JP3525273B2 - サブミリ波発生装置 - Google Patents
サブミリ波発生装置Info
- Publication number
- JP3525273B2 JP3525273B2 JP32506795A JP32506795A JP3525273B2 JP 3525273 B2 JP3525273 B2 JP 3525273B2 JP 32506795 A JP32506795 A JP 32506795A JP 32506795 A JP32506795 A JP 32506795A JP 3525273 B2 JP3525273 B2 JP 3525273B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submillimeter
- submillimeter wave
- grating
- optical crystal
- wave generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＬｉＮｂＯ３結
晶などの非線形光学結晶によりサブミリ波を発生する装
置に関するものである。
晶などの非線形光学結晶によりサブミリ波を発生する装
置に関するものである。
【０００２】
◆「周期」「周期」は、一般的には、本来は時間のディ
メンションであるが、この発明では、光学結晶体の内部
を所定の光が通る経路における長さのディメンションを
も、併せていうものである。
メンションであるが、この発明では、光学結晶体の内部
を所定の光が通る経路における長さのディメンションを
も、併せていうものである。
【０００３】◆「周波数」光は、一般的には、「波長」
で表すが、この発明では、「周波数」で表すしている。
この「周波数」に対応する「波長」は、電波の場合と同
様に、伝搬経路の物質によって異なる。
で表すが、この発明では、「周波数」で表すしている。
この「周波数」に対応する「波長」は、電波の場合と同
様に、伝搬経路の物質によって異なる。
【０００４】〔参考文献〕
◆参考文献１
Ｊ．Ｍ．Ｙａｒｂｏｒｏｕｇｈ，Ｓ．Ｓ．Ｓｕｓｓｍａ
ｎ，Ｈ．Ｆ．Ｐｕｔｈｏｆｆ，Ｒ．Ｈ．Ｐａｎｔｅｌｌ
ａｎｄ Ｂ．Ｃ．Ｊｏｈｎｓｏｎ，Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．１５，Ｎ
ｏ．３，１０２，１９６９年。
ｎ，Ｈ．Ｆ．Ｐｕｔｈｏｆｆ，Ｒ．Ｈ．Ｐａｎｔｅｌｌ
ａｎｄ Ｂ．Ｃ．Ｊｏｈｎｓｏｎ，Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．１５，Ｎ
ｏ．３，１０２，１９６９年。
【０００５】◆参考文献２
Ｂ．Ｃ．Ｊｏｈｎｓｏｎ，Ｈ．Ｆ．Ｐｕｔｈｏｆｆ，
Ｊ．ＳｏｏＨｏｏ ａｎｄ Ｓ．Ｓ．Ｓｕｓｓｍａｎ，
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖ
ｏｌ．１８，１８１，１９７１年。
Ｊ．ＳｏｏＨｏｏ ａｎｄ Ｓ．Ｓ．Ｓｕｓｓｍａｎ，
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖ
ｏｌ．１８，１８１，１９７１年。
【０００６】◆参考文献３
Ｍ．Ａ．Ｐｉｅｓｔｒｕｐ，Ｒ．Ｎ．Ｆｌｅｍｉｎｇ，
ａｎｄ Ｒ．Ｈ．Ｐａｎｔｅｌｌ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．
８，４１８，１９７５年。
ａｎｄ Ｒ．Ｈ．Ｐａｎｔｅｌｌ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．
８，４１８，１９７５年。
【０００７】◆参考文献４
Ｅ．Ｄ．Ｐａｌｉｋ，“Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｏｐ
ｔｉｃａｌ Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ ｏｆ Ｓｏｌｉｄｓ
Ｉ，II”，（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ，１９９
１年）。
ｔｉｃａｌ Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ ｏｆ Ｓｏｌｉｄｓ
Ｉ，II”，（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ，１９９
１年）。
【０００８】◆参考文献５
Ｋ．Ｋａｗａｓｅ ａｎｄ Ｈ．Ｉｔｏ，Ｎｏｎｌｉｎ
ｅａｒ Ｏｐｔｉｃｓ，７，２２５，１９９４年。
ｅａｒ Ｏｐｔｉｃｓ，７，２２５，１９９４年。
【０００９】◆参考文献６
オーム社昭和５７年１２月発行「レーザハンドブック」
第４０３〜４０７頁「２２・２・３回折格子〜２２・２
・５光導波路結合素子」。
第４０３〜４０７頁「２２・２・３回折格子〜２２・２
・５光導波路結合素子」。
【００１０】〔レーザ光とストーク光とを交差によるサ
ブミリ波の発生技術〕レーザと光学結晶などを用いる光
方式によるサブミリ波発生として、ＬｉＮｂＯ３結晶の
非線形光学効果である誘導ラマン効果を用いたサブミリ
波発生（波長１００μｍ〜３００μｍ）は、単波長性の
良いサブミリ波の高効率発生が可能である。
ブミリ波の発生技術〕レーザと光学結晶などを用いる光
方式によるサブミリ波発生として、ＬｉＮｂＯ３結晶の
非線形光学効果である誘導ラマン効果を用いたサブミリ
波発生（波長１００μｍ〜３００μｍ）は、単波長性の
良いサブミリ波の高効率発生が可能である。
【００１１】この技術は、上記の〔参考文献１〕〔参考
文献３〕などによって開示されており、図８は、この原
理に基づく従来のサブミリ波発生装置の構成図を示すも
のである。図８の〔平面〕において、励起レーザ１から
のレーザ光２は、非線形光学結晶３、例えば、ＬｉＮｂ
Ｏ３（ニオブ酸リチウム）の結晶の入力側の端面４から
入り、他の端面側に抜け出る。このように、レーザ光４
を非線形光学結晶（ＬｉＮｂＯ３の結晶）３に照射する
と、誘導ラマン効果によりストークス光５が発生する
が、レーザ光２の経路とストークス光５との経路の交差
角度δ、つまり、レーザ光２のビーム方向とストークス
光５とのビーム方向の交差角度δを特定の条件に設定す
ると、非線形光学効果によってレーザ光２とストークス
光５の交差領域でサブミリ波６が発生する。
文献３〕などによって開示されており、図８は、この原
理に基づく従来のサブミリ波発生装置の構成図を示すも
のである。図８の〔平面〕において、励起レーザ１から
のレーザ光２は、非線形光学結晶３、例えば、ＬｉＮｂ
Ｏ３（ニオブ酸リチウム）の結晶の入力側の端面４から
入り、他の端面側に抜け出る。このように、レーザ光４
を非線形光学結晶（ＬｉＮｂＯ３の結晶）３に照射する
と、誘導ラマン効果によりストークス光５が発生する
が、レーザ光２の経路とストークス光５との経路の交差
角度δ、つまり、レーザ光２のビーム方向とストークス
光５とのビーム方向の交差角度δを特定の条件に設定す
ると、非線形光学効果によってレーザ光２とストークス
光５の交差領域でサブミリ波６が発生する。
【００１２】ミラー７・７はストークス光５の共振用の
全反射ミラーである。そして、サブミリ波６はストーク
ス光５の経路に対して、特定された側面８の方向側に出
射される。この出射する側面８は、非線形光学結晶（Ｌ
ｉＮｂＯ３の結晶）３を、図８の〔斜視〕に示すよう
に、そのｚ軸（光軸）を上向きにし、ｘ軸をストークス
光５の経路方向に平行にしたときに、ｙ軸が向かう側の
方向の面であってストークス光５の経路方向な面にな
る。そして、非線形光学結晶３の内部における実際のサ
ブミリ波６の発生方向は、ストークス光５の経路に対し
て、角度θの傾斜をもつ方向になる。
全反射ミラーである。そして、サブミリ波６はストーク
ス光５の経路に対して、特定された側面８の方向側に出
射される。この出射する側面８は、非線形光学結晶（Ｌ
ｉＮｂＯ３の結晶）３を、図８の〔斜視〕に示すよう
に、そのｚ軸（光軸）を上向きにし、ｘ軸をストークス
光５の経路方向に平行にしたときに、ｙ軸が向かう側の
方向の面であってストークス光５の経路方向な面にな
る。そして、非線形光学結晶３の内部における実際のサ
ブミリ波６の発生方向は、ストークス光５の経路に対し
て、角度θの傾斜をもつ方向になる。
【００１３】レーザ光４の波動ベクトルＫ１と、ストー
クス光５の波動ベクトルＫｓと、サブミリ波６の波動ベ
クトルＫｔの関係は、図９のようになり、レーザ光４の
波動ベクトルＫ１とストークス光５の波動ベクトルＫｓ
と間の角度δが０．５〜１°のときに、位相整合条件が
満たされ効率よくサブミリ波６が発生する。
クス光５の波動ベクトルＫｓと、サブミリ波６の波動ベ
クトルＫｔの関係は、図９のようになり、レーザ光４の
波動ベクトルＫ１とストークス光５の波動ベクトルＫｓ
と間の角度δが０．５〜１°のときに、位相整合条件が
満たされ効率よくサブミリ波６が発生する。
【００１４】位相整合条件とは、レーザ光４・ストーク
ス光５の位相とサブミリ波６の位相が打ち消し合わない
ような速度関係を保つ条件であり、各波の屈折率の関係
から決定される。そして、サブミリ波６はストークス光
５に対して、θ＝約６５〜６６°の波動ベクトルＫｔで
発生する。
ス光５の位相とサブミリ波６の位相が打ち消し合わない
ような速度関係を保つ条件であり、各波の屈折率の関係
から決定される。そして、サブミリ波６はストークス光
５に対して、θ＝約６５〜６６°の波動ベクトルＫｔで
発生する。
【００１５】ただし、ＬｉＮｂＯ３結晶のサブミリ波に
対する屈折率値ｎが大きく（ｎ＝５．２）、側面８では
空気との間に全反射が生じるので、サブミリ波を空気中
に取り出すためには、ＬｉＮｂＯ３結晶端面に何らかの
加工を施す必要があるので、上記の〔参考文献１〕によ
る従来技術では、サブミリ波６の波動ベクトルＫｔの方
向に対して、ほぼ垂直な方向にカットした端面９を設け
て、空中への出射方向１０が、サブミリ波６の波動ベク
トルＫｔの方向と同じ方向になるとようにしている。
対する屈折率値ｎが大きく（ｎ＝５．２）、側面８では
空気との間に全反射が生じるので、サブミリ波を空気中
に取り出すためには、ＬｉＮｂＯ３結晶端面に何らかの
加工を施す必要があるので、上記の〔参考文献１〕によ
る従来技術では、サブミリ波６の波動ベクトルＫｔの方
向に対して、ほぼ垂直な方向にカットした端面９を設け
て、空中への出射方向１０が、サブミリ波６の波動ベク
トルＫｔの方向と同じ方向になるとようにしている。
【００１６】なお、レーザ光４・ストークス光５とはコ
ヒーレントなビーム光であって所要のビーム径をもって
おり、また、サブミリ波６とその出射光１０とは単なる
１つの矢印で示したが、実際には、この矢印に対して横
方向に広がった幅で分布されているものである。
ヒーレントなビーム光であって所要のビーム径をもって
おり、また、サブミリ波６とその出射光１０とは単なる
１つの矢印で示したが、実際には、この矢印に対して横
方向に広がった幅で分布されているものである。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術による
方法では、サブミリ波６が斜めにカットした端面９から
空気中に出射されるが、サブミリ波帯はＬｉＮｂＯ３結
晶内での吸収が大きいため、端面９に至るまでの距離ｄ
１での吸収損失が大きなる。
方法では、サブミリ波６が斜めにカットした端面９から
空気中に出射されるが、サブミリ波帯はＬｉＮｂＯ３結
晶内での吸収が大きいため、端面９に至るまでの距離ｄ
１での吸収損失が大きなる。
【００１８】具体的には、距離ｄ１を３ｍｍとすると、
ＬｉＮｂＯ３結晶の吸収によって、サブミリ波６が透過
する量は０．１％程度の小さい値になるので、サブミリ
波６を効率良く空気中に取り出し得ないという不都合が
ある。
ＬｉＮｂＯ３結晶の吸収によって、サブミリ波６が透過
する量は０．１％程度の小さい値になるので、サブミリ
波６を効率良く空気中に取り出し得ないという不都合が
ある。
【００１９】このため、こうした不都合がなく、高効率
なサブミリ波の出射が得られる発生装置の提供が期待さ
れているという課題がある。
なサブミリ波の出射が得られる発生装置の提供が期待さ
れているという課題がある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記のよう
なサブミリ波発生装置において、サブミリ波が発生する
非線形光学結晶の側面にグレーティングを設けて、この
グレーティング面からサブミリ波を出射させることによ
り、高能率なサブミリ波出射を得る構成と、このグレー
ティングの周期長を変化させ、または、グレーティング
の溝方向を傾斜させて、サブミリ波の出射方向を所要の
方向に指向づける構成と、上記のグレーティングに代え
て、上記の側面にプリズムを設け、プリズムを介してサ
ブミリ波を出射させることにより高能率なサブミリ出射
を得る構成となどにより上記の課題を解決し得るように
したものである。
なサブミリ波発生装置において、サブミリ波が発生する
非線形光学結晶の側面にグレーティングを設けて、この
グレーティング面からサブミリ波を出射させることによ
り、高能率なサブミリ波出射を得る構成と、このグレー
ティングの周期長を変化させ、または、グレーティング
の溝方向を傾斜させて、サブミリ波の出射方向を所要の
方向に指向づける構成と、上記のグレーティングに代え
て、上記の側面にプリズムを設け、プリズムを介してサ
ブミリ波を出射させることにより高能率なサブミリ出射
を得る構成となどにより上記の課題を解決し得るように
したものである。
【００２１】なお、この発明に用いるグレーティング
は、上記の〔参考文献６〕に開示されているグレーティ
ング、つまり、「回折格子」を言っているものであり、
その構造は、電気信号における矩形波と同様の形状、つ
まり、四角な山形の繰り返し形状、または、三角形状の
山形の繰り返し形状、さらには、電気信号における交流
の両波整流波と同様の形状、つまり、頭の丸い三角形の
山形の繰り返し形状など、レーザに関する従来技術にお
いて使用されている種々の回折格子を用いることができ
る。
は、上記の〔参考文献６〕に開示されているグレーティ
ング、つまり、「回折格子」を言っているものであり、
その構造は、電気信号における矩形波と同様の形状、つ
まり、四角な山形の繰り返し形状、または、三角形状の
山形の繰り返し形状、さらには、電気信号における交流
の両波整流波と同様の形状、つまり、頭の丸い三角形の
山形の繰り返し形状など、レーザに関する従来技術にお
いて使用されている種々の回折格子を用いることができ
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態とし
て、この発明を図８のサブミリ波発生装置に適用した実
施例を、図１〜図７によって説明する。図１〜図７にお
いて、図８・図９と同一の符号で示す部分は、図８・図
９で説明した同一符号の部分と同一機能をもつ部分であ
り、また、図１〜図７において同一の符号で示す部分
は、図１〜図７のいずれかにおいて説明した同一符号の
部分と同一機能をもつ部分である。
て、この発明を図８のサブミリ波発生装置に適用した実
施例を、図１〜図７によって説明する。図１〜図７にお
いて、図８・図９と同一の符号で示す部分は、図８・図
９で説明した同一符号の部分と同一機能をもつ部分であ
り、また、図１〜図７において同一の符号で示す部分
は、図１〜図７のいずれかにおいて説明した同一符号の
部分と同一機能をもつ部分である。
【００２３】
〔第１実施例〕まず、第１実施例を図１〜図３により説
明する。図１において、非線形光学結晶３は側面８側に
グレーティング１１を設けた光学結晶、例えば、ＬｉＮ
ｂＯ３の結晶であり、長さＬ＝５０ｍｍ、幅Ｂ＝１０ｍ
ｍ、厚みＤ＝５ｍｍに形成したものである。
明する。図１において、非線形光学結晶３は側面８側に
グレーティング１１を設けた光学結晶、例えば、ＬｉＮ
ｂＯ３の結晶であり、長さＬ＝５０ｍｍ、幅Ｂ＝１０ｍ
ｍ、厚みＤ＝５ｍｍに形成したものである。
【００２４】グレーティング１１は、周期長Ｔで繰り返
す四角形の山形をしており、周期長Ｔ＝１２５μｍ、溝
の幅ＴＧ＝約５０μｍ程度、溝の深さＣ＝６０μｍと
し、ストークス光５のビームの中心から溝の底部分まで
の距離ｄ２を、レーザ光２の斜めの経路において溝の底
部分に最も接近した箇所で、レーザ光２のビームの外側
が溝の底部分になる程度に接近させた距離に選んであ
り、例えば、距離ｄ２＝１ｍｍ程度になっている。
す四角形の山形をしており、周期長Ｔ＝１２５μｍ、溝
の幅ＴＧ＝約５０μｍ程度、溝の深さＣ＝６０μｍと
し、ストークス光５のビームの中心から溝の底部分まで
の距離ｄ２を、レーザ光２の斜めの経路において溝の底
部分に最も接近した箇所で、レーザ光２のビームの外側
が溝の底部分になる程度に接近させた距離に選んであ
り、例えば、距離ｄ２＝１ｍｍ程度になっている。
【００２５】そして、サブミリ波６は、グレーティング
１１の回折効果によって進行方向を曲げられ、空中への
出射方向１０が、サブミリ波６の発生方向の角度θ＝約
６５〜６６°よりも大きい角度φの方向に向けて出射さ
れるように動作するものである。
１１の回折効果によって進行方向を曲げられ、空中への
出射方向１０が、サブミリ波６の発生方向の角度θ＝約
６５〜６６°よりも大きい角度φの方向に向けて出射さ
れるように動作するものである。
【００２６】この事実を、次のような実験により確認し
ている。実験は図１の〔実験構成〕に示すように、非線
形光学結晶３の側面８の中央部分に、上記の寸法による
グレーティング１１を長さＬ１＝１０ｍｍを設けた構成
により行った。
ている。実験は図１の〔実験構成〕に示すように、非線
形光学結晶３の側面８の中央部分に、上記の寸法による
グレーティング１１を長さＬ１＝１０ｍｍを設けた構成
により行った。
【００２７】図２は、サブミリ波６の波長λを変えたと
きに、グレーティング１１からのサブミリ波６の空中へ
の出射方向の角度φの実測値と理論値を比較したもので
あり、レーザ光２の非線形光学結晶３への入射角度γを
１〜２°の間で変化させると、レーザ光２とストークス
光５との間の角度δが０．５〜１°の間で変化して、非
線形光学結晶２の内部での位相整合条件が変化するため
に、発生するサブミリ波６の波長が変化する。
きに、グレーティング１１からのサブミリ波６の空中へ
の出射方向の角度φの実測値と理論値を比較したもので
あり、レーザ光２の非線形光学結晶３への入射角度γを
１〜２°の間で変化させると、レーザ光２とストークス
光５との間の角度δが０．５〜１°の間で変化して、非
線形光学結晶２の内部での位相整合条件が変化するため
に、発生するサブミリ波６の波長が変化する。
【００２８】そして、周期長Ｔ＝１２５μｍのグレーテ
ィング１１を用いた場合、サブミリ波６の波長λ＝１８
０μｍ〜２４８μｍの範囲では、出射方向は角度φ＝４
７〜７７°の範囲で変化しており、ほぼ理論通り変化し
ていることが確認できた。
ィング１１を用いた場合、サブミリ波６の波長λ＝１８
０μｍ〜２４８μｍの範囲では、出射方向は角度φ＝４
７〜７７°の範囲で変化しており、ほぼ理論通り変化し
ていることが確認できた。
【００２９】図３は、長さＬ１＝１０ｍｍのグレーティ
ング１１から出射したサブミリ波６の指向性を測定する
ために、グレーティング１１の面から外側に離れた距離
ｄ３＝１５０ｍｍの箇所での半値全幅（ＦＷＨＭ）と、
距離ｄ３＝３００ｍｍの箇所での半値全幅（ＦＷＨＭ）
とを測定したものであり、それぞれ、半値全幅（ＦＷＨ
Ｍ）＝約８ｍｍと、半値全幅（ＦＷＨＭ）＝１２ｍｍで
あって、わずかに広がるが良好な指向性を示すことが分
かった。
ング１１から出射したサブミリ波６の指向性を測定する
ために、グレーティング１１の面から外側に離れた距離
ｄ３＝１５０ｍｍの箇所での半値全幅（ＦＷＨＭ）と、
距離ｄ３＝３００ｍｍの箇所での半値全幅（ＦＷＨＭ）
とを測定したものであり、それぞれ、半値全幅（ＦＷＨ
Ｍ）＝約８ｍｍと、半値全幅（ＦＷＨＭ）＝１２ｍｍで
あって、わずかに広がるが良好な指向性を示すことが分
かった。
【００３０】また、レーザ４として、出力３０ｍＪのＮ
ｄ：ＹＡＧレーザを用いた結果では、グレーティング１
１から出射されるサブミリ波６の出力は、１．２ｍＷで
あり、上記の従来技術の構造で得られた５μＷに比べる
と２００倍以上の大きな出力が得られ、この発明によれ
ば、高効率なサブミリ波発生装置が得られることが確認
された。グレーティング１１の周期長Ｔと、サブミリ波
６の出射方向１０の角度φの関係は理論的には、次の式
（１）で表すことができる。
ｄ：ＹＡＧレーザを用いた結果では、グレーティング１
１から出射されるサブミリ波６の出力は、１．２ｍＷで
あり、上記の従来技術の構造で得られた５μＷに比べる
と２００倍以上の大きな出力が得られ、この発明によれ
ば、高効率なサブミリ波発生装置が得られることが確認
された。グレーティング１１の周期長Ｔと、サブミリ波
６の出射方向１０の角度φの関係は理論的には、次の式
（１）で表すことができる。
【００３１】
φ＝ｃｏｓ−１（ｎ・ｃｏｓθ−λ／Ｔ） …………（１）
ここで、λはサブミリ波６の波長、θはストークス光５
とサブミリ波６との間の角度、ｎはサブミリ波６におけ
る非線形光学結晶３の屈折率値であり、ＬｉＮｂＯ３結
晶では屈折率ｎ＝５．２である。
とサブミリ波６との間の角度、ｎはサブミリ波６におけ
る非線形光学結晶３の屈折率値であり、ＬｉＮｂＯ３結
晶では屈折率ｎ＝５．２である。
【００３２】そして、実験では、λ＝２４０μｍのと
き、Ｔ＝１２５μｍ、θ＝６５°なので、φ＝７４°で
あったが、これをＴ＝１０９μｍにすると、φ＝９０°
となりグレーティング１１の面に対して垂直方向にサブ
ミリ波６を出射させることが可能になる。また、グレー
ティング１１の溝の深さＣは、Ｃ＝４０〜６０μｍの範
囲で効率よいサブミリ波６の発生が可能であった。この
第１実施例の構成によれば、非線形光学結晶３の内部で
発生したサブミリ波６が、直上のグレーティング１１を
介して空気中に出射されるので、非線形光学結晶２、例
えば、ＬｉＮｂＯ３の結晶内での距離ｄ２が短くなるの
で、吸収が少なくなり、効率良くサブミリ波６を取り出
すことが可能になることが上記の実験により確認し得
た。なお、溝の幅ＴＧは、比較的に許容度が大きく、周
期長Ｔの４０〜６０％の範囲であれば実用し得るものと
考えられる。
き、Ｔ＝１２５μｍ、θ＝６５°なので、φ＝７４°で
あったが、これをＴ＝１０９μｍにすると、φ＝９０°
となりグレーティング１１の面に対して垂直方向にサブ
ミリ波６を出射させることが可能になる。また、グレー
ティング１１の溝の深さＣは、Ｃ＝４０〜６０μｍの範
囲で効率よいサブミリ波６の発生が可能であった。この
第１実施例の構成によれば、非線形光学結晶３の内部で
発生したサブミリ波６が、直上のグレーティング１１を
介して空気中に出射されるので、非線形光学結晶２、例
えば、ＬｉＮｂＯ３の結晶内での距離ｄ２が短くなるの
で、吸収が少なくなり、効率良くサブミリ波６を取り出
すことが可能になることが上記の実験により確認し得
た。なお、溝の幅ＴＧは、比較的に許容度が大きく、周
期長Ｔの４０〜６０％の範囲であれば実用し得るものと
考えられる。
【００３３】〔第２実施例〕次に、第２実施例を図４に
より説明する。この第２実施例は、式（１）によれば、
サブミリ波６の波長λを一定にした状態で、周期長Ｔを
徐々に大きくして行くと、サブミリ波６の出射方向の角
度φは徐々に小さくなる方向に変化し、周期長Ｔを徐々
に小さくして行くと、サブミリ波６の出射方向の角度φ
は徐々に大きくなる方向に変化することを利用して、サ
ブミリ波６の出射方向を集中させ、また、拡散させるよ
うにしたものである。
より説明する。この第２実施例は、式（１）によれば、
サブミリ波６の波長λを一定にした状態で、周期長Ｔを
徐々に大きくして行くと、サブミリ波６の出射方向の角
度φは徐々に小さくなる方向に変化し、周期長Ｔを徐々
に小さくして行くと、サブミリ波６の出射方向の角度φ
は徐々に大きくなる方向に変化することを利用して、サ
ブミリ波６の出射方向を集中させ、また、拡散させるよ
うにしたものである。
【００３４】図４は、サブミリ波６の出射方向を集中さ
せるように構成した例であり、グレーティング１１の周
期長Ｔは、レーザ光２の入力側の端面４の方では広く、
レーザ光２が抜け出る側の端面に近付くに従って、周期
長がＴ１・Ｔ２〜Ｔｎのように順次に小さくなるよう
に、また、溝の幅もＴＧ１・ＴＧ２〜ＴＧｎのように順
次に小さくなるようにして形成したものである。
せるように構成した例であり、グレーティング１１の周
期長Ｔは、レーザ光２の入力側の端面４の方では広く、
レーザ光２が抜け出る側の端面に近付くに従って、周期
長がＴ１・Ｔ２〜Ｔｎのように順次に小さくなるよう
に、また、溝の幅もＴＧ１・ＴＧ２〜ＴＧｎのように順
次に小さくなるようにして形成したものである。
【００３５】具体的には、周期長ＴをＴ１＝１４０μｍ
からＴｎ＝８０μｍに徐々に変化させることにより、グ
レーティング１１の中央付近では、出射方向１０の角度
φをφ＝９０°にして、その両脇では、中央側に傾くよ
うな出射方向１０′・１０″になるようにしたものであ
る。
からＴｎ＝８０μｍに徐々に変化させることにより、グ
レーティング１１の中央付近では、出射方向１０の角度
φをφ＝９０°にして、その両脇では、中央側に傾くよ
うな出射方向１０′・１０″になるようにしたものであ
る。
【００３６】また、周期長ＴをＴ１＝８０μｍからＴｎ
＝１４０μｍにするように逆方向に徐々に変化させれ
ば、グレーティング１１の中央付近では、φ＝９０°に
して、その両脇では、両外側に向けて傾くような出射方
向に向けられ、出射が拡散させられることになるもので
ある。
＝１４０μｍにするように逆方向に徐々に変化させれ
ば、グレーティング１１の中央付近では、φ＝９０°に
して、その両脇では、両外側に向けて傾くような出射方
向に向けられ、出射が拡散させられることになるもので
ある。
【００３７】〔第３実施例〕次に、第３実施例を図５に
より説明する。この第３実施例は、グレーティング１１
に角度βの傾斜をもたせることにより、サブミリ波６を
グレーティング１１によってブラッグ反射させ、不要な
散乱を少なくして、高効率なサブミリ波６の出射を行い
得るようにしたものである。
より説明する。この第３実施例は、グレーティング１１
に角度βの傾斜をもたせることにより、サブミリ波６を
グレーティング１１によってブラッグ反射させ、不要な
散乱を少なくして、高効率なサブミリ波６の出射を行い
得るようにしたものである。
【００３８】具体的には、グレーティング１１の溝の部
分の方向と、非線形光学結晶３の側面８との間の角度β
を（９０°−θ）の１／２に設定することにより、側面
８に対して垂直方向な出射方向１０、つまり、φ＝９０
°の方向に効率良くサブミリ波６を出射させることがで
きる。
分の方向と、非線形光学結晶３の側面８との間の角度β
を（９０°−θ）の１／２に設定することにより、側面
８に対して垂直方向な出射方向１０、つまり、φ＝９０
°の方向に効率良くサブミリ波６を出射させることがで
きる。
【００３９】つまり、非線形光学結晶３の内部でのサブ
ミリ波６の発生方向の角度θがθ＝６５°の場合には、
グレーティング１１の傾斜角度βは、β＝１２．５°に
することになる。しかしながら、サブミリ波６を出射方
向を側面８に対して垂直方向に出射させる必要がない場
合には、β＝１０〜２０°の範囲で任意に選択すること
ができる。
ミリ波６の発生方向の角度θがθ＝６５°の場合には、
グレーティング１１の傾斜角度βは、β＝１２．５°に
することになる。しかしながら、サブミリ波６を出射方
向を側面８に対して垂直方向に出射させる必要がない場
合には、β＝１０〜２０°の範囲で任意に選択すること
ができる。
【００４０】〔第４実施例〕次に、第４実施例を図６に
より説明する。この第４実施例は、第１実施例の構成に
おける非線形光学結晶３の材質を、レーザ活性をもつ材
質にするとともに、光源１２からの励起光１３によっ
て、非線形光学結晶３の中のレーザ活性イオンを励起し
てレーザ発振を行わせ、レーザ活性と共振用のミラー１
６・１７間の経路で定まるレーザ光２を発生させ、この
レーザ光２によって、上記の第１実施例と同様のサブミ
リ波６を発生するとともに、グレーティング１１を介し
て高能率のサブミリ波６の出射を行い得るようにしたも
のである。
より説明する。この第４実施例は、第１実施例の構成に
おける非線形光学結晶３の材質を、レーザ活性をもつ材
質にするとともに、光源１２からの励起光１３によっ
て、非線形光学結晶３の中のレーザ活性イオンを励起し
てレーザ発振を行わせ、レーザ活性と共振用のミラー１
６・１７間の経路で定まるレーザ光２を発生させ、この
レーザ光２によって、上記の第１実施例と同様のサブミ
リ波６を発生するとともに、グレーティング１１を介し
て高能率のサブミリ波６の出射を行い得るようにしたも
のである。
【００４１】具体的には、非線形光学結晶３の材質を、
例えば、Ｎｄ（ネオジウム）をドープしたＬｉＮｂＯ３
（ニオブ酸リチウム）、つまり、ＮｄドープＬｉＮｂＯ
３にして構成し、例えば、励起光１３を波長８１３ｎｍ
の光にして、波長１０８４ｎｍのレーザ光２をミラー１
６・１７で共振させて発振し、このレーザ光２によって
ストーク光５を発生させるようにしたものであり、上記
の第１実施例の構成の場合に比べて、約１００倍程度の
サブミリ波６を発生することができる。
例えば、Ｎｄ（ネオジウム）をドープしたＬｉＮｂＯ３
（ニオブ酸リチウム）、つまり、ＮｄドープＬｉＮｂＯ
３にして構成し、例えば、励起光１３を波長８１３ｎｍ
の光にして、波長１０８４ｎｍのレーザ光２をミラー１
６・１７で共振させて発振し、このレーザ光２によって
ストーク光５を発生させるようにしたものであり、上記
の第１実施例の構成の場合に比べて、約１００倍程度の
サブミリ波６を発生することができる。
【００４２】なお、同様にして、上記の第２実施例・第
３実施例の構成における非線形光学結晶３の材質を、レ
ーザ活性をもつ材質にするとともに、光源１２からの励
起光１３によって、非線形光学結晶３の中のレーザ活性
イオンを励起してレーザ発振を行わせ、レーザ活性と共
振用のミラー１６・１７間の経路で定まるレーザ光２を
発生させ、このレーザ光２によって、上記の第２実施例
・第３実施例と同様のサブミリ波６を発生するととも
に、第２実施例・第３実施例におけるグレーティング１
１を介して高能率のサブミリ波６の出射を行うように構
成することもできるものである。また、ミラー１６は半
透過性ミラー、ミラー１７は全反射ミラーである。
３実施例の構成における非線形光学結晶３の材質を、レ
ーザ活性をもつ材質にするとともに、光源１２からの励
起光１３によって、非線形光学結晶３の中のレーザ活性
イオンを励起してレーザ発振を行わせ、レーザ活性と共
振用のミラー１６・１７間の経路で定まるレーザ光２を
発生させ、このレーザ光２によって、上記の第２実施例
・第３実施例と同様のサブミリ波６を発生するととも
に、第２実施例・第３実施例におけるグレーティング１
１を介して高能率のサブミリ波６の出射を行うように構
成することもできるものである。また、ミラー１６は半
透過性ミラー、ミラー１７は全反射ミラーである。
【００４３】〔第５実施例〕次に、第５実施例を図７に
より説明する。この第５実施例は、上記の第１実施例〜
第４実施例におけるグレーティング１１に代えて、サブ
ミリ波６に対して吸収係数αの小さい材質によるプリズ
ム１８を介して、サブミリ波６を空中へ出射させること
により高能率のサブミリ波６の出射を行い得るようにし
たものである。
より説明する。この第５実施例は、上記の第１実施例〜
第４実施例におけるグレーティング１１に代えて、サブ
ミリ波６に対して吸収係数αの小さい材質によるプリズ
ム１８を介して、サブミリ波６を空中へ出射させること
により高能率のサブミリ波６の出射を行い得るようにし
たものである。
【００４４】具体的には、ストークス光５のビームの中
心から非線形光学結晶３の側面８、つまり、プリズム１
８が接した面までの距離ｄ２を、レーザ光２の斜めの経
路においてプリズム１８に最も接近した箇所で、レーザ
光２のビームの外側がプリズム１８が接した面になる程
度に接近させた距離に選んで、例えば、距離ｄ２＝１ｍ
ｍ程度にするとともに、プリズム１８の材質を吸収係数
αの小さい材質、例えば、ＧａＡｓ（砒化ガリウム）に
して構成し、さらに、プリズム１８の出射面に設けた反
射防止膜１９の材質を、プリズム１８の材質の屈折率値
のほぼ平方根の値をもつ材質、例えば、ＳｉＯ２（二酸
化珪素）にして構成したものである。
心から非線形光学結晶３の側面８、つまり、プリズム１
８が接した面までの距離ｄ２を、レーザ光２の斜めの経
路においてプリズム１８に最も接近した箇所で、レーザ
光２のビームの外側がプリズム１８が接した面になる程
度に接近させた距離に選んで、例えば、距離ｄ２＝１ｍ
ｍ程度にするとともに、プリズム１８の材質を吸収係数
αの小さい材質、例えば、ＧａＡｓ（砒化ガリウム）に
して構成し、さらに、プリズム１８の出射面に設けた反
射防止膜１９の材質を、プリズム１８の材質の屈折率値
のほぼ平方根の値をもつ材質、例えば、ＳｉＯ２（二酸
化珪素）にして構成したものである。
【００４５】つまり、ＬｉＮｂＯ３結晶は吸収係数α＝
２０ｃｍ-1であるのに対して、ＧａＡｓ結晶は吸収係数
α＝０．８ｃｍ-1なので、距離ｄ２の間におけるサブミ
リ波６の吸収損失と小さくなり、また、サブミリ波帯に
おけるＧａＡｓの屈折率値はｎ＝３．６であって、その
まま空中に出射したので反射損失が３２％にもなるが、
反射防止膜１９を、ＧａＡｓの屈折率ｎ＝３．６のほぼ
平方根の値の屈折率ｎ＝１．９をもつＳｉＯ２にしてい
るため、プリズム１８の出射面における反射損失も低減
されるので、７６％以上の高率でサブミリ波６を空中に
出射することができる。
２０ｃｍ-1であるのに対して、ＧａＡｓ結晶は吸収係数
α＝０．８ｃｍ-1なので、距離ｄ２の間におけるサブミ
リ波６の吸収損失と小さくなり、また、サブミリ波帯に
おけるＧａＡｓの屈折率値はｎ＝３．６であって、その
まま空中に出射したので反射損失が３２％にもなるが、
反射防止膜１９を、ＧａＡｓの屈折率ｎ＝３．６のほぼ
平方根の値の屈折率ｎ＝１．９をもつＳｉＯ２にしてい
るため、プリズム１８の出射面における反射損失も低減
されるので、７６％以上の高率でサブミリ波６を空中に
出射することができる。
【００４６】〔変形実施例〕この発明は次のように変形
して実施することを含むものである。
して実施することを含むものである。
【００４７】（１）非線形光学結晶３の材質を、ＬｉＴ
ａＯ３（タンタル酸リチウム）、ＭｇＯをドープしたＬ
ｉＮｂＯ３、つまり、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ３、Ｎｄ
をドープしたＬｉＴａＯ３、つまり、ＮｄドープＬｉＴ
ａＯ３、ＮｄをドープしたＬｉＮｂＯ３、つまり、Ｎｄ
ドープＬｉＮｂＯ３などのうちのいずれか１つの材質に
して構成する。ここで、ＭｇＯをドープした材質はレー
ザ損傷耐性の向上に有効であり、また、Ｎｄをドープし
た材質は、例えば、図６の第４実施例のようなレーザ発
振機能を有する非線形光学結晶３として構成する場合に
有効である。
ａＯ３（タンタル酸リチウム）、ＭｇＯをドープしたＬ
ｉＮｂＯ３、つまり、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ３、Ｎｄ
をドープしたＬｉＴａＯ３、つまり、ＮｄドープＬｉＴ
ａＯ３、ＮｄをドープしたＬｉＮｂＯ３、つまり、Ｎｄ
ドープＬｉＮｂＯ３などのうちのいずれか１つの材質に
して構成する。ここで、ＭｇＯをドープした材質はレー
ザ損傷耐性の向上に有効であり、また、Ｎｄをドープし
た材質は、例えば、図６の第４実施例のようなレーザ発
振機能を有する非線形光学結晶３として構成する場合に
有効である。
【００４８】（２）プリズム１８の材質を、ＺｎＳｅ
（セレン化亜鉛）、ＺｎＴｅ（テルル化亜鉛）、ＣｄＳ
ｅ（セレン化カドミウム）、ＣｄＴｅ（テルル化カドミ
ウム）などうちのいずれか１つの材質にして構成する。
（セレン化亜鉛）、ＺｎＴｅ（テルル化亜鉛）、ＣｄＳ
ｅ（セレン化カドミウム）、ＣｄＴｅ（テルル化カドミ
ウム）などうちのいずれか１つの材質にして構成する。
【００４９】（３）グレーティング１１の溝の深さＣ
を、サブミリ波６の波長または周期長Ｔに対応させて、
例えば、Ｃ＝４０〜１００μｍ程度のうちから適宜のも
のを選択して構成する。
を、サブミリ波６の波長または周期長Ｔに対応させて、
例えば、Ｃ＝４０〜１００μｍ程度のうちから適宜のも
のを選択して構成する。
【００５０】（４）グレーティング１１を図１の〔実験
構成〕のように、非線形光学結晶３の側面８の所要部分
にのみ設けて構成する。
構成〕のように、非線形光学結晶３の側面８の所要部分
にのみ設けて構成する。
【００５１】（５）非線形光学結晶３の長さＬをストー
クス光５が共振する長さにして形成するとともに、ミラ
ー７を非線形光学結晶３の端面に直接的に、例えば、コ
ーティングなどにより設けて構成する。
クス光５が共振する長さにして形成するとともに、ミラ
ー７を非線形光学結晶３の端面に直接的に、例えば、コ
ーティングなどにより設けて構成する。
【００５２】（６）グレーティング１１を、三角形の山
形、または、頭の丸い三角形の山形の連続形のような他
の形状に変更して構成する。
形、または、頭の丸い三角形の山形の連続形のような他
の形状に変更して構成する。
【００５３】（７）図２の第２実施例のグレーティング
１１を図５の第３実施例のグレーティング１１のように
傾斜させて構成する。
１１を図５の第３実施例のグレーティング１１のように
傾斜させて構成する。
【００５４】
【発明の効果】この発明によれば、以上のように、非線
形光学結晶の側面にストークス光の経路に近接して設け
たグレーティングを介して、または、非線形光学結晶の
ストークス光の経路に近接した側面に設けたプリズムを
介して、サブミリ波を空中に出射しているため、非線形
光学結晶内でのサブミリ波の吸収損失が少なく高能率の
出射を行えるサブミリ波発生装置を提供することができ
る。
形光学結晶の側面にストークス光の経路に近接して設け
たグレーティングを介して、または、非線形光学結晶の
ストークス光の経路に近接した側面に設けたプリズムを
介して、サブミリ波を空中に出射しているため、非線形
光学結晶内でのサブミリ波の吸収損失が少なく高能率の
出射を行えるサブミリ波発生装置を提供することができ
る。
【００５５】また、グレーティングの間隔を徐々に変化
させ、または、グレーティングを傾斜させる構成によっ
て、サブミリ波の出射方向を適宜に変化させているた
め、目的に応じた方向にサブミリ波を集中させ、また
は、拡散させて出射し得るサブミリ波発生装置を提供す
ることができ、通信分野やセンシング分野での広範囲な
応用が可能である。
させ、または、グレーティングを傾斜させる構成によっ
て、サブミリ波の出射方向を適宜に変化させているた
め、目的に応じた方向にサブミリ波を集中させ、また
は、拡散させて出射し得るサブミリ波発生装置を提供す
ることができ、通信分野やセンシング分野での広範囲な
応用が可能である。
図面中、図１〜図７はこの発明の実施例を、また、図８
・図９は従来技術を示し、各図の内容は次のとおりであ
る。
・図９は従来技術を示し、各図の内容は次のとおりであ
る。
【図１】全体構成の平面図・斜視図
【図２】動作特性線図
【図３】動作特性線図
【図４】全体構成の平面図
【図５】全体構成の平面図
【図６】全体構成の平面図
【図７】全体構成の平面図
【図８】全体構成の平面図・斜視図
【図９】要部構成ベクトル図
１ 励起レーザ
２ レーザ光
３ 非線形光学結晶
４ 端面
５ ストークス光
６ サブミリ波
７ ミラー
８ 側面
９ 端面
１０ 出射方向
１１ グレーティング
１２ 励起光源
１３ 励起光
１６ ミラー
１７ ミラー
１８ プリズム
１９ 反射防止膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ，1975年，Ｖｏｌ．26，Ｎ
ｏ．８，418−421
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/35
ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】 非線形光学結晶の中でレーザ光とストー
ク光とを交差させた交差領域における位相整合によりサ
ブミリ波を発生するサブミリ発生装置であって、前記非
線形光学結晶の前記サブミリ波を発生する側の側面にグ
レーティングを設けたことを特徴とするサブミリ波発生
装置。 - 【請求項２】 前記グレーティングの周期長を、不均一
な周期長によって構成した請求項１のサブミリ波発生装
置。 - 【請求項３】 前記グレーティングの溝方向を、前記非
線形光学結晶の側面に対して傾斜させて構成した請求項
１のサブミリ波発生装置。 - 【請求項４】 非線形光学結晶の中でレーザ光とストー
ク光とを交差させた交差領域における位相整合によりサ
ブミリ波を発生するサブミリ発生装置であって、前記非
線形光学結晶の前記サブミリ波を発生する側の側面にプ
リズムを設けたことを特徴とするサブミリ波発生装置。 - 【請求項５】 前記非線形光学結晶の材質を、ＬｉＮｂ
Ｏ３、ＬｉＴａＯ３、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ３、Ｎｄ
ドープＬｉＮｂＯ３、ＮｄドープＬｉＴａＯ３のうちの
いずれか１つを用いて構成した請求項１〜請求項４のう
ちのいずれか１項のサブミリ波発生装置。 - 【請求項６】 プリズムの材質を、ＧａＡｓ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅのうちのいずれか１
つを用いて構成した請求項４のサブミリ波発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32506795A JP3525273B2 (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | サブミリ波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32506795A JP3525273B2 (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | サブミリ波発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09146131A JPH09146131A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3525273B2 true JP3525273B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=18172787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32506795A Expired - Fee Related JP3525273B2 (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | サブミリ波発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3525273B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002072269A (ja) | 2000-08-30 | 2002-03-12 | Inst Of Physical & Chemical Res | テラヘルツ波発生方法及び装置 |
| JP4958349B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2012-06-20 | 独立行政法人理化学研究所 | リング型共振器とその高速同調方法 |
| JP4609993B2 (ja) | 2004-12-08 | 2011-01-12 | 独立行政法人理化学研究所 | テラヘルツ波発生方法及び装置 |
| JP5468195B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2014-04-09 | 独立行政法人理化学研究所 | 回折格子 |
| JP5072045B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2012-11-14 | 日本碍子株式会社 | 電磁波発振素子 |
| JP5721252B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2015-05-20 | 日本碍子株式会社 | 電磁波発振素子 |
| JP5724213B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2015-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 検出装置 |
| JP5363678B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2013-12-11 | 日本碍子株式会社 | 電磁波放射素子およびその製造方法 |
| JP2013130609A (ja) | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Ngk Insulators Ltd | 電磁波放射素子およびその製造方法 |
| JP6559000B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-08-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ |
| JP6506663B2 (ja) * | 2015-08-31 | 2019-04-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ |
| JP2017050308A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ |
-
1995
- 1995-11-20 JP JP32506795A patent/JP3525273B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９７５年，Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．８，４１８−４２１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09146131A (ja) | 1997-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5640405A (en) | Multi quasi phase matched interactions in a non-linear crystal | |
| JP2721436B2 (ja) | 第２高調波発生装置 | |
| US5390211A (en) | Optical parametric oscillator with unstable resonator | |
| US5047668A (en) | Optical walkoff compensation in critically phase-matched three-wave frequency conversion systems | |
| US7778291B2 (en) | Wavelength converting laser device | |
| JP3525273B2 (ja) | サブミリ波発生装置 | |
| JP2685969B2 (ja) | 第２高調波発生装置 | |
| EP0644636A2 (en) | Wavelength conversion device | |
| EP0874426A2 (en) | Laser apparatus and method for emission of laser beam using same | |
| JP4781648B2 (ja) | 光共振器 | |
| JP2824884B2 (ja) | 偏光制御素子および固体レーザー装置 | |
| US6751010B1 (en) | Low finesse, tri-etalon, optical parametric oscillator | |
| US6870862B2 (en) | Solid-state laser device | |
| JP4766775B2 (ja) | テラヘルツ光発生デバイス及びテラヘルツ光発生方法 | |
| JP3931235B2 (ja) | 往復逓倍光変調器 | |
| JP3415407B2 (ja) | 波長変換レーザー | |
| JPH06132595A (ja) | 第２次高調波光発生装置 | |
| JP3891977B2 (ja) | 光周波数コム発生器並びに光変調器 | |
| JP2643735B2 (ja) | 波長変換素子 | |
| JP2002287193A (ja) | 波長変換素子、波長変換装置およびレーザ装置 | |
| JPH01312529A (ja) | 非線形光学素子 | |
| JP3031740B2 (ja) | 高調波発生装置 | |
| JP3390493B2 (ja) | 安定化高調波発生装置 | |
| JP3526282B2 (ja) | 高調波出力安定化方法及びそれを利用する短波長レーザ光源 | |
| KR100360474B1 (ko) | 제2고조파발생장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040113 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040203 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |