JP6092644B2 - 半導体モジュール - Google Patents
半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP6092644B2 JP6092644B2 JP2013022470A JP2013022470A JP6092644B2 JP 6092644 B2 JP6092644 B2 JP 6092644B2 JP 2013022470 A JP2013022470 A JP 2013022470A JP 2013022470 A JP2013022470 A JP 2013022470A JP 6092644 B2 JP6092644 B2 JP 6092644B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- columnar metal
- metal body
- insulating layer
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
即ち、本発明の半導体モジュールは、上面に電極を有する半導体素子と、その半導体素子の底面が上面に固着された下部配線基板と、前記半導体素子の電極に対向する位置に設けられた複数の柱状金属体およびその柱状金属体と一体に形成された配線パターンとを有する上部配線基板と、前記上部配線基板の側方に設けられた側方端子部材とを備え、前記複数の柱状金属体は金属板からエッチングで形成されており、前記電極と前記柱状金属体はソルダにより接続され、前記上部配線基板は前記側方端子部材まで延設されて配線パターンが前記側方端子部材に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、図1に示すように、上面に電極31を有する半導体素子30と、その底面が上面に固着された下部配線基板20と、半導体素子30の電極31に対向する位置に設けられた複数の柱状金属体14およびこれと一体に形成された配線パターン11aとを有する上部配線基板10と、その側方に設けられた側方端子部材36とを備えている。本実施形態では、枠状の樹脂ケース35内に半導体素子30を搭載した下部配線基板20と上部配線基板10とが配置され、樹脂によりこれらが封止されている例を示す。
上部配線基板10は、図1に示すように、半導体素子30の電極31に対向する位置に設けられた複数の柱状金属体14およびこれと一体に形成された配線パターン11aとを有するものであり、複数の柱状金属体14は金属板からエッチングで形成されている。
(1)前述の実施形態では、側方端子部材36と電気的な接続を行うための柱状金属体14が、上部配線基板10の端辺付近に設けられている上部配線基板10の例を示したが、前述のように、本発明では、側方端子部材36に隣接して配線パターン11aと一体に形成された端部柱状金属体15とを備える上部配線基板10としてもよい。
11 金属板
11a 配線パターン
14 柱状金属体
15 端部柱状金属体
16 絶縁層
17 配線パターン
20 下部配線基板
21 金属放熱部材
22 配線パターン
23 絶縁層
24 配線パターン
26 導電部材
30 半導体素子
31 電極
36 側方端子部材
Claims (5)
- 上面に電極を有する半導体素子と、その半導体素子の底面が上面に固着された下部配線基板と、前記半導体素子の電極に対向する位置に設けられた複数の柱状金属体およびその柱状金属体と一体に形成された配線パターンとを有する上部配線基板と、前記上部配線基板の側方に設けられた側方端子部材とを備え、
前記上部配線基板は、平板状の絶縁層と、その絶縁層を貫通する前記柱状金属体と、前記絶縁層の上面側に設けられた配線パターンと、を備えるものであり、
前記複数の柱状金属体は金属板からエッチングで形成されており、前記電極と前記柱状金属体は電気的に接続され、前記上部配線基板は前記側方端子部材まで延設されて配線パターンが前記側方端子部材に電気的に接続されている半導体モジュール。 - 前記上部配線基板は、前記側方端子部材に隣接して配線パターンと一体に形成された端部柱状金属体を備える請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記下部配線基板と前記上部配線基板との間には、前記柱状金属体と前記下部配線基板の配線パターンとを電気的に接続するための導電部材を介在してある請求項1又は2に記載の半導体モジュール。
- 前記下部配線基板は、セラミックスの絶縁層と、その絶縁層の下方に設けられた金属放熱部材とを有する請求項1〜3いずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記半導体素子と前記上部配線基板とが樹脂により封止されている請求項1〜4いずれかに記載の半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013022470A JP6092644B2 (ja) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013022470A JP6092644B2 (ja) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014154679A JP2014154679A (ja) | 2014-08-25 |
JP6092644B2 true JP6092644B2 (ja) | 2017-03-08 |
Family
ID=51576250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013022470A Active JP6092644B2 (ja) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6092644B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108292642B (zh) * | 2015-11-25 | 2021-04-30 | 三菱电机株式会社 | 电力用半导体装置 |
JP6788268B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2020-11-25 | 株式会社ダイワ工業 | 配線基板又は配線基板材料の製造方法 |
JP6880479B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2021-06-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6493317B2 (ja) * | 2016-06-23 | 2019-04-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2018185974A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
JP7033889B2 (ja) * | 2017-11-10 | 2022-03-11 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方法および電力変換装置 |
JP2019197842A (ja) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール、電力変換装置、およびパワーモジュールの製造方法 |
JP7070373B2 (ja) | 2018-11-28 | 2022-05-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、電力変換装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0758272A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Origin Electric Co Ltd | 電力用半導体装置 |
JP4265394B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-05-20 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
-
2013
- 2013-02-07 JP JP2013022470A patent/JP6092644B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014154679A (ja) | 2014-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6092644B2 (ja) | 半導体モジュール | |
TWI437647B (zh) | 具有凸塊/基座/凸緣層散熱座及增層電路之散熱增益型半導體組體 | |
TWI602270B (zh) | 晶片埋入式印刷電路板及應用印刷電路板之半導體封裝及其製造方法 | |
JP4747265B2 (ja) | 発光素子搭載用基板およびその製造方法 | |
JP6961271B2 (ja) | 配線基板又は配線基板材料の製造方法 | |
JP2015156463A (ja) | 配線基板及び半導体パッケージ | |
CN112201653A (zh) | 半导体装置和制造半导体装置的方法 | |
JP2008210912A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2015050342A (ja) | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 | |
CN113394119A (zh) | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 | |
US8426251B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6392163B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法、半導体装置 | |
JP6121099B2 (ja) | 発光素子搭載用基板およびその製造方法 | |
JP2009071012A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP7239342B2 (ja) | 電子装置及び電子装置の製造方法 | |
JP6910630B2 (ja) | 配線基板積層体の製造方法および配線基板積層体 | |
JP6963174B2 (ja) | プリント基板、光源装置および半導体装置、ならびにそれらの製造方法 | |
CN108735722B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
JP2005072382A (ja) | 放熱用リードフレーム基板及びその製造方法並びに半導体装置 | |
US10236244B2 (en) | Semiconductor device and production method therefor | |
JP6639890B2 (ja) | 配線基板積層体及びその製造方法 | |
KR102050130B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2016081943A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5101418B2 (ja) | 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法 | |
JP5204618B2 (ja) | 発光素子搭載用基板、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6092644 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |