚醯亞胺為主成分的絕緣層，以吸水 性較小為佳。 作為吸水性指標之一，為吸濕膨脹係數。因此，絕緣層的 吸漁路脹係數愈小愈佳，具體而言為〇

ppm//〇RH之範圍内為佳，更佳為〇 pmm/%RH〜12 ppm/%RH 之範圍内再佳為0 pPm/%RH〜1 〇 ppm/%RH之範圍内。 邑緣曰的吸濕月罗脹係數只要為上述範圍，則可充分減小絕 緣層的吸水性’使熱料性密 ；έ；：： =:3數愈小，則絕緣層的尺寸安定性愈提高。若絕 緣層的吸_脹餘大，則由於與吸_脹係數幾乎接近裳 =基:的膨脹率差，隨著濕度的上升使熱傳導性密封構 件.考曲’有時使絕緣層及金屬基材的密合性降低。 另外，吸濕膨脹係數如下測定。首先，僅製作絕緣層之薄 100112189 201214811 膜。絕緣層薄膜之作成方法，係在耐熱薄膜(Upilex s 5〇s (宇 部興產（股）製))及玻璃基板上製作絕緣層薄膜後，將絕緣層 薄膜剝離的方法；及在金屬基板上製作絕緣層薄膜後，將金 屬以蝕刻除去，獲得絕緣層薄膜的方法等。其次，將所得之 絕緣層薄膜以寬5mmx長度20mm切斷，作成評估樣品。吸 濕膨脹係數可根據濕度可變機械性分析裝置（Therm〇 pius TMA8310 (理學公司製))測定。例如，使溫度固定於25t， 首先，在濕度15%RH之環境下樣品為安定之狀態，大約以 30分鐘〜2小時保持此狀態後，使測定部位的濕度為 20 /i)RH再於樣品為安定為止以30分鐘〜2小時保持此狀 態。其後，使濕度變化成50%RH，將其安定時之樣品長度 與20%RH #定狀態之樣品長度之差異，㈣濕度變化（此 時，50-20之30)，將此值除以樣品長度之值視為吸濕膨脹 係數(C.H，E·)。測定時，以評估樣品之每剖面積的加重為相 同之方式’使拉伸加重為lg/25000/im2。 又，絕緣層之線熱膨脹係數，由尺寸安定性之觀點而十， 與金屬基材之線熱膨脹係數之差為15 ppm/°Cw下為佳，更 佳為lOppm/ΐ以下，再佳為5PPm/°C以下。絕緣層與金屬 基材之線熱膨脹係數愈接近，則愈抑制熱傳導性密封構件彎 曲之同時，熱傳導性密封構件之熱環境變化時，絕緣層與金 屬基材界面的應力變小且密合性提高。又，本發明之熱傳導 性密封構件於操作上，在0°c〜l〇〇°C範圍之溫度範圍下為平 100112189 21 201214811 坦為佳，但若絕緣層及金屬基材之線熱膨脹係數大為不同， 則熱傳導性密封構件因熱環境的變化而彎曲。 另外，所謂熱傳導性密封構件為平坦，係指熱傳導性密封 構件以寬l〇mm、長度5〇mm之長方狀切出，將所得樣品之 一個短邊於平滑台上水平固定時’樣品的另一個短邊由台表 面的浮上距離為1.0mm以下。 具體而言，絕緣層之線熱膨脹係數，由尺寸安定性之觀點 而吕，以0 ppm/ΐ〜30 ppm/t：之範圍内為佳，更佳為〇 PPm/°C〜25PPmrc之範圍内，再佳為〇ppm/〇C〜lOppm/t：之 範圍内。 另外，線熱膨脹係數如下測定。首先，僅製作絕緣層之薄 膜。絕緣層薄膜之作成方法如上述。其次，將所得之絕緣層 以寬5mmx長度20mm切斷，作成評估樣品。線熱膨脹係數 可根據熱機械分析裴置(例如Therm〇 Plus TMA 8310 (理 公司製)測定。測定條件以升溫速度為1G<t/min、評估樣 之每剖面積之加重為相同之方式，使拉伸加重 邮5_一，將⑽。c〜綱。c範圍内之平均線熱膨 視作線熱膨脹係數(c.T.Ej。 π 作為構成絕緣層的聚醯亞胺，只要滿足上述特性者，I 特別蚊。例如，適當選擇㈣亞胺之構造，則可控制^ 性及熱傳導性，並且可控制吸濕膨脹係數及線熱膨服係 作為聚酿亞胺，由作成絕緣層之線熱膨服係數、吸_ 100112189 22 201214811 倾、=導性適於本發明讀料性密封構件者之觀點而 .5 ^含有㈣族骨㈣《亞胺為佳。聚醯中亦以含 •=方香族骨架之聚醯亞胺，因其剛直且來自平面性高的： =且耐熱性及薄膜之絕緣性優異，熱傳導性高，線熱膨服 糸數亦低，故較佳使用於本發明之熱傳導性密封構件的絕緣 層0 般的聚醯亞胺，具有下述式⑴所示之重複單位。 [化1]

(I) (式⑴中，R為4價有機基，R2為2價有機基，重複之Ri 彼此及R2彼此分別可為相同且亦可為不同。n為i以上之 自然數。） 於式⑴中，一般而言，R1為來自四羧酸二酐的構造，R2 為來自二胺的構造。 作為本態樣中可應用至聚醯亞胺成分的四致酸二針，可列 舉例如，乙烯四羧酸二酐、丁烷四羧酸二酐、環丁烷四羧酸 二酐、環戊烷四羧酸二酐、均苯四甲酸二酐、3,3，,4,4，-二苯 酮四羧酸二酐、2,2，,3,3，-二苯酮四羧酸二酐、3,3，，4,4，-聯苯 四羧酸二酐、2,2，，3,3，-聯苯四羧酸二酐、2,2,6,6，-聯苯四羧 酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧苯基）丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧苯 100112189 23 201214811 基）丙烷二酐、雙(3,4-二羧苯基）醚二酐、雙(3,4-二羧苯基） 磺二酐、1，1_雙(2,3-二羧苯基）乙烷二酐、雙(2,3-二羧苯基） 甲烷二酐、雙(3,4-二羧笨基）曱烷二酐、2,2-雙（3,4-二羧苯 基）-1，1,1，3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙（2,3-二羧苯 基)-1，1，1，3,3,3-六氟丙烷二酐、ι，3-雙[(3,4-二羧基）苯曱醯] 苯二酐、1，4-雙[(3,4-二羧酸）苯甲醯]苯二酐、2,2-雙 {4-[4-(1，2-二羧基）苯氧基]苯基}丙烷二酐、2,2_雙{4-[3-(1，2-二羧基）苯氧基]苯基}丙烷二酐、雙{4-[4-(l,2-二羧基）苯氧基] 苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1，2-二羧基）苯氧基]苯基}酮二酐、 4,4’-雙[4-(1，2·二羧基)苯氧基]聯苯二針、4,4，-雙[3-(1,2-二羧 基）苯氧基]聯苯二酐、雙{4-[4-(1，2-二羧基）苯氧基]苯基}酮 二酐、雙{4-[3-(1，2·二羧基）苯氧基]苯基}酮二酐、雙 {4-[4-(1，2-二羧基）苯氧基]苯基}續二酐、雙二羧 基)苯氧基]磺二酐、雙{4-[4-(1,2_二羧基）苯氧基]苯基}硫二 酐、雙{4-[3-(1，2-二羧基）苯氧基]苯基丨硫二酐、2,2_雙 {4-(4-(1，2-二羧基）苯氧基）苯基卜u山3,3,3_六氟丙烷二 酐、2,2-雙{4-[3-(1，2-二羧基）苯氧基]苯基卜丨丄^^丙烷 二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、^心萘四羧酸二酐、^^ 萘四緩酸二酐、1，2,3,4-苯四叛酸二酐、3,4,9,10-茈四叛酸二 酐、2,3,6,7-蒽四羧酸二酐、;ι，2,7,8-菲四羧酸二酐、9,9-雙-(三 氟曱基）咕吨四羧酸二酐、9-苯基-9-(三氟曱基）咕吨四羧酸 二酐、12，14-二苯基 _12,14-雙（三1甲基)-1211，1411-5,7-二《等 100112189 24 201214811 戊烯-2,3,9,10-四羧酸二酐、1,4-雙(3,4-二羧基三氟苯氧基） 四氟苯二酐、1,4-雙（三氟曱基)-2,3,5,6-苯四羧酸二酐、]-(三 氟曱基)-2,3,5,6-苯四羧酸二酐、對-伸苯基雙偏苯三酸單酯 酸二酐、對-伸聯苯雙偏苯三酸單酯酸二酐等。 該等可單獨或混合使用2種以上。 另一方面’上述聚醯亞胺成分可應用的二胺成分亦可使用 單獨1種二胺，或者亦可併用使用2種以上的二胺。所用之 二胺成分可列舉對-苯二胺、間-苯二胺、鄰-苯二胺、3,3，-二胺基二苯醚、3,4’-二胺基二苯醚、4,4，-二胺基二苯醚、3,3，-二胺基二硫苯、 3,4’-二胺基二硫苯、 4,4，-二胺基二硫苯、 3,3，-二胺基二苯基砜、3,4’-二胺基二苯基砜、4,4，-二胺基二笨基 石風、3,3 - 一胺基一苯酮、4,4’-二胺基二苯酮、3,4’-二胺基二 苯酮、3,3’-二胺基二苯基曱烷、4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、2,2-二(3-胺基苯基）丙烷、2,2-二(4-胺苯 基）丙烧、2_(3_胺苯基)_2·(4_胺苯基）丙烷、2,2·二（3_胺苯 基)-1，1，1，3,3,3-六氟丙烷、2,2-二(4-胺苯基)-l，l，l，3,3,3-六氟 丙貌、2-(3-胺苯基)-2-(4-胺苯基H，U，3,3,3A氟丙烷、Μι 二(3_胺苯基)-i-苯基乙烷、1,1-二(4-胺苯基）-1-苯基乙烷、 • 1-(3-胺苯基)-1-(4-胺苯基)-1-苯基乙烷、1，3-雙(3-胺苯氧基） 苯、1，3-雙(4-胺苯氧基)苯、ι，4·雙(3-胺苯氧基)笨、匕^雙^— 胺苯氧基）苯、1,3_雙(3-胺苯甲醯）苯、^弘雙^-胺苯甲醯） 苯、1，4-雙(3-胺苯甲醯）苯、ι，4-雙(4_胺苯甲醯）苯、^弘雙。- 100112189 25 201214811 胺基▼二甲基节基）苯、以糾胺基,二甲基节基) 本、M·雙(3·胺基基节基）苯、m雙(4胺基娜_ 二甲基叫苯、U-雙㈣基,二(三I甲基斤基)苯、 U-雙(4·胺基·：料甲餅基)苯、M_雙(3.胺基, :(二氟甲餅辦、M佛.邮(三氟？基斤基） 本、2,6_雙(3·胺苯氧基)笨甲腈、认雙㈣苯氧基卜定、 二雙(3姻氧基)聯笨、4,4,娜-胺苯氧基)聯苯、雙[4·(3_ 2氧基)苯細、雜(4·胺笨氧基)苯基]酮、雙[M3-胺 ^基)苯基]硫、雙[4_(4_胺笨氧基)苯基]硫、雙叫胺苯 ^土）本卽風、雙陳胺笨氧基)笨基m、雙[4-(3-胺苯氧 =、雙㈣4娜氧基)苯_、22_银㈣笨氧基） 土^烧2,2雙[4-(4-胺笨氧基)丙燒、2 2•雙[3_(3_胺笨氧 W，1，3,3,3•六氣丙燒、4雙[4·(4·胺苯氧基）苯 二]-，，=，3,3·六氟㈣、u都仙苯氧基）苯甲酿] ，-雙叫胺苯氧基)苯曱酿]苯、M_雙[彳伽笨氧基） =醯]本、♦胺苯氧基)苯曱醯]苯、丨，3•雙 胺苯氧基)-〇; ，α-二甲美车：美 二甲雙[4·(4·胺笨氧基)仰_ ^ ，4_雙[4-(3·胺苯氧基)·α，α-二曱基节基] 本，冬雙[4-(4-胺笨氧基)，二甲基 二補、4,4,娜⑷胺基,二曱基节基)苯氧 土] 一本基碼、4,4，.-(4-胺苯氧基)苯氧基]二苯基碾、3,3，_ 100112189 26 201214811 二胺基-4,4’-二苯氧基二苯酮、3,3’-二胺基-4,4’-二聯苯氧基 二苯酮、3,3’-二胺基-4-苯氧基二苯酮、3,3’-二胺基-4-聯苯 氧基二苯酮、6,6’-雙(3-胺苯氧基)-3,3,3’,3’-_四曱基-1,1’-螺 二茚滿、6,6’-雙(4-胺苯氧基)-3,3,3’，3’-四甲基-1,1’-螺二茚 滿、1，3-雙(3-胺丙基）四曱基二矽氧烷、1，3-雙(4-胺丁基）四 曱基二矽氧烷、α，ω-雙(3-胺丙基）聚二曱基矽氧烷、〇!，ω-雙(3-胺丁基）聚二甲基矽氧烷、雙(胺甲基)醚、雙(2-胺乙基）S迷、 雙(3-胺丙基)醚、雙(2-胺曱氧基）乙基]醚、雙[2-(2-胺乙氧基) 乙基]醚、雙[2-(3-胺丙氧基）乙基]醚、1，2-雙（胺曱氧基）乙 烷、1，2-雙(2-胺乙氧基）乙烷、1，2-雙[2-(胺甲氧基）乙氧基] 乙烷、1，2-雙[2-(2-胺乙氧基）乙氧基]乙烷、乙二醇雙(3-胺丙 基)醚、二乙二醇雙(3-胺丙基）醚、三乙二醇雙(3-胺丙基）醚、 乙二胺、1,3-二胺基丙烷、1，4-二胺基丁烷、1，5-二胺基戊烷、 1.6- 二胺基己烷、1，7-二胺基庚烷、1，8-二胺基辛烷、1,9-二 胺基壬烷、1，10-二胺基癸烷、1，11-二胺基十一碳烷、1,12-二胺基十二碳烷、1，2-二胺基環己烷、1,3-二胺基環己烷、 1，4-二胺基環己烷、1，2-二(2-胺乙基)環己烷、1，3-二(2-胺乙 基)環己烷、1，4-二(2-胺乙基)環己烷、雙(4-胺環己基）曱烷、 2.6- 雙（胺曱基）雙環[2.2.1]庚烷、2,5-雙（胺曱基）雙環[2.2.1] 庚烷。又，亦可使用上述二胺之芳香環上的一部分或全部氫 原子以氟基、曱基、曱氧基、三氟曱基、或三氟曱氧基中選 出之取代基所取代的二胺。 100112189 27 201214811 更且，根據目的，將作為交聯點之乙炔基、笨并環丁稀_4，_ 基、乙烯基、柄基H異氰酸喊、及婦基之任 1種或2種以上’於上述二胺之芳香環上—部分威全部的氣 原子以取代基形式導入亦可使用。 為了提尚絕緣層的耐熱性及絕緣性，如上述，聚醯亞胺含 有芳香族骨架為佳。含有芳香族骨架之聚酿亞胺，來自其剛 直且平面性面的骨架，耐熱性及薄膜的絕緣性優異，且為低 廢氣，故較佳使用於本發明之熱傳導性密封構件的絕緣層。 又，於聚醯亞胺中，期望來自酸二酐的部分為具有芳香族 構造，且來自二胺的部分亦含有芳香族構造。來自二胺之構 造亦由芳香族二胺所衍生之構造為佳。特別是，來自酸二酐 之部分及來自二胺之部分全部為含有芳香族構造的全芳香 族聚醯亞胺為佳。 此處，所謂全芳香族聚酿亞胺前驅物，係經由芳香族酸成 分與芳香族胺成分之共聚合、或芳香族酸/胺基成分之以 而得。又’所謂㈣鑛成分’係形絲_胺骨架之* 個酸基全部於芳香族環上取代的化合物，所謂# 、 分’係形成聚醯亞胺骨架之2個胺基兩者均於/香族胺成 代的化合物，所謂芳香族酸/胺基成分，係指形香族％上取 骨架之酸基與胺基均於芳香族環上取代的“物成聚酸亞胺 述原料之芳香顧二酐及芳香紅胺^如上 非全部酸基或胺基必須於相同芳香環上存在。 月奴’並 100112189 28 201214811 由以上之理由，聚醯亞胺前驅物，於要求耐熱性及尺寸安 定性之情況，使芳香族酸成分及/或芳香族胺成分之共聚合 比例儘可能大者為佳。具體而言，構成醯亞胺構造之重複單 位的酸成分中所佔之芳香族酸成分的比例為50莫耳％以 上，特別以70莫耳％以上為佳，且構成醯亞胺構造之重複 單位的胺成分中所佔之芳香族胺成分的比例為40莫耳％以 上、特別以60莫耳％以上為佳，並且以全芳香族聚醯亞胺 為佳。 其中，上述式(I)中之R1中之33莫耳％以上為下述式所示 之任一構造為佳。此乃由於有成為耐熱性優異，顯示低線膨 脹係數之聚醯亞胺的優點。 [化2]

L Ja (式(II)中，a為0或1以上之自然數，A為單鍵(聯苯構造）、 氧原子（醚鍵）、酯鍵之任一個，全部可為相同，且亦可為分 別不同。結合基由芳香環的結合部位來看，結合至芳香環的 2，3位或3，4位。） 特別是，具有上述(I)所示構造之聚醯亞胺若含有上述式 (II)所示之構造，則顯示低吸濕膨脹。更且，亦具有易由市 100112189 29 201214811 售獲得，低成本之優點。 〃有士上述構&的聚崎亞胺成分，可形成顯示高耐熱性、 低，…祕係數的聚§|亞胺樹脂。因此，上述式所示之構造 含量若愈接近上述切)中之r1中的莫耳％愈佳，俱只 要至夕3有上述式(!）中之Rl中的33 %以上即可。其中，以 上述式所示構k之含量為上述式⑴中之以中的Μ莫耳。以 上為佳，且以7〇莫耳％以上為佳。 、 作為將聚醯亞胺作成低吸濕之酸二酐的構造，可列舉下述 式(III)所示者。 [化3] (式(III)中’ a為0或1以上之自然數，A為單鍵(聯苯構造）、 氧原子（謎鍵）、S旨鍵之任一個，全部可為相同，且亦可為分 別不同。酸酐骨架（-C0-0-C0-)由鄰接之芳香環的結合部位 來看，結合至芳香環的2，3位或3，4位。） 於上述式(III)中，作為A為單鍵(聯苯構造）、氧原子（醚鍵) 之酸二酐’可列舉3,3，，4,4，-聯苯四羧酸二酐、2,3,3，，4，-聯苯 四缓酸二酐、2,3,2’，3’-聯苯四缓酸二酐、雙（3,4-二羧苯基) 醚二酐等。該等由減低吸濕膨脹係數之觀點以及增廣二胺選 擇性的觀點而言為佳。 1001I2I89 30 201214811 於上述式(III)中，A為醋鍵之苯基g旨系的酸二酐，由令酿 亞胺作成低吸濕的觀點而言’為特佳。例如，可列舉下歹】气 所示之酸二酐。具體而言，可列舉對-伸笨基雙偏笨三酸單 醋酸二酐、對-伸聯苯基雙偏苯三酸單酯酸二酐等。該等由 減低吸濕膨脹係數之觀點以及增廣二胺選擇性的觀點而 言，為特佳。 [化4] L Ja >3[。1〇+。崎 0

(式中，a為〇或1以上之自然數。酸酐骨架（_c〇_〇_c〇_)由 鄰接芳香環的結合部位來看，結合至芳香環的2,3位或3， 4位。） 上述吸濕膨脹係數小之四羧酸二酐的情況，可廣泛選 述之二胺。 、、-交 作為併用之四羧酸二酐，可使用下述所示之具有至少工 個敦原子的四麟二if。若使科人_四魏二酐，則最 終所得之聚醯亞胺的吸濕膨脹係數降低。作為具有至少^ 個鼠原子的四麟二酐，其中以具有氣基、三氟甲基、或三 氟曱氧基為佳。具體而言，可列舉2,2-雙（3,4_二羧笨 100112189 201214811 基)-1，1，1,3,3,3-六氣丙燒二軒等。但是，作為上述聚酿亞胺 成分含有之輯亞胺前驅物財含氟骨架之情況，上述聚醯 亞胺前驅物有難以轉於驗性水溶液的傾向，以上述聚酿亞 胺前驅物之狀態，❹総等進行形斜，有時必須以 醇等之有齡難祕水麵之齡錢騎顯像。 [化5]

F3C、/CF

以婪圭祕 吸臂軋化之觀點而Ί 直且。胺為佳，根據目的触以不超過二胺整體之 莫耳％、較佳Α 4Π # "θ'。/

F

石夕氣Μ 圍，亦可使用月旨肪族二胺 夕氧燒系二胺等之芳香族以外的二胺。 100112189 又，上述聚酿亞胺成分中’上述式(I)中之V中的33莫 32 201214811 %以上為下述式所示之任一種構造為佳。 [化6]

(R3為2價有機基、氧原子、硫原子、或磺醯基，R4及R5 為1價有機基、或鹵原子。） 上述聚醯亞胺若含有上述式之任一種構造，則來自該等剛 直的骨架，顯示低線熱膨脹及低吸濕膨脹。更且，易由市售 獲得，亦有低成本的優點。 具有如上述構造之情況，上述聚醯亞胺的耐熱性提高，線 熱膨脹係數變小。因此，若愈接近上述式(I)中之R2中的100 莫耳％愈佳，但只要上述式(I)中之R2中具有至少33%以上 即可。其中以上述式所示之構造含量為上述式（1)中之R2中 的50莫耳％以上為佳，且以70莫耳％以上為更佳。 由上述聚醯亞胺作成更低吸濕膨脹的觀點而言，作為二胺 的構造，以下述式(IV-1)〜(IV-3)、（V)所示者為佳。 [化7]

100112189 33 201214811 (式(IV-2)〜(IV-3)中，亦可於同一芳香環結合2個胺基。式(V) t，a為0或】以上之自然數，胺基對於苯環彼此之結合， 結合至間位或對位。又’亦可將芳香環上之一部分或全部農 肩子以氟基、甲基、甲氧基、三銳甲基、或三氟尹氧基中選 出之取代基所取代。） 作為上述式（IV-1)〜(IV-3)所示之二胺，具體而言，可列舉 對-苯二胺、間-苯二胺、1，4-二胺基萘、L5-二胺基萘、2,6_ 二胺基萘、2,7-二胺基萘、1，4-二胺基蒽等。 作為上述式(v)所示之二胺，具體而言，可列舉2,2，_二甲 基-4,4’-二胺基聯笨、2,2，_二(三氟曱基)·4,4，_二胺基聯苯、 3,3’-二氯基-4,4，·二胺基聯苯、3,3，·二甲氧基_4,4，_二胺基聯 苯、3,3’-二甲基_4,4，_二胺基聯苯等。 又，方導入氟作為芳香環的取代基’則可減低上述聚醯亞 .、數。例如，作為上述式(V)所示之二胺巾導 入氟的構造，可列兴、、 ^妝甲导 胺前驅物，特別^下述式所示者。但是’含有_聚醯亞 基板上部分形成“^亞㈣，雜轉於驗性水溶液，在 述絕緣層加i時，氣感光性聚醯亞胺絕緣層之情況，於上 行顯像。 ^如料之有機溶劑的混合溶液進 [化8] 100112189 34 201214811

對聚醯亞胺賦予感光性，使用作為感光性聚醯亞胺或感光 性聚醢亞胺前驅物時，為了提高敏感度，且獲得正確再現光 罩圖案的圖案形狀，Ιμιη膜厚時，對於曝光波長至少顯示 5%以上之穿透率為佳，且以顯示15%以上之穿透率為更佳。 又，使用一般之曝光光源之高壓水銀燈進行曝光之情況， 至少對於43611111、40511111、36511111波長之電磁波中之1個波 長之電磁波的穿透率，於成膜為厚度1/mi薄膜時較佳為 以上、更佳為15%、再更佳為5〇%以上。 斤月t醯亞胺對於曝光波長之穿透率高，係指儘可能光的 肌失v ’可传到高敏感度的感光性聚醯亞胺樹脂組成物。 作為聚醯亞胺，為了提高穿透率，期望使用導入氣之酸二 酐、及具有脂環骨架之酸二肝作為酸二酐。但是，若使用具 有脂環骨架的酸二酐，則耐熱性降低，有損害低廢氣性之 虞，故亦可一邊注意共聚比例一邊併用。 於本^樣中，為了提高穿透率，使用導入氟之芳香族的酸 二酐作為酸二酐’由可-邊維持耐熱性(因芳香族)，並且亦 可減低吸濕膨脹方面而言為更佳。 作為本么月所用之具有至少一個氣原子的四緩酸二軒，可 使用具有上述氟原子的四魏二針，其中以具有氟基、三敗 100112189 35 201214811 曱二或—敦甲氧基為佳。具體而言，可列舉2,2-雙(3,4_ 二叛苯基)-1，1，1，3,3,3_六氟丙烷二酐等。 ’ ’ 仁疋具有含敦骨架之聚醯亞胺前驅物，有難以溶解於驗 性水溶液的傾向，·醯亞胺_物之狀態，❹光阻等進 打形成圖_，有時必須轉等之有機溶劑與驗性水溶液之 混合溶液進行顯像。 又，若使用均苯四甲酸針、3,3，，4,4，_聯苯_酸二針、 1A5,8-萘四羧酸二酐等之剛直的酸二酐，則最終所得之聚 醯亞胺樹脂的線熱膨脹係數變小，有阻礙提高透明性的傾 向，故亦可一邊注意共聚比例一邊併用。 作為聚醯亞胺’為了提高穿透率’期望使用導入敗之二 胺、及具有脂環骨架之二胺作為二胺。但是，若使用具有月旨 環骨架的二胺’則耐熱性降低，有損害低廢氣性之虞，故亦 可邊注思共聚比例一邊併用。 為了提高穿透率，使用導人氟之芳香族的二胺作為酸二 針，由可一邊維持耐熱性（因芳香族），並且亦可減低吸_ 脹方面而言為更佳。 作為導入氟之芳香族的二胺，具體而言，可列舉上述具有 導入氟之構造者，更具體而言，可列舉2,2，·二(三氟甲 基M，4’·二胺基聯苯、2义二(3,苯基⑷丄切六氣丙 嫁、2,2-二（4-胺苯基⑷山如六氣丙院、2(3胺苯 基)-2-(4·胺苯基 100112189 36 201214811 苯、…雙(3胺美 二(三氟甲基)节基) 二 (三1甲辦基)苯、Μ·雙⑷胺基 美’二：氟甲基）节基）苯、2,2•雙[3_(3_胺苯氧基)苯 基]]，1，1，3,3,3-六氟丙烷等。 〜仁疋’含有n醯亞胺前驅物，特別是聚醯胺酸，係難 解；驗I·生水冷液，在金屬基板上部分形成絕緣層之情況， 於上述絕緣層加玉時，有時必須以醇等之有機溶劑的混合溶 液進行顯像。 另方面右使用1，3-雙(3-胺丙基）四甲基二石夕氧烧等之 具有矽氧烷骨架的二胺作為二胺，則改善與金屬基板的密合 性’可降低上述聚醯亞胺的彈性率，且可降低玻璃轉移溫度。 使用含有聚醯亞胺或聚醯亞胺前驅物之聚醯亞胺成分之 聚醯亞胺樹脂組成物形成含有聚醯亞胺之絕緣層之情況，聚 醯亞胺成分之重量平均分子量，亦根據用途而異，但以 3,000〜1，〇〇〇,〇〇〇之範圍為佳，且以5,〇〇〇〜500,000之範圍為 較佳，以10,000〜500,000之範圍為更佳。重量平均分子量 若未滿3,000,則作成塗膜或薄膜時難獲得充分的強度。又， 施行加熱處理等作成聚醯亞胺時的膜強度亦降低。另一方 面，重量平均分子量若超過1，000,000則黏度上升，且溶解 性亦降低，故難獲得表面平滑且均勻的塗膜或薄膜。 此處所用之分子量，係指以凝膠滲透色層分析(GPC)之聚 100112189 37 201214811 苯乙烯換算值，可為聚醯亞胺前驅物本身的分子量，且亦可 為以醋酸酐等進行化學性醯亞胺化處理後的物質。 作為聚醯亞胺成分的含量，由所得圖案之膜物性、特別是 由膜強度及耐熱性方面而言，相對於上述聚醢亞胺樹脂組成 物之固形份整體，以50重量％以上為佳，其中以70重量％ 以上為佳。 另外，所謂聚醯亞胺樹脂組成物之固形份，係溶劑以外之 所有成分，液狀之單體成分亦被包含於固形份。 於本發明中，絕緣層只要含有上述之聚醯亞胺即可，視需 要，適當將此聚醢亞胺與其他具有接黏性的聚醯亞胺積層組 合，使用作為絕緣層亦可。 又，上述之聚醯亞胺，亦可使用感光性聚醯亞胺或感光性 聚醯亞胺前驅物所得者。感光性聚醯亞胺，可使用公知手法 獲得。例如，於聚醯胺酸之羧基以酯鍵及離子鍵導入乙烯性 雙鍵，並於所得之聚醯亞胺前驅物中混合光自由基起始劑， 作成溶劑顯像負型感光性聚醯亞胺前驅物。又，例如，於聚 醯胺酸及其部分酯化物中添加萘醌二疊氮化合物，作成鹼顯 像正型感光性聚醯亞胺前驅物，或者，於聚醯胺酸中添加硝 基°比啶系化合物作成鹼顯像負型感光性聚醯亞胺前驅物 等，在聚醯胺酸中添加光驗產生劑，作成驗顯像負型感光性 聚醯亞胺前驅物。 於該等感光性聚醯亞胺前驅物中，相對於聚醯亞胺成分之 100112189 38 201214811 重量添加15%〜35%的感光性賦予成分。因此，即使於形成 圖案後以就〜·。C加熱’亦於聚酿亞胺中殘存來自感光 性賦予成分的雌。由於鱗殘存物成為增大線熱膨服係數 及吸濕膨脹餘的卵，故若使Μ紐輯亞胺前驅物， 則比使用祕光性之W亞胺前驅物之情況，EL元件的可 靠性有降低的傾向。但是，於聚醯_中添加級產生劑的 感光性聚醯亞胺前驅物’即使添加劑光鹼產生劑的添加量為 15%以下亦可形成圖案，故作成聚酿亞胺後來自添加劑的分 解殘渣少’且線熱膨脹係數及吸濕膨脹係數等之特性惡化 少’更且因廢氣亦少，故最佳作為本態樣可應用的感光性聚 醯亞胺前驅物。 聚醯亞胺所用之聚酿亞胺前驅物，可經由驗性水溶液顯 像’在金>1基材上部分形成絕緣層時，由雜作業環境之安 全性及減低作業成本的觀點而言為佳。驗性水溶液可廉價獲 得’且因廢液處理費収確保作#安全性之設備費用廉價， 故可以更低成本生產。 於絕緣層中，視需要，亦可含有句塗劑、可塑劑、界面活 性劑、消泡劑等之添加劑。 作為絕緣層之厚度’只要可兼具絕緣性及熱傳導性，則無 特別限定具體而5，以Q 3脾〜刚哗之範圍内為佳，更 佳為0.5/rni〜50/rni之範圍内，再佳為一〜2〇—之範圍内。 絕緣層的厚度若過薄财時無法麟充分的絕雜，絕緣層 100112189 39 201214811 的厚度若過厚則熱傳導性有降低之虞。 上述絕緣層除去部係在比絕緣層之外緣更内侧形成之情 況，外緣側的絕緣層與中心部分側的絕緣層分開，此時之外 緣側絕緣層的膜厚與中心部分侧絕緣層的膜厚，可為相同， 且亦可為不同。 例如，經由外緣側絕緣層的膜厚比中心部分側絕緣層的膜 厚以更厚形成，亦具有在密封時在中心部分側絕緣層與阻擋 性基板之間可形成間隔，將電子元件密封時為較佳之情況等 之外緣側絕緣層的膜厚與中心部分側絕緣層的膜厚不同的 優點，但若考慮絕緣層的製造面，則以相同膜厚為佳。 絕緣層亦可含有吸濕劑。係因經由絕緣層中之吸濕劑的吸 濕，則可更加有效防止水分由外部浸入。藉此，使用本發明 之熱傳導性密封構件製作EL元件時，可更加抑制元件性能 的惡化。 作為吸濕劑，只要至少具有吸黏水分之機能者，則無特別 限定，其中以化學性吸黏水分之同時，即使吸濕亦可維持固 體狀態的化合物為佳。作為此種化合物，可列舉例如，金屬 氧化物、金屬之無機酸鹽或有機酸鹽等。特別是，以鹼土金 屬氧化物及硫酸鹽為佳。作為驗土金屬氧化物，可列舉例 如，氧化辦、氧化鋇、氧化鎮、氧化銀等。作為硫酸鹽，可 列舉例如，硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鎵、硫酸鈦、硫酸鎳等。 又，亦可使用矽膠、及聚乙烯醇等之具有吸濕性的有機化合 100112189 40 201214811 物。其中，亦以氧化鈣、氧化鋇、矽膠為特佳。此乃由於該 等吸濕劑係吸濕性高。 吸濕劑之含量無特別限定，相對於吸濕劑與聚醯亞胺之合 計量100質量份，以5質量份〜80質量份之範圍内為佳，更 佳為5質量份〜60質量份之範圍内、再佳為5質量份〜5()質 量份之範圍。 作為絕緣層之形成方法，只要可以指定膜厚形成具有絕緣 性之樹脂的方法，則無特別限定，可使用一般使用之方法。 於本發明中，如上述使用聚醯亞胺為佳，使用聚醯亞胺 時，例如，可使用於金屬基材上塗佈聚醯亞胺溶液或聚醯亞 胺前驅物溶液的方法。其中以塗佈聚醯亞胺前驅物溶液的方. 法為適當。此乃由於一般聚醢亞胺對於溶劑缺乏溶劑性。 又，此乃由於對於溶劑之溶解性高的聚醯亞胺係耐熱性 '線 熱膨脹係數、吸濕膨脹係數等物性差。 作為塗佈方法，例如，可使用旋塗法、模具塗敷法、浸塗 法、棒塗法、凹版印刷法、網版印刷法等。 又，於形成金屬基材與絕緣層之積層體時，亦可利用聚醯 亞胺薄膜。於利用聚醯亞胺薄膜之情況，將金屬材料於聚醯 亞胺薄膜上蒸鍍，可獲得金屬基材與絕緣層的積層體。 3.黏著層 本發明之熱傳導性密封構件，在上述絕緣層上形成黏著層 為佳。此乃由於經由具有黏著層，則可輕易進行在電子元件 100112189 41 201214811 上配置積層本發明之熱傳導性密封構件的步驟。 於本發明巾，形絲著層時’在上述絕緣層除去部未形成 黏著層為佳。此乃由於可在步驟上簡便地在上述絕緣層除去 部配置密封樹脂形成密封樹脂部。 如此’黏著層的形成部位，只要未在上述絕緣層除去部形 成，則無⑽m定’如圖丨所示般，形成魏緣層同樣的圖 案為佳。 本發明所用之黏著層，具有耐熱性者為佳。作為此種黏著 層的耐熱性’只要可承受本發明之熱傳導性密封構件之製造 過程中的加熱，及使用本發明之熱傳導性密封構件將虹元 件等之電子元件予赌封之情況，可承受電子元件之製造過 程中的加熱及電子元的發熱等程度即可，且於作業溫度中不 會由黏著層產生氣體為佳。具體而言，構成黏著層=㈣ 的5%重量減少溫㈣80。〇以上為佳，且以1〇叱以上為更 佳’以12G°C以上為再佳。5%重量減少溫度若小於上述範 圍，例如電子元件A EL元件之情況，經由EL7^發光時 的發熱使黏著劑分解，且經由此分解時發生的物質有使元件 特性惡化之虞。又，經域惡化餘著層切的黏著性降 低，與元件的密合性變差，有時從元件制離。 另外，5%重量減少溫度，係使用熱重量分析裝置或示差 熱天平（例如Thermo Plus TG8120 (理學公司製））於氮 氣體下，以UTC/分鐘之升溫速度升溫，並測定之值。义 100112189 42 201214811 黏著層係在使用本發明之耐熱性密封構件例如密封肛元 件時，以覆蓋透明電極層與EL層與f面電極層之方式接黏 至透明基板者’具備凹凸順從性。具體而言，黏著層於室溫 下的貯藏彈性率為LOxWPa以上且i Qxl()7pa以下為佳'皿 以以上幻胸G6pa以下為更佳，且以丨糊％ 乂上且1.0x10 pa以下為特佳。另外，所謂室溫係指乃。c。 黏著層於室溫下的貯藏彈性率若為上述範圍，則可獲得實用 上充分的黏著性及良好的凹凸順從性。室溫中之貯藏彈性率 小於上述範圍之情況’黏著層變為脆弱者且易引起凝集破 壞。另-方面’大於上述範圍之情況，對於凹凸難表現充分 的順從性。貯藏彈性率係硬度·柔軟度的指標，黏著層於室 下的貯藏彈性率若為上述，例如於虹元件之情況， 可將透明電極層與EL層與背面電極層所造成的段差充分填 埋。 ' 另外，貯藏彈性率係使用動態轉性敎裝置（例如， RSA3(TAInstruments公司製），以頻率iHz、升溫速度似 分鐘之條件測定之值。 又，作為黏著層的凹凸順從性，以構成黏著層之黏著劑的 玻璃轉移溫度(Tg)為·。C以下為佳，更佳為贼以下，再 佳為3GUX下。使用本發日狀熱料性密封構件例如密封 EL元件時，將熱傳導性密封構件之黏著層貼附至支持el 兀件之透明基板時的溫度，若低於黏著劑的Tg，則難以順 100112189 43 201214811 從㈣。因此’勘著劑的Tg較低為佳，於室溫以下為特佳。 #著劑的g若為上述範圍，則可使熱傳導性密封構件之黏 著層貼附支持EL元件之透明基板時的溫度降低。 ，黏者層，係具有絕緣性。具體而言，絕緣層的體積電阻 為⑽10 Ω · m以上為佳，以1.〇χ1〇8Ω · m以上為更佳， 且以L〇x_.m以上為再佳。' 另外’體積電阻係根據JIS K691WIS C2318、ASTM D257 等之規格為準的手法測定。 作為黏著層所用之黏著劑，係滿足上述特性者，且只要在 本發月之耐熱f生论封構件使用於EL元件時不會對層造 成不良影響者’則無特別限定，可列舉例如，《亞胺系樹 脂、聚㈣系樹脂、環氧系樹脂、_酸系樹脂等之熱硬化 型樹脂、光硬化_脂、及聚乙烯、聚丙稀等之酸改質物等 之”.、可塑11树月曰。其中以熱硬化性樹脂、光硬化型樹脂為 佳。更且’由耐熱性的觀點而言，以聚醯亞胺系樹脂、聚矽 氧系樹脂為佳。特別是，以非聚魏系樹脂為佳，且以聚酿 亞胺系樹脂’因耐熱性及熱傳導性優異，故為佳。 又’黏著劑亦可為硬化型黏著劑。所謂硬化型黏著劑，係 罐元件時具有黏著性’且於元件製作後硬化者。硬化型 黏著劑係具有與被密封物的密合性更加強固的優點。另—方 面，將本發明之熱傳導性密封構件應用於可撓性el元件 時，若使用硬化型黏著劑，將元件彎曲時在黏著層的硬化部 100112189 201214811 分發生裂痕且使元件惡化。作為硬化型黏著劑，可使用上述 之熱硬化型樹脂及光硬化型樹脂。 一般的聚醯亞胺系樹脂，具有下述式(VI)所示之重複位。 [化9]

(式(VI)中，R6為4價有機基，R7為2價有機基，重複之R6 彼此及R7彼此分別可為相同或相異。η為1以上之自然數。） 式（VI)中，一般而言，R6為來自四缓酸二酐之構造：’R7 為來自二胺的構造。 由創出黏著性的觀點而言，作為聚醯亞胺系樹脂所應用之 二胺，至少含有脂肪族二胺為佳。此處，所謂脂肪族二胺， 係指與連結2個胺基部位之胺基的氮原子結合的碳原子為 脂肪族碳，所謂芳香族二胺，係指上述碳原子為芳香族碳者。 同樣地，關於四羧酸二酐，亦將2個酸酐基連接部位之構 造為芳香族者稱為芳香族酸二酐、脂肪族者稱為脂肪族酸二 酐。 作為聚醯亞胺系樹脂，係以下述式（1)所示之四羧酸二酐 及下述式（2)所示之四羧酸及該四羧酸之衍生物中選出1種 以上之化合物所構成的四羧酸成分、及將下述式（3)所示之 脂肪族二胺以四羧酸成分之莫耳數比脂肪族二胺之莫耳數 100112189 45 201214811 更過量之方式調配並且進行加熱反應作成聚醯亞胺(A)，並 調配聚醯亞胺（A)與下述式（4)所示之芳香族二胺且進行加 熱反應而得的聚醯亞胺(B)作為必須成分，並將調配下述式 (5)所示之雙馬來醯亞胺化合物、及2官能環氧化合物、2 官能丙稀酸酯等之2官能性交聯劑而成之熱硬化性聚酿亞 胺樹脂組成物硬化而得者為佳。 [化 10]

H2N—X1—NH2 h2n—x2_nh2

(式（1)中，R11為4價有機基。） (式(2)中，R11為4價有機基，Y1〜Y4獨立為氫或碳數1〜8之 烴基。） (式（3)中，X1為脂肪族基或脂環基直接結合至胺基之碳數 1〜221的2價有機基，其構造之一部分亦可含有芳香族基、 醚基、其他取代基。） 100Π2189 46 201214811 (式(4)中’X2為芳香族環直接結合至胺基之碳數6〜27之2 4貝有機基〃構造之—部分亦可含有麟族基、脂環基、1 他取代基。） 〃 (式(5)中’ Z為2價有機基。） 此處式(VI)中之R6為式⑴中的r11，式⑽中之只7為 式(3)中的X1或式(4)中的χ2。 即’熱硬化性聚酿亞胺樹脂組成物及聚酿亞胺系樹脂可根 據含有下述步驟（1)〜(4)之方法而得。 •步驟⑴：⑯四魏成分與脂_二胺加熱反應合成聚酿 亞胺(Α)的步驟 •步驟(2).將步驟⑴合成之聚酿亞胺⑷與芳香族二胺加熱 反應合成聚醯亞胺(Β)的步驟 •步驟(3):調配步驟(2)合成之聚醯亞胺阳)與2官能性之交 聯劑並於室溫混合，製造熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物的 步驟 •步驟(4):將步驟(3)所得之熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物 加熱硬化，獲得聚醯亞胺系樹脂的步驟 上述式（1)之四缓酸二酐中，作為脂肪族四叛酸二酐，可 列舉例如’ 1，2,4,5-環己烷四缓酸二酐、u，3,4_丁烷四羧酸 一針、I，2,3,4-環丁院四羧酸二軒、丨，2,3,4·環戊烷四羧酸二 酐、雙環[2.2.2]辛-7-稀-2,3,5,6-四竣酸二軒、二環己基四叛 酸二酐等。 100112189 47 201214811 上述式（1)之四羧酸二酐中，作為芳香族四羧酸二酐，可 列舉例如，均苯四甲酸二酐、3,3，，4,4，·聯苯四羧酸二酐、 2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐、2,2_雙（3,4_二羧苯基）丙烷二酐、 2,2-雙（2,3- 一羧苯基）丙烷二酐、2,2_雙（3,4_二羧苯 基）-1’1，1，3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2_雙（2,3_二羧苯 基)-1，1，1，3,3,3-六氟丙烷二酐、雙(3,4_二羧苯基)磺二酐、雙 (3,4-二羧苯基)醚二酐、雙(2,3_二羧苯基）醚二酐、3,3，，4,4，_ 一笨酮四羧酸二酐、2,2，，3,3，-二苯酮四羧酸二酐、4,4，_(對-苯二氧基）二酞酸二酐、4,4，-(間·苯二氧基）二酞酸二酐、乙 烯四羧酸二酐、3-羧甲基_U，4_環戊烷三羧酸二酐、u•雙 (2,3-二羧苯基）乙烷二酐、雙（2,3_二羧苯基）甲烷二酐、雙 (3,4-二羧苯基）甲烷二酐等。 上述式（2)之四羧酸、及其衍生物中，作為脂肪族四羧酸、 及其折生物’可列舉例如，i’2,4,5-環己烧四敌酸、以认 丁燒四幾酸、1，2,3,4-環丁院四緩酸、以认環戊烧四羧酸、 雙環[2.2·2]辛_7_稀-2,3,5,6-四叛酸、二環己基四敌酸等、及 彼等與碳數1〜8之醇的g旨類。 上述式P)之四羧酸、及其衍生物中，作為芳香族四羧酸、 及其衍生物，可列舉例如’均笨四甲酸、3,3，,4,4，·聯苯四叛 酸、2,3,3’，4’-聯苯四$酸、2,2_雙(3,4_二叛苯基）丙烷、2,2_ 雙(2,3-二叛苯基）丙烧、2,2•雙(3,4-二叛苯基卜以，^^六 氟丙烧、2,2-雙(2,3-二竣笨基)_1，1，1，3,3,3_六氟丙院、雙(3,4_ 100112189 48 201214811 二羧笨基)磺、雙(3,4-二鲮笨基)醚、雙(2,3_二羧苯基）醚、 3,3’，4,4’-二苯酮四羧酸、2,2，,3,3，_二苯酮四羧酸、4,4，_(對_ 苯二氧基)二酞酸、4,4’-(間_苯二氧基)二酞酸、乙烯四羧酸、 3-緩甲基-1,2,4-¾戊烧二羧§&、丨山雙(2,3_二緩苯基）乙烧、 雙(2,3-二緩苯基）曱烧、雙叛苯基）曱烧等及彼等與碳 數1〜8之醇的酯類。 該等四獄Sf、四魏及該_酸之衍生物中，具有由環 己烧所衍生構造者或具有由笨所彳技構造者為佳，更佳 有由四環己賴衍生構造者為佳，特佳者可哪u从環 己烧四舰二_⑽，5-環己院四驗，且其可單獨i種 或混合使用2種以上。 上逐之脂肪族二胺 吓伽μ /坎丞取脂環基直接結合 至胺基的二胺。式(3)之脂肪族二胺的χ1，以碳數卜功之 2價有機基為佳，且其構相1分亦可含有芳#族基 基、其㈣代基。特別是脂肪族二胺若為聚氧伸烧基二胺， 則可獲付可撓性且加上黏著性玉么杜 且為佳。另外，此處所謂之點 著性’係指不使用水、溶劑、埶蓉 財’於常溫短時間、僅加以 些微壓力而接黏的性質；所謂黏著力，係指試驗片於常溫短 時間以些微壓力接觸被黏體後’拉剝時所需要的力量。 作為聚氧伸烧基二胺，可列與点11 ^ ^ 料例如下述式⑺所示之聚氧 丙烯二胺、下述式（8)所示之聚氣 .乳 虱乙一胺、下述式（9)所示之 聚氧丁二胺及其共聚合體，作為々 ^ 為式(乃之聚氧丙二胺或共聚 100112189 49 201214811 合體，以含有來自下述式（6)所示之環氧丙烷及環氧乙烷骨 架之聚氧伸烷基二胺，於獲得具有黏著性之聚醯亞胺系樹脂 上為佳。 [化 11] ⑹ ⑻ ⑼ H2N—CHCH2—(-〇CHCH2^—(〇CH2CH2)^-(-〇CH2CH^—nh2 ch3 ch3 ch3 H2N—CHCH2—f〇CH2CH^-j-NH2 ch3 ch3 h2n—ch2ch2-(och2ch2}^-nh2 H2N—CH2CH2CH2CH2-f〇CH2CH2CH2CH2-}Y-NH2 (式⑹中，a、c為環氧丙烧單位的聚合度，b為環氧乙烧單 位的聚合度。） (式⑺中，η1為環氧丙烷單位的聚合度。） (式(8)中，η2為環氧乙烷單位的聚合度。） (式(9)中，η3為環氧丁烷單位的聚合度。） 聚氧伸烷基二胺，於獲得具有良好黏著性之聚醯亞胺系樹 脂上，分別為如下之分子量為佳。上述式（6)之聚氧伸烷基 二胺的分子量較佳為300〜4000 (環氧丙烷之聚合度(a+c)為 1.0〜9.4 (c不為0)、環氧乙烷之聚合度(b)為3.7〜79.8)、更佳 為600〜2000 (環氧丙烧之聚合度(a+c)為3·6〜6.0 (c不為0)、 環氧乙烷之聚合度(b)為9.0〜38.7)。上述式（7)之聚氧丙二胺 100112189 50 201214811 的分子量較佳為230〜4000 (環氧丙烷之聚合度η1為 2.6- 68.0)，更佳為600〜2000 (環氧丙烷之聚合度η1為 8.7- 33.0)。上述式（8)之聚氧乙二胺的分子量較佳為 300〜4000 (環氧乙烷之聚铪度η2為5·5〜89.5)，更佳為 600〜2000 (環氧乙烷之聚合度η2為12.3〜44.1)。上述式(9) 之聚氧丁二胺的分子量較佳為200〜4000 (環氧丁烷之聚合 度η3為1.6〜54.3)，更佳為600〜2000 (環氧丁烷之聚合度η3 為 7.1 〜26.6)。 上述式（3)之脂肪族二胺中，作為聚氧伸烷基二胺以外之 二胺，可列舉例如，4,4’-二胺基二環己基甲烷、異氟爾酮二 胺、乙二胺、四亞曱基二胺、降稻烷二胺、對-二曱苯二胺、 1,3-雙（胺曱基)環己烷、1,3-二胺基環己烷、己二胺、間二曱 苯二胺、4,4’-亞曱基雙(環己胺）、雙環己基二胺、矽氧烷二 胺類等。其中，就高分子量化容易，且耐熱性優異方面，以 使用4,4’-二胺基二環己基甲烷、異氟爾酮二胺、1,3-二胺基 環己烷等之具有脂環構造的二胺為佳。該等二胺可單獨或混 合使用2種以上。 上述步驟（1)之反應生成物的聚醯亞胺(Α)，可經由對脂肪 族二胺添加四羧酸二酐或四羧酸或該四羧酸之衍生物中選 出1種以上之化合物所構成的四羧酸成分，並進行醯亞胺化 反應的方法而得。 上述步驟（1)之反應生成物的聚醯亞胺（Α)，將上述式（1) 100112189 51 201214811 所示之四羧酸二酐或上述式（2)所示之四羧酸或該四羧酸之 衍生物中選出1種以上之化合物所構成的四羧酸成分，相對 於上述式（3)所示之脂肪族二胺1莫耳較佳以1.01莫耳以上 且2莫耳以下之比、更佳為丨.5莫耳以上且2莫耳以下之比 調配合成為佳。此時’對反應生成物之兩末端配以可形成酸 酐基或醯亞胺基的二羧酸衍生物之基為佳。若將四羧酸成分 相對於脂肪族二胺1莫耳以1莫耳以下之比調配，則上述步 驟（1)之反應生成物兩末端’不會變成來自四羧酸成分之基 者變多，在與後述芳香族二胺反應中為不佳。若將四羧酸成 分之1種以上相對於脂肪族二胺1莫耳調配大於2莫耳之 比，則未反應的四羧酸成分殘留許多，變成以單體成分殘 留，有使耐熱性降低之虞。 上述聚醯亞胺(A) ’係在無溶劑下進行熱醯亞胺化反應而 得’亦可使用各種有機溶劑。具體而言，可使用N，N-二曱 基乙醯胺、N-曱基-2-吡咯啶酮、n，N-二曱基曱醯胺、二甲 基亞砜、六曱基膦醯胺、四亞曱基砜等之1種或2種以上之 溶劑。特別是’將N-曱基-2·•吡咯啶酮、n，N-二曱基乙醯胺 使用於溶劑為佳。又，為了進行共沸脫水，亦可加入二甲笨 或曱笨。聚醯亞胺(A)奋成後’亦可以四氫吱痛、丙酮、曱 醇等之低沸點溶劑稀釋。 脂肪族二胺視需要亦可溶解於如上述之有機溶劑供使 用。酿亞胺化反應之反應溫度為1.50〜200°C為佳，特別以 100112189 52 201214811 180〜2〇GC騎。若低於丨贼職法衫進行高分子量化 且無法合成實用的聚醢亞胺。若高於細。c則在成本之問題 為經濟上 1佳°反應時間以1〜U小時為佳，特別以3〜6小 時為仫右短於i小時則無法充分進行高分子量化且無法合 成實用的聚酿亞脸。泣且认10 , 士 右長於12小恰則在成本之問題為經濟 亦可添加甲笨或二曱笨作為共沸溶劑進行醯亞 化反應。㈣亞胺之生成可根據IR圖譜於177G及1700cm· 附近之醯亞胺環的特性吸收而進行確認。 上述步驟(2)之聚酿亞胺⑻’可在上述步驟⑴所得之聚醯 亞胺(A)中調配芳香族二胺進行醯亞胺化反應之方法而得。 、（）斤示之芳香族二胺相對於製造聚醯亞胺(A)時所 用之Is肪族一版1莫耳，較佳調配0.02莫耳以上且2莫耳 以下之比、更佳為！莫耳以上且2莫耳以下之比並合成。此 時在聚酿亞胺⑻的兩末端調配芳香族胺基為佳 。芳杳族 二胺相對於脂肪族二胺丨莫耳若調配大於2莫耳之比，則未 反應之方香族二胺的比例變多，其後步驟所得之聚醯亞胺系 樹脂的可繞性變低β 上述1(4)之芳香族二胺’係芳香族環直接結合至胺基的 二胺。X2為碳數6〜27之2價有機基為佳，且其構造之一部 刀亦可3有|旨肪族基、脂環基、其他之取代基 。作為上述式 ⑷之芳基族二胺’可列舉例如，3,4’-二胺基二苯醚、4,4，-一胺基—料、4,4’_二胺基二苯基甲院、4,4，_二胺基二苯基 100112189 53 201214811 胺基二苯酮 胺 石風、間苯二胺、對-笨二胺、2,4-甲笨 2,6-一胺基萘、ι，5-二胺基萘、M，(4胺笨基)笨、雙(心 胺苯氧基)苯、i，3·雙(3·絲氧基）苯、4,4，_雙(4_胺笨^基) 聯苯、α，α’_雙(3·胺笨基H，4.二異丙基苯、雙[4_(4•胺笨氧基) 苯基]石風、雙[4-(3-胺苯氧基)笨基]石風、邮’雙(4_胺笨基 二異丙基苯及2,2·雙(4_絲氧絲基)㈣等。其中，較佳 者可列舉4,4，-二胺基二笨_，料可單獨丨種或混合使用^ 種以上。 上述聚醯亞胺(B)，係在無溶射進行獅亞胺化反應而 得’亦可使用各種有機溶劑。具體而t，可使用仙:甲 基乙酿胺、N_f基'2_°叫唆酮、N，N-二曱基曱醯胺、二甲 基亞礙、六甲基膦醯胺、四亞甲基颯等之高沸點溶劑、四氮 咬喃、丙崎之低沸點溶劑的！種或2種以上。特別是，將 N-甲基-2_t各。定酮、N，N•三曱基乙醯胺使用於溶劑為佳。 又’為了進行共彿脫水，亦可加人二甲苯或曱苯。聚酿亞胺 (B)合成後’亦可以四氫呋喃、丙酮、曱醇等之低沸點溶劑 稀釋。 芳香矣私視4要亦可洛解於如上述之有機溶劑供使 用。醯亞胺化反應之反應溫度為150〜20(TC為佳，特別以 180〜2〇G°C為佳。若低於1贼·法充分進行高分子量化 且無法合成實用的聚醢亞胺。若高於200°C則在成本之問題 為經濟上不佳。反應時間以1〜丨2小時為佳，特別以3〜6小 100112189 54 201214811 時為佳。若短於i小時則無法充分進行高分子量化且無法合 成實用的聚醢亞胺。若長於12小時則在成本之問題為經濟 上不佳。又’亦可添加甲苯或二甲苯作為共沸溶劑進行酿亞 化反應。 熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物，可經由調配聚酿亞胺⑻ 及2官能性之交聯劑並於室溫混合則可獲得。作為2官能性 之交聯劑，由耐熱性之觀點而言，以下述式(5)所示之雙馬 來醯亞胺化合物或2官能環氧化合物為佳。 上述式（5)之雙馬來酿亞胺化合物可列舉下述物質。 N，N’-(4,4’-二苯基曱烷)雙馬來醯亞胺、N，N，-(4,4，-二苯氧基) 雙馬來醯亞胺〜队^-^/’-二苯基砜彡雙馬來醯亞胺、；^^，-對-伸苯基雙馬來醯亞胺、N，N，_間-伸苯基雙馬來醯亞胺、 N，N’-2,4-曱苯雙馬來醯亞胺、Ν，Ν，·2,6_甲苯雙馬來醯亞胺、 Ν，Ν’-乙烯雙馬來醯亞胺、Ν，Ν，_六亞甲基雙馬來醯亞胺、 ^-{4,4’-[2,2’-雙(4”,4”’-苯氧苯基）異亞丙基]}雙馬來醯 亞胺、队1^’-{4,4’-[2,2，-雙(4”，4，，，-苯氧苯基）六氟異亞丙基]} 雙馬來醯亞胺、！\[，>1’-[4,4’-雙(3,5-二曱苯基）曱烷]雙馬來醯 亞胺、Ν，Ν’-[4,4’-雙（3,5-二乙苯基）甲烷；|雙馬來醯亞胺、 Ν，Ν’-[4,4’-(3-甲基-5-乙苯基）甲烷]雙馬來醯亞胺、 Ν，Ν’-[4,4’-雙（3,5-二異丙苯基）甲烷]雙馬來醯亞胺、 Ν，Ν’-(4,4’-二環己基甲烷)雙馬來醯亞胺、Ν，Ν，_對-二曱苯隻 來醯亞胺、Ν，Ν’-間-二甲苯雙馬來醯亞胺、ν，Ν，-(1，3-二亞 100112189 55 201214811 甲基環己烷)雙馬來醯亞胺、N，N’-(1，4-二亞曱基環己烷)雙馬 來醯亞胺等。又，亦可使用聚氧伸烷基二胺之兩末端以馬來 酸酐密封的雙馬來醯亞胺化合物。可列舉例如，聚氧乙二胺 之兩末端以馬來酸酐密封的雙馬來醯亞胺化合物、聚氧丙二 胺之兩末端以馬來酸酐密封的雙馬來醯亞胺化合物、聚氧丁 二胺之兩末端以馬來酸酐密封的化合物。其中較佳者為下述 式（10)所示之1^，^[’-(4,4’-二苯基曱烷)雙馬來醯亞胺、下述式 (11)之N，N’-[4,4’-雙（3-曱基-5-乙基苯基）曱烷]雙馬來醯亞 胺。 [化 12]

(10)

製造上述步驟(3)之熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物時，將 上述式（5)所示之雙馬來醯亞胺化合物相對於製造聚醯亞胺 (A)時所用之脂肪族二胺1莫耳，若較佳調配以0.25莫耳以 上且4莫耳以下之比、更佳為0.75莫耳以上且2莫耳以下 之比，則可獲得提供具有可撓性之聚醯亞胺系樹脂的熱硬化 性聚醯亞胺樹脂組成物。將雙馬來醢亞胺化合物相對於製造 聚醯亞胺(A)時所用之脂肪族二胺1莫耳若調配小於0.25莫 100112189 56 201214811 耳之比，則聚醯亞胺系樹脂的交聯密度降低且強度不足。若 將四羧酸成分相對於脂肪族二胺丨莫耳調配1〇1莫耳以上 且2莫耳以下之比’且芳香族二胺相對於脂肪族二胺丨莫耳 調配0.G2莫耳以上2莫耳以下之比，且雙馬來醯亞胺化合 物相對於㈣族二胺1莫耳調配大於4莫耳之比，則聚酿亞 胺系樹脂的可挽性變低。 作為上述步驟(3)之熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物製造中 所用之溶劑，可列舉Ν，Ν-二甲基乙酿胺、Ν_曱基_2_咖各咬 酮、Ν，Ν-二曱基曱醯胺、六甲基鱗酿胺等之酿胺系溶劑、曱 基乙基酮、丙酮等之酮系溶劑、i，二崎烷、四氫呋喃等之 環狀鱗系溶劑、其他乙腈等。特別是，以使用耶二甲基 乙醯胺、N·甲基·2·鱗_、N，N_二f基？酿胺、六甲基 膦醯胺等之醯胺系溶劑為佳。 上述步驟(3)之熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物可以下列方 法獲得。將上述步驟(2)所得之聚醯㈣⑻與2官能性之交 聯劑於溶射溶解混合直到變成均勻歸為止。熱硬化性聚 酿亞胺樹脂組成物巾的_量，成為可祕製_度的之量 為佳。混合溫度為（TC〜8(rc之範圍内為佳，且以聰〜机 之範圍内為更佳。若混合溫度低於代，則2官能性之交聯 劑難溶解，且難變成均勻溶液。若混合溫度高於帆，則 混合中由液狀硬化成固體狀。 具有黏著性之聚酿亞胺系樹脂，只要可將所得之熱硬化性 100112189 57 201214811 聚醯亞胺樹脂組成物熱硬化即可，若在形成絕緣層之金屬基 材上或剝離層上澆鑄作成膜狀，並且熱硬化，則可獲得含有 聚醯亞胺系樹脂的黏著層。硬化溫度為15〇。〇〜25〇它之範圍 内為佳。若低於15〇t則殘存未硬化的部分且黏著力變得過 高，在黏著層貼_離層後，在_時引起㈣破壞並且發 生糊殘留。若而於25Gt則成本之問題為經濟上不佳。硬化 寺門為0.5小時〜1〇小時之範圍内為佳。若短於μ小時則 未硬化的部分殘留，黏著力變得過高，在黏著層貼附剝離層 後’在剝離時引起凝集破壞並且發生糊殘留。若長於料 時則為成本之問題，經濟上不佳。 物：=黏著層所用之樹脂組成物後硬化之情況，樹脂組成 αΓ μ㈣層之形成過程的脫水烘烤時開始硬化反應的 佳。作為此種添力，丨’可列舉例如熱驗㈣ 黏者層亦可合有抗氧化劑。抗氧化劑的 :高::層一-由黏著層中之抗氧化Si: =㈣導致EL元件之可#性降低的可紐變大。因此， 几氧_之含量在與耐熱性之平衡中儘可能愈少愈佳。 則=二可含有吸濕劑'經由黏著層中之吸濕劑的吸濕， 之熱傳導^防止來自外部之水分浸人。藉此，使用本發明 的惡化。1封構件製作EL元件時，可更加抑制元件性能 100112189 58 201214811 另外，關於吸濕劑，因與上述絕緣層之項目 同’故於此處省略說明。 目 吸濕劑之含量，並無特別限定，相對於吸濕劑與樹脂之人 計量10G質量份，則以5質量份〜8G f量份之範圍内為佳二 更佳為5質量份〜6〇質量份之範圍内，再佳為$質量份〜別 質量份之範圍内。 黏著層中之吸濕劑含量可為均勾或者不均勾亦可。其中以 僅黏著劑之外緣部含有吸濕劑為佳。使用本發明之耐熱性密 封構件例如將EL元件密封時’若與μ電極層連接之黏著 層部分含有吸濕劑，則經由吸濕劑使黏著層表面粗輪;對 EL層有造成損傷之虞。即，使用本發明之财熱性密封構件 例如將EL元件密封時，與背面電極層連接之黏著層部分含 有吸濕劑為佳。 又，黏著層亦可具有作為白色反射層的機能。將本發明之 熱傳導性密封構件使用於EL元件之情況，來自EL層的發 光在白色反射層之黏著層表面被擴散反射，因此經由干涉效 果可緩和發光色的角度依賴性。 黏著層的厚度，只要兼具凹凸順從性及熱傳導性，則無特 別限定’具體而言’以〇 1μηι〜3〇μιη之範圍内為佳，更佳為 5μπι 20/xm之範圍内，再佳為〜之範圍内。黏著 層的厚度若過薄則有時無法獲得充分的凹凸順從性，黏著層 的厚度純厚賴料性有降低之虞。 100112189 59 201214811 作為黏著層之形成方法，可使用塗佈樹脂組成物的方法。 塗佈樹脂組成物時’亦可在絕緣層上塗佈，且亦可在後述之 剝離層上塗佈。又，如後述般採用加工用片材之方法時，在 剝離片上塗佈樹脂組成物。作為塗佈方法，只要是可以均勾 厚度塗佈之方法，聽特難度，例如，可使職塗法、模 具塗敷法、浸塗法、棒塗法、凹版印刷法、網版印刷法等。 4.金屬基材 本發明中之金屬基材，係支持上述絕緣層及黏著層者。 一作為金屬基材之線熱膨脹係數，由尺寸安定性之觀點而 言，以0 ppm/°C〜25 Ppm/cc之範圍内為佳，更佳為〇 PPm/°C〜18 PPm/t：之範圍内，再佳為〇 PPmrC〜12 ppm/^之 範圍内，特佳為〇ppm/t：〜7ppmrc之範圍Μ。另外，關於 上述線熱膨脹係數之測定方法，除了將金Μ切斷成寬 5mmx長度20mm，作成評估樣品以外，與上述絕緣層之線 熱膨脹係數的測定方法同樣。 作為構成金屬基材的金屬材料，可列舉例如，銘、銅、銅 合金、射銅、不錄鋼(SUS)、金、金合金、錄、錄合金、 銀、銀合金、錫、錫合金、欽、鐵、鐵合金、鋅、鉬等。其 中，應用於大型元件之情況，以sus為佳。sus為財久性、 耐氧化性、耐熱性優異，加上比銅等之線熱膨脹係數小且尺 寸安定性優異。又，SUS3G4及SUS43G亦有易獲得之優點。 於放熱性之觀點，以銅及鋁為佳，但關於銅為易氧化變質， 100112189 60 201214811 關於鋁為耐熱性低且有耐藥品性差的部分，亦具有作業受限 制的問題。 作為金屬基材之形狀，並無特別限定，例如，可為箔狀及 板狀，且亦可如圖6例示般，金屬基材2之形狀與空氣之接 觸面具有凹凸之形狀。 金屬基材與空氣的接觸面具有凹凸時，熱擴散良好，且可 提高放熱性。作為凹凸之形成方法，可列舉例如於金屬基材 的表面直接施行浮雕加工、姓刻加工、喷砂加工、結霜加工、 打印加工等加工的方法、使用光阻等形成凹凸圖案之方法、 鍍敷方法、將箔狀及板狀等之金屬層與表面具有凹凸之金屬 層貼合的方法。浮雕加工時，例如亦可使用表面具有凹凸的 軋製報。姓刻加工時，可根據金屬基材的種類選擇藥劑。將 箔狀及板狀等之金屬層與表面具有凹凸之金屬層貼合的方 法，例如，經由加蠟、熔接、焊錫等接合金屬層彼此間，或 者，介隔著環氧樹脂等之接黏劑可將金屬層彼此貼合 此 時，箔狀及板狀等之金屬層與表面具有凹凸之金屬層，亦可 以相同金屬材料所構成，且亦可以不同的金屬材料所構成。 其中，由成本面而言，較佳使用浮雕加工、蚀刻加工。 作為凹凸之尺寸及形狀只要可增加金屬基材與空氣接觸 面的表面積，則無特別限定。作為凹凸之寬、高度、間距等， 可根據金屬基材之種類及熱傳導性密封構件的用途等適當 選擇，例如可根據模擬求出熱傳導的合適範圍。 100112189 61 201214811 作為金屬基材之厚度，只要具備熱傳導性，則無特別限 疋，可根據本發明之熱傳導性密封構件的用途而適當選擇。 金屬基材的厚度愈厚，則對於面方向的熱擴散優異。另一方 面’金屬基材的厚度愈薄，則變成可撓性豐富。例如本發明 之熱傳導性密封構件具討触讀況，只要可兼具熱傳導 性及可撓性即可，具體而言，以一〜叫m之範圍内為 佳’更佳為2卿〜300_之範圍$，再佳為5-〜5〇_之範 圍内金屬基材的厚度若過薄，則無法充分發揮放熱機能， 對於水蒸氣的阻氣性降低。又，金屬基材的厚度若過厚，則 可撓性降低，變得過重，成本變高。 作為金屬基材之製作方法，可使用一

本發明之熱料 剝離層具有阻氣性為佳。 N離層為佳。此乃由於 變得容易。 100112189 此乃由於可抑制絕緣層及黏著層 62 201214811 的吸濕，且可安定保管本發明之熱傳導性密封構件。作為剥 離層之阻氣性’將本發明之熱料性密封構件例如使用於密 封有機EL元件之間，只要具有可抑制絕緣層及黏著層之吸 濕程度的阻氣性即可L言，卿層躲水具有阻稽性 為佳，只要剝離層的水蒸㈣透率為1Gxl(ylg/m2/天以下即 可，較佳為l.〇Xl〇-3g/m2/天以下、更佳為i刺〇5咖2/天以 下另外，水蒸氣穿透率，係使用水蒸氣穿透率測定褒置 p_atran 3/31 (美國M0C0N公司製），以贼1〇〇%汕之 條件測定之值。 作為剝離層，只要具有剝離性，且滿足指定之阻氣性者， 則無特別限定’可列舉例如，在基材薄膜上形成阻氣層的積 層體、金屬箔、薄膜單體、共同擠壓薄膜。 作為基材薄膜之材料，只要可薄膜化者，則無特別限定， 可列舉例如’聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、環狀聚稀煙系 樹脂、間規聚苯婦樹脂等之聚苯乙烯系樹脂、丙婦猜_苯乙 稀共聚合體(AS樹脂)、丙稀腈-丁二參苯乙稀共聚合體(规 树月曰）、聚氯乙烯系樹脂、氟系樹脂、聚（甲基）丙烯酸系樹脂、 聚碳酸酯系樹脂、聚對苯二曱酸乙二酯或聚萘曱酸乙二酯等 之聚酯系樹脂、各種尼龍等之聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹 脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、多芳基酞酸酯系樹脂、聚矽氧系 樹脂、聚颯系樹脂、聚硫苯系樹脂、聚醚颯系樹脂、聚胺基 甲酸酯系樹脂、縮醛系樹脂、纖維素系樹脂、其他等各種樹 100112189 63 201214811 月曰又亦可使用於該等樹脂中混合有機物或無機物之微粒 子及粉體的複合材料。 作為基材薄膜之厚度，只要是可獲得剝離性的厚度，則無 特別限定’可作成與—般阻氣性賴巾之基材_厚度同程 度。基材薄膜的厚度料則可撓性降低，基材薄膜的厚度若 薄則雖根據構成基材_之材料而異，但強度有變差的可能 性。 作為阻氣層的材料，只要是具有阻氣性者則，無特別限 定，可使用無機材料及有機材料之任一者。 作為阻氣層所用之無機材料，可列舉例如，無機氧化物、 無機氧化氮化物、無機氮化物、金屬。可使用其1種或組合 2種以上。作為無機化合物，可列舉氧化石夕、氧化銘、氧化 鎮氧化鈦、氧化錫 '氧化銦合金。作為無機氧化氮化物， 可列舉氧化氮切。作為無機氮化物，可列舉氮切、氮化 鋁、氮化鈦。作為金屬’可列舉鋁、銀、錫、鉻、鎳、鈦。 作為無機材料’若利用含有氮化物的材料，則對於黏著層多 員示脫模1± ’且可使用作為兼具阻氣性及脫模性。 作為阻氣層所用之有機材料，可列舉例如，環 氧/矽駄S曰、聚乙烯醇（PVA)、乙烯-乙烯醇共聚合體 (evoh)〇pva^evoh可單獨或以混合物使用。 阻氣層可為單層且亦可積層複數層者。 作為阻氣層之厚度，只要可獲得剝離性及阻氣性之厚度， 100112189 201214811 則無特別限定’可根據阻氣層的材料適當it擇，作成與一般 之阻氣性_巾之阻氣層同程度。阻氣狀厚度若厚則可撓 性降低且產生裂痕’阻氣層的厚度若薄則有無法取充分之阻 氣性的可能性。 作為阻氣層之形成方法，可為乾式法且亦可為濕式法，根 據材料適當選擇。於阻氣層使用無機材料之情況，通常 用乾式法’其中以真空成膜法為佳，特別是若考慮樹脂薄膜 上形成阻氣層時之樹脂薄膜本身的财熱性，則以等離子體 CVD法為佳。另一方面，於阻氣層使用有機材料之情況， 通常，使用濕式法。 ‘ ’ 又，作為構成金屬箔之金屬材料，可列舉例如，鋁、銅、 銅合金、鱗青鋼、不銹鋼(SUS)、金、金合金、鎳、錄合金、 銀銀合金、锡、錫合金、鈦、鐵、鐵合金、辞、翻等。金 屬vl亦可將表面脫模處理。 作為金屬箱之厚度，只要是可㈣_ 別限定，可作成與-般之阻旱度貝j無特 度。金屬_厚度專膜中所用之金屬荡同程 度為薄之’二 情況’可撓性降低1金屬猪之厚 薄膜單二:法獲得充分之阻氣性的可能性。 又，#為材料’可使用上絲材薄膜的材料。 又共R擠壓薄祺之愔 ^ 薄膜所用之樹脂中〜，為料’可使用於上述基材 複合材料等。〜有機物或無機物之微粒子及粉體的 100112189 65 201214811 6. 吸濕層 於本發明中，在絕緣層上，亦可形成含有吸濕劑的吸濕 層。經由形成吸濕層，則可除去元件内部存在的水。 另外’關於吸濕層所含有的吸濕劑’因與上述絕緣声之項 目中記载者相同，故於此處省略說明。 吸濕層除了吸濕劑以外，亦可含有樹脂。 吸濕劑之含量並無特別限定，相對於吸濕劑與樹脂之合計 量100質量份，以5質量份〜80質量份之範圍内為佳，更佳 為5質量份〜60質量份之範圍内，再佳為5質量份〜5〇質量 份之範圍内。 又’吸濕層亦可具有作為白色反射層的機能。將本發明之 熱傳導性密封構件使用於EL元件之情況，因為來自EL層 的發光於白色反射層之吸濕層表面被擴散反射，故經由干涉 效果可緩及發光色的角度依賴性。 作為吸濕層之厚度，只要可除去元件内部存在的水，則無 特別限定。 作為吸濕層之形成方法，可使用塗佈樹脂組成物的方法、 及將加工用薄片起模的方法等。作為塗佈方法，只要可對指 定部分塗佈之方法，則無特別限定’例如，可使用凹版印刷 法、網版印刷法、分配器法等。 7. 其他之構成 於本發明中，亦可在金屬基材與絕緣層之間形成中間層。 100112189 66 201214811 例如’在金屬基材及絕緣層之間，構成金屬基材的金屬亦可 形成經氧化之氧化膜所構成的中間層。藉此，可提高金屬基 材與絕緣層的密合性。此氧倾在金屬基材表面氧化下形 成。 又，在金屬基材之絕緣層形成面的反側面亦可形成上 化膜。 於本發明中，在未形成剝離層之情死，熱傳導性密封構件 以黏著層為内側、金屬基材為外側，叫狀回捲者為佳 此，使操作變得容易。 θ ’或者為長形亦可。 可撓性，或者不具有 本發明之熱傳導性密封構件可為枚片 又’本發明之熱傳導性密封構件可具有 亦可。 8.用途 本發明之㈣雜料構件，被制於財必彡諸止水分 浸入及賦予放熱機能之電子元件之電衫置仙途。具體而 言，可列舉肛元件、薄臈電晶體元件，有機薄膜太陽電池、 固體攝像元件等之電子元件。 Β.電子裝置 其次，說明關於本發明之電子裝置 本發明之電子裝置，係具有：具水分阻擋性之阻難Α 板、及在上述阻触基板上形成的電子元件、及 ^ 電子元件之方核置之轉導性㈣料者， j 100112189 67 201214811 述熱傳導性密雜件❹有：麵雜；在上述 形成，並具有絕緣性之職所構成㈣緣層；及屬於二上述 金屬基材上未㈣上麟緣層之部分，且，住上述絕緣層 之中心部分之方式連續形成的絕緣層除去部；在上述絕緣層 除去部形成有密封樹脂所構成的密封樹脂部，在阻播性基板 與熱傳導性密封構件之間，上述電子元件被加以密封。 關於此種本發明之電子裝置，參照圖式具體說明。圖2 係顯示本發明之電子裝置之一例。圖2例示之電子裝置2〇, 係具有：具水分阻擔性之阻擔性基板21、在阻擋性基板21 上形成的電子元件22、及以覆蓋上述電子元件。之方式形 成的熱傳導性密封構件1。 上述熱傳導性密封構件i，係具有：金屬基板2 ;在金屬 基材2上形成，並由具有絕緣性之樹脂所構成的絕緣層3 ; 及在上述黏著層3上形成的黏著層4 ;及屬於在上述金屬基 材2上未形成上述絕緣層3及黏著層4之部分，且以圍住上 述絕緣廣3之中^部分之方式連續形成的絕緣層除去部ι〇 者0 此處，上述阻擋性基板與上述熱傳導性密封構件丨，以上 述絕緣層除去部10内配置的密封樹脂部23密封，並且進一 步以熱傳導性密封構件1的黏著層4予以接黏。 若根據本發明，因為使用具有絕緣層除去部之熱傳導性密 封構件予以密封’故經由在上述絕緣層除去部形成密封樹脂 100112189 68 201214811 部將電子元件密封，可使密封樹脂部以直接接觸金 阻擋性基板之狀態密封。上述金屬基材及阻擋性美屬基材及 分的阻擋性通常極高，故經由密封樹脂部如二與::對於水 阻擔性基板直接連接之狀態密.則可作_㈣電=材及 有極南之水分密封性的電子裳置。 牛” 以下，詳細說明關於此種電子裝置。 1·熱傳導性密封構件 本發明之電子裝置係使用熱傳導性密封構件，而在阻擔性 基板之間將電子元件㈣，軸料性密封構件具有：:屬 基材；在上.屬基材上軸，並由具有絕雜之樹脂 成的絕緣層；及屬於在上述金屬基材上未形成上述絕緣芦之 部分，且以圍住上述絕緣層之中心部分之方式連續形成:1絕 緣層除去部。此種熱傳導性密封構件，因為可使用與上述「A. ”’、傳導H密封構件」說明者相同之物，故於此處省略說明。 2.密封樹脂部 本《月所用之密封樹脂部，經由被配置於上述熱傳導性密 封構件的絕緣層除去部，使阻擋性基板與金屬基材直接接 觸’將㈣存細電子元件予料封者。如此，因為不介存 有、、邑緣層等之細月旨材料即可密封，故可更加完全阻斷由外部 浸入水分。 此種密封柯月旨部，經由被配置於上述絕緣層除去部内，以 圍住畨封之電子元件之方式形成。 100112189 69 201214811 作成構成上職封樹㈣卩的密封獅，只要具有防止水分 浸入機能者，則無特㈣定，可列舉例如，㈣亞胺系樹脂、 聚石夕氧系糾θ、環氧系樹月旨、丙烯酸系樹脂等之熱硬化型樹 脂、光硬化型樹脂。 密封樹脂部亦可含有吸濕劑。經由密封樹脂部中之吸濕劑 予以吸濕’則可更加有效防止來自外部之水分浸人。另外， 關於吸濕劑’因為與上述絕緣層之項目中記载者相同，故於 此處省略說明。 吸濕劑之含量並無特㈣定，相對於吸關與樹脂之合計 量100質量份，以5質量份〜8〇質量份之範圍内為佳，更佳 為5質量份〜6〇質量份之範圍内，再佳為5質量份〜50質量 份之範圍内。 如圖4及圖5例示般，絕緣層除去部10以複數周形成之 情況，各絕緣層除去部所形成之密封樹脂部的材料可為相同 且亦可為不同。 上述密封樹脂部的寬度，通常，係對應上述絕緣層除去部 寬度的寬度。又’作為上述密封樹脂部的厚度，只要是可防 止來自外部之水分浸人的厚度，則無特別限定，可根據電子 元件的用途適當選擇。 作為密封樹脂部的形成方法，只要是可在上述絕緣層除去 部内塗佈密封樹脂的方法，則無特別限定，可使用分配器 法、凹版印刷法、網版印刷法、分配器法等。 100112189 70 201214811 3. 阻擋性基板 . 作為本發明所用之阻擂性基板，只要是對於水分具有阻擋 性的基材’則無特別限定。 作為此時之水分阻齡，通f，只要為水蒸氣穿透率為 1.0x10 ig/m2/天以下即可’較佳為1〇xl〇_3g/in2/天以下，更 佳為l.oxio—W/天以下。另外，水蒸氣穿透率，係使用水 減穿透率測定裝置Pennatran 3/31 (美國公司 製）’以40 C 1〇0°/〇 Rh之條件測定之值。 於本心月中 <列如電子裝置為顯示裝置，為太陽電池時， 即必須將内部的光射出外部之情況，或者必須將外的光併入 内部之情況等’本發明之阻擋性基板為透明為佳。 作為此種透月的阻播性基板(以下，有時作為透明基板）， 可列牛例如石英、破璃等之無機材料；聚碳酸醋(PC)、聚 對苯二曱酸乙二酉旨(PET)、聚對苯二甲酸丁二醋(爾）、聚硫 苯(PPS)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺醯亞胺(pAi)、㈣雕四）、 聚醚醯胺(PEI)、聚醚醚酮(ρΕΕκ)等之高分子材料；及於該 等冋刀子材料中添加無機微粒子及無機物之纖維等。 ’ 作為阻擔技基板之厚度’可根據透明基板之材料及EL元 .件之用途而適當選擇。具體而言，為0.005mm〜5mm左右。 4. 電子元件 本發明所用之電子元件，只要纽由水分浸人產生不適 者’且經由内部蓄積熱產生不適者，則無特別限定。作為此 100112189 71 201214811

種電子元件，可列舉例如，EL 件、固體攝像元件等。 件、有機薄膜太陽電池元 於本發明中，其中以EL·元 +4#°EL元件經由水分浸 入’特別於有機EL元件中，造 生發熱，故放熱性亦極為重要者。° X伴隨發光而產 此種肌元件’絲少具有：在以吨絲板之透明基 板上形成的透明電極層；在上述 化处月電極層上形成，並至少 含有發光層的EL層；及在上述Εϊ I bL層上形成之背面電極層 者。以下，詳細說明關於此種EL元件。 (1) EL 層 本發明中之EL層，係在透明電極層上形成，並至少含有 發光層者。 構成EL層的發光層，可為有機發光層，且亦可為無機發 光層。於有機發光層之情況為有機EL元件，於無機發光層 之情況為無機EL元件。其中以發光層為有機發光層為佳。 此乃由於相較於錢發光層，有機發光制發熱造成的惡化 更顯著。 以下，說明關於發光層為有機發光層之情況。 發光層為有機發光層之情況，el層係至少含有有機發光 層且具有1層或複數層之有機層。即，所謂£匕層，係指至 少$有有機發光層之層，其層構成為有機層丨層以上之層。 U W塗佈法形成EL層之情況，由於與溶劑之關係難以 100112189 72 201214811 積層多數層，故EL層多具有i層或2層之有機層，但經由 崎於溶劑之溶解性為不同之方式將有機材料處理，並且組 合真空鍍法’則亦可進一步作成多數層。 作為有機發光層以外於EL層内形成之層，可列舉電洞注 入層、電洞輸送層、電子注入層及電子輪送層。電洞注入層 及電洞輸送層有時被-體化。同樣地，電子注人層及電子輸 送層有時被一體化。jt夕卜，作為於EL層内形成之層，可列 舉如載體封黏層般之防止電洞或電子穿透，進一步防止激發 子擴散並將激發子封入發光層内，以提高再結合效率少層 等。 曰 士此EL層夕具有將各種層積層的積層構造，且作為積層 構造有許多種類。 作為構成EL層之各層，可作成與一般有肛元件所用者 相同。 (2)透明電極層 本發明中之透明電極層，係在透明基板上形成者。 作為透明電極層之材料，只要可形成透明電極的導電性材 ‘料’則無特別限$，例如，可使用氧化銦錫(1丁〇)、氧化銦 -鋅剛、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化鋁鋅…_ 電性氧化物。 -導 作為透明電極層之形成方法及厚度，可作成與-般EL元 件中之電極相同。 100112189 73 201214811 (3)背面電極層 本發明中之背面電極層，係在EL層上形成者。 背面電極層亦可具有或不具有透明性，其中以背面電極層 上形成白色反射層之情況，背面電極層具有透明性為佳。此 乃由於來自EL層的發光以白色反射層予以良好效率反射。 作為背面電極層之材料，只要為導電性材料，則無特別限 定，可根據有無透明性等適當選擇，可列舉例如，Au、 W、Pt、Νι、Pd、Cr、Cu、Mo、鹼金屬、鹼土金屬等之金 屬單體、該等金屬之氧化物、及A1Li、A1Ca、A1Mg等之 A1合金、MgAg等之Mg合金、Ni合金、Cr合金、驗金屬 之合金、驗土金屬之合金等之合金等。該等導電性材料可單 獨使用，且亦可組合使用2種以上，且亦可使用2種以上並 且積層。又，亦可使用氧化銦錫(IT〇)、氧化銦鋅(ιζ〇)、 化錫:氧化辞、氧化銦、氧化紹鋅(AZ〇)等之導電性氧化物。 作為背面電極層的形成方法及厚度，可作成與一般扯 件中之電極相同。 5.吸濕部 、於本發明中，如圖4及圖5例示般將絕緣層除去部10以 複數周形成之情況’在内周側的絕緣層除去部，亦可形成含 有吸濕劑的吸濕部。經由形成吸濕部，則可除去元件 在的水。 子

另外，關於吸濕部中所含有的吸濕劑，因為與上述「A 100112189 74 201214811 熱傳導性密封構件」之絕緣芦中 緣θ中5己裁者相同，故於此處省略 說明。 吸濕部除了吸濕劑以外，亦可含有樹脂。 田吸濕劑之含量並無特職定，相對於吸關與樹脂之合計 里100質I份，以5質量份〜8G f量份之範圍内為佳，更佳 為5質量份〜6〇質量份之範圍内，再佳為5質量份〜50質量 份之範圍内。 另外’關於吸濕部之厚度、官诗 X、形成方法，可作成與上 述密封樹脂部相同。 另外，本發明不被限定於上述實施形態。上述實施形態為 例示’具有與本發明之申料利_記狀技術㈣想於實 質上相同構成’且相同樣之作収果者，均被包含於本發 明之技術範圍。 實施例 以下，使用實施例及比較例具體說明本發明。 [製造例] 1.絕緣層之評估 (1)聚醮亞胺前驅物溶液之調製 (製造例1) 將4,4’-二胺基二苯醚(ODA) 4.0克(20毫莫耳)與對苯二胺 (PPD) 8.65克(8〇毫莫耳)投入5〇〇毫升之可分離式燒瓶，並 溶解於200克之經脫水的N_甲基_2-吡咯啶酮(NMP)，氮氣 100112189 75 201214811 ^下’ Μ浴使液溫為5GX:般以熱電偶偵測， 邊攪拌。確認其完全溶解後， σ”，、 33Μ4, 交於八中，歷經30分鐘，將 添，髮讀酸：酐(卿a)29.U(99毫莫耳)各少許 為二力^ 了後二50t攪拌5小時。其後冷卻至室溫 為止獲彳寸聚醯亞胺前驅物溶液1。 (製造例2) 除了將反應溫度及溶液之濃度，以成為17重量重 量％之方式调整NMP的量以外，以製造例丨同樣之方法以 下述表1所不之調配比合成聚醯亞胺前驅物溶液2〜]5及聚 醯亞胺前驅物溶液Z (比較例）。 作為酸一酐’係使用3,3，，4,4’-聯苯四叛酸二酐(3卩〇八）、 均苯四甲酸二酐(PMDA)、對-伸苯基雙偏苯三酸單酯酸二酐 (TAHQ)、對-伸聯苯雙偏苯三酸單酯酸二酐(ΒρτΜΕ)。作為 二胺，係使用4,4’-二胺基二苯醚(〇da)、對苯二胺(PPD)、 1，4_雙(4_胺苯氧基)苯(4APB)、2,2，·二甲基-4,4’-二胺基聯苯 (TBHG)、2,2’-雙(三氟甲基)_4,4’_二胺基聯苯(TfmB)之1種 或2種。 100112189 76 201214811 [表1] 聚醯亞胺 前驅物 溶液 酸二酐 二胺 二胺 反應溫度 (°C) 種類 添加量 (mmol) 種類 添加量 (mmol) 種類 添加量 (mmol) 1 BPDA 99 PPD 80 ODA 20 50 2 BPDA 99 PPD 100 一 — 50 3 BPDA 99 PPD 80 4APB 20 50 4 BPDA 99 — — TBHG 100 50 5 BPDA 99 ODA 80 TBHG 20 50 6 BPDA 99 ODA 75 TBHG 25 .50 7 BPDA 99 — — TFMB 100 :50 8 BPDA 99 PPD 80 TFMB 20 :50 9 BPDA 99 PPD 70 TFMB 30 ：50 10 PMDA 99 — — TBHG 100 0 11 PMDA 99 — — ODA 100 0 12 PMDA 99 PPD 50 ODA 50 0 13 BPTME 99 — — ODA 100 fi〇 14 TAH〇 99 — — ODA 100 50 15 TAH〇 99 PPD 75 ODA 25 50 Z BPDA 99 — — ODA 100 50 (製造例3) 為了作成感光性聚醯亞胺，在上述聚醯亞胺前驅物溶液1 中，以溶液固形份之15重量％添加{[(4.5-二曱氧基-2-硝苄 基）氧基]羰基}-2,6-二曱基哌啶(DNCDP)，作成感光性聚醯 亞胺前驅物溶液1。 (製造例4) 為了作成感光性聚醯亞胺，在上述聚醯亞胺前驅物溶液1 中，以溶液固形份之10重量％添加由2-羥基-5-曱氧基肉桂 酸與哌啶所合成之醯胺化合物(HMCP)，作成感光性聚醯亞 胺前驅物溶液2。 [化 13] 77 100112189 201214811

MeO MeO

DNCDP

(2)線熱膨脹係數及吸濕膨脹係數之評估 將上述聚醯亞胺聚醯亞胺前驅物溶液丨〜15及聚醯亞胺前 驅物溶液z，塗佈至貼附於玻璃上的耐熱薄膜(Upilex s 50S :宇部興產（股）製），並於8(rc之熱板上乾燥ι〇分鐘後， 由耐熱薄膜上剝離’獲得膜厚l5jUm〜2〇Mm的薄膜。其後， 將此薄膜固定至金屬製之框，氮環境氣體下，35〇。匸、熱處 理1小時（升溫速度10°c/分鐘、自然放冷），獲得膜厚 9μιη〜15/mi的聚醯亞胺1〜15及聚醯亞胺z (比較例）的薄膜。 又’將上述感光性聚醯亞胺前驅物溶液1及2，塗佈至貼 附於玻璃上的财熱薄膜(Upilex S 50S :宇部興產（股)製），並 於100°C之熱板上乾燥10分鐘後，以高壓水銀燈以365nm 波長之照度換算為2000mJ/cm2曝光後，於熱板上170°C、 加熱10分鐘後，由耐熱薄膜上剝離，獲得膜厚ΙΟμπι的薄 膜。其後，將此薄膜固定至金屬製之框，氮環境氣體下， 350°C、熱處理1小時(升溫速度101/分鐘、自然放冷），獲 得膜厚6μιη的感光性聚醯亞胺1及感光性聚醯亞胺2的薄 膜。 (線熱膨服係數） 將根據上述手法製作的薄膜寬5mmx長度20mm切斷’使 100112189 78 201214811 用作為評估樣品。線熱膨脹係數以熱機械分析裝置Therm〇 Plus TMA 8310 (理學公司製）測定。測定條件係以評估樣品 的觀測長度為15mm、升溫速度為1(rc/分鐘、評估樣品之 每剖面積的加重為相同之方式將拉伸加重定為 lg/25000/mi，並將ι〇〇°〇〜2〇〇。(：範圍之平均線熱膨脹係數 視為線熱膨脹係數(C.T.E)。 (吸濕膨脹係數） 將根據上述手法製作的薄膜以寬5mmx長度2〇mm切斷， 使用作為評估樣品。吸濕膨脹係數以濕度可變機械分析裝置 Thermo Plus TMA 8310改(理學公司製）測定。將溫度固定為 25 C，首先，將濕度於15% RH之環境下使樣品為安定狀 態，保持此狀態大約30分鐘〜2小時後，使測定部位的濕度 為20% RH，再以樣品為安定為止保持此狀態3〇分鐘〜2小 時。其後，將濕度變化成50% RH，將其安定時之樣品長度 與20/。RH安定狀態之樣品長度的差異，除以濕度變化（此 時，50-20之30)，並將此值除以樣品長度之值視為吸濕膨 脹係數(C.H.E.)。以評估樣品之每剖面積的加重為相同之方 式將拉伸加重定為lg/2500〇Mm2。 (3) 基板彎曲評估 於厚度18μιη之SUS 304-HTA羯（東洋精羯製）上，使用上 述聚酿亞胺前驅物減卜15及2、及感光性聚醯亞胺前驅 物溶液1、2，以醯亞胺化後之膜厚為1〇μπι±1μιη之方式， 100112189 79 201214811 以與線熱膨脹係數評估之樣品作成同樣的步驟條件’形成聚 醯亞胺1〜15及Z的聚醯亞胺膜、及感光性聚醯亞胺1、2 的聚醯亞胺膜。其後，將SUS 304箔及聚醯亞胺膜的積層 體以寬lOmmx長度50mm切斷，作成基板彎曲評估用之樣 品。 將此樣品，以Capton Tape僅將樣品短邊單方固定至SUS 板表面’以100°C之烤爐加熱1小時後，於加熱至100°C的 烤爐内’測定樣品反側短邊至SUS板的距離。此時距離為 0mm以上且〇.5mm以下之樣品判斷為〇，超過〇.5mm且 1 .〇mm以下之樣品判斷為△’超過1.0mm之樣品判斷為X。

同樣地’將此樣品以Capton Tape僅將樣品短邊單方固定 至SUS板表面，測定於23°C 85°/〇RH狀態之恆溫恆濕槽中 靜置1小時之樣品反侧短邊至sus板的距離。此時距離為 0mm以上且〇.5mm以下之樣品判斷為〇，超過〇 5坩坩且 1.0mm以下之樣品判斷為△，超過1〇mm之樣品判斷為Y 該等評估結果示於下。 100112189 80 201214811 [表2]

聚醯亞胺薄膜 線熱膨脹係數 (ppm/°C ) 吸濕膨脹係數 (ppm/%RH) 經由加熱之 基板彎曲 的評估 23°C85%RH 時 之基板彎曲 的評估 聚醯亞胺1 18.9 8.4 〇 〇 聚醯亞胺2 10.9 8.5 〇 〇 聚醯亞胺3 19.3 10.9 〇 〇 聚醯亞胺4 4.6 5.1 △ 〇 聚醯亞胺5 12.3 6.1 〇 〇 聚醯亞胺6 22.0 8.7 〇 〇 聚醯亞胺7 31.1 3.5 X 〇 聚醯亞胺8 11.4 5.9 〇 〇 聚醯亞胺9 15.4 3.4 〇 〇 聚醯亞胺10 14.2 3.8 〇 〇 聚醯亞胺11 35.2 20.4 X Δ 聚醯亞胺12 17.2 21.6 〇 X 聚酿亞胺13 34.7 4.0 X 〇 聚醯亞胺14 37.7 6.5 X 〇 聚醯亞胺15 15.6 9.7 〇 〇 感光性聚醯亞胺1 26.1 16.0 Δ Δ 感光性聚醯亞胺2 22.1 13.0 〇 〇 聚醯亞胺Z 43.9 21.8 X X 由於SUS 304箔的線熱膨脹係數為17ppm/°C，確認聚醯 亞胺膜與金屬箱之線熱膨脹係數差大且積層體的彎曲大。 又，由表2可知，聚醯亞胺膜之吸濕膨脹係數愈小，則於 高濕環境下之積層體的彎曲愈小。 2.黏著層之評估 (1) 熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物之調整 首先，為了調製熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物，如下調製 聚醯亞胺16，再調製聚醯亞胺17。 (聚醯亞胺16及17之合成） 將1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐20.35克(0.090莫耳）、聚氧 100112189 81 201214811 丙二胺（三井化學Fine公司製，Jefamin D2000) 118.81克 (0.060莫耳）、N-曱基-2-吡咯啶酮91.50克於氮氣流下力口入 混合，升溫至20CTC並進行3小時醯亞胺化反應，使用迪安· 斯塔克(Dean · Stark)裝置將生成的水分離。反應後，確認無 水分餾出，放冷至室溫(23°C)獲得反應物（聚醯亞胺16)。聚 醯亞胺16有無生成，係藉由確認IR圖譜，並且確認v (00)1770、1706cm_1之醯亞胺環的特性吸收而加以判定。 其次，對聚醯亞胺16,加入4,4’-二胺基二苯醚12.08克(0.060 莫耳）、N-曱基-2-吡咯啶酮9.74克，升溫至200°C並進行3 小時醯亞胺化反應，並以迪安•斯塔克裝置將生成的水分 離。醯亞胺化反應後’確認水的餾出停止，將反應生成物溶 液放冷至室溫，於反應生成物溶液中獲得反應物（聚醢亞胺 Π)。聚醯亞胺17有無生成，係由IR圖譜確認。 (熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物1〜6之調製） 使用上述聚醯亞胺17，調製熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成 物1〜6。其次’根據使用熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物1〜6 的硬化物’測定其耐熱性及橡膠彈性及玻璃轉移溫度。 首先，氮氣流下，於聚醯亞胺17中混合交聯劑之 N，N’-(4,4’-二苯基甲烷)雙馬來醯亞胺之同時，於其中將抗氧 化劑以下述表3所示之調配量（重量比）混合，獲得混合物。 其次，將混合物，使用N，N，-二甲基乙醯胺(；DMAc)與1，3-二11等茂烧之混合液（混合液之混合比率為體積比率DMAc : 100112189 82 201214811 H-巧茂烧=5G%: 50%)，以固形份濃度（重量％)為25%之 方式稀釋，並於室溫_ 1小時使其完全溶解，獲得熱硬化 性聚醯亞胺樹脂組成物丨〜6。 對於抗氧化劑，係使用下列所示之抗氧化劑A1〜A3。另 外，各個混合物中添加的抗氧化劑種別，係如下述表3所示。 抗乳化知彳A1 .受阻紛糸抗氧化劑(ciba japan股份有限公司 製、IRGANOX 1010) 抗氧化劑A2 .受阻盼糸抗氧化劑(匚化& japan股份有限公司 製、IRGANOX 1098) 抗氧化劑A3 .受阻盼糸抗氧化劑(ciba Japan股份有限公司 製、IRGANOX 1010)與1，2,3-苯并三唑之併用（調配比率為 受阻酚系抗氧化劑：1，2,3-苯并三唑=2 (重量份）：1 (重量份)) [表3] 熱硬化性 聚醯亞胺 樹脂組成物 抗氧化劑 調 配量（重量份） 聚醯亞胺17 交聯劑 (雙馬來醯胺） 抗氧化劑 1 A1 100 15 1 2 A1 100 15 3 3 A1 100 15 5 4 A2 100 15 3 5 A3 100 15 3 6 — 100 15 0 (2)特性評估 熱硬化性聚醯亞胺樹脂組成物1〜6以200°C硬化30分鐘 之硬化物的玻璃轉移溫度，不論樣品，若根據損失正切(tand) 的峰頂值(根據DMA法），則為-43.0°C ’於25°C中的貯藏彈 100112189 83 201214811 性率為2.5xl05Pa〜4.〇xl〇5pa之範圍内。又，熱硬化性聚酿 亞胺樹脂組成物1〜6之5%重量減少溫度於各樣品均為29〇 °C〜3O0°C之範圍内。 3.熱傳導性密封構件之評估 (比較製作例A):絕緣層整面 在切出15公分正方之厚度18/mi的sus 3〇4 HTA洛（東洋 精V自製）上，將上述聚醯亞胺前驅物溶液1〜1 5以模具塗敷器 塗敷，於80°c之烤爐中，大氣下乾燥60分鐘後，氮環境氣 體下，350°C、熱處理1小時（升溫速度1〇°c/分鐘、自然放 冷）’形成膜厚6μπι〜12μιη的聚醯亞胺的聚醯亞胺膜， 獲得積層體1〜15。 積層體1〜15中’積層體1、2、3、5、6、8、9、10、12、 15對於溫度及濕度環境的變化均安定且確保平坦性。另一 方面，積層體4、7、11、13、14為彎曲明顯。 (比較製作例Β):絕緣層整面/黏著層整面 對於上述積層體1、2、3、5、6、8、9、10,將上述熱硬 化性聚酿亞胺樹脂組成物1〜6，以dmAc : 1，3-二β号茂烧 =50% : 50%之混合溶液適當稀釋，並以模具塗敷法塗佈， 熱處理後，以成為2/mi之膜厚之方式在大氣中2〇〇〇c下加熱 30分鐘’形成黏著層，作成熱傳導性密封構件丨、1_2、 1-3、1-4、1-5、1-6、2-1、2-2、2-3、2-4、2-5、2-6、3-1、 3-2、3-3、3-4、3-5、3-6、5-1、5-2、5-3、5-4、5-5、5-6、 100112189 84 201214811 6-1、6·2、6-3、6-4、6-5、6-6、8-1、8-2、8-3、8-4、8-5、 8·6、9-1、9-2、9-3、9-4、9-5、9-6、10-1、10-2、10-3、10-4、 10-5 、 10-6 ο 對該等熱傳導性密封構件，將聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上 蒸鍍阻擋層的阻擋薄膜，以阻擋層與黏著層密合之方式貼 付。 上述之熱傳導性密封構件對於溫度及濕度環境變化均安 定且確保平坦性。 (比較製作例c):金屬基材之凹凸 首先，於上述積層體1的兩面將乾式薄膜光阻予以積層。 其次，由積層體1的SUS箔側以200/xm寬的線/空間（L/S) 以條紋狀除去光阻之方式曝光’並由積層體1之絕緣層側整 面曝光後，進行光阻製版。其後，使用氣化鐵溶液，於光阻 的開口部使sus箔之厚度為殘存9/mi之方式將SUS箔半I虫 刻後，將光阻圖案剝離，獲得SUS箔為200/rni寬且半蝕刻 的積層體1H ° 其次’對於上述積層體1H，將上述熱硬化性聚醯亞胺樹 脂組成物4 ’以DMAc :丨义二17等茂燒=50% : 50%的混合溶 液適當稀釋，並以模具塗敷法塗佈，熱處理後，以成為2μιη 之膜厚之方式在大氣中200°C加熱30分鐘，形成黏著層， 作成熱傳導性密封構件1H-4。 對熱傳導性密封構件1H_4,將聚對苯二甲酸乙二酯薄膜 100112189 85 201214811 上蒸鍍阻擋層的阻擋薄膜，以阻擋層與黏著層密合之方式貼 付0 熱傳導性饮封構件1H-4對於溫度及濕度環境變化均安定 且確保平坦性。 (比較製作例D):金屬基材之凹凸 首先，於上述積層體1的兩面將乾式薄膜光阻予以積層。 其次，由積層體1的SUS箔側以5〇μιη正方之線/空間（L/s) 以等間隔除去光阻之方式曝光，並由積層體丨之絕緣層侧整 面曝光後，進行光阻製版。其後，使用氣化鐵溶液，於光阻 的開口部使SUS 4之厚度為殘存方式將sus箔半蝕 刻後，將光阻圖案剝離，獲得SUS箔為5〇μπι正方且半蝕 刻的積層體1Η’。 其次，對於上述積層體1Η，，將上述熱硬化性聚醯亞胺樹 脂組成物4，以DMAc : 1，3-二》等茂烷=50% : 50%的混合溶 液適當稀釋，並以模具塗敷法塗佈，熱處理後，以成為2/mi 之膜尽之方式在大氣中2〇〇。〇加熱30分鐘，形成黏著層， 作成熱傳導性密封構件1Η，-4。 對熱傳導性密封構件1H，_4，將聚對苯二曱酸乙二酯薄膜 上蒸鍍阻擋層的阻擋薄膜，以阻擋層與黏著層密合之方式貼 付。 熱傳導性密封構件1Η，-4對於溫度及濕度環境變化均安 定且確保平坦性。 100112189 86 201214811 (製作例A):絕緣層圖案 在切出15公分正方之厚度18叫# sus3〇4-Hta箱（東洋 積消製)上’將上述聚料胺前驅物溶液丨以模具塗敷器塗 敷於80 C之烤爐中，大氣下乾燥6〇分鐘。其後，於聚酿 亞胺前驅物膜上’進行轨製版且顯像之时將輯亞胺前 驅物膜顯像’其後，剝離光阻圖案後，氮環境氣體下，35代、 熱處理1小時(升溫速度1(rc/分鐘、自然放冷），獲得除去 所欲圖案的積層體ip。 積層體1P對於溫度及濕度環境的變化均安定且確保平坦 性。 (製作例B):絕緣層圖案 於上述積層體1〇之聚醯亞胺膜上，形成光阻圖案。將聚 醯亞胺膜露出的部分，使用聚醯亞胺蝕刻液τρΕ_3〇〇〇 (東麗

Engineering製）除去後，將光阻圖案剝離，獲得除去所欲圖 案的積層體10P。 積層體10P對於溫度及濕度環境的變化均安定且確保平 坦性。 (製作例C):絕緣層圖案 在切出15公分正方之厚度18仰的SUS3〇4 HTA溶（東洋 精箔製）上，將上述感光性聚醯亞胺前驅物溶液1及2分別 以模具塗敷器塗敷，於8 〇。〇之烤爐中，大氣下乾燥6 〇分鐘。 >π隔著光罩，以高壓水銀燈以365nm波長之照度換算 100112189 87 201214811 2000mJ/cm2曝光後’於熱板上17〇t、加熱1〇分鐘後，氣 環境氣體下，35〇t、熱處理1小時(升溫速度l〇t：/分鐘、 自然放冷），形賴厚_之感光性祕亞胺1及感光,=聚 醯亞胺2的聚醯亞胺膜’獲得除去所欲圖案的積層體η及 化均安定且確保 積層體11及12對於溫度及濕度環境的變 平坦性。 (製作例D):絕緣層圖案/黏著層圖案 在聚對苯二甲酸乙二醋製之剝離薄膜上，以乾燥後厚度為 2/mi之方式將上述熱硬化性聚醯亞胺樹脂級成物4及6 以棒塗器塗佈’並於大氣中以烤爐以8(rc、3g分鐘之條件 乾燥。將此薄膜，配合上述積層冑lp、積層體·、積層 體11及12中之絕緣層圖案，以配合最終形成之黏著層尺; 切出，並以重疊積層體1P、積層體1〇p、積層體Η及Η 之絕緣層之方式貼付，將剝離薄膜剝離，於大氣中以 加熱處理30分鐘，作成熱傳導性密封構件lp_2p、lp_4p、 1P-6P、10P-2P、ι〇ρ_4Ρ、ι〇ρ·6Ρ、ιι_2Ρ、 12-2P、12-4P、12-6P 〇 H-4P - H-6? > 對該等熱傳導性密封構件’將聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上 蒸鍍阻擋層的阻擋薄膜，以阻擋層與黏著層密合之方式貼 付。 、 上述之熱料性密封構件對於溫度及濕度環㈣化均安 100112189 88 201214811 定且確保平坦性。 [實施例1]:熱傳導件密封構件之製作 (製作例1) 經由使用上述製作例A記載之手法，獲得由60mm正方 之絕緣層的外緣部開始5mm的位置，以500μιη之寬度除去 絕緣層之方式形成圖案的熱傳導性密封構件-1。 (製作例2) 經由使用上述製作例D記載之熱傳導性密封構件1Ρ-4Ρ 的製作手法，獲得由60mm正方之絕緣層的外緣部開始5mm 的位置，以500/xm之寬度除去絕緣層，在絕緣層上的中心 部具有50mm正方之黏著層的熱傳導性密封構件-2。 (製作例3) 經由使用上述製作例A記載之手法，獲得由60mm正方 之絕緣層的外緣部開始1.7mm及3.4mm的位置，以50()μιη 之寬度除去絕緣層之方式形成圖案的熱傳導性密封構件-3。 (製作例4) 經由使用上述製作例D記載之熱傳導性密封構件1Ρ-4Ρ 的製作手法，獲得由60mm正方之絕緣層的外緣部開始 1.7mm及3.4mm的位置，以500/xm之寬度除去絕緣層，在 絕緣層上的中心部具有50mm正方之黏著層的熱傳導性密 封構件-4。 (製作例5) 100112189 89 201214811 經由使用上述製作例A記載之手法，獲得由6Gmm正方 之絕緣層的外緣部開始，以5mm之寬度除去絕緣層之方式 形成圖案的熱傳導性密封構件_5。 (製作例6) 經由使用上述製作例D記載之熱傳導性密封構件

1P-4P 的製作手法由6〇_正方之絕緣層的外緣部開始以 5_之寬度除去絕緣層，在絕緣層上的中心部具有50mm 正方之黏著層的熱傳導性密封構件_6。 (製作例7) 於上述熱傳導性密封構件上，貼付60麵正方且中心 50mm正方切出的_。其次，在熱傳導性密封構件]之絕 、彖層路出的中〜p ’經由網版印刷，塗佈已練入氧化妈的 «其後除去薄膜，於水分濃度為lppm以下之氛環境氣 體下的球箱内以2GG°C乾燥後’獲得吸濕層在絕緣層上之中 心部以5Gmm正方形成的熱傳導性密封構件_7。 [實施例2]:有機EL元件之製作 以下，於有機EL元件的製作卜9中，使用切出6〇腿正 方的上述熱傳導性密封構件。熱傳導性密封構件的尺寸為 60mm、有機EL面板的尺寸為7〇醜、發光區域為5〇麵口。 (有機EL元件之製作1)

首先’準備於玻璃基板上作為陽極之IT〇係以2mm寬之 線狀形成圖案的ITO基板。於此no基板上，將a_NPD 100112189 90 201214811 (Ν,Ν，-二[(1-萘基）-N，N’-二苯基]-ΐ，ι，_聯苯）_4,4，_二胺）與 Mo〇3以體積比4:1於真空度l〇'5Pa之條件下，經由共同 蒸鍍以Ι.θΑ/sec之蒸鍍速度以成為膜厚40nm之方式成膜， 形成電洞注入層。其次，將α_ΝΡΓ)於真空度i〇-5pa之條件 下，以1 .OA/sec的蒸鍍速度以成為膜厚20nm之方式真空蒸 鍍，形成電洞輸送層。其次’使用Alq3(參(8_羥基喹啉)銘) 作為主要材料，並使用C545t作為綠色發光換混劑，於上述 電洞輸送層上’將Alqs及C545t ’以C545t濃度為3wt°/〇之 方式，於真空度l(T5Pa之條件下’以蒸鍍速度丨人/聊以35nm 之厚度經由真空蒸鍛予以成膜’形成發光層。其次，將Aiq3 於真空度10-5Pa之條件下，以l_0A/sec之蒸鍍速度以成為 膜厚10nm之方式予以真空蒸鍍’形成電子輸送層。其次， 將Alq〗及LiF共同蒸鍍，於真空度i〇-5Pa之條件下，以蒸 鍍速度O.lA/sec以厚度15nm之厚度經由真空蒸鍍予以成 膜，形成電子注入層。最後，使用A1作為陰極，於真空度 10%之條件下’以5.0A/sec之蒸鍍速度以成為膜厚細二 之方式予以真空蒸鍍。 . 形成陰極後，將元件由真空蒸鍍裝置搬送至水分潫度 :〇知以下之氮環境氣體下的球箱。又，將上述熱:專導： 密封構件·卜於球箱中加減燥n將環氧樹脂以分配 器塗佈至SUS㉞出的部分(絕緣層除去部）。將上述塗佈環 氧樹脂的熱傳導性密封構件與元件，在發光部上以配置熱傳 100112189 _ 201214811 導性密封構件的絕緣狀方式定位，並貼合。將上述貼合之 凡件’以遮蔽發光部之方式透過形成Cr圖案的石英玻璃照 射i外線’使上述環氧樹脂硬化，獲得有機此元件(視為有 機EL元件1)。 (有機EL元件之製作2) 同上述有機EL元件之製作1處理形成陰極後，將元件由 真空蒸鍍裝置料至水分濃度°·1獅訂之魏境氣體下 的球箱。又，將上述熱傳導性密封構件_2的阻擋薄膜剝離， ㈣中力姻。其後，將環氧樹脂以分配器塗佈至 SUS、冶露出的部分(絕緣層除去部）。 舳搜道+ + « 上迷塗佈裱氧樹脂的 禮2性㈣構件與元件，在發光部上以配置熱傳導性密封 構件的絕緣層之方式定位，舰合。將上述貼合之元件，以 ^蔽發光部之方式透過形成C1案的石英玻璃照射紫外 線，使上述環氧樹脂硬化，獲得 元件2)。 件(視為有機EL· (有機EL元件之製作3) 同上述有機EL元件之製作】處理形成 一 真空蒸鍍裝置搬送至水分濃度〇1_以下《將7件由 的球箱。又，將上述熱料性密封構件、3於^境氣體下 澡。其後，將環氧樹腊以分配器塗佈至、相_加熱乾 SUS羯露出的部分(絕緣層除去部)。將上述：則1内周側之 熱傳導性密封構件與元件，在發光部上氣樹脂的 100112189 置熱傳導性密封 92 201214811 =的絕緣層之方式定位，並貼合。將上述貼合之 • ^發光敎方式絲形成料玻戟 線，使上述環氧樹脂硬化，獲得 系外 元件3)。 獲件有機虹元件(視為有機扯 (有機EL元件之製作4) 吉同上述有機EL^之製作1處理形成陰極後，將元件由 真空蒸鍍Μ搬送至水分濃度叫帅以下之氮環境 的球箱。又，將上述熱傳導性密 、瞍下 封構件的阻擋薄膜剝離， 財加熱乾燥。其後，將環氧樹脂以分配器塗輕外 側之S則露出的部分(絕緣層除去部)。將上述 ^氧樹脂的熱料性密封構件與元件，在發光部上以配 置二傳導性密封構件的崎狀方歧位，並貼合。將上述 貝二之^件’以賴發光部之方式透過形成Cr圖案的石英 璃照射紫外線，使上述環氧樹脂硬化，獲得有機el元件 (視為有機EL元件4)。 (有機EL元件之製作5) =述有機EL元件之製作丨處卿成陰極後，將元件由 置搬送至水分濃度G]PPm以下之氮環境氣體下 .，^目。又’將上述熱傳導性密封構件-3，於球箱中加款乾 無。$ ’將已練入氧_的膏，以分配器塗佈至内周侧之 =^路4的部分(絕緣層除去部），並加熱絲。其次，將 承氧樹知’以分配器塗佈至外周側之娜箱露出的部分(絕 100112189 93 201214811 緣層除去部）。將上述塗佈環氧樹脂的熱傳導性密封構件與 元件，在發光部上以配置熱傳導性密封構件的絕緣層之方式 定位，並貼合。將上述貼合之元件，以遮部發光部之方式透 過形成Cr圖案的石英玻璃照射紫外線，使上述環氧樹脂硬 化，獲得有機EL元件(視為有機EL裝置5)。 (有機EL元件之製作6) 同上述有機EL元件之製作1處理形成陰極後，將元件由 真空蒸鍍裝置搬送至水分濃度O.lppm以下之氮環境氣體下 的球箱。又，將上述熱傳導性密封構件-4的阻擋薄膜，於 球箱中加熱乾燥。其後，將已練入氧化鈣的膏，以分配器塗 佈至内周側之SUS箔露出的部分（絕緣層除去部），並加熱乾 燥。其次，將環氧樹脂，以分配器塗佈至外周側之SUS箔 露出的部分(絕緣層除去部）。將上述塗佈環氧樹脂的熱傳導 性密封構件與元件，在發光部上以配置熱傳導性密封構件的 絕緣層之方式定位，並貼合。將上述貼合之元件，以遮部發 光部之方式透過形成Cr圖案的石英玻璃照射紫外線，使上 述環氧樹脂硬化，獲得有機EL元件(視為有機EL裝置6)。 (有機EL元件之製作7) 同上述有機EL元件之製作1處理形成陰極後，將元件由 真空蒸鑛裝置搬送至水分濃度0. lppm以下之氮環境氣體下 的球箱。又，將上述熱傳導性密封構件-5，於球箱中加熱乾 燥。其後，將環氧樹脂以分配器塗佈至SUS箔露出的部分(絕 100112189 94 201214811 緣層除去部）。將上述塗佈環氧樹脂的熱傳導性密封構件與 =件，在發光部上以配置熱傳導性密封構件的絕緣層之方式 定位’並貼合。將上述貼合之元件’以遮蔽發光部之方式透 過形成〇圖案的石英玻璃照射紫外線，使上述環氧樹脂硬 化，獲得有機EL元件(視為有機EL元件7)。 (有機EL元件之製作8) 同上述有機EL元件之製作！處理形成陰極後，將元件由 真空聽農置搬送至水分濃度G.lppm以下之氮環境氣體下 、、农相X將上述熱傳導性密封構件_6的阻擔薄膜剝離， 並於球箱中加熱乾燥。其後，將環氧樹脂以分配器塗佈至 露出的部分(絕緣層除去部）。將域塗佈環氧樹㈣ 爐^性贿構件與元件，在發光部切配置熱傳導性密封 構件的絕緣層之方式定位’並貼合。將上述貼合之元件.以 =敝發光部之方式透過形成Cr圖案的石英玻璃照射紫外 線二上述環氧樹脂硬化，獲得有機EL元件(視為有機豇 (有機EL元件之製作9) =述有機EL元件之製作〗處理形成陰極後，將元件由 的^鑛裝置搬送至水分濃度G lppm〜之氮環境氣體下 的球相。又，將阻触_所包裝的上述熱料性密 _7於球箱中開封’並力，乾燥。其後，將環氧樹脂 器塗佈至順㈣的部分姆層除一。將 100112189 95 201214811 一’的熱傳導性密封構件與元件，在發光 導性密刼祕 u卟上以配置熱傳 ^件的絕緣層之方式定位，並貼合。Μ述貼合之 射紫夕成^㈣的石英玻璃照 ” '"，使上述環氧樹脂硬化，獲得有機E]l 機EL元件9)。 件（視為有 CM’ ：有機EL元件之製作 (比較有機HL元件之製作1) 同上逃有機EL元件之製作1處理形成陰 真空蒸趟努苗恤”，石uΛ 设將兀件由 的球箱。又度Ο.1，以下之氮環境氣體下 加數乾焊/切出6〇麵正方的上述積層體卜於球箱中 、*、-。其後’將元件與熱傳導性密封構件，在 =配置熱傳導性密封構件的絕緣層之方式定位，並貼合。由 其外側塗饰環氧樹脂，經由紫外線硬化，獲得有機豇 (視為比較有機EL·元件1)。 (比較有機ΕΧ元件之製作2) 同上述有機EL元件之製作丨處理形成陰極後，將元件由 真空,裝置搬送至水分濃度（Uppm以下之氮環境氣體下 的球相。又，將切出60mm的上述熱傳導性密封構件丨_4的 阻擋薄膜_，並於球箱中加熱乾燥。其後，將元件與熱傳 導性密封構件，在發光部上以配置熱傳導性密封構件的絕緣 層之方式定位，並貼合。由其外側塗佈環氧樹脂，經由紫外 線硬化，後得有機EL元件（視為比較有機£L·元件2)。 100112189 96 201214811 (比較有機EL元件之製作3):玻璃密封 同上述有機EL元件之製作1處理形成陰極。又，準備以. 比發光區域更廣之方式蝕刻加工之蓋狀的玻璃製密封構 件。在此密封構件的堤部塗佈環氧樹脂，於水分濃度作成 lppm以下之氮環境氣體下的球箱内，與元件貼合。發光區 域以光罩予以遮光後，照射紫外線，使環氧樹脂硬化，獲得 有機EL元件（視為比較有機EL元件3)。 [評估] 評估有機EL元件1〜9 (本發明例）及比較有機EL元件 1〜3。評估結果示於表4。 100112189 97 201214811 [表4]

初期 發光 狀態 80°C 高溫試驗 200h 後 發光強度 之角度依 賴性 ----- 溫度不勻 rc) -----〜 ±1〇 有機EL元件1 〇 〇 有機EL元件2 〇 Δ X ±7 有機EL元件3 〇 〇 X ±9 有機EL元件4 〇 Δ X ——~~-±6 ------- 士 9 有機EL元件5 〇 ◎ X 有機EL元件6 〇 ◎ X 土7 有機EL元件7 〇 〇 X ±10 有機EL元件8 〇 △ X ±7 " 有機EL元件9 〇 ◎ ◎ ±9 比較有機EL元件1 〇 X X ±11 比較有機EL元件2 〇 X X 士 9 比較有機EL元件3 〇 Δ X (初期特性） 關於有機EL元件1〜9及比較有機EL元件丨〜〕，初期的 發光狀態於任一兀件均獲得發光面積無減少的良好發光。因 此，於此檢證中’確認於良好的環境下（水分·氧為 以下）進彳τ密封’且將熱傳導性密封構件於球箱内加熱 除去水分。 μ (8〇°C高溫保存試驗） 。關於有機EL元件1〜9及比财機扯元件！〜3，進行8〇 ==魏’錢行加機1 7(㈣中顯示有機 W ( (1)中顯示有機EL元件1〜9、 圖1〇⑷〜(C)中顯示比較有機此元件㈠之峨高溫保9存 100112189 98 201214811 試驗、200小時後之發光狀態的照片。 . 與以蓋狀之玻璃製密封構件進行密封之比較有機EL元件 3比較’確5忍比較有機EL元件ι、2發光區域的減少係變大。 ‘ 認為其此乃由於聚醯亞胺浸入水分。 關於未使用吸濕劑（氧化鈣）之有機El元件1、2、3、4、 7、8，獲得與比較有機EL元件3同等以上之結果，確認本 發明之熱傳導性後封構件顯示與玻璃製者同等以上之特 性。更且，關於有機EL元件5、6、9，導入吸濕劑（氧化弼）， 確認可極為縮小發光區域的減少。 (發光強度之角度依賴性） 關於全部之有機EL元件1〜9及比較有機EL元件1〜3， 調查發光面正面為0度至85度之發光強度的角度依賴性。 有機EL元件9中，確認含有氧化鈣之吸濕層經由發光層發 出的光擴散，使得發光面正面為〇度至85度之發光強度及 發光色的角度依賴性為無。 (溫度不勻及放熱性） 關於全部之有機EL元件1〜9及比較有機EL元件1〜3， ^ 評估以3000cd/m2點燈開始10分鐘後之面内的溫度不勻及 • 放熱性。關於溫度不勻，係使用K熱電偶，於室溫26.5。(〕， 由發光面之玻璃基板側，測定包含發光區域中止部的任意9 處溫度。 使用本發明之熱傳導性密封構件，與比較有機元件3 100112189 99 201214811 比較，確認抑制溫度的上升。又，關於面内的溫度不勻、熱 傳導性密封構件側及發光面側之溫度差，亦確認具有效果。 因此，本發明例之熱傳導性密封構件，與先前之玻璃製密 ’十構件相比較’確$在有機a元件之放熱及均熱方面係良 更且確5忍對於因SUS基板露出而經由聚醯亞胺 層浸入水分的效果大。 【圖式簡單說明】 系‘、”貝不本U 傳導性密封構件之—例的概略平 面圖及概略剖面圖。 圖2係|員示本發明之 髮子震置之一例的概略剖面圖。 本發明 < 熱傳導性密封構件之其他例的概略 平面圖及概略剖面圖。 剖面圖 Τ本發明t熱傳導性密封構件t其他例的 剖面圖。 :'顯不本發明 < 熱傳導性密封構件之其他例的 概略 〇 概略 圖6係_示本發明之熱傳 剖面圖。 導性密封構件之其他例的概略 片 片 圖7係^本發明心^EL元件之初期發光狀態的照 不比較例之有機EL元件之初期發光狀態的照 100112189 100 201214811 圖9係顯示本發明例之有機EL元件之高溫保存試驗後之 發光狀態的照片。 4 圖10係顯示比較例之有機EL元件之高溫保存試驗後之 ' 發光狀態的照片 【主要元件符號說明】 1 熱傳導性密封構件 2 金屬基材 3 絕緣層 4 黏著層 10 絕緣層除去部 20 電子裝置 21 阻擋性基板 22 電子元件 23 密封樹脂部 100112189 101

Claims (1)

1. 201214811 七、申晴專利範圍： 1. 一種熱傳導性密封構件，其特徵為，具有： 金屬基材； 在上述金屬基材上形成，並由具有絕緣性之樹脂所構成的 絕緣層；及 屬於在上述金屬基材上未形成上述絕緣層之部分，且以圍 住上述絕緣層之中心部分之方式連續形成的絕緣層除去部。 2. 如申請專利範圍第1項之熱傳導性密封構件，其中，上 述絕緣層除去部係在比上述絕緣層的外緣更内侧形成。 3. 如申請專利範圍第1或2項之熱傳導性密封構件，其 中’上述絕緣層除去部係從上述絕緣層之中心部朝外緣方向 形成複數周。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之熱傳導性密封構 件，其中，上述絕緣層除去部的寬度為2〇/mi〜1〇mm之範圍 内。 5·如申請專利範圍第1至4項中任一項之熱傳導性密封構 件’其進一步具有在上述絕緣層上形成，並具有耐熱性的黏 著層。 6. 如申明專利範圍第5項之熱傳導性密封構件，其中，在 上述黏著層上形成有剝離層。 7. 如申請專利範圍第丨至6項中任一項之熱傳導性密封構 件，其中，上述絕緣層的厚度為〇5/|m〜1〇〇/an之範圍内。 8·如申請專利範圍第1至7項中任-項之熱傳導性密封構 100112189 102 201214811 件，其中，上述絕緣層係以聚醯亞胺作為主成分。 9. 如申請專利範圍第8項之熱傳導性密封構件，其中，上 述絕緣層之吸濕膨脹係數為0 ppm/%RH〜15 ppm/%RH之範 圍内。 10. 如申請專利範圍第8或9項之熱傳導性密封構件，其 中，上述絕緣層之線熱膨脹係數為0 ppm/°C〜30 ppm/°C之範 圍内。 11. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之熱傳導性密封 構件，其中，上述絕緣層之線熱膨脹係數與上述金屬基材之 線熱膨脹係數之差為15ppm/°C以下。 12. —種電子裝置，係具有：具水分阻擋性之阻檔性基板、 在上述阻擋性基板上形成的電子元件、及以覆蓋上述電子元 件之方式配置之熱傳導性密封構件者，其特徵為， 上述熱傳導性密封構件係具有：金屬基材；在上述金屬基 材上形成，並由具有絕緣性之樹脂所構成的絕緣層；及屬於 在上述金屬基材上未形成上述絕緣層之部分，且以圍住上述 絕緣層之中心部分之方式連續形成的絕緣層除去部； 於上述絕緣層除去部形成有由密封樹脂所構成的密封樹 脂部，在阻擋性基板與熱傳導性密封構件之間，上述電子元 件被加以密封。 13. 如申請專利範圍第12項之電子裝置，其中，上述電子 元件為EL元件。 100112189 103