CN110673245B - 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 - Google Patents
一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110673245B CN110673245B CN201910859698.5A CN201910859698A CN110673245B CN 110673245 B CN110673245 B CN 110673245B CN 201910859698 A CN201910859698 A CN 201910859698A CN 110673245 B CN110673245 B CN 110673245B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- groove
- etching
- substrate
- angle
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
本发明适用于光学全息成像技术领域,提供了一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板,其中,方法包括:对衬底进行直角刻蚀形成凹槽;对所述凹槽第一侧进行斜角刻蚀形成斜角;对所述凹槽第二侧进行倒斜角刻蚀形成倒斜角。本发明通过对所述光掩膜板进行多次偏离设置,对所述衬底分别进行直角刻蚀、斜角刻蚀及倒斜角刻蚀,可以得到具有斜齿图形的非对称凹槽的衬底,能够增强光学全息成像的效果,提高生产效率,降低生产成本。
Description
技术领域
本发明属于光学全息成像技术领域,尤其涉及一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板。
背景技术
光栅板是具有空间周期性结构的精密光学元件。能够自由着色、无嗅无味无毒,具有刚性、绝缘、印刷性好等优点。通过利用光的衍射原理对复色光进行分解,实现被拍物体在相位以及振幅上的转换,人类的大脑会通过双眼的视觉差将不同角度的几幅画面进行加工处理,形成由深度的图像。广泛地应用于宾馆、酒店、商场、体育馆、机场候机楼、候车亭等户内广告灯箱及婚纱影楼、人物写真、装饰画类。
在现有技术中,在集成电路芯片制造上,通过浸没式光刻机光刻,将光刻胶进行曝光处理后结合刻蚀处理需要去除的部分,能制造出对称的齿型栅板,例如直角型、倒斜角型或者斜角型,对称型的光栅板在进行光学全息成像时,所成的像会受到对称图形的限制。可见,在现有技术中,存在对称型的光栅板在进行光学全息成像时效果差的问题。因此,为增强全息图像显示效果,业界采用了一种斜齿型光栅板,但是这类光栅板在现有的制造方法上加工难度很大,成本高,无法量产。
发明内容
本发明实施例提供一种斜齿图形光栅板的制作方法,旨在解决斜齿型光栅板生产效率低下,成本高的问题。
本发明实施例是这样实现的,提供一种斜齿图形光栅板的制作方法,包括步骤:
对衬底进行直角刻蚀形成凹槽;
对所述凹槽第一侧进行斜角刻蚀形成斜角;
对所述凹槽第二侧进行倒斜角刻蚀形成倒斜角。
更进一步地,对所述凹槽第一侧进行斜角刻蚀形成斜角的步骤具体包括:
将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第一侧偏离设置;
对形成在所述衬底上的光刻胶进行光刻,并对中间层进行刻蚀,使所述凹槽的第一侧直角区域露出、第二侧直角区域保留光刻胶的覆盖;
对所述第一侧直角区域进行刻蚀形成所述斜角。
更进一步地,对所述凹槽第二侧进行倒斜角刻蚀形成倒斜角的步骤具体包括:
将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第二侧偏离设置;
对形成在所述衬底上的光刻胶进行光刻,并对中间层进行刻蚀,使所述凹槽的第二侧直角区域露出、第一侧斜角区域保留光刻胶的覆盖;
对所述第二侧直角区域进行刻蚀形成所述倒斜角。
更进一步地,对衬底进行直角刻蚀形成凹槽的步骤具体包括:
将所述光掩膜板设置在所述衬底正上方;
对形成在所述衬底上的光刻胶进行光刻,并对中间层进行刻蚀;
对所述衬底进行所述直角刻蚀形成凹槽。
更进一步地,向所述凹槽的第一侧偏离设置和向所述凹槽的第二侧偏离设置相对所述衬底位置的距离小于所述凹槽宽度的一半。
更进一步地,在将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第一侧偏离设置的步骤之前,还包括步骤:
除去形成在已直角刻蚀的衬底上的所述光刻胶及中间层;
对所述衬底旋涂光刻胶及中间层进行完整覆盖。
更进一步地,在将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第二侧偏离设置的步骤之前,还包括步骤:
除去形成在已刻蚀有斜角的衬底上的所述光刻胶及中间层;
对所述衬底旋涂光刻胶及中间层进行完整覆盖。
更进一步地,在对所述第二侧直角区域进行刻蚀形成所述倒斜角的步骤之后,还包括步骤:
除去形成在已刻蚀有倒斜角的衬底上的所述光刻胶及中间层,形成具有斜齿状的非对称凹槽的衬底。
本发明还提供一种光栅板,包括衬底、所述衬底上设置有斜齿状的非对称凹槽。
本发明还提供一种光栅板,包括任一具体实施例中所述的斜齿图形光栅板的制作方法。
本发明所达到的有益效果:本发明由于对所述衬底先进行直角刻蚀,得到具有凹槽的衬底,再对所述凹槽的第一侧进行所述斜角刻蚀、及第二侧进行所述倒斜角刻蚀,得到具有锯齿状的非对称凹槽的衬底。所以通过对所述衬底分别进行所述斜角刻蚀及所述倒斜角刻蚀,可以得到所述斜齿图形的非对称凹槽的衬底,增强了光学全息成像的效果,能够提高生产效率,低生产成本。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施例的流程图;
图2是图1中步骤102的一种具体实施例的流程图;
图3是图1中步骤103的一种具体实施例的流程图;
图4是图1中步骤101的一种具体实施例的流程图;
图5是本申请实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施例的流程图;
图6是本申请实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施例的流程图;
图7是本申请实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施例的流程图;
图8是本申请实施例提供的斜角刻蚀的具体实施例的结构示意图;
图9是本申请实施例提供的另一种斜角刻蚀具体实施例的结构示意图;
图10是本申请实施例提供的另一种斜角刻蚀具体实施例的结构示意图;
图11是本申请实施例提供的倒斜角刻蚀的具体实施例的结构示意图;
图12是本申请实施例提供的另一种倒斜角刻蚀具体实施例的结构示意图;
图13是本申请实施例提供的另一种倒斜角刻蚀具体实施例的结构示意图;
图14是本申请实施例提供的直角刻蚀的具体实施例的结构示意图;
图15是本申请实施例提供的另一种直角刻蚀具体实施例的结构示意图;
图16是本申请实施例提供的另一种直角刻蚀具体实施例的结构示意图。
其中,1、衬底,2、凹槽,3、光掩膜板,4、光刻胶,5、中间层,6、斜角,7、倒斜角。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
在现有技术中,在集成电路芯片制造上,通过浸没式光刻机光刻,将光刻胶进行曝光处理后结合刻蚀处理需要去除的部分,能制造出对称的齿型栅板,例如直角型、倒斜角型或者斜角型;而本发明申请通过光掩膜板的多次偏离设置,对凹槽分别进行直角刻蚀、斜角刻蚀及倒斜角刻蚀,可以得到斜齿图形的非对称凹槽的衬底,增强了光学全息成像的效果,能够提高生产效率,降低生产成本。
实施例一
如图1所示,示出了根据本申请的斜齿图形光栅板的制作方法的一个实施例的流程图。上述的斜齿图形光栅板的制作方法,包括步骤:
步骤101,对衬底1进行直角刻蚀形成凹槽2。
具体的,可以将光掩膜板3设置在衬底1的正上方,两边与衬底1对齐设置。光掩膜板3底部可以是呈周期凹槽2形状,凹槽2内可以通过光刻机让紫外光照射光掩膜板3,对衬底1上层的保护层进行除去,光刻机可以是浸没式光刻机,浸没式光刻机精度高。对衬底1表面进行直角刻蚀可以是通过干法刻蚀机进行,可以是通过等离子体与没有保护层保护的区域的表面进行物理或者化学反应进一步在衬底1表面形成凹槽2。衬底1的材料可以是硅(Si)、二氧化硅(SiO2)。凹槽2的形状可以是直角形状。其中,干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术,当气体以等离子体形式存在时,根据被刻蚀衬底材料,选择合适的气体,就可以更快地与衬底材料进行反应,实现刻蚀去除的目的。
步骤102,对凹槽2第一侧进行斜角刻蚀形成斜角6。
具体的,光掩膜板3可以是相对于凹槽2的位置向第一侧偏置设置,对垂直方向上的材料进行曝光,其中,第一侧可以是左侧也可以是右侧,根据需要进行设置,在本发明实施例中,指的是左侧。沉浸式光刻机让紫外线照射光掩膜板3,通过光掩膜板3的凹槽位对偏置的垂直方向的保护层进行除去,根据光掩膜板3偏置的第一侧,通过干法刻蚀机发出等离子体与没有保护层第一侧的衬底区域进行斜角刻蚀,形成斜角6,斜角刻蚀后的凹槽2开口处口径增大。这样,对光掩膜板3进行偏置,而不是重新选取,能够节约光掩膜板3的数量,从而降低成本。
步骤103,对凹槽2第二侧进行倒斜角刻蚀形成倒斜角7。
具体的,光掩膜板3可以是相对于凹槽2的位置向第二侧偏置,对垂直方向上的材料进行曝光,其中,第一侧可以是左侧也可以是右侧,根据需要进行设置。在本发明实施例中,指的是右侧。当沉浸式光刻机让紫外线照射光掩膜板3,通过光掩膜板3的凹槽位对偏置的垂直方向的凹槽2第二侧的保护层进行除去,通过干法刻蚀机发出等离子体对去除保护层的第二侧的衬底区域进行倒斜角刻蚀,形成倒斜角7,倒斜角刻蚀后的凹槽2底边向第二侧平行延伸,延伸后形成的倒斜边与斜角刻蚀形成的斜边可以是平行且等长的两条边。这样,有利于获取到刻有锯齿图形的非对称凹槽的衬底。
本发明由于对衬底1进行直角刻蚀,得到具有凹槽2的衬底1,再将光掩膜板3对应凹槽2的位置执行分别向第一侧和第二侧偏置,并根据每次偏置后的位置对应将垂直方向上置于底部的衬底1进行刻蚀,得到具有斜角6和倒斜角7的衬底。所以,对光掩膜板3进行偏置设置,对衬底1分别进行刻蚀,可以得到具有斜齿状的非对凹槽的衬底(光栅板),增强了光学全息成像的效果,能够提高生产效率、降低生产成本。
实施例二
如图2所示,为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图。结合附图8-10所示的具体实施例结构示意图,在实施例一的基础上,上述步骤102具体包括:
步骤201,将光掩膜板3对应凹槽2的位置向凹槽2的第一侧偏离设置;
步骤202,对形成在衬底1上的光刻胶4进行光刻,并对中间层5进行刻蚀,使凹槽2的第一侧直角区域露出、第二侧直角区域保留光刻胶4的覆盖;
步骤203,对第一侧直角区域进行刻蚀形成斜角6。
其中,上述第一侧刻蚀是左侧,光刻胶4以及中间层5形成衬底1的保护层,可以通过旋涂工艺将光刻胶4和中间层5旋涂在衬底1的上表面,衬底1、置于衬底1上的中间层5、以及置于中间层5上的光刻胶4三者构成膜层结构。光刻胶4可以是光敏材料,曝光后会被显影液洗掉;中间层5的材料可以是抗反射层、碳涂层或者硬掩膜层等,可以采用树脂、SiO2、SiN等材料,通过设置成不同的材料,与衬底1材料相比具有耐刻蚀能力上的区别,可将需要刻蚀的地方刻蚀出图形的同时,也不会影响其他材料,因此中间层5可以将上层光刻胶4形成的图形转移至衬底1。添加中间层5对于小尺寸的图形可以降低对沉底对曝光的反射,保证光刻工艺的分辨率。
更具体的,向第一侧偏置设置时,光掩膜板3上的图形在光刻时转移到光刻胶4上,当沉浸式光刻机将紫外光线照射到光掩膜板3上,透过光掩膜板3的凹槽部分的紫外线光将会对置于最上层的光刻胶4进行垂直方向上的曝光,曝光区的光刻胶4可以被后续的显影液洗掉,紧接着会对中间层5进行垂直方向上的干法刻蚀,光刻胶4上的图形会转移到中间层5,当中间层5打开后,凹槽2的第一侧的直角区域会暴露出来,等离子体进一步会对暴露出来的直角区域进行斜角刻蚀,最终形成具有斜角6的衬底,也即是衬底1在有光刻胶4保护的垂直方向的区域被保留下来,无光刻胶4保护的区域被刻蚀出斜角光栅图,并且在已经完成了直角刻蚀的部分,不会受到斜角刻蚀的影响。
这样,通过将光掩膜板3相对于凹槽2的位置向第一侧偏置,可以减少对光掩膜板3的饿使用数量,节约成本;对垂直方向上的光刻胶4及中间层5进行光刻之后,使得凹槽2第一侧的直角区域露出,并对第一侧的直角区域进行斜角刻蚀,有利于得到具有斜角状的凹槽的衬底。
实施例三
如图3所示,为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图,结合附图11-13所示的具体实施例结构示意图,在实施例一至二的基础上,上述步骤103具体包括:
步骤301,将光掩膜板3对应凹槽2的位置向凹槽2的第二侧偏离设置;
步骤302,对形成在衬底1上的光刻胶4进行光刻,并对中间层5进行刻蚀,使凹槽2的第二侧直角区域露出、第一侧斜角区域保留光刻胶4的覆盖;
步骤303,对第二侧直角区域进行刻蚀形成倒斜角7。
具体的,上述将光掩膜板3向第二侧偏置可以是对应凹槽2位置向右侧偏置,在凹槽2完成斜角刻蚀形成斜角6后,沉浸式光刻机将紫外光线再次照射到光掩膜板3上,透过光掩膜板3的凹槽部分的紫外光束将会对置于最上层的光刻胶4进行垂直方向上的曝光,曝光区的光刻胶4可以被后续的显影液洗掉,紧接着会对中间层5进行垂直方向上的干法刻蚀,光刻胶4上的图形会转移到中间层5,当中间层5打开后,凹槽2的第二侧直角区域会露出,等离子体对第二侧直角区域的部分进行倒斜角刻蚀,最终形成具有倒斜角7的衬底,中间层5图形将会转移倒斜角7的凹槽2上,也即是衬底1在有光刻胶4保护的垂直方向的区域被保留下来,无光刻胶4保护的区域被刻蚀出倒斜角光栅图形,并且在已经完成了直角刻蚀的部分,不会受到倒斜角刻蚀的影响。
这样,通过将光掩膜板3相对于凹槽2的位置向第二侧偏置,可以节约光掩膜板3的使用数量,节约成本;让凹槽2第二侧直角区域露出有利于进行倒斜角刻蚀,将中间层5的图形转移到倒斜角7处,最终得到具有锯齿状的非对称凹槽的衬底。
实施例四
如图4所示,为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图,结合附图14-16所示的具体实施例结构示意图,在实施例一的基础上,上述步骤101具体包括:
步骤401,将光掩膜板3设置在衬底1正上方;
步骤402,对形成在衬底1上的光刻胶4进行光刻,并对中间层5进行刻蚀;
步骤403,对衬底1进行直角刻蚀形成凹槽2。
其中,光刻胶4、中间层5与衬底1从上至下依次排列,可以等长不等厚。光刻胶4、中间层5以及衬底1采用的刻蚀工艺不一样,所以达到的效果也不一样,可以是选择不同的刻蚀气体使得刻蚀工艺有选择性的对某一个材料具有较强的刻蚀力,并且不影响对其他材料,例如:在对光刻胶4及中间层5进行刻蚀,但是不会影响对衬底1的刻蚀。
具体的,光掩膜板3对光刻胶4进行光刻,被光束照射到的垂直方向的曝光区域,材料的极性会发生改变,后续可以被显影液洗掉,没有曝光的区域会被保留下来,进一步通过干法刻蚀机对中间层5进行干法刻蚀,保留需要刻蚀的区域,刻蚀出图形。中间层5完成图形刻蚀之后,光束会垂直照射到衬底1,然后对衬底1上的曝光区进行直角刻蚀形成凹槽2,让中间层5已刻蚀的图形将会转移至凹槽2。
这样,通过先将光掩膜板3上的图形通过对光刻胶4进行光刻,进一步对中间层5进行刻蚀,最后对衬底1进行直角刻蚀,有利于将光掩膜板3上的图形转移光刻胶4上,然后光刻胶4再将图形转移到中间层5,中间层5再将图形转移至凹槽2上。
实施例五
本发明实施例还提供了另一种斜齿图形光栅板的制作方法,在实施例一至四的基础上,向凹槽2的第一侧偏离设置和向凹槽2的第二侧偏离设置相对衬底1位置的距离小于凹槽2宽度的一半。
具体的,光掩膜板3向第一侧偏离设置和向第二侧偏离设置的距离相对于凹槽2的位置可以是一致的,可以是凹槽2的一半宽度,当然,可以设置有容差范围,例如:偏差不超过凹槽2宽度的10%,凹槽2宽度为10mm,则左偏和右偏的距离为5mm±0.1mm。
这样,通过控制光掩膜板3的左偏以及右偏的距离,可以对精度更好的控制的同时,更有利于得到质量更好的锯齿状的非对称凹槽的衬底,能够提高在全息成像时的成像效果。
实施例六
如图5所示,为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图,在实施例一至二的基础上,在步骤201之前,还包括:
步骤501,除去形成在已直角刻蚀的衬底1上的光刻胶4及中间层5;
步骤502,对衬底1旋涂光刻胶4及中间层5进行完整覆盖。
具体的,在进行光掩膜板3向第一侧偏离设置对衬底1的凹槽2的第一侧直角区域进行斜角刻蚀之前,衬底1上的光刻胶4以及中间层5可以是重新通过旋涂工艺进行旋涂在衬底1凹槽2表面的。自旋涂之前,可以先使用光刻胶4剥离液去除在对衬底1进行直角刻蚀后残余的光刻胶4以及中间层5,剥离液可以是酸性或者碱性溶液。即对凹槽2第一侧直角区域进行斜角刻蚀与对衬底1进行直角刻蚀上层的光刻胶4及中间层5并非同一层。
这样,通过对光掩膜板3向凹槽2第一侧偏离设置对凹槽2的第一侧直角区域进行斜角刻蚀之前重新旋涂光刻胶4以及中间层5,形成新的搭配,有利于形成尺寸更小、效果更好的光栅图形。
实施例七
如图6所示,为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图,在实施例一至三的基础上,在步骤301之前,具体还包括:
步骤601,除去形成在已刻蚀有斜角6的衬底1上的光刻胶4及中间层5;
步骤602,对衬底1旋涂光刻胶4及中间层5进行完整覆盖。
具体的,在进行光掩膜板3向第二侧偏离设置对完成斜角刻蚀的凹槽2进行第二侧直角区域的倒斜角刻蚀之前,已完成斜角刻蚀的衬底1上的光刻胶4以及中间层5可以是重新通过旋涂工艺进行旋涂在衬底1表面的。自旋涂之前,可以先使用光刻胶4剥离液去除在对斜角刻蚀后在衬底1上留下的光刻胶4以及中间层5。及对凹槽2第二侧直角区域进行倒斜角刻蚀与对凹槽2第一侧直角区域进行斜角刻蚀的上层光刻胶4中间层5非同一层。
这样,通过向凹槽2第二侧偏离设置对凹槽2的第二侧直角区域进行倒斜角刻蚀之前重新旋涂光刻胶4以及中间层5,形成新的搭配,有利于形成尺寸更小、效果更好的光栅图形。
实施例八
如图7所示,为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图,在实施例一至四的基础上,在步骤303之后,具体还包括:
步骤701,除去形成在已刻蚀有倒斜角7的衬底上的光刻胶4及中间层5,形成具有斜齿状的非对称凹槽的衬底。
具体的,完成对衬底1的斜角6及倒斜角7刻蚀之后,通过光刻胶4剥离液将完成倒斜角刻蚀后残留的光刻胶4以及中间层5去除,得到一个完整的衬底,该衬底上具有斜齿状的非对称凹槽,该凹槽的两条斜边可以是星等且平行的,这样,有利于形成更好的成像效果。
实施例九
本发明还提供一种光栅板,包括衬底1、衬底1上设置有斜齿状的非对称凹槽。
具体的,衬底1的材料可以采用硅或者二氧化硅等,可以通过刻蚀法将光掩膜板3的图形刻蚀到衬底1上,上述图形可以是具有斜齿状的非对称凹槽,斜齿状的非对称凹槽可以有多个等间距的排列设置在衬底1上。
这样,将衬底1上设置为锯齿状的非对称凹槽,可以增强光学全息成像的成像效果。
实施例十
本发明还提供一种光栅板,包括实施例一至八任一斜齿图形光栅板的制作方法。
在该光栅板上能够实现上述实施例一至实施例八任一斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施方式,并且能达到相同的有益效果,为避免重复,在此不再赘述。
本发明由于首先通过浸没式光刻机将紫外光束照射在光掩膜板3上,对光刻胶4以及中间层5进行光刻机刻蚀后,光掩膜板3上的图形将会刻蚀到中间层5,再通过干法刻蚀对衬底1进行直角刻蚀,得到凹槽2,凹槽2上刻蚀有中间层5转移的图形,再将光掩膜板3对应凹槽2的位置分别向第一侧和第二侧进行偏置,节约光掩膜板3的数量,从而降低成本;偏置后分别进行斜角刻蚀及倒斜角刻蚀,将光掩膜板3上的图形刻蚀到衬底1的凹槽2上,并且在每次刻蚀前都会重新旋涂光刻胶4以及中间层5,最终会得到锯齿形状的非对称凹槽的光栅板。本发明实施例能够形成具有锯齿形状的非对称凹槽的光栅板,增强了光学全息成像效果的同时,还能够提高生产效率、降低生产成本。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、或者装置中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种斜齿图形光栅板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
利用光掩膜板和浸没式光刻机对衬底进行直角刻蚀形成凹槽;
对所述凹槽第一侧进行斜角刻蚀形成斜角;
对所述凹槽第二侧进行倒斜角刻蚀形成倒斜角;
对所述凹槽第一侧进行斜角刻蚀形成斜角的步骤具体包括:
将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第一侧偏离设置;
对形成在所述衬底上的光刻胶进行光刻,并对中间层进行刻蚀,使所述凹槽的第一侧直角区域露出、第二侧直角区域保留光刻胶的覆盖;
对所述第一侧直角区域进行刻蚀形成所述斜角;
对所述凹槽第二侧进行倒斜角刻蚀形成倒斜角的步骤具体包括:
将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第二侧偏离设置;
对形成在所述衬底上的光刻胶进行光刻,并对中间层进行刻蚀,使所述凹槽的第二侧直角区域露出、第一侧斜角区域保留光刻胶的覆盖;
对所述第二侧直角区域进行刻蚀形成所述倒斜角。
2.如权利要求1所述的斜齿图形光栅板的制作方法,其特征在于,对衬底进行直角刻蚀形成凹槽的步骤具体包括:
将所述光掩膜板设置在所述衬底正上方;
对形成在所述衬底上的光刻胶进行光刻,并对中间层进行刻蚀;
对所述衬底进行所述直角刻蚀形成凹槽。
3.如权利要求1所述的斜齿图形光栅板的制作方法,其特征在于,向所述凹槽的第一侧偏离设置和向所述凹槽的第二侧偏离设置相对所述衬底位置的距离小于所述凹槽宽度的一半。
4.如权利要求1所述的斜齿图形光栅板的制作方法,其特征在于,在将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第一侧偏离设置的步骤之前,还包括步骤:
除去形成在已直角刻蚀的衬底上的光刻胶及中间层;
对所述衬底旋涂光刻胶及中间层进行完整覆盖。
5.如权利要求1所述的斜齿图形光栅板的制作方法,其特征在于,在将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第二侧偏离设置的步骤之前,还包括步骤:
除去形成在已刻蚀有斜角的衬底上的所述光刻胶及中间层;
对所述衬底旋涂光刻胶及中间层进行完整覆盖。
6.如权利要求1所述的斜齿图形光栅板的制作方法,其特征在于,在对所述第二侧直角区域进行刻蚀形成所述倒斜角的步骤之后,还包括步骤:
除去形成在已刻蚀有倒斜角的衬底上的所述光刻胶及中间层,形成具有斜齿状的非对称凹槽的衬底。
7.一种光栅板,其特征在于,应用权利要求1-6任一所述的斜齿图形光栅板的制作方法制作而成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910859698.5A CN110673245B (zh) | 2019-09-11 | 2019-09-11 | 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910859698.5A CN110673245B (zh) | 2019-09-11 | 2019-09-11 | 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110673245A CN110673245A (zh) | 2020-01-10 |
CN110673245B true CN110673245B (zh) | 2022-03-22 |
Family
ID=69077756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910859698.5A Active CN110673245B (zh) | 2019-09-11 | 2019-09-11 | 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110673245B (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101041414A (zh) * | 2006-07-25 | 2007-09-26 | 南京大学 | 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法 |
CN102269833A (zh) * | 2010-05-13 | 2011-12-07 | 精工爱普生株式会社 | 光谱装置、检测装置以及光谱装置的制造方法 |
-
2019
- 2019-09-11 CN CN201910859698.5A patent/CN110673245B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101041414A (zh) * | 2006-07-25 | 2007-09-26 | 南京大学 | 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法 |
CN102269833A (zh) * | 2010-05-13 | 2011-12-07 | 精工爱普生株式会社 | 光谱装置、检测装置以及光谱装置的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110673245A (zh) | 2020-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101357442B1 (ko) | 패턴 형성 방법 | |
US8221943B2 (en) | Photomask with assist features | |
TWI625602B (zh) | 使用極紫外光微影技術之基板圖案化方法 | |
CN101542390A (zh) | 用以增大特征空间密度的两次形成图案的光刻技术 | |
US8445183B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and pattern formation method | |
JP4184918B2 (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
JP2010156943A (ja) | 背面位相格子マスク及びその製造方法 | |
US20140087291A1 (en) | Method for forming pattern and method for producing original lithography mask | |
JP2006504981A (ja) | 照射パターンツール、及び照射パターンツールの形成方法 | |
JP2008244478A (ja) | フォトマスク及びそれを用いるイメージセンサの製造方法 | |
JP2007311794A (ja) | 照射系およびフォトリソグラフィ装置 | |
CN110658574B (zh) | 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 | |
CN110673245B (zh) | 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 | |
JP4787866B2 (ja) | パターン化されたフォトレジスト層の形成方法 | |
CN110596802B (zh) | 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 | |
JP7023050B2 (ja) | テンプレートの製造方法及びテンプレート母材 | |
US8846273B2 (en) | Photomasks, methods of forming a photomask, and methods of photolithographically patterning a substrate | |
GB2286254A (en) | Phase shift mask and method for fabricating the same | |
CN110596803B (zh) | 一种并列式斜孔结构光栅板的制作方法及光栅板 | |
JPS60230650A (ja) | 微細パタ−ンの製作法 | |
CN110632690B (zh) | 一种交错式斜孔结构光栅板的制作方法及光栅板 | |
CN110658575B (zh) | 一种高深宽比结构斜齿光栅板的制作方法及光栅板 | |
JP2008064860A (ja) | カラーフィルターの描画方法及び描画装置 | |
CN114200796B (zh) | 对准标记及其形成方法 | |
JP2007200966A (ja) | 薄膜パターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |