TW201143895A - Pulverizing apparatus and pulverizing method - Google Patents

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201143895 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種粉碎贤蓝及粉碎方法。 【先前技術】 已知有由樹脂製之封裝材將半導體晶片（半導體元 件）予以被覆（封裝）而形成之半導體封裝體。半導體封 裝心封裝材係藉由例如轉印成形（―此，.如等將 樹船組成#；予以成形者„於ilt樹⑽組成物之製造過程中， 進行將複數之材料予以混練硬化並將該硬化後之混練物以 粉碎機予以粉碎（參照例如專利文獻丨）。 I利文獻1所記述之粉碎機，係具備：用以投入前述 混練物之外箱（housing;容器）；支持於外箱内且可旋轉並 _述混練物予以粉碎之旋轉刀；及調整粉碎物粒徑之網 師。若以如此構成之粉碎機將前述混㈣予以粉碎時，正 ¥該粉碎物被粉碎時，由於與例如_ 予以加埶將再度帶右科,W.。,, 々-彳'T、寻饭 物目此，以往具有粉碎後之混練 心j丨付者殘留於旋轉刃的問題。 專利文獻1 :曰本特開平丨丨—丨897〇 【發明内容】 報 以於明之，為提供:種以一對滾輪將樹脂組成物予 各二r :可確貫防止該經粉碎之樹脂組成物附著殘留於 各焱輻之外周面的粉碎裝置及粉碎方法。 、 。如此之帽藉由下述⑴〜(17)之本發明而達成 (〇 —種粉碎裝置，其特徵為具備： 具有經並排設置之-對滚輪並以該一對滚輪之間 4/28 201143895 隙將㈣讀脂組絲壓破粉碎切 將雨述經料讀職成 、.j及 ⑺如上述⑴記述之粉碎二了卻手段。 將冷媒分別供予前述各滾空：述冷卻手段之構成可 (3)如上述（2)記述之粉碎裝 、 於前述各滾輪之中空部且沿著其長^ Μ述冷媒係 . 卻手段具有分別插人前述各滾輪之:，動’前述冷 • 冷媒流動之促進構件。 工部且促進前述 ⑷如上述（2)或⑺記述奶 冷媒之溫度為】5t以下。 ’力τ衣置，其中前述 (5) 如上述〇)至（4) 其中前述冷卻手段具有於粉碎前^^碎裝置， 將該樹脂組成物與前述—對滾輪物^期間， 之箱室。 併收納亚供給冷氣 (6) 如上述（5)記述之粉碎 : #設置有至少2個供給前述冷氣奸;^中前述箱室 互對向配置之供給口。 μ則1^一對滾輪相 ⑺如上4 (5)或⑷記述之冷卻裝 冷氣之溫度為15。(：以下。 、 a中前述 U)如上述（丨）至（7)中任— 其中前述各滾輪分別至少並相面^己；4之粉碎裝置， 如上述⑻記述之粉碎装為置陶以； 係分別具有成為圓柱狀或圓筒狀並^ ^各浪輪 之芯部、及設置於該芯部之外周部並㈣=料所構成 之外層。 丨卫以則述陶究所構成 5/28 201143895 竹⑽）如上述⑴至⑼中任一項記述之粉碎p ，ντ屮m述粉砰機構由相互間之軸問距離可改^ U-一對滾輪所構成。 前述 (丨丨）如上述（丨〇 )記述之粉碎提逻，其中前 | 澉輪屮之一浪輪相對於其軸之垂直方向之移動2 A別 限制，而另一滾輪可在相對於其軸之垂直方向移S又到 前述粉碎機構具有將前述另一滾輪朝前^」 施壓之施壓部Une丨，giy‘ing pa丨.〇、及抵抗該施壓部 峻力（energr/.ing |0i’ce )並隈制前述另一滾輪朝价 u 滾輪之移動界限的限制部。 ；1'J ~ (12)如上述（丨）至（丨丨）中任一項記述之粉碎时τ ，其中珂述各滾輪分別具有其外徑沿著長邊方 外徑變化部。 ^之 ^ (丨3)如上述（丨2)記述之粉碎裝置，其中前述外挪 變化部為其外徑自前述滾輪之長邊方向？ 部而逐漸增加之部分。 、#胡端 (丨4)如上述（12)記述之粉碎裝置，其令前述

變化部為其外徑自前述滚輪之長邊方向的中央部二 部而逐漸減少之部分。 ，T?J 05)如上記⑴至（Μ)中任一項記述之粉碎 ，其中在即將以該粉碎裝置粉碎之前的前述樹脂組 係被成形為片狀。 (丨6)如上述（〇至（15)中任一項記述之粉碎裝置 ，其中前述樹脂組成物係形成為構成IC封裝體之外^ 的外模部。 置之 (Π) —種粉碎方法，其特徵為以經並排設 6/28 201143895 對滾輪之間隙將硬質之樹脂組成物壓破粉碎並 以冷卻。 ''時予 【實施方式】 <實施發明之最佳形態> 以下，根據附加圖式所示之最佳實施形態詳 發明之粉碎裝置及粉碎方法。 °兄月本 <弟1貫施形態> _ 圖〗所示為樹脂組成物之製造步驟圖、圖7所_、 . 發明之粉碎裝置之剖面圖、圖3所示為圖2所;:為本 置之滾輪之部分縱剖面圖、圖7為使用樹脂 之、=裝 裝f之部分剖面圖。又，下文中，為便於説明而將 7中（關於圖4亦相同）之上側稱為「上 圖 側稱為「下」或「下方 L 」，·下 、右側稱為「右」。如中之左側稱為「左」 圖2所示之本發明之粉碎裝置}係一種 於W造最終成為成形體之樹脂 1用 :之前，首先，將自原材料至;二脂= 物為止之製造步驟加以全面說明。 鳩、錢 :先’備妥樹脂組成物之原材料的各種材料。 步因應3具:劑、及填充材(微粒子)，進-氧樹脂較1硬化促進劑、搞合劑等。做為樹脂以環 =環氧樹脂可列舉例如：" «ονο丨ac)型、聯苯刑、 ’小I c丨es〇f 、三苯基月土夕丨祕ene)型 、及多環芳香族型等。 做為硬化劍可列舉例如：_清漆（PW—) 7/28 201143895 型、知院基S分酸（plienol aralkyl)型、三笨基甲坑型、及多 環芳香族型等。 做為填充材可列舉例如：熔融二氧化矽（破碎狀、球 狀）、結晶型二氧化矽' 及氣化鋁等。 做為硬化促進劑可列舉例如：磷化合物、胺化合物等 |叹句祸贫劑1刈举例如：矽烷化合物等。 又，原材料亦可省略前述材料中之指定材料；又，亦 J 3有柯述以外之材料。做為其他材料可列舉例如：著色 劑、脫模劑、低應力劑、及阻燃劑等。 ,.做為阻燃劑可列舉例如：漠化環氧樹脂、氧化錄、益 ㈤•系等。做為無_無録系之阻燃劑，可列舉例如：有 機从、金屬水合物、及含氮樹脂等。 ： (微粉碎） 如圖I所示，關於原材料中之指定材料 轉球磨機等之粉碎嶋碎成指定=經:: 二係例如:樹脂、硬化劑、 材。 〃 1材乂外乂·原材料，惟亦可添加部分填充 (表面處理） 分(殘部广部 (混:广仃，又，亦可任-者先進行。 其次，藉由混合褒置將前述各材料完全混合。做為此 8/28 201143895 混合裝置，可使關如具有旋轉葉片之高速混合機等。 C混練） * .其次，藉由混練裝置將前述經混合之材料予以混綈 做為混練裝置可使用例如：單軸㈣練押出機、雙：型混 練押出機等之押出混練機、或混合輥（mixing r 輕式混練機。 、 (脱氣） 其次’針對前述經混練之材料之混練物（樹脂組成物 )t仃脫氣。此脫氣可藉由真空泵進行，前述真空 妾於例如混練裝置之用以排出前述經混練之材料的ς出7 = (片狀化） 片壯將前述經脱氣之塊狀混練物以成形裝置成形為 :===(以下稱作「㈣」)。二 將混練物具Γ對滚輪且以此等滾輪之間隙 卞乂加壓亚成形為片狀之裝置。 (冷卻） 其^ ’ I!由冷卻裝置訂Ί材Qim Q】成為硬質物而可於1曰此片材 予以粉碎。又，二二，中奋易且確實將該片材Q1 々軋吹送至片材Q1的裝置。 、構成為可將 (粉碎） 人’稭由粉碎裝置1將片材 到粉末狀之材料(以下稱作「粉二“二粒經分 τ衣置1於後記述。 Q」）。關於此粉 (平板化） 9/28 201143895 體 其次，可藉由成形體製造裝置（打銳提置）將大量粉 Q2歷縮成形而得到成形體之樹脂組成物（ι «晶片（1C: 晶片）9()丨之被t (封裝）’並被成形為構成半導體封 (1C封«)犧之外裝部的外祺部％2。雜由此外模部 半導體晶請予以絕緣。又，為利用樹脂组成物 被心《晶;1 _ ’可列舉—種方法，其係將樹脂組成物 藉由例如轉印成料予以成形，並做為封贤材將^ 如圆7所示，此樹脂組成物用於例如半導 裝體 fi ιίιι 片训予以被役。如岡7所示之構成的半導體封裝體⑽ ，係複數個導線框903自外梹部9()2突出，且各導線框9(): 係分別憑藉由例如金等之具有導f性之㈣材料所構成之 導線904與半導體晶片9()丨相通電。 又，亦可省略前述平板化之步.驟，以粉體Q2做為成开 艘之樹脂域物。此時，可藉由例如魏卿、射出成祀 等成形為封裝材。 其次，針對粉碎裝置丨加以説明。 圖2所示之粉碎裝置1係實行本發明之粉碎方法，印 將片材QI壓破粉碎並同時予以冷卻之裝f。 粉碎裝置】係具備：將片材Q1予以粉碎之粉碎機構2 ;及冷卻手段（冷卻機構）3，其係將正以粉碎機構2粉碎 中之片材Q1 (粉體Q2)予以冷卻。以下，針對各部分之 構成加以説明。 粉碎機構2具有以水平方向平行並排設置之滾輪、 4b '粉碎裝置1中，可以滾輪4a與滾輪4b之間隙將片材 Q丨壓破粉碎。如此之粉碎機構2，係以滾輪4a與滾輪牝 之間隙將片材Q1予以粉碎’而與例如融碎機（masseall〇ider 10/28 201143895 相異。又:粉碎機構2中’將片材Qi +以粉碎而 y Q2 0、】粒#分布為：粒徑Q.2mm以下者為20% 二，·2〜2.4麵者為5。〜等2.4mm以上者為1〇%以 ^又’被粉碎之片材Q1的厚度：以為5麵以下為佳 冷卻者〜。3咖為/0佳。、藉此，片材Φ成為易於粉碎且易於 i數次粉^。’ 碎能力’亦可11由本粉碎裝置進行 :近相同，以下、以滚輪 如圖2、圖3所示，爷終/丄 滾輻4a成為圓筒狀，即具有：中 ==41、及設置於芯部41之外_外^4„1 ,4丨，兩端部分別形成有其外徑

Si?。並且’各縮徑部4丨2分職插入轴二 ㈣、4 3之'而部端連接有馬達（未圖示)。藉此， 澴輪4a得以旋轉。又，滾 T9lLt • 於滾輪43之$達，且端部端亦連接有相異 相異。a之馬達且亦可使滾輪知與滚輪仙之旋轉速度 又’做為芯部4]之構成私#、，^_ 如：如夕括入ρ才枓亚恶特殊限定，可列舉例 如不鏽鋼寺之各種金屬材料。 芯部41之外周面4]〗，苴犯々一 外的區域係設置有外層42。外==物之部分除 破片材Φ而形成粉體Q2。層42的外周面切係用以壓 可‘外f::以陶免所構成。做為陶宪並無特別限定， 、〇 、—乳化石夕、二氧化欽、氧化錯、氧化钇 ，等之氧化物陶㈣氮化物、域化物、：= 11/28 201143895 物、氣化硼等之ii化物陶免；碳化鶴（Umgs|cncurbide)等 之碳化物系陶究；或將此等中之2種以上任意組合之複合 陶究❶其中，又特別以含有氧化物系陶究者為佳、以氧化 銘為更值。 钿由外層42係由如此之陶瓷所構成，於壓破片材〇丨 之際，即使片材Q1與外層42之外周面42丨之間發生摩擦 ’造成外㈣421 «而一部分被_，其被创刮者亦^ 勒克。相對於此’例如浓，除4a之外周面係金屬製時，於 歷破IW才01之際，山於前述般之糾，將自該外周面產生 金屬粉末而得到混入該金屬粉末之粉體Q2e紈而， 裝！卜可確實防止如此之金屬粉末混入於粉體Q2; ^ 即使前述被_之陶竞混入於粉體Q2，該粉體Q9係可户 分做為半導體封裝體_之外模部9〇2使用者。又，轴承 43 Η各知徑部412之表面亦可經以陶兗或樹脂等予以非金 屬化。 、 專利文獻丨（日本制平丨丨—⑽705號公報）所記述 種粉碎機，係具備：用以投人混練物之容器、將 =以粉碎之旋_、及難粉碎齡徑之崎且此等 合益、旋轉刀、及網篩係由例如：磁性材料之麻田散鐵（ m魏ns丨te)系之SUS材等所構成。此等之構成構件，尤並 =_； f造上難以非金屬化’且為因被粉碎物而造成激； H位。因此，專利文獻】中，為避免混人金屬 二之粉末狀樹脂組成物將磁 、”。相對於此，本發明之粉碎裝詈】 機之㈣L如專利文獻1所記述之粉碎 4式杨石丁機而言係為必要之構成構件，故可進一步 12/28 201143895 確實防止粉碎步驟中混人所發生之金屬異物。 又，使用構成外層42之陶瓷（非金屬）時，500gf荷 重下之、准克氏硬度（V丨cke丨，s jmi，dness肚，（規定於瓜z )’雖無特fΜ定’惟例如以1300以上為佳、以！ 5〇〇〜！ 7〇〇 為更佳。藉此，可確實防止例如外層42破損。 如圖2所示’粉碎機構2係具有分別配置於滾輪4a端 及滾輪4b端之刮刀44a及徘。刮刀4如，當滾輪如之外 周面42」附著殘留有粉體Q2時，可抵住滾輪知之外周面 421將前述殘留之粉體Q2着。與此相同，刮刀44b，當 滚輪4b之外周面421附著殘留有粉體Q2時，亦可抵住滾 輪4b之外周面42丨將前述殘留之粉體Q2到除。 郃乎段3係具備 …一厂明.’丨义川肷狀之冷跺 二W Q2 (片材Q1 )冷卻之第】冷卻機構$、以及使兩冷 亂幻將粉體Q2 (片材Q1 )冷卻之第2冷卻機構6。 第丨冷卻機構5係具有供給源，其係將冷媒R]分別供 予滚輪4a、4b之芯部41之中空部413 (未圖示）。做為此 。源例如.可由冷媒R1貯存槽、連接貯存槽與滾輪 a 之芯部4】之中空部413的連接管、及冷媒幻送液 泵所構成。错此’冷媒R1可分別於滾輪4a、4b之中空部 仍，且自其左端側朝右端側，即沿著其長邊方向通過（參 照圖3 )。 ’ 另-方面，如前所述，滾輪4a，芯部41係由金屬材料 二’一而外層42係由陶究所構成。金屬材料為熱傳導性 之材料。藉此’滾輪^中’可利用外層42先將 &者ί層42所傳來之片材Q】或粉體Q2之熱予以吸熱， 亚隔者芯部41 冷媒進—步將該熱予以吸熱，因此 13/28 201143895 «tr將片材Q ,或粉體Q2予以冷卻。並且，藉由此冷卻 可防止粉·}& Q2由於例如與㈣4a之外周❿42 i之間的摩 擦等而帶熱、或持續帶有來自於h材Q1狀態之熱。藉此， 『小卜1似性Q2之錄父到抑制，藉此可確贫防也該粉微 Q2附著殘留於滾輪4a之外層42。 又’滾輪4a之外層42與滾輪4b之外層42之間隙， 以設设為0.5〜3mm為佳' 以丨〜2|_為更佳。藉此，可使 料㈣I而成形之粉微q2 .之粒徑分布為期冗之脚 又槠成外知42之陶免，係相較於金職觀膨脹係教 低之材，膨脹係數低之㈣，並將_設定 為上述範閣，叮防止艰輪4a之外層幻與滾輪扑之外層π 因熱膨脹使得各滚輪外徑擴徑而相接觸致造成破損，又可 容易維持上述間隙。 ’、 又&丨，f ^卩機構5係具有：插入滾輪4a之中空部4丨3 之奴進構件）la、及插入滾輪牝之中空部4丨3之促進構件 5 lb。促進構件5 la與促進構件5|b之構成，因相同之故， 以Ί、，以促進構件5丨a為代表加以說明。 如圖3所示，促進構件5la係具有：成為圓柱狀之本 體部52、及突出形成於本體部52之外周部之突部53。 本體部52，係左端部形成有冷媒R1流入滾輪乜之中 空部4丨3之流入流徑54、而右端部形成有已流過中空部4】3 之冷媒R/ί流出之流出流徑55。流出流徑54及流出流徑55 ’係分別由貫通本體部52之貫通孔所構成。 流入流徑54,係具有開口於本體部52之外周部之複數 個開口部541。流入流徑54與中空部4:丨3，係隔著各開口 部54】相連通。藉此，冷媒R1自流入流徑54流入滾輪如 14/28 201143895 之中二邰413又，較佳者為：各開口部係分別沿著 體部52之外周部之圓周方向以等間隔配置。 w出抓徑55 ’係具有開口於本體部52之外周部之複數 個開口部551。流出流徑55與中空部4丨3，係隔著各開口 部=相連通。藉此，冷媒R】自中空部413朝流出流徑 ^出X ’較佳者為：各開口部係分別沿著本體部 5 2之外周部之圓周方向以等間隔配置。 . 突部53,係配置於流入流徑54之開口部541與流出流 . ^之開口部551之間。此突部53,係以本體部52之轴 為中心形成為螺旋狀。 _ ’查r ^/足進構件5U ’其左端部側或右端部側係連接有馬 k、、圖不）。而且，若驅動此馬達時，包含促進構件51a 4a整體可繞轴周圍而旋轉。藉由此旋轉，冷媒幻 =由成㈣旋狀之突部53不停滞地被推押至右側，而可 ^且確貫流動通過於滾輪4a之中空部413中，因此可有 .===卻效果(參照圖3)。如此，由於促進構件& S ι使㈣R1以螺旋狀均句通過、免於冷卻之不均勻 1 成為促進卩效率者。藉此，可利料媒R1以良好 效干有效亦即迅速地吸熱。 丨為促進構件51a之構成材料，雖無特別限定， 例如：如不鏽鋼等之各種金屬材料、或如聚酿胺 寺之各種樹脂材料。 皿妝 佳、^〜^溫度並無特別限定，例如：以饥以下為 之門更佳。片材Q]即將通過滾輪4a與滾輪4b 之i值^度為例如丨叱以下時’藉由使之定為如此 之數—’可使片材Q】無過或不及地被予以冷卻並粉碎 15/28 201143895 ，且不會分別附著於滾輪知“丨… _ ’ 保持其冷卻狀態之粉微 ::心“2丨，而可得到

㈣於· “關㈣輪：相I 又，做為冷媒R1並岣擔 ”·(她2° 、無機系鹽水落、夜、右； …娜例如：水、油 如圖2所=/_水溶液等。 供給^箱“=二箱室^ 心6丨’可於；]材〇丨被粉碎之 卿、及難“I一併予以收納::二 二二，職切部62之上部 ::: 並於本體部62之下部的排出口⑷ 及队 本體部62 ’係形成為大小程度可配置滾輪* μ ::分:二她62之側壁621設置有2個供給；: 件^ 6二2來自前述供給源之冷氣.籍由將經由 l^!^ 622b所供給之冷氣R2充滿於箱㈣ 如⑼關。並且，藉由此冷氣R2之冷卻與藉由冷媒 ，之冷部之相輔相成，可進一步確實防止前述粉體Q2殘 留於滾輪4a及4b之外層42。 又，供給口 622a與供給口 622b，係以水平方向且與滾 輪4a、4b相互垂直之方向’隔著滾輪4a、4b複數個配置 於相互對向之位置上。藉由如此之配置，可分別自供給口 622a、622b將冷氣R2 (冷風）迅速直接吹送至片材Q1與 滾輪4a、4b之外周面42丨。藉由將冷氣R2 (冷風）直接吹 送至片材QI使之冷卻，使得片材Q1於被粉碎期間與冷氣 R2有所接觸，藉此於冷卻狀態下成形為粉體Q]。並且，此 經冷卻之粉體Q2可防止其附著並殘留於滾輪4a、4b之外 16/28 201143895 層42。又，同時藉由將冷氣R2 (冷風）直接吹送至滾輪 4a、4b之外周面42】使之冷卻，可彌補由於外層42 (陶瓷 )之熱傳導性低於芯部4〗（金屬）所造成之源自於第】冷 卻機構5之冷卻不夠充分。 又，供給口 622a與供給口 622b之配置與數量並未受 限於以上記述者，可為僅將冷氣R2 (冷風）吹送至片材Q1 之配置、亦可為僅將冷氣R2 (冷風）吹送至滾輪4a、4b 之外周面421之配置、亦可為將冷氣R2 (冷風）導入箱室 61内而非朝向特定之對象物之配置，只要是可供給冷氣R2 到箱室61内之配置皆可。此等之任一配置皆可提升以.下效 果，即：得到不會附著於滾輪4a、4b之外周面421並保持 於冷卻狀態之粉體Q2。 導入口 63係用以導入片材Q _1之部分。此導入口 6'3係 做成為筒狀。 又，排出口 64係用以排出粉體Q2之部分。此排出口 64亦與導入口 63相同係做成為筒狀。 又，如圖2所示之構成中，箱室61係由適當組合之複 數個板構件所構成。又，各個板構件，其較佳者為分別被 覆有隔熱材或埋設有隔熱材。 又，被粉碎之片材Q丨及粉碎後之粉體Q2會有接觸的 可能性，故導入口 63、排出口 64、及箱室61之内壁之至 少其表面，以由非金屬例如陶瓷或樹脂等所構成為佳。藉 由此等之内壁之至少其表面由非金屬所構成，即使内壁磨 損而一部分被刨刮並混入於粉體Q2中，該粉體Q2亦充分 可用於做為半導體封裝體900之外模部902。 做為供給冷氣R2之供給源，係可由送出冷氣R2之泵 17/28 201143895 、及逑接泵與本體部62之供給口 622a、M2b之連接管所 構成。 冷氣K2之溫度並無特別限定，例如：以丨5‘亡以下為 #、以-5〜5<1〇為更佳《，冷氣R2之溼度並無特別限定，例 如：以40%以下為佳、以〇〜2〇%為更佳。藉由如此之數 值範閗，可於低於露點之條件下將片材Q丨或粉體〇2冷卻 ，而可防止此等發生結露„ 做為冷氣R2並無特別隈定，可列舉例如：空氣或二说 化碳、或如氮之惰性氣體等’惟就安全而而言’以空氣為 值。 <弟2貧施形態> 圖4所示為本發明之粉碎裝置之第2實施形態之剖面 圆0 ^ :丨、，此圓針對本發明之粉碎裝置及粉碎方法·之 來2貫施形態加以説明，惟係以前述之實施形態之相異銳 為中心進行説明，相同事項則省略其説明。 =鄉_ 了粉碎_之構餘異以外，係與前述 弟丨祕形態相同。 圖4所示之粉碎機構2Λ係由軸間距離 如與滾輪4b所構成。以下就此加以説明。文编， 滾輪4a係可在相對於其轴之垂直 圖4中之左右方向）上移動。另 即水+方向（ 於夕千古士 a ’袞輪4b，係相對 方…、軸< 垂直方向之移動受到限制。 又，粉碎機構2Λ係具有：將肀輅 蟬旋彈笼f浐颀如、^ ? /U,IJ 4a朝滾輪4b施壓之 小疋详只（施壓部）47、及限制滾輪4 界限之臂狀物（限制部）狀。. 衰輪4b之移動 18/28 201143895 螺旋彈簧47係其一端4刀抵住緊靠於箱罩49,其該箱 二係用於收納既支持著滾輪4a又使其為可旋轉狀態的 43，而另-端472係則抵住緊靠於設置在臂狀物Μ之固定 構件482，且呈墨縮狀態。藉此，可將滾輪壓向滾輪牝 ’亚可於滾輪4a與滾輪4b之間將片材Q1壓破。 臂狀物48被支持於箱室6】之側壁621 f且為可沿著其 長邊方向移動的狀態。此臂狀物48，其_端部48^彎曲 4成7 乂」字狀，並抵住箱罩49之下述部分，即：螺旋彈菩 端472所抵住部分的另一側之部分。如前所述了 滾輅4a雖被螺旋彈箐47施壓，惟臂狀物佔之一妒 =旋彈㈣之嶋’並限制滾輪輸輪扑之 ^動小限:錯此’可變更軸間距離p並維持該變更狀態。 ，亦可错由滑動固定構件4δ2而變更螺旋彈箬47夕雙力 及ί由物I箱室61所構成之間隙調整手^以 彈簣47、及固定構件482所構成之壓 手卜晉〗亦可。又置於相異之滾輪（例如：將間隙調整 此壓力調整手段設置於滚輪4b側)。 滾幸^、去1…正後’為使没置有間隙調整手段之一端之 之使「上述臂狀物48其-端部-為ϋ」予狀、倒「u」字狀、或「口」字狀。 粉體i之：之構成之粉碎機構Μ ’於由片材Ql成形為 整粉粒Γ"該片材φ以期望之壓力予以粉碎並調 檢^機構2Α亦可為檢齡媒R1之溫度並根據其 、σ定更軸間距離p的構成。 〈第3實施形態> 19/28 201143895 圆5係本發明之粉碎裝置（第3實施形態）之浓輪的 俯視阅（部分剖而圆）。又、圆5 (關於圆6亦相同）係啤 滾輪之長遭方向予以縮短，並將滾輪之直徑方命予以誇艰 之不,ii’固，故长边夕^"7與_!£從力向之比率與實際相異。 以下，參照此圆針對本發明之粉碎裝置及粉碎方法欠 笫3贲施形態加以説明，惟係以前述之實施形態之相異颭 為屮心進行説明’相同事項則省略其説明。 本货施形態除了粉碎機搆之&液輪之形狀相異以外， 係與前述笫丨货施形態相同。 ㈣5 m不之粉碎機構2B中，浓輪4a、4b，分別於外鳴 42之外徑係沿著長邊方向而相異，即：形成有外徑自滾^ 長邊方向之中央部423朝各縮徑部4丨2端（端⑹逐漸；； 加之外徑變化部45。 q 將片材Q丨粉碎之際 ίί η λλ V 1 w 該片材Qi係集中於滾輪4a、4b《中央部423端，並就 集屮部分加以粉碎。如此，可防止片材QI溢出於滾輪 、4b而4[實予以粉碎。 <第4實施形態> 圖6所示為本發明之粉碎震置 輪之俯視圖（部分剖面圖）。 a l人丨& ) <_ 以^’錢此圖針對本㈣切碎u及粉碎方法 弟與轭形態加以説明，惟係以前述之實拆來产二4 為中心進行説明，㈣事項财略其糾。一相異‘ 實施形態除了粉碎機構之各滾輪之形狀相1以外 如妗别述第丨實施形態相同。 一 圖6所示之粉碎機構％中，滾輪4a、4b，分別於夕m 20/28 201143895 42之外徑係沿著長邊方向而相異，即··形成有外徑自滾輪 長邊方向之中央部423朝各縮徑部412端（端部）逐漸減 少之外徑變化部46。 如此之構成之粉碎機構2C中，對於片材Q1之壓力係 以令央部423附近最高，而愈離開中央部423愈低。藉此 片2 Q丨粉碎所成形之粉體Q2，其粒徑分布之構‘將 較丽述第]實施形態中之粒徑分布之構成更廣。如此，欲 變f粒徑分布之構成時，例如：減少微粉之量並增加粗粉 之置時等’粉碎機構2C有效。 於係針對圖式之實施㈣將本發明之粉碎裝置及 二’惟本發明未受限於此，構成粉碎裝置 "I刀’可用此發揮相同功能之任意構成取代。又 可附加任意之構成物。 亦 又，本發明之粉碎裝置及粉碎方法，亦 d個以上前述各實施形態中之構成（特徵）者為厂有任 又’本發明之粉碎裝置之粉碎機 =有芯部與外層，且該外層係由陶完所構=，= 於此，滚輪整體亦可由陶宪構成。 者准不限 雖分別 芯部係 亦可分 W又’本♦明之粉碎裝置之粉领構之各 圓筒ί者，惟不限於此，亦可::： 為圓柱狀者，即芯部係實心體者。 又’本發明之粉碎裝置之粉碎機 別於其外周面形成微小之凹凸。 之+滾輪，亦可分 各滾輪之外周面。 3 -，可防止粉體附著於 又，本發明之粉碎裝置之冷卻 〜 置使冷氣循環之猶環扇。 之相至内，亦可設 21/28 201143895

丨産業上之可利用性.I 根據本發明，樹脂組成物被冷卻，故可防止因例如與 Μ輪之外㈣之K!j的摩擦等而來熱。例如：於樹脂版成 切仏把"u 4物冷部因化的情形，該樹脂組成物，雖由於前 述ΐ擦而叮此再度帶有黏性，惟因被冷卻故黏性受到抑制 二始此’可確實防止在滾輪間粉碎後之樹脂組成物附箸殘 W於5¾各滚輪之外周而。 ,又，於各艰怆之至少外周而係山陶瓷所構成之情形， 胎組成物之過程屮，即使樹脂組成物與各滾輪之 =周〇〇之Μ產生摩肖，而外周而磨損且—部分被创刮，該 者自丨㈤免。相對於此，例如：於各滾輪之外周 屬=料所構成之情形，於粉碎樹脂組成物之過程 心如則速般之磨損，將自該外周面產生金屬粉末， '^入有’’亥金心分末之粉，S。惟，依本發I明，可確實 業上粉纽入於粉體中。因此，本發明具有産 【圖式簡單說明】 ，1所不為樹脂組成物之製造步鄉圖。 圖2為本發明之粉碎裝置之剖面圖。 =^圖2騎之粉碎^輪之料縱剖 圖。以所示為本發明之粉碎裝置之第2實施形態之剖面 俯視裝置（第3實施形態）之滚輪之 圖6為本發明之粉麵裝置（第4實施形態）之滚輪之 22/28 201143895 俯視圖（部分剖面圖）。 圖7為使用樹脂組成物之1C封裝體之部分剖面圖。 【主要元件符號說明】 I 粉碎裝置 2 粉碎機構 2A 粉碎機構 2B 粉碎機構 2C 粉砰機構 〇 3 冷卻手段 4a 滾輪 4b 滾輪 41 芯部 411 外周面（外周部） 412 縮徑部 413 中空部 42 外層 421 外周面 423 中央部 43 軸承 44a 刮刀 44b 刮刀 45 外徑變化部 46 外徑變化部 47 螺旋彈簧 471 端 23/28 201143895 472 端 48 臂狀物 481 端部 482 卜!il定構件 49 /Λ* 扣 5 第1冷卻機構 5 1 a 促進構件 51b 促進構^牛 52 本體部 53 突部 54 流入流位 541 間口部 55 流出流徑 551 開口部 6 第2冷卻機構 61 箱室 62 本體部 621 侧壁 622a 供給口 622b 供給口 63 導入口 64 排出口 900 半導體封裝體 901 半導體晶片 902 外模部 903 導線框（丨ead frame) 24/28 201143895 904 導線 P 軸間距離 Qi 片材 Q2 粉體 R1 冷媒 R2 冷媒 25/28

Claims (1)

1. 201143895 七 1伊請專利範If) 1. 一種粉碎狀置，其特微為具備： 具有經並排設览之—對滾輪並以該一對滾輪之問" 竹之樹脂組成物壓破粉碎之粉碎機構；及 将硬 將前述經粉碎之樹脂組成物予以冷卻之冷卻手段。 2. 如屮4專利範圍第丨項之粉碎裝置，其中前述各 別做成為具有中空部之圓筒狀，前述冷卻手段二二 將冷媒分別供予前述各滾輪之中空部.> H J' '，J 3 ·如屮請專利範，2奴粉碎R及，心丨，前述^ 前述各㈣之中空部m其長邊方向流勒，前 手·Κ具有分別插入前述各滚輪之中空部且促進’彳、/ 1十 流動之促進構件。 1处冷媒 4. 如申請專利範圍第2或3項之粉碎裝置，其 之溫度為丨5t：以下。 1处令媒 5. 如申請專利範圍第^至4項中任l 前述冷卻手段具有於粉碎前述樹脂組成物之^ ’其中 樹脂組成物與前述一對滾輪一併收納並供給冷氣之= 6. 專利範圍第5項之粉碎裝置，其中前述箱室，. κ有至V 2個供給前述冷氣且隔互： 向配置之供給口。 订展如相互對 7. 如申請專利範圍第5或6 之溫度為饥以下。«置，其中前述冷氣 8. 如申請專利範圍第丨至7項中 前述各滾輪分別至少其外周面為仏，之粉碎裝置，其中 9. 如申請專利範圍第8項之粉访驻陶瓷所構成。 77 τ裝置，其中前述各滾輪係 26/28 201143895 刀W Λ有成為圓柱狀或圓筒狀並以 ㈣^ ^ 部、及設置於哕奸卹々Al 行所構成之芯 層。 …心#之外周部並以前述陶莞所構成之外 10.2請專利範圍第：丨至9項中任一項之粉碎裝置， 刚述粉碎機構由相互間？二 輪所構成。 π又之刚述一對滾 】1 =請=圍第】。項之粉碎裝置， 之垂直方向之移動係受二 .H 可在相對於其軸之垂直方向移動； :广分坪機構具有將前述另一滾輪 ^^^enei-gi2ing energizing如切） 匕土邛之鈀壓力（ 移動界限的限制部。述另―滾輪朝前述一滾輪之 U.如申請專利範圍第”至"項申任 河述各滚輪分別具有其外徑 、“衣且，其中 化部。 〇者長故方向相異之外徑變 J3.如申請專利範圍帛】2項之粉碎裝置 部為其外經自前述滚輪之再，息令丽述外徑變化 漸增加之部分。 τ故向的中央部朝端部而逐 〗4.如_請專利範圍第ί2項之 部為其外徑自前述滚輪之長邊方外棱變化 漸減少之部分。 ，向的中央部朝端部而逐 15·如申請專利範圍第】至 在即將以該粉碎裝置粉碎之前=粉碎裝置，其中 形為片狀。 叫的則述樹脂組成物係被成 】6.如申請專利範圍第】至丨5項中任—馆 、宁任一項之粉碎裝置，其中 27/28 201143895 前述樹脂組成物係形成為構成丨c封裝c之外裝部的外 模部。 I 7. —種粉碎方法’其特微為以經並排設苽之一對滾輪之問 隙將硬饮之樹脂組成物壓破粉碎並同時予以冷卻。 28/28