KR20150037916A

KR20150037916A - 리소그래피 장치용 미러 배열체 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20150037916A
Application number: KR20157002340A
Authority: KR
Inventors: 디르크 샤퍼
Original assignee: 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
Priority date: 2012-08-02
Filing date: 2013-08-01
Publication date: 2015-04-08
Also published as: JP2015529846A; US20150168844A1; DE102012213671A1; KR102194431B1; JP6400003B2; WO2014020112A1; US9869937B2

Abstract

리소그래피 장치용 미러 배열체(20, 50)를 제조하기 위한 방법이 제안되고, 이 방법은 미러체(22, 52)의 전방벽(24, 54), 후방벽(28, 58) 및 측벽(26, 56, 64)에 의해 경계 한정된 캐비티(32, 62)를 갖는 미러체(22, 52)를 제조하는 단계로서, 상기 측벽은 전방벽(24, 54)과 후방벽(28, 58) 사이에 배열되고, 적어도 하나의 지지 요소(38, 68)가 전방벽(24, 54)과 후방벽(28, 58) 사이에서 캐비티(32, 62) 내에 제공되는, 미러체 제조 단계와, 미러체를 제조한 후에, 지지 요소(38, 68)를 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다.

Description

리소그래피 장치용 미러 배열체 및 그 제조 방법 {MIRROR ARRANGEMENT FOR A LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}

관련 출원의 상호 참조

본 출원은 2012년 8월 2일 출원된 독일 특허 출원 DE 10 2012 213 671.1호 및 2012년 8월 2일 출원된 미국 특허 출원 US61/678,771호의 우선권을 청구하고, 이들 출원의 전체 설명은 본 명세서에 참조로서 합체되어 있다(참조에 의한 합체).

발명의 분야

본 발명은 리소그래피 장치, 특히 EUV 리소그래피 장치를 위한 미러 배열체(mirror arrangement) 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 마스크 내의 마스크 패턴을 이미징하기 위해, 예를 들어 집적 회로 또는 IC의 제조에 사용된다. 이 경우에, 조명 장치에 의해 발생된 광빔은 마스크를 통해 기판 상에 유도된다. 복수의 광학 요소로 이루어진 노광 렌즈는 기판 상에 광빔을 포커싱하기 위한 기능을 한다. 이러한 리소그래피 장치의 예는 특히 5 nm 내지 30 nm의 범위, 예를 들어 13 nm의 노광을 위한 광학 파장을 갖고 작동하는 EUV(Extreme Ultra-Violet: 극자외선) 리소그래피 장치이다. 이러한 단파장은 웨이퍼 상에 초소형 구조체를 이미징하는 것을 가능하게 한다. 이 파장 범위의 광은 분위기 가스에 의해 흡수되기 때문에, 이러한 EUV 리소그래피 장치의 빔 경로는 고진공 내에 위치된다. 더욱이, 언급된 파장 범위에서 충분히 투명한 재료는 존재하지 않고, 그 이유로 미러가 EUV 방사선을 성형하고 안내하기 위한 광학 요소로서 사용된다.

큰 개구수(numerical aperture)를 갖는 EUV 리소그래피 장치는 큰 직경을 갖는 미러를 필요로 한다. 큰 직경을 갖는 미러는 첫째로 제조에 고비용이고, 둘째로 변형이 거의 없는 장착 및 작동을 성취하는 것을 더 어렵게 한다. 변형이 거의 없는 장착 및 작동을 성취하기 위해, 미러면 외부에 그러나 미러면과 동일한 평면에 위치된 복수의 베어링 섹션을 포함하는 미러를 사용하는 것이 가능하다. 도 1은 예로서 이러한 미러 배열체의 후면도를 도시한다. 도 1에 도시된 미러 배열체(10)는 그 전방측이 반사면을 구비한 타원형 미러 기판(12)을 포함한다. 돌기(14)(소위 "러그")가 미러 기판(12)의 원주방향 에지의 3개의 위치에 제공된다. 이들 돌기(14)는 미러 기판(12)과 일체로 제공된다. 베어링 요소(16)는 각각의 경우에 3개의 돌기(14)의 후방 또는 전방측에 제공된다. 미러는 이들 3개의 베어링 요소(16)에 의해 리소그래피 장치의 프레임 상에 장착된다. 이 경우에, 액추에이터가 베어링 요소(16)와 프레임 사이에 제공될 수 있고, 이 액추에이터는 미러의 위치 및 배향을 조정하는데 사용될 수 있다.

도 1에 도시된 배열체에 대한 단점은 미러 배열체(10)의 무게중심 외부에 멀리 놓인 돌기가 바람직하지 않은 질량 분포의 결과로서 미러 배열체의 강성에 악영향을 미친다는 것이다. 더욱이, 돌기(14)는 미러 배열체(10)의 총 질량에 기여하고, 그 결과 미러 배열체가 전체적으로 더 무겁게 되는데, 이는 마찬가지로 작동성 및 미러 동역학에 단점이 된다. 마지막으로, 돌기(14)의 설치는 미러 배열체(10)의 더 큰 직경을 야기한다.

미국 특허 제6,880,942 B2호(이 특허의 도 3a 참조)는 비교적 작은 힘에 의해 미리 변형된 비교적 얇은 미러체(310)를 갖는 광학 요소를 개시하고 있다. 비교적 두꺼운 기판체(320)가 상기 미러체의 후방에 배열된다. 미러체를 작동하기 위한 팽창형 벨로즈(bellows)(330)가 미러체와 기판체 사이에 배열된다.

공개된 심사된 독일 특허 공보 DE 1 952 584호는 반사 플레이트, 캐리어 플레이트 및 이들 2개의 플레이트 사이의 벌집형 지지 프레임워크를 갖는 광학 미러를 개시하고 있고, 여기서 지지 프레임워크의 개별 셀은 6갹형 단면을 갖는다. 벌집형 지지 프레임워크는 이들의 종방향 에지에서 서로 용접된 Y형 구성 요소로부터 형성된다. 상기 Y형 구성 요소는 압력 평형화 개구를 구비할 수 있다.

독일 특허 출원 DE 10 2010 034 476 A1호는 광학 요소, 특히 광학적 능동면을 갖는 광 입사측의 전방부 및 후방부를 갖는 본체와, 전방부와 후방부 사이에 캐비티를 갖는 본체를 포함하는 미러 또는 회절 격자와 같은 반사 요소를 개시하고 있다. 캐비티는 실질적으로 전체 광학 능동면을 따라 연장하고, 냉각 매체를 수용하기 위해 기능한다. 본체는 냉각 매체를 위한 적어도 하나의 입구 및 적어도 하나의 출구를 더 포함한다. 복수의 유동-영향 요소(flow-influencing element)가 캐비티 내에 분포된 방식으로 배열되고, 상기 요소는 전방부로부터 후방부로 연장하고 전방부를 후방부에 연결한다.

독일 특허 출원 DE 100 00 193 A1호는 유체 충전을 갖는 적어도 하나의 공간을 포함하는 광학 시스템의 광학 요소를 개시하고 있고, 상기 적어도 하나의 공간은 대기압에 대해 밀봉되고 표면을 경계 한정함으로써 포위된다. 조명광이 공간의 경계 한정면들 중 적어도 하나에 적어도 부분적으로 인가된다. 이는 공간 내의 유체 압력의 변화가 광학 요소의 비점수차(astigmatic) 이미징 특성의 변화를 유도하도록 구성된다. 이를 위해, 유체 소스가 유체 공급 라인을 거쳐 공간에 유체 접속된다. 더욱이, 유체 충전의 압력을 위한 제어 장치가 제공된다.

독일 특허 출원 DE 10 2011 010 462 A1호는 기판과, 기판의 측면에 EUV 스펙트럼 범위에서 광학적으로 능동인 표면을 갖는 광학 구성 요소를 포함하고, 광학 구성 요소를 위한 냉각 장치를 포함하고, 상기 냉각 장치는 냉각 매체를 갖는 EUV 투영 노광 장치를 위한 광학 배열체에 관한 것이다.

본 발명의 목적은 전술된 문제점들 중 적어도 하나를 해결하는 리소그래피 장치용 미러 배열체를 제조하기 위한 방법 및 이러한 미러 배열체를 제공하는 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 미러 배열체가 대직경 및 양호한 변형 분리성(decoupling)을 갖는, 리소그래피 장치용 미러 배열체를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다.

이 목적은 리소그래피 장치용 미러 배열체의 제조 방법이며,

미러체의 전방벽, 후방벽 및 측벽에 의해 경계 한정된 캐비티를 갖는 미러체를 제조하는 단계로서, 상기 측벽은 전방벽과 후방벽 사이에 배열되고, 적어도 하나의 지지 요소가 전방벽과 후방벽 사이에서 캐비티 내에 제공되는, 미러체 제조 단계와,

미러체를 제조한 후에, 지지 요소를 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함하는 미러 배열체의 제조 방법에 의해 성취된다.

지지 요소가 "전방벽과 후방벽 사이에 제공되는" 사실은 지지 요소가 전방벽으로부터 후방벽까지 연속적으로 연장하는 것을 의미한다. 따라서, 지지 요소는 미러체를 제조하는 단계 중에 서로에 대해 전방벽과 후방벽을 지지한다. 미러체를 제조하는 단계가 벽 재료를 융합하기 위해 가열하면, 전방벽 및/또는 후방벽은 따라서 처짐이 방지될 수 있다. 지지 요소는 미러체가 제조된 후에 적어도 부분적으로 제거되기 때문에, 지지 요소는 완성된 미러체의 동적 거동 또는 그 강성에 영향을 미치지 않는다. 이 경우에, "적어도 부분적으로 제거"라는 것은 지지 요소가 더 이상 전방벽으로부터 후방벽까지 연속적으로 연장하지 않고, 오히려 적어도 하나의 섹션에서 중단되어, 전방벽과 후방벽이 서로로부터 기계적으로 분리되는 것을 의미할 수 있다. 예로서, 지지 요소의 적어도 일부는 지지 요소가 서로 접촉하지 않는 전방벽측의 섹션과 후방벽측의 섹션으로 분할되는 이러한 방식으로 제거될 수 있다.

캐비티가 미러체에 제공되기 때문에, 미러 배열체의 중량은 또한 상당히 감소될 수 있다. 동시에, 원주방향 측벽에 의해, 큰 미러 직경과 함께 미러 배열체의 충분한 강성을 보장하는 것이 가능하다. 이 경우에, 측벽은 미러 배열체의 전체 원주를 따라 제공될 수 있다. 이 경우에, 미러 배열체의 강성은 측벽의 두께에 의해 간단한 방식으로 설정될 수 있다. 이 경우에, "전방벽" 또는 "전방측"은 미러 배열체에 의해 반사될 광빔이 충돌하는 미러체의 벽 또는 측면을 나타내고, "후방벽" 또는 "후방측"은 전방측으로부터 이격하여 향하는 벽 또는 측면을 나타낸다. 이 경우에, "측벽"은 외부벽 및 - 존재한다면 - 내부벽의 모두를 의미하는 것으로 이해될 수 있다.

일 가능한 실시예에서, 지지 요소는 미러체가 제조된 후에 완전히 제거된다. 이 방식으로, 첫째로 미러체의 중량이 감소되고, 둘째로 미러체의 더 양호한 대칭성이 그 결과 성취될 수 있어, 미러체의 동적 특성이 향상되게 된다.

지지 요소를 적어도 부분적으로 제거하는 프로세스는 예를 들어 기계적 제거에 의해, 예를 들어 드릴 또는 밀(mill) 등을 사용하는 가공 제거에 의해 실행될 수 있다. 이 경우에, 지지 요소는 후방벽으로부터 기계적으로 제거될 수 있다. 제거 후에 잔류하는 구멍은 이 경우에 미러체의 후방벽에 위치되어, 이들 구멍이 미러체의 전방측에 안내되는 빔에 영향을 미치지 않게 된다.

그 대안으로서, 지지 요소가 측벽의 구멍을 통해 기계적으로 제거되는 것도 또한 가능하다. 따라서, 단지 하나의 구멍만으로 복수의 지지 요소를 제거하는 것이 또한 가능하다. 측벽이 완전히 원주형이 아니고, 오히려 절결부를 가지면, 지지 요소는 또한 부가의 구멍의 제공 없이 제거될 수 있다.

다른 구성에 따르면, 지지 요소는 레이저광으로의 조사에 의해 적어도 부분적으로 제거된다. 이 경우에, 심지어 미러체에 구멍을 제공하지 않고 지지 요소를 제공하는 것이 가능하다. 지지 요소가 레이저광에 대해 더 높은 흡수성을 갖도록 지지 요소 내에 흡수제를 제공함으로써, 레이저광을 사용하는 제거를 가속화하는 것이 가능하다. 레이저광을 사용하는 제거는 마찬가지로 지지 요소가 복수의 방향으로부터 동시에 레이저광으로의 조사에 의해 적어도 부분적으로 제거되면 가속화될 수 있다.

다른 구성에 따르면, 지지 요소는 에칭제가 캐비티 내에 충전되고 지지 요소가 에칭제에 의해 화학적으로 파괴되는 절차에 의해 적어도 부분적으로 제거된다. 이 구성에 의해, 미러체는 지지 요소의 제거 중에 기계적 부하를 받게 되지 않는다.

지지 요소는 예를 들어 기둥형, 절두 원추의 형상 또는 절두 피라미드의 형상일 수 있다. 절두 원추 형상은 그 기계적 안정성과 관련하여 유리하다. 지지 요소의 단면의 형상은 이를 제거하기 위한 방법에 따라 선택될 수 있다.

복수의 지지 요소가 전방벽과 후방벽 사이에 제공되는 것이 또한 가능하다. 복수의 지지 요소를 제공함으로써, 대직경을 갖는 미러체가 신뢰적으로 안정화되는 것이 심지어 가능하다. 이 경우에, 지지 요소는 예를 들어 측벽과 전방벽의 중간점 사이에서 타원 상에 배열될 수 있다.

미러체를 제조하는 것은 예를 들어, 이하의 단계

전방벽의 후방측과 후방벽의 전방측 사이에 측벽 및 지지 요소를 배열하는 단계, 및

전방벽, 측벽, 후방벽 및 지지 요소를 가열하여 이들이 함께 융합하게 하는 단계를 포함할 수 있다.

이 경우에, 전방벽, 측벽, 지지 요소(또는 지지 요소들) 및 후방벽은 반드시 별도로 제공될 필요는 없고, 오히려 측벽과 지지 요소는 융합 전에 전방벽 또는 후방벽과 일체로 형성되는 것이 또한 가능하다.

더욱이, 지지 요소는 적어도 하나의 미리 정해진 파괴 위치를 구비하는 것이 가능하다. 따라서, 전방벽과 후방벽 사이의 연결은 규정된 위치에서 지지 요소에 의해 중단될 수 있다.

전술된 방법은 더욱이 후방벽의 후방측 상에 베어링 요소를 끼워맞춤하는 단계를 더 포함할 수 있다. 공간 절약적인 미러 배열체가 후방벽의 후방측 상에 배열된 베어링 요소를 구비할 수 있다.

미러체는 제로 크로싱 온도(zero crossing temperature)에서 제로인 온도 의존성 (선형) 열팽창 계수를 갖는 재료로부터 제조될 수 있다. 이는 온도의 함수로서 열팽창 계수의 특성 곡선이 즉 상기 제로 크로싱 온도에서 적어도 하나의 제로 교차점을 갖는 것을 의미한다. EUV 리소그래피 장치가 상기 온도에서 또는 적어도 상기 온도에 충분히 근접하여 작동되면, 온도 변동은 미러 배열체의 기하학적 형상에 영향을 미치지 않고, 그 결과 미러 배열체의 이미징 특성의 온도 의존성이 회피되거나 최소화된다. 이러한 소위 제로 팽창 재료의 예는 Zerodur(Schott AG의 등록 상표명) 및 ULE(Corning Inc.의 등록 상표명)이다.

전술된 목적은 EUV 리소그래피 장치용 미러 배열체이며, 전방벽, 후방벽 및 전방벽과 후방벽 사이에 배열된 측벽을 갖는 미러체를 포함하고, 전방벽, 후방벽 및 측벽은 비어 있는 캐비티를 경계 한정하고, 캐비티의 최대 측방향 크기 대 미러체의 최대 측방향 크기의 비는 적어도 0.75:1인 미러 배열체에 의해 또한 성취된다. 캐비티가 "비어 있는" 사실은, 전방벽, 후방벽 및 측벽의 것과는 상이한 재료로 구성된 어떠한 다른 구조 요소도 포함하지 않는데, 특히 전방벽과 후방벽을 서로에 대해 지지하거나 서로에 대해 이들을 기계적으로 결합하는 어떠한 이러한 구조 요소도 포함하지 않는 것을 의미할 수 있다. 그러나, 전방벽과 후방벽은 동일한 재료로 구성된 하나 또는 복수의 구조 요소에 의해 또는 동일한 재료로 구성된 (단일의) 내주측벽에 의해 서로에 대해 지지되는 것이 가능하다. 후자의 경우에, 캐비티는 실질적으로 링형일 수 있다. 달리 말하면, 캐비티는 따라서 미러체 재료에 의해 경계 한정된 미러체 내의 해당 영역으로서 간주될 수 있다. 정확하게 하나의 캐비티가 유리하게 제공되는데, 달리 말하면 캐비티는 미러체의 대향 측벽들 사이에 연속적으로 연장한다. 전방벽과 후방벽 사이의 더 양호한 분리가 따라서 성취된다.

전방벽과 후방벽 사이에 배열된 캐비티는 전방벽과 후방벽 사이의 양호한 기계적 분리를 성취하는 것을 가능하게 한다. 더욱이, 미러 배열체의 총 중량은 캐비티에 의해 감소될 수 있다. 캐비티 또는 미러체의 원형 기부 영역의 경우에, "최대 측방향 크기"는 직경에 대응하고, 타원형 기부 영역의 경우에, "최대 측방향 크기"는 타원 시스템의 장축의 길이에 대응한다. 캐비티의 최대 측방향 크기는 미러체의 최대 측방향 크기보다 작은 것은 물론이다.

캐비티의 최대 측방향 크기 대 미러체의 최대 측방향 크기의 비는 상기에 지시된 범위에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 적어도 0.8:1, 적어도 0.85:1, 적어도 0.9:1, 적어도 0.95:1 또는 적어도 0.995일 수 있다.

캐비티의 최대 높이 대 미러체의 최대 높이의 비는 예를 들어 0.5:1 이하이다. 이 비는 또한 이 범위에 한정되는 것은 아니고, 또한 예를 들어 0.2:1 이하, 0.1:1 이하, 또는 0.05:1 이하일 수 있다. 이러한 편평한 캐비티는 또한 전방벽과 후방벽의 양호한 기계적 분리를 가능하게 한다. 편평한 캐비티는 더욱이 미러 배열체의 제조를 간단화한다. 캐비티는 더욱이 최대 높이 대 최대 측방향 크기의 비가 1:5 미만 또는 1:10 미만 또는 1:20 미만인 것을 특징으로 할 수 있다.

미러 배열체는 EUV 리소그래피 장치의 구조 요소에 미러 배열체를 링크하기(linking) 위한 베어링 요소를 더 포함할 수 있고, 베어링 요소는 후방벽의 외부측에 제공된다. 구조 요소는 예를 들어 EUV 리소그래피 장치의 부하 제거 프레임일 수 있다. 공간 절약적 미러 배열체가 따라서 제공될 수 있다. 더욱이, 이 경우에, 베어링 요소가 후방벽에 링크될 때 발생하는 변형력은 전방벽에, 즉 미러 전방측에 직접 영향을 미치지 않는다.

적어도 하나의 지지 요소는 전방벽과 후방벽 사이에서 캐비티 내에 제공될 수 있다. 따라서 반드시 모든 지지 요소를 제거할 필요는 없다. 캐비티 내에 잔류하는 지지 요소는 미러 강성을 전체적으로 증가시키는 안정화 지지 위치로서 기능할 수 있다.

지지 요소는 전방벽 및 후방벽과 동일한 재료로 이루어질 수 있다.

다른 예시적인 실시예가 첨부 도면을 참조하여 설명될 것이다.

도 1은 종래의 미러 배열체의 개략도이다.
도 2는 제1 예시적인 실시예에 따른 방법에 의해 제조된 미러 배열체의 개략 단면도를 도시한다.
도 3은 도 2의 미러 배열체의 후면도이다.
도 4a 내지 도 4h는 미러 배열체를 제조하기 위한 방법의 제1 예시적인 실시예를 도시한다.
도 5는 제1 예시적인 실시예에서 지지 요소를 제거하기 위한 단계의 일 대안적인 구성을 도시한다.
도 6은 제1 예시적인 실시예에서 지지 요소를 제거하기 위한 단계의 다른 대안적인 구성을 도시한다.
도 7은 제1 예시적인 실시예에서 지지 요소를 제거하기 위한 단계의 다른 대안적인 구성을 도시한다.
도 8a는 제2 예시적인 실시예에 따른 방법에 의해 제조된 미러체의 평면도를 도시하고, 도 8b는 이 미러체(52)의 사시도를 도시한다.
도 9a는 도 8a 및 도 8b의 미러체의 캐비티를 통한 단면도를 도시하고, 도 9b는 도 9a의 라인 C-C를 따른 미러체를 통한 단면도를 도시한다.
달리 지시되지 않으면, 도면의 동일한 도면 부호는 동일한 또는 기능적으로 동일한 요소를 나타낸다. 더욱이, 도면의 도시는 반드시 실제 축적대로 도시되어 있는 것은 아니라는 것이 주목되어야 한다.

도 2는 제1 예시적인 실시예에 따른 방법에 의해 제조된 미러 배열체(20)의 개략 단면도이고, 도 3은 상기 미러 배열체(20)의 후면도이다. 여기에 설명된 미러 배열체(20)는 리소그래피 장치, 특히 EUV 리소그래피 장치 내의 빔 안내를 위해 적합하다.

본 실시예에서, 미러 배열체(20)는 전방벽(24), 측벽(26) 및 후방벽(28)을 갖는 미러체(22)를 포함한다. 도시된 예에서, 미러체(22)는 평면도에서 원형이지만(도 3 참조), 또한 난형(oval), 타원형 또는 콩팥형(reniform)일 수 있다. 더욱이, 미러체(22)는 오목 미러의 미러체로서 설계된다. 작동 온도에서 그 열팽창 계수가 제로에 가까운 재료가 특히 미러체(22)를 위한 재료로서 적합하다. 이러한 재료는 또한 "제로 팽창 재료"라 나타낸다. 이러한 재료의 예는 글래스 세라믹 재료, 티타늄 도핑된 석영 글래스 또는 적합한 첨가제를 구비한 근청석(cordierite)이다.

반사 코팅(30)이 전방벽(24)의 전방측에, 즉 빔 경로에 대면하는 측면에 제공되고, 상기 반사 코팅은 EUV 범위에서 광을 반사하기에 적합하다. 측벽(26)은 전방벽(24)의 후방측에 제공되고, 이 측벽은 예를 들어 링형 방식으로 전방벽(24)의 에지 주위에 원주방향으로 구체화될 수 있다. 후방벽(28)은 측벽(26)의 후방측에 제공된다. 전방벽(24), 측벽(26) 및 후방벽(28)은 일체로 형성되고, 따라서 동일한 재료로 이루어진다. 미러체(22)의 전방벽(24), 측벽(26) 및 후방벽(28)은 단일 캐비티(32)를 경계 한정한다. 도시된 예시적인 실시예에서, 캐비티는 비어 있는데, 즉 전방벽, 후방벽 및 측벽의 것과는 상이한 재료로 구성된 어떠한 추가의 구조 요소도, 특히 전방벽 및 후방벽을 서로에 대해 지지하거나 또는 서로 기계적으로 결합된 어떠한 구조 요소도 포함하지 않는다.

미러 배열체(20)는 복수의 베어링 요소(34)에 의해 리소그래피 장치의 구조 요소(더 상세히 도시되지 않음) 상에 장착된다. 예로서, 이 미러 배열체는 리소그래피 장치의 힘 분산 프레임 상에 장착될 수 있다. 이 장착은 능동이거나 수동일 수 있고, 베어링 요소(34)는 다른 결합 요소에 의해 리소그래피 장치의 프레임 상에 장착될 수 있다.

능동 장착의 경우에, 베어링 요소(34)의 말단부는 각각의 경우에 액추에이터의 일 측에 고정될 수 있고, 액추에이터의 다른 측은 프레임에 고정된다. 이는 미러 배열체(20)의 위치 및 배향의 조정을 가능하게 한다. 수동 장착의 경우에, 베어링 요소(34)의 말단부는 각각의 경우에 예를 들어 스프링 요소와 같은 댐핑 요소의 일 측에 고정될 수 있고, 스프링 요소의 다른 측은 프레임에 고정된다. 이는 미러 배열체(20)로의 진동 등의 전달을 댐핑하는 것을 가능하게 한다. 능동 및 수동 장착의 조합이 또한 가능하다.

베어링 요소(34)는 예를 들어 실질적으로 원통형일 수 있고, 원통형 형상의 편평한 측들 중 하나는 각각의 경우에 후방벽(28)에 링크된다. 베어링 요소(34)와 후방벽(28) 사이의 연결 영역은 또한 이하에 "링크 영역"이라 나타낸다. 베어링 요소(34)는 중공 원통형일 수 있는데, 이는 총 중량의 추가의 감소에 기여한다. 그러나, 이들 베어링 요소는 또한 중실 원통체로서 구현될 수 있다. 베어링 요소(34)가 적어도 단면에서 중공 원통형이면, 즉 예를 들어 적어도 링크의 영역에서 중공 원통형이면, 링크 영역은 축소될 수 있는데, 이는 링크 중에 국부적 스트레인을 감소시키는 것을 가능하게 한다. 베어링 요소(34)는 미러체(22)의 것과는 상이한 재료로부터 제조될 수 있다. 예로서, 이들 베어링 요소는 예를 들어 Invar(철-니켈 합금)와 같은 낮은 열팽창 계수를 갖는 금속으로부터 제조될 수 있다. 3개의 베어링 요소(34)가 후방벽(28)의 3개의 적합한 위치에 링크되면 비교적 낮은 중량과 함께 양호하게 균형화된 장착이 발생한다. 그러나, 4개 이상의 베어링 요소(34)를 제공하는 것이 또한 가능하다.

일반적으로, 여기에 설명된 배열체는 모든 크기의 미러에 적용될 수 있지만, 변형 분리의 효과 - 이하에 더 설명됨 - 는 대직경을 갖는 미러의 경우에, 즉 그 최대 직경이 예를 들어 30 cm 초과 또는 40 cm 초과이고 최대 100 cm 이상에 달하는 미러의 경우에 특히 유리하다.

캐비티(32)에 의해, 미러 배열체(20)의 총 중량은 상당히 감소될 수 있어, 미러 배열체(20)가 대형 미러 기하학적 형상에 특히 양호하게 적합되게 된다. 더욱이, 어떠한 돌기 또는 러그도 제공할 필요가 없고 따라서 링크 영역은 미러 배열체(20)의 반사면(30)에 더 근접하게 배열될 수 있기 때문에, 총 직경은 종래의 미러 배열체에 대해 감소될 수 있다. 동시에, 링형 측벽(26)은 보강 효과를 가져, 미러 배열체(20)의 비교적 높은 강성이 비교적 낮은 중량에서도 성취될 수 있게 된다.

더욱이, 광범위한 변형 분리가 후방벽(28)의 외부측으로의 베어링 요소(34)의 링크에 의해 성취된다. 이와 관련하여, 국부적 스트레인은 예를 들어 베어링 요소(34)와 후방벽(28) 사이의 링크 영역에서 발생할 수 있다. 상기 스트레인은, 예를 들어 후방벽(28)에 베어링 요소(34)를 접착식으로 접합하기 위해 사용된 접착제가 수축하면, 예를 들어 제조 중에 발생할 수 있다. 베어링 요소(34)는 전방벽(24)의 레벨에 제공되지 않고, 오히려 상기 전방벽의 후방에 인접하여 후방벽(28)에 링크되기 때문에, 이러한 국부적 스트레인에 의해 발생하는 힘은 또한 미러체 및 그 위에 제공된 반사면에 직접 전달되지 않는다. 오히려, 후방벽(28)은 특정 탄성을 갖고, 이 때문에 변형 분리가 성취될 수 있다. 더욱이, 장착 중에 그리고/또는 작동 중에 발생하는 힘은 베어링 요소(34)가 후방벽(28)에 링크되는 결과로서 전방벽(24)으로부터 대부분 분리되기 때문에, 이 배열체는 또한 변형이 거의 없는 장착 및/또는 작동을 성취한다.

일체형 또는 모노리식(monolithic) 미러체(22)를 제조하기 위한 일 가능한 방법에서, 전방벽(24), 측벽(26) 및 후방벽(28)은 서로의 위에 적층되고, 가열되고, 함께 융합된다. 이는 전방벽(24), 측벽(26) 및 후방벽(28) 사이에 밀착성 연결, 즉 전방벽(24), 측벽(26) 및 후방벽(28)이 원자력 또는 분자력에 의해 함께 유지되고 연결 수단의 붕괴에 의해서만 분리될 수 있는 연결을 야기한다.

그러나, 대직경을 갖는 미러의 경우에, 이 방법에서 개별 요소가 함께 융합하기 위해 융점으로 또는 융점에 근접하여 가열되어야 하고, 전방벽(24) 또는 후방벽(28)이 이러한 온도에서 이들의 낮은 강성에 의해 처지고 따라서 이들의 형상을 변경할 수 있는 문제점이 발생한다. 그러나, 전방벽(24)의 경우에, 작은 변형도 내부적으로 보정되는 것이 어렵고 따라서 미러의 이미징 특성에 악영향을 미칠 수 있고, 후방벽(28)의 경우에서도 역시, 변형은 미러의 동적 거동에 영향을 미칠 수 있고 따라서 바람직하지 않기 때문에, 심지어 작은 변형조차 회피되어야 한다.

미러를 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법에 따르면, 지지 요소는 전방벽(24)과 후방벽(28) 사이에 제공되고, 이 지지 요소는 가열 중에 미러체(22)를 지지한다. 이들 지지 요소는 가열 후에 재차 제거된다.

이 방법이 제1 예시적인 실시예가 도 4a 내지 도 4h를 참조하여 이하에 설명된다.

제1 단계(S1)에서, 미러체(22)의 전방벽(24)은 기판(36) 상에 배치된다(도 4a 참조). 기판(36)은 후속의 가열 프로세스의 온도에서도 그 형상을 유지하고 전방벽(24)과 함께 융합하지 않는 재료로부터 제조된다. 더욱이, 기판(36)은 그 위에 배치되는 전방벽(24)의 전방측의 형상에 실질적으로 대응하는 형상을 갖는다.

제2 단계(S2)에서, 측벽(26) 및 지지 요소(38)는 전방벽(24)의 후방측 상에 배치된다(도 4b 참조). 이를 위해, 전방벽(24)의 후방측이 실질적으로 평면형이면 유리하다. 더욱이, 리세스를 전방벽(24)의 후방측에 제공하는 것이 또한 가능하고, 이 리세스 내로 지지 요소(38) 및/또는 측벽이 삽입될 수 있다. 도시된 예에서, 지지 요소(38)는 중실 원통형이지만, 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이 다른 형상을 또한 가질 수 있다. 지지 요소(38)의 높이는 측벽(26)의 높이에 실질적으로 동일하다. 도시된 예에서, 일 지지 요소(38)는 전방벽(24)의 중간점에서 실질적으로 제공되고, 추가의(8개) 지지 요소(38)가 중간점과 측벽(26) 사이의 원 상에 제공된다.

제3 단계(S3)에서, 후방벽(28)은 측벽(26)과 지지 요소(38) 상에 배치된다(도 4c 참조). 이 경우에, 후방벽(28)은 측벽(26)과 동일 높이에서 종료할 수 있지만, 또한 측벽을 넘어 돌출할 수 있다. 지지 요소(38)는 따라서 전방벽(24), 측벽(26) 및 후방벽(28)에 의해 형성된 캐비티(32) 내에 배열된다.

제4 단계(S4)에서, 전방벽(24), 측벽(26), 후방벽(28) 및 지지 요소(38)는 함께 융합되고, 일체형 미러체(22)가 따라서 형성된다(도 4d 참조). 이를 위해, 온도는 예를 들어 융점으로 증가되고, 특정 시간(예를 들어, 10분) 동안 유지된다. 지지 요소(38)가 전방벽(24)과 후방벽(28) 사이에 제공되기 때문에, 이는 후방벽(28)이 그 자중에 의해 처지거나 변형되는 것을 방지한다.

캐비티 내에 지지 요소(38)를 남겨두는 것이 또한 가능하지만, 지지 요소(38)는 미러체(22)의 동적 거동에 영향을 미친다. 특히, 지지 요소(38)는 전방벽(24)과 후방벽(28)의 기계적 분리를 성취하는 것을 더 어렵게 한다. 이 이유로, 제5 단계(S5)에서, 지지 요소(38)는 미러체(22)의 냉각 후에 적어도 부분적으로 제거된다(도 4e 참조). 이 경우에, "적어도 부분적으로 제거"라는 것은, 지지 요소(38)의 적어도 일 부분이 제거되어, 지지 요소(38)가 더 이상 전방벽(24)과 후방벽(28)을 서로에 대해 기계적으로 결합하지 않게 되는 것을 의미할 수 있다. 지지 요소(38)를 완전히 제거하는 것도 또한 가능하다. 지지 요소(38)의 완전한 제거의 결과로서, 첫째로 미러체의 중량이 감소되고, 둘째로 미러체의 더 양호한 대칭성이 그 결과로서 보장될 수 있어, 미러체의 동적 특성이 향상되게 된다.

따라서, 지지 요소의 적어도 부분적인 제거는 전방벽(24)과 후방벽(28)의 분리를 성취한다. 도시된 예시적인 실시예에서, 이 목적으로, 지지 요소(38)는 후방벽(28)의 후방측으로부터 기계적으로 제거된다. 이 목적으로, 지지 요소(38)의 위에는, 적합한 공구(40), 예를 들어 글래스 드릴, 글래스 밀(glass mill) 또는 연삭 공구를 사용하여 구멍(42)이 후방벽(28) 내로 도입되고, 이어서 지지 요소(38)는 공구(40)를 사용하여 가공함으로써 제거된다. 더욱이, 점진적으로 증가하는 드릴 직경을 갖는 복수의 천공된 구멍을 통해 지지 요소(38)를 제거하는 것, 즉 예를 들어 먼저 지지 요소(38)의 직경보다 작은 천공 직경을 갖는 공구를 사용하여 미리 천공된 구멍을 형성하고, 이어서 그 직경이 적어도 지지 요소(38)의 직경에 대응하는 공구를 사용하여 주 천공 구멍에서 지지 요소(38)를 제거하는 것이 가능하다.

제6 단계(S6)에서, 전술된 베어링 요소(34)는 후방벽(28)의 후방측에 고정된다(도 4f 참조). 베어링 요소(34)는 예를 들어 후방벽(28) 상에 접착식으로 접합되거나 납땜될 수 있다.

최종 제7 단계(S7)에서, 미러체(22)는 기판(36)으로부터 취출되고, 반사층(30)이 전방벽(24)의 전방측에 부착된다(도 4g 참조). 도 2 및 도 3에 도시된 미러 배열체(20)가 따라서 완성된다. 선택적으로, 미러면의 최종 가공을 위한 추가의 단계가 또한 제6 또는 제7 단계 전에 실행될 수 있다.

전술된 예시적인 실시예에 따른 방법에 의해, 전방벽(24)과 후방벽(28)이 미러체(22)의 개별 부분의 융합 중에 서로에 대해 지지되어, 대면적부의 처짐이 회피될 수 있게 된다. 지지 요소(38)는 융합 후에 적어도 부분적으로 제거되기 때문에, 이들 지지 요소는 미러체(22)의 고유 주파수에 영향을 미치지 않거나 단지 사소한 영향만을 미치게 되고, 전방벽(24) 및 후방벽(28)은 서로로부터 분리될 수 있다. 구멍(42)이 후방벽(28)으로부터 지지 요소(38)의 제거 후에 후방벽(28)에 잔류하지만, 상기 구멍(42)은 비교적 작아서, 이들 구멍은 미러체의 고유 주파수 및 동적 특성에 영향을 미치지 않거나 단지 사소한 영향만을 미치게 된다. 특히, 미러체(22)의 강성은 구멍(42)에 의해 단지 아주 약간만 감소된다.

지지 요소(38)의 수 및 배열은 미러체(22)의 기하학적 형상에 따라 결정될 수 있다. 이와 관련하여, 비교적 소형 미러체의 경우에, 단지 하나의 지지 요소만이 미러체(22)의 중심에 제공되기만 하면 충분할 수도 있다. 이 경우에, "미러체의 중심"이라는 것은, 예를 들어 전방벽(24) 또는 후방벽(28)이 고유 중량 변형에 기인하여 가열 중에 가장 많이 처지는 미러체의 위치를 의미할 수 있다. 매우 큰 면적을 갖는 미러체의 경우에, 미러체(22)의 중심에 있는 지지 요소(38)에 추가하여 또는 그 대안으로서, 복수의 지지 요소(38)가 미러체(22)의 중심과 원주방향 측벽(26) 사이에 제공될 수 있다. 상기 지지 요소(38)는 예를 들어 미러체(22)의 중심 주위에 원 또는 타원으로, 미러체(22)의 기본 형상에 따라 배열될 수 있다. 특히 대형 미러 배열체의 경우에, 미러체(22)의 중심과 원주방향 측벽(26) 사이에 2개 이상의 열로 지지 요소(38)를 제공하는 것이 또한 가능하다.

도 5는 전술된 예시적인 실시예에서 지지 요소(38)를 제거하기 위한 단계(S5)의 대안적인 구성을 도시한다. 이 대안적인 구성에 따르면, 지지 요소(38)는 후방벽(28)으로부터가 아니라, 측벽(26)으로부터 기계적으로 제거되고 적어도 부분적으로 제거된다. 이 목적으로, 먼저 하나 또는 복수의 구멍(44)이 측벽(26)에 제공되고, 이 구멍을 통해 전술된 공구(40)가 도입되고 지지 요소(38)가 제거된다. 이 경우에, 구멍(44)의 폭은 지지 요소(38)의 폭에 대응할 수 있다.

이 구성에 대한 장점은, 복수의 지지 요소(38)가 측벽(26)의 하나의 구멍(44)을 통해 제거될 수 있어, 마지막으로 더 적은 수의 구멍이 미러체(22)에 잔류하게 된다는 것이다. 측벽(26)이 완전히 원주형이 아니고, 오히려 절결부를 가지면, 공구(40)는 부가의 구멍의 제공 없이도 상기 절결부를 통해 도입될 수 있다. 그러나, 이 구성에서, 원형 단면을 갖는 지지 요소의 경우에, 공구(40)는 지지 요소(38)의 원형 측벽 상에 작용하는데, 이는 제거 프로세스를 더 어렵게 한다. 공구(40)가 지지 요소(38) 상에서 슬립하는 것을 방지하기 위해, 따라서 미리 천공된 구멍 또는 소형 리세스 등이 지지 요소(38)에 제공될 수 있고, 공구(40)의 팁은 이들 내에 도입될 수 있다. 더욱이, 안내홈(guide trench)이 또한 전방벽(24)의 후방측에 제공될 수 있고, 이 안내홈을 따라 공구(40)가 개별 지지 요소(38)까지 측벽(26)으로부터 안내될 수 있다. 더욱이, 측면으로부터 지지 요소(38)의 단부의 제거 중에, 최고력이 지지 요소(38)의 대향 단부에 작용하고, 그 결과 지지 요소는 이 영역에서 최종적으로 파괴될 수 있다. 제어되지 않은 파괴를 방지하기 위해 그리고/또는 제거 프로세스를 간단화하기 위해, 하나 또는 복수의 미리 정해진 파괴 위치가 지지 요소(38)를 따라 제공될 수 있어, 지지 요소(38)는 특정 전단력이 제거 중에 초과되는 경우에 상기 미리 정해진 파괴 위치에서 파괴하게 된다. 더욱이, 지지 요소(38)의 축을 따라 2개의 미리 정해진 파괴 위치를 제공하고, 측벽(26)의 구멍(44)을 통해 도입된 플런저를 사용하여 상기 미리 정해진 파괴 위치들 사이에 위치된 지지 요소(38)의 해당 섹션을 파괴하는 것이 또한 가능하다.

도 6은 전술된 예시적인 실시예에서 지지 요소(38)를 제거하기 위한 단계(S5)의 다른 대안적인 구성을 도시한다. 이 대안적인 구성에 따르면, 지지 요소(38)는 기계적으로 제거되는 것이 아니라, 오히려 액체 에칭제가 후방벽(28)에 제공된 구멍(47)을 통해 캐비티(32) 내에 충전되는 절차에 의해 화학적으로 제거된다. 이 경우에, 에칭제는 예를 들어 불화수소산과 같은 지지 요소(38)를 화학적으로 제거하기 위해 적합한 임의의 제제일 수 있다. 이 구성에서, 캐비티(32)의 내부벽이 에칭제에 의해 또한 공격받을 수 있지만, 이는 캐비티(32)를 경계 한정하는 요소의 치수설정시에 고려될 수 있다. 더욱이, 지지 요소(38)의 에칭될 직경을 최소화함으로써 에칭 시간을 최소화하는 것이 가능하다. 예로서, 전술된 바와 같이, 미리 정해진 파괴 위치가 제공될 수 있고, 또는 지지 요소(38)는 중공 원통형일 수 있다. 캐비티(32)는 에칭 프로세스 중에 에칭제로 완전히 충전될 수 있고, 그 결과 균일한 에칭이 캐비티(32)와 지지 요소(38)의 모든 벽을 따라 성취된다. 그러나, 단지 특정 충전 레벨까지만 에칭제로 캐비티(32)를 충전하고, 지지 요소(38)의 하부 섹션만을 화학적으로 제거하는 것이 마찬가지로 가능하다.

이 구성에 대한 장점은, 지지 요소(38)의 제거 중에, 미러체(22)가 천공력에 의해 전술된 구성에서 발생하는 기계적 부하를 받게 되지 않는다는 것이다.

도 7은 전술된 예시적인 실시예에서 지지 요소(38)를 제거하기 위한 단계(S5)의 다른 대안적인 구성을 도시한다. 도 7은 도 4d에서 단면 라인 B-B를 따른 단면도를 도시한다. 이 대안 구성에 따르면, 지지 요소(38)는 레이저광으로의 조사에 의해 적어도 부분적으로 제거된다. 이 목적으로, 하나 또는 복수의 레이저 소스(46)가 미러체의 외부에 제공되고, 지지 요소(38) 상으로 유도될 수 있는 레이저광(48)을 발생한다. 도 7에서 레이저 소스(46)의 배열은 단지 개략적인 것이고, 특히 측벽(26)에서의 레이저의 굴절 효과 등은 고려되지 않았다는 것이 고려되어야 한다.

레이저광(48)은 유리질 측벽(26)을 통해 관통한다. 이 경우에, 레이저광(48)은 제거될 지지 요소(38) 상에 포커싱되고 포커싱되지 않은 상태에서 측벽(26)을 통해 관통하는 이러한 방식으로 설정될 수 있다. 따라서, 측벽(26)은 레이저광(48)에 의해 단지 아주 약간의 정도로만 가열된다. 제거될 지지 요소(38)는 레이저광(48)을 흡수하고, 이에 의해 융점으로 가열된다. 레이저광(48)을 사용하는 지지 요소(38)의 제거 중에, 미러체(22) 내에 임의의 구멍을 제공할 필요가 없다. 이 경우에도 마찬가지로, 미리 정해진 파괴 위치 등의 방식으로 감소된 직경을 갖는 영역이 지지 요소(38)의 대응 위치에 제공될 수 있다. 단지 하나의 레이저 소스(46)를 사용하는 조사에 의해 지지 요소(38)를 통해 용융하는 것이 가능하지만, 복수의 방향으로부터 동시에 지지 요소(38) 상에 레이저광(48)을 유도하고 따라서 제거 프로세스를 가속화하는 것을 가능하게 하기 위해 2개 이상의 레이저 소스(46)를 사용하는 것이 유리하다. 단지 하나의 레이저 소스로부터의 레이저광을 빔 스플리터 등을 사용하여 복수의 광빔으로 분할하고, 미러의 도움으로 복수의 방향으로부터 상기 광빔을 제거될 지지 요소(38) 상에 유도하는 것이 마찬가지로 가능하다. 이 경우에, 단지 하나의 레이저 소스만이 제공되면 되고, 이는 더 비용 효율적인 제조를 가능하게 한다.

제거 프로세스를 더욱 더 가속화하기 위해, 지지 요소들이 레이저광을 더 양호하게 흡수하는 이러한 방식으로 지지 요소(38)를 설정하는 것이 가능하다. 예로서, 레이저광(48)의 파장 범위에서 광을 흡수하는 대응 안료 또는 다른 흡수제와 지지 요소(38)를 혼합하는 것이 가능하다.

도 8a, 도 8b, 도 9a 및 도 9b는 엄밀하게는 지지 요소의 제거 전에, 제2 예시적인 실시예에 따른 미러체(52)를 포함하는 미러 배열체(50)를 도시한다. 이 경우에, 도 8a는 미러체(52)의 평면도를 도시하고, 도 8b는 미러체(52)의 사시도를 도시하고, 도 9a는 미러체(52) 내의 캐비티를 통한 단면도를 도시하고, 도 9b는 도 9a의 라인 A-A를 따른 미러체(52)를 통한 단면도를 도시한다. 미러체(52)는 캐비티(62)를 경계 한정하는 전방벽(54), 측벽(56)(64) 및 후방벽(58)을 또한 포함한다.

제1 예시적인 실시예에서와 같이 마찬가지로, 미러체(52)는 평면도에서 원형이고, 오목 미러로서 구체화된다. 미러체(52)의 직경(d1)은 예를 들어 400 내지 1000 mm, 예를 들어 대략 800 mm일 수 있다. 측벽(56)의 두께(d2)는 예를 들어 10 내지 150, 예를 들어 대략 100 mm일 수 있다. 캐비티(62)의 직경(d3)(즉, 최대 측방향 크기) 대 미러체(52)의 직경(d1)(즉, 최대 측방향 크기)의 비는 이 경우에 적어도 0.75:1, 적어도 0.8:1 또는 적어도 0.85:1일 수 있다. 따라서, 캐비티(62)의 직경(d3)은 예를 들어 300 내지 980 mm, 예를 들어 대략 600 mm이다.

미러체(52)의 최대 높이(h1)는 예를 들어 200 내지 400 mm, 예를 들어 300 mm일 수 있다. 후방벽의 최대 높이(h2)는 예를 들어 20 내지 80 mm, 예를 들어 40 mm일 수 있다. 측벽의 최대 높이(h3)는 예를 들어 2 내지 50 mm, 예를 들어 20 mm일 수 있다. 이 경우, 캐비티(62)의 최대 높이(h3) 대 미러체(52)의 최대 높이(h1)의 비는 예를 들어 0.5:1 이하, 0.1:1 이하 또는 0.05:1 이하일 수 있다.

본 제2 예시적인 실시예에 따른 미러체(52)는, 원형 내측벽(64)이 미러 중심 주위에 제공되고 캐비티(62)를 반경방향 내향으로 경계 한정한다는 점에서 제1 예시적인 실시예의 미러체(22)와는 상이하다. 더욱이, 직사각형 관통 구멍(66)이 미러체(52)의 중심을 통해, 즉 전방벽(54), 내측벽(64) 및 후방벽(58)을 통해 제공된다. 원형 내측벽(64)은 예를 들어 200 내지 400 mm, 예를 들어 300 mm의 외경(d4)을 가질 수 있다. 관통 구멍(66)은 1:2의 형상비를 가질 수 있고, 예를 들어 100 mm의 높이(d5) 및 200 mm의 폭(d6)을 가질 수 있다. 상기 관통 구멍(66)을 통해, 광빔은 리소그래피 장치에 진입할 수 있다. 예로서, 이 미러체(52)를 갖는 미러 배열체에 의해 반사된 광은 다른 미러에 의해 반사되고 관통 구멍(66)을 통해 통과될 수 있다. 대향 빔 경로가 또한 고려 가능하다.

미러 중심 부근에 관통 구멍을 갖는 이러한 미러는 특히 근시야 미러(near-field mirror)에 사용될 수 있고, 대응적으로 대직경을 가질 수 있다. 전술된 이유로, 따라서 미러체(52)의 내부에 캐비티(62)를 제공하고, 미러체(52)의 제조 중에 지지 요소(68)를 제공하는 것이 유리하고, 상기 지지 요소는 미러체(52)의 개별 요소의 융합 후에 재차 제거된다.

지지 요소(68)는, 이들이 기둥형 방식으로 구체화되는게 아니라, 오히려 절두 원추의 형상으로 구체화되는 점에서 전술된 예시적인 실시예의 지지 요소(38)와는 상이하다. 이 경우에, 지지 요소(68)는 그 기부 영역에서 예를 들어 25 내지 50 mm, 예를 들어 40 mm의 직경(d7)을, 그 정점에서 예를 들어 5 내지 30 mm, 예를 들어 20 mm의 직경(d8)을 갖는다. 이 경우에, 지지 요소(68)는 예를 들어 450 mm의 직경(d9)을 갖는 원(더 일반적으로, 타원) 상에 배열된다.

전방벽(54), 측벽(56) 및 후방벽(58)으로 구성된 미러체(52)의 제조는 제1 예시적인 실시예에 대해 설명된 단계들과 대응적으로 실시된다. 따라서, 융합 중에 지지 요소(68)에 의한 지지와 관련하여 동일한 장점이 발생한다.

절두 원추의 형태의 이들의 구성에 의해, 지지 요소(68)는 전방벽(54)의 후방측에 더 용이하게 위치될 수 있다. 특히, 후방벽(58)의 배치 중에 지지 요소의 낙하의 위험이 없다. 따라서, 제1 예시적인 실시예에서보다 더 안정한 구성이 가능하다. 더욱이, 지지 요소(68)의 절두 원추 정점은 후방벽(58)의 측면에 배열되어, 그 제거 직경이 절두 원추 정점의 직경에 대응하는, 즉 절두 원추의 기부에서의 직경보다 작을 수 있는 공구를 사용하여 지지 요소(68)가 제거될 수 있게 된다. 따라서, 후방벽(58)에 잔류하는 구멍은 또한 비교적 작고, 따라서 미러체(52)의 동적 거동에 매우 적게 영향을 미친다.

도 8 및 도 9에 따른 제2 예시적인 실시예에서, 캐비티는 제1 예시적인 실시예에서보다 작다. 따라서, 미러체(62)는 더 큰 강성을 갖지만, 캐비티(62)에 의한 중량 절약은 더 작다.

전술된 실시예는 단지 예시일 뿐이고, 특허 청구범위의 보호의 범주의 맥락에서 다양하게 변경될 수 있다는 것이 고려되어야 한다. 특히, 전술된 실시예의 특징은 또한 서로 조합될 수 있다.

예로서, 제1 예시적인 실시예에서 측벽(26)은 반드시 미러체(22)의 에지에 제공될 필요는 없고, 오히려 또한 반경방향 내향으로 오프셋된 방식으로 에지로부터 이격되는 방식으로 배열될 수 있다. 따라서, 더 낮은 중량과 함께 더 대형의 미러면을 성취하는 것이 가능하다. 더욱이, 측벽(26)은 또한 2개의 부분으로 실시될 수 있고, 외측벽(56)과 내측벽(64)을 포함할 수 있다.

더욱이, 예를 들어 대응하는 원료 요소의 융합에 의해, 캐비티(32)(62)에 대응하는 재료의 제거에 의해, 또는 대응 몰드 내에서의 주조에 의해, 전방벽(24)(54), 측벽(26)(56) 및 지지 요소(38)(68)를 하나의 부분으로 모노리식으로 제조하는 것이 또한 우선적으로 가능하다.

상기에 제시된 예시적인 실시예에서, 전방벽(24)(54)은 더욱이 기판(36) 상에 배치되었지만, 대응적으로 성형된 기판 상에 후방벽(28)(58)의 후방측을 배치하고 지지 요소와 전방벽을 그 위에 위치시키는 것도 물론 또한 가능하다. 더욱이, 후방벽(28)(58)은 반드시 평면형으로서 실시될 필요는 없고, 오히려 예를 들어 전방벽(24)(54)의 광학면의 곡률을 따를 수 있다.

10: 미러 배열체 12: 미러 기판
14: 돌기 16: 베어링 요소
20: 미러 배열체 22: 미러체
24: 전방벽 26: 측벽
28: 후방벽 30: 반사 코팅
32: 캐비티 34: 베어링 요소
36: 기판 38: 지지 요소
40: 공구 42: 구멍
44: 구멍 46: 레이저 소스
48: 레이저광 50: 미러 배열체
52: 미러체 54: 전방벽
56: 측벽 58: 후방벽
62: 캐비티 64: 내측벽
66: 관통 구멍 68: 지지 요소

Claims

리소그래피 장치용 미러 배열체(20, 50)의 제조 방법이며,
미러체(22, 52)의 전방벽(24, 54), 후방벽(28, 58) 및 측벽(26, 56, 64)에 의해 경계 한정된 캐비티(32, 62)를 갖는 미러체(22, 52)를 제조하는 단계로서, 상기 측벽은 전방벽(24, 54)과 후방벽(28, 58) 사이에 배열되고, 적어도 하나의 지지 요소(38, 68)가 전방벽(24, 54)과 후방벽(28, 58) 사이에서 캐비티(32, 62) 내에 제공되는, 미러체 제조 단계와,
상기 미러체를 제조한 후에, 지지 요소(38, 68)를 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함하는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 적어도, 지지 요소(38, 68)가 더 이상 전방벽(24, 54)으로부터 후방벽(28, 58)까지 연속적으로 연장하지 않도록 하는 범위로 제거되는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 완전히 제거되는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)를 적어도 부분적으로 제거하는 단계는 기계적 제거에 의해 실시되는 미러 배열체의 제조 방법.
제4항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 후방벽(28, 58)으로부터 기계적으로 제거되는 미러 배열체의 제조 방법.
제4항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 측벽(26, 56)의 구멍(44)을 통해 기계적으로 제거되는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 레이저광(48)으로 조사함으로써 적어도 부분적으로 제거되는 미러 배열체의 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 흡수제를 구비하여, 측벽(26, 56)보다 레이저광(48)에 대해 더 큰 흡수성을 갖게 되는 미러 배열체의 제조 방법.
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 복수의 방향으로부터 레이저광(49)으로의 조사에 의해 적어도 부분적으로 제거되는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 에칭제가 캐비티(32, 62) 내에 충전되는 절차에 의해 적어도 부분적으로 제거되고, 지지 요소(38, 68)는 에칭제에 의해 화학적으로 파괴되는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 기둥형, 절두 피라미드의 형상 또는 절두 원추의 형상인 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 복수의 지지 요소(38, 68)가 전방벽(24, 54)과 후방벽(28, 58) 사이에 제공되는 미러 배열체의 제조 방법.
제12항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 측벽(26, 56)과 전방벽(24, 58)의 중간점 사이에서 타원 상에 배열되는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미러체(22, 52)를 제조하는 단계는
상기 전방벽(24, 54)의 후방측과 후방벽(28, 58)의 전방측 사이에 측벽(26, 56, 64) 및 지지 요소(38, 68)를 배열하는 단계, 및
상기 전방벽(24, 54), 측벽(26, 56, 64), 후방벽(28, 58) 및 지지 요소(38, 68)를 가열하여 이들이 함께 융합하게 하는 단계를 포함하는 미러 배열체의 제조 방법.
제14항에 있어서, 상기 측벽(26, 56) 및 지지 요소(38, 68)는 융합 전에 전방벽(24, 54) 또는 후방벽(28, 58)과 일체로 형성되는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 적어도 하나의 미리 정해진 파괴 위치를 구비하는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 전방벽(24, 54) 및 후방벽(28, 58)과 동일한 재료로 이루어지는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미러체(22, 52)는 제로 크로싱 온도에서 제로인 온도 의존성 열팽창 계수를 갖는 재료로부터 제조되는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 후방벽(28, 58)의 후방측에 베어링 요소(34)를 끼워맞춤하는 단계를 더 포함하는 미러 배열체의 제조 방법.
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 EUV 리소그래피 장치용 미러 배열체(20, 50).
EUV 리소그래피 장치용 미러 배열체(20, 50)이며,
전방벽(24, 54), 후방벽(28, 58) 및 상기 전방벽(24, 54)과 후방벽(28, 58) 사이에 배열된 측벽(26, 56, 64)을 갖는 미러체(22, 52)를 포함하고,
상기 전방벽(24, 54), 후방벽(28, 58) 및 측벽(26, 56)은 비어 있는 캐비티(32, 62)를 경계 한정하고,
상기 캐비티(32, 62)의 최대 측방향 크기(d3) 대 미러체(22, 52)의 최대 측방향 크기(d1)의 비는 적어도 0.75:1인 미러 배열체(20, 50).
제21항에 있어서, 상기 캐비티(32, 62)의 최대 측방향 크기(d3) 대 미러체(22, 52)의 최대 측방향 크기(d1)의 비는 적어도 0.85:1인 미러 배열체(20, 50).
제22항에 있어서, 상기 캐비티(32, 62)의 최대 높이(h3) 대 미러체(22, 52)의 최대 높이(h1)의 비는 0.5:1 이하인 미러 배열체(20, 50).
제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐비티(32, 62)의 최대 높이(h3) 대 최대 측방향 크기(d3)의 비는 1:5 이하인 미러 배열체(20, 50).
제20항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미러체(22, 52)는 제로 크로싱 온도에서 제로인 온도 의존성 열팽창 계수를 갖는 재료로부터 제조되는 미러 배열체(20, 50).
제20항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미러 배열체(20, 50)를 EUV 리소그래피 장치의 구조 요소에 링크하기 위한 베어링 요소(34, 54)를 더 포함하고, 상기 베어링 요소(34, 54)는 후방벽(28, 58)의 외부측에 제공되는 미러 배열체(20, 50).
제20항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 지지 요소(38, 68)가 전방벽(24, 54)과 후방벽(28, 58) 사이에서 캐비티(32, 62) 내에 제공되는 미러 배열체(20, 50).
제27항에 있어서, 상기 지지 요소(28, 68)는 기둥형, 절두 피라미드의 형상 또는 절두 원추의 형상인 미러 배열체(20, 50).
제20항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 요소(38, 68)는 전방벽(24, 54) 및 후방벽(28, 58)과 동일한 재료로 이루어지는 미러 배열체(20, 50).
제20항 내지 제29항 중 어느 한 항에 따른 미러 배열체(20, 50)를 포함하는 EUV 리소그래피 장치.