WO2010061433A1 - 発光素子パッケージ用基板の製造方法および発光素子パッケージ - Google Patents

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直己 米村
芳彦 岡島
哲郎 前田
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Definitions

  • the thick metal portion 2 is provided on the metal layer 21. It is preferable that the thickness of the metal thick portion 2 be larger than the thickness of the metal layer 21. Further, as the thickness of the metal layer 21 (h1: see FIG. 3) and the thickness of the metal thick portion 2 (h2: see FIG. 3), from the viewpoint of sufficiently transferring the heat from the light emitting element 4 to the insulating layer 1 31 to 275 ⁇ m are preferable, and 35 to 275 ⁇ m are more preferable. Further, for the same reason, the thickness of the portion included in the inside of the insulating layer 1 in the thick metal portion 2 is preferably 30 to 100% of the thickness of the insulating layer 1, and is 50 to 100%. Is more preferred.
  • the manufacturing method shown in FIG. 4 acts similarly.
  • the elongated metal layer 21 is drawn out from the metal layer roll body 22 and is sent out to the roll pair (30a, 30b) side.
  • a long laminate 24 is drawn out from the roll 23 of the laminate 24 of the insulating layer 1 and the metal layer 5 in the B-stage state, and is delivered to the roll pair (30a, 30b) side.
  • it is conveyed between the roll pair (30a, 30b), and the metal layer 21 and the laminate 24 are pressed by the roll pair (30a, 30b) to laminate the metal layer 21 and the laminate 24 together.
  • a laminated body 25 is formed in a state where the thick metal portion 2 is embedded in the inside of the insulating layer 1 of the laminated body 24.
  • the insulating layer 1 and the metal layer 5 are removed so that the thick metal part 2 is exposed.
  • a removal apparatus a polishing means, exposure development, a chemical process etc. are mentioned as an apparatus which can expose the metal thick part 2, maintaining planarity, for example.
  • only the metal layer 5 and the insulating layer 1 may be removed so that the top of the thick metal portion 2 is exposed, for example, only the metal layer 5 and the insulating layer 1 may be formed.
  • the surface electrode portion 31 is formed by forming a pattern on the side where the thick metal portion 2 is exposed by etching or the like using a photolithography method.
  • FIG. 5 An example using the package substrate in a state where the thick metal portion 2 manufactured by the above manufacturing method is exposed will be shown below.
  • a metal pattern 51 is formed on the metal layer 21, and a mounting pad 2 e is formed on the top of the thick metal portion 2.
  • the light emitting element 4 is mounted via the mounting pad 2e. From the viewpoint of heat conductivity, it is more preferable that both the mounting pad 2e and the metal thick portion 2 be joined by plating.
  • the mounting pad 2 e may be omitted, and the light emitting element 4 may be bonded directly to the top of the thick metal portion 2.
  • the lens 9 having a convex surface is joined to the upper surface of the sealing resin 7 to form the weir 6; however, the lens 9 and the weir 6 can be omitted. It is also possible to provide a pad on top of the metal bump.

Abstract

　発光素子のパッケージ化のための基板として、発光素子から十分な放熱効果が得られ、大量生産、低コスト化や小型化が可能な発光素子パッケージ用基板の製造方法、およびこの製造方法で製造された発光素子パッケージ用基板を用いた発光素子パッケージを提供することにある。発光素子の実装位置下方に形成される金属肉厚部を備える発光素子パッケージ用基板の製造方法であって、熱伝導性フィラーを含む樹脂から構成された１.０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する絶縁接着剤および金属層部材を有する積層体と、金属肉厚部を有する金属層部材との、それぞれの部材を繰り出しながら、積層一体化する積層工程を有する。

Description

発光素子パッケージ用基板の製造方法および発光素子パッケージ
　本発明は、ＬＥＤチップ等の発光素子をパッケージ化する際に使用する発光素子パッケージ用基板の製造方法、およびこの製造方法で製造された発光素子パッケージ用基板を用いた発光素子パッケージに関する。
　近年、軽量・薄型化および省電力化が可能な照明・発光手段として、発光ダイオードが注目されている。発光ダイオードの実装形態としては、発光ダイオードのベアチップ（ＬＥＤチップ）を配線基板に直接実装する方法と、ＬＥＤチップを配線基板に実装し易いようにＬＥＤチップを小型基板にボンディングしてパッケージ化し、このＬＥＤパッケージを配線基板に実装する方法とが知られている。
　従来のＬＥＤパッケージは、ＬＥＤチップを小型基板にダイボンドし、ＬＥＤチップの電極部分とリードの電極部分との間をワイヤボンド等で接続し、透光性を有する封止樹脂で封止した構造であった。
　一方、ＬＥＤチップは、照明器具としての通常の使用温度領域において、低温になるほど発光効率が高く、高温になるほど発光効率が低下する性質を有する。このため、発光ダイオードを用いる光源装置では、ＬＥＤチップで発生した熱を速やかに外部に放熱し、ＬＥＤチップの温度を低下させることが、ＬＥＤチップの発光効率を向上させる上で非常に重要な課題となる。また、放熱特性を高めることによって、ＬＥＤチップに大きな電流を通電して使用することができ、ＬＥＤチップの光出力を増大させることができる。
　そこで、従来の発光ダイオードに代えて、ＬＥＤチップの放熱特性を改善すべく、ＬＥＤチップを熱伝導性の基板に直接ダイボンドした光源装置も幾つか提案されている。例えば、下記の特許文献１には、アルミニウムの薄板からなる基板にプレス加工を施すことによって凹所を形成し、その表面に絶縁体薄膜を形成した後、凹所の底面に絶縁体薄膜を介してＬＥＤチップをダイボンドし、絶縁体膜層上に形成された配線パターンとＬＥＤチップ表面の電極との間をボンディングワイヤを介して電気的に接続し、凹所内に透光性を有する封止樹脂を充填したものが知られている。しかし、この基板では、構造が複雑となり、加工コストが高くなるなどの問題があった。
　また、下記の特許文献２には、発光素子搭載用基板として、金属基板と、その金属基板の発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属柱状体（金属凸部）と、その金属柱状体の周囲に形成された絶縁層と、前記金属柱状体の近傍に形成された電極部とを備えるものが開示されている。
特開２００２－９４１２２号公報 特開２００５－１６７０８６号公報
　しかしながら、本発明者らの検討によると、ＬＥＤチップを配線基板に実装する場合には、その搭載位置に金属柱状体を設けることが重要となるが、ＬＥＤパッケージを実装する場合には、配線基板には必ずしも金属柱状体を設ける必要がないことが判明した。つまり、ＬＥＤパッケージを実装する場合には、ＬＥＤパッケージを搭載する基板の絶縁層の材料として、高熱伝導性の無機フィラーを含有する樹脂を使用することにより、十分な放熱性が得られることが判明した。
　この観点から、特許文献２を参照とすると、この文献に記載された発光素子搭載用基板では、ＬＥＤチップをパッケージ化する際に、金属柱状体の貫通構造、給電のための配線、絶縁層などについて、更に改良の余地があった。
　また、ＬＥＤチップのパッケージ化のための小型基板として、絶縁層がセラミックスからなるものが知られているが、製造の際にセラミックスの焼成等が必要なため、製造コスト等の面で有利とは言えず、大量生産には不向きであった。
　そこで、本発明の目的は、発光素子のパッケージ化のための基板として、発光素子から十分な放熱効果が得られ、大量生産、低コスト化や小型化が可能な発光素子パッケージ用基板の製造方法、およびこの製造方法で製造された発光素子パッケージ用基板を用いた発光素子パッケージを提供することにある。
　上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。
　本発明の発光素子パッケージ用基板の製造方法は、
　発光素子の実装位置下方に形成される金属肉厚部を備える発光素子パッケージ用基板の製造方法であって、
　熱伝導性フィラーを含む樹脂から構成された１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する絶縁接着剤および金属層部材を有する積層体と、金属肉厚部を有する金属層部材との、それぞれの部材を繰り出しながら、積層一体化する積層工程を有することを特徴とする。
　本発明の発光素子パッケージ用基板の製造方法によると、熱伝導性の良好な絶縁接着剤および金属層部材を有する積層体と、金属肉厚部を有する金属層部材とを積層一体化することができる。積層体を予め製造しておくことで、発光素子パッケージ用基板の製造を容易に行なえ、大量生産性に優れ、低コスト化、パッケージの小型化が可能となる。そして、例えば、金属肉厚部と対向する金属層表面側に発光素子を実装した場合、発光素子で発生する熱が金属肉厚部により効率よく伝熱され、その熱が更に高熱伝導率の絶縁層により効率よく伝熱することで、パッケージ化のための基板として十分な放熱効果が得られる。
　また、本発明の好適な実施形態の一例として、絶縁接着剤および金属層部材を有する積層体、および／または、金属肉厚部を有する金属層部材が、予めロール状に構成されていることが好ましい。この構成によれば、枚葉単位の生産と比較し、連続生産性や大量生産性に優れ、歩留まり効率もよい。
　また、本発明の好適な実施形態の一例として、金属肉厚部は、積層体の絶縁層内部に含まれるように積層されることが好ましい。この構成の場合、金属肉厚部の頂部側が高熱伝導率を有する絶縁層（絶縁接着剤の硬化した状態、以下同様。）に埋め込まれて伝熱面積が広くなるため、金属肉厚部からの熱をより効率良くパッケージ全体に伝熱させることができる。
　また、本発明の好適な実施形態の一例として、金属肉厚部が露出するように、積層体を除去する除去工程を有することを特徴とする。この構成の場合、金属肉厚部の頂部側が露出され（金属肉厚部が絶縁層を貫通した状態）、この金属肉厚部の頂部側に発光素子を直接またはパッド等の間接層を介して実装することが可能になる。このような構造の場合、発光素子が金属肉厚部側に実装されるため、発光素子で発生する熱が効率よく伝熱される。さらに、金属肉厚部を介して絶縁層側に熱が効率よく伝熱される。
　また、本発明の好適な実施形態の一例として、前記積層工程の後に、ロール状に巻き取る工程をさらに有することが好ましい。この構成によれば、積層工程後の積層体（基板部材）をロール状に巻き取ることで、次の工程に搬送容易となり、例えば、パターン形成工程、切断工程での積層体（基板部材）繰り出しも容易に行なえる。また保管面積も小さくてすむ。
　また、本発明の発光素子パッケージは、上記の製造方法で製造された発光素子パッケージ用基板を用いて構成されている。よって、発光素子パッケージを低コストにかつ小型に製造することが可能になる。
本発明の発光素子パッケージ用基板の一例を示す断面図 本発明の発光素子パッケージ用基板の他の例を示す断面図 本発明の発光素子パッケージ用基板の製造方法の一例を示す図 本発明の発光素子パッケージ用基板の製造方法の一例を示す図 本発明の発光素子パッケージ用基板の他の例を示す断面図 本発明の発光素子パッケージ用基板の他の例を示す断面図 本発明の発光素子パッケージの他の例を示す断面図
符号の説明
　１　　　　　　絶縁層
　２　　　　　　金属肉厚部
　３　　　　　　表面電極部
　４　　　　　　発光素子
　５　　　　　　金属層
　５ａ　　　　　金属パターン
　７　　　　　　封止樹脂
　１０　　　　　層間導通部
　２１　　　　　金属層
　２４　　　　　積層体
　２５　　　　　積層体
　３０ａ、３０ｂ　ロール
　３１　　　　　表面電極部
　４０　　　　　板状体
　５１　　　　　金属パターン
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の発光素子パッケージ用基板の一例を示す断面図であり、発光素子を実装してパッケージ化した状態を示している。
　本発明の発光素子パッケージ用基板は、図１に示すように、熱伝導性フィラー１ｂ、１ｃを含む樹脂１ａから構成された絶縁層１と、発光素子４の実装位置の下方には金属肉厚部２を設けた金属層２１と、絶縁層１の実装側面に形成された表面電極部３とを備えている。
　本実施形態では、金属層２１の実装面２ａに発光素子４が直接実装されている。金属肉厚部２は、実装面２ａから絶縁層１の裏面側に向けて肉厚に形成され、その頂部側が絶縁層１の内部に含まれている（埋め込まれた状態）。このように、金属肉厚部２の頂部側が絶縁層１を貫通していない構造の場合、後述するプレスによって製造が可能であるため、大量生産、低コスト化や小型化が可能となる。
　絶縁層１は、１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、１．２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好ましく、１．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することがより好ましい。これによって、金属肉厚部２からの熱を効率良くパッケージ全体に放熱することができる。ここで、絶縁層１の熱伝導率は、適宜、熱伝導性フィラーの配合量および粒度分布を考慮した配合を選択することで決定されるが、硬化前の絶縁性接着剤の塗工性を考慮すると、一般的には１０Ｗ／ｍＫ程度が上限として好ましい。
　絶縁層１は金属酸化物及び／又は金属窒化物である熱伝導性フィラー１ｂ、１ｃと樹脂１ａとで構成されることが好ましい。金属酸化物並びに金属窒化物は、熱伝導性に優れ、しかも電気絶縁性のものが好ましい。金属酸化物としては酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ベリリウム、酸化マグネシウムが、金属窒化物としては窒化硼素、窒化珪素、窒化アルミニウムが選択され、これらを単独または２種以上を混合して用いることができる。特に、前記金属酸化物のうち、酸化アルミニウムは電気絶縁性、熱伝導性ともに良好な絶縁接着剤層を容易に得ることができ、しかも安価に入手可能であるという理由で、また、前記金属窒化物のうち窒化硼素は電気絶縁性、熱伝導性に優れ、更に誘電率が小さいという理由で好ましい。
　熱伝導性フィラー１ｂ、１ｃとしては、小径フィラー１ｂと大径フィラー１ｃとを含むものが好ましい。このように２種以上の大きさの異なる粒子（粒度分布の異なる粒子）を用いることで、大径フィラー１ｃ自体による伝熱機能と、小径フィラー１ｂにより大径フィラー１ｃ間の樹脂の伝熱性を高める機能により、絶縁層１の熱伝導率をより向上させることができる。このような観点から、小径フィラー１ｂのメディアン径は、０．５～２μｍが好ましく０．５～１μｍがより好ましい。また、大径フィラー１ｃのメディアン径は、１０～４０μｍが好ましく１５～２０μｍがより好ましい。
　また、本実施形態のように、金属肉厚部２の頂部側が絶縁層１を貫通していない構造の場合でも、金属肉厚部２の頂部２ｂと金属パターン５ａとの間に大径フィラー１ｃが介在して、プレスの際に頂部２ｂと金属パターン５ａとに接触し易くなる。その結果、熱伝導のパスが、金属肉厚部２の頂部２ｂと金属パターン５ａとの間に形成され、金属肉厚部２から金属パターン５ａへの放熱性がより向上する。
　絶縁層１を構成する樹脂１ａとしては、前記の金属酸化物及び／又は金属窒化物を含みながらも、硬化状態下において、表面電極部３及び金属パターン５ａとの接合力に優れ、また耐電圧特性等を損なわないものが選択される。
　このような樹脂として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチックが単独または２種以上を混合して用いることができるが、このうちエポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。特に、エポキシ樹脂のなかでは、流動性が高く、前記の金属酸化物及び金属窒化物との混合性に優れるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマー、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマーが一層好ましい樹脂である。
　本発明における金属肉厚部２を有する金属層２１、表面電極部３及び金属パターン５ａは、種々の金属が使用できるが、通常、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫、銀、チタニウムのいずれか、または、これらの金属を含む合金等が使用でき、特に熱伝導性や電気伝導性の点から、銅が好ましい。
　金属肉厚部２は、金属層２１に設けられている。金属層２１の厚みよりも金属肉厚部２の厚みの方が大きいことが好ましい。また、金属層２１の厚み（ｈ１：図３参照）および金属肉厚部２の厚み（ｈ２：図３参照）としては、発光素子４からの熱を十分に絶縁層１に伝熱する観点から、３１～２７５μｍが好ましく、３５～２７５μｍがより好ましい。また、同様の理由から、金属肉厚部２のうち絶縁層１内部に含まれている部分の厚みは、絶縁層１の厚みの３０～１００％であることが好ましく、５０～１００％であることがより好ましい。
　また、発光素子４からの熱を十分に絶縁層１に伝熱する観点から、金属肉厚部２の平面視形状は、適宜選択されるが、更に好ましくは、三角形や四角形などの多角形や、五芒星や六芒星などの星形多角形、これらの角部を適当な円弧で丸めたもの、更には金属肉厚部２の２ａ面から表面電極部３に向けて逐次的に変化した形状も可能である。また、同様の理由から、金属肉厚部２の平面視における最大幅は、１～１０ｍｍが好ましく、１～５ｍｍがより好ましい。
　金属肉厚部２を金属層２１に形成する方法は、公知の形成方法が採用でき、例えば、フォトリソグラフィ法によるエッチング、プレス、印刷、接着、公知のバンプ形成法によって形成することができる。また、エッチングにより金属肉厚部２を形成する場合、保護金属層が介在するものでもよい。保護金属層としては、例えば金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛－錫系はんだ合金、又はニッケル－金合金等が使用できる。
　表面電極部３の厚みは、例えば２５～７０μｍ程度が好ましい。また、金属パターン５ａの厚みは、例えば２５～７０μｍ程度が好ましい。なお、金属パターン５ａは、絶縁層１の裏面全体を覆うものでもよいし、また、金属層２１と同じく金属肉厚部２を有していてもよい。金属パターン５ａは、表面電極部３の短絡を避ける上で、少なくとも両側の表面電極部３の裏面の金属パターン５ａが導通していないことが好ましい。特に、金属パターン５ａにも金属肉厚部２を有するときには、下記の積層一体化の工程において、位置ずれが生じないように注意する必要がある。また、金属パターン５ａは、絶縁接着剤のＢステージ状態において予め形成されていることが好ましい。
　金属肉厚部２、金属層２１、表面電極部３には、反射効率を高めるために銀、金、ニッケルなどの貴金属によるメッキを行うのが好ましい。また、従来の配線基板と同様にソルダレジストを形成したり、部分的に半田メッキを行ってもよい。
　（製造方法）
　次に、以上のような本発明の発光素子パッケージ用基板の好適な製造方法について図３、４を用いて説明する。図３、４に示すように、金属肉厚部２が形成された長尺状の金属層２１を巻き取った金属層ロール体２２を準備する。幅方向サイズ、金属肉厚部２の配置等は、適宜設定される。金属層２１に金属肉厚部２を形成する方法は上記説明のとおりである。
　また、長尺状のＢステージ状態の絶縁層１と長尺状の金属層５の積層体２４を巻き取ったロール体２３を準備する。幅方向サイズは、適宜設定されるが、金属層ロール体２２の幅方向サイズと同程度であることが好ましい。長尺状の絶縁層１の表面には、剥離保護層が設けられていてもよい。この場合、金属層２１と積層する場合に剥離保護層が剥離される。
　積層するためのロールは、図３に示すように、一対のロール（３０ａ、３０ｂ）で構成される。また、図４（ａ）に示すように、ロール対（３０ａ、３０ｂ）は、複数のロール対で構成されていてもよい。また、図４（ｂ）に示すように、ロール対（３０ａ、３０ｂ）は、板状体４０（一方側または両方側）を介して金属層２１および積層体２４をプレスするように構成できる。また、ロール対と、板状体介在ロール対とを組み合わせた構成も可能である。ロール材料やロールのサイズ等は、金属層２１と積層体２４とを積層一体化した積層体２５（基板部材）の仕様によって適宜設定される。板状体は、平面性がよく、硬質の金属板、硬質樹脂板が例示できる。また、ベルトプレスを使用することも可能である。更には、金属層２１および積層体２４の繰り出しをステッピング的に行なうことで、間欠式のプレス機を用いることも可能である。
　ロール対（３０ａ、３０ｂ）間距離は、調節可能に構成されている。金属層２１および積層体２４を積層した積層体２５の厚み、金属肉厚部２のうち絶縁層１内部に含まれる部分の厚み、積層工程運転条件（搬送速度等）等の条件によって、この距離は設定される。ロール対（３０ａ、３０ｂ）のプレス力は、金属層２１、積層体２４を構成する絶縁層１および金属層５、それらを積層した積層体２５のそれぞれの仕様に応じて設定される。また、ロール対（３０ａ、３０ｂ）間距離は、積層体２５を形成する際に、固定されていてもよく、積層体２５に対し垂直方向に移動可能に構成してもよい。垂直方向に移動可能に構成する場合、公知の手段が適用でき、例えば、スプリング、油圧シリンダ、弾性部材等が例示できる。
　以下、図３に示す製造方法について説明するが図４に示す製造方法も同様に作用する。まず、金属層ロール体２２から長尺状の金属層２１が繰り出され、ロール対（３０ａ、３０ｂ）側に送り出される。それと同期するように、Ｂステージ状態の絶縁層１と金属層５との積層体２４のロール体２３から長尺状の積層体２４が繰り出され、ロール対（３０ａ、３０ｂ）側に送り出される。次いで、ロール対（３０ａ、３０ｂ）の間に搬送され、金属層２１と積層体２４に対してロール対（３０ａ、３０ｂ）によるプレス作用が施され、金属層２１と積層体２４が積層され一体化されて積層体２５が形成される。図３において、金属肉厚部２は、積層体２４の絶縁層１の内部に埋め込まれた状態として積層体２５が形成される。
　また、ロール自体を加熱し、その熱を作用させながらプレス（同時加熱プレス）する構成が可能である。絶縁層１が加熱された場合に、金属層２１との接合性が向上する場合に有効である。さらに、ロール対（３０ａ、３０ｂ）の上流側および／または下流側に、加熱装置を設置するように構成でき、これにより絶縁層１と金属層２１との接合を効率よく行なうことができる。
　また、金属層２１および／または絶縁層１の積層面側に、接着剤を塗布するように構成でき、これにより接合力を強化できる。
　また、ロール対（３０ａ、３０ｂ）の下流側に、厚み保持・安定化を目的として、複数のローラ対（押えローラ対）および／または平面板部対を設置するように構成でき、これによって、積層体２５の厚み精度を高精度にできる。また、ロール対（３０ａ、３０ｂ）の下流側に、冷却目的として冷却ローラ、冷却装置等も備えることができる。
　ロールを用いて金属層２１と積層体２４とを積層した積層体２５は、適切な条件の加熱装置の内部に導入して通過させることにより、Ｂステージ状態の絶縁層１を、Ｃステージ状態に硬化させる。次いで、これを、ダイサー、ルータ、ラインカッター、スリッター等の切断装置を用いて、所定のサイズに切断する。なお、積層体２５の硬化は、切断後に行なうことも可能であり、また、切断前に硬化反応を進めた上で、切断後にさらにアフターキュアを行なうことも可能である。この場合、切断前にインラインの加熱装置を設けることも可能であるし、ロール状に巻き取ってからオフラインで加熱装置にて硬化反応を行なうことも可能である。
　次いで、積層体２５は、フォトリソグラフィ法によるエッチング等により、両面をパターン形成することにより、表面電極部３および金属パターン５ａを形成することで、本発明の発光素子パッケージ用基板を得ることができる。この場合、金属層２１は、一部除去され、残部が表面電極部３を形成するように構成してもよい。また、金属層５は、一部除去され、残部が金属パターン５ａを形成するように構成してもよい。
　本発明の発光素子パッケージ用基板は、図１に示すように、単数の発光素子を実装するタイプでも、また複数の発光素子を実装するタイプでもよい。特に後者の場合、表面電極部３の間を配線する配線パターンを有することが好ましい。
　また、発光素子パッケージ用基板は、例えば、図１に示すように、発光素子パッケージ用基板の金属肉厚部２の上方の金属層２１に発光素子４を実装し、封止樹脂７により発光素子４が封止されて使用される。
　つまり、発光素子パッケージは、熱伝導性フィラー１ｂ、１ｃを含む樹脂１ａから構成された絶縁層１と、発光素子４の実装位置の下方に形成された金属肉厚部２を設けた金属層２１と、絶縁層１の実装側面に形成された表面電極部３とを備える発光素子パッケージ用基板と、金属肉厚部２の上方に実装した発光素子４と、その発光素子４を封止する封止樹脂７とを備えている。
　実装する発光素子４としては、ＬＥＤチップ、半導体レーザチップ等が挙げられる。ＬＥＤチップでは、上面に両電極が存在するフェイスアップ型の他、裏面の電極により、カソードタイプ、アノードタイプ、フェイスダウン型（フリップチップタイプ）などがある。本発明では、フェイスアップ型を用いることが、放熱性の点から優れている。
　金属層２１の実装面への発光素子４の搭載方法は、導電性ペースト、両面テープ、半田による接合、放熱シート（好ましくはシリコーン系放熱シート）、シリコーン系又はエポキシ系樹脂材料を用いる方法など何れのボンディング方法でもよいが、金属による接合が放熱性の点から好ましい。
　また、発光素子４は、両側の表面電極部３と導電接続されている。この導電接続は、発光素子４の上部電極と各々の表面電極部３とを、金属細線８によるワイヤボンディング等で結線することで行うことができる。ワイヤボンディングとしては、超音波やこれと加熱を併用したものなどが可能である。
　本実施形態の発光素子パッケージは、封止樹脂７をポッティングする際の堰部６を設けた例を示すが、図２に示すように、堰部６を省略することも可能である。堰部６を形成する方法としては、環状部材を接着する方法、ディスペンサーで紫外線硬化樹脂等を立体的に環状に塗布して硬化させる方法など、が挙げられる。
　ポッティングに用いる樹脂としては、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂等が好適に使用できる。封止樹脂７のポッティングは、凸レンズの機能を付与する観点から上面を凸状に形成するのが好ましいが、上面を平面状や凹状に形成してもよい。ポッティングした封止樹脂７の上面形状は、使用する材料の粘度、塗布方法、塗布表面との親和性などで制御することができる。
　本発明では、封止樹脂７の上方に、凸面の透明樹脂レンズを備えていてもよい。透明樹脂レンズが凸面を有することで、効率良く基板から上方に光を発射させることができる場合がある。凸面を有するレンズとしては、平面視形状が円形、楕円形のものなどが挙げられる。なお、透明樹脂や透明樹脂レンズは、着色されたもの又は蛍光物質を含むものでもよい。特に、イエロー系蛍光物質を含む場合、青色発光ダイオードを用いて、白色光を発生させることができる。
　［別の実施形態］
　（１）前述の実施形態では、フェイスアップ型の発光素子を搭載する例を示したが、本発明では、一対の電極を底面に備えるフェイスダウン型の発光素子を搭載してもよい。その場合、ソルダ接合を行うこと等によって、ワイヤボンディング等を不要にできる場合がある。また、発光素子の表面と裏面とに電極を有する場合には、ワイヤボンディング等を１本にすることが可能である。
　（２）別の製造方法として、以下の工程を有する。金属層２１と積層体２４を積層した積層体２５は、金属肉厚部２が露出するように絶縁層１および金属層５が除去される。除去装置としては、平面性を保ちつつ金属肉厚部２を露出させることができる装置として、例えば、研磨手段、露光現像、化学処理、などが挙げられる。また、金属肉厚部２の頂部が露出するように、金属層５および絶縁層１のみを除去してもよく、例えば、金属層５および絶縁層１のみを穿つこともできる。次いで、金属肉厚部２が露出した側に対し、フォトリソグラフィ法によるエッチング等により、パターン形成することにより表面電極部３１を形成する。また、金属層２１側に対し、フォトリソグラフィ法によるエッチング等により、パターン形成することにより金属パターン５１を形成することができる。次いで、これを、ダイサー、ルータ、ラインカッター、スリッター等の切断装置を用いて、所定のサイズに切断することで、本発明の発光素子パッケージ用基板を得ることができる。
　上記の製造方法で製造された金属肉厚部２が露出した状態のパッケージ用基板を用いた例を以下に示す。図５に示すように、金属層２１に金属パターン５１が形成され、金属肉厚部２の上部に実装パッド２ｅが形成されている。この場合、実装パッド２ｅを介して発光素子４が実装されている。伝熱性の観点から、実装パッド２ｅと金属肉厚部２は両者がめっきで接合されていることがより好ましい。
　また、図６に示すように、実装パッド２ｅを省略して、金属肉厚部２の頂部に直接、発光素子４をボンディング等してもよい。
　（３）前述の実施形態では、表面電極部３１と絶縁層１の裏面とが導通していない構造の例を示したが、本発明では、図７に示すように、表面電極部３１と絶縁層１の裏面とを導通させる層間導通部１０を更に備えることが好ましい。層間導通部１０としては、スルーホールメッキ、導電性ペースト、金属バンプなど何れでもよい。その形成方法は、例えば、レーザー加工、エッチング等が例示される。
　本発明では、図７に示すような発光素子パッケージ用基板を、層間導通部１０と金属肉厚部２とを金属バンプとして金属板（金属層２１）に形成しておき、絶縁層１と金属板とをロールプレスで接着・一体化し、金属バンプの頂部を露出させてパターン成形することで、簡易に作製することができる。金属バンプの頂部を露出させる方法としては、研磨、露光現像、化学処理、などが挙げられる。
　この例では、凸面を有するレンズ９が封止樹脂７の上面に接合され、堰６が形成されているが、レンズ９や堰６を省略することが可能である。また、金属バンプの頂部にパッドを設けることも可能である。
　なお、図７に示すように、発光素子パッケージは、例えば搭載用基板ＣＢに対して、ソルダ接合される。搭載用基板ＣＢとしては、例えば放熱用金属板１２と、絶縁層１１と、配線パターン１３とを有するものが使用される。ソルダ接合は、発光素子パッケージの裏面側電極（金属パターン５ａ）と配線パターン１３とが、ソルダ１５を介して接合される。また、金属肉厚部２と配線パターン１３とが、ソルダ１５を介して接合される。
　（４）前述の実施形態では、配線層が単層である配線基板に対して発光素子を搭載する例を示したが、本発明では、配線層が２層以上の多層配線基板に対して発光素子を搭載してもよい。その場合の導電接続構造の形成方法の詳細は、国際公開公報ＷＯ００／５２９７７号に記載されており、これらをいずれも適用することができる。
　（５）また、別実施形態として、積層体２４がロール状に構成されていない場合がある。この場合、ロール状の金属層５を繰り出しながら、絶縁接着剤を表面に連続的に塗布することで、積層体２４を構成する。この積層体２４に対して、前記のプロセスを用いて、金属層２１を連続的に積層して、積層体２５を得る。このとき、金属層２１との積層前に、積層体２４の絶縁接着剤をＢステージ状態に半硬化させることも可能である。
　（６）別実施形態として、金属層２１のベース金属がロール状に構成され、このロール状のベース金属を繰り出しながら、前記プロセスを用いて金属肉厚部を連続的に形成して、金属層２１を得る。この金属層２１に対して、前記のプロセスを用いて、積層体２４を連続的に積層して、積層体２５を得る。

Claims (6)

  1. 　発光素子の実装位置下方に形成される金属肉厚部を備える発光素子パッケージ用基板の製造方法であって、
    　熱伝導性フィラーを含む樹脂から構成された１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する絶縁接着剤および金属層部材を有する積層体と、金属肉厚部を有する金属層部材との、それぞれの部材を繰り出しながら、積層一体化する積層工程を有する発光素子パッケージ用基板の製造方法。
  2. 　前記絶縁接着剤および金属層部材を有する積層体、および／または、金属肉厚部を有する金属層部材が、予めロール状である請求項１に記載の発光素子パッケージ用基板の製造方法。
  3. 　前記金属肉厚部は、前記積層体の絶縁層内部に含まれるように積層される請求項１に記載の発光素子パッケージ用基板の製造方法。
  4. 　前記金属肉厚部が露出するように、前記積層体を除去する除去工程を有する請求項１に記載の発光素子パッケージ用基板の製造方法。
  5. 　前記積層工程の後に、ロール状に巻き取る工程を、さらに有する請求項１に記載の発光素子パッケージ用基板の製造方法。
  6. 　前記請求項１～５のいずれか１項で製造された発光素子パッケージ用基板を用いた発光素子パッケージ。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012109404A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Panasonic Corp 発光装置および発光装置を備える照明装置
FR2969899A1 (fr) * 2010-12-23 2012-06-29 Valeo Sys Controle Moteur Sas Circuit imprime a substrat metallique isole
KR101212964B1 (ko) * 2010-09-03 2012-12-18 엘지이노텍 주식회사 세라믹 입자가 함유된 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법
WO2013019033A2 (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Lg Innotek Co., Ltd. Optical device package and method of manufacturing the same
WO2013019032A2 (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Lg Innotek Co., Ltd. Optical device package and method of manufacturing the same
KR101259304B1 (ko) * 2011-03-14 2013-05-06 샤프 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 실장용 기판 및 ｌｅｄ 모듈의 제조 방법
US20130189514A1 (en) * 2010-10-06 2013-07-25 Tomoo Nishiyama Multilayer resin sheet and process for production thereof, resin sheet laminate and process for production thereof, cured multilayer resin sheet, metal-foil-cladded multilayer resin sheet, and semiconductor device
JPWO2014021427A1 (ja) * 2012-08-02 2016-07-21 学校法人早稲田大学 金属ベースプリント配線板

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008054233A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtmodul
CN102804430B (zh) * 2010-01-19 2015-11-25 Lg伊诺特有限公司 封装结构及其制造方法
KR101659357B1 (ko) * 2010-05-12 2016-09-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자패키지
KR101250381B1 (ko) * 2010-12-08 2013-04-05 엘지이노텍 주식회사 광패키지 및 그 제조방법
US10433414B2 (en) * 2010-12-24 2019-10-01 Rayben Technologies (HK) Limited Manufacturing method of printing circuit board with micro-radiators
KR101118917B1 (ko) * 2011-11-17 2012-02-27 정기석 엘이디 조명 및 백라이트 유닛용 광원장치
DE102012206973B4 (de) * 2012-04-26 2021-02-18 Ledvance Gmbh Verfahren zum erzeugen von leiterbahnen und substrat
DE102012218786B3 (de) * 2012-10-16 2014-02-13 Osram Gmbh Herstellen einer linearen Leuchtvorrichtung und entsprechende Leuchtvorrichtung
JP5941847B2 (ja) * 2013-01-17 2016-06-29 信越化学工業株式会社 シリコーン・有機樹脂複合積層板及びその製造方法、並びにこれを使用した発光半導体装置
CN106469778B (zh) * 2015-08-18 2017-12-22 江苏诚睿达光电有限公司 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
JP2019114624A (ja) * 2017-12-22 2019-07-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005167086A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Daiwa Kogyo:Kk 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2005340335A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd 積層成形装置、半導体装置用基板及びその製造方法
JP2006100753A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびその製造方法
JP2006156930A (ja) * 2004-03-19 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 層間接合部位を有するフレキシブル基板およびその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1176567C (zh) 1999-03-03 2004-11-17 株式会社大和工业 制造多层布线板的方法
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005167086A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Daiwa Kogyo:Kk 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2006156930A (ja) * 2004-03-19 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 層間接合部位を有するフレキシブル基板およびその製造方法
JP2005340335A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd 積層成形装置、半導体装置用基板及びその製造方法
JP2006100753A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびその製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101212964B1 (ko) * 2010-09-03 2012-12-18 엘지이노텍 주식회사 세라믹 입자가 함유된 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법
US20130189514A1 (en) * 2010-10-06 2013-07-25 Tomoo Nishiyama Multilayer resin sheet and process for production thereof, resin sheet laminate and process for production thereof, cured multilayer resin sheet, metal-foil-cladded multilayer resin sheet, and semiconductor device
JP2012109404A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Panasonic Corp 発光装置および発光装置を備える照明装置
FR2969899A1 (fr) * 2010-12-23 2012-06-29 Valeo Sys Controle Moteur Sas Circuit imprime a substrat metallique isole
CN103392384A (zh) * 2010-12-23 2013-11-13 法雷奥电机控制系统公司 具有绝缘金属基板的印刷电路板
KR101259304B1 (ko) * 2011-03-14 2013-05-06 샤프 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 실장용 기판 및 ｌｅｄ 모듈의 제조 방법
WO2013019033A2 (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Lg Innotek Co., Ltd. Optical device package and method of manufacturing the same
WO2013019032A3 (en) * 2011-07-29 2013-04-11 Lg Innotek Co., Ltd. Optical device package and method of manufacturing the same
WO2013019033A3 (en) * 2011-07-29 2013-04-11 Lg Innotek Co., Ltd. Optical device package and method of manufacturing the same
WO2013019032A2 (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Lg Innotek Co., Ltd. Optical device package and method of manufacturing the same
US9196811B2 (en) 2011-07-29 2015-11-24 Lg Innotek Co., Ltd. Optical device package having a groove in the metal layer
US9496469B2 (en) 2011-07-29 2016-11-15 Lg Innotek Co., Ltd. Method of fabricating an optical device package with an adhesive having a reflective material
JPWO2014021427A1 (ja) * 2012-08-02 2016-07-21 学校法人早稲田大学 金属ベースプリント配線板

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