CN102640056B - 微光刻投射曝光装置中的光学布置 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种微光刻投射曝光装置中的光学布置,其包括至少一个光学元件(110,210)和用于光学元件(110,210)的支撑元件(120,220),其中光学元件(110,210)和支撑元件(120,220)通过至少三个解耦元件(131,132,133;231,232,233)连接在一起;并且其中解耦元件(131,132,133;231,232,233)与光学元件(110,210)和支撑元件(120,220)整体地形成。

Description

微光刻投射曝光装置中的光学布置
相关申请的交叉引用
本申请主张2009年9月30日提交的德国专利申请案102009045163.3号和2009年9月30日提交的美国临时申请No.61/247,059的优先权。这些申请的内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明关于在微光刻投射曝光装置中的光学布置(opticalarrangement)。
背景技术
微光刻用于产生微结构组件(microstructuredcomponent),示例如集成电路或液晶显示器(LCD)。微光刻工艺实施于所谓的投射曝光装置中,该装置具有照明系统(illuminationsystem)和投射物镜(projectionobjective)。在这种状况下,利用照明系统照明的掩模(mask)(=掩模母版(reticle))的像通过投射物镜投射到基板(substrate)(例如硅晶片),以将掩模结构转印到基板上的感光涂层上,其中基板涂有感光层(光刻胶(photoresist))并设置在投射物镜的像平面。
在针对EUV范围(亦即波长例如约13nm或约7nm)设计的投射物镜中,因为缺乏适用的透光折射材料,所以反射镜(mirror)用作用于成像工艺的光学部件。尤其在高孔径(high-aperture)投射物镜中(例如数值孔径值大于0.4),这种状况下,在晶片和最靠近晶片布置的反射镜之间需要有小间距(例如在20-50mm范围),这从而要求反射镜相对较薄(亦即具有厚度对直径的低比例值,例如10或以上)。
对于这种薄反射镜而言,实际上会发生例如因为重力、或安装或涂布(coating)效应所造成的不希望的表面变形现象的问题。关于此点,寄生力矩(parasiticmoment)或力或者干扰静态确定性(staticdefiniteness)的力矩或力所造成的反射镜变形现象,已实现反射镜容许的总表面变形的例如50%的大小的程度。
实务上的另一个要求为增加反射镜的尺寸(其涉及到增大数值孔径)以符合要求的规格,这使得必须增大固有频率,以便一方面即使在发生外部振动时能刚性地维持光学元件相对于彼此的位置,另一方面有关于寄生的及质量相关(mass-dependent)的力矩或干涉力(interferenceforce),提供足够的刚度(stiffness),所述力矩或干涉力通常在抛光操作后因螺纹固定反射镜而产生。
在这种状况下—且这也有关于处于除了投射物镜中像平面侧的最后位置以外的位置上的反射镜——出现这样的问题,即当反射镜直径相对较大时,可获得的固有频率受到限制,而不依赖于反射镜厚度。具体而言,例如在具有6个反射镜的EUV投射物镜中迄今所得的固有频率,远不足以充分抑制由于外部振动引起的干涉影响,以实现所需的覆盖规格(overlayspecification)。
已知许多利用解耦元件(decouplingelement)的方案,用于解决与施加到光学元件(例如反射镜或透镜)的机械应力有关的问题。
关于此点,尤其已知提供动态三点布置的解耦元件,以利用由三点清楚界定的平面实现良好的位置再现性。
WO2005/054953A2公开投射物镜中光学元件的保持布置(holdingarrangement)等等,其中在保持器(holder)和光学元件之间提供加强元件,其热膨胀系数大致对应光学元件的热膨胀系数。
由US2009/0122428A1已知投射曝光装置的光学元件设计成降低热致变形现象,针对此目的,还在反射镜的背侧应用了具有肋结构的校正板。
发明内容
本发明的目的在于提供微光刻投射曝光装置中的光学布置,其即使在具有较高的数值孔径的情况下也能降低或避免因为发生在光学元件的寄生力或力矩造成的对成像性质的不利影响。
此目的通过独立权利要求的特征而实现。
根据本发明的一个方面,一种微光刻投射曝光装置中的光学布置包括:
-至少一个光学元件;以及
-支撑元件,用于光学元件,
-其中光学元件和支撑元件通过至少三个解耦元件连接在一起;以及
-其中该些解耦元件与光学元件和支撑元件整体地(monolithically)形成。
因此,根据第一方面,本发明是基于这样的构思,即整体地产生用于使光学元件与周围的载体结构解耦的解耦元件,即与光学元件或其光学有效表面由同一块材料(例如玻璃材料,如石英玻璃(SiO2)、产生解耦元件,亦即不在独立的接合步骤或不利用任何连接技术(例如使用化学品、粘接剂、夹持连接(clampingconnection)等),将解耦元件施加到光学元件。因此,可避免例如与粘接剂连接及其硬化有关的收缩或应力效应、以及真空条件下的连接的不稳定性。
支撑元件在光学元件和投射曝光装置的载体结构之间提供界面,其中因为三点解耦效应(three-pointdecouplingeffect),所以支撑元件和光学元件之间没有刚度传递。
根据本发明,这里,在制造技术方面与解耦元件的整体式构造有关的增加的复杂度和费用是经过考虑而接受的,以便在不论大反射镜直径或小反射镜厚度的情况下,对应地降低寄生力矩或力,并考虑所要实现的刚度。
因此在根据本发明的布置中,尤其可提供足够薄又有足够刚度的反射镜,其中因为整体式构造,而使得利用例如粘接剂的接合技术及其所带来的应力变成多余的。
根据本发明上述方面,解耦元件与支撑元件整体地形成,使得在解耦元件与支撑元件之间不必应用接合技术,且由此可免除施加应力。本发明不限于此构造,本发明也欲涵盖以下实施例,尤其是EUV微光刻的微光刻投射曝光装置的实施例,其中仅在光学元件与解耦元件间有整体式构造,亦即解耦元件与支撑元件之间利用独立的接合技术实现接合。
在一实施例中,支撑元件通过安装元件连接到微光刻投射曝光装置的载体结构,其中安装元件设置成相对于解耦元件而在周向(peripheraldirection)上移位。由于在支撑元件与载体结构之间形成连接的安装元件相对于在光学元件与支撑元件之间提供连接的解耦元件有移位,所以改善了光学元件(例如反射镜)与载体结构的解耦。
以此方式,当安装元件或载体结构的耦接位置(couplingposition)设置在与接合位置(joininglocation)或解耦元件(其与光学元件产生接触)相距的间距增加,或优选设置在该间距最大之处时,可进一步改善寄生的保持器的解耦影响。在一方面的与载体结构的机械固定和另一方面的解耦元件或接合位置之间的最大距离提供相对长的或最大的行进距离(traveldistance),因此,任何无可避免的从载体结构与支撑结构之间的机械连接传递到光学元件的应力传递可受到相当大的抑制。
若光学元件与支撑元件之间的连接不是利用整体的解耦元件而是利用一些其它接合位置实现,也可实现有利的效应,例如于后所述的由于反射镜位置而不能提供整体式解耦元件(其与光学元件)。
因此,本发明另一方面在于提供一种微光刻投射曝光装置的光学布置,其包括:
-载体结构;
-至少一个光学元件;以及
-支撑元件,在至少三个接合位置附接到光学元件,
-其中支撑元件利用安装元件连接到载体结构;
-其中安装元件设置成相对于接合位置而在周向移位;以及
-其中光学元件具有的最大直径对最大厚度的比例至少为10。
在一实施例中,解耦元件或接合位置分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。此外,在一实施例中,相对于解耦元件或接合位置,安装元件可分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。这使得能够在载体结构的耦接位置以及与光学元件接触的解耦元件或接合位置之间实现最大间距。
在前述方案的实施例中,解耦元件或接合位置分别相对于彼此在周向上移位120°±30°、尤其是120°±20°、更尤其是120°±10°的角度。此外,安装元件优选相对于解耦元件或接合位置分别在周向上移位60°±20°、尤其是60°±10°、更尤其是60°±3o的角度。
在一实施例中,支撑元件通过刚好三个解耦元件或接合位置连接到光学元件。此构造在以下情况下尤其有利,即解耦元件或接合位置数量的进一步增加不导致可获得的刚度性质或固有频率的改善,而变形现象则由于寄生力矩而被不利地增加。
在一实施例中,安装元件构造成为光学元件提供静态确定的安装(就该方面而言,尤其没有将光学元件保持于其位置的多余的力)。为此目的,例如可以本身已知的方式设置3个双脚架(bipod)作为安装元件。或者,也可采用实现光学元件的静态确定的任何其它安装布置,例如六脚安装构造(hexapodmountingconfiguration)。
在一实施例中,光学元件和支撑元件由具有彼此不同的热膨胀系数的材料所形成。以此方式,可考虑光学元件和支撑元件在EUV条件下的操作中会发生的不同温度上升。
在另一实施例中,光学元件和支撑元件是由相同材料所形成,尤其是石英玻璃(SiO2)、所形成,由此可最小化热致变形等。
在一实施例中,光学元件为反射镜。然而本发明不限于此。确切地说,本发明中,术语“光学元件”基本上用于涵盖任何光学元件,例如诸如透镜(lens)的折射元件,或诸如光栅(opticalgrating)的衍射元件。
在一实施例中,支撑元件具有至少一个狭槽(slot)(尤其是切向布置的多个狭槽),由此在径向提供额外的挠性并可在径向上实现至少部分解耦,这在支撑元件与光学元件或反射镜之间有温度差异的情况下尤其有利。
在一实施例中,支撑元件设置在光学元件的外侧,亦即例如相对于光学元件的外环形式。
在另一实施例中,支撑元件也可设置于光学元件的背向光学有效表面的那个表面。这具有以下优点,即支撑元件可以较小的外形尺寸形成(因此在具有环的形式的情况下,例如具有较小半径),由此节省材料(玻璃)和减少重量。此外,支撑元件可具有更高程度的刚度。
在一实施例中,光学元件具有的最大直径对最大厚度的比例至少为5,尤其至少为10,尤其至少为15,更尤其至少为20(其中直径相应地是就在光学上被使用的或光作用于其上的表面而言的)。通过如此小的厚度,本发明对于根据本发明以较小厚度所能实现的刚度特别有用的情况尤其有利。
在一实施例中,光学元件具有中心孔(centralhole)。
在一实施例中,光学元件具有减轻重量的措施。这种情况下,可增加边缘部(edgeportion)以在系统的光学轴(opticalaxis)的方向(亦即在厚度方向上)强化(stiffenup)光学元件,由此重量减轻却基本上不降低刚度。
本发明还涉及一种用于EUV微光刻的微光刻投射曝光装置,其包括照明系统和投射物镜,其中照明系统和/或投射物镜具有本发明上述特征的光学布置。在一实施例中,光学元件可为投射物镜的位于光束路径的最后的反射镜。
在另一实施例中,光学元件可为投射物镜设置在最靠近晶片的反射镜。此外,投射物镜具有的数值孔径可至少为0.3、尤其至少为0.4、尤其至少为0.45、更尤其至少为0.5。这样的使用状况下,如本说明书开头部分所讨论的,本发明恰恰对于相当较高的数值孔径的情况尤其有利,因为像平面侧的最后一个反射镜与晶片之间需要较小的间距,反射镜应当相对较薄,从而根据本发明以小厚度可实现的刚度尤其有用。
此外,本发明涉及一种微光刻投射曝光装置中的光学布置,其包括:
-载体结构;
-至少一个光学元件,其具有的最大直径对最大厚度的比例至少为10;以及
-支撑元件,用于光学元件,
-其中支撑元件通过安装元件连接到载体结构;以及
-其中光学元件、支撑元件、以及安装元件构成的系统的固有频率至少为250Hz。
微光刻投射曝光装置可被特别设计用于小于15nm的工作波长。
本发明的其它构造可由说明书和所附权利要求书得知。
以下将通过附图所示实施例以示例方式具体描述本发明。
附图说明
图1a、1b根据实施例以平面图(图1a)和截面图(图1b)示出了根据本发明的布置的示意图;
图1c示出根据本发明的布置的另一实施例的平面示意图;
图2示出明本发明另一实施例的透视示意图;
图3a、3b示出本发明另一实施例的透视示意图;
图4示出本发明另一实施例的细节示意图;以及
图5示出针对EUV设计的微光刻投射曝光装置的示意图。
具体实施方式
首先,参考图1a、1b进一步说明本发明第一实施例。
参考图1a、1b,根据本发明第一实施例的光学布置100包括反射镜形式的光学元件110。反射镜可具体地为针对EUV设计的微光刻投射曝光装置的投射物镜的反射镜,其为凹面镜形式且由图1b可知其具有用于强化反射镜的加强部(reinforcedportion)115以及中心孔150(本发明不限于此)。
布置100还包括支撑元件120,该支撑元件120在图1a、1b的实施例中为相对于光学元件110同心布置的外环形式。支撑元件120利用在光学元件110和支撑元件120之间腿状(leg-like)延伸的解耦元件131、132、和133连接至光学元件110。再者,在此具体实施例中,上述加强部115形成相对于支撑元件120或外环径向向内(radiallyinwardly)布置的(内)环,然而,此内环同时是反射镜本身的一部分。
虽然所示实施例示出大致圆形的反射镜,但是本发明不限于此。确切地,此实施例中的反射镜,与在其它实施例中一样,可以是例如椭圆形、矩形、肾形(reniform)、或三角形的任何其它几何形状。
解耦元件131-133足够柔软或有足够弹性,使得不会发生从支撑元件120到光学元件110的变形转移。根据光学元件110和支撑元件120的尺寸或特定方面,适当地选择解耦元件131-133的尺寸,其中反射镜的典型直径在300至600mm范围之中,作为示例,关于腿状解耦元件131-133的长度和宽度的值可在5至20mm范围之中。
此外,光学布置100具有固定附接部(fixingattachment)141、142、和143,用于安装元件(图1中未示出),例如双脚架,由此光学布置100耦接到光学系统的载体结构(图1中也未示出)。也可利用解耦元件耦合到载体结构,以与解耦元件131-133一起,从光学元件到载体结构提供总共两级解耦(two-stagedecoupling)。
图1a、1b所示实施例的主要特征在于,光学元件110、支撑元件120、以及解耦元件131-133为整体式的(monolithic),亦即形成单一件(onepiece)或由同一块材料产生的。适当的材料例如为石英玻璃(SiO2)、
由图1a可知,解耦元件131、132、和133也分别在周向上移位120°。此外,相关于外部载体结构而形成连接点(connectingpoint)的固定突出部(fixingprojection)141、142、和143,不仅在周向相对于彼此也移位120°,而且相对于沿着周向相应地邻接的解耦元件131-133也分别移位60°,使得在给定条件下在各解耦元件131-133与相应的最近的固定突出部141-143之间有最大间距。
上述相关布置可实施成例如图1a所示,其中解耦元件131-133布置在例如“12点钟”、“4点钟”、以及“8点钟”位置,而用于机械连接到载体结构或光学系统其余部分的固定突出部141-143设置在支撑元件120的“2点钟”、“6点钟”、以及“10点钟”位置。
包括光学元件110或反射镜、(整体式)解耦元件131-133、支撑元件120或外环、以及具有安装元件(例如双脚架)安装于其上的固定突出部141、142、和143的布置,可视为动态系统(dynamicsystem)“M1-K1-M2-K2”。这里,M1表示光学元件或反射镜的质量(单位为kg),K1表示解耦元件131-133的刚度(在主要方向上且单位为N/m),M2表示支撑元件120或外环的质量,而K2表示安装元件或双脚架的刚度。为了针对反射镜相对于保持器所引致的寄生影响的可能的最佳解耦,K1应尽可能的小,尤其是在寄生方向。此外,固有频率应高于300Hz。M1和K1的尺寸使得它们产生有点大于整体系统所希望的第一固有频率的固有频率(Hz),且例如可在350Hz和400Hz之间的范围。质量为M2的、由光学元件的加强部所形成的“内环”应具有适当的刚度,使得其性能大致像刚性体(rigidbody),其中总质量M1+M2和K2所产生的固有频率应大致大于300Hz,例如超过600Hz。
如图1c所示,狭槽161-163也可提供于光学元件110中,以提供额外的挠性或径向上的至少部分解耦,这在支撑元件和光学元件或反射镜之间有温度差异的情况下尤其有利。在此实施例中,例如可切向地布置或定向三个狭槽161-163(长度方面的尺寸例如仅为20-40mm)。或者,此类狭槽也可设置于支撑元件120或环中。
图2示出根据本发明光学布置200的另一实施例,其中与图1相近或大致相同功能的元件以参考符号加上“100”来表示。
图2的实施例实质与图1的实施例不同之处在于,支撑元件220相对于光学元件210或反射镜不是外环形式,而可说是径向向内移位的,其中支撑元件220设置在光学元件210或反射镜的背侧,或在光学元件210的与光学有效表面(opticalactivesurface)相反的那侧。
相应地,在图2的实施例中,在支撑元件220和光学元件210之间形成连接的三个解耦元件(其中图2只示出一个解耦元件231)也相对于光学元件210或其加强边缘部(reinforcededgeportion)215径向向内布置,其中解耦元件231-233从支撑元件220延伸到光学元件210的加强边缘部215。
类似于图1a、1b的实施例,图2的布置200也设置成光学元件210或反射镜、支撑元件220、和解耦元件231-233彼此成整体式构造。
虽然解耦元件131-133和231-233的整体式构造在图1和图2的实施例中是与光学元件和支撑元件一起实施,但其它实施例也是可能的且应视为包括在本发明中,所述其它实施例中整体式构造仅就光学元件和解耦元件的布置而形成,亦即解耦元件和支撑元件之间的连接是利用分开的连接程序(separateconnectingprocedure)所实现。
图3a、3b示出根据本发明的光学布置300的另一实施例,其中与图1相近或大致相同功能的元件以参考符号加上“200”来表示。
图3a、3b的光学布置300包括光学元件310和支撑元件320,光学元件310还可以为反射镜(这里为凸面的)形式,其在至少三个接合位置331、332、333附接到外环形式的支撑元件320,支撑元件320用于强化光学元件310或反射镜,其中这些接合位置331、332、333类似于图1的解耦元件131-133而相对于彼此分别在周向移位120°。
然而与图1的实施例不同,接合位置331-333的连接不是利用整体式解耦元件实现,而是使用适当的连接或接合程序,例如利用激光焊接或粘接接合形式。单纯举例而言,接合位置的尺寸可在5mm×5mm的大小等级(本发明不限于此),对于这里大致平坦的连接且挠曲应力(flexuralstress)相应地较图1和图2的实施例要低的情况而言,这样小的截面积已足够。
图3a、3b的构造特别适合于将反射镜安装于投射物镜,此反射镜在像平面侧是最后的或布置成紧邻晶片位于晶片之前,因为就制造工程处理或抛光而言,在类似于图1或图2的实施例的具有整体式解耦元件的情况下,反射镜会非常复杂并昂贵。
再者,类似于图1的实施例,相关于安装元件(图3中未示出)例如双脚架(借助该安装元件,光学布置300耦接到光学系统的载体结构(也未示出于图3a、3b)),连接点341、342、和343一方面也相对于彼此在周向移位120°,而另一方面也分别相对于分别沿着外围相邻的接合位置331、332、333在周向移位60°,使得在给定条件下,在各接合位置331、332、333与相应的最相近的连接点341-343或安装元件之间提供最大间距。
如图4所示,狭槽461……也可提供于支撑元件420或环中,以实现解耦效应,例如为了考虑在EUV条件的操作下,一方面反射镜和另一方面支撑元件或环的温度上升不同。具体而言,可切向地设置或定向三个狭槽461-463(尺寸在长度方面例如仅为20-40mm),这种情况下狭槽的作用类似于三重双脚架(triplebipod),且可在镜平面提供足够的运动刚度(kinematicstiffness)。
就作为光学布置的示例的两个实际实施例而言,表1示出两个不同反射镜尺寸的特征值(示例1:最大镜厚度或高度t=17.5mm,示例2:最大镜厚度或高度t=25mm),其中形成支撑元件320的环的尺寸为环宽度(亦即外径与内径的差异)a=30mm,以及环高度h=60mm,且材料(石英玻璃,SiO2)选择为相同的。
由表1可知,针对示例1和示例2两者而言,第一固有频率的值(例如就包含反射镜、支撑元件或环、以及例如形成为布置的基础的双脚架组(bipodset)的系统而言)接近400Hz,而质量值(就包括反射镜和支撑元件或环的布置而言)明显低于10kg,此外示例2中重力造成的变形值是低于500nm。表1还示出对于径向力矩(radialmoment)与切向力矩(tangentialmoment),在由泽尼克多项式(Zernikepolynomial)表示变形时的一些泽尼克系数(Zernikecoefficient),其中没有例外地,实现低于0.5nm的所希望的值,且其中根据示例2,涉及更大厚度的反射镜,仍然几乎没有任何变形现象。寄生力矩也来自于具有通常的安装和制造公差的双脚架设置,该设置形成构造的基础。
图5为示出针对EUV工艺中的操作所设计的且其中可实施本发明的微光刻投射曝光装置的示意图。
图5的投射曝光装置具有照明系统6和投射物镜31。照明系统6在光源2所发射的照明光3的光传播路径上包括集光器(collector)26、滤光器(spectralfilter)27、场分面反射镜(fieldfacetmirror)28、以及瞳分面反射镜(pupilfacetmirror)29,光由瞳分面反射镜29入射到设置在物平面5的物场4。来自物场4的光通过具有入瞳30的投射物镜31。投射物镜31具有中间像平面17、第一瞳平面16、以及其中设置有光阑元件(aperturemember)20的另一瞳平面。
投射物镜31包括总共6个反射镜M1-M6,其中M5表示设置成最接近晶片或像平面9的反射镜(所示实施例中间距为dW≈30mm),其具有通孔19。M6表示在光束路径的最后一个反射镜,其具有通孔18。从物场4或设置在物平面的掩模母版发出的光束,在于反射镜M1-M6处反射而产生掩模母版的所要成像的结构的像后,到达设置在像平面9的晶片。
光束路径的最后一个反射镜M6(具有相对最大的半径)可具有根据本发明的、例如类似于图1或图2实施例的构造。最接近晶片或像平面9的反射镜M5可具有根据本发明的、类似于图3或图4的构造(就该位置可得的小结构空间而言)。
尽管参考特定实施例说明了本发明,但是本领域技术人员显然可通过例如结合和/或交换各个实施例的特征而得到许多变型和替代实施例。因此,本领域技术人员应理解此类变型或替代实施例也包含于本发明,且本发明的范围仅由所附的权利要求及其等同方案所限制。
表1:

Claims (130)

1.一种微光刻投射曝光装置中的光学布置,包括:
至少一个光学元件(110);以及
支撑元件(120),用于所述光学元件(110),
其中所述支撑元件(120)设置在所述光学元件(110)的径向外侧;
其中所述光学元件(110)和所述支撑元件(120)通过至少三个解耦元件(131,132,133)连接在一起,所述至少三个解耦元件径向上位于所述光学元件(110)和所述支撑元件(120)之间并且沿着周向布置;并且
其中所述解耦元件(131,132,133)与所述光学元件(110)和所述支撑元件(120)整体地形成。
2.如权利要求1所述的光学布置,其特征在于:所述支撑元件(120)通过安装元件连接到所述投射曝光装置的载体结构,其中所述安装元件设置成相对于所述解耦元件(131-133)而在所述周向上移位。
3.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为10。
4.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为15。
5.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为20。
6.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。
7.如权利要求2所述的光学布置,其特征在于:相对于所述解耦元件(131-133;231-233),所述安装元件分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。
8.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±30°。
9.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±20°。
10.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±10°。
11.如权利要求2所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233)分别在周向上移位60°±20°的角度。
12.如权利要求2所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233)分别在周向上移位60°±10°的角度。
13.如权利要求2所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233)分别在周向上移位60°±3°的角度。
14.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述支撑元件(120,220)通过刚好三个解耦元件连接到所述光学元件(110,210,310,410)。
15.如权利要求2所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件构造成为所述光学元件(110,210)提供静态确定的安装座。
16.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由相同材料所形成。
17.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由热膨胀系数小于0.5ppm/K的材料所形成。
18.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由石英玻璃(SiO2)、所形成。
19.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)为反射镜。
20.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述支撑元件(420)和/或所述光学元件(110)具有至少一个狭槽(161),所述狭槽导致径向上的至少部分解耦。
21.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有中心孔(150,250)。
22.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有加强边缘部(115,215),用以强化所述光学元件(110,210)。
23.如权利要求2所述的微光刻投射曝光装置中的光学布置,
其中所述光学元件(110,210)、所述支撑元件(120,220)、以及所述安装元件构成的系统的固有频率为至少300Hz。
24.如权利要求23所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为5。
25.如权利要求23所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为10。
26.如权利要求23所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为15。
27.如权利要求23所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为20。
28.如权利要求23或27所述的光学布置,其特征在于:所述微光刻投射曝光装置被设计用于小于15nm的工作波长。
29.一种微光刻投射曝光装置中的光学布置,包括:
至少一个光学元件(110,210);和
支撑元件(120,220),用于所述光学元件(110,210);
其中所述支撑元件(120,220)相对于所述光学元件(110,210)径向移位;
其中所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)通过至少三个解耦元件(131,132,133;231,232,233)连接在一起,所述至少三个解耦元件径向上位于所述光学元件(110)和所述支撑元件(120)之间并且沿着周向布置;
其中所述解耦元件(131,132,133;231,232,233)与所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)整体地形成;并且
其中所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为10。
30.如权利要求29所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为15。
31.如权利要求29所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为20。
32.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。
33.如权利要求29所述的光学布置,其特征在于:所述支撑元件(120)通过安装元件连接到所述投射曝光装置的载体结构,其中所述安装元件设置成相对于所述解耦元件(131-133;231-233)而在所述周向上移位。
34.如权利要求33所述的光学布置,其特征在于:相对于所述解耦元件(131-133;231-233),所述安装元件分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。
35.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±30°的角度。
36.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±20°的角度。
37.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±10°的角度。
38.如权利要求33所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233)分别在周向上移位60°±20°的角度。
39.如权利要求33所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233)分别在周向上移位60°±10°的角度。
40.如权利要求33所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233)分别在周向上移位60°±3°的角度。
41.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述支撑元件(120,220)通过刚好三个解耦元件连接到所述光学元件(110,210)。
42.如权利要求33所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件构造成为所述光学元件(110,210)提供静态确定的安装座。
43.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由相同材料所形成。
44.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由热膨胀系数小于0.5ppm/K的材料所形成。
45.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由石英玻璃(SiO2)、 所形成。
46.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)为反射镜。
47.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述支撑元件(1420)和/或所述光学元件(110)具有至少一个狭槽(161),所述狭槽导致径向上的至少部分解耦。
48.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述支撑元件(220)设置于所述光学元件(210)的背向光学有效表面的那侧。
49.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210,310)具有中心孔(150,250,350)。
50.如权利要求29-31中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有加强边缘部(115,215),用以强化所述光学元件(110,210)。
51.一种微光刻投射曝光装置中的光学布置,包括:
载体结构;
至少一个光学元件(310,410);以及
支撑元件(320,420),在至少三个接合位置(331,332,333)附接到所述光学元件(310,410),
其中所述支撑元件(320,420)设置在所述光学元件(310,410)的径向外侧;
其中所述支撑元件(320,420)通过安装元件连接到所述载体结构;
其中所述安装元件设置成相对于所述接合位置(331,332,333)在周向上移位;以及
其中所述光学元件(310,410)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为10。
52.如权利要求51所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为15。
53.如权利要求51所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为20。
54.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述接合位置(331,332,333)分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。
55.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:相对于所述接合位置(331,332,333),所述安装元件分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。
56.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述接合位置(331,332,333)分别相对于彼此在周向上移位120°±30°的角度。
57.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述接合位置(331,332,333)分别相对于彼此在周向上移位120°±20°的角度。
58.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述接合位置(331,332,333)分别相对于彼此在周向上移位120°±10°的角度。
59.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件相对于所述接合位置(331,332,333)分别在周向上移位60°±20°的角度。
60.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件相对于所述接合位置(331,332,333)分别在周向上移位60°±10°的角度。
61.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件相对于所述接合位置(331,332,333)分别在周向上移位60°±3°的角度。
62.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述支撑元件(320,420)通过刚好三个接合位置(331,332,333)连接到所述光学元件(310,410)。
63.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述安装元件构造成为所述光学元件(310,410)提供静态确定的安装座。
64.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)和所述支撑元件(320,420)由具有彼此不同的热膨胀系数的材料所形成。
65.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)和所述支撑元件(320,420)由相同材料所形成。
66.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)和所述支撑元件(320,420)由热膨胀系数小于0.5ppm/K的材料所形成。
67.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)和所述支撑元件(320,420)由石英玻璃(SiO2)、 所形成。
68.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)为反射镜。
69.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述支撑元件(420)和/或所述光学元件具有至少一个狭槽(461),所述狭槽导致径向上的至少部分解耦。
70.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310)具有中心孔(350)。
71.如权利要求51-53中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件具有加强边缘部,用以强化所述光学元件。
72.如权利要求51-53中任一项所述的微光刻投射曝光装置中的光学布置,
其中所述光学元件(310,410)、所述支撑元件(320,420)、以及所述安装元件构成的系统的固有频率为至少300Hz。
73.如权利要求72所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为5。
74.如权利要求72所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为10。
75.如权利要求72所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为15。
76.如权利要求72所述的光学布置,其特征在于:所述光学元件(310,410)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为20。
77.如权利要求72-76中任一项所述的光学布置,其特征在于:所述微光刻投射曝光装置被设计用于小于15nm的工作波长。
78.一种用于EUV光刻的微光刻投射曝光装置,包括照明系统(6)和投射物镜(31),其中所述照明系统和/或所述投射物镜具有如前述权利要求中任一项所述的光学布置。
79.如权利要求78所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210,310)为所述投射物镜(31)在光束路径中的最后的反射镜(M6)。
80.如权利要求78所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210,310)为相对于所述投射物镜(31)的像平面(9)设置在最小间距处的反射镜(M5)。
81.如权利要求78-80中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述投射物镜具有的数值孔径至少为0.3。
82.如权利要求78-80中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述投射物镜具有的数值孔径至少为0.4。
83.如权利要求78-80中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述投射物镜具有的数值孔径至少为0.45。
84.如权利要求78-80中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述投射物镜具有的数值孔径至少为0.5。
85.一种用于EUV光刻的微光刻投射曝光装置,包括照明系统(6)和投射物镜(31),其中所述照明系统和/或所述投射物镜具有光学布置,其中所述光学布置包括:
至少一个光学元件,该光学元件为反射镜;以及
支撑元件(120),用于所述反射镜,
其中所述支撑元件(120)设置在所述反射镜的径向外侧;
其中所述反射镜和所述支撑元件(120)通过至少三个解耦元件(131,132,133)连接在一起,所述至少三个解耦元件径向上位于所述反射镜和所述支撑元件(120)之间并且沿着周向布置;以及
其中所述解耦元件(131,132,133)与所述反射镜整体地形成。
86.如权利要求85所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)为所述投射物镜(31)在光束路径中的最后的反射镜(M6)。
87.如权利要求85所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)为相对于所述投射物镜(31)的像平面(9)设置在最小间距处的反射镜(M5)。
88.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述投射物镜具有的数值孔径至少为0.3。
89.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述投射物镜具有的数值孔径至少为0.4。
90.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述投射物镜具有的数值孔径至少为0.45。
91.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述投射物镜具有的数值孔径至少为0.5。
92.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述支撑元件(120,220)通过安装元件连接到所述投射曝光装置的载体结构,其中所述安装元件设置成相对于所述解耦元件(131-133;231-233)在周向上移位。
93.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为10。
94.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为15。
95.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有的最大直径对最大厚度的比例至少为20。
96.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别设置成在周向上彼此相隔大致恒定的间距。
97.如权利要求92所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:相对于所述解耦元件(131-133;231-233),所述安装元件分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。
98.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±30°的角度。
99.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±20°的角度。
100.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±10°的角度。
101.如权利要求92所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233),分别在周向上移位60°±20°的角度。
102.如权利要求92所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233),分别在周向上移位60°±10°的角度。
103.如权利要求92所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233),分别在周向上移位60°±3°的角度。
104.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述支撑元件(120,220)通过刚好三个解耦元件连接到所述光学元件(110,210)。
105.如权利要求92所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述安装元件构造成为所述光学元件(110,210)提供静态确定的安装。
106.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由相同材料所形成。
107.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由热膨胀系数小于0.5ppm/K的材料所形成。
108.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由石英玻璃(SiO2)、所形成。
109.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述支撑元件和/或所述光学元件(110)具有至少一个狭槽(161),所述狭槽导致径向上的至少部分解耦。
110.如权利要求85-878中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有中心孔(150,250)。
111.如权利要求85-87中任一项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有加强边缘部(115,215),用以强化所述光学元件(110,210)。
112.一种用于EUV微光刻的微光刻投射曝光装置,包括照明系统(6)和投射物镜(31),其中所述照明系统和/或所述投射物镜具有光学布置,其中所述光学布置包括:
至少一个光学元件,该光学元件为反射镜;以及
支撑元件(120,220),用于所述反射镜,
其中所述支撑元件(120,220)相对于所述反射镜径向移位;
其中所述反射镜和所述支撑元件(120,220)通过至少三个解耦元件(131,132,133;231,232,233)连接在一起,所述至少三个解耦元件径向上位于所述反射镜和所述支撑元件(120)之间并且沿着周向布置;
其中所述解耦元件(131,132,133;231,232,233)与所述反射镜整体地形成;以及
其中所述反射镜具有的最大直径对最大厚度的比例至少为10。
113.如权利要求112所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别设置成在周向上彼此相隔大致恒定的间距。
114.如权利要求112所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述支撑元件(120)通过安装元件连接到所述投射曝光装置的载体结构,其中所述安装元件设置成相对于所述解耦元件(131-133;231-233)在周向上移位。
115.如权利要求114所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:相对于所述解耦元件(131-133;231-233),所述安装元件分别设置成在周向上彼此相隔基本上恒定的间距。
116.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±30°的角度。
117.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±20°的角度。
118.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述解耦元件(131-133;231-233)分别相对于彼此在周向上移位120°±10°的角度。
119.如权利要求114所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233),分别在周向上移位60°±20°的角度。
120.如权利要求114所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233),分别在周向上移位60°±10°的角度。
121.如权利要求114所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述安装元件相对于所述解耦元件(131-133;231-233),分别在周向上移位60°±3°的角度。
122.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述支撑元件(120,220)通过刚好三个解耦元件连接到所述光学元件(110,210)。
123.如权利要求114项所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述安装元件构造成为所述光学元件(110,210)提供静态确定的安装。
124.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由相同材料所形成。
125.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由热膨胀系数小于0.5ppm/K的材料所形成。
126.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)和所述支撑元件(120,220)由石英玻璃(SiO2)、 所形成。
127.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述支撑元件和/或所述光学元件(110)具有至少一个狭槽(161),所述狭槽导致径向上的至少部分解耦。
128.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述支撑元件(220)设置于所述光学元件(210)的背向光学有效表面的那侧。
129.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210,310)具有中心孔(150,250)。
130.如权利要求112或113所述的微光刻投射曝光装置,其特征在于:所述光学元件(110,210)具有加强边缘部(115,215),用以强化所述光学元件(110,210)。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080649A1 (de) 2010-09-24 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012209309A1 (de) 2012-06-01 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographievorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Spiegelanordnung
US9448343B2 (en) * 2013-03-15 2016-09-20 Kla-Tencor Corporation Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same
DE102013213544A1 (de) * 2013-07-10 2015-01-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Tragsystem und Projektionsbelichtungsanlage
DE102014216631A1 (de) 2014-08-21 2016-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, Spiegelmodul hierfür, sowie Verfahren zum Betrieb des Spiegelmoduls
DE102015114263A1 (de) 2015-08-27 2017-03-02 Trumpf Laser Gmbh Verspannungsoptimiertes Laserscheibenträgersystem
DE102015219671A1 (de) * 2015-10-12 2017-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Projektionssystem, Metrologiesystem und EUV-Lithographieanlage
CN109154780B (zh) 2016-05-17 2021-08-03 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学成像配置的安装配置
DE102017208364A1 (de) * 2017-05-18 2018-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system sowie verfahren
US10613444B2 (en) * 2018-08-28 2020-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus and method of operating the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6206528B1 (en) * 1998-09-30 2001-03-27 Euv Llc Surface figure control for coated optics

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4733945A (en) * 1986-01-15 1988-03-29 The Perkin-Elmer Corporation Precision lens mounting
US5428482A (en) * 1991-11-04 1995-06-27 General Signal Corporation Decoupled mount for optical element and stacked annuli assembly
DE19825716A1 (de) * 1998-06-09 1999-12-16 Zeiss Carl Fa Baugruppe aus optischem Element und Fassung
US6621557B2 (en) * 2000-01-13 2003-09-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and exposure methods
JP2001244177A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置
JP4809987B2 (ja) * 2000-03-30 2011-11-09 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、それを用いた露光装置及び半導体デバイスの製造方法
TW575771B (en) * 2000-07-13 2004-02-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6646779B2 (en) * 2000-11-20 2003-11-11 Zygo Corporation Strain-isolated stage mirror
DE10062786A1 (de) 2000-12-15 2002-06-20 Zeiss Carl System zur Dämpfung von Schwingungen
DE10115914A1 (de) * 2001-03-30 2002-10-02 Zeiss Carl Vorrichtung zur Lagerung eines optischen Elementes in einer Optik
TW577108B (en) * 2001-11-07 2004-02-21 Nikon Corp Optical device and the manufacturing method thereof, optical system, and manufacturing method of exposure device and micro-device
JP4565261B2 (ja) * 2002-06-24 2010-10-20 株式会社ニコン 光学素子保持機構、光学系鏡筒及び露光装置
WO2004086148A1 (de) * 2003-03-26 2004-10-07 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur deformationsarmen austauschbaren lagerung eines optischen elements
EP1477850A1 (en) 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
AU2003296244A1 (en) * 2003-10-02 2005-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Optical subassembly and projection objective for semiconductor lithography
US7760327B2 (en) * 2003-10-02 2010-07-20 Carl Zeiss Smt Ag Reflecting optical element with eccentric optical passageway
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7125128B2 (en) 2004-01-26 2006-10-24 Nikon Corporation Adaptive-optics actuator arrays and methods for using such arrays
DE102004018656A1 (de) * 2004-04-13 2005-11-03 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element
JP2006113414A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Canon Inc 光学素子保持装置、鏡筒、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
WO2006119970A2 (en) * 2005-05-09 2006-11-16 Carl Zeiss Smt Ag Assembly for adjusting an optical element
JP5069232B2 (ja) 2005-07-25 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ
WO2007020067A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Carl Zeiss Smt Ag Immersion lithography objective
KR101149267B1 (ko) * 2005-09-13 2012-05-25 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
TWI372271B (en) * 2005-09-13 2012-09-11 Zeiss Carl Smt Gmbh Optical element unit, optical element holder, method of manufacturing an optical element holder, optical element module, optical exposure apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
JP5013906B2 (ja) * 2007-03-05 2012-08-29 キヤノン株式会社 光学素子保持装置
CN101681009B (zh) 2007-04-23 2012-09-05 株式会社尼康 光学元件保持装置、镜筒及曝光装置以及器件的制造方法
US8044373B2 (en) 2007-06-14 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090122428A1 (en) 2007-11-09 2009-05-14 Nikon Corporation Reflective optical elements exhibiting multimetallic-like self-correction of distortions caused by heating
WO2009110963A2 (en) * 2008-02-29 2009-09-11 Corning Incorporated Kinematic optical mount
DE102008046699B4 (de) 2008-09-10 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
JP5634521B2 (ja) 2009-09-08 2014-12-03 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 表面外形(surfacefigure)変形の少ない光学素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6206528B1 (en) * 1998-09-30 2001-03-27 Euv Llc Surface figure control for coated optics

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011039103A1 (en) 2011-04-07
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