TW201117962A - Polyimide film and method for producing the same - Google Patents

Polyimide film and method for producing the same Download PDF

Info

Publication number
TW201117962A
TW201117962A TW099127719A TW99127719A TW201117962A TW 201117962 A TW201117962 A TW 201117962A TW 099127719 A TW099127719 A TW 099127719A TW 99127719 A TW99127719 A TW 99127719A TW 201117962 A TW201117962 A TW 201117962A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
bis
polyimine
acid
water
Prior art date
Application number
TW099127719A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuharu Hisano
Taizou Murakami
Masafumi Kohda
Hiroaki Yamaguchi
Original Assignee
Ube Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries filed Critical Ube Industries
Publication of TW201117962A publication Critical patent/TW201117962A/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C41/00Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor
    • B29C41/24Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor for making articles of indefinite length
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/02Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances with solvents, e.g. swelling agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/08Heat treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2079/00Use of polymers having nitrogen, with or without oxygen or carbon only, in the main chain, not provided for in groups B29K2061/00 - B29K2077/00, as moulding material
    • B29K2079/08PI, i.e. polyimides or derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346Organic insulating material consisting of one material containing N
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0154Polyimide
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0793Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Moulding By Coating Moulds (AREA)

Description

201117962 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 —本Ϊ明侧於—雜雜優異之輯亞醜。又,本發明係 亞胺膜之製造方法,可以簡便的方法提升聚酿亞月^ 【先前技術】 ,,亞麵因為在耐熱性、抗藥品性、機械 具有優異的特性,在電機•電子設備領ί半 ν體魏相域被廣泛使用。例如:可撓性印刷電路板(FPC)^ 二’於聚醯亞胺膜的單^戈雙面由銅络疊層所構成之敷銅疊層基 板(copper-clad laminate)正被使用中。 FPC賊等而言嗜適宜之雜亞胺膜方面,例如:由以 料主齡之料族四魏成分,與以對 ϊ玆胺成分’利用熱醯亞胺化製造之聚 然而’聚酿亞胺膜-般而言在黏著性方面有問題,介 巧等耐熱性黏著劑與銅箱等金綱合時,有時益法 仔到具有充分之剝離強度的疊層體。 前』ίχίΓίΐ1/斤記載之聚醯亞胺膜中,藉由於聚醯亞胺 =物洛液之自撐膜(固化膜)的表面塗佈含有耐雜表‘ 面處理液’改良了聚酿亞胺膜的黏 則正在尋求不需要塗佈偶合劑而具有優異黏著性的聚酸亞 提升聚酸亞胺膜之黏著性的方法, 亞物質之有機溶媒溶液之組成物!以 =量=====預成膜㈣ 以上63(TC以下、又更佳為52〇Γ「預成膜後,將該琴成膜以450。〇 理,以f造辦亞!以上下之溫度進行熱處 狀枝亞月女膜的方法。關於所使用之聚酿亞胺,實施例 201117962 =在芳香族四臟二面使用苯均四酸二酐,芳香族 方面,使用4,4’一二胺基二苯基驗、或4 4,—二 、 _法㈣化學硬化法賴 二膜。又’也§己載了 ··也可對以往之方法所製造之最 理:升f=安f,生的方法而言,也有人提出驗處 為心^專利文獻3中’藉由聚醒亞胺系黏著劑將金屬H 考性地黏接之聚醯亞胺膜方面,揭示古不冶同在 氧化钾、氫氧化辦氫氧化物 二=二&鹽與氫 =====二鐘;行浸 膜利Z霧I或喷水器嘴霧或喷ί驗性水溶液Γ;?法r聚酿亞胺 專利文獻4中揭示聚酿亞胺膜的絮 液利用流延法製膜所得到:: 的觸媒化合物叫時,_膜中殘留 [先行技術文獻] [專利文獻] 3 ί特開昭62—267330號公報 ^,2]日本特開平η — 93G號公報 .ΐϋί3]日本特開2〇〇7一9186號公報 [專利文獻4]日本特開屬—π956號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] _保持之優種聚酿亞胺膜’在保持該聚酿亞胺 性。特鉍同時’由簡便的方法更進—步提升其黏著 4 201117962 尤其’提供-種可使用於配縣板之基板或覆蓋材料之聚酿 亞胺膜,其黏著性可藉由簡便的方法而進一步提升。 [解決問題之方式] 本發明係關於以下事項。 1.-種聚酿亞賴,係使以3,3,,4,4,—聯苯四舰二肝為主 分’與以對苯二胺為主成分之二元胺成分反應而得 其,徵為以460°C〜550°C之溫度範圍進行熱處理, 更藉由於表面喷塗水或鹼性水溶液進行表面處理。 及/或項之聚醯亞麵,其中,胁&水溶液包含氫氧化納 3.-種黏著劑疊層_亞胺膜,係於如第丨或2項之聚酿亞 ,之經水絲性水溶液喷塗之經表面處理的面,魏黏著劑層而 得者。 曰 4.一種聚酿亞胺膜的製造方法,具有以下步驟: 自撐膜製作步驟’係使以3,3,,4,4,一聯苯四羧酸二酐為主 之四鏡成分’與以對苯二胺為域分之二元胺成分反應而^ 聚醯胺酸或聚醯亞胺的溶液流延於支持體上,並將其乾燥; 聚醯亞胺膜製作步驟,將該自撐膜加熱; 熱處理步驟,將製得之聚醯亞胺膜以46〇〇c〜55(rc進行熱處 理,及 ” 水或鹼性水溶液喷塗步驟,於經熱處理之聚醯亞胺膜 喷塗水或驗性水溶液。 ^ [發明之效果] 本發明中,係使以3,3’,4,4’一聯苯四敌酸二酐為主成分之四 酸成分,與以對苯二胺為主成分之二元胺成分反應而得之 ^ 胺膜以460°C〜55(TC,較佳為46CTC以上未滿52(TC進行熱處理。 接者,於經熱處理之聚自&亞胺膜的表面喷塗水或驗性水溶液,進 行表面處理(喷霧處理)。藉由此處理,提升聚醯亞胺膜的黏著性。 又,不只初始(熱處理前)、熱處理後之黏著性,例如以j5(rc進 201117962 打24小時的熱處理後其黏著性也提升。本發明之聚酿亞胺膜轉 著劑的黏著性優異,尤其與環氧樹脂系或丙烯酸轉黏著劑之黏 著性優異。 在此’必須將水或驗性水溶液嘴塗至聚醢亞胺膜的表面。將 聚酿亞胺贼潰於水紐性水驗時,減(熱纽前)的黏著 性提升,但熱處理後之黏著性有降低的傾向。 【實施方式】 [實施發明之最佳形態] 本發明之聚醯亞胺膜係使U 3,3’,4,4,—聯苯四舰二肝為主 &之讀酸成分,與明苯二胺為主成分之二元胺成分 付者。 胺化ΐίΪ找輕賴可使用#由_亞胺化及/或化學醯亞 本發明之聚醯亞胺膜之製造方法,例如: $1)將輯賊溶液、或視f要於聚__毅選擇性添加 ί物月含磷化合物、無機微粒等之聚醯胺酸溶液組 2 ’々义於支持體上成膜狀,再加熱乾燥,得到自撐膜,缺 熱環化脱水、使脱溶媒而得到聚醯亞胺膜的方法, ..... 將於聚酿胺酸溶液添加環化觸媒及 2添加無機微轉之聚_魏成物,流延 匕學性脱水環化、視f要加熱乾燥,得到自樓膜後 錯由將/、加熱脱溶媒、酿亞胺化而得到聚酿亞胺膜的方法。 ,示t發明之_亞麵之製造方法的賴。首先,在有機 二取〃彳—四細'5分與二元胺成分反應,合成係聚醯亞胺前驅 胺酸。接著’將得到的雜麟的練流延於支持體上", 亞造自擇膜。接著,藉由將該自禮膜加熱並酿 有撫、、々拔二r亞賴。X’使續酸成分與二元胺成分於 亞rm ’ S射溶於械溶叙練亞胺,得到的聚酿 亞月女溶液也可使用於自撐膜的製造。 201117962 =:的 莫耳。/。以上,I iii ^言’含有s—咖a為50 酸成分較佳,含有PPD5(;莫莫耳%以上之四緩 ,,.ΟΛ ^ 名 U吴耳/〇u上’更佳為80莫耳。/0以卜,畀 显的膜,可耳胺成分錄,可_猶_械特性優 異的膜’可適用於配線基板等的各種基板。 二損害本發明之特性的範圍’也可使用其他之四舰 3他四舰二酐的具體例,可列舉 雙&二羧雙(Γ二敌基苯基)硫二無水物、2,2— -笑其m ,Λ基,u,3,3,3—六氟丙烷二無水物、2,3,3,,4, -夂、-)3¾一本一3,4,3,4 —四羧酸二酐、對聯三苯—3,43,4,〜 讀=酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯氧)苯二無水物、M二雙(34 二一Λ基苯氧)苯二無水物、M —雙(3,4 —二羧基苯氧)聯苯二無水 获《1,—雙[(3,4—二幾基苯氧)苯基]丙院二無水物、2,3,6,7-萃四 =二=M,5,8 —萘續酸二酐、4,4,—(2,2—六氟異亞丙基仁 I一酐等。又’使用2,3,3,,4,—二苯基砜四羧酸等芳香族 四竣-义亦較佳。該等可單獨使用,亦可將2 _上混合使用 用之四羧酸二酐,可視所要的特性等適當選擇。 其他之二元胺的具體例,例如·· 1) 1個苯核之二元胺,如:L3 —二胺基苯等, 2) 2個苯核之二元胺,如4,4,一二胺基二苯基醚、3,4,_二 基二苯基ϋ、4,4,-二胺基二苯基甲烧、3,3,—二甲基_4,4, 一 基聯苯、2,2’ -二甲基—4,4’ -二胺基聯苯、2,2,—雙(三氟甲基卜 201117962 4,4’一二胺基聯苯、3,3’一二曱基一4,4’一二胺基二苯基甲烷、3,3’ —二羧基一4,4’一二胺基二苯基曱烷、3,3’,5,5’一四曱基一4,4’一二 胺基二苯基甲烷、雙(4 —胺基苯基)硫、4,4’一二胺基苯醯替苯胺、 3,3 ’ 一二氣聯笨胺、3,3, 一二曱基聯苯胺、2,2’ 一二曱基聯苯胺、3,3’ 一二甲氧基聯苯胺、2,2’一二曱氧基聯苯胺、3,3’一二胺基二苯基 醚、3,4’一二胺基二苯基醚、4,4,一二胺基二苯基醚、3,3,一二胺基 二苯硫、3,4’一二胺基二苯硫、4,4’一二胺基二苯硫、3,3’_二胺基 二苯基砜、3,4’一二胺基二笨基颯、4,4’一二胺基二苯基砜、3,3, —一胺基'一本基酮、3,3’一二胺基一4,4’一二氣二苯基_、3,3’一二 胺基一4,4’一二曱氧基二苯基酮、3,3’_二胺基二苯基曱烷、3,4, —二胺基二苯基甲烷、4,4’ 一二胺基二苯基曱烷、2,2—雙(3 —胺基 苯基)丙烷、2,2 —雙(4 —胺基苯基)丙烷、2,2-雙(3 —胺基苯基)— 1,1,1,3,3,3 —六氟丙烷 ' 2,2 —雙(4 —胺基苯基)一1,1,1,3,3,3 —六氟 丙烧、3,3’一二胺基二苯基亞硬、3,4’一二胺基二苯基亞礙、4,4, —二胺基二苯基亞砜等, , 3)3個苯核之二元胺,如1,3 —雙(3 —胺基苯基)苯、1,3_雙(4 二胺基苯基)苯、1,4 —雙(3 —胺基苯基)苯、i,4 —雙(4 —胺基苯基) 苯、1,3-雙(4 —胺基苯氧)苯、I,4 —雙(3_胺基苯氧)苯、丨,4—雙 (4一胺基苯氧)苯、1,3 —雙(3—胺基苯氧)—4一三氟曱基苯、3,3, 胺基一4 —(4-苯基)苯氧二苯基嗣、3,3,—二胺基—4,4,_雙’(4 —苯基苯氧)二苯基酮、U —雙(3_胺基苯基硫)苯、^一雙^二胺 ,苯基硫)苯、1,4-雙(4-胺基苯基硫)苯、u —雙(3 —胺基苯基 苯' 1,3 —雙(4-胺基苯基硬)苯、μ —雙(4 —胺基苯基硬)苯、j 3 =[2-(4-胺基苯基)異丙基]苯、M —雙[2 —(3 —胺基苯基)里丙 基]本、1,4 —雙[2 —(4—胺基苯基)異丙基]苯等, 八 4) 4個苯核之二元胺,如μ,—雙(3_胺基苯氧)聯苯、3 3,一 雙(4-胺基苯氧)聯苯、4,4’-雙(3~胺基苯氧)聯苯、44,—雔’ 胺基苯氧)聯苯、雙[3 —(3 —胺基苯氧)苯基胸、雙[3—’ = 氧)苯基]趟、雙[4-(3-胺基苯氧)苯基]醚、雙 ( 苯基]醚、雙[3-(3-胺基苯氧關酮、雙基$③ 201117962 酮、雙[4—(3—胺基苯氧)苯基]酮、雙[4—(4—胺基苯氧)苯基]酮、 雙[3-(3 —胺基苯氧)苯基]硫、雙[3 —(4 —胺基苯氧)苯基]硫、雙[4 一(3 —胺基苯氧)苯基]硫、雙[4-(4 —胺基苯氧)苯基]硫、雙[3_(3 一胺基苯氧)苯基]砜、雙[3 — (4一胺基苯氧)苯基]颯、雙[4一(3_胺 ,苯氧)苯基]砜、雙[4 —(4 —胺基苯氧)苯基μ風、雙[3_(3__胺基苯 基]甲烷、雙Ρ —(4 —胺基苯氧)苯基;J甲烷、雙[4_(3·一胺基苯 氧)苯基]曱烷、雙[4 —(4 —胺基苯氧)苯基]曱烷、2,2一雙[3 —(3 — 胺基苯氧)苯基]丙烷、2,2~雙[3 —(4—胺基苯氧)苯基]丙烷、2,2一 雙[4 —(3 —胺基苯氧)苯基]丙烷、2,2一雙[4一(4一胺基苯氧)苯基] 丙烧、2,2-雙[3-(3-絲苯氧)苯基卜六敦丙烧、2,2 又[3 (4 —月女基本氧)苯基]—ι,ι,ι,3,3,3 —六I丙燒、2,2 —雙μ —=二胺基苯氧)苯基]—丨,1,1,3,3,3 —六氟丙烷、2,2 —雙[4 —(4 —胺 基苯氧)苯基]一 1,1,1,3,3,3~六氟丙烷等。該等可單獨使用,亦可 將2種以上混合使用。使用之二元胺’可視所要的特性等適當選 擇。 . ' $香族四舰二it與芳香族二元胺進行無規聚合錢段聚合而 it:又’也可將其中—成分為過量之2種以上聚酸亞胺前驅物 ―聚Si亞胺前驅物之合成’可藉由在有機溶射將大致等莫耳 劑、無機微粒等。
加環化觸媒及脫水劑、無機微粒等。 201117962 合物、-具祕之芳香族煙化合物或料麵環化合物,尤佳為: 1,2-二甲基蛛唾、N—甲基口米唾、N—节基—2_曱基味唾、2二曱 乙基—4—曱基料、5—曱基苯并咪轉低級院基咪 、卞基一2—曱基咪唑等苯并咪唑、異喹啉、3,5·~二甲基。比 唆、3,4 —二曱基吼°定、2,5 —二曱基°比咬、2,4-二曱基吼唆、4 — =基♦定等取代如定等。醢亞胺化觸媒 ,酸之_酸單位,使肢G1_2倍當量,尤其約^倍^ 使用臨亞胺化觸,能提高得到之聚酿亞胺膜之物性, 尤其伸長或撕裂強度。 -鱗化合物’例如:單己酿基碟酸醋、單辛基碟酸醋、 ^月^基喊酉旨、單肉豆絲填酸酉旨、單錄m麟酸醋、單硬脂 基欠酯、二乙二醇單十三烷醚之單磷酸酯、四乙二醇單月桂美 Ϊ之單二醇單硬脂細之單磷咖旨、二己酿基^ =二辛基磷W曰(choctyl phosphate ester)、二辛基填酸
Phosphate ester)、二月桂基填義、二肉豆蘿基顧酿'二崎& %酉以旨、二硬脂基鱗酸醋、㈤乙二醇單新細之二顧酿、 十三謎之二磷酸_、四乙二醇單月桂趟之二魏g旨、二乙 二,早?脂基崎之二鱗酸酿等石粦酸醋,或該等石粦酸酿之胺鹽。胺, :二虱、单I胺、單乙胺、單丙胺、單丁胺、二曱胺、二乙胺、 脫一丁^、二㈣、三乙胺、三丙胺、三丁胺、單乙醇胺、 一乙酵胺、三乙醇胺等。 吁收 厂曱基本月女荨方香族第3級胺、及異啥琳、咖定、卜 β—甲基吡啶等雜環第3級胺等。 脫水劑,例如:乙酸酐,酐、.丁酸酐等脂 及本曱酸酐等芳香族羧酸酐等。 、竣-軒 無機微粒,例如:微粒狀二氧化鈦粉末、-望 末、微粒狀之氮化石夕粉末、氮化鈦粉末等域、氣化物如 矽粉末等無__末,綠錄 201117962 10質量 於f 亞胺前驅物溶液的固體濃度’只要是適 於k的減賴之濃度即可,並無_限定,但通 二l〇if%較佳’ 15質量%〜27質量%更佳、18質量%〜26質 自顧㈣時之加熱溫度及加熱_可適t ^ 100^180^,^ !.6〇 較佳。 又 支持體,只要疋可洗鑄聚酿亞胺前驅物溶液者即可,並無特 等但使用平滑的基材較佳,如使用不鏽鋼等金屬製的滾 自撐膜係溶媒被去除及/或若為醯亞胺化至自撐膜可由支持 體上剝離的程度為止即可,並無特別限定,但熱酿亞胺化豆加轨 減量為20〜50質量%之範圍較佳,加熱減量為2〇〜5〇質量&之g 圍、且醯亞胺化率為8〜55%的範圍為更佳。自撐臈之加埶減量若 為20〜50質量。/。、醯亞胺化率為8〜55%的話,自撐膜之 質變得充分。 又,自撐膜之加熱減量及醯亞胺化率若在上述範圍内,於自 撐膜的頂面塗佈偶合劑之溶液時,偶合劑溶液變得容易句整地涂 佈,於醯亞胺化後得到的聚醯亞胺膜不會觀察到起泡、龜裂、J 纹(crazes or cracks)、裂縫(cracks)、裂痕等的發生。 在此,自撐膜之加熱減量,係從自撐膜之質量W1盥硬化後 之膜之質量W2,以下式求出之値。 '、 加熱減直(質量%) ={ (W1~W2) /\Vl}xl〇〇 201117962 吐^’自撐膜之酿亞胺化率係將自撐膜與其全硬化品(聚酿亞 之IR賴以ATR法測定’可儀振動帶波峰面積或高度 ϋ力出1振動帶料_亞贿基之非對稱伸縮振動帶或苯 %月木伸縮振動帶等。又,關於酿亞胺化率測 ^平9-31⑽號公報記載之卡式水㈣定儀(=aF=r Moisture Titrator)之方法。 本發明中,也可在以此方式所得到之自撐膜之單面或雙面 上’視需要塗佈偶合劑或螯合劑等表面處理劑之溶液。 表面處理劑,例如:矽烷偶合劑、硼烷偶合劑、鋁系偶合劑、 鋁系螯合劑、鈦酸酯系偶合劑、鐵偶合劑、銅偶合劑等各種偶合 劑或螯合解絲著性或密雜提狀處糊。尤I,表面處理 劑使用矽烷偶合劑等偶合劑較佳。 / ^烧系偶合劑,例如:γ—環氧丙氧基丙基三ψ氧基砍烧、γ ,氧丙氧基丙基二乙氧基石找、β —(3,4_環氧環己基)乙基三甲 ,基矽烷等環氧矽烷系、乙烯基三氯矽烷、乙烯基參(Ρ—甲氧基乙 氧基f夕烧、乙稀基三乙氧基石夕烧、乙烯基三甲氧基石夕烧等乙稀基 石夕烷系、γ—甲基丙烯醯氧丙基三曱氧基石夕烷等丙烯基矽烷系、Ν —β —(胺基乙基)一γ—胺基丙基三甲氧基矽烷、N_p —(胺基乙基) 胺基丙基曱基二曱氧基矽烷、γ—胺基丙基三乙氧基石夕烷、Ν =苯基一γ—胺基丙基三甲氧基矽烷等胺基矽烷系、γ—酼基丙基 二甲氧基矽烷、γ—氯丙基三甲氧基矽烷等。又,鈦酸酯系偶合劑, 例如.異丙基二異硬脂醯基鈦酸酯、異丙基十三烧基苯石黃醯基鈦 酸酯、異丙基參(二辛基焦鱗酸酯)鈦酸酯、四異丙基雙(二辛基亞 磷酸酯)鈦酸酯、四(2,2 —二烯丙基氧基甲基—丨一丁基)雙(二一十 三烷基)亞磷酸酯鈦酸酯、雙(二辛基焦磷酸酯)氧基乙酸鹽鈦酸 酷 '雙(二辛基焦磷酸醋)乙烯鈦酸醋、異丙基三辛醯基鈦酸酿、異 丙基二\基苯基鈦酸g旨等。 偶合劑,例如矽烷系偶合劑,尤佳為:γ—胺基丙基一三乙氧 基矽烷、Ν—β —(胺基乙基)一γ—胺基丙基—三乙氧基石夕烷、Ν — (胺基羰基)一γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、Ν—[ρ —(苯基胺基)—乙 12 201117962 ίίm三乙氧基魏、Ν—苯基ι—胺基丙基三乙氧 為適當,其中尤u =丙基二甲氧基魏等胺基魏偶合劑 作為偶合基—三甲氧基魏較佳。 聚酿亞胺前驅餘心」處理”狀祕之雜,例如可與 機溶媒,以與聚酿心ί機洛媒(自撐膜所含有之溶媒)相同者。有 酿亞胺前驅物溶液之溶之祕為佳,較佳為與聚 混合物。 有機洛媒相同者。有機溶媒可為2種以上之 理劑:有機賴溶液宜為:表面處 f t〇/〇 ^ J 3 以下,更佳為1G質量%訂、水宜為2G質量% 劑之有機溶媒溶液之質量%以下。表面處理 上,較佳i it媒f 1 質量%以 者(尤其,旋轉 佳,2〜30g/m2更佳,二川里決又’例如以1〜5〇g/m2較 不同。 g/m尤佳。塗佈量’兩面可相同也可 表面處理劑溶液之塗佈,可傕 ί 佈法、輯模塗佈法等公知之塗佈方法。 熱· =,’==面處理丄之_加 46°^ 用以酿亞胺化之加熱處理,最初 之,化及溶媒‘== i〇〇t〜e neal、時。尤其,該加熱處理宜階段性地,以約 c、約n〇c之車父低溫度進行第—次加熱處理約〇5〜3〇分 13 201117962 =著之;第二;加熱處理_^^^ 〜30分鐘。若有必要,也可以4〇〇ϋ=弟二次加熱處理約0.5 溫加熱處理。 〜55GC的南溫進行第四次高 :=方向,賴之寬 向伸展或收縮而進行加熱處理。 兄而要在寬度方 # Ϊ2Γ聚醯亞胺膜可以熱醯亞胺化以外之化學酿亞胺 ===;;胺; ;Γ— 本發明中,將此方式而得之聚酿亞胺 — 為:„滿就_爾理⑷“ 追加加熱處理之加熱溫度,可在46〇〇c〜 、 二亞胺的組成、膜的厚度等適當地選擇 以= 佳,鐵以上更佳、赋以上又更佳、冒0以又上 熱溫度未滿5肌更佳。加熱溫度若未滿·t ϋ加 胺膜之黏著性可能無法提升。另一方面,加埶^声—丨的及駄亞 二定則得到的聚酿亞胺膜之物性可能會變差度也 追加加熱處理時間(以46(rc〜55(rc加熱 適當地選擇,但較佳為5秒〜3G分鐘、更佳為1Q秒;的 又更佳為20秒〜5分鐘。追加加熱處理時間若過短 = 酿亞胺膜的黏著性可能無法提升,追加加熱處理時間“ J的$ 所得到之聚醯亞胺膜之物性可能變差。 匕長,有 加熱處理,可以批式進行,也可以連續式進行。 14 201117962 水溶親魏敵糾錢面錢水或驗性 驗性水錢並鱗娜定,例如:氫氧絲、氫氧化 金屬或驗土齡屬之氫氧化物水溶液,碳酸鈉、碳崎等驗金^ 或驗土類金紅碳酸鹽水溶液、碰躺、碰氫鉀等驗金屬 鹼土類金屬之碳酸氫鹽的水溶液等。尤其,宜使用:氮氧化= 碳酸氫鈉水溶液。此等金屬氫氧化物及金 吏用’也可組合2種以上使用。又,也可使用有機 =性水溶飾農度(金屬氫氧化物及/或金顧的含 〇質置/〇以上即可,但αΐ〜50質量%較佳,〇 2〜1〇質量 0.3〜5質量%最佳。驗性水溶液濃度若為〇1 f量%以上 岔聚^亞胺膜的,性更大幅地提升。另一方面,驗性水二: 浪度5G f量%,所得到的聚醯亞胺膜的物性可能降低^、 成分驗性水雜’衫齡所果的範_,可含有其他 佳,無制岐,5〜啊較 低,所得到之聚醢亞胺膜的黏著性可能 夜的另皿 :性水溶液的溫度若較叫所得之聚‘i二^ 喷塗水或雖水溶液的時間(喷霧處理 地選擇。其最適範圍,也會受水或驗性水溶液的^ 通常,喷霧處理時間,以1秒〜5分鐘較伟 度衫著。 2秒〜2分鐘為最佳。喷霧處理時間若過短^:=更佳’ ΐ著性有無法提升的情況,處理時間若過1 月女膜的物性有降低的情況。 々传之來酏亞 胺膜ίίϊ性水絲,齡:可㈣«射射,倾至聚酿亞 喷霧喷嘴可使用扇卵at«、均—扇型、實心型(,、 15 201117962 實心空心_型_咖_)、微 可能紐料’翁“’能 喷霧气嘴與膜之間的距離,可視目的適當地選擇 〜50c^n的範圍可得到良好的處理效果。 配置喷嘴’ 1個或多個,宜以可均勻地處顏表面全體的方式進行 視需要’也可將魏亞胺蘭單面财鎌 ii二面以水或驗性水溶液進行喷霧處理。將㈡ 月女膜的又面進行噴霧處理時,可雙面同時處理,也可以—次一面 的方式進行處理。又,聚醯亞麵的雙面可相 驗性水溶液)進行喷霧處理,也可以不同的液體m。(水或 將聚酿亞賴表面以水處理的情況,處理後,可直接將 亞,膜進行錄。將魏亞麵表面讀性水溶液處理時,一般 =為去除殘存於顧絲面之金屬離子,更再以水、酸及^ 处理後’將聚醯亞胺膜乾燥。若殘留有金屬離子,則有電 降低的情況。 、 此水洗、酸清洗、水洗,可分別以與前述水或鹼性水溶液之 噴霧處理同樣的方法進行。 ^酸清洗所使用之酸,例如:稀硫酸、稀鹽酸等。酸的濃度及 溫度、處理時間,可視目的適當地選擇,例如宜以以下條件進行: 酸濃度為G.5〜5質量%、溫度為5〜6(rc、處理時間為丨秒〜 鐘。 、^性水溶液、水、酸、水的喷霧處理,可以批式實施,也可 續式實施。例如,可將單片之聚醯亞胺膜固定於樹脂製之框 架等’或將長形之聚醯亞胺膜’以捲對捲(R〇llt〇R〇11)方式,藉由 在連續排列之各噴霧槽中傳送而進行連續處理。又,可於最終之 水洗槽後面設置乾燥槽,連續處理至乾燥為止。 16 201117962 ’也同樣地,從水的喷霧處理 將聚醯亞胺膜表面以水處理時 起至乾燥為止,可連續處理。 t亞胺麟減,可使峨麟或加齡置(hea㈣等進行。 且生,使用水進行聚酿亞胺膜表面處理的方法,步驟少 本發明之聚醯亞胺膜的厚度並無特別限定,但約為3〜 250,,較佳為約4〜150μηι,更佳為約5〜125_,又更佳為約$ 〜=〇μιη程度。例如厚度為12 5μιη以下之薄的聚醯亞胺膜通常 黏著性低的問題,但藉由本發明,厚度為丨2 5μιη以下,較佳為丨 以下’更佳為8μιη以下,又更佳為7μπι以下,最佳為6μιη以下 的情況也可得到具有優異黏著性之聚酿亞胺膜。 —以前述方法得到之本發明的聚醯亞胺膜,即使在製造聚醯亞 胺膜時不使祕合劑’黏紐,尤其絲著劑軸著性良好,熱 處理後,例如以150°C、24小時的熱處理後也有高的黏著性。本 發明之聚醯亞胺膜,即使在製造聚醯亞胺膜時不使用偶合劑也顯 示良好的黏著性’例如:與包覆層之初始(熱處理前)及以15〇。〇、 24小時耐熱測試後之90度剝離強度為以上,甚至〇 4N /mm以上。包覆層,於聚醯亞胺膜或聚乙烯對苯二甲酸酯膜 (Polyethylene Terephthalate)上,一般而言以環氧樹脂系黏著劑或丙 _酸糸黏者劑以半硬化狀態疊層者,例如:ArisawaManufacturing 公司製之「包覆層(一般型)(品名)CV (編號)series」、抗遷 移(migrationresistance)用包覆層(品名)CF、CT (編號)series」、 KYOCERA 公司製「TFA560 series (品名)、TFA577 series (品 名)」、DuPont股份有限公司製「PyraiUxLF/FRseries (品名)」、 NIKKAN工業股份有限公司製「MKAFLEXCTSV series(品名)、 NIKAFLEX CIS V series (品名)、NIKAFLEX CIS A series (品名)、 NIKAFLEX CKSE series (品名)、NIKAFLEX CISG series (品名)、 NIKAFLEX CKSG series (品名)」、Taiflex Scientific co.,Ltd. 製「FHK series (品名)、FD series (品名)、FI series (品名)」等。 使用本發明之聚醯亞胺膜,可得到帶有(疊層有)黏接劑、 17 201117962 感光ί生材料、熱壓著性材料等之聚醯亞胺膜。 性良安膜’黏著性、驗性或金屬蒸锻 分的剝離強ΐ=; ί,4金屬層,得到密著性優異且具有充 擇,之銅層的厚度’可視使用目的適當地選 :5佳3約卿〜50, ’更佳為約〜20_。 度可^ιϊίϋϊί於聚酿亞胺膜之金屬箱’其金屬的種類或厚 ^人全k適當地選擇,例如:壓延銅羯、電解銅羯、 t〜Γ、=賴、_、賴、賴等,其厚度較佳 馬、1μΓη:50_,更佳為約2μιη〜2〇μηι。 屬、Sir藉㈣剌的練亞麵與,其賴賴、銅等金 屬1U+C曰曰片#晶片構件等,可使用黏著劑加以貼合。 壓著緣及雜可靠性優異者,或藉由acf等之 可塑性,,ϋ或熱‘化性黏“劑等 。、、 ?Μ^ί;Γό;Γύ 糸小蜢亞胺糸的黏著劑較佳。 AA + t屬化去,係设置與鑛金屬或金屬箔之疊層為不同之全;I声 2綠,可使用真空蒸鑛奮離子賴、電子束二= 金屬化法使用之金屬,可使用:銅、錄、鉻、鐘、銘 Ϊ化Ξ或t釩,鈕等金屬、或此等之合金、或此等金屬之 一 i孟屬之私化物等金屬化合物等。但不特別限於此箄材 ;'。稭金屬化法形成之金屬層厚度,可視使用目的適當選擇, is 201117962 較佳為lnm〜500nm,更佳為5nm〜200nm之範圍,這些範圍均 時適於實用。藉由金屬化法形成之金屬層之層數,可視使用目的 適當選擇,可為1層、2層、3層以上之多層。 利用金屬化法得到的金屬疊層聚醯亞胺膜,可於金屬層的表 面藉由電解電鍍或無電解電鍍等公知的濕式電鍍法’設置鋼、 錫等鍍金屬層。鍍銅等鍍金屬層的膜厚度在1μηι〜4〇μπ1的範 適於實用,故較佳。 藉由本發明,即使製造聚醯亞胺膜時不使用偶合劑,也可得 到例如90度剝離強度為03N/mm以上,甚至〇.4Ν/_以上, 更甚至為0.5N/mm以上之銅疊層聚醯亞胺膜。 士發明之聚醯亞胺膜可適用於FPC、TAB、c〇F或金屬配線 基材等的絕緣基板材料、金屬配線、IC晶片等晶片構件等的覆蓋 基材,液晶顯示器、有機電致發光顯示器、電子紙、太 的基底基材使用。 ' ,的用途中,-般而言,聚·胺膜之線膨脹係數接 的線膨脹係數較佳,具體而言,_及TD皆為1〇〜4〇鹏 二^^鹏八更佳’ 12〜25鹏八又更佳。根據本發明^ 性倾且線雜雜接近銅之線雜餘的聚酿亞胺 0 技、斤或f人物等’根據用途,聚臨亞胺膜的線膨脹係數 =玻,或,膨脹係數較佳。藉由本發明,可得到 = 為0〜lOppm/ C之聚醯亞胺膜。 糸数 【實施例】 、 實施^,藉由實施例更詳細說明本發明,但本發明不限於此等 聚酿亞胺膜之包覆層黏著強度的測定以如下方法進杆。 ,製得之聚酿亞胺膜,將ArisawaM^fa==^ Ϊ5曰〇 VA^5Kf/以18G°C、3MPa擠壓3Q分鐘進行貼合。 又,包覆声貝占人絲,f離強度疋為初始勸著強度。 θ、σ灸〇C之熱風乾燥機中處理24小時,同 19 201117962 樣地,測定90。剝離強度,定為耐熱後黏著強度。 又,製作聚醯亞胺膜時,將聚醯亞胺前驅物溶液澆鑄於金屬 支持體上時,空氣側的面定為A面,金屬支持體側的面定為B面。 (製造例1) /於聚合槽添加預定量之N,N—二曱基乙醯胺、對苯二胺(ppD ) 後,於40°C-邊攪拌’一邊階段性地添加3,3,,4,4,—聯苯四羧酸 二:rBPDA)至與PPD約略等莫耳為止,使其反應,得到固 體很度為18質量%之聚醯胺酸溶液(聚酿亞胺前驅物溶液)。接 气二於此聚醯胺酸溶液中,添加相對於聚醯胺酸1〇〇質量份為〇 25 質1份之比例的單硬脂基磷酸酯三乙醇胺鹽及〇3質量份之 f i^(〇C〇11〇idal SmCa)} 0 浴液組成物之30°C的旋轉黏度為180Pa · s。 為於該f罐酸溶液組成針,添加相對㈣胺酸單位 =鑄模賴關始_輯駐猶•賴 上形成細、以15QC加熱财時間後,由支持體剝離,得到 自禮膜。得觸自制的加熱減量為27 7 f量%亞 A面側為17.9%、在B面側為29 3%。 亞月女化率在 ,著,減該㈣«度方向的兩端,插人連、續加 ίίΓΓΓ)從1WC起最高加熱溫度為·。c之t i ==胺化’製造平均膜厚度為約13_之長形 (製造例2) 酸溶液組成物:’除將添加於聚酿胺 當量’以與製造例1同為… 長形的《亞麵(M-2)。在此得到之;度為5师之 質量%,酿亞胺化率在A面侧為 牙^力^成量為27.7 (比較例1) 巧1 /.9/。、在B面側為29.3〇/〇。 測定於製造例1製得之聚酿亞胺膜m-υ的包覆層黏: 20 201117962 度。結果如表1所示。 (比較例2) 战·^Ϊ造例1所得到之聚酸亞胺膜(PI—1)的四邊使用杏呈如 理。接i 熱爐内進行2分鐘的追加加熱處 示。接者’測疋此顧亞麵之包覆層黏著強度。結果如表i所 (實施例1) 製造例1所得到之聚醯亞胺膜(M—1)的四邊使用办呈如姓 ϊί屬架’於5〇吖之加熱爐内進行追加加熱處理2;鐘。 邊使用黏接膠帶固定於樹脂製的框架,利用由 回收水里样t風!1 化納水溶液槽、时水槽、5%硫酸槽、回收水槽、 ? iii 、乾賴組狀連魏置進行儒纽及乾烊。 =化鈉^㈣中,丨.7 f量%的氫氧化财溶液由實心= 型 I : 嘴以液溫4〇。。、噴霧壓〇.2MPa被噴射,在其他 :=收水、純水或5%硫酸由扇型(flat)喷嘴以室溫、〇 ιμ^ 、、容二燥槽中’以5G°C將聚酸亞胺膜乾燥。氫氧化納水 取西^ 叫間(喷霧處理時間)定為30秒。接著,測定得到 ,&亞私膜之包覆層黏著強度。結果如表1所示。 (比較例3 ) 製造例1所得到的聚醯亞胺膜(PI—1)除以50(TC、2分鐘 理以外,與實施例1同樣的方式,進行喷霧處理及 接著,測定所得到之聚醯亞胺膜之包覆層的黏著強度。社 果如表1所示。 、σ (比較例4) 使用夾具將製造例1所得到的聚醯亞胺膜(ΡΙ—1)的四邊拉 理於=製的框架’於48叱的加熱爐内’進行2分鐘追加加熱處 。接^ ’對該膜進行以下處理··於23°C浸潰於5質量%之氫氧 ^鋼液5分鐘、水洗、浸潰於1質量%硫酸2分鐘、水洗並乾 、:_著’測定得到的聚醯亞胺膜的包覆層黏著強度。結果如表j 戶斤7]n ° 21 201117962 (實施例2) 拉於Ϊίί例1所得到之練亞胺膜⑺―1)的四邊使用夾具拉 ί採金ΐ ΐ的框架,在5〇0 C的加熱爐内,進行2分鐘的追加加熱 ,將該膜的四邊以黏接膠布固定於樹脂製的框架,以 之碳義水溶賴、时水槽、时水槽、純水槽、乾 中、,曰0 44曾置進二丁喷^理及乾燥。碳酸鈉水溶液槽 噴露芦溶軸和睛^難嘴峨溫3〇。〇、 射,其他槽中,回收水或純水從扇型_ 溶液槽之滯留時間(噴霧處理時間巧為= g示 亞胺膜的包覆層黏著強度。結果如表1 (比較例5 )
製造例1所得的聚酿亞胺膜(PI 鐘的追加加熱處理以外,盘實 」=進灯谓C 2刀 乾燥。接著,測定得到的方式進行噴霧處理及 表1所示。 j似酿亞祕之包覆層黏著強度。結果如 (實施例3 ) 於』的—夹具拉持 用由純梢、彳雜架,利 水槽中,使純水由,欣=逯、、.只裝置進仃育霧處理及乾燥。純 射,乾燥槽中,以嘴以室溫、0.1廳的狀態被喷 霧處理時W以6秒^ ^^。|屯水槽之滯留時間(喷 層黏著強度。結果如表丨^。敎所_之»亞胺膜之包覆 (比較例6) 、 不。 ^ΙΐΖΐΙΖί^ ίΡΙ-) ^^5〇〇»C ^ 2 理及乾燥。接著,測以/、具^例3同樣的方式進行喷霧處 / 則疋传到的聚酿亞胺膜之包覆層黏著強度。結 22 201117962 果如表1所示。 (比較例7) (PI—2)的包 黏著強 度。.¾:得到之聚酿亞胺膜 (實施例4) g之I.7質量%氫氧化韵水溶液之喷理^行包含3〇 J:測定所得到的聚酿亞胺膜之包覆層黏著^=。: (比較例8) it^造例ίί得到之聚酿亞胺膜(H—2)除不進行追加加熱處 、j外,以與貫施例4相同的方式進行喷霧處理及乾燥。接著, 測定得到的聚醯亞胺膜的包覆層黏著強度。結果如表1所示。 从1】_ 故 醢亞胺化時 追加加熱處 包復層黏著強度(N/mm) """Τ'— 之最高加熱 理 嘴霧處理 A面初始 A面耐熱後 B面初始 B面耐熱後 PI-1(s-BPDA/PPD ; 13μπι) 450 °C 無 無 0.36 0.34 0.39 0.29 PI-1(S-BPDA/PPD ; 13μηι) 450 r 5〇〇°(:2 分嫂 無 0.33 0.37 0.3 0.24 貧施例1 PI-l(s-BPDA/PPD : 13μπι) 450 eC 500°(:»2 分錢 NaOH,30 秒 1.77 0.53 1.77 0.46 比較例3 PI-l(s-BPDA/PPD ; 13μηι) 450 eC 無 NaOH,30 秒 1.77 0.35 0.99 0.24 PI-l(s-BPDA/PPD ; 13μιη) 4501 480eC>2分锊 NaOH 浸 1.78 0.35 1.86 0.34 實施例2 PI-l(s-BPDA/PPD ; 13μΓη) 450 °C socrc^分錢 Na2C03,13. 0.54 0.52 0.51 0.44 」^例5 PI-l(s-BPDA/PPD ; 13μπι) 450 r 無 Na2C〇3,13. 0.47 0.35 0.52 0.22 PI-Ks-BPDA/PPD ; 13μιη) 450 °c 5001^2分錄 純水,6秒 ,0.46 0.73 0.48 0.5 較例6 PI-l(s-BPDA/PPD ; 13μϊη) 450 °C 無 純水,6秒 0.39 0.33 0.45 0.26 PI-2(s-BPDA/PPD ; 5μιη) 480 eC 無 無 0.19 0.12 0.22 0.14 施例4 Pi-2(s-BPDA/PPD ; 5μτη) 480 eC 500°C*2 分錄 NaOH^O 秒 0.98 0.42 0.83 0.46 PT2(S-BPDA/PPD : 5μπΐ) 480 *C 無 NaOH,30f> 0.46 0.11 0.91 0.13 23 201117962 由表1之實施例及比較例可得知以下事項。 U)、由,,例1〜2與比較例i可知,以彻。c以上追加加敎 处理後’以氫氧化鈉水溶液或碳軸纟溶液進行儒處理,初始’、 的黏著強度、耐熱測試後的黏著強度等皆變高。 13 又’由實施例3與比較例1可知,以48〇ΐ以 Ϊ強水進行喷霧處理’初始纖度、耐熱測試後^ 相對於此,由比較例1與比較例2可知,不以氫氧化 液、碳酸納水溶液或純水進行喷霧處理日夺,初始黏 敎 測試後的黏著強度皆較低。 ΐ,''' ,比^j 1與比較例3、5〜6可知,在不進行追加祕處理、 碳酸鈉水溶液或純水進行噴霧處理時,初始 黏者強度也會k尚,但耐熱測試後的黏著強度低。 …又,由tb較例4可知’不進行韻處理而浸潰 /合液日了 ’初始黏著強度變高,但耐熱測試後的黏著強度變低。 將s 4 ΐ峨例7可知,即使平均離度薄至_, 以氫氧她水溶液進行噴理,麻始财= 的黏著強度皆變高。 $减⑽熱測。式後 的产ΐ對:與比較例8,在不進行追加加熱處理 以缝錢水溶液喷霧處理時,初始 向,而ί熱測試後的黏著強度低。 …、义 [產業上之利用性] 四缓f,Λ以簡便的方法提升以3,3,,4,4,-聯苯 羧酸成分’與以對苯二胺為主成分之二 凡月女成刀反應而得之聚醯亞胺膜的黏著性。
式*承,亞胺膜之黏著性優異,適用於FPC、TAB、c〇F -覆罢ί H ϊ ί緣基板材料、金屬配線、ic晶片等晶片構件 基ίί='痛致發光顯示器、電子紙、太陽 24 201117962 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無

Claims (1)

  1. 201117962 七、申請專利範圍: 1. 一種聚醯亞胺膜’係使以3,3’,4,4’一聯苯四竣酸二酐為主成分之 四羧酸成分,與以對苯二胺為主成分之二元胺成分反應而得之聚 醯亞胺膜, " 其特徵為以460°C〜550°C的溫度範圍進行熱處理, 更藉由在表面喷塗水或鹼性水溶液進行表面處理。 2. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜,其中,該鹼性水溶液包含 氮氣化納及/或碳酸納。 3. —種黏著劑疊層聚醯亞胺膜’係於如申請專利範圍第丨或2項之 聚醯亞胺膜之經水或鹼性水溶液喷塗之經表面處理的面,疊; 著劑層而得者。 日‘ 4. 一種聚臨亞胺膜的製造方法,包含以下步驟: 自撐膜製作步驟’係使以3,3’,4,4,一聯笨四羧酸二酐為主成分之四 羧酸成分,與以對苯二胺為主成分之二元胺成分反應而得之聚醯 胺酸或聚醯亞胺的溶液流延於支持體上,並將其乾燥; 聚醯亞胺膜製作步驟,將該自撐膜加熱; 熱處理步驟,將製得之祕亞麵以4赃〜5贼進行哉處 理,及 ’、、、心 喷塗噴塗步驟’於經熱處理之輯亞胺膜的表面 八、圖式:無 26
TW099127719A 2009-08-20 2010-08-19 Polyimide film and method for producing the same TW201117962A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009191092 2009-08-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201117962A true TW201117962A (en) 2011-06-01

Family

ID=43607090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099127719A TW201117962A (en) 2009-08-20 2010-08-19 Polyimide film and method for producing the same

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9393720B2 (zh)
JP (1) JP5594289B2 (zh)
KR (1) KR20120065349A (zh)
CN (1) CN102575034B (zh)
TW (1) TW201117962A (zh)
WO (1) WO2011021639A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI569970B (zh) * 2011-06-14 2017-02-11 宇部興產股份有限公司 聚醯亞胺疊層體之製造方法及聚醯亞胺疊層體
TWI573691B (zh) * 2011-06-14 2017-03-11 宇部興產股份有限公司 聚醯亞胺疊層體之製造方法及聚醯亞胺疊層體
TWI758535B (zh) * 2017-11-21 2022-03-21 南韓商Lg化學股份有限公司 可撓性顯示器基板用聚醯亞胺膜及其可撓性顯示器基板

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8232129B2 (en) * 2010-12-16 2012-07-31 The Boeing Company Bonding solar cells directly to polyimide
JP5830896B2 (ja) * 2011-03-30 2015-12-09 宇部興産株式会社 ポリイミドフィルムの製造方法、およびポリイミドフィルム
CN108047978B (zh) 2013-05-31 2021-06-08 株式会社钟化 绝缘包覆材料及其制造方法、绝缘缆线及其制造方法
TWI667839B (zh) * 2014-09-30 2019-08-01 日商三井化學股份有限公司 Negative electrode for secondary battery, method for producing the same, and lithium ion secondary battery having the same
WO2016084661A1 (ja) 2014-11-27 2016-06-02 株式会社カネカ 耐摩耗性の優れる絶縁被覆材料
WO2016084662A1 (ja) 2014-11-27 2016-06-02 株式会社カネカ 耐摩耗性の優れる絶縁被覆材料
JP6604003B2 (ja) * 2015-02-26 2019-11-13 宇部興産株式会社 ポリイミド前駆体溶液組成物及びそれを用いたポリイミド膜の製造方法
DE102015103724B4 (de) * 2015-03-13 2021-03-25 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Komponententräger mit Verwerfungsstabilisierungsstruktur und Verfahren zur Herstellung dazu
KR102529151B1 (ko) * 2016-01-27 2023-05-08 삼성전자주식회사 폴리이미드 또는 폴리(아미드-이미드) 코폴리머를 포함하는 성형품 제조용 조성물, 상기 조성물로부터 얻어지는 성형품, 및 상기 성형품을 포함하는 디스플레이 장치
TWI609897B (zh) * 2017-02-15 2018-01-01 律勝科技股份有限公司 聚醯亞胺樹脂及其製造方法與薄膜
KR102264420B1 (ko) * 2017-11-03 2021-06-11 주식회사 엘지화학 디스플레이 기판용 폴리이미드 필름
CN108207044A (zh) * 2017-12-12 2018-06-26 宁波今山电子材料有限公司 一种柔性电热模组及其制作方法
KR102109602B1 (ko) 2018-09-06 2020-05-12 주식회사 오지엔테크 라디칼을 이용하여 냄새와 세균억제가 가능한 애완동물 배변패드

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH062828B2 (ja) 1986-05-15 1994-01-12 宇部興産株式会社 ポリイミドフイルムの製造法
JPH065997A (ja) * 1992-06-20 1994-01-14 Toshiba Chem Corp フレキシブル印刷回路用基板
JPH07330930A (ja) 1994-06-03 1995-12-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 高分子フィルムの表面処理方法
US6218022B1 (en) * 1996-09-20 2001-04-17 Toray Engineering Co., Ltd. Resin etching solution and process for etching polyimide resins
JP4006779B2 (ja) * 1997-06-11 2007-11-14 株式会社カネカ ポリイミドフィルムの製造方法
JP3346265B2 (ja) 1998-02-27 2002-11-18 宇部興産株式会社 芳香族ポリイミドフィルムおよびその積層体
JP3736600B2 (ja) * 1999-02-22 2006-01-18 株式会社カネカ 接着フィルムの製造方法および接着フィルム
JP4531996B2 (ja) 2001-02-09 2010-08-25 株式会社エー・エム・ティー・研究所 ポリイミドフィルム積層体
JP2006056956A (ja) 2004-08-19 2006-03-02 Jsr Corp ポリイミドフィルムの製造方法
TWI294826B (en) 2005-06-03 2008-03-21 Mitsui Chemicals Inc Polyimide thin film, polyimide metal laminate and method of manufacturing thereof
JP4231511B2 (ja) 2005-06-03 2009-03-04 三井化学株式会社 ポリイミドフィルム、ポリイミド金属積層体及びその製造方法
JP5042728B2 (ja) * 2006-07-05 2012-10-03 新日鐵化学株式会社 ポリイミド樹脂層の表面改質方法及び金属張積層板の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI569970B (zh) * 2011-06-14 2017-02-11 宇部興產股份有限公司 聚醯亞胺疊層體之製造方法及聚醯亞胺疊層體
TWI573691B (zh) * 2011-06-14 2017-03-11 宇部興產股份有限公司 聚醯亞胺疊層體之製造方法及聚醯亞胺疊層體
TWI758535B (zh) * 2017-11-21 2022-03-21 南韓商Lg化學股份有限公司 可撓性顯示器基板用聚醯亞胺膜及其可撓性顯示器基板
US11891483B2 (en) 2017-11-21 2024-02-06 Lg Chem, Ltd. Polyimide film for display substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US20120156482A1 (en) 2012-06-21
CN102575034B (zh) 2013-11-06
JPWO2011021639A1 (ja) 2013-01-24
WO2011021639A1 (ja) 2011-02-24
KR20120065349A (ko) 2012-06-20
JP5594289B2 (ja) 2014-09-24
CN102575034A (zh) 2012-07-11
US9393720B2 (en) 2016-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201117962A (en) Polyimide film and method for producing the same
JP7479781B2 (ja) 金属張積層板、接着シート、接着性ポリイミド樹脂組成物及び回路基板
CN101193751B (zh) 粘合板、金属-层压板和印刷线路板
TWI381035B (zh) Adhesive improved by the novel polyimide film
TW200909202A (en) Metal-resin laminate
TWI384018B (zh) Polyimide film
TW200904855A (en) Process for producing polyimide film, and polyimide film
TW201202304A (en) Polyimide films, and polyimide laminate and polyimide metal laminate using these films
TW201217435A (en) Polyimide and polyimide film
CN105612600B (zh) 元件加工用层叠体、元件加工用层叠体的制造方法、及使用其的薄型元件的制造方法
TWI290569B (en) Thermosetting resin composition, and lamination body and circuit board using the composition
TW201223751A (en) Thick layer polyimide metal clad laminate
JP5391905B2 (ja) ポリイミドフィルムおよびポリイミドフィルムの製造方法
JP2006232911A (ja) 熱可塑性ポリイミド前駆体組成物およびこれを用いた積層ポリイミドフィルムの製造方法
JP2008177503A (ja) パッケージ・オン・パッケージ型半導体装置
JP6790756B2 (ja) ポリイミド、ポリイミド前駆体、及びポリイミドフィルム
TW200846391A (en) Polyimide, diamine compound and process for producing the same
JP2022167889A (ja) ポリイミドフィルム及び電子デバイス
JP3361569B2 (ja) 面状発熱体およびその製造方法
JP2005026542A (ja) プリント回路用基板およびそれを用いたプリント回路基板
TW201105710A (en) Heat resistant resin, composition thereof, resin/metal laminate and circuit board
JP5830896B2 (ja) ポリイミドフィルムの製造方法、およびポリイミドフィルム
JP2008177502A (ja) フォールデッド型半導体装置
JP5499555B2 (ja) ポリイミドフィルムおよびポリイミドフィルムの製造方法
JP2005052981A (ja) 金属層付きフィルムおよびそれを用いたフレキシブルプリント配線板