TW201103878A - Method and apparatus for manufacturing glass member provided with sealing material layer and method for manufacturing electronic device - Google Patents

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201103878 六、發明說明： I：發明所屬技術領域3 發明領域 本發明係關於一種具有密封材料層之玻璃構件的製造 方法及製造裝置，以及電子裝置之製造方法。 t ^vT 1ί 發明背景 有機 EL 顯示器（Organic Electro-Luminescence Display : OELD) '電漿顯示面板(PDP)、液晶顯示裝置(LCD) 等平板型顯示器裝置（FPD)具有將形成發光元件的元件用 玻璃基板與密封用玻璃基板作相對配置，再利用玻璃封裝 件將遠等2片玻璃基板施行密封的構造（參照專利文獻1)。液 晶顯示裝置(LCD)亦是具有利用2片玻璃基板來密封液晶的 構造。此外，諸如色素增感型太陽電池之類的太陽電池， 亦有就利用2片玻璃基板，將太陽電池元件（光電轉換元件） 予以密封的玻璃封裝件之適用進行檢討（參照專利文獻2)。 將具優異耐濕性等之密封玻璃應用於將2片玻璃基板 之間予以密封的密封材料上，此種技術目前正在發展之 中。因為密封玻璃的密封溫度為4〇〇〜6〇〇〇c左右，因此使用 普通加祕騎燒成時，〇EL元件等之電子元件部的特性 發生劣化。所以，目前正在嘗試，在設置於2片玻璃基板 周邊部的密封區域之間’配置含有密封玻璃(玻璃料 > glass 雷射吸收材的密封材料層，再對其照射雷射光而加熱 才料層並使其炫融進而施行密封(參照專利文獻卜2)。 201103878 於應用雷射密封時，先將密封材料與載色劑進行混合 而調製出密封材料膏，再將其塗佈於一玻璃基板的密封區 域之後，升溫至密封材料的燒成溫度（密封玻璃的軟化溫度 以上之溫度）’使密封玻璃炫融而炫附於玻璃基板上並形成 密封材料層。此外，在利用密封材料昇溫至燒成溫度的過 程使有機黏結劑熱分解而被除去。接著，將具有密封材料 層的玻璃基板與另一玻璃基板隔著密封材料層進行積層 後’再從其中一玻璃基板側照射雷射光，加熱密封材料層 並使其熔融’而將設於玻璃基板之間的電子元件部予以密 封。 形成密封材料層時，一般係使用加熱爐。專利文獻3記 載了實施：利用密封材料層的形成步驟將有機黏結劑除去 的第1升溫過程，以及使密封材料熔附的第2升溫過程。在 第1升溫過程中，使用諸如加熱板、紅外線加熱器、加熱用 燈及雷射光等，從背面側加熱玻璃基板。第2升溫過程如同 普通的燒成步驟，使用加熱爐内的加熱器對玻璃基板整體 施行加熱。即便是專利文獻3所載方法，密封材料的熔著仍 是藉由使用加熱爐加熱玻璃基板整體來實施。 但是’於FPD用麵封裝件巾，*僅元件用玻璃基板， 就連密封用玻璃基板亦會形成彩色㈣片等有機樹脂膜。 此種情況下，若使用加熱爐對基板整魏行加熱，有機樹 脂膜會敎熱彳Λ傷，H]而即使在對韻用玻璃基板形成密 封材料層時，亦是無法適用—般使用加熱爐的燒成步驟。 又，色素增感型太陽亦會在對向基板細彡成元件膜 201103878 等因而而要在燒成步驟中能抑制元件膜等的熱劣化。再 者夕使用加熱爐的繞成步驟通常需要長時間，能量消耗量 亦夕因此’销減製造步職與製造成本歧省能源等 觀點來看，亦是仍需改善。 專利文獻4。己載：將混合有低熔點玻璃（密封玻璃）、黏 、σ齊1及☆齊丨之膏所構成的密封材料塗佈於—面板基板上， 之^再將密封㈣Μ雷射退火。但，若僅是將密封材料 作田射退火’會有無法使密封玻璃均勻炫融之虞。即，會 有岔封材料僅塗佈層表面附近㈣，而妨礙塗佈層整體的 密封玻璃溶融之虞。若密封材料僅塗佈層表面附近溶融而 玻璃化，黏結_分解所產生的氣體朝外部的釋放性會降 低’導致雅封材料層容易發生内部氣泡及表面變形等缺 陷。此種密封材料層的缺陷會成為面板的氣密性與接合強 度降低之要因。 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特表2006-524419號公報 專利文獻2:日本特開2〇〇8_115〇57號公報 專利文獻3:日本特開2〇〇3_〇68199號公報 專利文獻4:日本特開2〇〇2_366〇5〇號公報 C發明内容】 發明概要 發明欲解決之課題 本發明目的在於提供：即便在無法對玻璃基板整體施 5 201103878 行加熱的情況，仍可重碰佳_成良好㈣材料層的且 有密封材制之玻璃構㈣製造方法及製造裝置 ^ 子裝置之製造方法。 電 用以解決課題之手段 本發明態樣的具有密封材料層之玻璃構件的製造方去 之特徵在於包含：準備具有密《域之玻璃基板的步驟； 將含有密封玻璃與雷射吸收材的密封材料與有機黏結劑昆 合而調製出之密封材料膏，在前述玻璃基板的前述密封區 域上塗佈成框狀的步驟；以及沿前述框狀密封材料膏的塗 佈層照射雷射光加熱一邊將前述塗佈層⑽前述有機黏 結劑除去…邊將前述密崎料燒成而形絲封材料層的 步驟；且，將前述雷射光照射於前述框狀㈣材料^塗 佈層’讀前述密封材料之加熱溫度相對於前述密封玻壤 的軟化溫度T( C)係於(T+213°C)以上且(t+480°C)以下之範 圍内。 本發明第1態樣的具有密封材料層之玻璃構件的製造 裝置之特徵在於具備有：試料台，係載置具有密封材料膏 之框狀塗佈層的玻璃基板，且該密封材料膏係將含有密封 玻璃與雷射吸收材的密封㈣與有難結劑混合而調製出 者，雷射光源，係射出雷射光；雷射照射頭，具有使前述 雷射光源所射出的雷射光照射於前述玻璃基板之前述框狀 塗佈層的光學系統，移動機構，係使前述試料台與前述雷 射照射頭之位置作相對移動；掃描控制部，係將前述移動 機構控制成使前述雷射光沿著前述框狀塗佈層一邊進行掃 201103878 描一邊進行照射；以及’輸出控制部，係將前述雷射光之 輸出控制成：使從前述雷射照射頭照射至前述框狀塗佈層 之=射光的照射開始時期及照射結束時财之輸出密度， 1 前述雷射光沿著前述框狀塗佈層進行掃描照射之時期 (月』述…射開始時期及前述照射結束時期除外）的輸出 相較下更高 & 本發"月第2態樣的具有密封材料層之玻璃構件的製造 裝置之特徵在於具備有：試料台，係、載置具有密封材料膏 之框狀塗佈層的麵基板’且該密騎料膏係將含有密封 玻璃與雷射吸收材的密封材料與有機黏結劑混合而調製出 者；雷射光源’係射出雷射光；至少-對雷射照射頭，係 分別具有使前述雷射光源所射出的雷射光照射於前述玻璃 基板之剛述框狀塗佈層的光學系統；輸出控制部，係控制 從前述至少一對雷射照射頭照射前述框狀塗佈層之至少一 對雷射光的輸出；移動機構，係使前述試料台與前述至少 一對雷射照射頭之個別位置作相對移動；掃描控制部，係 將前述移動機構控制成：使前述至少一對雷射光中之至少 一者從前述至少一對雷射光會重疊的照射開始位置起，沿 前述框狀塗佈層一邊進行掃描一邊進行照射至照射結束位 置為止。 本發明態樣的電子裝置之製造方法之特徵在於具備 有：準備具有第1表面之第1玻璃基板的步驟’該第1表面設 有第1密封區域；準備具有第2表面之第2玻璃基板的步驟， 該第2表面設有對應於前述第1密封區域的第2密封區域；在 201103878 前述第2玻璃基板之前述第2密封區域上將密封材料膏塗佈 成框狀的步驟，該密封材料膏係由含有密封玻璃與雷射吸 收材的密封材料與有機黏結劑混合而調製出者；沿著前述 框狀密封材料膏之塗佈層照射燒成用雷射光並加熱，以使 前述密封材料的加熱溫度相對於前述密封玻璃的玻璃軟化 溫度T(°C)在（T+213°C)以上且(T+48CTC)以下之範圍，一邊 去除前述塗佈層内的前述有機黏結劑，一邊燒成前述密封 材料而形成密封材料層的步驟；使前述第1表面與前述第2 表面相對向，同時隔著前述密封材料層層積前述第丨玻璃基 板與前述第2玻璃基板的步驟；以及，透過前述第1玻璃基 板或前述第2玻璃基板，對前述密封材料層照射密封用雷射 光，使前述密封材料層熔融，而形成將設置在前述第1玻璃 基板與前述第2玻璃基板間之電子元件部予以密封之密封 層的步驟。 發明效果 依據本發明態樣的具有密封材料層之玻璃構件的製造 方法，即便在無法將玻璃基板整體施行加熱的情況下，仍 可重現性佳地形成良好之密封材料層。因此，使用此種玻 璃基板時，亦可重現性佳地製造可靠度及密封性等均優異 的電子裝置。 圖式簡單說明 第1 (a)〜(d)圖為剖視圖’顯示本發明實施形態的電子裝 置之製造步驟。 第2圖為平面圖’顯示第1圖所示電子裝置的製造步驟 8 201103878 中所使用第1玻璃基板。 第3圖為沿第2圖之A-A線的剖視圖。 第4圖為平面圖，顯示第1圖所示電子裝置之製造步驟 中所使用第2玻璃基板。 第5圖為沿第4圖之A-A線的剖視圖。 第6(a)〜(c)圖為剖視圖，顯示第1圖所示電子裝置之製 造步驟中對第2玻璃基板形成密封材料層的形成過程。 第7圖為平面圖，顯示第1實施形態的具有密封材料層 之玻璃構件的製造裝置。 第8圖為第7圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製造 裝置正視圖。 第9圖係顯示第1實施形態的具有密封材料層之玻璃構 件的製造裝置中雷射光的輸出密度控制例者。 第10圖係顯示第1實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置中雷射光的輸出控制例者。 第11圖係顯示第1實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置中雷射光之另一掃描例者。 第12圖為平面圖，顯示第2實施形態的具有密封材料層 之玻璃構件的製造裝置。 第13圖為第12圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製 造裝置正視圖。 第14圖為平面圖，顯示第12圖所示具有密封材料層之 玻璃構件的製造裝置變化例。 第15圖係第14圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製 201103878 造裝置正視圖。 第16圖為_ 玻璃構件的製造裝置另::：所不具有密封材料層之 造裝圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製 1:側:：箄16圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製 造裝置側視圖。 第19圖係§自 # @ 構件的製造裝有㈣㈣層之玻璃 夏中一對雷射光的第丨掃描例 第 20 圖係 g頁 + @。@ Α(； 構件的製《复φ 的具有密封材料層之玻璃 复中一對雷射光的第2掃描例者。 構件示第2實施形態的具有密封材料層之玻璃 &、复中雷射光的另一掃描例者。 構件示第2實施形態的具有密封材料層之玻璃 、&、薏中雷射光之再另一掃描例。 制、土 Ϊ 3實施形態的具有密封材料層之玻璃構件的 製坆裝置中雷射照射頭的構造者。 第圖為成裎圖，顯示第2實施形態的具有密封材料層 之玻璃構件的製造裝置所進行的密封材料層形成方法。 第25圖係_示第2實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝I中雷射光的輸出控制例者。 【實施冷式】 用以實施發明之形態 以下’針對供實施本發明的形態，參照圖式進行說明。 201103878 第1圖至第6圖係顯示本發明實施形態的電子裝置之製造步 驟者。於此，適用本發明實施形態之製造方法的電子裝置 可列舉如：OELD、PDP及LCD等之FPD ;使用OEL元件等 發光元件的照明裝置；或，諸如色素增感型太陽電池的密 封型太陽電池。 首先，如第1(a)圖所示，準備第1玻璃基板1與第2玻璃 基板2。舉例來說，第1與第2玻璃基板1、2可使用由具有各 種習知組成之無鹼玻璃或鈉石灰玻璃等所形成的玻璃基 板。無鹼玻璃具有35〜4〇xl(T7/°C左右的熱膨脹係數。鹼石 灰玻璃具有80~9〇xl(T7/°C左右的熱膨脹係數。 第1玻璃基板1係如第2圖與第3圖所示’具備設有元件 區域3的表面la。在元件區域3中設有對應於對象物之電子 裝置的電子元件部4。就電子元件部4而言，舉例來說，若 屬於OELD或OEL照明便具備OEL元件，若屬於PDP則具備 電漿發光元件，若屬於LCD則具備液晶顯示元件，若屬於 太陽電池則具備色素增感型太陽電池元件（色素增感型光 電轉換元件）。具備有如OEL元件之類的發光元件或是色素 增感型太陽電池元件等的電子元件部4具有各種習知構 造。本實施形態並不受限於電子元件部4的元件構造。 第1玻璃基板1的表面la係沿元件區域3的外周設有第i 密封區域5。第1密封區域5係設計成包圍元件區域3。第2破 璃基板2具有與第1玻璃基板1的表面la呈相對向的表面 2a。第2玻璃基板2的表面2a係如第4圖與第5圖所示，設有 對應於第1密封區域5的第2密封區域6。第1與第2密封區域 201103878 5、6將成為密封層的形成區域(就第2密封區域6而言，則是 也、封材料層的形成區域）。 電子元件部4係設置於第1玻璃基板1的表面la與第2玻 璃基板2的表面2a之間。第1圖所示電子裝置之製造步驟 中’第1玻璃基板1構成元件用玻璃基板，且在其表面la上 形成有如OEL元件或PDP元件等元件構造體並作為電子元 件部4。第2玻璃基板2構成電子元件部4(形成於第1玻璃基 板1的表面la上）的密封用玻璃基板。但，電子元件部4的構 造並不限於此。 例如，電子元件部4為色素增感型太陽電池元件等時， 在第1與第2玻璃基板1、2的各表面la、2a上將會形成配線 膜或電極膜等之元件膜（其將形成元件構造構成電子元件 部4的元件膜或以該等為基礎的元件構造體將形成於第1與 第2玻璃基板1、2的表面la、2a中之至少一者上。此外，構 成密封用玻璃基板的第2玻璃基板2之表面2a上，如前所 述，會有形成彩色濾光片等之有機樹脂膜的情況。該實施 形態的製造方法特別是在第2玻璃基板2的表面2a上形成有 有機樹脂膜或元件膜等時，甚為有效。 第2玻璃基板2的密封區域6係如第1(a)圖、第4圖及第$ 圖所示，形成有框狀密封材料層7。密封材料層7係含有密 封玻璃與雷射吸收材的密封材料之燒成層。密封材料係在 主成分的密封玻璃中調入雷射吸收材以及視需要而定之低 膨脹填充材等無機填充材1封材料亦可視需要而含有除 該等以外的填充材或添加材。 示 12 201103878 舉例來說，密封玻璃（玻璃料）可使用錫_磷酸系玻璃' 你系玻璃、飢糸玻璃及錯系玻璃等之低溶點玻璃。該等之 中，慮及對玻璃基板1、2的密封性(接著性）與其可靠度(接 著可靠度、密閉性）以及對環境與人體的影響性等因素，最 好使用由錫-磷酸系玻璃或鉍系玻璃所構成的低熔點密封 玻璃。 錫-磷酸系玻璃（玻璃料）宜具有55〜68質量％的Sn〇、 〇·5〜5質量％的Sn〇2及20〜40質量％的p2〇5(基本上將合計量 设為100質量％)之組成。SnO係為用以使玻璃低熔點化的成 分。若SnO含量少於55質量。/。，玻璃的黏性會提高且密封溫 度會變得過高，但若超過68質量％則不會進行玻璃化。

Sn〇2係用以使玻璃安定化的成分。若Sn〇2含量少於〇 5 邊里/〇 ’在雄·封作業時’ Sn02會於軟化炫融的玻璃中分離 並析出，流動性受損而導致密封作業性降低。若Sn〇2含量 超過5質量％，便容易在低熔點玻璃的熔融過程中析出 Sn〇2。P2〇5係用以形成玻璃骨架的成分。若p2〇5含量少於 20質量％則不會玻璃化，但若含量超過4〇質量。/。，則會有引 發耐候性惡化(磷酸鹽玻璃所特有之缺點）之可能性。 在此’玻璃料中的SnO與Sn02比例（質量％)可如下述般 求出。首先，使玻璃料(低熔點玻璃粉末)酸分解後，以ICP 發光分光分析測定玻璃料中所含％原子總量。接著，由於 經酸分解之玻璃料利用碘滴定法即可求得Sn2+(Sn〇)，因 此，從Sn原子總量中扣減掉此處所求得的Sn2+量，便可求 得 Sn4+(Sn02)。 13 201103878 由上述3成分所形成的玻璃之玻璃轉移點較低，而適用 為低溫用密封材料，但作為任擇成分，亦可含有如：Si〇2 等之形成玻璃骨架的成分；或者是Zn〇、B2〇3、八丨2〇3、W03、

Mo03、Nb205、Ti〇2、Zr〇2、Li2〇、Na2〇、κ2〇、Cs2〇、

Mg〇、CaO、SrO及Ba〇等之使玻璃安定化的成分。但，若 任擇成分含量過多，玻璃便會變得不安定而發生失透，且 玻璃轉移點與軟化點有上升之虞，因此任意成分的合計含 量最好設定在30質量％以下。此時之玻璃組成基本上會調 整成使基本成分與任意成分的合計量成為1〇〇質量％。 鉍系玻璃（玻璃料）宜含有70〜90質量％的茁203、1〜20質 量％的211〇及2~12質量％的8203(基本上將合計量設為1〇〇 質量％)之組成。Bi203為形成玻璃網目的成分。若茁2〇3含 量少於70質量％，低熔點玻璃的軟化點會提高，導致低溫 下的密封趨於困難。若Bi203含量超過90質量％，則會變得 不易玻璃化，同時會有熱膨脹係數變得過高的傾向。

ZnO為降低熱膨脹係數等的成分。若ZnO含量少於1質 量％，則玻璃化趨於困難。若ZnO含量超過20質量％，則低 熔點玻璃成形時的安定性會降低，而容易發生失透。B203 係一形成玻璃骨架而令玻璃化變為可能之範圍擴大的成 分。若B2〇3含量少於2質量％，則玻璃化會趨於困難，若超 過12質量％，則軟化點會變得過高，即便在密封時施加荷 重，仍難以低溫施彳于说封。 由上述3成分所形成的玻璃之玻璃轉移點較低，而適用 為低溫用密封材料’亦可含有如八12〇3、06〇2、8丨〇2、八§2〇、 14 201103878 m〇〇3、Nb2〇3、Ta2〇5、Ga2〇3、Sb2〇3、邮、叫〇 κ2〇、 Cs20 ' Ca◦'⑽、Ba〇 ' w〇3、p2〇5、或2)等任 擇成分。⑯，若任擇成分的含量過多，會有玻璃變得不安 定而發生失透，或是玻璃轉移點與軟化點上升之虞，因此， 任擇成分的合計含量最好設定在3Qf4%以下。此時之玻 璃組成基本上會調整成使基本成分與任以分的合計量成 為100質量％。 密封材料含有f射吸收材1射吸收材可使用選自 Fe、Cr、Mn、Co、Ni及Cu中之至少1種金屬，或者是含有 前述金屬之的化合物（氧化物等）。此外，亦可為該等以外的 顏料。雷射吸收材的含量相對於密封材料宜為〜1〇體積％ 之範圍。若雷射吸收材含量少於G1體積％，便會有無法使 密封材料層7充分熔融之虞。若雷射吸收材之含量超過_ 積％ ’其與第2玻璃基板2間之界面附近將有局部性發熱之 虞，且密封材料熔融時的流動性會劣化，與第〖玻璃基板【 間之接著性會有降低之虞。 再者，密封材料亦可視需要而含有低膨脹填充材。低 膨脹填充材宜使用選自二氧化矽、氧化鋁、二氧化锆、矽 酸錯、鈦酸鋁、高鋁紅柱石 '蓳青石、鋰霞5(eucryptite)、 鋰輝石（spodumene)、磷酸锆系化合物、石英固溶體、 鹼石灰玻璃及硼矽酸玻璃中之至少丨種材料。磷酸锆系 化合物可列舉如(ZrO)2 P2 〇7、NaZl_2 (ρ〇4 )3、KZl>2 (ρ〇4》、

Ca0 5Zr2(P〇4)3、NbZr(P〇4)3、Zr2(w〇3)(p〇4)2 及該等的 複合化合物。所謂「低膨脹填充材」係指較具有密封玻璃 15 201103878 更低之熱膨脹係數的材料。 低膨脹填充材的含量可適當設定成使密封玻璃的熱膨 脹係數接近玻璃基板1、2的熱膨脹係數。雖依密封玻璃或 玻璃基板1、2的熱膨脹係數而異，低膨脹填充材相對於密 封材料宜含有5〜50體積％範圍。以無鹼玻璃（熱膨脹係數： 30〜40xl(T7/°c)形成玻璃基板卜2時，宜添加相對較多量(例 如30〜50體積％範圍）的低膨脹填充材。以鹼石灰玻璃（熱膨 脹係數：80〜goxio.Vt)形成玻璃基板！、2時，則宜添加較 少量（例如5〜40體積％範圍）的低膨脹填充材。 役封材料層7係如下述般形成。就密封材料層7的形成 步驟而言，參照第6圖進行說明。第6圖顯示本發明之具有 Φ封材料層之玻璃構件的製造方法實施形態。首先，在密 封破璃中調入雷射吸收材及低膨脹填充材等而製出密封材 料’再將其與載色劑混合而調製得密封材料膏。 载色劑可使用：將曱基纖維素、乙基纖維素、羧甲基 隹素' 氧乙基纖維素、苄基纖維素、丙基纖維素及硝基 ’截維素等樹脂溶解於萜品醇(terPineol)、丁基卡必醇乙酸酯 及乙基卡必醇乙酸酯等溶劑中而成者；或者是，將（曱基) 丙烯酸曱醋 '(曱基)丙稀酸乙醋、（曱基)丙烯酸丁醋、甲基 丙烯酸-2-羥乙酯等丙烯酸系等樹脂溶解於甲乙_、萜品 H 丁基卡必醇乙酸酯及乙基卡必醇乙酸酯等溶劑中者。 載色劑中的樹脂成分係作為密封材料之有機黏結劑而 考揮功能者’必需在燒成密封材料前^以除去1封材料 膏的黏度只要是配合對玻璃基板2施行塗佈的裝置之黏度 201103878 便可，可藉由樹脂成分(有機黏結劑)與溶劑（有祕劑等）的 比例或是密封材料與载色劑的比例予以調整。密封材料膏 中尚可添加如消泡似分散料，在玻射領域中已是習 知的添加物。調製密封材料膏時可適用習知方法(利用具備 有搜拌翼的旋轉式混合機或是輥碎機及球磨機等）。 如第6(a)圖所示’將密封材料膏塗佈在第2玻璃基板2 的密封區域6，使其乾燥而形成塗佈層8。舉例來說，應用 網版印刷或凹版印刷等印刷法，將密封材料膏塗佈在第2密 封區域6上，或是使用點膠機等，沿第2密封區域6施行塗 佈。舉例而言，塗佈層8宜於l2(rCw上的溫度下使其乾燥 10分鐘以上。乾燥步驟係用以除去塗佈層8内的溶劑而實施 者。若塗佈層8内有溶劑殘留，便會有無法藉後續燒成步驟 (雷射燒成步驟)將有機黏結劑充分除去之虞。 接著，如第6(b)圖所示，對密封材料膏的塗佈層（乾燥 膜)8照射燒成用雷射光9。藉由使雷射光9沿塗佈層8進行照 射而選擇性施行加熱，便可於除去塗佈層8中之有機黏結劑 的同時，將密封材料燒成而形成密封材料層7(第6(c)圖）。 燒成用之雷射光9並未特別受限，可使用源自半導體雷射、 二氧化碳雷射、準分子雷射、YAG雷射及HeNe雷射等的雷 射光。後述之密封用雷射光亦同。 燒成用之雷射光9係沿著塗佈層8照射，而使塗佈層8的 加熱溫度相對於密封玻璃的軟化溫度T(°C)成為(T+213°C) 以上且(丁+480。〇以下之範圍。雷射光9宜沿著塗佈層8 一邊 進行掃描一邊施行照射。此時雷射光9之掃描速度宜為 17 201103878 (Umm/秒以上且5mm/秒以下之朗。密封玻璃的軟化溫度 T表示雖呈軟化流動但不會結晶化的溫度。此外，令塗佈層 8照射雷射光9時的溫度姑射溫度計賴得的值。9 若以使塗佈層8的溫度成為(T+21；rc)以上且(τ+彻。⑺ 以下的之方式來騎雷射光9,密封㈣巾的密封玻璃 便會溶融並且急冷固化，藉此，贿㈣便熔_著於第2 玻璃基板2上’而形成密封#料層7。塗佈層8的溫度宜為 (τ+贿）以上且(T+45(rc)以下之範圍。在使塗佈層8的溫 度未達(T+213t)之雷射光9照射條件下，塗佈層槐有表面 部分會炼融’而無法使塗佈層8整體均勻地炫融。另一方 面’在使塗佈層8的溫度超過(丁+48〇。〇之雷射光9照射條件 下’玻璃基板2與密封材料層（燒成層）7容易發生裂痕及破 等情況* < 以使塗佈層8的溫度成為上述加熱溫度的方式，使燒成 用雷射光9-邊進行掃描—邊施行照射，藉此，塗佈層8中 的有機黏結劑便會被熱分解而除去。由於雷射光9沿著塗佈 層8-邊進行掃描—邊進行照射，因此，位於雷射光9行進 方向前方的部分會被適度_熱。有齡結_熱分解除 了在對塗佈層8的該部分直接照射雷射光9時會進行之外1 在雷射光9行進方向前方已被預熱的部分亦會進行。藉由此 等熱分解，便可將塗佈層8中的有機黏結劑有效且致率佳地 除去。具體而言’可降低密封材料層7内的殘留碳量。殘留 石反會成為使玻璃面板内的雜質氣體濃度上升之要因。 以實現有機黏結劑的除去步驟為前提，雷射光9宜以 201103878 〇·lmm/秒以上且5mm/秒以下範圍的掃描速度一邊進行掃 描一邊施行照射，且更宜在lrnm/秒以上且5mm/秒以下之範 圍。若雷射光9的掃描速度低於〇.imm/秒，玻璃基板2便會 被過度加熱，而容易發生裂痕及破裂等情況。若雷射光9的 掃描速度超過5mm/秒，在塗佈層8整體被均勻加熱之前， 僅表面部分會先熔融並玻璃化，致使有機黏結劑熱分解所 產生之氣體朝外部的釋放性降低。因而，密封材料層7的内 部會發生氣泡，或是表面會因氣泡而發生變形。密封材料 層7的殘留碳量亦增加。若使用有機黏結劑的除去狀態不佳 之密封材料層7將玻璃基板卜2間予以密封，則玻璃基板1、 2與密封層間之接合強度會降低，或是玻璃面板的氣密性會 降低。 再者，以掃描速度為〇.lmm/秒以上且5rnm/秒以下範圍 的雷射光9使塗佈層8的加熱溫度為（T+213。(：）以上且 (T+480 C)以下之範圍時’雷射光9宜具有2〇〇〜9〇〇W/cm2範 圍的輸出密度，且300〜800W7cni2之範圍更佳。若雷射光9 的輸出狁度低於200W/cm2，便無法將塗佈層8整體均勻加 熱右雷射光9的輸出进度超過900W/cm2，則玻璃基板2會 被過度加熱，導致容易發生裂痕及破裂等情況。 第6(b)圖顯示使雷射光9從塗佈層8上方照射的狀態，但 雷射光9亦可透過玻璃基板2而照射塗佈層8。例如，為了縮 短密封材料膏的塗佈層8之燒成時間，雷射光9的高輸出化 與掃描速度的高速化甚有效。例如，若使高輸出化之雷射 光9從塗佈層8上方照射，恐有僅塗佈層8的表面部分發生玻 19 201103878 璃化之虞。而，僅塗佈層8的表面部分扯搞 坡离化將會引發如上 述的各種問題。針對此種點，若使雷私 B 錢科如從玻璃基板2側 照射塗佈層8 ’即使從照射到雷射异q <。卩分開始進行玻璃 化，仍可使有機黏結劑熱分解所產生 义乳體從塗佈層8的表 面逸出。此外，使雷射光9從塗佈層8 增8的上下雙面施行照射 亦甚有效。 雷射光9的照射點(spot)形狀並無特別限定。雷射光9的 照射點-般為圓形，但並不僅侷限於_。雷射光9的昭射 光點亦可呈塗佈層8之寬度方向成為短轴__。若㈣ 照射光點整形為_形的雷射光9,可使雷料9對塗佈則 的照射面積擴大，且可使雷射光9的掃描速度更快。藉由此 等手法，便可縮短塗佈層8的燒成時間。 利用雷射光9施行的塗佈層8燒成步驟未必受限於塗佈 層8的膜厚，但對於具有下述膜厚之塗佈層8甚為有效，即： 燒成後的厚度（密封材料層7的厚度）會成為2〇μηι以下。密封 材料層7宜具有20μηι以下的厚度。以所具膜厚為燒成後的 厚度會超過20μπι之塗佈層8而言，會有無法利用雷射光9將 塗佈層8整體均勻加熱之虞。此種情況下，會僅有塗佈層8 的表面部分熔融並玻璃化，有機黏結劑與其熱分解氣體的 除去性容易降低。密封材料層7的厚度在實用上宜設為5μΓη 於本實施形態之密封材料層7的形成步驟中，係使燒成 用雷射光9照射密封材料膏的塗佈層8而選擇性加熱。因 而’即使在第2玻璃基板2的表面2a上形成有彩色濾光片等 20 201103878 之有機樹脂膜或元件膜等的情況下，亦不致對有機樹脂膜 及元件膜等造成熱損傷，而可良好地形成密封材料層7。 且’由於有機黏結劑的除去性亦優異，因而可獲得密封性 與可靠度等均優異的密封材料層7。 再者，不消說’利用燒成用雷射光9施行的密封材料層 7形成步驟亦可適用在第2玻璃基板2的表面2a上並未形成 諸如有機樹脂膜或元件膜等的情況下，此時亦可獲得密封 性與可靠度等均優異的密封材料層7。再者，利用雷射光9 施行的燒成步驟與習知利用加熱爐施行的燒成步驟相較下 能量消耗量較少’且有助於減少製造步驟數與製造成本。 所以，即使從省能源及成本削減等觀點來看，利用雷射光9 施行的密封材料層7形成步驟亦屬有效。 但是，使雷射光9沿著密封材料膏的塗佈層8照射而進 行燒成時，塗佈層8中雷射光9之照射開始位置與照射結束 位置會重疊。依密封玻璃熔融時的流動性與雷射光9之照射 條件而異，在雷射光9照射結束時，有時密封破璃會因2面 張力或空隙減少等而收縮，因此而在照射結束位置發生 隙(gap)。雖然，即便是具有縫隙的密封材料層7仍可藉由: 封步驟的條件設定與步驟設定（例如預熱）等來進行^密= 封’但因密封步驟的煩雜化’會有製造步驟數與製 增加之虞。 針對此種情況，提高雷射光9照射結束時的密

動性是有效的。用以提高密封玻璃流動性的具體 /；，L 舉如：（1)提高雷射光9之照射開始時期與，昭身 可列 朿時期的輸 21 201103878 出密度；（2)使用至少一對雷射光作為雷射光9，並於照射開 始時期與照射結束時期使2個雷射光疊合；（3)在密封材料膏 的塗佈層8上積層襯板，並在此狀態下照射雷射光9等。 抑制密封材料層7發生縫隙的方法並不僅侷限於提升 密封玻璃流動性的手法。提升密封玻璃流動性手法以外的 抑制縫隙方法可列舉如：利用掃描振鏡(galvan〇_scanner)等 之同時加熱方式。若利用掃描振鏡，可將密封材料膏的塗 佈層8整體同時且均等地施行加熱，因而可防止縫隙發生。 上述手法（1)中，係將雷射光9的輸出密度控制成：使雷 射光9的照射開始時期與照射結束時期中的輸出密度，較雷 射光9沿著框狀密封材料膏的塗佈層8之掃描照射時期（照 射開始時期與照射結束時期除外）的輸出密度更高。可以想 見的是，沿框狀塗佈層8照射的雷射光9到達照射結束位置 時，因為照射開始位置的密封玻璃已冷卻，經雷射光9加熱 熔融之密封玻璃的表面張力更勝於流動性，因此，密封玻 璃會在雷射光9的照射結束位置收縮，致使出現縫隙。 針對此種情況，則使雷射光9在照射結束時期高輸出化 以提咼密封玻璃的流動性，藉此便可抑制照射結束位置的 密封玻璃收縮情況。此外，使雷射光9在照射開始時期亦高 輸出化，以提升密封玻璃（玻璃料）的玻璃化，藉此可更進一 步抑制雷射光9照射結束時期的密封玻璃收縮情形。藉由此 等手法，便可抑制雷射光9照射結束位置處發生縫隙(gap) 的情況。 茲將適用手法（1)的雷射燒成裝置之一例顯示於第7圖 22 201103878 與第8圖。第7圖與第8圖顯示本發明第1實施形態的具有密 封材料層之玻璃構件的製造裝置。該等圖所示雷射燒成裝 置（具有密封材料層之玻璃構件的製造裝置)21具備有：試料 台22 ’其載置玻璃基板2(在第7圖與第8圖中未圖示），該玻 璃基板2設有密封材料膏之框狀塗佈層8;雷射光源23 ;及， 雷射照射頭24，係使雷射光源23所射出的雷射光照射於塗 佈層8。 從雷射光源23所射出的雷射光的輸出係利用輸出控制 部25進行控制。舉例來說，輸出控制部25藉由控制輸入至 光原23的電力來控制雷射光的輸出。又，輸出控制部 亦了八有輸出调變器，該輸出調變器可控制雷射光源23 斤射出的〶射光之輸出。在此雖省略圖示，雷射照射頭24 具有光學H該絲祕舰t射杨23射Λ的雷射光 聚光，並整形為預定之照射點，再照射於塗佈層8。就光學 系統的部分係如後述。 '射頭24係藉由X平台26而可朝X方向移動。試料 台22係藉由Υ平台27而可朝Υ方向移動。X平台26係朝與γ 平f7行進方向垂直相交的方向行進，以此方式固定於試 料台22的上方。雷射照射頭24係設置於X平台26上。雷射昭 射頭24與試料台22之位置關係係藉由X平台26與丫平台2”7 而可作相對移動。即，藉由X平台26與γ平台27 ’便可從雷 射照射頭24使雷射光9沿框狀塗佈層8-邊進行掃描一邊施 行照射。X平台26與丫平a 2構 平_受·移動機構，_ 23 201103878 雷射燒成裝置21具備有對輸出控制部25與掃描控制部 28進行統合性控制的主控制系統29。此外，雷射燒成裝置 21,具備有測定框狀塗佈層8之燒成溫度(加熱溫度）的輻射溫 度計（未圖示）。雷射燒成裝置21宜具備有抽吸噴嘴或送風喷 噍4，俾防止已從框狀塗佈層8除去的有機黏結劑附著於光 學系統或玻璃基板2上。 輸出控制部25將雷射光9的輸出控制成：使從雷射照射 頭24照射的雷射光9在照射開始時期與照射結束時期的輸 出密度’較雷射光9沿框狀塗佈層8施行掃描照射時期（照射 開始時期與照射結束時期除外）的輸出密度更高。第9圖顯 示利用輸出控制部25施行的雷射光9輸出密度之控制例。雷 射光9的輸出密度在雷射光9的照射點面積呈一定時，係以 雷射光9的輸出進行控制。茲將雷射光9的輸出控制例顯示 於第10圖。 如第9圖所示’首先在框狀塗佈層8的照射開始位置照 射輸出密度D1(輸出P1)的雷射光9而開始進行掃描。使輸出 密度D1係僅限於照射開始時期μ 1之期間，經過照射開始時 期Ml後，便使輸出密度降低至ρ2(將雷射光9的輸出降低至 Ρ2)。使該輸出密度D2(輸出Ρ2)的雷射光9，沿塗佈層8—邊 進行掃描一邊施行照射(掃描照射時期1^2)。然後，在雷射 光9到達照射結束時期M3時，便再度使輸出密度上升至 D1(使雷射光9的輸出提升至ρ1)β使該輸出密度D1的雷射光 9到達照射結束位置（與照射開始位置相同位置），並結束雷 射光9的照射。 24 201103878 雷射光9的輸出密度m宜設定成：相對於密封玻璃的軟 化溫度τΓ〇,使照射開始時_與照射結束時卿的塗 佈層8域溫度成為（T+35(rc)以上且(T+55〇t)以下之範 圍。雷射光9的輸出密細宜設定成：相對於密封玻璃的軟 化温度取），使掃描照射_M2時的密封材料加熱溫度成 二（C)以上且(T+480C)以下之範圍。雷射光9的掃描 速度係如前述。 …雷射光9的輸出密度D1與輸出密度D2之比率（_2) 宜為1.1〜3.0，且12〜2.0更佳。 藉由令照射開始時期M1與照射結束時期⑽的塗佈層8 溫度達到⑽耽）以上，便可重現性佳地抑制雷射光9之 照射結束_M3的密财魏崎形。但，錢射開 獅與照射結束時_的塗佈糾溫度過高，則因玻璃基 板2與密封㈣層(燒成層）7容紐㈣痕及破料情形，^ 而宜將照㈣始時期⑷與照㈣㈣_3的㈣則溫度 設為（T+550°C)以下。 又 掃描照射時期M2的塗佈層8溫度在能重現性佳地抑制 玻璃基板2與密封材料層（燒成層）7的裂痕及破裂的前提 下’相對於密封玻璃的軟化溫度T(<t)，宜設為(7+213。〇 以上且(T+48(rC)以下之範圍。就照射開始時期Ml與照射結 束時期M3的輸出密度D1以及掃描照射時期M2的輸出密^ 出之具體值而言，慮及塗佈層8的加熱溫度與雷射光9的= 描速度，宜從前述200〜900w/cm2之範圍中適當選出。 雷射光9的照射開始時期河丨宜設成從照射開始起5秒 25 201103878 右使輪出密度D1的期間過長玻璃基板2與密封材料 若發㈣痕或破料情況的可能性會提高。但， 出雷射射光9的照射開始時靠1過短，便無法使利用高輸 因而施订的密封玻璃（玻璃料）玻璃化獲得充分提昇。 達1种以且將雷射光9的照射開始時期M1設成從照射開始起 Μ #^以上。同樣的，照射結束時期M3亦是以雷射光9的照 〜。束時點為基準，宜設為1秒以上且5秒以内之範圍。 廡*射❹的照射開始時纟脚1與照射結束時期M3，宜因 門私主光9的知描速度予以設定。如第1〇圖所示’對應照射 位^顧1的輸出P1之雷射光9宜對距離L1(從照射開始 起，至雷射光9之點徑0.1〜25倍位置的距離)施行照射。 5 ’的對應照射結束時期MS的輸出卩【之雷射光今，宜對 (以'、?'射結束位置為基準，從雷射光9的點徑〇1〜乃 。置起，至照射結束位置為止)施行照射。藉由將輪出Η 的雷射光9照射範圍設為距離L1與距離L2的範圍，便可重現 性佳地抑制密封材料層7發生縫隙之情況。 在此，藉由控制雷射光9的輸出密度，便可將照射開始 期Ml與照射結束時期⑽的塗佈層8加熱溫度設成較掃^ 照射時期M2的塗佈層8加熱溫度更高，但，舉例來說，: ‘、、'射開始時與照射結束時，若使雷射光9對地方(照 開始位置與照射結束位置/同一位置）持續照射—定時間，料 此亦可使照射開始時期照射結束時期奶的塗佈層= 熱溫度較掃描照射時期M2的塗佈層8加熱溫度更高。如二 述，藉由控制雷射光9的掃描速度，同樣地可抑制^發= 26 201103878 再者，照射密封材料膏的塗佈層8之雷射光9並不僅侷 限於1個，亦可使複數雷射光9照射於塗佈層8。第11圖顯示 利用2個雷射光9A、9B之掃描例。使用2個雷射光9A、9B 時，將塗佈層8分割為2個區域。將2個區域相鄰接之部分設 定為照射開始位置與照射結束位置。使各區域的照射開始 位置與照射結束位置相反。然後，使雷射光9A、9b從各區 域的照射開始位置開始，一邊進行掃描一邊施行照射，直 到與另一區域的照射開始位置會成為同一位置的照射結束 位置為止’。使用3個以上雷射光時亦同。 其次，針對手法(2)進行敘述。第12圖與第13圖顯示適 用於手法(2)的雷射燒成裝置之一例。第12圖與第13圖顯示 第2貫施形態的具有密封材料層之玻璃構件的製造裝置。該 等圖所示雷射燒成裝置（具有密封材料層之玻璃構件的製 造裝置)31具備有：試料台32，其載置玻璃基板2(在第12圖 與第13圖中未圖示）’該玻璃基板2設有密封材料膏之框狀 塗佈層8;雷射光源33;及，第丨與第2雷射照射頭（一對雷 射照射頭)34A、34B，其等係使從雷射光源33所射出的雷射 光照射於塗佈層8。 在此雖省略圖示，但第1與第2雷射照射頭34A、343分 別具有光學系統，該光學系統係使從雷射光源33所射出的 雷射光聚光，整形為既定照射點，再照射於塗佈層8。就光 學系統而言，係如後述。舉例來說，從雷射光源33所射出 的雷射光係經由省略圖示的分波器而送至第1與第2雷射照 射頭34A、34B。又，亦可使用因應雷射照射頭“A、mb 27 201103878 之數量來使用雷射光源33。 從雷射光源33射出的雷射光之輸出係以輸出控％ 進行控制。 舉例來說，輸出控制部35係藉由控制輸入至雷射光源 33的電力來控制雷射光的輸出。χ，輸出控制部％亦可具 有輸出調變器，其對從雷射光源33射出的雷射光之輪出進 行控制。f射光的輸出亦可因應&與第2雷射照射頭ΜΑ、 34B而個別進行控制。 第1與第2雷射照射頭ΜΑ、·係藉由χ平台％而可朝χ 方向移動。試料台32係藉由γ平台37而可朝γ方向移動。第 1與第2雷射照射頭34Α、34Β與試料扣間的位置關係係藉 由X平台36與γ平台37而可作相對移動。X平台邮丫平台曰 37構成移動機構。 第1與第2雷射照射頭34Α、34Β分別設置於X平台36 上。X平台36使第1與第2雷射照射頭34Α、34Β朝與γ平台37 之行進方向垂直相交的方向行進，以此方式固定於試料台 32的上方。第i與第2雷射照射頭34八、34Β亦可設置於玻璃 基板2的上方與下方。χ平㈣與γ平台珊、受到掃描控制 部38控制。第丨與第2雷射照射頭34八、34β並非朝鉛直方向 設置’而是使從其等照射於框狀塗佈層8的雷射光9Α、9Β 在框狀塗佈層8上重疊，以此方式朝斜方向設置。第丨與第2 雷射照射頭34Α、34Β係朝Χ方向傾斜。 第12圓與第13圖顯示了使試料台32藉Υ平台37進行移 動的構造’惟’移動機構的構造並不侷限於此。第14圖與 28 201103878 第15圖顯示_·使配置在呈固定的試料台32上方之X平台36 藉2個Y平台37A、37B而在γ方向上移動的構造。如前述， 移動機構亦可構造成：藉由2個Υ平台37Α、37Β ,以使第1 與第2雷射照射頭34Α、34Β朝X方向進行移動的Χ平台36在 Υ方向上移動。 第1與第2雷射照射頭34Α、34Β亦可如第16圖、第17圖 及第18圖所示，設置於2個X平台36Α、368上。第}與第2χ 平台36Α、36Β係相對於X方向呈平行配置。此時，第丨與第 2雷射照射頭34A、34B係朝與X方向垂直相交的方向傾斜。 無論任一構造，均可使雷射光9A、9B在照射開始位置與照 射結束位置處重疊，並可分別沿框狀塗佈層8一邊進行掃描 一邊施行照射。 雷射燒成裝置31具備有將輸出控制部35與掃描控制部 3 8作統合性控制的主控制糸統3 9。且，雷射燒成裝置31具 備有測定框狀塗佈層8之燒成溫度(加熱溫度）的輻射溫度計 (未圖示）。雷射燒成裝置3〖宜具備有抽吸喷嘴或送風喷嘴 等，俾防止已從框狀塗佈層8除去的有機黏結劑附著於光學 系統或玻璃基板2上。 掃描控制部38將X平台36與γ平台37(移動機構）控制 成：使第1與第2雷射光9A、9B中之至少一者，從其等發生 重疊的照射開始位置起至照射結束位置為止，沿框狀塗佈 層8—邊進行掃描一邊施行照射。僅使第丨與第2雷射光9A、 9B中之-者進行掃描時’另-雷射照射頭便固定成持續照 射照射開始位置。或者，亦可構造成：藉由控制父平台的動 29 作及雷射照 照射在照射 射頭之雷射光照 開始位置。 射方向’使其中一 雷射光持續 ;手法(2)中，首先 叠照射在—密封㈣ 料光9績第2雷射光9B重 4，使第1雷射光Μ與第2带佈層8之照射開始位置。接 封材料膏的塗佈層8_邊進行之至少-者沿框狀密 框狀密封_膏㈣—邊施行照射。然後，在 光9A與第2雷射光9B^之照射結束位置處’使第1雷射 93的照射。 且，並於此狀態下結束雷射光9A、 因而在日3麵會切射絲㈣束時收縮 雷射光9A: 、縫隙。針對此一情況，藉由使第1 位置進行昭雷射光9B同時對照射開始位置與照射結束 合 ㈣軸心流動狀態的密封玻璃便會融 此時，抑制密封破射斷而發生縫隙(㈣的情況。 9B相會;1¾ 8之加^度（包括第1雷射光9A與第2雷射光 才重”分)«於密封麵的軟化溫度取）宜設定在 13〇以上且（T+48〇t)以下之範圍。 右照射第1與第2雷射光9A、9B時的塗佈層8溫度超過 (480 C)，便谷易在玻璃基板2與密封材料層（燒成層中 發生裂痕及破裂等。若帛i與第2雷射光9A、9B照射時的塗 佈層8溫度低於(T+213t)，便無法使塗佈層8整體均勻熔 融。同時照射第1與第2雷射光9A、9B的部分與僅照射其中 一者的部分之加熱溫度可相同，亦可將雷射光9A、9B的輸 出控制在上述範圍内且同時照射部分的加熱溫度較高。此 30 201103878 一情況下的設定溫度宜如同手法⑴。雷射光9A 9b的掃描 速度係如前述_。 第1與第2雷射光9A、9b1i之至少—者沿框狀塗佈層8 進行掃描。第19圖顯示下述例子：使第1雷射光9A持續昭射 於照射開始位置8，且使第2雷射細從照射開始位置§起至 照射結束位置(與照射開始位置為同—位置)f為止，沿框狀 塗佈層8-邊進行掃描一邊施行照射。首先，使第ι雷射光 9A與第2雷射光9B在照㈣始位腾疊則卜相對於以 雷射光9轉續照射在照射開始位置s，第2雷射細則從照 射開始位置s起至照射結束位置F為止，沿塗佈層8進行掃 . 射光9B會在照射結束位置F(與照射開始位置8為 X位置)與第i雷射光9A重疊。因為在塗佈層8的照射開如 ^^物射第1雷射❹A，因此該部分的《玻璃料 持在加_融狀態。因而，經物射光祀祕熔融的 射光9A而維持加齡融狀態的密封玻璃會 因再度:4態下融合。所以，可抑制經溶融/冷卻部分處 以及^此先照射㈣絲封_發生收縮的情況， 及因此而造成的縫隙發生。 從第1雷射光9A與第2雷射光9B 掃描一邊施行 °分別沿框狀塗佈層8-邊進行 第1雷射光9ΑΓ，到照射結束位針為止。首先，依使 第It射先9Α與第2雷射光 使 31 201103878 立地沿塗佈別進行如直到照射結束 光9A與第2雷射光9B將在照射結束 為止。第！雷射 以，經第1雷射光9A加執炫— 处會合並重叠。所

加熱熔融的密封玻螭將會融八 /、1弟2雷射光9B 置F處發生縫隙的情形。 $ &可抑制照射結束位 如第I9圖所示，僅使第2雷射光 定點照射的第1雷射光9 Α輪六仃▼描時，藉由將 的程度，便可將第1雷射光9雄二1:::，狀態 度控制於既定範圍内。第2雷射光_輸出密 單獨使塗佈獅融的範圍内。即便在使此=於可 與第1雷射光9Α同時照射的情況下，亦是以同時昭射 度Γ超過以溫度範圍之方式來控制以雷射光= 出在度。又’亦可將第2雷射光9Β的輸出密度控制成僅在照 射開始附近及照射結束附近才降低的狀態。 如第2〇圖所示，使第1與第2雷射光9Α、犯進行掃描 時，係分別控制成單獨可使塗佈層·融的輸出密度。在同 時受到第1雷射光9Α與第2雷射光9Β照射之部分的溫度恐 有超過既定範圍之虞的情況下，便控制成其中至少一雷射 光的輸出在、度僅在照射開始附近與照射結束附近才降低。 第1雷射光9Α與第2雷射光9Β的輸出密度可同時調變，亦可 僅使其中一者調變。使第1雷射光9Α與第2雷射光9Β的輸出 密度調變時，亦可具有時間差地進行調變。 對密封材料膏的塗佈層8進行照射之雷射光9Α、96並 不侷限於一對，亦可使用複數對雷射光。此種情況下，使 32 201103878 密封材料膏的框狀塗佈層8因應雷射光的對數(配對(pair)數) 而分割為複數區域。當僅使其中之一雷射光進行掃描時， 便在複數區域所相鄰接之部分，分別設定各區域内的照射 開始位置與照射結束位置。複數對雷射光中，使各對中之 一雷射光持續照射於照射開始位置，並使各對中之另—雷 射光從各區域内的照射開始位置起至照射結束位置為止， 沿框狀塗佈層8 一邊進行掃描一邊施行照射。使經掃描的雷 射光在照射結束位置與照射在照射開始位置的其他對雷射 光重疊》 再者’使一對雷射光之兩者均進行掃描時，則使框狀 塗佈層8因應雷射光的對數(配對數)分割為複數區域。於複 數區域的中間部分分別設定照射開始位置，並於複數區域 所相鄰接之部分分別設定照射結束位置。使複數對雷射光 分別照射於複數區域的照射開始位置。使各對雷射光八另 從照射開始位置朝反方向沿框狀塗佈層進行照射。使各雷 射光在照射結束位置與其他對的雷射光重疊。 第21圖顯示使用二對雷射光（第1對雷射光91八、91B與 第2對雷射光92A、92B)時的掃描例。首先，將塗佈層8分割 為第1與第2區域8 A、8B。於各區域8 A、8B的中間部分分別 設定照射開始位置SI、S2，並於複數區域8A、8B相鄰接部 分設定照射結束位置FI、F2。照射結束位置F1會成為第i 對的第1雷射光91A與第2對的第1雷射光92A之照射結束位 置。照射結束位置F2會成為第1對的第2雷射光91B與第2對 的第2雷射光92B之照射結束位置。 33 201103878 使第1對雷射光91A、91B分別在照射開始位置si處重 疊照射，並分別從照射開始位置S1起朝反方向沿框狀塗佈 層8進行掃描。第2對雷射光92A、92B亦同樣，分別在照射 於照射開始位置S2後，分別從照射開始位置S2起朝反方向 沿框狀塗佈層8進行掃描。然後，第1對的第1雷射光91A與 第2對的第1雷射光92A會在照射結束位置F1重疊。第1對的 第2雷射光91B與第2對的第2雷射光92B會在照射結束位置 F2重疊。 第22圖顯示使用四對雷射光（第1對雷射光9ia、91B、 第2對雷射光92A、92B、第3對雷射光93A、93B及第4對雷 射光94A、94B)時的掃描例。使用四對雷射光時，將塗佈層 8分割為第1、第2、第3、及第4區域8A、8B、8C、8D。於 各區域8 A、8 B、8 C、8 D的中間部分別設定照射開始位置s卜 S2、S3、S4，並於複數區域8A、8B、8C、8D所鄰接之部 分分別設定照射結束位置FI、F2、F3、F4。各對雷射光的 掃描係與使用二對雷射光時同樣地實施，並與相鄰接之對 的雷射光在照射結束位置處重疊。如此，藉由使用複數對 雷射光，便可縮短框狀塗佈層8的燒成時間。 其次，針對手法(3)進行敘述。在手法(3)中，將對密封 玻璃具有剝離性的襯板配置於框狀密封材料膏的塗佈層8 上，在此狀態下，從玻璃基板2側使雷射光9照射至塗佈層 8。當襯板具有透光性時，亦可從襯板側照射雷射光9。藉 由在密封材料膏的塗佈層8上配置襯板，利用在該等之間所 生成的凡得瓦耳力及表面摩擦等，已熔融之密封玻璃的流 34 201103878 動受阻，雷射光9的照射開始位置與照射結束位置之間便不 易發生隙間。因而，可抑制照射結束位置發生縫隙。 襯板可使用如金屬、半導體、非氧化物系陶瓷（氮化物 系陶瓷或碳化物系陶瓷等）所構成的基板。因為該等與玻璃 間的濕潤性差’因而對密封玻璃呈現剝離性。所以，即使 在積層密封材料膏的塗佈層8與襯板之狀態下照射雷射光 9，襯板仍不會黏著於密封材料層7上。即，可獲得完整的 密封材料層7。 使用以上述密封材料膏的塗佈層8之燒成步驟而形成 有密封材料層7的第2玻璃基板2、以及此外另行製作的第1 玻璃基板1，製作OELD、PDP及LCD等使用FPD、OEL元件 的照明裝置’或是如同色素增感型太陽電池之類的太陽電 池等電子裝置。即，如第1(b)圖所示，將第1玻璃基板1與第 2玻璃基板2以該等之表面u彼此相對的方式隔著密封 材料層7予以積層。在第1玻璃基板1與第2玻璃基板2之間， 則依密封材料層7的厚度形成間隙。 其次，如第1(c)圖所示’透過第2玻璃基板2對密封材料 層7照射&封用雷射光1G °密封用雷射光1G亦可透過第1破 璃基板1，、、'射至密封材料層7。密封用雷射光10係沿框狀密 封材料層7—邊進行掃描一邊施行照射。密封材料層7會從 雷射光ίο所叫到㈣分起依序祕，—旦雷射光1〇之照 射結束’同時就會急冷固化而固接於第i玻璃基板卜然後， 使密封用雷射_跨密封材料層7全周施行照射而如第 Rd)圖所示形成將第1玻璃基板1與第2玻璃基板2間予以密 35 201103878 封的密封層11。 如此’利用由第1玻璃基板1、第2玻璃基板2及密封層 11所構成的玻璃面板來製作電子裝置12，該電子裝置12係 將配置於第1玻璃基板1與第2玻璃基板2之間的電子元件部 4予以氣密密封者。另外，本實施形態的玻璃面板並不僅侷 限於電子裝置12的構成零件，亦可應用於電子零件的密封 體或是真空雙夾層玻璃之類的玻璃構件(建材等）。 依據本實施形態的電子裝置12之製造步驟，即便在第2 玻璃基板2的表面2a上形成有有機樹脂膜或元件膜等的情 況下，仍可在不賴料造成熱損傷的情況τ，良好地形 成密封材料層7及密封層1丨。所以，可在不致使電子裝置12 的功能或可靠度降低之情況下’重現性佳地製作出氣密密 封性與可靠度均優異的電子裝置12。 實施例 其次，針對本發明的具體實施例及其評估結果進行钦 述。另外，以下的說明並非用以限制本發明者，亦可在遵 循本發明之主旨的形態下予以改變。 (實施例1) 準備：具有Bi203: 83.2質量％、β2〇3 : 5 6質量％、Ζη〇 : 10.7質量％及A1203 : G.5質量％的組成且平均粒徑1μιη的秘 系玻璃料(軟化溫度：4^：);用作低_填捕的平均粒 徑為粉末；以及’具有⑽而办彻心处 組成且平均粒徑為Ιμηι的雷射吸收材。 將上述絲系玻璃料72.7體積％、堇青石粉末22.〇體積％ 36 201103878 及雷射吸收材5.3體積％進行混合而製作出密封材料。將該 密封材料8 0質量％與載色劑2 0質量。/。進行混合，而調製出密 封材料膏。載色劑係將作為黏結劑成分的乙基纖維素(2.5 質量％)溶解於由萜品醇所構成之溶劑（97.5質量％)中而成 者。 其次’準備由無鹼玻璃（熱膨脹係數：38χ10·7Λ〇構成 的弟2玻璃基板（尺寸：9〇x9〇x〇.7mmt;)，以網版印刷法將密 封材料膏塗佈在該玻璃基板的密封區域後，再於12〇。(^><1〇 分鐘的條件下使其乾燥。密封材料膏係以乾燥後膜厚成為 20μπι線寬成為lmm之方式施行塗佈。在第2玻璃基板的表 面上形成樹脂製彩色濾光片，必需在不致對彩色濾光片造 成熱損傷的情況下，於第2玻璃基板的密封區域形成密封 層0 其次，使已形成密封材料膏的塗佈層之無鹼玻璃基板 隔著厚度〇_5mm的氧化銘基板而配置於雷射照射裝置的樣 口口固疋架上，再使波長94〇nm、點徑1.6mm、輸出密度 249W/cm的雷射光（半導體雷射）以〇 5mm/秒的掃描速度照 射於密封材财的塗佈層。以㈣溫度制定#射光照射 時的塗佈層加熱溫度，塗佈層溫度為6〇〇1。 在此種條件下照射雷射光，將密封材料膏的塗佈層予 以燒成，藉此形成膜厚為12μ〇1的密封材料層。以sem觀察 密封材料層的狀態’結果確認玻璃化良好。在密封材料層 上亦無發現有機黏結劑所造成的氣泡及表面變形等情況發 生。經測定韻材料層的殘留碳量，6確認與彻電爐燒 37 201103878 成(250°C X40分鐘）同一密封材料膏的塗佈層時同等的殘留 碳量。且，確認到並未發生對形成在玻璃基板表面上之彩 色濾光片造成熱損傷的情況。 針對上述密封材料膏的塗佈層利用雷射光施行之燒成 步驟’將雷射光之輸出變更為輸出密度348W/cm2、 448W/cm2並予以實施，結果在各條件下均獲得玻璃化良好 的密封材料層。塗佈層的溫度為673°C、87TC。此外，使 雷射光之輸出降低再赏施燒成步驟，結果僅有塗佈層表面 能進行玻璃化。此時，雷射光輸出密度為199W/cm2，塗佈 層溫度為491°C。應用已提高輸出的雷射光時，玻璃基板或 密封材料層發生了裂痕。此時的雷射光輸出密度為 497W/cm2，塗佈層溫度為965°C。 由該等結果得知’將雷射光的掃描速度設為〇.5mm/秒 時，塗佈層的加熱溫度宜為600〜900°C範圍。相對於密封玻 璃的軟化溫度(450°C)，此塗佈層的加熱溫度相當於+15〇。〇 〜+450°C範圍。 其次，將具有上述密封材料層的第2玻璃基板與具有元 件區域（已形成OEL元件的區域）的第1玻璃基板（由與第2玻 璃基板同組成且同形狀的無鹼玻璃所構成的基板）進行積 層。接著，透過第2玻璃基板，以l〇mm/s之掃描速度對密封 材料層照射波長940nm、輸出60W、點徑1.6mm的雷射光（半 導體雷射）’使密封材料層熔融並急冷固化，藉此將第1玻 璃基板與第2玻璃基板予以密封。 針對如此製得之玻璃面板的外觀，以光學顯微鏡觀察 38 201103878 玻璃基板與密封層的裂痕或破裂以及密封層的接合狀態 等’並施行評估’結果均確認屬良好。以氦氣漏⑴則試來 測定玻璃面板的氣密性，結果確認到獲得良好的氣密狀 態。又’經測定玻璃基板與密封層的接合強度，痛認到獲 得與上述使用電爐進行燒成的密封層所製得之玻璃面板同 等的強度。 (實施例2) 除了將照射密封材料膏的塗佈層之雷射光輸出密度變 更為298W/cm2並將掃描速度變更為丨mm/秒之外，其餘岣如 同實施例1般實施密封材料膏的塗佈層之燒成步驟。此時的 塗佈層孤度係637 C。藉由在此種條件下照射雷射光並將密 封材料膏的塗佈層予以燒成，而形成了膜厚^卜以的密封材 料層。以SEM觀察密封材料層的狀態，結果確認到玻螭化 良好。又，亦未發現密封材料層上發生有機黏結劑所造成 的氣泡及表面變形等情況。且，經測定密封材料層的殘留 碳量，結果確認與利用電爐施行燒成(250°Cx40分鐘）同一密 封材料膏的塗佈層時同等的殘留碳量。 針對上述密封材料膏的塗佈層利用雷射光施行之繞成 步驟’將雷射光之輸出變更為輸出密度398W/cm2、 497W/cm2並予以實施，結果在各條件下均獲得玻璃化良好 的密封材料層。塗佈層的溫度為768°C、887°C。且，使雷 射光之輸出降低再實施燒成步驟，結果僅有塗佈層表面能 進行玻璃化。此時的雷射光輸出密度為249W/cm2，塗佈層 溫度為560°C。當應用以提高輸出的雷射光時，玻璃基板與 39 201103878 密封材料層發生了裂痕。此時的雷射光輸出密度為 547W/cm2 ’塗佈層溫度為955。〇。 由該等結果得知，將雷射光的掃描速度設為lmm/秒 時’塗佈層的加熱溫度宜為63〇〜9〇(^c範圍。相對於密封玻 璃的軟化溫度(450°C)，此塗佈層的加熱溫度相當於+180°C 〜+450°C之範圍。 其次’如同實施例1，將具有密封材料層的第2玻璃基 板與具有元件區域的第1玻璃基板進行積層後，透過第2玻 璃基板對密封材料層照射雷射光，藉此將第1玻璃基板與第 2玻璃基板予以密封。第丨與第2玻璃基板與實施例丨相同， 均由無驗玻璃構成。所獲得玻璃面板係如同實施例1，外 觀、氣密性及接合強度等均優異。 (實施例3) 除了將照射密封材料膏的塗佈層之雷射光輸出密度變 更為448W/cm2並將掃描速度變更為3mm$、之外，其餘均如 同實施例1般實施密封材料膏的塗佈層之燒成步驟。此時的 塗佈層溫度為666 C。藉由在此種條件照射雷射光並將密封 材料膏的塗佈層予以燒成，而形成膜厚12pm的密封材料 層。以SEM觀察在、封材料層的狀態’結果確認到玻璃化良 好。又，亦未發現密封材料層發生有機黏結劑所造成的氣 泡及表面變形等情況。且，經測定密封材料層的殘留碳量， 結果確認到與利用電爐燒成(250°Cx40分鐘）同一密封材料 膏的塗佈層時同等的殘留碳量。 針對上述密封材料資的塗佈層利用雷射光施行之燒成 40 201103878 步驟’將雷射光之輸出變更為輸出密度647W/cm2、 746W/cm2並予以實施，結果在各條件下均獲得玻璃化良好 的密封材料層。塗佈層的溫度為790°C、897。(：。此外，使 雷射光之輸出降低再貫施燒成步驟，結果僅有塗佈層表面 能進行玻璃化。此時的雷射光輸出密度為398W/cm2，塗佈 層溫度為646°C。應用已提高輸出的雷射光時，玻璃基板與 密封材料層發生了裂痕◊此時的雷射光輸出密度為 846W/cm2 ’塗佈層溫度為i〇44°C。 由該等結果得知，將雷射光的掃描速度設為3mm/秒 時，塗佈層的加熱溫度宜為660〜900。(：之範圍。相對於密封 玻璃的軟化溫度(450°C)，該塗佈層的加熱溫度相當於+210 °C〜+450°C之範圍。 其次’如同實施例1 ’將具有上述密封材料層的第2玻 璃基板與具有元件區域的第1玻璃基板進行積層後，透過第 2玻璃基板對密封材料層照射雷射光，藉此將第1玻璃基板 與第2玻璃基板予以密封。第丨與第2玻璃基板與實施例^目 同，均是由無鹼玻璃構成。所獲得玻璃面板係如同實施例 1 ’外觀、氣密性及接合強度等均優異。 (實施例4) 除了將照射在、封材料膏的塗佈層之雷射光輸出密度變 更為497W/cm2 ’並將掃描速度變更為5mm/秒之外，其餘均 如同實施例1般實施密封材料膏的塗佈層之燒成步驟。此時 的塗佈層溫度為663°C。於此種條件照射雷射光而將密封材 料膏的塗佈層予以燒成，藉此形成膜厚12gm的密封材料 41 201103878 層。已SEM觀察在、封材料層的狀態，結果確認到玻璃化良 好。又，亦未發現密封材料層發生有機黏結劑所造成的氣 泡及表面變形等情況。且，經測定密封材料層的殘留碳量， 結果確認到與利用電爐燒成(25(rc χ4〇分鐘）同一密封材料 膏的塗佈層時同等的殘留碳量。 針對上述密封材料膏的塗佈層利用雷射光施行之燒成 步驟’將雷射光之輸出變更為輸出密度746W/cm2、 846W/cm2並予以實施，結果在各條件下均獲得玻璃化良好 的密封材料層。塗佈層的溫度為8〇3°c、858〇c。此外，使 雷射光之輸出降低再實施燒成步驟，結果僅有塗佈層表面 能進行玻璃化。此時的雷射光輸出密度為448W/cm2，塗佈 層溫度為631C。應用已提高輸出的雷射光時，玻璃基板與 密封材料層發生了裂痕。此時的雷射光輸出密度為 995W/cm2，塗佈層溫度為i〇43°C。 由該等結果得知，將雷射光的掃描速度設為5mm/秒 時，塗佈層的加熱溫度宜為680〜900。(：之範圍。相對於密封 玻璃的軟化溫度(450°〇，此塗佈層的加熱溫度相當於+230 °〇+450°C之範圍。 其次’如同實施例1，將具有上述密封材料層的第2玻 璃基板與具有元件區域的第1玻璃基板進行積層後，透過第 2玻璃基板對密封材料層照射雷射光，藉此將第1玻璃基板 與第2玻璃基板予以密封。第1與第2玻璃基板與實施例1相 同，均由無鹼玻璃所構成。所獲得玻璃面板係如同實施例 1，外觀、氣密性及接合強度等均優異。 42 201103878 (參考例） 除了將照射密封材料膏的塗佈層之雷射光的輸 變更為696WW，並將掃描速度變更秒之外二 餘均如同實施例1般實施密封材料膏的塗佈層之烤以 驟。於此條件下照射雷射光而將密封材料膏的塗佈:予二 燒成，藉此形成膜厚124„1的密封材料層。 以SEM觀察所獲得密封材料層的狀態，結果雖確 玻璃化’但卻發現表面有源自有機黏結劑的氣泡所 變形’且確認到内部有氣泡殘留。使用此種密封材料層實 施第1玻璃基板與第2玻璃基板間之雷射密封步驟，結^未 賴得良好的密封狀態與氣密性。即便是在使照射密封材 料膏的塗佈層之雷射光掃描速度設為7mm/秒的情況下，大 致上仍是相同的結果。 (實施例5) 如同實施例1，在無鹼玻璃基板（第1玻璃基板)上形成密 封材料膏的塗佈層。隔著厚度〇5mm氧化鋁基板，將此種 玻璃基板配置於與實施例丨相同的雷射照射裝置之樣品固 定架上。接著’使波長808nm、輸出密度194W/cm2之第1雷 射光定點照射在密封材料膏的塗佈層，同時使波長940nm、 輸出密度298W/cm2的第2雷射光照射於同一位置’更使第2 雷射光以1mm/秒的掃描速度沿塗佈層進行照射。使第2雷 射光在與第1雷射光之照射位置重疊時結束照射。 第1雷射光在定點照射時，塗佈層的加熱溫度成為637 C。第2雷射光以imm/秒進行掃描時，塗佈層的加熱溫度 43 201103878 成為637 C。同時照射時的塗佈層加熱溫度為91(rc。藉由 使用此種2個雷射光來燒成密封材料膏的塗佈層，而形成膜 厚12μπι的密封材料層。以SEM觀察密封材料層的狀態，結 果確認到玻璃化良好。χ，確認到在_結束位置處並未 發生縫隙。 其-人，如同貫施例1，將具有密封材料層的第2玻璃基 板與具有元件區域的第1玻璃基板施行積層後，再透過第2 玻璃基板對也、封材料層照射雷射光，藉此將第丨玻璃基板與 第2玻璃基板予以密封。所獲得之玻璃面板如同實施例】， 外觀、氣密性及接合強度等均優異。 (實施例6) 如同實施例丨’在無鹼玻璃基板（第1玻璃基板)上形成密 封材料膏的塗佈層。將此種玻璃基板隔著厚度Q5mm氧化 銘基板配置於與實施例丨相同的雷射照射裝置之樣品固定 架上。接著，使波長8〇8nm、輸出密度199界“1112之第丨雷射 光定點照射於密封材料膏的塗佈層，同時使波長94〇nm、輸 出密度448WW的第2雷射光照射於同一位置，更使幻雷 射光以3mm/秒的掃描速度沿塗佈層進行照射。第2雷射光 係在與第1雷射光之照射位置重叠時結束照射。 第1雷射光係定點照射時使塗佈層的加熱溫度成為_ C者。第2雷射光係以3〇1111/秒進行掃描時使塗佈層的加熱 溫度成為68Gt者。㈣照射時的塗佈層加熱溫度為93〇 °C。藉由使用此種2個雷射光來燒成密封材料f的塗佈層， 而形成膜厚12μηι的密封材料層。以sem觀察密封材料層的 44 201103878 狀態，結果確認到玻璃化良好。且，已確認在照射結束位 置處並未發生縫隙。 其次，如同實施例1，將具有密封材料層的第2玻璃基 板與具有元件區域的第1破璃基板施行積層後，再透過第2 玻璃基板對密封材料層照射雷射光’藉此將第1玻璃基板與 第2玻璃基板予以密封。所獲得玻璃面板如同實施例1 ’外 觀、氣密性及接合強度等均優異。 (實施例7) 如同實施例1，在無鹼玻璃基板（第1玻璃基板)上形成密 封材料膏的塗佈層。將此種玻璃基板隔著厚度〇.5mm氧化 鋁基板配置於與實施例1相同的雷射照射裝置之樣品固定 架上。接著，使波長808nm、輸出密度224W/cm2之第1雷射 光定點照射於密封材料膏的塗佈層，同時使波長94〇nm、輸 出密度497W/Cm2的第2雷射光照射於同一位置，更使第2雷 射光以5mm/秒的掃描速度沿塗佈層進行照射。第2雷射光 係在與第1雷射光之照射位置重疊時結束照射。 第1雷射光係定點照射時使塗佈層的加熱溫度成為7〇〇 =者。第2雷射光仙5聰/秒進行掃描時使塗佈層的加熱 恤度，為663 C者。同時照射時的塗佈層加熱溫度為93〇 C ,糟由使用此種2個雷射光來燒成密封材料膏的塗佈層， 而开v成膜厚12μηι的密封材料層。以刪觀察密封材料層的 狀^結果相到玻魏㈣。且，已確認在照射結束位 置處並未發生縫隙。 /、-人’如同實施例1 ’將具有密封材料層的第2玻璃基 45 201103878 板與具有元件區域的第1玻璃基板施行積層後，再透過第2 玻璃基板使雷射光照射於密封材料層，而將第1玻璃基板與 第2玻璃基板予以密封。所獲得之玻璃面板如同實施例1， 外觀、氣密性及接合強度等均優異。 (實施例8) 如同實施例1，在無鹼玻璃基板（第1玻璃基板)上形成密 封材料膏的塗佈層。將此種玻璃基板隔著厚度0.5mm氧化 鋁基板配置於與實施例1相同的雷射照射裝置之樣品固定 架上。接著’使波長940nm、輸出密度597W/cm2的雷射光 以1 mm/秒的掃描速度照射密封材料膏的塗佈層3秒鐘後， 再使雷射光輸出密度降低至348W/cm2，並以同一掃描速度 沿塗佈層進行照射。然後，在到達照射結束位置（與照射開 始位置同一位置）前3秒，使雷射光輸出密度再次上升至 597W/cm2，且於此狀態下施行照射至照射結束位置。 將雷射光輸出密度設為597W/cm2時，塗佈層加熱溫度 為ioooc。將雷射光輸出密度設為348W/cm2時的塗佈層加 熱溫度為700C。藉由使用此種經輸出調變的雷射光來燒成 密封材料膏的塗佈層’而形成膜厚12(1111的密封材料層。以 SEM觀察密封材料層的狀·態，結果確認到玻璃化良好。且， 已確認照射結束位置處並未發生縫隙。 其次，如同實施例丨，將具有密封材料層的第2玻璃基 板…、有元件區域的第丨玻璃基板進行積層後’再透過第2 玻璃基板使雷射光照射於密封材料層，藉此將第！玻璃基板 與第2玻璃基板予以密封。所獲得之玻璃面板如同實I例 46 201103878 1 ’外觀、氣密性及接合強度等均優異。 (實施例9) 如同實施例1 ’在無驗玻璃基板（第1玻璃基板)上形成密 封材料膏的塗佈層。在與實施例1相同的雷射照射裝置之樣 品固定架上’配置厚度〇.5mm之矽基板來取代厚度〇.5mm氧 化鋁基板，並在其上設置玻璃基板而使密封材料膏的塗佈 層鄰接矽基板。接著，從玻璃基板側使波長940nm、輸出密 度896W/cm2的雷射光以1 mm/秒的掃描速度沿著塗佈層照 射至密封材料膏的塗佈層。由雷射光所造成的塗佈層加熱 溫度係860°C。 以SEM觀察如此形成之密封材料層的狀態，結果確認 到玻璃化良好。且，已確認照射結束位置處並未發生縫隙。 又，如同實施例1，將具有密封材料層的第2玻璃基板與具 有元件區域的第1玻璃基板進行積層後，透過第2玻璃基板 對密封材料層照射雷射光’藉此將第1玻璃基板與第2玻璃 基板予以密封’結果所獲得之玻璃面板在外觀、氣密性及 接合強度等上均甚優異。 (實施例10) 就使用第Π圖與第13圖所示之雷射燒成裝置31來燒成 密封材料膏之塗佈層的例子進行敘述。舉例來說，雷射光 源33可使用波長808nm、最大振盪輸出8〇w的半導體雷射 (LIMO公司製）。X平台36可使用SIGMA KOKI公司製之 SGSP33-100(X)(最大移動量l〇〇mm、定位精度20μιη)。Y平 台37可使用SGSP33-200(X)(最大移動量2〇〇mm、定位精度 47 201103878 20μιη) ° 舉例來說’雷射照射頭34Α、MB係如第；23圖所示，由 下述元件所構成’即：光纖(芯g4_m、NAG22)4卜其傳 送k雷射光源33射出之雷射光；聚光透鏡（焦點距離 100mm)42 ’其將雷射光聚光並予以整形為所需照射點；攝 像透鏡43與CCD攝影元件(Μ萬像素)4心其等係用以觀察雷 射光9A、9B的照射部分；以及，雙色分光鏡45與反射鏡46， 其等僅使源自雷射光MW之照射部分的可見光線反射（雷 射光則穿透）並導向CCD攝景多元件44。此外，設有用以測 定雷射光9A ' 9B之照射部分溫度的二色式賴射溫度計 (CHINO公司製、ir_fa)47。 第24圖為流程圖，顯示利用雷射燒成裝置^之密封材 料層形成方法（密封材料膏的框狀塗佈層之燒成方法）。第25 圖則疋此時之雷射光輸出控制例。依據該等圖式針對框 狀塗佈層的燒成；5*法進行敘述^作為準備階段，以與實施 例1同樣的順序’準備已形成密封材料膏之框狀塗佈層的無 驗玻璃基板。將該玻璃基板隔著厚度G.W之氧化紹基板 配置在雷射燒成裝置31的試料台32上。玻璃基板配置成框 狀塗佈層朝上。 首先，使第1與第2雷射照射頭34A、34B移動至初始位 置（101) ’使第1與第2雷射光9A、犯分別以點m 6mm、輸 出密度4GGWW照射於框狀塗佈層㈣—處⑽）。在本實 施例中，雷射光从、则照射開始位置（同—處）為框狀塗 附層之一邊的中間點。此時，框狀塗敷層之溫度為860t。 48 201103878 其次，使X平台36動作，並使第1與第2雷射照射頭 34A、3化移動（103)，以使第1與第2雷射光9A、9B分別以 5mm/秒之掃描速度在框狀塗敷層8上相遠離。在第1與第2 雷射光9A、9B從照射開始位置移動0_8mm(點徑的1/2)後， 分別使第1與第2雷射光9A、9B的輸出上升至750W/cm2並施 行照射（104)。此時，塗附層溫度分別為8〇〇。(：。 一旦第1與第2雷射光9A、9B逼近框狀塗敷層的角部， 則停止X平台36的動作（105)，代以使Y平台37產生動作，使 5式料台32以5mm/秒的速度移動（1 〇6)。此時的雷射光9a、9B 照射條件亦為750W/cm2’塗佈層的溫度分別為8〇〇〇c。一旦 第1與第2雷射光9A、9B逼近框狀塗敷層的角部而停止丫平 台37的動作後（107) ’使X平台36動作，並使第丨與第2雷射 照射頭34A、34B移動（108) ’以使第丄與第2雷射光9A、9B 分別以5mm/秒的速度相靠近。此時的雷射光9A、9B照射條 件亦為750W/cm2，塗佈層溫度分別為8〇(rc。 在第1與第2雷射光9 A、9 B相靠近且逼近照射結束位置 (與照射開始位置相對向的框狀塗敷層之一邊的中間點）前 的0.6mm位置處，使雷射光9A、9B的輸出降低至 wWdo9)’並在照射結束位置，於第丨與第2雷射光 9A、9B重疊之狀態下停止χ平台36的動作（11〇)。此時的塗 佈層溫度為86GC。然後，停止雷射光9Α、9]8的照射⑴^ , 並使X平台36與Y平台37回歸於原點（112)。 預先使上述-連串動作程式化，若將已形成有密封材 料膏塗佈層的玻璃基板放置於試料台上並按押動作紐時， 49 201103878 上述所有的步驟便會自動執行。以上述裝置及順序來燒成 的密封材料膏塗佈層之狀態與利用電爐燒成的樣品同等， 且雷射密封性亦同等。 產業上之可利用性 本發明可利用於製造具有密封材料層之玻璃構件，或 是利用於製造平板型顯示器裝置、液晶顯示裝置亦或色素 增感型太陽電池等之電子裝置。 另外，於此援引已在2009年7月23日提出申請的日本專 利申請案第2009-171812號及已在2009年11月19日提出申 請的日本專利申請案2009-263540號之說明書、申請專利範 圍、圖式及摘要的全部内容，並納入作為本發明說明書之 揭示内容。 【圖式簡單說明】 第1(a)〜(d)圖為剖視圖，顯示本發明實施形態的電子裝 置之製造步驟。 第2圖為平面圖，顯示第1圖所示電子裝置的製造步驟 中所使用第1玻璃基板。 第3圖為沿第2圖之A-A線的剖視圖。 第4圖為平面圖，顯示第1圖所示電子裝置之製造步驟 中所使用第2玻璃基板。 第5圖為沿第4圖之A-A線的剖視圖。 第6(a)〜(c)圖為剖視圖，顯示第1圖所示電子裝置之製 造步驟中對第2玻璃基板形成密封材料層的形成過程。 50 201103878 第7圖為平面圖，顯示第1實施形態的具有密封材料層 之玻璃構件的製造裝置。 第8圖為第7圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製造 裝置正視圖。 第9圖係顯示第1實施形態的具有密封材料層之玻璃構 件的製造裝置中雷射光的輸出密度控制例者。 第10圖係顯示第1實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置中雷射光的輸出控制例者。 第11圖係顯示第1實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置中雷射光之另一掃描例者。 第12圖為平面圖，顯示第2實施形態的具有密封材料層 之玻璃構件的製造裝置。 第13圖為第12圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製 造裝置正視圖。 第14圖為平面圖，顯示第12圖所示具有密封材料層之 玻璃構件的製造裝置變化例。 第15圖係第14圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製 造裝置正視圖。 第16圖為平面圖，顯示第12圖所示具有密封材料層之 玻璃構件的製造裝置另一變化例。 第17圖係第16圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製 造裝置正視圖。 第18圖係第16圖所示具有密封材料層之玻璃構件的製 造裝置側視圖。 51 201103878 第19圖係顯示第2實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置中一對雷射光的第1掃描例者。 第20圖係顯示第2實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置中一對雷射光的第2掃描例者。 第21圖係顯示第2實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置中雷射光的另一掃描例者。 第22圖係顯示第2實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置中雷射光之再另一掃描例。 第23圖顯示實施形態的具有密封材料層之玻璃構件的 製造裝置中雷射照射頭的構造者。 第24圖為流程圖，顯示第2實施形態的具有密封材料層 之玻璃構件的製造裝置所進行的密封材料層形成方法。 第25圖係顯示第2實施形態的具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置中雷射光的輸出控制例者。 【主要元件符號說明】 卜··第1玻璃基板 8…密封材料膏的塗佈層 la…表面 8 A…第1區域 2···第2玻璃基板 2a."表面 3···元件區域 4···電子元件部 5···第1密封區域 6···第2密封區域 7···密封材料層 8B…第2區域 8C…第3區域 8D···第4區域 9.··燒成用雷射光 9A…第1雷射光 9B…第2雷射光 10…密封用雷射光 52 201103878 11…密封層 12…電子裝置 21、 31…雷射燒成裝置 22、 32…試料台 23、 32、33…雷射光源 24、 34A、34B…雷射照射頭 25、 35…輸出控制部 26、 36···Χ平台 27、 37、37Α、37Β...Υ平台 28、 38…掃描控制部 29…主控制系統 36Α…第1平台 36Β...第2Χ平台 39…主控制系統 41…光纖 42…聚光透鏡 43…攝像透鏡 44...CCD攝影元件 45…雙色分光鏡 46···反射鏡 47…二色式輻射溫度計 91Α、91Β…第1對雷射光 92Α、92Β…第2對雷射光 93Α、93Β...第3對雷射光 94Α、94Β".第4對雷射光 Dl、D2···輸出密度 F、F卜F2、F3、F4…照射結 束位置

Ml···照射開始時期 M2…掃描照射時期 M3…照射結束時期 S、S卜 S2 ' S3、S4···照射開 始位置 53

Claims (1)

1. 201103878 七、申請專利範圍： 1· 一種具有密封材料層之玻璃構件的製造方法，其特徵在 於包含： 準備具有密封區域之玻璃基板的步驟； 將含有在、封玻璃與雷射吸收材的密封材料與有機 黏結劑混合_製出之密封㈣f，麵述玻璃基板的 前述密封區域上塗佈成框狀的步驟；以及 沿前述框狀密封材料膏的塗佈層照射雷射光加 熱’-邊將前述塗佈層内的前述有機黏結劑除去，一邊 將前述密封材料燒成而形成密封材料層的步驟； 將前述雷射光照射於前述框狀密封材料膏之塗佈 層’以使前述密封材料之加熱溫度相對於前述密封玻璃 的軟化溫度τα：)係於(T+213t)以上且(τ+48〇。⑺以下 之範圍内。 2 H請專利範圍第1項之具有密封材料層之玻璃構件的 製1^方* Ί使前述雷射光沿著前述框狀之密封材料 膏的塗佈層一邊進行掃描，-邊進行照射。 二月專利範圍第2項之具有密封材料層之玻璃構件的 其係使前述雷射光以〇. 1 mm/秒以上且5mm/ t以下之fen的掃描速度進行掃描。 4·如申專利fejg第⑴項中任_項之具有密封材料層 之玻璃構件的製造方法，其係對前述框狀之密封材料膏 的塗佈層照射輪出密度為細〜觸ww之範_㈣ 雷射光。 54 201103878 5.如 申請專利範圍第243.且女 件的製造方法十項之具有密封材料層之玻璃構 使前述雷❹…'將别述雷射光之輪出密度控制成： ㈣，與 =:二_及照射結束時射之輸 層進行掃描照射 ^著别述框狀密封材料膏的塗佈 結束時期除外）的夺^ (别述照射開始時期及前述照射 6.如”專:)的輪出密度相較下更高。 r °月專利靶圍第5 製造方法，装传祐 八有密封材料層之破璃構件的 7. 的塗佈層C光沿著前述框狀密封材料膏 結束時期中之十錢則述照射開始時期與前述照射 上且(T+55(TC )以;㈣材料的加熱溫度在(Τ+350。。)以 中之前述密封前述掃描照射時期 (T着C)以下之範圍。一度在（T+2irc)以上且 如申請專利範圍第2項 製造方法，其係使作為前述雷^材料層之玻璃構件的 射成與前述框狀密封材 之至少一對雷射光照 重疊，且使前述至少1雷射光巾佈層的闕開始位置 框狀密封材料膏之塗佈層一邊進少:者沿著前述 後’於前述框狀密封材料膏的塗佈射 使2個前述雷射光重疊。 m。束位置， 8.如申請專利範圍第7項之 製造方法，其係使前述至少!33層之玻璃構件的 (U議/秒以上且w秒以下之=光中之至少-者以 描。 U下之圍的掃描速度進行掃 55 201103878 9. 如申請專利範圍第7或8項之具有密封材料層之玻璃構 件的製造方法，其係使前述一對雷射光中之一雷射光持 續照射於前述照射開始位置，並使另一雷射光從前述照 射開始位置起，沿著前述框狀密封材料膏之塗佈層一邊 進行掃描一邊進行照射，至與前述照射開始位置為同一 位置的前述照射結束位置為止。 10. 如申請專利範圍第7或8項之具有密封材料層之玻璃構 件的製造方法，其係使前述一對雷射光分別從前述照射 開始位置起，朝反方向沿著前述框狀密封材料膏之塗佈 層一邊進行掃描一邊進行照射至前述照射結束位置為 止，且在前述照射結束位置處重疊。 11. 如申請專利範圍第7或8項之具有密封材料層之玻璃構 件的製造方法，其係準備多數對雷射光作為前述雷射 光，並使前述框狀密封材料膏的塗佈層對應前述雷射光 的對數而分割為多數區域； 在前述多數區域所鄰接的部分中，分別設定前述多 數區域内的前述照射開始位置與前述照射結束位置； 使前述多數對雷射光中每對之一雷射光持續照射 於前述照射開始位置，並使每對的另一雷射光從各區域 内的前述照射開始位置起，沿著前述框狀密封材料膏之 塗佈層一邊進行掃描一邊進行照射至前述照射結束位 置為止，且在前述照射結束位置處，與照射前述照射開 始位置之其他對雷射光重疊。 12. 如申請專利範圍第7或8項之具有密封材料層之玻璃構 56 201103878 件的製造方法，其係準 光，並使前述框狀密封材//對雷射光作為前迷雷射 的對數而分割為多數ri塗佈層對應前述雷射光 卩分分別設定前述 始位置，並在前述多數區域 对開 照射結束位置； 4所雜的部分分別設定前塊 使前述多數對雷射光分別昭射 前述照射開始位置，使各對雷射光從前述的 朝反方向沿著_狀密封材·塗J二置 射二在前述照射結束位置與其他對雷射光重;仃照 13·如申。月專利範圍第1至12項中任_诏 ^ 之玻璃構件的製造方法，其係將有密封材料層 配置於前述框狀密封::封二 密封材料膏的塗佈層照射前IS 14. 如申請專利範圍第1JU3項中任 之玻璃構件的製造方法，1中前、f :之具有密封材料層 以下的厚度。 4刚心封材料層具有2_ 15 •如申請專利範圍第lil4項中 之玻璃構㈣製造核，其巾前述㈣、有=材料層 磷酸系玻璃或絲系麵所構成之前述密封破2有由錫_ 16.如申請專御請第丨心項中任 壤。 之玻璃構件的製造方法，其中前述密封材料層 體積％之範圍含有前述雷射吸收材，於〇.卜10 遠雷射吸收材係 57 201103878 由選自以^^臟㈣之至少職屬或含 有前述金屬的化合物所構成。 π·如中請專利範圍第liL16項中任—項之具有密封材料層 之破p牛的製造方法，其中前述密封材料係於5〜％體 積％之範圍含有低膨脹填充材，且該⑽脹填充材係由 選自二氧化矽、氧化鋁、二氧化鍅、矽酸錯、鈦酸鋁、 高鋁紅桎石(mullite)、蓳青石—e)、鋰霞石 (eucryptUe)、鐘輝石（spGdumene)、鱗酸結系化合物石 英固'合體驗石灰玻璃及棚石夕酸玻璃中之至少1種材料 所構成。 18. -種具有密封材料層之玻璃構件的製造裝置，其特徵在 於具備有： °式料台，係載置具有密封材料膏之框狀塗佈層的玻 璃基板，且該密封材料膏係將含有密封玻璃與雷射吸收 材的也封材料與有機黏結劑混合而調製出者； 雷射光源，係射出雷射光； 雷射照射頭，係具有使前述雷射光源所射出的雷射 光照射於前述玻璃基板之前述框狀塗佈層的光學系統； 移動機構，係使前述試料台與前述雷射照射頭之位 置作相對移動； 掃描控制部’係將前述移動機構控制成使前述雷射 光沿著前述框狀塗佈層一邊進行掃描一邊進行照射；以 及 ， 輸出控制部’係將前述雷射光之輸出控制成：使從 58 201103878 前述雷射照射頭照射至前述框狀塗佈層之雷射光的照 射開始時期及照射結束時期中之輸出密度，與前述雷射 光沿著前述框狀塗佈層進行掃描照射之時期（前述照射 開始時期及前述照射結束時期除外）的輸出密度相較下 更南。 19. 如申請專利範圍第18項之具有密封材料層之玻璃構件 的製造裝置，其中前述輸出控制部係將前述雷射光的輸 出控制成：使前述照射開始時期及前述照射結束時期中 之前述密封材料的加熱溫度相對於前述密封玻璃的軟 化溫度T(°C )在（T+350°C )以上且（T+550°C )以下之範 圍，並使前述掃描照射時期之前述密封材料的加熱溫度 在（T+213°C)以上且（T+480°C)以下之範圍。 20. 如申請專利範圍第18或19項之具有密封材料層之玻璃 構件的製造裝置，其中前述掃描控制部係將前述移動機 構控制成：前述雷射光的掃描速度係在0.1mm/秒以上且 5 mm/秒以下之範圍。 21. —種具有密封材料層之玻璃構件的製造裝置，其特徵在 於具備有： 試料台，係載置具有密封材料膏之框狀塗佈層的玻 璃基板，且該密封材料膏係將含有密封玻璃與雷射吸收 材的密封材料與有機黏結劑混合而調製出者； 雷射光源，係射出雷射光； 至少一對雷射照射頭，係分別具有使前述雷射光源 所射出的雷射光照射於前述玻璃基板之前述框狀塗佈 59 201103878 層的光學系統； 輸出控制部，係控制從前述至少一對雷射照射頭照 射前述框狀塗佈層之至少一對雷射光的輸出； 移動機構，係使前述試料台與前述至少一對雷射照 射頭之個別位置作相對移動；以及 掃描控制部，係將前述移動機構控制成：使前述至 少一對雷射光中之至少一者從前述至少一對雷射光會 重疊的照射開始位置起，沿前述框狀塗佈層一邊進行掃 描一邊進行照射至照射結束位置為止。 22. 如申請專利範圍第21項之具有密封材料層之玻璃構件 的製造裝置，其中前述至少一對雷射照射頭具有：已固 定成照射前述照射開始位置之第1雷射照射頭；及，可 進行掃描之第2雷射照射頭； 前述移動機構具有使前述第2雷射照射頭在X方向 上移動之X平台及使前述試料台在Y方向上移動之Y平 台； 且，前述掃描控制部係驅動前述X平台與前述Y平 台，以使前述第2雷射照射頭所照射的第2雷射光從與前 述第1雷射照射頭所照射第1雷射光重疊的前述照射開 始位置起，沿著前述框狀塗佈層一邊進行掃描一邊進行 照射，至與前述照射開始位置為相同位置的前述照射結 束位置為止。 23. 如申請專利範圍第21項之具有密封材料層之玻璃構件 之製造裝置，其中前述至少一對雷射照射頭具有：已固 60 201103878 定成照射前述照射開始位置之第1雷射照射頭；及，可 進行掃描之第2雷射照射頭； 前述移動機構具有使前述第2雷射照射頭在X方向 上移動之X平台及使前述X平台在Y方向上移動之Y平 台； 前述掃描控制部係驅動前述X平台與前述Y平台， 以使前述第2雷射照射頭所照射的第2雷射光從與前述 第1雷射照射頭所照射第1雷射光重疊的前述照射開始 位置起，沿著前述框狀塗佈層一邊進行掃描一邊進行照 射，至與前述照射開始位置為相同位置的前述照射結束 位置為止。 24.如申請專利範圍第21項之具有密封材料層之玻璃構件 之製造裝置，其中前述至少一對雷射照射頭具有第1雷 射照射頭與第2雷射照射頭； 前述移動機構具有使前述前述第1及第2雷射照射 頭在X方向上移動之X平台及使前述試料台在Y方向上 移動之Y平台； 前述掃描控制部係驅動前述X平台與前述Y平台， 以使前述第1雷射照射頭所照射的第1雷射光與前述第2 雷射照射頭所照射的第2雷射光，從前述第1雷射光與前 述第2雷射光重疊的前述照射開始位置起，朝向反方向 沿著前述框狀塗佈層一邊進行掃描一邊進行照射，直到 前述第1雷射光與前述第2雷射光重疊的前述照射結束 位置為止。 61 201103878 25.如申請專利範圍第21項之具有密封材料層之玻璃構件 之製造裝置，其中前述至少—對雷射照射頭具有第嶒 射照射頭與第2雷射照射頭； 前述移動機構具有使前述第丨及第2雷射照射頭在χ 方向上移動之X平台及使前述X平台在γ方向上移動之 Υ平台； 前述掃描控制部係驅動前述χ平台與前述γ平台， 以使前述第1雷射照射頭所照射的^雷射光與前述第2 雷射照射頭所照射的第2雷射光，從前述第丨雷射光與前 述第2雷射光重疊的前述照射開始位置起，朝向反方向 沿著前述框狀塗佈層一邊進行掃描—邊進行照射，直到 前述第1雷射光與前述第2雷射光重疊的前述照射結束 位置為止。 26·如申請專利範圍第21至25項中任—項之具有密封材料 層之玻璃構件之製造裝置，其中前述輸出控制部係將前 述雷射光之輸出控制成：包含前述至少一對雷射光相重 疊的前述照射開始位置與前述照射結束位置，前述密封 材料之加熱溫度相對於前述密封破璃的軟化溫度丁(。〇 係在（T+213°C)以上且(T+480°C)以下之範圍。 27·Μ請專利範_21至26項中任_項之具有 詹之玻璃構件之製造裝置’其巾前述掃描控制部係將前 述移動機構控制成：前述至少一對雷射光之掃描速度分 別在0· 1 mm/秒以上且5mm/秒以下之範圍。 28·—種電子裝置之製造方法，其特徵在於具備有： 62 201103878 準備具有第1表面之第1玻璃基板的步驟，該第1表 面設有第1密封區域； 準備具有第2表面之第2玻璃基板的步驟，該第2表 面設有對應於前述第1密封區域的第2密封區域； 在前述第2玻璃基板之前述第2密封區域上將密封 材料膏塗佈成框狀的步驟，該密封材料膏係由含有密封 玻璃與雷射吸收材的密封材料與有機黏結劑混合而調 製出者； 沿著前述框狀密封材料膏之塗佈層照射燒成用雷 射光並加熱，以使前述密封材料的加熱溫度相對於前述 密封玻璃的玻璃軟化溫度T(°c )在（T+213 °c )以上且 (T+480°C )以下之範圍，一邊去除前述塗佈層内的前述 有機黏結劑，一邊燒成前述密封材料而形成密封材料層 的步驟； 使前述第1表面與前述第2表面相對向，同時隔著前 述密封材料層層積前述第1玻璃基板與前述第2玻璃基 板的步驟；以及 透過前述第1玻璃基板或前述第2玻璃基板，對前述 密封材料層照射密封用雷射光，使前述密封材料層熔 融，而形成將設置在前述第1玻璃基板與前述第2玻璃基 板間之電子元件部予以密封之密封層的步驟。 29.如申請專利範圍第28項之電子裝置之製造方法，其係使 前述燒成用雷射光以〇. 1 mm/秒以上且5mm/秒以下之範 圍的掃描速度，一邊進行掃描一邊進行照射。 63 201103878 30. 如申請專利範圍第28項之電子裝置之製造方法，其係將 前述燒成用雷射光之輸出密度控制成：使前述燒成用雷 射光之照射開始時期與照射結束時期中之輸出密度，與 前述燒成用雷射光沿著前述框狀密封材料膏之塗佈層 進行掃描照射之時期（前述照射開始時期與前述照射結 束時期除外）的輸出密度相較下更高。 31. 如申請專利範圍第28項之電子裝置之製造方法，其係使 作為前述燒成用雷射光之至少一對雷射光照射成與前 述框狀密封材料膏之塗佈層的照射開始位置重疊，且使 前述至少一對雷射光中之至少一者沿著前述框狀密封 材料膏之塗佈層一邊進行掃描一邊進行照射後，在前述 框狀密封材料膏之塗佈層的照射結束位置使2個前述雷 射光重疊。 32. 如申請專利範圍第28至31項中任一項之電子裝置之製 造方法，其係將對前述密封玻璃具有剝離性的襯板配置 於前述框狀密封材料膏的塗佈層上後，沿著前述框狀密 封材料膏之塗佈層照射前述燒成用雷射光。 64