JP6109929B2 - リソグラフィ装置、およびミラー配列を製造する方法 - Google Patents

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関連出願の相互参照

本出願は、独国特許出願第１０ ２０１２ ２０９ ３０９．５号（２０１２年６月１日出願）および米国特許出願第６１／６５４，１７９号（２０１２年６月１日出願）の優先権を主張するものであり、これらを本明細書に参照のために援用する。

本発明は、１つまたは複数のミラー配列を備えるリソグラフィ装置、およびこのような リソグラフィ装置のミラー配列を製造する方法に関する。

例えば、リソグラフィ装置は、シリコンウエハなどの基板上のマスクにマスクパターンを結像するために、集積回路（ＩＣ）の製造において使用される。この際、照明デバイスによって生成される光線は、マスクを介して基板に導かれる。いくつかの光学素子からなる露光レンズは光線を基板に集光させる。このようなリソグラフィ装置の例として、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の露光用の光学波長で動作する、特にＥＵＶ（極端紫外線）リソグラフィ装置がある。このように短い波長により、非常に小さな構造をウエハへ結像することが可能となる。この波長範囲の光は大気に吸収されるので、このようなＥＵＶリソグラフィ装置の光路は高真空内にある。更に、上述の波長範囲において十分に透明な材料がないことから、ＥＵＶ照射を形成および誘導するための光学素子としてミラーが用いられる。

開口数の大きなＥＵＶリソグラフィ装置には直径の大きなミラーが必要である。一方で直径の大きなミラーは製造費が高く、また、低変形取付けおよび低変形駆動を一層困難なものにする。低変形取付けおよび低変形駆動を実現するために、鏡面の外部ではあるが、鏡面と同じ面にある、いくつかの取付け部を備えるミラーを使用することができる。例として、図１はこのようなミラー配列の背面図である。図１に示すラー配列１０は、その前面に反射面の設けられた楕円形のミラー基板１２を有する。隆起部１４（いわゆる「耳」）は、ミラー基板１２の周縁の３つの位置に設けられている。これらの隆起部１４はミラー基板１２と一体的に設けられる。取付け要素１６は３つの隆起部１４の後側および前側にそれぞれ設けられる。ミラーはこれら３つの取付け要素１６を介してリソグラフィ装置のフレームに取付けられる。アクチュエータは取付け要素１６とフレームの間に設けることができ、これらのアクチュエータによってミラーの位置と配向を調節することができる。

図１のミラー配列において、ミラーはミラー基板１２の外部の取付け要素１６に接続され、これらの要素から一定の間隔で離れている。接続面、すなわちミラー配列１０の取付け要素１６と隆起部１４との間の接合面は、その法線が、ミラー軸またはミラーに向けられる光線の方向に実質的に向くように配向される。この利点は、取付け要素１６をミラー配列に接続する際、法線の方向に発生する変形または接合効果が、ミラー基板１２およびミラー基板上の反射面に直接影響を与えないことである。従って、接合効果は変形から分離される。同様に、取付け力はミラー基板１２に直接作用しない。

図１に示す配列の欠点は、ミラー配列１０の重心から離れて位置する隆起部が、不適当な質量分布によってミラー配列の剛性に悪影響を与えることである。更に隆起部１４は ミラー配列１０全体の質量に寄与し、ミラー配列全体を重くし、これは動作性やミラーの動力にとっても同様に欠点である。最終的に、隆起部１４を設けることによってミラー配列１０全体の直径が大きくなる。

特許文献１（図３Ａ参照）は、比較的小さな力によってすでに変形した、比較的薄い鏡体３１０を有する光学素子を開示している。この鏡体の後ろには比較的厚い基板体３２０が配置されている。鏡体を駆動させる膨張式ブラダー３３０が鏡体と基板体との間に配置されている。この場合、光学素子をリソグラフィ装置のフレーム構造体などにどのように取付けるのかは不明なままである。

特許文献２は、投影露光装置、より詳細には半導体リソグラフィにおける投影レンズにおいて、光学素子を光学ユニット、より詳細にはミラーまたはレンズに取り付けるデバイスを開示し、当該デバイスは、光学素子の外周部に配置された少なくとも３つの連結部を有し、外周部上では連結部がそれぞれ１つの取付け装置と係合され、取付け装置は連結部と反対側の外部ベース構造に接合され、当該取付け装置は光学素子に対して接線方向に配置された少なくとも１つのリーフスプリング状の曲げ部材と、光学素子に対して半径方向に配置された少なくとも１つのリーフスプリング状の曲げ部材とを有する。

米国特許第６，８８０，９４２Ｂ２号明細書 米国特許出願公開第２００２／０１７６０９４Ａ１号明細書

かかる状況に鑑みてなされた本発明の目的は、それによって上述の課題の少なくとも１つが解消されるミラー配列を備えるリソグラフィ装置と、このようなミラー配列の製造方法とを提供することである。特に本発明の目的は、低重量を保ちながらより良好な変形分離(deformation decoupling)を提供するミラー配列を備えるリソグラフィ装置を開発することである。

本発明の一態様によれば、この目的は、前側に反射面の設けられたミラー基板と、ミラー基板の後側からミラー基板の外周に沿って延在する側壁とを有する少なくとも一つのミラー配列を備え、ミラー基板と側壁とでキャビティを画定するリソグラフィ装置によって実現することができる。ミラー配列は、複数の取付け要素によってリソグラフィ装置の構成要素に取付けられ、取付け要素の各々は接続面でミラー配列に接続され（または取付けられ）、この場合、Ｓ／Ｄ＞５の関係が接続面の内の少なくとも１つにおいて満たされ、Ｄは接続面における側壁の厚さであり、Ｓは接続面の重心からミラー基板の前側までのミラー材料を通る最短経路Ｔの長さと、ミラー基板の厚さＭとの間の差（Ｔ−Ｍ）を表す。ミラー基板の厚さＭがその表面に沿って一定であれば、Ｓは接続面の重心からミラー基板の後側までのミラー材料を通る最短経路の長さである。Ｓ／Ｄ＞１の関係は実施可能な実施形態において満たされる。更に実施可能な実施形態において、Ｓ／Ｄ＞１の関係が満たされ、この場合、Ａは、特にミラー配列の光学軸の方向の、側壁における接続面の大きさを表す。更に実施可能な実施形態において、Ｓ／Ｄ＞１．５の関係が満たされる。１つまたは複数の上述の関係を使って、接続面の側壁から鏡面まで導入される応力の広がりを低減させることができる。

ミラー基板の後側にはキャビティが設けられているので、ミラー配列の重量を決定的に低減させることができる。同時に、外周に沿って延在する側壁は、ミラーの直径が大きい場合、ミラー配列の十分な剛性を保証することができる。側壁はミラー配列の全外周に設けることができる。ミラー配列の剛性は側壁の厚さによって簡単に設定することができる。ここで「前側」とはミラー配列によって導かれる光が衝突するミラー配列の側面であり、「後側」は前側と反対側の面である。

「接続面」は、取付け要素がミラー配列に接続される（すなわち取付けられる）ミラー配列の面の領域である。

この場合、「ミラー基板の外周に沿って」とは、側壁がミラー基板の一端に直接配置されていること、つまり、例えば、ミラー基板の端部と同一平面上に配置されていることを意味する。しかしながら、「ミラー基板の外周に沿って」とは、側壁がミラー基板の端部から離れて配置されていることも意味する。側壁と端部との間の距離は一定とすることができる、すなわち、側壁をミラー基板の端部と平行に延在させることができる。しかしながら、側壁と端部との間の距離を外周に沿って変化させることもできる。更に側壁は閉ループに形成することもできるが、分割したり、局部的にブレイクスルーを設けてもよい。更に、側壁の厚さを外周に沿って一定とすることができるが、側壁の厚さを外周に沿って変化させてもよい。

本発明の更なる観点によれば、前側の少なくとも一部に反射面の設けられたミラー基板と、ミラー基板の後側からミラー基板の外周に沿って延在する側壁とを有する少なくとも一つのミラー配列を備え、ミラー基板と側壁とでキャビティを画定するリソグラフィ装置が提供される。ミラー配列は、各々が接合面でミラー配列に接続された（または取付けられた）複数の取付け要素によってリソグラフィ装置の構造要素に取付けられ、それぞれの接続面上の法線はキャビティに延在する。特に接続面の重心上の法線は、キャビティに延在してもよい。

ここで「法線」とは、表面の法線、すなわち、接続面に垂直な仮想直線である。半径方向内向きに（すなわちミラーの中心に向けて）、法線は先ず、再び側壁またはミラー基板に衝突する前にキャビティに延在する。つまり取付けおよび動作力などはこの方向でミラー基板に作用せず、力の流れは側壁で偏向される。これによって変形力の分離(decoupling)が実現される。接続面上の全ての表面の法線が少なくとも部分的にキャビティを通って延在する場合、特にそうである。構造要素は、例えばフレーム、例えばリソグラフィ装置の力を偏向させるフレームとすることができる。

取付け要素の接続面は、例えば、側壁の外側にそれぞれ配置させることができる。更にキャビティを片側、例えば後側に向けて開放させることができる。このようなキャビティは以下の文脈において「凹部」とも称する。キャビティが片側に向けて開放されている場合、重量を更に低減させることができる。

しかしながら、キャビティを全ての側面に向けて閉じることも可能である。例えば、ミラー配列に更にカバー要素を備えることもでき、このカバー要素はミラー基板の後側、側壁およびカバー要素がキャビティを画定するように側壁の上側に接合される。これによってミラー配列の剛性を増大させることができる。このようなカバー要素は、ミラー基板および側壁からなる鏡体と一体的に（すなわちモノリシックに）設けることができる、または、鏡体に接続させる別個の要素として設けることができる。

ミラー配列の重量は、カバー要素に開口部を設けることによって更に低減させることができる。更にミラーの剛性はこの開口部の大きさによって調節することができる。開口部の内径はミラー基板の直径の半分未満とすることができる。

側壁に沿った、例えば、ミラー配列の光学軸の方向に沿った接続面の幅Ａが小さい、つまり、例えばキャビティの深さＢに満たない場合、接続の変形は最初に小さく保たれ、次に適切な変形の分離が実現される。

ミラー基板の後側の端部から離してエレベーション部（elevation）を設け、側壁の内側とエレベーション部との間に環状溝を形成することができる。このようなエレベーション部Ｃも同様に、変形の分断を維持しながら鏡体の剛性を増大させる。エレベーション部の最大高さは、例えば、キャビティの深さＢの０．１〜０．８倍とすることができる。

ミラー配列の光学軸方向における接続面の幅Ａ、エレベーション部の高さＣおよび側壁の厚さＤはほぼ同等とすることができる。ここで「ほぼ同等」とは、これらの長さ間の最大偏差がこれら３つの長さの中で最も長いものの２０％以下、好適には５％以下ということである。

リソグラフィ装置のミラー配列を製造する本発明による方法は、以下のステップ、すなわち、
円盤状のカバー要素の平らな側面に取付け要素を取付けるステップと、
カバー要素の取付け領域の形状を、前側に反射面の設けられた、ミラー基板の後側からミラー基板の外周に沿って延在する、側壁の取付け領域の形状に適合させるステップと、
ミラー基板、側壁およびカバー要素がキャビティを画定するようにカバー要素を取付けるステップと
を含む。

この製造方法に従って、取付け要素を先ずカバー要素に取付け、その際、カバー要素の形状をカバー要素の取付けられる環状側壁の形状に適合させる。取付け要素のカバー要素への取付けの際に発生する可能性のある変形は、従って、これらが鏡面の幾何学的形状に影響を与えず、より正確な寸法のミラー配列が得られるように、カバー要素を鏡体に取付ける前に補正することができる。

工程において、取付け要素の取付けによって生じたカバー要素の取付け領域の変形を最初に検出し、その後検出された変形が補正されるように、カバー要素の取付け領域を処理することができる。カバー要素の取付け領域は、側壁に取付けられるカバー要素の環状端部領域とすることができる。検出された変形は研磨などによって補正することができる。

更なる例示的実施形態を添付の図面を参照して説明する。

従来のミラー配列の概略図である。 一実施形態によるＥＵＶリソグラフィ装置の概略図である。 一実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。 図１３に示すミラー配列を製造する方法の概略図である。 更なる実施形態によるミラー配列の概略図である。

特に指定のない限り、図中の同じ参照符号は同じ、または機能的に同じ要素を示す。更に、図中の表示は必ずしも正確な縮尺ではないことに留意されたい。

図２は、ビーム成形システム１０２、照明システム１０４および投影システム１０６を備える、一実施形態によるＥＵＶリソグラフィ装置１００の概略図である。ビーム成形システム１０２、照明システム１０４および投影システム１０６はそれぞれ真空排気デバイス（詳細示さず）によって真空排気される真空ハウジングに設けられる。真空ハウジングは、機械的変位や光学素子の調節のための駆動装置が設けられたマシンルーム（詳細示さず）に囲まれている。更に電気制御などもこのマシンルーム内で行われる。

ビーム成形システム１０２はＥＵＶ光源１０８、コリメータ１１０およびモノクロメータ１１２を有する。例えば、ＥＵＶ範囲（極端紫外線範囲）、つまり、例えば５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長の放射線を放出するプラズマ源またはシンクロトロンをＥＵＶ光源１０８として設けることができる。ＥＵＶ光源１０８によって放出される放射線は、先ずコリメータ１１０によって集束され、その後所望の動作波長がモノクロメータ１１２によって取り除かれる。よって、ビーム成形システム１０２はＥＵＶ光源１０８によって放出された光の波長および空間分布に適合する。ＥＵＶ光源１０８によって生成されるＥＵＶ放射１１４は空気透過率が比較的低く、このため、ビーム成形システム１０２、照明システム１０４および投影システム１０６内のビーム誘導空間は真空排気される。

図示された例において、照明システム１０４は第１ミラー１１６および第２ミラー１１８を備える。例えば、これらのミラー１１６および１１８は、瞳成形用のファセットミラーとして設計することができ、ＥＵＶ放射１１４をフォトマスク１２０に誘導する。

フォトマスク１２０も同様に反射光学素子として具現化され、システム１０２，１０４，１０６の外部に配置することができる。フォトマスク１２０は、投影システム１０６によってウエハ１２２などに縮小結像される構造を有する。このため、投影システムは例えばビーム誘導空間１０６に第３ミラー１２４および第４ミラー２００を備える。なお、ＥＵＶリソグラフィ装置１００におけるミラーの数は図示された数に限られず、これより多いまたは少ない数を設けることができる。更に、ミラーの前側はビーム形成のため、一般に湾曲している。

図３は一実施形態によるミラー配列２００の概略図である。本実施形態において、ミラー配列２００はミラー基板２０２を備え、これは例えば上面図において円形、長円形、楕円形または腎形状に具現化することができる。動作温度において熱膨張率がゼロに近い材料はミラー基板２０２の材料に適している。このような材料は「ゼロ膨張材料」とも称される。このような材料の例として、ガラスセラミック材料、チタンのドープされた石英ガラス、または適切な添加物の添加されたコーディエライトがある。

ミラー基板２０２の前側、すなわち光路に面する側には、ＥＵＶ範囲の光の反射に適切な反射被膜が設けられる。

ミラー基板２０２の後側には、（例えば適切なアンダーカットによる）環状側壁２０６が設けられる。側壁２０６はミラー基板２０２と一体化して成形されるため、同じ材料からなる。側壁２０６はミラー配列２００の全周に沿って設けることができる。本実施形態において、環状側壁２０６はミラー基板２０２の外周に直接配置される、すなわちミラー基板２０２の側縁と同一平面上に配置される。ここで「環状」とは必ずしも円対称または回転対称を意味するわけではなく、例えば、ミラーの形状または断面の一致、楕円形または腎形状の閉ループなどを意味することもある。閉ループは鏡体２０７の剛性の点において都合がよい。側壁２０６およびミラー基板２０２は共に鏡体２０７を形成する。側壁２０６の内側２０８（または内周面）およびミラー基板の後側２１０（または後方に面する面）はキャビティ２１２を画定する。キャビティ２１２は５つの空間方向、すなわちｘ、−ｘ、ｚ、−ｚおよびｙの方向に画定され、１つの空間方向、すなわちｙ方向のみ開放されている。キャビティ２１２は従って、本実施形態において凹部を形成する。

ミラー配列２００は、複数の取付け要素２１４によってリソグラフィ装置１００の構造要素（詳細図示せず）に取付けられる。例えば、このミラー配列は力をそらすリソグラフィ装置１００のフレームに取付けることができる。この取付けは能動的または受動的とすることができ、取付け要素２１４は更なる連結要素を介してリソグラフィ装置１００のフレームに取付けることができる。能動的取付けの場合、取付け要素２１４の遠位端をそれぞれアクチュエータの片方の側面に取付け、アクチュエータのもう片方の側面をフレームに取付けることができる。これによってミラー配列２００の配向の位置を調節することができる。受動的取付けの場合、取付け要素２１４の遠位端をそれぞれ、例えばバネ要素などの減衰要素の片方の側面に取付け、バネ要素のもう片方の側面をフレームに取付けることができる。これによって振動などのミラー配列２００への伝達を減衰させることができる。能動的および受動的取付けを組み合わせることも可能である。

例えば、取付け要素２１４をほぼ円筒状とすることができ、円筒形の平坦側はそれぞれ側壁２０６の外側または内側に接続させる。取付け要素２１４と側壁２０６との間の接合面も、以下の文面において接続面と称する。接続面は平面または、例えば側壁２０６の湾曲に応じた曲面とすることができる。取付け要素２１４は中空円筒とし、全体の重量を更に低減させることができる。しかしながらこれらは中実円筒としても具現化することができる。 取付け要素２１４が少なくとも部分的に中空円筒である場合、すなわち、例えば少なくとも側壁２０６への接続領域が中空円筒である場合、接続面２１６を低減させることができ、接続による局部応力を低減させることが可能となる。取付け要素２１４はミラー基板２０２や側壁２０６とは異なる材料で製造することができる。例えば、これらはインバ（鉄とニッケルの合金）などの低い熱膨張係数を持つ材料で作ることができる。取付け要素２１４は凝集接合、すなわち取付け要素２１４と側壁２０６とが原子力または分子力によって結合され、接合手段を破壊しない限り切り離すことができない接合手段によって側壁２０６に結合させることができる。例えば、取付け要素２１４は側壁２０６に接着接合または半田付けすることができる。

３つの取付け要素２１４を側壁２０６の外周の３つの適切な点に接続させると、比較的低重量の場合、バランスのとれた取付けとなる。しかしながら４つ以上の取付け要素２１４を設けることも可能である。

一般に、本明細書に記載する配置は全てのサイズのミラーに適用することができるが、更に下記に記載する変形分離の効果は、大きな直径のミラー、すなわちその最大直径が例えば３０ｃｍを上回る、または４０ｃｍを上回る、そして最大１００ｃｍ以上のミラーの場合、特に有利である。取付け要素２１４の横幅Ａ（図３において、これはミラー軸方向の高さまたは幅）は、ミラーの大きさに応じて、例えば１〜１５ｃｍとすることができる。キャビティの最大深さＢは側壁２０６の内側である。ミラー配列の全長は、ミラーの大きさに応じて、例えば３〜４０ｃｍである。よって最大深さＢは例えば１．５〜３８ｃｍである。例えば 側壁２０６の厚さＤは１〜１５ｃｍとすることができる。

本明細書に記載するミラー配列は特に大きな幾何学的形状のミラーに適している、というのもミラー配列２０２の全体的な重量はキャビティ２１２によって大幅に低減させることができるからである。更に、従来のミラー配列と比べて、全体的な直径を低減させることができる、というのも隆起部や耳部を設ける必要がないので、接続面２１６をミラー配列２００の反射面２０４に近づけて配置させることができるからである。環状側壁２０６は同時に補強効果を有しているため、重量が比較的低い場合であっても、比較的剛性の高いミラー配列２００を得ることができる。

更に取付け要素２１４を側壁２０６の外側に接続させることによって広範囲に及ぶ変形分離が実現される。局部応力は、例えば取付け要素２１４と側壁２０６との間の接続面において発生し得る。例えば、これらの応力は、例えば取付け要素２１４を側壁２０６に接着接合させる接着剤が収縮した場合、製造中に発生し得る。取付け要素２１４はミラー基板２０２と水平でなく、その後ろに隣接する側壁２０６に接続されているので、このような局部応力によって生じる力は、ミラー基板およびその上に設けられる反射面にも直接伝達しない。むしろ側壁２０６は一定の弾性を有し、その結果変形分離を実現することができる。更に、この配置によって低変形取付けまたは駆動が実現される、というのも、取付け中または駆動中に発生する力は、取付け要素２１４を側壁２０６に接続させることによってミラー基板２０２から大きく分離されるからである。

この場合、側壁２０６におけるキャビティ２１２の深さＢは取付け要素２１４の高さＡよりも大きい、すなわちＢ＞Ａである。更に、取付け要素２１４が側壁２０６に接合される接続面は入射光に対してミラー基板２０２の背後にある。すなわち、接続面２１６の任意の点に配置される法線２１８は、それが再度反対側の側壁２０６に入る前に、キャビティ２１２の少なくとも断面に延在する。下記に述べることも図３に示す例示的実施形態に適用される：接続面２１６の任意の点に配置される法線は、ミラー基板２０２ではなく、側壁２０６のみと交わる。

変形分離は、側壁２０６において、キャビティ２１２の深さＢに対する側壁の厚さＤの比率Ｂ／Ｄによって増加する。例えば、良好な変形分離は比率Ｂ／Ｄ＞１、有利にはＢ／Ｄ＞１．５、より有利にはＢ／Ｄ＞２の場合に得ることができる。

一般に、有利な変形分離において、取付け要素２１４の接続面２１６は、そこから生じる応力の広がりがミラー基板２０２に到着する前にある程度減衰するように配置される。ミラー基板２０２と、接続面２１６における応力の導入の（平均）位置との間の距離の寸法はＳであり、これは、接続面２１６の重心からミラー基板２０２の前側までのミラー材料の最短経路Ｔの長さと、ミラー基板２０２の厚さＭとの差、すなわちＳ＝Ｔ−Ｍ（図３参照）に対応する。

接続面２１６に導入される応力の有利な減衰、よってミラー基板の表面２０４における表面変形の大幅な低減は、この寸法Ｓが側壁の厚さの半分よりも大きい、すなわちＳ／Ｄ＞０．５が満たされるのであれば実現される。このＳ／Ｄ率が、つまり例えばＳ／Ｄ＞０．８、Ｓ／Ｄ＞１．０またはＳ／Ｄ１．５と大きくなると、より良好な変形分離を実現することができる。図３に示す例において、Ｓ／Ｄは約１．３である。

取付け要素２１４が円筒状の場合、接続面２１６はほぼ円形状であり、接続面２１６の重心は円形の円筒断面の中心にある。取付け要素２１４が中空円筒の場合、重心は環状接続面内にある。尚、更に、接続面２１６は必ずしも平面、すなわち面内に位置する必要はなく、環状側壁２０６に沿って湾曲してもよい。この場合、適切な平面におけるこの３次元曲面の突出部の重心、例えば側壁２０６に対して接線方向の、図３におけるｙｚ面を、接続面２１６の重心と仮定することができる。

ミラー基板２０２の後側２１０は、側壁２０６の内側においてキャビティ２１２を画定する。そこから後側２１０はミラー２００の外側に続き、これは図３において点線で示されている。従って、ミラー基板の後側２１０は２つの部分、すなわち、ミラー基板２０２とキャビティ２１２との間のインターフェースを形成する内側部分（実線で示す）と、ミラー基板２０２と側壁２０６との間のインターフェースを形成する外側の環状部分（点線で示す）とを有する。この外側の環状部分は第１部分の曲面の続きである場合もある。ミラー基板２０２がその表面に沿って一定の厚さを有するのであれば、Ｓは接続面２１６の重心からミラー基板２０２の後側までのミラー材料を通る最短経路の長さに対応する。

ミラー基板２０２の厚さＭが表面に沿って変化する場合、ミラー基板２０２の最小厚さを厚さＭとすることができる。例えば、ミラー基板２０２の厚さは重力効果を補正するため、中心に向けて低減させてもよい。この場合、ミラー基板２０２の中心の厚さを厚さＭとする。同じ事が側壁２０６の厚さＤにも言える：側壁２０６の厚さが接続面２１６で変化すると、接続面２１６における側壁２０６の最小厚さを厚さＤとみなすことができる。つまり、Ｓ／Ｄ＞０．５の関係を満たすことができ、この場合、Ｄは接続面２１６における側壁２０６の最小厚さを表し、Ｓは接続面２１６の重心からミラー基板２０２の前側までのミラー材料を通る最短経路Ｔの長さとミラー基板２０２の最小厚さＭとの間の差（Ｔ−Ｍ）を表す。

既に述べた様に、変形分離において、Ｂ＞Ａを適用させる必要がある。つまり、キャビティ２１２の深さＢは取付け要素２１４の高さＡよりも大きくなければならない。しかしながら、高さＡが深さＢと略同じ、すなわちＡ≒Ｂであれば、取付け要素２１４はミラー基板２０２の後側の近くまで側壁２０６のほぼ全体に延在することができるため、取付け要素２１４からの応力の導入はミラー基板２０２の前側まで続くことができる。このため、キャビティ２１２の深さＢは、取付け要素２１４の高さＡの少なくとも２倍（Ｂ＞２Ａ）または３倍（Ｂ＞３Ａ）とすることができる。

更に、取付け要素２１４から側壁２０６への応力の導入は、ミラー基板２０２の後側２１０から一定の最小距離で発生するだろう。これを確実にするためにはＳ／Ａが満たされなければならない。つまり、上述の寸法Ｓは取付け要素２１４の高さＡよりも大きくなければならない。応力の広がりは距離Ａの後、横方向に減衰する。そしてそれに垂直な方向においても距離Ａ内で大きく減衰することになる。より良好な変形分離はＳ／Ａ＞１．３またはＳ／Ａ＞１．５によって実現することができる。

上述のＳ／ＤおよびＳ／Ａの条件は単にミラー要素の幾何学的寸法に基づいて定められ、実際の応力の導入は無視された。しかしながら、ミラー配列２００の配向により、接続面２１６の上端部における応力の導入は、例えば、下端部におけるものよりも大きかったり小さかったりする。これを考慮に入れるために、応力の最大導入点または応力の導入の「重心」（例えば接続面を局所的に作用する応力ベクトル、またはその絶対値で重み付けすることによって決定される）を、重心の代わりに経路ＳおよびＴの終点として選択することができる。しかしながら応力の導入は動作状況にもよることに留意されたい。

図４は更なる実施形態によるミラー配列２００の概略図である。他に指定のない限り、図３の要素と同じまたは機能的に同等の要素には同じ参照符号を付し、更なる詳細の説明は行わない。下記の実施形態および図についても同様である。

図４に示すミラー配列２００は図３に示すミラー配列２００と、側壁２０６が僅かに高く、取付け要素２１４が側壁２０６の端部と水平ではなく側壁２０６のほぼ中央に配置されている点において異なる。Ｓ／Ｄ＞０．５およびＳ／Ａ＞１の条件もこの配置において満たされるので、良好な変形分離となる。ここでも下記に記載する例示的実施形態の様に、Ｓ＝Ｔ−Ｍが適用される。更に、図４のミラー配列２００において、接続面２１６の法線はキャビティ２１２に延在し、これは上述の様に変形分離に貢献する。更に鏡体２０７は細長い側壁２０６のために、全体的に大きなミラー剛性を有する。対照的に、図３のミラー配列２００はその重量が少ない点で有利である。

図３および図４に示すミラー配列において、取付け要素２１４は側壁２０６の側面に取付けられる。しかしながらこれに限定せず、取付け要素２１４を側壁２０６の端面に取付けることも可能である。図５はこのような実施形態によるミラー配列２００の概略図である。Ｓ／Ｄ＞０．５およびＳ／Ａ＞１の条件もこのミラー配列２００で満たされるため、良好な変形分離が提供される。更に、取付け要素２１４を含むこのミラー配列２００の直径全体は、背後からの接続のため、上述の実施形態によるものよりも短い。これにより、リソグラフィ装置の真空排出された内部を広げる必要なく、より大きなミラー配列を設けることが可能となる。尚、図５によるミラー配列２００において、取付け要素の横幅Ａは側壁の厚さＤに等しい（すなわちＡ＝Ｄ）。しかしながら、取付け要素の幅Ａおよび側壁の厚さＤを異なる様に設計して、これらを要求事項に応じて変化させることができることは明らかである。更なる変形例において、取付け要素２１４は側壁２０６の外周内側に接続させることもできる。

図６は更なる実施形態によるミラー配列２００の概略図である。このミラー配列２００において、取付け要素２１４は同様に、例えば約３０°の傾斜を有して設計された、側壁２０６の端面に取付けられる。Ｓ／Ｄ＞０．５およびＳ／Ａ＞１の条件もこの配置において満たされ、非常に良好な変形分離が提供される。更に接続面２１６上の法線の内の少なくともいくつかはキャビティ２１２に延在し、このため、上述の様に変形分離に貢献する。

図７は更なる実施形態によるミラー配列２００の概略図である。図７に示すミラー配列２００は図３のミラー配列２００と、ミラーが完全にくり抜かれて(hollowed out)いない点で異なり、キャビティ２１２内に延在するエレベーション部がミラー基板２０２の後側に設けられている。従って、キャビティ２１２は環状溝２１２ａと円盤状のキャビティ部２１２ｂとを有する。環状溝２１２ａは側壁２０６の内側、ミラー基板２０２の後側およびエレベーション部２２０の外側によって画定される。環状溝２１２ａの深さＣはエレベーション部２２０の高さに対応する。環状溝２１２ａの深さＣに関しては０＜Ｃ≦Ｂが適切であり、例えばＣ＝１０％…８０％・Ｂである。深さＣ＞Ｂは理論的に可能であるが、ミラーの質量および変形分離を考慮した特定の環境においてのみ適切である。例えば、環状溝２１２ａの幅は０．５〜３ｃｍとすることができる。

図７に示すミラー配列２００を使用して、図３に示すミラー配列２００を使った場合とほぼ同じ変形分離を実現することが可能であるが、図７に示すミラー配列２００はより大きなミラー剛性を有する。この場合、ミラー剛性はエレベーション部２２０の高さＣを変えることによって調整することができる。

本実施形態においても接続面２１６はミラー基板２０２の背後に位置する。よって、本実施形態においても、接続面２１６上の任意の点に配置された法線は、キャビティ２１２、すなわち環状溝２１２ａまたはキャビティ部２１２ｂを通って延在する。上述の様に、これは変形分離に貢献する。

環状側壁２０６は変形分離を向上させるが、全体的に、くり抜かれていないミラー配列と比較すると、ミラー配列２００の剛性が低減される。ミラー配列２００の剛性を増大させるために、側壁２０６の後側にカバーを設けることができる。このようなミラー配列２００を図８に示す。

図８に示すミラー配列２００において、キャビティ２１２は円盤状のキャップ２３０によって閉じられている。キャップ２３０はカバー要素として機能し、キャビティ２１２を覆う。よってキャビティ２１２は全て（正および負）の６つの空間方向において画定される。キャップ２３０はミラー基板２０２および側壁２０６と同じ熱膨張係数を実質的に有する。例えば、キャップ２３０の厚さは０．５ｃｍ〜１０ｃｍとすることができる。キャップ２３０の厚さは必ずしも一定である必要はない。しかしながらその剛性は少なくともミラー基板２０２の合成に対応しなければならない。キャップ２３０はミラー基板２０２と側壁２０６とからなる鏡体２０７と同じ材料で構成されると有利である、というのもそうであればその熱膨張係数も鏡体２０７のものと同じだからである。例えば、キャップ２３０は側壁２０６の上端に接着接合または半田付けするか、または側壁２０６の上端に陽極結合することができる。

図８に示すミラー配列２００を使用して、質量が低減され、変形分離が良好な、比較的高い剛性を実現することが可能である。キャップ２３０と側壁との間の接続面２３２の変形は、そのミラー基板２０２への効果がその接続面２１６への効果よりも小さくなるように、環状側壁２０６によってミラー基板２０２から分離される。

図８のミラー配列２００において、側壁２０６の厚さＤが小さくなりすぎるように選択してはならない、というのも、固有周波数が比較的低くなるリスクがあるからである。例えば、側壁２０６の厚さＤは約０．５〜５ｃｍとすることができる。固有振動に関する有利な寸法は、Ａ，ＣおよびＤが相互に±２０％、有利には±５％またはほんの±１％（すなわちＡ＝Ｃ＝Ｄが実質的に該当する）逸脱しているのであれば与えられる。

本実施形態において、接続面２１６もミラー基板２０２の背後に位置する。よって、本実施形態においても、接続面２１６の任意の点に配置される法線は、キャビティ２１２、つまり環状溝２１２ａまたはキャビティ部２１２ｂを通って延在する。上述の様に、これは変形分離に貢献する。しかしながら、図３による実施形態とは対照的に、この場合、取付け要素２１４は側壁２０６の後端から離れたところに設けられる。

図９は更なる実施形態によるミラー配列２００の概略図である。図９に示すミラー配列２００の実施形態は、図８に示す実施形態の変形例であり、キャップ２３０に、例えばキャップ２３０の中心に配置させることのできる円形の貫通孔２３４が設けられる点で、図８とは異なる。よって、キャビティ２１２とミラーの周囲との間の均圧が保証される。貫通孔２３４の内径がミラー径の半分以下であれば有利である、というのもこれによって高剛性の場合に良好な変形分離を保証することができるからである。

図１０は更なる実施形態によるミラー配列２００の概略図である。本実施形態によれば、ミラー配列２００は図８のミラー配列２００と同じ重量分布を有するため、同じミラーダイナミクス(mirror dynamics)を有する。しかしながら図１０のミラー配列２００はモノリシックである。すなわち円盤状の後壁２４０が側壁２０６の後端に設けられ、ミラー基板２０２、側壁２０６および後壁２４０によって一体化された鏡体２０７が形成される。キャビティ２１２は側壁２０６の内側、ミラー基板２０２の後側、エレベーション部２２０の外側および後壁２４０の内側によって画定される。この場合、キャビティ２１２は環状溝２１２ａと円盤状キャビティ部２１２ｂとに更に分割される。この場合、後壁２４０はキャビティ２１２を覆うカバー要素として機能する。

例えば、図８によるミラー配列２００よりも少ない接続が図１０によるミラー配列２００に設けられる。すなわち、キャビティ２１２を覆う後壁２４０は更なる接続を行わずに設けることができる。よってミラー配列２００はこのような接続を設ける際に生成される、より少ない局部応力にさらされる。

ミラー基板２０２、側壁２０６および後壁２４０からなる、図１０に示すモノリシック 鏡体２０７は下記のように製造することができる：先ず、ミラー基板２０２、側壁２０６および後壁２１４を別個の要素として準備する。そして、側壁２０６（そして任意選択でエレベーション部２２０）をミラー基板２０２の後側に配置し、後壁２４０を側壁２０６の端部に配置する。あるいは鏡体を少なくとも１つの部品が接触面に凹部を含む２つの部品によって構成することもできる。よって、これらの要素を相互に加熱および溶解することによって、キャビティ２１２を有するモノリシック鏡体２０７を製造することができる。

図１１は更なる実施形態によるミラー配列２００の概略図である。鏡体２０７はこの実施形態においてもモノリシックである。しかしながら取付け要素２１４は側壁２０６またはミラー配列２００の外周に接続されておらず、ミラー配列２００の後側、より正確には後壁２４０の後側に接続されている。例えば取付け要素２１４は、例えば後壁の中心などの適切な場所に取付けることができる。

図１１に示すミラー配列２００は、取付け要素２１４を側壁２０６に接続させる場合よりも空間要件が小さい点で有利である。これによってリソグラフィ装置の真空排気される内部を広げることなく、更に大きなミラー配列を提供することが可能となる。更に、その後側に取付け要素の設けられた後壁２４０と、ミラー基板２０２またはミラー基板上に設けられたエレベーション部２２０との間にキャビティ２１２を設けることによって、変形分離が可能となり、これは上述のように、 例えば取付け要素２１４の接続時に生じさせることができる。換言すれば、本実施形態においても、接続面の任意の点上の法線をキャビティ２１２に延在させることができる。取付け要素２１４は、少なくとも側壁２０６の厚さＤに対応する絶対値分だけ後壁２４０の端部から離れていなければならない。少なくとも、Ｄの距離に後壁の厚さを加えたものは有利である。更に、図１１に示すミラー配列２００も高い剛性を保証する。

更に、正確に１つのキャビティ２１２をミラー基板２０２、側壁２０６およびキャップ２３０の間に形成する。その結果、（例えばハニカム構造などの結果としての）複数のキャビティがミラー基板と後方の壁との間に設けられる従来の配置と比較して、より良好な変形分離を実現させることが可能である。

対照的に、取付け要素がキャビティのないミラー基板の後側に直接設けられている場合、例えば取付け要素の接続中に生じる変形は鏡面の形状に直接影響を与え、これによってミラーの光学特性が損なわれる。

更に、図３〜図１０に示す配置において、接続面２１６からミラー基板２０２の前側までの最短経路Ｔは、常に一本の真直ぐな経路である。しかしながら必ずしもそうでない場合もある。図１１はミラー材料を通るこの最短経路Ｔが一本の真直ぐな経路で構成されずに、３つの個々の経路Ｔ１，Ｔ２およびＴ３で構成される場合を示している。第１経路Ｔ１は、接続面２１６の重心から後壁２４０が側壁２０６と合流する点まで延在する。第２経路Ｔ２は、この点から側壁２０６とミラー基板２０２の接合箇所まで延在する。そして第３経路Ｔ３はミラー基板２０２の前側２０４まで更に延在する。経路全体の長さはＴ＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３である。平らな鏡面２０４の場合、Ｔ２およびＴ３を組み合わせて、Ｔを２つの経路部のみから構成する。この場合の経路全体の長さはＴ＝Ｔ１＋Ｔ２である。この長さＴの場合、条件（Ｔ−Ｍ）／Ｄ＝Ｓ／Ｄ＞０．５およびＳ／Ａ＞１も満たされ、よって、良好な変形分離が提供される。

図１２は更なる実施形態によるミラー配列２００の概略図である。本実施形態において、取付け要素２１４は後壁２４０の外端に設けられる。この場合、長さＳもＳ／Ｄ＞０．５およびＳ／Ａ＞１を満たし、良好な変形分離が提供される。

更なる実施形態によれば、取付け要素２１４を非モノリシックミラー配列の後側に接続させることもできる。このようなミラー配列２００を図１３に示す。図１３によるミラー配列２００において、後壁２３０をミラー基板２０２および側壁２０６からなる鏡体２０７から離れて設け、上述の様に陽極接合などによって鏡体２０７に接続させる。取付け要素２１４はその後側の後壁２３０に接続させる。よって、図１１の利点が適用される。

図１３によるミラー配列２００は、取付け要素２１４を接続する際に生じた変形の補正が可能な製造方法によって製造することができる。このような方法を図１４に概略的に示す。

本方法の開始時において、キャップ２３０と、ミラー基板２０２および側壁２０６からなる鏡体２０７とはまだ相互に取付けられていない。ステップＳ１において、取付け要素２１４を、先ず側壁の平坦側面（すなわち後側）に、例えば接着接合または半田付けによって取付ける。ここで、上述の様に、接続面の収縮によってキャップ２３０が変形することがある。ステップＳ２において、キャップ２３０の少なくとも１つの端部領域の変形または形状を検出する。例えば、これは干渉測定によって行うことができる。次のステップＳ３において、キャップ２３０の環状端部領域２３６を加工して、検出した変形を補正する、すなわち環状端部領域２３６を側壁の端面のトポグラフィに適合させる。この環状端部領域２３６は、キャップ２３０が側壁２０６に実質的に接続された、接続面２３２の領域を少なくとも備える。よって端部領域２３６は取付け要素２１４の取付けられたキャップ２３０の後側の反対側にある。例えば、キャップはこの環状端部領域２３６内で研磨することができる。端部領域２３６の変形を補正した後、ステップＳ４においてキャップ２３０を鏡体２０７に接続させる。より正確には、環状端部領域２３６を側壁２０６の上端（または端部）に接続させる。例えば、キャップ２３０は陽極接合などによって側壁２０６に取付けることができる。

この製造方法を使って取付け要素２１４の接続中に生じた変形を補正して、更に正確な寸法を持つミラー配列２００を実現させることが可能である。このミラー配列２００は取付け要素２１４を使って、リソグラフィ装置１００内のフレーム要素に取付けることができる。

上述の方法は適切に変更することができる。例えば、変形を検出するステップＳ２は強制的なものではない。従って、その形状が側壁２０６の形状にまだ正確に適合されていないキャップ２３０に取付け要素２１４を取付け、取付け要素２１４に取付けた後に任意選択で光学検出を使用して、相互の形状を正確に適合させることができる。更に、ステップＳ２（キャップ２３０の形状の検出）およびＳ３（接続領域の加工）を反復してもよい、すなわち連続して何度も行ってよい。

尚、上述の実施形態は単なる例示的なものであり、本特許請求項の保護の範囲内において多くの異なるやり方によって変更することができる。特に、上述の実施形態の特徴を相互に組み合わせることもできる。

例えば、側壁２０６は必ずしもミラー基板２０２の端部に設けなくてはならないのではなく、端部から離れた内側にオフセットして配置することができる。図１５はこのようなミラー配列２００の概略図である。このミラー配列２００において、ミラー基板２０２は側壁２０６から突出している。この場合、環状側壁２０６もミラー基板２０２の外周に沿って配置されている。可能な実施形態において、側壁と端部との間の距離は、側壁２０６がミラー基板の端部に平行に延在するように一定している。しかしながらこれに制限せず、側壁２０６と端部との間の距離を外周に沿って変化させることもできる。例えばミラー基板２０２を腎形状に、側壁２０６を円形または楕円形にすることが可能である。工程において、鏡体２０７の動的特性を考慮して、側壁２０６とミラー基板２０２の端部との間の距離の変化が所定の最大値を超えないようにすることもできる。円形のミラー基板２０２の場合、例えば、この最大値はミラー基板２０２の直径の３０％以下、１５％以下または５％以下とすることができる。楕円形、長円形または腎形状のミラー基板２０２の場合、ミラー基板２０２は、例えば楕円形の場合の長半軸の径および短半軸の径による２つの特性変数によって特徴付けられる。従って、例えば上述の最大値は、これら２つの特性変数の内の大きい方、すなわち、例えば、ミラー基板２０２の長半軸の径の３０％以下、１５％以下または５％以下であってもよい。代替的または追加的に、上述の最大値はこれら２つの特性変数の間の差の半分以下であってもよい。

従って、より少ない重量でより大きな鏡面を実現することが可能である。更にこのミラー配列２００において、エレベーション部はミラー基板２０２の後側に設けない。ミラー基板２０２は側壁２０６間の鏡面に沿って、実質的に同じ厚さを有する。ミラー基板２０２の温度分布は、ミラーによって吸収される放射熱が浸透する深さに依存する。ミラー基板２０２の厚さは鏡面に沿ってほぼ一定しているので、ミラーの表面に沿った均一な温度プロファイルを実現することができる。上記の記載は鏡壁の長さＳ、厚さＤと、取付け要素２１４の高さＡとの比率に適用される。

更に上述の例示的実施形態において、鏡体２０７は側壁２０６の外側の平らな接続面に取付けられる取付け要素２１４によって接続される。しかしながら本発明はこれに限定されず、側壁に凹部を設け、その中に取付け要素に接続される接続要素を取付けることもできる。このような配置例は国際公開第２００５／１０６５５７Ａ１号パンフレット（特に図４〜８を参照）に開示されている。この場合、接続面はほぼ円筒状で、重心が円筒軸に位置する凹部の内端部に沿って延在してもよい。この場合も上述の条件Ｓ／Ｄ＜０．５が実現されるのであれば、より良好な変形分離を実現させることができる。

更にリソグラフィ装置１００のミラー配列２００に基づき、ミラー配列２００の種々の実施形態を説明したが、説明した実施形態をリソグラフィ装置１００の任意のその他のミラーにも適用できることは明らかである。

更にＥＵＶリソグラフィ装置のミラー配列の例示的実施形態について説明したが、本発明はＥＵＶリソグラフィ装置に限定されず、他のリソグラフィ装置にも適用することができる。

１０ ミラー配列
１２ ミラー基板
１４ 隆起部
１６ 取付け要素
１００ ＥＵＶリソグラフィ装置
１０２ ビーム成形システム
１０４ 照明システム
１０６ 投影システム
１０８ ＥＵＶ光源
１１０ コリメータ
１１２ モノクロメータ
１１４ ＥＵＶ放射
１１６ 第１ミラー
１１８ 第２ミラー
１２０ フォトマスク
１２２ ウエハ
１２４ 第３ミラー
２００ 第４ミラー、ミラー配列
２０２ ミラー基板
２０４ 反射被覆
２０６ 側壁
２０７ 鏡体
２０８ 内側
２１０ 後側
２１２ キャビティ
２１４ 取付け要素
２１６ 接続面
２１８ 法線
２２０ エレベーション部
２３０ キャップ
２３２ 接続面
２３４ 貫通孔
２３６ 環状端部領域
２４０ 後壁

Claims (23)

1. 少なくとも１つのミラー配列（２００）を有するリソグラフィ装置（１００）であって、前記ミラー配列（２００）は、
   ミラー基板（２０２）であって、その前側の少なくとも一部に反射面（２０４）が設けられるミラー基板（２０２）と、
   前記ミラー基板（２０２）の後側から前記ミラー基板（２０２）の外周に沿って延在し、前記ミラー基板（２０２）と共にキャビティ（２１２）を画定する側壁（２０６）と、
   取付け要素（２１４）であって、これによって前記ミラー配列（２００）が前記リソグラフィ装置（１００）の構造要素に取付けられ、前記取付け要素（２１４）の各々が接続面（２１６）で前記ミラー配列（２００）に接続されている取付け要素（２１４）とを備え、
   前記接続面（２１６）の内の少なくとも１つにおいてＳ／Ｄ＞０．５の関係が満たされ、Ｄは前記接続面（２１６）における前記側壁（２０６）の厚さを表し、Ｓは前記接続面（２１６）の重心から前記ミラー基板（２０２）の前側までのミラー材料を通る最短経路（Ｔ）の長さと前記ミラー基板（２０２）の厚さ（Ｍ）との差（Ｔ−Ｍ）を表すリソグラフィ装置（１００）。
2. 請求項１に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記ミラー基板（２０２）が一定の厚さ（Ｍ）を有し、Ｓは前記接続面（２１６）の重心から前記ミラー基板（２０２）の後側までのミラー材料を通る最短経路の長さに対応するリソグラフィ装置（１００）。
3. 請求項１または２に記載のリソグラフィ装置（１００）において、Ｓ／Ｄ＞１の関係が満たされるリソグラフィ装置（１００）。
4. 請求項１〜３の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、Ｓ／Ａ＞１の関係が満たされ、Ａは前記側壁（２０６）における前記接続面（２１６）の幅を表すリソグラフィ装置（１００）。
5. 請求項４に記載のリソグラフィ装置（１００）において、Ｓ／Ａ＞１．５の関係が満たされるリソグラフィ装置（１００）。
6. 少なくとも１つのミラー配列（２００）を有するリソグラフィ装置（１００）であって、前記ミラー配列（２００）が、
   ミラー基板（２０２）であって、その前側の少なくとも一部に反射面（２０４）が設けられるミラー基板（２０２）と、
   前記ミラー基板（２０２）の後側から前記ミラー基板（２０２）の外周に沿って延在し、前記ミラー基板（２０２）と共にキャビティ（２１２）を画定する側壁（２０６）と、
   取付け要素（２１４）であって、該取付け要素によって前記ミラー配列（２００）が前記リソグラフィ装置（１００）の構造要素に取付けられ、前記取付け要素（２１４）の各々が接続面（２１６）で前記ミラー配列（２００）に接続されている取付け要素（２１４）とを備え、
   それぞれの前記接続面（２１６）上の法線が前記キャビティ（２１２）に延在し、それぞれの前記接続面（２１６）上の前記法線は、前記ミラー基板（２０２）と交差しないリソグラフィ装置（１００）。
7. 請求項１〜６の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記取付け要素（２１４）の前記接続面（２１６）が前記側壁（２０６）の外側（２１６）または内側（２０８）にそれぞれ配置されるリソグラフィ装置（１００）。
8. 請求項１〜７の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記キャビティ（２１２）が前記ミラー配列の後側に向って開放された凹部であるリソグラフィ装置（１００）。
9. 請求項１〜８の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記キャビティ（２１２）が全ての側面に向って閉じているリソグラフィ装置（１００）。
10. 請求項１〜９の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記ミラー配列（２００）がカバー要素（２３０，２４０）を更に備え、該カバー要素は、前記ミラー基板（２０２）、前記側壁（２０６）および前記カバー要素（２３０、２４０）が前記キャビティ（２１２）を画定するように前記側壁（２０６）に接合されるリソグラフィ装置（１００）。
11. 請求項１０に記載のリソグラフィ装置（１００）において、開口部（２３４）が前記カバー要素（２３０、２４０）に設けられるリソグラフィ装置（１００）。
12. 請求項１１に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記開口部（２３４）の内径が前記ミラー基板（２０２）の直径の半分未満であるリソグラフィ装置（１００）。
13. 請求項１〜１２の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記ミラー配列（２００）の光学軸の方向における前記接続面（２１６）の幅（Ａ）が前記キャビティ（２１２）の深さ（Ｂ）未満であるリソグラフィ装置（１００）。
14. 請求項１〜１３の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記ミラー基板（２０２）の後側で前記キャビティ（２１２）内へ延在するエレベーション部（２２０）が設けられ、環状溝（２１２ａ）が前記キャビティ（２１２）内の前記側壁（２０６）と前記エレベーション部（２２０）との間に形成されるリソグラフィ装置（１００）。
15. 請求項１４に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記エレベーション部（２２０）の高さ（Ｃ）が前記キャビティ（２１２）の深さ（Ｂ）の０．１〜０．８倍であるリソグラフィ装置（１００）。
16. 請求項１５に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記ミラー配列（２００）の前記光学軸の方向の前記接続面（２１６）の幅（Ａ）、前記エレベーション部（２２０）の高さ（Ｃ）および前記側壁の厚さ（Ｄ）がほぼ等しいリソグラフィ装置（１００）。
17. 請求項１〜１６の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記側壁（２０６）が前記ミラー基板（２０２）と一体的に形成されるリソグラフィ装置（１００）。
18. 請求項１〜１７の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記ミラー基板（２０２）、前記側壁（２０６）および前記カバー要素（２４０）が一体型であるリソグラフィ装置（１００）。
19. 請求項１〜１８の何れか１項に記載のリソグラフィ装置（１００）において、前記側壁 （２０６）が環状であるリソグラフィ装置（１００）。
20. リソグラフィ装置のミラー配列（２００）を製造する方法であって、以下のステップ、すなわち、
    取付け要素（２１４）を円盤状のカバー要素（２４０）の平らな面の一方に取付けるステップと、
    前記カバー要素（２４０）の取付け領域の形状を側壁（２０６）の取付け領域の形状に適合させるステップであって、前記側壁（２０６）がミラー基板（２０２）の後側から該ミラー基板（２０２）の外周に沿って延在し、該ミラー基板（２０２）の前側に反射面（２０４）が設けられるステップと、
    前記カバー要素（２４０）を、前記ミラー基板（２０２）、前記側壁（２０６）および前記カバー要素（２４０）がキャビティ（２１２）を画定するように、前記取り付け要素（２１４）が取り付けられた面を前記キャビティの反対側に向け取付けるステップとを含む方法。
21. 請求項２０に記載の方法において、以下のステップ、すなわち、
    前記取付け要素（２１４）の取付けによって生じた前記カバー要素の取付け領域 （２４０）の変形を検出するステップを更に含み、
    前記カバー要素（２４０）の取付け領域の形状に適合させる際、前記カバー要素（２４０）の取付け領域を、前記検出された変形が補正されるように加工する方法。
22. 請求項２０または２１に記載のミラー配列（２００）を製造する方法において、前記カバー要素の取付け領域（２４０）が前記カバー要素（２４０）の環状端部領域である方法。
23. 請求項２０〜２２の何れか１項に記載のミラー配列（２００）を製造する方法において、前記取付け領域の加工にこの領域の研磨が含まれる方法。
    

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