CN102224605A - 发光元件封装用基板的制造方法及发光元件封装体 - Google Patents

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铃木元裕
米村直己
冈岛芳彦
前田哲郎
吉村荣二
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Denki Kagaku Kogyo KK
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Abstract

本发明提供一种作为用于发光元件的封装化的基板的、能够获得从发光元件充分散热的效果且能够实现大量生产、低成本化和小型化的发光元件封装用基板的制造方法及使用由该制造方法制造出的发光元件封装用基板的发光元件封装体。在具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部的发光元件封装用基板的制造方法中具有层叠工序，在该层叠工序中，在将具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和具有金属厚层部的金属层构件分别引出的同时将它们层叠一体化，所述绝缘粘接剂由含有导热性填充物的树脂构成且具有1.0W/mK以上的导热率。

Description

发光元件封装用基板的制造方法及发光元件封装体
技术领域
本发明涉及在将LED芯片等发光元件封装化时使用的发光元件封装用基板的制造方法及使用由该制造方法制造出的发光元件封装用基板的发光元件封装体。
背景技术
近年来，发光二极管作为能够轻量·减薄化及省电化的照明·发光装置而受到关注。作为发光二极管的安装方式已知有：将发光二极管的裸芯片(LED芯片)直接安装到配线基板上的方法；为了使LED芯片容易安装到配线基板上而将LED芯片接合(bonding)到小型基板上并将其封装化、然后将该LED封装体安装到配线基板上的方法。
以往的LED封装体构成为，将LED芯片小片接合(die bond)到小型基板上，通过引线接合(wire bond)等将LED芯片的电极部分与引线的电极部分之间连接，并由具有透光性的密封树脂将其密封。
另一方面，LED芯片具有以下性质，即，在作为照明器件的通常的使用温度区域内，温度越低则发光效率越高，温度越高则发光效率越下降。因此，在使用发光二极管的光源装置中，对于提高LED芯片的发光效率而言，将LED芯片产生的热量迅速地向外部散出而降低LED芯片的温度成为了非常重要的课题。此外，通过提高散热特性能够在LED芯片中通过大电流来进行使用，从而能够增大LED芯片的光输出。
因此，已提出了多个取代以往的发光二极管而将LED芯片直接小片接合到导热性的基板上以改善LED芯片的散热特性的光源装置。例如，已知有下述专利文献1中的如下装置，即，通过对铝薄板构成的基板实施冲压加工而形成凹部，在其表面上形成绝缘体薄膜后，隔着绝缘体薄膜在凹部的底面上小片接合LED芯片，使形成于绝缘体膜层上的配线图案与LED芯片表面的电极之间经由接合引线而电连接，并在凹部内填充具有透光性的密封树脂。然而，这种基板存在结构变得复杂而造成加工成本增加等问题。
此外，在下述的专利文献2中，作为发光元件搭载用基板公开有具备如下构件的结构，即，该结构具备：金属基板、通过蚀刻形成在该金属基板的发光元件的搭载位置的金属柱状体(金属凸部)、形成在该金属柱状体的周围的绝缘层、在所述金属柱状体的附近形成的电极部。
专利文献1：日本特开2002-94122号公报
专利文献2：日本特开2005-167086号公报
然而，根据本发明人等的研究发现，对于将LED芯片安装到配线基板上的情况而言，虽然在其搭载位置设置金属柱状体是重要的，但是对于安装LED封装体而言，并非必须在配线基板上设置金属柱状体。即，发现如下情况：在安装LED封装体时，通过使用含有高导热性的无机填充物的树脂作为搭载LED封装体的基板的绝缘层的材料，从而能够得到充分的散热性。
基于该观点考虑而参照专利文献2可知，在该文献所记载的发光元件搭载用基板中，在将LED芯片封装化时，对于金属柱状体的贯通结构、用于供电的配线、绝缘层等还有进一步改良的余地。
另外，作为用于LED芯片的封装化的小型基板，已知有绝缘层由陶瓷构成的情况，但由于在制造时需要进行陶瓷的烧成等，因此不能说其在制造成本等方面是有利的，不适用于大量生产。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种作为用于发光元件的封装化的基板的、能够获得从发光元件充分散热的效果且能够实现大量生产、低成本化和小型化的发光元件封装用基板的制造方法及使用由该制造方法制造出的发光元件封装用基板的发光元件封装体。
上述目的可通过如下所述的本发明实现。
本发明提供一种发光元件封装用基板的制造方法，该发光元件的封装用基板具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部，其特征在于，所述制造方法具有层叠工序，在该层叠工序中，在将具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和具有金属厚层部的金属层构件分别引出的同时将它们层叠一体化，所述绝缘粘接剂由含有导热性填充物的树脂构成且具有1.0W/mK以上的导热率。
根据本发明的发光元件封装用基板的制造方法，能够将具有良好导热性的绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体与具有金属厚层部的金属层构件层叠一体化。通过预先制造层叠体，能够容易地进行发光元件封装用基板的制造，在大量生产方面优良，能够实现低成本化和封装体的小型化。并且，例如，在将发光元件安装到与金属厚层部对置的金属层表面侧时，由发光元件发出的热量通过金属厚层部高效地传递，该热量进一步通过高导热率的绝缘层高效地传递，由此作为用于封装化的基板能够得到充分的散热效果。
另外，作为本发明的优选的实施方式的一例，优选具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和/或具有金属厚层部的金属层构件预先形成为卷筒状。根据该结构，与单叶生产相比，连续生产性及大量生产性优良，材料利用率也高。
另外，作为本发明的优选的实施方式的一例，优选金属厚层部层叠成包含在层叠体的绝缘层内部。在这种结构的情况下，由于金属厚层部的顶部侧埋入具有高导热率的绝缘层(绝缘粘接剂的硬化后的状态，以下相同。)而扩大传热面积，因此能够将来自金属厚层部的热量更高效地向封装体整体传递。
另外，作为本发明的优选的实施方式的一例，其特征在于，具有除去所述层叠体以使所述金属厚层部露出的除去工序。在这种结构的情况下，金属厚层部的顶部侧露出(金属厚层部贯通绝缘层的状态)，可以在该金属厚层部的顶部侧直接或经由衬垫等间接层安装发光元件。在形成为这样的结构的情况下，由于发光元件安装在金属厚层部侧，因此由发光元件产生的热量被高效地传递。进而，热量经由金属厚层部高效地向绝缘层侧传递。
另外，作为本发明的优选的实施方式的一例，优选在所述层叠工序之后还具有卷绕成卷筒状的工序。根据该结构，通过将层叠工序后的层叠体(基板构件)卷绕成卷筒状，能够在接下来的工序中使输送容易，例如，在图案形成工序、切断工序中的层叠体(基板构件)引出也可以容易地进行。另外，也可使保管面积变小。
另外，本发明的发光元件封装体使用由上述的制造方法制造的发光元件封装用基板而构成。由此，能够制造低成本且小型的发光元件封装体。
附图说明
图1是表示本发明的发光元件封装用基板的一例的剖视图。
图2是表示本发明的发光元件封装用基板的另一例的剖视图。
图3是表示本发明的发光元件封装用基板的制造方法的一例的图。
图4是表示本发明的发光元件封装用基板的制造方法的一例的图。
图5是表示本发明的发光元件封装用基板的另一例的剖视图。
图6是表示本发明的发光元件封装用基板的另一例的剖视图。
图7是表示本发明的发光元件封装体的另一例的剖视图。
符号说明
1绝缘层
2金属厚层部
3表面电极部
4发光元件
5金属层
5a金属图案
7密封树脂
10层间导通部
21金属层
24层叠体
25层叠体
30a、30b辊
31表面电极部
40板状体
51金属图案
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的发光元件封装用基板的一例的剖视图，其示出安装发光元件并将其封装化的状态。
如图1所示，本发明的发光元件封装用基板具备：由含有导热性填充物1b、1c的树脂1a构成的绝缘层1；在发光元件4的安装位置的下方设置有金属厚层部2的金属层21；形成在绝缘层1的安装一侧的表面电极部3。
在本实施方式中，金属层21的安装面2a上直接安装有发光元件4。在金属厚层部2，从安装面2a朝向绝缘层1的背面侧地形成厚层，其顶部侧包含在绝缘层1的内部(埋入的状态)。在这种金属厚层部2的顶部侧未贯通绝缘层1的结构中，由于能够如后所述那样通过冲压来制造，因此能够实现大量生成、低成本化和小型化。
绝缘层1具有1.0W/mK以上的导热率，优选具有1.2W/mK以上的导热率，更优选具有1.5W/mK以上的导热率。由此，能够高效地将来自金属厚层部2的热量向封装体整体散热。在此，绝缘层1的导热率是通过选择适当考虑了导热性填充物的配合量及粒度分布的配合而决定的，但若考虑硬化前的绝缘性粘接剂的涂敷性，则通常优选以10W/mK左右作为上限。
绝缘层1优选由作为金属氧化物和/或金属氮化物的导热性填充物1b、1c和树脂1a构成。金属氧化物及金属氮化物优选导热性优良且具有电绝缘性的材料。作为金属氧化物可以选择氧化铝、氧化硅、氧化铍、氧化镁，作为金属氮化物可以选择氮化硼、氮化硅、氮化铝，可以将它们单独使用或两种以上混合使用。尤其是，在所述金属氧化物中，氧化铝具有电绝缘性和导热性，而且能够容易获得良好的绝缘粘接剂层，并且能够以低价购得，因此优选；此外，在所述金属氮化物中，氮化硼的电绝缘性、导热性优良，而且其介电常数小，因此优选。
作为导热性填充物1b、1c优选含有小径填充物1b和大径填充物1c的材料。通过如此使用两种以上的大小不同的粒子(粒度分布不同的粒子)，能够通过大径填充物1c自身的传热功能和由小径填充物1b提高大径填充物1c间的树脂的传热性的功能，来提高绝缘层1的导热率。基于这样的观点来考虑，小径填充物1b的平均粒径优选为0.5～2μm，更优选为0.5～1μm。此外，大径填充物1c的平均粒径优选为10～40μm，更优选为15～20μm。
此外，即使如本实施方式这样构成为金属厚层部2的顶部侧未贯通绝缘层1的结构，由于在金属厚层部2的顶部2b与金属图案5a之间存在大径填充物1c，因此在冲压时顶部2b与金属图案5a也变得容易接触。其结果是，在金属厚层部2的顶部2b与金属图案5a之间形成导热的通路，从金属厚层部2向金属图案5a的散热性进一步得到提高。
作为构成绝缘层1的树脂1a，选择含有所述的金属氧化物和/或金属氮化物且在硬化状态下与表面电极部3及金属图案5a的接合力优良而且耐电压特性等不受损的材料。
作为这样的树脂，除了可以使用环氧树脂、苯酚树脂、聚酰亚胺树脂以外，还可以单独使用各种工程塑料或将各种工程塑料混合两种以上进行使用，其中环氧树脂因与金属彼此的接合力优良而优选。特别是，在环氧树脂中，更优选流动性强、与所述金属氧化物及金属氮化物的混合性优良的双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂，氢化双酚A型环氧树脂、氢化双酚F型环氧树脂、在两末端具有双酚A型环氧树脂结构的三嵌段共聚物、在两末端具有双酚F型环氧树脂结构的三嵌段共聚物。
本发明中的具有金属厚层部2的金属层21、表面电极部3及金属图案5a可以使用各种金属，但通常可以使用铜、铝、镍、铁、锡、银、钛中的任一种或含有这些金属的合金等，尤其从导热性和导电性的观点考虑优选铜。
金属厚层部2设置于金属层21。优选金属厚层部2的厚度比金属层21的厚度大。基于将来自发光元件4的热量充分地传递到绝缘层1的观点考虑，作为金属层21的厚度(h1：参照图3)及金属厚层部2的厚度(h2：参照图3)优选为31～275μm，更优选为35～275μm。此外，基于同样的理由考虑，金属厚层部2中的贯通绝缘层1内部的部分的厚度优选为绝缘层1的厚度的30～100％，更优选为50～100％。
此外，基于将来自发光元件4的热量充分地传递到绝缘层1的观点考虑，可适当选择金属厚层部2的俯视形状，优选为三角形或四边形等多边形、五角星或六角星等星形多边形、将它们的角部以适当的圆弧形成为圆角的形状，而且还可以形成为从金属厚层部2的2a面朝向表面电极部3逐渐变化的形状。此外，基于同样的理由，金属厚层部2在俯视下的最大宽度优选为1～10mm，更优选为1～5mm。
在金属层21上形成金属厚层部2的方法可以采用公知的形成方法，例如，可以通过基于光刻法的蚀刻、冲压、印刷、粘接、公知的凸出物形成法形成。另外，在通过蚀刻形成金属厚层部2时，也可以是夹有保护金属层的结构。作为保护金属层例如可以使用金、银、锌、钯、钌、镍、铑、铅—锡系钎料合金或镍—金合金等。
表面电极部3的厚度优选为例如25～70μm左右。此外，金属图案5a的厚度优选为例如25～70μm左右。需要说明的是，金属图案5a可以覆盖绝缘层1的背面整体，另外也可以与金属层21同样地具有金属厚层部2。为了避免表面电极部3的短路，金属图案5a优选至少两侧的表面电极部3的背面的金属图案5a不导通。尤其是，在金属图案5a上具有金属厚层部2时，在下述的层叠一体化的工序中，需要注意避免产生位置偏移。另外，金属图案5a优选在绝缘粘接剂的B阶段状态中预先形成。
为了提高反射效率，优选在金属厚层部2、金属层21和表面电极部3上进行基于银、金、镍等贵金属的镀敷。此外，也可以与以往的配线基板同样地形成阻焊膜或局部地进行钎料镀敷。
(制造方法)
接下来，利用图3、4说明以上这样的本发明的发光元件封装用基板的优选的制造方法。如图3、4所示，准备将形成有金属厚层部2的长条状的金属层21卷绕而形成的金属层卷筒体22。适当设定宽度方向尺寸、金属厚层部2的配置等。在金属层21上形成金属厚层部2的方法如上述说明那样。
另外，准备将长条状的B阶段状态下的绝缘层1和长条状的金属层5的层叠体24卷绕而形成的卷筒体23。适当设定宽度方向尺寸，优选与金属层卷筒体22的宽度方向尺寸为相同程度。可以在长条状的绝缘层1的表面设置剥离保护层。这种情况下，在与金属层21层叠时剥离保护层被剥离。
如图3所示，用于层叠的辊由一对辊(30a、30b)构成。另外，如图4(a)所示，辊对(30a、30b)也可以由多个辊对构成。另外，如图4(b)所示，辊对(30a、30b)可构成为经由板状体40(一侧或两侧)来冲压金属层21及层叠体24。另外，也可以使用将辊对与夹有板状体辊对组合的结构。辊材料和辊的尺寸等根据将金属层21与层叠体24层叠一体化形成的层叠体25(基板构件)的规格而适当设定。作为板状体可例示出平面性良好的硬质金属板、硬质树脂板。另外，也可以使用带冲压。而且，还可以使用通过步进式地进行金属层21及层叠体24的引出的间歇式冲压机。
辊对(30a、30b)间距离构成为可调节。根据层叠金属层21及层叠体24得到的层叠体25的厚度、金属厚层部2中的包含在绝缘层1内部的部分的厚度及层叠工序运转条件(输送速度等)等条件来设定该距离。辊对(30a、30b)的冲压力是根据金属层21、构成层叠体24的绝缘层1及金属层5、将它们层叠得到的层叠体25的各自的规格来设定的。另外，辊对(30a、30b)间距离在形成层叠体25时可以固定也可以构成为沿相对于层叠体25垂直的方向变动。在构成为可沿垂直方向变动时可适用公知的机构，可例示出例如弹簧、油压缸、弹性构件等。
以下，对图3所示的制造方法进行说明，图4所示的制造方法也同样地进行作用。首先，从金属层卷筒体22引出长条状的金属层21并向辊对(30a、30b)侧送出。与此同时，从B阶段状态下的绝缘层1与金属层5的层叠体24的卷筒体23引出长条状的层叠体24并向辊对(30a、30b)侧送出。接下来，将它们输送到辊对(30a、30b)之间，对金属层21和层叠体24施加基于辊对(30a、30b)的冲压作用，由此金属层21与层叠体24层叠并一体化从而形成层叠体25。在图3中，以金属厚层部2成为埋入层叠体24的绝缘层1的内部的状态的方式形成层叠体25。
另外，也可以构成为对辊本身进行加热并在使该热量进行作用的同时进行冲压(同时加热冲压)。在加热绝缘层1的情况下，对于提高与金属层21的接合性的方面是有效的。而且，也可以构成为在辊对(30a、30b)的上游侧和/或下游侧设置加热装置，由此能够高效地进行绝缘层1与金属层21的接合。
另外，也可以构成在金属层21和/或绝缘层1的层叠面侧涂敷粘接剂，由此加强接合力。
另外，为了厚度保持·稳定化，也可以构成为在辊对(30a、30b)的下游侧设置多个辊对(按压辊对)和/或平面板部对，由此，能够提高层叠体25的厚度精度。另外，为了进行冷却，也可以在辊对(30a、30b)的下游侧具备冷却辊、冷却装置等。
通过使利用辊将金属层21与层叠体24层叠得到的层叠体25导入并通过条件适当的加热装置的内部，使B阶段状态下的绝缘层1硬化成C阶段状态。接下来，通过利用切块机、刳刨机(router)、直线切断机(line cutter)、剪切机等切断装置将其切断成规定的尺寸。需要说明的是，层叠体25的硬化也可以在切断后进行，另外也可以在切断前进行硬化反应并且在切断后进一步进行后固化(postcure)。这种情况下，可以在切断前设置在线的加热装置，也可以在卷绕成卷筒状后以离线的方式通过加热装置进行硬化反应。
接下来，层叠体25通过基于光刻法的蚀刻等在两面上形成图案而形成表面电极部3及金属图案5a，由此能够得到本发明的发光元件封装用基板。此时，金属层21也可以构成为一部分被除去而剩余部分形成表面电极部3。另外，金属层5也可以构成为一部分被除去而剩余部分形成金属图案5a。
如图1所示，本发明的发光元件封装用基板可以是安装单个发光元件的类型，也可以是安装多个发光元件的类型。尤其是后者的情况下，优选具有在表面电极部3之间配线的配线图案。
另外，例如如图1所示，对于本发明的发光元件封装用基板而言，在发光元件封装用基板的金属厚层部2的上方的金属层21安装发光元件4并利用密封树脂7密封该发光元件4而进行使用。
即，发光元件封装体具备：发光元件封装用基板、安装在金属厚层部2的上方的发光元件4、密封该发光元件4的密封树脂7，其中，所述发光元件封装用基板具备：由含有导热性填充物1b、1c的树脂1a构成的绝缘层1、形成在发光元件4的安装位置的下方的设有金属厚层部2的金属层21、形成在绝缘层1的安装一侧的表面上的表面电极部3。
作为安装的发光元件4，可以列举出LED芯片和半导体激光芯片等。在LED芯片中，除了包括两电极存在于上表面的面朝上(Face-up)型以外，还包括基于背面的电极的阴极型、阳极型、面朝下(Face-down)型(倒装芯片型)等。在本发明中使用面朝上型是因为其在散热性方面优良。
发光元件4向金属层21的安装面搭载的搭载方法可以是使用导电性糊剂、双面胶带、基于钎焊的接合、散热片(优选硅酮系散热片)、硅酮系或环氧系树脂材料的方法等中的任一种接合方法，但从散热性方面考虑优选基于金属的接合。
另外，发光元件4与两侧的表面电极部3导电连接。该导电连接可以通过利用基于金属细线8的引线接合等将发光元件4的上部电极与各表面电极部3结线而实现。作为引线接合，可以使用超声波或并用超声波及加热等的方法。
本实施方式的发光元件封装体示出了设有接合密封树脂7时的坝部6的示例，但也可以如图2所示那样省略坝部6。作为形成坝部6的方法，可以列举出粘接环状构件的方法、利用配送器将紫外线硬化树脂等立体且呈环状地涂布并使其硬化的方法等。
作为接合用的树脂可以适当使用硅酮系树脂、环氧系树脂等。从赋予凸透镜功能的观点考虑，关于密封树脂7的接合，优选将上表面形成凸状，但也可以将上表面形成平面状或凹状。关于接合后的密封树脂7的上表面形状，可以通过使用的材料的粘度、涂敷方法、与涂敷表面的亲和性等进行控制。
在本发明中，也可以在密封树脂7的上方具备凸面的透明树脂透镜。通过使透明树脂透镜具有凸面，能够高效地从基板向上方发射光。作为具有凸面的透镜可以列举出俯视形状为圆形、椭圆形的构件等。另外，透明树脂和透明树脂透镜也可以含有着色的物质或荧光物质。尤其是在含有黄色系荧光物质时，可以使用蓝色发光二极管产生白色光。
[其他实施方式]
(1)在上述的实施方式中示出了搭载面朝上型的发光元件的示例，在本发明中也可以搭载在底面具备一对电极的面朝下型的发光元件。此时，有时可以通过进行焊接接合等而无需引线接合等。此外，当在发光元件的表面和背面具有电极时，能够以一根引线进行引线接合等。
(2)作为其他的制造方法，具有以下的工序。在将金属层21和层叠体24层叠得到的层叠体25中，以使金属厚层部2露出的方式除去绝缘层1及金属层5。作为除去装置，可以是在保持平面性的同时使金属厚层部2露出的装置，例如可以举出研磨机构、曝光显影、化学处理等。另外，为了使金属厚层部2的顶部露出，可以仅除去金属层5及绝缘层1，也可以例如仅挖穿金属层5及绝缘层1。接下来，对金属厚层部2露出的一侧通过基于光刻法的蚀刻等进行图案形成，由此形成表面电极部31。另外，对金属层21侧通过基于光刻法的蚀刻等进行图案形成，由此形成金属图案51。然后，利用切块机、刳刨机、直线切断机、剪切机等切断装置将其切断成规定的尺寸，从而能够得到本发明的发光元件封装用基板。
以下示出使用了由上述的制造方法制造的金属厚层部2为露出状态的封装用基板的示例。如图5所示，在金属层21上形成有金属图案51，在金属厚层部2的上部形成有安装垫2e。此时，经由安装垫2e安装发光元件4。基于传热性的观点考虑，优选安装垫2e与凸状部5a两者通过镀敷的方式接合。
此外，如图6所示，也可以省略安装垫2e，在金属厚层部2的顶部直接接合发光元件4等。
(3)在上述的实施方式中示出了表面电极部31和绝缘层1的背面未导通的结构的示例，但在本发明中，优选如图7所示那样进一步具备使表面电极部31和绝缘层1的背面导通的层间导通部10。作为层间导通部10可以为通孔镀敷、导电性糊剂、金属凸出物等任一种。其形成方法例如可例示出激光加工、蚀刻等。
在本发明中，预先将层间导通部10和金属厚层部2作为金属凸出物形成在金属板(金属层21)上，并通过辊冲压将绝缘层1与金属板粘接、一体化，使金属凸出物的顶部露出而进行图案成形，从而能够简单地制成图7所示那样的发光元件封装用基板。作为使金属凸出物的顶部露出的方法可以举出研磨、曝光显影、化学处理等。
在该例中，具有凸面的透镜9接合在密封树脂7的上表面且形成有坝6，但也可以省略透镜9和坝6。此外，也可以在金属凸出物的上表面设置垫。
此外，如图7所示，本发明的发光元件封装体例如与搭载用基板CB焊接接合。作为搭载用基板CB可以使用具有例如散热用金属板12、绝缘层11和配线图案13的部件。在焊接接合中，发光元件封装体的背面侧电极(金属图案5a)与配线图案13经由焊料15接合。此外，金属厚层部2与配线图案13经由焊料15接合。
(4)在上述的实施方式中示出了对配线层为单层的配线基板搭载发光元件的示例，但在本发明中，也可以对配线层为两层以上的多层配线基板搭载发光元件。这种情况的导电连接结构的形成方法的详细情况在国际公开公报WO00/52977号中有所记述，可以使用其中的任一种。
(5)另外，作为其他实施方式，存在层叠体24未构成卷筒状的情况。此时，在引出卷筒状的金属层5的同时在表面连续涂敷绝缘粘接剂，由此构成层叠体24。对该层叠体24使用上述的工艺，连续层叠金属层21从而得到层叠体25。此时，在与金属层21层叠前，可以使层叠体24的绝缘粘接剂半硬化至B阶段状态。
(6)作为其他实施方式，将金属层21的基体金属构成为卷筒状，在引出该卷筒状的基体金属的同时使用上述工艺连续地形成金属厚层部，由此得到金属层21。对该金属层21使用上述的工艺而连续地层叠层叠体24，由此得到层叠体25。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种发光元件封装用基板的制造方法，该发光元件的封装用基板具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部，其中，
所述制造方法具有层叠工序，在该层叠工序中，在将具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和具有金属厚层部的金属层构件分别引出的同时将它们层叠一体化，所述绝缘粘接剂由含有导热性填充物的树脂构成且具有1.0W/mK以上的导热率。
2.(修改后)根据权利要求1所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述导热性填充物包括两种以上大小不同的粒子。
3.(修改后)根据权利要求1所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述导热性填充物包括平均粒径为0.5～2μm的小径的导热性填充物及平均粒径为10～40μm的大径的导热性填充物。
4.(修改后)根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体及/或具有金属厚层部的金属层构件预先形成为卷筒状。
5.(修改后)根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述金属厚层部层叠成包含在所述层叠体的绝缘层内部。
6.(修改后)根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
具有去除所述层叠体以使所述金属厚层部露出的去除工序。
7.(追加)根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
在所述层叠工序之后还具有卷绕成卷筒状的工序。
8.(追加)一种发光元件封装体，其使用由权利要求1至7中任一项所制造的所述发光元件封装用基板。

Claims (6)

1.一种发光元件封装用基板的制造方法，该发光元件的封装用基板具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部，其中，
所述制造方法具有层叠工序，在该层叠工序中，在将具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和具有金属厚层部的金属层构件分别引出的同时将它们层叠一体化，所述绝缘粘接剂由含有导热性填充物的树脂构成且具有1.0W/mK以上的导热率。
2.根据权利要求1所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和/或具有金属厚层部的金属层构件预先形成为卷筒状。
3.根据权利要求1所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述金属厚层部层叠成包含在所述层叠体的绝缘层内部。
4.根据权利要求1所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
具有除去所述层叠体以使所述金属厚层部露出的除去工序。
5.根据权利要求1所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
在所述层叠工序之后还具有卷绕成卷筒状的工序。
6.一种发光元件封装体，其使用由权利要求1至5中任一项所制造的所述发光元件封装用基板。
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