201209847 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致上意指由透射型X射線管產生X射線的 改良方式，並顯著地減少不想要之低能量X射線，同時成 比例地增強來自該標靶之較高能量特徵線放射。其明確地 是有關使用大於大約5〇微米之厚的透射型標靶。本發明 包含本發明在各種醫療及牙科成像、螢光鏡透視檢査、及 非破壞性測試應用之各種應用。 【先前技術】 全部以引用的方式倂入本文中而源自2007年2月20 曰之美國專利第7,180,981號，揭示具有直至41微米厚之 最大値的標靶箔片之端部窗口 X射線管。視所使用之標靶 材料而定，41微米之標靶材料提供該低能量範圍中所生成 之部份X射線的過濾。在此又仍然有顯著之低能量X射 線生成，其仍然於醫療X射線中對於病人造成太多劑量， 或提供必需在應用中被移除之不想要的低能量X射線，該 等應用如使用X射線顯微鏡檢查、X射線螢光或X射線繞 射用之X射線管，其中該等較低的X射線必需被移除。 於美國專利第7，1 80,98 1號中，資料被顯示用於透射 型管中之銀標靶的二不同標靶厚度，一標靶厚度爲25微 米厚及一標靶厚度爲41微米厚。比較用於來自銀標靶25 微米厚之光譜的圖5A-5D與銀標靶41微米厚之圖i7a_17d ，來自該25微米標靶之輸出通量係比來自41微米厚銀標 -5- 201209847 靶之資料頗爲較高的》因此來自該先前技藝之資料教導一 般被那些熟諳此技藝者所接受者爲何，亦即當透射型標靶 厚度增加時，該更厚的標靶吸收當該等電子首先進入該標 靶時所產生之X射線。因此，41微米厚之銀的標靶比25 微米之標靶產生非常不佳之通量。雖然來自41微米厚之 標靶的資料被包含於該專利中，沒有被論及有關此一標靶 可處理之何種需要。由該資料清楚地是，該25微米厚銀 標靶產生優越之光譜資料。 作爲該領域中之專家的常識係大部份X射線被進入該 標靶材料的第一個數微米內之電子所產生，且更厚的透射 型標靶將使藉由吸收X射線所生成之X射線射束的品質 降級，該X射線之吸收係當該X射線通過該標靶時業已 生成。因此在市售X射線管中，該透射型管之厚度大致上 被局限至8微米或更薄，該透射型管之大部份使用鎢標靶 〇 在法國OECD核能署所維持之PENELOPE係通用之 Monte Carlo軟體工具，被廣泛地用於當電子進入X射線 標靶時模擬電子及光子之運送。可對於詳細模擬作修改之 實驗條件係那些涉及具有低最初動能（直至大約lOOkVp)之 電子來源者、或特別之幾何形狀，諸如撞擊在薄箔片上之 電子束。用於較大的最初能量、或厚的幾何形狀，藉由電 子所經歷的碰撞直至其被有效地停止之平均數目變得很大 ，且詳細之模擬係很無效率的。當厚的透射型標靶被涉及 時或當用於該等撞擊電子之加速電壓超過lOOkVp時’ 201209847 PENELOPE係如此不能夠提供可靠之模擬。因此有不可靠 之模擬工具，以預測使用厚的透射型標靶之結果，尤其當 那些標靶可使用大約l〇〇k VP之上的加速電壓時。其他模 擬套裝軟體已在該文獻中被論及，但幾乎不知道有關它們 使用來產生輸出光譜之假定，如果它們全然產生此光譜。 於標題爲“使用碳奈米管場發射器之透射型微聚焦X 射線管，刊登於應用物理雜誌90，1 83 1 09_2007_該等作者 揭示”之論文中，當該標靶材料之厚度增加時，於X射 線貫穿該標靶期間，X射線衰減變得顯著。基於該計算結 果，該鈹（Be)窗口上之鎢（W)的塗覆厚度被決定爲1.1微米 ，以在40 keV電子能量產生最大X射線強度。這支持那 些熟諳此技藝者之信念，即該等透射型標靶應爲薄的箔片 〇 很多X射線之應用存在，在此低能量X射線輻射係 在較高能量產生有用的X射線所不想要之副產物，而該較 高能量爲用以成像、用以X射線繞射分析、或用以X射 線顯微鏡使用所需要者。於醫療應用中，低能量X射線輻 射被病人所吸收，而不會產生有用之影像，且因此變成不 想要之額外的劑量。 單色X射線通常由用於工業使用之傳統來源使用X 射線生成。以傳統反射及透射型X射線管.來源所生成之寬 廣能帶X射線的單色分量又需要相當可觀勞力及支出，以 轉換成有用之單色X射線。此等單色X射線通常被使用 於晶體繞射及X射線顯微鏡使用。當有相當可觀數量之低 201209847 能量χ射線輻射時，產生單色χ射線能量之成本增加。 於使用反射型X射線管之醫療成像應用中，不想要的 、低能量X射線能藉由放置於該X射線管外部之過濾器 所過濾。此等過濾器比較高有用的χ射線成比例地更加減 少低能fi X射線，然而多少X射線在此之前可被過濾、 能被獲得之焦斑尺寸、及能被由該標靶上之斑點移除的能 量大小有一限制，該射束撞擊在該斑點上並對該標靶造成 損壞。 所需要者爲減少該病人看見之劑量的方式，而不會減 少或真正地改善藉由醫療影像X射線輻射所產生的影像之 品質。X射線之傳統來源係需要的，其產生高數量之特徵 X射線輻射，以待進一步轉換成用於很多工業及醫療應用 之高強度準單色X射線。 【發明內容】 端部窗口、透射型χ射線管被揭示，其包括抽空的管 外殼；端部窗口陽極，設置在具有箔片或複數箔片標靶之 該外殼中；陰極，設置在該外殼中，該陰極發射具有 10kVp至500kVp之能量的電子束，該電子束沿著該射束 路徑行進，撞擊在該陽極的一斑點中’並生成X射線之射 束，該射束經過該端部窗口離開該外殼。電源被連接至提 供所選擇之電子束能量的陰極’以產生厚的該標靶箔片或 該等標靶箔片之至少一個預選能量特徵的X射線之明亮射 束。該等標靶箔片之至少一者的厚度係大於50微米，並 -8 - 201209847 可爲200微米或更厚。當該相同之材料被使甩於該標靶與 該端部窗口時，該標靶/端部窗口之總厚度可爲高達500 微米。 藉由經過擴散接合、經過熱壓、或經過熱等靜壓將該 厚箔片附接至該基板所形成之標靶。該基板材料實質上對 於X射線爲透通的，且係選自鈹、鋁、銅、鋰、硼、或其 合金》 該標靶箔片另一選擇係可爲由二或更多元素之合金、 共晶合金、化合物或金屬互化物所製成，並由該等元素之 至少一者產生有用的X射線特徵線放射。被使用於該X 射線標靶的材料包括該等元素銃、鉻、銻、鈦、鐵、鎳、 釔、鉬、铑、鈀、亂、餌、鏡、銅、鑭、錫、錶、鉬、鎢 、銶、鈾、金、及鈾之一者。 該電子束可藉由聚焦機件被聚焦在該標靶上方、下方 或至該標靶上。該標靶可被附接至諸如鈹、鋁、銅或其合 金的不同材料之端部窗口。 用於上述透射型管之使用的各種應用包含使用該管以 獲得牙科CT影像、醫療影像、電腦斷層影像、X射線繞 射圖案、C字形支臂影像、螢光影像、及X射線顯微鏡使 用。 上面技術之二種應用爲X射線成像及利用該等X射 線之準直作用的螢光分析，以將該等X射線之路徑導引至 待檢查的物件。 被放置成緊密接近該端部窗口的單一玻璃毛細管或一 -9 - 201209847 束玻璃毛細管可被使用於將該等輸出χ射線的至少一部份 導引至該毛細管或毛細管束之另一端部，供使用於螢光影 像與工業成像應用。 具有厚靶箔片的透射型管之另一應用係藉由連線、自 動化材料處理設備來檢查物件。 【實施方式】 開放式透射型管典型被使用於電子電路之成像以及其 他高解析度應用，且另一選擇係當高倍增因數爲該物件之 影像所需要時可被用作該X射線來源。封閉式管被以真空 密封，反之當該管通常被使用來允許用於管零件之經常替 換時，開放式或“下抽”管具有連續地附接來抽真空的真 空泵，而該等管零件傾向於在操作中故障。用於本發明之 目的，除了以別的方式陳述以外，透射型管包含開放式與 封閉式透射型管兩者。 除非以別的方式指定，X射線管光譜資料係以具有1 毫米厚之CdTe感測器及10密爾之鈹過濾器的Amp tek模 型XR· 100所取得。該感測器被放置在與該X射線管及鎢 準直儀隔1米之距離處，該準直儀設有被放置於該感測器 的前面中之100微米直徑的準直儀孔洞》各種管電流及曝 光時間被使用，但對於50微安培之管電流及60秒之收集 時間的比較資料已被常態化。 用於本發明之目的，電子加速電壓被以kVp表達，且 其範圍由l〇kVp至500kVp。未意圖包含超過500kVp之電 -10- 201209847 子加速電壓。 圖1的本發明之透射型管、項目7包括抽空的外殼、 項目9及設置在該外殼之暴露至大氣的端部之端部窗口陽 極、項目1。X射線標靶箔片、項目2係沈積在該端部窗 口陽極上。電激勵陰極、項目3發射電子，該等電子係沿 著該電子束路徑、項目4加速，且撞擊該陽極標靶產生X 射線、項目8。電源、項目6被連接在該陰極及陽極之間 ，以爲該電子《束提供該加速力。所產生之X射線經過該端 部窗口離開該X射線管。該端部窗口材料典型被選自鈹、 鋁、銅、鋰、硼及其合金之一者，但有那些熟諳此技藝者 所熟知之另外選擇的低端部窗口材料。該端部窗口材料之 厚度能被修改至特定之應用。典型電偏壓之選擇性聚焦杯 、項目5將該電子束聚焦在該標靶上之斑點上方、下方或 至該斑點上。該標靶的表面上之斑點的最大尺寸被稱爲該 焦斑尺寸或斑點尺寸。該等輸出X射線包括對該標靶材料 爲唯一的韌致輻射（或制動輻射）及特徵線輻射。先前技藝 指定該標靶箔片之厚度可爲厚達41微米。於本發明的一 較佳具體實施例中，透射型X射線管利用比先前所揭示者 非常更厚之標靶箔片、比50微米更厚及與200微米一樣 厚。 圖2被提供作參考，且槪要地表示包括抽空的外殼之 反射型管，而該陰極項目12及陽極項目14係位在該外殼 中。該陽極項目14包括沈積至基板上之X射線標靶，該 基板移除當X射線撞擊該陽極時所生成之熱。電子係以那 -11 - 201209847 些熟諳此技藝者所熟悉之任何方式由該陰極放射。 目6被連接在該陰極及該陽極之間’以提供由該陰 電子束路徑項目10加速該等電子之電場’並撞擊 項目1 4中之斑點中，而生成接著經過側面窗口項E 開該管的X射線項目1 3之射束。該反射型管收穫 電子束所撞擊之標靶的相同側面的生成X射線。 圖3說明三種不同的X射線管之光譜輸出。所 40及70 kev的臨界X射線能量之間具有已被常態 數目之光子單個脈衝，且係藉由典型使用於該牙科 像市場之過濾器來過濾，而且很類似於使用在包含 支臂儀器的醫療成像中之其它應用的管。在該C字 儀器中，該X射線來源及影像接收器係沿著該X 之中線的方向在面朝彼此之相向端子處。本發明之 於C字形支臂應用中係尤其吸引人的，在此該病人 X射線長時期輻射。項目1 5代表示在3毫安培管 12 Ok Vp的管電壓操作之反射型X射線管的輸出光 使用鎢之標靶材料。項目17代表該先前技藝之具窄 米的鉬箔片厚度之透射型管在1.2毫安培管電流操 出光譜。項目16代表本發明之具有50微米的鉬箔 之透射型管在1.3 5毫安培管電流操作的輸出。如 ，用於該相同之管電流，來自該透射型管之單個脈 目係比該反射型管非常地較高。於1 〇及40 kev間 線的所有不想要之劑量的檢查，顯示用於具有鎢標 射型X射線管的1 0及40 kev間之所有單個脈衝爲 電源項 :極沿著 該陽極 3 11離 來自該 有三管 化相同 CT成 C字形 形支臂 射線管 低劑量 通常被 電流及 譜，並 r 25微 作的輸 片厚度 所期待 衝的數 之X射 靶之反 52,763 -12- 201209847 個單個脈衝。於ίο及40 kev之間，用於具有25微米之 鉬標靶厚度的透射型管之相同數量的所有單個脈衝爲 4 7,7 40個，代表低能量X射線中之9.5%的減少。當與該 反射型管作比較時，檢查用於50微米之鉬標靶厚度的所 有單個脈衝之數量，在此於該反射型X射線管之上在由 10至40 kev的光子能量中之通量中顯示21.8 %的減少。 爲所有三管之過濾係完全相同的。 圖4顯示使用本發明之X射線管以獲得在很多頭部及 牙科應用中有用的牙科CT成像之不同優點，並使用25、 50、65及130微米厚之鉬標靶。所有資料已被常態化。40 及70 kev間之總通量已被設定成等於具有50微米厚靶材 料的鉅管之總通量。實際上，這是等同於改變該管電流， 直至用於每一管之通量係等於具有50微米厚的標靶之管 的通量。當該標靶厚度增加時，低於40 kev之劑量的數 量係藉由該更厚的標靶所急劇地減少。高能量輻射同時未 實質地增加。這對於醫療成像、牙科電腦斷層成像、醫療 電腦斷層成像、及C字形支臂成像市場係尤其有.用的，如 對於那些熟諳此技藝者將爲明顯的。雖然該較佳具體實施 例使用鉅當作該標靶材料，其他標靶材料可被使用來提供 不同的光譜特徵’如用在本發明之特定應用所需要者。低 於40 kev之X射線輻射的減少將減少被身體所吸收而造 成組織損壞之X射線的數量。具有更厚標靶之特徵k_ alpha輻射的額外數量將於55及6〇 kev間之能量中提供 影像品質之相當可觀的改善。此資料清楚地顯示使用5〇 201209847 微米及更厚的標靶厚度之優點》 標靶材料/厚度 離中線之角度 單個脈衝之總數 2Ta 60kVp50 微安培 〇度 228,673 2Ta 60kVp50 微安培 60度 192,064 2Ta 60kVp50 微安培 80度 123,670 4Ta 60kVp50 微安培 〇度 167,290 4Ta 60kVp50 微安培 60度 113,417 4Ta 60kVp50 微安培 80度 53,872 表1 圖5說明來自具有4微米厚之鉬標靶的透射型管之輸 出通fi ’具有在中線（0度）之項目18、離中線60度之項目 19、及離中線80度的項目20所測量之X射線通量。該鉬 標靶之厚度在〇度處爲2微米，在60度處該厚度已明顯 增加至4微米’且在80度處超過10微米。圖6係來自具 有2微米之標靶厚度的透射型管之輸出通量的圖解表示， 並在中線的項目21、在60度的項目22、及80度的項目 23處測量。表1顯示比較2及4微米的標靶厚度之相對X 射線通量。一般保持之信念係當該標靶厚度增加時，藉由 該增加的厚度所吸收之X射線的數量急劇地增加，這是藉 由用於薄透射型標靶之有限資料所支援。如此，當工程師 具有在透射型標靶及反射型標靶之間作選擇的選項時，它 們對於透射型標靶係小心的不使用超過大約8微米厚之標 靶厚度。而非僅只注視著所產生之光子的數目，那些光子 之品質亦必需被檢査。剛好觀察圖5及6，在離中線較高 -14- 201209847 的角度，其充分清楚的是在40 kev的通量及以上間之差 異未實質地減少。在該曲線之1-線放射部份處的通量之吸 收係顯然遠高於在較高能量處者。於最實用之應用中，該 1-線係僅只不需要或使用。 輻射物理學之已受到很多關注的一領域有關電子-光 子在物質中之運送。PENELOPE係用以模擬電子及光子之 運送的現代、一般用途之Monte Carlo工具，其係可應用 於任意之材料及於一寬廣之能量範圍中。其在法國OECD 核能署中被維持。PENELOPE提供用於很多實用之條件及 技術的定量導引，包含電子及X射線光譜學、電子顯微鏡 使用及微量分析、生物物理學、劑量測定法、醫療診斷與 放射療法、及輻射損壞及屏蔽。 可對於詳細模擬作修改之實驗條件係那些涉及具有低 最初動能（直至大約lOOkVp)之電子來源者、或特別之幾何 形狀，諸如撞擊在薄箔片上之電子束。用於較大的最初能 量、或厚的幾何形狀，藉由電子所經歷的碰撞直至其被有 效地停止之平均數目變得很大，且詳細之模擬係很無效率 的。因此甚至用以預測當電子撞擊透射型標靶時所產生之 X射線生成的最卓越之模擬軟體未專注於厚的標靶或大約 lOOkVp以上的高電子肯巨量。 於2002年9月藉由大衛伯納所寫下及刊登於SMTA 國際會議之會報中的標題爲“用於BGA/CSP X射線檢査 之X射線管選擇標準”的論文中，其被揭示“這對於當作 交換的透射型標靶需要被製成爲提供良好的X射線通量供 -15- 201209847 商業應用（亦即長壽命）、而當χ射線通過（該標靶）時同時 不會自行吸收太多的X射線係特別重要的”。這傑出地陳 述該標靶越薄，則該標靶吸收越少該標靶內側所產生之X 射線。 於標題爲“使用碳奈米管場發射器之透射型微聚焦X 射線管”之另一論文中，刊登於應用物理雜誌 90, 1 8 3 1 09_2007_，該等作者揭示“如果該標靶材料之厚度係 比入射電子之範圍較小，電子能通過該標靶，造成僅只該 電子能量的一部份將被轉換成X射線。因此，充分厚的標 靶材料係需要的，用以增加電子能量至X射線能量之轉換 效率。然而，當該標靶材料之厚度增加時，於X射線貫穿 該標靶期間，X射線衰減變得顯著。這建議最佳之標靶厚 度存在，以對於給定之射束電流產生最大X射線強度，且 該最佳厚度視該入射電子能量而定。作爲鎢厚度之函數的 X射線強度係使用微粒運送碼_MCNPX來計算。基於該計 算結果，該鈹（Be)窗口上之鎢（W)的塗覆厚度被決定爲1 .1 微米，以在40kev電子能量產生最大的X射線強度。”而 不意圖分析該等輸出X射線之光譜分量。 在刊登於物理學硏究B 264(2007) 37 1 -377中之核子 儀器及方法中，標題爲“用於高亮度微焦點X射線管的X 射線標靶參數之最佳化”的又另一論文中，該等作者在該 論文的圖2中推論具有3 0kVp管電壓的透射型鎢透射型標 靶之最佳厚度係大約1微米增加至用於在150k Vp管電壓 的鎢之8微米。這再次表示該近來發表的關於選擇透射型 -16- 201209847 χ射線管用之最佳標靶厚度的常識。 作爲該領域中之專家的常識係，當透射型標靶之標靶 厚度增加時，所生成之χ射線輻射的數量減少，因爲該更 厚的標靶材料吸收該標靶內側所產生之X射線，減少離開 該標靶之另一邊的輻射之數量。不被考慮者爲所吸收之能 量的大小係很多爲該光子能量之函數，且當韌致輻射通過 該厚靶時，大部份該韌致輻射被轉換成有用的特徵輻射。 當該標靶材料變得更厚時，亦可有尙未說明之另一現象， 導致增加之有用的X射線輻射。既不是Penelope也不是 任何另一已發表之文獻當它們被限制於低電子能量及/或 薄標靶時提供許多幫助。 使用於乳房攝影檢查成像之工業標準係使用圖2之由 鉬標靶所製成的反射型X射線管，並具有定位在該管真空 外面之額外的30微米厚鉬過濾器，以顯著地變更該反射 型管光譜之輸出光譜，且增加來自該鉬標靶之特徵k-alpha輻射。其如此確實在過濾器模糊之不想要的增加， 因爲該過濾器被加在該管外側，典型在離該等電子撞擊該 反射型標靶的位置超過15毫米之距離處。 於努力檢查用於該乳房攝影檢查成像市場的透射型X 射線管之使用中，如果透射型管被使用，該過濾器可爲厚 靶的一部份，且因此過濾器模糊可被顯著地減少。根據那 些於透射型管之生產中在行者，25微米厚的鉬標靶被製成 爲用於透射型管之標靶。該厚鉬標靶將用作其自身之過濾 器，且該過濾器將爲如此接近X射線被生成之斑點，X射 -17- 201209847 線影像品質應被改善。然而，基於該更厚的標靶將過濾其 本身之X射線的常識，該標靶厚度被限制於25微米。此 一實驗管被製成，且該輸出光譜被分析。 圖10A顯示在離該管之中線0度及在60度處以 6 0kVp之管電壓取得的25微米鉬X射線管標靶之光譜。 該等重疊影像中之陰影區域係在60度之光譜。致使該等 圖面可被輕易地比較，用於該Amptek分光計之準直儀係 在中線由200微米直徑增加至在離中線60度處之400微 米直徑。圖10B係該相同之二光譜，但該陰影區域係在中 線處之光譜。在60度的光譜之品質係優於在25微米處者 。有更少之低能量X射線輻射或劑量、及更少之極高X 射線輻射能量，以X射線輻射所取得之熟知“變暗”影像 ，且在包含用於鉬之k-alpha及k-beta能量的能帶中有更 多X射線輻射。這是與先前技藝中所一般保有的信念相反 ，即該透射型X射線管之更厚的標靶材料吸收有用之X 射線。 在本發明之一較佳具體實施例中，50-5 5微米厚的鉬 標靶被附接至2毫米厚之鈹端部窗口。該X射線光譜係與 來自市售乳房攝影檢査X射線管及圖10A及10B之具有 25微米厚靶的X射線管之光譜作比較。下表顯示在由3_ 10 kev、10-16.83 kev、由16.83至20.5之能帶中用於每 一管的通量之百分比，該能帶包括鉬之k線特徵及大於 20.5 kev。X射線光譜被測量用於在中線及在離中線45度 處之50-55微米厚靶。在離中線45度處，該標靶厚度將 -18- 201209847 有效地爲4 0 %更厚。 每一能帶中之能量的百分比 3-10 kev 10-16.83 kev 16.83-20.5 kev >20.5 kev 市售管-27kVp 2.50% 43.80% 49.50% 4.10% 25 鉬 0 度-27kVp 3.40% 47.40% 44.60% 4.50% 25 鉬 60 度-27kVp 1.70% 38.70% 55% 4.60% 50-55 鉬 0 度-27kVp 0.90% 32.90% 62.60% 3.60% 50-55 鉬 45 度-27kVp 0.30% 23% 74.40% 2.20% 50-55 鉬 0 度-30kVp 0.80% 28.70% 64.90% 5.70% 50-55 鉬 45 度-30kVp 0.25% 21.80% 73.70% 4.20% 50-55 鉬 0 度-35kVp 0.90% 21.90% 66% 11.30% 50-55 鉬 45 度-35kVp 0.70% 15.50% 75.60% 8.10% 表2 該市售管係具有鉬標靶與30微米厚鉬過濾器之反射 型管，該等X射線在將該乳房成像之前通過該過濾器。來 自具有25微米厚鉬標靶之管的資料被顯示在中線及在離 中線60度處。其値得注意的是用於本發明之50-55微米 鉬標靶，在30kVp及35kVp與離中線45度處操作，在低 於16.83 kev的能量之總通量中有大約50%之顯著的減少 ，而顯著地減少病人將於例行的乳房X光攝影檢測期間接 收之劑量的數量。於16.83至20.5的能量範圍中，同時在 通量之數量中有一類似的增加，對於該乳房之高品質成像 爲重要的。與3及16.83 kev(46.3%)間之不需要的通量作 比較，在離中線45度處用於30kVp管電壓（在16.83及 20.5 kev間之73.7%與低於16.83之22.05%)、及離中線 -19 - 201209847 45度用於在35kVp操作之相同管（在16.83及20.5 kev間 之75.6%與低於16.83 kev之16.2%)’用於在16.83及 20.5(49.50%)間之市售管的通量之比率係非常地劣於該 5 0-55微米標靶者。這被做成，同時在比該市售管較高之 電壓操作該管，對於類似管電流提供非常較高之通量。 具有沈積在6.35毫米厚鋁的端部窗口上之鉬的標靶 材料及25微米之標靶厚度的透射型X射線管被製成及測 試。當測量之角度由該管之中線（〇度）改變至離中線1 〇度 、20度及30度處時，在用於所測試電壓80、90、100、 1 10及120k Vp的每一者之測量光譜中實際上沒有差異。 這是與該領域中之專家的所有常識相反。在.30度通過 3 8.8的標靶厚度之X射線與在中線之25微米厚度作比較 。與在中線者作比較，該等X射線亦在3 0度通過及額外 1毫米的鋁。於該X射線輻射中未一致地減少，尤其當測 量之角度由0度改變至30度時，尤其在鉅57.5 kev之k-alpha特徵線處。圖12係該上面之指定管在120kVp管電 壓操作於離中線0、10、20及30度處之角度的所有光譜 之疊加。尤其値得注意的是用於由55 kev至60 kev的k-alpha能量範圍中之輸出通量的曲線實際上爲相同的。亦 應注意的是在鉬之k邊緣的輸出通量有急劇的減少，暗示 進入該厚靶之較高的韌致輻射X射線能量被吸收，且至少 一些被轉換成特徵k線輻射。 -20- 201209847 80kVp 90kVp lOOkVp llOkVp 120kVp 〇度 62,451 90,400 147,474 201,884 263,384 10度 56,060 87,580 125,669 152,704 201,308 20度 60,408 93,027 123,921 169,700 244,687 30度 57,640 87,022 135,674 159,055 208,071 表3 表3係以該上面之槪要組構所取得的光譜資料之編輯 。在每一角度及每一管電壓之單個脈衝的總數被顯示於該 表中。除了在中線之30度內於該X射線輸出中有很小的 變化以外，其値得注意的是對於管電壓中之2倍增加，該 X射線通量之數量在中線增加4.2倍，提示該較高電壓及 更厚標靶將產生甚至更多之輸出通量。這提供特別之優點 ，其中總輸出通量能藉由增加該管之加速電壓（kVp)而被 增加，且在該X射線標靶上之熱負載中具有較少成比例的 增加。輔助熱負載中之此減少的另一現象係該標靶越厚， 則負載散佈越多，且因此降低該標靶之表面溫度，電子在 該表面撞擊該標靶。 於本發明之三個不同的較佳具體實施例中，本發明之 透射型X射線管被以50、65及130微米厚之鉅標靶製成 。雖然此說明使用鉬當作標靶材料，該標靶材料可爲適合 用作X射線透射型標靶之許多不同材料的任一者，包含但 不限於钪、鉻、錫、銻、銅、鑭、鈦、鐵、鎳、釔、鉬、 緒、納、纟、餌'、鏡、錶、姐、錫、鍊、鉛、金、及軸與 -21 - 201209847 其合金、共晶合金、化合物或金屬互化物。當上列材料之 —的合金、金屬互化物、共晶合金、或化合物被使用於該 標靶箔片時，該標靶將由該等標靶元素之至少一者生成X 射線特徵線放射。 圖13係該130微米標靶在100、120及140kVp之管 電壓的輸出。藉由改變施加至該管之有效管電流，用於所 有三電壓之輸出已被常態化至在10 0k Vp之輸出，如可藉 由該X射線管之操作員輕易地做成者。用於該等管在1 20 及140kVp的40及70kVp間之輸出通量被常態化至該管 在1 OOkVp之通量。在l40kVp提供40及70kVp間之有用 通量的增加所需之管電流將減少48%，而該電壓僅只增加 40%，於40及70kVp之間在更少的熱負載於該標靶上提 供該相同之通量。雖然施加至該X射線管之電壓僅只爲 140kVp，類似結果將以直至最少500kVp之電壓及直至最 少200微米厚的標靶厚度被獲得。 圖14係來自每一 5 kev寬能帶中之光譜資料的單個 脈衝的數目之圖解表示，其用於12 0k Vp之電子加速電壓 ，且用於50、65及130微米厚之钽箔片的三個不同標靶 組構之每一者。 同理，圖15及圖16係來自每一 5 kev寬能帶中之光 譜資料的單個脈衝的數目之圖解表示，其分別用於 llOkVp及lOOkVp之電子加速電壓，且用於50、65及 130微米厚之鉬標靶的相同之三個不同標靶組構。其由該 資料爲明顯的是65微米厚及130微米厚的標靶之輸出係 -22- 201209847 優於在50微米厚的輸出。所使用之標靶材料爲鉅，但既 然鉬及鎢在所產生之X射線光譜中係很接近，當該鉬被鎢 所替換而當作該標靶材料時，類似資料能被期待。 先前技藝一致地認爲此等厚靶爲比它們吸收太多在該 標祀內側藉由撞擊電子所生成之X射線輻射差。從未意圖 檢查用於特定應用的輻射之品質。於本發明中不只輸出X 射線輻射之總數被檢查。於該醫療領域中，對包含C字形 支臂應用、牙科CT應用、上及下身體X射線成像、電腦 斷層應用的醫療成像之透射型管的應用中，當爲使用於各 種應用中而檢查該輸出光譜之品質時，其清楚的是50微 米及以上之厚耙提供顯著之突破。在非破壞性測試（NDT) 之應用中’此電子電路成像、電子晶片成像、螢光分析、 X射線顯微鏡使用、電腦斷層成像、X射線繞射、以及其 他那些熟諳該技藝之人士所熟知者。 其係熟知當電子進入該標靶材料之表面時，視該材料 之密度而定’該等電子之最大穿透深度係藉由該等撞擊電 子之能量所決定。當電子譬如在100 kev撞擊鉅時，該穿 透深度係大約8微米，且在150 kev，該穿透深度係接近 16微米。用於諸如鉻之較不密集的材料，該穿透深度分別 用於100 kev係20微米及用於150 kev能量爲37微米。 在大於50微米厚之標靶厚度，具有隨後之X射線生成的 電子在更深層次之穿透深度不能充分地說明X射線的輸出 中之改善的理由。 遍及該端部窗口之表面，透射型管係特別很適合藉由 -23- 201209847 強制亂流之液體流動來移除熱。因爲該熱可很接近熱生成 之處地被移除，該標靶的真空側上之溫度上昇可被減至最 小。其同樣係熟知以厚靶管，當該等電子進入該厚靶時’ 撞擊該標靶的電子之熱分佈散開。此熱之散佈在該等電子 撞擊該標靶中之焦斑的位置減少該溫度上昇，且允許用於 較高之管電流。於本發明之該管中，該端部窗口基板之厚 度可爲薄達大約100至250微米，允許用於以離該標靶上 之射束斑點約1 50-450微米的液體冷卻來移除藉由該電子 束所生成之熱。因爲撞擊該標靶之熱通量可爲很高，當液 體冷卻劑被使用於移除熱時，所作成之最大應用將爲靠近 電子撞擊之斑點由液相至蒸氣相的相態變化。 其充分清楚的是在鉬之k-alpha能量處，比在該k邊 緣能fl處之能量的吸收，有k-alpha輻射之非常更少的自 身吸收。用於鉬之吸收係數由在該k-alpha能量或56.278 kev處之2.65改變至在鉬之k邊緣處或67.416 kev的 11.80。當鉬吸收高於k邊緣之能量時，由於在該厚钽標 靶內側之結果，k線特徵輻射將被生成。臀如於圖1 2中， 其能被看出剛好在該k邊緣能量上方所吸收之能量的數量 有急劇之減少。比較於用於鉬在15 kev之134或在40 kev之10.25的吸收係數，在大約56 kev的吸收係數係僅 只大約2.7。因此，該更厚的钽標靶強有力地過濾低於40 kev之X射線，但僅只微弱地過濾40至70 kev的範圍中 之X射線，該有效範圍於很多醫療及工業X射線應用中 被需要。當該標靶係更厚時，於該標靶的有用範圍中有更 -24- 201209847 少之吸收，但同時有較高之或然率，即額外之k-alpha輻 射將藉由在67.4 kev高於鉬之k邊緣線的X射線光子所產 生，並藉由該標靶吸收該等X射線光子。雖然這關於爲什 麼更厚的標靶比較薄的標靶提供成比例地較高之有用X射 線提供一些說明，可有其他尙未充分地了解之說明。又用 於本發明之實驗資料提供此等結果。 ^ 在本發明之一較佳具體實施例中，擴散接合被利用於 將該厚靶箔片附接至該端部窗口基板。擴散接合涉及在升 高的溫度通常於保護性大氣或真空中將預先機械加工的零 組件固持在負載之下。所使用之負載通常係低於那些將造 成該（等）原始材料之宏觀變形者，且0.5-0.8Tm之溫度（在 此Tm =以K(絕對溫度）爲單位之熔點）被採用。在溫度之時 間範圍典型由1至60 +分鐘。 擴散接合接頭係特別易曲折的，但保持強固，且如此 能夠忍耐極端溫度。甚至在該等被接合之材料具有失配的 熱膨脹係數之處，該等接頭係完全可靠的。擴散接合係因 此特別適合用於在高工作溫度受熱衝擊所威脅之應用，諸 如藉此電子撞擊本發明之標靶的案例。 在本發明之一具體實施例中，該端部窗口材料被選擇 爲2毫米厚的鋁。該鋁係擴散接合或熱壓至被使用來將該 端部窗口固持在適當位置之不銹鋼機架，且在該管的內側 及該外側大氣之間形成一真空密封。在本發明之一具體實 施例中，由130微米厚的鉬所製成之厚靶係亦擴散接合或 熱壓至該鋁端部窗口之真空側面。圖11比較本發明之具 -25- 201209847 有130微米厚鉅標靶及2毫米厚鋁端部窗口、項目50的 X射線管與類似X射線管之輸出光譜，在此該端部窗口係 由1毫米之鈹、項目49所製成。兩X射線管之總輸出已 被常態化於40及70 kev之間，以致它們係相等的。然而 ，爲了在由40至70 kev的能帶中之X射線提供相同之X 射線強度，具有鋁端部窗口之該管的管電流需要被增加達 大約8%。清楚地是，該鋁端部窗口比該同等之鈹端部窗 口提供非常更少之劑量。於一些醫療應用中，在低能量的 劑量之此減少係比操作一具有鈹端部窗口的類似管所需之 增加的能量更重要。與過濾器被放置在反射或透射型X射 線管之大氣側面上作比較，將該鋁過濾器放置成如此接近 該斑點尺寸顯著地減少過濾器模糊。雖然2毫米厚之鋁端 部窗口被使用於說明此具體實施例，其他端部窗口材料及 厚度能被替代，以獲得類似之結果。雖然熱壓及擴散接合 係較佳的，將鋁附接至該X射線管機架及該標靶材料兩者 之任何方法可藉由那些熟諳此技藝者所替代。 固相擴散接合亦可利用具有低出氣比率的易延展之層 間材料，以接合本發明之標靶筢片及基板的金屬材料。該 結果之接合係無夾雜物。那些熟諳擴散接合之技藝者所熟 知的許多可能的層間材料之任一者能被使用。其係謹慎的 選擇該易延展之層間材料的熔化溫度，以不超過該標靶箔 片材料或該基板材料之熔化溫度。 另一選擇係，該標靶箔片之濺鍍至該基板上或藉著熱 等靜壓（HIP)附接該標靶箔片的其中之一能被使用，其中 -26- 201209847 遠較高之壓力（1 00-200Mpa)被使用於附接該等表面。以 HIP之高壓接合允許表面光潔度，其不是如此重要的。〇.8 微米RA及更大之表面光潔度能被使用。 在本發明之一具體實施例中，聚焦透射型管被使用產 生具有大約0.1微米至3毫米的焦斑尺寸之X射線，供使 用於待測量物件中之元素的存在及濃度之螢光測量。較佳 之斑點尺寸通常係於3微米及200微米之間。X射線管之 輸出被準直成撞擊該待分析物件之X射線的一小射束，僅 只利用該射束的一小部份及將X射線螢光限制於該物件之 被輻射部份。藉由那些熟諳此技藝者所熟知，如果輻射X 射線射束之位置係習知及變化，顯示所感興趣之一或多個 元素的存在及濃度之映射能被產生。使用設有厚靶箔片之 透射型管具有很多勝過反射型管之使用與較少標靶厚度之 透射型管的使用之優點。激發該物件中所感興趣之特定元 素所需之精確能量的k-alpha X射線輻射之顯著較高百分 比，可在比能藉由反射型管所產生者較高的管電壓產生。 該準直儀可爲位於很接近該X射線斑點，與用於反射型管 之大約20至30毫米作比較典型在1或2毫米內，顯著地 減少該反射型管之X射線射束強度的1 /r2損失。該準直儀 亦作用至移除有害的高能量X射線輻射，該輻射被吸收在 該準直儀的壁面中。 在本發明之另一較佳具體實施例中，由二或更多元素 的合金、共晶合金、化混合物或金屬互化物所製成之單一 厚靶箔片被提供。其係熟知該等分層標靶材料或使用多數 -27- 201209847 標IE及由一標耙至另一標耙選擇性地移動該電子束，能產 生包括超過單一元素之有用的特徵線之X射線，但在增加 之成本下。然而，將二或更多元素混合成單一標靶避免此 成本。由此等合金或化合物所製成之箔片可被輕易地購買 及以擴散接合、熱壓縮或HIP方法之任一者將該厚箔片附 接至該端部窗口。另一選擇係同時濺鑛該二元素，以直接 地形成該厚靶箔片至該端部窗口上。 以不同的特徵X射線放射線，藉由連續地變化該管電 壓，來自包括該合金或化合物之元素的每一者之特徵輻射 的百分比可藉由那些熟諳此技藝者被改變，提供有用之途 徑以成像或識別該待檢査物件中之特定化合物。 此等厚的箔片能以使用該箔片中之僅只一元素解決很 多問題。低熔點、不佳之導熱性、於生產環境中難以管理 之高度反應材料係僅只很多問題的一部份，其可爲藉由混 合該元素以與其他元素提供有用的特徵輻射所解決。 使用鑭/錫之範例：碘通常被用作血管造影術、CT成 像、及尤其乳房攝影檢査的成像劑。在給與病人以碘爲基 礎的成像劑之後，以高百分比之鑭K-alPha(33.440keV)及 其次以高百分比的錫K-alpha(25.270keV)拍攝一X射線影 像、接著減去該等影像將以33.164keV之K-吸收導致該碘 之清楚影像。同理，焊料中之錫內容物的雙重成像能以相 同之二元:素、鑭及錫來完成，以提供用於焊接操作之品管 工具》包括60%鑭及40%錫之金屬互化物提供任何數目之 可能標靶材料的一範例，並具有充分數量的每一材料，以 -28- 201209847 產生用於兩元素之高強度K線X射線。來自每一元素的 K-alpha輻射之數量係藉由變化該X射線管電壓所調整》 在本發明之一較佳具體實施例中，本發明之透射型管 係耦接至單一毛細管或一束毛細管，其典型係由那些熟諳 此技藝者所熟知之特製玻璃或同樣由任何合適之材料所製 成，其引導及聚焦藉由透射型X射線管所產生之X射線 的一部份。圖7代表示耦接至透射型管之輸出的單一毛細 管、項目31，代表於一焦斑中撞擊該標靶項目32的透射 型管之聚焦電子束。沈積在陽極基板項目30上之標靶產 生X射線項目3 3的一射束，該X射線的一部份離開該端 部窗口及進入單一毛細管項目34，以離開該毛細管之相反 端部。此單一毛細管典型被使用於將來自大約20至150 微米直徑之焦斑的X射線聚焦至約1-10微米之很狹窄的 X射線射束，然而，該管斑點尺寸及輸出X射線之狹窄射 束的尺寸不會以任何方式限制此應用。同理，該標靶材料 或該等材料能被選擇，以提供該最高效率螢光分析。 圖8代表被使用於聚焦X射線管之斑點尺寸的一束毛 細管，以產生對於繞射、螢光及成像有用之甚至更高解析 度的X射線射束，或提供接近平行之X射線的射束，以 減少在該物件內側之擴散。X射線係在本發明的透射型標 靶之焦斑、項目3 9處生成。項目3 7說明一束毛細管如何 可由點光源接收X射線，並將它們導.引成幾乎平行之X 射線的射束。項目3 5及3 6係個別之X射線射束如何在該 毛細管束內之單一毛細管內側行進的圖解表示。項目38 -29 - 201209847 說明一束毛細管之使用，以接收χ射線及將它們再聚焦於 空間中之第二點。然而，本發明不被限制於那些二種應用 〇 雖然該毛細管或該等毛細管內側之透射損失係因爲生 成X射線之斑點被定位接近透射型管中之毛細管的入口而 增加，由於通常之1 /r2的損失未在該毛細管內側實現，這 些損失係不會如X射線強度中之節省一樣大。使用透射型 管允許該等毛細管之配置成如大約0.075至2毫米般接近 該端部窗口之厚度，與來自反射型管者作比較顯著地增加 離開該毛細管的X射線輻射之強度，在此反射型管之配置 係受限於大約20至30毫米之最小値。與上述反射型管及 薄箔片透射型管作比較，具有厚箔片標靶的透射型管之其 他優點包含高百分比之特徵線放射。 在本發明之一較佳具體實施例中，本發明之透射型管 被使用於提供用於物件之自動連線檢查的X射線。物件被 餵入該檢査站，被檢査且接著藉由材料處理設備所自動地 移除。圖9表示一種此應用。輸送帶40餵入產品44，該 等產品能於該檢査期間被停止或連續地移動經過該檢査站 。然而，那些熟諳此技藝者所熟知之任一材料處理設備亦 可被採用。於圖9中，那些熟諳此技藝者所熟知之線感測 器46被使用於感測該影像，且影像處理器45收集一系列 線影像及將它們轉變成該物件之影像。電源42提供電力 至傳統上包括浸入冷卻及電絕緣流體中之X射線管的X 射線管總成41。該X射線管產生X射線43，其被使用於 -30- 201209847 產生該產品之χ射線影像。雖然此特別代表圖顯示線影像 感測器’熟諳此技藝之任一者所熟知的各種感測器能被使 用於成像或螢光分析或其一組合。 如圖1及2所示，用於透射型X射線管比用於反射型 管所產生之X射線8的錐角係非常地更寬廣。反射型X 射線管典型被放置成離該輸送帶3 5公分。視待檢查產品 之尺寸而定，本發明之透射型管能在如20公分般接近或 更接近的距離提供相同之檢查領域，減少所需之X射線通 量的數量及顯著地減少該X射線標靶上之熱負載。 與反射型管作比較，使用具有該標靶厚度、標靶材料 及隨後被最佳選擇用於該連線應用中所使用之感測器的管 電壓之透射型管，可於總X射線通量中在該重要的X射 線成像能量處提供三至五倍的改良。這被加至將該X射線 管放置成較接近待成像物件、減少該總能量消耗達1 0或 更多之因數的優點。基於連線檢查站所需要之速率，少於 1毫米之斑點尺寸尙未被廣泛地使用。藉由本發明之透射 型管所提供的相當可觀之性能改良允許用於少於200微米 之斑點尺寸，具有結果之較高的系統解析度，而不會使線 速率嚴重地慢下來。 本發明之X射線管可被用來提供具有高濃度之k-alpha放射的X射線。於繞射應用中，藉由X射線管所產 生之X射線首先必需被製成爲單色。厚靶由該標靶材料產 生超高數量之k-alpha輻射，因爲高數量之低能量，在該 標靶材料之k邊緣上方有非常地更多之X射線吸收。所吸 -31 - 201209847 收之能量被使用於在該標靶內側生成更多 射中，銅通常爲該標靶材料之選擇。藉由組 與該銅標靶，該整個端部窗口變成該標靶。 kev爲單位之kalpha二倍的以kVp爲單位之 300或400微米的厚度提供準單色k-alpha 源》雖然銅提供對於X射線繞射有用之此一 端部窗口 /標靶組合元件於其他應用中具有 應用中，該端部窗口 /標靶之厚度應爲大約 値。該最小厚度應爲足夠厚，以保存該X射 外側大氣間之真空。該端部窗口 /標靶可藉 技藝者所熟知之機構被附接至該X射線管之 X射線顯微鏡大致上係藉由將菲涅耳波 物件及該成像感測器之間所製成》準單色X 物件上，X射線通過該物件且接著被聚焦成 點，並於該物件中之細節提供大約數十奈米 於此一 X射線顯微鏡，需要高數量之單色 短時間中提供清楚的影像。此等顯微鏡通常 加速率器中心處，其能產生很高品質的單色 ，用於商業之應用，本發明之X射線管可提 量之準單色X射線，該X射線將藉由該菲 焦成從經濟上可行的高解析度影像。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之透射型X射線管的槪要 k-alpha。於繞 合銅端部窗口 具有遠高於以 管電壓，超過 輻射之優異來 管，在此其他 用途。於此等 500微米最大 線管的內側與 由那些熟諳此 機架。 帶片放置在該 射線撞擊在該 很小之影像斑 的解析度。用 X射線，以在 被發現在同步 X射線。然而 供非常較高數 涅耳波帶片聚 、正面、橫截 -32- 201209847 面表示。 圖2係反射型X射線管的槪要、正面、橫截面表示。 圖3係三種不同X射線管的每一者中所生成之光子的 數目之圖解表示，該三種不同X射線管爲具有不同標靶組 構的一種反射型及二種透射型。 圖4係四種透射型管之光譜的圖解比較，其中三種爲 本發明者。 圖5係來自單一透射型X射線管之光譜的圖解表示， 該X射線管在離中線之不同角度處具有4微米厚之鉬標靶 〇 圖6係來自單一透射型X射線之光譜的圖解表示，但 在離中線之不同角度處具有2微米厚之鉬標靶。 圖7係玻璃毛細管的槪要、正面、橫截面表示，該毛 細管被使用於擷取來自本發明之管的光子，並將它們聚焦 在空間中之不同位置。 圖8係使用單一毛細管或成束毛細管之繪畫表示，以 導引來自本發明之管的X射線之輸出。 圖9係使用本發明之X射線管的槪要表示，以使用自 動化材料處理系統施行物件之連線檢查。 圖10A及10B係來自透射型X射線管之相同資料的 二種不同表示，並在中線及在離中線60度處具有25微米 厚之鉬標靶。 圖11係來自本發明之具有130微米厚鉬標靶的X射 線管之輸出光譜與使用2毫米鋁及1毫米鈹之端部窗口兩 -33- 201209847 者的比較之圖解表示。 圖12係由附接至6.35鋁端部窗口之具有25微米厚 鉬標靶的透射型管在中線、10度、20度、及30度處所取 得之一系列光譜，並使所有光譜重疊。 圖13係來自具有130微米厚之鉬標靶的透射型X射 線管在l〇〇kVp、120kVp及140kVp的光譜之圖解表示。 圖14係來自本發明之3種不同X射線標靶在120kVp 操作電壓的輸出光譜之圖解比較。 圖15係來自本發明之3種不同X射線標靶在1 l〇kVp 操作電壓的輸出光譜之圖解比較。 圖16係來自本發明之3種不同X射線標靶在100k Vp 操作電壓的輸出光譜之圖解比較。 【主要元件符號說明】 1 :陽極 2 :箔片 3 :陰極 4 :電子束路徑 5 :聚焦杯 6 :電源 7 :透射型管 8 : X射線 9 :外殻 10 :電子束路徑 -34- 201209847 1 1 :側面窗口 12 :陰極 1 3 : X射線 14 :陽極 15 :輸出光譜 1 6 :輸出 17 :輸出光譜 3 0 :陽極基板 3 1 :毛細管 3 2 :標靶 3 3 : X射線 34 :毛細管 3 5 : X射線 3 6 : X射線 3 7 : X射線 3 8 :毛細管 3 9 :焦斑 40 :輸送帶 4 1 : X射線管總成 42 :電源 4 3 : X射線 44 :產品 45 :影像處理器 46 :線感測器 -35 201209847 49 :端部窗口 50 :端部窗口 -36