JP5101418B2 - 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光ダイオードチップなどの発光素子を基板の表面に搭載するための発光素子搭載用基板及びその製造方法に関する。この発光素子搭載用基板は、特に小電力の軽薄型照明装置の発光素子パネル、発光素子パッケージ等として有用である。

従来から、金属基板の上面に保護金属層を介して金属凸部を形成し、この金属凸部の周囲に金属凸部の高さと同じ高さの絶縁樹脂層を形成し、金属凸部上面に放熱パターンと絶縁樹脂層上面に給電用パターンを同時にメッキ形成し、金属凸部の上面に放熱パターンを介して発光素子を実装可能とした発光素子搭載用基板が知られている（特許文献１参照）。そして、この発光素子搭載用基板の製造方法として、以下の方法が知られている。特許文献１の図７（ｂ）に示すように、金属凸部２２ｂが形成された金属基板に、樹脂付き銅箔を加熱プレスして、金属凸部２２ｂに対応する位置に凸部を形成する。次いで、研削や研磨によりその凸部を除去して、金属凸部２２ｂを露出させる。次いで、エッチングレジストを使用して銅箔の金属層２３をエッチングすることで電極部２３ａを有する給電用パターンを形成する。また、特許文献１の図８に示すように、樹脂付き銅箔を加熱プレスした後に、エッチングで金属凸部２２ｂの上方の金属層２３を除去し、その後同様にして、研削等を行ってもよい。
特開２００５−１６７０８６号公報（図１、図３、図７、図８）

しかしながら、特許文献１の基板は、発光素子の実装位置である金属凸部上面の周囲が露出された絶縁樹脂層で形成されている。そのため、発光素子を搭載した場合、発光素子周囲の近傍で露出している樹脂面に発光素子の光が直接に照射されるため、この絶縁樹脂層の劣化が問題となる。

また、樹脂面が露出されているため、その表面における光の反射は弱く、反射効率の問題も懸念される。

上記の点を鑑みて、樹脂層に白色ファイラーを添加し反射効率を改善する構成が提案されている。しかしながら、光による劣化防止の効果は低いため万全の構成とはいえない。また、絶縁樹脂層の代替としてセラミックを用いることが提案されている。しかしながら、基板の絶縁層として充分な厚みを確保するためのセラミック層形成は大変煩雑な作業を必要とし、高コストであり、近年の安価な発光素子搭載用基板の構成に到底採用できない。

そこで、本発明の目的は、樹脂層がセラミック層で被覆形成されることにより、発光素子の光反射を良好とし、樹脂層の劣化も防止でき、さらに、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板およびその製造方法を提供することにある。さらに、その発光素子搭載用基板を用いた発光素子パネルおよび発光素子パッケージを提供することにある。

上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。

即ち、本発明の発光素子搭載用基板は、
金属基板と、
前記金属基板に直接または金属層を介して形成された柱状金属部と、
前記柱状金属部の周囲に形成された絶縁樹脂層と、
前記柱状金属部を露出させつつ、前記絶縁樹脂層の上面を被覆するように形成されたセラミック層と、
前記セラミック層の上面に形成された給電パターンと、
前記柱状金属部の上面に形成され、かつ前記セラミック層に達する金属パターンと、を備えることを特徴とする。

この構成によれば、絶縁樹脂層がセラミック層に被覆されているため、絶縁樹脂層が露出しておらず、よって、発光素子の光が絶縁樹脂層に照射されることがないため、絶縁樹脂層の劣化は生じない。また、発光素子の光はセラミック層によって反射されるため、発光効率の低下を防止できる。また、絶縁樹脂層にセラミック層を被覆する構成であり、絶縁樹脂層に代替して厚いセラミック層を形成する必要がないため、後述するような簡単な製造方法によって製造できるため、製造コストを低く抑えることができる。

また、本発明において、前記柱状金属部の上面に形成され、かつ前記セラミック層に達する金属パターンを、さらに設けた構成が好ましい。

この構成によれば、柱状金属部の上面に金属パターンとして例えば放熱用パターン、反射用パターン等を形成することができる。そしてこの金属パターンがセラミック層まで達しているため、金属パターンとセラミック層との間に他の部材が介在しないため、光の反射効率が高くなる。金属パターンがセラミック層まで達している状態は、金属パターンの端部とセラミック層の端部が連続的につながっている状態であり、金属パターンがセラミック層上面に重なっている状態も含む。金属パターンは、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属メッキを施すことで形成できる。

また、他の本発明は、上記いずれかの発光素子搭載用基板の柱状金属部上方に発光素子を実装した発光素子パネルである。

また、他の本発明は、上記いずれかの発光素子搭載用基板の柱状金属部上方に発光素子を実装した発光素子パッケージである。

また、他の本発明は、
金属基板に直接または金属層を介して形成された柱状金属部と、当該柱状金属部の周囲に形成された絶縁樹脂層と、当該絶縁樹脂層を被覆するように形成されたセラミック層とを備える発光素子搭載用基板の製造方法であって、
柱状金属部を設けた金属基板に、前記絶縁樹脂層の樹脂材料とセラミック層付きの金属箔とを積層一体して、表面に凸部を形成する工程と、
前記凸部を除去して、前記柱状金属部を露出させる工程と、
前記金属箔を所定のパターンでエッチングして前記セラミック層を露出させる工程と、を有することを特徴とする。

この構成によれば、絶縁樹脂層を被覆するようにセラミック層を良好にかつ簡単な構成で安価に形成できる。製造された発光素子搭載用基板の効果は上記した効果と同様である。

また、本発明において、金属箔を所定のパターンでエッチングする処理の前に、少なくとも露出された前記柱状金属部を金属メッキする工程を、さらに有する。

この構成によれば、金属メッキによって柱状金属部上面にパターンを良好に形成できる。

また、上記構成において、柱状金属部に金属メッキ処理した金属パターンが、前記エッチング処理の後にセラミック層にまで達していることが好ましい。この構成の作用効果は上記した効果と同様である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図面である。図２から４は、本発明の発光素子搭載用基板の製造工程フローの一例を示す図面である。

図１に示す発光素子搭載用基板は、金属基板１０と、金属基板１０に直接または金属層１２を介して形成された柱状金属部１４と、柱状金属部１４の周囲に形成された絶縁樹脂層１６と、絶縁樹脂層１６の上面を被覆するように形成されたセラミック層１８と、セラミック層１８の上面に形成された給電パターン２０ａと、備え、さらに、柱状金属部１４の上面に形成され、かつセラミック層１６に達する金属パターン２０が形成されている。給電パターン２０ａは、金属層１９の上面に形成されているが、金属層１９がなく、セラミック層１８に直接に形成することもできる。金属パターン２０と給電パターン２０ａは、金属メッキ処理によって同時に形成されることが好ましい。

金属パターン２０とセラミック層１８が連続的につながり、絶縁樹脂層１６を完全に被覆しているため、絶縁樹脂層１６が発光素子３０の光によって劣化することがない。また、セラミック層１８と金属パターン２０が反射面を形成しているため発光素子３０の発光効率が高い。

図１において、金属パターン２０端部がセラミック層１８の端部に覆いかぶさるように形成して、それらの連続性を構成しているが、特にこの構成に限定されない。例えば、セラミック層１８の端部と金属パターン２０の端部同士がどのような構造であれ、連続的につながっていればよく、金属パターン２０の端部とセラミック層１８の端部の重なりはあってもなくてもよく、またその重なりの程度は特に限定されない。

次に、図２から４に示す製造工程フローに従って本発明の発光素子搭載用基板の製造方法の一例について説明する。

（１）金属基板１０に柱状金属部１４を形成する（ステップＳ１）。図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、金属基板１０に積層された表面金属層４を選択的にエッチングして発光素子３０の搭載位置に柱状金属部１４が形成される。この表面金属層４は、そのエッチング時に耐性を示す別の保護金属層２を介して金属基板１０に積層されている例を示す。なお、保護金属層２は必須構成ではない。

図３（ａ）に示すような、金属基板１０と保護金属層２と柱状金属部１４とを形成するための表面金属層４とが積層された積層板ＳＰを用意する。積層板ＳＰは、何れの方法で製造したものでもよく、例えば電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着などを利用して製造したものや、クラッド材などが何れも使用可能である。積層板ＳＰの各層の厚みについては、例えば、金属基板１０の厚みは、３０〜５０００μｍ、保護金属層２の厚みは、１〜２０μｍ、表面金属層４の厚みは１０〜５００μｍである。

金属基板１０は、単層または積層体の何れでもよく、構成する金属としては、何れの金属でもよく、例えば銅、銅合金、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、鉄、その他の合金等が使用できる。なかでも、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅、アルミニウムが好ましい。上記のような、放熱が良好な金属基板１０を備える構造により、発光素子３０の温度上昇を防止できるため、駆動電流をより多く流せ、発光量を増加させることができる。

表面金属層４を構成する金属としては、通常、銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用でき、特に熱伝導性や電気伝導性の点から、銅が好ましい。

保護金属層２を構成する金属としては、金属基板１０及び表面金属層４とは別の金属が使用され、これらの金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用できる。具体的には、これらの金属が銅である場合、保護金属層２を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。但し、本発明は、これらの金属の組合せに限らず、上記金属のエッチング時に耐性を示す別の金属との組合せが何れも使用可能である。また、保護金属層２を形成せずに、表面金属層４を直接に金属基板１０に形成することができる。

次に、図３（ｂ）に示すように、エッチングレジストＭを用いて、表面金属層４の選択的なエッチングを行う。これにより、発光素子３０の搭載位置に柱状金属部１４を形成する。柱状金属部１４のサイズは、実装される発光素子３０のサイズ、伝熱効率等の観点から設計される。

エッチングレジストＭは、感光性樹脂やドライフィルムレジスト（フォトレジスト）などが使用できる。なお、金属基板１０が表面金属層４と同時にエッチングされる場合、これを防止するためのマスク材を、金属基板１０の下面に設けるのが好ましい（図示省略）。

エッチングの方法としては、保護金属層２及び表面金属層４を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例えば、表面金属層４が銅であり、保護金属層２が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用できる。エッチング後には、エッチングレジストＭが除去される。

次に、図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、露出している保護金属層２を除去するが、これを除去せずに、絶縁樹脂層１６を形成することも可能である。保護金属層２は、エッチングにより除去し金属層１２を形成することができる。具体的には、表面金属層４が銅であり、保護金属層２が前記の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。

予め露出する保護金属層２を除去する場合、除去部分から金属基板１０の表面が露出するが、これと絶縁樹脂層１６との密着性を高めるために、黒化処理、粗化処理などの表面処理を行うことが好ましい。

（２）次いで、絶縁樹脂材料とセラミック層付き金属箔とを積層し、表面に凸部Ａを形成する（ステップＳ２）。以下では金属箔として銅箔を用いた場合について説明する。図３（ｅ）に示すように、絶縁樹脂材料とセラミック層付き銅箔を積層して一体化し、絶縁樹脂層１６とセラミック層１８と金属層１９とを同時に形成する。絶縁樹脂材料とセラミック層付き銅箔をプレス面により加熱プレスして、図３（ｆ）に示すように、柱状金属部１４に対応する位置に凸部Ａを形成し、最上表面に金属層１９が形成された積層体を得る。このとき、プレス面と被積層体との間に、少なくとも、凹状変形を許容するシート材を配置しておくのが好ましい。また、柱状金属部１４に対応する位置に凹部を有するプレス面を使用してもよい。

上記の絶縁樹脂材料とセラミック層付き銅箔は、各種のものが市販されており、それらをいずれも使用できる。また、絶縁樹脂材料の形成材とセラミック層付き銅箔の形成材とは各々を別々に配置してもよい。この工程では、シート材が、柱状金属部１４の存在によって加熱プレス時に凹状変形するため、それに対応する凸部Ａが積層体に形成される。

加熱プレスの方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス）などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。加熱温度、圧力など条件等は、絶縁樹脂層形成材と金属層形成材の材質や厚みに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、０．５〜３０ＭＰａが好ましい。

絶縁樹脂層形成材としては、積層時に変形して加熱等により固化すると共に、配線基板に要求される耐熱性を有するものであれば何れの材料でもよい。具体的には、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂や、それとガラス繊維、セラミック繊維、アラミド繊維等との複合体（プリプレグ）などが挙げられる。

また、絶縁樹脂層１６の絶縁樹脂層形成材として、熱伝導性の高い材料で構成されることが好ましく、例えば、熱伝導性フィラーを含む樹脂等が例示される。

この場合の絶縁樹脂層１６は、１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、１．２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好ましく、１．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することがより好ましい。これによって、金属凸部１４からの熱を効率良く金属基板１０側に放熱することができる。ここで、絶縁樹脂層１６の熱伝導率は、適宜、熱伝導性フィラーの配合量および粒度分布を考慮した配合を選択することで決定されるが、硬化前の絶縁性接着剤の塗工性を考慮すると、一般的には１０Ｗ／ｍＫ程度が上限として好ましい。

上記の絶縁樹脂層１６は金属酸化物及び／又は金属窒化物である熱伝導性フィラーと樹脂（絶縁性接着剤）とで構成されることが好ましい。金属酸化物並びに金属窒化物は、熱伝導性に優れ、しかも電気絶縁性のものが好ましい。金属酸化物としては酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ベリリウム、酸化マグネシウムが、金属窒化物としては窒化硼素、窒化珪素、窒化アルミニウムが選択され、これらを単独または２種以上を混合して用いることができる。特に、前記金属酸化物のうち、酸化アルミニウムは電気絶縁性、熱伝導性ともに良好な絶縁接着剤層を容易に得ることができ、しかも安価に入手可能であるという理由で、また、前記金属窒化物のうち窒化硼素は電気絶縁性、熱伝導性に優れ、更に誘電率が小さいという理由で好ましい。

熱伝導性フィラーとしては、小径フィラーと大径フィラーとを含むものが好ましい。このように２種以上の大きさの異なる粒子（粒度分布の異なる粒子）を用いることで、大径フィラー自体による伝熱機能と、小径フィラーにより大径フィラー間の樹脂の伝熱性を高める機能により、絶縁樹脂層１６の熱伝導率をより向上させることができる。このような観点から、小径フィラーのメディアン径は、０．５〜２μｍが好ましく０．５〜１μｍがより好ましい。また、大径フィラーのメディアン径は、１０〜４０μｍが好ましく１５〜２０μｍがより好ましい。

上記の絶縁樹脂層１６を構成する樹脂としては、金属酸化物及び／又は金属窒化物を含みながらも、硬化状態下において、金属基板１０（存在していれば金属層１２）との接合力に優れ、また耐電圧特性等を損なわないものが選択される。このような樹脂として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチックが単独または２種以上を混合して用いることができるが、このうちエポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。特に、エポキシ樹脂のなかでは、流動性が高く、前記の金属酸化物及び金属窒化物との混合性に優れるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマー、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマーが一層好ましい樹脂である。

シート材は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体、などが挙げられる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体などの、弾性変形可能なものが好ましい。

（３）柱状金属部１４の上方の凸部Ａを除去し、柱状金属部１４を露出させる（ステップＳ３）。図３（ｇ）に示すように、凸部Ａが除去されて柱状金属部１４が露出し平坦面Ｂが形成されている。この凸部Ａの除去の際、金属層１９の高さと柱状金属部１４の高さが一致するように除去して平坦化する。

凸部Ａの除去方法としては、研削や研磨による方法が好ましく、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダ、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品などを用いる方法などが挙げられる。研削装置を使用すると、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。本発明のように積層体に凸部Ａが形成されていると、その部分のみを研削するのが容易になり、全体の平坦化がより確実に行える。

（４）金属箔（金属層１９）を所定のパターンでエッチングしてセラミック層１８を露出させる（ステップＳ４）。また、図３（ｈ）に示すように、金属層１９を所定のパターンでエッチングする処理の前に、露出された柱状金属部１４および金属層１９を金属メッキし、金属パターン２０を形成する。また、少なくとも露出された柱状金属部１４を金属メッキすることでもよい。金属メッキの金属種としては、例えば銅、銀、Ｎｉ等が好ましい。金属パターン２０の形成の方法としては、例えば、エッチングレジストを使用してパターン形成するパネルメッキ法や、パターンメッキ用レジストを使用してメッキで形成するパターンメッキ法等が挙げられる。

次いで、図４（ｉ）〜（ｋ）に示すように、エッチングレジストＭを使用して所定のパターンで金属パターン２０および金属層１９をエッチングすることで電極部を有する給電パターン２０ａを形成する。ここでは金属パターン２０から給電パターン２０ａが形成される一例であるが、他例として、金属層１９から給電パターンを形成することもできる。その後、給電パターン２０ａ等の厚みを増加させるためにメッキ等を行ってもよい。エッチングレジストＭは、給電パターン２０ａのほかに金属パターン２０にも被覆される。

エッチングレジストＭの除去としては薬剤除去、剥離除去など、エッチングレジストＭの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。

また、別の製造方法として、絶縁樹脂材料とセラミック層付き銅箔を加熱プレスした後に、エッチングで柱状金属部１４の上方の金属層１９を除去し、その後同様にして、研削等を行ってもよい。また、前述の説明では、プレス面と被積層体との間に、凹状変形を許容するシート材を配置することで、金属層１９を凸状に変形させる例を示したが、本発明では、金属層１９の上面にドライフィルムレジストを積層しておき、パターン露光と現像を行うことによって、柱状金属部１４の上方が開口したドライフィルムレジストを形成しておくことで、加熱プレスした際に、金属層１９を凸状に変形させることも可能である。

また、金属パターン２０や電極部を有する給電パターン２０ａには、反射効率を高めるために金、ニッケル、銀などの貴金属によるメッキを行うのが好ましい。また、従来の配線基板と同様にソルダレジストを形成したり、部分的に半田メッキを行ってもよい。

また、金属パターン２０の実装パッドとして金メッキを施すことが好ましい。

次いで、図１に示すように、金属パターン２０に発光素子３０が実装される。発光素子３０の搭載方法としては、導電性ペースト、両面テープ、半田による接合など何れでもよいが、金属による接合が放熱性の点から好ましい。

発光素子３０としては、発光ダイオードチップ（ベアチップ）、パッケージされた表面実装タイプの発光ダイオード（チップＬＥＤ）、半導体レーザチップ等が挙げられる。発光ダイオードチップを用いる場合、その裏面は、カソードタイプとアノードタイプの２種類がある。また、本発明では、ベアチップタイプの発光素子３０の方が、放熱性、実装面積の点から優れている。

発光素子３０は、図１に示すように、両側の給電パターン２０ａの電極部と導電接続されている。この導電接続は、発光素子３０の上部電極と各々の電極部とを、金属細線（不図示）によるワイヤボンディング等で結線することで行うことができる。ワイヤボンディングとしては、超音波やこれと加熱を併用したものなどが可能である。

次いで、図５に示すように、柱状金属部１４の周囲に、リフレクタ機能を備えたダム２０１を形成する。ダム２０１は、給電パターン２０ａの上面に接着剤２０２によって接着されている。ダム２０１は、所定の厚みのＡｌ板にダム形状の孔加工を施すことで形成できる。また、ダム２０１はそれぞれ、給電パターン２０ａの上面に形成されているが、これに限定されず、例えば図７に示すようにセラミック層１８の上面に接着剤２０２を介して形成できる。ダム２０２の反射面にはさらに、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ等のメッキを施すことができる。そして、ダム２０１の内側を透明樹脂等で被覆することができる。さらに、その上方に、凸面の透明樹脂レンズを設けることができる。透明樹脂レンズが凸面を有することで、効率良く基板から上方に光を発射させることができる。なお、透明樹脂レンズは着色されたものでもよい。このようにダム２０１の内部を透明樹脂で被覆（封し）し、透明樹脂レンズを設けて発光素子パッケージあるいは発光素子パネルを構成することができる。発光素子パッケージは、一般的に、配線パターンが形成された基板に１個の発光素子が実装されたパッケージ構成であり、この発光素子パッケージは回路基板上に実装される。また、発光素子パネルは、一般的に、配線パターンが形成された基板に複数の発光素子が実装されている構成である。

また、図６に示すように、給電パターン２０ａの上面に接着剤２０２を介在させて、絶縁樹脂製のダム２０３を形成でき、その反射面２０４を例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ等でメッキ処理して、リフレクタ機能を発揮させることが好ましい。絶縁樹脂製のダム２０３は、所定厚みの絶縁樹脂板にダム形状の孔加工を施すことで形成できる。この絶縁樹脂板としてベースが絶縁樹脂の回路基板を用いてもよい。

（別実施形態）
（１）前述の実施形態では、発光素子３０の上部電極と給電パターン２０ａの電極部とを、金属細線で結線する例を示したが、金属細線を用いずに発光素子の電極と電極部とを導電接続するように構成できる。例えば、金属パターン２０の一部に電極部を形成し、発光素子の電極がそこに接続されるように構成できる。

（２）前述の実施形態では、発光素子搭載用基板が発光素子搭載と電極とで構成されている例を示したが、本発明では、その他の電子回路を同じ基板上に形成してもよい。例えば、発光ダイオードの駆動回路などを形成するのが好ましい。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ランド、ボンディング用のパッド、外部との電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等を設ければよい。

（３）前述の実施形態では、給電パターン等の配線層が単層である配線基板に対して発光素子を搭載する例を示したが、本発明では、配線層が２層以上の多層配線基板に対して発光素子を搭載してもよい。その場合の配線層間の導電接続構造の形成方法の詳細は、国際公開公報ＷＯ００／５２９７７号に記載されており、これらをいずれも適用することができる。

本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図 本願発明の発光素子搭載用基板の製造工程フローの一例を示す図 本願発明の発光素子搭載用基板の製造工程フローの一例を示す図 本願発明の発光素子搭載用基板の製造工程フローの一例を示す図 本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図 本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図 本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図

符号の説明

１０ 金属基板
１２ 金属層
１４ 柱状金属部
１６ 絶縁樹脂層
１８ セラミック層
２０ 金属パターン
２０ａ 給電パターン
３０ 発光素子
Ａ 凸部
Ｂ 平坦面

Claims (6)

1. 金属基板と、
   前記金属基板に直接または金属層を介して形成された柱状金属部と、
   前記柱状金属部の周囲に形成された絶縁樹脂層と、
   前記柱状金属部を露出させつつ、前記絶縁樹脂層の上面を被覆するように形成されたセラミック層と、
   前記セラミック層の上面に形成された給電パターンと、
   前記柱状金属部の上面に形成され、かつ前記セラミック層に達する金属パターンと、
   を備える発光素子搭載用基板。
2. 請求項１に記載の発光素子搭載用基板の柱状金属部上方に発光素子を実装した発光素子パネル。
3. 請求項１に記載の発光素子搭載用基板の柱状金属部上方に発光素子を実装した発光素子パッケージ。
4. 金属基板に直接または金属層を介して形成された柱状金属部と、当該柱状金属部の周囲に形成された絶縁樹脂層と、当該絶縁樹脂層を被覆するように形成されたセラミック層とを備える発光素子搭載用基板の製造方法であって、
   柱状金属部を設けた金属基板に、前記絶縁樹脂層の樹脂材料とセラミック層付きの金属箔とを積層一体して、表面に凸部を形成する工程と、
   前記凸部を除去して、前記柱状金属部を露出させる工程と、
   前記金属箔を所定のパターンでエッチングして前記セラミック層を露出させる工程と、
   を有する発光素子搭載用基板の製造方法。
5. 前記金属箔を所定のパターンでエッチングする処理の前に、少なくとも露出された前記柱状金属部を金属メッキする工程を、さらに有する請求項４の発光素子搭載用基板の製造方法。
6. 前記柱状金属部に金属メッキ処理した金属パターンが、前記エッチング処理の後にセラミック層にまで達している請求項５の発光素子搭載用基板の製造方法。
   

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