TW201207443A - Optical arrangement in a microlithographic projection exposure apparatus - Google Patents

Description

201207443 六、發明說明： 【交互參照之相關申請案】 本發明主張2009年9月30日申請之德國專利申請案 10 2009 045 163.3號的優先權。此案的内容結合於此作為參 考。 【發明所屬之技術領域】 本發明關於在微影投射曝光裝置中之光學配置(optical arrangement) ° 【先前技術】 微影用於產生微結構組件（microstructured component)，範例如積體電路或液晶顯示器(LCD)。微影製 程實施於所謂的投射曝光裝置，其具有照射系統 (illumination system)及投射物鏡(projection objective)。於此 狀況下，利用照射系統照射的光罩(mask)(=遮罩㈣丨也))影 像藉由投射物鏡投射到基板(substrate)(例如石夕晶圓），基板塗 有感光層(light-sensitive layer)(光阻(photoresist))並設置在投 射物鏡的影像平面(image plane)，以轉移光罩結構到基板上 的感光塗層。 於針對EUV範圍（亦即波長例如約13mn或約7nm)設計 的投射物鏡中，因為缺乏適用的透光折射材料，所以反射鏡 (mirnn·)用作為成像程序的光學組件。尤其在高孔徑 (high-aperture)投射物鏡中（例如數值孔徑㈣⑽^如哪加叫 值大於0.4)，在晶圓及設置較靠近晶圓的反射鏡之間需要有 小^距(spacing)(例如在2〇_5〇mm範圍），使得反射鏡必需相 當薄（亦即具有直徑對厚度的高比例值，例如10或以上）。 以這種薄反射鏡而言，實際上會發生例如因為重力、或 201207443 裝設(mounting)或塗佈(coating)效應所造成的不利表面變形 (surface deformation)現象的問題。關於此點，寄生(p廳说) 力矩(moment)或力所造成的反射鏡變形現象，或干擾靜態定 性(status definiteness)的力矩或力，已達到反射鏡容許的總表 面變形的例如50%的大小程度。 實務上的另一個要求為增加反射鏡的尺寸，其涉及到增 加數值孔徑，以符合要求的規格，而需要實施增加的自然頻 率，方面即使在發生外部震動時能剛性地維持光學元件 (optical dement)相對於彼此的位置，另一方面提供足夠勁度 (stiffness)，其係有關於通常在拋光操作後因鎖固反射鏡而產 生的寄生及質量相依（mass-dependent)力矩或干涉力 (interference force) ° 於此狀況下，且此亦關於反射鏡的位置不是在投射物鏡 中影像平面側(image plane side)的最後位置，發生的問題在 於當反射鏡直控相當大時，可得自然頻率的限制是與反射鏡 厚度無關。具體而言’例如在具有6個反射鏡之euv投射 物鏡所得的自然頻率，遠不足以充分抑制外部震動的干擾影 響以達到所需的覆蓋規格。 ~ 已知許多利用解耦元件(decoupling element)的方案，解 決與施加到光學元件（例如反射鏡或透鏡）的機械應力 (mechanical stress)有關的問題。 關於此點’尤其已知提供動態三點配置的解耦元件，以 利用二點清楚界定的平面達到位置良好的再現性 (reproducibility)。 WO 2005/054953 A2揭露投射物鏡中光學元件之支托 配置(holding arrangement) ’其中在支托器（h〇丨der)及光學元 件之間提供加強元件(reinforcing element)，其熱膨脹係數實 質對應光學元件的熱膨脹係數。 201207443 由US 2009/0122428 A1已知投射曝光裝置的光學元件 设§十成降低熱引致的變形現象（thermally inducted deformation phenomena) ’針對此目的亦應用具有凸肋結構 (ribbed structure)的校正板(correction plate)到反射鏡的背側。 【發明内容】 本發明之一目的在於提供微影投射曝光裝置中的光學 配置，其甚至具有較高的數值孔徑以降低或避免因為發生在 光學元件之寄生力或力矩造成的成像性質上的不利效應 (detrimental effect) ° 此目的根據申請專利範圍獨立項的特徵而達成。 根據本發明之觀點，一種於微影投射曝光裝置中之光學 配置，包含： 至少一光學元件；以及 支撐元件(support element)，用於光學元件， 其中光學元件及支撐元件利用至少三個解耦元件連接 在一起；以及 其中遠些解耦元件與光學元件及支禮元件整體地 (monolithically)形成。 因此，根據第一觀點，本發明是基於產生解耦元件，其 用於整體地_光學元件與周遭載置結構(⑽收stmct·) 之概念，亦即與如同光學元件之一個相同材料塊或其光學有 效表面(optically effective surface)(例如玻璃材料，如石英玻 i^(Si02)、ULE、Zerodur〇、或 Clearceram®)解耦，亦即在 恰恰不是分開的接合步驟或利用任何連接技術(例如用化學 品、黏著劑、夾持連接(clamping c〇nnecti〇n)等）將解耦元件 應用到光學元件。因此’可避免例如無著_接及硬化以 及在真空條件下連接之不穩定性有_㈣(linkage)及應 201207443 力效應。 支撐元件在光學元件及投射曝光裝置的載置結構之間 知供"面’其中因為二點解搞效應(three-point decoupling effect)，所以支撐元件及光學元件之間沒有勁度傳遞。 根據本發明在製造技術方面，與解耦元件的整體組態 (monolithic configuration)有關增加的複雜度及費用是刻意 接受的’不論大反射鏡尺寸或小反射鏡厚度，以對應地降低 寄生力矩或力，並考量達到的勁度。 因此於本發明的配置中，尤其可提供足夠薄又有足夠勁 度的反射鏡，其中因為整體組態，而使得利用例如黏著劑及 應力的接合技術(joining technology)變成多餘的。 根據本發明上述觀點，解耦元件與支撐元件係整體地形 成，使得在解耦元件與支撐元件之間不必應用接合技術，且 可免除施加應力。本發明不限於此組態，本發明亦欲涵蓋尤 其是EUV微影的微影投射曝光裝置實施例，其中僅在光學 元件與解耦元件間有整體組態，亦即解耦元件與支撐元件之 間利用分開的接合技術達到接合。 一於一實施例，支撐元件利用裝設元件連接到微影投射曝 光裝置的載置結構，其巾該些裝設元件設置成相對於該些解 搞元件而在外圍方向(peripheral directi〇n)位移。 元件於光學元件與支撐元件間提供連接的方面丄= 70件與載置結構間形成連接之裝設元件的位移，所以達到光 學元件(例如反射鏡)與載置結構的解耦改善。 以此方式，當裝設元件或載置結構的耦接位置(c⑽沖 疋6又置在與接合位置(j〇ining lc)catic)n)或解轉元件 光學元件產生接觸)相距的間距增加或較佳是間距最大 ^可it-步改善寄生支托器(parasitic h〇lde⑽解搞影 a。在-方面機械上固㈣載置結構及另—方面機械上固定 201207443 合Γη置之間的最大距離提供相對長的或最 ㈣盖ί Γΐ e)，因此’任何無可避免的從載 傳遞。可受^顧接料狀學元件的應力 ==元件而是利用，他接合位 到有利的效應，例如於後所述。 之光=置本H另—觀點在於提供—種微影投射曝光裝置 載置結構； 至少一光學元件；以及 支撐元件，在至少三個接合位置附接到光學元件， 其中支撐元件裝設S件連翻載置結構； /、中垓些裝设元件設置成相對於該些接合位置而在 圍方向位移；以及 其中光學元件具有最大直徑對最大厚度的比例至少為 10。 於一貫施例，解耦元件或接合位置分別設置成於外圍方 向彼此相隔一實質固定的（substantially c〇nstant)間距。再 者，於一實施例，相對於解耦元件或接合位置，裝設元件可 分別設置成於外圍方向彼此相隔一實質固定的間距。如此在 載置結構之耦接位置以及與光學元件接觸之接合位置或解 耦元件之間可達到最大間距。 於前述方案中的實施例，解耦元件或接合位置分別相對 方:彼此在外圍方向位移120。±30。、尤其是丨2〇。±20。、更尤其 是丨20°±1〇°的角度。此外，裝設元件較佳相對於解耦元件或 接合位置分別在外圍方向位移6〇。±2〇°、尤其是6〇。±1〇°、更 201207443 尤其是60。±3。的角度。 於一實施例，支撐元件利用剛好三個解耦元件或接人位 置連接到光學元件。此組態尤其有利，當解航件或接^位 置數量的進一步增加，不會導致可達到的勁度性質或自二頻 率的改善，但是變形現象因為寄生力矩而以不利的方式'增 加。 於一實施例，裝設元件的組態為針對光學元件提供靜態 界定裝設(statically defined mounting)(其中尤其沒有支托光 學元件於其位置的多餘力（superfluous f〇rce))。針對此目的， 可以已知方式提供例如3個二腳架(bipod)作為裝設元件。選 替地，亦可有任何其他裝設配置造成光學元件的靜態界定 (static defmedness)，例如六腳裝設組態(hexap〇d m〇uming configuration) ° 於一實施例，光學元件及支撐元件是由相互具有不同熱 膨脹係數的材料所形成。以此方式，可考慮光學元件及支撐 元件例如在EUV條件下操作會發生的不同溫度上升。 於另一實施例，光學元件及支撐元件是由相同材料所形 成’尤其疋石央玻璃（Si〇2)、ULE®、Zerodur®、或 Clearceram®，藉此可最小化熱引致的變形。 於一實施例，光學元件為反射鏡。然而本發明不限於 此。於本發明中’「光學元件」一詞基本上用於涵蓋任何光 學元件，例如透鏡(lens)之折射元件(refractive element)，或 如光拇(optical grating)之繞射元件(diffractive element)。 於一實施例’支撐元件具有至少一狹槽(slot)(尤其是切 向配置(tangential arrangement)的複數狹槽），藉此在徑向提 供額外的彈性，以及可在徑向實施至少部分解耦，尤其可有 利於支撐元件與光學元件或反射鏡之間有溫度差異的案例。 於一實施例，支撐元件設置在光學元件的外側，亦即例 .201207443 如相對於光學元件之外環形式(outerring)。 於另一實施例，支撐元件亦可設置於光學元件背向光學 有效表面的那個表面。優點在於支樓元件可以較小的外形尺 寸形成（因此例如具有較小半徑的環形式），藉此節省材料(玻 璃)及減少重量。此外，支撐元件可具有較高程度的勁度。 於一實施例，光學元件具有最大直徑對最大厚度的比例 至少為5，尤其至少為1〇，尤其至少為15，更尤其至少為 20(其中直徑分別關於光學使用的表面或光作用的表面）。以 如此小的厚度，本發明尤其有利於可達到的勁度，本發明在 小厚度尤其有用。 於一貫施例，光學元件具有中心孔(centralh〇le)。 於-實施例’光學元件具有減輕重量的手段(咖繼）。 於此狀況，可增加邊緣部(edge p〇rti〇n)以在系統之光學軸 (optical axis)的方向（亦即在厚度方向）強化(stiffen叩)光學元 件，藉此重量減輕卻實質不降低勁度。 本發明更_-種針對EUV微影之微影投射曝光裝 置’包含’系統及投射物鏡，其巾照射系統及/或投射物 鏡具有本發明上述職之光學配置。於—實施例，光學元件 可為投射物鏡之反射鏡，其係在光束路徑(啊心啦 的最後一個反射鏡。 於另-實_，辟元件可為投射物鏡設置在最靠近晶 圓的反射鏡。此外，投射物鏡可具有數值孔徑至少為、 尤其至少為0.4、尤其至少為α45、更尤其至少為q $。於此 用本發明尤其有利’如本說明書開頭部分所討論的， 和確地說是關於相當高的數值孔徑，在考量影像平面侧最後 鏡與晶圓之間所需的最小間距，反射鏡相當地薄而 使根據本發明則、厚度可達_勁度尤其有利。 此外’本發明關於—種微影投射曝光裳置中之光學配 201207443 置，包含： 載置結構； 至少一光學元件’具有最大直徑對最大厚度的比例至少 為10 ;以及 支樓元件，用於光學元件， 其中支樓元件利用裝設元件連接到載置結構；以及 其中光學元件、支撐元件、以及裝設元件之系統的自然 頻率至少為250Hz。 微影投射曝光裝置可針對小於15nm之工作波長 (working wavelength)所設計。 本發明的其他組態可由說明及所附申請專利範圍得知。 【實施方式】 首先，參考圖la-b進一步說明本發明第一實施例。 參考圖la-b’根據本發明第一實施例之光學配置1〇〇包 含反射鏡形式的光學元件110。尤其反射鏡可為針對Ευν 設計的微影投射曝光裝置之投射物鏡的反射鏡，其為凹面鏡 形式，且由圖lb可知具有用於強化反射鏡之加強部 (reinforced portion)l 15以及中心孔15〇(本發明不限於此、。 光學配置1〇〇更包含支撐元件120,其於圖la_b的實施 例中係為相對於光學元件110同心設置的外環形式。支樓元 件120利用於光學元件11 〇及支撐元件丨20之間腿狀(ieg_丨ike) 延伸的解耦元件13卜132、及133連接光學元件11〇。再者， 於此貫施例’上述加強部115形成相對於支撐元件12〇或外 環為徑向向内(radially inwardly)設置的（内）環，然而，此内 環同時是反射鏡本身的一部分。 雖然所示實施例顯示實質圓形反射鏡，但是本發明不限 於此。在此實施例中的反射鏡，在其他實施例可以是例如橢 201207443 圓形、矩形、腎形(reniform)、或三角形的幾何形狀。 解麵元件131-133足夠柔軟或有足夠彈性/所以°不合 生從支撐元件12㈣光學元件110 _形_。根據特^ 點或光學元件110及支撐元件120的尺寸，適當地 元件131-133的尺寸，其中反射鏡的典型尺寸在3〇〇至 600mm範圍之間，關於腿狀解耦元件13ι_132的長度及 之範例值可在5至20mm範圍之間。 又 ' 又 此外，光學配置 l 六·另因疋附接件（fixing attaChment)14h H2、及143，用於裝設元件(未顯示於圖 例如二腳架’藉此光學配置丨〇 〇耦接到光學系統的載置结構 (也並未顯示於圖1)。亦可利用解耦元件耦合到載置姓 配合解航件131-133，從光學元件到敍結構 ： 階段解麵(tW0-stage decoupling)。 圖la-b所示實施例的主要特徵在於’光學元件丨⑴、支 樓元件120、以及解搞元件131_133為整體的，亦即形成單 -件(㈣pi㈣或由相同材料塊產生的。適當的材料例 石英玻璃(Si02)、ULE®、Zerodur®、或 Clearceram®。 由圖1a可知，解耦元件13卜132、及133亦分別於外 圍方向位移120°。此外，相關於外部載置結構而形成連接點 (connecting point)的固定突出部(fixing f M3，不僅在外圍方向相對於彼此也位移丨⑼。，相對於沿 f外圍鄰接的解②元件13i_133也分別位移6()。，使得在給 疋條件下於各雛元件13M33與個別最近的固定突 141-143之間有最大間距。 。 上述相關配置可實施成例如圖丨a所示，其中解轉元件 1-133設置在例如「丨2」點鐘、「4」點鐘、以及％點鐘 位置，而麵賴到載置結構或光學“其餘料的固定突 出部141-143設置在支偉元件⑽的「2」點鐘、「6」點鐘、 201207443 以及「10」點鐘位置。 包含光學元件Π0或反射鏡、（整體)解耦元件13】_133、 支撐7C件120或外環、以及具有裝設元件(例如二腳架)裝設 ，，上的固定突出部141、142、及143之配置，可視為動 態系統(dynamic system)「Ml - K1 - M2 _ K2」。於此觀點，

Ml表示光學元件或反射鏡的質量(單位為kg)，K1表示解耦 元件131-133的勁度(於主要方向且單位為N/m)，M2表示支 撐元件120或外環的質量，而K2表示裝設元件或二腳架的 勁度。針對反射鏡相對於支托器所引致的寄生影響(parasitic influence)的較佳解耦，K1應儘可能的小，尤其是在寄生方 向(parasitic direction)。此外，自然頻率應高於3〇〇 Ηζ。M1 及K1的尺寸造成產生有點大於整體系統所需第一頻率的自 然頻率(Hz)，且例如可在35〇Hz及400 Hz之間的範圍。質 罝M2之「内環」（由光學元件之加強部所形成的)應具有適 當的勁度，使得作用實質像剛性體(rigidb〇dy)，其中總質量 M1+M2及K2所產生的自然頻率應實質大於3〇〇Hz及例如 超過600Hz。 如圖lc所示，狹槽161-163亦可提供於光學元件no， 以提供額外的彈性或在徑向至少部分解耦，如此在支撐元件 ，光學元件或反射鏡之間有溫度差異的案例尤其有利。於此 實施例中，可切向地(tangentially)設置或定向例如三個狹槽 161-163(尺寸在長度方面僅例如為2〇_4〇mtn)。選替地，此類 狹槽亦可設置於支撐元件丨2〇或環。 圖2顯示根據本發明光學配置2〇〇的另一實施例，其中 與圖1相近或實質相同功能的祕以參考符號加上「1〇〇 來表示。 一圖2的實施例實質與圖丨的實施例不同之處在於，支撐 兀件220相對於光學元件2丨〇或反射鏡不是外環形式，而可 12 201207443 說是徑向向内位移，其中支撐元件220設置在光學元件210 或反射鏡的背側’或在光學元件210之與光學活性表面 (optical active surface)相反的那側。 根據圖2實施例’在支撐元件220及光學元件210之間 形成連接的三個解耦元件（其中圖2只顯示一個解耦元件 231)亦相對於光學元件210或加強邊緣部(reinforced edge portion)215設置成徑向向内，其中解耦元件231-233從支樓 元件220延伸到光學元件210的加強邊緣部215。 類似於圖la-b的實施例，圖2的配置200亦提供成光 學元件210或反射鏡、支撐元件220、及解耦元件231-233 彼此為整體組態。 雖然解耦元件131-133及231-233的整體組態在圖1及 圖2的實施例中是與光學元件及支撐元件一起實施，也可有 其他實施例且應視為包含於本發明，其中整體組態僅為光學 元件及解減件的配置，亦即_元件及支撐元^之間的連 ^是利用分開的連接程序(separate c〇nnecdng ρΓ〇π^Γ 達到。 圖3a-b顯示根據本發明光學配置3〇〇之另一實施例， ，中與圖i相近或實質相同魏的元件轉考符號加上 2()0」來表示。 形式學配置Γ包含再次為反射鏡(於此為凸面: 用學7°件31G ’其附接到外環形式的支撐元件320， 或反ί/ίΓ接合位置331、332、333強化光學元件31〔 中這些接合位置331、332、333類⑽® 1之 1-133係相對於彼此分別在外圍方向位移12〇。。 是利用、敕If圖1的實施例，在接合位置33丨如的連接不 序，用適當的連接或接合程 】用_射紅接或黏者接合形式。單純舉例而言，接 201207443 置的尺寸可在5 mm * 5rnm的大小等級(本發明不限於 ，於此實質為平的連接(flat connection)，且撓曲應力 ΓΓΓ1 st職細1及2的實施例還低，這樣小的截^積 圖3a-b的組態特別適合於裝設反射鏡於投射物鏡，此 2鏡於影像平面側是最後的或設置成緊鄰在晶圓之前。由 ^造工程處理或拋光觀點，在涉及整體解耗元件存在的案例 中’類似於圖1及圖2的實施例，反射鏡會非常複雜並昂貴。 再者，類似於圖1的實施例，相關於裝設元件(未顯示 於圖3)例如二腳架(藉此裝設元件，光學配置300耦接到光 學系統的載置結構(亦未顯示於圖3a_b))，連接點34卜342、 及343 —方面也相對於彼此在外圍方向位移12〇。，，而另一 方面也分別相對於分別沿著周圍相鄰的接合位置幻卜^2、 333在外圍方向位移6〇。，使得在給定條件下，在各接合位 置33卜332、333及最近相鄰的連接點341_343或裝 之間提供最大間距。 一如圖4所示，狹槽461等亦可提供於支撐元件42〇或 環，以達到解耦效應，例如為了考量在Euv條件的操作下， 一方$反射鏡及另一方面支撐元件或環的不同溫度上升。具 體而s，可切向地設置或定向三個狹槽(尺寸在長产 方面僅例如為20-40mm) ’其作用類似於三重二腳架(出二 bipod) ’且可在鏡平面提供足夠的動性勁度 stiffness)。 就光學配置範例的兩個實際實施例而言，表丨顯示兩個 不同反射鏡尺寸的特徵值(characteristic value)(範例1 :最大 鏡厚度或高度17.5irmv範例2:最大鏡厚度或高度〖=25 咖）’其中形成支撐元件320的環尺寸為環寬度(亦即外徑 與内徑的差異）a = 30_ ’以及環高度h = 6〇_，且材料 201207443 選擇為相同(石英玻璃，Si02)。 由表1可知，針對範例1及範例2兩者而言，第一自然 頻率的值(例如就包含反射鏡、支撐元件或環、以及二腳架 組(bipod set)形成配置基本之系統而言)接近4〇〇Hz，而質量 值（就包含反射鏡及支撐元件或環的配置而言）明顯低於 10kg，此外範例2中重力造成的變形值是低於5〇〇nm。表】 也表示針對徑向力矩(radial moment)與切向力矩(tangential moment)於發展藉由任尼克多項式(Zemike p〇lyn〇mial)而得 到的變形時的一些任尼克係數(Zernike c〇effldent)，其中沒 有例外地，達到低於0.5nm的所需值，且其中根據範例2涉 及較大厚度的反射鏡，仍然幾乎沒有任何變形現象。寄生力 矩也來自於二腳架組，其形成例如具有一般裝設及製造公差 的基本組態。 圖5為顯示針對EUV製程操作所設計且可實施本發明 之微影投射曝光裝置的示意圖。 圖5的投射曝光裝置具有照射系統6及投射物鏡31。 照射系統6在光源2所發射之照射光3的光傳播路徑上包含 集光器(collector)26、濾光器(Spectrai f|iter)27、場面反射鏡 (field facet mirror)28、以及曈面反射鏡（pupii facet mirror)29 ’光由此入射到設置在物件平面(〇bject piane)5的 物場(object field)4。來自物場4的光通過具有入射瞳 30(entmnCe pupil)之投射物鏡3丨。投射物鏡3丨具有中間影像 平面（intermediate image plane)17、第一瞳平面（pupil plane)16、以及具有孔徑元件(aperture member)2〇設置於其 中的另一瞳平面。 投射物鏡3丨包含總共6個反射鏡M1-M6，其中M5表 示設置成隶接近晶圓或影像平面9的反射鏡(於此實施例間 距為dw » 30 mm) ’其具有通孔(thr0Ugh hole) 19。M6表示在 201207443 光束路徑的最後一個反射鏡，其具有通孔18。從物場4或 設置在物件平面的遮罩發出的光，在反射鏡M1-M6反射而 產生遮罩所要成像的結構的影像後，到達設置在影像平面9 的晶圓。 在光束路徑的最後一個反射鏡M6(具有相對最大的半 徑)可具有根據本發明例如類似於圖丨及2實施例的組態。 最接近晶圓或影像平面9的反射鏡M5可具有根據本發明類 似於圖3及圖4的組態(在該位置有小結構空間）。 即使本發明參考特定實施例來說明，但是熟此技藝者顯 =可藉由例如結合及/或交換個別實施例的特徵而得知許多 變化及選替實施例。因此，熟此技藝者應了解賴變化或選 替實施例亦包含财剌，且本發明之料僅㈣附之 專利範圍及其均等物限制。 表1: 質 曰 第一自 lg的 具有徑向寄生力矩 具有切向寄生力矩 範例 量 然頻率 變形 之負載狀況的任尼 之負載狀況的任尼 克係數 克係數 [kg] [Hz] [nm] [nm] [nm] Z5 Z6 Z10 Z5 Z6 Z10 1 6.32 382 ------— 1114 0.24 0.14 0.02 0.00 0.24 〇 14 〇 02 Γ\ r\r\ 2 7.69 360 496 0.00 0.06 0.00 0.02 0.01 〇 〇2 0 01 W.UU ------ Π Γ\Α υ.υι 【圖式簡單說明] 圖丨a-b顯示 之架構的示意圖 根據本發明實施例配置（圖丨a)及戴面（圖 lb) 16 201207443 圖lc顯示根據本發明另一實施例之配置的平面示意 圖； 圖2顯示明本發明另一實施例之透視示意圖； 圖3a-b顯示本發明另一實施例之透視示意圖； 圖4顯示本發明另一實施例之細節示意圖；以及 圖5顯示針對EUV設計之微影投射曝光裝置之示意圖。 【主要元件符號說明】 2 :光源 3 :照射光 4 .物場 5 :物件平面 6 :照射系統 9 :影像平面 16 :第一瞳平面 17 :中間影像平面 18 :通孔 19 :通孔 20 :孔徑元件 26 :集光器 27 :濾光器 28 :場面反射鏡 29 :瞳面反射鏡 30 :入射瞳 31 :投射物鏡 100、200、300、400 :光學配置 110、210、310、4丨0 :光學元件 115、215 :加強部 201207443 120、220 ' 320、420 :支撐元件 131-133、231-233 :解耦元件 141、142、143 :固定附接件 150、250、350 :中心孔 16 卜 162、163 :狹槽 331、332、333 :接合位置 34卜342、343 :連接點 461-463 :狹槽 M1-M6 :反射鏡 dw :間距 18

Claims (1)

1. 201207443 七、申請專利範圍： 1. 一種於微影投射曝光裝置中之光學配置，包含： 至少一光學元件；以及 一支撐元件，用於該光學元件， 其中該光學元件及該支私件·至少三個解輕 接在一起；以及 、其中該些解耦元件與該光學元件及該支撐元件整體地护 成0 / 如申請專利範圍第1項所述之光學配置，其特徵在於：該支 撐70件利用多個裝設元件連接到該投射曝光裝置的—載置結 構’其中該些裝設元件設置成相對於該些解耦元件而在一 ^ 方向位移。 ^如申請專利範圍第1或2項所述之光學配置，其特徵在於： °亥光學元件具有最大直徑對最大厚度的比例至少為10，尤其至 少為15，更尤其至少為2〇。 4·—種微影投射曝光裝置之光學配置，包含： 一載置結構； 至少一光學元件；以及 一支撐元件，在至少三個接合位置附接到該光學元件， 其中該支撐元件利用多個裴設元件連接到該載置結構； 其中該些裝設元件設置成相對於該些接合位置而在一外 圍方向位移；以及 其中該光學元件具有最大直徑對最大厚度的比例至少為 10 〇 19 201207443 5·如申請專利範圍第4項所述之光學配置，其特徵在於：該光 學元件具有最大直徑對最大厚度的比例至少為15，尤其至少為 20 ° ...... 6. 如申請專利範圍前述任一項所述之光學配置，其特徵在於： 該些解搞元件或該些接合位置分別設置成彼此相隔一間距該 間距於該外圍方向為實質固定。 7. 如申請專利範圍第2至6項任一項所述之光學配置，其特徵 在=·相對於該些解耦元件或該些接合位置，該些裝設元件分 別设置成彼此相隔一間距，該間距於該外圍方向為實質固定。 專鄕圍前述任—項所狀光學配置，其特徵在於： 件或該f接合位置分_對於彼此在—外圍方向位 一、尤其是120°±20。、更尤其是12〇。±1〇。的角度。 触-顿狀光轨置，其特徵 在-外圍方二60。+2:該+些，元。件或該些接合位置分別 的角度。 —、尤其是60。±10°、更尤其是60。土3。 丨丨·如申請專利範圍第2至 徵在於：該些裝設元件組 貞任—項所述之料配置，其特 裝設。 〜成十對該光學元件提供一靜態界定 20 S 201207443 α如申請#41 u項任—項域之光學配置，其特 =在於·絲學（件及該切元件是由相互具有不同熱膨服係 數的材料所形成。 專利範®第1至11項任—項所述之光學配置，其特 ' …彡光學70件及該支撐元件是由相同材料所形成。 申Λ糊朗前述任—項所狀光學配置，其特徵在於： ^^子①及^支撐元件是由熱膨脹係數小於心卯魏的材 =形成’尤其是石英玻璃(Si〇2)、ULE@、Zemdur⑧ Clearceram®。 如申明專利範圍前述任一項所述之光學配置，其特徵在於： 該光學元件為一反射鏡。 ' =6.如^申明專利範圍前述任一項所述之光學配置，其特徵在於： 該支撐元件及/或該光學元件具有至少一狹槽 ，造成在一徑向至 少部分解搞。 ^7.如申晴專利範圍前述任一項所述之光學配置，其特徵在於： 該支撐元件設置在該光學元件的外側。 18.如申請專利範圍第1至16項任一項所述之光學配置，其特 啟在於：該支撐元件設置於該光學元件背向一光學有效表面的 那側。 丨9·如申请專利範圍前述任一頊所述之光學配置，其特徵在於·· 21 201207443 該光學元件具有一中心孔。 20. 、，如申請專利範圍前述任一項所述之光學配置，其特徵在於. 該光學元件具有一加強邊緣部，用以強化該光學元件。、. 21. —種針對EUV微影之微影投射曝光裝置，包含—照射 及二投射物鏡’其巾該照射系統及/或該投射物鏡具有如申梦衷 利範圍前述任一項所述之光學配置。 °月 22.- 種針對EUV微影之微影投射曝光裝置，包含—照射 及才又射物鏡，其中該照射系統及/或該投射物鏡具有一光^西 置’其中該光學配置包含： 至少—光學元件，係為一反射鏡；以及 —支撐元件’用於該反射鏡， 在一起其U 反射鏡及該支樓元件利用至少三個解輕元件連接 其中該些解耦元件與該反射鏡整體地形成。 翻第21或22項所述之微影投射曝光裝置，其 ^錢學元件為該投機鏡在光束路徑巾最後的反射 特圍第21或22項所述之微影投射曝光裝置，其 =距:=件為相對於該投射物鏡之-影像平面設置 2置5.，範圍第2丨至24項任1所述之微影投射曝光裝 置八特欲在於：該投射物鏡具有一數值孔經至少為0.3、尤其 22 201207443 至少為〇.4、尤其至少為。45、更尤其至少為。5。 26.如申請專利範圍第2 置，其特徵在於：項任—項所述之微影投射曝光裳 曝光裝置的-载^多個裝設元件連接到該投射 解耦元件而在-外圍方向位^桃裝設錯設置成相對於該些 至少為^ 最纖的比例 2置，其27_—彡投射曝光裝 此相隔-間距，些接合位置分別設置成彼 /間距於s玄外圍方向為實質固定。 =分別設置成彼此相隔-間 n=i26至28項任—賴敎轉投射曝光裝 一二.、_.; 9十於邊些解輕元件或該些接合位置，該些 距，該間距於該外圍方向為 30.如申請專利範圍第22至29項任 ==該些解耦元件或該些接合位== ㈣26至3G項任—獅述之微影投射曝光裝 ί位置些裝設元件相對於該些解轉元件或該些接 刀财—外圍方向位移6〇°±2〇。、尤其是6()。±1()。、更尤 23 201207443 其是60°±3°的角度。 32.如申請專利範圍第22至3壬 置，其特徵在於:該支撐、=之微影投射曝光裝 置連接到該光學元件。 用剛好二個解耦元件或接合位 靜態界定裝設。 學元件提供- ，專利範圍第22至33項任一項所述之微影投射曝光裝 成。 一 π〜丨丁是由相同材料所形 ^其舰在於：該光學元件及糾撐 3置5.項 於0.5 ppm/K的材料所形成，尤1 :=由熱祕係數小 知咖⑧、或Clea随啦⑧尤八疋石央麵(sw⑧、 ί，項任，述之微影投射曝光裝 造=·=及峨絲元件財”一狹槽， 37.=申請專利範圍第22至36項任—項所述之微影 置’八特徵在於：該支撐元件設置在該光學元件的外側义 項任—項所述之微影投射曝光裝 Ί政在f該支私件設置於該光學元件背向一光學有 24 201207443 效表面的那側。 細22錢項任—賴述，影投射曝光裝 置，其特徵在於.·該光學元件具有一中心孔。 範，第22至39項任—項所述之微影投射曝光裝 光學^件:於.該光學元件具有一加強邊緣部，用以強化該 1·種微影投射曝光裝置中之光學配置，包含： 一載置結構； 至少一光學元件’具有最大直徑對最大厚度的比例至少為 10，以及 —支撐元件，用於該光學元件， 其中該支撐元件利用多個裝設元件連接到該載置結構； 其中該光學元件、該支撐元件、以及該些裝設元件之系統 —自然頻率至少為250Hz。 如申請專利範圍第41項所述之光學配置，其特徵在於：該 了凡件具有最大直徑對最大厚度的比例至少為5、尤其是至少 0 ’尤其至少為15，更尤其至少為20。 如申請專利範圍第41或42項所述之光學配置，其特徵在 ^忒彳政景彡投射曝光裝置係針對小於15nm之一工作波長所設 25 1¾