TW201118133A - Dimensionally stable polyimides, and methods relating thereto - Google Patents

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201118133 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明揭露内容係關於一般可用於高溫應用的熱與結構 穩定之聚醯亞胺。具體而言，本發明揭露之聚醯亞胺係從 以下衍生而來：a) —種包含3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐 (BPDA)，並視需要地包含焦蜜石酸二酐（PMDA)之二酐成 份；與b)—種包含i. 1，5-萘二胺（1，5-ND);與ii. 1,4-苯二胺 (PPD)與/或間苯二胺（MPD)之二胺成份。 【先前技術】 廣泛而言，聚醯亞胺基板在電子學之應用為習知的技 術。在電子學工業上，需要較低成本的具有改善的結構與 熱穩定特性之聚醯亞胺基板。

Oota等人之日本專利號JP61-25 8835 (Mitsubishi Chemical Industries)揭露藉由焦蜜石酸二酐（PMDA)與萘二胺及二胺 二苯醚反應可獲得一共聚醯亞胺。 【發明内容】 本發明係關於一種薄膜，其含有聚醯亞胺之量約介於任 何兩個以下重量百分比之間，並視需要地包括任何兩個以 下重量百分比：薄膜的40、50、60、65、70、75、80、 85、90、95與100百分比。該聚醯亞胺係從從二酐成分與 二胺成分衍生而來。該二酐成分至少為3,3’,4,4'-聯苯四羧 酸二酐（BPDA)，也可視需要地為焦蜜石酸二酐（PMDA)， 兩者莫耳比為50-100:50-0(BPDA:PMDA)。二胺成分包含 1，5-萘二胺（1，5-ND)，以及1，4-苯二胺（PPD)與/或間苯二胺 148621.doc 201118133 (MPD) ’ 其莫耳比為 15-95:85-5(l，5-ND:PPD+MPD)。本發 明之組成物具有極佳的高溫儲存模數（彈性模數），以及極 低的高溫樣變（ep|ast)。 【實施方式】 本文中之術語「薄膜」表示一無依附的薄膜或一在基板 上的塗層薄膜。該術語「薄膜」係與術語「層」可替換地 使用，且指被覆，所要區域之塗層。 本文中使用之「二酐」係亦意指包含二酐（或其他相關 的組成物）之前驅物與衍生物，其嚴格而言並非二酐，但 功能相同，因其皆有與二胺反應形成聚醯胺酸之能力，而 聚醯胺酸可經轉化成聚醯亞胺。 相同地，「二胺」係意指包含二胺（或其他相關的組成 物）之别驅物與衍生物，其嚴格而言並非二酐，但功能相 同，因其皆有與二酐反應形成聚醯胺酸之能力，而聚醯胺 酸可經轉化成聚醯亞胺。 本文中所述之聚合物一般指聚合物係根據單體所形成之 聚合物。因此，描述如BPDA/1，5-ND之聚醯亞胺係意圖表 示一從BPDA與1，5-ND之聚合反應衍生之聚醯亞胺。 以熱機械分析測得本發明揭露之聚醯亞胺薄膜的平面或 線性熱脹係數（CTE)，其係利用TA儀器TMA-2940以HTC / 每分鐘進行’升溫至380°C ’接著冷卻，再加熱至3 80。(：， 在50 C與35(TC間之再加熱掃描過程測得單位ppm/^的 CTE。 在本文中所使用之術語「包含」、「包括」、「具有」、「含 148621.doc 201118133 有」或該術語任何其他的變化，旨在涵蓋非排他性的包 3。例如’含有清單列出的複數元件的-製程、方法、製 ^或裝置不一定僅限於清單上所列出的這些元件而已，而 是可以包括未明確列出但卻是該製程、方法、製品或設裝 置固有的其他元件。此外，除非另有明確地相反陳述，否 則「或」指包含性的「或」，而不是指排他性的「或」。例 士以下任何種情況均滿足條件a或B: A為真（或存在的） 且B為假（或不存在的）、A為假（或不存在的）且b為真（或存 在的），以及A和B均為真（或存在的）。 又，使用「一」或「一個」來描述本發明之元件與成 伤。这樣做僅僅是為了方便，並且對本發明範疇提供一般 性的意義。除非报明顯地另指他意，這種描述應被理解為 包括一個或至少一個，並且該單數也同時包括複數。 本發明有用之聚醯亞胺係從二胺成分與二酐成分衍生而 來。至少 80、85、90、92、94、95、96、97、98、99 或 100莫耳百分比之二胺成分包含：i i，5_萘二胺（1，5_ND); 以及ii.至少一選自由M_苯二胺（PPD)與間苯二胺（MpD) 組成的群組之成員，其莫耳比為與 MPD)。MPD有時意指l，3-苯二胺。二酐成分包含33，，44,_ 聯苯四羧酸二酐（BPDA)，並視需要地包含焦蜜石酸二酐 (PMDA)，兩者莫耳比為 50-100:50-0(BPDA:PMDA)。 在一實施例中，該BPDA:PMDA之莫耳比為a:B，其中A 係介於任何以下兩個值之間的任何範圍並視需要地包括任 何以下兩個值：50、55、60、65、70、75、80、85、90、 148621.doc 201118133 95與100，以及B係介於任 Ί 乂下兩個值之間的任何範圍並 視耑要地包括任何以下兩個 啕個值.50、45、40、35、30、 25、20、1 5、10、5 盘 〇。y·— ，、 在—貫施例中，1，5 ND:PPD盥/ 或MPD之莫耳比係C:d，Α中Γ在八 一 T C係；丨於任何以下兩個值之 間的任何範圍並視需要地㊅括 吧巴栝任何以下兩個值：15、20 ' 25、3〇、35、4〇、45、50、55、6〇、65 7〇、75 8〇、 心90與95’以及D係介於任何以下兩個值之間的任何範 圍並視需要地包括任何以下兩個值：85、8〇、75、、 65、60、55、50、45、40、M m ^ 刊 35、30、25、20、15、l〇 盥 5 » '、 製備本發明揭露之聚g]|亞胺的方法為本領域所習知的。 在一實施例中，依據本發明揭露之聚醯亞胺薄膜可藉由結 合以上所述之單體與一溶劑形成聚醯胺酸溶液，來製造聚 醯亞胺^二酐與二胺成份通常芳香族二酐成分與芳香族二 胺成份結合之莫耳比為從㈣至11G。藉由調整二肝與二 胺成份之莫耳比可調整其分子量。 在化學轉化的實例中（相對於接著藉由持熱轉化方法， 其可於本發明中實施），聚醯胺酸塑製溶液係從聚醯胺酸 溶液衍生而來。在一實施例中，聚醯胺酸塑製溶液包含聚 醯胺酸溶液與轉化試劑結合，像是：⑴一個或多個脫水 劑’如：脂族酸酐（乙酐等）與芳香族酐；以及（ii)一個或多 個催化劑’如：脂肪族三級胺（三乙胺等）、芳香族三級胺 (二甲苯胺等）與雜環三級胺（吡啶、曱吡啶、異喹啉等）。 在聚醯胺酸中，酐脫水物質之使用常超過醯胺酸族之莫耳 148621.doc 201118133 量。每等量之醯胺酸族通常使用約2·〇·3.〇莫耳的乙酐量。 通常會使用相近量的三級胺催化劑。 在一實施例中，聚醯胺酸溶液與/或聚醯胺酸塑製溶液 内含有機溶劑，其濃度從重量之約5、1〇或12%到約12、 15、20、25、27、30或從約 40、45、50、55、60、65、 7〇、75、80、85或90。/。。適用溶劑之實例包括：亞颯溶劑 (一甲亞石風、二乙亞石風荨）、甲酿胺溶劑（Ν，Ν·.二甲基甲酿 胺、Ν，Ν-二乙基甲酿胺荨.）、乙酿胺溶劑（ν，Ν-二甲基乙酿 胺、Ν，Ν-二乙基乙醢胺等）' °比洛咬酮溶劑（ν·_曱基-2-。比〇各 °定酮、Ν-乙稀基-2-。比"各定酮等）、盼溶劑（紛·> 〇_、m_或ρ_ 曱齡、茬盼、齒化酌'苯二盼等）、六曱基墙酸酿胺與加 馬-丁内酯。可使用這些溶劑的其中一種或其混合物。亦 可將這些溶劑與像是二曱苯與甲苯之芳香族烴或内含如二 甘一甲喊、丙二醇曱醚、丙二醇、曱醚醋酸、四氫吱喃等 之乙基結合。 聚醯胺酸（與塑製溶液）可進一步包含一些任何一種的添 加劑，像是加工助劑（如寡聚物）、抗氧化劑、光穩定劑、 滯焰劑添加劑、抗靜電劑、熱穩定劑、紫外線吸收劑、填 充劑或不同的強化劑。 接著將該溶劑混合物（聚醯胺酸塑製溶液）澆注或塗布至 支•上’例如無端環帶或旋轉鼓輪，以形成薄膜。再 來’藉著在適當溫度下（熱硬化）烘烤’連同化學反應物轉 化（化學硬化）’將内含溶劑之薄膜轉化成一自我支撐的薄 膜。接著藉由持續的熱或化學硬化使該薄膜與支架分離， 148621.doc 201118133 利用例如拉幅進行延展，以製成聚醢亞胺薄膜。 在Kreuz專人之美國專利第5，166,3〇8號中，可發現與本 發明製造聚醯亞胺薄臈—致的實用方法。也可以有許多變 化例如.（a)先將二胺成分與二酐成分混合，接著在攪拌 牯加入。p刀溶劑的方法；（b)加入溶劑至二胺與二酐成分的 攪拌混合物(與上述⑷相反)的方法；⑷僅二胺溶於一溶劑 中再加入一比例可控制反應速率的二酐之方法；（d)僅二 酐成刀冷於一溶劑中，再加入一比例可控制反應速率的胺 之方法，（e) 一胺成分與二酐成分分別溶於溶劑中再將這 些浴劑在反應器中混合的方法；⑺先準備聚醯胺酸與過量 的胺成分，以及聚醯胺酸與過量的二酐成分，再將兩者在 一反應器中交互反應，尤其是一種有關製造非隨機或團聯 之共聚物的方式；（g)將胺成分的特定部分與二酐成分先進 行反應，再將剩餘的二胺成分與其反應，或反之亦然；（h) 將轉化的化學藥品與聚醯胺酸混合，以形成聚醯胺酸塑製 溶液，再澆注以形成膠薄膜的方法；⑴將部分或全部成分 以任何順序加入部分或全部的溶劑中，也可將任何部分或 全部的成分做為溶液加入部分或全部之溶劑的方法；⑴第 一先將二酐成分的一部分與二胺成分的一部分反應，形成 第一個聚醯胺酸，再將其他二酐成分與其他胺成分反應， 以形成第二個聚醯胺酸，接著在薄膜形成前將醯胺酸以數 種方法中的一種結合。 在某些實施例中’聚醯亞胺介電層包含一種填充劑。添 加的填充劑會增加儲存模數，尤其是增加至聚醯亞胺之Tg 148621.doc 201118133 以上’其產生一結構上更穩定之聚醯亞胺，此聚醯亞胺能 承受與印刷佈線板、線圈（或其他電的）絕緣體、撓性加熱 器、保護薄膜與CIGS處理相關之高溫處理。在某些實施例 中，該填充劑係選自由以下球形的或接近球形的填充劑、 板形的填充劑、針狀的填充劑、織維填充劑與其混合物所 組成之群組。在某些實施例中，當仍舊增加儲存模數，該 板形的填充劑、針狀的填充劑與織維填充劑將維持或降低 聚醯亞胺層之CTE。在某些實施例中，該填充劑係選自由 以下雲母、滑石、氮化硼、矽灰石、黏土、煅燒黏土、矽 石、氧化鋁、氧化鈦、氧化鍅與其混合物所組成之群組該 填充劑可處理或不處理。 在某些實施例中’該填充劑係選自由由以下氧化物（如 包含矽、欽、鎂與/或鋁之氧化物）、氮化物(如包含硼與/ 或矽之氮化物）或碳化物（如包含鶴與/或石夕之碳化物）所組 成之群組。在某些實施例中，該填充劑包含氧與至少一種 、下鋁石夕、鈦、鎮與其组合所組成的群組之成員。在 2實施例中，該填充劑包含板形滑石、針狀二氧化鈦與/ …’狀-氧化鈦，其至少—部分以氧化鋁塗布。在某些實 施例中，所有結構中該填充劑之大小係小於Μ、”】、 15 、 u 、 10 、 8 、 6 、 5 、 4 Λ , 4 2、1、〇·8、0.75、0.65、0.5、 〇·4 ' 0.3 或 0.25 微米。 在另—實施例中，可使用少量 實施例中，少量之纖維盘石黑可❹…、 ”石墨可與其他纖維-起使用。在 —知例中’該填充劑係以（或除此外包含聚酿胺酸或 148621.doc 201118133 聚醯亞胺）偶合劑塗布。在某些實施例中，該填充劑係以 (或除此外包含聚醯胺酸或聚醯亞胺）胺基矽烷偶合劑塗 布。在某些實施例中，該填充劑係以（或除此外包含聚醯 胺is·或聚酿亞胺）分散劑塗布。在某些實施例中，該填充 劑係以（或除此外包含聚醯胺酸或聚酿亞胺）偶合劑與分散 劑之組合塗布。取決於特定使用之填充劑，填充過少量的 填充劑可能對薄膜的特性有最小的影響，而填充過量的填 充劑可能使聚醯亞胺變的易脆。依本發明所揭露，選擇任 何特定之填充劑需要一般的技術與實驗，其取決於所選擇 的特定用途。在某些實施例中，該填充劑之量介於（並視 需要地包括）任何兩個以下聚醯亞胺介電層之總重量百分 比之間：5、10、15、10、25、30、35、40、45、50、55 與60。 在某些實施例中，適合的填充劑通常S35〇ec以上仍是 穩定的’以及在某些實施财，其並未顯著降低薄膜的電 絕緣特性。在某些實施例中，填充劑係、選自由以下針狀填 充劑、織維填充劑、板形填充劑與其混合物所組成之群 組。在一實施例中 劑。在一實施例中 ”亥填充劑係球形的或接近球形的填充 ’本發明所揭露之該填充劑顯示長寬比 至少為3、4、5、6、 12、13、14 或 15 9 、 10 、 11 比1。在-實施例中，該填充劑之長寬比為6:ι。在另一實 施例中，該填充劑之長寬比為1〇:1，以及在一實施例中， 該長寬比為12:1。 在某些實施例中 該填充劑包含從氧切、氧化铭、氧 14862I.doc 201118133 化鈦、氧化鈮、氧化钽與其混合物衍生而來的奈米粒子材 料，以促進與金屬箔基板之相容性。在某些實施例中，這 些奈米粒子之平均直徑可以為2〇〇 nm或更少，以及可涵蓋 從一（球形粒子）至更高（橢圓形、納米針）之長寬比。該奈 米粒子可包含聚醯亞胺層總重的丨_3〇 ，以及可選擇性 的加入为散劑或矽烧或其他種類之偶合劑，以及可與其他 添加劑結合，以製成最終的聚醯亞胺介電層。 在某些實施例中，填充劑粒子大小有實際的限制。若填 充劑大小太大，則可能無法獲得所要的表面平滑度。若填 充劑大小太小，則可能會發生黏聚，無法達到良好的分散 性，以至造成低介電強度。因此，當選擇填充劑的大小 時，需考慮所需薄膜的表面粗糙度、填充劑的分散性與加 工性間的平衡。在某些實施例中，該聚醯亞胺層包含一奈 米填充劑。該奈米填充劑之術語係意指一至少有一維度少 於1000 nm，例如：少於1微米。在某些實施例中，當使用 奈米填充劑，隨著其更難分散時，可能需要特定的分散劑 技術。在某些實施例中’該填充劑具有至少一維度（平均） 少於 1000、800、600、500、450、400、350、300、275、 250、225 或 200奈米（nm)。 在某些實施例中’聚醯亞胺層在5〇〇 °C，超過30分鐘之 惰性環境下，如實質真空、氮氧或任何惰性氣體環境，聚 醯亞胺層具有少於1%之等溫失重。在某些實施例中，聚 醯亞胺介電層之厚度介於（並視需要地包括）任何以下兩個 厚度 4、6、8、10、20、30、40、50、60、70、80、90與 148621.doc 12 201118133 100微米之間。 在某些實施例中，本發明揭露 強度大於10、20 200 KV/mm。 之聚醯亞胺介電層之介電 25 、 30 、 35 、 40 、 40 、 75 、 1〇〇 150或 在某些實施例中，本發明揭露之聚醯亞胺薄膜儘可能不 含有損電氣性能之針尖狀氣孔或其他缺陷（外來例子、導 電粒子、#、添加劑之黏聚物與其他汙染）。本文中所述 之術語「針尖狀氣孔」包括起因於層内非均勻性或是由製 造過程產生之任何小孔。 可將聚醯残介電層增厚，崎低缺損或其對薄膜的完 整性的影響，或者可以採用多層聚醯亞胺介電層。同樣厚 度之多層聚醯亞胺層可能優於單層聚醯亞胺層。該多層聚 醯亞胺可大幅地消除穿透薄膜的針尖狀氣孔或缺損的產 生，因為在每個各別的層中有重疊之缺損可能性極小。在 某些實施例中’本發明揭露之聚醯亞胺薄膜包含兩層或更 多的聚醯亞胺層。在某些實施例中，該數層㈣亞胺層可 能為相㈣。在某些實施例中，該數層聚醯亞胺層可能為 不同的。 實例 本發明將進一步描述於以-p容办，丨士 /畑α π以下R例中，但其未限制本發明 於專利申請範圍所述之範圍。 聚醯胺酸之製備： 將一個裝設機械搜拌考盥氣翁人π 祝讦态興亂虱入口之250 mL2 4-頸圓底 燒瓶注入二胺（或二胺類）加 __田 m)加入W，N-一甲基乙醢胺（反應通 148621.doc -13- 201118133 常在15-20%下進行，取決於聚醯胺酸之重量）固體並同時 攪拌。在二胺（類）溶解後，加入二酐，且該反應在室溫下 攪拌至隔天。表1列出二胺與二酐之化學組成與莫耳比。 表1 樣品# 二胺1 二胺2 莫耳％1/ 莫耳％2 二酐1 莫耳％二酐 1 1,5-ND … 100/0 BPDA 100 2 1,5-ND PPD 75/25 BPDA 100 3 1,5-ND PPD 50/50 BPDA 100 4 1,5-ND PPD 25/75 BPDA 100 5 1,5-ND PPD 5/95 BPDA 100 化合物實例1 PPD 0/100 BPDA 100 化合物實例2 1,5-ND ODA 70/30 PMDA 100 化合物實例3 1,5-ND ODA 20/80 PMDA 100 化合物實例4 1,5-ND ODA 70/30 BPDA 100 化合物實例5 1,5-ND ODA 20/80 BPDA 100 化合物實例6 一 ODA 100 PMDA 100 薄膜之製備 每一聚合物之稠密薄膜係從聚醯胺酸溶液（由以上之一 般程序合成）澆注而來。在25°c下，以15-mil (38xl〇-5 m) 之刀間距將聚醯胺酸溶液澆注至玻璃板上。在1 00°C下將 該薄膜在板上乾燥1 -2小時，從板上移除，接著在含有氮 氣之真空烤箱中，在50°C下乾燥至隔天。進一步將該薄膜 在200°C下，含氮氣之真空烤箱（約20英吋汞柱）中乾燥3天 因此獲得厚度介於2χ1〇-5與5xl〇-5 m (1-2 mils)之薄膜。 148621.doc -14- 201118133 將所有的聚醯亞胺薄膜以幾種分析方法鑑定其特性，且 概述於表2中。使用動態機械分析（DMA)儀鑑定聚醯亞胺 薄膜之機械表現特性。DMA的操作係根據聚合物的黏彈性 回應，以溫度與時間之函數其受小振盪應力變形（如1〇 μηι)影響（TA儀器，New Castle，DE，USA，DMA 2980)。 在張力與多頻-應力模式下操作該薄膜，其中在固定鉗口 與可移動鉗口間將有限大小之矩形標本夾緊。aMD方向 將寬 6-6.4 mm、厚 0.03-0.05 mm 與長 1〇 mm 之樣品以 3 in_lb 扭力夾緊。縱方向之靜力為具有125%自動張力的〇〇5 N。 在1 Hz頻率下，以3它/分鐘之速率從〇。〇至5〇〇°C加熱該薄 膜。在100與500°C下之儲存模數記錄於表2中。 以TA儀器TGA_2〇5〇進行熱重量分析（TGA)。在氮氣下， 樣品以10°C/分鐘從室溫加熱至500。(：，接著在500°C維持 30分鐘。將一開始到500°C的持溫結束之失重做為初始樣 πα重罝之百分比。.為去除樣品間水含量的差異，於1〇分鐘 的坡度上升後報告的數據將可標準化。 表2-模數與TGA數據 樣品# 儲存模數 (100〇C_)，MPa 儲存模數 (500°C.) TGA (%wt損失@ 500°C.，標準化） 1 4712 1633 1.20 2 6054 1192 1.00 3 6227 744 1.00 4 5026 587 0.80 5 7500 569 0.68 化合物實例1 6119 368 0.42 148621.doc •15- 201118133 化合物實例2 4100 750 2.40 化合物實例3 3100 30 化合物實例4 4200 196 0.98 化合物實例5 2967 21 1.04 化合物實例6 2915 98 1.30 高溫蠕變之測量 利用DMA(TA儀器Q800模式）於張力與設計控制力模式 下進行薄膜樣品的蠕變/回復研究。將寬6-6.4 mm、厚度 0.03-0.05 mm與長10 mm之壓平的薄膜以固定钳口與可移 動钳口兩者間3 in-lb的扭力夾緊。縱向之靜力為0.005 N。 將薄膜以20°C /分鐘的速率加熱至460°C ，並維持在 460°C 150分鐘。設定蠕變程式在2 MPa維持20分鐘，接著 回復30分鐘，除了 0.005 N的初始應力外無額外的力。重 複4 MPa與8 MPa的蠕變/回復程式，以及時間間隔與2 MPa 相同。 於8 MPa之循環後，接著將應力與回復表列於下述表3。 藉由以起始薄膜的長度區隔伸長將伸長轉為無單位的等效 應力。在8 MPa與460°C下之應力列於表中的「emax」。該 術語「e max」係無維度應力，其會根據在8 MPa循環結束 之分解與溶劑損失（從無應力斜度外推）所造成的薄膜的任 何改變而作修正。該術語「e rec」係接著8 MPa循環後之 立即地應力回復，但是在無額外之外加應力下（非0.005 N 之初始靜力），其係為該材料之回復測量，當以無應力斜 度測量時，其會根據薄膜内因為分解與溶劑損失造成之任 148621.doc -16- 201118133 何改變而作修正。欄位「e plast」描述塑性流，且為直接 的高溫螺變測量與e max及e rec間的差異。 一般而言，具有最低可能的應力（e max)、最少量的應力 塑性流（e plast)與低的無應力斜度為理想的材料。 表3 樣品# 外加應力 (MPA)* e max(外力σ 應力下之張力） % 應力 e rec e plast % Plast 1 8 5.24E-03 0.52 4.17E-03 1.07E-03 0.11 2 8 7.17E-03 0.72 5.43E-03 1.74E-03 0.17 3 8 1.14E-02 1.14 8.25E-03 3.13E-03 0.31 4 8 1.19E-02 1.19 9.26E-03 2.60E-03 0.26 5 8 1.12E-02 1.12 8.45E-03 2.72E-03 0.27 化合物 實例1 8 1.62E-02 1.62 1.36E-02 2.63E-03 0.26 化合物 實例2 8 1.31E-02 1.31 5.68E-03 7.40E-03 0.74 化合物 實例3 8 1.45E-01 14.5 7.75E-02 6.76E-02 6.76 化合物 實例4 8 3.93E-02 3.93 1.80E-02 1.66E-02 1.66 化合物 實例5 8 薄膜碎裂 化合物 實例6 8 8.58E-02 8.58 3.84E-02 4.74E-02 4.74 實例1說明當二胺僅為1，5-萘二胺時，其高溫儲存模數 佳，有可接受的TGA，以及低的e max與e plast。 實例2-5說明1,5萘二胺可取代PPD之5至75 wt°/。，且提供 148621.doc •17- 201118133 良好的高溫儲存模數、可接受的TGA，以及低的e max與e plast 。 比較實例1說明在沒有額外的1，5-萘二胺時，高溫儲存模 數低，而e max高。 比較實例2說明當ODA與1，5-萘二胺一同使用時，高溫儲 存模數為可接受的，TGA、e max與e plast則高。 比較實例3說明當ODA與1，5-萘二胺一同使用時，高溫儲 存模數低，e max與e plast高。 比較實例4說明當ODA與1，5-萘二胺一同使用時，高溫儲 存模數低，e max與e plast高。 比較實例5說明當ODA與1，5-萘二胺一同使用時，高溫儲 存模數低，且薄膜在e max測試中碎裂。 比較實例6說明當ODA單獨使用時，高溫儲存模數低， TGA、e max 與 e plast 高。 148621.doc -18-

Claims (1)

1. 201118133 七、申請專利範圍： 1. 一種薄膜，其包含： A) —聚醯亞胺其數量佔該薄膜之40至1〇〇重量百分比， 該聚醯亞胺係從二酐成分與二胺成分衍生而來，其 中： a) 該二酐成份係3,3',4,4'-聯笨四羧酸二酐（BPDA)， 並視需要地為焦蜜石酸二酐（PMDA)，兩者莫耳 比為 50-100:50-0(BPDA:PMDA);以及 b) 該二胺成分包含1，5-萘二胺（i，5-ND)，以及至少 一者選自由1，4-苯二胺（PPD)與間苯二胺（MPD)組 成的群組’其莫耳比為15-95:85-5(l，5-ND:PPD與 MPD) 〇 2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜，其中該二酐成份為 BPDA。 3_如申請專利範圍第1項所述之薄膜，其中BPDA:PMDA之 莫耳比為60-90:40-10。 4·如申請專利範圍第1項所述之薄膜，其中該二胺成份僅 包含 1，5-ND與PPD。 5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜，其中i，5-ND:PPD與 MPD之莫耳比例足夠提供少於每分鐘10乘以（10)·6之一絕 對值無應力斜度，及在7.4-8 MPa下少於1%之emax。 6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜，其中薄膜之5至4〇重 量百分比包含一填充劑’該填充劑具有至少一維度其平 均少於500奈米。 148621.doc 201118133 7.如申請專利範圍第6項所述之薄膜，進一步包含一偶合 劑、一分散劑或一其組合。 148621.doc 201118133 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） 148621.doc