TW201212355A - Secondary battery and method for forming electrode of secondary battery - Google Patents

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Description

201212355 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 技術領域關於二次電池及二次電池的電極的製造方法 【先前技術】 近年來，隨著人們對環境技術的意識的提高，對於其 環境負擔比傳統的發電方式小的發電裝置（例如，太陽光 發電）的硏發非常活躍。在對發電技術進行開發的同時進 行了蓄電裝置的硏發。 例如，作爲蓄電裝置的一個例子，可以舉出二次電池 的鋰離子電池。鋰離子電池具有高能量密度且適於小型化 ，因此已經廣泛普及。作爲鋰離子電池的電極材料，最好 利用可插入和脫離鋰的材料，例如，可以舉出黑鉛及矽等 。尤其是矽的理論電容比黑鉛大1 0倍左右，因此作爲鋰 的主體材料而被認爲更有前途。 然而，在利用含矽或矽化合物的電極的二次電池中作 爲電解質應用LiPF6、LiBF4S LiAsF6等時，存在有不能 獲得充分的充放電迴圈特性及存儲特性的問題。專利檔案 1公開了藉由將上述電解質中的至少一種的濃度設定爲低 於0.1 mo 1/cnT3而提供的具有充分的充放電迴圈特性及存 儲特性的二次電池。 專利檔案1曰本專利申請公開第2001-176545號公 報
S -5- 201212355 【發明內容】 本發明的一個方式的目的在於提供一種充放電迴圈特 性優異的二次電池。 尤其是’本發明的—個力式目的在於'提彳共—® &糸隹 持（不減少）電解質所含的LiPF6、[丨8174或LiAsF6等的 濃度的情況下實現充放電迴圈特性優異的二次電池。 此外，本發明的一個方式的目的在於利用簡單製程而 製造所述二次電池的電極。 本發明的一個方式是一種二次電池，該二次電池具有 包含矽或矽化合物的電極’該電極在金屬材料層上設置有 包含矽或矽化合物的層，在該金屬材料層與該包含矽或矽 化合物的層之間設置有所述金屬材料和所述矽的混合層， 所述金屬材料與氧的親和性比該金屬材料與該二次電池中 進行電荷授受的離子的親和性高，並且，所述金屬材料的 氧化物具有導電性。進行電荷授受的離子可以爲鹼金屬離 子或鹼土金屬離子。 在上述二次電池中，所述金屬材料的氧化物例如可以 爲氧化物半導體。作爲這樣的金屬材料，例如可以舉出鈦 。或者，也可以使用鎳、銅、銦、錫或銀等代替鈦。 另外’在將矽用作活性物質的情況下，例如，藉由等 離子體CVD法或濺射法等在集電體上形成矽膜，即可。 另外’最好設置與所述金屬材料層接觸且其導電性高 於所述金屬材料層的材料層。更佳的是，作爲該導電性高 -6- 201212355 的材料層’使用比所述金屬材料層的材料更廉 在所述金屬材料爲鈦時，作爲該導電性高的材 、鐵、鎳或不鏽鋼等。 另外’作爲所述金屬材料與所述矽的混合 以舉出所述金屬材料的矽化物層。 根據本發明的一個方式，可以維持（不減 的濃度’而獲得充放電迴圈特性優異的二次電 可以利用簡單製程而製造所述二次電池。 【實施方式】 下面將參照附圖詳細描述本發明的實施方 所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理 ，就是其方式和詳細內容可以被變換爲各種各 不侷限於以下說明。此外，本發明不應該被解 在以下所示的實施方式所記載的內容中。 在本實施方式中，參照附圖說明本發明的 二次電池。 圖1是示意性地表示本發明的一個方式的 電池的一個例子的透視圖。注意，不侷限於此 一個方式的二次電池可以是多角型。或者，本 方式的二次電池可以是硬幣型。 圖1所示的圓筒型二次電池包括由電池側 電池蓋1 02和電池底部1 06圍繞的封閉空間。 圖2表示圖1所示的圓筒型二次電池的在 價的材料。 料可舉出銅 層，例如可 少）電解質 池。此外， 式。但是， 解一個事實 樣的形式而 釋爲僅限定 —個方式的 圓筒型二次 ，本發明的 發明的一個 壁部1 04、 截面1 00處 201212355 的截面圖。 電池側壁部1 04和電池底部1 06由導電材料形成，並 且根據電池的使用環境選擇具有適當的機械強度和耐藥品 性的材料，即可。作爲電池側壁部1 04和電池底部1 〇6的 材料，例如可以舉出鋁合金。在由電池側壁部1 04、電池 底部106和電池蓋102圍繞的電池內部設置有封閉空間。 在該封閉空間中，例如設置有電極體1 1 0。在圖2中，作 爲電極體110的一個例子示出捲繞電極體，但是不侷限於 此。 電極體1 1 〇被在其上部（電池蓋1 02 —側）和下部（ 電池底部106 —側）設置的絕緣板1 12和絕緣板1 14夾持 ，並且，從絕緣板1 1 2及絕緣板1 1 4分別引出導線1 20和 導線128。從上部（電池蓋102 —側）的絕緣板1 12引出 來的導線120最好藉由電阻元件116電連接到電池蓋102 。作爲電阻元件1 1 6，最好使用隨著溫度升高其電阻增大 的熱感電阻元件。這是爲了防止由於過電流導致的異常發 熱。從下部（電池底部1 06 —側）的絕緣板1 1 4引出來的 導線1 28連接到電池底部1 06。另外，電池底部1 06和電 池側壁部104是電連接著的。 電池側壁部1 04、電池蓋1 02以及上部（電池蓋1 02 —側）的絕緣板1〗2最好隔著墊片1 1 8而設置。墊片1 1 8 最好具有絕緣性，但是不侷限於此，墊片1 1 8只要至少使 電池蓋1 02與電池側壁部1 04絕緣，即可。 另外，雖然未圖示，也可以採用在電池內部設置有安
-8 - 201212355 全閥的結構。在該結構中，在負極122與正極126(與負 極122相反的極性的電極）之間發生短路時，或者在電池 被加熱而電池內部的壓力增大時，電池蓋1〇2與電極體 110的電連接被切斷。 此外，也可以將中心銷插入電極體1 1 〇的中心，以固 定電極體1 1〇。 電極體1 10包括負極122、正極126和設置在其間的 隔離體124。電極體110所具有的負極122藉由導線128 電連接到電池底部1 06。電極體1 1 0所具有的正極126藉 由導線120電連接到電池蓋1〇2。 正極126包括正極集電體和設置在正極集電體的兩面 上的正極活性物質層。另外，也可以僅在正極集電體的一 個表面上設置正極活性物質層。該正極集電體的表面可以 由鈦等的金屬箔形成，或者，可以用鈦覆蓋其導電性高於 鈦的金屬箔而形成。或者，也可以使用鎳、銅、銦、錫或 銀代替鈦。 正極活性物質層包括能夠使電極反應物質的離子插入 和脫離的材料。作爲進行電荷授受的離子，可以使用鹼金 屬離子或鹼土金屬離子。作爲進行電荷授受的離子，最好 使用鋰離子。 作爲上述能夠使離子插入和脫離的材料，可以舉出矽 〇 在將砂用作正極活性物質時，可以形成較薄的正極活 性物質層’從而可以實現輕量化和小型化。例如，與將黑 -9 - 201212355 鉛用作正極活性物質的情況相比，其厚度可以減小到1 / 1 ο 左右。或者，即使不將正極化性物質層形成得薄，也可以 增大二次電池的容量。 或者，作爲正極集電體，可以在玻璃襯底或塑膠襯底 等的襯底上使用濺射法形成鈦膜等，並作爲正極活性物質 層，在該鈦膜等上利用等離子體CVD法形成矽膜。這裏 ，在形成矽膜時，最好使材料氣體中儘量不包含氫。 在此，參照圖3Α至3C說明在襯底上形成電極的方 法。 首先，在襯底130上形成集電體層132，並在集電體 層132上形成活性物質層134 (圖3Α)。例如，作爲襯 底130使用玻璃襯底，將該襯底130引入反應室中，利用 濺射法在襯底130上形成鈦層作爲集電體層132，並利用 等離子體CVD法在集電體層132上形成含磷的非晶矽層 作爲活性物質層1 3 4，即可。如上所說明，可以將活性物 質層134形成得薄，但是當形成的活性物質層過薄時，二 次電池的容量會下降。由此，將活性物質層134的厚度設 定爲50nm以上且10#m以下，最好爲lOOnm以上且5 V m以下。 另外，作爲襯底1 3 0例如最好使用其導電性比集電體 層132的材料更高的金屬襯底。 接著，藉由對襯底130進行加熱處理，在集電體層 1 3 2和活性物質層1 3 4之間形成集電體層1 3 2的材料和活 性物質層1 3 4的材料的混合層1 3 6 (圖3 B )。例如，作爲 •10- 201212355 混合層1 3 6形成鈦和矽的混合層’即可。另外’這裏的欽 和矽的混合層最好爲鈦矽化物層。這裏’將加熱處理的溫 度設定爲能夠形成混合層136的溫度即可’可以設定爲 50(TC以上，最好爲7〇〇°C。另外’該加熱處理在低於襯底 的應變點的溫度或不使襯底變形及變質的溫度下進行。或 者，也可以進行加熱處理的同時形成集電體層132。 另外，由於在集電體層132與活性物質層134之間具 有混合層1 3 6，可以緩和在集電體層1 3 2與活性物質層 1 3 4之間的電導率的變化，所以這是較佳的。 接著，使活性物質層1 3 4中或者活性物質層1 3 4和混 合層136的兩者中包含鋰，形成含鋰的層138(圖3C)。 這裏，使用摻雜法以使該層中包含鋰，即可。 另外’作爲活性物質層1 3 4形成的矽膜中最好包含磷 。藉由使砂膜中包含磷，可以防止發生在鈦膜與矽膜之間 的剝離。這裏’例如將磷化氫包含在材料氣體中，以使矽 膜中包含磷。 另外’對作爲活性物質層〗3 4形成的矽膜的結晶性沒 有特別的限制。該砂膜既可以爲非晶體，又可以具有結晶 性。作爲被形成作爲活性物質層i 3 4的矽膜，例如可以舉 出非晶矽膜、微晶矽膜或多晶矽膜。這裏，可以進行對矽 膜的晶化步驟。當對矽膜進行晶化步驟時，在充分地減少 矽膜中的氫濃度後，既可以對該矽膜進行加熱處理來進行 晶化，又可以對該矽膜照射雷射光束來進行晶化。 如上所述那樣形成的本實施方式的矽膜的氫濃度最好 -11 - 201212355 爲1.0父10(：1113以上且1.〇><1〇21(^-3以下。 至於隔離體124，由浸滲有液狀電解質的電解液的多 孔膜形成，即可。作爲該多孔膜的材料，可以使用合成樹 脂材料或陶瓷材料等。或者，作爲該多孔膜的材料，較佳 的是’可以舉出聚乙烯或聚丙稀等。 另外’作爲隔離體1 2 4，也可以使用紙張、不織布、 玻璃纖維或諸如尼龍（聚醯胺）、維尼綸（也稱爲維納綸 ’其是聚乙燃醇纖維）、聚酯、丙燃酸、聚稀烴、聚氨醋 之類的合成纖維等。但是，需要選擇在電解液中不溶解的 材料。 另外’作爲浸滲隔離體1 2 4的電解液，例如可以使用 在碳酸乙烯酯（EC: Ethylene Carbonate)和碳酸二乙酯 (DEC: Diethyl Carbonate)的混合液中含有六氟化磷酸 鋰（組成式：LiPFe)的材料。另外，作爲電解質，可以 使用氯化鋰（組成式：LiCl )、氟化鋰（組成式：LiF ) 、過氯酸鋰（組成式：LiC104)、氟硼酸鋰（組成式： LiBF4 )、雙（三氟甲基磺醯亞胺）鋰（組成式： LiN(S02CF3)2)、雙（五氟乙烷磺醯基亞胺）鋰（組成式 ：LiN(S02C2F5)2 )、三氟甲基磺酸鋰（組成式： LiCF3S03)等。另外，當使用鋰以外的鹼金屬離子時，可 以使用氯化鈉（組成式：NaCl )、氟化鈉（組成式：NaF )、過氯酸鈉（組成式：NaC104 )、氟硼化鈉（組成式： NaBF4 )、氯化鉀（組成式：KC1 )、氟化鉀（組成式： KF )、過氯酸鉀（組成式：KC104 )、氟硼化鉀（組成式 201212355 :KB F4)等，可以單獨將上述物質中的一種溶於溶劑中 而使用，或將兩種以上組合並溶於溶劑中而使用。 另外，至於溶劑，除了上述碳酸乙烯酯和碳酸二乙酯 之外，可以舉出碳酸丙烯酯、碳酸丁烯酯以及碳酸亞乙烯 酯等環狀碳酸酯類；碳酸二甲酯、碳酸甲乙酯、碳酸甲丙 酯、甲基異丁基甲醇以及碳酸二丙酯等非環狀碳酸酯類； 甲酸甲酯、醋酸甲酯、丙酸甲酯以及丙酸乙酯等脂肪族羧 酸酯類；r-丁內酯等r-內酯類；ι，2 -二甲氧基乙烷、 I,2-二乙氧基乙烷以及乙氧基甲氧基乙烷等非環狀醚類； 四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、1,3-二氧戊環等環狀醚類； 磷酸三甲基、磷酸三乙基以及磷酸三辛酯等烷基磷酸酯； 以及二甲亞颯等，可以混合上述物質中的一種或兩種以上 而使用。或者，上述物質中的氫可以被氟取代。 在本發明的一個方式中，可以在維持（不減少）包含 在電解液中的電解質的濃度的情況..下提高二次電池的充放 電迴圈特性。 在此’當相對電極的材料爲鋰時，上述電極成爲正極 。相反地’當相對電極由氧化還原電位高於矽的金屬材料 形成時’上述電極成爲負極。另外，最好與正極同樣地用 集電體和活性物質構成負極。或者，在集電體上形成用作 活性物質的含鋰金屬的複合氧化物層，即可。另外，也可 以使用其他鹼金屬代替鋰。 下面’對上述電極成爲負極時的正極的例子進行說明 -13- 201212355 作爲正極活性物質’例如可以使用包含成爲載子的離 子及過渡金屬的材料。作爲包含成爲載子的離子及過渡金 屬的材料’例如可以舉出通式AxMyP〇z (x>〇、y>〇、z>〇 )所示的材料。在此，A例如爲如鋰、鈉、鉀等的鹼金屬 2如鈹鎂、銘、緦、鋇等的鹼土金屬。Μ例如爲如鐵、 錬、猛、鈷等的過渡金屬。作爲通式AxMyP〇z ( χ>〇、 y>0、ζ>〇 )所示的材料，例如可以舉出磷酸鐵鋰、磷酸鐵 鈉等。作爲由A表示的材料及由μ表示的材料，可以選 擇上述材料中的一種或多種。 此外’作爲正極活性物質，可以使用通式AxMy〇z ( x>0、y>0、z>〇 )所示的材料。在此，A例如爲如鋰、鈉 、鉀等的鹼金屬或如鈹、鎂、鈣、緦、鋇等的鹼土金屬。 Μ例如爲如鐵、鎳、錳、鈷等的過渡金屬。作爲通式 AxMyOz ( x>〇、y>0、ζ>0 )所示的材料，例如可以舉出鈷 酸鋰 '錳酸鋰或鎳酸鋰等。作爲由Α表示的材料及由Μ 表示的材料’可以選擇上述材料中的—種或多種。 正極活性物質層既可以藉由將正極活性物質混合在導 電助劑或黏合劑中使其膠狀化，並將其塗敷在正極集電體 上而形成，又可以藉由濺射法等而形成。另外，作爲正極 集電體的材料，可以舉出鈦等。 如上所說明’可以製造本發明的一個方式的二次電池 。本實施方式的二次電池可以在維持（不減少）電解質的 濃度的情況下實現良好的充放電迴圏特性。此外，可以利 用簡單製程而製造二次電池。 -14 - 201212355 實施例1 在本實施例中，對製造本發明的一個方式的二次電池 並檢驗該二次電池的特性的結果進行說明。在本實施例中 ，首先作爲正極形成樣品1和樣品2。 作爲正極集電體，使用高純度鈦箔。 作爲正極活性物質，使用矽。作爲樣品1和樣品2的 正極活性物質’使用非晶矽。該非晶矽藉由等離子體 CVD法而在鈦集電體上形成。這裏，在利用等離子體 CVD法形成非晶矽膜時，將矽烷的流量設定爲6〇sccm， 將5vol%磷化氫（氫稀釋）的流量設定爲20sccm，將材料 氣體引入反應室內並使其穩定，並且在處理室內的壓力爲 133Pa'襯底溫度爲280°C、RF電源頻率爲6 0MHz、RF電 源的脈衝頻率爲2 0 k Η z、脈衝的占空比爲7 0 %、R F電源 的功率爲100W的條件下進行等離子體放電。鈦集電體的 厚度爲1 0 0 A m，樣品1和樣品2的正極活性物質層的厚 度爲3 μ m。 然後，僅對樣品1進行70(TC的加熱處理。該加熱處 理在Ar氣圍中進行6小時。 像這樣，在正極集電體上形成正極活性物質層。藉由 使用這樣形成的正極，製造硬幣型的二次電池。這裏，參 照圖1 〇簡單說明硬幣型的二次電池的製造方法。正極活 性物質層的厚度爲3^m。 至於硬幣型的鋰離子二次電池單元的結構要素的正@ -15- 201212355 204、負極232、環狀絕緣體220以及隔離體210，使用市 場上出售的產品。在正極204中，在集電體200上設置有 正極活性物質層202。在負極23 2中，由鋰箔形成負極活 性物質層230。作爲隔離體210，使用聚丙烯。並且，將 上述正極2 04、負極232及隔離體210浸在電解液中。至 於將正極204及負極23 2電連接到外部的框體206及框體 244，也使用在市場上出售的產品。明確而言，框體206 及框體244由不鏽鋼（SUS)形成。此外，準備由不鏽鋼 (SUS )形成的間隔物240及墊圈242。這些構件也使用 在市場上出售的產品。 將浸在電解液中的正極204、負極232以及隔離體 210配置爲圖10所示的狀態，即將框體206設置在下方 ，以墊圈242、間隔物240、負極232、環狀絕緣體220、 隔離體21 0、正極204、框體244的順序層疊’並利用“硬 幣單元嵌縫機（coin-cell caulking machine) ”嵌縫框體 206和框體244，來形成硬幣型鋰離子二次電池單元。 作爲電解液，使用將L i P F 6溶解在E C和D E C的混合 溶劑中的電解液》 這裏，用圖4表示對樣品1和樣品2重複進行充放電 的結果。充放電特性是用充放電測量儀而測量的。在該充 放電的測量中，採用恆電流方式’以0 · 2 C左右的速率用 2.0mA的電流進行充放電，並將上限電壓設定爲1 .0V， 將下限電壓設定爲0 . 〇 3 V。另外’所有測量在室溫下進行 -16- 201212355 根據對圖4的樣品1和樣品2的比較， 品2的充放電迴圏特性相比，樣品1的充放 退化程度小。像這樣，可以知道在本發明的 由在用作正極活性物質的矽膜的形成後進行 以減輕退化程度。 接著，利用SIMS測量樣品1和樣品2 、氧、氫、碳、氮及氟的濃度。圖5至圖8 圖5表示樣品1的鈦和矽的SIMS資料 品1的氧、氫、碳、氮和氟的SIMS數據。 知道，在應用本發明的一個方式的電極的製 的以鈦爲主要成分的層與以矽爲主要成分的 和矽的混合層，並且在混合層中的鈦濃度爲 以上且6.0x1 021 cm·3以下。圖9A表示樣品 像。根據圖9A，可以知道矽層（Si層）的 。另外，根據EDX分析結果以及圖9A的分 確認在圖9A的以鈦爲主要成分的層中存在 根據圖5可以知道鈦擴散到以矽爲主要成分 ，所存在的白色區域是空心洞。 圖7表示樣品2的鈦和矽的SIM S資料 品2的氧、氫、碳、氮和氟的SIMS數據。 以知道不存在有鈦和矽的混合層，並且沒有 主要成分的層中的鈦擴散。圖9B表示樣品 像。在圖9B中，砂層未被晶化，並且在鈦 沒有觀察到鈦和矽的混合層。 可以知道與樣 電迴圈特性的 一個方式中藉 加熱處理，可 ，獲得鈦、矽 表示其結果。 。圖6表示樣 根據圖5可以 造方法而製造 層之間具有鈦 3.0xl〇2lcm'3 1的STEM圖 大部分被晶化 析結果，可以 有矽。此外， 的層中。此外 。圖8表示樣 根據圖7，可 發生向以矽爲 2的STEM圖 層與砂層之間 -17- 201212355 並且，在圖8(樣品2)中，以矽爲主要成分的層中 的氧濃度爲1.3xl0l8cnT3以上且1.0xl02°cnT3以下。另一 方面，在圖6(樣品1)中，以矽爲主要成分的層中的氧 濃度爲4.5xl021cnT3以上且2.7xl 02 2 cm_3以下，可以知道 樣品2的以矽爲主要成分的層中的氧較少。這是因爲如下 緣故：由於在以矽爲主要成分的層與以鈦爲主要成分的層 接觸而設置的狀態下對樣品1進行熱處理，鈦擴散到以矽 爲主要成分的層中，樣品1的矽表面被氧化而在其一部分 形成了氧化矽，但是鈦還原了氧化矽，並且在以矽爲主要 成分的層中捕獲氧。在存在有氧化砂時，鋰被氧化而產生 氧化鋰。這樣的鋰被氧化而產生氧化鋰的反應是不可逆反 應，發生充放電迴圈特性的退化。在樣品1中，鈦擴散到 以矽爲主要成分的層中，由此可以抑制充放電迴圈特性的 退化。另一方面，可以認爲，在樣品2中，由於所摻雜的 鋰在充放電時與氧結合而產生氧化鋰，所以傳送電荷的離 子數量減小，因此充放電迴圏特性退化》 【圖式簡單說明】 在附圖中： 圖1是表示本發明的一個方式的圓筒型二次電池的一 個例子的透視圖； 圖2是圖1所示的圓筒型二次電池的在截面1〇〇處的 截面圖； 圖3A至3C是說明電極的製造方法的一個例子的圖 -18- 201212355 圖4是比較充放電迴圈特性的第一圖； 圖5是表示SIMS資料的第一圖； 圖6是表示SIMS資料的第二圖； 圖7是表示SIMS資料的第三圖； 圖8是表示SIMS資料的第四圖； 圖9A和9B是以鈦爲主要成分的層和以矽爲主要成 分的層的STEM圖像； 圖10是表示本發明的一個方式的硬幣刑— 史书』一次電池的 製造方法的一個例子的圖。 【主要元件符號說明】 100 :截面 102 :電池蓋 104 :電池側壁部 106 :電池底部 110 :電極體 112 :絕緣板 114 :絕緣板 1 1 6 _·電阻元件 1 18 :墊片 120 :導線 122 :負極 124 :隔離體 -19- 201212355 1 26 :正極 1 2 8 :導線 1 3 0 :襯底 132 :集電體層 1 3 4 :活性物質層 1 3 6 :混合層 1 3 8 :含鋰的層 200 :集電體 202 :正極活性物質層 204 :正極 2 0 6 :框體 2 1 0 :隔離體 220 :環狀絕緣體 2 3 0 :負極活性物質層 232 :負極 2 4 0 :間隔物 242 :墊圈 2 4 4 :框體

Claims (1)

  1. 201212355 七、申請專利範圍： 1. 一種二次電池，包括： 電極，該電極包括： 包含金屬材料的第一層； 在該第一層上的包含矽或矽化合物的第二層， 其中’包含該金屬材料和矽的混合層設置在該第一層 與該第二層之間， 並且，該混合層中的矽源自該第二層中的矽或矽化合 物。 2-根據申請專利範圍第1項之二次電池，其中該金 屬材料的氧化物具有導電性。 3 .根據申請專利範圍第2項之二次電池，其中該金 _材料的氧化物是半導體》 4.根據申請專利範圍第1項之二次電池，其中該金 屬材料選自鈦、鎳、銅、銦、錫和銀。 5 -根據申請專利範圍第1項之二次電池，其中該混 #層是該金屬材料的矽化物的層。 6·根據申請專利範圍第1項之二次電池，其中該第 —層設置在襯底上。 1 根據申請專利範圍第6項之二次電池，其中該襯 底的導電性高於該金屬材料的導電性。 8 ·根據申請專利範圍第6項之二次電池，其中該襯 底的材料選自銅、鐵、鎳和不鏽鋼。 9. 一種二次電池，包括： -21 - 201212355 電極，該電極包括： 包含金屬材料的第一層； 在該第一層上的包含矽或矽化合物的第二層， 其中’包含該金屬材料和矽的混合層設置在該第一層 與該第二層之間， 並且’該混合層中的矽源自該第二層中的矽或矽化合 物， 並且’該金屬材料的氧親和性高於離子的氧親和性， 該離子在該二次電池中進行電荷授受。 10. 根據申請專利範圍第9項之二次電池，其中該金 屬材料的氧化物具有導電性》 11. 根據申請專利範圍第10項之二次電池，其中該 金屬材料的氧化物是半導體。 12. 根據申請專利範圍第9項之二次電池，其中該金 屬材料選自鈦、鎳、銅、銦、錫和銀。 1 3.根據申請專利範圍第9項之二次電池，其中該混 合層是該金屬材料的矽化物的層。 14.根據申請專利範圍第9項之二次電池’其中該離 子是鹼金屬離子或鹼土金屬離子。 1 5 .根據申請專利範圍第9項之二次電池’其中該離 子是鋰離子》 16.根據申請專利範圍第9項之二次電池’其中該第 一層設置在襯底上。 1 7 .根據申請專利範園第1 6項之二次電池’其中該 -22- 201212355 襯底的導電性高於該金屬材料的導電性。 1 8 ·根據申請專利範圍第1 6項之二次電池，其中該 襯底的材料選自銅、鐵、鎳和不鏽鋼。 19. 一種二次電池的電極的製造方法，包括如下步驟 形成包含金屬材料的第一層； 藉由等離子體CVD法在該第一層上形成包含砂或砂 化合物的第二層； 藉由加熱處理在該第一層與該第二層之間形成包含該 金屬材料和矽的混合層， 其中，該混合層中的矽源自該第二層中的矽或矽化合 物。 2〇 ·根據申請專利範圍第1 9項之二次電池的電極的 製造方法，其中該金屬材料的氧化物具有導電性。 21 ·根據申請專利範圍第20項之二次電池的電極的 製造方法，其中該金屬材料的氧化物是半導體。 22 ·根據申請專利範圍第1 9項之二次電池的電極的 製造方法，其中該金屬材料選自鈦、鎳 '銅、銦、錫和銀 〇 23 ·根據申請專利範圍第1 9項之二次電池的電極的 製造方法，其中該混合層是該金屬材料的矽化物的層》 24·根據申請專利範圍第1 9項之二次電池的電極的 製造方法，其中該金屬材料的氧親和性高於離子的氧親和 性’該離子在該二次電池中進行電荷授受。 -23- 201212355 25·根據申請專利範圍第24項之二次電池的電極的 製造方法’其中該離子是鹼金屬離子或鹼土金屬離子。 26·根據申請專利範圍第24項之二次電池的電極的 製造方法’其中該離子是鋰離子。 27·根據申請專利範圍第19項之二次電池的電極的 製造方法’其中該第一層設置在襯底上。 2 8 .根據申請專利範圍第2 7項之二次電池的電極的 製^力法’其中該襯底的導電性高於該金屬材料的導電性 〇 2 9 .根據申請專利範圍第2 7項之二次電池的電極的 製造方法’其中該襯底的材料選自銅、鐵、鎳和不鏽鋼。 30· 一種二次電池的電極的製造方法，包括如下步驟 形成包含金屬材料的第一層； 藉由等離子體CVD法在該第一層上形成包含矽或矽 化合物的第二層； 進行加熱處理以使該第--層的一部分與該第二層的一 部分起反應，而在該第一層與該第二層之間形成該金屬材 料的矽化物的層。 3 1 .根據申請專利範画第3 0項之二次電池的電極的 製造方法，其中該金屬材料的氧化物具有導電性。 3 2 .根據申請專利範圍第3 1項之二次電池的電極的 製造方法，其中該金屬材料的氧化物是半導體。 3 3 ·根據申請專利範圍第3 0項之二次電池的電極的 -24- 201212355 製造方法，其中該金屬材料選自鈦、鎳、銅、銦、錫和銀 〇 3 4 ·根據申請專利範圍第3 〇項之二次電池的電極的 製造方法，其中該金屬材料的氧親和性高於離子的氧親和 性’該離子在該二次電池中進行電荷授受。 3 5 ·根據申請專利範圍第3 4項之二次電池的電極的 製造方法，其中該離子是鹼金屬離子或鹼土金屬離子。 3 6 ·根據申請專利範圍第3 〇項之二次電池的電極的 製造方法’其中該離子是鋰離子。 3 7 .根據申請專利範圍第3 〇項之二次電池的電極的 製造方法，其中該第一層設置在襯底上。 38·根據申請專利範圍第37項之二次電池的電極的 製造方法’其中該襯底的導電性高於該金屬材料的導電性 〇 39.根據申請專利範圍第37項之二次電池的電極的 製造方法，其中該襯底的材料選自銅、鐵、鎳和不鏽鋼。 -25-
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