TW201125173A - Substrate for mounting light-emitting element and method for producing same - Google Patents

Substrate for mounting light-emitting element and method for producing same Download PDF

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TW201125173A TW099136301A TW99136301A TW201125173A TW 201125173 A TW201125173 A TW 201125173A TW 099136301 A TW099136301 A TW 099136301A TW 99136301 A TW99136301 A TW 99136301A TW 201125173 A TW201125173 A TW 201125173A
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Eiji Yoshimura
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Denka Agsp Kabushiki Kaisha
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201125173 六、發明說明： 【發明所屬之技彳椅領域】 發明領域 本發明係有關於一種用以將發光二極體晶片等之發光 元件搭載於基板之表面之發光元件搭載用基板之製造方 法，及發光元件搭載用基板。該發光元件搭載用基板特別 係對照明裝置所用發光元件封裝之基板有用。 L· ^ 發明背景 以往，已知的係金屬基板之上面隔著保護金屬層形成 金屬凸部，且同時地於該金屬凸部上面鍍敷形成散熱圖 案’於絕緣樹脂層上面綠形成供制圖案，以構成於金 屬凸部之上面隔著散熱圖案可安裝發光元件的發光元件搭 ，用基板(參照專利文獻丨）。χ，該發光元件搭載用基板之 製以方法，已知有以下方法。如專利文獻1之第7(b)圖所示， 將附祕月曰之銅23加熱加壓於形成有金屬凸部22b之金屬 板’以在對應金屬凸部22b之位置形成突部。然後，藉研削 或研磨等除去則述凸部，使金屬凸部22b露出。接著，使金 屬凸。卩22b路丨後，全面性地施行銅鑛敷且練刻形成供 電圖案。又，也進行對銅箔23a蝕刻來形成供電圖案。 先前技術文獻 專利文獻 【專利文獻】】日本專利公開公報第2005-167086號 【發明内容】 3 201125173 發明概要 發明欲解決課題 然而，如上所述，藉研削或研磨等除去前述凸部，I 金屬凸部22b露出，且全面性地施行銅鍍敷再藉蝕刻形成供 電圖案，和對銅箔23蝕刻以形成供電圖案，均頗費工，期 能低成本化加以改善。 又’製造發光元件封裝時，大多係於發光元件搭載側 之基板表面形成白色抗蝕層，安裝發光元件後，藉透光性 樹脂密封發光元件。此時，於表面形成供電圖案之發光元 件搭載用基板，其基板表面具有凹凸，所以當形成白色抗 蝕層和透光性樹脂時’會產生空氣易殘留在凹部等等問題。 因此’本發明之目的在於提供一種發光元件搭載用基 板之製造方法，係無須進行金屬箔之積層和鍍敷等，而可 藉低成本且簡易之步驟製造柱狀金屬體側面無墊仍可透過 柱狀體屬體供電之發光元件搭載用基板。又，本發明另一 目的在於提供一種藉前述製法所得之發光元件搭載用基 板，及使用該發光元件搭載用基板之發光元件封裝。較佳 地可提供一種發光元件搭載側之表面為平面之發光元件搭 載用基板。 用以解決課題之方法 刖述目的可如以下藉本發明達成。 即，本發明之發光元件搭載用基板之製造方法，係包 含有以下步驟：於設有多數柱狀金屬體之金屬板形成絕緣 層，並獲得前述柱狀金屬體之上面自該絕緣層露出之積層 201125173 體之步驟；將前述金屬板斷分成多數以形成與前述柱狀金 屬體導通之電極之步驟；及將所獲得之前述積層體切斷以 獲得多數具有二以上之柱狀金屬體之基板之步驟。 依本發明之製造方法，由於包含有將設有柱狀金屬體 之金屬板斷分成多數以形成與前述柱狀金屬體導通之電極 之步驟’及將所獲得之前述積層體切斷以獲得多數具有二 以上之前述柱狀金屬體之基板之步驟，所以所獲得之基板 之柱狀金屬體側面即使無墊仍玎藉柱狀金屬體對發光元件 供電。又’藉由柱狀金屬體，玎將發光元件產生之熱效率 佳地散熱到裏面側。因此，無須如習知技術，為形成供電 圖案等而進行金屬箔之積層和鍍敷等，所以少量原料即可 元成’成本甚低’並且製造步驟亦非常簡單。於是，無須 進行金屬羯之積層和鍍敷等，而可藉低成本且簡易之步驟 氣造柱狀金屬體側面無墊仍可透過柱狀體屬體供電之發光 元件搭載用基板。 又’將别述金屬板斷分成多數之步驟宜藉蝕刻進行。 依°亥步驟’可藉㈣形成電極與墊之圖案，故可透過簡易 方法形成適合焊接㈣狀電_狀與墊形狀。 &造之發光元件搭載用基板 ，宜係發光元件 用、':基& •疋發光凡件封裝用基板，便可利用設置在 ^件搭載用基板之側之配線基板之供電圖 案’所以容易藉_麵體對發光元件供電。 屬#另方面本發明之發光元件搭載用基板 ，係枉狀金 鴒體側面無墊者，包合右._ 5·—以上之柱狀金屬體；二以上 201125173 電極係與柱狀金属體導通，且設於其裏面側者；及 絕緣層’係使其柱狀金屬體之上面露出者。 依本發明之發光元件搭載用基板，由於包含有二以上 之柱狀金屬體，及二以上之電極，係與前述柱狀金屬體導 通二且設於其裏面側者’所以柱狀金屬體㈣即使無塾仍 可藉柱狀金屬體，對發光元件供電。 又，可藉由柱狀金屬體，使發光元件產生之熱效率佳 地散熱到裏面側。因此’無須如習知技術，為形成供電圖 案等而進行金之積層和鍍料’所以少量原料即可完 成，成本甚低，並且製造步驟亦非常簡單。於是，無須進 2金屬落之積層和職等，而可藉低成核簡易之步驟製 造柱狀金屬體側面無墊仍可透過柱狀體屬體供電之發光元 件搭載用基板。 前述柱狀金屬體之上面與前述絕緣層之上面宜為平 面。本發明之發光元件搭制基板，由於無須於絕緣層之 上面形成供電圖案，所以可使柱狀金屬體之上面與前述絕 緣層之上面形成平面（平整或平坦）。於{，當形成白色抗触 層和透光性樹脂時，可防止空氣殘留於凹部之情形。 又，於發光元件搭載側之表面宜形成有白色抗蝕層。 藉著形成白色抗蝕層，可提高來自發光元件之光之反射率。 本發明之發光元件搭載用基板宜係發光元件封裝用之 基板。若是發光元件封裝用之基板，便可利用設置在用以 女裝該發光元件搭載用基板之側之配線基板之供電圖案， 所以更容易藉由柱狀金屬體對發光元件供電。 201125173 另一方面，本發明之發光元件封裝，係前述其中一發 光元件搭載用基板之其中—柱狀金屬體與發光科熱連結 或熱電連結，且其他柱狀金屬體與前述發光元件電連結。 依本發明之發光元件封裝，由於使發光元件與其中一 柱狀金屬體至少熱連結，所以可藉由柱狀金屬體使發光元 件產生之熱效率佳地散熱到裏面側。x，由於前述發光元 件與其他⑽金屬體電連結，所以搭載⑽卩使無墊仍可藉 由柱狀金屬體對發光元件供電。 另一發明之發光元件封裝，係前述其中一發光元件柊 載用基板之其中一電極與發光元件熱連結或熱電連結，且 其他電極與前述發光元件電連結。依本發明之發光元件封 裝，由於使發光元件與其中一電極至少熱連結，所以藉由 與電極導通之柱狀金屬體，可使發光元件產生之熱效率佳 地散熱到畏面側。又，由於前述發光元件與其他電極電連 結，所以裏面即使無墊仍可藉柱狀金屬體對發光元件供電。 此時’宜藉透光性樹脂密封已安裝之發光元件。本發 明之發光元件搭載用基板，由於無須於絕緣層之上面形成 供電圖案，所以可使柱狀金屬體之上面與前述絕緣層之上 面形成平面（平整或平坦），因此當藉透光性樹脂密封時，可 防止空氣殘留於凹部之情形。 圖式簡單說明 第1圖係顯示本發明之發光元件搭載用基板一例使用 在發光元件封裝之例之圖，（a)係整體縱截面圖，（b)係發光 工件搭載用基板之平面圖，（c)係發光元件搭載用基板之底 201125173 面圖。 之総件㈣磁之製造步 本發明之發光元件搭載用基板之 第3⑷〜(h)圖係顯不 製造步驟之一例之圖· -㈣用2 i)圖係顯示本發明之發光元件搭載用基板另 在發光元件封裝之例之截面圖。 第朴⑷圖係顯示本發明之發光元件搭載用基板另 一例之底面圖。 第圖係...、員不本發明之發光元件搭載用基板另一例之 底面圖。 L實施方式】 用以實施發明之形態 以下，配合參照圖式’說明本發明之實施形態。 (發光元件搭載用基板） 本發明之發光元件搭載用基板，如第1(a)〜(c)圖所示’ 係柱狀金屬體側面無墊者，包含有：設在發光元件搭載側 之二以上之柱狀金屬體14a〜14c ;設在柱狀金屬體14a〜14c 之裏面側之二以上之電極l〇a〜10b ;使前述柱狀金屬體 14a〜14c之上面露出之絕緣層16。在此，所謂「無墊」，係 指柱狀金屬體14a〜14c之上面直接自絕緣層16露出，且不具 有藉鍍敷等而形成之墊之構造，具體而言係指不具有作為 接合線之連結用之墊或配線圖案之焊墊部等之構造。 本實施形態係顯示每一基板設有三個柱狀金屬體 201125173 14a〜14c之例，不過本發明亦可每一基板設置二以上柱狀金 屬體(參照第4(b)圖）。又，當一基板搭載多數發光元件時， 每一基板可設置更多柱狀金屬體(參照第6圖）。 又，本實施形態係顯示每一基板設有二電極1 〜1 Ob之 例，不過本發明亦可每一基板設置二以上電極（參照第4(a) 圖）。又，當一基板搭載多數發光元件時’每一基板可設置 更多電極，構成電極間藉圖案連結之構造(參照第6圖）。 又，本實施形態係顯示柱狀金屬體l4a〜14c之上面與絕 緣層16之上面為平面之例，不過本發明亦可係絕緣層16之 上面較柱狀金屬體14a〜14c之上面低，或絕緣層丨6之上面較 南（參照第4(a)圖）。 以下，藉第2圖及第3圖所示製造步驟’說明製造第1圖 之發光元件搭載用基板之方法。本發明之發光元件搭载用 基板之製造方法，如第2圖及第3圖所示’包含有:於設有多 數柱狀金屬體14之金屬板1〇形成絕緣層16 ’並獲得使柱狀 金屬體14之上面自絕緣層16露出之積層體之步驟；將金屬 板10斷分成多數以形成與柱狀金屬體14導通之電極1 〇a, 1 〇b 之步驟；及，將所獲得之積層體切斷以獲得多數據有二以 上之柱狀金屬體14之基板之步驟。細節如下所述。 (1)於金屬板10形成柱狀金屬體14(步驟S1)。如第 3(a)〜(c)圖所示，對金屬板1〇蝕刻，以形成發光元件之搭載 及線接之用之柱狀金屬體14。本實施形態係顯示使用單層 之金屬板10作為金屬板1 〇之例，不過亦可使用姓刻時具有 抗性之另外之保護金屬層間隔在金屬板1 〇之中間之積層 201125173 之選擇性 ，例如為 板。由於保護金屬層間隔其間，所以表面金屬層 蝕刻乃是可行者。單層之金屬板10之厚度 30〜5000μηι。 便用槓層板時，係使用用以形成金屬板1〇與保護 層與柱狀金屬體U之表面金屬層積層而成之積層板。 板可係以任何方法製成者’例如❹電解魏、 敷、麟、蒸料方法製成者，亦可❹被覆㈣。^ 積層板各層之厚度，舉例而言金屬板1G之厚户為 3〇〜5〇_m，保護金屬層之厚度為1〜叫m，表面金屬2 厚度為10〜500μηι。 金屬板10可為單層或積層體，所構成之金屬可使用任 何金屬，例如銅、銅合金、結、不錄鋼、鎳、鐵、其他合 金等。其中，就熱傳導性和電傳導性而言，以銅、鋁為佳D。 由於藉前述散熱良好之金屬板10之構造，可防止發光元件 之溫度上升，所以可使驅動電流流量更大，增加發光量。 又，亦可使朝另外設置之散熱片之熱傳導狀況良好。 使用積層板時，一般可使用銅、銅合金、鎳、錫等， 尤其是就熱傳導性和電傳導性而言，以銅為佳。 使用積層板時，可使用與金屬板1〇及表面金屬層不同 之金屬作為構成保護金屬層之金屬，可使用在該等金屬蚀 刻時具有抗性之其他金屬。具體而言，若該等金屬為鋼時， 構成保護金屬層之金屬之其他金屬可使用金、銀、鋅、把、 釕、鎳、铑、鉛-錫系焊合金或鎳-金合金等。然而，並不限 於該等金屬之組合，也可任意使用與在前述金屬蝕刻時具 201125173 有抗性之其他金屬之組合。 接著’如第3(b)圖所示，使用抗蚀刻劑Μ，進行金屬板 10之蝕刻，以形成柱狀金屬體I4。柱狀金屬體Μ之尺寸， 可按所安裝之發光元件之尺寸和傳熱效率等觀點來設計。 例如，若是搭載發光二極體晶片（裸晶片）’則設於正下方之 柱狀金屬體14之上面之寬度或直徑宜為300〜200(^m。該 柱狀金屬體14之上面形狀可為圓形，不過宜為配合發光元 件投影形狀(例如長方形或正方形）之形狀。 另一方面，作為線接之用之柱狀金屬體14之上面形 狀’就使基板尺寸較小之觀點而言，宜為橢圓形或長方形。 又，作為線接之用之柱狀金屬體Μ之上面之短邊或短徑宜 為 100〜ΙΟΟΟμηι。 抗蝕刻劑Μ可使用感光性樹脂或乾膜抗蝕劑（光阻劑） 等。另’金屬板10之下面宜設置可防止金屬板10之裏面同 時被蝕刻之遮罩材（圖示略）。 姓刻之方法’可例舉如使用對應構成金屬板10和保護 金屬層之各金屬種類之各種蝕刻液之蝕刻方法。例如，當 金屬板10為銅，保護金屬層為前述金屬（含金屬系抗蝕劑) 時，可使用市售鹼蝕刻液、過硫酸銨、過氧氫/硫酸等。蝕 刻後遂可除去抗触刻劑Μ。 使用積層板時，最後必須除去自柱狀金屬體14露出之 保護金屬層，不過也可在不先除去此層下，形成絕緣層16。 保護金屬層可藉蝕刻來去除。具體而言，當金屬板丨〇為銅， 保護金屬層為前述金屬時，宜使用作為焊劑剥離用之市售 201125173 硝酸系、硫酸系、氰系等酸系蝕刻液之類。 當預先除去露出之保護金屬層時，金屬板10之表面自 除去部分露出，不過為提高此與絕緣層16之間密接性，宜 進行黑化處理和粗化處理等表面處理。 (2)接著，於設有柱狀金屬體14之金屬板10形成絕緣層 16(步驟S2)。例如，如第3(d)〜(e)所示，使用片狀絕緣樹脂 柯料，藉著自加壓面加熱加壓，可於金屬板10—體形成絕 緣層16。又，亦可使用液狀之絕緣樹脂材料等，並藉淋塗 機等塗布後，將其加熱使之硬化。 此時，若絕緣樹脂材料之厚度充分且加壓面為平面， 上面就成為平面，不過自使柱狀金屬體14之上面之後容易 露出之觀點而言，於對應柱狀金屬體14之位置宜形成凸部 A°因此’加壓面與被積層體之間至少宜配置有容許凹狀變 %之片材。又，亦可使用在對應柱狀金屬體14之位置具有 凹部之加壓面。容許凹狀變形之片材，因柱狀金屬體14之 存在而加熱加壓時會凹狀變形，所以於積層體形成對應其 之凸部A。 加熱加壓方法可使用加熱加壓裝置（熱層壓機、加熱加 璺機）等來進行，此時為避免空氣混入，宜使環境變成真空 (真空層壓機等）。加熱溫度、壓力等條件云云，可因應絕緣 '月日層形成材與金屬形成材之材質和厚度而適當設定，不 過壓力以0.5~30MPa為佳。 絕緣層形成材只要是積層時會變形再藉加熱等而固 化，並且具有對配線基板要求之耐熱性者，則任何材料皆 12 201125173 可。具體而言，可例舉如聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、環氧樹 脂等各種反應硬化性樹脂，以及此等樹脂與玻璃纖維、陶 瓷纖維、醯胺纖維等之複合體(預浸體）等。 又，絕緣層16宜由高熱傳導性之材料構成，例舉如含 有熱傳導性之填料之樹脂等。此時絕緣層16具有丨〇W/mK 以上之熱傳導率，以具以上之熱傳導率為佳， 1.5W/mK以上之熱傳導率更佳。藉此，來自柱狀金屬體 之熱可效率佳地政熱到金屬板1 〇側。在此，絕緣樹脂層16 之熱傳導率可透過適當選擇考慮到熱傳導性填料之調配量 及粒度分布之調配來決定，不過若要考慮硬化前之絕緣性 接著劑之塗工性，一般宜以約l〇W/mK為上限。 片材只要是加熱加壓時可容許凹狀變形之材料即可， 可例舉如防震紙、橡膠紙、彈性體片、不織布、織布、多 孔質片、發泡體片、金屬箔、該等材料之複合體等。由其 係以防震紙、橡膠紙、彈性體片、發泡體片、該等材料之 複合體等等可彈性變形者為佳。 (3)使柱狀金屬體14自絕緣層16露出（步驟S3)。如第3(f) 圖所示，除去凸部A，使柱狀金屬體14自絕緣層16露出以獲 得上面整體平整之積層體。除去該凸部A時，宜使絕緣層16 高度與柱狀金屬體14高度一致地除去該凸部A使平坦化。變 成柱狀金屬體14之周圍形成有絕緣樹脂層16之狀態。 除去凸部A之方法，以研削和研磨之方法為佳，使用具 有於旋轉板半徑方向配置多數鑽石製等硬質刀之硬質旋轉 刀之研削裝置之方法，或使用沙磨機、帶式沙磨機、研磨 13 201125173 機、平面研削盤、硬質砥粒成形品等之方法。使用研削裝 置時’使該硬質旋轉刃旋轉並沿經固定支持之配線基板上 面移動，使上面平坦化。又，研磨方法可例舉如藉帶式沙 磨機和拋光研磨方式等輕微研磨之方法。如本發明於積層 體形成有凸部A時，僅研削該部分是非常容易，可確實使整 體平坦化。 (4) 將金屬板10斷分成多數以形成與柱狀金屬體 14a〜14c導通之電極10a~lOb(步驟S4)。本實施形態係顯示柱 狀金屬體14a及14c與電極l〇b導通之例’不過亦可設置分別 與柱狀金屬體14a及14c導通之電極及墊。 本實施形態如第3(g)圖所示’係顯示藉蝕刻將金屬板10 斷分成多數之例。此時，預先藉钮刻除去下一步驟將切斷 之部分之金屬板10，可使切斷刀使用壽命長和防止毛邊產 生，所以更佳。 進行蝕刻時，可使用前述之蝕刻液和遮罩。此時宜於 上面設置用以防止柱狀金屬體14同時被蝕刻之遮罩（圖示 略）。 柱狀金屬體14a〜14c和電極10a〜10b之表面，為提高反 射效率，宜進行金、錄、銀等貴金屬之艘敷。又，與以往 之配線基板相同地，也可於發光元件搭載側或裏側形成抗 焊層，部分地進行焊鍍敷。尤其係發光元件搭載側之表面 宜形成有白色抗蝕層18以提高反射效率。 (5) 將積層體切斷以獲得多數具有二以上之柱狀金屬體 14a〜14c之基板（步驟S5)。第3(h)圖中，以箭頭顯示切斷位 14 201125173 置。切斷可使用拔根機、雷射等各種切斷裝置。藉此，如 第KaHc)圖所示，可製造柱狀金屬體側面無墊之發光元件 搭載用基板，該基板包含有二以上之柱狀金屬體14a〜14c， 與柱狀金屬體l4a〜14c導通並設在其裏面側之二以上之電 極l〇a〜l〇b，及使柱狀金屬體之上面露出之絕緣層16。 該發光元件搭載用基板亦可於柱狀金屬體側面搭載發 光元件’亦可搭載電極側面。 (發光元件封裝） 本發明如第1圖所示，發光元件3〇接合(接著等）在柱狀 金屬體l4a之上面或電極i〇b或墊i〇c。 接合方法，可任意使用導電性糊、熱傳導性片、熱傳 導性接著劑、雙面膠帶、焊接等之焊劑以進行接合，不過 藉金屬之接合’散熱性較佳。 發光元件30可例舉如發光二極體(裸晶片）、半導體雷 射晶片等。發光元件3〇有發光側具有二個電極之類型，也 有僅具有一電極之類型，其裏面具有陰極類型與陽極類型 兩種類。本發明可任意使用前述任何類型。 發光元件30與柱狀金屬體14b、Mc之上面或電極1〇a、 l〇b電連接。該導電連接可藉金屬細線21之線接合等將發光 几件之上部電極31、32與各電極1〇3、1〇b等以線結合。線 接合可使用超音波和併用此與加熱之方法等。X，另外之 實化升八、可不使用金屬細線，構成發光元件％之下側電 極與電極10a、l〇b導電連結之構造。 又’柱狀金屬體14之周圍可形成反射器，亦可立體成 15 201125173 形絕緣層16以構成具有反射器功能之構造。又，可用透曰月 樹脂等被覆圓穹之内側，可進一步於其上方設置凸面之透 明樹脂透鏡。亦可使透明樹脂和透明樹脂透鏡含有勞光 劑。較佳形態係藉透光性樹脂2 2密封所安裝之發光元件3 〇 藉透光性樹脂22密封之方法，使用模具铸型之方法、 基板嵌入之射出成形、印刷和塗刷之方法、使用分配器之 方法等等均可。 發光元件之封裝’ 一般而言係於基板安裝有一個發光 元件30之封裝結構，不過本發明係將使用構造成可安裝多 數發光元件3 0之基板者也稱為發光元件封裝。 (另外之實施形態） (1) 前述實施形態係顯示柱狀金屬體之上面與前述絕緣 層之上面為平面之例，不過本發明如第4(a)圖所示，亦可使 柱狀金屬體14之上面位於較絕緣層16之上面更高之位置。 此時，宜調整白色抗蝕層18之厚度，使柱狀金屬體14之上 面與白色抗蝕層18之上面相同高度，使表面平面化。 另，第4(a)圖所示之例中，分別設有墊1〇c相對於柱狀 金屬體14a’電極l〇a相對於柱狀金屬體i4b,電極i〇b相對 於柱狀金屬體14c。藉此，墊i〇c可作為散熱專用。 (2) 前述實施形態係顯示設有三個柱狀金屬體之例，不 過，本發明如第4(b)圖所示，亦可僅設有二個柱狀金屬體 14a〜14b。此時，一邊之柱狀金屬體14a作為與發光元件3〇 熱電連結之用，另一邊之柱狀金屬體14b作為與發光元件3〇 電連結之用。使用此基板之發光元件封裝，就係發光元件 16 201125173 30與發光元件搭載用基板之其中一柱狀金屬體14a熱電連 結，且發光元件30與另一柱狀金屬體14b電連結。 第4(b)圖所示實施形態係顯示發光元件3〇之裏面具有 電極32之例，不過藉著使圖示之例之柱狀金屬體14a之上面 較發光元件30之投影面大，則即使僅設有兩個柱狀金屬體 14a〜14b ’仍可安装兩線結方式之發光元件3〇。 另’圖示實施形態係顯示透光性樹脂22之密封藉塗刷 方式進行之例。藉塗刷形成透鏡時，可依使用樹脂之黏度 等來調整透鏡形狀。 (3) 前述實施形態係顯示於柱狀金屬體側搭載有發光元 件之例，不過，本發明如第4(c)圖所示，亦可於電極側搭載 發光7L件30。此時，係發光元件搭載用基板之其中一墊（或 電極）1〇C與發光元件30熱或電連結，且其他電極l〇a、10b 與發光元件30電連結之發光元件封裝。 (4) 前述實施形態係顯示由樹脂形成絕緣層之例，不過 本發明之絕緣層之形成材料，只要是絕緣材料即可亦可 使用通常不作為基板材料使用之樹脂、例如石夕氧樹脂等、 樹脂以外之陶瓷、玻璃、無機鹽類等。若是陶瓷，可將例 如含有陶瓷之微粒子或原料粒子之漿體塗布於金屬板後， 使之燒成•燒結，以形成與金屬板一體之絕緣層。又，為 提高絕緣層本身之反射效率，可使用含有白色顏料等之樹 脂作為絕緣層。此時，宜在不設抗焊層之狀況下使用。 (5) 前述實施形態係顯示藉蝕刻進行將金屬板斷紛稱 多數之步驟之例，不過本發明亦可藉使用切斷刃等之槽加 17 201125173 工來將金屬板ίο斷分成多數。例如，如第i(c)圖所示，當金 屬板10是直線狀地與電極l〇a和電極1〇b斷分時，可藉形成 直線狀之槽將金屬板10斷分成多數。 (6)前述貫施形態係顯示藉蝕刻直線狀地將金屬板斷 分以形成電極之例，不過本發明如第5(a)〜(c)圖所示，電極 側面之圖案可更複雜。 如第5(a)圖所示，用以電連結之電極1〇a、1〇b形成較 小，而用以熱連結之墊l〇c形成較大。如此，若基板周圍未 殘存有金屬板10，欲將積層體切斷時，可讓切斷刃使用壽 命長’並且也較不會有毛邊產生之問題。 第5(b)圖所示之例，將用以熱連結之墊1〇c形成更大。 藉此可將來自發光元件30之熱良好地散熱。 第5(c)圖所示之例，為將發光元件3〇搭載於電極側，於 裏面側存在有自絕緣層16露出之柱狀金屬體14a〜14c。此 時，柱狀金屬體14a〜14c之上面之形狀，可選擇適合焊接之 形狀。其形狀可為例如圓形、橢圓形、四角形等。 (7) 前述實施形態係顯示一基板搭載一發光元件之例， 不過本發明如第6圖所示，亦可一基板搭載多數發光元件 30。此時，電極10a、l〇b可為全部獨立，不過宜藉由連結 圖案l〇d使電極彼此電連結。連結形態可為串聯、並聯或該 等組合。 (8) 前述實施形態係顯示當形成絕緣層時，於枝狀金屬 體之上方形成凸部後將凸部除去之例，不過本發明亦可在 形成平面之絕緣層後，藉喷砂等除去表面整體，使柱狀金 18 201125173 屬體露出。 【圖式簡單說明3 第1圖係顯示本發明之發光元件搭載用基板一例使用 在發光元件封裝之例之圖，（a)係整體縱截面圖，（b)係發光 元件搭載用基板之平面圖，（c)係發光元件搭載用基板之底 面圖。 第2圖係顯示本發明之發光元件搭載用基板之製造步 驟流程之一例之圖。 第3(a)〜(h)圖係顯示本發明之發光元件搭載用基板之 製造步驟之一例之圖。 第4(a)〜(c)圖係顯示本發明之發光元件搭載用基板另 一例使用在發光元件封裝之例之截面圖。 第5(a)〜(c)圖係顯示本發明之發光元件搭載用基板另 一例之底面圖。 第6圖係顯示本發明之發光元件搭載用基板另一例之 底面圖。 【主要元件符號說明】 10a〜10b...電極 30...發光元件 10c·.·墊 31,32…上部電極 14a〜14c...柱狀金屬體 16.. .絕緣層 18.. .白色抗蝕層 21.. .金屬細線 22.. .透光性樹脂 19

Claims (1)

  1. 201125173 七、申請專利範圍： 1· 一種發光元件搭載用基板之製造方法，係包含有以下步 驟： 於設有多數柱狀金屬體之金屬板形成絕緣層，並獲 得前述柱狀金屬體之上面自該絕緣層露出之積層體； 將前述金屬板斷分成多數以形成與前述柱狀金屬 體導通之電極；及 將所獲得之前述積層體切斷以獲得多數具有二以 上之柱狀金屬體之基板。 2.如申請專利範圍^項之發光元件搭載用基板之製造方 法’其中將前述金屬板斷分成多數之步驟係藉侧進行者。 3H專利範圍第丨項之發光元件搭載用基板之製造方 法’其中發光讀搭載用基板係發光元件封裝用基板。 4_種心光元件搭載用基板，係柱狀金屬體側面無塾者， 包含有： 二以上之柱狀金屬體； 一以上之電極，係與柱狀金屬體導通，且設於其裏 面側者；及 -丨文丹狂狀金屬體之上面露出者。 5.如申請專利範圍第4項之發光元件搭載雜板，其中前 述柱狀金屬體之上面與前述絕緣層之上面為平面。 6·如申請專利範圍第4項之發光元件搭載用基板，其中於 發先疋件㈣側之表面形成有白色抗敍層。 7·如申請專利_第4項之發光元件搭載用基板，其係發 20 201125173 光元件封裝用之基板。 8. —種發光元件封裝，係申請專利範圍第4或5項之發光元 件搭載用基板之其中一柱狀金屬體與發光元件熱連結或熱 電連結，且其他柱狀金屬體與前述發光元件電連結。 9. 一種發光元件封裝，係申請專利範圍第4或5項之發光元 件搭載用基板之其中一電極與發光元件熱連結或熱電連 結，且其他電極與前述發光元件電連結。 10. 如申請專利範圍第8項之發光元件封裝，其係藉透光性 樹脂密封已安裝之發光元件。 . 11.如申請專利範圍第9項之發光元件封裝，其係藉透光性 樹脂密封已安裝之發光元件。 21
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