JP6540771B2

JP6540771B2 - イリジウム錯体化合物、有機電界発光素子、表示装置ならびに照明装置

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Publication number: JP6540771B2
Application number: JP2017202656A
Authority: JP
Inventors: 石橋　孝一; 孝一石橋; 英司小松; 五郎丸　英貴; 英貴五郎丸
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2012-12-06
Filing date: 2017-10-19
Publication date: 2019-07-10
Anticipated expiration: 2033-07-24
Also published as: JP2014131973A; JP6264766B2; JP2018016641A

Description

本発明はイリジウム錯体化合物に関し、赤色に発光するイリジウム錯体化合物、該化合
物を含有する組成物並びに有機電界発光素子、該組成物を用いて作成する有機電界発光素
子、該有機電界発光素子を含む表示装置ならびに照明装置に関する。

近年、有機ＥＬ照明や有機ＥＬディスプレイなど、有機電界発光素子（以下、「有機Ｅ
Ｌ素子」と称す。）を利用する各種電子デバイスが実用化されつつある。有機ＥＬ素子は
、印加電圧が低く消費電力が小さく、面発光であり、三原色発光も可能であることから、
照明やディスプレイへの適用が盛んに検討されている。そのためにも発光効率の改善が求
められる。発光効率の改善としては、例えば、ホールと電子の再結合によって生成する一
重項励起子と三重項励起子との生成比が１：３であることを利用して、有機ＥＬ素子の発
光層に燐光発光材料を利用することが提案されている。燐光発光材料としては、例えば、
ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウムアセチルアセトナート（Ｉｒｐ
ｐｙ_２（ａｃａｃ））や、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム
（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）をはじめとしたオルトメタル化イリジウム錯体化合物が広く知られ
ている。

このような燐光発光材料を使用して有機ＥＬ素子を形成する方法としては、主に真空蒸
着法が利用されている。しかし通常、素子は発光層や電荷注入層、電荷輸送層など複数の
層を積層することにより製造される故、真空蒸着法では、蒸着プロセスが煩雑となり、生
産性に劣り、かつ、これら素子からなる照明やディスプレイのパネルの大型化が極めて難
しいという問題があった。

一方、有機ＥＬ素子は、塗布法により成膜し、層を形成していくことも可能である。塗
布法では、真空蒸着法に比べて安定した層を容易に形成できるため、ディスプレイや照明
装置の量産化や大型デバイスへの適用が期待されている。
ここで塗布法による成膜のためには、層に含まれる有機材料が有機溶剤に溶解しやすい
ことが必要である。通常、用いられる有機溶剤としては、例えばトルエンのような低沸点
で低粘度の溶剤が使用される。このような溶剤と有機材料とを含む組成物を用いることに
より、スピンコート法などにより容易に成膜することができる。また、有機溶剤について
は、塗布膜の均一性や作業上の安全性の観点から、フェニルシクロヘキサンのような、揮
発性が低く、引火点が高い有機溶剤が工業的にはより好ましく使用される。

しかしながら、従来蒸着成膜法に使用されてきた、フェニル（イソ）キノリン系赤色発
光燐光材料、例えば特許文献１に記載の化合物Ｉｒ（ｐｉｑ）_３やＩｒ（ｐｑ）_３及び特
許文献２に記載のＩｒ（ＦＭｐｉｑ）_３は、有機溶剤に対する溶解度が低く、また、特許
文献２に記載のＩｒ（ｎＨｅｘｐｉｑ）_３は、湿式成膜後の化合物の安定性が悪く、湿式
成膜法に用いることが難しかった。また、ジアザトリフェニレン系赤色発光燐光材料につ
いても開示されているものの、特許文献３、非特許文献１に記載の化合物は有機溶剤に対
する溶解性や耐久性に課題があるものであった。

日本国特開２００６−２９０７８１号公報国際公開第２００４／０２６８８６号国際公開第２００９／１００９９１号

ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌ、２００３年、１５巻、２２４頁〜２２８頁

本発明は、上記課題を解決した赤色に発光するイリジウム錯体化合物の提供、発光効率
の高い有機電界発光素子、並びに該有機電界発光素子を用いた表示装置及び照明装置を提
供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、ジアザトリフェニレン配位子と特定
の置換基を含むイリジウム錯体化合物は赤色に発光し、該イリジウム錯体化合物を用いた
有機電界発光素子は、発光効率が高くなることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の要旨は、下記［１］〜［１０］に存する。
［１］下記式（１）で表されるイリジウム錯体化合物。

［式（１）において、Ｉｒはイリジウム原子を表す。Ｌ^１〜Ｌ^３は有機配位子を表し、そ
れぞれＩｒと結合を形成する。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数であり、ｍ＋
ｎは３より大きくなることはない。ただし、式（１）で表されるイリジウム錯体化合物は
、下記式（２）で表される部分構造を少なくとも１つ含み、かつ、Ｌ^１は、下記式（３）
で表される配位子を表す。］

［式（２）において、Ａｒ^１は炭素数３〜２０のアリール基を表し、Ｘは、炭素数４〜２
０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜２０のアルコキシ基、炭素
数３〜２０のアリールオキシ基、または下記式（２−１）で表される置換基のいずれかを
表す。］

［式（２−１）において、Ｙは、水素原子の置換基を表し、複数存在する場合はそれぞれ
独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４
０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基
、炭素数３〜２０のアリール基を表す。Ｚは、水素原子の置換基を表し、複数存在する場
合はそれぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、
炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリ
ールオキシ基を表す。ｐは０〜４の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜５の整数を表す
。］

［Ｒ^１〜Ｒ^９は、それぞれ同一または異なり、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のア
リールオキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭
素数１〜２０であるアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数
４〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０
のアリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基、のいずれかを表す。これらの基はさ
らに、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０
のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基、
アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭素数３〜２０であ
るアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数４〜２０のアリー
ルカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０のアリールアミノ
基、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていてもよい。
ただし、イリジウムとは、Ｒ^１０の置換部位にて結合を形成する。］
［２］Ｌ^１とイリジウム原子との結合様式が下記式（３−１）で表される、前項［１］に
記載のイリジウム錯体化合物。

［３］Ｌ２が下記式（４）で表される配位子であり、ｎが１または２である、前項［１］
または［２］のいずれか一項に記載のイリジウム錯体化合物。

［式（４）において、環Ｂは、炭素原子Ｃ^４、Ｃ^５を含む、６員環または５員環の芳香族
炭化水素環または芳香族複素環を表し、環Ｃは、炭素原子Ｃ^６及び窒素原子Ｎ^１を含む、
６員環または５員環の芳香族複素環を表す。環Ｂ及び環Ｃ上の水素原子は、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭
素数３〜２０のアリールオキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基
、アリール基の炭素数３〜２０であるアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカル
ボニル基、炭素数４〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基
、炭素数３〜２０のアリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていても
よい。また、環Ｂ及び環Ｃにそれぞれ結合する隣り合う置換基どうしが結合してさらに環
を形成していてもよい。］
［４］Ｌ^２が下記式（４−１）で表される配位子である、前項［３］に記載のイリジウ
ム錯体化合物。

［式（４−１）において、Ｒ^１２〜Ｒ^１９は、それぞれ同一または異なり、水素原子、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコ
キシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のアリール基、のいずれか
を表す。これらの基はさらに、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアル
キル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２
０のアリールオキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール
基の炭素数３〜２０であるアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、
炭素数４〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３
〜２０のアリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていてもよい。

また、Ｒ^１２〜Ｒ^１５、及び、Ｒ^１６〜Ｒ^１９は、それぞれ隣り合うＲ^１２〜Ｒ^１５、
及び、Ｒ^１６〜Ｒ^１９と炭素数３〜１２のアルキレン基または炭素数３〜１２のアルケニ
レン基で結合して環を形成してもよい。これらの環はさらにフッ素原子、塩素原子、臭素
原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０の
アルコキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるトリアルキルシリル基、アリール基の
炭素数１〜２０であるアリールシリル基、炭素数１〜２０のアルキルカルボニル基、炭素
数１〜２０のアリールカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、炭素数１〜２
０のアリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていてもよい。］
［５］前記式（２）がＬ^２の部分構造である前項［３］または［４］のいずれか一項に記
載のイリジウム錯体化合物。
［６］前項［１］〜［５］のいずれか一項に記載のイリジウム錯体化合物及び溶剤を含む
組成物。
［７］陽極、陰極、及びこれらの間に少なくとも１層の有機層を有する有機電界発光素子
であり、該有機層のうち少なくとも１層が、前項［１］〜［５］のいずれか一項に記載の
イリジウム錯体化合物を含む有機電界発光素子。
［８］前項［７］に記載のイリジウム錯体化合物を含む有機層が、前項［６］に記載の組
成物を用いて形成された層である、有機電界発光素子。
［９］前項［７］または［８］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた表示装
置。
［１０］前項［７］または［８］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた照明
装置。

本発明のイリジウム錯体化合物は赤色に発光し、該イリジウム錯体化合物を含む組成物
はポットライフが長く、該組成物を用いて作成する有機電界発光素子は発光効率が高く、
表示装置ならびに照明装置として有用である。

本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。

以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定さ
れるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。
＜イリジウム錯体化合物＞
本発明のイリジウム錯体化合物は、下記式（１）で表されることを特徴とする。

式（１）において、Ｉｒはイリジウム原子を表す。Ｌ^１〜Ｌ^３は有機配位子を表し、そ
れぞれＩｒと結合を形成する。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数であり、ｍ＋
ｎは３より大きくなることはない。ただし、式（１）で表されるイリジウム錯体化合物は
、下記式（２）で表される部分構造を少なくとも１つ含み、かつ、Ｌ^１は、下記式（３）
で表される配位子を表す。式（２）で表される部分構造は、Ｌ^１〜Ｌ^３いずれの配位子が
有していてもよいが、耐久性の観点からＬ^２を有していることがより好ましい。すなわち
ｎが１以上であることが好ましい。

式（２）において、Ａｒ^１は炭素数３〜２０のアリール基を表し、Ｘは、炭素数４〜２
０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜２０のアルコキシ基、炭素
数３〜２０のアリールオキシ基、または下記式（２−１）で表される置換基のいずれかを
表す。

式（２−１）において、Ｙは、水素原子の置換基を表し、複数存在する場合はそれぞれ
独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４
０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基
、炭素数３〜２０のアリール基を表す。Ｚは、水素原子の置換基を表し、複数存在する場
合はそれぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、
炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリ
ールオキシ基を表す。ｐは０〜４の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜５の整数を表す
。ｐ、ｒは水素原子を置換する置換基の数を表し、合成の簡便性の観点から、それぞれ０
または１が好ましく、０がさらに好ましい。ｑは、ｍ−フェニレンの数を表し、有機溶剤
に対する溶解性、耐久性の観点から、２〜１０が好ましく、２〜５がさらに好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^９は、それぞれ同一または異なり、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のア
リールオキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭
素数１〜２０であるアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数
４〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０
のアリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基、のいずれかを表す。これらの基はさ
らに、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０
のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基、
アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭素数３〜２０であ
るアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数４〜２０のアリー
ルカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０のアリールアミノ
基、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていてもよい。
ただし、イリジウムとは、Ｒ^１０の置換部位にて結合を形成する。

＜Ａｒ^１＞
Ａｒ^１は炭素数３〜２０のアリール基を表す。炭素数３〜２０のアリール基とは、１個
の遊離原子価を有する、芳香族炭化水素基および芳香族複素環基の両方を意味する。その
具体例としては、１個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン
環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセ
ン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラ
ン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾ
ール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロ
イミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチ
オフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール
環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダ
ジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノ
キサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、ア
ズレン環等の基が挙げられる。

量子収率及び耐久性の観点から、１個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン
環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環、ピリミジ
ン環、トリアジン環が好ましく、中でも、１個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ピリ
ジン環がさらに好ましい。
ここで、本発明において、遊離原子価とは、有機化学・生化学命名法（上）（改定第２
版、南江堂、１９９２年発行）に記載のとおり、他の遊離原子価と結合を形成できるもの
を言う。すなわち、例えば、「１個の遊離原子価を有するベンゼン環」はフェニル基のこ
とを言い、「２個の遊離原子価を有するベンゼン環」はフェニレン基のことを言う。

＜Ｘ＞
Ｘは、炭素数４〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜２０
のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基、または前記式（２−１）で表され
る置換基のいずれかを表す。
耐久性の観点から、炭素数４〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、ま
たは前記式（２−１）で表される置換基のいずれかであることが好ましく、炭素数７〜４
０のアラルキル基、前記式（２−１）で表される置換基であることがより好ましい。

炭素数４〜２０のアルキル基の具体例としては、直鎖のアルキル基および分岐のアルキ
ル基、環状のアルキル基などである。より具体的には、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、イソペンチル基、
ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。中でも、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキ
シル基、ｎ−オクチル基が好ましい。

炭素数７〜４０のアラルキル基の具体例としては、直鎖のアルキル基および分岐のアル
キル基、環状のアルキル基を構成する水素原子の一部がアリール基で置換された基のこと
を指す。より具体的には、１−フェニル−１−エチル基、クミル基、５−フェニル−１−
プロピル基、６−フェニル−１−ヘキシル基、７−フェニル−１−ペンチル基、テトラヒ
ドロナフチル基などが挙げられる。中でも、５−フェニル−１−プロピル基、６−フェニ
ル−１−ヘキシル基、７−フェニル−１−ペンチル基が好ましい。

炭素数４〜２０のアルコキシ基の具体例としては、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシル
オキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。中でも、ヘキシルオキシ基が好ましい
。
炭素数３〜２０のアリールオキシ基の具体例としては、アリルオキシ基、フェノキシ基
、４−メチルフェニルオキシ基等が挙げられる。中でも、フェノキシ基が好ましい。

＜Ｙ、Ｚ＞
Ｙは、水素原子の置換基を表し、複数存在する場合はそれぞれ独立に、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素
数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のアリ
ール基を表す。Ｚは、水素原子の置換基を表し、複数存在する場合はそれぞれ独立に、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラ
ルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基を表す。

炭素数１〜２０のアルキル基の具体例としては、直鎖のアルキル基および分岐のアルキ
ル基、環状のアルキル基などである。より具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル
基、イソブチル基、イソペンチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる
。中でも、メチル基、エチル基や、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基等の直鎖のアルキル基
が好ましい。
炭素数７〜４０のアラルキル基の具体例としては、直鎖のアルキル基および分岐のアル
キル基、環状のアルキル基を構成する水素原子の一部がアリール基で置換された基のこと
を指す。より具体的には、１−フェニル−１−エチル基、クミル基、５−フェニル−１−
プロピル基、６−フェニル−１−ヘキシル基、７−フェニル−１−ペンチル基、テトラヒ
ドロナフチル基などが挙げられる。中でも、５−フェニル−１−プロピル基、６−フェニ
ル−１−ヘキシル基、７−フェニル−１−ペンチル基が好ましい。

炭素数１〜２０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピル
オキシ基、イソプロピルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタ
デシルオキシ基等が挙げられる。中でも、ヘキシルオキシ基が好ましい。
炭素数３〜２０のアリールオキシ基の具体例としては、アリルオキシ基、フェノキシ基
、４−メチルフェニルオキシ基等が挙げられる。中でも、フェノキシ基が好ましい。
炭素数３〜２０のアリール基の具体例としては、＜Ａｒ^１＞の項で説明したものと同様
である。

＜Ｌ^１＞
本発明のイリジウム錯体化合物は、前記式（１）のＬ^１として前記式（３）で表される
配位子を含む。

Ｒ^１〜Ｒ^９は、それぞれ同一または異なり、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のア
リールオキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭
素数１〜２０であるアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数
４〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０
のアリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基、のいずれかを表す。

Ｒ^１については、耐久性の観点から、置換・無置換の炭素数３〜２０のアリール基であ
ることが好ましい。また、Ｒ２〜Ｒ７は、耐久性の観点から、水素原子、フッ素原子、炭
素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０のアリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリ
ール基であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭
素数３〜２０のアリール基であることがより好ましい。

炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリ
ールオキシ基、炭素数３〜２０のアリール基の具体例は、前記＜Ｙ、Ｚ＞の項、＜Ａｒ^１
＞の項にて説明したものと同様である。
アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基の具体例としては、トリメチルシ
リル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルフェニル基、ｔ−ブ
チルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基等が挙げられる。中でもトリイソ
プロピル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基が好ましい。

アリール基の炭素数３〜２０であるアリールシリル基の具体例としては、トリアリルシ
リル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。中でもトリフェニルシリル基が好ましい
。
炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル
基、ピバロイル基、カプロイル基、デカノイル基、シクロヘキシルカルボニル基等が挙げ
られる。中でもアセチル基、ピバロイル基が好ましい。

炭素数４〜２０のアリールカルボニル基の具体例としては、アリルカルボニル基、ベン
ゾイル基、ナフトイル基、アントライル基等が挙げられる。中でもベンゾイル基が好まし
い。
炭素数２〜２０のアルキルアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基、ジオクチルアミ
ノ基、ジシクロヘキシルアミノ基等が挙げられる。中でもジメチルアミノ基、ジシクロヘ
キシルアミノ基が好ましい。

炭素数３〜２０のアリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、ジフェニル
アミノ基、ジ（４−トリル）アミノ基、ジ（２，６−ジメチルフェニル）アミノ基等が挙
げられる。中でもジフェニルアミノ基、ジ（４−トリル）アミノ基が好ましい。
これらの基はさらに、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のア
リールオキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭
素数３〜２０であるアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数
４〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０
のアリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていてもよい。これらの置
換基の具体例は、前項までに説明したものと同様である。
前記式（１）のＬ^１は、下記式（３−１）で表される配位子であることが好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^９の具体例については、前記式（３）にて説明したものと同様である。

＜Ｌ^２、Ｌ^３＞
本発明におけるイリジウム錯体化合物における有機配位子Ｌ^２、Ｌ^３に特に制限は無い
が、好ましくは１価の２座配位子であり、より好ましくは下記式（４）で表される。

式（４）において、環Ｂは、炭素原子Ｃ^４、Ｃ^５を含む、６員環または５員環の芳香族
炭化水素環または芳香族複素環を表し、環Ｃは、炭素原子Ｃ^６及び窒素原子Ｎ^１を含む、
６員環または５員環の芳香族複素環を表す。６員環または５員環の芳香族炭化水素環とし
ては、ベンゼン環、ピリジン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環等が挙げられる。
中でもベンゼン環、ピリジン環が好ましく、ベンゼン環であることがさらに好ましい。６
員環または５員環の芳香族複素環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ト
リアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等が挙げられる。中でもピ
リジン環、ピラジン環、ピリミジン環が好ましく、ピリジン環がさらに好ましい。

環Ｂ及び環Ｃ上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のア
ルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基、アルキ
ル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭素数３〜２０であるアリ
ールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数４〜２０のアリールカル
ボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０のアリールアミノ基、炭
素数３〜２０のアリール基で置換されていてもよい。中でも、フッ素原子、炭素数１〜２
０のアルキル基、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていることが好ましい。これら
の置換基の具体例は、前項までに説明したものと同様である。

また、環Ｂ及び環Ｃにそれぞれ結合する隣り合う置換基どうしが結合してさらに環を形
成していてもよい。そのような環の具体例としては、フルオレン環、ナフタレン環、フェ
ナントレン環、トリフェニレン環、クリセン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ベ
ンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカル
バゾール環、テトラヒドロナフタレン環、キノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、
アザフェナントレン環、アザトリフェニレン環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾ
ール環、ベンズチアゾール環等が挙げられ、中でも、フルオレン環、ナフタレン環、カル
バゾール環、カルボリン環、キノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、アザトリフェ
ニレン環が好ましい。
また、Ｌ^２は下記式（４−１）で表される配位子であることが好ましい。

式（４−１）において、Ｒ^１２〜Ｒ^１９は、それぞれ同一または異なり、水素原子、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコ

キシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のアリール基、のいずれか
を表す。中でも、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０
のアリール基であることが好ましい。これらの置換基の具体例は、前項までに説明したも
のと同様である。

これらの基はさらに、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のア
リールオキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭
素数３〜２０であるアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数
４〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０
のアリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていてもよい。これらの置
換基の具体例は、前項までに説明したものと同様である。

また、Ｒ^１２〜Ｒ^１５、及び、Ｒ^１６〜Ｒ^１９は、それぞれ隣り合うＲ^１２〜Ｒ^１５、
及び、Ｒ^１６〜Ｒ^１９と炭素数３〜１２のアルキレン基または炭素数３〜１２のアルケニ
レン基で結合して環を形成してもよい。そのような環の具体例としては、フルオレン環、
ナフタレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、クリセン環、テトラヒドロナフタ
レン環、キノリン環、アザフェナントレン環、アザトリフェニレン環等が挙げられ、中で
も、フルオレン環、ナフタレン環、キノリン環、アザトリフェニレン環が好ましい。

これらの環はさらにフッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、
炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、アルキル基の炭素数１
〜２０であるトリアルキルシリル基、アリール基の炭素数１〜２０であるアリールシリル
基、炭素数１〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数１〜２０のアリールカルボニル基、
炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、炭素数１〜２０のアリールアミノ基、炭素数３〜２
０のアリール基で置換されていてもよい。これらの置換基の具体例は、前項までに説明し
たものと同様である。

＜分子量＞
本発明のイリジウム錯体化合物の分子量は、錯体の安定性の高さから、通常８００以上
、好ましくは９００以上、通常３０００以下、好ましくは２０００以下である。
また本発明のイリジウム錯体化合物を側鎖に含む高分子化合物にも好適に用いることが
できる。その場合、高分子化合物の分子量は上記に限定されるものではない。

＜具体例＞
以下に、本発明のイリジウム錯体化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに
限定されるものではない。

＜構造上の特徴＞
本発明のイリジウム錯体化合物は、赤色に発光し、この化合物を含む組成物を用いて塗
布法により作成した有機電界発光素子は発光効率が高いという効果を奏する。本効果を奏
する理由については、構造上の特徴から以下の通りと考えられる。
赤色燐光発光イリジウム錯体化合物として広く研究がおこなわれてきた配位子としては
、２−フェニルキノリン系、１−フェニルイソキノリン系配位子が挙げられる。２−フェ
ニルキノリン系イリジウム錯体化合物を利用した有機電界発光素子は発光効率が高く駆動
寿命が長いものの、その発光色は橙色に近い赤色であった。一方、１−フェニルイソキノ
リン系イリジウム錯体化合物を利用した有機電界発光素子は、深い赤色を発光するものの
、発光効率が低く駆動寿命が短かった。

発光材料の発光色を長波長化させるためには、配位子のＬＵＭＯを下げることが必要で
ある。ＬＵＭＯを下げる方法としては、例えば、ひとつの６員環に窒素原子が複数存在す
る環、すなわち本発明のジアザトリフェニレンを利用する方法が挙げられる。上記の知見
から本発明者らは、前記式（１）に示すような特定の構造をとることで赤色に発光するこ
とを見出した。

さらに、有機溶剤への溶解性を高めるには、１）有機溶剤に溶解した際の溶媒和エネル
ギーを増加させること、および、２）溶液中でとりうるコンホメーションの数を増加させ
、結晶化の際の再配列エネルギーを上昇させることが必要となる。
これらの観点から発明者らが鋭意検討したところ、分子中に前記式（２）で表される部分
構造を有することで溶解性が向上することが明らかとなった。これらの置換基のいずれか
を有することで、溶液中でうける溶媒和エネルギーが増加し、とりうるコンホメーション
の数が増加するため、溶解性が向上する。

上述の通り、本発明のイリジウム錯体化合物は有機溶剤に対する溶解性が高いため、該
化合物と溶剤とを含む組成物は保管安定性が高く、塗布プロセスにおいて好適に用いるこ
とができる。また、該化合物の溶解性が高いため、組成物中における発光材料の凝集によ
る発光効率の低下を防止することができることから本発明のイリジウム錯体化合物を含む
有機電界発光素子は発光効率が高いものと考えられる。
以上より、本発明は赤色に発光し、有機溶剤に対する溶解性が高いイリジウム錯体化合
物の提供を可能とし、さらに該化合物を利用した駆動寿命が長く、電気的耐久性が高い有
機電界発光素子を提供することを可能とする。

＜イリジウム錯体化合物の合成方法＞
本発明のイリジウム錯体化合物は、既知の方法の組み合わせなどにより合成され得る、
配位子を用い、配位子とＩｒ化合物により合成することができる。
イリジウム錯体化合物の合成方法については、（式１）一段階でトリス錯体を形成する
方法、（式２）Ｉｒ２核錯体のような中間体を形成させたのちにトリス体を形成させる方
法等が例示できるが、これらに限定されるものではない。
例えば、典型的な反応（Ａ）としては、配位子３当量とＩｒ（ａｃａｃ）３（イリジウ
ムアセチルアセトナート錯体）１当量の反応により金属錯体を得る方法があげられる。

この際、配位子を過剰量もちいて反応を促進することもできるし、少量用いて選択性を
高めても良い。また、配位子を複数種類用い、逐次的に添加し、混合配位子錯体を形成し
てもよい。
また、典型的な反応（Ｂ）としては、例えば配位子２当量とＩｒＣｌ３・ｘＨ２Ｏ（イ
リジウムクロライド・ｘ水和物）１当量の反応によりＩｒ原子２個からなる２核金属錯体
などの中間対を得たのち、さらに配位子をＩｒに対し１当量反応させて金属錯体を得る方
法が挙げられる。

反応式（Ａ）と同様に反応の効率および選択性を考慮し、実際の配位子とＩｒ化合物の
仕込み比は適当に調整することができる。反応式（Ｂ）の場合、最後に添加する配位子を
最初の配位子と異なるものを用いることにより、簡便に混合配位子錯体を形成できる。
Ｉｒ化合物としては上記のＩｒ（ａｃａｃ）_３錯体やＩｒＣｌ_３・ｘＨ_２Ｏ錯体の他に
、Ｉｒシクロオクタジエニル錯体など、適当なＩｒ化合物を用いても良い。炭酸塩などの
塩基化合物、Ａｇ塩などのハロゲントラップ剤、などを併用して反応を促進させてもよい
。反応温度は５０℃〜４００℃程度の温度が好ましく用いられる。一般的に１２０℃以上
の高温が用いられる。反応は無溶剤で行っても良いし、既知の溶剤を用いてもよい。高温
反応で行う場合、グリセリン等の高沸点溶剤が好ましい。

＜イリジウム錯体化合物の用途＞
本発明のイリジウム錯体化合物は、有機電界発光素子に用いられる材料、すなわち有機
電界発光素子材料として好適に使用可能であり、有機電界発光素子やその他の発光素子等
の発光材料としても好適に使用可能である。

＜イリジウム錯体化合物含有組成物＞
本発明のイリジウム錯体化合物は、溶解性に優れることから、溶剤とともに使用される
ことが好ましい。以下、本発明のイリジウム錯体化合物と溶剤とを含有する組成物（イリ
ジウム錯体化合物含有組成物）について説明する。
本発明のイリジウム錯体化合物含有組成物は、上述の本発明のイリジウム錯体化合物お
よび溶剤を含有する。本発明のイリジウム錯体化合物含有組成物は通常湿式成膜法で層や
膜を形成するために用いられ、特に有機電界発光素子の有機層を形成するために用いられ
ることが好ましい。該有機層は、特に発光層であることが好ましい。
つまり、イリジウム錯体化合物含有組成物は、有機電界発光素子用組成物であることが
好ましく、更に発光層形成用組成物として用いられることが特に好ましい。

該イリジウム錯体化合物含有組成物における本発明のイリジウム錯体化合物の含有量は
、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、通常９９．９９重量％以下、好まし
くは９９．９重量％以下である。組成物のイリジウム錯体化合物の含有量をこの範囲とす
ることにより、隣接する層（例えば、正孔輸送層や正孔阻止層）から発光層へ効率よく、
正孔や電子の注入が行われ、駆動電圧を低減することができる。尚、本発明のイリジウム
錯体化合物はイリジウム錯体化合物含有組成物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種
以上が組み合わされて含まれていてもよい。

本発明のイリジウム錯体化合物含有組成物を例えば有機電界発光素子用に用いる場合に
は、上述のイリジウム錯体化合物や溶剤の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられ
る電荷輸送性化合物を含有することができる。
本発明のイリジウム錯体化合物含有組成物を用いて、有機電界発光素子の発光層を形成
する場合には、本発明のイリジウム錯体化合物をドーパント材料とし、他の電荷輸送性化
合物をホスト材料として含むことが好ましい。

本発明のイリジウム錯体化合物含有組成物に含有される溶剤は、湿式成膜によりイリジ
ウム錯体化合物を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
該溶剤は、溶質である本発明のイリジウム錯体化合物が高い溶解性を有するために、む
しろ後述の電荷輸送性化合物が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されない。好ましい
溶剤としては、例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン
、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、フェニルシクロ
ヘキサン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリ
クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３
−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキ
シトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルア
ニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェ
ニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸
ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等
の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；
メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等
の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエ
チルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ
）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化
水素類であり、特に、フェニルシクロヘキサンは湿式成膜プロセスにおいて好ましい粘度
と沸点を有している。

これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、お
よび比率で用いてもよい。
溶剤の沸点は、通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１５０℃以
上、特に好ましくは２００℃以上である。通常沸点２７０℃以下、好ましくは２５０℃以
下、より好ましくは２３０℃以下である。この範囲を下回ると、湿式成膜時において、組
成物からの溶剤蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。

溶剤の含有量は、組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ま
しくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重
量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下であ
る。通常発光層の厚みは３〜２００ｎｍ程度であるが、溶剤の含有量がこの下限を下回る
と、組成物の粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、この上限
を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難
となる傾向がある。

本発明のイリジウム錯体化合物含有組成物が含有し得る他の電荷輸送性化合物としては
、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。例え
ば、ピリジン、カルバゾール、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン
、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フ
ルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）
ベンゼンおよびそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍ
ｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙ
ｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベン
ゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮
合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等が挙げられる。

これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比
率で用いてもよい。
本発明のイリジウム錯体化合物含有組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、該組
成物を１００重量部とすると、通常１重量部以上、また、通常５０重量部以下、好ましく
は３０重量部以下である。

また、イリジウム錯体化合物含有組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、イリジ
ウム錯体化合物含有組成物中の本発明のイリジウム錯体化合物に対して、通常５０重量％
以下、特に３０重量％以下で、通常０．０１重量％以上、特に０．１重量％以上であるこ
とが好ましい。
本発明のイリジウム錯体化合物含有組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に
、更に他の化合物を含有していてもよい。例えば、上記の溶剤の他に、別の溶剤を含有し
ていてもよい。そのような溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これら
は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用い
てもよい。

［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、基板上に少なくとも陽極、陰極及びこれらの両極間に設
けられた発光層を有するものであって、本発明の組成物を用いて湿式成膜法により形成さ
れた層を有することを特徴とする。該湿式成膜法により形成された層は、該発光層である
ことが好ましい。

図１は本発明の有機電界発光素子に好適な構造例を示す断面の模式図であり、図１にお
いて、符号１は基板、符号２は陽極、符号３は正孔注入層、符号４は正孔輸送層、符号５
は発光層、符号６は正孔阻止層、符号７は電子輸送層、符号８は電子注入層、符号９は陰
極を各々表す。

［１］基板
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金
属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル
、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガ
スバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化すること
があるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸
化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。

［２］陽極
基板１上には陽極２が設けられる。陽極２は発光層側の層（正孔注入層３、正孔輸送層
４又は発光層５など）への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、
インジウム及び／又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、
カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリ
ン等の導電性高分子などにより構成される。

陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。
また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸
化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダ
ー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる
。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基
板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。

陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすること
も可能である。
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視
光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましい。この場合
、陽極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常１０００ｎｍ
以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意で
あり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには上記の陽極２の上に異なる導電材
料を積層することも可能である。
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上さ
せることを目的に、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アル
ゴンプラズマ処理したりすることが好ましい。

［３］正孔注入層
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形
成される。本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく
、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形
成することが好ましい。正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以
上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。

＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を
適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）
を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当
する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成す
る。

（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶
剤を含有する。正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される
、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体な
どの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。

正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．
５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合
物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オ
リゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基
で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体
、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体
、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体
、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。

尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香
族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であ
っても、単量体であってもよい。
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何
れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔
輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子
化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用するこ
とが好ましい。

上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好まし
く、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳
香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物
も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発
光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り
返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好
ましい例として、下記式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げら
れる。

（式（ＩＶ）中、Ａｒ^５１及びＡｒ^５２は、各々独立して、置換基を有していてもよい
芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ^５３〜Ａｒ
^５５は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有して
いてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す
。また、Ａｒ^５１〜Ａｒ^５５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して
環を形成してもよい。）
（連結基群）

（上記各式中、Ａｒ^５６〜Ａｒ^６６は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香
族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ^１１１及びＲ^１１
^２は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。）
Ａｒ^５１〜Ａｒ^６６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の
溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、
ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環が好ましく、さらに好まし
くは、２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環である。

Ａｒ^５１〜Ａｒ^６６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有して
いてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好まし
い。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳
香族複素環基などが好ましい。
Ｒ^１１１及びＲ^１１２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、ア
ルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基
などが挙げられる。

また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である３，４−ｅｔｈｙｌ
ｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を高分子
量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）もま
た好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであって
もよい。

さらに、正孔輸送性化合物としては、後述の「正孔輸送層」の項に記載の不溶化基を有
する化合物を用いてもよい。不溶化基を有する化合物を用いる場合、成膜方法なども同様
である。
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわ
ない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１
重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましく
は６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜
厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる
可能性がある。

（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有して
いることが好ましい。
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能
力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ま
しく、５ｅＶ以上である化合物がさらに好ましい。

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン
化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリ
ールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げ
られる。さらに具体的には、塩化鉄（ＩＩＩ）（日本国特開平１１−２５１０６７号公報
）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等
のシアノ化合物、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（日本国特開２００３−３１
３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００
５／０８９０２４号パンフレット）；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン
酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホ
ン酸イオン等が挙げられる。

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導
電率を向上させることができる。
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に
対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１
００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。

（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正
孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は
通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、
中でも３００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ
、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くす
る必要があり、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。

溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド
系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート
（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシ
ベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、
４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の
芳香族エーテル、等が挙げられる。

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メ
チル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等
が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼ
ン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジ
イソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。ア
ミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。これらの溶剤は１種のみを用
いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。

（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層
に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形
成する。
塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１
０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましい。
塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、
通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程におい
て使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレートなどが挙げられ
る。

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成
用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に
用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸
点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程におい
ては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。

加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ
塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒
以上で、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向が
あり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよ
い。

＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正
孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたる
つぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な
真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用
いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用
いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の
陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの
混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１
×１０^−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０^−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０^−６Ｔｏｒｒ（
１２．０×１０^−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限
り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。

［４］正孔輸送層
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い
場合には陽極２の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔
輸送層を省いた構成であってもよい。

正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、
ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい
。
正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効
率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシ
ャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、
トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場
合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサ
イプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。

このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられ
ている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物と
して例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピ
ロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、
トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、
ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体
、金属錯体などが挙げられる。

また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニ
ルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフ
ェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビ
ニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重
合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部
が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。

中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（Ｖ）で表される繰り返し単位を含む重合
体であることが好ましい。特に、下記式（Ｖ）で表される繰り返し単位からなる重合体で
あることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒ^ａ又はＡｒ^ｂが異
なっているものであってもよい。

（式（Ｖ）中、Ａｒ^ａ及びＡｒ^ｂは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香
族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。）
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、１個または２個の遊離
原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリ
レン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、ア
セナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、１個または２個の遊離原子価を
有する、６員環の単環又は２〜５縮合環及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してな
る基が挙げられる。

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えば１個または２個の遊離原子
価を有する、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール
環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール
環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環
、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオ
キサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン
環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリ
ン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キ
ナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、１個または２個の遊離原子価を有する
、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してな
る基が挙げられる。

有機溶媒に対して溶解性、耐熱性の点から、Ａｒ^ａ及びＡｒ^ｂは、各々独立に、１個ま
たは２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナン
トレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環から
なる群より選ばれる環やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基（
ビフェニレン基）やターフェニル基（ターフェニレン基））が好ましい。
中でも、１個または２個の遊離原子価を有する、ベンゼン、ビフェニル及びフルオレン
が好ましい。

Ａｒ^ａ及びＡｒ^ｂにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置
換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、
ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ
基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。

ポリアリーレン誘導体としては、前記式（Ｖ）におけるＡｒ^ａやＡｒ^ｂとして例示した
置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基を
その繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。ポリアリーレン誘導体としては、下記式
（ＶＩ）及び／又は下記式（ＶＩＩ）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。

（式（ＶＩ）中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ
基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキル
フェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、
又はカルボキシ基を表す。ｖ及びｗは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｖ又はｗが２
以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲａ又はＲｂは同一であっても異なっていてもよ
く、隣接するＲａ又はＲｂ同士で環を形成していてもよい。）

（式（ＶＩＩ）中、Ｒ^ｅ又はＲ^ｆは、各々独立に、上記式（ＶＩ）におけるＲ^ａ、Ｒ^ｂ
、Ｒ^ｃ又はＲ^ｄと同義である。ｖ及びｗは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｖ又はｗ
が２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲ^ｅ又はＲ^ｆは同一であっても異なっていて
もよく、隣接するＲ^ｅ又はＲ^ｆ同士で環を形成していてもよい。Ｔは、５員環又は６員環
を構成する原子又は原子群を表す。）
Ｔの具体例としては、−Ｏ−、−ＢＲ−、−ＮＲ−、−ＳｉＲ_２−、−ＰＲ−、−ＳＲ
−、−ＣＲ_２−又はこれらが結合してなる基などが挙げられる。尚、Ｒは、水素原子又は
任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基で
ある。

また、ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＶＩ）及び／又は前記式（ＶＩＩ）か
らなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有す
ることが好ましい。

（式（ＶＩＩＩ）中、Ａｒ^ｃ〜Ａｒ^ｊは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳
香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。γ及びδは、各々独立に０又は１を表す。）

Ａｒ^ｃ〜Ａｒ^ｊの具体例としては、前記式（Ｖ）における、Ａｒ^ａ及びＡｒ^ｂと同様であ
る。
上記式（ＶＩ）〜（ＶＩＩＩ）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、日本
国特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。

湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、
正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる
溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾
燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。真空蒸着法により正孔輸送層を形成
する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。正孔輸
送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー
樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。

正孔輸送層４はまた、不溶化基を有する化合物（以下、「不溶化性化合物」と称する）
を不溶化して形成される層が耐熱性、あるいは成膜性の観点から好ましい。不溶化性化合
物は、不溶化基を有する化合物であって、不溶化することにより不溶化ポリマーを形成す
る。
不溶化基とは、熱及び／又は活性エネルギー線の照射により反応する基であり、反応後
は反応前に比べて有機溶媒や水への溶解性を低下させる効果を有する基である。本発明に
おいては、不溶化基は、脱離基又は架橋性基であることが好ましい。

脱離基とは、結合している芳香族炭化水素環から７０℃以上で解離し、さらに溶媒に対
して可溶性を示す基をいう。ここで、溶媒に対して可溶性を示すとは、化合物が熱及び／
又は活性エネルギー線の照射によって反応する前の状態で、常温でトルエンに０．１重量
％以上溶解することをいい、化合物のトルエンへの溶解性は、好ましくは０．５重量％以
上、より好ましくは１重量％以上である。

この脱離基として好ましくは、芳香族炭化水素環側に極性基を形成せずに熱解離する基
であり、逆ディールスアルダー反応により熱解離する基であることがより好ましい。また
さらに、１００℃以上で熱解離する基であることが好ましく、３００℃以下で熱解離する
基であることが好ましい。
また、架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；
ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモ
イル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブタン由来の基などが挙げられる。

不溶化性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。不溶化
性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有して
いてもよい。
不溶化性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい
。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導
体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体
、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェ
ニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、
金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン
誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘
導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳
香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい
。

不溶化性化合物を不溶化して正孔輸送層４を形成するには、通常、不溶化性化合物を溶
媒に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して不溶
化させる。
正孔輸送層形成用組成物には、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子
受容性化合物；バインダー樹脂などを含有していてもよい。

正孔輸送層形成用組成物は、不溶化性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０
．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましく
は２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
このような濃度で不溶化性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注
入層３）上に成膜後、加熱及び／又は光などの活性エネルギー照射により、不溶化性化合
物を不溶化させる。

成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。成膜
後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好まし
くは４００℃以下である。加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下で
ある。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレ
ート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレ
ート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。

光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ等を
用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射
装置を用いて照射する方法などが挙げられる。
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎ
ｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

［５］発光層
正孔輸送層４の上には通常、発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電
極間において、陽極２から正孔注入層３を通じて注入された正孔と、陰極９から電子輸送
層７を通じて注入された電子との再結合により励起された、主たる発光源となる層である
。発光層５は発光材料（ドーパント）と１種又は２種以上のホスト材料を含むことが好ま
しい。発光層５は、真空蒸着法で形成してもよいが、本発明の有機電界発光素子用組成物
を用い、湿式成膜法によって作製された層であることが特に好ましい。

ここで、湿式成膜法とは、前述の如く、溶剤を含む組成物を、スピンコート法、ディッ
プコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレ
ーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印
刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。
なお、発光層５は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいても
よい。一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方
が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。そ
の為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに
薄いと、ＩＴＯ等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要
となる。

本発明においては、発光層５以外に、正孔注入層３及び後述の電子輸送層７等の有機層
を有する場合、発光層５と正孔注入層３や電子輸送層７等の他の有機層とを合わせた総膜
厚は通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上であり、さらに好ましくは１００ｎｍ以
上で、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３０
０ｎｍ以下である。また、発光層５以外の正孔注入層３や後述の電子注入層８の導電性が
高い場合、発光層５に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層３の膜厚を厚く
して発光層５の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げる
ことも可能である。

よって、発光層５の膜厚は、通常１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上で、通常３０
０ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。なお、本発明の素子が、陽極及び陰極の
両極間に、発光層５のみを有する場合の発光層５の膜厚は、通常３０ｎｍ以上、好ましく
は５０ｎｍ以上、通常５００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下である。

［６］正孔阻止層
正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極側の界面に接するように積層形成さ
れる。特に、発光物質として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合、正
孔阻止層６を設けることは効果的である。正孔阻止層６は正孔と電子を発光層５内に閉じ
こめて、発光効率を向上させる機能を有する。即ち、正孔阻止層６は、発光層５から移動
してくる正孔が電子輸送層７に到達するのを阻止することで、発光層５内で電子との再結
合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、電子輸送層７から注
入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割がある。

正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度
が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項
準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。
このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニ
ルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属
錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（日本国特開平１１
−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（日本国特開
平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（日本国特開平
１０−７９２９７号公報）が挙げられる。

さらに、国際公開第２００５／０２２９６２号に記載の２，４，６位が置換されたピリ
ジン環を少なくとも１個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。正孔阻止層６の膜
厚は、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上で、通常１００ｎｍ以下、好まし
くは５０ｎｍ以下である。正孔阻止層６も正孔注入層３と同様の方法で形成することがで
きるが、通常は真空蒸着法が用いられる。

［７］電子輸送層
電子輸送層７は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、正孔注入層６と
電子注入層８との間に設けられる。電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において陰
極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形
成される。電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極９又は電子注入層
８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸
送することができる化合物であることが必要である。

このような条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体な
どの金属錯体（日本国特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ
］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロー
ル誘導体、３−又は５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベ
ンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５，６４５，
９４８号明細書）、キノキサリン化合物（日本国特開平６−２０７１６９号公報）、フェ
ナントロリン誘導体（日本国特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１
０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型
硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。

電子輸送層７の膜厚は、通常下限は１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常
３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
電子輸送層７は、正孔注入層３と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により形成
されるが、通常は、真空蒸着法が用いられる。

［８］電子注入層
電子注入層８は陰極９から注入された電子を効率よく発光層５へ注入する役割を果たす
。電子注入を効率よく行うには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が
好ましく、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカ
リ土類金属が用いられる。電子注入層８の膜厚は０．１〜５ｎｍが好ましい。
また、陰極９と電子輸送層７との界面にＬｉＦ、ＭｇＦ_２、Ｌｉ_２Ｏ、Ｃｓ_２ＣＯ_３等
の極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法
である（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７０巻，１５２頁，１９９７年；日本国特開
平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｄｅｖｉｃｅｓ，
４４巻，１２４５頁，１９９７年；ＳＩＤ０４Ｄｉｇｅｓｔ，１５４頁）。

さらに、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム
、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（日本国特開平１０−
２７０１７１号公報、日本国特開２００２−１００４７８号公報、日本国特開２００２−
１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両
立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常５ｎｍ以上、好ましくは
１０ｎｍ以上で、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

電子注入層８は、発光層５と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により形成され
る。真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源を入
れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼ又は金
属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼ又は金属ボートと向き合って置かれた基板上に電子
注入層を形成する。

アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ
金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することによ
り、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料と
アルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼ
に入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、各々のる
つぼ及びディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼ及びディスペンサーと向き合
って置かれた基板上に電子注入層を形成する。
このとき、電子注入層８の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において
濃度分布があっても構わない。

［９］陰極
陰極９は、発光層側の層（電子注入層８又は発光層５など）に電子を注入する役割を果
たす。陰極９として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることも可能
であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネ
シウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が
用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、
アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。

陰極９の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目
的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子

の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白
金等の金属が使われる。

［１０］その他の構成層
以上、図１に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子に
おける陽極２及び陰極９と発光層５との間には、その性能を損なわない限り、上記説明に
ある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層５以外の任意の層を省略して
もよい。
正孔阻止層８と同様の目的で、正孔輸送層４と発光層５の間に電子阻止層を設けること
も効果的である。電子阻止層は、発光層５から移動してくる電子が正孔輸送層４に到達す
るのを阻止することで、発光層５内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発
光層５内に閉じこめる役割と、正孔輸送層４から注入された正孔を効率よく発光層５の方
向に輸送する役割がある。

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯ
ＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。
また、発光層５を湿式成膜法で形成する場合、電子阻止層も湿式成膜法で形成することが
、素子製造が容易となるため、好ましい。
このため、電子阻止層も湿式成膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止
層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフ
ェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号）等が挙げられる。

なお、図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正
孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に積層することも可能
であり、少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設
けることも可能である。
さらには、図１に示す層構成を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造
）とすることも可能である。その際には段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ
、陰極がＡｌの場合はその２層）の代わりに、例えばＶ２Ｏ５等を電荷発生層として用い
ると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。

本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子
、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用すること
ができる。

＜表示装置及び照明装置＞
本発明の表示装置及び照明装置は、上述のような本発明の有機電界発光素子を用いたも
のである。本発明の表示装置及び照明装置の形式や構造については特に制限はなく、本発
明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発刊、時任静士、
安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の表示装置および照明
装置を形成することができる。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り
以下の実施例に限定されるものではない。なお、下記の実施例における各種の条件や評価
結果の値は、本発明の実施態様における上限または下限の好ましい値としての意味をもつ
ものであり、好ましい範囲は前記した上限または下限の値と下記実施例の値または実施例
同士の値との組合せで規定される範囲であってもよい。
＜二核錯体Ａ＞は、ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌ１５巻、Ｎｏ３、ｐ２２４
、Ｊｉｕｎ−ＰｅｙＤｕａｎ、Ｐｅｉ−ＰｅｉＳｕｎ、Ｃｈｉｅｎ−ＨｏｎｇＣｈ
ｅｎ）記載の既知の方法により合成した。
＜本発明化合物（Ｄ−１）の合成例＞

１００ｍＬの２口ナスフラスコに（中間体１）（１．０ｇ）、二核錯体Ａ（１．５ｇ）
、ジグリム（３５ｍＬ）を入れ撹拌、窒素バブリングし、次いでトリフルオロメタンスル
ホン酸銀（０．６ｇ）を入れ、オイルバス１００℃で加熱した。
３時間後にバス温を１３０℃に上げ、１時間半加熱した後、冷却、ろ過し、濾取物を塩
化メチレンで洗浄、濾液を濃縮した。

得られた濃縮物は、カラムクロマトグラフィーに処し精製を行った。質量分析により、
化合物の合成を確認した［収量：２３ｍｇ、ＬＣ：９９．９９％、
ＭＡＬＤＩ−ＭＳｍ／ｚ＝１３５４．５（Ｍ^＋）］。
この化合物を１５ｍｇはかりとり、そこにフェニルシクロヘキサンを９８５ｍｇ加え、
１００℃にて加熱溶解することにより、１．５ｗｔ％濃度の組成物を調製した。
この組成物を室温にて保存したところ２か月以上、固体の析出は観察されなかった。

（実施例１）
有機電界発光素子は以下に示す方法にて作製した。
＜有機電界発光素子の作製＞
ガラス基板上１の上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を７０ｎｍの厚
さに堆積したもの（ジオマテック社製、スパッタ成膜品）を、通常のフォトリソグラフィ
ー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成
した。

パターン形成したＩＴＯ基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水
洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最
後に紫外線オゾン洗浄を行った。このＩＴＯは、透明電極２として機能する。
次いで、正孔注入層を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層の材料とし
て、下記式（ＰＢ−１）の芳香族アミノ基を有する高分子化合物と、下記式（ＰＢ−２）
の芳香族アミノ基を有する高分子化合物、下記に示す構造式の電子受容性化合物（Ａ−１
）とを用い、下記の条件でスピンコートし、膜厚４０ｎｍの均一な薄膜を作成した。

＜正孔注入層用組成物＞
（溶剤）安息香酸エチル
（塗布液濃度）ＰＢ−１：０．８７５重量％
ＰＢ−２：２．６２５重量％
Ａ−１：０．５２５重量％
＜成膜条件＞
（スピンコート雰囲気）大気下２３℃
（乾燥条件）２３０℃、６０分
続いて、正孔輸送層を以下のように湿式製膜法によって形成した。正孔輸送層の材料と
して、下記に示す構造式の電荷輸送材料（ＰＢ−３）の芳香族アミノ基を有する高分子化
合物を、溶剤としてフェニルシクロヘキサンを用いた有機電界発光素子用組成物を調製し
、この有機電界発光素子用組成物を用いて下記の条件でスピンコートし、膜厚１０ｎｍの
薄膜を作成した。

＜正孔輸送層形成用塗布液＞
（溶媒）フェニルシクロヘキサン
（塗布液濃度）１．０重量％
＜成膜条件＞
（スピンコート雰囲気）窒素雰囲気下
（加熱条件）２３０℃、１時間
次に、発光層を形成するにあたり、電荷輸送材料として、以下に示す、化合物（Ｈ−１
）、化合物（Ｈ−２）及び、発光材料として、前記イリジウム錯体化合物（Ｄ−１）を用
いて下記に示すイリジウム錯体化合物含有組成物を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層
上にスピンコートして膜厚５０ｎｍで発光層を得た。なお、化合物（Ｈ−１）ならびに（
Ｈ−２）は、それぞれ、ＷＯ２０１２／０９６２６３号公報、日本国特開２０１１−０２
６２３７号公報にて記載の方法にて合成した。

＜発光層用組成物＞
（溶媒）フェニルシクロヘキサン
（塗布液濃度）Ｈ−１：１．０重量％
Ｈ−２：３．０重量％
Ｄ−１：０．６重量％
（乾燥条件）１２０℃、２０分（乾燥窒素下）
ここで、発光層までを成膜した基板を、真空蒸着装置内に移し、装置内の真空度が２．
０×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した後、下記に示す構造を有する有機化合物（ＢＡ
ｌｑ）を真空蒸着法にて発光層の上に積層させ、膜厚１０ｎｍの正孔阻止層６を得た。
引き続き、下記に示す構造を有する有機化合物（Ａｌｑ３）を真空蒸着法にて正孔阻止
層６の上に積層させ、膜厚２０ｎｍの電子輸送層７を形成した。

ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った素子を一度取り出し、別の蒸着装置に設置し
、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯ
ストライプとは直交するように素子に密着させて、装置内の真空度が２．３×１０−４Ｐ
ａ以下になるまで排気を行った。
電子注入層８として、先ずフッ化リチウム（ＬｉＦ）を０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層
７の上に成膜した。次に、陰極９として膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成した。以上
の２層の蒸着時の基板温度は室温に保持した。

引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方
法で封止処理を行った。
窒素グローブボックス中で、２３ｍｍ×２３ｍｍサイズのガラス板の外周部に、約１ｍ
ｍの幅で光硬化性樹脂３０Ｙ−４３７（スリーボンド社製）を塗布し、中央部に水分ゲッ
ターシート（ダイニック社製）を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着
された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布さ
れた領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。

以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が
得られた。この素子は電圧を印加することにより赤色に発光し、表１に示すような特性を
示した。

（比較例１および２）
実施例１において、イリジウム錯体化合物Ｄ−１を下記に示すＤ−２に置き換えたほか
は、実施例１と同様に有機電界発光素子を作成した。この素子は電圧を印加することによ
り赤色に発光し、表１に示す特性を示した。なお、化合物Ｄ−２は、国際公開２００８／
１０９８２４号に記載の方法にて調製した。

表１から明らかなように、本発明のイリジウム錯体化合物を用いて塗布法にて作成した
有機電界発光素子は駆動寿命が長く電気的耐久性が高いことがわかった。
本発明を詳細にまた特定の実施形態を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱
することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである
。本出願は、２０１２年１２月５日出願の日本特許出願（特願２０１２−２６７５１０）
に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

１基板
２陽極
３正孔注入層
４正孔輸送層
５発光層
６正孔阻止層
７電子輸送層
８電子注入層
９陰極

Claims

下記式（１）で表されるイリジウム錯体化合物及び沸点２００℃以上の溶剤を含む、組
成物。
［式（１）において、Ｉｒはイリジウム原子を表す。Ｌ¹〜Ｌ³は有機配位子を表し、それ
ぞれＩｒと結合を形成する。ｍは１〜２の整数であり、ｎは１〜２の整数であり、ｍ＋ｎ
は３である。ただし、式（１）で表されるイリジウム錯体化合物は、Ｌ²に下記式（２）
で表される部分構造を少なくとも１つ含み、かつ、Ｌ¹とイリジウム原子との結合様式が
下記式（３−１）で表され、Ｌ²とイリジウム原子との結合様式が下記式（４−１）で表
される。］
［式（２）において、Ａｒ¹は炭素数３〜２０のアリール基を表し、Ｘは、炭素数４〜２
０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、または下記式（２−１）で表される置
換基のいずれかを表す。］
［式（２−１）において、Ｙは、水素原子の置換基を表し、複数存在する場合はそれぞれ
独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４
０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基
、炭素数３〜２０のアリール基を表す。Ｚは、水素原子の置換基を表し、複数存在する場
合はそれぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、
炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリ
ールオキシ基を表す。ｐは０〜４の整数、ｑは２〜１０の整数、ｒは０〜５の整数を表す
。］
［Ｒ¹〜Ｒ⁹は、それぞれ同一または異なり、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子
、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリ
ールオキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭素
数１〜２０であるアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数４
〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０の
アリールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基、のいずれかを表す。これらの基はさら
に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０の
アラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリールオキシ基、ア
ルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭素数３〜２０である
アリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数４〜２０のアリール
カルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０のアリールアミノ基
、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていてもよい。ただし、イリジウムとは、Ｒ¹⁰
の置換部位にて結合を形成する。］
［式（４−１）において、Ｒ¹²〜Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁸〜Ｒ¹⁹は、それぞれ同一または異なり、水素
原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０のアリール基のいずれかを表す。こ
れらの基はさらに、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭
素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアリー
ルオキシ基、アルキル基の炭素数１〜２０であるアルキルシリル基、アリール基の炭素数
３〜２０であるアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数４〜
２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノ基、炭素数３〜２０のア
リールアミノ基、炭素数３〜２０のアリール基で置換されていてもよい。また、Ｒ¹²〜Ｒ
¹⁵、及び、Ｒ¹⁶〜Ｒ¹⁹は、それぞれ隣り合うＲ¹²〜Ｒ¹⁵、及び、Ｒ¹⁶〜Ｒ¹⁹と炭素数３〜
１２のアルキレン基または炭素数３〜１２のアルケニレン基で結合して環を形成してもよ
い。これらの環はさらにフッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、アルキル基の炭素数
１〜２０であるトリアルキルシリル基、アリール基の炭素数１〜２０であるアリールシリ
ル基、炭素数１〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数１〜２０のアリールカルボニル基
、炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、炭素数１〜２０のアリールアミノ基、炭素数３〜
２０のアリール基で置換されていてもよい。
Ｒ¹⁷は、Ｘを表す。］