JP5479214B2

JP5479214B2 - 発光素子搭載用基板の製造方法

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Publication number: JP5479214B2
Application number: JP2010112431A
Authority: JP
Inventors: 栄二吉村
Original assignee: Denki Kagaku Kogyo KK
Current assignee: Denka Co Ltd
Priority date: 2009-05-28
Filing date: 2010-05-14
Publication date: 2014-04-23
Anticipated expiration: 2030-05-14
Also published as: JP2011009716A

Description

本発明は、発光ダイオードチップなどの発光素子を基板の表面に搭載するための発光素子搭載用基板の製造方法に関する。本発明により製造された発光素子搭載用基板は、特に小電力の軽薄型照明装置の発光板等として有用である。

従来、発光素子を基板の表面に搭載するための発光素子搭載用基板の製造方法として特許文献１が知られている。特許文献１の発光素子搭載用基板の製造方法は、金属基板に積層された表面金属層を選択的にエッチングして発光素子の搭載位置に金属凸部を形成する工程と、その金属凸部の上面と略面一に平坦な絶縁層を形成する工程と、その金属凸部の上面に放熱用パターンを形成しつつその放熱用パターンの近傍に電極部を有する給電用パターンを同時形成する工程と、を含む。この電極部を形成するための金属層を絶縁層と一体に形成する方法として、樹脂付き銅箔をプレス面により加熱プレスして、金属凸部に対応する位置に凸部を有し表面に金属層が形成された積層体を得て、この積層体の凸部を除去して金属凸部を露出させることが記載されている。

特開２００５−１６７０８６号公報（請求項２、段落番号００５４、００６１、図７参照）

上記の特許文献１では、金属凸部上面を樹脂付き銅箔が覆って凸部が形成され、この凸部を除去して金属凸部を露出させている。この凸部を除去する処理は、金属凸部の平面形状サイズが大きい場合や樹脂付き銅箔の厚みが大きい場合に処理時間が増加する傾向にある。一方、金属凸部の平面形状に合わせて絶縁層等に開口を設けておき、これを積層一体化する技術も存在する。しかし、この方法では複雑な形状の金属凸部に合わせた開口の形成が困難であり、また、開口の位置合わせ精度の問題の他、積層一体化する際に、開口から樹脂がはみ出すといった問題もあった。

そこで、本発明の目的は、発光素子搭載位置の凸部が形成された基板に、少なくとも絶縁層を積層した際に、その凸部を容易に露出することができ、しかも位置合わせの問題や開口加工の精度の問題も生じにくい発光素子搭載用基板の製造方法を提供することにある。

本発明の発光素子搭載用基板の製造方法は、
基板の表面に凸部を形成する凸部形成工程と、
基板の表面で凸部を形成した場所以外の表面に、少なくとも絶縁層を積層する積層工程と、
絶縁層のうち凸部の突端より突出した余剰部を除去する除去工程とを有する。

この構成の製造方法によれば、基板表面に形成された凸部の形成場所以外に、少なくとも絶縁層を積層した際に生じた、絶縁層のうち凸部の突端より突出した余剰部を除去することで、容易に凸部を露出させることができる。そしてこの凸部には発光素子が搭載され、発光素子から発生する熱を放出しやすくするために、凸部および基板を、例えば熱伝導性に優れる金属材料で構成することが好ましい。また、「凸部の突端」は、凸部上面が平面である場合に凸部の縁部を含む概念である。また、「突出した」部分には、凸部上面が平面である場合にその上面高さより突き出た部分を意味し、凸部上面を被覆している部分や被覆していない部分を含む概念である。積層工程で基板に積層される対象としては、少なくとも絶縁層を有していればよく、他の積層されるものは特に制限されず、例えば、後述する金属層、その他の導電層、その他の絶縁層等が挙げられる。

また、上記の発明の一実施形態として、積層工程において、絶縁層および金属層を積層する構成が挙げられる。積層する方法としては、例えば、絶縁層を基板表面に積層した後で、絶縁層上に金属層を積層する構成、金属層が予め一体に積層された絶縁層を基板表面に積層する構成、それぞれ別体の金属層と絶縁層とを一緒に基板に積層する構成が挙げられる。

また、上記の発明の一実施形態として、少なくとも絶縁層が、基板への積層前に凸部の形状に合わせた貫通部を有し、積層工程時に貫通部を凸部に合わせて積層する構成がある。例えば、金属層も基板に積層する場合に、この金属層にも絶縁層と同様に貫通部を形成していてもよく、金属層には貫通部を形成していない構成もできる。

この構成によれば、貫通部が形成されているため除去対象となる余剰部が小さく、除去を容易に行なえる。余剰部としては、例えば、絶縁層からはみ出した絶縁層形成材、凸部を覆うように形成された絶縁層形成材や金属層形成材が挙げられる。また、余剰部とともに、凸部の上面を平坦にするために、または凸部上面と金属層上面の高さが略面一になるように凸部の一部を除去するように構成することができる。

また、積層工程後または除去工程後の凸部上面と金属層上面の高さが略面一に形成することが好ましい。両者が発光素子に対してフラットな反射面を形成できるため、外周部に反射体を設けることで、反射光を利用して、高効率で光を照射することが可能になる。また、下面に電極とボンディング部とを備える発光素子を実装する場合にも、両者の高さが同じであることが重要である。その結果、発光素子からの放熱効果が高く、しかも低コスト化や高精度化が可能で、光の照射効率を高めることができる。

また、上記の発明の一実施形態として、貫通部の平面形状サイズが、凸部の平面形状サイズより小さく構成されており、積層工程時に貫通部を凸部に合わせて積層した際に、絶縁層および金属層の変形部が凸部の突端より突出して余剰部を形成する構成がある。

この構成によれば、絶縁層および金属層の変形部が凸部の突端より突出して余剰部を形成し、この余剰部が除去される。貫通部の平面形状と凸部の平面形状は、同じでもよく異なっていてもよい。すなわち、基板と絶縁層および金属層とを積層一体化する際に、凸部位置と貫通部位置が略合っていればよく、位置決めを高精度に行わないですむため、積層工程が容易となる。

また、上記の発明の一実施形態として、貫通部の平面形状サイズが、凸部の平面形状サイズより大きく構成されており、積層工程時に貫通部を凸部に合わせて積層した際に、絶縁層の変形部が凸部の突端より突出して余剰部を形成する構成がある。

この構成によれば、絶縁層の変形部が凸部の突端より突出して余剰部を形成し、この余剰部が除去される。貫通部の平面形状と凸部の平面形状は、同じでもよく異なっていてもよい。すなわち、基板と絶縁層および金属層とを積層一体化する際に、凸部位置と貫通部位置が略合っていればよく、位置決めを高精度に行わないですむため、積層工程が容易となる。

また、上記の発明の一実施形態として、貫通部の平面形状が円状であり、凸部の平面形状が楕円状、瓢箪状、矩形、および多角形のうちから選択される形状である構成がある。凸部の平面形状は、発光素子搭載基板の製品仕様に応じて様々な形状を採用する場合があり、それに応じて貫通部の平面形状を同一にする必要がなく、例えば貫通部の平面形状を円状にして、貫通部形成加工を容易にできる。

発光素子搭載用基板の一例を示す図である。発光素子搭載用基板の製造方法の一例を示す工程図である。発光素子搭載用基板の製造方法の一例を説明するための図である。除去対象部の他の例を説明するための図である。金属凸部と貫通部の異なる平面形状を説明するための図である。別実施形態の発光素子搭載用基板の製造方法の一例の図である。別実施形態の発光素子搭載用基板の製造方法の一例の図である。

（発光素子搭載用基板）
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１に示すように、発光素子搭載用基板は、発光素子３０を搭載してこれに給電するための発光素子搭載用基板であって、金属基板１０と、その金属基板１０の発光素子３０の搭載位置に形成された金属凸部１４と、その金属凸部１４の周囲に形成された絶縁層１６と、絶縁層１６に積層された金属層１７とを備える。本実施形態では、金属基板１０と金属凸部１４との間に保護金属層１２が形成されるが、別実施形態では保護金属層１２が形成されない構成もある。また、基板として金属基板を用いた実施形態を示すが、基板を熱伝導性の優れた他の材料で構成することもできる。また、凸部として金属凸部を用いた実施形態を示すが、凸部を熱伝導性の優れた他の材料で構成することもできる。かかる場合に、凸部を形成する方法は公知の形成方法を適用できる。

（発光素子）
発光素子３０としては、発光ダイオードチップ、ベアチップ（紫外線発光ダイオードウエハをプロセス加工したもの）、ベアチップを表面実装型にパッケージしたもの、半導体レーザチップ等が挙げられる。発光ダイオードチップを用いる場合、その裏面は、カソードタイプとアノードタイプの２種類がある。また、本実施形態では、ベアチップタイプの発光素子３０の方が、放熱性、実装面積の点から優れている。

発光素子３０は、図１に示すように、両側の金属層１７と導電接続されている。この導電接続は、発光素子３０の上部電極と各々の金属層１７とを、金属細線３１によるワイヤボンディング等で結線することで行うことができる。ワイヤボンディングとしては、超音波やこれと加熱を併用したものなどが可能である。この金属層１７には電極部が形成されている。

また、図１に示すように、反射面を備える反射体２２を発光素子３０の搭載位置の周囲に形成してもよい。更に、反射体２２の内側を透明樹脂等で被覆するのが好ましく、その上方に、凸面の透明樹脂レンズを備えていてもよい。透明樹脂レンズが凸面を有することで、効率良く基板から上方に光を発射させることができる。なお、透明樹脂レンズは着色されたものでもよい。

この実施形態では、金属凸部１４の上面と金属層１７の上面とを略面一に構成しており、その両者が発光素子３０に対してフラットな反射面を形成できる。このため、外周部に反射体２２を設けることで、反射光を利用して、高効率で光を照射することが可能になる。なお、発光素子３０の搭載方法は、導電性ペースト、両面テープ、半田による接合など何れでもよいが、金属による接合が放熱性の点から好ましい。

（製造方法）
本実施形態の発光素子搭載用基板の製造方法を図２、３を用いて説明する。先ず、金属基板１０に金属凸部１４を形成する（図２のステップＳ１、金属凸部形成工程）。図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、金属基板１０に積層された表面金属層４を選択的にエッチングして発光素子３０の搭載位置に金属凸部１４を形成する。本実施形態では、表面金属層４は、そのエッチング時に耐性を示す別の保護金属層２を介して金属基板１０に積層されている例を示す。

本実施形態では、図３（ａ）に示すような、金属基板１０と保護金属層２と金属凸部１４とを形成するための表面金属層４とが積層された積層板ＳＰを用意する。積層板ＳＰは、何れの方法で製造したものでもよく、例えば電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着などを利用して製造したものや、クラッド材などが何れも使用可能である。積層板ＳＰの各層の厚みについては、例えば、金属基板１０の厚みは、３０〜５０００μｍ、保護金属層２の厚みは、１〜２０μｍ、表面金属層４の厚みは１０〜５００μｍである。

上記の電解メッキは、周知の方法で行うことができるが、一般的には、対象となる基板をメッキ浴内に浸漬しながら、それを陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。

一方、無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用できる。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。

金属基板１０は、単層または積層体の何れでもよく、構成する金属としては、何れの金属でもよく、例えば銅、銅合金、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、鉄、その他の合金等が使用できる。なかでも、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅、アルミニウムが好ましい。上記のような、放熱が良好な金属基板１０を備える構造により、発光素子３０の温度上昇を防止できるため、駆動電流をより多く流せ、発光量を増加させることができる。

表面金属層４を構成する金属としては、銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用でき、特に熱伝導性や電気伝導性の点から、銅が好ましい。

保護金属層２を構成する金属としては、金属基板１０及び表面金属層４とは別の金属が使用され、これらの金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用できる。具体的には、これらの金属が銅である場合、保護金属層２を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。但し、これらの金属の組合せに限らず、上記金属のエッチング時に耐性を示す別の金属との組合せが何れも使用可能である。なお、本実施形態では保護金属層２を金属基板１０に形成した一例を示したが、この保護金属層２は、必須ではなく、他の実施形態においては保護金属層２を金属基板１０に形成しない構成もある。

次に、図３（ｂ）に示すように、エッチングレジストＭを用いて、表面金属層４の選択的なエッチングを行う。これにより、発光素子３０の搭載位置に金属凸部１４を形成する。金属凸部１４の平面形状は、特に制限されず、例えば円形、楕円形、矩形等の何れでもよいが、面積を出来るだけ大きくすることが、放熱性の観点から好ましい。このエッチングにより、保護金属層２が露出する。

本実施形態では、略円形の金属凸部１４が形成され、その金属凸部１４の周囲には、半円弧状の電極部が形成された金属層１７が形成され、これが給電用パターンに電気的に接続されている。このように、略円形の金属凸部１４やその周囲に形成された金属層１７は、発光素子３０からの光を効率良く反射することができる。

エッチングレジストＭは、感光性樹脂やドライフィルムレジスト（フォトレジスト）などが使用できる。なお、金属基板１０が表面金属層４と同時にエッチングされる場合、これを防止するためのマスク材を、金属基板１０の下面に設けるのが好ましい（図示省略）。

エッチングの方法としては、保護金属層２及び表面金属層４を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例えば、表面金属層４が銅であり、保護金属層２が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用できる。エッチング後には、エッチングレジストが除去される。

次に、図３（ｄ）に示すように、露出した保護金属層２を除去する。なお、別実施形態として保護金属層２を除去せずに、絶縁層１６を積層形成することも可能である。保護金属層２は、エッチングにより除去することができ、具体的には、表面金属層４が銅であり、保護金属層２が上述の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。

露出している保護金属層２を除去した後、除去部分から金属基板１０の表面が露出するが、これと絶縁層１６との密着性を高めるために、金属基板１０露出面に黒化処理、粗化処理などの表面処理を行うことが好ましい。

次いで、金属基板１０の表面で金属凸部１４を形成した場所以外の表面に絶縁層１６および金属層１７を積層する（図２のステップＳ２、積層工程）。図３（ｄ）に示すように、貫通部１８が形成された絶縁層１６および金属層１７を準備する。貫通部１８は、積層される金属基板１０の金属凸部１４の位置に対応するように形成される。貫通部１８は、金属凸部１４に対応する位置に形成されるが、貫通部１８の平面形状サイズが金属凸部１４の平面形状サイズより小さく構成してもよく、貫通部１８の平面形状サイズが金属凸部１４の平面形状サイズより大きく構成してもよい。また、貫通部１８の平面形状が金属凸部１４の平面形状と一致または略一致していてもよく、全く異なる形状に構成することもできる。図５（ａ）から（ｃ）に、金属凸部１４の平面形状と貫通部１８の平面形状が異なる例を示す。

貫通部１８が形成された絶縁層１６と、貫通部１８が形成された金属層１７を別々に金属基板１０に積層するように構成できるが、予め絶縁層１６と金属層１７とを積層一体化した絶縁層付き金属層に貫通部１８を形成しておき、この絶縁層付き金属層を金属基板１０に積層することが好ましい。

本実施形態では、絶縁層付き金属層として絶縁樹脂付き銅箔を例に説明する。絶縁樹脂付き銅箔には、金属凸部１４に対応するように貫通部１８が形成される。この絶縁樹脂付き銅箔によって絶縁層１６と金属層１７とを同時に形成することができる。例えば、絶縁樹脂付き銅箔をプレス面（不図示）により加熱プレスして、金属凸部１４が貫通部１８に挿入されるように、絶縁層１６および金属層１７とが金属基板１０に同時に積層される。このとき、プレス面と被積層体との間に、少なくとも、シート材を配置しておくのが好ましい。このシート材によって、貫通部１８内に金属凸部１４が挿入された際に生じる絶縁樹脂形成材や金属層形成材の変形である余剰部４１、４２に対応することができる。金属凸部１４の上面と金属層１７の上面とが略面一になるように、積層されることが好ましい。また、絶縁層１６は、金属凸部１４の周囲に接触するように金属基板１０に積層されることが好ましい。

また、絶縁樹脂付き銅箔は、各種のものが市販されており、それらをいずれも使用できる。また、金属層１７を形成する金属層形成材と絶縁層１６を形成する絶縁層形成材とは各々を別々に配置してもよい。

加熱プレスの方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス）などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。加熱温度、圧力など条件等は、絶縁層形成材と金属層形成材の材質や厚みに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、０．５〜３０ＭＰａが好ましい。加熱プレスによって、金属基板１０の表面に応じて絶縁層形成材と金属層形成材が変形して、硬化した絶縁層１６と金属層１７が形成される。この加熱プレス後に、冷却を行ってもよい。また、プレス手段としては、例えば、平面プレス、ロールプレス、それらの組合せプレスが挙げられる。

絶縁層１６を形成する絶縁層形成材としては、積層時に変形して加熱等により固化すると共に、配線基板に要求される耐熱性を有するものであれば何れの材料でもよい。具体的には、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂や、それとガラス繊維、セラミック繊維、アラミド繊維等との複合体（プリプレグ）などが挙げられる。絶縁層１６を形成する絶縁層形成材の厚みは、金属凸部１４の厚みと金属層１７の厚みを考慮して設定される。

金属層１７を形成する金属層形成材としては、銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用でき、特に熱伝導性や電気伝導性の点から、銅が好ましい。金属層１７を形成する金属層形成材の厚みは、例えば５〜５０μｍ程度である。

シート材は、加熱プレス時の金属層形成材や絶縁層形成材の変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体、などが挙げられる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体などの、弾性変形可能なものが好ましい。また、シート材の厚みは、金属層１７や絶縁層１６の厚みに応じて設定することができる。

なお、シート材と共に離型シートを追加配置してもよい。離型シートとしては、フッ素樹脂フィルム、シリコーン樹脂フィルム、各種の離型紙、繊維補強フッ素樹脂フィルム、繊維補強シリコーン樹脂フィルムなどが挙げられる。

次いで、絶縁層１６および金属層１７のうち金属凸部１４の突端より突出した余剰部４１、４２を除去する（図２のステップＳ３、除去工程）。余剰部４１、４２は、図３（ｆ）に示すように、貫通部１８内に金属凸部１４が挿入された際に、金属凸部１４の突端より突出した金属層１７の変形部や絶縁層１６の変形部である。貫通部１８の平面形状サイズを金属凸部１４の平面形状サイズより小さく設定した場合に、図３（ｆ）に示す余剰部４１、４２が生じる。また、貫通部１８と金属凸部１４の平面形状サイズの誤差、積層形成時の位置合わせ誤差等によって、余剰部４１、４２が生じることになるが、これらの余剰部４１、４２は、そのサイズが小さく容易に除去できるため、位置合わせ等を高精度に行わなくてもよい。

また、上述の平面形状サイズ誤差や位置合わせ誤差を考慮し、図４に示すように、貫通部１８の平面形状サイズを金属凸部１４の平面形状サイズよりも大きくすることで、絶縁層１６の形成材が変形し、金属凸部１４の突端より突出した余剰部４２を形成する構成もできる。

また、既に図５（ａ）から（ｃ）に示したように貫通部１８の平面形状（開口形状）と金属凸部１４の平面形状を同じにする必要がなく、特に金属凸部１４の平面形状が複雑な場合に、貫通部１８の平面形状を簡単な形状、例えば円状に形成することができる。

図３（ｇ）に示すように、余剰部４１、４２を除去する。その際、金属層１７の上面より金属凸部１４の上面が高くなる分を、同時に除去して平坦化してもよい。

この除去方法としては、研削や研磨による方法が好ましく、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダ、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品などを用いる方法などが挙げられる。研削装置を使用すると、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。

次いで、エッチングレジストを使用して金属層１７をエッチングすることで半円弧状の電極部を形成する。その後、電極部を有する給電用パターン等の厚みを増加させるためにメッキ等を行ってもよい。

また、金属凸部１４の上面や金属層１７には、反射効率を高めるために金、ニッケル、銀などの貴金属によるメッキを行うのが好ましい。また、金属凸部１４の上面や金属層１７に、従来の配線基板と同様にソルダレジストを形成したり、部分的に半田メッキを行ってもよい。

（発光素子搭載用基板の他の実施形態）
前述の実施形態では、絶縁樹脂付き銅箔を加熱プレスした後に研削等を行う例を示したが、別実施形態として、絶縁樹脂付き銅箔を加熱プレスした後に、エッチングで金属層１７の余剰部４１を除去し、その後に研削等を行うように構成できる。

また、別の実施形態として、図６（ａ）は、２つの貫通部１８を有する絶縁層１６を、当該２つの貫通部１８に挿入される２つの金属凸部１４が形成された金属基板１０に積層する一例を示している。この実施形態では、上記実施形態とは異なり金属基板１０に金属保護層２を形成していない。絶縁層１６を積層した後に生じた余剰部（不図示）を除去した後に、当該絶縁層１６上に金属層（不図示）を積層することが好ましい。また、金属層（不図示）を積層することで余剰部が生じた場合にはそれを除去する。また、この場合の金属層には、貫通部が形成された構成もでき、貫通部が形成されていない構成もできる。また、図６（ｂ）に示すように、金属基板１０は、エッチングされて２つの金属基板パターン１０ａ、１０ｂとして形成されて、金属基板パターン１０ａには金属凸部１４を介して発光素子３０が実装され、金属基板パターン１０ｂは、金属凸部１４を介して、発光素子３０の上部電極と金属細線３１によって導電接続されている。

さらに、別の実施形態として、図７は、貫通部１８が形成された絶縁層１６と貫通部が形成されていない金属層１７とを、当該貫通部１８に挿入される金属凸部１４が形成された金属基板１０に積層する一例を示している。絶縁層１６および金属層１７を積層することで生じた余剰部（不図示）は除去される。なお、図７において、絶縁層１６と金属層１７は、予め一体に積層された構成もできる。

また、前述の実施形態では、発光素子３０の搭載位置に形成する金属凸部１４が、そのエッチング時に耐性を示す別の保護金属層２を介して金属基板１０に接合されている例を示したが、金属凸部１４と金属基板１０とを同じ金属で構成することで、保護金属層２を省略することも可能である。その場合、金属凸部１４と金属基板１０とを併せた厚みの金属板をハーフエッチングすることで、金属凸部１４を形成することができる。

また、金属凸部１４の形成方法は、前述の形成方法に限定されず、公知の金属凸部形成方法を適用できる。

また、前述の実施形態では、積層工程によって生じた余剰部４１、４２を除去する除去工程を備えていたが、これに限定されず、余剰部４１、４２が、発光素子搭載用基板の品質として問題がない場合、余剰部４１、４２の除去工程を省略できる。

また、前述の実施形態では、発光素子搭載用基板が電極部を有する給電用パターンで構成されている例を示したが、その他の電子回路を同じ基板上に形成してもよい。例えば、発光ダイオードの駆動回路などを形成するのが好ましい。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ランド、ボンディング用のパッド、外部との電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等を設ければよい。

また、前述の実施形態では、配線層が単層である発光素子搭載用基板の例を説明したが、これに制限されず、配線層が２層以上の多層配線の発光素子搭載用基板の構成もできる。その場合、配線層間の導電接続構造を金属凸部１４の形成工程と同様の工程で形成することも可能である。このような導電接続構造の形成方法の詳細は、国際公開公報ＷＯ００／５２９７７号に記載されており、これらをいずれも適用することができる。

また、前述の実施形態では、図１に示すように、発光素子３０と反射体２２とが別々に発光素子搭載用基板に搭載される例を示したが、発光素子３０と反射体２２とが一体に形成された発光素子ユニットを発光素子搭載用基板に搭載等するようにしてもよい。このような発光素子ユニットは、各種のものが市販されており、これらを何れも使用することができる。

また、前述の実施形態では、フェイスアップ型の発光素子を搭載する例を示したが、一対の電極を底面に備えるフェイスダウン型の発光素子を搭載してもよい。その場合、給電を行うための電極部が金属凸部１４に形成される。

１０金属基板
１４金属凸部
１６絶縁層
１７金属層
１８貫通部
４１、４２余剰部

Claims

基板の表面に凸部を形成する凸部形成工程と、
基板の表面で凸部を形成した場所以外の表面に、少なくとも絶縁層を積層する積層工程と、
絶縁層のうち凸部の突端より突出した余剰部を除去する除去工程とを有し、
少なくとも絶縁層が、基板への積層前に前記凸部の形状に合わせた貫通部を有し、当該貫通部の平面形状サイズが、前記凸部の平面形状サイズより小さく構成されており、前記積層工程時に貫通部を凸部に合わせて積層する発光素子搭載用基板の製造方法。
積層工程において、絶縁層および金属層を積層する構成とした請求項１に記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
積層工程時に貫通部を凸部に合わせて積層した際に、絶縁層および金属層の変形部が凸部の突端より突出して余剰部を形成する請求項１に記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
積層工程時に貫通部を凸部に合わせて積層した際に、絶縁層の変形部が凸部の突端より突出して余剰部を形成する請求項１に記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
貫通部の平面形状が円状であり、凸部の平面形状が楕円状、瓢箪状、矩形、および多角形のうちから選択される形状である請求項１から４のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板の製造方法。