TW201730292A

TW201730292A - 導電性高分子用隱形蝕刻墨水及導電性高分子之圖案化方法

Info

Publication number: TW201730292A
Application number: TW105133263A
Authority: TW
Inventors: Yuusuke Hashimoto; Takashi Ihara
Original assignee: Toagosei Co Ltd
Priority date: 2015-11-20
Filing date: 2016-10-14
Publication date: 2017-09-01
Also published as: CN107849378A; JP6443563B2; JPWO2017086112A1; KR20180084017A; WO2017086112A1

Abstract

本發明之目的在於提供一種隱形蝕刻墨水，其在將導電性高分子膜去活化時乾燥性及清洗性優異，以及提供一種使用有該隱形蝕刻墨水之導電性高分子之圖案化方法。解決手段上，可透過含有導電性高分子用蝕刻劑(A)、無機粒子(B)、聚丙烯酸或其鹽(C)及水系介質(D)且pH調整到3~7之導電性高分子用隱形蝕刻墨水來解決前述課題。

Description

導電性高分子用隱形蝕刻墨水及導電性高分子之圖案化方法

本發明有關於導電性高分子用隱形蝕刻墨水及使用該墨水之導電性高分子之圖案化方法。

現在，透明導電膜主要是使用含有銦之ITO(氧化銦錫)，然銦為稀有元素，因此有在研究ITO之代替材料，而在ITO之代替材料方面，導電性高分子是有希望的。導電性高分子有導電性、光之穿透性、發光性、成膜後亦可撓如此特徴，可期待應用到透明導電膜、電解電容器、抗靜電劑、電池及有機EL元件等。

如上述，導電性高分子對電子產業而言是有益的材料，特別是可期待做為觸控面板、觸摸開關(touch switch)之感應器部的透明性材料。因此，蝕刻導電性高分子，並圖案化導電性高分子膜之方法成為在使用導電性高分子上重要的技術。

民生用途之觸控面板方面，電阻膜式與電容式為主流，並可依檢測方式進一步細分。在數位式之電阻膜式觸控面板及投影型之電容式觸控面板上，需要形成檢測用的電極圖案。由於含有ITO之透明導電材料並非完全無色，因此在畫面上會看見已形成之圖案，而影響圖像的色調。

因此，針對使用在導電性高分子膜之PEDOT(3,4-二氧乙烯噻吩)/PSS(聚苯乙烯磺酸)薄膜等亦要求經蝕刻之部分要維持蝕刻前的色調。例如，PEDOT/PSS薄膜雖為淡藍色，然若經蝕刻之部分仍能維持薄膜原本的色調，則有即便搭載在電容式觸控面板上亦在畫面上看不到圖案的優點。

在蝕刻導電性高分子膜的方法方面有揭示到，例如，為了在導電性聚合物上製造電極圖案，在將含有10~5000mg/m² 之導電性聚合物的層運用到支持體上並製作導電性層後，使用含有ClO^- 、BrO^- 等氧化劑的印刷溶液在前述層上印刷電極圖案的方法(專利文獻1)。又揭示到，使用含有導電性高分子用蝕刻劑、增黏劑及水系介質的導電性高分子蝕刻用墨水，將導電性高分子進行圖案化的方法(專利文獻2)。

先行技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2001-35276號公報專利文獻2：國際公開第2011-125603號公報

發明概要發明欲解決之課題然而，在專利文獻1記載之方法，由於經蝕刻部分之導電性高分子會被過剩分解，因此會因圖案化而從淡藍色之著色狀態變化成無色。又，若使用例示之二氧化矽或高分子增黏劑，則有會與蝕刻成分反應、發生黏度之經時變化如此問題。

另一方面，在專利文獻2記載之蝕刻墨水，由於經蝕刻部分之導電性高分子會被過剩分解，因此會因圖案化而從淡藍色之著色狀態變化成無色。又，由於在增黏劑使用球狀之二氧化矽粒子或氧化鋁粒子，因此墨水之黏度經時變化大，再者印刷後隨即乾燥會讓該等粒子飛散，因此無塵室內的粒子濃度會上升。又，由於在印刷中乾燥會阻塞網版之網眼或噴嘴，因此連續處理性不好。進一步，由於墨水之清洗性差，因此在薄膜上會殘留該等粒子，而成為使光學特性惡化的原因。

有鑑於上述狀況，本發明之目的在於提供一種隱形蝕刻墨水，其在蝕刻導電性高分子膜時，不僅耐乾燥性及清洗性優異，亦可抑制經蝕刻部分之導電性高分子過剩分解，而在蝕刻膜之一部分時可維持薄膜原來的色調；以及提供一種使用有該隱形蝕刻墨水之導電性高分子之圖案化方法。

用以解決課題之手段本發明人為了解決上述課題而精心探討，結果發現，透過添加高分子電解質之聚丙烯酸或其鹽，墨水之保水力將變高而變得難以乾燥；聚丙烯酸或其鹽作為清洗劑作用之下會提升清洗性；及，透過併用無機粒子與聚丙烯酸，可賦予適於印刷的黏度特性；進一步，透過將墨水之pH做在特定範圍內，可抑制導電性薄膜之分解；從而完成本發明之在耐乾燥性、清洗性、印刷特性及隱形性上優異之導電性高分子用隱形蝕刻墨水，其為含有導電性高分子蝕刻劑、無機粒子、聚丙烯酸或其鹽及水系介質且pH調整到3~7之墨水。

亦即，有關本發明之第1形態是一種導電性高分子用隱形蝕刻墨水，其含有導電性高分子用蝕刻劑(A)、無機粒子(B)、聚丙烯酸或其鹽(C)及水系介質(D)，且pH調整到3~7。進一步，在上述第1形態中，包含將導電性高分子用隱形蝕刻墨水之構成成分的前述(A)~(C)限定成特定適宜化合物的實施態樣，以及除(A)~(D)成分之外還再含有陰離子交換物(E)的實施態樣等。

又，有關本發明之第2形態是一種電性高分子之圖案化方法，其特徵在於包含下述步驟：成膜步驟，在基材上形成導電性高分子的膜；印刷步驟，在前述膜中要讓導電性高分子去活化之區域賦予前述導電性高分子用隱形蝕刻墨水；蝕刻步驟，透過前述導電性高分子用蝕刻墨水來將前述去活化區域之導電性高分子去活化；以及除去步驟，將殘存之導電性高分子用隱形蝕刻墨水及導電性高分子之蝕刻殘液自基板上除去。

進一步，在上述第2形態中亦包含將導電性高分子限定成聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類之實施態樣，以及在印刷步驟之前，使導電性高分子之膜浸漬於酸中，或使水溶性樹脂之保護膜形成在導電性高分子之膜的實施態樣。

發明效果透過本發明之導電性高分子用隱形蝕刻墨水，不僅對導電性高分子具有優異的去活化能力、在耐乾燥性及清洗性上優異，且墨水性能之劣化少，因此即便在連續印刷的情況下，仍能維持印刷精度。進一步，可抑制經去活化部分之導電性高分子的分解，並維持薄膜原本的色調。因此，此導電性高分子用隱形蝕刻墨水及使用有其之導電性高分子之圖案化方法是特別在投影型電容式觸控面板等用途上優異的發明。

用以實施發明之形態以下，針對本發明進行更詳細的說明。本發明之導電性高分子用隱形蝕刻墨水(以下亦單純稱為「本發明墨水」。)特徵在於是含有導電性高分子用蝕刻劑(A)、無機粒子(B)、聚丙烯酸或其鹽(C)及水系介質(D)，且pH調整成3~7之墨水。本發明墨水透過接觸導電性高分子，可使該接觸部分之導電性高分子去活化。亦即，可將本發明墨水以所欲之形狀賦予在導電性高分子上並去活化，藉此可將導電性高分子圖案化成所欲之形狀。就以往之導電性高分子之圖案化方法而言，已知有使用抗蝕膜的方法，然透過使用本發明墨水，不需使用抗蝕膜，而可簡便的進行導電性高分子之圖案化。

本發明墨水中之導電性高分子用蝕刻劑(A)若為可使導電性高分子去活化之化合物則無特別限制，然宜為使導電性高分子去活化之氧化劑。可用於本發明之導電性高分子用蝕刻劑(A)可舉(NH₄ )₂ Ce(NO₃ )₆ 、Ce(SO₄ )₂ 、(NH₄ )₄ Ce(SO₄ )₄ 、亞硝醯氯、溴酸化合物、氯酸化合物、過錳酸化合物、6價鉻化合物、二氯異三聚氰酸鈉、三氯異三聚氰酸、漂白粉、氯胺、氯胺T、1,3-二氯-5,5-二甲基乙內醯脲、亞氯酸鹽、次氯酸鹽及次氯酸鹽5水合物等；該等之中，從蝕刻性之觀點來看，宜為二氯異三聚氰酸鈉、漂白粉、次氯酸鹽及次氯酸鹽5水合物；從成本及泛用性之觀點來看，以次氯酸鹽及次氯酸鹽5水合物特別為佳。再者，在次氯酸鹽5水合物之情況時，亦可期待減少做為雜質混入之氯化物離子之量的效果。

次氯酸鹽可使氯吸收到氫氧化鹼金屬或氫氧化鹼土類金屬中來製造，此時，受到未反應之氫氧化鹼金屬或氫氧化鹼土類金屬的影響，其水溶液會顯示強鹼性。

在本發明墨水中在導電性高分子用蝕刻劑使用次氯酸鹽、漂白粉或次氯酸鹽5水合物時，其有效氯濃度對墨水總質量宜在0.06~3.0質量%之範圍，且以為0.1~2.0質量%為佳，以0.1~1.4質量%更佳。若有效氯濃度在上述範圍內，則可有效的進行導電性高分子之蝕刻。

本發明中次氯酸鹽及次氯酸鹽5水合物之有效氯濃度是透過利用Na₂ SO₃ 之滴定法來測定。測定方法如下。採取W克之測定試料，添加離子交換水到250ml。分去10ml此試料液，並添加10ml碘化鉀10%水溶液。然後，添加10ml醋酸(1：2)將pH做成酸性，並以0.1當量濃度之硫代硫酸鈉水溶液測定。再者，為了在滴定途中容易判斷終點，亦可添加可溶性澱粉。以0.1當量濃度Na₂ SO₃ 之滴定量及試料採取料W，並從次式求出有效氯濃度。

[數學式1]

再者，式中之f(係數)是0.1當量濃度Na₂ SO₃ 之修正係數，亦即，表示修正實際使用之Na₂ SO₃ 水溶液與0.1當量濃度Na₂ SO₃ 水溶液之差的係數。

本發明墨水中之無機粒子(B)可用來使墨水增黏。無機粒子可舉二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化鍺、氧化鈰、氧化鋅、碳化矽、滑石、綠土、雲母、膨土、海泡石(sepiolite)及高嶺土等。無機粒子之形狀並無特別限制，可舉球狀、平板狀、針狀、纖維狀、不定形狀等，然該等之中宜為平板狀之無機粒子，且以膨土及雲母特別為佳。透過使用平板狀之無機粒子，會有墨水黏度之經時變化變小的效果。無機粒子之平均一次粒徑宜為3nm~100μm，且以3nm~50μm為佳，以3nm~20μm更佳，以3nm~15μm特別為佳。

本發明墨水中之聚丙烯酸或其鹽(C)是添加來提高墨水之保水力使墨水難以乾燥，以及因起清洗劑之作用而使清洗性提升。因此，透過添加聚丙烯酸或其鹽，將提升清洗性且墨水難以乾燥，所以即便長時間放置無機粒子亦不會飛散，清洗性亦被改良。結果不僅可應用在如輥對輥之類的量產取向的連續處理，像是將經裁切之導電薄膜進行數十片連續印刷並排在架子上之後再一次清洗等少量取向的單片處理亦可予以應用。又，因難以乾燥，而表現出可抑制在網板網眼阻塞而可連續處理的效果，進一步，因組合聚丙烯酸與無機粒子，亦表現出能調節成適合網板印刷之黏度特性的效果。

聚丙烯酸或其鹽方面，可舉使丙烯酸或其鹼金屬鹽聚合而獲得者，在鹼金屬鹽方面，宜為聚丙烯酸鈉。聚丙烯酸或其鹽可為直鏈型或為交聯型，又，亦可使用甲基丙烯酸-丙烯酸之共聚物。聚丙烯酸或其鹽之重量平均分子量宜為1000~50萬，且以1000~20萬更佳，以2000~20000特別為佳。

聚丙烯酸或其鹽之重量平均分子量(Mw)是以交聯凝膠滲透層析法(GPC)來測定。例如，GPC之測定條件是使用HLC8020系統(Tosoh公司製)，檢測是以RI進行，管柱是連結G4000PW×1、G3000PW×1、G2500PW×1並使用，並令溶解液為0.1MNaCl＋磷酸緩衝液(pH7)，校正曲線是使用聚丙烯酸鈉作成。

本發明墨水所使用之水系介質(D)，若為不影響蝕刻處理之介質則無特別限制，宜使用水。

本發明墨水含有前述(A)~(D)之必須成分，該等之摻合比例在導電性高分子用蝕刻劑(A)宜為0.06~7.0質量%、無機粒子(B)宜為3~30質量%、聚丙烯酸或其鹽(C)宜為0.1~30質量%及水系介質(D)宜為33~96質量%。

為了將本發明墨水之pH調整成3~7，是使用酸或鹼等。使用之酸可使用無機酸及有機酸之任一，可舉鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、檸檬酸等，該等之中宜為醋酸。又，鹼方面可舉苛性鹼、苛性鉀、碳酸鈉、碳酸鉀等，該等之中宜為苛性鹼。

若將本發明墨水之pH調整成3~7則在隱形性上顯示優異效果之理由是推測如下。例如，已知，在導電性高分子用蝕刻劑使用次氯酸鹽之情況下，氯、次氯酸及次氯酸離子之平衡狀態，即，該等之分率，會依pH而變化。然後，在pH為3~7之區域，主要是以次氯酸存在，由於相較於次氯酸離子，次氯酸容易浸透到導電膜，因此可抑制分解性，而可在圖案化之後亦在維持導電性薄膜原本色調之狀態下去活化。

本發明墨水之pH需要調整到3~7，然從抑制氯氣產生或抑制導電膜之分解性的觀點來看，pH宜為4~5.5，且pH以4.5~5.0為佳。本發明墨水之pH測定可使用市售之pH儀來測定。因一旦pH小於3氯臭會很強，而在通常之環境下難以操作；一旦pH超過7則會減少隱形性。

進一步，作為本發明墨水中前述(A)~(D)以外之成分，宜含有陰離子交換物(E)。若使用含有本發明之(A)~(D)成分之墨水來進行圖案化，則在印刷中氯會從墨水揮發，有效氯濃度會隨之減少，而有印刷處無法充分去活化的憂慮。要使從墨水揮發的氯減少，降低墨水中之氯分率即可，因此宜使氯化物離子濃度降低。

氯化物離子有在本發明墨水中是以雜質存在者，以及在網板印刷中次氯酸等自己分解而產生者，為了捕捉該等，本發明墨水中宜添加陰離子交換物。陰離子交換物之添加量方面，宜添加成墨水整體之1~10質量%。

前述陰離子交換物方面可舉氧化鉍系化合物、氫氧化鉍系化合物、水滑石、鎂與鋁之複合氧化物、氧化釔、鉛磷酸鈣、氧化鑭、酸化釹、銀系化合物等，該等之中宜為氧化鉍系化合物、氫氧化鉍系化合物、水滑石及鉛磷酸鈣。可使用鉍系化合物之市售品，IXE-500、IXE-530、IXE-550(皆為商品名，東亞合成社製)；水滑石之市售品，DHT-4A(商品名，協和化學工業社製)；鉛磷酸鈣之市售品，IXE-1000(商品名，東亞合成社製)等。

本發明墨水中除了前述(A)~(E)成分之外還可含有以下所示化合物。可在不影響本發明墨水性能之範圍使用，例如，界面活性劑、消泡劑、表面調整剤、整平劑、潤滑劑、乾燥防止劑、pH調整劑(苛性鹼、苛性鉀等)、次氯酸鹽穩定劑等。

本發明墨水之調製方法可例示以下所示方法，然並不限定於該方法。使無機粒子、聚丙烯酸或其鈉鹽，及視需要之導電性高分子用蝕刻劑以外以及其成分分散於水中，並以酸及/或鹼將pH調整成3~7後，以三輥進行混合處理直到無機粒子均一分散。進一步，透過添加導電性高分子用蝕刻劑，來調製本發明墨水。

接著，針對導電性高分子之圖案化方法進行說明。導電性高分子之π電子會移動而顯示導電性。如此導電性高分子可舉聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯、聚茀、聚二噻吩、聚異噻吩、聚(3,4-二氧乙烯噻吩)、聚異噻茚、聚異萘噻吩、聚乙炔、聚二乙炔、聚對苯乙烯、聚并苯、聚氮化硫、聚伸乙基伸乙烯(polyethylenevinylene)、聚對苯、聚十二烷基噻吩、聚苯乙烯、聚伸乙基伸乙烯、聚苯硫醚等，及該等之衍生物。於該等之中，宜為聚苯胺類、聚吡咯類及聚噻吩類，且以聚吡咯類及聚噻吩類為佳，以在導電度、在空氣中之穩定性及耐熱上優異之聚(3,4-二氧乙烯噻吩)最佳。

又，在使用導電性高分子時，在以表現更高導電度之目的下，可併用稱作摻雜物的摻雜劑。併用之摻雜物可使用眾所皆知的摻雜物，視導電性高分子之種類，可舉鹵類(溴、碘、氯等)、路易士酸(BF₃ 、PF₅ 等)、質子酸(HNO₃ 、H₂ SO₄ 等)、過渡金屬鹵化物(FeCl₃ 、MoCl₅ 等)、鹼金屬(Li、Na等)、有機物質(胺基酸、核酸、界面活性劑、色素、烷基銨離子、氯冉、四氰基乙烯)等。亦可為導電性高分子本身上具有摻雜效果之自我摻雜型導電性高分子。又，使用聚噻吩類時，摻雜物方面宜使用聚苯乙烯磺酸。

本發明中導電性高分子之導電率若為顯示導電性之値的範圍則無特別限制，宜為10^-6 ~10⁴ S/cm，且以10^-5.5 ~10⁴ S/cm為佳，以10^-5 ~10⁴ S/cm更佳。若本發明中導電性高分子之導電率在上述範圍，在接續部分之圖案化等之上是適宜的。

本發明中導電性高分子宜為在使用其時，在可見光範圍之穿透率為高者。再者，穿透率在波長550nm宜為60~98%，且以70~98%為佳，以80~98%更佳。若導電性高分子之穿透率在上述範圍，則可適宜使用在顯示器等用途上。前述可見光範圍是400~700nm，且穿透率之測定可利用分光光度計來測定。

本發明中可使用市售之各種導電性高分子。例如，Panipol公司製的「Panipol」(商品名)是經機能性磺酸摻雜之有機溶劑可溶型聚苯胺。又，Ormecon公司製的「Ormecon」(商品名)是在摻雜物使用了有機酸之溶劑分散型聚苯胺。進一步，Bayer公司製的「Baytron」(商品名)是聚(3,4-二氧乙烯噻吩)，且在摻雜物方面是聚苯乙烯磺酸。其他，Achilles公司製的「ST Poly」(商品名)是聚吡咯；東洋紡績公司製的「PETMAX」(商品名)是磺化聚苯胺；MARUAI公司製的「SCS-NEO」(商品名)是聚苯胺，該等亦可使用在本發明中。

本發明導電性高分子之圖案化方法(以下亦稱為「本發明之圖案化方法」。)是使用本發明墨水來進行之方法。透過使本發明墨水接觸導電性高分子，可去活化該接觸部分，導電性高分子之形狀並無特別限制，可為任意形狀，然宜為膜狀。

又，本發明之圖案化方法是包含下述步驟之方法：成膜步驟，在基材上形成導電性高分子的膜；印刷步驟，在前述膜中要讓導電性高分子去活化之區域賦予本發明墨水；蝕刻步驟，透過本發明墨水來蝕刻前述去活化區域之導電性高分子；以及除去步驟，將殘存之本發明墨水及導電性高分子之蝕刻殘液自基板上除去。

前述成膜步驟中的基材並無特別限定，可視使用用途來選擇，具體可舉玻璃、石英、聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等)、聚烯烴(例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、環狀烯烴等)、聚醯亞胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯等。成膜步驟中導電性高分子之膜厚可為所欲之厚度，然宜為1nm~100μm，且以2nm~1μm為佳，以5~500nm更佳。

前述成膜步驟中在基材上形成導電性高分子之膜的方法並無特別限制，藉由眾所皆知的方法形成即可。具體可舉將導電性高分子之溶液旋轉塗布或浸漬塗布到基材上再使之乾燥的方法。基材與導電性高分子之膜之間，視需要亦可具有其他層。又，在前述印刷步驟之前亦可在導電性高分子之膜上形成其他層。形成在基材上之導電性高分子之膜可為同樣的膜，亦可為一部分已經透過本發明之圖案化方法或其他方法進行圖案化的膜。

在前述印刷步驟中，在使導電性高分子去活化之區域賦予本發明墨水之方法可舉孔版印刷、凸版印刷、凹版印刷及平版印刷等。該等之中，從可容易調整墨水量之觀點來看，宜為孔版印刷，而在孔版印刷之中亦以網板印刷、模板印刷及移印印刷為佳，且以網板印刷特別為佳。印刷步驟中墨水之賦予量可為對每單位膜之面積賦予一定量，亦可相對於其他部分之墨水量來增減一部分之墨水量。又，前述膜中使導電性高分子去活化之區域的形狀並無特別限制，為因應所需之形狀即可。本發明之圖案化方法可適當的使用在奈米級至公分級之線寬的蝕刻，且可更適當使用在微米級至毫米級之線寬的蝕刻。

若使用本發明墨水進行圖案化，則有效氯亦可從已印刷之墨水揮發，而此揮發之有效氯會使未印刷部分之電阻上昇。為預防此，宜包含下述步驟：在印刷步驟之前使導電性高分子之膜浸漬於酸中，或使水溶性樹脂之保護膜形成在導電性高分子之膜。浸透導電性高分子之膜的酸可使用無機酸及有機酸之任一種，可舉鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸、檸檬酸及對甲苯磺酸酸等，於該等之中宜為硫酸及硝酸。例如，可如下調製：使導電性高分子膜(薄膜)浸漬於前述酸水溶液中，並在拭去水氣後使之自然乾燥。又，使用於導電性高分子之保護膜的水溶性樹脂可舉聚乙烯醇樹脂、水溶性聚酯樹脂等。例如，可如下調製：將前述樹脂水溶液塗布在導電性高分子膜(薄膜)後使之自然乾燥。

在前述蝕刻步驟，在前述導電性高分子之膜之中接觸本發明墨水之部分會被去活化，因此在前述印刷步驟後，使前述去活化區域之蝕刻經過必要之時間即可。蝕刻步驟中的經過時間(蝕刻時間)並無特別限制，可根據墨水組成、導電性高分子之材質或膜厚、進行蝕刻之溫度、進行蝕刻之深度等來適時選擇。蝕刻時之溫度並無特別限制，可例如在常溫(10~30℃)下進行。又，為了調整蝕刻速度等，亦可將蝕刻環境及/或具有導電性高分子之膜的基材進行加熱或冷卻。又，在蝕刻步驟中，可將前述具有導電性高分子之膜的基材靜置，亦可在不影響蝕刻之範圍內移動具有導電性高分子之膜的基材。在蝕刻步驟中，應除去之區域的除去，視需要，可為將膜貫通而完全蝕刻之態樣，或者亦可為不將膜貫通而僅蝕刻前述區域之一部分(在厚度方向看時之一部分)的態樣。

在前述除去步驟從基材上除去之蝕刻殘渣可舉例如，本發明墨水所致導電性高分子的分解物、因蝕刻所產生之導電性高分子的微粉等，從簡便性及成本之觀點來看，宜利用水洗來除去殘存之本發明墨水及導電性高分子的蝕刻殘渣。在水洗使用之水量為除去之必要量即可，並無特別限制。又，水洗方法可舉：將已圖案化之具有導電性高分子的基材利用流水清洗之方法、將已圖案化之具有導電性高分子之膜的基材浸漬於水中的方法等。

又，在前述除去步驟中進行水洗時，本發明之圖案化方法宜在除去步驟之後包含一使已圖案化之導電性高分子之膜乾燥的步驟。乾燥方法並無特別限制，可利用透過熱之乾燥、風乾、透過溫風之乾燥等。

本發明之圖案化方法除了前述步驟之外，視需要可包含其他步驟，亦可在本發明之圖案化方法之進行後或進行前，利用本發明以外之圖案化方法來進行圖案化，又，亦可進行2次以上本發明之圖案化方法。又，在本發明之圖案化方法亦可併用2種以上本發明墨水。

[實施例] 以下將透過實施例及比較例具體說明本發明。＜實施例1＞將無機粒子之Kunipia F(商品名、KUNIMINE工業公司製)5g、NTS-10% sol(商品名、TOPY工業公司製)10g及重量平均分子量為20000之聚丙烯酸0.5g添加於水中並攪拌。添加3g醋酸，並在追加水使整體成為92.3g後，以三輥混捏到均一來製作糊。另一方面，將13質量%之次氯酸鈉(次氯酸Na)7.7g與前述糊混合獲得蝕刻墨水。此時，墨水之有效氯濃度為1.0質量%，pH為4。將100g前述蝕刻墨水載置於網版，並對已塗裝聚噻吩系導電性高分子之導電薄膜(電子化工公司製、表面電阻250Ω/□)進行網板印刷。在印刷結束1分後將導電薄膜上之蝕刻墨水以大量的水沖洗並乾燥，藉此，經蝕刻墨水印刷之部分會去活化，完成依據網版圖案之導電性高分子的圖案化。(連續且重複進行上述從網板印刷至清洗的操作。) 使用蝕刻墨水之連續印刷是將上述網板印刷動作以20秒/片的速度重複，求得可連續印刷處理之片數。再者，將使用有上述蝕刻墨水之網板印刷時的清洗性、隱形性、氯臭之有無、連續處理時之印刷精度(L/S500μm)及可連續印刷處理片數，以下述所示方法來評價，其結果顯示於表1。

＜實施例2~13＞在實施例2~13是使用表1所示無機微粒子、聚丙烯酸Na或其他聚合物，又，透過醋酸來將pH調整成如表1所示。進一步，在實施例10、實施例11及實施例13有添加陰離子交換物。在實施例2~13，除了該等之外，與實施例1相同的調製蝕刻墨水，並進行網板印刷。將使用有各蝕刻墨水之網板印刷時的清洗性、隱形性、氯臭之有無、連續處理時之印刷精度(L/S500μm)及可連續印刷處理片數以下述所示方法來評價，並將其結果顯示於表1。

＜比較例1~5＞比較例1及比較例2並未添加聚丙烯酸Na；比較例3是使用聚乙烯吡咯啶酮取代聚丙烯酸Na；比較例4是將pH調整成2；比較例5是將pH調整成8，除此之外其於與實施例1相同來調製蝕刻墨水，並進行網板印刷。將使用有各蝕刻墨水之網板印刷時的清洗性、隱形性、氯臭之有無、連續處理時之印刷精度(L/S500μm)及可連續印刷處理片數以下述所示方法來評價，並將其結果顯示於表1。

[表1]

＜實施例14~17＞除了在蝕刻劑方面使用二氯異三聚氰酸鈉(二氯異三聚氰酸Na)或漂白粉取代次氯酸鈉之外，其餘以表2所示比例並與實施例1相同來調製蝕刻墨水，並進行網板印刷。將使用有各蝕刻墨水之網板印刷時的清洗性、隱形性、氯臭之有無、連續處理時之印刷精度(L/S500μm)及可連續印刷處理片數以下述所示方法來評價，並將其結果顯示於表2。

[表2]

＜實施例18~25＞以表3所示比例來與實施例1相同的調製蝕刻墨水，並進行網板印刷。再者，在實施例18、20、22及24是使用如下之酸處理導電薄膜：使與實施例1相同之導電薄膜浸漬於1%之硫酸水溶液中1小時後，在拭去水氣後使之在室溫下乾燥12小時。又，在實施例19、21、23及25是使用如下之附有被膜之導電薄膜：將與實施例1相同之導電薄膜塗布GOHSENOL NL-05(日本合成化學工業公司製、聚乙烯醇)的10%水溶液後，在室溫下使之乾燥12小時。

[表3]

又，為了表示導電薄膜之酸處理及附有被膜處理的效果，將連續處理中之揮發有效氯所致未印刷部分之電阻上昇的評價結果顯示於表4。如自表4之結果所明示，透過進行導電薄膜之酸處理及附有被膜處理，可抑制未印刷部分之電阻上昇。

[表4]

上述網板印刷時各試驗之評價基準如下述。清洗性之評價基準 ○：即便在印刷30分後清洗，仍可乾淨的沖洗墨水。 ×：即便在印刷5分後清洗，墨水仍會固著並殘留在薄膜上。隱形性之評價基準以目視比較蝕刻部分與未蝕刻部分，並確認圖案顏色是否變化。 ○：以目視幾乎不可看到圖案。 △：以目視約略可看到圖案。 ×：以目視可看到圖案。氯臭之評價基準 ○：幾乎無氯臭。 △：多少有氯臭，然可在通常之實驗室環境下操作。 ×：氯臭強，不可在通常之實驗室環境下操作。連續處理時之印刷精度的評價基準 ×：若連續印刷5片，會產生圖案之參差或暈開。 △：若連續印刷25片，會產生圖案之參差或暈開。 ○：即便連續印刷50片，仍可依照圖案印刷。可連續印刷處理片數顯示墨水印刷處之表面電阻上升到10⁹ Ω/□以上，且維持隱形性之片數。揮發有效氯所致未印刷部分之電阻上昇比較印刷中從墨水揮發之有效氯所致墨水未印刷部之電阻的上升。 ○：電阻變化小於20%。 △：電阻變化在20%~50%。 ×：電阻變化超過50%。再者，於表4並無評價是相當於評價畫分之△。

表1~表3中無機粒子之略稱如下。・Kunipia F(商品名)：KUNIMINE工業公司製、平板狀膨土・Wenger HVP(商品名)：HOJUN公司製、平板狀膨土・NTS-10% sol：TOPY工業公司製、平板狀雲母・AEROSIL COK84(商品名)：日本AEROSIL公司製、球狀二氧化矽：氧化鋁＝5：1之混合物其他聚合物之略稱如下。 AA-MAA共聚物：丙烯酸與甲基丙烯酸之共聚物，在實施例8是使用丙烯酸/甲基丙烯酸＝5/2(重量比)。又，陰離子交換物如下。 IXE-500(商品名)：東亞合成公司製、鉍系陰離子交換物

[產業上之可利用性] 本發明墨水及本發明之圖案化方法可應用在用於電解電容器、電池、觸控面板、液晶面板及有機EL元件等之導電性高分子的蝕刻。特別是由於隱形性優異，而可應用在電容式觸控面板上。因此，可期待促進導電性高分子在務須蝕刻之用途上的利用，諸如：以高分子有機EL顯示器為代表之顯示器之顯示像素部分的導電性高分子，及周邊電路與導電性高分子之連接部分的圖案化；觸控面板之檢測部分的導電性高分子，及周邊電路與導電性高分子之連接部分的圖案化；製造電容器時除去附著在不要部分之導電性高分子等。

(無)

Claims

一種導電性高分子用隱形蝕刻墨水，其含有導電性高分子用蝕刻劑(A)、無機粒子(B)、聚丙烯酸或其鹽(C)及水系介質(D)，且pH調整到3~7。
如請求項1之導電性高分子用隱形蝕刻墨水，其中導電性高分子用蝕刻劑(A)為次氯酸鹽及/或次氯酸鹽5水合物。
如請求項1之導電性高分子用隱形蝕刻墨水，其中無機粒子(B)之一次粒子形狀為平板狀。
如請求項1之導電性高分子用隱形蝕刻墨水，其中無機粒子為膨土及/或雲母。
如請求項1之導電性高分子用隱形蝕刻墨水，其中聚丙烯酸或其鹽之重量平均分子量為1000~50萬。
如請求項1至5中任一項之導電性高分子用隱形蝕刻墨水，其進一步含有陰離子交換物(E)。
如請求項6之導電性高分子用隱形蝕刻墨水，其中陰離子交換物(E)為鉍系化合物或水滑石。
一種導電性高分子之圖案化方法，其特徵在於包含下述步驟：成膜步驟，在基材上形成導電性高分子的膜；印刷步驟，在前述膜中要除去導電性高分子之區域賦予如請求項1至7中任一項之導電性高分子用隱形蝕刻墨水；蝕刻步驟，透過前述導電性高分子用蝕刻墨水來蝕刻前述除去區域之導電性高分子；以及除去步驟，將殘存之導電性高分子用隱形蝕刻墨水及導電性高分子之蝕刻殘液自基板上除去。
如請求項8之導電性高分子之圖案化方法，其中前述導電性高分子為聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類。
如請求項8之導電性高分子之圖案化方法，其中在印刷步驟之前包含一下述步驟：使導電性高分子之膜浸漬於酸中，或使水溶性樹脂之保護膜形成在導電性高分子之膜。