TW201143504A - Method of producing composition for use in organic electroluminescent element, composition for use in organic electroluminescent element, method of producing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display d - Google Patents

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201143504 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機電致發光元件用組成物之製造方法、藉 該製造方法所製造之有機電致發光元件用組成物、有機電致 發光元件之S造技、賴製造方料製狀有機電致發光 兀件及以含有該几件的有機EL顯示農置及有機肛昭 【先前技術】 ^ 自從Kodak公司發表使用蒸錢法之積層型的有機電致發 光(eleCtr〇luininescence:以下有時簡稱為「EL」）元件以來， 有機EL顯示器及有機EL照明的開發盛行，目前已供實用 化。 此種積層型之有機電致發光元件係於陽極與陰極之間積 層設置複數之錢層（發光層、電、;·人層、電洞輸送膜及 電子輸送層等卜此等有機層在多數情況下，係藉由將低分 子系色素等之有機層材料進行真空蒸鍍而形成。然而，真空 蒸鍵法難以得到均質且無缺陷的薄膜。又，因為在藉真空蒸 鍍法形成複數層之有機層時需要長時間，故在元件製造效率 方面亦有問題。 相對於此，已報告有藉濕式成膜法形成積層型有機電致發 光元件之複數有機層的技術。例如於專利文獻1中，記載有 藉由塗佈含有具交聯基之化合物的組成物並以光或熱使其 交聯，而得到具有含交聯性聚合物之電荷輸送膜及發光層的 100112400 3 201143504 致發光元件。若使用含交聯性聚合物之電荷輸送膜， ==之上層可_式成一地形=。 ’、、、膜法所進行之有機電致發光元件的製造步 驟，可期待大®積之有機扯顯示器製造的簡便化、效率化、 低成本化，㈣到各種研討。又，藉此種濕式錢法所進行 之有機電致發光轉的製造步驟，由於例如專利文獻2及專 利文獻3所記載般，可使用嘴墨方式及喷嘴塗佈方式等進行 濕式成膜，故認材依低縣實現大面狀麵EL顯示器。 由濕式成膜法所進行之有機電致發光元件的製造步驟 ，係製造㈣於形成具有各種機能Μ崎料溶解或分散 於溶射的油墨，制其製健細。然*， 用前的期間有發生溶質之析出、凝集及結晶化等情形墨。在使 〜因此，通常在製作含濕式成膜法的有機電致發光元件 =上係在即將使用油墨前過濾該油墨（參照專利文獻 如此’由濕式成膜法所進行之有機電致發光元件 術，可期待用於步驟之簡便化、效率化、低成本化、大= 化，而自習知以來即進行各種開發：而且，對於藉^積 法所製造的有機電致發光元件，係進一步要求驅動I各膜 長、電流效率高之元件β 1 —更 [專利文獻] 專利文獻1:日本專利特開平7-114987號公報 100112400 4 201143504 專利文獻2 : 專利文獻3 : 專利文獻4 : 專利文獻5 : 專利文獻6 . 專利文獻7 : 專利文獻8 : 曰本專利特開2004-127919號公報 曰本專利特開2004-41943號公報 曰本專利特開平11-3783號公報 曰本專利特開平9-263754號公報 曰本專利特開2003-292948號公報 曰本專利特開2005-19159號公報 曰本專利特開2005-340042號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 本發明之課題在於藉由濕式成膜法，製造驅動壽命長、電 流效率高的有機電致發光元件。 (解決問題之手段） 本發明者等人為了解決上述課題而潛心研究。結果發現， 因為將用於形成具有各種機能之層的材料溶解或分散於溶 劑中的液體保持一定期間，而對習知所認為的上述溶質之析 出、凝集或結晶化所引起對元件特性之影響等，如將該液體 過濾後，則變得不同。 進而經重複研討，結果發現，將上述液體過濾後，經過一 定期間再用於濕式成膜而製作元件，藉此可解決上述課題， 遂而達成本發明。 亦即，本發明之要旨如下。 1.一種有機電致發光元件用組成物之製造方法，其特徵為， 100112400 5 201143504 具有將含有有機電致發光元件材料及溶劑之液體進行過據 的過濾步驟，該組成物係將該過濾步驟後之液體歷經8小時 以上之經過步驟後而獲得，其可用於有機電致發光元件之有 機層的濕式成膜。 2. 如上述1項之有機電致發光元件用組成物之製造方法，其 中’上述有機電致發光元件材料之分子量為100以上且 10000以下。 3. 如上述1或2項之有機電致發光元件用組成物之製造方 法，其中，上述有機電致發光元件材料為發光層材料。 4. 一種有機電致發光元件用組成物，其特徵為藉上述1至3 項中任一項之有機電致發光元件用組成物之製造方法所製 造。 5. 一種有機電致發光元件之製造方法，係於陽極及陰極之間 含有有機層之有機電致發光元件之製造方法，其特徵為，將 使含有有機電致發光元件材料及溶劑之液體過濾後並歷經 8小時以上後所得的組成物，藉濕式成膜形成該有機層。 6. 一種有機電致發光元件之製造方法，係於陽極及陰極之間 含有有機層之有機電致發光元件之製造方法，其特徵為，將 上述4項之有機電致發光元件用組成物藉濕式成膜形成該 有機層。 7. 一種有機電致發光元件，其特徵為藉上述5或6項之有機 電致發光元件之製造方法所製造。 100112400 f： 201143504 其特彳玫為具有上述7項之有機電 8. —種有機EL顯示裝置 致發光元件。 9.一種有機EL照明，其特徵為 光元件。 具有上述7項之有機電致發 (發明效果） 元件用組成物之製造方法，可 製造電流效率高、且驅動壽命 根據本發明之有機電致發光 得到可用於藉由濕式成膜法， 長之元件的組成物。 一藉本發明之方賴製料麵電致發光元件，因電流效率 兩、驅動壽命長，故可應用於 _

、干面面板·顯示器（例如OA 電腦用及壁掛式電㈣）、發揮作為面發光體之特徵的光源 (例如影印機之光源、液晶顯示器及計器類之背光源等）、顯 示板及號誌燈等，其技術性價值極高。 【實施方式】 以下’詳細說明本發明之有機電致元件用組成物之製造方 法、有機電致兀件用組成物、有機電致元件用組成物之使用 方法、有機電致發光元件之製造方法、有機電致發光元件、 有機EL顯示裝置及有機EL照明的實施態樣。 其中，以下記载之構成要件的說明僅為本發明實施形態的 一例(代表例）’本發明在不超過其要旨之前提下，並不限定 於此等内容。又，本發明中，「重量％」係與「質量％」同義。 [1]有機電致元件用組成物之製造方法 100112400 7 201143504 树明之有機電致發光元件用組成物之製造方法（以下有 時錢為「本發明之組成物之製造方法」），係具有將含有 有機電致發光s件材料及溶劑之液體進行過㈣過滤步 驟。又，該組成物係將該過齡驟後之㈣_ 8小時以上 之經過步雜所得的組成物，並可有料麵電致發光元件 之有機層的濕式成膜。 [作用機構] 本發明中發揮效果之作關構的詳情推測如下。若將含有 有機電致發光元件材料及溶劑之液體使用例如過遽器等進 行過渡，則液體因過據而呈不蚊狀態。更具體而言，组成 物中之有機電致發光元件材料等因接觸至過據器等，而形成 難以檢測之非常細微尺寸的叢集(cluster)。 推測若將此種不穩定狀態的液體供於濕式成膜步驟，則因 在所成膜之膜内存在細微的叢集等，故損及電氣特性，而發 生驅動壽命之降低及亮度效率之降低等。 另一方面，本發明中，認為藉由於過瀘步驟後設置既定時 間之經過步驟’可得到使過濾步驟中所發生之細微叢集等被 分解的組成物〇藉由使用該組成物進行濕式成臈，可使所得 膜中含有之該叢集等的比例減少。藉此，認為可發揮所得之 元件的驅動壽命長、亮度效率高等之效果。 [有機電致發光元件用組成物] 本發明之有機電致發光元件用組成物，係含有有機電致發 100112400 » 201143504 光元件材料與溶劑。於此，有機電致發光元件材料可溶解於 溶劑中，亦可分散於溶劑中。 {有機電致發光元件材料} 所謂有機電致發光元件材料，係指於有機電致發光元件之 陽極與陰極之_層所含有的材料。作為有機電致發光元件 材料’可舉例如，具有電洞輸送能或電子輸送能之電荷輸送 材料、發光㈣及電子受容齡合料。有機電致發光元件 材料並無特別限制，可視所形成之有機層適當選擇材料，亦 可使用公知材料。 本發明之有機電致發光元件材料的分子量係在不顯著損 及本發明效果之下為任意者。本發明之有機電致發光元件材 料的分子量較佳為10000以下、更佳5000以下、再更佳4000 以下、特佳3000以下。又，本發明之有機電致發光元件材 料的分子量通常為100以上、較佳200以上、更佳300以上、 特佳400以上。 有機:電致發光元件材料之分子量由玻璃轉移溫度、融點及 分解溫度等較高、發光層材料及所形成之發光層的耐熱性優 越的觀點’以及氣體發生、再結晶化及分子遷移等所造成之 膜質降低或材料熱分解所伴隨之雜質濃度上升等不易發生 的觀點而言’最好為較大分子量。另一方面’有機電致發光 疋件材料之分子量由有機化合物之精製容易、容易溶解於溶 劑中的觀點而言，最好為較小分子量。 100112400 201143504 本發明之有機電致發光元件材料較佳為發光層材料。以 下，例不尤其是有機電致發光元件材料為發光層材料的情 況亦即，本發明之有機電致發光元件用組成物為發光層形 成用組成物的情況進行詳述。有關發光層形成用組成物以外 的態樣，可舉例如後述[4]有機電致發光元件之項目中記載 的材料及溶劑。 本發明中作為有機電致發光元件用組成物之發光層形成 用組成物，較佳為含有發光層材料與溶劑。作為發光層材 料，較佳為至少含有發光材料，更佳為含有電荷輸送材料。 又，發光層材料係以提升成膜性為目的，亦可含有均平劑及 消泡劑等各種添加劑。 <發光材料> 作為發光材料，若為一般使用作為有機電致發光元件之發 光材料者則無限定。發光材料例如可為螢光發光材料，亦可 為磷光發光材料。又，發光材料例如可依藍色為使用螢光發 光材料，綠色及紅色為使用罐光發光材料等般，組合使用螢 光發光材料與磷光發光材料。 (螢光發光材料） 以下列舉發光材料中之螢光發光材料。然而，螢光發光材 料並不限定於以下例示物。 作為賦予藍色發光之螢光發光材料(藍色螢光色素），可舉 例如萘、筷、茈、芘、蒽、香豆素、對雙(2_苯基乙烯基)苯、 100112400 10 201143504 及芳基胺以及此等之衍生物等。作為賦予藍色發光之螢光發 光材料，其中較佳者為蒽、香豆素、芘及芳基胺以及此等之 衍生物等。 作為賦*予綠色發光的螢光發光材料(綠色螢光色素），可舉 例如喹吖酮衍生物、香豆素及A1(C9H6N〇)3等之鋁錯合物及 此等之衍生物等。 作為賦予黃色發光之螢光發光材料(黃色螢光色素），可舉 例如紅螢烯及呸酮(perimidone)以及此等之衍生物等。 作為賦予紅色發光之螢光發光材料(紅色螢光色素），可舉 例如00\4(4-(二氰亞曱基)-2-曱基_6-(對二甲基胺基笨乙歸 基)-4H-派喃）系化合物、苯并派0南衍生物、羅丹明衍生物、 苯并硫。山β星衍生物、偶氮苯并硫°山°星等之β山《星以及此等之行 生物等。 作為上述屬於賦予藍色螢光之衍生物的芳基胺衍生物，更 具體而言，例如下式(X)所示之化合物由元件之發光效率及 驅動壽命等之觀點而言，適合作為螢光發光材料。 [化1]

式(X)中，Ar21為核碳數10〜40之取代或無取代之縮合芳 香族環基，Ar22及Ar23分別獨立為核碳數6〜4〇之取代或無 100112400 11 201143504 取代之1價芳香族烴基，P為1〜4之整數。 作為Ar21，具體可舉例如具有1個游離原子價的萘、菲、 择、蒽、祐、花、蔻、香豆素、起、二苯基蒽、蕗、三苯、 茹、苯并蒽、苯基蒽、雙蒽、二蒽基苯及二苯并蒽等。 於此，本發明中所謂游離原子價，係如日本有機化學•生 化學命名法（上)(改定第2版，南江堂，1992年發行)所記載， 可與其他游離原子價形成鍵結者。 以下，例示作為螢光發光材料之芳香胺衍生物的較佳具體 例，但本發明中作為螢光發光材料的芳基胺衍生物並不限定 於此等。以下，「Me」表示甲基，「Et」表示乙基。 [化2]

100112400 12 201143504 [化3]

[化4] 100112400 13 201143504

[化5] 100112400 14 201143504

(磷光發光材料) 作為w光發先材料，可舉例如含有選自長 (以下，在無特別喊之前提下，「㈣表」即 周期: 期表。）第7〜11族之金屬作為中心金屬的韋^周期型』 機金屬錯合物等。 、’錯合物或g 作為選自周期表第7〜11族之金屬，較佳可 趣、銀、銖、餓、銀、始及金等 牛〇如舒、錯 族之金屬，更料銀韻。 _自_表第74 作為錯合物之配位子，較佳為（雜）芳基㈣配位子及(雜) 100112400 , ν 7 201143504 芳基t坐配位子等之(雜）芳基與吼咬、対或啡琳等所鍵結 之配位子，縣為苯基対配位子及苯基㈣配位子。於 此，（雜）芳基係指芳基或雜芳基。 作+為鱗光發光材料，具體可舉例如參(2_苯基吼旬銀參 (2-苯基吼咬)釕、參(2-苯基。比咬)把、雙(2_苯基吼咬放、參 (2苯基吡啶)娥、參(2_苯基吡啶)鍊、八乙基鉑紫質、八苯 基鉑紫質、八乙基鈀紫質及八笨基鈀紫質等。 作為鱗光發光材料之鱗光性有機金屬錯合物，特 如下式(III)或式(IV)所示化合物。 ^ ML(q-j)L’j (III) 式(HI)中，Μ表示金屬，q表示上述金屬之價數。又，l 及L表示雙配位子。j表示〇、1或2之數。 [化6]

式(IV)中，M7表示金屬，T表示碳原子或氮原子gR9ir95 分別獨立表示取代基。其中，T為氮原子時，無r94及R95。 以下，首先說明式(III)所示之化合物。 100112400 lfi 201143504 气（Η)中’ Μ表示任意金屬。作為較佳μ之具麟例’可 舉例如作為選自周期表第7〜u族之金屬的上述金屬等。 又式(III)中，雙配位子L表示具有以下部分構造的配位 子。 [化7] L： 虫上述L之部分構造中，環Αι表示亦可具有取代基之芳香 衣基本發明之芳香環基可為芳香族縣亦可為芳香族雜 環基。 作為上述芳香族羥基，可舉例如具有1個游離原子價之5 或6員環的單環或2〜5縮合環等。 t為Ϊ述芳香族烴基之具體例，可舉例如具有1個游離原 子之苯％、蔡環、蒽環、菲環、純、稍四苯環、祐環、 苯并祐環、=豆素環、三苯環、二氫危環、择環及第環等。 作為上述芳㈣雜環基，可_如具有1個雜原子價之 5或6員環的單環或2〜4縮合環等。 ^上述芳香族雜環基之具體例，可舉例如具^個游離 :貝的料環、笨并咬喃環”塞吩環、苯㈣吩環、 =対環、咪_啊環、料環、如各并 ；；環、吡洛并D比唑環、吼洛并吡落严 ^ 100112400 分开比各％、嗟吩并吡咯環、嘍 201143504 吩并噻吩環、呋喃并吡咯 芏低袖衣夫°南并咬喃環、嗟吩并吱喃環、 本偶姻气唑環、苯偶姻 ^ ^ ΑϊΒ 坐衣、本并咪唑環、吡啶環、吡讲 裱、嗒畊環、嘧啶環、： (.ν ^ 一丼％、喹啉環、異喹啉環、啐啉 (cmnolme)環、喹呤 .., 非啶環、笨并咪唑環、呸啶環、 啥坐琳％、、㈣相環及奠環等。 之之部分構造+，環Α2表示亦可具有取代基 之含氮芳香族雜環基。 H \ +述3 ^香族雜環基’可舉例如具有1個游離原子 ⑻或6員環之單環或2〜4縮合環等。 作為上述含氮芳香麵環基之具體例，可舉例如具有1 ^游離原子價的吨略環，環、㈣環二唾環“弓卜朵 ^ ^ tb"各并咪哇環、°比略并吼唾環、吼洛并啦洛環、 =并tb略％、α夫喃并轉環、售吩并吱㈣、笨偶姻十坐 衣苯偶姻塞唾環、笨并σ米唾環、D比咬環、D比讲環、塔畊環、 班 井環喧琳環、異嗤琳環、啥崎琳環、啡咬環、 笨并米唾、σ㈣環H琳環及環等。 作為％ Α1或環Α2分別亦可具有之取代基的例子，可舉 例如自原子、燒基、稀基、錄基錢、烧氧基、芳氣基、 …土私基一 :¾基胺基、味唾基、醢基、鹵炫基、氰基、 方香族煙基等。又’在環A1或環A2為含氮芳香族雜環基 時，亦可具有芳香族烴基作為取代基。 100112400 另外’式(III)中，雙配位子L，表示具有以下部分構造 丨12400 *己 201143504 位子。其中，以下式中，「Ph」表示苯基。 [化8]

K> CM CH ^rr ^^

>〇 -tV* A 其中，作為l’，由錯合物之穩定性的觀點而言，較佳為 以下列舉之配位子。 [化9] y~〇 ^}~ζ -fo 作為式(III)所示之化合物，更佳可舉例如下式(ina)、（Illb) 或(IIIc)所示之化合物。 [化 10]

式(Ilia)中，M4表示與Μ相同的金屬，W表示上述金屬之 100112400 19 201143504 壤Α2表示 價數，環A1表示亦可具有取代基之芳香α 亦可具有取代基之含氮芳香族雜環基。衣土 [化 11] "

(nib) 壤A2表示 式_中，Μ表示與M相同的金屬，w表示上述金屬之 價數，環A1表示亦可具有取代基之芳香環基， 亦可具有取代基之含I芳香族雜環基。" [化 12]

(Hie) /_)中，Μ表示與Μ相同之金屬，w表示上述金屬之 ^數J表不〇 1或2’環A1及環Α1，分別獨立表示亦可 具有取代基之芳麵基，環A2及環A2，分賴立表示亦可 具有取代基之含氮芳香族雜環基。 上式(IIIaHlIIc)中，環A1及環A1，之芳香環基的較佳例， 可舉例如苯基、聯苯基、萘基、葱基"塞吩基、咬喃基、苯 并°塞吩基、笨并°夫_基、°比咬基、料基、異料基及味唾 基等。 100112400 201143504 上式(Ilia)〜(IIIc)中’環A2及環A2，之含氮芳香族雜環基 的較佳例’可舉例如吡啶基、嘧啶基、吡畊基、三讲基、笨 并噻唑基、苯并哼唑基、苯并咪唑基、喹啉基、異喹啉基、 喹哼唑啉基及菲啶基等。 上式(Ilia)〜(IIIc)中之環A1及環ΑΓ的芳香環基、環A2 及環A2’之含氮芳香族雜環基所亦可具有的取代基，可舉例 如鹵原子、烷基、烯基、烷氧基羰基、烷氧基、芳氧基、二 烧基胺基、二芳基胺基、坐基、醯基、鹵烧基、氰基等。 尚且，此4取代基亦可彼此鍵結形成環。作為具體例，可 為藉由環Α1所具有之取代基與環Α2所具有之取代基鍵 結、或環ΑΓ所具有之取代基與環Α2,所具有之取代基鍵 結，而形成一個縮合環。作為此種縮合環，可舉例如7,8_ 苯并喹啉基等。 ’ 其中，作為環Α卜環Α1’、環Α2及環Α2,之取代基，較 佳可舉例如烷基、烷氧基、芳香族烴基、氰基、自原子、鹵 烷基、二芳基胺基及咔唑基等。 另外’式(Ilia)〜(IIIc)中之M4〜M6的較佳例，可舉例如舒 錄、把、銀、銖、锇、鈒、鉑或金等。 上式（III)及(Ilia)〜(IIIc)所示之有機金屬錯合物的具體例 示於以下。其中，上式_及_)〜_)所示之有機金屬錯 合物的具體例並不限定於下述化合物。 [化 13] 100112400 21 201143504

[化 14] 100112400 22 201143504

上式(III)所示之有機金屬錯合物中，特佳為具有2-芳基°比 啶系配位子，亦即，2-芳基吡啶、於其鍵結有任意取代基者、 以及於其縮合任意基而成者作為配位子L及/或L’的化合 物。 另外，亦可使用國際公開第2005/019373號記載之化合物 作為發光材料。 其次，說明式(IV)所示之化合物。 式(IV)中，M7表示金屬。具體例可舉例如作為選自周期 100112400 23 201143504 表第7〜11族之金屬的上述金屬。作為m7，其中較佳有如 釕、錢、把、銀、銶、餓、銀、始或金，特佳可舉例如缺 鈀等之2價金屬。 另外，式⑽中分別獨立表示氣原子、齒原子、 烧基、芳烧基、烯基、氰基、胺基、醯基、燒氧基縣、致 基、统氧基、絲胺基、技基絲、_絲、經基、芳氧 基或芳香環基。 再者，在T為碳原子時，R94及r95分卿立表示與^ 及R93相同之例示物所示的取代基。又，在τ為氣原子時 無 R94 及 R95。 另外’ R〜R95亦可進—步具有取代基。在具有取代基# 情況’其Γί無特別限制，可以任意基作為取代基。 再者一R中亦可任意2個以上之基彼此鍵結形成環 式(iv)所不之有機金屬錯合物的具體例(H、㈣〜川 示於以下，但並錢定訂述㈣物。又，以下化學式中 「Me」表示甲基，Et表示乙基。 [化 15] 100112400

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此等發光材料可單獨使用W，亦可依任意組合及比率使 用2種以上。 (分子量） 本發明之發光材料的分子量，在不顯著損及本發明效果之 下為任意者。本發明之發光材料的分子量較佳為1〇〇〇〇以 下、更佳5000以下、再更佳4〇〇〇以下、特佳3〇〇〇以下。 又本發明之發光材料之分子量通常較佳為100以上、更佳 200以上、再更佳3〇〇以上、特佳4〇〇以上。 發光材料之分子量由玻璃轉移溫度、融點及分解溫度等較 向、發光層材料及所形成之發光層的耐熱性優越的觀點，以 及氣體發生、再結晶化及分子遷移等所造成之膜質降低或材 料熱分解所伴隨之雜質濃度上升等不易發生的觀點而言’最 100112400 201143504 好為較大分子量。另一方面，發光材料之分子量由有機化合 物之精製容易、容易溶解於溶劑中的觀點而言，最好為較小 分子量。 <電荷輸送材料> 本發明之發光層形成用組成物較佳係含有電荷輸送材料。 有機電致發光元件中，發光材料較佳係由具有電荷輸送性 能1之·主體材料接受電荷或能量而發光者。因此，作為本發明 之發光層形成用組成物所含有之發光層材料，較佳為例如被 使用作為該主體材料的電荷輸送材料。作為電荷輸送材料， 叮舉例如具有電洞輸送能之化合物及電子輸送能之化合物。 於此’作為電荷輸送材料，可舉例如芳香族胺系化合物、 酞菁系化合物、紫質系化合物、噻吩系化合物、苄基苯基系 化S物、第系化合物、腙系化合物、矽氮系化合物、矽胺系 化合物、磷胺系化合物、喹吖啶酮系化合物、三苯系化合物、 味°坐系化合物、縣化合物、蒽系化合物、㈣系化合物、 啥琳系化合物、°比°定系化合物、三啡系化合物”f二嗤系化 合物及咪唑系化合物等。 、 更具體而言作為低分子量之電洞輸送性化合物，可舉例 如：以认雙_•萘基)_Ν·笨基胺基]聯苯為代表而含有2 個以上3級胺且2個以上縮合芳香族環，取代為氮原子的芳 香族胺系化合物（日本專利特開平5_234681號公報广 HI ·參⑴絲轉細三笨基料具有轉構造的芳 26 201143504 香族胺糸化合物（Journal of Luminescence，1997 年，

Vol.72-74 ’ pp.985);由三苯基胺之四聚物所構成的芳香族 胺系化合物（Chemical Communications，1996 年，pp.2175) · 及2,2’，7,7’-肆-(二苯基胺基)_9,9，_螺聯苐等之第系化合物 (Synthetic Metals，1997 年，Vol.9卜 pp.209)等。又，可使 用後述之[電洞注入層]中作為（低分子量之電洞輸送性化合 物）所例示的化合物。 另外，作為低分子量之電子輸送性化合物，可舉例如H 雙（1-萘基）-1，3,4-哼二唑（BND)、^孓雙^’^”-聯吡啶 基))-1，1 -二曱基-3，4-二苯基噻咯(sil〇le)(PyPySPyPy)、二氧雜 菲（Bathophenanthroline，BPhen)、2,9-二甲基-4,7-二笨美 -l’lO-啡啉(BCP，浴銅靈）、2_(4_聯苯基)_5_(對第三丁基苯 基)-1，3,4巧二唑(tBu_pBD)及44,雙(9-咔外聯苯(c叫等。 此等之電荷輸送材料可單獨使用！種，亦可依任意組合及 比率使用2種以上。 本發明中電荷輸送材料之分子量在不顯著損及本發明效 果之下為任意者。本發明之電荷輸送材料的分子量較佳為 10000 Μ下、更佳5000以下、再更佳⑻以下、特佳3麵 以下。又’本發明電荷輸送材料之分子量通常較佳為_ 以上、更佳200以上、盅审社 再更佳300以上、特佳400以上。 若電荷輸送材料之分子孴Α μ、十 卞篁為上述範圍内，則由玻璃轉移溫 ί,:料分魅料㈣、發光料财卿紅發光層 27 201143504 的耐熱性良好的觀點;再結晶化及分子遷移等所造成之膜質 降低、以及材料熱分解所伴隨之雜質濃度上升等不易發生而 元件性能優越的觀點;及若精製容易的觀點而言，屬較佳。 {溶劑} 本發明之發光層形成用組成物中，較佳係進一步含有溶 劑。溶劑若為發光材料及電荷輸送材料等之發光層材料可良 好地溶解或分散之溶劑則無特別限定。 作為溶劑之溶解性，較佳係於饥、i大氣壓下使發光材 料及電荷輸送材料分別溶解通常㈣ί4%以上，更佳為 溶解〇.G5重量％以上，再更佳為溶解G.1重量％以上。 以下’列舉溶劑之具體例，在不損及本發明效果之下，溶 劑並不限定於此等。 ^為溶劑’可舉例如：正魏、環㈣、乙基環己烧、十 =及聯環己燒等之烧類；甲笨、二曱苯、均三甲苯、環己 :及：备：基％己烷及四氫萘等之芳香族烴類;氣苯、二氯 本及二氣苯等之鹵化芳香旌h 甲氧AH… 類，二曱氧基苯、^二 甲―土4本_、本基乙基鱗、2_甲氧基甲苯、3-曱氧基 ::笨:氧基甲苯、2,3_二曱基笨甲喊、2,4_二甲基苯甲 赵及一本基醚等之芳香族驗 苯甲酸t ⑽苯基醋、 芳香： 苯甲酸丙醋及苯甲酸正丁醋等之 類；環己酮、環辛酮及_等之脂環族環己 醇及％辛醇等之脂環族 100112400 貞’甲基乙基酮及二T基酮等之脂

S 201143504 肪族酮類；丁醇及己醇等之脂肪族醇類；乙二醇二曱基醚、 乙二醇二乙基醚及丙二醇-1-單曱基醚醋酸酯（pgmea)等之 脂肪酸醚類；等。 溶劑之中，較佳為烧類或芳香族烴類。 此等溶劑可單獨使用1種，或依任意組合及比率使用2 種以上。 另外，為了得到更均勻之膜，較佳係由成膜即刻後之液膜 依適當速度蒸發溶劑。因此，溶劑之沸點通常較佳為8〇。〇 以上、更佳loot以上、再更佳120。(：以上。又，溶劑之沸

點通常較佳為270°C以下、更佳250°C以下、再更佳230°C 以下。 [組成] 本發明之發光層形成用組成物中溶劑的含量，在不顯著損 及本發明效果之下為任意者。溶劑之含量係相對於發光層形 成用組成物100重量份’較佳為10重量份以上、更佳50 重量份以上、特佳8〇重量份以上《又，溶劑之含量較佳為 99.95重量份以下、更佳99.9重量份以下、再更佳99.8重 量份以下。 若發光層形成用組成物中之溶劑含量較多，則由黏性低、 成膜之作業性優越的觀點而言屬較佳。另一方面，若溶劑之 含量較少，則由成膜後容易去除溶劑而得到所需之膜厚、成 膜容易的觀點而言屬較佳。又’在混合使用2種以上溶劑作 100112400 29 201143504 為發光層形成用組成物的情況，較佳係使此等溶劑之人^十$ 足此範圍。 本發明之發光層形成用組成物較佳係含有發光材料 重量％以上、更佳0.05重量％以上、再更佳〇 1重量％以上 又，較佳係含有發光材料20重量％以下、更佳 里量％以 下、再更佳5重量％以下。 本發明之發光層形成用組成物較佳係含有電荷輪送材料 0.1重量％以上、更佳0.5重量％以上、再更佳J重量％以上1 又，較佳係含有電荷輸送材料20重量％以下、更佳1 〇 %以下、再更佳5重量％以下。 量 另^發光層形成用組成物中，發光材料與電荷輸送材料 之3里的重量比(發光材料/電荷輸送材料)較佳為⑽以 上、更佳0.03以上。又，發光層形成用組成物中 ^與較ΓΓαΓ狀含量的重量*(發料料/電荷輪送材 枓）較佳為0.5以下、更佳〇 2以下。 [過濾步驟] 本發明之有機電致發光元件用組成物之製 將含有有機蕾方法’係具有 驟。料發Μ件㈣與_之㈣進行過渡的步 本發明巾所謂賴將含有 中可能存在之凝集體、雜質及粒子二等為 目的而進仃者。料喊方法絲特 子去除專為 麵12400 氏制’可列舉公知方 30

S 201143504 法，例如具有物理性之細孔或間隙等之職器、填充劑及離 子交換樹脂等。 過渡步驟中所使狀過㈣的孔徑，較佳為5μιη以下、 更佳0.5μιη以下。又’過據步驟中所使用之過濾器的孔徑較 佳為0.1/mi以上。若孔徑為此範圍0，則因不易混入雜質、 或不易發生過濾器之堵塞等而屬較佳。 另外，作為填充劑，可舉例如具有藉分子篩機能及靜電效 果去除雜質之機能賴脂及陶究多孔質體等。作為填充劑， 其代表例有如G P C (凝膠滲透層析）等所使用之多孔性高分 子凝膠、一氧化石夕凝膠、石夕藻土及活性碳等。 作為離子交換樹脂，可舉例如具有將鈉離子、鈣離子及銨 離子等之無機/有機陽離子、以及氫氧化物離子、硫化物離 子等及羧酸等之無機/有機陰離子等，藉靜電性效果予以去 除之效果的樹脂等。 此等各種之過濾方法可僅進行丨種，亦可依任意組合及順 序進行2種以上。 尚且’過濾步驟可於含有有機電致發光元件用材料及溶劑 之液體的調製後立刻進行。又，過濾步驟亦可於含有有機電 致發光元件用材料及溶劑之液體的調製後，經過丨2〜24小時 左右後再進行。 然而’在如具過濾器喷嘴般，於將有機電致發光元件之有 機層進行濕式成膜之裝置搭載過濾用過濾器的情況，從供給 100112400 201143504 至裝置之液體與過濾器間的接觸至成膜為止的時間非常 短，在該液體中細微叢集形成至對元件特性造成影響之大量 前即進行成膜，故並不包括於本發明之過濾步驟中。於此， 所謂供給至裝置之液體與過濾器間的接觸至成膜為止的時 間非常短，係指5分鐘以内、較佳3分鐘以内、特佳1分鐘 以内。 [經過步驟] 本發明之有機電致發光元件用組成物，係將上述過濾步驟 後之液體歷經8小時以上之經過步驟後所得的組成物，用於 有機電致發光元件之有機層的濕式成膜。 本發明中所謂經過步驟，係指在將含有有機電致發光元件 用材料及溶劑之液體過濾後，藉濕式成膜法形成有機層之前 為止的期間。亦即，本發明中所謂經過步驟，係指在將含有 有機電致發光元件用材料及溶劑的液體進行過濾後，填充至 濕式成膜用裝置以進行成膜時為止的期間。 尚且，在將含有有機電致發光元件用材料及溶劑之液體進 行複數次過濾的情況，係指在進行最後之過濾後，藉濕式成 膜法形成有機層前的期間。 此經過步驟之期間通常較佳為8小時以上、更佳12小時 以上、再更佳24小時以上、特佳36小時以上。又，經過步 驟之期間較佳為3個月以下、更佳2個月以下、再更佳1 個月以下。 100112400 32 201143504 若經過期間較長，則由在 容易分解的觀W屬_〜慮步驟中所產生之叢集等 易發生因氧混入所:::有 化:凝集及析出等的觀點而言屬較佳件用材料之劣 經過步驟的環境並無特 大氣環境等。經砂驟之環料域絲體環境及 材料之劣化、凝集及析出等的觀點心.!=:=: ==:氣體，具體而言較佳為例如氮及氬等。惰性： :=混合氣體。惰性氣體由操作容易之觀點而 吕’較佳為氮氣。 經過步驟之動較佳為大氣堡。又，經過步驟之溫度在不 大巾田減本㈣優越效果之τ，並無㈣则。經過步驟中 之溫度較佳為歲以上、更佳册以上、再更請以上。 ^經過步驟中之溫度較佳為_以下、更佳4G:c以下。 過步驟中之溫度為該範圍内，由有機電致發光元件材 料之劣化凝集及析出等不易發生的觀點而言為較佳。 另外’故過步驟中之濕度在不損及本發明效果之下並無特 別限制。經過步射之濕㈣以相對濕度計，較佳為90% 以下、更佳80。/。以下、再更佳7〇°/〇以下。又，經過步驟中 之濕度以相對濕度計，通常為0°/。以上、吏佳20%以上。若 濕度為該圍內，則由有機電致發先元件材料之劣化、凝集 及析出等不易發支的親點而言屬較佳。 100112400 33 201143504 經過步驟中，由於不易發生溶劑之揮發，故較佳係將過濾 後之液體保存於密閉容器中。又，經過步驟中所使用之容 器，由不易發生因紫外光所造成之聚合性化合物等之分解/ 聚合的觀點而言，較佳為可遮光之容器。 作為經過步驟中所使用之容器，較佳為例如附有墊圈之褐 色螺旋蓋瓶及不錄鋼製之加壓槽等。又，由有機電致發光元 件之製造製程之效率化的觀點而言，較佳係經過步驟所使用 之容器可直接設置於濕式成膜裝置。 [濕式成膜] 藉由本發明之製造方法所得的有機電致發光元件用組成 物，係將上述過濾步驟後之液體歷經8小時以上之經過步驟 後’再用於有機電致發光元件之有機層的濕式成膜。 本發明中所謂濕式成膜法，係指成膜方法（即，塗佈方 法），為可採用例如旋塗法、浸塗法、模塗法、棒塗法、刮 刀塗佈法、輥塗法、喷塗法、毛細管塗佈法、喷墨法、嘴嘴 印刷法、網版印刷法、凹版印刷法及可撓性印刷法等之以、辱 式進行成膜的方法，並使藉該成膜方法所得之塗佈膜乾燥而 進行膜形成的方法。 此等成膜方法中，較佳為旋塗法、喷塗法、噴墨法及喷嘴 印刷法。其理由在於，濕式成膜法適合使用作為塗佈用組成 物之本發明之有機電致發光元件用組成物之液性。 尚且，以下有時將藉濕式成膜法所成膜之膜稱為「塗膜。 1⑻112400 34 201143504 本發明巾’由濕式賴法輯叙濕式顧錢本身可依常 法進行。 [2] 有機電致發光元件用組成物 本發明之錢電致發光元件馳㈣，储上述之本發明 之有機電致發光元件用組成物之製造方法所形成的組成物。 [3] 有機電致發光元件之製造方法 本發明之有機電致發光元件之製造方法，係如上述般，將 含有有機電致發光元件材料及溶劑之液體於過濾後經既定 時間而得的域物進行赋歧，_成有機電致發光元件 之陽極與陰極間之有機層的方法。 [4] 有機電致發光元件 本發明之有機電致發光元件，係依照上述本發明之有機電 致發光7L件之製造方法，藉由濕式成膜法形成有機電致發光 元件之陽極與陰極間之有機層、較佳為發光層。 以下’參照圖1說明依本發明方法所製造之有機電致發光 元件之層構成及其一般形成方法等。 圖1為表示有機電致發光元件〗〇之構造例的概略剖面 圖圖1中’ 1為基板，2為陽極’ 3為電洞注入層，4為電 洞輸送層，5為發光層，6為電洞阻止層，7為電子輸送層， 8為電子注入層、9為陰極。 [基板] 基板1係成為有機電致發光元件之支撐體者。作為基板 100112400 201143504

1，係使用例如石英或玻璃之板、金屬板或金屬箔、及塑膠 薄膜或片材等。特佳為玻璃板，聚酯、聚曱基丙烯酸酯、聚 碳酸酯及聚砜等之透明的合成樹脂之板。 A 在使用合成樹脂基板的情況，最好注意阻氣性。由於不易 發生因通過基板之外氣所造成的有機電致發光元件劣化，故 基板阻氣性較大者為較佳。因此，於合成樹脂基板之至少單 面設置緻密之矽氧化膜等以確保阻氣性的方法亦為較佳方 法之一。 [陽極] 陽極2係發揮對發光層5側之層進行電洞注入的功能。 此陽極2通常係由鋁、金、銀、鎳、鈀及鉑等之金屬；銥 及/或錫之氧化物等之金屬氧化物；碘化銅等之齒化金屬； 碳黑、或聚(3-甲基噻吩）、聚吡咯及聚苯胺等之導電性高分 子專所構成。 陽極2之形成通常大多藉濺鍍法或真空蒸鍍法等方法進 行又，在使用銀荨之金屬微粒子、蛾化銅等之微粒子、碳 黑、導電性之金氧化物微粒子或導電性高分子微粉末等形 成陽極2的情況’亦可將此#微粒子料散於適當的黏結劑 樹脂溶液中，再塗佈於基板丨，藉此形成陽極2。 再者，在導電性高分子的情況，亦可藉電解聚合而直接於 基板1上形成薄膜。又，亦可於基板！上塗佈導電性高分子 而形成陽極 2(Appl. Phys. Lett·, 60 卷，2711 頁，1992 年）。 100112400 „ 201143504 陽極2通常為單層構造， 成的積層構造。 “要&為由複數材料所構 要=：!度亦可配合所需之透明性等而適當選擇。在需 佳薦以上。此時，陽t 較佳係設為60%以上、更 此時’％極2之厚度較佳為5 10nm以上。 尺1主 另外，陽極2之厚度較佳為_ 1一下。在可為不透明的情況，陽極2之厚度為任意 者。亦可使用兼具陽極2之機能的基板 上述陽極2上積層不同的導電材料。 打進而於 、、主I性之目:者於陽極2之雜f、調整離子電位而提升電洞 庄入性之目的，較佳係'對陽極2進行紫 理，或進行氧電漿、氬電聚處理。 ）/臭氧處 [電洞注入層] 電洞：入層3係物同至陽極2輸送至發光層5的層。電 :注入，本發明之有機電致發光元件所必要的;，it 在設置電洞注入層3的愔 文刃層1 一 極2上。 况下’電洞注入層3通常形成於陽 本發明之電洞注入層3 ,,^ ^ ^ 之形成方法’可為真空蒸鍍法或濕 式成膜法’鞋特龍制。由減低暗點的觀 藉濕式成膜法形成電m & 減me/ 層3’特㈣將上述本發明組成 100112400 物藉濕式成膜法形成電洞注入層3。 37 201143504 電洞注入層3之膜厚通常為5nm以上、較佳1〇nm以上， 又，通申為lOOOnm以下、較佳5〇〇nm以下的範圍。 {藉濕式成膜法進行電洞注入層之形成} 在藉濕式成膜法形成電洞注入層3的情況，通常係將構成 電洞注入層3之材料(在將本發明組成物藉濕式成膜形成電 洞注入層3時，係相當於上述「有機電致發光元件材料」） 與適當溶劑（電洞注入層用溶劑：在將本發明組成物藉濕式 成膜形成電洞注入層3的情況，係相對於上述有機電致發光 元件用組成物的「溶劑」）混合而調製成膜用組成物（電洞注 入層形成用組成物），將此電洞注入層3形成用組成物藉適 當手法，在相當於電洞注入層之下層的層（通常為陽極2)上 進行塗佈而成膜，予以乾燥而形成電洞注入層3。 <電洞輸送性化合物> 電洞注入層形成用組成物通常係含有作為電洞注入層3 構成材料的電洞輸送性化合物及溶劑。 電洞輸送性化合物若為通常使用於有機電致發光元件之 電洞注入層3中具有電洞輸送性之化合物，則可為聚合體等 之高分子化合物’亦可為單體等之低分子化合物’但較佳為 高分子化合物。 作為電洞輸送性化合物’由自陽極2朝電洞注入層3之電 荷注入蔽障的觀點而言，較佳係具有4.5eV〜6.〇eV之離子化 電位的化合物。 100112400 38 201143504 作為電洞輸送性化合物，可舉例如 衍生物、紫㈣生物、絲料料物令終衍生物= 基^基衍生物、㈣基連結有三_的化合物 石夕氮衍生物、外魅物、軸料物十丫轴衍生物、 H叫衍生物、㈣祕伸乙絲衍生物、 物及碳Ϊ基伸㈣基衍生物、聚料魅物、料啊衍生 ::本發明中’所謂衍生物係若以例如芳香族胺衍生物 :=芳香族胺本身及以芳香族胺為主骨架的化合 八可為聚合物、亦可為單體。 此二::電洞注入層3材料的電洞輸送性化合物，可含有 種以上° +之單獨任一種’亦可含有2種以上。於含有2 传併二Γ輪送性化合物的情況，其組合為任意者，較佳 :=族三'級胺高分子化合物之1種或2種以上、與其 之電洞輪送性化合物之1種或2種以上。 較非晶^、可見光之穿透率的觀點而言， 此、胺化合物，特佳為芳香族三級胺化合物。於 的化麵三㈣化合物，係指具衫香族三級胺構造 芳^卜亦包括具有來自芳香族三級胺之基的化合物。 效果所造:=匕=之種類並無特別限制’由表面平滑化 _〇 勻 觀點而言，更佳為重量平均分子量 1_24。。上、麵刪以下的高分子化合物（重複單位呈相連

7Q 201143504 的聚合型化合物）。 作為芳香族三級胺高分子化合物的較佳例，可舉例如具有 下式⑴所示之重複單位的高分子化合物。 [化 16]

Ar1 Ar2

Ar3—Η -Ar4 Ar5—〇-2b-〇—— （1) 式(I)中，Ar1〜Ar5分別獨立表示亦可具有取代基之芳香環 基。Zb表示選自下述鍵結基群中之鍵結基。又，Ar1〜Ar5中， 鍵結於同一 N原子上的二個基亦可互相鍵結形成環。

Hb 17]

—Ar6—c—Ar7- II ο -Ar8—S-Ar9— II o

个r11 -Ar10—P—Ar1 O —Ar13——C—C—Ar14— II II o o -c- II o

R5 I 一Si— I R6 Ar16 I —ΐ— O C—Ar15-C— 丛 上述各式中，Ar6〜Ar16分別獨立為亦可具有取代基之芳香 環基。R1及R2分別獨立表示氫原子或任意之取代基。 作為Ar1〜Ar16之芳香環基，係由高分子化合物的溶解性、 耐熱性、電洞注入•輸送性的觀點而言，較佳為具有1個或 2個游離原子價的苯環、萘環、菲環、噻吩環及吡啶環，更 佳為苯環及萘環。 100112400 40 201143504

Ar〜Ar16之芳香環基亦可進一步具有取代基。作為取代基 之分子量，通常為4〇〇以下、較佳250以下左右。作為取代 基’較佳為烷基、烯基、烷氧基及芳香環基等。 在R1及R2為任意之取代基時，作為該取代基，可舉例如 烷基、烯基、烷氧基、矽烷基、矽氧基及芳香環基等。 作為具有式(I)所示之重複單位的芳香族三級胺高分子化 合物的具體例’可舉例如國際公開第2〇〇5/〇89〇24號記載者。 另外，作為電洞輸送性化合物，較佳為將屬於聚噻吩衍生 物的3,4-伸乙烯基二氧基噻吩於高分子量聚苯乙烯磺酸中 進行聚合而成的導電性聚合物(PEDOT/PSS)。另外亦可為 將此聚合物之末端藉甲基_酸@旨予以封端(capped)者。 尚且’電洞輪送性化合物亦可為下述[電洞輸送層]項目中 A載之父聯性化合物。使㈣交聯性化合物時的成膜方法亦 相同。 電洞主入層形成用組成物中，電洞輸送性化合物之濃度係 在不知及本發明效果之前提下為任意者，但由膜厚均勾性的 觀點而言，電洞注入層形成用組成物中之電洞輸送性化合物 的濃度通常為⑽1重量％以上、較佳G.i重量％以上、更佳 0.5重量％以上，又，萁 上又另一方面，通常為70重量％以下、較 ΙίΓΙ重里/°以下、更佳50重量％以下。由不易發生膜厚不 均：點而言，該濃度最好較小。又，由在所成膜之電洞注 入層中W發生缺陷的觀㈣言，該濃度最 100112400 丁人八 201143504 〈電子受容性化合物> 電洞注入層形成用組成物較佳係含有電子受容性化合物 作為電洞注入層3之構成材料。 所謂電子受容性化合物，較㈣具有氧化力，具有由上述 電洞輸送性化合物接受電子之能力的化合物。具體而言，作 為電子受容性化合物，較佳係電子親和力為⑽以上之化 合物’更佳為5eV以上的化合物。 作為此種電子受容性化合物，可舉例如從由三芳基删化合 物、函化金屬、路易斯酸、有機酸、鏘鹽、芳基胺與齒化金 屬的鹽、芳基胺與路易斯酸的鹽所組成群中選出的i種或2 種以上的化合物等。 作為電子受容性化合物，更具體可舉例如：4_異丙基_4，_ 曱基二苯基鎭鏘肆(五氟苯基)硼酸鹽、三苯基錡四氟硼酸鹽 等之經有機基取代的鏽鹽（國際公開第2005/089024號）；氯 化鐵(111)(日本專利特開平11-251067號公報），及全氧二硫 酸銨等之高原子價之無機化合物；四氰乙烯等之氰化合物、 參(五氟苯基)硼烷（日本專利特開2〇〇3_31365號公報）等之芳 香族硼化合物；富勒烯衍生物；碘；聚苯乙烯磺酸離子、烷 基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等磺酸離子等。 此等電子受容性化合物可藉由使電洞輸送性化合物氧化 而提升電洞注入層3之導電率。 電洞注入層3或電洞注入層形成用組成物中之電子受容 100112400 201143504 挫化合物相對於電洞輸送性化合物的含量，通常為（U莫耳 %以上、較佳1莫耳似上。其巾通常為100莫耳％以下、 - 較佳40莫耳％以下。 <其他構成材料> 作為電敝Μ 3讀料，在不顯著損及本發明效果之 下#'了上述電洞輸送性化合物或電子受容性化合物以外， 亦可進步含有其他成分。作為其他成分之例子，可舉例如 各種之發光材料、電子輸送性化合物、黏結丨脂、塗佈性 改良劑等。又’其他成分可僅使用1種，亦可依任意的組合 及比率併用2種以上。 <溶劑> 濕式成膜法所使用之電洞注入層形成用組成物的溶劑中 之至少1種，較佳係可使上述電洞注入層3之構成材料溶解 的化合物。又，此溶劑之沸點通常為11〇C以上、較佳14〇。〇 以上、特佳200。(：以上，通常為400〇c以下、較佳300t以 下。溶劑之沸點若過低，則乾燥速度過快，由膜質優越的觀 點而言最好為較高。又，另一方面，溶劑之沸點係由可進行 低溫乾燥而不易對其他層或基板造成熱影響的觀點而言，最 好為較低。 作為溶劑，可舉例如醚系溶劑、酯系溶劑、芳香族烴系溶 劑、醯胺系溶劑等。 作為醚系溶劑，可舉例如：乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙 100112400 43 201143504 基醚、丙二醇單曱基醚醋酸酯（PGMEA)等之脂肪族醚； 12-二甲氧基苯、1，3-二甲氧基苯、苯曱醚、笨乙醚、2-甲 氧基曱苯、3-甲氧基曱苯、4-甲氧基甲苯、2,3_二甲基苯甲 醚、2,4-二甲基苯曱醚等之芳香族醚等。 作為S旨糸溶劑，可舉例如醋酸苯基酯、丙酸苯基g旨、苯曱 酸曱酯、苯曱酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯曱酸正丁酯等之芳香 族酯等。 作為芳香族烴系溶劑，可舉例如甲苯、二曱苯、環己基苯、 3-異丙基聯苯、ι，2,3,4-四曱苯基、1，4-二異丙基苯、環己基 苯、曱基萘等。 作為醯胺系溶劑，可舉例如N，N-二曱基甲醯胺、队沁二 曱基乙醯胺等。 其他亦可使用二曱基亞颯等。 此等溶劑可僅使用1種’亦可依任意組合及比率使用2 種以上。 <成膜方法> 調製了電洞注入層形成用組成物後，將此組成物藉濕式成 膜’於相當於電洞注入層3之下層的層（通常為陽極2)上進 行塗佈成膜，予以乾燥而形成電洞注入層3。又，電洞注入 層3之形成，較佳係將含有構成上述電洞注入層3之材料及 溶劑之液體過滤後歷經8小時以上而得的組成物用於濕式 成膜。而且，電洞注入層3之形成’特佳係將含有構成電洞 100112400 44 201143504 注入層3之低分子材料及溶劑的液體過濾後歷經8小時以上 而得的組成物用於濕式成膜。 塗佈步驟中之溫度，係為了防止組成物中發生結晶所造成 的膜缺陷，較佳為10ΐ以上、較佳50。(：以下。塗佈時之相 對濕度’在不明顯損及本發明效果之下並無限定，通常為 O.Olppm以上，通常為80%以下。 塗佈後’通常使電洞注入層形成用組成物之膜乾燥。使其 乾燥時可進行加熱或不加熱。若列舉加熱乾燥時所使用之加 熱手段的例子，可舉例如無塵烤箱、加熱板、紅外線、鹵素 加熱器、微波照射等。其中，為了對膜整體均等地賦予熱， 較佳為無塵烤箱及加熱板。 加熱時之加熱溫度，在不明顯損及本發明效果之前提下， 較佳係依電洞注入層形成用組成物中所使用之溶劑之彿點 以上的溫度進行加熱。又，在電洞注入層所使用之溶劑為含 有2種以上之混合溶劑的情況’較佳係依至少一種溶劑之沸 點以上的溫度進行加熱。 若考慮到溶劑之沸點上升，則在加熱步驟中，較佳為 12〇C以上、較佳410°C以下進行加熱。加熱時，加熱溫产 並無特別限制，但在與電洞注入層之陰極側接觸之層為藉渴 式成膜法進行成膜的情況，加熱溫度較佳係依塗膜之充分 溶化的溫度進行加熱。 ^ 加熱時之加熱時間較佳雖為 10秒以上，又，另一 t 100112400 石面’ 201143504 通常為180分鐘以下較佳。由不易發生其他層之成分擴散的 觀點而言，加熱時間較短為佳，但由電洞注入層容易變得均 質的觀點而言，則較長為佳。加熱亦可分為2次進行。 {藉真空蒸錄法進行電洞注入層3之形成} 在藉真空蒸鍍法形成電洞注入層3時，例如可如下述般形 成電洞注入層3。將電洞注入層3之構成材料（上述之電洞 輸送性化合物、電子受容性化合物等）之1種或2種以上， 放入設置於真空容器内的坩鍋中（使用2種以上之材料時則 放入各別的坩鍋中），藉適當的真空泵將真空容器内排氣至 l(T4Pa 左右。 其後，使坩鍋(使用2種以上之材料時，係對各別的坩鍋 進行加熱)加熱，控制蒸發量並使其蒸發(使用2種以上之材 料時，係分別獨立控制蒸發量並使其蒸發），於與坩鍋相對 向設置的基板1之陽極2上形成電洞注入層3。又，在使用 2種以上之材料時，亦可將該等之混合物放入坩鍋中，予以 加熱、蒸發而形成電洞注入層3。 蒸鍍時之真空度，在不明顯損及本發明效果之前提下並無 限疋’通常為0.1x10 Torr(0.13x1 (T4Pa)以上，又，通常為 9.0xl(T6Torr(12.0xl(r4Pa)以下。 ?泰鍵速度在不明顯損及本發明效果之前提下並無限定，通 常為0.1人/秒以上’通常5.0人/秒以下。蒸錄時之成膜溫度在 不明顯損及本發明效果之下並無限定。蒸鍍時之成膜溫度較 100112400 46 201143504 佳為10 C以上，較佳為5〇°c以下。 [電洞輸送層] 電洞輸送層4係自陽極2朝發光層5進行輸送的層。電洞 輸送層4並非本發明之有機電致發光元件必須的層，在設置 電洞輸送層4時，於設有電洞注入層3的情況係將電洞輪送 層4 „又於電洞注入層3上’在未設有電洞注入層3的情況係 將電洞輸送層4設於陽極2上。 電洞輸送層4的形成方法可為真空蒸鍍法或濕式成膜 法’並無特職制。由暗點減低的觀點而言，較佳為藉濕式 成膜法形成電顺送層4,特佳為將上述本發明組成物藉濕 式成膜法形錢㈣送層4。 另外，電洞輪详JS 1 輸送層4之㈣形成較佳絲含有後述之形成電洞 組成物用⑽式過歷經8小時以上所得的 含有構成電洞輪送層^而且，電洞輸送層4之形成特佳係將 歷經8小θ《低分子材料及溶劑的液體過滤後 似^上而得的叙成物用於濕式成膜。 作為形成電洞輪送風^ 成膜形成的㈣(在將本發明組成物藉濕式 光元件材料^ 的情況，則相#於上述「有機電致發 所注入之電祕高、騎效率佳地輸送 因此，形成電洞輪 可見光之透明性言層4的材料較佳係離子化電位小、對 100112400 °電洞移動度大、穩疋性優越、於製造時 201143504 或使用時不易發生成為陷阱之雜質。 又，大多的情況下，㈣㈣輸送層4 故較佳為不使來自發光層5之發光消弁、’、 光曰5 之間形成激發複合物(exeiplex)而使效率降^^圭_ 作為此種電洞輸送層4之材料，如為習知使用作電 送層4之構成材料的材料者即可。作為電洞輪送層4之材 料，可舉例如於上述電職人層3 物所例示I 梭用之電洞輸送性化合 W。方基贿生物1衍生物、獅生物"卡唾 :衍生物“比_生物、対衍生物、三 物、啥讀生物、啡仙生物、_衍生物、紫諸生物、 3(ΓΓ)衍生物、寡聚嗟吩衍生物、縮合多環芳香族衍生 物及金屬錯合物等。 另夕舉例如聚乙烯基啊衍生物、聚芳基胺衍生物、 聚乙稀，三笨基胺衍生物、聚g衍生物、聚伸芳基衍生物、 含2四苯基料基之料絲_駿生物、聚伸芳基伸乙婦 基衍生物、聚碎氧燒衍生物、聚嗟吩衍生物、聚(對伸苯基 伸乙烯基)衍生物等。 100112400 此等可為交差共聚物、無規共聚物、嵌段共聚物或接枝共 聚、任種。又，亦可為在主鍵上具有分枝、末端部為3 、 门刀子或所謂的樹枝狀聚合物。其中，作為電洞輸 、 材料心佳者為聚伸芳基胺衍生物或聚伸芳基衍生 48 201143504 物。 ._X為=衫基贿线，録者為含有下式(Π)所示之重 =Γ物。特佳者為由下式(ιι)所示之重複單位所構 =物’此時’各個重複單位中，Ara或A，亦可相異。 (id tit 環=(n)中’ Ar及以分別獨立表示亦可具有取代基之芳香 且“及Ρ取代基亦可之芳香族煙基，可舉例如 =賈或2價之游離原子價的苯環、萘環、蒽環 料、稍四苯環、祐環、苯并絲、香豆 衣 萘環、择環、萑瑗笙夕目士， 一本％、苊 昌心：！壤等之具有1價或2價之游離原子價的6 =Γ或2〜5縮合環的基及使此等環之2環以上直接録 結而成的基。 丄且筏鍵 ^為^取代基亦可之芳香族雜環基，可舉例如 、〆2饧之游離原子價的呋喃環、苯并呋严1 并餅環、㈣環、対環、料㈣^環t、苯 =環吻各并料環、料并㈣環、㈣并二環、 吩并料環、料㈣吩環、料并鱗環、料2塞 環广·_、苯偶姻嗔，苯并味。：: 衣口又啶％、嗒啡環、嘧啶環、三0井 、 100112400 主外带、異啥 201143504 啉環、啐啉環、喹崎啉環、啡 ^ 嘴衣、本并咪唑環、呸啶環、 喹唑啉裱、喹唑啉酮環、莫 ㈢w 等之、具有1價或2價之游離 原子彳貝的5或6員環之單環或 庐、，u 衣次2〜4縮合環及使此等環之2 %以上直接鍵結而成的基。 由溶解性及耐祕峨⑽言，V及W較佳者係分別 獨立具有1·2價之游麵、子價從由苯環、萘環、葱環、 菲U環、岐、嗟吩環、対環、純所組成群選出 之衣或使苯％之2 %以上鍵結而成的基(例如聯苯基或三 苯基等）。 其t，具有1價游離原子價之苯環(苯基）、使苯環之2環 鍵結而成之基(聯苯基)及第環（第基)較佳。

Ara及Arb巾具有芳香縣亦可的取代基，可舉例如烧基、 烯基、炔基、⑨氧基、芳氧基、錄·、二烧基胺基、二 芳基胺基、醯基、鹵原子、齒烷基、烷硫基、芳硫基、矽烷 基、碎氧基、氰基及芳香環基等。 作為聚伸芳基衍生物，可舉例如亦可具有上式(Η)中之Ara 及Arb所例示之取代基的芳香環基等之於其重複單位中具 有伸芳基的聚合物。 作為聚伸芳基衍生物，較佳係具有由下式(V-1)及/或下式 (V-2)所構成之重複單位的聚合物。 [化 19] 100112400 50 201143504

式(V-υ中，Ra、Rb、Rd分別獨立為院基、烧氧基、 苯基烧基、苯基烧氧基、苯基、苯氧基、烧苯基、烧氧基苯 基、炫基幾基、烷氧基魏基或羧基。t及3分別獨立表示〇〜3 之整數。在t或s為2以上的情況，一分子中所含之複數個 Ra或Rb可為相同或相異，相鄰接之Rb彼此亦可形成 環。 [化 20] 式(V-2)中’ Re及Rf分別獨立與上式(V1)中之Ra、Rb、 Rc4 Rd同義。r及u分別獨立表示〇〜3之整數。在r或u 為2以上時，一分子中可含有之複數的Re& Rf可為相同或 相異，相鄰接之Re或Rf彼此亦可形成環。χ表示構成5員 環或6員環之原子或原子群。 作為 X 之具體例’為-〇_、_BR_、_nr_、_siR2_、-PR-、-SR-、 -CR2·或此等鰱結而成的基。尚且，R表示氫原子或任意之 有機基。本發明中之有機基，係包括至少一個碳原子的基。 另外，作為聚伸芳基衍生物，除了由上式(v_l)及/或上式 (V-2)所構成的重複單位以外，較佳為進一步具有下式(V_3) 100112400 51 201143504 所示之重複單位。 [化 21] 士 AH—Ν 式(V-3)中’ Are及Ar1分別獨立表示亦可具有取代基之芳 香環基。v及w分別獨立表示〇或i。

Ai^-Ar1之具體例’係與上述(π)中之Ara及Arb相同。 上式（V-1)〜(V-3)之具體例及聚伸芳基衍生物的具體例 等，可舉例如日本專利特開2008—98619號公報記載者等。 在藉濕式成膜法形成電洞輸送層4時’係與上述電洞注入 層3之形成同樣地，在調製電洞輸送層形成用組成物後，予 以濕式成膜後，再乾燥。 電洞输送層形成用組成物中，除了上述電洞輸送性化合物 以外，尚含有溶劑(在將本發明組成物藉濕式成膜 輸送層4的情況，助當於上述有機電致發光元件用組絲 之「溶劑」）。所使用之溶劑係與上述電洞注入層形成用翻 成物中所個者相.又，成祕件、乾燥條 注入層3之形成情況相同。 〇電洞 在藉真空蒸链法形成電洞輸送層4時，1 異成骐條件黧介 上述電洞注入層3之形成時相同。 干等亦與 100112400 52 201143504 電洞輸送層4係除了上述電洞輸送性化合物以外，亦可含 有各種發光材料、電子輸送性化合物、黏結劑樹脂、塗佈性 改良劑等。 電洞輸送層4亦可為使交聯性化合物進行交聯而形成的 層。交聯性化合物為具有交聯性基的化合物，藉由交聯而形 成網目狀高分子化合物。 作為交聯性基，可舉例如具有1價之游離原子價的氧雜環 丁烷(oxetane)及環氧基等之環狀醚；乙烯基、三氟乙烯基、 苯乙烯基、丙烯基、曱基丙烯醯基及桂皮醯基等之來自不飽 和雙鍵的基；具有1價之游離原子價的苯并環丁烯等。 交聯性化合物可為單體、寡聚物、聚合物之任一種。交聯 性化合物可僅具有1種，亦可依任意組合及比率具有2種以 上。 作為交聯性化合物，較佳者係使用具有交聯性基的電洞輸 送性化合物。作為電洞輸送性化合物，可舉例如上述例示 者，而作為具有交聯性基之電洞輸送性化合物，可舉例如對 此等電洞輸送性化合物，使交聯性基鍵結於主鏈或側鏈。特 佳係使交聯性基經由伸烷基等之鍵結基而鍵結於主鏈上。 又，作為電洞輸送性化合物，特佳係含有具交聯性基之重 複單位的聚合物。作為電洞輸送性化合物，特佳者為具有在 上式(Π)或式(V-1)〜(V-3)使交聯性基直接或經由鍵結基而鍵 結之重複單位的聚合物。 100112400 53 201143504 交聯性基的電洞輸 作為交聯性化合物，較佳者係使用具有 送性化合物。 作為電洞輸送性化合物，可舉例如吡啶衍生物 ， 物、錢衍生物、蝴生物、__、生 十坐衍生物、酞細生物及紫質魅物^含_ 物衍生物;三苯基贿生物、㈣衍生物 1二口 縮合多環芳香族衍生物及金屬錯合物等。 为何 二:T洞輪送性化合物，較佳者為，生物、- 2生物、做射物、三相生物、糾批物、啡琳衍 生物及㈣衍生物等之含氮㈣族衍生物；三苯基胺衍生 物、嗔錄生物、縮合多環芳香_生物、金屬錯合物等， 特佳為三苯基胺衍生物。 在使交聯性化合物交聯而形成電洞輸送層4時通常調製 將交聯性化合物溶解或分散於溶射的電洞輸送層形成用 組成物，藉濕式成膜進行成膜使其交聯。 電洞輸送層形成用組成物中，除了交聯性化合物以外，亦 可含有促進交聯反應的添加物。作為促進交聯反應之添加 物，可舉例如：烷基苯酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂 金屬化合物、肟酯化合物、偶氮化合物及鏘鹽等之聚合起始 劑及聚合促進劑；縮合多環烴、紫質化合物及二芳基酮化合 物等之光增感劑；等。 再者，電洞輸送層形成用組成物中亦可含有均平劑、消泡 100112400 54 201143504 劑等之塗佈性改良冑彳、電子受雜化合物及黏關樹脂等。 電洞輸送層形成用組成物中，通常含有交聯性化合物0.01 重篁％以上、較佳0.05重量％以上、更佳〇J重量％以上。 又’電/同輸达層形成用組成物中，交聯性化合物通常含有 50重里/〇以下、較佳2Q重量％以下、更佳重量％以下。 將依此種濃度含有㈣性化合物之電洞輸送層形成用組 成物於下層（通常為電洞注入層3)上成膜後，藉由加熱及/ ，光等之活u照射，使交聯性化合物交聯而形成網目狀 高分子化合物。 、 午，係與上述電洞注入芦之、

成膜時相同。成膜後之加熱手法並無特別限定:之I 度條件，通常為12〇t以上、較佳4〇(rc以下。作為加熱^ 作為加熱時間，通常為丨分鐘以上、較 二段並無特別限定，可使用將具有所成=下< 層體載置於加熱板上，於烤箱内進行加熱等、之層的考 方法’具體可為例㈣加熱板上使们:。作為加索 以上等條件。 加熱1分鐘 ^藉光等之活性能量照射使其交聯時， 的方法，譯例如直錢料錢核燈 ^量照射 素燈、紅外燈等之紫外•可見•紅外光源進:壓水銀燈、南 或使用内藏上述光狀遮罩對準器、輸送帶^^的方法， 行照射的方法等。 先“、、射装置進 100112400 55 201143504 產性能量照射時，可舉例如使用照射藉磁控所 越料置、即所職波爐進行職的方 係設定用於使膜之溶解性降低的必須條^ 為…'射0.1秒以上、較佳10小時以下。 單==等之活性能量照射，可針對各方法及條件而分別 ㈣進仃敍合進行。社合的料，實_隸無特別限 疋0 如此形成的電洞輸送層4的膜厚，通常為5細以上、較 佳1〇譲以上’又，通常為300⑽以下、較佳100nm以下。 [發光層] 么光層5係在被賦予電場的電極間，藉由從陽極2被注入 之電洞與從陰極9所注入之電子間的再結合而被激發，成 為主要之發光源的層，光層5通常係在設有電洞輸送層4 時則形成於電簡送層4上，在未設置電洞輪送層4且設有 電洞注入層3時則形成於電洞注人層3上，在未設置電洞輸 送層4與電洞注入層3時則形成於陽極2上。 本發明之發光層5之形成方法可為真空蒸鍵法或濕式成 膜法，並無制限制。發光層5較佳為藉濕式成膜法形成， 特佳為將上述本發明組成物藉濕式顏法予以形成。 在將本發明組成物藉濕式成卿成發光層$時，發光層形 成用組成物係含有發光材料等之發錢材料(相當於上述之 「有機電致發光元件材料」）與溶劑(相#於上述有機電致發 100112400 " 201143504 光元件用組成物之「溶劑」）。 {發光層材料} 發光層5中，作為其構成材料，係至少含有具發光性質之 材料(發光材料），且較佳者係含有具電洞輸送性質之化合物 (電洞輸送性化合物）或具電子輸送性質之化合 性化合物）。亦可將發光材料使用作為摻雜物材料，將^洞 輸送性化合物或電子輸送性化合物等使用作為主體材料。 關於發光㈣並鱗龍定，紐賴所祕錢長進行 發光、發光效率良好之物質即可。再者，在不顯著損及本發 明效果的範圍内’發光層5亦可含有其他成分。又，在藉濕 式成臈法形成發光層5的情況，可使祕分子量材料。 <發光材料> 作為么光材料，可應用任意公知之材料。發光材料可為螢 光發光材料，亦可為磷光發光材料。由内部量子效率之觀點 而吕，發光材料較佳者為磷光發光材料。又，發光材料中， 亦可於藍色使用螢光發光材料，於綠色或紅色使用磷光發光 材料等而予以組合使用。 另外由對’谷劑之溶解性優越的觀點而言，較佳者係使用 使为子對稱性或剛性減低之發光材料或 導入有烧基等之親 油性取代基的發光材料。 發光材料中，作為螢光發光材料及磷光發光材料，可舉例 如Π]之有機電致發光元件用組成物之製造方法中所列舉的 100112400 201143504 螢光發光材料及磷光發光材料等。 發光材料可僅使用1種，亦可依任意組合及比率併用2 種以上。 發光層中之發光材料的比例，係在不顯著損及本發明效果 之下為任意者。自不易發生發光不均的觀點而言，發光材料 最好為較多為佳，但另一方面，由發光效率優越的觀點而 言，則以較少為佳。 因此，發光廣中之發光材料的比例較佳為〇 重量％以 上，又，較佳為35重量％以下。又，在併用2種以上之發 光材料時，較佳係使發光材料之合計含量為上述範圍。 <電洞輸送性化合物> 作為其構成材 量之電洞輸送 元件用組成物 發光層5中，亦可含有電洞輸送性化合物 料。於此，電洞輸送性化合物中，作為低分子 性化合物的例子，可舉例如[1]有機電致發光 之製造方法中所列舉的電洞輸送性化合物等〇 尚且，發光層5中，電洞輸送性化合物可僅使用 可依任意組合及比率併用2種以上。 处 發光層5中之電洞輸送性化合物的比例， 影響的觀點而 另—方面，由不 本發明效果之下為任意者。由不易受到短路伟著損及 言’電洞輸送性化合物之比例最好為較古， 具體而言較佳為 易發生膜厚不均的觀點而言，則以較低為佳 發光層5中之電洞輸送性化合物的比例， 58 100112400 201143504 (^重量灿上’又嘯佳為^重量似 種以上之電洞輸送性化合物 〇 ，在併用2 量為上述範圍。 n較佳係使此等之合計含 <電子輸送性化合物；> 發光層5中 ：：：：：：--- 之製造方法中所__分[^機電歸統件用組成物 '子里電子輸送性化合物等。 可層5中，電子輪送性化合物可僅使用1種，亦 了依任思，，且5及比率併用2種以上。 :中，送性化合物的比例，係在不顯 Γ果下為任意者。由不易受馳路影響的觀點而言， 電子輸送性化合物之比例最好為較高，另—方面，由不易發 生膜厚不均的觀點而言，以較低為佳。發光層5中之電子輸 送性化合物的比例，具體而言較佳為G.1重量％以上，又， 較佳為65重量％以下。又，在制2種以上之電子輸送性 化合物的情況’較佳係使此等之合計含量為上述範圍。 {發光層之形成} 在藉本發明之濕式成膜法形成發光層5的情況，通常係將 上述材料溶解於適當溶劑尹而調製發光層形成用組成物。 又，發光層5之形成，特佳係將含有上述發光層材料及溶劑 之液體過濾後歷經8小時以上而得的組成物用於濕式成膜 100112400 201143504 中。 作為用於藉本發明之濕式成膜法形成發光層5之發光層 形成用組成物中所含有的發光層用溶劑，若為可形成發光層 則可使用任意者。發光層用之溶劑的較佳例，可舉例如，於 [1]有機電致發光元件用組成物之製造方法中，濕式成膜法 所進行之有機層形成中所使用的發光層形成用組成物中之 溶劑的一例。 發光層用溶劑相對於用於形成發光層之發光層形成用组 成物的比率，係在不顯著損及本發明效果之下為任意者。發 光層用溶劑相對於發光層形成用組成物的比率，係如上述 般’相對於發光層形成用組成物100重量份，較佳為1〇重 量份以上、更佳50重量份以上、特佳80重量份以上，又， 較佳為99.95重量份以下、更佳99.9重量份以下、特佳99 8 重量份以下。又，在混合使用2種以上溶劑作為發光層用溶 劑時’較佳係使此等溶劑之合計滿足此範圍。 另外，發光層形成用組成物中之發光材料、電洞輸送性化 合物、電子輸送性化合物等之合計量（固形份浪度），由不易 發生膜厚不均的觀點而言，最好為較少。另一方面，由不易 發生膜缺陷的觀點而言，則以較多為佳。因此，固形 具體而言較佳為o.G1重量％以上’又，較佳為7()重量％以 下。 將所得塗膜乾燥，去 將發光層形成用組成物濕式成膜後 100112400 201143504 除溶劑，藉此形成發光層5。此濕式成膜法具體而言，係與 上述電洞注入層4之形成中所記載之方法相同。濕式成膜法 之方式係在不顯著損及本發明效果之下並無限定，亦可使用 上述任一方式。 發光層5之膜厚係在不顯著損及本發明效果之下為任意 者。由不易發生膜缺陷的觀點而言，發光層5之膜厚最好為 較厚，由容易降低驅動電壓的觀點而言，最好為較薄。發光 層5之膜厚具體而言較佳為3nm以上、更佳化爪以上，又， 較佳為200nm以下、更佳i〇0nm以下。 [電洞阻止層] 在發光層5與後述之電子注入層8之間，亦可設置電洞阻 止層6。電洞阻止層6係於發光層5上，以接觸發光層5之 陰極9側界面的方式所積層的層。 此電洞阻止層6具有阻止由陽極2移動而來的電洞到達陰 極9的功能’與將自陰極9所注人之電子效率佳地朝發光: 5方向輸送的功能。 作為構成電酿止層6之材料所要求的物性，可舉例如電 子移動度高、電洞移動度低、能隙(H〇M〇、lum〇之差） 大、激發三重態能階(T1)高。 作為滿足此種條件的電洞阻止層6之材料，可舉例如·雙 (2-甲基各羥基啥琳基)(苯紛基)铭及雙(2_甲基·_基啥琳 基)(三苯基魏醇基)料之混合配位子錯合物，雙甲基 201143504 各經基啥琳)紹責側氧基-雙(2-甲基料基啥琳)紹二核金 屬錯合物等之金屬錯合物，二苯乙稀基聯苯衍生物等之苯乙 烯基化合物（日本專卿開平㈣職號公報）、3_(4_聯苯 基）4苯基-5(4-第三丁基苯基三唾等之三唾衍生物 (*日本專利特開平7_41759號公報）、浴銅靈 等之#定何生物（日本專利特開平1〇_79297號公報)等。再 者’國際公開第2005/022962號記載之具有至少-個於2,4 6 位經取代之°比°定環的化合物，亦可作為 電洞阻止層6之材 料。 尚且’電洞阻止層6之材料可僅使用-種，亦可依任意組 合及比率併用2種以上。 電洞阻止層6之形成方法並無限制。因此，可藉濕式成膜 法、蒸鍍料其他料形成電止層6。在難式成膜法 形成電洞阻止層6的情泥，較佳係將含有構成上述電洞阻止 層之材料及吟劑的液體過渡後歷經g小時以上而得的組 物用於濕式成膜。 電洞阻止層6之膜厚，在不顯著損及本發明效果之下為任 意者。電洞阻止層6之膜厚通常為〇 3謂以上、較佳〇 5咖 以上，又通常為刚請以下、較佳％細以下。 [電子輸送層] 在I光層5與後述之陰極9之間，亦可設置電子輸送層 7電子輸闕7係在設有電子輸送層7及後述之電子注入 100112400 201143504 層8時則通常設於電子注入層8上，在未設置電子注入層8 時則設於陰極9上。 電子輸送層7係以進一步提升元件之發光效率為目的而 設置的層。電子輸送層7係由可在賦予了電場之電極間使從 陰極9注入之電子效率佳地朝發光層5方向輸送的化合物所 形成。 作為電子輸送層7所使用的電子輸送性化合物，通常使用 從陰極9或電子注入層8之電子注入效率高，且具有高電子 移動度、可效率佳地輸送所注入之電子的化合物。 乍為滿足此種條件的化合物，可舉例如羥基噎琳之紹 錯合物等之金屬錯合物（日本專利特開昭59_194393號公 報）、10-經基苯并[h]啥琳之金屬錯合物、#二嗤衍生物、二 苯乙稀基聯笨衍生物、私衍生物、3_絲黃酮金屬錯合 物、5-減黃_金屬錯合物、苯并㉘金屬錯合物、苯并嗟 坐金屬錯σ物、參苯并咪唾苯(美國專利第測州號說明 書）、料琳化合物（日本專利特開平6_2_ 琳衍生物（曰本專利特開 1千 59號公報）、2_第三丁基 -9，10-1\[，]^’-二氰基茛醞_ 〜一亞胺、η型氫化非晶質碳化矽、η 型硫化鋅及η型i西化鋅等。 尚且，電子輸送層7之从』· 之材料可僅使用1種，亦可依任音组 合及比率併用2種以上 1里）Η佤仕思組 電子輸送層7 100112400 <成方法並無限制。因此，可藉濕式成膜 63 201143504 法 #成从他方法形錢讀送層7。在藉濕式成臈法 形成電子輸送層7的情況，較佳者係將含有職上述電子輸 送層7之材料及溶劑的液體過濾後歷經8小時以上而得的电 成物用於濕式成膜。 、 ，另外’電子輸送層7之形成，特佳者係將含有構成電子輸 运層7之低分子有機材料及溶劑·體過紐歷經8小時以 上而得的組成物用於濕式成膜。 電子輸运層7的臈厚，係在不顯著損及本發明效果之下為 任意。電子輸送層7的膜厚通常為Inm以上、較佳5nm以 上’又，通常為30〇nm以下、較佳1〇〇麵以下的範圍 [電子注入層] 在發光層5與後述之陰極9之間，亦可設置電子注入層 8。於汉電子注人層8的情況，電子注人層8通常設於陰極 9下。 電子注入層8係發揮使從陰極9注入之電子效率佳地注入 至發光層5的功能。為了有效率地進行電子注人形成電子 /主入層8的材料最好為低功函數的金屬。例如可使用納或絶 等之驗金屬，鋇或财之驗土族金料。電子注人層8之膜 厚通常為O.lnm以上’又，較佳為5腿以下。 再者，電子注入層8係藉由於以二苯啡啉 (Bath〇Phenanthroline)等之含氮雜環化合物或8羥基喹啉之 紹錯合物等金屬錯合物為代表的有機電子輸送化合物中，推 100112400 201143504 雜鋼、卸、絶、链、麵等之驗金屬（日本專利特開平1()_27()171 號公報、日本專利特開2⑽2_1GG478號公報、日本專利 2002_ΗΚ)482號公報等記載），則可兼顧電付人•輸送性之 提升及優越膜質’因此較佳。此時之電子注入層8的膜厚通 常為5魏以上、較佳1〇譲以上，又，通常為細細以下、 較佳100nm以下。 尚且’電子注入層8之材料可僅使用 合及比率使用2種以上。 電子注入層8之形成方法並無限制。因此 方法形成電子注入層8售式= =電子Μ層8时況，触麵將含有構紅述電子、、主 劑_罐歷經8小時以上而得的組 入=成:電子注入層8時’特佳者係將含有構成電子注 上而1 1子有機材料及溶劑的液體過濾'後歷經8小時以 上而侍的組成物用於濕式成臈。 字乂 [陰極] 陰極9係為發揮對發光層5侧 層5等)注入電子的功能。曰（電子主入層8或發光 作為陰極9之_ y 為陰極9之材料：述陽極2所使用的材料。作 功函數的:Γ;效率地進行電子注入，較佳者為低 _〇〇屬’可使用例如錫、鎂、銦、舞、紹及銀等之適 201143504 當金屬或其等的合金。作為具體例，可舉例域銀合金、 鎂-銦合金、鋁-鋰合金等之低功函數合金電極。 尚且，陰極9之材料可僅使用1種，亦可依任意組合及比 率併用2種以上。 陰極9之膜厚通常與陽極2相同。 再者’在保遵由低功函數金屬所構成之陰極的目的下，若 於其上進-步積層高功函數且對大氣呈穩定的金屬層，則可 增加元件的穩定性，因此較佳。為了此目的，可使關如紹、 銀銅鎳鉻、金、翻等金屬❶尚且，此等材料可僅使用 1種，亦可依任意組合及比率併用2種以上。 [其他層] 本發明之有機電致發光元件在不超離其要旨的範圍内，亦 可具有其他構成。具體而言，例如，在不損及其性能之前提 下，在陽極2與陰極9之間，亦可具有上述說明之層以外的 其他任意層’或者亦可省略上述說明之層。 上述說明之層以外亦可具有的層，可舉例如電子阻止層。 在設置電子阻止層的情況，通常設於電洞注入層3或電洞 輸送層4與發光層5之間。電子阻止層係藉由阻止從發光層 5移動而來的電子到達電洞注入層3，而增加發光層5内電 洞與電子間的再結合確率，具有使所生成之激發子封閉於發 光層5内的功能、與使從電洞注入層3所注入之電洞有效率 地輸送至發光層5方向的功能。尤其是在使用鱗光材料作為 100112400 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S 201143504 發光材料、或使用藍色發光材料的情況，設置電子阻止層特 .別有效。 •料電子阻止層所要求之特性，可舉例如電洞輸送性高、 能隙(_ ' LUM0之差)大、激發三重態能階⑼高。 再者，本發明中，在以濕式成膜法製作發光層5以作為本 發明之有機層的情況，被要求電子阻止層亦具有濕式成膜的 適合性。作為此種電子阻止層所使用的材料，可舉例如以 F8TFB為代表之一辛基苐與三苯基胺之共聚物（國際公開 第 2004/084260 號)等。 尚且，電子阻止層之材料可僅使用i種，亦可依任意組合 及比率併用2種以上。 電子阻止層之形成方法並無限制。因此，可藉由濕式成膜 法、蒸鍍法或其他方法形成電子阻止層。 再者，於陰極9與發光層5或電子輸送層7之界面，插入 例如由氟化經(LiF)、氟化鎮(MgF2)、氧化鋰(Li2〇)及碳酸鎚 (II)(CsC〇3)等所形成的極薄絕緣膜(〇卜允㈣，亦為可提升 元件效率的有效方法(參照Appiie(j phySics Letters， 1997 年， V〇1.70, ρρ.152 ;日本專利特開平ι〇_74586號公報；mEE Transactions on Electron Devices, 1997 Vol.44, pp.1245 ； SID 04 Digest，pp.154 等）。 另外，以上所說明之層構成中，亦可使基板以外之構成要 件依相反順序積層。例如，若為圖丨之層構成，則亦可於基 100112400 201143504 板！上將其他構成要件依陰極9、電子注人層8、電子輸送 層7、電洞阻止層6、發光層5、電洞輸送層4、電洞注入層 3、陽極2之順序設置。 再者’藉由在至少-者具有透明性的2月基板之間，積層 基板以外的構成要件，則亦可構成本發明之有機電致發光元 件。 另外，亦可作成使基板以外之構成要件(發光元件）重疊複 數段的構成(使發光元件複數積層的構造）。此時，若取代各 段間(魏元件間）之界面層（在陽_ IT〇、陰極為ai的情 況’則為其等2層），設置例如由五氧化飢(V2〇5)等所構成 的電荷發生層(Carder Generation Layer : CGL)，則段間之壁 障變少，由發光效率•驅動電壓的觀點而言屬較佳。 再者，本發明之有機電致發光元件可構成作為單一之有機 電致發光元件，亦可應用於使複數之有機電致發光元件配置 成陣列狀的構成，或應用於使陽極與陰極配堇成X-Y矩陣 狀的構成。 另外’上述各層中’在不明顯損及本發明效果之前提下， 亦可含有上述說明以外之成分作為材料。 [5]有機EL顯示裝置 本發明之有機EL顯示裝置，係具有上述本發明之有機電 致發光元件者。本發明之有機EL顯示裝置之型式或構造並 無特別限制，可使用本發明之有機電致發光元件依常法予以 100112400 201143504 組裝。 . 例如，可依「有機EL顯示器」（OHM公司，平成16年8 .Θ 20日發行，時任靜士、安達千波矢、村田英幸著)記載之 方法，形成本發明之有機EL顯示裝置。 [6]有機EL照明 本發明之有機E L照明係具有上述本發明之有機電致發光 元件者。本發明之有機EL照明之型式或構造並無特別限 制，可使用本發明之有機電致發光元件依常法予以組裴。 (實施例） 接著，藉實施例更具體說明本發明，但在不超過其要旨之 前提下，本發明並不限定於以下實施例之記載。 [特性評價用元件之製作] {實施例1} 製作圖1所示之有機電致發光元件。首先，在玻璃基板上 堆積厚度l5〇nm之ITO透明導電膜，並圖案化成2mm寬的 條紋以形成ITO層之陽極2，對此基板(三容真空公司製， 藏鑛成膜品）1依界面活性劑水溶液之超音波洗淨、超純水 之水洗、超純水之超音波洗淨、超純水之水洗的順序予以洗 淨後’再以壓縮空氣予以乾燥，最後進行料線臭氧洗淨。 ，著’調製含有具有下述(ρι)所示之重複構造的電洞輸送 性间分子化合物2.〇重量％、與下述(A1)所示之4_異丙基-4，_ $基二苯基鏘肆(五氟苯基)硼酸鹽0.8重量％的苯甲酸乙酯 100112400 69 201143504 溶液（電洞注入層形成用組成物）。 [化 22]

將此電洞注人層形成用組成物依下示成膜條件藉 於上述IT0基板上進行成膜，再依下示棋烤條件進^烤， 藉此得到膜厚42nm的電洞注入層3。 <成膜條件> 旋塗旋轉數 1500rpm 旋塗時間 30秒 旋塗環境 大氣中

穴軋甲，230°C 珙烤條仵 v v-/ 丄、《可 ，後，調製下述_所示之電洞輸送性高分子化合 重篁％環己基苯溶液(電洞輸送層形成用組成物），將 丁成膜條件於電侃入層3上藉旋塗進行成膜以埃烤 父聯處理，藉此形成膜厚15腿之電洞輸送層4。个 [化 23]

201143504 <成膜條件> 旋塗旋轉數 15 OOrpm 旋塗時間 120秒 旋塗環境 氮環境下 烘烤條件 氮環境下，230°C，1小時 接著，在形成發光層5時，使用以下所示之發光材料(C6) 及(C7)、電荷輸送材料(C1)及(C2)，調製以下所示之組成的 發光層形成用組成物。 [化 24]

(C6) (C7) <發光層形成用組成物> 溶劑 環己基苯 成分濃度 Cl :1.25重量％ C2 : 3.75 重量％ C6 : 0.25 重量％ C7 : 0.35 重量％ 100112400 71 201143504 其後’將此發光層形成用組成物以具有〇.2μιη細# 過濾器（GE Healthcare公司製)過濾後，裝入褐色瓶容器_、、， 於瓶内填充&氣體後，在氣溫18〜25°C、相對濕度 之大氣環境下（大氣壓）經過12小時。 3〇 〜60% 將經過12小時之發光層形成用組成物，使用微量吸物 出’依以下所示條件，於電洞輸送層4上依旋塗法形成膜 58nm之發光層5。又，於此，上述所謂「經過12小時 ^ 指自過濾了發光層形成用組成物時起至開始藉微量吸管吸 出時為止的時間。 <成膜條件> 旋塗旋轉數 2000rpm 旋塗時間 120秒 旋塗環境 氮環境下 烘烤條件 氮環境下，130°C，10分鐘 其次，將經濕式成膜了電洞注入層3、電洞輸送層4及發 光層5的基板搬入真空蒸鍍裝置内，進行粗排氣。其後，使 用冷凍泵排軋至裝置内之真空度為3 〇xl〇-4pa以下後，於發 光層5上，將下述構造式(C9)所示化合物藉真空蒸鍍法進行 蒸鍍，得到膜厚l〇nm之電洞阻止層6。於此，蒸鍍時之真 空度保持為2.2xl04Pa以下，蒸鍍速度控制於〇 6〜丨2人/秒 之範圍。 [化 25] 100112400 72 201143504

(C9) 接著，藉由將參(8·經基料基)|§加熱，其使蒸鍍於電洞 阻止層6上’藉此成臈出膜厚20nm的電子輸送層7。於此， 蒸鑛時之真空度簡為2.2xlG.4pa以下，蒸料度控制於 0.7〜1.3A/秒之範圍。 ;將成膜至電子輸送層7之基板，纟使其蒸鐘至電子 輸送層7之有機層蒸鑛室搬送至金屬蒸鑛室中。然後，在成 膜至電子輸送層7之基板上，將作為陰極蒸制遮罩之細 寬之條狀遮罩，依與陽極2《ITQ條紋正交之方式密黏設 置，並與有機層蒸鑛時同樣地排氣至真空度成為 l.lxlO'4Pa 以下。 其後’在將真空度保持為1 GxlG.4pa以下的狀態於電子 輸送層7上使用！目舟，將氟化叫iF)依蒸鐘速度控制於 〇.〇7 0.1SA/秒之範圍、膜厚〇5伽進行成膜形成電子注 入層8 〇 接著在將真空度保持為2.〇xl(T4pa之狀態，同樣地藉· 舟加熱！呂依蒸链速度控制$ 〇·6〜㈣人/秒之範圍、膜厚 於此，此2層型陰極之蒸鍍 80nm進行成臈，形成陰極9。 時的基板溫度係保持為室溫。 100112400 73 201143504 接著’為了防止元件於保管中因大氣中之水分等而劣化， 故依以下記載之方法進行密封處理。 於氮氣手套箱中，對23mmx23mm尺寸之玻璃板外周部， 依1mm寬度塗佈光硬化性樹脂3〇Y_437(Three Bond公司 製）。於玻璃板中央部，設置水分吸收片材(DYNIC公司製）。 之後’將結束了陰極形成之上述基板搬入，依蒸鑛面與乾燥 劑片材相對向之方式予以貼合。其後，僅對塗佈了光硬化性 樹脂之區域照射紫外線，使樹脂硬化。 如上述般’得到具有2mmx2mm尺寸之發光面積部分的有 機電致發光元件。 {實施例2 } 除了在實施例1中，於形成發光層5時，使用將上述發光 材料(C6)、與以下所之電荷輸送材料(C3)及（C4)依以下所示 組成所調製成的發光層形成用組成物以外，其餘與實施例1 同樣地進行，製作元件。 [化 26]

<發光層形成用組成物組成> 溶劑 環己基苯

100112400 74 S 201143504 刀/又 C3 : 1.275重量〇/〇 C4 : 3.825 重量〇/〇 C6 : 0.51 重量 〇/〇 {實施例3} 在實施例1中，除了於形成發光層5時，使 發光材料㈣、知下所㈣荷輸送材如=所， 成調製的發光層形成驗成物，並㈣式成膜時^ = ^ 設為20分鐘’得到膜厚50nm之發光層以外，其餘 例1同樣地，製作元件。 I實施 [化 27]

<發光層形成用組成物組成> 溶劑 環己基苯 成分濃度 〇5:3.3重量％ C8 : 0.33 重量％ {實施例4} 於實施例1中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為24小時以外，其餘與實施例1同樣進行而製 作元件。 100112400 75 201143504 {實施例5} 於實施例2中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為24小時以外，其餘與實施例2同樣進行而製 作元件。 {實施例6} 於實施例3中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為24小時以外，其餘與實施例3同樣進行而製 作元件。 {實施例7} 於實施例1中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為36小時以外，其餘與實施例1同樣進行而製 作元件。 {實施例8} 於實施例2中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為36小時以外，其餘與實施例2同樣進行而製 作元件。 {實施例9} 於實施例3中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為36小時以外，其餘與實施例3同樣進行而製 作元件。 {實施例10} 於實施例1中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 100112400 76 201143504 過時間變更為48小時以外，其餘與實施例1同樣進行而製 作元件。 {實施例11} 於實施例2中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為48小時以外，其餘與實施例2同樣進行而製 作元件。 {實施例12} 於實施例3中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為48小時以外，其餘與實施例3同樣進行而製 作元件。 {實施例13} 於實施例1中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為31天以外，其餘與實施例1同樣進行而製作 元件。 {實施例14} 於實施例2中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為31天以外，其餘與實施例2同樣進行而製作 元件。 {實施例15} 於實施例3中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為31天以外，其餘與實施例3同樣進行而製作 元件。 100112400 77 201143504 {比較例1} 於實施例1中，除了未設置發光層形成用組成物之過濾後 的經過時間而（於10〜20分鐘後）進行濕式成膜以外，其餘與 實施例1同樣進行而製作元件。 {比較例2} 於實施例2中，除了未設置發光層形成用組成物之過濾後 的經過時間而（於10〜20分鐘後）進行濕式成膜以外，其餘與 實施例2同樣進行而製作元件。 {比較例3} 於實施例3中，除了未設置發光層形成用組成物之過濾後 的經過時間而（於10〜20分鐘後）進行濕式成膜以外，其餘與 實施例3同樣進行而製作元件。 {比較例4} 於實施例1中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為34天，並於即將進行濕式成膜前予以再度過 濾(於過濾後10〜20分鐘後進行濕式成膜）以外，其餘與實施 例1同樣進行而製作元件。 {比較例5} 於實施例2中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為34天，並於即將進行濕式成膜前予以再度過 濾(於過濾後10〜20分鐘後進行濕式成膜）以外，其餘與實施 例2同樣進行而製作元件。 100112400 78 201143504 {比較例6} 於實施例3中’除了將發光層形成用組成物之過濾後的經 過時間變更為31天，並於即將進行濕式成骐前予二再度過 濾(於過濾後1〇〜20分鐘後進行濕式成膜）以外，其餘與實施 例3同樣進行而製作元件。 [元件特性之評價] 針對實施例1〜15及比較例1〜6所製作之有機電致發光元 件’分別進行直流驅動试驗’調查初期亮度。又，調查 1000cd/m2下之亮度電流效率(cd/A)，分別求得相對於比較 例1〜3之亮度電流效率的差（以下稱為「亮度電流效率差」）。 亮度係測定至初期亮度降低70%為止的驅動壽命，分別將比 較例1〜3之驅動壽命設為1〇〇而求得相對值（以下稱為「相 對驅動壽命」）。結果示於表1〜3。 100112400 79 201143504 【1崦】 初期亮度 [cd/A] 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 相對驅動壽命 220 210 220 250 230 100 亮度電流效率差 [cd/A] 17.3 18.2 10.9 16.6 14.6 〇 d 喷嘴有無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過滤器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 過濾、經過步驟 (過濾後經過10〜20分鐘） 過濾後經過12小時 過濾後經過24小時 過濾後經過36小時 過濾後經過48小時 過濾後經過31天 過濾後34天(+再過濾後經過10〜20分鐘） 比較例1 |實施例1 | 實施例4 |實施例7] |實施例10 | 實施例13 比較例4 。卜υ, 9U嫦一saoaliAm 二^二：^嫦苁^^一艺»※ 鬥<Ν<】 初期亮度 [cd/A] 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000 相對驅動壽命 210 205 200 150 〇 〇 〇 亮度電流效率差 [cd/A] 13.9 14.1 19.4 15.5 14.0 〇 〇 — 喷嘴有無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 噴嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 噴嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 過濾、經過步驟 (過濾後經過10〜20分鐘） 過濾後經過12小時 過濾後經過24小時 過濾後經過36小時 過濾後經過48小時 過濾後經過31天 過濾後34天(+再過濾後經過10〜20分鐘） 比較例2 I實施例2I 實施例5 實施例8 |實施例11 | 實施例14 比較例5 。93嫦 lsdoalsw，寸3, ευ_1δ05ίΑΓΗ 条 ο00§17311001 201143504 初期亮度 [cd/A] 3000 3000 3000 3000 3000 3000 3000 相對驅動壽命 223 231 354 423 223 100 亮度電流效率差 [cd/A] 〇\ — 00 〇\ 00 00 VO — 〇 〇 -29.1 喷嘴有無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 喷嘴無過濾器 過濾、經過步驟 (過濾後經過10〜20分鐘） 過濾後經過12小時 過濾後經過24小時 過濾後經過36小時 過濾後經過48小時 過濾後經過31天 過濾後34天(+再過濾後經過10〜20分鐘） 比較例3 實施例3 實施例6 |實施例9 | 實施例12 實施例15 v〇

I0000t7ns0I 201143504 {實施例16} 與實施例1相同地製作元件。 {實施例17} 與實施例2相同地製作元件。 {實施例18} 於實施例3中，除了將發光層膜厚設為40nm以外，其餘 與實施例3相同地製作元件。 {實施例19} 於實施例16中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為24小時以外，其餘與實施例16相同地製作 元件。 {實施例20} 於實施例17中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為24小時以外，其餘與實施例17相同地製作 元件。 {實施例21} 於實施例18中，除了將發光層形成用組成物之過滤後的 經過時間變更為24小時以外，其餘與實施例18相同地製作 元件。 {實施例22} 於實施例16中，除了將發光層形成用組成物之過滤後的 經過時間變更為48小時以外，其餘與實施例16相同地製作 100112400 82 201143504 元件。 {實施例23} 於實施例17中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為48小時以外，其餘與實施例17相同地製作 元件。 {實施例24} 於實施例18中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為48小時以外，其餘與實施例18相同地製作 元件。 {實施例25} 於實施例16中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為7天以外，其餘與實施例16相同地製作元 件。 {實施例26} 於實施例17中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為7天以外，其餘與實施例17相同地製作元 件。 {實施例27} 於實施例18中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為7天以外，其餘與實施例18相同地製作元 件。 {實施例28} 100112400 83 201143504 於實施例16中，除了將使用微量管所抽出之經過12小時 的發光層形成用組成物，置入附有孔徑〇.2μηι之薄膜過濾器 (Millipore公司製）的注射器中，由此注射器直接滴下至電洞 輸送詹4上而依旋塗法形成發光層5以外，其餘與實施例 16相同地製作元件。 {實施例29} 於實施例28中，除了在形成發光層5時，使用將上述發 光材料(C6)、與上述電荷輸送材料(C3)及(C4)依上述實施例 2所示組成而調製的發光層形成用組成物以外，其餘與實施 例28相同地製作元件。 {實施例30} 於實施例28中’除了在形成發光層5時，使用將下示發 光材料(C8)、與下示電荷輸送材料(C5)依上述實施例3所示 組成而調製的發光層形成用組成物，並將濕式成膜時之棋烤 時間設為20分鐘，得到膜厚4Qnm之發光層以外，其餘與 實施例28相同地製作元件。 、 {實施例31} 於實施例28中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 、’’生過時間I更為24小時以外，其餘與實施例28相同地製作 元件。 {實施例32} 於實施例29中’除了將發光層形成用組成物之過滤後的 100112400

84 S 201143504 經過時間變更為24小時以外，其餘與實施例29相同地製作 元件。 {實施例33} 於實施例30中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為24小時以外，其餘與實施例30相同地製作 元件。 {實施例34} 於實施例28中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為48小時以外，其餘與實施例28相同地製作 元件。 {實施例35} 於實施例29中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為48小時以外，其餘與實施例29相同地製作 元件。 {實施例36} 於實施例30中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為48小時以外，其餘與實施例30相同地製作 元件。 {實施例37} 於實施例28中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為7天以外，其餘與實施例28相同地製作元 件。 100112400 85 201143504 {實施例38} 於實施例29中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為7天以外，其餘與實施例29相同地製作元 件。 {實施例39} 於實施例30中，除了將發光層形成用組成物之過濾後的 經過時間變更為7天以外，其餘與實施例30相同地製作元 件。 {比較例7} 於實施例16中，除了於過濾發光層形成用組成物後未設 置經過期間而（於10〜20分鐘後）進行濕式成膜以外，其餘與 實施例16相同地製作元件。 {比較例8} 於實施例17中，除了於過濾發光層形成用組成物後未設 置經過期間而（於10〜20分鐘後）進行濕式成膜以外，其餘與 實施例17相同地製作元件。 {比較例9} 於實施例18中，除了於過濾發光層形成用組成物後未設 置經過期間而（於10〜20分鐘後）進行濕式成膜以外，其餘與 實施例18相同地製作元件。 {比較例10} 於實施例28中，除了於過濾發光層形成用組成物後未設

100112400 86 S 201143504 置經過期間而（於10〜20分鐘後）進行濕式成膜以外，其餘與 實施例28相同地製作元件。 {比較例11} 於實施例29中，除了於過濾發光層形成用組成物後未設 置經過期間而（於10〜20分鐘後）進行濕式成膜以外，其餘與 實施例29相同地製作元件。 {比較例12} 於實施例30中，除了於過濾發光層形成用組成物後未設 置經過期間而（於10〜20分鐘後）進行濕式成膜以外，其餘與 實施例30相同地製作元件。 {比較例13} 於實施例16中，除了於過濾發光層形成用組成物後經過 7天後，藉孔徑〇.2/mi之薄膜過濾器（GE Healthcare公司製） 進行再過濾後未設置經過期間而（於10〜2 0分鐘後）進行濕式 成膜以外，其餘與實施例16相同地製作元件。 {比較例14} 於實施例Π中，除了於過濾發光層形成用組成物後經過 7天後，藉孔徑0.2μιη之薄膜過濾器（GE Healthcare公司製） 進行再過濾後未設置經過期間而（於10〜20分鐘後）進行濕式 成膜以外，其餘與實施例17相同地製作元件。 {比較例15} 於實施例18中，除了於過濾發光層形成用組成物後經過 100112400 87 201143504 7天後，藉孔徑0.2/mi之薄膜過濾器（GE Healthcare公司製) 進行再過濾後未設置經過期間而（於10〜20分鐘後)進行濕式 成膜以外，其餘與實施例18相同地製作元件。 {比較例16} 於實施例28中，除了於過濾發光層形成用組成物後經過 7天後，藉孔徑0.2μπι之薄膜過濾器（GE Healthcare公司製) 進行再過濾後未設置經過期間而（於10〜20分鐘後)進行濕式 成膜以外，其餘與實施例28相同地製作元件。 {比較例17} 於貫施例29中，除了於過滤發光層形成用組成物後經過 7天後，藉孔徑〇.2μπι之薄膜過濾器（GE Healthcare公司製) 進行再過濾後未設置經過期間而（於10〜20分鐘後）進行濕式 成膜以外，其餘與實施例29相同地製作元件。 {比較例18} 於實施例30中，除了於過濾發光層形成用組成物後經過 7天後’藉孔徑0.2/πη之薄膜過濾器（GE Healthcare公司製） 進行再過濾後未設置經過期間而（於1 〇〜2 〇分鐘後)進行濕式 成膜以外，其餘與實施例30相同地製作元件。 [元件特性之評價] 針對實施例16〜39及比較例7〜18所製作之有機電致發光 元件’分別進行直流驅動試驗。 直流驅動試驗中，分別依下述初期亮度進行：實施例16、 100112400 88 201143504 19、22、25、28、3卜 34 及 37 以及比較例 7、10、13 及 16， 初期亮度為 5000cd/m2 ;實施例 17、20、23、26、29、32、 35及38以及比較例8、1卜14及17,初期亮度為8000cd/m2; 實施例18、21、24、27、30、33、36及39以及比較例9、 12、15及18，初期亮度為3000cd/m2。 針對48小時後的亮度，算出實施例16〜39及比較例13〜18 相對於比較例7〜12的增減率。結果示於表4〜6。 100112400 89 201143504 【寸嵴】

Jj ϋ· 〇 CN 00 卜 Os 00 寸 卜 ν〇 m /—S «1- S*✓ 〇 〇 ON 卜 00 m 00 CN 〇 <s CN 1 Ψ 雠 ψ· S1S Ψ 雠 喊 4= m 磯 m 姻 碡 令C 雠 喊 碱 Ψ m £ ¥ m ψ m Ψ Μ 杯 £ Ψ Ψ· 杯 Ψ 妒 ve& 轉 杯 ψ 餘 Φν /*~S 缴 〇 (N 1 〇 'M Μ Ν—✓ 岔 ' CN 七 寸 CN 您I 姆 岔 七 〇〇 寸 趔 喊 卜 趣 過濾後經過7天（+再過濾後經過1 0〜20分鐘） /—S 墩 〇 CS 1 〇 r*H N—✓ 岔 ' (N Τ*Η 'Μ 轉 岔 ， 寸 CN 澍 鳍 世 , 00 寸 趣 r- 趔 趣 轉 過濾後經過7天（+再過濾後經過1 〇〜20分鐘） 卜 錄 v〇 省 ίΚ σ\ ¥ ♦ζ (N (N 军 省 1〇 CN 革 CO 錨 Jj 〇 錄 〇〇 CS 省 m 雀 寸 m 省 ψί 卜 m 军 碧 VO Jj 。卜3, 93硪 123*^3二3嫦 1S0H Isa 浓 06 GGSUOOl 201143504 亮度增減比 〇(基準） 'Ti v〇 v〇 m 卜 寸 \〇 00 m 〇(基準） m iT) 00 寸 〇〇 m ΓΛ (Ν 1 Ψ 碡 m Ψ 踮 4®^ Ψ ψ 踮 辑 41 m Ψ 踮 as ，c ¥ η £ Ψ 濉 Ψ 過濾、經過步驟 /—N 墩 〇 (S 1 〇 £ 過濾後經過1 2小時 七 寸 (S % 00 寸 ¥ 卜 /—S V Φ 〇 (N 1 〇 1-H 'M. + s—/ vK 卜 (過濾後經過10~20分鐘） 過濾後經過1 2小時 ， 寸 CN 00 寸 ¥ 〇 /—N 墩 令 〇 <s 1 〇 \t + H< 卜 比較例8 實施例1 7 實施例20 實施例2 3 實施例26 比較例14 比較例11 實施例2 9 實施例3 2 實施例3 5 實施例3 8 比較例1 7 。93 _lartdoa ΊΙΑΙ3 -寸ϋ, εϋ^-SOH Isa ※ 16 00寸 ΠΙΟΟΙ 201143504

【9<J 〇(基準） 〇 F-H U"> 卜 m m <N ΓΟ (N 1 〇(基準） 〇 v〇 CO 00 1> 卜 卜 »〇 r- 1 Ψ #. η m Ψ Ψ m Ψ 雠 Ψ 磯 £ Ψ 雠 ¥ Ψ 令C 9$ 4igJ 過濾、經過步驟 /—S 墩 〇 (N 1 〇 Μ 過濾後經過1 2小時 严 寸 CN 00 寸 劇 'Μ. V 〇 (N 1 〇 ffit + 卜 'M /—N 墩 Φ 〇 (N 1 〇 過濾後經過1 2小時 七 寸 <s 'M ， 00 寸 % ¥ 卜 V 令 〇 CS 1 〇 'M. + 卜 嗓 比較例9 實施例1 8 實施例2 1 實施例24 實施例27 比較例1 5 比較例12 實施例3 0 實施例3 3 實施例3 6 實施例3 9 比較例1 8 。00u嫦luBdoαΊsw二u硪ΪSOHΊIM3※ 36 0017-1001 201143504 如表1〜6所示，可知本發明之有機電致發光元件係電流效 率尚，且驅動哥命長。 以上雖使用特定態樣詳細說明了本發明，但本領域從業者 當知，在不脫離本發明意圖與範圍之下，可進行各種變更及 變形。又，本申請案係根據2010年4月9曰申請之曰本專 利申請(特願2010-090459)，在此其全體被引用。 【圖式簡單說明】 圖1為表示本發明之有機電致發光元件構造之一例的概 略剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 基板 2 陽極 3 電洞注入層 4 電洞輸送層 5 發光層 6 電洞阻止層 7 電子輸送層 8 電子注入層 9 陰極 10 有機電致發光元件 100112400 93

Claims (1)

1. 201143504 七、申請專利範圍： 1. 一種有機電致發光元件用組成物之製造方法，其特徵 為，具有將含有有機電致發光元件材料及溶劑之液體進行過 濾的過濾步驟，該組成物係將該過濾步驟後之液體歷經8 小時以上之經過步驟後所獲得，其可用於有機電致發光元件 之有機層的濕式成膜。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件用組成物之 製造方法，其中，上述有機電致發光元件材料之分子量為 100以上且10000以下。 3. 如申請專利範圍第丨或2項之有機電致發光元件用組成 物之製造方法，其中，上述有機電致發光元件材料為發光層 材料。 4. 一種有機電致發光元件用組成物，其特徵為藉申請專利 範圍第1至3項中任一項之有機電致發光元件用組成物之製 造方法所製造。 5. —種有機電致發光元件之製造方法’係於陽極及陰極之 間含有有機層之有機電致發光元件之製造方法，其特徵為， 將使含有有機電致發光元件材料及溶劑之液體過濾後並歷 經8小時以上後所得的組成物，藉由進行濕式成膜而形成該 有機層。 6. 一種有機電致發光元件之製造方法，係於陽極及陰極之 間含有有機層之有機電致發光元件之製造方法，其特徵為， 100112400 94 201143504 將申請專利範圍第4項之有機電致發光元件用組成物藉由 , 進行濕式成膜而形成該有機層。 ； 7.—種有機電致發光元件，其特徵為藉申請專利範圍第5 或6項之有機電致發光元件之製造方法所製造。 8. —種有機EL顯示裝置，其特徵為具有申請專利範圍第 7項之有機電致發光元件。 9. 一種有機EL照明，其特徵為具有申請專利範圍第7項 之有機電致發光元件。 100112400 95