TW201133943A - Light emitting diode - Google Patents

Description

201133943 JO^ZUpif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之例示性實施例是關於發光二極體，且更特定 言之，是關於經組態以防止由於電極或電極襯墊㈣之形 成而造成發光區之減少的發光二極#。 【先前技術】 在約10年内已應用並開發以氮化錄（Galliumnitride， GaN)為主的發光二極體（LED)。以⑽為主之㈣表 示LED技術之㈣改變，且㈣包含自然色㈣顯示裝 置、LED交通標珠牌、白光LED等的寬廣範圍之應用中。 ^年來，期望用高效率之白光LED㈣換螢光燈 ，且特定 言之，白光LED之效率接近典型螢光燈之效率等級。 以GaN為主之發光二極體大體上是藉由在基板（例 如，藍寶石基板）上生長磊晶層而形成，且包含\型半導 體層、p型半導體層以及插入於N型半導 體層之間的作用⑽•另外二 體層上且P電極形成於P型半導體層上。發光二極體經由 此等電極而電輯接至外部電社藉由外部電絲操作。 此處，電流自P電極經由半導體層而導¾丨至N電極。 大體而言，因為P型半導體層具有高的比電阻率，所 以電流並不是均勻地分配於P型半導體層中，而是集中於 上面形成有P電極之P型半導體層之部分上，從而造成電 流集中於P型半導體層之邊緣上的問題。電流集中導致發 光區之減少，進而使發光效率劣化。為了解決此等問題， 4 201133943 3652Upif 在P型半導體層上形成具有低的比電 便增強電流分配。纽結射，當自電極層以 電流在進入P型半導體層中之極; 進而增加LED之發光區。 处73电極層而散佈， 而因為透明電極層傾向於吸收光，μ 、$ 層之厚度受物，_娜纽的電極 對於為了獲得㊅輸“具有約1平方絲或1平方毫 二：的較大面積，電流經由透明電極層的散‘ 其間，電流經由半導體層而流動至N電極中。因此 電流集中於上面形成有N電極之半導體層之部分上’ 亦即，流動於半導體層中之電流集中於靠近上面形有， 電極之N型半導體層之區域處。因此，需要一種解決n型 半導體層内之電流集中問題的發光二極體》 、 通常’將各種類型之電極結構用於發光二極體以確保 均勻的電流散佈。 ^ 圖1說明具有對角（diagonal)式電極結構之發光二極 體。 … 在圖1中’參考數字1表示N電極，2表示P電植， 3表示暴露之N型半導體層’且4表示透明電極層。 參看圖1，對角式電極結構對於小型LED極有致 隨著LED之大小增加而造成電流逐漸集中於LED之中央 區域上’以致僅LED之中央區域發光。另外’簡單的面對 型(facing type)結構之電極圖案(pattern)亦遭受與對角式電 201133943

JO^ZUpiI 極結構相同之問題。 圖2說明具有面對型結構與對稱延伸型結構之植合電 極結構的發光二歸，且圖3 2之線A_ 橫截面圖。 在圖2以及圖3令，參考數字u表示基板，13表示 N型半導體層’ 15表示作用層，17表示p型半導體層， 19表示透明電極層，21表示N電極，22與23表示^電 極之延伸部分，31表示p電極，且32與33表示p電極之 延伸部分。 參看圖2以及圖3，面對型結構與對稱延伸型結構之 組合電極結構大體上用於較大尺寸之LED。可瞭解，電極 之延伸部分22、23、32、33形成於LED晶片之發光區之 上，從而具有增加之區以用於確保發光區上之均勻的電流 分配。 然而，對於組合型結構，因為N型半導體層是藉 由凸〇 (mesa)钮刻而暴露以形成ρ電極31之延伸部分32、 33以及N電極21之延伸部分22、23，所以發光區不可避 免地將減少。 此外’在當前技術狀態下，為了電流擴散，則形成於 單一晶片上之電極襯墊的數目須達雙倍以上，且用於形成 電極以及此等電極之延伸部分的凸台蝕刻區亦擴張。由於 電極襯墊之數目之增加而造成的凸台蝕刻區之擴張導致基 於相同晶片面積之發光區之減少，進而使發光效率劣化。 201133943 36^2Upif 【發明内容】 本發明之例示性實施例提供一種發光二極體，所述發 光二極體經組態以防止由於電極或電極襯墊之形成而造成 發光區之減少。 本發明之其它特徵將在隨附的描述中加以闡述，且有 一部分將自所述描述而顯而易見，或可藉由本發明之實踐 而獲悉。 本發明之另外其他態樣、特徵以及優點僅藉由說明若 干特定實施例以及實施㈣（包含祕執行本發明之最佳 模式）而容易自以下的詳細描述顯而易見。本發明 多，不同實施例之形式，絲干細節可在各種顯而易見之 =樣中修改，财情形料偏離本發明之精相及範轉。 =此’圖式以及贿在本質上應視為說明性的且非限制性 本發明之例示性實施例揭露一種發 光二極體包含：下部半導體層，其·。所批 ，層’其安置於所述下部半導方=== 半導體層之邊緣區域之至少 ：：暴路所述下部 所述上部半導體層之區耻以將電=極’其形成於 體層’其中絕緣層插人於所述第；。=述下部半導 層之所述區域之間；第二 β，、所述上部半導體 層之另-區域上以將電；丄；形成於所述上部半導體 所述第-電極之延伸部分，：自所半導體層；以及 之所述下料導_之至少—部分。第1極延伸至暴露 201133943 3652Upif j述絕緣層可藉由將具有不同折射率之至少兩個絕 ，層交替地堆疊於彼此上方而形成。此處，定位於最外側 處之所述絕緣層可包括Si化合物。所述Si化合物可為 Si〇2 〇 所述絕緣層可形成於所述上部半導體層之整個上表 面之上。 所述絕緣層可包含所述第一電極下方的DBR έ士 絕緣層。 、、 所述發光二極體可更包含凸台表面區域中在所述第 一電極之所述延伸部分下方的DBR結構之絕緣層，所述 DBR結構之所述絕緣層形成為暴露所述下部半導體層之 所述邊緣區域之所述至少一部分。 曰 所述發光二極體可更包含所述第一電極之所述延伸 邛为周圍的DBR結構之絕緣層，所述j)BR結構之所述絕 緣層形成為到達暴露之所述下部半導體層之所述至少一部 分0 所述DBR結構之所述絕緣層可藉由將具有不同折射 率之至少兩個絕緣層交替地堆疊於彼此上方而形成。此 處，定位於最外側處之所述絕緣層可包括Si化合物。所述 Si化合物可為Si02。 ~ 所述發光二極體可更包含所述第二電極下方的dbr 結構之絕緣層。 所述DBR結構之所述絕緣層可藉由將具有不同折射 率之至少兩個絕緣層交替地堆疊於彼此上方而形成。此 201133943 J652Uplf 處’定位於最外側處之所述絕緣層可包括Si化合物。所述 Si化合物可為Si02。 所述第一電極之所述延伸部分可形成於傾斜凸台表 面上，所述傾斜凸台表面自所述上部半導體層延伸至所述 下部半導體層。 所述發光二極體可更包含所述第二電極之延伸部 分，所述第二電極之所述延伸部分在所述上部半導體層上 自所述苐二電極延伸。 所述基板可更包含DBR結構之絕緣層。 所述DBR結構之所述絕緣層可藉由將具有不同折射 率之至少兩個絕緣層交替地堆疊於彼此上方而形成。此 處，位於最外側處之所述絕緣層可包括Si化合物。所述 Si化合物可為Si02。 所述基板可為PSS基板且所述DBR結構之所述絕緣 層可形成於所述基板之PSS區域上。 所述DBR結構之所述絕緣層可形成於所述基板之底 表面上。 所述發光二極體可更包含所述上部半導體層上之 明電極層。 θ 述—般描述與以下詳細的描述兩者僅為例 不性且解雛的，且意欲提㈣如駐張的本發明之進一 步解釋。 【實施方式】 書 為了進-步理解本發明而以包含且併人於本說明 201133943 36520pif 中並構成本說明書之一部分的隨附圖式來說明本發明之實 施例，且連同描述一起用以解釋本發明之原理。 下文將參看繪示本發明之例示性實施例之附隨圖式 更完全地描述本發明。然而，本發明可以許多不同形式來 體現且不應將其解釋為限於本文中所闡述之例示性實施 例。實情為，提供此等齡性實蝴讀得本發明為澈底 的，且將本發明之範疇完全傳達給熟習此項技術者。在諸 圖式中，為了清晰起見，可能誇示了層以及區域之大小以 及相對大小。諸圖式中之相㈣參考數字表示相似元件。 應理解’當諸如層、膜、區域或基板之元件被稱作在 另元件上」時，其可直接在另一元件上或亦可存在多 個介入元件。與此對比，當元件被稱作「直接」在另一元 件「上」時’不存在介入元件。 圖4為根據一個例示性實施例之發光二極體的平面 圖’且圖5為沿著圖4之線Α·Α截取的橫截面圖。 參看圖4以及圖5 ’第-導電下部半導體層113形成 於基板111上。基板1U *限於特殊的材料，且可為藍寶 石基板。 體声上部半導體層117形成於第—導電下部半導 ^ 。上部半導體層117定位於由下部半導體声 113之邊緣環繞之區域内，以暴露下部半導體層⑴之^ =域之至少一部分。其間，作用層出插入於下部 體層113與上部半導體们17之間。作用層115定位於上 部+導體層117下方，同時暴露下部半導體層113之邊緣 201133943 36520pif 區域之至少一部分。 下部半導體層113、作用層115以及上部半導體層117 可由（但不限於）以GaN為主之化合物半導體材料（二如， (B，Al，In，Ga)N)形成。作用層115由確定在所要頻率處 發射光（例如，UV或藍光）之元素構成。下部半導體層 Π3以及上部半導體層117是由具有大於作用 曰匕 帶隙的材料形成。 ％ 如諸圖式中所繪示，下部半導體層113及/或上部半導 體層117可具有單層結構或多層結構。另外，作用層ιΐ5 可具有單一量子井結構或多量子井結構。發光二極^可更 包含處於基板111與下部半導體層113之間的緩衝層（未 圖示）。選擇緩衝層以減輕基板111與形成於基板U1上之 下部半導體層113之間的晶格失配(mismatch)。 此等半導體層113、115、117可藉由金屬有機化學氣 相沈積（metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 或分子束遙晶法（molecular beam epitaxy, MBE )而形成， 且可經受凸台蝕刻以經由光微影以及蝕刻來暴露下部半導 體層113之區域。 此處，可執行凸台蝕刻以在半導體層上形成傾斜凸台 表面。凸台表面可具有在2〇。至8〇。之範圍内且較佳在3〇。 至60。之範圍内的傾斜度。 傾斜凸台表面可在形成下文所描述的DBR結構之第 -絕緣層140 α及第—電極之傾斜延伸部分122時使可加 工I1生以及可* 14¾強。另外，傾斜凸台表面增加發光區。 201133943 36520pif 絕緣層形成於上部半導體層117上。絕緣層可包含第 、、’邑緣層119以及第二絕緣層14〇。第一絕緣層119形成 於上部半導體層1Π之整個上表面以及藉由凸台⑽而形 成之傾斜表面上，且可由（例如）si〇2、Si3N4、Nb2〇5、 Ti〇2等形成。 ，第二絕緣層140可形成於將形成第一電極121之上部 半導體層117之選定區上以及將形成第一電極121之傾斜 延伸部分122的凸台表面之選定區上，所述凸台表面是藉 由凸台蝕刻而形成。 第二絕緣層140可（例如）藉由交替地堆疊彼此之間 具有較大折射率差讀料㈣分料布瑞格反射器 (distributed Bragg reflector，DBR)結構形成。 …DBR層用作為具有發光功能、光侧功能、光轉換功 月b等之多種發光裝置提供高的反射率。DBR層可藉由交替 地堆疊具有不同折料之兩種介質以基於折 而使光反射來形成。 弟二; 粑緣層走稭由交替地堆疊具有不同折射率之 兩個或兩個以上絕緣層（例如，Si〇2、Si3N4、叫〇5或Ti〇2 ) =，二第,絕緣層14。可藉由以下操作而形成交替地 Γ 1〇2以及Τί〇2、或多層叫以及_4， 叙以^光郷以i定_來_卿疊之絕緣層。 此處，堆疊多個絕緣層以使得包括 ⑽之躲層魏最外層。纽技應力遭 讀形。若在齡交替輯4 Si〇2以及TiQ⑽形成第二 12 201133943 J032Upif 絕緣層140時Ti〇2之絕緣層定位於最外側處，則在沈積第 二絕緣層140之後可能發生第二絕緣層之破裂。然而， 當藉由在最外側處首先堆疊展現對熱應力之回應性較少之 Si〇2層且接著在Si〇2層上堆疊Ti〇2層而堆疊多層層 以及Ti〇2層時’第二絕緣層24〇展現熱穩定性，進而防止 在沈積第二絕緣層140之後第二絕緣層HO的破裂。同樣 地，需要的是：第二絕緣層140包含最終沈積的作為最外 層之Si〇2絕緣層。此結構可保證第二絕緣層14〇之可靠 性。因為第二絕緣層140是藉由將具有不同折射率之絕緣 層交替地堆疊於彼此上方而形成，所以第二絕緣層14〇可 具有DBR之功能。因此，當自作用層117發射之光指向第 一電極121時，第二絕緣層14〇可反射光，進而有效地防 止自作用層117發射之光被第一電極12ι吸收或阻擋。 另外’DBR層lllb可形成於基板lu之Pss區域nia 上。 在另一實施例中，具有DBR結構之絕緣層亦形成於 第一電極131下方（除了接觸上部半導體層117之—部分 之外），如同形成於第一電極121下方的DBR結構 絕緣層140—樣。 — 在另一實施例中，DBR結構之絕緣層亦形成於下部半 導體層113之暴露部分上，以便改良由在第—電極ΐ2ι下 方或在凸台表面上之第二絕緣層反射的光之發射。在 另一實施例中，DBR層lllc可形成於基板lu之底側上， 如圖6中所緣示。 13 201133943 36520pif 第一電極121形成於上部半導體層117上之第一區域 中，其中第一絕緣層119以及第二絕緣層14〇插:二 電極m與上部半導體層117之間。第—電極之傾斜= 部分122以及下部延伸部分123自第一電極ΐ2ι延伸至義 下Ϊ半導體層113之邊緣區域且沿著基板之第一_ 形成。第一電極121、第一電極之傾斜延伸部分122以及 下部延伸部分123可使用相同製程而由相同材料 例而言’若下部半導體層為Ν料導體層，則第 121、第一電極之傾斜延伸部分122以及下部延伸部 3 可使用剝離（lift-off)製程而由Ti/A1形成。 另外’第二電極m形成於上部半導體層m上之 =中。第二電極m定位於上部半導體層ιΐ7上靠近 ^近第-側之第二側與鄰近第二侧之第三侧之間的角部 透明電極層（未圖示）可在形成第-絕緣層119之前 極層“ 低=極層可_上二== 姆接觸而降低接觸電阻。另—方而， 有透明度，亦不與上部半導體層117形;=既= 電極131之一部分形成為與上部半導 * 二電極131之另一部分形成為愈透電二17接觸，且第 :一㈣體層117形成直接接 觸，進而防止電流在第二電極131下方流動1此，在置 201133943 36520pif 131下方之作用層之領域内不產生光’但在置 =透j電極層下方之作用層之領域内產生光。藉由此結 可月匕使自该作用層發射之光被第二電極131吸收以 及損失的光量最小化。 其間’第二電極之第一延伸部分132在上部半導體層 ^17上自第一電極131延伸以鄰近第二側而形成。第二電 玉之第一延伸部分133在上部半導體層117上自第二電極 131延伸以鄰近第三側而形成。苐二電極i3i以及第二電 極之第延伸部分132與第二延伸部分133可使用相同製 程而由相同材料形成。 將參看圖2與圖4之比較來描述根據實施例之發光二 極體的發光區之改良。 々在圖2以及圖4中，可見：在由於下部電極21以及 第一電極121 (下部電極21以及第一電極121中之每一者 形成為將電流供應至下部半導體層）之形成而造成的發光 區之減少方面，習知技術與實施例之間存在大的差異。即， 在圖2之發光二極體中，在凸台蝕刻期間移除包含作用層 15之發光區之區以用於形成下部電極21。與此相反，在圖 4之發光二極體中，第一電極121形成於上部半導體層η? 上方，其中第一絕緣層119以及第二絕緣層14〇插入於第 一電極與上部半導體層117之間，且作用層115保持未蝕 刻。因此，根據實施例之發光二極體提供對歸因於電極之 形成而造成發光區減少的相關技術問題之有效解決方案。 另外，如自圖4可見，形成於第一電極121下方的 15 201133943 36520pif DBR結構之第二絕緣層14〇允許光有效地向外發射，而不 是光被第一電極121吸收或阻擋。 圖7為根據另一例示性實施例之發光二極體的平面 圖’圖8為沿著圖7之線B-B，截取的橫截面圖，且圖9為 沿著圖7之線C_C，截取的橫截面圖。 在第一電極與第二電極之數目、位置與形狀以及第一 電極與第二電極之延伸部分的形狀方面，圖7至圖9中所 繪示之實施例不同於圖4以及圖5之實施例。 參看圖7、圖8以及圖9，第一電極22卜224形成為 面對上部半導體層217上之第二電極231、234。第一電極 之延伸部分223、225中之每一者定位於第二電極之延伸部 分232、233或延伸部分233、235之間以面對彼此。 第一導電下部半導體層213形成於基板211上。基板 211不限於特殊的材料，且可為藍寶石基板。 第一導電上部半導體層217形成於第一導電下部半導 體層213上方。上部半導體層217定位於由下部半導體層 213之邊緣環繞之區域内，以暴露下部半導體層213之邊 緣區域之至少一部分。其間，作用層215插入於下部半導 體層213與上部半導體層217之間。作用層215定位於上 部半導體層217下方，同時暴露下部半導體層213之邊緣 區域之至少一部分。 下部半導體層213、作用層215以及上部半導體層217 可由（但不限於）以GaN為主之化合物半導體材料（諸如， (B，Al，In，Ga)N)形成。作用層215由確定在所要頻率處 201133943 ib52Upif 發射光（例如，UV或藍光）之元素構成。下部半導體層 213以及上部半導體層217是由具有大於作用層215之能 帶隙的材料形成。 如諸圖式中所繪示，下部半導體層213及/或上部半導 體層217可具有單層結構或多層結構。另外，作用層215 可具有單一量子井結構或多量子井結構。發光二極體可更 包含處於基板211與下部半導體層213之間的緩衝層（未 圖示）。選擇緩衝層以減輕基板211與形成於基板211上之 下部半導體層213之間的晶格失配。

此等半導體層213、215、217可藉由MOCVD或MBE 而形成’且可經受凸台蝕刻以經由光微影以及蝕刻而暴露 下部半導體層213之區域。 此處，可執行凸台蝕刻以在半導體層上形成傾斜凸台 表面凸台表面可具有在20。至80。之範圍内且較佳在3〇。 至60。之範圍内的傾斜度。 該傾斜凸台表面可在形成下文所描述的DBR層24〇 以及第一電極之傾斜延伸部分222時使可加工性以^可靠 性增強。另外，該傾斜凸台表面提供增加發光區之效應。 絕緣層形成於上部半導體層217上。絕緣層可包含 二、絕緣層219以及第二絕緣層⑽。第一絕緣層219形成 成導體層217之整個上表面以及藉由凸台蝕刻而形 台表社’且可由（例如）⑽㈣、叫〇5、 第二絕緣層240 可形成於將形成第一電極221、224 201133943 36520pif 之上部半導體層217之選定區上以及將形成第一電極 22卜224之傾斜延伸部分222、225的凸台表面之選定區 上，所述凸台表面是藉由凸台蝕刻而形成。 第二絕緣層240可（例如）藉由交替地堆疊彼此之間 具有較大折射率差之材料而以DBR結構形成。 * DBR層用作為具有發光功能、光偵測功能、光轉換功 月匕專之夕種發光裝置提供高的反射率。DBR層可藉由交替 地堆疊具有不同折射率之兩種介質以基於折射率之間的差 而使光反射來形成。 第一絕緣層240是藉由交替地堆疊具有不同折射率之 兩個或兩個以上絕緣層（例如，Si〇2、&办4、或Ti〇2 ) 而形成。第二絕緣層240可藉由以下操作而形成：交替地 堆疊（例如）多層Si〇2以及Ti02、或多層Si02以及Si3N4, 繼之以使用光微影將一預定圖案蝕刻至所堆疊之絕緣層 中。 此處，堆疊多個絕緣層以使得包括Si化合物（亦即， Si〇2)之絕緣層變成最外層。當經受熱應力時，Ti〇2可遭 受變形。若在藉由交替地堆疊Si〇2以及Ti〇2而形成第二 絕緣層240時Ti〇2之絕緣層定位於最外側處’則在沈積第 二絕緣層240之後可能發生第二絕緣層240之破裂％然而， 當藉由在最外側處首先堆疊展現對熱應力之回應性少之 Si〇2層且接著在Si〇2層上堆疊Ti〇2層而堆疊多層si〇2層 以及Ti〇2層時，第二絕緣層24〇展現熱穩定性，進而防止 在沈積第二絕緣層240之後第二絕緣層140的破裂。同樣 201133943 3〇^2Upif 地，需要的是：第二絕緣層24〇包含最終沈積的作為最外 層之Si〇2絕緣層。此結構可保證第二絕緣層24〇之可靠性。 因為第二絕緣層240是藉由將具有不同折射率之絕緣 層交替地堆疊於彼此上方而形成，所以第二絕緣層24〇可 具有DBR之功能。因此’當自該作用層217發射之光指 向第一電極22卜224時，第二絕緣層24〇可反射光，進而 有效地防止自作用層217發射之光被第一電極221、224 吸收或阻擔。 另外，DBR層211b可形成於基板211上之pss區域 211a 上。 在又一貫施例中，具有DBR結構之絕緣層亦形成於 第二電極231、234下方（除了接觸上部半導體層217之一 部分之外），如同形成於第一電極221、224下方的DBR 結構之第二絕緣層240 —樣。 在又一實施例中，D B R結構之絕緣層亦形成於下部半 導體層213之暴露部分上’以便改良由在第一電極221、 224下方或在凸台表面上之第二絕緣層24〇反射的光之發 射。在又一實施例中，DBR層211c可形成於基板211之 底側上，如圖10中所繪示。 第一電極221、224形成於上部半導體層2Π上之第 一區域中，其中第一絕緣層219以及第二絕緣層24〇插入 於第一電極與上部半導體層之間。第一電極之延伸部分 223、225自第一電極、224延伸至暴露之下部半導體 層213之邊緣區域。第一電極221、224以及第—電極之延 19 201133943 伸部分223、225可使用相同製㈣由相同材_& 而吕，若下部半導體層為N型半導體層，則第 ==^__223、225侧剝離製程而 ^外’第二電極231、234形成於上部半導體層217 第二電極如、234定位於上部半導體層 開-預定距離側之第二側之邊緣處，以達成彼此分 透明電極層（未圖示）可在形成第-絕緣層219之前 ^成於上部半導體層217上。大體而言，透明電極層是^ 氧化銦錫（ITO)或Ni/Au形成且具有透明度。另外，透 =層半導體層217之歐姆接觸而降低接 ，方面，第一電極23卜234既不具有透明度， ”上部半導體層217形成歐姆接觸。第二電極如、 234之-部分形成為與上部半導縣217接觸，且第二電 ，231、234之另-部分形成為與透明電極層接觸。因此， 第-電極23卜234經組態以與上部半導體層爪形成 ，觸’進而防止電流在第二電極231、234下方流動。因此， 置於第-電極23卜234下方之作用層之領域内不產生 =但在置於透明電極層下方之作用層之領_產生光。 藉由此結構’有可能使自該_層發射之光被第二電極 231、234吸收以及損失的光量最小化。 ”7 第二電極之第-延伸部分232在上部半導體層 217上自第二電極231延伸以鄰近第三側而形成。第二電 20 201133943 ibi)2Upif 極之第二延伸部分233自第二電極23i、234之間的中間部 分沿著基板之中心線延伸。第二電極之第三延伸部分233 在亡。p半導體層217上自第二電極234延伸以鄰近於面對 第三側之第四側而形成。第二電極23卜234以及第二電極 之第-延伸部分232、第二延伸部分加以及第三延伸部 分235可使用相同製程而由相同材料形成。 將經由圖2與圖7之比較來描述根據此實施例之發光 一極體的發光區之改良。 在圖2以及圖7中，可見：在由於下部電極21以及 第一電極221、224 (下部電極21以及第一電極221、224 中之每一者形成為將電流供應至下部半導體層）之形成而 造成的發光區之減少方面，習知技術與實施例之間存在大 的差異。即，在圖2之發光二極體中，在凸台蝕刻期間移 除包含作用層15之發光區之區以用於形成下部電極21。 因此’當形成對應於如圖7中所繪示之結構之兩個下部電 極21時’可藉由凸台蝕刻進一步減少發光區。與此相反， 在圖7之發光二極體中，第一電極221、224形成於上部半 導體層217上方，其中第一絕緣層219以及第二絕緣層24〇 插入於第一電極與上部半導體層217之間，且作用層215 保持未蝕刻。因此’根據實施例之發光二極體提供對歸因 於電極之形成而造成發光區減少的相關技術問題之有效解 決方案。 另外’如自圖7以及圖9可見，形成於第一電極221、 224下方的DBR結構之第二絕緣層240允許光有效地向外 21 201133943 JO^ZUpif 毛射’而不是光被第—電極22卜224吸收或阻擔。 因而’根據—個實施例，用於將電流供應至 體曰之電極以及延伸部分形成於上部半導 絕緣層插入於電極與上部半導體層之間。因少二 ^凸台_而移除以驗形成電極以及延伸部分的半導^ 曰之區，進而防止了發光區之減少。 _ 本發如上’然其並非用以限定 样明之Hr域巾具㈣常知識者，在不脫離 發a;二::範圍内，當可作些許之更動與潤飾，故本 ’、屢範圍當視後附之申請專利範圍所界定 是以3而言’在本發明之實施例巾，DBR結構之絕緣層 兩個:式㈣成：_交㈣堆疊具林騎射率之 即固以上絕緣層以使得最外絕緣層由Si化合物（亦 解’，形成，以增強DBR結構之可靠性。然而，應理 特徵亦可適用於本文中所闡述之所有絕緣層。 【圖式簡單說明】 圖1說明具有對角式電極結構之發光二極體。 uf 2說明具有組合的面對型與對稱延伸型結構的發光 一蚀體。 圖3為沿著圖2之線A-A，截取的橫截面圖。 圖4為根據本發明之一個例示性實施例之發光二極體 的平面圖。 圖5為沿著圖4之線A-A截取的橫截面圖。 圖6為根據本發明之另一例示性實施例之發光二極體 22 201133943 j&^zupif 的橫截面圖。 圖7為根據本發明之另一例示性實施例之發光二極體 的平面圖。 圖8為沿著圖7之線B-B’截取的橫截面圖。 圖9為沿著圖7之線C-C’截取的橫截面圖。 圖10為根據本發明之又一例示性實施例之發光二極 體的橫截面圖。 【主要元件符號說明】 1 : N電極 2 : P電極 3 :暴露之N型半導體層 4:透明電極層 II :基板 13 : N型半導體層 15 :作用層 17 : P型半導體層 19 :透明電極層 21 : N電極 22 : N電極之延伸部分 23 : N電極之延伸部分 31 : P電極 32 ·· P電極之延伸部分 33 : P電極之延伸部分 III :基板 23 201133943 JOSZUpif 111a : PSS 區域 111b : DBR 層 111c : DBR 層 113 :第一導電下部半導體層 115 :作用層 117 :第二導電上部半導體層 119 :第一絕緣層 121 :第一電極 122 :第一電極之傾斜延伸部分 123 :第一電極之下部延伸部分 131 :第二電極 132 :第二電極之第一延伸部分 133 :第二電極之第二延伸部分 140 : DBR結構之第二絕緣層 211 :基板 211a : PSS 區域 211b : DBR 層 211c : DBR 層 213 :第一導電下部半導體層 215 :作用層 217 :第二導電上部半導體層 219 :第一絕緣層 221 :第一電極 222 :第一電極之傾斜延伸部分 24 201133943 36520pif 223 :第一電極之延伸部分 224 :第一電極 225 :第一電極之延伸部分 231 :第二電極 232:第二電極之第一延伸部分 233 :第二電極之第二延伸部分 234 :第二電極 235 :第二電極之第三延伸部分 240 :第二絕緣層 25

Claims (1)

1. 201133943 iO^ZUpif 七、申請專利範圍： L 一種發光二極體，其包括： 下部半導體層’其形成於基板上； 上部半導體層，其安置於所述下部半導體層上方以暴 露所述下部半導體層之邊緣區域之至少一部分； 電極其形成於所述上部半導體層之區域上以將 電^供應至所述下部半導體層，其中絕緣層插人於所述第 一電極與所述上部半導體層之所述區域之間； 第二電極，其形成於所述上部半導體層之另一區域上 以將電流供應至所述上部半導體層；以及 所述第-電極之延伸部分，其自所述第—電極延伸至 暴露之所述下部半導體層之至少一部分。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體， 述絕緣層形成於所述上部半導縣之整個上表面之^。 3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體， 述料帛—電極下㈣腿轉之絕緣層。 述絕縣為在所述第—電極T_DBR f其中所 二如申:，圍第4項所述之發光二 = 緣二 分ΐ方的域中在所述第—電極之所述延伸部 層形成為暴露^絕緣層’所述DBR結構之所述絕緣 少一部分。、4下部半導體層之所述邊緣H域之所述至 6.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其進一 26 201133943 36520pif 步包括：在所述第一電極之所述延伸部分周圍的dbr結 構之絕緣層，所述DBR結構之所述絕緣層形成為到遠綦 露之所述下部半導體層之所述至少一部分。 ’ 7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其進/ 步包括：所述第二電極下方的DBR結構之絕緣層f 8. 如申請專利範圍第i項所述之發光二極體，其中戶斤 述第一電極之所述延伸部分形成於傾斜凸台表面上，所述 傾斜凸台表面自所述上部半導體層延伸至所述下部半導髏 層。 9. 如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體，其進/ 步包括：所述第二電極之延伸部分，所述第二電極之所述 延伸部分在所述上部半導體層上自所述第二電極延伸。 10. 如申凊專利範圍第1項所述之發光二極體，其中 所述基板更包括DBR結構之絕緣層。 11. 如申請專利範圍第1〇項所述之發光二極體，其中 所述基板為PSS基板且所述DBR結構之所述絕緣層形成 於所述基板之PSS區域上。 12. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中 所述D B R結構之所述絕緣層形成於所述基板之底表面上。 13. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其進 一步包括：所述上部半導體層上之透明電極層。 14. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中 所述絕緣層是藉由將具有不同折射率之至少兩個絕緣層交 替地堆疊於彼此上方而形成，位於最外側處之所述絕緣層 27 201133943 36520pif 包括Si化合物。 15.如申請專利範圍第6項所述之發光二極體，其中 所述DBR結構之所述絕緣層是藉由將具有不同折射率之 至少兩個絕緣層交替地堆疊於彼此上方而形成，位於最外 側處之所述絕緣層包括Si化合物。 16‘如申請專利範圍第7項所述之發光二極體，其中 所述DBR結構之所述絕緣層是藉由將具有不同折射率之 至少兩個絕緣層交替地堆疊於彼此上方而形成，位於最外 侧處之所述絕緣層包括&化合物。 17·如申請專利範圍第1〇項所述之發光二極體，坌中 所述DBR結構之所述絕緣層是藉由將具有不同折射^之 至少兩個絕緣層交替地堆疊於彼此上方而形成，位 侧處之所述絕緣層包括&化合物。 、 28