TW201107902A - Exposure device - Google Patents
Exposure device Download PDFInfo
- Publication number
- TW201107902A TW201107902A TW099121687A TW99121687A TW201107902A TW 201107902 A TW201107902 A TW 201107902A TW 099121687 A TW099121687 A TW 099121687A TW 99121687 A TW99121687 A TW 99121687A TW 201107902 A TW201107902 A TW 201107902A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mask
- reticle
- exposure
- substrate
- holder
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2061—Electron scattering (proximity) correction or prevention methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
201107902 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用大型之光罩執行近接曝光的曝光裝 置。 【先行技術】 針對具有光罩之搬運機構或設定機構的近接曝光裝置 ,揭示於例如專利文獻1或2。 〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本特開2006-86332號公報 〔專利文獻2〕日本特開平6-267816號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 第7圖表示執行近接曝光之曝光裝置的槪略圖。在本 裝置中,曝光用工作台有兩個,具有載置在各工作台上之 基板交互被曝光之構成。針對使用本裝置進行曝光之時之 曝光用基板在裝置內的動作還有曝光程序予以說明。並且 ,符號2 1 5表示近接曝光裝置和搬運線之間之曝光用基板 之出入。 第8圖爲表示曝光用基板在曝光裝置內移動之程序的 流程圖。首先,當利用搬運線210搬運曝光用之基板220 時,藉由L搬運用機器手臂2 04-1從搬運線210搬運至溫 度調節板(調溫板)206(S801)。接著,之前的曝光用 201107902 基板從L工作台203-1被移出至搬運線210之後,曝 基板220則從調溫板206被搬運至L工作台203- 1 ( )° 接著,載置在R工作台203-2之前的曝光用基板 光結束而工作台203-2從光罩設置部207之下方移動 ,載置在曝光用基板220之L工作台203 - 1則移動至 設置部207之下方(S803)。符號204-2爲R搬運用 手臂。接著,藉由從燈室205導出之紫外光曝光基板 (S804)。接著,從光罩設置部207之下方移動L工 203-1 (S805)。之後,將基板220搬運至搬運線210 光處理結束。 接著,使用第9圖說明從曝光用基板220被搬運 罩設置部207下部至被曝光爲止的程序。當基板220 至光罩設置部207之下方時,則設定間隔調整用攝影 對準用攝影機(S901 )。接著,以使用間隔調整用攝 使光罩和基板220之間的間隔成爲150〜300μπι之方 使用光罩側之高度方向(ζ方向)驅動機構而予以調 S902 ) ° 接著,取得基板220和光罩之對準(S903 )。使 5圖Α、第5圖Β說明該對準之情形。第5圖Α爲光 槪略俯視圖,第5圖B爲用以說明光罩和基板之對準 形的光罩裝設部之槪略剖面圖。以設置在光罩100之 區域1 40之四偶角的對準標記1 4 1和設置在莲板220 準標記142,成爲在基準位置移動被設定之對準用攝 150的視線範圍內之方式,調整L工作台203-1之位獨 光用 S802 之曝 之後 光罩 機器 220 作台 ,曝 至光 移動 機或 影機 式, 整( 甩第 罩之 之情 曝光 之對 影機 201107902 方向、y方向、0方向)。符號145爲圖案區域。並且, 光罩100係藉由設置在光罩保持器丨04之光罩專用吸附孔 103-2而被吸附在光罩保持器104。 之後’使間隔調整用攝影機或對準用攝影機從曝光區 域避開(S904 ) ’執行曝光(S9〇5 )。曝光係使用從燈室 205被導出,照度爲50mW/cm2 (平方公分)左右之紫外 線(ϋ V )進行數秒間。基板2 2 0於具有例如四個曝光區 域之時’並且爲了曝光基板220之其他的3個特定區域, ® 移動L工作台203-1執行剩下的3次曝光,曝光處理結束 。並且’當然曝光次數係藉由基板之大小(曝光區域之數 量)而改變。 如上述般,發現於使用曝光裝置200曝光基板220之 結果,使得在基板表面被印上特定圖案以外之微細無定形 之點圖案。現狀之圖案雖然無問題,但是於使圖案尺寸微 細化之時,可想像會產生問題。 專利文獻1揭示有即使使用大型尺寸之基板,保持機 ^ 構也不成爲大型,可以謀求小型化之近接曝光裝置的光罩 搬運裝置。但是,並無記載關於上述微細點圖案的教示及 暗示。專利文獻2記載著在光罩保持器之上方配置光罩, 藉由從下方保持光罩之技術,使光罩不受到損傷,可防止 產生微粒,以簡單之構成執行光罩之定位。但是,在專利 文獻2中,於基板大於光罩之時,因無法使基板和光罩之 距離接近於光罩支撐構件之厚度以上,故難以執行近接曝 光。 本發明之目的係提供即使對較處於大型化之方向之光 201107902 罩更大之基板進行曝光,亦可以執行不會轉印微細 案之近接曝光的曝光裝置。 〔用以解決課題之手段〕 就以用以達成上述目的之一型態而言,本發明 裝置係屬於一種執行近接曝光的曝光裝置,具有: 罩吸附孔之光罩保持器;將光罩從下方推壓至上述 持器之光罩升降器;用以執行上述光罩之位置調整 推進器;和用以載置轉印被形成在上述光罩之圖案 的工作台,其特徵爲:又具有於上述光罩之位置調 ,被設置在上述光罩保持器,供給用以降低上述光 述光罩保持器之間之摩擦阻力之氣體的開口部。 本發明之曝光裝置係屬於執行近接曝光的曝光 具備:溫度調節板;載置曝光用基板之曝光用工作 上述曝光用基板從搬運線朝上述溫度調節板,再者 溫度調節板朝上述曝光用工作台,再者從上述曝光 台朝上述搬運線搬運上述基板的搬運機器手臂;設 有圖案之光罩的光罩設置部,該圖案係轉印至被載 述曝光用工作台之上述基板;和用以曝光上述光罩 ’其特徵爲:上述光罩設置部具有將光罩從下方推 述光罩保持器之光罩升降器;用以執行上述光罩之 整的光罩推進器:和具備開口部之光罩保持器,該 係於吸附上述光罩之光罩吸附孔及上述光罩之位置 時’供給用以降低上述光罩和上述光罩保持器之間 阻力的氣體。 之點圖 之曝光 具備光 光罩保 的光罩 之基板 整之時 罩和上 裝置, 台;將 從上述 用工作 定形成 置在上 之燈室 壓至上 位置調 開口部 調整之 之摩擦 -8 - 201107902 〔發明效果〕 提供即使對較光罩更大之基板進行曝光,亦可 不會轉印微細之點圖案之近接曝光的曝光裝置。 【實施方式】 發明者等針對特定圖案以外之微細無定形之點 產生原因進行硏究。其結果,確認出在光罩100之 (與圖案形成面相反之側)附著微細之異物。在此 評估在光罩保持器104裝設光罩100之程序。使用 、第6圖A〜第6圖D、第7圖說明裝設程序。 首先,被保管在光罩儲存器201之光罩100界 機器手臂2 02被搬運至光罩設置部207(第7圖) 罩設置部,光罩100被搬運至光罩保持器104之下 止(第6圖A)。接著,使用汽缸使在前端安裝以 主成分之墊片101-1的光罩升降器101旋轉,降至 第6圖B )。 接著,在前端下降之狀態下直接使光罩升降器 動至光罩100之下部(第6圖C)。接著,使光罩 101朝相反方向旋轉,推向上方,並將光罩100推 保持器104。雖然在現狀施加於每~根光罩升降器 負荷爲3〜4Kg左右,但可預測將來爲8〜10kg。符 表示光罩升降銷101之動作。 之後,如第4圖所不般’爲了執.彳了光罩100之 藉由光罩推進銷,調整光罩100之位置120。該對 以執行 圖案之 背面側 ,重新 第4圖 由搬運 。在光 部,停 樹脂爲 下方( 101移 升降器 向光罩 101之 :號 1 1 0 對準, 準係如 -9 - 201107902 第5圖A所示般,以被設置在光罩100之曝光區域140之 四偶角的對準標記141,成爲使用在基準位置移動被設置 之對準用攝影機150在視線內位置誤差爲大約30/zm以內 之方式,利用推進器推進光罩1〇〇而執行位置調整120。 並且,光罩1〇〇係藉由光罩升降器1〇1被推至光罩保持器 1 04而被保持。 詳細硏究該些程序之結果,發現隨著光罩重量增加而 增加摩擦阻力,依此產生異物之可能性變高。即是,可知 由於光罩100大型化,其重量變重,爲了推升此,施加於 光罩升降器101之汽缸壓變高,光罩被強力推往光罩保持 器,在對準用之位置調整的移動中,異物容易飛散。在此 所使用之基板之尺寸微 1 8 50mmxl 500mm,厚度爲 0.5〜 0.7mm。再者,雖然光罩之尺寸爲800mmx920mm,厚度爲 8mm,重量爲10〜15kg,但是可預測今後之基板尺寸爲 2200x2500mm,光罩尺寸爲 1220x1400mm,厚度爲 13mm ,重量爲50kg,需擔心會增加異物之飛散量。 本案發明係藉由上述見解而硏究出,藉由自光罩保持 器朝向光罩供給空氣,降低光罩和光罩保持器之間的摩擦 阻力,以降低、防止異物之產生。 以下,在實施例中予以詳細說明。 〔實施例1〕 針對第1實施例,使用第1圖A至第3圖予以說明。 並且’記載於發明欲解決之課題之欄中而未被記載於本實 施例之事項即使在本實施例也相同。 -10- 201107902 第1圖A爲本實施例所涉及之曝光裝置之光 之槪略俯視圖》在本實施例中,在保持光罩100 持器104 (未記載)設置具有前端部成爲寬廣之; 、103-22之光罩吸附兼噴氣孔103-1(未記載) 附專用孔1 〇 3 - 2 (未記載)。在本實施例中,孔 溝之寬度爲8mm。再者,溝之長度設爲10cm。 光罩升降器101保持光罩100之時,由垂直上方 升降器101之位置和光罩吸附兼噴氣孔103-1之 1 氣兼吸附溝103-11之位置時則係配置成重疊。 號102表示光罩推進器,符號1 03 -22表示光罩 孔1〇3-2前端之吸附專用溝。 第1圖B係表示第1圖A之YY剖面。光罩 由光罩吸付專用孔103-2在光罩保持器104之下 持被設置在光罩保持器104之光罩吸附兼噴氣孔 接著,使用第2圖A〜第2圖C說明使用本 器保持光罩之程序。至利用光罩升降器保持藉由 • 機器手臂被搬運至光罩保持器下部之光罩爲止之 與第6圖A〜第6圖D所示之程序相同。 第2圖A係表示利用光罩升降銷101保持光 .狀態。之後,對光罩吸附兼噴氣孔103-1供給空 光罩100表面噴氣130-1(第2圖B)。在本實 將空氣供給壓力設爲0.6M帕斯卡(6kg/cm2)。 第3圖係表示此時之光罩保持器和光罩之位 槪略。通過光罩吸附兼噴氣孔103-1之空氣朝光 噴氣130-1。藉由該噴氣130-1,在光罩100和光 罩裝設部 之光罩保 冓 103-11 和光罩吸 之直径或 尤其,於 觀看光罩 前端的噴 並且,符 吸附專用 100係藉 部吸附保 103-卜 光罩保持 光罩搬運 程序,係 罩100之 氣,並對 施例中, 置關係之 罩100被 罩保持器 201107902 1 04之間形成加壓空氣之層1 3 5,互相成爲非接觸狀態。 並且,在光罩吸附專用孔〗〇3-2之下部,因無光罩升降器 101,故在該部分光罩1〇〇多少往下方變形。 在該狀態下,使用光罩推進器〗02執行光罩1 00之位 置調整120 (第2圖B )。調整之程序係如同在第4圖所 說明般。之後,使用光罩吸附兼噴氣孔103-1及光罩吸附 專用孔103-2吸附光罩100(第2圖C)。依此,在光罩 100和光罩保持器104之間形成有加壓空氣之層135,因 爲非接觸,故可想即使移動光罩1〇〇,在光罩100和光罩 保持器104之間由於摩擦也不會發塵,異物不會附著於光 罩 1 00。 於光罩之位置調整時,雖然在光罩和墊片之間產生摩 擦,但倘若產生塵埃也往下方落下(在此時點也有基板未 被設定之情形),故不會產生問題。 並且,在本實施例中,將光罩升降器101之寬度設爲 5cm,厚度設爲8mm。但是,於將噴氣兼吸附溝103-1 1之 長度設爲W1,將光罩升降器之寬度設爲W2之時,藉由 設爲W1>W2,使得被供給之空氣難以洩漏,故可以形成 更厚之加壓空氣層,可以提高噴氣之效果。於形成相同厚 度之加壓空氣之層之時,則可以降低空氣量。 再者,光罩吸附兼噴氣孔103-1中之噴氣和吸附之切 換,可以藉由在空氣管線和真空管線各設置電磁閥等之開 關手段,並且並聯連接吸附兼噴氣孔103-1來執行》 再者,在本實施例中,雖然噴氣之功能兼作吸附孔使 用,但是亦可以設爲個別專用。於兼用之時,可以將窄吸 -12- 201107902 附區域當作吸附區域而有效使用。於專用之時,則可以獨 立控制吸附和噴氣。 再者,在本實施例中,雖然使用空氣,但是亦可以使 用其他氣體。但是,藉由使用空氣則可以抑制生產成本。 再者,在本實施例中,雖然在與光罩升降器對向之位 置配置噴氣用之孔,但是因光罩爲剛性,故可以設爲使噴 氣用孔和光罩升降器不同之位置。但是,爲了形成相同厚 度之加壓空氣之層,必須增加空氣量。 若藉由本實施例時,因可以在光罩和光罩保持器之間 形成加壓空氣之層的狀態下執行位置調整,故可以提供即 使對較處於大型化之方向之光罩更大之基板進行曝光,亦 可以執行不會轉印微細之點圖案之近接曝光的曝光裝置。 再者,由於在光罩和光罩保持器之間無摩擦,故可以提供 不會有因摩擦而產生擦痕,可移動微細距離,且高精度執 行位置調整的進行近接曝光之曝光裝置。 〔實施例2〕 針對第2實施例,使用第2圖A至第2圖C予以說明 。並且,記載於發明欲解決之課題之欄中或記載於實施例 1中而未被記載於本實施例之事項即使在本實施例也相同 〇 針對保持光罩之程序,使用第2圖A至第2圖C予以 說明。至利用光罩升降器保持藉由光罩搬運機器手臂被搬 運至光罩保持器下部之光罩爲止之程序’係與第6圖A〜 第6圖D所示之程序相同。 -13- 201107902 第2圖A係表示利用光罩升降銷101保持光罩100之 狀態。之後,對光罩吸附兼噴氣孔1 03 -1供給空氣,並對 光罩100表面噴氣130-1(第2圖B)。在本實施例中與 實施例1不同,係將空氣供給壓力設爲0.2M帕斯卡( 2kg/cm2 )。在該壓力中,與實施例1不同,雖然不形成 加壓空氣之層135,但是可以降低光罩100和光罩保持器 1 〇 4之間之摩擦。 在該狀態下,使用光罩推進器1 02執行光罩1 00之位 置調整120(第2圖B)。調整之程序係如同在第4圖所 β 說明般。之後,使用光罩吸附兼噴氣孔103-1及光罩吸附 專用孔103-2吸附光罩100 (第2圖C ) 130-2。其結果, 在使用該光罩1 〇〇而執行曝光之基板,幾乎看不到微細之 點圖案。再者,也幾乎看不到塵埃附著於光罩1〇〇。 該應爲可以降低光罩100和光罩保持器104之間的摩 擦阻力,故即使移動光罩100,在光罩100和光罩保持器 1 04之間由於摩擦所產生的塵埃也減少,可以降低異物附 著於光罩100之故。 鲁 若藉由本實施例時,因可以在降低光罩和光罩保持器 之間的摩擦阻力的狀態下執行位置調整,故可以提供即使 對較處於大型化之方向之光罩更大之基板進行曝光,亦可 以執行不會轉印微細之點圖案的近接曝光裝置。再者,因 不進行噴氣,僅利用空氣之壓力,故可以提供不會消耗空 氣,謀求生產成本降低的執行近接曝光之曝光裝置。 【圖式簡單說明】 -14- 201107902 第1圖A爲第1實施例所涉及之曝光裝置之光罩裝設 部之槪略俯視圖。 第1圖B爲第1圖A之γγ線的槪略剖面圖。 第2圖A爲用以說明第!實施例所涉及之曝光裝置之 光罩裝設程序之光罩裝設部的槪略剖面圖。 第2圖A爲用以說明第1實施例所涉及之曝光裝置之 光罩裝設程序之光罩裝設部的槪略剖面圖。 第2圖C爲用以說明第1實施例所涉及之曝光裝置之 光罩裝設程序之光罩裝設部的槪略剖面圖。 第3圖爲用以說明第1實施例所涉及之曝光裝置之光 罩位置調整時之光罩和光罩保持器之位置關係的光罩裝設 部重要部位的槪略剖面圖。 第4圖爲用以說明光罩之裝設位置調整之情形的光罩 裝設部之槪略剖面圖。 第5圖A爲光罩之槪略俯視圖。 第5圖B爲用以說明光罩和基板之對準之情形的光罩 裝設部之槪略剖面圖。 第6圖A爲用以說明以光罩保持器保持光罩之程序的 光罩裝設部之槪略剖面圖。 第6圖B爲用以說明以光罩保持器保持光罩之程序的 光罩裝設部之槪略剖面圖。 第6圖C爲用以說明以光罩保持器保持光罩之程序的 光罩裝設部之槪略剖面圖。 第6圖D爲用以說明以光罩保持器保持光罩之程序的 光罩裝設部之槪略剖面圖 -15- 201107902 第7圖爲表示曝光裝置之構成的槪略俯視圖。 第8圖爲表示曝光用基板在曝光裝置內移動之流程圖 〇 第9圖爲表示從曝光用基板被搬運至光罩下部至被曝 光爲止之程序的流程圖。 【主要元件符號說明】 1 00 :光罩 101 :光罩升降器 101-1 :墊片 102 :光罩推進器 103-1 :光罩吸附兼噴氣孔 103-1 1 :噴氣兼吸附溝 103-2 :光罩吸附用孔 1 03-22 :光罩專用溝 104 :光罩保持器 110:光罩升降器之移動方向 120:藉由光罩推進器之移動調整光罩位置 130-1 :噴氣 層 機 附之 影 吸氣域記域攝 罩空區標區用 光壓光準案準 : 加曝對圖對
-16- 201107902 200 :曝 201 :光 202 :光 203-1 : 203- 2 : 204- 1 : 204-2 : 205 :燈 參 206 :溫 207 :光 210 :搬 2 1 5 :基 220 :曝 光裝置 罩儲存器 罩搬運用機器手臂 L工作台(左側) R工作台(右側) L搬運用機器手臂 R搬運用機器手臂 室 度調節板 罩設置部 運線 板之出入 光用基板
-17
Claims (1)
- 201107902 七、申請專利範圍: 1 ·—種曝光裝置,屬於執行近接曝光的曝光裝置, 具有:具備光罩吸附孔之光罩保持器;將光罩從下方推壓 至上述光罩保持器之光罩升降器:用以執行上述光罩之位 置調整的光罩推進器;和用以載置轉印被形成在上述光罩 之圖案之基板的工作台,其特徵爲: 又具有於上述光罩之位置調整之時,被設置在上述光 罩保持器,供給用以降低上述光罩和上述光罩保持器之間 之摩擦阻力之氣體的開口部。 2-如申請專利範圍第1項所記載之曝光裝置,其中 上述開口部兼作光罩吸附使用。 3. 如申請專利範圍第1項所記載之曝光裝置,其中 上述開口部爲氣體供給專用。 4. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之 曝光裝置,其中 上述開口部被配置在與上述光罩升降器對向之位置。 5- 如申請專利範圍第1至3項中之.任一項所記載之 曝光裝置,其中 上述開口部在光罩側具有溝, 當將上述溝之長度設爲W1,將上述光罩升降器之寬 度設爲W2之時,則滿足Wl < W2之關係。 6- 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之 曝光裝置,其中 上述工作台係載置較上述光罩大的上述基板。 7.如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之 -18- 201107902 曝光裝置,其中 上述氣體爲空氣。 8.—種曝光裝置,屬於執行近接曝光的曝光裝置, 具備:溫度調節板;載置曝光用基板之曝光用工作台;將 上述曝光用基板從搬運線朝上述溫度調節板,再者從上述 溫度調節板朝上述曝光用工作台,再者從上述曝光用工作 台朝上述搬運線搬運上述基板的搬運機器手臂;設定形成 有圖案之光罩的光罩設置部,該圖案係轉印至被載置在上 ® 述曝光用工作台之上述基板;和用以曝光上述光罩之燈室 ,其特徵爲: 上述光罩設置部具有: 將光罩從下方推壓至上述光罩保持器的光罩升降器; 用以執行上述光罩之位置調整的光罩推進器;和 具備開口部之光罩保持器,該開口部係於吸附上述光 罩之光罩吸附孔及上述光罩之位置調整之時,供給用以降 低上述光罩和上述光罩保持器之間之摩擦阻力的氣體。 -19-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009159031A JP5190034B2 (ja) | 2009-07-03 | 2009-07-03 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201107902A true TW201107902A (en) | 2011-03-01 |
Family
ID=43435913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099121687A TW201107902A (en) | 2009-07-03 | 2010-07-01 | Exposure device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5190034B2 (zh) |
KR (1) | KR101117896B1 (zh) |
CN (1) | CN101943866B (zh) |
TW (1) | TW201107902A (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5117456B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-01-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置 |
JP6035670B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2016-11-30 | 株式会社ニコン | 露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに露光装置 |
JP6043877B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2016-12-14 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | パターニングデバイス支持体及びリソグラフィ装置 |
KR101655993B1 (ko) * | 2014-08-20 | 2016-09-08 | 주식회사 힘스 | 마스크 용접장치용 베이스 및 마스크 용접장치용 베이스 어셈블리 및 마스크 용접장치 제어방법 |
KR102502727B1 (ko) | 2015-11-09 | 2023-02-23 | 삼성전자주식회사 | 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06267816A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-09-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 近接露光装置のマスクセッティング機構 |
KR100246574B1 (ko) * | 1994-12-26 | 2000-03-15 | 유무성 | 레티클 정렬장치 및 방법 |
KR100250155B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2000-03-15 | 유무성 | 노광장치 |
JP3928232B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2007-06-13 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置におけるマスク保持装置 |
JP2000173898A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Sanee Giken Kk | 露光装置 |
JP3678079B2 (ja) * | 1999-10-26 | 2005-08-03 | ウシオ電機株式会社 | マスクとワークの間隔設定手段を備えたコンタクト露光装置 |
JP4390413B2 (ja) * | 2001-10-22 | 2009-12-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | マスクのたわみ補正機能を備えたマスク保持装置 |
JP4340046B2 (ja) * | 2002-07-25 | 2009-10-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置のマスク板固定方法およびマスク板支持装置 |
JP4199494B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-12-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置のマスク板固定治具 |
JP4335556B2 (ja) * | 2003-03-13 | 2009-09-30 | 大日本印刷株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
JP2004354656A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nikon Corp | 光洗浄装置及び光洗浄方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005150527A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Canon Inc | 保持装置、それを用いた露光装置およびデバイス製造方法 |
JP4572626B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-11-04 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
JP2006086332A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Nsk Ltd | 近接露光装置のマスク搬送装置 |
JP4554397B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ装置および塗布処理装置 |
JP4812422B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-11-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP3919022B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2007-05-23 | 日本精工株式会社 | 露光方法及びマスクの保持方法 |
JP2008111969A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Adtec Engineeng Co Ltd | 露光装置 |
JP2008251944A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Topcon Corp | 露光装置 |
JP5493279B2 (ja) * | 2008-03-17 | 2014-05-14 | 凸版印刷株式会社 | 露光装置 |
-
2009
- 2009-07-03 JP JP2009159031A patent/JP5190034B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-06-14 KR KR1020100055758A patent/KR101117896B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-06-25 CN CN201010214826XA patent/CN101943866B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-01 TW TW099121687A patent/TW201107902A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5190034B2 (ja) | 2013-04-24 |
CN101943866A (zh) | 2011-01-12 |
KR20110003255A (ko) | 2011-01-11 |
CN101943866B (zh) | 2012-10-10 |
JP2011013565A (ja) | 2011-01-20 |
KR101117896B1 (ko) | 2012-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107017191B (zh) | 搬送装置、曝光装置、以及元件制造方法 | |
TWI735438B (zh) | 物體搬運裝置、曝光裝置、平板顯示器的製造方法、元件製造方法、物體搬運方法以及曝光方法 | |
JP6200224B2 (ja) | フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法 | |
JP6245308B2 (ja) | 基板搬送方法、デバイス製造方法、基板搬送装置および露光装置 | |
JP5316420B2 (ja) | マスクケース、搬送装置、搬送方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
TW201107902A (en) | Exposure device | |
JP2014166746A (ja) | パターン形成装置およびパターン形成方法 | |
JP2014165331A (ja) | アライメント装置およびアライメント方法 | |
WO2013150787A1 (ja) | 物体搬送システム、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、物体保持装置、物体搬送装置、物体搬送方法、及び物体交換方法 | |
JP6813098B2 (ja) | 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、基板搬送方法、及び露光方法 | |
JP5117456B2 (ja) | 露光装置 | |
JP7355174B2 (ja) | 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイ製造方法、デバイス製造方法、基板搬送方法、及び露光方法 | |
WO2019064576A1 (ja) | 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、基板搬送方法、及び露光方法 | |
WO2019064577A1 (ja) | 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、基板搬送方法、及び露光方法 | |
JP7207096B2 (ja) | 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイ製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 | |
JP2020166109A (ja) | 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイ製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 | |
JP2020166110A (ja) | 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイ製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 | |
JP2010049015A (ja) | スキャン露光装置、及び液晶ディスプレイ用基板 | |
WO2019064585A1 (ja) | 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、基板搬送方法、及び露光方法 |