201104748 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種基板處理裝置。 【先前技術】 習知的批次式（batch)基板處理裝置，主要係使用熱壁 型（hot wall)CVD裝置。反應爐係由石英構件所構成，並採 用以電阻加熱方式來加熱該反應爐。加熱反應爐時係針對 反應爐整體進行加熱，並藉由控制部來控制爐內之溫度。 以供給用噴嘴等來供給原料氣體，藉以在基板上成膜。 (例如，參考專利文獻1 )。 專利文獻1 :日本特開2008-277785號公報 【發明內容】 發明欲解決之課題 但是，使用朁知之熱壁式CVD裝置並藉由一般之方法 而於基板上成膜時，不僅是基板表面，於基板內面亦會成 膜。因此，具有必須藉由後續之去除製程來將附著於基板 內面的附著物去除等問題。 本發明係爲了解決前述之問題點，本發明之目的係提 供一種能一邊抑制基板內面之成膜並一口氣於複數片基板 表面形成所期望之膜的基板處理裝置及半導體裝置的製造 方法。 解決課題之手段 爲了解決前述課題，本發明之基板處理裝置係具有： 反應容器，係於其內部進行基板處理； 板狀支撐體，係由導電性材料所形成，且以露出其上 201104748 支 該 持 保 地 平 水 且 ; 段 部數 凹複 於以 UNV 匕匕 納 收少 板至 基係 將’ 下體 態持 狀保 平體及 水撐以 的支； 面 體 方撐 感應加熱裝置，係於該反應容器內至少針對保持於該 支撐體保持體上的該支撐體進行感應加熱。 又，本發明之半導體裝置的製造方法係針對基板進行 處理的半導體裝置之製造方法，其包含有： 以露出基板之上方面的水平狀態下將該基板收納於凹 部後，以複數段且各自水平地保持有板狀支撐體（由導電性 材料所形成）的支撐體保持體搬入至反應容器內的製程；以 及 藉由感應加熱裝置來針對支撐體進行感應加熱並處理 該基板的製程。 發明效果 依以上所述之本發明，可提供一種能一邊抑制基板內 面之成膜並一口氣於複數片基板表面形成所期望之膜的基 板處理裝置及半導體裝置之製造方法。 【實施方式】 實施發明之最佳形態 以下，參考圖式來說明本發明之實施形態。 (第一實施形態） 用以實施本發明之最佳形態的一範例中，基板處理裝 置係可於半導體裝置（1C等）之製造方法中用以實施其處 理製程的半導體製造裝置之結構。另外，作爲基板處理裝 置，下述說明係描述有關適用於針對基板進行氧化、擴散 201104748 處理與CVD處理等的直立型裝置（以下簡稱爲處理裝置） 之情況。 其次，參考圖面來詳細說明本發明之較佳實施例。 如第1圖所示，使用了收納有由矽等所組成之晶圓（基 板）200的輸送盒（晶圓載體）ιι〇之本發明處理裝置ιοί係 具備有筐體111。筐體111之正面壁Ilia的下方係開口設 置有爲進行維護所設置的正面維護口（開口部）1 03,並安裝 有用以開閉該正面維護口 103的正面維護扉104»維護扉 104係設置而可使得輸送盒搬入搬出口（基板收納器搬入 搬出口）112連通該筐體111內外的結構，輸送盒搬入搬出 口 1 1 2係藉由前檔門（基板收納器搬入搬出口開閉機構） 113來進行開閉。輸送盒搬入搬出口 112之筐體111內側設 置有輸送盒台（基板收納器傳遞台）114。輸送盒110係藉 由製程內搬送裝置（圖中未顯示）而搬入至輸送盒台114 上，且，可藉以從輸送盒台114上搬出。輸送盒台114係 藉由製程內搬送裝置來讓輸送盒（cassette)llO內之晶圓 2〇〇轉換爲垂直姿勢，以使得輸送盒110之晶圓出入口朝 向上方而載置。 筐體111內之前後方向的約略中央下部處係設置有輸 送盒棚（基板收納器載置棚）105，輸送盒棚105係可複數 段且複數列地保管複數個輸送盒110，載置而可自由地將 輸送盒110內的晶圓200搬出或搬入。輸送盒棚1〇5係可 橫向移動地設置於滑動台（水平移動機構）106上。又， 輸送盒棚105之上方設置有暫存棚（基板收納器保管棚） 107，而用以保管該輸送盒110。 m 201104748 輸送盒台114與輸送盒棚105之間係設置有輸送盒搬 送裝置（基板收納器搬送裝置）118。輸送盒搬送裝置Π8 係由可於保持有輸送盒110之狀態進行昇降的輸送盒昇降 機（基板收納器昇降機構）118a以及作爲搬送機構之輸送 盒搬送機構（基板收納器搬送機構）118b所構成的，藉由 輸送盒昇降機118a與輸送盒搬送機構118b之間的連續動 作，而於輸送盒台114、輸送盒棚105、暫存棚107之間進 行輸送盒110的搬送。 輸送盒棚105之後方係設置有晶圓移載機構（基板移 載機構）125，晶圓移載機構125係由可讓晶圓200朝水平 方向旋轉乃至可讓其直線移動的晶圓移載裝置（基板移載 裝置）125a以及用以昇降該晶圓移載裝置125a的晶圓移載 裝置昇降機（基板移載裝置昇降機構）125b所構成的。如 第1圖所示模型，晶圓移載裝置昇降機125b係設置於筐體 111之左側端部。藉由晶圓移載裝置昇降機125b及晶圓移 載裝置125a之連續動作並以晶圓移載裝置125a之晶圓夾 (基板保持體）125c作爲晶圓200的載置部，來針對圖中 未顯示的載置台保持機構（載置台218)進行晶圓200裝塡 (charging)及卸載（discharging)。 載置台218係於3處設置有銷孔2187。如第4圖至第 6圖所示，載置台保持機構係於3處設置有能插入載置台 218之銷孔2187的突起銷2185。 設置有用以讓晶圓200之上突銷2185及上突銷2185進行 昇降的上突銷昇降機構2186，可於晶圓夾125c與載置台 2 1 8之間進行晶圓200裝塡及卸載之結構。另外，較佳地， 201104748 爲了不在向上突起時造成晶圓200損壞，且，爲了抑制來 自銷孔2187之放熱，該上突銷2185之前端形成凸緣狀者 較佳。 圖中未顯示之載置台移動機構係可於載置台保持機構 與晶舟217(基板保持具）之間進行載置台218之裝塡 (charging)及卸載（discharging)的結構。 如第1圖所示，暫存棚107之後方係設置有由供給風 扇及防塵過濾器所構成而能用以供給潔淨後之清潔氣體 (環境氣體）的清潔單元134a，使得清潔氣體流通於筐體ill 內部之結構。又，設置有由供給風扇及防塵過濾器所構成 而能用以將供給清潔氣體至晶圓移載裝置昇降機1 25b側 與其反對側之右側端部的清潔單元（圖中未顯示），從清潔 單元吹出的清潔氣體在流經晶圓移載裝置125a後係被圖 中未顯示之排氣裝置吸入，並排出至筐體111外部。 晶圓移載裝置（基板移載裝置）125a之後側係設置有 具有能將壓力維持在未滿一大氣壓（以下稱作負壓）之密 封性能的筐體（以下稱作耐壓筐體）140，由該耐壓筐體 140而形成具有可收納晶舟217之容積的加載互鎖式之待 機室（加載互鎖室（load-lock chamber) 141)。 耐壓筐體140之正面壁140a係開口設置有晶圓搬入搬 出口（基板搬入搬出口）142，晶圓搬入搬出口 142係可藉 由閘閥（基板搬入搬出口開閉機構）143來開閉的結構。 於耐壓筐體140之一對的側壁處係各自連接有能將氮氣等 非活性氣體供給至加載互鎖室141的氣體供給管M4、以 及用以針對加載互鎖室141進行負壓排氣的排氣管（圖中未 rn -lo 201104748 顯示）。 加載互鎖室141之上方係設置有處理爐202。處理爐 202之下端部係可藉由爐口閘閥（爐口開閉機構）M7來開 閉的結構。 如第1圖所示模型’加載互鎖室1 4 1係設置有用以讓 晶舟217進行昇降的晶舟昇降機（支撐體保持體昇降機構） 115。作爲蓋體之密封蓋219係水平地支撐固定於作爲連結 機構（連結至晶舟昇降機11 5)之圖中未顯示的機械手臂 處，密封蓋219係垂直地支撐該晶舟217’並可封閉該處 理爐202之下端部的結構。 作爲支撐體保持體的晶舟217係具備有複數根保持構 件，並沿垂直方向整齊排列於其中心部的狀態下，水平地 保持各複數片（例如，50片〜100片左右）的載置台218 的結構。 其次，說明本發明之較佳實施例的處理裝置之動作。 如第1圖所示，在將輸送盒110供給至輸送盒台114 之前，藉由前檔門113來開啓輸送盒搬入搬出口 112。然 後，從輸送盒搬入搬出口 112將輸送盒110搬入，而於輸 送盒台114上的晶圓200係爲垂直姿勢，且輸送盒110之 晶圓出入口係朝向上方而載置。 其次，在從輸送盒台114藉由輸送盒搬送裝置118搬 起輸送盒110的同時，讓輸送盒110朝筐體後方向右旋轉 且朝縱方向旋轉90°，以使得輸送盒110內之晶圓200係轉 變爲水平姿勢，且輸送盒110之晶圓出入口係面向筐體後 方。接著，藉由輸送盒搬送裝置118將輸送盒110自動地 -11- 201104748 搬送至輸送盒棚105乃至暫存棚107的指定棚架位置處並 進行移載，於暫時保管後再藉由輸送盒搬送裝置118將輸 送盒110移載至輸送盒棚105,抑或直接搬送輸送盒棚105。 滑動台106可讓輸送盒棚105進行水平移動，以使得 輸送盒110移動至面向晶圓移載裝置125a(移載目的地）的 位置。 從輸送盒110藉由晶圓移載裝置125a之晶圓夾125c 將晶圓200取出並使其通過晶圓出入口。載置台保持機構 係藉由上突銷昇降機構2186來使得上突銷2185向上升 起。接著，藉由晶圓移載裝置125a來將晶圓200載置於上 突銷2185上。 接著，藉由上突銷昇降機構2186,使得載置有晶圓200 的上突銷2185降下，而將晶圓200載置於載置台218上。 藉由閘閥143之作動來開啓加載互鎖室141 (其內部預 設爲大氣壓狀態）之晶圓搬入搬出口 142後，藉由載置台移 動機構來將載置台218從載置台保持機構處卸下，並通過 晶圓搬入搬出口 142而搬入至加載互鎖室141，將載置台 218裝塡至晶舟217。 晶圓移載裝置125a係回到輸送盒110，並將下一個晶 圓2 00裝塡至載置台保持機構。載置台移動機構係回到載 置台保持機構處，並將載置有下一個晶圓200的載置台218 裝塡至晶舟2 1 7。 將預先指定之片數的載置台218裝塡至晶舟217，藉 由閘閥143來關閉晶圓搬入搬出口 142，並藉由排氣管來 對加載互鎖室Ml進行抽真空、減壓。將加載互鎖室141 -12- 201104748 減壓至等同於處理爐2 02內部之壓力後，藉由爐口閘閥147 來開啓處理爐202之下端部。接著，藉由晶舟昇降機115 以使得密封蓋219上昇，並將藉由密封蓋219所支撐的晶 舟217搬入（裝載）至處理爐202內部。 裝載完成後，便可於處理爐202內對晶圓200進行任 意之處理》處理後，藉由晶舟昇降機115來將晶舟217搬 出，再使得加載互鎖室140之內部復壓至大氣壓後將閘閥 143開啓。然後，藉由前述之槪略的相反步驟，將晶圓200 及輸送盒110搬出至筐體1Π外部。 其次，說明本發明之較佳實施例的基板處理裝置之處 理爐202 。 第2圖係可適用本發明實施形態之基板處理裝置的處 理爐2 02及該處理爐周邊的槪略構成圖，係以縱剖面圖顯 示。又，第3圖係可適用本發明實施形態之基板處理裝置 的處理爐202之槪略構成圖，係以平面剖面圖顯示。 如第2圖及第3圖所示，處理爐202係具有可施加高 頻電流之結構的感應加熱裝置206。 感應加熱裝置206係形成圓筒狀，且由作爲感應加熱 部之RF線圈2061、壁體2062以及冷卻壁2063所構成。 RF線圈2061係連接至圖中未顯示之高頻電源。 壁體2062係爲不鏽鋼材等金屬製品，且爲圓筒形狀， 並於其內壁側設置有RF線圈2061。RF線圈2061被支撐 於圖中未顯示之線圈支撐部處。使得RF線圈2061與壁體 2 0 6 2之間沿半徑方向具有特定間隙之方式，將線圈支撐部 支撐於壁體2062處。 -13- 201104748 壁體2062之外壁側係設置有與該壁體2062呈同心圓 狀的冷卻壁2063。壁體2062之上端部的中央係形成有開 口部2066。開口部2066之下游側係連接有風導管，而該 風導管之下游側係連接有作爲冷卻裝置的散熱器2064以 及作爲排氣裝置的送風機2065。 於冷卻壁2063之幾乎整體處形成有冷卻媒體流道，而 可於冷卻壁2063內部流通冷卻媒體（例如冷卻水）。冷卻壁 2063係連接有供給冷卻媒體（圖中未顯示）之冷卻媒體供給 部以及排出冷卻媒體之冷卻媒體排出部。從冷卻媒體供給 部將冷卻媒體供給至冷卻媒體流道，再從冷卻媒體排出部 排出以冷卻該冷卻壁2063，藉由熱傳導可冷卻該壁體2062 及該壁體2062之內部。 RF線圈2061之內側係設置有作爲反應管的外管205, 且該外管205係構成與感應加熱裝置206呈同心圓狀的反 應容器。外管205係由耐熱材料之石英（Si02)材所構成， 並形成了上端部呈封閉且下端部呈開口之外形的圓筒形 狀。外管205之內側係形成處理室201。處理室201係可 藉由晶舟217及載置台218(導電材料）而以水平姿勢並沿垂 直方向呈多段排列之狀態來收納晶圓200(基板）之結構。 外管20 5之下方係設置有與外管20 5呈同心圓狀的集 流腔209。集流腔209係由例如石英（Si02 )或不鏽鋼等所 組成，並形成於上端部及下端部呈開口的圓筒形狀。設置 該集流腔209並用以支撐外管205»另外，於集流腔209 與外管205之間係設置有作爲密封構件的〇型環3 09。該 集流腔209被支撐於圖中未顯示的保持體上’藉以使得外 -14- 201104748 管2 05被支撐固定呈垂直狀態。如前述般，藉由外管2 05 與集流腔209來形成反應容器。 另外，集流腔209並非限定於係與（特別是）外管205 形成各別之個體，亦可爲與外管205形成一體之結構，而 無需設置個別之集流腔209。 外管205之側內壁係形成有：由石英（Si02 )材所形 成的氣體供給室23 2 1，係從側邊將氣體供給至處理室201 內的各晶圓200 ;以及由石英（Si02 )材所形成的氣體排出 室2311，係從側邊將通過處理室201內之各晶圓200的氣 體排出。 氣體供給室23 2 1係熔接地設置於外管205之側內壁， 其上端部爲封閉，於側壁設置有複數個氣體供給口 23 22。 氣體排出部2311係熔接地設置於外管205之側內壁， 其上端部爲封閉，於側壁設置有複數個氣體排出口 2312。 較佳地，應於複數位置處設置該氣體供給室232 1以均 勻地將氣體各自供給至載置於晶舟217上的複數個晶圓 200。更佳地，前述複數設置的氣體供給室23 2 1係從各氣 體供給口 2322處平行於氣體供給方向而設置的。 又，較佳地，相對晶圓200之中心於線對稱位置處設 置有複數個氣體供給室232 1。 較佳地，應於複數位置處設置該氣體排出室2 3 1 1以均 勻地從載置於晶舟217上的複數個晶圓200處將氣體排 出。更佳地，前述複數設置的氣體排出室2311係從各氣體 排出口 2312處平行於氣體排氣方向而設置的。又，較佳 地，相對晶圓200之中心於線對稱位置處設置有複數個氣 -15-
I 201104748 體排出室2311。 較佳地，將氣體供給口 2322設置於各晶圓200上方之 間隙內距晶圓200上方面特定高度的位置處’以均勻地將 氣體各自供給至載置於晶舟217上的複數個晶圓200。 較佳地，將氣體排出口 2312設置於各晶圓2〇〇上方之 間隙內距晶圓200上方面特定高度的位置處，以均勻地從 載置於晶舟217上的複數個晶圓200處將氣體排出。 較佳地，爲了使得氣體較容易流經晶圓200之中央 部，氣體供給口 2 3 22與氣體排出口 2312係使得晶舟217 介於兩者之間般地各自設置於對向位置。 外管20 5下方之外側壁係設置有與氣體排氣室2311相 互連通的氣體排氣管23 1以及與氣體供給室23 22相互連通 的氣體供給管232» 另外，氣體排氣管231如不設置於外管205下方的外 側壁處，則亦可設置於例如集流腔2 0 9之側壁處。又，氣 體供給部231a與氣體供給管232之連通部如不設置於外管 2 〇 5下方之側壁處，則亦可設置於例如集流腔2 〇 9之側壁 處。 氣體供給管2 3 2於上流側係分爲3路，並分別經由閥 177、178、179與作爲氣體流量控制裝置的MFC183、184、 185而連接至第丨氣體供給源18〇、第2氣體供給源181以 及第3氣體供給源182處。MFC183、184、185及閥177、 1 7 8、1 7 9係電性連接至氣體流量控制部2 3 5，藉此可將供 給之氣體流量調整至所期望的流量、並以所期望之時機加 以控制的結構。 -16- 201104748 氣體排氣管231之下游側係經由作爲壓力檢出器（圖中 未顯示）的壓力感測器以及作爲壓力調整器的 APC閥242 而連接至真空泵等真空排氣裝置2 46。 壓力感測器及APC閥242係電性連接至壓力控制部 23 6，壓力控制部23 6係根據壓力感測器所檢出的壓力來調 節APC閥242的開口度，藉此可將處理室201內的壓力調 整至所期望的壓力、並以所期望之時機加以控制的結構。 集流腔209下方係設置有該密封蓋2 1 9，以作爲氣密 地封閉集流腔209之下端開口用的爐口蓋體。密封蓋219 係由例如不鏽鋼等金屬所構成，並形成圓盤形狀。密封蓋 219之上方面係設置有Ο型環301，以作爲抵接至集流腔 209下端部的密封構件。 密封蓋219係設置有迴轉機構254。 迴轉機構254之迴轉軸255係貫穿密封蓋219而連.接 至該晶舟217，可藉由迴轉該晶舟217來使得晶圓200迴 轉之結構。 密封蓋2 1 9係可藉由設置於處理爐202外側的昇降機 構（如後述之昇降馬達24 8)而朝垂直方向進行昇降的結 構，藉此可相對處理室201來進行晶舟217之搬出入。 迴轉機構2 5 4及昇降馬達2 4 8係電性連接至驅動控制 部237，藉此可進行所期望的動作、並以所期望之時機加 以控制的結構。 感應加熱裝置206係將螺旋狀之RF線圈2061沿上下 方向區分爲複數個區域（zone)。例如，如第2圖所示般從 下方側區域將其區分爲RF線圏2061L、RF線圈2061CL、 -17- 201104748 RF 線圈 2061C、RF 線圈 2061CU、RF 線圈 2061U 等 5 個 區域。各RF線圏206 1係可獨立進行控制之結構。 於靠近感應加熱裝置206的4個位置處設置有用以檢 測處理室201內部溫度的放射溫度計263 (溫度檢出體）。另 外，雖然放射溫度計26 3只需至少設置一個即可，較佳地， 設置複數個之情況能提高溫度控制性。 感應加熱裝置206及放射溫度計263係電性連接至溫 度控制部2 3 8，根據放射溫度計2 6 3所檢出的溫度情報來 調節該感應加熱裝置206的電力供給，藉此可使得處理室 201內部溫度達成所期望之溫度分布、並以所期望之時機 加以控制的結構。 送風機2065係電性連接至溫度控制部23 8。 溫度控制部2 3 8係根據預先設定之操作配方條件來控 制送風機206 5之作動的結構。藉由開動送風機2065，可 從開口部2066將壁體2062與外管20 5之間隙處的氣氛排 出。從開口部2066排出後，通過散熱器2064並進行冷卻 而於送風機2065之下游側排出至圖中未顯示設備。即’藉 由送風機2065之作動可冷卻該感應加熱裝置206以及外管 2 0 5 ° 連接至冷卻壁2 0 6 3的冷卻媒體供給部與冷卻媒體排 氣部係可將流向冷卻壁2063之冷卻媒體流量調整成所期 望之冷卻程度，而藉由控制器240以所期望之時機加以控 制的結構。另外，較佳地，設置有該冷卻壁2063可較容易 地抑制發散至處理爐202外部的放熱，可更容易地冷卻外 管20 5，但是，如藉由送風機2065進行冷卻的冷卻程度便 -18- .201104748 可控制達所期望之冷卻程度時，則亦可無需設置冷卻壁 2063 ° 於壁體2062的上端部，除了開口部2066之外，另外 設置有爆炸發散口以及用以開閉該爆炸發散口的爆炸發散 口開閉裝置2067。壁體2062內部氫氣與氧氣相互混合、 點火’而發生爆炸時，會對該壁體2062施加特定之壓力， 故於強度相對較弱的位置處，例如，形成壁體2062的螺栓 或螺絲、平板等會被破壞、飛散而導致損害增加。 爲了將該損害控制於最小限度，爆炸發散口開閉裝置 2067係可於該壁體2062內部達產生爆炸時的特定壓力以 上之情況下使爆炸發散口開啓，藉以釋放該壓力的結構。 作爲支撐體保持體的晶舟217具備有圓板狀之底板、 圓板狀之頂板以及連接該底板與該頂板之3根至4根的石 英製支柱。如第7圖及第8圖所示，各支柱2171係從該支 柱2 1 7 1處朝向晶舟2 1 7中心軸一側突出而形成有支撐該載 置台218(用以支撐基板的支撐體）的保持部2171a。 如第7圖及第8圖所示，作爲支撐體的載置台218係 形成有直徑較晶圓200更大的圓板形狀，且於圓板之主平 面上形成有凹部218a。凹部218a係形成有較晶圓200直徑 稍大的直徑。凹部218a係至少可密著於晶圓200內面的周 緣部。藉由將晶圓200收納於凹部218a，使用晶舟217來 複數段地保持該載置台218時，可縮小於上下鄰接之載置 台2 1 8之間的距離。 特別是因爲外管205與晶舟2 1 7之間低溫區域的熱影 響，因此於前述上下鄰接之載置台218之間的間隙內的溫 -19- 201104748 度，離載置台218越遠則其溫度便越低，但是，藉由將其 收納於凹部21 8a內的結構，可縮小前述上下鄰接之載置台 2 1 8之間的距離，實質上能以均勻且效率良好地加熱流通 於前述上下鄰接之載置台218之間的氣體，故可提高晶圓 200上所形成之膜厚、膜質的均勻性。 較佳地，如第9圖所示，載置台218係形成圓板形狀， 凹部218a與載.置台218形成同心圓狀，並使得載置台218 之周緣部218b處的載置台218半徑與凹部218a半徑之差 値（tl)，較前述上下鄰接之載置台218(被保持於晶舟217 上）之間的距離（t2)更大。藉此，實質上能均勻且效率良 好地加熱流通於前述載置台218的氣體，不會浪費氣體， 而可提高晶圓200上所形成之膜厚的均勻性。另外，爲了 將氣體均勻地供給至晶圓200上，於旋轉晶舟217、載置 台218時，上下鄰接之載置台218 (被保持於晶舟217上） 之間的散熱程度較大，因此使用前述結構係特別有效，即 載置台218係形成圓板形狀，凹部218a與載置台218形成 同心圓狀，並使得載置台218之周緣部218b處的載置台 218半徑與凹部218a半徑之差値，較前述上下鄰接之載置 台218(被保持於晶舟217上）之間的距離更大。 更佳地，載置台218係形成圓板形狀，凹部218a與載 置台218形成同心圓狀，並使得載置台218之周緣部218b 處的載置台218半徑與凹部218a半徑之差値，係爲前述上 下鄰接之載置台218(被保持於晶舟217上）之間的距離尺寸 之2倍以上、1〇倍以下的結構。藉此，實質上能更均勻且 效率良好地加熱流通於前述上下鄰接之載置台218之間的 -20- 201104748 氣體，不會浪費氣體，而可更提高晶圓200上所形成之膜 厚的均勻性。 又，最佳地’載置台218係形成圓板形狀，凹部218a 與載置台218形成同心圓狀，並使得載置台218之周緣部 218b處的載置台218半徑與凹部218a半徑之差値，係爲 前述上下鄰接之載置台218(被保持於晶舟217上）之間的距 離尺寸之3倍以上、5倍以下的結構。藉此，實質上能更 均勻且效率良好地加熱流通於載置台218的氣體，又，即 使晶舟217.的支柱2171會妨礙該載置台218之間的氣體流 通，但不會使得於晶圓200之整體區域處的晶圓200上之 氣體供給量產生惡化，不會浪費氣體，而可更提高晶圓200 上所形成之膜厚 '膜質的均勻性。 另外，當載置台218之周緣部218b處的載置台218半 徑與凹部218a半徑之差値，係爲前述上下鄰接之載置台 218(被保持於晶舟217上）之間的距離尺寸之10倍以上 時，會使得處理爐202過大，造成閒置空間（dead space)增 加。又，氣體會於載置台218之周緣部耗損，故反而無法 有效率地進行處理。 又，較佳地，凹部218a的凹陷深度係等同於晶圓200 之厚度。即，藉由該凹部218a之凹陷深度，可使得當載置 有晶圓200時，載置台218之周緣部218b與晶圓200之上 方面於水平方向係呈平坦的。藉此，能抑制從載置台218 之側邊流入的氣體在通過周緣部218b時產生亂流、沉澱， 而可平滑地到達晶圓200表面。又，對晶圓200進行高溫 處理時，因爲熱變形等影響，而使得晶圓200容易發生位 m -21 - 201104748 置偏移，但藉由以凹部218a來保持晶圓200，能確實地抑 制晶圓200之位置偏移。又，凹部2 1 8a係至少密著於晶圓 200之內面的周緣部，且載置台218之周緣部21 8b與晶圓 2 00之上方面於水平方向係呈平坦的，因此氣體較難以迴 流至晶圓200內面，而可抑制晶圓200內面之膜堆積。另 外，爲了要能容易地沿圓周方向均勻加熱該晶圓200，故 載置台2 1 8係形成圓板形狀者較佳，但即使其主要平面係 形成橢圓形、或其主要平面係形成多角形等，皆可適用於 本實施形態。 藉由支柱2171之各保持部2171a來各自水平地保持載 置台2 1 8。 載置台218與支柱2171係爲獨立設置的，可相互安 裝、拆卸之結構。載置台218之材質係可由表面被覆有碳 化矽（SiC)的導電性材料（碳或碳石墨）所製成。 '晶舟2 1 7下部係設置有作爲隔熱構件的圓筒形狀之隔 熱筒216,其係由例如耐熱性材料之石英（Si02)所構成， 藉以使得來自感應加熱裝置20 6的熱量不易傳導至集流腔 209側的結構。另外，隔熱筒216與晶舟217亦可無需爲 分別之個體，可使其與晶舟217形成一體，亦可於晶舟217 下方設置複數片隔熱板來代替該隔熱筒216。 再者，詳述關於晶舟2 1 7。 在處理室201內部於晶圓200上進行成膜處理時，爲 了抑制不純物混入至該膜中，因此晶舟217係爲高純度（不 會釋放出汙染物）材料者爲佳》 又，使用熱傳導率較高之材料時，晶舟217下部之石 -22- 201104748 英製隔熱筒216會受熱劣化，因此係使用熱傳導率較低的 材料者爲佳。再者’爲了抑制晶舟217對於載置在載置台 218上的晶圓200之熱影響，該晶舟217係爲不會因感應 加熱裝置206而受感應加熱的材料者爲佳。應考量使用能 滿足前述條件的石英材料。但是，單純使用石英材料之情 況’將載置台218之溫度維持於11003〇〜12〇〇。(：以針對晶 圓200進行處理之製程於實施時，晶舟217(特別是保持部 217la會直接受到來自載置台218的熱傳導，而會產生熱 劣化之問題。於是，使用石英製晶舟2 1 7之情況，較佳地， 如第10圖所示於保持部2171a設置有熱傳導性較低的熱傳 導緩和物質2171z。作爲熱傳導緩和物質可考慮使用氮化 矽質燒結體等。又，較佳地，至少於其與載置台218之接 觸面處設置有熱傳導緩和物質。 又，於晶圓200上進行成膜處理時，若不純物混入至 膜中並不會造成太大的問題之情況，較佳地，晶舟2 1 8係 可使用氧化鋁（Al2〇3)材等載置台218之熱傳導率較低的 熱傳導緩和物質。氧化鋁材之熱傳導率雖較石英材爲大但 遠比SiC材更小。又，不容易產生熱劣化，亦不容易受感 應加熱》 又，若石英製隔熱筒216等的熱劣化不會造成太大的 問題之情況，較佳地，亦可使用碳化矽（Sic)製等載置台 218之熱傳導率較低的熱傳導緩和物質，爲了不使其受感 應加熱，係使用較受感應加熱之載置台218的電阻値更高 的材料所形成。例如，受感應加熱之載置台2 1 8的電阻値 爲O.lQcm〜0.15ficm更高、電阻値2Qcm以上的材料所形 m -23- 201104748 成的。 另外，保持部2 1 7 1 a係從各支柱2 1 7 1處朝晶舟2 1 7中 心軸側突出所形成的，藉此能讓支柱2 1 7 1遠離載置台 218，可緩和來自載置台218對支柱2171之熱影響，亦可 緩和因支柱2171所造成之氣體流通的阻礙對晶圓200成膜 之膜厚的不良影響。 但是，保持部2171a並不限定於從支柱2171處突出所 形成的形態，例如，如第1 1圖所示，藉由各支柱4 7處所 形成的溝槽來形成保持部2 1 7 1 a。以前述形態來作爲石英 製晶舟217之情況，載置台218係收納於溝槽處，因此不 只是在其與載置台218之接觸面處，於溝槽處可使得側壁 與底壁亦接近至載置台218。因此，較佳地，不只是溝槽 與載置台218之接觸面處，於接觸面以外的側壁與底壁部 分處亦設置有熱傳導緩和物質。 又，較佳地，如第12圖所示，保持部2171a爲了要一 邊保持其強度並減少與載置台218之間的接觸面積，因此 係形成有角柱或圓柱狀等剖面爲頂邊長度較底邊長度更短 之梯形形狀。藉此’可抑制從載置台218直接熱傳導至保 持部2171a，並可防止保持部之變形及破損。此時，使用 較晶圓200處理溫度更低的材料來形成晶舟217時，如前 述般至少於其與載置台218之間的接觸部處設置有熱傳導 緩和物質。 另外，晶舟217係於各保持部2171a處各設置有一個 載置台218’且於各載置台218各設置有一個晶圓200,藉 此可將晶圓2〇〇.裝塡至50片〜1〇〇片的載置台218。 m -24- 201104748 於該處理爐202之結構中，從第1氣體供給源180處 所供給的第1處理氣體，係在藉由MFC 183調節其流量後， 通過閥177並流經氣體供給管2 3 2，從氣體供給室23 2 1、 氣體供給口 23 22而導入至處理室201內。從第2氣體供給 源181處所供給的第2處理氣體，係在藉由MFC184調節 其流量後，通過閥178並流經氣體供給管23 2，從氣體供 給室2321、氣體供給口 2322而導入至處理室201內。從 第3氣體供給源1 8 2所供給的第3處理氣體，係在藉由 MFC 185調整其流量後，通過閥179並流經氣體供給管 232，從氣體供給室2321、氣體供給口 2322而導入至處理 室201內。處理室201內的氣體係從氣體排出口 2312排 出，並經由氣體排氣室2311、氣體排氣管231到達真空泵 246而進行排氣。 其次，說明本發明所使用之基板處理裝置的處理爐之 周邊結構。 於作爲預備室的加載互鎖室140之外緣面設置有下基 板245。下基板245係設置有與昇降台249相互嵌合的導 向軸264以及與昇降台249相互螺合的滾珠螺桿244。站 立而設置於下基板245處的導向軸264以及滾珠螺桿244 之上端部係設置有上基板24 7。藉由設置於上基板247處 的昇降馬達248來旋轉該滾珠螺桿244。藉由滾珠螺桿244 之旋轉來讓昇降台249進行昇降的結構。 昇降台249處係懸掛設置有中空的昇降機250，昇降 台249與昇降機250之連結部係爲氣密狀態。使得昇降機 250會與昇降台249 —同進行昇降。昇降機250係穿梭而 -25- 201104748 貫穿該加載互鎖室140的頂板251。昇降機250所貫穿之 頂板25 1的貫穿穴係相對昇降機25 0而具有不會相互接觸 之充分的空間。於加載互鎖室140與昇降台249之間係包 覆該昇降機250周圍般而設置了具有伸縮性的中空伸縮體 (伸縮管265)，用以保持加載互鎖室140的氣密狀態。伸縮 管265係具有可充分對應該昇降台249之昇降量的伸縮 量，且伸縮管265之內徑較昇降機25 0之外部形體更大， 足以讓伸縮管265於伸縮時不會使其相互接觸的結構。 昇降機250之下端部係水平地固定有昇降基板252。 昇降基板2 52之下方面係藉由Ο型環等密封構件而氣密地 安裝至驅動部殻體253。藉由驅動部收納箱256來收納昇 降基板252與驅動部殼體253的結構。藉由前述結構，能 讓驅動部收.納箱256內部與加載互鎖室140內之氣氛相互 隔離。 又，驅動部收納箱256之內部係設置有晶舟217之迴 轉機構254，迴轉機構254周邊係藉由冷卻機構2 5 7來進 行冷卻。 電力供給纜線25 8係從昇降機25 0上端並通過昇降機 250之中空部而連接至迴轉機構254。又，冷卻機構257、 密封蓋219係形成有冷卻流道259，冷卻流道259係連接 有用以供給冷卻水之冷卻水配管260，並從昇降機250上 端通過該昇降機250之中空部。 驅動該昇降馬達248，旋轉該滾珠螺桿244並藉由昇 降台249及昇降機250來讓驅動部收納箱256進行昇降。 藉由讓驅動部收納箱256上昇來使得密封蓋2 1 9(氣密 -26- .201104748 地設置於昇降基板2 5 2)封閉該處理爐202之開口部（爐口 1 6 1)’以形成可進行晶圓處理的狀態。讓驅動部收納箱2 5 6 下降，來讓密封蓋219與晶舟217 —同降下，以形成可將 晶圓200搬處至外部的狀態。 氣體流量控制部23 5、壓力控制部236、驅動控制部 23 7、溫度控制部23 8皆形成有操作部、輸出入部，且係電 性連接至用以控制該基板處理裝置整體的主控制部239。 該等氣體流量控制部235、壓力控制部236、驅動控制部 237、溫度控制部238、主控制部239係構成該控制器240。 其次，說明有關在基板製程的一製程中，使用前述結 構之處理爐202，而於晶圓200等基板上藉由CVD反應來 形成Si等半導體膜的方法。 另外，以下說明中，構成基板處理裝置之各部的作動 係藉由控制器2 4 0來加以控制的。 將載置有晶圓200的複數片載置台218裝塡至晶舟217 後，如第2圖所示，藉由昇降馬達2.48來讓昇降台2W及 昇降機250進行昇降動作，以將保持該複數片載置台218 的晶舟217搬入至處理室201內（裝載晶舟）。此狀態下， 密封蓋219係藉由0型環而與集流腔209之下端形成密封 狀態。 藉由真空排氣裝置246進行排氣以使得處理室201內 部達到所期望之壓力。此時’以壓力感測器來量測處理室 201內的壓力，根據該量測出得壓力來讓壓力調節器242 進行反饋控制。例如，可選定從13300Pa至O.IMPa左右之 壓力範圍內之特定壓力。 m -27- .201104748 使送風機2065作動，使得氣體或空氣流通於感應加熱 裝置206與外管205之間，藉以冷卻該外管205之側壁、 氣體供給室2321、氣體供給口 2322、氣體排氣室2311以 及氣體排出口 2312。散熱器2064、冷卻壁2063係流通有 冷卻媒體（冷卻水），並透過該壁體2062來冷卻該感應加熱 裝置206內部。 又’將高頻電流施加於感應加熱裝置206而於載置台 2 1 8產生誘導電流，藉以使用晶圓200達到所期望的溫度。 此時，根據放射溫度計2 6 3所檢測出的溫度情報來進 行感應加熱裝置20 6之通電程度的反饋控制，以使用處理 室201內部達到所期望的溫度分佈。另外，此時，送風機 2 065係以預先設定之控制量來進行控制，以使得外管205 之側壁、氣體供給室23 2 1、氣體供給口 2322、氣體排氣室 23 1 1、氣體排出口 23 1 2的溫度冷卻至遠低於足以在晶圓 2 00上形成薄膜的溫度（例如60(TC以下）。另外，將晶圓200 加熱至例如1100 °C。另外，將晶圓200加熱至700 °C〜1200 °C內所選定之處理溫度中的特定溫度，但此時，無論是任 一處理溫度，送風機2065係以預先設定之控制量來進行控 制，以使得外管205之側壁、氣體供給室2 3 2 1、氣體供給 口 2322、氣體排氣室2311、氣體排出口 2312的溫度冷卻 至遠低於足以在晶圓200上形成薄膜的溫度（例如6 00 °C以 下）。 接著，使用迴轉機構254來旋轉該晶舟217，藉以讓 載置台218以及載置於該載置台218上的晶圓200進行迴 轉。 -28- 201104748 第1氣體供給源180、第2氣體供給源181、第3氣體 供給源182係各自封存有作爲處理氣體的含矽氣體（例如三 氯氫矽（SiHCl3)氣體）、作爲摻雜氣體的含硼氣體（例如乙 硼烷（B2H6)氣體）以及作爲載體氣體的氫（H2)。待晶圓 200之溫度穩定後，從第1氣體供給源180、第2氣體供給 源181、第3氣體供給源182來供給各處理氣體。藉由調 整MFC 183、184、185之開口度使其達到所期望之流量後， 開啓閥177 '178、179，讓各處理氣體流通過氣體供給管 2 3 2，而流進氣體供給室23 2 1。相較於（具有複數個）氣體供 給口 2322之開口面積，氣體供給室2321之流道斷面積係 非常地大，因此係具有較處理室201更大的壓力，從各氣 體供給口 2322所噴出的氣體會以均勻之流量、流速供給至 處理室201內。供給至處理室201內的氣體會通過處理室 201內部，並從氣體排出口 2312處排出至氣體排氣室 23 11，然後，從氣體排氣室2311排出至氣體排氣管231。 處理氣體會在通過載置台218之間的間隙時，受到來自上 下鄰接之各載置台218的加熱，同時接觸至加熱後的晶圓 2 00，而於晶圓200表面上藉由CVD反應以形成Si等的半 導體膜。 待經過了預先設定之時間後，從圖中未顯示之非活性 氣體供給源處來供給非活性氣體，以非活性氣體來置換處 理室201內部氣氛的同時，使得處理室201內部壓力回復 至常壓。 然後，藉由昇降馬達24 8來讓密封蓋219下降，開啓 集流腔209之下端部的同時，於被保持在晶舟217的狀態 -29- 201104748 下將已完成處理之晶圓200從集流腔209下端部處搬出至 外管205之外部（卸載晶舟）。然後，將已完成處理之晶圓 200從晶舟217內取出（卸載晶圓）。 依本實施形態係可達到以下所示效果之一、抑或複數 的效果。 (a)將晶圓200收納於載置台218之凹部218a而於 晶圓20 0上進行成膜，因此可提高面內膜厚均勻性並使得 成膜氣體不易繞至晶圓200內面，故可抑制晶圓200內面 之成膜，例如，便可省略於後續將附著於晶圓200內面之 附著物去取的製程。 (b )將晶圓200收納在凹部218a之狀態下，以晶舟 217來保持載置台218並進行成膜，故以晶舟217來保持 時，係可縮短載置台218之間的距離（間距）。因此，可增 加載置台218的設置個數，在提高每次進行處理時晶圓200 之間的膜厚·膜質均勻性（表面間膜厚均勻性.表面間膜 質均勻性）的同時，亦可增加每次可進行處理之晶圓200 片數。 (c)將於凹部218a收納有晶圓200的載置台218複 數段地設置於晶舟217之保持部2171，可縮小載置台218 之間的間隙’可均勻地加熱鄰接於該間隙之2個載置台 218’由於可該均勻地加熱流通於該間隙處的氣體，故可有 效率地提高面內膜厚均句性·面內膜質均句性。 (d )載置台2 1 8與晶舟2 1 7係以各別之個體的方式設 置’而可安裝/拆卸至晶舟217的結構，因此可輕易地改變 載置台218之總片數’並可於改變載置台218之間的間距 -30- .201104748 寬度，同時亦改變晶圓之間的間距寬度，故可增加製程窗 (processwindow)的範圍。 (e )能一邊抑制外管205之溫度上昇並加熱晶圓 200，因此可一邊抑制外管205內壁處的成膜.堆積並於晶 圓200上形成所期望的膜。特別是，於晶圓200進行數y m 以上之較厚薄膜之成膜處理時，成長速度需達O.OlAm/ min〜2// m/min，故必須要在晶圓溫度700°C〜1200°C以 上時進行成膜處理，由於可抑制外管205之溫度上昇，故 可抑制內壁處的成膜·堆積，並可抑制進行自我清洗（self cleaning)與濕洗（wet cleaning)等維護的頻率，又，亦可抑 制當膜厚累積過厚使得膜應力大增造成石英構件破損等現 象之發生》 (f) 作爲耐真空容器使用時，考慮其安全性則溫度上 限約爲9 5 0 °C左右，但是於1 200°C下處理晶圓200時，可 藉由送風機2065來將外管205的溫度降至600 °C以下，故 可抑制外管205之破損、以及因該破損所造成之內部氣體 洩漏等問題。 (g) 由於可抑制氣體供給室2 3 2 1、氣體供給口 2322 之溫度上昇，故可抑制氣體供給室232 1內的氣體消耗， 又，由於可抑制氣體供給室232 1、氣體供給口 23 22的閉 塞，故可·將充分之處理氣體供給晶圓200。 (h) 乙硼烷（B2H6)氣體、三氯化硼（BC13)氣體、 三氟化硼（BF3)氣體等含硼氣體等的摻雜氣體之情況，於 特定加熱溫度以上時，B2H6、BC13、BF3之分解·反應速 度變快，當氣體供給室2321加熱至特定加熱溫度以上時， m -31 - 201104748 摻雜氣體會在到達晶圓200之前就被消耗掉，而難以控制 晶圓200之摻雜量。但是，由於本發明僅會加熱該載置台 218、晶圓200，可使得摻雜氣體幾乎皆耗用於晶圓200周 邊，故可提高膜中的摻雜控制性。 (i )從位在晶圓200側邊之氣體供給口 23 22所供給 的氣體在接觸至晶圓200上方後，從位在晶圓200側邊之 氣體排出口 2312處排出，故可提高形成於晶圓200上之膜 的膜厚均勻性。 (j)藉由將晶圓200收納於載置台218之凹部218a 處，即便於1 000 °C以上時亦可抑制滑動的發生。 (第二實施形態） 第13圖係本發明第二實施形態中，將仿真（dummy)載 置台設置於晶舟上端側的狀態下所示側面剖面圖。另外， 爲了方便說明，故省略晶舟217之圖式。 根據第1 3圖來說明第二實施形態。第二實施形態與第 —實施形態之相異點在於設置有仿真載置台2 1 8 z，其他皆 與第一實施形態相同。 於晶舟2 1 7之下端側及上端側會有熱量散失的問題， 故其與晶舟217之製品用晶圓200處理區域（該下端側與上 端側之間的區域）的中央部會有溫度特性之差異。於是，本 實施形態爲了使得晶舟2 1 7下端側與上端側亦具有與中央 部相同的熱歷程（heat history)以提高晶圓加熱區域的均勻 性，因此於晶舟2 1 7之下端側及上端側處，設置有非用以 載置製品晶圓的仿真載置台2 1 8z。 更佳地，使其各自具有相異之電阻値。即，於熱量容 -32- 201104748 易散失的上部、下部之仿真載置台處的發熱量較多，並抑 制於中央部的發熱量。藉此更可增加處理室201內於上下 方向之均熱區域的範圍，故可一口氣地處理更多晶圓200。 例如，如第13圖所示，亦可使得仿真載置台之厚度（b) 大於製品用晶圓200用之載置台的厚度（a)，藉以使其具 有相異之電阻値。再者，仿真載置台2 1 8 z並不需收納晶圓 200，可無需設置凹部218a並藉由該多出來的厚度，來使 得仿真載置台21 8z之厚度大於收納有晶圓200的載置台 218之厚度，藉此增加其電阻値。 (第三實施形態） 第14圖係本發明第一實施形態中，以晶舟來保持有將 晶圓收納於凹部的複數個載置台之狀態下所示側面剖面 圖。又，第15圖係本發明第三實施形態中，於載置台之周 緣部上方面及側面之間形成鈍角的範例之側面剖面圖。另 外，爲了方便說明，故省略晶舟217之圖式。 根據第14圖、第15圖來說明第三實施形態。第三實 施形態與第一實施形態之相異點在於載置台之周緣部的形 狀，其它皆與第一實施形態相同。 爲了於晶圓200上形成較厚之膜，於真空（1〜l〇〇Pa 左右）之情況會有需花費過多時間的問題，而必須在減壓 ( 13300Pa以上）〜大氣壓之情況下於晶圓200上進行成 膜處理。於前述壓力下將原料氣體供給至晶圓200時’氣 體容易產生亂流，而會對晶圓200之成膜造成不良影響。 特別是在晶圓200附近、且於上流側所發生的亂流會產生 直接且巨大之影響，使得面內膜厚均勻性惡化之問題存
I SJ -33- 201104748 在。載置台218係位於晶圓200附近、且位於上流側，該 載置台2 1 8之側面與上方面之間的邊角部的氣流係如第1 4 圖中箭頭所示，如該箭頭所示，會有產生氣體亂流之虞。 於是，較佳地，本實施形態如第1 5圖所示係使得載置 台218周緣部218b的上方面及側面之間形成鈍角、抑或形 成圓角。藉此如第1 5圖中箭頭所示般，於供給至晶圓200 的氣體之上流側處，可抑制載置台218周緣所產生的原料 氣體之亂流。 又，爲了提高產能，應儘可能地縮小於上下方向複數 段設置的載置台218之間的距離（間距）。然而，於上下方 向複數段設置的載置台218之間的距離（間距）縮小時， 針對於一載置台218所支持的晶圓200，會受到來自鄰接 於其正上方所設置的其他載置台218之熱影響、抑或受到 其他載置台218周緣的邊角部所引起之氣體亂流的影響。 此處，較佳地，如第16圖所示，除了載置台218之周 緣部218b的上方面及側面之間處以外，亦可於其下方面及 側面之間處形成鈍角或形成圓角。藉此，如第1 6圖箭頭所 示，於供給至晶圓200之氣體的上流側處，能抑制載置台 2 1 8周緣所產生的原料氣體之亂流。 另外，較佳地，如第17圖所示，將載置台218周緣部 218b之側面整體皆形成圓角時，可更進一步地抑制載置台 218周緣所產生之原料氣體的亂流。 (第四實施形態） 第18圖係本發明第四實施形態之處理爐的平剖面圖。 根據第18圖來說明第四實施形態。第四實施形態與第 -34- 201104748 一實施形態之相異點在於將主要之氣體供給室2321、氣體 排出室23 11設置於外管2 0 5之外壁側，其它皆與第一實施 形態相同。 對載置台218進行感應加熱時，來自載置台218的熱 輻射、熱傳導等會使得外管205與氣體供給室2321、氣體 排氣室2 3 1 1亦受到相當程度的加熱。於是，便可藉由控制 送風機2065來冷卻該外管205與氣體供給室2321、氣體 排氣室2311。但是，離載置台218之距離越近則越容易形 成高溫，因此將氣體供給室2321或氣體排氣室2311設置 於外管205之內壁側時，會讓氣體供給室2 3 2 1或氣體排氣 室2311具有容易形成高溫的傾向。 特別是當氣體供給室2 3 1之溫度上昇會造成氣體供給 室2 3 2 1處的氣體消耗，而難以控制供給至晶圓200的處理 氣體之供給量，使得膜厚之控制性惡化。再者，當堆積於 氣體供給室232 1的附著物剝落時，可能會附著於晶圓200 上，又，最終會有阻塞氣體供給室2321或氣體供給口 23 22 之虞。 於是，本實施形態係將氣體供給室2 3 2 1設置於外管 2 0 5側外壁側的結構。藉此，可增加載置台2 1 8與氣體供 給室2 3 2 1、氣體供給口 2 3 2 2之間的距離，以抑制氣體供 給室2321、氣體供給口 2322的溫度上昇。又，較佳地， 亦可熔接而設置於外管205側外壁側。藉此，藉由其與（受 冷卻）外管205之間的熱傳導來更進一步地冷卻氣體供給室 232 1、氣體供給口 23 22。 又，更佳地，可設置複數個氣體供給室2321。藉此， -35- 201104748 能更均勻將成膜氣體供給至晶圓200。更佳地，來自複數 設置的氣體供給室2321之各氣體供給口 2322的氣體供給 方向係爲平行的。藉此，能更進一步提高附著於晶圓200 之膜的膜厚均勻性。 又，較佳地，以晶圓2 0 0爲中心於線對稱位置處設置 有複數個氣體供給室232 1。藉此，能均勻地供給至晶圓200 整體。 又，較佳地，將氣體排氣室23 11設置於外管205側外 壁側。藉此，能增加其與氣體排氣室2 3 U、氣體排出口 2 3 1 2 之間的距離，便可抑制氣體排氣室23 1 1、氣體排出口 23 1 2 的溫度上昇。又，較佳地，可將其熔接設置於外管205側 外壁側。藉此，藉由其與（受冷卻）外管2 0 5之間的熱傳導 來更進一步地冷卻氣體排氣室23 11、氣體排出口 23 12。 又，更佳地，可設置有複數個氣體排氣室2311。藉此， 能更均勻地將晶圓200處的成膜氣體排出。更佳地，朝向 複數設置的氣體排氣室23 11之各氣體排出口 23 12的氣體 排氣方向係爲平行的。藉此，能更進一步提高附著於晶圓 200之膜的膜厚·膜質均勻性。 又，較佳地，以晶圓2 0 0爲中心於線對稱位置處設置 • 1 , 有複數個氣體排氣室2311。藉此，能均勻地從晶圓200整 體處進行排氣。 (第五實施形態） 第19圖係顯示本發明第五實施形態中，保持於晶舟上 之載置台的平面剖面圖。第20圖係顯示本發明第五實施形 態中，保持於晶舟上之載置台的側面剖面圖。 -36- 201104748 根據第19圖及第20圖來說明第五實施形態。第五實 施形態與第一實施形態之相異點在於：載置台之形狀以及 將載置於一個載置台之晶圓2 00片數改爲複數片，且該複 數片晶圓200之內面係相互重疊；其他皆與第一實施形態 相同。 首先，說明載置台2188之形狀。載置台2188係由作 爲支撐平板之圓板狀底板2188a以及支撐2片晶圓200的 支撐部2188b所構成。至少於底板2188a上3個位置處形 成有支撐部2188b。較佳地，沿載置台2188之圓周方向， 3個支撐部21 88b之間隔係以等間隔所形成。又，較佳地， 不只是3個，亦可有4個支撐部，抑或4個以上之個數》 晶圓200係被保持於載置台2188之各支撐部2188b處，藉 此於底板2 1 8 8 a與2片晶圓2 0 0中下方側的晶圓2 0 0之間 形成第一間隙200 1，並水平地保持各晶圓200。 支撐部2188b係由部位2188c與部位2188d所形成 的，其中部位2188c係以上方面來支撐晶圓200,部位2188d 係用以抑制晶圓200於水平方向之位置偏移。部位21 88d 係形成於距部位2188c至少大於一片晶圓200厚度的高度 位置處。 藉此，可以抑制載置在部位218 8c之上方面且其內面 相互重疊的2片晶圓200之位置偏移。較佳地，部位2188d 距部位2188c之高度距離係等同於至少2片晶圓200之厚 度。藉此，部位21 88d之上方面、以及載置於部位2188c 之2片晶圓200中上方側晶圓200的上方面係於水平方向 形成平坦面，故可於確實地抑制2片晶圓200之位置偏移 -37- .201104748 的同時，使得於上方側朝向晶圓200上方面的氣流更爲流 暢》 2片晶圓200之內面相互重疊的狀態，被支撐於各載 置台2188上。再以晶舟217來複數段地保持著收納有2片 晶圓200的載置台2188。藉由晶舟217的支撐係使得（收納 於載置台21 88的2片晶圓200中）上方側晶圓200以及鄰 接於其上方側之載置台2 1 8 8的下方面之間形成第二間隙 2002 · 又，藉由前述結構，收納於載置台2 188的2片晶圓 200中，上方側之晶圓200的上方面，即上方側之晶圓200 的表面處的第二間隙2002係爲成膜氣體之流道，故可於上 方側之晶圓200的上方面處形成所期望的膜。又，收納於 載置台2188的2片晶圓200中，下方側之晶圓200的下方 面，即下方側之晶圓200的表面處的第一間隙200 1係爲成 膜氣體之流道，故可於下方側之晶圓200的下方面處形成 所期望之膜。此時，由於2片晶圓200之內面係相互重疊， 故可抑制內面的成膜。又，由於可藉由部位2188d與部位 2 188c來抑制位置偏移，故可更進一步地抑制2片晶奪200 之內面的成膜。 較佳地，如第21圖所示，藉由載置台2188來均勻地 加熱流通於第二間隙2002的氣體以及上方側的晶圓200、 流通於第一間隙2001的氣體以及下方側的晶圓200，爲了 於上下晶圓200形成相同膜厚·膜質的膜，以能使得（第二 間隙2002處）上方側的載置台2188與被支撐於下方側載置 台2188的上方側晶圓200之間的距離（Π )、以及（第一間 -38- .201104748 隙200 1處）被支撐於下方側載置台2188的下方側晶圓200 與下方側載置台2 1 8 8之間的距離（e 1 )係形成相等距離的 方式來設置晶舟217的各保持部2171a。 又，較佳地，如第22圖所示，使得氣體供給室2321 之各氣體供給口 2322相互對向設置，並從各氣體供給口， 即第一氣體供給口係朝向第一間隙200 1來供給氣體，第二 氣體供給口係朝向第二間隙2002來供給氣體，藉此將更均 勻之氣體量供給至第二間隙2 0 0 2、第一間隙2 0 0 1。 另外，載置台2188之支撐部2188b的部位2188c與下 方側晶圓200之間的直接接觸面積較大，故下方側晶圓200 有可能受熱不均。 於前述情況下，較佳地，如第23圖所示，至少於部位 2188c之接觸到下方側晶圓200的部份處設置有熱傳導性 較載置台2188更低的熱傳導緩和物質218 8x。作爲該熱傳 導緩和物質係可使用氮化矽材質的燒結體等。 又，較佳地，如第24圖所示，可於保持該保持部2171a 之強度的情況下，減少其與部位2 1 8 8 c之間的接觸面積， 以頂邊長度較底邊長度更短之梯形形狀剖面的角柱或圓柱 來形成部位2188c者較佳。此時，藉由較晶圓200之處理 溫度更低的材料來形成晶舟2 1 7之情況，如前述般至少於 其與載置台218之間的接觸部設置有熱傳導緩和物質即 可。 又，較佳地，如第25圖所示，使得部位2188c之上方 面及外側面之間係形成鈍角、抑或形成圓角。 再者’較佳地，除了部位2188c之上方面及外側面之 -39- 201104748 間處以外，可使得底板2 1 88a之上方面及外側面之間亦形 成鈍角、抑或形成圓角。又，更佳地，除了部位218 8c之 上方面及外側面之間處以外，可使得底板2188a之上方面 及外側面之間、下方面及外側面之間亦形成鈍角、抑或形 成圓角。 另外，最佳地，係使得底板2188a之外側面整體皆形 成圓角。 另外，於晶舟217之各保持部2171a設置有一個載置 台218，且載置台218上各收納有2片晶圓20 0(內面相互 重疊之狀態），故裝塡有50片〜100片的載置台218、晶圓 200 = (第六實施形態） 第26圖係本發明第六實施形態中，保持於晶舟的第一 載置台所支撐的2片晶圓中，下方側晶圓與該第一載置台 之間的距離大於鄰接之第二載置台與上方側晶圓之間的距 離之狀態下的側面剖面圖。 根據第26圖來說明第六實施形態。第六實施形態與第 五實施形態之相異點在於改變於上下方向相互鄰設之載置 台2 1 8 8之間的距離，其他皆與第五實施形態相同。前述第 五實施形態中，載置台2188之保持部218a的存在會對於 流向第一間隙2001之氣體造成相當程度的妨礙，故相較於 收納於下方側載置台2188的2片晶圓200之上方側晶圓 2〇〇 ’有可能會因此使得下方側晶圓200的膜厚較小之虞β 於是，本實施形態中，使得（第一間隙200 1處）下方側 載置台2188所支撐的下方側晶圓200與下方側載置台2188 -40- 201104748 之間的距離（el )大於（第二間隙2002處）上方側載置台2188 與下方側載置台2188所支撐的上方側晶圓200之間的距離 (Π)之方式來設立晶舟217的各保持部2171a。藉此，更 可使得上下晶圓200形成相同膜厚.膜質的膜。 又’較佳地，如第27圖所示，使得氣體供給室232 1 之各氣體供給口 2322相互對向設置，並使得朝向第一間隙 2001供給氣體的第三氣體供給口 2322m之開口面積大於朝 向第二間隙2002供給氣體的第四氣體供給口 2 322ri之開口 面積，藉此朝向第一間隙200 1供給較第二間隙2002更多 的氣體量。 [其他實施形態] 以上，根據發明之實施形態來說明本發明，但本發明 並不限定於前述結構》於發明之實施形態所述半導體膜之 形成條件僅爲一範例，可進行適當之變更。例如，形成由 砍單結晶薄膜所組成的嘉晶層（epitaxial growth)之情況， 原料氣體係可使用Si系及SiGe系的SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、 SiHCl3、SiCl4等，亦可於GaAs等基板上形成由各種化合 物半導體層所組成的磊晶層。又，摻雜氣體亦可使用B2H6、 BC13、PH3 等。 藉由將氣體供給室、氣體排氣室設置於外管處的範例 來說明原料氣體的供給方式，但是，前述範例中外管與氣 體供給室、氣體排氣室之間的熱傳導等效果並非必要時， 亦可將各別個體（與外管爲相互獨立）之複數個氣體供給噴 嘴立設於外管內部的方式來取代該氣體供給室。又，亦可 於氣體供給噴嘴之側壁設置多數個氣體供給孔。又，亦可 m -41 - 201104748 將各別個體（與外管爲相互獨立）之複數個氣體排氣噴嘴立 設於外管內部的方式來取代該氣體排氣室。又，亦可於氣 體排氣噴嘴之側壁設置多數個氣體排出孔。再者，亦可無 需設置氣體排氣室而從氣體排氣管直接針對處理室內部進 行排氣。 藉由前述形態中，可進行真空置換的加載互鎖室的範 例來說明待機室，但是，如所進行之處理中，基板上之自 然氧化膜的附著等並不會造成問題時，亦能以不進行（由氮 氣氣氛或清潔氣體氣氛所構成）真空置換而進行清淨化之 結構，來取代可進行真空置換的加載互鎖室。又，此時， 無需使用耐壓筐體，只要是單純之筐體即可。 說明載置台保持機構時，如第4圖至第6圖所示，係 於載置台218設置銷孔，並設置有可插入該該銷孔的上突 銷及上突銷昇降機構，但本發明不限定於此，例如，如需 設立銷孔與上突銷、上突銷昇降機構，藉由晶圓夾來吸附 於（晶圓200上方面處）晶圓表面上不會對成膜特性造成問 題的區域以進行保持，藉以在載置台與晶圓夾之間進行晶 圓200的裝塡及卸載。 又，前述係以CVD裝置作爲範例來進行說明，但本發 明亦可適用於磊晶成長、ALD、氧化、擴散、退火裝置等 其他基板處理裝置。 可將第二實施形態應用於第三〜第六實施形態，亦可 將第三實施形態應用於第四實施形態。又，第四實施形態 亦可應用於第五、第六實施形態。 另外，無需贅言，本實施形態可省略掉（基板處理後） m -42- 201104748 將附著於基板內面的附著物去除的製程，但並非否定於基 板處理後設置有將附著於基板內面的微量附著物去除之製 程的方式。又，亦非否定於該基板處理後，於其它製程中 設置有將附著於基板內面的附著物去除之製程的方式。 本發明係至少包含以下之實施形態。 [附記1] 一種基板處理裝置，係具有： 反應容器，係於其內部進行基板處理； 板狀支撐體，係由導電性材料所形成，且以露出其上 * 方面的水平狀態下將基板收納於凹部； 支撐體保持體，係至少能以複數段且水平地保持該支 撐體；以及 感應加熱裝置，係於該反應容器內至少針對保持於該 支撐體保持體上的該支撐體進行感應加熱。 [附記2] 如[附記1]之基板處理裝置，其中，支撐體係形成圓板 狀，該凹部與該支撐體之外周緣係形成同心圓狀，且 該支撐體之半徑與該凹部之半徑的差値係設定爲較被 保持在該支撐體保持體而相互鄰接的該支撐體之間的距離 更大。 [附記3] 如[附記1]之基板處理裝置，其中，該凹部的溝槽深度 係等同於該基板之厚度。 [附記4] 如[附記1]之基板處理裝置，其中，更具有氣體供給 m -43- 201104748 部，其係從該支撐體之側邊將氣體供給至收納於該支撐體 之凹部內的基板，且 該支撐體之上方面及其側面之間係沿該支撐體之全周 緣形成鈍角抑或形成圓角》 [附記5] 如[附記4]之基板處理裝置，其中，該支撐體係更於該 支撐體之上方面及其側面之間處形成鈍角抑或形成圓角。 [附記6] 如[附記1]之基板處理裝置，其中，該支撐體保持體係 具有保持該支撐體的保持部，並於該保持部的至少接觸至 該支撐體之面處設置有熱傳導緩和物質。 [附記7 ] 如[附記1]之基板處理裝置，其中，該支撐體保持體係 由熱傳導率較該支撐體更低的材料所形成。 [附記8] 如[附記1]之基板處理裝置，其中，該支撐體保持體係 由電阻値較該支撐體更高的材料所形成。 [附記9 ] 一種基板處理裝置，係具有： 反應容器，係於其內部進行基板之處理； 第一支撐體，係由導電性材料所形成，並具有··第一 支撐部’係於第一基板及第二基板之內面各自重疊之狀態 下水平地進行支撐；以及第一平板，係設置有該第一支撐 部，且於被支撐於該第一支撐部的該第二基板之間形成第 一間隙； L Si -44 - 201104748 第二支撐體，係由導電性材料所形成並鄰接在該第一 支撐體上方； 支撐體保持體，係至少於第一支撐體及第二支撐體之 間形成第二間隙，並各自藉由該第一支撐體保持部及該第 二支撐體保持部來水平且複數段進行保持，其中，該支撐 體保持體係以該第一間隙中該第一支撐體與該第二基板之 間的第一距離，相較於該第二支撐體與前記第二間隙中該 第二支撐體與該第一基板之間的第二距離係爲相等距離、 抑或係使得比該第二距離更大的方式來設置該第一支撐體 保持部與該第二支撐體保持部；以及 感應加熱裝置，係於該反應容器內至少針對各自保持 在該支撐體保持體之該第一支撐體保持部及該第二支撐體 保持部的該第一支撐體及該第二支撐體進行感應加熱。 [附記10] 如[附記7]之基板處理裝置，其中，該第一支撐部係具 有至少較該第二基板之厚度更大的溝槽深度之部位。 [附記Π] 如[附記9]之基板處理裝置，其中，更於該反應容器內 設置具有複數個氣體供給口的氣體供給部，且該氣體供給 部至少具有： 第一氣體供給口，係作爲該氣體供給口，並朝向該第 一間隙供給氣體；以及 第二氣體供給口，係朝向該第二間隙供給氣體。 [附記12] 如[附記11]之基板處理裝置，其中，該第一氣體供給 -45- 201104748 口之開口面積係較該第二氣體供給口之開口面積更大。 [附記13] 如[附記9]之基板處理裝置，其中，於該第一支撐部之 至少接觸至第二基板的部位處係設置有熱傳導緩和物質。 [附記14] 一種基板處理裝置，係具有： 反應容器，係於其內部進行基板之處理； 第一支撐體，係由導電性材料所形成，並具有：第一 支撐部，係於第一基板及第二基板之內面各自重疊之狀態 下水平地進行支撐；以及第一平板，係設置有該第一支撐 部，且於被支撐於該第一支撐部的該第二基板之間形成第 一間隙； 第二支撐體’係由導電性材料所形成並鄰接在該第一 支撐體上方；第二支撐體，係由導電性材料所形成並用以 水平地支撐基板； 支撐體保持體’係至少於第一支撐體及第二支撐體之 間形成第二間隙’並各自藉由該第一支撐體保持部及該第 二支撐體保持部來水平且複數段進行保持；以及 感應加熱裝置，係於該反應容器內至少針對各自保持 在該支撐體保持體之該第一支撐體保持部及該第二支撐體 保持部的該第一支撐體及該第二支撐體進行感應加熱。 [附記15] 一種半導體裝置之製造方法，係用以處理基板，並具 有： 將水平地保持有複數段之支撐體的支撐體保持體搬入 -46- 201104748 至反應容器內的步驟，其中該板狀支撐體係由導電性材料 所形成，且以露出其上方面的水平狀態下將基板收納於凹 部；以及 藉由感應加熱裝置來感應加熱該支撐體，以針對該基 板進行處理的步驟。 [附記16] 如[附記15]之半導體裝置之製造方法，其中，該支撐 體係於該支撐體之上方面及其側面之間處形成鈍角抑或形 成圓角，且 該基板處理步驟中，係從該支撐體側邊將氣體供給至 收納於該支撐體之凹部內的基板。 [附記17] —種半導體裝置之製造方法，係具有： 由導電性材料所形成且具有第一支撐體以及該第一支· 撐體所設置之第一平板的第一支撐體之該第一支撐體處， 將第一基板及第二基板之內面相互重疊之狀態下，於該第 二基板與該第一平板之間形成第一間隙並以水平地加以支 撐的步驟； 由導電性材料所形成且具有第二支撐體以及該第二支 撐體所設置之第二平板的第二支撐體之該第二支撐體處， 將第三基板及第四基板之內面相互重疊之狀態下，於該第 四基板與該第二平板之間形成第二間隙並以水平地加以支 撐的步驟； 搬送支撐有該第一基板及第二基板之該第一支搏體、 以及支撐有該第二基板及第育基板之該第二支搏體，使得 -47- 201104748 該第一間隙處該第一支撐體與該第二基板之間的第一距離 係大於該第二支撐體與該第一基板之間的第二距離，抑制 以使得該第二距離較大的方式藉由支撐體保持體來保持該 第一支撐體及該第二支撐體的步驟；以及 將保持有支撐著該第一基板及該第二基板之該第一支 撐體、以及保持有支撐著該第三基板及該第四基板之該第 二支撐體的各該支撐體保持體搬送至反應容器內部後，以 感應加熱裝置來感應加熱該第一支撐體及該箄二支撐體， 藉以針對該第一基板及該第二基板、該第三基板及該第四 基板進行處理的步驟。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明第一實施形態之基板處理裝置槪略 圖。 第2圖係本發明第一實施形態之處理爐槪略圖》 第3圖係本發明第一實施形態之處理爐槪略平面剖面 圖。 第4圖係本發明第一實施形態之晶圓收納於載置台凹 部之狀態下所示側面剖面圖。 第5圖係本發明第一實施形態之載置台平面圖。 第6圖係本發明第一實施形態中，載置台上之晶圓突 起於上突銷的狀態下之側面剖面圖。 第7圖係本發明第一實施形態中，複數個晶圓收納於 複數個載置台凹部，晶舟之保持部爲保持狀態下所示側面 剖面圖。 第8圖係本發明第一實施形態中，晶圓收納於載置台 m -48 * •201104748 凹部，晶舟之保持部爲保持狀態下所示平面剖面圖。 第9圖係本發明第一實施形態中，載置台之間的距離 較載置台周緣部寬度較小的側面剖面圖。 第10圖係本發明第一實施形態中，保持部設置有熱傳 導緩和物質的側面剖面圖。 第11圖係本發明第一實施形態中，藉由晶舟之支柱處 所形成的溝槽來形成保持部，且該保持部處設置有熱傳導 緩和物質的側面剖面圖。 第1 2圖係本發明第一實施形態中，晶舟之保持部係形 成有角柱或圓柱狀等剖面爲頂邊長度較底邊長度更短之梯 形形狀之側面剖面圖。 第13圖係本發明第二實施形態中，將仿真載置台設置 於晶舟上端側的狀態下所示側面剖面圖。 第14圖係本發明第一實施形態中，以晶舟來保持有將 晶圓收納於凹部的複數個載置台之狀態下所示側面剖面 圖。 第15圖係本發明第三實施形態中，於載置台之周緣部 上方面及側面之間形成鈍角的例示之側面剖面圖。 第16圖係本發明第三實施形態中，於載置台之周緣部 上方面及側面之間、下方面及側面之間形成鈍角的例示之 側面剖面圖。 第17圖係本發明第三實施形態中，於載置台之周緣部 側面整體皆形成圓角的例示之側面剖面圖。 第1 8圖係本發明第四實施形態之處理爐平面剖面圖。 第1 9圖係本發明第五實施形態中，保持於晶舟上之載 m -49- 201104748 置台的平面剖面圖。 第20圖係本發明第五實施形態中，保持於晶舟上之載 置台的側面剖面圖。 第21圖係本發明第五實施形態中，保持於晶舟的載置 台所支撐的2片晶圓中，下方側晶圓和第一載置台之間的 距離，與鄰接之第二載置台和上方側晶圓之間的距離相等 之側面剖面圖。 第22圖係本發明第五實施形態中，第一間隙和第二間 隙處相互對向設置有氣體供給口之側面剖面圖。 第23圖係本發明第五實施形態中’晶舟之保持部設有 熱傳導緩和物質，且載置台之支撐部設有熱傳導緩和物質 之側面剖面圖。 第24圖係本發明第五實施形態中，晶舟之保持部係形 成有角柱或圓柱狀等剖面爲頂邊長度較底邊長度更短之梯 形形狀，且載置台之支撐部設置有角柱或圓柱狀等剖面爲 頂邊長度較底邊長度更短之梯形形狀之側面剖面圖。 第25圖係本發明第五實施形態中，於載置台之支撐部 上方面及側面之間形成鈍角的例示之側面剖面圖。 第26圖係本發明第六實施形態中，保持於晶舟的載置 台所支撐的的2片晶圓中，下方側晶圓和第一載置台之間 的距離大於鄰接之第二載置台和上方側晶圓之間的距離之 側面剖面圖。 第27圖係本發明第六實施形態中，供給第一間隙處的 氣體供給口之開口面積較第二間隙處大之側面剖面圖。 -50- 201104748 【主要元件符號說明】 m 10 1 處 理 裝 置 103 正 面 維 護 □ 104 正 面 維 護 扉 105 輸 送 盒 棚 106 滑 動 台 107 暫 存 棚 110 輸 送 盒 111a 正 面 壁 111 筐 體 112 輸 送 盒 搬 入 搬 出口 113 刖 檔 門 114 輸 送 盒 台 115 晶 舟 昇 降 機 118 輸 送 盒 搬 送 裝 置 118a 輸 送 盒 昇 降 機 118b 輸 送 盒 搬 送 機 構 125a 晶 圓 移 載 裝 置 125b 晶 圓 移 載 裝 置 昇降機 125c 晶 圓 夾 134a 清 潔 單 元 140 加 載 互 鎖 室 (筐體） 140a 正 面 壁 14 1 加 載 互 鎖 室 142 晶 圓 搬 入 搬 出 □ -51 - 201104748 143 144 147 16 1 177> 178、 179 180 18 1 1 82 183、 184、 185 200 20 1 202 205 206 209 2 16 2 17 2 18 2 18a 2 18b 2 1 8z 2 19 23 1 232 235 閘閥 氣體供給管 爐口閘閥 爐口 閥
第1氣體供給源 第2氣體供給源 第3氣體供給源 MFC 晶圓 處理室 處理爐 外管 感應加熱裝置 集流腔 隔熱筒 晶舟 載置台 凹部 周緣部 仿真載置台 密封蓋 氣體排氣管 氣體供給管 氣體流量控制部 m -52- 201104748 236 壓力控制部 23 7 驅動控制部 23 8 溫度控制部 23 9 主控制部 240 控制器 242 壓力調節器 244 滾珠螺桿 245 下基板 246 真空排氣裝置（真空泵） 247 上基板 248 昇降馬達 249 昇降台 250 昇降機 25 1 頂板 252 昇降基板 253 驅動部殼體 254 迴轉機構 255 迴轉軸 256 驅動部收納箱 257 冷卻機構 25 8 電力供給纜線 259 冷卻流道 260 冷卻水配管 263 放射溫度計 264 導向軸 m -53- 201104748 265 伸縮管 3 0 1 0型環 3 09 0型環 200 1 第一間隙 2002 第二間隙 206 1 RF線圈 2062 壁體 2063 冷卻壁 2064 散熱器 2065 送風機 2066 開口部 2067 爆炸發散口開閉裝置 2 17 1 支柱 2 17 1a 保持部 2 1 7 1 z 熱傳導緩和物質 2 186 上突銷昇降機構 2 187 銷孔 2 18 8 載置台 2 18 8a 底板 2 188b 支撐部 2 188c 部位 2 1 8 8d 部位 2 1 88x 熱傳導緩和物質 23 11 氣體排氣室 23 12 氣體排出口 m -54- 201104748 2 3 2 1 氣體供給室 2 3 22 氣體供給口 23 22m 第三氣體供給口 23 22η 第四氣體供給口 m -55-