JP2014154679A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 上面に電極31を有する半導体素子30と、その底面が上面に固着された下部配線基板20と、半導体素子30の電極31に対向する位置に設けられた複数の柱状金属体14およびこれと一体に形成された配線パターン11aとを有する上部配線基板10と、その側方に設けられた側方端子部材36とを備えており、前記複数の柱状金属体14は金属板からエッチングで形成されており、前記電極31と前記柱状金属体14はソルダにより接続され、前記上部配線基板10は前記側方端子部材36まで延設されて配線パターン11aが前記側方端子部材36に電気的に接続されている半導体モジュール。
【選択図】 図1
Description
即ち、本発明の半導体モジュールは、上面に電極を有する半導体素子と、その半導体素子の底面が上面に固着された下部配線基板と、前記半導体素子の電極に対向する位置に設けられた複数の柱状金属体およびその柱状金属体と一体に形成された配線パターンとを有する上部配線基板と、前記上部配線基板の側方に設けられた側方端子部材とを備え、前記複数の柱状金属体は金属板からエッチングで形成されており、前記電極と前記柱状金属体はソルダにより接続され、前記上部配線基板は前記側方端子部材まで延設されて配線パターンが前記側方端子部材に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、図1に示すように、上面に電極31を有する半導体素子30と、その底面が上面に固着された下部配線基板20と、半導体素子30の電極31に対向する位置に設けられた複数の柱状金属体14およびこれと一体に形成された配線パターン11aとを有する上部配線基板10と、その側方に設けられた側方端子部材36とを備えている。本実施形態では、枠状の樹脂ケース35内に半導体素子30を搭載した下部配線基板20と上部配線基板10とが配置され、樹脂によりこれらが封止されている例を示す。
上部配線基板10は、図1に示すように、半導体素子30の電極31に対向する位置に設けられた複数の柱状金属体14およびこれと一体に形成された配線パターン11aとを有するものであり、複数の柱状金属体14は金属板からエッチングで形成されている。
(1)前述の実施形態では、側方端子部材36と電気的な接続を行うための柱状金属体14が、上部配線基板10の端辺付近に設けられている上部配線基板10の例を示したが、前述のように、本発明では、側方端子部材36に隣接して配線パターン11aと一体に形成された端部柱状金属体15とを備える上部配線基板10としてもよい。
11 金属板
11a 配線パターン
14 柱状金属体
15 端部柱状金属体
16 絶縁層
17 配線パターン
20 下部配線基板
21 金属放熱部材
22 配線パターン
23 絶縁層
24 配線パターン
26 導電部材
30 半導体素子
31 電極
36 側方端子部材
Claims (5)
- 上面に電極を有する半導体素子と、その半導体素子の底面が上面に固着された下部配線基板と、前記半導体素子の電極に対向する位置に設けられた複数の柱状金属体およびその柱状金属体と一体に形成された配線パターンとを有する上部配線基板と、前記上部配線基板の側方に設けられた側方端子部材とを備え、前記複数の柱状金属体は金属板からエッチングで形成されており、前記電極と前記柱状金属体は電気的に接続され、前記上部配線基板は前記側方端子部材まで延設されて配線パターンが前記側方端子部材に電気的に接続されている半導体モジュール。
- 前記上部配線基板は、平板状の絶縁層と、その絶縁層を貫通する前記柱状金属体と、前記絶縁層の上面側に設けられた配線パターンと、前記側方端子部材に隣接して配線パターンと一体に形成された端部柱状金属体とを備える請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記下部配線基板と前記上部配線基板との間には、前記柱状金属体と前記下部配線基板の配線パターンとを電気的に接続するための導電部材を介在してある請求項1又は2に記載の半導体モジュール。
- 前記下部配線基板は、セラミックスの絶縁層と、その絶縁層の下方に設けられた金属放熱部材とを有する請求項1〜3いずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記半導体素子と前記上部配線基板とが樹脂により封止されている請求項1〜4いずれかに記載の半導体モジュール。
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Cited By (8)
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JP2017183695A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2017228694A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2018185974A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
JP2019087700A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方法および電力変換装置 |
JP2019197842A (ja) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール、電力変換装置、およびパワーモジュールの製造方法 |
JP2021007185A (ja) * | 2016-02-22 | 2021-01-21 | 株式会社ダイワ工業 | 配線基板又は配線基板材料の製造方法 |
US11664288B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-05-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0758272A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Origin Electric Co Ltd | 電力用半導体装置 |
JP2005183495A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
-
2013
- 2013-02-07 JP JP2013022470A patent/JP6092644B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0758272A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Origin Electric Co Ltd | 電力用半導体装置 |
JP2005183495A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2017090413A1 (ja) * | 2015-11-25 | 2018-06-21 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
WO2017090413A1 (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP2021007185A (ja) * | 2016-02-22 | 2021-01-21 | 株式会社ダイワ工業 | 配線基板又は配線基板材料の製造方法 |
JP2017183695A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2017228694A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2018185974A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
CN110462817A (zh) * | 2017-04-06 | 2019-11-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置 |
JPWO2018185974A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2020-01-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
CN110462817B (zh) * | 2017-04-06 | 2023-11-28 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置 |
JP2019087700A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方法および電力変換装置 |
JP7033889B2 (ja) | 2017-11-10 | 2022-03-11 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方法および電力変換装置 |
JP2019197842A (ja) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール、電力変換装置、およびパワーモジュールの製造方法 |
US11664288B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-05-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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