TWI490908B - 摩擦驅動ｘ光源、有用於產生高能量輻射之裝置、高能量輻射產生裝置及產生高能量輻射之方法 - Google Patents

Description

摩擦驅動X光源、有用於產生高能量輻射之裝置、高能量輻射產生裝置及產生高能量輻射之方法

本發明大體上係關於產生高能量輻射，且更特定言之，係關於利用摩擦接觸產生高能量輻射。

高能量輻射係以多種方式加以使用。例如，X光可用於醫學或其他成像應用、包含材料分析之結晶相關應用或其他應用中。

x光大體上係藉由一材料內之電子制動(韌致輻射)或內殼電子發射而產生。就歷史觀點而言，除透過自然現象之外，大體上藉由使用一高電壓電源供應器以加速電子進入諸如一金屬之一材料而產生x光，其中小比例的電子引起x光。然而，尤其當考慮實際上導致x光發射之小百分比的此等電子時，加速電子以產生較大數量x光大體上需要耗費大量電力。

x光亦可藉由在一受控環境中改變材料之間的機械接觸(例如透過剝離壓敏膠帶)或在一抽空腔室中改變一些材料之機械接觸而產生。然而，可能難以利用此等方法以提供一足夠強度的x光可供商業使用並且在一實驗室環境外側進行。

本發明之態樣提供藉由在提供一低壓環境之一外殼中靠近一電子標靶之兩個表面之間的滑動摩擦接觸產生高能量輻射，其中使得不相似材料之該兩個表面提供摩擦起電，其中該等表面之一者之至少部 分上之滑動摩擦接觸至多隨時間間歇以容許放電。在一些實施例中，該等表面之一者係一電絕緣體且該另一表面係一金屬材料。在一些實施例中，該金屬材料係該電子標靶。在一些實施例中，另一金屬表面係該電子標靶。在一些實施例中，該另一金屬表面與該兩個表面之一者相距一預定義距離。在一些實施例中，該滑動摩擦接觸重複間歇或介於一移動表面與一靜止表面之間。

本發明之一態樣提供一種有用於產生高能量輻射之裝置，該裝置包括：一外殼，其包含用於至少部分抽空外殼之大氣壓之至少一埠，該外殼之至少一部分對高能量輻射實質上透通；該外殼內之一第一物體；及該外殼內之一第二材料，該第二材料與接地絕緣；該第一物體之至少部分或該第二材料之至少部分可相對於彼此移動以在該第一材料與該第二材料之間產生一滑動摩擦接觸。

本發明之另一態樣提供一種高能量輻射產生裝置，其包括：一外殼，其正常可密封以提供一受控流體壓力環境；安裝在該外殼內之一隔膜；及一轉子，其旋轉地安裝在該外殼內使得該轉子之至少一部分可抵著該隔膜之至少一部分滑動；其中該隔膜之該部分及該轉子之該部分之至少一者包含與接地絕緣之一材料，且該隔膜之該部分及該轉子之該部分之另一者包含一導電材料。

本發明之另一態樣提供一種產生高能量輻射之方法，其包括：抵著一第二材料之一表面之一區域擦刷一第一材料，該第一材料與該第二材料係不同材料，該第二材料與接地絕緣；在一低壓環境中，自該第二材料之該表面靠近包括一金屬表面之一電子標靶之區域移除該第一材料。

在檢視本揭示內容之後更完整地理解本發明之此等及其他態樣。

111‧‧‧轉子

113‧‧‧第一葉片

115‧‧‧第二葉片

117‧‧‧隔膜

119‧‧‧轉軸

121‧‧‧馬達

123‧‧‧外殼

211‧‧‧外殼

213‧‧‧隔膜

215a‧‧‧支柱

215b‧‧‧支柱

311‧‧‧接觸表面

315‧‧‧托架

411‧‧‧高能量輻射

511‧‧‧高能量輻射發射

513‧‧‧高能量輻射發射

611‧‧‧轉子

613‧‧‧托架

615‧‧‧接觸表面

617‧‧‧葉片

619‧‧‧分離件

710‧‧‧轉子結構

711‧‧‧第一轉子

713‧‧‧第二轉子

715‧‧‧接觸表面

811‧‧‧轉子

813‧‧‧葉片

815‧‧‧接觸表面

911‧‧‧轉子

913‧‧‧隔膜

915‧‧‧轉軸

919‧‧‧面

921‧‧‧斜面

1111‧‧‧轉子

1113‧‧‧轉軸

1115‧‧‧接觸表面

1117‧‧‧凸緣

1119‧‧‧豎壁

1211‧‧‧轉軸

1213‧‧‧底座

1215‧‧‧掃掠器

1217‧‧‧正面

1219‧‧‧底座之表面

1311‧‧‧容器

1313‧‧‧容器之頂部

1315a‧‧‧匣體

1315b‧‧‧匣體

1315c‧‧‧匣體

1315d‧‧‧匣體

1317‧‧‧匣體之窗口

1411‧‧‧外殼

1413‧‧‧隔膜

1415‧‧‧轉子

1417‧‧‧轉軸

1419‧‧‧接收器

1421‧‧‧磁性驅動器

1511‧‧‧轉子

1513‧‧‧轉軸

1515a‧‧‧臂

1515b‧‧‧臂

1515c‧‧‧臂

1515d‧‧‧臂

1517‧‧‧中心區域

1519‧‧‧面

圖1圖解說明根據本發明之態樣之一高能量輻射產生器。

圖2進一步圖解說明根據本發明之態樣之一高能量輻射產生器。

圖3圖解說明根據本發明之態樣之一進一步高能量輻射產生器之部分。

圖4係展示藉由諸如圖1之裝置之一裝置產生之能量之能譜之一圖表。

圖5係展示相對於諸如圖1之裝置之裝置之不同葉片產生之能量之分量之一圖表。

圖6圖解說明根據本發明之態樣之一進一步高能量輻射產生器之部分。

圖7圖解說明根據本發明之態樣之一進一步高能量輻射產生器之部分。

圖8圖解說明根據本發明之態樣之一進一步高能量輻射產生器之部分。

圖9圖解說明根據本發明之態樣之一進一步高能量輻射產生器之部分。

圖10圖解說明圖9之裝置之部分之一側視圖。

圖11圖解說明用於圖9之裝置之一進一步轉子。

圖12圖解說明用於圖9之裝置之一又進一步轉子。

圖13圖解說明根據本發明之態樣之一呈陣列排列裝置。

圖14圖解說明根據本發明之態樣之具有外部驅動機構之一高能量輻射產生器。

圖15圖解說明根據本發明之態樣之一進一步高能量輻射產生器之部分。

本發明之實施例提供一種有用於產生高能量輻射之裝置。在一 些實施例中，該裝置係包含一材料及一物體之一高能量輻射產生器。當存在一電子標靶時，該物體經組態以抵著該材料之一表面掃掠或擦刷，而在該材料與該物體之間導致滑動摩擦接觸，其中該材料之表面之至少一部分上方之滑動摩擦接觸隨時間非連續。該電子標靶在許多實施例中係一金屬或一金屬合金，且該電子標靶可為該物體之部分，例如在該物體之一表面上。該材料及該物體係在一受控流體壓力環境中，大體上在一低壓環境中。該受控流體壓力在許多實施例中小於1大氣壓，在一些實施例中為100mTorr或約100mTorr，在一些實施例中小於100mTorr，在一些實施例中小於50mTorr，在一些實施例中小於1mTorr，且在一些實施例中小於0.001mTorr。

圖1圖解說明根據本發明之態樣之一高能量輻射產生器。在圖1之實施例中，一轉子111在一外殼123之一低壓環境中旋轉。如圖1中圖解說明，該轉子包含一第一葉片113及一第二葉片115。該第一葉片及該第二葉片之一表面包含呈(例如)元素或合金形式之至少一金屬，其中在各種實施例中，各葉片之至少一金屬係不同金屬或在不同金屬合金中。該第一葉片及該第二葉片係在連接至該轉子之一轉軸119之相對側上。例如藉由耦合該轉軸之一馬達121之旋轉，該轉軸之旋轉引起該轉子旋轉。

在一些實施例中大體上與接地電隔離且由一電絕緣體形成之一隔膜117靠近該轉子，其中該隔膜相對於該轉子定位使得在該轉子旋轉期間，該等葉片抵著該隔膜擦刷。當該等葉片抵著該隔膜擦刷時，該等葉片與該隔膜滑動摩擦接觸。因此，隨著該轉軸旋轉，各葉片接近該隔膜，抵著該隔膜之一部分擦刷，而在該葉片與該隔膜之部分之間導致滑動摩擦接觸，且後退遠離該隔膜。在該外殼內提供之低壓大氣壓中，該滑動摩擦接觸或可能更準確地一區域上方之滑動摩擦接觸(後續該區域上方缺少該接觸)導致發射高能量輻射(例如x光)。

該隔膜及該轉子皆位於具有一至少部分抽空大氣壓之外殼123中。在許多實施例中，該外殼包含容許自該外殼逸出相當多或大量高能量輻射(例如x光)之至少一部分。在一些實施例中，容許逸出高能量輻射之外殼之部分係對x光實質上透通之外殼之一部分，例如該外殼中之一窗口，且在許多實施例中，該窗口可經定位靠近該隔膜及/或實質上平行於該隔膜。在一些實施例中，該窗口經結構化以準直高能量輻射之射束。在許多實施例中，該外殼將包含容許藉由(例如)自該外殼抽空氣體控制該外殼中氣體的存在之至少一埠。此外，在許多實施例中，尤其考慮由該轉子與該隔膜之間的研磨接觸所致的潛在氣體輸出，該外殼亦將含有輔助維持該外殼內之一低壓環境之一吸氣材料。又，在圖1中圖解說明之實施例中，該外殼具有一長方體形狀，但是在各種實施例中，該外殼可為一不同形狀。此外，如圖1中圖解說明，馬達係在該外殼內。在替代性實施例中，馬達係在該外殼外側，其中(例如)轉軸行進穿過該外殼之一壁。

在一些實施例中，與該隔膜滑動摩擦接觸之葉片之部分具有一金屬或金屬合金之一表面。在與該隔膜滑動摩擦接觸之部分附近且預期當葉片未與該隔膜接觸時在該隔膜附近之葉片之其他部分具有另一金屬或金屬合金之一表面。

在一些實施例中，利用一捲軸隔膜。例如，在一些實施例中，該隔膜係耦合至可為捲軸之支柱，其中該隔膜具有一多餘長度，而容許在(例如)該隔膜之部分歸因於與轉子滑動摩擦接觸而磨損之事件中捲開該隔膜之未使用部分。

圖2圖解說明根據本發明之態樣之一進一步高能量輻射產生器。該進一步高能量輻射產生器類似於圖1之裝置，且因此包含圖1之裝置之轉子111(其係藉由馬達121而引起旋轉)，其中該轉子之葉片抵著一隔膜之一隔膜213擦刷。如在圖1之源中，該轉子、該隔膜及該馬達係 在具有一至少部分抽空大氣壓之一外殼211內。然而，該外殼211具有一圓柱形形狀。使用一圓柱形外殼可能係有利於的，這係因為(例如)圓柱形形狀對其等之間可張開該隔膜之支柱215a、215b提供接觸點，同時仍在該隔膜後面提供空隙以用於歸因於與該轉子之葉片接觸而張開及/或延伸該隔膜。

圖3圖解說明類似於圖1之實施例之一進一步實施例之部分。在圖3之實施例中，該馬達121引起具有如相對於圖1論述之相對葉片113、115之轉子111旋轉。在操作中，轉子之旋轉導致該等葉片抵著安裝在一托架315中之一接觸表面311擦刷。因此，該接觸表面311可代替圖1之裝置之隔膜。

圖4係展示藉由諸如圖1之裝置之一裝置之操作產生之高能量輻射411之能譜之一圖表，其中葉片之一者具有包含鉛之一表面且葉片之另一者具有包含鉭之一表面。圖5展示一類似圖表，其中分離指示歸因於包含鉛之葉片與接觸表面之互動的高能量輻射發射511及歸因於包含鉭之葉片與接觸表面之互動的高能量輻射發射513，其中基於發射時間計算發射之分離。

圖6圖解說明類似於圖1之實施例之一進一步實施例之部分。經圖解說明之部分包含大體上將在具有驅動該轉子旋轉之一驅動系統之諸如圖1之外殼之一外殼中之一轉子及一接觸表面。在圖6之實施例中，一轉子611包含藉由分離件(例如與一葉片617相鄰之一分離件619)分離之複數個葉片，例如包含該葉片617之四個葉片。該轉子經定位使得該轉子之旋轉導致該等葉片抵著一接觸表面615擦刷。如圖6中圖解說明，該接觸表面係一托架613之部分或安裝在該托架613中。在一些實施例中，該等分離件係缺乏材料之間隙。在一些實施例中，該等分離件係用不同於該等葉片之材料或不同於該等葉片之表面上之材料之一材料填充。例如，該等葉片之表面上之材料可包含一金屬或 金屬合金，且該接觸表面之材料可為一電絕緣材料。

圖7圖解說明類似於圖1之實施例之一進一步實施例之部分，其中經圖解說明之部分與圖6中相同。在圖7之實施例中，一轉子結構710係由相對於彼此堆疊之多個轉子形成。一第一轉子711包含兩個相對葉片。一第二轉子713包含三個葉片，其中該三個葉片之各者具有分開120度之一中心軸。該轉子結構經定位使得該等葉片抵著一接觸表面715擦刷。該轉子之葉片包含一金屬，且該接觸表面包含一電絕緣體，或反之亦然。

圖8圖解說明類似於圖1之實施例之一進一步實施例之部分，其中經圖解說明之部分與圖6中相同。在圖8之實施例中，一轉子811具有藉由缺乏材料之間隙分離之四個葉片，例如葉片813。該轉子經定位使得該等葉片擦刷一接觸表面815。正如其他實施例，該等葉片或該接觸表面係一金屬或一電絕緣材料，其中該等葉片或該接觸表面之另一者係相反的。

圖8圖解說明根據本發明之態樣之一進一步實施例之部分。圖8中圖解說明之部分在大部分實施例中係在提供一在大部分實施例中低於大氣壓力環境之一受控流體壓力環境之一外殼內。

在圖9中，一隔膜913與一轉子911之一面919之一部分接觸。該轉子係藉由一轉軸915耦合至一馬達以引起該轉子旋轉，但是在各種實施例中，可使用其他驅動系統以引起該轉子旋轉。該隔膜及該面與該隔膜接觸之部分大體上垂直於該轉子之一旋轉軸，在一些實施例中，該旋轉軸與該轉軸之一軸重合。該隔膜在大部分實施例中係一電絕緣材料，且在一些實施例中可為一聚合物材料。在大部分實施例中，該隔膜或該隔膜與該轉子接觸之至少部分以其他方式與接地絕緣。該轉子之面與該隔膜接觸之部分在大部分實施例中係金屬的，包含一金屬或一金屬合金。

該轉子之面包含一表面不連續性，其中該表面不連續性呈遠離該面與該隔膜接觸之部分傾斜之一斜面921之形式。在操作中，該轉子之旋轉導致該轉子之面與該隔膜接觸之部分跨該隔膜之表面之區域而掃掠。如可參見(例如)圖10之對應側視圖，對於該隔膜之表面之區域，該轉子與該隔膜之間的接觸係間歇性的，這係因為該轉子之面上的斜面大體上未接觸該隔膜。該斜面包含一金屬表面，且可大體上用作高能量輻射之產生中之一電子標靶。該金屬表面可為不同於該轉子之面與該隔膜接觸之部分之一金屬或金屬合金。該斜面用作對藉由該轉子與該隔膜之間的滑動摩擦接觸產生之摩擦起電電荷進行放電之一電子標靶，選擇斜面之不同金屬表面可有利於判定所產生的高能量輻射之特性。

圖11圖解說明根據本發明之態樣之一進一步轉子1111，其中一轉軸1113自該轉子之一後端延伸以指示該轉子之一旋轉軸。該轉子在該轉子之一面上包含一接觸表面1115。在包含該轉子之一裝置操作期間，隨著該轉子旋轉，該接觸表面大體上意欲與一隔膜滑動摩擦接觸。該接觸表面在大部分實施例中係金屬的。

該轉子之面包含一階梯，其中該面之一凹陷部分形成一凸緣，該凸緣1117之一表面藉由一豎壁1119連接至該接觸表面。該凸緣之表面係金屬的。在該裝置之操作期間，咸信該凸緣之表面用作高能量輻射之產生中之一電子標靶，且更確切地可為唯一的標靶，且因此可基於選擇該凸緣之表面之各種金屬來選擇所產生的高能量輻射之特性。此外，各種實施例可在該接觸表面及該凸緣表面之表面水平之間具有不同距離，其一距離可被視為該豎壁之一高度。在此等各種實施例中，對於該凸緣之相同表面材料，不同距離可使所產生的高能量輻射產生不同量值。

圖12圖解說明根據本發明之態樣之一進一步轉子，其中一轉軸 1211自該轉子之一後端延伸以指示該轉子之一旋轉軸。圖12之轉子包含呈圓柱形形式之一底座1213。該底座之一表面1219背向自該底座之一後端延伸之一轉軸1211。展示呈一矩形盒子之形式之一掃掠器1215自該底座突起，且包含離該底座最遠之一正面1217。該正面形成一掃掠器，其在包含該轉子之一裝置之操作期間(在此期間該轉子旋轉)意欲跨一隔膜之部分而摩擦掃掠。

在大部分實施例中，該正面係金屬的。該底座之表面1219亦係金屬的，但是可為不同於該正面之一金屬或金屬合金。正如圖11之實施例，在該裝置之操作期間，咸信該底座之表面用作一電子標靶，其中電子源於由該隔膜與轉子之正面之間的滑動摩擦接觸所致的摩擦起電充電之放電。

圖13圖解說明根據本發明之態樣之一裝置。圖13之裝置包含一容器1311。該容器包含沿該容器之一端之複數個匣體1315a至1315d。該等匣體之各者包含一高能量輻射產生器，例如如本文論述，或具有如本文論述之特徵或特徵之組合。容器之一頂部1313(或在一些實施例中，該等匣體之頂部)包含各匣體之一窗口，其中匣體1315c之一窗口藉由參考數字1317識別。在大部分實施例中，對於各匣體，窗口係經定位靠近且大體上平行於該匣體之輻射產生裝置內之一隔膜。

圖13之裝置因此包含高能量輻射產生器之一線性陣列。在一些實施例中，由於包含輻射量值潛在地增加之多種原因，使用高能量輻射產生器之一陣列可能有用。然而，在各種實施例中，可使用除簡單的線性陣列之外的陣列。例如，在一些實施例中，該陣列可呈一彎曲陣列之形式，其中(例如)該陣列之元件在一些實施例中指向朝向一共同焦點且在其他實施例中指向遠離一共同焦點。類似地，在一些實施例中，利用線性陣列之多列以(例如)提供一平面或二維陣列，且此一陣列亦可呈一彎曲表面之形式。

圖14圖解說明根據本發明之態樣之一進一步高能量輻射產生器。圖14之裝置類似於圖1之裝置。因此，圖14之裝置具有經定位以藉由一轉子1415之葉片擦刷之一隔膜1413。該轉子圍繞一轉軸1417旋轉，其中該隔膜及該轉子係在一外殼1411內。然而，圖14之裝置包含不同於圖1之裝置之該轉子之一驅動機構。

圖14之裝置之驅動機構使用一磁性耦合以引起該轉子旋轉。如圖14中圖解說明，該外殼外部之一磁性驅動器1421產生一旋轉磁場，其導致磁體之對應旋轉或在該外殼內之一接收器1419內之其他旋轉。該轉軸係耦合至該接收器，且藉由該接收器引起該轉軸及因此該轉子旋轉。使用此一替代性驅動機構可有利於維持該外殼內之一受控流體壓力。

在一些實施例中，不一定提供一接收器作為一離散組件。在一些實施例中，例如相反地，磁體可嵌入轉子中或附接至轉子，其中轉子安裝至一轉軸，該轉軸在一些實施例中繼而耦合至外殼。

圖15圖解說明根據本發明之態樣之一進一步轉子1511，其中一轉軸1513自該轉子之一後端延伸以指示該轉子之一旋轉軸。該轉子包含自該轉子之一中心區域1517延伸之複數個臂1515。該等臂之面(例如面1519)意欲用作用於接觸諸如本文論述之一高能量輻射裝置之一隔膜之一接觸表面。在各種實施例中利用四個以上的臂，且在一些實施例中利用四個以下的臂。在一些實施例中，該等臂可在(例如)藉由該轉子之面界定或平行於該轉子之面之一平面中具有一曲率，且在一些實施例中，例如通常如同螺旋槳之情況，該等臂之面可彎曲。

在可充分使用圖15之轉子之高能量輻射裝置之一些實施例中，在該外殼中於該轉子後面定位一固定電子標靶，即，其中該轉子定位在該隔膜與該電子標靶之間。在一些實施例(例如，其中使用高能量輻射產生器作為一x光螢光(XRF)裝置之部分之實施例)中，該電子標 靶可為遭遇量測之一樣本。在此等實施例中，例如可使用一樣本固持器以將樣本固持在該轉子後面的位置中。樣本之此定位就可使用電子激發的x光螢光而言可能有利，而潛在地容許高於x光激發的x光螢光之量測精確度。

因此，雖然已相對於各種實施例論述本發明，但是應認知本發明包括藉由本揭示內容支持的新穎且非顯而易見申請專利範圍。

111‧‧‧轉子

113‧‧‧第一葉片

115‧‧‧第二葉片

117‧‧‧隔膜

119‧‧‧轉軸

121‧‧‧馬達

123‧‧‧外殼

Claims (34)

1. 一種有用於產生高能量輻射之裝置，其包括：一外殼，其包含用於至少部分抽空該外殼之大氣壓之至少一埠，該外殼之至少一部分對高能量輻射實質上透通；該外殼內之一第一物體；及該外殼內之一第二材料，該第二材料與接地絕緣；該第一物體之至少部分或該第二材料之至少部分可相對於彼此移動以在該第一材料與該第二材料之間產生一滑動摩擦接觸。
2. 如請求項1之裝置，其中該第二材料包括一電絕緣材料且該第一物體包含提供用於產生高能量輻射之一電子標靶之至少一金屬表面。
3. 如請求項2之裝置，其中該至少一金屬表面或該第二材料之一者之至少部分可相對於彼此移動以在該二者之間產生摩擦接觸。
4. 如請求項2之裝置，其中該第一物體包括一轉子。
5. 如請求項4之裝置，其中該轉子可相對於該第二材料移動以在該轉子與該第二材料之間產生摩擦接觸。
6. 如請求項5之裝置，其中該轉子之該至少一金屬表面之至少部分係在可移動以與該第二材料摩擦接觸之該轉子之一部分上。
7. 如請求項5之裝置，其中該轉子之該至少一金屬表面之至少一者係在非可移動以與該第二材料摩擦接觸之該轉子之一部分上。
8. 如請求項7之裝置，其中該轉子之該至少一金屬表面之該至少一者提供用於產生高能量輻射之一電子標靶。
9. 如請求項5之裝置，其中該至少一金屬表面包括至少兩個金屬表面。
10. 如請求項9之裝置，其中該轉子包含至少兩個葉片，其中該至少兩個金屬表面之一第一表面係在該至少兩個葉片之一第一葉片上，且該至少兩個金屬表面之一第二表面係在該至少兩個葉片之一第二葉片上。
11. 如請求項10之裝置，其中該第一金屬表面包含一第一金屬且該第二金屬表面包含一第二金屬，該第一金屬與該第二金屬係不同金屬。
12. 如請求項4之裝置，其中該轉子包含至少一磁體。
13. 如請求項12之裝置，其進一步包括該外殼外部之一磁性驅動總成。
14. 如請求項4之裝置，其進一步包括耦合至該轉子之一轉軸。
15. 如請求項14之裝置，其中該轉軸係耦合至該外殼。
16. 如請求項14之裝置，其中該轉軸係耦合至一馬達。
17. 如請求項1之裝置，其中該電絕緣材料係呈一隔膜之形式。
18. 一種高能量輻射產生裝置，其包括：一外殼，其正常可密封以提供一受控流體壓力環境；安裝在該外殼內之一隔膜；及一轉子，其旋轉地安裝在該外殼內使得該轉子之至少一部分可抵著該隔膜之至少一部分滑動；其中該隔膜之該部分及該轉子之該部分之至少一者包含與接地絕緣之一材料，且該隔膜之該部分及該轉子之該部分之另一者包含一導電材料。
19. 如請求項18之裝置，其中該導電材料係一金屬。
20. 如請求項18之裝置，其中該轉子之該部分包含實質上正交於該轉子之一旋轉軸之一部分。
21. 如請求項20之裝置，其中該轉子包含面朝該隔膜之一面，該面 之至少一部分經定位與該隔膜滑動接觸，該面具有至少一表面，水平不連續性。
22. 如請求項21之裝置，其中該面中之該表面水平不連續性提供遠離經定位與該隔膜滑動接觸之該面之該部分之一表面。
23. 如請求項22之裝置，其中該面下方之該表面包含一金屬。
24. 如請求項23之裝置，其中該面下方之該表面提供用於產生高能量輻射之一電子標靶。
25. 如請求項24之裝置，其中該高能量輻射包括x光。
26. 如請求項21之裝置，其中該面中之該表面水平不連續性提供一凸緣。
27. 如請求項21之裝置，其中該面中之該表面水平不連續性形成一斜面。
28. 如請求項18之裝置，其中該轉子之該部分包含實質上平行於該轉子之一旋轉軸之一部分。
29. 如請求項28之裝置，其中該轉子之該部分包括該轉子之至少一葉片之部分。
30. 如請求項28之裝置，其中該轉子之該部分包括該轉子之至少兩個葉片之部分。
31. 如請求項30之裝置，其中該轉子之該部分包含至少一金屬。
32. 如請求項30之裝置，其中該至少兩個葉片之一第一葉片包含一第一金屬且該至少兩個葉片之一第二葉片包含一第二金屬。
33. 如請求項30之裝置，其中該至少兩個葉片包括至少四個葉片。
34. 一種產生高能量輻射之方法，其包括：抵著一第二材料之一表面之一區域擦刷一第一材料，該第一材料與該第二材料係不同材料，該第二材料與接地絕緣；在一低壓環境中，自該第二材料之該表面靠近包括一金屬表面之一電子標靶之區域移除該第一材料。