JP2021061316A - 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】燐光素子において湿式成膜法によって有機電界発光素子の作成が可能であり、特に高分子化合物を電荷輸送材として発光層に用いた場合であっても、駆動電圧が低く高効率の有機電界発光素子を作成することができる有機電界発光素子用組成物を提供する。【解決手段】特定構造のカルバゾール誘導体からなる低分子化合物と、特定構造のカルバゾール誘導体を含む繰り返し単位を有する高分子化合物と、発光材とを含む有機電界発光素子用組成物。この有機電界発光素子組成物を用いて形成された発光層を有する有機電界発光素子１０。【選択図】図１

Description

本発明は有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」と称す場合がある。）の発光層を形成するために有用な有機電界発光素子用組成物に関する。本発明はまた、該有機電界発光素子用組成物を用いて形成された発光層を有する有機電界発光素子、該有機電界発光素子を有する表示装置及び照明装置に関する。

有機ＥＬ照明や有機ＥＬディスプレイなど、有機ＥＬ素子を利用した各種電子デバイスが実用化されている。有機電界発光素子は、印加電圧が低いため消費電力が小さく、三原色発光も可能であるため、大型のディスプレイモニターだけではなく、携帯電話やスマートフォンに代表される中小型ディスプレイへの応用が始まっている。

有機電界発光素子は発光層や電荷注入層、電荷輸送層など複数の層を積層することにより製造される。現在、有機電界発光素子の多くは、有機材料を真空下で蒸着することにより製造されているが、真空蒸着法では、蒸着プロセスが煩雑となり、生産性に劣る。また、真空蒸着法で製造された有機電界発光素子では照明やディスプレイのパネルの大型化が極めて難しい。

近年、大型のディスプレイや照明に用いることのできる有機電界発光素子を効率よく製造するプロセスとして、湿式成膜法（塗布法）が研究されている。湿式成膜法は、真空蒸着法に比べて安定した層を容易に形成できる利点があるため、ディスプレイや照明装置の量産化や大型デバイスへの適用が期待されている。

有機電界発光素子を湿式成膜法で製造するためには、使用される材料はすべて有機溶媒に溶解してインクとして使用できるものである必要がある。使用材料が溶解性に劣ると、長時間加熱するなどの操作を要するため、使用前に材料が劣化してしまう可能性がある。さらに、溶液状態で長時間均一状態を保持することができないと、溶液から材料の析出が起こり、インクジェット装置などによる成膜が不可能となる。湿式成膜法に使用される材料には、有機溶媒に速やかに溶解することと、溶解した後析出せず均一状態を保持する、という２つの意味での溶解性が求められる。

湿式成膜法の、真空蒸着法に対する利点として、１つの層により多くの材料種を使用することができる点が挙げられる。真空蒸着法では材料種が増加すると蒸着速度を一定にコントロールすることが困難になるのに対して、湿式成膜法では材料種が増加しても各材料が有機溶媒に溶解しさえすれば、一定の成分比のインクが作成可能である。

近年、この利点を利用してインクに多種の機能材料や発光体を用い、有機電界発光素子の発光効率を高めたり、駆動電圧を低めたりして、有機電界発光素子の性能を改善しようとする試みがなされている（例えば、特許文献１及び２）。

また、特許文献３には、電荷輸送ユニットと電子輸送ユニットを含むポリマーを、発光層に有する有機発光素子を開示されている。
非特許文献１には、ビスカルバゾールを含むポリマーを発光層に用いた有機発光素子を開示されている。
特許文献４にはアリールアミンを含むポリマーおよびカルバゾールを有する化合物を発光層に含む有機発光素子を開示されている。
特許文献５には、共役繰り返しユニットおよび非共役繰り返しユニットを含むホストポリマーおよび発光ドーパントを含むインクを用いた発光組成物が開示されている。
特許文献６には、トリアジンユニットを含むポリマーホスト、ジベンゾフランなどのカルバゾール誘導体を含むインクを用いた有機発光素子を開示されている。

国際公開第２０１５／１９２９３９号 国際公開第２０１６／０１５８１５号 特開２００３−２２１４８４号公報 特開２００６−０９７００８号公報 国際公開第２０１１／１４１７０９号 国際公開第２０１６／１３５０６４号

IP.com Journal Volume4，Issue1，Pages26，Journal；Patent，2003

しかしながら、前述の先行技術では、ディスプレイ用途に対して、有機電界発光素子の性能の点で十分とは言えず、特に、燐光素子において、さらなる駆動電圧の低減、効率の改善が求められていた。
特に、高分子化合物を電荷輸送材として発光層に用いた場合、駆動電圧が高くなる場合があることが分かった。

本発明は、燐光素子において湿式成膜法によって有機電界発光素子の作成が可能であり、特に高分子化合物を電荷輸送材として発光層に用いた場合であっても、駆動電圧が低く高効率の有機電界発光素子を作成することができる有機電界発光素子用組成物を提供することを課題とするものである。

本発明者は、発光層内に電荷輸送性化合物として高分子化合物を用いる場合、高分子だけでなく、比較的低分子の電荷輸送性化合物を用い、且つ、高分子化合物と低分子化合物が、ともにビスカルバゾール環を含む特定の同一の構造を部分構造として有することで、上記課題を解決できることを見出した。
このような効果が奏されるメカニズムとしては、高分子化合物だけでなく低分子化合物を併用することで、高分子化合物間の電荷輸送能力を補強することができ、さらにこれらが共にビスカルバゾール環を含む特定の同一の部分構造を有することで層内の電荷輸送がより容易となり、従来よりも低い電圧での駆動が可能となっていることによると考えられる。さらに電荷輸送能の向上により、層内の電荷量が増えるため、従来よりも有機電界発光素子の性能が向上すると考えられる。

即ち、本発明の要旨は、以下の通りである。

［１］ 下記式（１）で表される低分子化合物と、下記式（２）で表される構造を含む繰り返し単位を有する高分子化合物と、発光材とを含む有機電界発光素子用組成物。

［上記式（１）中、Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。］

［式（２）中、Ａｒ^２１及びＡｒ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリーレン基、炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基、あるいはこれらの組み合わせである。
Ｒ^３１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ｅは、直接連結、又は下記式（２−ａ）で表される基である。］

［式（２−ａ）中、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、又は炭素数３〜３０のヘテロアリール基のうちのいずれかを表し、これらの基はさらに置換基を有していてもよく、ｋは１〜８の整数を表す。］

［２］ 前記発光材として、下記式（３）で表される化合物を含む［１］に記載の有機電界発光素子用組成物。

［式（３）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。置換基を複数有する場合は、同一でもよく、異なっていてもよい。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。また、ベンゼン環に結合する隣り合うＲ^１またはＲ^２は互いに結合してさらに環を形成してもよい。
ａは０〜４の整数であり、ｂは０〜３の整数である。
ｎは０〜２の整数であり、ｍは０〜２０の整数である。
環Ａは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、アザトリフェニレン環、カルボリン環のいずれかである。
環Ａは、置換基を有していてもよく、該置換基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数３〜２０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜２０のアリール基と炭素数３〜２０のヘテロアリール基の組み合わせである。また、環Ａに結合する隣り合う置換基どうしが結合してさらに環を形成してもよい。
Ｚ^１は、直接連結またはｍ＋１価の芳香族基を表す。
Ｌ^１は補助配位子を表し、ｌは１〜３の整数である。補助配位子が複数ある場合は、それぞれ異なっていてもよく、同一であってもよい。］

［３］ 前記式（３）で表される化合物が、下記式（３−１）で表される化合物である［２］に記載の有機電界発光素子用組成物。

［上記式（３−１）中、
３つのＸ^２は、同時にＣまたはＮを表す。
Ｚ^２は、直接連結またはｐ＋１価の芳香族連結基を表す。
Ｚ^３は、直接連結またはｑ＋１価の芳香族連結基を表す。
ｐ、ｑは１〜１０の整数である。
Ｒ^１、Ｒ^２、ａ、ｂ、ｎ、環Ａ、Ｌ^１、ｌは、式（３）におけるＲ^１、Ｒ^２、ａ、ｂ、ｎ、環Ａ、Ｌ^１、ｌと同義である。］

［４］ 前記式（３）または前記式（３−１）中のｌが３である［２］または［３］に記載の有機電界発光素子用組成物。

［５］ 前記式（３）中のＺ^１、または、前記式（３−１）中のＺ^２及びＺ^３が直接連結である［２］ないし［４］のいずれかに記載の有機電界発光素子用組成物。

［６］ ［１］ないし［５］のいずれかに記載の有機電界発光素子組成物を用いて形成された発光層を含む有機電界発光素子。

［７］ ［６］に記載の有機電界発光素子を有する表示装置。

［８］ ［６］に記載の有機電界発光素子を有する照明装置。

本発明の有機電界発光素子用組成物により、燐光素子において湿式成膜法によって有機電界発光素子の作成が可能であり、特に高分子化合物を電荷輸送材として発光層に用いた場合であっても、駆動電圧が低く高効率の有機電界発光素子を提供することができる。

このような本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された発光層を含む本発明の有機電界発光素子は、電気化学的安定性に優れ、駆動電圧が低く高効率であるため、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。

図１は、本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。

以下に、本発明の有機電界発光素子用組成物、該有機電界発光素子用組成物を用いた本発明の有機電界発光素子、並びに該有機電界発光素子を有する有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明装置の実施の態様を詳細に説明するが、以下の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明は、その要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。

なお、本明細書において、特に断りなく「アリール」および「アリーレン」の文言を用いた場合はそれぞれ、１価の芳香族炭化水素構造、２価の芳香族炭化水素構造を表す。
また、ヘテロアラルキル基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリール基とは、それぞれヘテロ環を有するアラルキル基、ヘテロ環を有するアリールオキシ基、ヘテロ環を有するアリール基を表す。「ヘテロ環を有する」とは、アリール基、アラルキル基又はアリールオキシ基の芳香環を形成する炭素原子のうち１又は２以上の炭素原子がヘテロ原子に置換されていることを表し、ヘテロ原子としては窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子等が挙げられ、中でも耐久性の観点から窒素原子が好ましい。ヘテロアリーレン基についても同様である。
また、本明細書において、「芳香族連結基」とは、芳香族炭化水素連結基、即ち、芳香族炭化水素環を有する連結基のみならず、複素芳香族連結基、即ち、複素芳香族環を有する連結基を含む広義の芳香族連結基を表す。

〔有機電界発光素子用組成物〕
本発明の有機電界発光素子用組成物は、下記式（１）で表される低分子化合物（以下、「低分子化合物（１）」と称す場合がある。）と、下記式（２）で表される構造を含む繰り返し単位（以下、「繰り返し単位（２）」と称す場合がある。）を有する高分子化合物（以下、「高分子化合物（２）」と称す場合がある。）と、発光材とを含むことを特徴とする。

［上記式（１）中、Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。］

［式（２）中、Ａｒ^２１及びＡｒ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリーレン基、炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基、あるいはこれらの組み合わせである。
Ｒ^３１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ｅは、直接連結、又は下記式（２−ａ）で表される基である。］

［式（２−ａ）中、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、又は炭素数３〜３０のヘテロアリール基のうちのいずれかを表し、これらの基はさらに置換基を有していてもよく、ｋは１〜８の整数を表す。］

低分子化合物（１）と、高分子化合物（２）は、好ましくは電荷輸送性の化合物であり、共に下記式（ＢｉｓＣｚＰ）で表されるビスカルバゾール環の部分構造を有する。このように低分子化合物（１）と高分子化合物（２）とで共通する部分構造を有することで、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された発光層における電荷輸送性が高められ、駆動電圧を下げることが可能となる。また、電荷輸送性の向上により、発光層内の電荷量が増え、有機電界発光素子の素子性能が向上する。

［低分子化合物（１）］
本発明に係る低分子化合物（１）は、前記式（１）で表される化合物であり、本発明の有機電界発光素子用組成物中に電荷輸送材料として含有される。

（式（１））
（Ｒ^１０〜Ｒ^１３）
Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。

炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基のいずれでもよく、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、イソペンチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基等の直鎖の炭素数１〜８のアルキル基が好ましい。

炭素数７〜４０のアラルキル基または炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基を構成する水素原子の一部がアリール基またはヘテロアリール基で置換された基を指す。具体的には、２−フェニル−１−エチル基、クミル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基、７−フェニル−１−ヘプチル基、テトラヒドロナフチル基などが挙げられる。中でも、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基、７−フェニル−１−ヘプチル基が好ましい。

炭素数１〜２０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。中でも、ヘキシルオキシ基が好ましい。

炭素数６〜２０のアリールオキシ基または炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、４−メチルフェニルオキシ基等が挙げられる。中でも、フェノキシ基が好ましい。

炭素数１〜２０のアルキルシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルフェニル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基等が挙げられ、中でもトリイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基が好ましい。

炭素数６〜２０のアリールシリル基の具体例としては、ジフェニルピリジルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられ、中でもトリフェニルシリル基が好ましい。

炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ピバロイル基、カプロイル基、デカノイル基、シクロヘキシルカルボニル基等が挙げられ、中でもアセチル基、ピバロイル基が好ましい。

炭素数７〜２０のアリールカルボニル基の具体例としては、ベンゾイル基、ナフトイル基、アントライル基等が挙げられ、中でもベンゾイル基が好ましい。

炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基等が挙げられ、中でもジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基が好ましい。

炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基の具体例としては、ジフェニルアミノ基、ジ（４−トリル）アミノ基、ジ（２，６−ジメチルフェニル）アミノ基等が挙げられ、中でもジフェニルアミノ基、ジ（４−トリル）アミノ基が好ましい。

炭素数６〜３０のアリール基とは、１個の遊離原子価を有する単環又は縮合環の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は、単環又は縮合環の芳香族炭化水素が複数連結した、１価の遊離原子価を有する炭素数１２〜３０の芳香族炭化水素基である。

炭素数３〜３０のヘテロアリール基とは、１個の遊離原子価を有する単環又は縮合環の炭素数３〜３０のヘテロアリール基、又は、単環又は縮合環のヘテロアリール環が複数連結した、１価の遊離原子価を有する炭素数６〜３０のヘテロアリール基である。

炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせとは、１又は複数の単環又は縮合環の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素と、１又は複数の単環又は縮合環の炭素数３〜３０のヘテロアリール環が連結した、炭素数９〜３０の、１個の遊離原子価を有する基である。

炭素数６〜３０のアリール基の具体例としては、１個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等、及び、炭素数３０以下となるようにこれらが複数連結した１個の遊離原子価を有する構造が挙げられる。複数のアリールが連結した基としては、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。

炭素数３〜３０のヘテロアリール基の具体例としては、１個の遊離原子価を有する、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等、及び、炭素数３０以下となるようにこれらが複数連結した１個の遊離原子価を有する構造が挙げられる。

これら炭素数６〜３０のアリール基又は炭素数３〜３０のヘテロアリール基の中でも、耐久性の観点から、１個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環が好ましく、中でも、１個の遊離原子価を有し、炭素数１〜８のアルキル基で置換されていてもよいベンゼン環、炭素数１〜８のアルキル基で置換されていてもよいナフタレン環または炭素数１〜８のアルキル基で置換されていてもよいフェナントレン環などの炭素数６〜１８のアリール基、または、１個の遊離原子価を有し、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいピリジン環がより好ましく、１個の遊離原子価を有し、炭素数１〜８のアルキル基で置換されていてもよいベンゼン環、炭素数１〜８のアルキル基で置換されていてもよいナフタレン環または炭素数１〜８のアルキル基で置換されていてもよいフェナントレン環などの炭素数６〜１８のアリール基がさらに好ましい。

これらの中でも、Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、耐久性の点から、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、又は、炭素数３〜３０のヘテロアリール基であることが好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数７〜３０のアラルキル基、炭素数４〜３０のヘテロアラルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数４〜２０のヘテロアリール基であることがより好ましく、炭素数６〜２０のアリール基であることがさらに好ましい。
また、電荷輸送性の点では、Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、炭素数６〜２０のアリール基か炭素数４〜２０のヘテロアリール基であることが好ましく、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、インデノカルバゾリル基、インデノフルオレニル基であることがさらに好ましい。

これらの組み合わせとしては、例えばアリール基とアルキル基との組み合わせ、アリール基とアラルキル基との組み合わせ、または、アリール基とアルキル基、アラルキル基との組み合わせを用いることができる。アリール基とアラルキル基との組み合わせとしては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基と、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基との組み合わせを用いることができる。

また、溶媒に対する溶解性向上のため、Ｒ^１０〜Ｒ^１３の内少なくとも一つは水素原子ではないことが好ましい。電子耐久性向上の観点からは、カルバゾール構造の３位（Ｎのパラ位）であるＲ^１１又はＲ^１３の少なくとも一方が水素原子以外であることが好ましい。また、Ｒ^１１及びＲ^１３が水素原子であり、かつ、Ｒ^１０またはＲ^１２の少なくとも一方が水素原子以外であることも好ましい。

これらの基がさらに有していてもよい置換基としては、以下に例示する置換基群Ｚまたは、これらの組み合わせを用いることができる。熱および電子耐久性の観点から、置換基群Ｚの中でもビフェニル基、トリフェニル基、フルオレニル基、フェニル基を含むフルオレニル基が特に好ましい。

低分子化合物（１）、及び後述の高分子化合物（２）に含まれる基が更に置換基を有する場合、当該置換基としては、以下の置換基群Ｚから選ばれるもの、又は、後述の架橋性基が挙げられる。

［置換基群Ｚ］
例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ドデシル基等の、炭素数が通常１以上であり、好ましくは４以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基；
例えば、ビニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルケニル基；
例えば、エチニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルキニル基；
例えば、メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシ基；
例えば、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上であり、通常３６以下、好ましくは２４であるアリールオキシ基若しくはヘテロアリールオキシ基；
例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシカルボニル基；
例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるジアルキルアミノ基；
例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−カルバゾリル基等の、炭素数が通常１０以上、好ましくは１２以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下のジアリールアミノ基；
例えば、フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常７以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるアリールアルキルアミノ基；
例えば、アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアシル基；
例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；
例えば、トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常１以上であり、通常１２以下、好ましくは６以下のハロアルキル基；
例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下のアルキルチオ基；
例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるアリールチオ基；
例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシリル基；
例えば、トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシロキシ基；
シアノ基；
例えば、フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常６以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるアリール基；
例えば、チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるヘテロアリール基。
上記の置換基群Ｚの中でも、好ましくは、前記アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基である。電荷輸送性の観点からは、アリール基又はヘテロアリール基がさらに好ましい。若しくは置換基を有さないことがさらに好ましい。耐熱性および電子耐久性の観点からは、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、９位及び９’位の少なくとも一方がフェニル基で置換されたフルオレニル基が特に好ましい。

また、上記置換基群Ｚの各置換基は更に置換基を有していてもよい。それら置換基としては、上記置換基（置換基群Ｚ）と同じのもの又は後述の架橋性基が挙げられる。好ましくは、更なる置換基は有さないか、炭素数６以下のアルキル基、炭素数６以下のアルコキシ基、フェニル基又は後述の架橋性基である。電荷輸送性の観点からは、さらなる置換基を有さないことがより好ましい。

（低分子化合物（１）の分子量）
低分子化合物（１）の分子量は、通常５，０００以下、好ましくは３，０００以下、より好ましくは２，０００以下、さらに好ましくは１，０００以下であり、また通常４００以上、好ましくは５００以上、さらに好ましくは６００以上である。
低分子化合物（１）の分子量が上記上限値を超えると、純度向上のための精製プロセスが困難となる傾向がある。また、低分子化合物（１）の分子量が上記下限値を下回ると、低分子化合物のガラス転移温度、融点及び気化温度が低下するため、耐熱性が低下する場合がある。

（低分子化合物（１）の具体例）
以下に、本発明の有機電界発光素子用組成物に電荷輸送性材料として含まれる低分子化合物（１）の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

上記具体例の通り、式（１）におけるＲ^１０、Ｒ^１２は、フェニル基、ビフェニル基、タ−フェニル基、或いはＲ^１０、Ｒ^１２を有するベンゼン環に縮合したカルバゾール基または、これらの組み合わせが特に好ましい。また、Ｒ^１１、Ｒ^１３はフェニル基、ビフェニル基であることが特に好ましい。

［高分子化合物（２）］
高分子化合物（２）は、前記式（２）で表される構造を含む繰り返し単位（２）を有する高分子化合物である。なお、高分子化合物（２）は、１種類の繰り返し単位（２）を有するものであってもよく、２種以上の繰り返し単位（２）を有するものであってもよい。

（Ａｒ^２１及びＡｒ^２２）
Ａｒ^２１及びＡｒ^２２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基、又はこれらの組み合わせである。炭素数６〜３０のアリーレン基、炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基は、Ｒ^１０〜Ｒ^１３の「炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基」について述べた１個の遊離原子価を有するものを、２個の遊離原子価を有するものと読み替えたものが好ましい。

Ａｒ^２１及びＡｒ^２２は、高分子化合物の主鎖であるため、電荷輸送時の耐久性の観点から、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロアリーレン基又はこれらの組み合わせであることが好ましく、中でも、有機溶剤に対する溶解性及び耐熱性の点から、Ａｒ^２１およびＡｒ^２２は、それぞれ独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、トリアジン環、フルオレン環、ビフェニル環、ターフェニル環からなる群より選ばれる環由来の２価の基が好ましく、さらに好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、トリアジン環、フルオレン環、ビフェニル環、ターフェニル環からなる群より選ばれる環由来の２価の基であり、特に好ましくは、ベンゼン環、トリアジン環、フルオレン環、ビフェニル環、ターフェニル環からなる群より選ばれる環由来の２価の基である。

（Ｒ^３１〜Ｒ^４４）
Ｒ^３１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立して、前記Ｒ^１０〜Ｒ^１３と同様の基である。
これらの基のそれぞれの具体例、好ましい構造、さらに有していてもよい置換基も、Ｒ^１０〜Ｒ^１３と同様である。

耐久性および溶解性の点からＲ^３１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基であることが好ましく、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜２０のアリール基であることがより好ましい。

また、Ｒ^３１〜Ｒ^４４の内少なくとも一つは水素原子ではないことが好ましい。電子耐久性向上の観点からは、カルバゾール構造の３位（Ｎのパラ位）であるＲ^３２又はＲ^４３の少なくとも一方が水素原子以外であることが好ましい。

（Ｅ）
Ｅは、直接連結、又は前記式（２−a）で表される基である。

前記式（２−a）中、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロ環のアラルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基のうちのいずれかを表す。その具体例としては、それぞれＲ^１０〜Ｒ^１３にて記載のものと同様のものを用いることができる。これらの基はさらに置換基を有していてもよく、その置換基もＲ^１０〜Ｒ^１３にて記載のものと同様のものを用いることができる。耐久性および溶解性の点から、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０のヘテロアリール基であることが好ましく、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数６〜２０のアリール基であることがより好ましい。

ｋは１〜８の整数であるが、好ましくは１〜４であり、耐久性の点からより好ましくは１である。

Ｅは好ましくは前記式（２−a）で表される基である。

（架橋性基）
低分子化合物（１）、高分子化合物（２）は、架橋性基を有していてもよい。特に高分子化合物（２）は、架橋性基を架橋して膜を不溶化することで、湿式成膜法による積層体を形成し易い点で、架橋性基を含むことが好ましい。
ここで、架橋性基とは、熱及び／又は活性エネルギー線の照射により近傍に位置するほかの分子の同一又は異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基のことをいう。

架橋性基としては、例えばエポキシ基、オキセタン基等の環状エーテル基、ビニルエーテル基等のカチオン重合によって架橋する基が好ましい。反応性が高く、溶剤に対する溶解性を容易に低下できるためである。中でも、カチオン重合の速度を制御しやすい点ではオキセタン基が特に好ましく、カチオン重合の際に素子の劣化を招く可能性のあるヒドロキシル基が生成しにくい点では、酸素原子を介してビニル基が結合するビニルエーテル基が特に好ましい。
また、例えばシンナモイル基などのアリールビニルカルボニル基、ベンゾシクロブテン環由来の基等の環化付加反応する基は、電気化学的安定性をさらに向上させる点では好ましい。
中でも、架橋性基としては、下記＜架橋性基群Ｔ＞のいずれかが好ましい。

＜架橋性基群Ｔ＞

上記架橋性基群Ｔに示される式（Ｔ−１）〜式（Ｔ−５）におけるＲ^１０１、Ｒ^１０２、Ｒ^１０４は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、Ｒ^１０１、Ｒ^１０２、Ｒ^１０４のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルキル基等が挙げられる。Ｒ^１０５は水素原子又はビニル基を示す。Ｒ^１０３は置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３０のヘテロアリールを表す。上記架橋性基群Ｔの内、式（Ｔ−８）、式（Ｔ−９）で表わされる架橋性基は、置換基を有していてもよく、また置換基同士が互いに結合して環を形成してもよい。有してもよい置換基は前記置換基群Ｚに示される基であり、それらの中でも好ましくはアルキル基またはアルコキシ基である。

電気化学的安定性に優れる点からは、式（Ｔ−５）、式（Ｔ−７）、式（Ｔ−８）又は式（Ｔ−９）で表される基が好ましく、式（Ｔ−８）又は式（Ｔ−９）で表わされる基がより好ましい。

高分子化合物（２）が有する架橋性基の種類は、１種類であってもよく、２種類以上が任意の組み合わせ及び任意の比率で併用されていてもよい。中でも、組み合わせとしては、式（Ｔ−５）又は式（Ｔ−７）で表わされる基の少なくとも一方と、式（Ｔ−８）又は式（Ｔ−９）で表わされる基の少なくとも一方を含む組み合わせが好ましい。

高分子化合物（２）が架橋性基を有する場合、架橋性基は繰り返し単位（２）中にあってもよく、またその他の繰り返し単位中にあってもよいが、いずれの場合であっても側鎖に含まれることが好ましい。
従って、繰り返し単位（２）中に架橋性基が含まれる場合、成膜した後の未反応架橋性基が少なく、得られる素子の駆動寿命に影響を及ぼし難いという点で、式（２）におけるＲ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^３２およびＲ^４３に置換基として架橋性基を含むことが好ましい。
架橋性基はＲ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^３２およびＲ^４３に直接連結していてもよく、適切な２価の基を介して結合していてもよい。この２価の基としては、−Ｏ−基、−Ｃ（＝Ｏ）−基又は置換基を有していてもよい−ＣＨ_２−基からなる群より選ばれる基を、任意の組み合わせ、比率及び順番で１〜１２個連結してなる２価の基が好ましい。

これら２価の基を介する架橋性基、即ち、架橋性基を含む基の具体例は以下の通りである。ただし、本発明に係る架橋性基は以下の例示物に限定されるものではない。

高分子化合物（２）が有する架橋性基の数は、分子量１０００あたりの数で表すことができる。
高分子化合物（２）が有する架橋性基の数を、分子量１０００あたりの数で表した場合、分子量１０００あたり、通常３．０個以下、好ましくは２．０個以下、さらに好ましくは１．０以下、また通常０．０１以上、好ましくは０.０５以上である。
架橋基の数が上記範囲内であると、クラックによって平坦な膜を形成しにくくなることがなく、また架橋した後の膜中に残る未反応架橋性基が少なく、得られる素子の駆動寿命に影響を及ぼし難い。
更に、架橋した後の膜において、溶剤に対する溶解性の低下が十分で、湿式成膜による多層積層構造の形成がし易い点で好ましい。

ここで、高分子化合物（２）の分子量１０００あたりの架橋性基の数は、高分子化合物（２）からその末端基を除いて、合成時の仕込みモノマーのモル比と、構造式から算出する。
例えば、後述の実施例に使用した構造式（Ｈ−５）で表される高分子化合物の場合については以下に説明する通りである。

上記（Ｈ−５）において、末端基を除いた繰り返し単位の分子量は平均１０３８．４１であり、また架橋性基は、１繰り返し単位当たり平均０．０９個である。これを単純比例により計算すると、分子量１０００あたりの架橋性基の数は、０．０９個と算出される。

（繰り返し単位（２）の含有割合）
高分子化合物（２）は、繰り返し単位（２）以外の繰り返し単位（以下、「その他の繰り返し単位」と称する。）を含んでいてもよい。
高分子化合物（２）において、その他の繰り返し単位に対する繰り返し単位（２）の割合（繰り返し単位（２）／その他の繰り返し単位）は、仕込みモル比で、通常０．０１倍モル以上、好ましくは５０モル倍以上、さらに好ましくは８０モル倍以上である。
繰り返し単位（２）の含有割合が上記下限以上であれば、本発明の効果が良好に得られる点で好ましい。
尚、高分子化合物（２）は、三重項レベルが高く、電荷輸送能及び電気化学的安定性に優れ、積層化が可能の観点からから、繰り返し単位（２）のみからなる重合体であることが特に好ましい。

（分子量）
高分子化合物（２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常２，０００，０００以下、好ましくは５００，０００以下、より好ましくは１００，０００以下、さらに好ましくは５０，０００以下であり、また通常５，０００以上、好ましくは７，０００以上、より好ましくは１０，０００以上、さらに好ましくは１５，０００以上である。
重量平均分子量が上記上限値を超えると、溶媒に対する溶解性が低下するため、成膜性が損なわれるおそれがある。また、重量平均分子量が上記下限値を下回ると、高分子化合物のガラス転移温度、融点及び気化温度が低下するため、耐熱性が低下する場合がある。

また、高分子化合物（２）の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは３．５以下であり、さらに好ましくは２．５以下、特に好ましくは２．０以下である。尚、分散度は値が小さい程よいため、下限値は理想的には１である。該高分子化合物の分散度が、上記上限値以下であると、精製が容易で、また溶媒に対する溶解性や電荷輸送能が良好である。

ここで、高分子化合物（２）の重量平均分子量（Ｍｗ）はＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）測定により決定される。ＳＥＣ測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン（標準試料）の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量（Ｍｗ）が算出される。数平均分子量（Ｍｎ）についても同様に求められる。

（高分子化合物（２）の具体例）
以下に、高分子化合物（２）の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（高分子化合物（２）の製造方法）
高分子化合物（２）の製造方法は特には制限されず、繰り返し単位（２）を有する高分子化合物（２）が得られる限り任意である。例えば、Ｓｕｚｕｋｉ反応による重合方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応による重合方法、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応による重合方法、Ｕｌｌｍａｎｎ反応による重合方法、Ｂｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｇ反応による重合方法等などによって製造することができる。

［発光材］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、発光材として例えば下記式（３）で表される化合物を発光ドーパントとして含むことができる。
下記式（３）で表される化合物における環Ａに電子輸送性置換基である後述の式（３−２Ｂ）で表される基が結合する場合、式（３）で表される錯体化合物の電子輸送性が強くなり、発光層に電荷が不足することが問題になるが、この化合物と共に、ビスカルバゾール構造を共に含む低分子化合物（１）及び高分子化合物（２）を含むことにより電荷輸送能力を向上させて上記の問題を解決することができる。

［式（３）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。置換基を複数有する場合は、同一でもよく、異なっていてもよい。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。また、ベンゼン環に結合する隣り合うＲ^１またはＲ^２は互いに結合してさらに環を形成してもよい。
ａは０〜４の整数であり、ｂは０〜３の整数である。
ｎは０〜２の整数であり、ｍは０〜２０の整数である。
環Ａは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、アザトリフェニレン環、カルボリン環のいずれかである。
環Ａは、置換基を有していてもよく、該置換基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数３〜２０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜２０のアリール基と炭素数３〜２０のヘテロアリール基の組み合わせである。また、環Ａに結合する隣り合う置換基どうしが結合してさらに環を形成してもよい。
Ｚ^１は、直接連結またはｍ＋１価の芳香族基を表す。
Ｌ^１は補助配位子を表し、ｌは１〜３の整数である。補助配位子が複数ある場合は、それぞれ異なっていてもよく、同一であってもよい。］

（式（３））
（Ｒ^１、Ｒ^２）
Ｒ^１、Ｒ^２の具体例及び好ましい構造は、Ｒ^１０〜Ｒ^１３にて記載のものと同様のものを用いることができる。Ｒ^１、Ｒ^２は、耐久性の点から、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数６〜２０のアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、又は、炭素数３〜３０のヘテロアリール基であることが好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は、炭素数３〜２０のヘテロアリール基であることがより好ましい。

Ｒ^１、Ｒ^２がさらに有していてもよい置換基としては、前述の置換基群Ｚのいずれか、用いることが好ましい。

ａは製造が容易な点で０であることが好ましく、溶解性が高められる点で１又は２であることが好ましく、１であることがさらに好ましい。
ｂは製造が容易な点で０であることが好ましく、耐久性及び溶解性が高められる点で１又は２であることが好ましく、１であることがさらに好ましい。

末端にｔ−ブチル基を有するフェニル基が有機溶媒への溶解性を高めるため、ｍは２以上であることが好ましい。末端にｔ−ブチル基を有するフェニル基は電荷輸送や発光への関与が小さいため、多すぎると、駆動電圧が高くなったり、発光効率が低くなったりする懸念があるため、ｍは８以下であることが好ましく、４以下であることがさらに好ましい。
式（３）で表される化合物は、このような末端ｔ−ブチル基を、化合物全体として４以上、特に６以上で、４８以下、特に２４以下有することが、溶解性と低駆動電圧、高い発光効率との両立の面で好ましい。

ｎは製造が容易な点で０または１が好ましく、駆動電圧が高くなる懸念が小さい点で、０であることが好ましく、溶解性が高められる点で１または２であることが好ましい。

（環Ａ）
環Ａは、耐久性の点から、ピリジン環、ピリミジン環、イミダゾール環であることが好ましく、ピリジン環であることがさらに好ましい。

環Ａは、置換基を有していてもよく、該置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、または炭素数６〜２０のアリール基、炭素数３〜２０のヘテロアリール基、または炭素数６〜２０のアリール基と炭素数３〜２０のヘテロアリール基の組み合わせが挙げられる。また、環Ａに結合する隣り合う置換基どうしが結合してさらに環を形成してもよい。
それぞれの置換基の具体例としては、Ｒ^１０〜Ｒ^１３にて記載したものと同様のものを用いることができる。
環Ａが有する置換基がさらに有していてもよい置換基としては、前述の置換基群Ｚのいずれか、またはこれらの組み合わせを用いることができる。

耐久性の点及び溶解性が高められる点で、環Ａは置換基として炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は、炭素数３〜２０のヘテロアリール基を有することが好ましい。また、環Ａは、製造が容易な点では置換基を有さないことが好ましい。環Ａは、置換基として、置換基を有してもよいフェニル基又はナフチル基を有することが、有機電界発光素子に用いられたときに励起子が生成しやすくなるため、発光効率が高められる点で好ましい。

また、環Ａは、置換基を有していてもよいキノリン環、置換基を有していてもよいイソキノリン環、置換基を有していてもよいキナゾリン環、置換基を有していてもよいキノキサリン環、置換基を有していてもよいアザトリフェニレン環、置換基を有していてもよいカルボリン環であることが、発光波長が長くなるため、赤色発光の用途で有用である。中でも、耐久性の点及び赤色発光を示す点で、環Ａは、置換基を有していてもよいキノリン環、置換基を有していてもよいイソキノリン環、置換基を有していてもよいキナゾリン環が好ましい。この場合の有していてもよい置換基は前記置換基群Ｚから選ぶことができ、具体例、好ましい構造も前記置換基群Ｚ同様である。

（Ｚ^１）
Ｚ^１は、製造が容易な点で、直接連結であることが好ましい。
Ｚ^１は、駆動電圧が高くなる懸念が小さい点で、ｍ＋１価の芳香族連結基であることが好ましい。

ｍが０である場合、Ｚ^１は、耐久性の点で、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基が好ましく、特に、フェニル基が好ましい。
ｍが１である場合、Ｚ^１は、耐久性の点で、フェニレン基、ビフェニレン基、テルフェニレン基、フルオレンジイル基が好ましく、特に、ｐ−フェニレン基が好ましい。

ｍが２以上である場合、Ｚ^１は、耐久性の点で、１，３，５−位に置換基が結合するベンゼン環又は２，４，６−位に置換基が結合するトリアジン環を含むことが好ましい。すなわち、Ｚ^１は、下記式（３−２Ａ）又は（３−２Ｂ）で表される３価の基を含むことが好ましい。

式（３−２Ａ）又は（３−２Ｂ）で表される基はイリジウムに結合するベンゼン環または環Ａに結合することが、さらに好ましい。
すなわち、この場合、式（３）で表される化合物は、下記式（３−１）で表される化合物であることが好ましい。

（式（３−１））

［上記式（３−１）中、
３つのＸ^２は、同時にＣまたはＮを表す。
Ｚ^２は、直接連結またはｐ＋１価の芳香族連結基を表す。
Ｚ^３は、直接連結またはｑ＋１価の芳香族連結基を表す。
ｐ、ｑは１〜１０の整数である。
Ｒ^１、Ｒ^２、ａ、ｂ、ｎ、環Ａ、Ｌ^１、ｌは、式（３）におけるＲ^１、Ｒ^２、ａ、ｂ、ｎ、環Ａ、Ｌ^１、ｌと同義である。］

上記式（３−１）中、Ｚ^２、Ｚ^３は、製造が容易な点で、直接連結であることが好ましい。

Ｚ^２及びＺ^３は、駆動電圧が高くなる懸念が小さい点で、ｐ＋１価及びｑ＋１価の芳香族連結基であることが好ましい。この場合、例えば、ｐ及びｑが１である場合、Ｚ^２及びＺ^３は、耐久性の点で、フェニレン基、ビフェニレン基、テルフェニレン基、フルオレンジイル基が好ましく、特に、ｐ−フェニレン基が好ましい。

ｐ及びｑが２以上である場合、Ｚ^２及びＺ^３は、耐久性の点で、１，３，５−位に置換基が結合するベンゼン環又は２，４，６−位に置換基が結合するトリアジン環を含むことが好ましい。すなわち、Ｚ^２及びＺ^３は、下記式（３−２Ａ）又は（３−２Ｂ）で表される３価の基を含むことが好ましい。

（Ｌ^１）
Ｌ^１は補助配位子であり、特に制限は無いが、好ましくは１価の２座配位子であり、より好ましくは下記式（３Ａ），（３Ｂ），（３Ｃ）で表される配位子の中から選ばれる。なお、下記式（３Ａ）〜（３Ｃ）中の破線は配位結合を表す。ｌが１で２つの補助配位子Ｌ^１が存在する場合は、補助配位子Ｌ^１は互いに同一であってもよく、異なる構造であってもよい。なお、ｌが３のときは、Ｌ^１は存在しない。

上記式（３Ａ），（３Ｂ）中、Ｒ^５１、Ｒ^５２は、前記Ｒ^１、Ｒ^２として選択される置換基と同様の群から選択され、好ましい例も同様である。
ｇは０〜４の整数である。ｈは０〜４の整数である。ｇ、ｈは製造が容易な点で０であることが好ましく、溶解性が高められる点で１又は２であることが好ましく、１であることがさらに好ましい。

（環Ｂ）
環Ｂは、ピリジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、アザトリフェニレン環、カルボリン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環のいずれかであり、これらは置換基を有していてもよい。
環Ｂは、耐久性の点から、ピリジン環、ピリミジン環、イミダゾール環であることが好ましく、ピリジン環であることがさらに好ましい。

環Ｂ上の水素原子は、耐久性の点及び溶解性が高められる点で、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は、炭素数３〜２０のヘテロアリール基で置換されていることが好ましい。また、環Ｂ上の水素原子は、置換されていないことが製造容易な点で好ましい。環Ｂ上の水素原子は、置換基を有してもよいフェニル基又はナフチル基で置換されていることが、有機電界発光素子に用いられたときに励起子が生成しやすくなるため、発光効率が高められる点で好ましい。

環Ｂは、環Ｂ上の置換基が互いに結合して環Ｂに縮合する縮合環を形成することで、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、アザトリフェニレン環、カルボリン環を形成することが、アシストドーパント上で励起子が生成しやすくなるため、発光効率が高められる点で好ましい。中でも、耐久性の点及び赤色発光を示す点で、環Ｂはキノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環を形成したものが好ましい。

式（３Ｃ）中、Ｒ^５３〜Ｒ^５５はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基またはハロゲン原子を表す。より好ましくは、Ｒ^５３とＲ^５５がメチル基またはｔ−ブチル基であり、Ｒ^５４は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはフェニル基である。

（式（３）で表される化合物の具体例）
以下に、本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる発光ドーパントである式（３）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（式（３）で表される化合物の合成方法）
本発明の有機電界発光素子用組成物に発光ドーパントとして含まれる式（３）で表される化合物は、イリジウム錯体である。このイリジウム錯体の合成方法を以下に示す。

イリジウム錯体の配位子は、既知の方法の組み合わせなどにより合成され得る。配位子の合成は、アリールボロン酸類とハロゲン化ヘテロアリール類との鈴木−宮浦カップリング反応、２−ホルミル又はアシルアニリン類あるいは互いにオルト位にあるアシル−アミノピリジン類等とのＦｒｉｅｄｌａｅｎｄｅｒ環化反応（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００９、１０９、２６５２、又は、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ，２８（２），３７−２０１）など既知の反応により合成することができる。

<イリジウム錯体の合成方法>
イリジウム錯体は、配位子と塩化イリジウムｎ水和物などを原料として、既知の方法の組み合わせにより合成できる。以下に説明する。

イリジウム錯体の合成方法としては、判りやすさのためにフェニルピリジン配位子を例として用いた下記式［Ａ］に示すような塩素架橋イリジウム二核錯体を経由する方法（Ｍ．Ｇ．Ｃｏｌｏｍｂｏ，Ｔ．Ｃ．Ｂｒｕｎｏｌｄ，Ｔ．Ｒｉｅｄｅｎｅｒ，Ｈ．Ｕ．ＧｕｄｅｌＩｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９４，３３，５４５−５５０）、下記式［Ｂ］二核錯体からさらに塩素架橋をアセチルアセトナートと交換させ単核錯体へ変換したのち目的物を得る方法（Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ，Ｐ．Ｄｊｕｒｏｖｉｃｈ，Ｄ．Ｍｕｒｐｈｙ，Ｆ．Ａｂｄｅｌ−Ｒａｚｚａｑ，Ｒ．Ｋｗｏｎｇ，Ｉ．Ｔｓｙｂａ，Ｍ．Ｂｏｒｚ，Ｂ．Ｍｕｉ，Ｒ．Ｂａｕ，Ｍ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２００１，４０，１７０４−１７１１）等が例示できるが、これらに限定されるものではない。

例えば、下記式［Ａ］で表される典型的な反応の条件は以下のとおりである。
第一段階として、第一の配位子２当量と塩化イリジウムｎ水和物１当量の反応により塩素架橋イリジウム二核錯体を合成する。溶媒は通常２−エトキシエタノールと水の混合溶媒が用いられるが、無溶媒あるいは他の溶媒を用いてもよい。配位子を過剰量用いたり、塩基等の添加剤を用いたりして反応を促進することもできる。塩素に代えて臭素など他の架橋性陰イオン配位子を使用することもできる。
反応温度に特に制限はないが、通常は０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましい。また、２５０℃以下が好ましく、１５０℃以下がより好ましい。反応温度がこの範囲であることで副生物や分解反応を伴うことなく目的の反応のみが進行し、高い選択性が得られる傾向にある。

二段階目は、トリフルオロメタンスルホン酸銀のようなハロゲンイオン捕捉剤を添加し第二の配位子と接触させることにより目的とする錯体を得る。溶媒は通常エトキシエタノール又はジグリムが用いられるが、配位子の種類により無溶媒あるいは他の溶媒を使用することができ、複数の溶媒を混合して使用することもできる。ハロゲンイオン捕捉剤を添加しなくても反応が進行する場合があるので必ずしも必要ではないが、反応収率を高め、より量子収率が高いフェイシャル異性体を選択的に合成するには該捕捉剤の添加が有利である。反応温度に特に制限はないが、通常０℃〜２５０℃の範囲で行われる。

下記式［Ｂ］で表される典型的な反応条件を説明する。
第一段階の二核錯体は式［Ａ］と同様に合成できる。
第二段階は、該二核錯体にアセチルアセトンのような１，３−ジオン化合物を１当量以上、及び、炭酸ナトリウムのような該１，３−ジオン化合物の活性水素を引き抜き得る塩基性化合物を１当量以上反応させることにより、１，３−ジオナト配位子が配位する単核錯体へと変換する。通常原料の二核錯体を溶解しうるエトキシエタノールやジクロロメタンなどの溶媒が使用されるが、配位子が液状である場合無溶媒で実施することも可能である。反応温度に特に制限はないが、通常は０℃〜２００℃の範囲内で行われる。

第三段階は、第二の配位子を１当量以上反応させる。溶媒の種類と量は特に制限はなく、第二の配位子が反応温度で液状である場合には無溶媒でもよい。反応温度も特に制限はないが、反応性が若干乏しいため１００℃〜３００℃の比較的高温下で反応させることが多い。そのため、グリセリンなど高沸点の溶媒が好ましく用いられる。

最終反応後は未反応原料や反応副生物及び溶媒を除くために精製を行う。通常の有機合成化学における精製操作を適用することができるが、上記の非特許文献記載のように主として順相のシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製が行われる。展開液にはヘキサン、ヘプタン、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトン、メタノールの単一又は混合液を使用できる。精製は条件を変え複数回行ってもよい。その他のクロマトグラフィー技術（逆相シリカゲルクロマトグラフィー、サイズ排除クロマトグラフィー、ペーパークロマトグラフィー）や、分液洗浄、再沈殿、再結晶、粉体の懸濁洗浄、減圧乾燥などの精製操作を必要に応じて施すことができる。

［電荷輸送性化合物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物（１）、高分子化合物（２）、式（３）で表される発光材以外の電荷輸送性化合物（以下、「電荷輸送性化合物（４）」と称す場合がある。）を含んでいてもよい。電荷輸送性を向上させる観点から、本発明の組成物は電荷輸送性化合物（４）を含むことが好ましい。電荷輸送性化合物（４）としては、電子輸送性化合物、正孔輸送性化合物、両極性化合物のいずれを用いてもよい。低分子化合物（１）と高分子化合物（２）の両方が有する共通構造である前記式（ＢｉｓＣｚＰ）は正孔輸送性に優れるため、電荷輸送性化合物（４）としては電子輸送性を有する化合物であることが好ましい。特に好ましくは、下記式（４）で表される化合物である。

式（４）中、Ｘ^１はＣまたはＮを表す。
Ｒ^５〜Ｒ^７は、前記Ｒ^１０〜Ｒ^１３と同様の基を表し、有していてもよい置換基、好ましい基も同様である。Ｒ^５が複数存在する場合、複数のＲ^５は同一でも良く、異なっていても良い。また、ベンゼン環に結合する隣り合うＲ^５は、互いに結合して当該ベンゼン環に縮合する環を形成していても良い。
ｃは０〜５の整数である。

また、電荷輸送性の点では、Ｒ^５〜Ｒ^７は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数３〜２０のヘテロアリール基であることが好ましく、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、インデノカルバゾリル基、インデノフルオレニル基であることがさらに好ましい。これらの基は前記Ｒ^１０〜Ｒ^１３と同様にさらに置換基を有してもよい。
ｃは耐久性の点から０〜２の整数であることが好ましい。

電荷輸送性化合物（４）は低分子化合物であることが好ましく、分子量は通常５，０００以下、好ましくは３，０００以下、より好ましくは２，０００以下、さらに好ましくは１，０００以下であり、また通常４００以上、好ましくは５００以上、さらに好ましくは６００以上である。

以下に、本発明の有機電界発光素子用組成物に電荷輸送性材料として含まれる式（４）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［溶媒］
本発明の有機電界発光素子用組成物は通常溶媒を含む。
本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒は、湿式成膜により発光層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。

該溶媒は、溶質である低分子化合物（１）、高分子化合物（２）や発光ドーパントとしての式（３）で表される化合物、その他必要に応じて含まれていてもよい後述の他の発光材料や電荷輸送性材料が良好に溶解する溶媒であれば特に限定されない。

好ましい溶媒としては、例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン（フェニルシクロヘキサン）、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類；シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類等が挙げられる。中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類であり、特に、シクロヘキシルベンゼンは湿式成膜プロセスにおいて好ましい粘度と沸点を有している。

これらの溶媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。

溶媒の沸点は、通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１５０℃以上、特に好ましくは２００℃以上である。また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２４０℃以下である。沸点がこの範囲を下回ると、湿式成膜時において、組成物からの溶媒蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。

［組成］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、通常、湿式成膜法で層や膜を形成するために用いられ、特に有機電界発光素子の発光層を形成するために用いられることが好ましい。

本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物（１）の１種のみを含むものであってもよく、２種以上を含むものであってもよい。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物は、高分子化合物（２）の１種のみを含むものであってもよく、２種以上を含むものであってもよい。
前記式（３）で表される化合物についても同様に、本発明の有機電界発光素子用組成物に１種のみが含まれていてもよく、２種以上が含まれていてもよい。
また、電荷輸送性化合物（４）についても同様に、本発明の有機電界発光素子用組成物に１種のみが含まれていてもよく、２種以上が含まれていてもよい。

本発明の有機電界発光素子用組成物における、低分子化合物（１）の含有量は、通常０．００５質量％以上、好ましくは０．０５質量％以上、通常５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下である。低分子化合物（１）の含有量をこの範囲とすることにより、低分子化合物（１）の凝集を防ぐことができ、凝集による消光を抑えられると考えられる。また、ビスカルバゾール構造を含む前記式（ＢｉｓＣｚＰ）構造を部分構造として有する低分子化合物（１）と高分子化合物（１）の両方を発光層に含むことで、高い正孔輸送能を有することが期待される。その結果、高い発光効率と長い駆動寿命を有する素子を得ることができると考えられる。

本発明の有機電界発光素子用組成物における、高分子化合物（２）の含有量は、通常０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以上、通常２０質量％以下、好ましくは１０質量％以下である。高分子化合物（２）の含有量をこの範囲とすることにより、該組成物を有機電界発光素子用途に利用した場合に、励起エネルギーが隣接する層（例えば、正孔輸送層や正孔阻止層）に移動することが少なく、また、励起子同士の相互作用により消光することが少なくなるため、発光効率を高めることができると考えられる。

有機電界発光素子用組成物における、発光ドーパントである前記式（３）で表される化合物の含有量は、通常０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以上、通常２０質量％以下、好ましくは１０質量％以下である。式（３）で表される化合物の含有量をこの範囲とすることにより、該組成物を有機電界発光素子用途に利用した場合に、励起エネルギーが隣接する層（例えば、正孔輸送層や正孔阻止層）に移動することが少なく、また、励起子同士の相互作用により消光することが少なくなるため、発光効率を高めることができると考えられる。

また、本発明の有機電界発光素子用組成物は、高分子化合物（２）と低分子化合物（１）との合計１００質量部に対して、式（３）で表される化合物を５〜１００質量部、特に１５〜６０質量部含有することが、発光効率の観点から好ましい。発光を担う式（３）で表される化合物が少なすぎると効率が低下し、多すぎると消光しやすくなり効率が低下する。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物（１）と高分子化合物（２）との合計１００質量部中に、高分子化合物（２）を１０〜９８質量部、特に５０〜９０質量部含有することが、電荷バランスが適切で、効率が高められる観点から好ましい。

本発明の有機電界発光素子用組成物が電荷輸送性化合物（４）を含有する場合、その含有量は、通常０．００５質量％以上、好ましくは０．０５質量％以上、通常５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下である。

また、本発明の有機電界発光素子用組成物が電荷輸送性化合物（４）を含有する場合、低分子化合物（１）、高分子化合物（２）及び電荷輸送性化合物（４）との合計１００質量部に対して、式（３）で表される化合物を５〜１００質量部、特に１５〜６０質量部含有することが、発光効率の観点から好ましい。発光を担う式（３）で表される化合物が少なすぎると効率が低下し、多すぎると消光しやすくなり効率が低下する。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物が電荷輸送性化合物（４）を含有する場合、低分子化合物（１）、高分子化合物（２）及び電荷輸送性化合物（４）との合計１００質量部中に、高分子化合物（２）を１０〜９８質量部、特に５０〜９０質量部含有することが、電荷バランスが適切で、効率が高められる観点から好ましい。

本発明の有機電界発光素子用組成物の溶媒の含有量は、組成物１００質量部中に、好ましくは１０質量部以上、より好ましくは５０質量部以上、特に好ましくは８０質量部以上であり、また、好ましくは９９．９５質量部以下、より好ましくは９９．９質量部以下、特に好ましくは９９．８質量部以下である。
後述の通り、通常発光層の厚みは３〜２００ｎｍ程度であるが、溶媒の含有量がこの下限を下回ると、組成物の粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、溶媒の含有量がこの上限を上回ると、成膜後、溶媒を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。

なお、前述の通り、本発明の有機電界発光素子用組成物には、溶媒の１種のみが含まれていても、２種以上が組み合わされて含まれていてもよい。

［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成した発光層を含むものである。

本発明の有機電界発光素子は、好ましくは、基板上に少なくとも陽極、陰極及び陽極と陰極の間に少なくとも１層の有機層を有するものであって、前記有機層のうちの少なくとも１層として本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成した発光層を含むものである。好ましくは、有機層として、正孔輸送層とこの正孔輸送層に隣接する発光層を有する。

本発明において湿式成膜法とは、成膜方法、即ち、塗布方法として、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等、湿式で成膜される方法を採用し、これらの方法で成膜された膜を乾燥して膜形成を行う方法をいう。

図１は本発明の有機電界発光素子１０に好適な構造例を示す断面の模式図である。図１において、符号１は基板、符号２は陽極、符号３は正孔注入層、符号４は正孔輸送層、符号５は発光層、符号６は正孔阻止層、符号７は電子輸送層、符号８は電子注入層、符号９は陰極を各々表す。

これらの構造に適用する材料は、公知の材料を適用することができ、特に制限はないが、各層に関しての代表的な材料や製法を一例として以下に記載する。以下において、公報や論文等を引用している場合、該当内容を当業者の常識の範囲で適宜、適用、応用することができるものとする。

＜基板１＞
基板１は、有機電界発光素子の支持体となるものであり、通常、石英やガラスの板、金属板又は金属箔、プラスチックフィルム又はシート等が用いられる。これらのうち、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。基板１は、外気による有機電界発光素子の劣化が起こり難いことからガスバリア性の高い材質とするのが好ましい。特に合成樹脂製の基板等のようにガスバリア性の低い材質を用いる場合は、基板１の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を上げるのが好ましい。

＜陽極２＞
陽極２は、発光層側の層に正孔を注入する機能を担う。陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属；インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物；ヨウ化銅等のハロゲン化金属；カーボンブラック或いはポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。

陽極２の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の乾式法により行われることが多い。銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより形成することもできる。導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布したりして陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。

陽極２は、通常、単層構造であるが、適宜、積層構造としてもよい。陽極２が積層構造である場合、１層目の陽極上に異なる導電材料を積層してもよい。

陽極２の厚みは、必要とされる透明性と材質等に応じて、決めればよい。特に高い透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が６０％以上となる厚みが好ましく、８０％以上となる厚みが更に好ましい。陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下とするのが好ましい。
透明性が不要な場合は、陽極２の厚みは必要な強度等に応じて任意に厚みとすればよく、この場合、陽極２は基板１と同一の厚みでもよい。

陽極２の表面に成膜を行う場合は、成膜前に、紫外線＋オゾン、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等の処理を施すことにより、陽極上の不純物を除去すると共に、そのイオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させておくのが好ましい。

＜正孔注入層３＞
陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層は、通常、正孔注入輸送層又は正孔輸送層と呼ばれる。陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層が２層以上ある場合に、より陽極２側に近い方の層を正孔注入層３と呼ぶことがある。正孔注入層３は、陽極２から発光層５側に正孔を輸送する機能を強化する点で、用いることが好ましい。正孔注入層３を用いる場合、通常、正孔注入層３は、陽極２上に形成される。

正孔注入層３の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上で、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下である。

正孔注入層３の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点では、湿式成膜法により形成することが好ましい。

正孔注入層３は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがより好ましい。更には、正孔注入層３中にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に好ましい。

（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は、通常、正孔注入層３となる正孔輸送性化合物を含有する。
湿式成膜法の場合は、通常、更に溶媒も含有する。正孔注入層形成用組成物は、正孔輸送性が高く、注入された正孔を効率よく輸送できるのが好ましい。このため、正孔移動度が大きく、トラップとなる不純物が製造時や使用時等に発生し難いのが好ましい。また、安定性に優れ、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光に対する透明性が高いことが好ましい。特に、正孔注入層３が発光層５と接する場合は、発光層５からの発光を消光しないものや発光層５とエキサイプレックスを形成して、発光効率を低下させないものが好ましい。

正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から、４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、キナクリドン系化合物等が挙げられる。

上述の例示化合物のうち、非晶質性及び可視光透過性の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、芳香族三級アミン化合物が特に好ましい。芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は、特に制限されないが、表面平滑化効果により均一な発光を得やすい点から、重量平均分子量が１０００以上１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）を用いるのが好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例としては、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物等が挙げられる。

［式（Ｉ）中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族基又は置換基を有していてもよい複素芳香族基を表す。Ａｒ^３〜Ａｒ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族基又は置換基を有していてもよい複素芳香族基を表す。Ｑは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。］

下記に連結基を示す。

［上記各式中、Ａｒ^６〜Ａｒ^１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族基又は置換基を有していてもよい複素芳香族基を表す。Ｒ^ａ〜Ｒ^ｂは、それぞれ独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。］

Ａｒ^１〜Ａｒ^１６の芳香族基及び複素芳香族基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。

式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のもの等が挙げられる。

（電子受容性化合物）
正孔注入層３には、正孔輸送性化合物の酸化により、正孔注入層３の導電率を向上させることができるため、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。

電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、電子親和力が５ｅＶ以上である化合物が更に好ましい。

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物；トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体及びヨウ素等が挙げられる。

（カチオンラジカル化合物）
カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンとからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。

カチオンラジカルとしては、正孔輸送性化合物として前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましい。正孔輸送性化合物として好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが、非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、及び溶解性などの点から好適である。
カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなるカチオンイオン化合物が生成する。

ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２０００年，１２巻，４８１頁）やエメラルジン塩酸塩（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，１９９０年，９４巻，７７１６頁）等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合（脱水素重合）することによっても生成する。
ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、又は、電気化学的に酸化するものである。この酸化重合（脱水素重合）の場合、モノマーが酸化されることにより高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。

（湿式成膜法による正孔注入層３の形成）
湿式成膜法により正孔注入層３を形成する場合、通常、正孔注入層３となる材料を可溶な溶媒（正孔注入層用溶媒）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に湿式成膜法により成膜し、乾燥させることにより形成させる。成膜した膜の乾燥は、湿式成膜法による発光層５の形成における乾燥方法と同様に行うことができる。

正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点では、低い方が好ましく、正孔注入層３に欠陥が生じ難い点では、高い方が好ましい。正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、０．５質量％以上が特に好ましく、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下が更に好ましく、５０質量％以下が特に好ましい。

溶媒としては、例えば、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒などが挙げられる。

エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル及び１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。

エステル系溶媒としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イソプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
これらの他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。

正孔注入層３の湿式成膜法による形成は、通常、正孔注入層形成用組成物を調製後に、これを、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより行われる。正孔注入層３は、通常、成膜後に、加熱や減圧乾燥等により塗布膜を乾燥させる。

（真空蒸着法による正孔注入層３の形成）
真空蒸着法により正孔注入層３を形成する場合には、通常、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種類又は２種類以上を真空容器内に設置された坩堝に入れ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々を別々の坩堝に入れ）、真空容器内を真空ポンプで１０^−４Ｐａ程度まで排気した後、坩堝を加熱して（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々の坩堝を加熱して）、坩堝内の材料の蒸発量を制御しながら蒸発させ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々独立に蒸発量を制御しながら蒸発させ）、坩堝に向き合って置かれた基板上の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。２種類以上の材料を用いる場合は、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０^−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０^−４Ｐａ）以上、９．０×１０^−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０^−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上、５０℃以下で行われる。

＜正孔輸送層４＞
正孔輸送層４は、陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層である。正孔輸送層４は、本発明の有機電界発光素子では、必須の層では無いが、陽極２から発光層５に正孔を輸送する機能を強化する点では、この層を設けることが好ましい。正孔輸送層４を設ける場合、通常、正孔輸送層４は、陽極２と発光層５の間に形成される。正孔注入層３がある場合、正孔輸送層４は正孔注入層３と発光層５の間に形成される。

正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

正孔輸送層４の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点では、湿式成膜法により形成することが好ましい。

正孔輸送層４は、通常、正孔輸送層４となる正孔輸送性化合物を含有する。正孔輸送層４に含まれる正孔輸送性化合物としては、特に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４''−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等も好ましく使用できる。

（湿式成膜法による正孔輸送層４の形成）
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層３を湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに正孔輸送層形成用組成物を用いて形成させる。

湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、通常、正孔輸送層形成用組成物は、更に溶媒を含有する。正孔輸送層形成用組成物に用いる溶媒は、上述の正孔注入層形成用組成物で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
正孔輸送層形成用組成物中の正孔輸送性化合物の濃度は、正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送性化合物の濃度と同様の範囲とすることができる。

正孔輸送層４の湿式成膜法による形成は、前述の正孔注入層３の成膜法と同様に行うことができる。

（真空蒸着法による正孔輸送層４の形成）
真空蒸着法で正孔輸送層４を形成する場合も、通常、上述の正孔注入層３を真空蒸着法で形成する場合と同様にして、正孔注入層３の構成材料の代わりに正孔輸送層４の構成材料を用いて形成させることができる。蒸着時の真空度、蒸着速度及び温度などの成膜条件などは、正孔注入層３の真空蒸着時と同様の条件で成膜することができる。

＜発光層５＞
発光層５は、一対の電極間に電界が与えられた時に、陽極２から注入される正孔と陰極９から注入される電子が再結合することにより励起され、発光する機能を担う層である。
発光層５は、陽極２と陰極９の間に形成される層である。発光層５は、陽極２の上に正孔注入層３がある場合は、正孔注入層３と陰極９の間に形成され、陽極２の上に正孔輸送層４がある場合は、正孔輸送層４と陰極９との間に形成される。

発光層５の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜に欠陥が生じ難い点では厚い方が好ましく、一方、薄い方が低駆動電圧としやすい点で好ましい。発光層５の膜厚は、３ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上が更に好ましく、通常２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下が更に好ましい。

本発明の有機電界発光素子において、発光層５は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて好ましくは湿式成膜法により形成される。従って、発光層５は、低分子化合物（１）と高分子化合物（２）と発光材を含む。
特に好ましくは、この発光層に低分子化合物（１）と高分子化合物（２）に由来して繰り返し単位（２）の同じ構造のジカルバゾール体を５質量％以上有することである。発光層がこの様なジカルバゾール体を５質量％以上含むことにより、この発光層を有する有機電界発光素子をより低電圧駆動化することができ、長寿命化することが期待される。

本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により発光層を形成する場合、本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物（１）、高分子化合物（２）及び発光材としての式（３）で表される化合物以外に、その他の発光材料及び電荷輸送性材料を含んでもよい。
以下に他の発光材料及び電荷輸送性材料について詳述する。

（発光材料）
式（３）で表される化合物以外の発光材料は、所望の発光波長で発光し、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、公知の発光材料を適用可能である。発光材料は、蛍光発光材料でも、燐光発光材料でもよいが、発光効率が良好である材料が好ましく、内部量子効率の観点から燐光発光材料が好ましい。

蛍光発光材料としては、例えば、以下の材料が挙げられる。
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光発光材料）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光発光材料）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ_９Ｈ_６ＮＯ）_３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光発光材料）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光発光材料）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。

燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）の第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体等が挙げられる。周期表の第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。

有機金属錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。

好ましい燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム等のフェニルピリジン錯体及びオクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等のポルフィリン錯体等が挙げられる。

高分子系の発光材料としては、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（４，４’−（Ｎ−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（１，４−ベンゾ−２｛２，１’−３｝−トリアゾール）］などのポリフルオレン系材料、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］などのポリフェニレンビニレン系材料が挙げられる。

（電荷輸送性材料）
電荷輸送性材料は、正電荷（正孔）又は負電荷（電子）輸送性を有する材料であり、低分子化合物（１）以外の電荷輸送性材料としては、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、公知の材料を適用可能である。

電荷輸送性材料は、従来、有機電界発光素子の発光層に用いられている化合物等を用いることができ、特に、発光層のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。

電荷輸送性材料としては、具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物等の正孔注入層３の正孔輸送性化合物として例示した化合物等が挙げられる他、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物等の電子輸送性化合物等が挙げられる。

電荷輸送性材料としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４''−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール系化合物等の正孔輸送層４の正孔輸送性化合物として例示した化合物等も好ましく用いることができる。その他、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのオキサジアゾール系化合物、２，５−ビス（６’−（２’，２''−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール系化合物、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）などのフェナントロリン系化合物等も挙げられる。

（湿式成膜法による発光層５の形成）
本発明の有機電界発光素子は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により形成した発光層を有するが、本発明の有機電界発光素子は、発光層５として、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成した発光層以外の発光層を有しても良い。この発光層の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよいが、成膜性に優れることから、湿式成膜法が好ましい。

湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、本発明の有機電界発光素子用組成物、或いは発光層５となる材料を可溶な溶媒（発光層用溶媒）と混合して調製した発光層形成用組成物を、上述の正孔注入層３を湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに用いて形成させる。

溶媒としては、例えば、正孔注入層３の形成について挙げたエーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒の他、アルカン系溶媒、ハロゲン化芳香族炭化水系溶媒、脂肪族アルコール系溶媒、脂環族アルコール系溶媒、脂肪族ケトン系溶媒及び脂環族ケトン系溶媒などが挙げられる。用いる溶媒は、本発明の有機電界発光素子用組成物の溶媒としても例示した通りである。以下に溶媒の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。

例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル系溶媒；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル系溶媒；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、３−イソプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、メチルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン系溶媒；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール系溶媒；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール系溶媒；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン系溶媒；シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン系溶媒等が挙げられる。これらのうち、アルカン系溶媒及び芳香族炭化水素系溶媒が特に好ましい。

より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶媒が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、用いる溶媒の沸点は、前述の通り、通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上で、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。

溶媒の使用量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、前述の通り、発光層形成用組成物、即ち有機電界発光素子用組成物中の合計含有量は、低粘性なために成膜作業が行いやすい点で多い方が好ましく、厚膜で成膜しやすい点では低い方が好ましい。前述の通り、溶媒の含有量は、有機電界発光素子用組成物において好ましくは１質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、特に好ましくは５０質量％以上で、好ましくは９９．９９質量％以下、より好ましくは９９．９質量％以下、特に好ましくは９９質量％以下である。

湿式成膜後の溶媒除去方法としては、加熱又は減圧を用いることができる。加熱方法において使用する加熱手段としては、膜全体に均等に熱を与えることから、クリーンオーブン、ホットプレートが好ましい。

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、乾燥時間を短くする点では温度が高いほうが好ましく、材料へのダメージが少ない点では低い方が好ましい。加温温度の上限は通常２５０℃以下であり、好ましくは２００℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下である。加温温度の下限は通常３０℃以上であり、好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは８０℃以上である。加温温度が上記上限を超える温度は、通常用いられる電荷輸送性材料又は燐光発光材料の耐熱性より高く、分解や結晶化する可能性があり好ましくない。加熱温度が上記下限未満では溶媒の除去に長時間を要するため、好ましくない。加熱工程における加熱時間は、発光層形成用組成物中の溶媒の沸点や蒸気圧、材料の耐熱性、および加熱条件によって適切に決定される。

（真空蒸着法による発光層５の形成）
真空蒸着法により発光層５を形成する場合には、通常、発光層５の構成材料（前述の発光材料、電荷輸送性化合物等）の１種類又は２種類以上を真空容器内に設置された坩堝に入れ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々を別々の坩堝に入れ）、真空容器内を真空ポンプで１０^−４Ｐａ程度まで排気した後、坩堝を加熱して（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々の坩堝を加熱して）、坩堝内の材料の蒸発量を制御しながら蒸発させ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々独立に蒸発量を制御しながら蒸発させ）、坩堝に向き合って置かれた正孔注入層３又は正孔輸送層４の上に発光層５を形成させる。２種類以上の材料を用いる場合は、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸発させて発光層５を形成することもできる。

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０^−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０^−４Ｐａ）以上、９．０×１０^−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０^−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上、５０℃以下で行われる。

＜正孔阻止層６＞
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。

正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。

このような条件を満たす正孔阻止層６の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。国際公開第２００５／０２２９６２号に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。

正孔阻止層６の形成方法に制限はなく、前述の発光層５の形成方法と同様にして形成することができる。

正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上で、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。

＜電子輸送層７＞
電子輸送層７は素子の電流効率をさらに向上させることを目的として、発光層５又は正孔素子層６と電子注入層８との間に設けられる。
電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極９又は電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。

このような条件を満たす電子輸送性化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。

電子輸送層７の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

電子輸送層７は、発光層５と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により発光層５又は正孔阻止層６上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。

＜電子注入層８＞
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率よく、電子輸送層７又は発光層５へ注入する役割を果たす。
電子注入を効率よく行うには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。
電子注入層８の膜厚は、０．１〜５ｎｍが好ましい。

陰極９と電子輸送層７との界面に電子注入層８として、ＬｉＦ、ＭｇＦ_２、Ｌｉ_２Ｏ、Ｃｓ_２ＣＯ_３等の極薄絶縁膜（膜厚０．１〜５ｎｍ程度）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ，１５４頁）。
さらに、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

電子注入層８は、発光層５と同様にして湿式成膜法或いは真空蒸着法により、発光層５或いはその上の正孔阻止層６又は電子輸送層７上に積層することにより形成される。
湿式成膜法の場合の詳細は、前述の発光層５の場合と同様である。

＜陰極９＞
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８又は発光層５など）に電子を注入する役割を果たす。陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なう上では、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又はそれらの合金などが用いられる。陰極９の材料としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数の合金電極などが挙げられる。

素子の安定性の点では、陰極９の上に、仕事関数が高く、大気に対して安定な金属層を積層して、低仕事関数の金属からなる陰極９を保護するのが好ましい。積層する金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。
陰極の膜厚は通常、陽極２と同様である。

＜その他の構成層＞
以上、図１に示す層構成の素子を中心に説明したが、本発明の有機電界発光素子における陽極２及び陰極９と発光層５との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層５以外の任意の層を省略してもよい。

例えば、正孔阻止層８と同様の目的で、正孔輸送層４と発光層５の間に電子阻止層を設けることも効果的である。電子阻止層は、発光層５から移動してくる電子が正孔輸送層４に到達することを阻止することで、発光層５内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔輸送層４から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割がある。

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。
発光層５を湿式成膜法で形成する場合、電子阻止層も湿式成膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。
このため、電子阻止層も湿式成膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号）等が挙げられる。

図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に積層することも可能である。少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。
図１に示す層構成を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その際には段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合はその２層）の代わりに、例えばＶ_２Ｏ_５等を電荷発生層として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。

本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。

［表示装置及び照明装置］
本発明の表示装置及び照明装置は、上述のような本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の表示装置及び照明装置の形式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発刊、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の表示装置を形成することができる。

以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。
本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。

［実施例１］
以下の方法で有機電界発光素子を作製した。

ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を５０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。このようにＩＴＯをパターン形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。

正孔注入層形成用組成物として、下記式（Ｐ−１）で表される正孔輸送性高分子化合物を３．０質量％の濃度で、下記式（ＨＩ−１）で表される化合物を０．３質量％の濃度で、安息香酸エチルに溶解させた組成物を調製した。

この正孔注入層形成用組成物を、大気中で上記基板上にスピンコートし、大気中、ホットプレートで２４０℃にて３０分乾燥させ、膜厚４０ｎｍの均一な薄膜を形成し、正孔注入層とした。

次に、下記の構造式（ＨＴ−１）で表される電荷輸送性高分子化合物をシクロヘキシルベンゼンに３質量％溶解させて調製した正孔輸送層形成用組成物を、上記正孔注入層を成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで２４０℃にて３０分間乾燥させ、膜厚４５ｎｍの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。

引続き、発光層の材料として、下記の構造式（Ｈ−１）で表される化合物を５０質量部、下記の構造式（Ｈ−２）で表される化合物（重量平均分子量（Ｍｗ）：１８０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）：１．２９）を４７．５質量部、下記構造式（Ｈ−３）で表される化合物を２．５質量部、下記構造式（Ｄ−１）で表される化合物を３０質量部秤量し、シクロヘキシルベンゼンにこれらの合計で６．５質量％となるように溶解させて発光層形成用組成物を調製した。

この発光層形成用組成物を、上記正孔輸送層を成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで１２０℃にて２０分間乾燥させ、膜厚６５ｎｍの均一な薄膜を形成し、発光層とした。

発光層までを成膜した基板を真空蒸着装置に設置し、装置内を２×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。

次に、下記構造式（ＨＢ−１）で表される化合物および８−ヒドロキシキノリノラトリチウムを２：３の膜厚比で、発光層上に真空蒸着法にて１Å／秒の速度で共蒸着し、膜厚３０ｎｍの正孔阻止層を形成した。

続いて、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のＩＴＯストライプとは直交するように基板に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置し、陰極として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度１〜８．６Å／秒で膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極を形成した。

以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。

［比較例１］
発光層形成用組成物に含まれる材料組成（質量部）を、（Ｈ−１）：（Ｈ−２）：（Ｄ−１）＝５０：５０：３０としたこと以外は、実施例１と同様にして素子を作製した。

［実施例２］
発光層形成用組成物に含まれる材料組成（質量部）を、（Ｈ−４）：（Ｈ−５）：（Ｈ−３）：（Ｄ−２）＝６０：１０：３０：２０としたこと以外は、実施例１と同様にして素子を作製した。（Ｈ−４）、（Ｈ−５）（重量平均分子量（Ｍｗ）：１６１０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）：３．０６）、および（Ｄ−２）は、下記構造式で表される化合物である。

［比較例２］
発光層形成用組成物に含まれる材料組成（質量部）を、（Ｈ−４）：（Ｈ−５）：（Ｄ−２）＝６０：４０：２０としたこと以外は、実施例１と同様にして素子を作製した。

［素子の評価］
実施例１，２および比較例１，２で作製した有機電界発光素子を、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２で発光させたときの電流効率（ｃｄ／Ａ）を測定し、各々比較例１，２の電流効率を１００としたときの相対値を求め、結果を下記の表１に記した。また、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２で発光させたときの電圧（Ｖ）を測定し、比較例１，２の電圧との差（実施例１又は２の電圧−比較例１又は２の電圧）を求め、結果を下記の表１に記した。
表１の結果に表すが如く、本発明の有機電界発光素子は比較例の有機電界発光素子より、効率が向上し、電圧が低下することが分かった。

１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 正孔阻止層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極
１０ 有機電界発光素子

Claims (8)

1. 下記式（１）で表される低分子化合物と、
   下記式（２）で表される構造を含む繰り返し単位を有する高分子化合物と、
   発光材とを含む有機電界発光素子用組成物。
   

   

   ［上記式（１）中、Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。］
   

   

   ［式（２）中、Ａｒ^２１及びＡｒ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のアリーレン基、炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基、あるいはこれらの組み合わせである。
   Ｒ^３１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
   Ｅは、直接連結、又は下記式（２−ａ）で表される基である。］
   

   

   ［式（２−ａ）中、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、又は炭素数３〜３０のヘテロアリール基のうちのいずれかを表し、これらの基はさらに置換基を有していてもよく、ｋは１〜８の整数を表す。］
2. 前記発光材として、下記式（３）で表される化合物を含む請求項１に記載の有機電界発光素子用組成物。
   

   

   ［式（３）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数３〜３０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜３０のアリール基と炭素数３〜３０のヘテロアリール基の組み合わせである。置換基を複数有する場合は、同一でもよく、異なっていてもよい。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。また、ベンゼン環に結合する隣り合うＲ^１またはＲ^２は互いに結合してさらに環を形成してもよい。
   ａは０〜４の整数であり、ｂは０〜３の整数である。
   ｎは０〜２の整数であり、ｍは０〜２０の整数である。
   環Ａは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、アザトリフェニレン環、カルボリン環のいずれかである。
   環Ａは、置換基を有していてもよく、該置換基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜４０のアラルキル基、炭素数４〜４０のヘテロアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数３〜２０のヘテロアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数６〜２０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールカルボニル基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数３〜２０のヘテロアリール基又は、炭素数６〜２０のアリール基と炭素数３〜２０のヘテロアリール基の組み合わせである。また、環Ａに結合する隣り合う置換基どうしが結合してさらに環を形成してもよい。
   Ｚ^１は、直接連結またはｍ＋１価の芳香族基を表す。
   Ｌ^１は補助配位子を表し、ｌは１〜３の整数である。補助配位子が複数ある場合は、それぞれ異なっていてもよく、同一であってもよい。］
3. 前記式（３）で表される化合物が、下記式（３−１）で表される化合物である請求項２に記載の有機電界発光素子用組成物。
   

   

   ［上記式（３−１）中、
   ３つのＸ^２は、同時にＣまたはＮを表す。
   Ｚ^２は、直接連結またはｐ＋１価の芳香族連結基を表す。
   Ｚ^３は、直接連結またはｑ＋１価の芳香族連結基を表す。
   ｐ、ｑは１〜１０の整数である。
   Ｒ^１、Ｒ^２、ａ、ｂ、ｎ、環Ａ、Ｌ^１、ｌは、式（３）におけるＲ^１、Ｒ^２、ａ、ｂ、ｎ、環Ａ、Ｌ^１、ｌと同義である。］
4. 前記式（３）または前記式（３−１）中のｌが３である請求項２または請求項３に記載の有機電界発光素子用組成物。
5. 前記式（３）中のＺ^１、または、前記式（３−１）中のＺ^２及びＺ^３が直接連結である請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の有機電界発光素子用組成物。
6. 請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の有機電界発光素子組成物を用いて形成された発光層を含む有機電界発光素子。
7. 請求項６に記載の有機電界発光素子を有する表示装置。
8. 請求項６に記載の有機電界発光素子を有する照明装置。

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