TW201213780A - Spectrometry apparatus, detection apparatus, and method for manufacturing spectrometry apparatus - Google Patents

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201213780 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種分光裝置、檢測裝置及分光裝置之製 造方法等。 【先前技術】 先前’用於拉曼（Raman)分光器等分光裝置之繞射光栅 大夕為反射型。作為反射型之繞射光拇，例如有剖面形成 為鋸齒狀之炫耀光柵（例如專利文獻1所記载之繞射光柵）。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2004-3541 76號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’反射型之繞射光栅存在難以使提高波長解析度與 擴大可獲得高繞射效率之波長頻帶同時實現的問題。例 如’在炫耀繞射光柵中’係藉由剖面形狀炫耀化，使繞射 效率得到提高。然而’在炫耀繞射光柵中，若為提高波長 解析度而縮短光柵週期’則可獲得高繞射效率之波長頻帶 會變得極窄。 根據本發明之若干態樣，可提供能夠同時提高波長解析 度與繞射效率之分光裝置、檢測裝置及分光裝置之製造方 法等。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣係關於一種分光裝置，其係包括使入射 154715.doc 201213780 光穿透之穿透式繞射光柵者；且上述穿透式繞射光栅具有 藉由第1介電體而形成之傾斜面；上述傾斜面係相對於基 準線而傾斜排列；當將入射光朝向上述穿透式繞射光柵之 入射角度相對於上述基準線設為角度(X，且將繞射光之繞 射角度相對於上述基準線設為角度β之情形時，上述入射 角度α係小於相對於上述傾斜面之布拉格（Bragg)角度θ的角 度’且上述繞射角度β係大於上述布拉格角度㊀的角度。 根據本發明之一態樣，藉由第1介電體而形成之傾斜面 係相對於基準線而傾斜排列。並且，朝向穿透式繞射光栅 之入射光係以小於布拉格角度Θ之角度α入射，藉由穿透式 繞射光柵而形成之繞射光係以大於布拉格角度θ之角度p射 出。藉此，提尚波長解析度，並且擴大可獲得高繞射效率 之波長頻帶等成為可能。 又，於本發明之一態樣中，當將上述傾斜面相對於上述 基準線之傾斜角度設為0之情形時，上述傾斜面係於與上 述基準線垂直之方向上以週期P/co〇而排列，上述入射光 亦可為與垂直於上述基準線之平面平行且與上述傾斜面之 排列方向垂直之直線偏光。 如此一來，可使傾斜面相對於基準線以角度0傾斜而排 列，使與該傾斜面平行且與基準線垂直之直線偏光朝向穿 透式繞射光柵入射’從而獲得其繞射光。 又，於本發明之一態樣中，亦可於將上述傾斜面相對於 上述基準線之傾斜角度設為0之情形時，上述穿透式繞射 光栅係藉由在具有與上述基準線垂直之平面之基材上將 I54715.doc 201213780 由^述第i介電體所形成之突起群沿著與上述基材之平面 平行之方向以週期P/COS0排列而形成，且於上述突起群上 形成相對於上述基準線以上述角度_斜之上述傾斜面。 . 如此—來，藉由突起群呈週期性排列，可實現以在垂直 ; 於傾斜面之方向上的週期成為p之方式排列之傾斜面。 . 又，於本發明之一態樣中，上述傾斜角度0亦可於投影 至上述基材之平面的俯視時，以上述突起群之相鄰突起不 重疊之方式設定。 如此一來，可於投影至基材之平面之俯視時以相鄰突起 不重疊之方式設定傾斜角度藉此，模擬精度之提高等 成為可能。 又，於本發明之一態樣中，亦可於將上述傾斜面相對於 上述基準線之傾斜角度設為0之情形時，上述穿透式繞射 光柵係藉由在具有與上述基準線垂直之平面之基材上，將 上述第1介電體與介電常數不同於上述第1介電體之第2介 電體沿著與上述基材之平面平行之方向以週期p/c〇S ^交替 排列而形成’上述傾斜面係上述第1介電體與上述第2介電 體之交界面，由相對於上述基準線以上述角度多傾斜之交 : 界面所形成。 : 如此一來，藉由第1介電體與第2介電體呈週期性排列， 可實現以在垂直於傾斜面之方向上之週期成為p之方式排 列之傾斜面。 又，於本發明之一態樣中，上述穿透式繞射光柵亦可於 上述入射光所入射之上述基材之第1面側上形成上述傾斜 154715.doc 201213780 面’且於上述繞射光所射出之上述基材之第2面側上形成 抗反射膜。 如此一來，可使入射光不通過基材而入射至傾斜面。 又，可藉由抗反射膜抑制繞射光之反射。藉此，可實現高 效率之分光。 又，本發明之又一態樣係關於一種檢測裝置，其包括： 分光裝置’其係如上述項中任一項者；光學系統，其係使 來自標的物之散射光或反射光以小於上述布拉格角度0之 上述入射角度(1入射至上述分光裝置；及檢測器，其係檢 測來自上述分光裝置之繞射光。 又，本發明之另一態樣係關於一種分光裝置之製造方 法，該分光裝置係如上述項中任一項者，該製造方法係對 塗佈於基材上之光阻劑入射第丨雷射光與第2雷射光，對上 述光阻劑進行干涉曝光，繼而使經上述干涉曝光之光阻劑 顯影，形成相對於朝向上述基材之平面的垂線以傾斜角度 彡傾斜之光阻圖案。 【實施方式】 以下，對本發明之較佳實施形態進行詳細說明。再者， 以下所說明之本f施形態並非不當限定中請專利範圍中所 記載之本發明之内容者，且本實施形態中所說明之所有構 成不一定為本發明之必需之解決手段。 1.比較例 如上所述，炫耀繞射光柵存在難以同時兼顧波長解析度 與繞射效率之問題。關於此點，利用I、圖2進行說明。 154715.doc • 6 · 201213780 圖1表示炫耀繞射光柵之例作為本實施形態之比較例β 如圖1所示，將炫耀繞射光栅之光栅週期設為Pa，將入射 光之波長設為Xa，將入射光之入射角度設為aa，將繞射光 之繞射角度設為pa。 首先’考慮波長解析度。繞射光栅之波長解析度Δβ/Δλ 可用下式（1)表示。根據下式（1)可知，為提高波長解析度 Δβ/Δλ，只要減小光柵週期Pa，增大繞射角度pa即可^ Δβ/ Δλ™ l/(Pa'cosPa) (1) 圖2係於上式（i)中設波長人a=633 nm，光柵週期p.a=333 nm之情形時相對於繞射角度pa之波長解析度△卩/Δλ之特性 例。於該例中’波長與光栅週期之比為U/Pa=1 9。此時， 如圖2所示，若將繞射角度設為7〇。，則波長解析度 ΔβΜλ大致提高至0.009。 其次，考慮繞射效率。於反射型繞射光柵之情形時，可 藉由使其剖面形狀炫耀化而提高繞射效率。然而，若為提 咼波長解析度Δβ/Δλ而減小光柵週期Pa，則即便使剖面形 狀炫耀化亦難以獲得高繞射效率（最新繞射光學元件技 術全集，技術資訊協會，ρ1〇7·ρ12〇(2〇〇4))。如此，炫耀 繞射光栅等反射型繞射光栅變得難以同時實現高波長解析 度與高繞射效率。 例如，在拉曼分光器等分光裝置中，需要於較寬之波段 内同時滿足高波長解析度與高繞射效率之繞射光栅。於拉 曼分光中，纟自試料之散射光主要為瑞利（Rayleigh)散射 光與拉曼散射光（以下，著重關注相對於瑞利散射波長 154715.doc 201213780

Xray，拉曼散射波長成為λι^γ+Δλ之斯托克斯（St〇ke勾成 分）。該拉曼分光在實際應用上存在若干問題。首先，拉 曼散射光之強度相較於瑞利散射光之強度極其微弱。其 次，於藉由拉曼分光對物質進行特定之情形時，必需以 0.5 nm左右之波長解析度對自試料散射之拉曼散射光進行 分光》此外，瑞利散射光與拉曼散射光之波長差為1〇〇 nm 左右。若考慮到該等方面，則拉曼分光時所使用之繞射光 柵中，要求可於自可見區域至近紅外（波長4〇〇 nm〜u〇〇 nm)區域内獲得0·5 nm左右之高波長解析度。此外，要求 可於100 nm左右之較寬波長頻帶内獲得高繞射效率。 2.構成例 於本實施形態中，使產生布拉格反射之週期構造傾斜， 增大繞射角度，並且爭取獲得更大之光柵週期，藉此進行 波長解析度之提高與繞射效率之寬頻化。使用圖3(A)〜圖 6(B)，說明上述本實施形態之穿透式繞射光柵（以下簡稱為 繞射光柵）。再者，以下為將各構成要素設為於圖式上可 識別之程度之大小，適當地使各構成要素之尺寸及比率與 實物有所不同。 此處，以下說明將繞射光柵用於表面增強拉曼散射分光 之情況，但本實施形態中並不限定於該情況，而可將繞射 光柵用於各種分光方法。 圖3 (A)表示本實施形態之繞射光柵之構成例之刮面圖。 該繞射光柵係表面凹凸型繞射光栅，包括基材1〇〇(基板）、 突起群110(凸部）。再者，圖3(A)係與基材1〇〇之平面垂直 1547l5.doc 201213780 且與突起群110之排列方向平行之面上之剖面圖。 基材100係由使入射光穿透之石英玻璃基板等介電體所 形成，且形成為四角形平板狀或圓板狀。所謂使入射光穿 透’不僅包括對於入射光之波長（使用波長）為透明之情 況，而且包括使入射光量之一部分穿透之半透明之情況。 突起群110係由第1介電體（例如與基材1〇〇相同之介電體） 所形成，且沿著與基材100之平面平行之方向以週期 P/cos奴光柵間隔）而排列。所謂基材100之平面，係例如與 形成突起群110之側之基材1〇〇的表面120(第1面）平行之 面。突起群110係相對於基準線130以角度多（多>〇。）傾斜而 形成。更具體而言，於突起群110之各突起上，形成有相 對於基準線130以角度0傾斜之傾斜面140(或傾斜面150)。 所謂基準線130，係成為傾斜角度#、入射角度α、或繞射 角度β之基準之線，例如係相對於基材1〇〇之平面的垂線 (法線）。傾斜面140中，在垂直於傾斜面14〇之方向上之週 期為Ρ，繞射光（布拉格反射光）係藉由該週期ρ之週期構造 而產生。再者’較理想的是使用波長λ與光栅週期ρ滿足 1.0<λ/Ρ<2.0 °又’較理想的是光柵週期ρ為2〇〇〜11〇〇打爪， 且犬起群110之尚度為5〇〇〜3000 nm。又，較理想的是傾斜 角度為彡<45。。 如圖3(A)所示，對於繞射光柵，波長為λ之入射光以角 度α入射，繞射光以角度β穿透基材1〇〇之背面第2面） 側。此處，所謂基材100之背面16〇，係未形成突起群11() 之側之面。此時，以傾斜角度0傾斜之繞射光柵之波長解 154715.doc 201213780 析度Δβ/Δλ可用下式（2)表示》再者，若下式（2)中設為 彡-0，則可獲得上式（1)，成為表示無傾斜之情形時之波長 解析度之式。 Δβ/Δλ=ο〇8 ^/(P-cosP) · (2) 其-人’說明本貫施形態之提南波長解析度與繞射效率之 方法。如圖3(B)所示，於本實施形態中，係利用藉由傾斜 面140(或傾斜面15〇)之週期構造而產生之布拉格反射。圖 3(B)中’為方便起見’就傾斜角度卜〇。之情況進行考慮。 若將產生布拉格反射之入射光之入射角度設為布拉格角度 Θ，則布拉格條件可用下式（3)表示。布拉格角度0係相對於 傾斜面140之角度。又，n為空氣（廣義上為介質）之折射 率。 2nPsin0=k W / 如比較例中所說明，為增大波長解析度Δρ/Δλ，必需增 大布拉格角度θ(繞射角度）。根據上式（3)可知，若增大布 拉格角度Θ，則必需減小ρ。然而，如比較例中所說明，若 減小Ρ，則繞射效率較高之波長頻帶會變窄。因此，於本 實施形態中，如圖3(A)所示，藉由使突起群η〇傾斜而增 、堯射角度β。此時，入射角度α近似為多且繞射角 度β近似為β=θ+0 ^如此，藉由使突起群11〇傾斜可使布拉 格角度Θ小於繞射角度ρ’故可藉由繞射角度ρ而增大波長 解析度Δβ/Δλ，並且使週期ρ為較多=〇。之情形時更大之值。 如此般，可同時實現如下兩者：增大繞射角度β而提高 波長解析度，以及於可獲得必需之波長解析度之範圍内儘 154715.doc 201213780 可此地增大週期p而使繞射效率寬頻化。再者，如下所 這嚴达而言，並不限定於入射角度α=θ- #、繞射角度 β = θ+ 沴。 3·具體構成例 圖4表示相對於繞射角度β之波長解析度Δβ/Δλ之特性 例。圖4係波長λ=633 nm、光柵週期p=366 nm、傾斜角度 卢= 10°之情形時之例，且初級穿透繞射光之布拉格角度為 θ-59·9°。光柵週期1>=366 nm係與上述比較例中之光栅週 期Pa=333 nm相比大10%之值。又，根據上式（2)，該繞射 光拇之波長解析度與週期為p/c〇s #=366/c〇s(i〇〇)=372 nm 之無傾斜之繞射光柵之波長解析度相同。 於無光柵傾斜之一0。之情形時，繞射角度在布拉格角度 θ=59.9°之附近’初級繞射光之繞射效率成為最大。此 時，如圖4所示，波長解析度處於Αρ/Δλ=〇〇〇5。另一方 面，於使光柵傾斜0 =10。之情形時，繞射角度擴大至 β-73° ’因此波長解析度自#=〇。之情形時提高約丨8倍而成 為Δβ/Δλ=0.009以上。該波長解析度係與上述比較例相等 之波長解析度。如此，藉由使繞射光栅以角度多=1〇。傾 斜，而於繞射角度β=73。之附近實現高繞射效率。 圖5(A)、圖5(B)表示相對於入射角度以之繞射效率之特 性例。該例係波長λ=633 rnn、光柵週期卜366 11111、光柵之 高度為745 nm之情形時之特性例。又，光柵之基材（及突 起群）為石英玻璃，且將其折射率設為146。入射光為直線 偏光，且其偏光方向（偏光方位）與光柵之溝槽平行。 154715.doc 201213780 如圖5(A)之A1所示，於無繞射光柵之傾斜之0=〇。之情 形時’於入射角度α在布拉格角度59 9。之附近時可獲得高 繞射效率。入射角度(^^為59.9。時，繞射角度β亦為59.9。。 另一方面’如圖5(B)之Β1所示’於繞射光柵之傾斜為 沴= 10°之情形時，於入射角度α成為在43。之附近時可獲得 咼繞射效率。根據該特性，若例如將入射角度α設為46。， 則繞射角度β成為73。。此時’圖4中，如上所述，波長解 析度Δβ/Δλ提高1.8倍而大致成為〇 〇〇9。 如此，即便於藉由使繞射光柵傾斜1〇。而使光柵週期與 比較例相比大10°/。之條件下，亦可使波長解析度△p/从提 高至與比較例相等之0.009。其原因在於，藉由使繞射光 柵傾斜而改變布拉格角度，可充分地增大繞射角度ρ。 圖6(A)、圖6(B)表示相對於波長λ之繞射效率之特性 例。該例係波長λ=633 nm、光柵週期p=333 nm(圖6(Α))、 P=366 nm(圖6(B))之情形時之特性例。又，入射光為直線 偏光，其偏光方向與光柵之溝槽平行。 如以上比較例中所述，只要於光柵週期p相對較小之條 件下’即便不使光栅傾斜’亦可期待高波長解析度 △ β/Δλ。然而，若減小光栅週期p，則可獲得高繞射效率之 波長頻帶會變窄。具體而言，如圖6(Α)所示，於光栅週期 Ρ為333 nm之條件下，例如，可獲得〇8以上之高繞射效率 之波長頻帶為560 nm〜640 nm而較窄，從而無法確保拉曼 分光所要求之波長頻帶1〇〇 nm ^其原因在於，可獲得高繞 射效率之波長頻帶之長波長端接近於繞射區域（例如 154715.doc 12 201213780 λ/Ρ蕊2).與非繞射區域（λ/Ρ>2)之交界。 另一方面，如圖6(B)所示’於光柵週期？為366 nm之條 件下，可獲得高繞射效率之波長頻帶之長波長端則遠離繞 射區域與.非繞射區域之交界。因此，可獲得〇 8以上之高 繞射效率之波長頻帶擴大至長波長側而成為565 nm〜675 nm’從而可確保拉曼分光所要求之波長頻帶1〇〇nrn。 且說，在炫耀光柵等反射型繞射光柵中，為提高波長解 析度而必需減小繞射角度β與週期p，故存在難以同時提高 波長解析度與繞射效率之頻寬的問題。 關於此點，本實施形態係使入射光穿透之穿透式繞射光 柵（廣義上為分光裝置）。如圖3(Α)所示，穿透式繞射光柵 具有藉由第1介電體而形成之傾斜面丨4〇(或傾斜面150)。該 傾斜面140係相對於基準線13〇以角度$傾斜，且以垂直於 傾斜面140之方向上之週期成為ρ之方式排列。入射光朝向 穿透式繞射光柵之入射角度相對於基準線13〇為角度α，且 繞射光之繞射角度相對於基準線丨3 〇為角度β。於此情形 時，入射光係以小於取決於傾斜面i 4〇之週期ρ的布拉格角 度Θ的入射角度α(α<θ)入射。繞射光係以大於布拉格角度θ 之繞射角度β(β>θ)繞射。 藉此，可提高波長解析度，且擴大高繞射效率之頻帶。 具體而言，藉由將傾斜面14〇以週期ρ排列，於繞射光柵上 形成一維週期性介電常數分佈。繼而，如圖5(Β)所示，藉 由使該介電常數分佈相對於光柵表面例如以0 = 1 〇。傾斜， 可使入射角度為α=43。而小於無傾斜時之布拉格角产 1547J5.doc 201213780 θ=59.9。，且使穿透繞射角度為p=73。而大於無傾斜時之布 拉格角度θ=59.9«^即，藉由使介電常數分佈傾斜，使可 獲得最大繞射效率之光入射角度α自布拉格角度0變為較小 之角度。藉此，即便於繞射光柵之週期對較大之條件 下，亦可充分地提高其波長解析度Δβ/Δλ。如此般，於本 實施形態中，在較寬之波長頻帶内（例如圖6(Β))同時滿足 高波長解析度（例如圖4)與高繞射效率。例如，當將本實施 形態應用於拉曼分光之情形時，可將具有較寬波長頻帶之 微弱之拉曼散射光高效地導入至光檢測器。 又’於將訊號光與雜散光分離之方面，亦可期待獲得不 再需要先前一直被認為必需之昂貴之帶通過濾器的效果。 即，由於可獲得高波長解析度，故而拉曼散射光與瑞利散 射光可充分地分離，從而無需使用阻斷特性顯著之過減 器。又，由於本實施形態之繞射光柵為穿透式，故可提高 透鏡或鏡等光學要素之配置自由度，可使分光裝置小型 化。 再者，在圖3(A)所示之剖面上，入射光之入射角度α係 例如相對於基準線130為第1方向（逆時針方向、正方向）之 角度。於此情形時，傾斜面140之傾斜角度卢係相對於基準 線130為與第1方向不同之第2方向（順時針方向、負方向）的 角度。 又，於本實施形態中，相對於穿透式繞射光栅之入射光 係與傾斜面140平行且與基準線130垂直之直線偏光。 如此一來，可使與光栅之溝槽（週期性介電常數分佈）平 154715.doc •14- 201213780 行之直線偏光作為入射光入射。藉此，可實現如上所述之 繞射效率特性（例如圖5(B)之B 1所示之特性）^再者，本實 施形態中並不限定於該情形，只要入射光包含與傾斜面 140平行且與基準線13〇垂直之偏光成分即可。 又’於本實施形態中，如圖3(A)所示，穿透式繞射光柵 係藉由如下方式形成：於具有與基準線13〇垂直之平面（例 如表面120)之基材100上，將由第1介電體所形成之突起群 11〇沿著與基材100之平面平行之方向以週期p/c〇s多而排 列。並且，在突起群110上形成相對於基準線13〇以角度# 傾斜之傾斜面14〇。 如此一來’藉由突起群110呈週期性排列，可實現在垂 直於傾斜面140之方向上之週期為p之傾斜面14〇。藉此， 可實現傾斜之凹凸型穿透式繞射光柵。 又，於本實施形態中，傾斜角度0係於投影至垂直於基 材100之平面之俯視時以突起群11〇之相鄰突起不重疊之方 式設定。 如此一來，藉由設定為突起不重疊之傾斜角度多，可抑 制突起群110之高度，從而使突起群11〇之製造變得容易。 又，由於可高積度地進行繞射效率等之模擬，故可實現可 靠性較高之設計。 又，於本實施形態中，如以下藉由圖8所述，穿透式繞 射光栅亦可藉由如下方式形成：於具有與基準線130垂直 之平面之基材100上，將第丨介電體層丨了…第丨介電體）與介 電常數（折射率）不同於第1介電體層170之第2介電體層 154715.doc . 201213780 180(第2介電體）沿著與基材100之平面平行之方向以週期 P/cos 0而交替排列。於此情形時，傾斜面Μ〇(或傾斜面 150)係由第1介電體層170與第2介電體層180之交界面所形 成。 如此一來’第1介電體層170與第2介電體層180之交界面 呈週期性排列，故可藉由該交界面而實現在垂直於傾斜面 140之方向上之週期為p的傾斜面丨4〇。藉此，可實現傾斜 之折射率調變型穿透式繞射光柵。 又，於本實施形態中’如以下藉由圖U(A)所述，穿透 式繞射光柵係於入射光所入射之基材100之表面12〇(第1面） 側形成傾斜面140 ’且於繞射光所射出之基材1 〇〇之背面 160(第2面）側形成抗反射膜190。 如此一來，可抑制繞射角度β較大之繞射光於基材1 〇〇之 背面160反射而使朝向背面160側之穿透繞射光減少之情 況。藉此’使穿透繞射光高效地掠出，故可實現高靈敏度 之感測。又，由於入射光不通過基材1 〇〇而入射至傾斜面 140，故可獲得高效率之繞射光。 4.製造方法 使用圖7(A)〜圖7(D)，說明具有傾斜之突起群之穿透式 繞射光柵之製造方法。 首先，如圖7(A)所示，於石英玻璃基板200上塗佈光阻 劑210。然後，照射入射角度為Θ1之雷射光LSI與入射角度 為Θ2之雷射光LS2，對光阻劑210進行雷射干涉曝光。由干 涉曝光產生之干涉條紋之間隔D可用下式（4)表示。Xs係雷 154715.doc • 16- 201213780 射光LS1、LS2之波長。又’光阻劑中之干涉條紋之傾斜 角度#可用下式（5)表示。nr係相對於曝光波長is之光阻劑 210之折射率。又，設為02>Θ1。 D=Xs/(sin(01)+sin(02)) (4) ^=(sin'1(sin(92)/nr)-sin* ^810(01)))/2 (5) 例如’干涉曝光用之雷射光源為連續振盪之氦鎘雷射 (He-Cd Laser)(波長Xs=325 nm)，光阻劑210為正型光阻 劑，光阻劑膜厚為1 。又，例如，雷射光之入射角度為 Θ1=9·1° ’ Θ2=45.7°，且光阻劑之折射率為~=1 6〇。此時， 根據上式（4)，在平行於基板2〇〇之平面的方向上之干涉條 紋之間隔為D=372 nm。又，根據上式（5)，干涉條紋之傾 斜角度4為約10。（多=1〇 4。）。在垂直於傾斜角度之方向上 之干涉條紋之週期為d.c〇S(Zj=366 nm。如此般，將基板2〇〇 相對於法線之干涉角度設為左右（Θ1與Θ2)不對稱，從而在 光阻劑210中形成傾斜之干涉條紋之潛像。 其人，如圖7(B)所示，使所曝光之光阻劑2 10顯影，獲 得經傾斜1〇。之一維光阻圖案220。繼而，如圖7(C)所示， 將光阻圖案22G作為遮罩，自傾斜1()。之方向起對石英玻璃 土板進行各向異性乾式蝕刻。作為蝕刻氣體，例如使用 4或 3姓刻深度可根據钮刻時間之長短而調節。繼 如圖7(D)所7F，藉由氧電漿而去除钱刻後所殘留之光 J如此般，形成經傾斜10。之突起群240排列於基材 230之表面的—維穿透式繞射光柵。 再者，以上係說明藉由與基材100相同之石英玻璃而形 154715.doc •17- 201213780 成突起群240之例，但本實施形態並不限定於此。例如， 亦可將樹脂（聚合物）填充於圖7(B)所示之光阻圖案22〇，使 該樹脂硬化，將光阻圖案220剝離，藉此利用不同於基材 100之素材形成突起群240。 5 ·第2構成例 上述實施形態中，係說明藉由突起群之傾斜面而產生布 拉格反射之繞射光柵，但於本實施形態中，亦可藉由傾斜 之折射率調變構造而產生布拉格反射。 圖8表示本實施形態之第2構成例之剖面圖。該穿透式繞 射光柵包括基材100、第1介電體層17〇、第2介電體層 180。第1介電體層170係由具有第1介電常數（第丨折射率）之 第1介電體所形成。第2介電體層180係由具有與第i介電常 數不同之第2介電常數（第2折射率）之第2介電體所形成。 第1介電體層170與第2介電體層180係呈週期性交替排 列。具體而言，第1介電體層170係沿著與基材之平面平行 之方向以週期P/COS0而排列。第2介電體層18〇係形成於第 1介電體層170之層間。第丨介電體層17〇與第2介電體層18〇 之交界面係形成相對於基準線13〇以角度卢傾斜之傾斜面 刚（或傾斜面15〇)。在垂直於交界面之方向上之^介電體 層170(或第2介電體層18〇)的排列週期為週期 例如，該穿透式繞射光柵係藉由以下步驟而製造。首 先，將第1樹脂（第1聚合物）填充於圖7(B)所示之光阻圖案 22〇，使該第1樹脂硬化，將光阻圖案22〇剝離，形成第上介 電體層170。其次’將第2樹脂（第2聚合物）填充於該第α 154715.doc 201213780 電體層170之層間’使該第2樹脂硬化，形成第2介電體層 180 ° 6.檢測裝置 圖9(A)、圖9(B)表示應用有本實施形態之繞射光柵的檢 測裝置之第1構成例。該檢測裝置包括拉曼感測器3〇〇(感 測晶片、光器件）、第1凹面鏡3 1 〇、帶通過濾器320、偏光 板330、繞射光柵340、第2凹面鏡350、陣列（array)光檢測 器360(檢測器）、光源370、流線式過濾器380。該檢測裝置 係將一個繞射光柵340與兩個凹面鏡3 1 〇、3 50以特定之位 置關係配置而成之單分光裝置。再者，以下係說明用以進 行拉曼分光測定之檢測裝置，但本實施形態之繞射光柵亦 可應用於使用其他分光方法之檢測裝置。 如圖9(B)所示’來自光源370之雷射光藉由流線式過濾 器380而反射，並照射至拉曼感測器3〇〇上之試料39〇(標的 物）。例如，光源370為連續振盪之氦氖雷射（He_Ne Laser)(波長633 nm、輸出20 mW)。被照射雷射光之試料 3 90藉由利用拉曼感測器300之表面增強拉曼散射而產生瑞 利散射光與拉曼散射光。該等散射光入射至流線式過濾器 380。該流線式過濾器380反射雷射光之波長（633 nm)之 光’然後使長波長之光穿透。即，藉由流線式過濾器 380，瑞利散射光被反射’而拉曼散射光則穿透。所穿透 之拉曼散射光入射至凹面鏡310，並藉由凹面鏡310而成為 平行光。 其次，如圖9(A)所示，來自凹面鏡31〇之反射光通過帶 154715.doc -19- 201213780 通過濾器320與偏光板330，以特定之入射角度(^入射至繞 射光柵340。帶通過濾器320進而阻斷瑞利散射光，僅使拉 曼散射光穿透。偏光板330使朝向繞射光柵340之入射光成 為直線偏光’並使其偏光方位與繞射光柵340之溝槽平 行。朝向繞射光柵340之入射光以繞射角度β穿透繞射而分 光。經分光之拉曼散射光具有每個波長略有不同之繞射角 度’且於各波長上為平行光。上述經分光之拉曼散射光向 凹面鏡350入射，且藉由凹面鏡350聚集於陣列光檢測器 360上’而形成光譜分佈。繼而’藉由陣列光檢測器36〇而 檢測拉曼散射光之光譜分佈。 其次’具體說明該檢測裝置之波長解析度。若將陣列光 檢測器360上之瑞利散射光之位置設為χ(λ)，將拉曼散射 光（斯托克斯光）之位置設為Χ(λ+Δλ)，則該等位置間之距 離可用下式（6)表示。此處，f為凹面鏡35〇之聚光距離（焦 點距離），Δβ/Δλ為繞射光柵之波長解析度。 Χ(λ+Δλ)-Χ(λ)=ί·Δλ·(Δβ/Δλ) (6) 根據上式（6)可知，於波長解析度Δβ/Δλ充分大之情形 時，即便凹面鏡之聚光距離f較短，亦可於拉曼散射光與 瑞利散射光之間較廣地進行分光。因此，藉由使用本實施 形態之尚解析度之繞射光柵，可縮短凹面鏡3 5 〇之聚光距 離f而緊湊地配置各構成要素，從而使分光器小型化。 例如，在藉由圖3(A)等所說明之繞射光柵中，繞射光柵 之週期為366 nm(2700根/mm)，傾斜角度為1〇。，波長解析 度為0.009 rad/nm。於此情形時’可使用焦點距離f=1〇 mm 1547I5.doc ·20· 201213780 之凹面鏡，使波長差△hoj nm之兩種散射光成分在陣列 光檢測器360上相隔45 μιη。該距離係可使用一般之陣列光 檢測器充分地解像之距離。如此，藉由使用本實施形態之 繞射光柵’即便為聚光距離較短之凹面鏡亦可實現充分之 解析度。又’自瑞利散射光至拉曼散射光之距離成為45 μπι><100/0.5=9 mm左右。該距離係可充分地分離瑞利散射 光與拉曼散射光之距離。因此，相對於用以阻斷瑞利散射 光的帶通過濾器320之特性之負荷得到大幅度減輕。於檢 測精度可相對較低之分光用途中，可省略帶通過濾器 320。 圖10(A)、圖10(B)表示應用有本實施形態之繞射光柵的 檢測裝置之第2構成例。該檢測裝置包括拉曼感測器30〇、 帶通過濾器320、偏光板330、繞射光柵340、凹面鏡350、 陣列光檢測器360、光源370、流線式過濾器380、透鏡 400。該檢測裝置係將1個繞射光栅340與1個凹面鏡350以 特定之位置關係配置而成之單分光裝置。再者，對與圖 9(A)、圖9(B)中所說明之構成要素相同之要素附加相同符 號，且適當地省略說明。 如圖10(B)所示’來自光源370之雷射光藉由流線式過濾 器380而反射，照射至拉曼感測器300上之試料390(標的 物）。來自試料390之散射光入射至流線式過濾器380，而 使拉曼散射光穿透。所穿透之拉曼散射光入射至透鏡 400，並藉由透鏡400而成為平行光。 其次’如圖10(A)所示，來自透鏡400之平行光通過帶通 154715.doc •2】· 201213780 過;慮1§320與偏光板330，以特定之入射角度α入射至繞射 光柵340。透鏡400使來自試料390之散射光全部變成平行 度較尚之平行光線而入射至繞射光概340，故繞射光柵340 可充分地發揮其波長解析度’並且對極微弱光進行分光。 朝向繞射光柵340之入射光以繞射角度β穿透繞射而分光。 經分光之拉曼散射光向凹面鏡350入射，藉由凹面鏡350而 聚集於陣列光檢測器3 6 0上，繼而藉由陣列光檢測器3 6 〇而 檢測光譜分佈。 根據該第2構成例’與上述第1構成例同樣地，可藉由聚 光距離較短之（例如f= 1 〇 mm)凹面鏡350而獲得充分之解析 度（例如45 μηι/0_5 nm)，或減輕帶通過濾器32〇之負荷。 又’可相較於第1構成例進一步縮小檢測裝置之構成於空 間上所占之體積，從而可使檢測裝置緊湊化。又，第2構 成例中’係使平行之散射光向流線式過濾器38〇入射，故 可更有效地利用流線式過濾器3 8 0之波長選擇作用。 使用圖11(A)、圖11(B) ’說明朝向繞射光栅340之入射光 之入射方向。在圖11 (A)所示之配置例中，入射光係自繞 射光栅340之凹凸面側（排列有突起群11〇之表面ι2〇側）入 射。另一方面，在圖11(B)之配置例中，入射光係自繞射 光柵340之背面1 60側入射。無論哪一配置例，於基材1 〇〇 之背面160側均形成有抗反射膜190。藉由該抗反射膜 190，可抑制繞射光或入射光之反射，故可實現接近於理 論值之高繞射效率。再者’由於繞射效率之波長相依性及 角度相依性根據光之入射方向而略有不同，故較理想的是 I547I5.doc •22· 201213780 以上述配置例中特性更優異之配置而使用繞射光柵。 再者，如上所述已對本實施形態進行詳細說明，但業者 當可容易理解可進行實質上不脫離本發明之新穎事項及效 果之大量變形。因此，上述變形例均應包含於本發明之範 圍内。例如，於說明書或圖式中，至少一次與更廣義或同 義之不同用語（繞射光柵、感測晶片、檢測器等）一併記載 之用語（穿透式繞射光柵、拉曼感測器、陣列光檢測器等） 亦可於說明書或圖式之任一部分中替換成其不同用語β 又’繞射光柵、分光裝置、檢測裝置等之構成、動作亦不 限定於本實施形態中所說明者，而可實施各種變形。 【圖式簡單說明】 圖1係作為本實施形態之比較例的炫耀繞射光栅之例。 圖2係比較例中相對於繞射角度之波長解析度之特性 例。 圖3(A)係本實施形態之繞射光栅之構成例之剖面圖。圖 3(Β)係藉由傾斜面之週期構造而產生之布拉格反射之說明 圖0 圖4係本實施形態中相對於繞射角度之波長解析度之特 性例。 圖5(A)係將傾斜角度設為〇〇時之相對於入射角度之繞射 效率之特性例。圖5(B)係本實施形態中相對於入射角度之 繞射效率之特性例。 圖6(Α)係將傾斜角度設為0。時之相對於波長λ之繞射效 率之特性例。圖6(B)係本實施形態中相對於波長λ之繞射 154715.doc -23- 201213780 效率之特性例。 圖7(A)〜圖7(D)係關於繞射光柵之製造方法之說明圖。 圖8係繞射光栅之第2構成例之剖面圖。 圖9(A)'圖9(B)係檢測裝置之第1構成例。 圖10(A)、圖10(B)係檢測裝置之第2構成例。 圖11(A)、圖11(B)係關於入射光朝向繞射光栅之入射方 向之說明圖。 【主要元件符號說明】 100 基材 110 突起群 120 基材之表面 130 基準線 140 、 150 傾斜面 160 基材之背面 170 第1介電體層 180 第2介電體層 190 抗反射膜 200 石英玻璃基板 210 光阻劑 220 光阻圖案 230 基材 240 突起群 300 拉曼感測器 310 凹面鏡 154715.doc -24- 201213780 320 帶通過濾器 330 偏光板 340 繞射光柵 350 凹面鏡 360 陣列光檢測器 370 光源 380 流線式過濾器 390 試料 400 透鏡 P、Pa 週期 Φ 傾斜角度 a ' aa 入射角度 β ' Pa 繞射角度 Θ 布拉格角度 λ、\a 波長 Δβ/Δλ 波長解析度 LSI 第1雷射光 LS2 第2雷射光 Θ1 第1雷射光之入射角度 Θ2 第2雷射光之入射角度 Xs 曝光波長 f 聚光距離 154715.doc -25-

Claims (1)

1. 201213780 七、申請專利範圍： 1· 一種分光裝置，其特徵在於： 其係包括使入射光穿透之穿透式繞射光柵者；且 上述穿透式繞射光柵具有藉由第丨介電體而形成之傾 斜面； • 上述傾斜面係相對於基準線而傾斜排列； 當將朝向上述穿透式繞射光柵之入射光之入射角度相 對於上述基準線設為角度α，且將繞射光之繞射角度相 對於上述基準線設為角度β之情形時， 上述入射角度α係小於相對於上述傾斜面之布拉格角 度Θ的角度， 上述繞射角度β係大於上述布拉格角度Θ的角度。 2.如請求項1之分光裝置，其中 當將上述傾斜面相對於上述基準線之傾斜角度設為多 之情形時， 上述傾斜面係於與上述基準線垂直之方向上以週期 P/cos彡而排列；且 上述入射光係與垂直於上述基準線之平面平行且與上 ·_ 述傾斜面之排列方向垂直之直線偏光。 . 3.如請求項1或2之分光裝置，其中 當將上述傾斜面相對於上述基準線之傾斜角度設為$ 之情形時， 上述穿透式繞射光柵係藉由在具有與上述基準線垂直 之平面之基材上’將由上述第1介電體所形成之突起群 154715.doc 201213780 考與上述基材之平面平行之方向以週期p/c〇s#排列而 形成；且 於上述突起群上形成有相對於上述基準線以上述角度 於傾斜之上述傾斜面。 4·如請求項3之分光裝置，其中 上述傾斜角度0係於投影至上述基材之平面之俯視 時，以上述突起群之相鄰突起不重疊之方式設定。 5. 如請求項1或2之分光裝置，其中 當將上述傾斜面相對於上述基準線之傾斜角度設為多 之情形時， 上述穿透式繞射光栅係藉由在具有與上述基準線垂直 之平面之基材上，將上述第丨介電體與介電常數不同於 上述第1介電體之第2介電體沿著與上述基材之平面平行 之方向以週期P/cos彡交替排列而形成；且 上述傾斜面係上述第丨介電體與上述第2介電體之交界 面，由相對於上述基準線以上述角度0傾斜之交界面所 形成。 6. 如請求項丨至5中任一項之分光裝置，其中 上述穿透式繞射光柵係於上述入射光所入射之上述基 材之第1面側上形成有上述傾斜面，於上述繞射光所射 出之上述基材之第2面側上形成有抗反射膜。 7. 一種檢測裝置，其特徵在於包括： 分光裝置’其係如請求項1至6中任一項者； 光學系統，其係使來自標的物之散射光或反射光以小 I54715.doc 201213780 於上述布拉格角度Θ之上述入射角度α入射至上述分光裝 置；及 檢測器’其係檢測來自上述分光裝置之繞射光。 8 · —種分光裝置之製造方法，該分光裝置係如請求項1至6 中任一項者，該製造方法如下： 對塗佈於基材上之光阻劑入射第1雷射光與第2雷射 光’對上述光阻劑進行干涉曝光； 使經上述干涉曝光之光阻劑顯影； 形成相對於朝向上述基材之平面之垂線以傾斜角度卢 傾斜之光阻圖案。 154715.doc