201102671 六、發明說明： 【發明所屬之技彳椅領滅】 發明領域 本發明係有關一能夠測試發光二極體(LED)晶片以調 查其效能並選別經測試的發光二極體晶片之發光二極體晶 片選別裝置。 c先前技術】 發明背景 發光二極體(L E D)係為一種將電轉換成光的半導體發 光元件。發光^一極體亦稱為發冷光，二極體（iurninescent diode)。發光二極體相較於習見光源而言具有許多優點，包 括尺寸較小、壽命較長、低功率消耗及高速回應性。因此， 發光一極體已廣泛使用在諸如用於汽車儀器之顯示器元 件、用於諸如光學通信光源、供數值顯示元件或計算器用 的讀卡器等各種不同電子元件之顯示燈、背光等物件的各 種不同應用中。 發光二極體係經由一磊晶製程、一晶片製程（製造 (fabrication))及一封裝製程而製成。發光二極體在經過封= 製程被封裝之後接受一測試製程。測試製程中，未正常^ 作的發光二極體(下文稱為“劣品”)係被排除，而正常運作運 發光二極體（下文稱為“良品”)則依據其效能被選別入多的 級別然後予以運送。 夕重 此處，在測試製程中，發光二極體可能由於封裝 期間造成的問題而被排除成為劣品或選別入一較低=⑺裎 3 201102671 且其可能在經歷過封裝製程之前由於其以晶片狀態（下文 稱為“發光二極體晶片”)被製造的製造製程期間所產生之問 而被排除成為劣品或選別入較低級別。 亦即’縱使封裝製程中未產生會影響發光二極體致能 的問題，亦可能發現由於發光二極體晶片製造時所產生的 問題而使發光二極體成為劣品或被選別入較低級別。 由於發光二極體晶片製造時所造成的問題而在測試製 程中被排除成為劣品之發光二極體係不必要地經歷過封骏 製程及測試製程。由於其經歷過不必要的製程，可能造成 材料成本及製程成本的損失。 對於由於發光二極體晶片製造期間所造成的問題而被 選別入較低級別之發光二極體，在封裝製程中可能追究其 被選別入較低級別的原因。結果，這在獲得精確分析結果 的過程中將耗時且不合乎成本效益。 上述問題可能導致製造採用發光二極體的產品之單位 成本增咼’亦可能導致製造發光二極體的單位成本增高。 【發明内容】 發明概要 鑒於上文，本發明係提供一能夠精確地測試發光二極 體晶片效能及成功地選別經測試的發光二極體之發光二極 體晶片選別裝置。 為了達成上述目的，本發明可包括下列組態。 根據本發明的一實施例’提供一藉由測量發光二極體 晶片的特徵以選別發光二極體晶片之發光二極體晶片選別 4 201102671 裝置。該發光二極體晶片 括一安裝構件，其組構為可在其上^括：—進給器，包 片，並用來使安裝構件旋轉於女裝一發光二極體晶 裝載在安裝構件上的裝載位置、二使發光二極體晶片被 受到測試的測試位置、及一其中、中使發光二極體晶片 構件被卸載的卸載位置之間；二-極體晶片從安裴 旁邊並用來將待測試的發光二極體曰其裝設於進给器 置之安裝構件上;—測試器，心:裝栽位 :量處於測試位置之發光二極體晶二:旁:並用來 态，其裝設於進給器旁邊並用來 ' ，—卸栽 件却載經測試的發光二極體晶片。^裁位置之安裳構 根據本發明的一實施例，安裝構 由一含右誃害7； P 體或一部份可 有藍寶石、石央、玻璃、鐵合金、鋼合金、銘 :錄鋼、硬金屬、金及軸任-者之材料製成。並且 褒構件的整體或-部份係可覆蓋以― ’安 物或-面鏡塗覆物、或者鍵覆以金或麵。 〇η)塗覆 根據本發明的一實施例，進給器可包括在徑向 —旋轉軸線延狀複數個支雜架，且安裝構件係 複數個支撐框架各者的一端部分處。 Ά於 根據本發明的一實施例，卸載器可位居裝栽器的相對 處且進給器介於其間。 根據本發明的一實施例，發光二極體晶片選別裝置玎 進一步包括一補償單元，其裝設於裝載器與測試器之間戒 測試器與卸載器之間，並用來補償安裝於安裝構件上之發 201102671 光二極體晶片的一位置。補償單元係包括：一補償機構， 其能夠被帶領而接觸於發光二極體晶片的一側向表面；及 一致動機構，其連接於補償機構並用來藉由移動補償機構 以改變安裝於安裝構件上之發光二極體晶片的位置。 根據本發明的一實施例，補償機構係包括一第一補償 構件，其被帶領而接觸於發光二極體晶片的一側；及一第 二補償構件，其被帶領而接觸於發光二極體晶片的另一側。 根據本發明的一實施例，致動機構可在容許第一補償 構件及第二補償構件趨近或退離位於第一補償構件與第二 補償構件之間的發光二極體晶片之方向中移動第一補償構 件及第二補償構件。 根據本發明的一實施例，補償機構可進一步包括一第 三補償構件，其具有一第一接觸表面以被帶領而接觸於發 光二極體晶片的一側；一第二接觸表面以被帶領而接觸於 發光二極體晶片的另一側；及一發光二極體晶片容納溝 槽，其設置於第一接觸表面與第二接觸表面之間並組構為 可在其中容納發光二極體晶片。 根據本發明的一實施例，致動機構可切換於一其中當 發光二極體晶片只保持接觸於第一接觸表面而不接觸於第 二接觸表面之時使致動機構移動第三補償構件的模式及一 其中當發光二極體晶片只保持接觸於第二接觸表面而不接 觸於第一接觸表面之時使致動機構移動第三補償構件的模 式之間。 根據本發明的一實施例，發光二極體晶片選別裝置可 6 201102671 進一步包括一感測器單元，其裝設於補償機構上方；並用 來偵測安裝構件上的一發光二極體晶片安裝位置。 根據本發明的一實施例，發光二極體晶片選別裝置可 進一步包括一第一移除單元，其裝設於卸載位置與裝載位 置之間的一第一移除位置處；並用來移除已穿過卸載位置 之安裝構件上的其餘部分。 根據本發明的一實施例，第一移除單元可包括：一體 部；及一鼓風單元，其耦合至體部的一側並用來喷注一流 體以從處於第一移除位置之安裝構件移除其餘部分。 根據本發明的一實施例，第一移除單元可進一步包括 一空氣吸取單元，其耦合至體部的另一側並用來吸取從喷 注單元所喷注的流體。 根據本發明的一實施例，發光二極體晶片選別裝置可 進一步包括一第二移除單元，其裝設於卸載位置與裝載位 置之間的一第二移除位置處；並用來移除已穿過卸載位置 之安裝構件上所留存的一黏劑。 根據本發明的一實施例，第二移除單元可包括：至少 一接觸構件，其被帶領而接觸於已穿過卸載位置之安裝構 件的一頂表面；一支撐構件，其可旋轉地耦合至接觸構件； 及一驅動單元，其耦合至支撐構件並用來轉動接觸構件。 根據本發明的一實施例，第二移除單元可包括：至少 一接觸構件，其被帶領而接觸於已穿過卸載位置之安裝構 件的一頂表面；一支撐構件，其耦合至接觸構件；及一移 動單元，其耦合至支撐構件並用來移動支撐構件。 7 201102671 根據本發明的一實施例，裝載器可包括：一進給機構， 其用來進給複數個待測試的發光二極體晶片；一裝載單 元，其用來揀取一待測試的發光二極體晶片且將發光二極 體晶片安裝於位居裝載位置的安裝構件上；及一第一進給 單元，其用來移動進給機構以容許待測試的發光二極體晶 片位居一其中使裝載機構能夠揀取待測試的發光二極體晶 片之第一揀取位置處。 根據本發明的一實施例，裝載器可進一步包括一第一 冷卻單元，其用來冷卻進給機構。 根據本發明的」實施例，第一冷卻單元可包括一第一 喷注單元，其用來喷注一冷卻氣體朝向被支撐於第一進給 單元上之進給機構。 根據本發明的一實施例，裝載單元可包括：一裝載視 覺單元，其位居第一揀取位置上方；一裝載楝取器，其裝 設於裝載視覺單元下方且設有一第一空氣吸取孔以吸引位 居第一揀取位置之發光二極體晶片；及一第一傳遞構件， 其耦合至處於第一空氣吸取孔的一側之裝載揀取器並用來 傳遞已穿過第一空氣吸取孔的光。 根據本發明的一實施例，卸載器可包括：一緩衝器總 成，其裝設於測試器旁邊；及一選別總成，其裝設於緩衝 器總成旁邊。緩衝器總成包括一卸載單元，其用來進行一 卸載製程以從位居卸載位置的安裝構件棟取經測試的發光 二極體晶片並將經測試的發光二極體晶片傳送至一第一容 納機構，且選別總成包括一選別單元，其用來將經測試的 8 201102671 發光二極體晶片從第一容納機構傳送至與經測試的發光二 極體晶片之一級別呈現對應之一第二容納機構；及一第二 進給單元，其用來當支撐第一容納單元之時移動第一容納 單元以容許經測試的發光二極體晶片位居一其中使選別單 元能夠揀取經測試的發光二極體晶片之第二揀取位置處。 根據本發明的一實施例，選別總成可進一步包括一第 二冷卻單元，其用來冷卻第一容納機構。 根據本發明的一實施例，第二冷卻單元可包括一第二 喷注單元，其用來噴注一冷卻氣體朝向由第二進給單元所 支撐之第一容納機構。 · 根據本發明的一實施例，選別單元可包括：一選別視 覺單元，其位居第二揀取位置上方；一選別揀取器，其裝 設於選別視覺單元下方且設有一第二空氣吸取孔以吸引位 居第二揀取位置之發光二極體晶片；及一第二傳遞構件， 其耦合至處於第二空氣吸取孔的一側之選別揀取器並用來 傳遞已穿過第二空氣吸取孔的光。 根據本發明的一實施例，卸載器可包括一裝設於測試 器旁邊之分級總成，且該分級總成可包括一分級機構，其 上設置有經測試的發光二極體晶片；及分級單元，其用來 將經測試的發光二極體晶片從位居卸載位置的安裝構件傳 送至分級機構。 根據本發明的一實施例，分級機構可包括：複數個倉 區塊，其上根據級別放置有經測試的發光二極體晶片；一 移動板，其上設置有複數個倉區塊；及一致動元件，其用 201102671 來移動倉區塊藉以容許倉區塊位居一其中使分級單元能夠 放置經測試的發光二極體晶片之選別位置處。致動元件係 移動移動板以容許與分級單元所揀取之經測試的發光二極 體晶片級別呈現對應之倉區塊位居選別位置處。 圖式簡單說明 可連同圖式參照下文描述清楚地瞭解本揭示： 第1圖係為根據本發明之一發光二極體晶片測試裝置 的示意立體圖； 第2圖為一進給器的示意立體圖； 第3圖為第2圖的·Α-Α橫剖視圖，其顯示一安裝構件； 第4圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一安裝 構件的示意立體圖； 第5圖為第4圖的Β-Β橫剖視圖； 第6圖為根據本發明之實施例的另一修改範例之一安 裝構件的示意橫剖視圖； 第7圖為根據本發明之發光二極體晶片測試裝置的示 意正視圖； 第8圖為顯示一接觸單元、一運動單元及一第一傳送構 件之示意立體圖； 第9圖為第8圖的分解立體圖； 第10圖為第8圖的D-D橫剖視圖； 第11及12圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示在根 據本發明的發光二極體晶片測試裝置中被測試之一發光二 極體晶片的一狀態； 10 201102671 第13圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光 二極體晶片測試裝置的示意正視圖； 第14至17圖顯示用於描述一測試發光二極體晶片的製 程之操作狀態； 第18圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸 運動單元的示意立體圖； 第19圖為第18圖的分解立體圖； 第20至22圖顯示用於描述一利用根據本發明之實施例 的修改範例之接觸運動單元來測試發光二極體晶片之製程 的示意性操作狀態； 第23圖係為顯示接觸單元、運動單元、第一傳送構件 及一第二傳送構件之示意分解圖； 第24圖為顯示第23圖的組件之耦合的側橫剖視圖； 第25至27圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示根據 本發明之實施例的一修改範例之一第二傳送構件； 第2 8圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一 測量單元、一接觸單元及一主體部的示意立體圖； 第2 9至3 0圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一 接觸單元的立體圖； 第31圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一包 括一接觸單元的發光二極體晶片測試裝置之示意立體圖； 第3 2圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一發 光二極體晶片測試裝置的示意正視圖； 第33圖為顯示第32圖的一測試位置之示意放大圖； 11 201102671 第3 4圖為根據本發明之發光二極體晶片選別裝置的示 意平面圖； 第35圖為一第一進給機構及一第一進給單元的示意立 體圖； 第36圖為第35圖的側視圖； 第37圖為一第一進給體部、一第一進給支撐元件及一 裝載單元之示意立體圖； 第3 8圖係為顯示第3 7圖的一部份L之示意放大側橫剖 視圖， 第39圖為顯示第一進給單元及裝載單元之示意立體圖； 第40圖為顯示一第一儲存單元之示意立體圖； 第41圖描繪一第一轉移單元之示意立體圖； 第42圖為第一進給體部、第一進給支撐元件、裝載單 元及一第一冷卻單元之示意立體圖； 第43至45圖為第42圖的一部份Μ之示意放大側視圖，顯 示根據本發明之實施例的一修改範例之一第一冷卻單元； 第4 6圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一進給 器的示意平面圖； 第47及48圖為顯示一第一補償單元的一操作關係之示 意立體圖； 第49圖為一第二補償單元之立體圖； 第50圖為第二補償單元的一第二補償機構之分解立體圖； 第51圖為一第三補償構件之放大立體圖； 第52圖為顯示第二補償單元的一操作關係之正視圖； 12 201102671 第5 3圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一進給 器的示意平面圖； 第54及55圖為一第三補償單元的一操作關係之示意立 體圖； 第56圖為一第四補償單元之立體圖； 第57圖為第四補償單元的一第四補償構件之分解立體圖； 第58圖提供一第六補償構件之放大立體圖； 第59圖為顯示第四補償單元的一操作關係之正視圖； 第60圖為顯示根據本發明的一安裝構件、一旋轉構件 及一第一移除單元之示意平面圖； 第61圖為顯示根據本發明的第一移除單元之示意立體圖； 第62圖為顯示根據本發明的第一移除單元、旋轉構件 及安裝構件之示意側視圖； 第63圖為顯示根據本發明的第一移除單元之部份橫剖 視圖； 第64圖為顯示根據本發明的安裝構件、旋轉構件、第 一移除單元及一第二移除單元之示意平面圖； 第65圖為顯示安裝構件及第二移除單元之示意側視圖； 第66及67圖為根據本發明的第二移除單元之示意圖； 第68圖為一卸載單元之示意立體圖； 第69圖為一第一容納機構及一第一容納單元之示意立 體圖； 第70圖為一第二儲存單元的示意立體圖； 第71圖為一第二轉移單元之示意立體圖； 13 201102671 第72圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一包括 一卸載單元的發光二極體晶片選別裝置之示意立體圖； 第73圖為第72圖的平面圖； 第7 4及7 5圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一 第二儲存單元的示意立體圖； 第76圖為第二轉移單元及一第三轉移單元之示意立體圖； 第77圖為第一容納機構及一第二進給單元之示意立體圖； 第78圖為第78圖的側視圖； 第79圖為一第二進給體部、一第二進給支撐元件、及 一選別單元之示意立體圖； 第80圖為顯示第79圖的一部份T之示意放大側橫剖視圖； 第81圖為選別單元之示意立體圖； 第82圖描繪第二進給體部、第二進給支撐元件、選別 單元及一第二冷卻單元之示意立體圖； 第83至85圖為第82圖的一部份U之示意放大側剖視 圖，顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第一冷卻 單元； 第86圖為一第二容納機構及一第二容納單元之示意立 體圖； 第87圖為一第三儲存單元之示意立體圖； 第88圖為一第四轉移單元之示意立體圖； 第8 9圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一 包括一卸載單元之發光二極體晶片選別裝置的一部份性組 態之示意立體圖； 14 201102671 第90圖為第89圖的平面圖。 【實施方式】 發明之詳細說明 下文中’將參照附圖詳細描述根據本發明之一發光二 極體晶片選別裝置的實施例。 現參照第1至34圖，根據本發明之一發光二極體晶片選 別裝置10係包括一發光二極體晶片測試裝置1，一裝載器 4，及一卸載器9。發光二極體晶片測試裝置1係包括一進給 器2及一測試器3，而測試器3包括一測量單元31，一接觸單 元32，一第一傳送構件33(顯示於第8圖），一接觸運動單元 34及一主體部35。 首先，將根據本發明的一實施例詳細地描述發光二極 體晶片測试裝置1—亦即進給器2及測試器3。 第1圖為根據本發明之發光二極體晶片測試裝置的示 意立體圖，第2圖為進給器的示意立體圖；第3圖為第2圖的 A-A橫剖視圖，顯示一安裝構件；第4圖為根據本發明之實 把例的修改|巳例之_安裝構件的示意立體圖；第巧圖為第 4圖的B-B橫剖視圖；第6圖為根據本發明之實施例的另一修 改範例之-安裝構件的示意橫剖視圖；第7圖為根據本發明 之毛光-極體日0片κ裝置的示意正視圖；第8圖為顯示接 觸單元、料及第-傳送構件之輕合的示意立體圖； 第9圖為第8圖之分解立體圖；第1〇圖為第$圖之μ橫剖視 圖；第11及12圖提供第7圖的-部份C之放大圖，以顯示在 根據本發_發光二極體晶以㈣裝置中所測試之一發光 15 201102671 二極體晶片的一狀態；第13圖為根據本發明之實施例的一 修改範例之發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第14 至17圖顯示用於描述一測試發光二極體晶片的製程之操作 性狀態；第18圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一 接觸運動單元的示意立體圖；第19圖為第18圖之分解立體 圖；第20至22圖顯示用於描述一利用根據本發明之實施例 的修改範例之接觸運動單元來測試發光二極體晶片的製程 之示意操作性狀態；第23圖為顯示接觸單元、運動單元、 第一傳送構件及一第二傳送構件之示意分解圖；第24圖為 顯示第23圖的組件之耦合的側橫剖視圖；第25至27圖提供 第7圖的部份C之放大圖，以顯示根據本發明之實施例的一 修改範例之一第二傳送構件；第28圖為顯示根據本發明之 實施例的一修改範例之一測量單元、一接觸單元及一主體 部的示意立體圖；第29至30圖為根據本發明之實施例的一 修改範例之立體圖；第31圖為根據本發明之實施例的一修 改範例之一包括一接觸單元之發光二極體晶片測試裝置的 示意立體圖；第32圖為根據本發明之實施例的一修改範例 之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第33圖為顯 示第33圖的一測試位置之示意放大圖。 參照第1圖，發光二極體晶片測試裝置1係包括進給器2 及測試器3。測試器3係包括測量單元31，接觸單元32，第 一傳送構件33(顯示於第8圖），接觸運動構件34及主體部35。 <進給器> 參照第1及2圖，進給器係進給一待測試發光二極體晶 16 201102671 片至一其中使測量單元31能夠測量發光二極體晶片的一光 學特徵之測試位置。進給器2可包括一或多個安裝構件21， 一旋轉構件22及一旋轉單元23。 參照第1至3圖，一發光二極體晶片係安裝在安裝構件 21上。發光二極體晶片安裝在安裝台上之後，發光二極體 晶片藉由一空氣吸取元件F(顯示於第11圖）被吸引至安裝構 件21上以穩固地固持於其上。空氣吸取元件ρ可裝設於旋轉 構件22處。空氣吸取元件F能夠經由一設置於安裝構件21 中的通孔21a吸取空氣來吸引安裝台21上所安裝之發光二 極體晶片。安裝構件21可形成一圓柱形形狀。 複數個此等安裝構件21可裝設於旋轉構件22處。隨著 旋轉單元23轉動旋轉構件22，安裝構件21可順序性位居一 測試位置TP處。當各安裝構件21位居測試位置TP處，安裝 構件21被定位測量單元31下方。 安裝構件2丨係用來在其上吸引及固持發光二極體晶 片。因為數個發光二極體晶片被接續地安裝於安裝構件21 上’安裝構件2丨可由一具有高硬度的材料製成或被其塗 覆。理想上’安裝構件21可由一具有高反射率（refiectivity) 的材料製成或被其塗覆，藉以當光被送往或反射往安裝構 件21時容許發光二極體晶片所發射的光被送到測量單元 31 ’藉此防止產生光學損失。 可特別想要使安裝構件21由一在一測量波長頻帶或與 其接近的波長頻帶内—亦即約2〇〇 nm至約1000 nm的波長 頻帶内具有固定高反射率之材料製成或被其塗覆。也就是 17 201102671 說，當光被送到放置有發光二極體晶片處除外之一安裝構 件21的頂表面區及一安裝構件21的側向表面區時，若光被 安裝構件21大量吸收，則發光二極體晶片的光學特徵將未 被精確測量。理想上，因此，安裝構件21可由一在測量波 長頻帶或與其接近的波長頻帶内具有高反射率之材料製 成。尚且，當複數個安裝構件21具有不同反射率時或隨著 長時間使用後當安裝構件21磨損而使各安裝構件21的反射 率相對於其初始狀態產生改變時，發光二極體晶片的光學 特徵可被精確測量。因此，想要將安裝台21的反射率設定 成固定維持在測量波長頻帶及與其接近的波長頻帶内之高 數值。 同時，發光一極體晶片若是水平型，電極只在一封裝 製程期間形成於發光二極體晶片的一頂表面上。然而，發 光二極體晶片若是垂直型，單—電極係形成於發光二極體 晶片的頂表面上，而發光二極體晶片的一下部份則作為另 一電極。可能想要測量發光二極體晶片在與封裝後的環境 最為相同之條件下的特徵。為此，若是垂直型晶片，電力 需被傳導通過發光二極體晶片的下部份。因此，接觸到垂 直型發光二極體晶片的下部份之安裝構件21係需由一高傳 導材料製成藉以當發光二極體晶片發光時降低電阻。 如上述，考量到抗磨性、硬度、反射率、傳導率及類 似因素，為了以高可靠度穩定地測量發光二極體晶片的光 學特徵，整體安裝構件21或安裝構件21的一部份可由一含 有藍寶石、石英、玻璃、鐵合金、銅合金、紹合金、不錢 18 201102671 鋼、硬金屬、PTEE(聚四氟乙烯）、金、鉑及銀的任一者之 材料製成。整體安裝構件或安裝構件的一部份係可覆蓋以 一面鏡塗覆物、或者鍍覆以金、鉑或銀。 同時，安裝構件21可包括一接觸構件211及一第一安裝 體部212。 接觸構件211可耦合至第一安裝體部212的一側212a並 被帶領而接觸於發光二極體晶片。接觸構件211可由一高傳 導材料製成。譬如，接觸構件211可由譬如金、鉑、或銀製 成。尤其’接觸構件211可藉由金、鉑或銀塗覆第一安裝體 部212而形成。當發光二極體晶片製成藉由接觸單元32而發 光時’接觸構件211能夠降低發光二極體晶片的電阻。為 此’發光二極體晶片測試裝置1能夠測量發光二極體晶片的 光學特徵及電性特徵。 第一安裝體部212耦合至旋轉構件22。接觸構件211耦 合至第一安裝體部212的一側212a。第一安裝體部212可形 成一圓柱形形狀。 如上述，當接觸構件211由一具有高傳導率及高反射率 的材料製成時’其可具有一相對較低的硬度。在此例中， 若安裝構件21上的發光二極體晶片作重覆放置，接觸構件 211可能易於磨損。 為防止此問題，第一安裝體部212可設有複數個突件 2121 ’其在面朝測量單元31的一方向（以箭頭〇代表)從處於 測試位置tp的發光二極體晶片突起。突件2121可形成於第 一女裳體部212的一側212a上。藉由形成突件2121，第一安 19 201102671 裝體部212的一側212a亦可設有複數個溝槽2122，其從測量 單元31在一面朝放置於測試位置的發光二極體晶片之方向 (以箭頭Η代表）凹入一特定深度。 接觸構件211可耦合至第一安裝體部212藉以被插入突 件2121之間。亦即，接觸構件211可形成於第一安裝體部212 的一側212a以被插入溝槽2122中。為此，由於存在有被插 入溝槽212 2中之接觸構件211而能夠長期使用安裝構件 21，縱使發光二極體晶片被重覆放置於安裝構件21上亦 然’藉此容許發光二極體晶片的效能受到精確測量。 各突件2121可具有一矩形平行六面體形狀。然而，各 突件2121可形成矩形平行六面體形狀以外的另一形狀，諸 如半球形，只要安裝構件211可被插入突件2121之間即可。 可藉由將溝槽2122形成於第一安裝體部212的一側 212a以製備突件2121。溝槽2122的一部份可沿著一第一方 向呈長形，而溝槽2122的另一部份可沿著垂直於第一方向 的一第二方向呈長形。藉由此配置，溝槽2122彼此相交， 其中因此使突件2121可以一格構圖案形成於第一安裝體部 212的一側212a。第一方向及第二方向可能未彼此垂直，而 是其非直角的角度相交。尚且，溝槽2122可能形成於三或 更多個不同方向。 參照第1至5圖，根據本發明之實施例的一修改範例之 一安裝構件21係可包括一接觸構件211及一第一安裝體部 22，如下述。 接觸構件211係耦合至第一接觸體部211的一側212a並 20 201102671 被帶領而接觸於一發光二極體晶片。接觸構件211可由一高 硬度材料製成。譬如，接觸構件211可由藍寶石、石英、玻 璃、鐵合金、銅合金、鋁合金、不銹鋼、硬金屬、或PTEE(聚 四氟乙烯）製成。為此，縱使發光二極體晶片重覆放置於安 裝構件21上，亦可防止接觸構件211容易被磨損。一其中可 供接觸構件211插入之耦合溝槽2123係可形成於第一安裝 體部212的一側212a。耦合溝槽2123可從測量單元31在朝向 位居測試位置TP上的一發光二極體晶片之方向（以箭頭η代 表）凹入一特定深度。 耗合溝槽2123可譬如形成一圓形板形。耗合溝槽2123 可形成與接觸構件211實質相同的形狀藉以容許接觸構件 211插入其中。耦合溝槽2123可形成碟形以外的另一形狀， 诸如一矩形板形或類似物。耗合溝槽2123可形成與接觸構 件211實質相同的尺寸。接觸構件211可藉由插入配合至耦 合溝槽2123中而被耦合至第一安裝體部212。接觸構件211 亦可藉由一黏劑或類似物被黏著至第一安裝體部212。 如上述’若接觸構件211由一具有高硬度的材料製成， 該材料可具有低反射率。譬如，若接觸構件由藍寶石、石 英、玻璃、鐵合金、銅合金、铭合金、不錄鋼、硬金屬、 或ΡΤΕΕ(聚四氟乙烯）製成，則從一發光二極體晶片發射的 光可能有些部份未抵達測量單元31。 為防止此問題，安裝構件21可進一步包括一反射構件 213。反射構件213可被插入耦合溝槽2123中以位居接觸構 件211與第一安裝體部212之間。反射構件213係反射從發光 21 201102671 二極體晶片發射的光藉以容許光抵達測量單元31。從發光 二極體晶片往下發射的光係被反射構件213所反射且因此 可被送到測量單元31。反射構件213可由一具有高反射率的 材料製成。譬如’反射構件213可藉由面鏡式塗覆一金屬或 一知ί脂材料所形成。藉由此組態，可容許較大量的光抵達 測置單元31 ’藉此容許發光二極體晶片測試裝置1更精確地 檢測發光二極體晶片的效能。 可使將被帶領而接觸於耦合溝槽212 3之接觸構件211 的一側211a作面鏡式塗覆’藉以製備反射構件213。譬如， 接觸構件211可由藍寶石製成，且藉由面鏡式塗覆將被帶領 而接觸於耦合溝槽2123之接觸構件211的一側211a，從發光 二極體晶片發射的光可被送到測量單元31。在此例中，即 便藍寶石製成的接觸構件211反射率隨著其表面因為反覆 使用接觸構件211受損而劣化時，因為藍寶石的後表面為面 鏡式塗覆，即便隨時間經過仍可固定維持高水準的反射率。 置於安裝構件21中的通孔21a係可形成經過接觸構 件211，第一安裝體部212及反射構件213。空氣吸取元件 F(顯示於第11圖）係能夠經由通孔21a吸取空氣藉以吸引安 裝構件21上所安裝的發光二極體晶片。 參照第1至6圖，根據本發明之實施例的又另一修改範 例之一女裝構件21係可進一步包括一第二安裝體部214。 第一安裝體部214係包括一通孔，上方安裝有一發光二 極體晶片之第一安裝體部212的部分係插入經過該通孔。第 二安裝體部214可耦合至第一安裝體部212，使得上方安裝 22 201102671 有發光二極體晶片之第一安裝體部212的部分插入經過第 二安裝體部214的通孔。 第二安裝體部214的一頂表面及第一安裝體部212的— 頂表面係可位居不同高度。如第6圖所示，第一安裝體部212 可形成為使其頂表面突出高於第二安裝體部214的頂表 面。雖未圖示，第二安裝體部214可形成為使其頂表面突出 尚於第一安裝構件212的頂表面。第二安裝體部214可形成 一圓柱形。 第一女裝體部214設有一傾斜表面2141，其用來將發光 二極體晶片往下發射的光送往測量單元31。在此例中，測量 單元31可位居被置於測試裝置TP之發光二極體晶片上方。 可藉由形成一以一特定厚度自第二安裝體部214的頂 表面凹入之傾斜溝槽2142來製備傾斜表面214。傾斜溝槽 2142可升）成為沿著一往下方向（以箭頭H代表）從第二安裝 體部214的頂表面呈窄化。為此，傾斜表面2142可在一往外 方向（以箭頭E代表）呈傾斜。第二安裝體部214可形成一圓 柱形，且傾斜溝槽2142可形成為隨著從第二安裝體部214頂 表面往下而使其直徑逐漸減小。 曰因為存在有傾斜表面2142，將可容許較大量的光抵達 里單元31 ’根據本發明的實施例之發光二極體晶片測試 襄置1可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。傾斜表面 2141可由-具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如， 、，表面2141可藉由拋光一金屬或_金屬合金的一表面予 、製備’或者可藉由面鏡式塗覆—金屬一樹脂材料或類 23 201102671 似物予以製備。 參照第1及2圖，旋轉構件22裝設於主體部35旁邊。 複數個安裝構件21可裝設於旋轉構件22處。旋轉構件 22可被旋轉單元所轉動。當旋轉構件22被轉動，安裝構件 21以及裝載於安裝構件2+1上之待測試的發光二極體晶片係 可順序性位居測試位置TP處。 更確切來說，複數個安裝構件22可當其相對於一旋轉 軸線22a以彼此相同的角度間隔分佈之時被配置於旋轉構 件22處。藉由此配置，旋轉單元23係以相同角度重覆旋轉 單元23的轉動及停止，安裝構件21可順序性位居測試位置 TP處。 譬如’八個安裝構件21可裝設於旋轉構件22處同時相 對於旋轉軸線22a以約45。的角度間隔彼此分開。在此例 中，由於旋轉單元23重覆地轉動旋轉構件22約45。及停止旋 轉構件22的轉動，安裝構件21可順序性位居測試位置TP 處。或者，十二個安裝構件21可相對於旋轉軸線22a以約30。 的角度間隔裝設於旋轉構件22處。在此例中，由於旋轉單 元22重覆地轉動旋轉構件22約30。及停止旋轉構件22的轉 動’安裝構件21可順序性位居測試位置τρ處。 亦即，當裝設於旋轉構件22處的安裝構件21數定義為 N(N是大於1的整數），可裝設n數量的安裝構件21同時其彼 此相對於旋轉軸線22a以（360/N)。的角度間隔分佈。由於旋 轉單元23重覆地轉動旋轉構件22 (360/N)。然後停止轉動， 安裝構件21可被順序性放置於測試位置τρ處。理想上，偶 24 201102671 數個的安裝構件22可被裝設於旋轉構件22處。 當安裝構件21的任一者位居測試位置τρ時，另一安裝 構件21可位居一其中使一待測試的發光二極體晶片受到裝 載之裝載位置LP’同時安裝構件21的另一者可位居一其中 使一經測試的發光二極體晶片被卸載之卸載位置ULP。 一發光二極體晶片係被裝載於位居裝載位置LP之安裝 構件21上並在其被移至測試位置Tp之後作測試。然後’測 試完成之後，發光二極體晶片被移至卸載位置以從安裝構 件21被卸載。亦即，進給器2能夠將待測試的發光二極體晶 片進給至測試位置TP並將經測試的發光二極體晶片送到卸 載位置ULP。可藉由一組構為可轉移發光二極體晶片但未 圖示之轉移部件來進行將一待測試的發光二極體晶片裝載 至位居裝載位置LP的安裝構件21上之製程以及將一經測試 的發光二極體晶片從位居卸載位置ULP的安裝構件21作卸 載之製程。 安裝構件22可裝設於旋轉構件22處以使至少一安裝構 件22同時位居測試位置TP、裝載位置LP及卸載位置ULP的 各者處。 旋轉構件22可包括支撐框架22卜其上裝設有各別的安 裝構件21。旋轉構件22可包括與安裝構件21相同數量的支 撐框架221。譬如，若八個安裝構件21設置於旋轉構件22 處’旋轉構件22可包括八個支撐框架221。在此例中，支標 框架221可相對於旋轉軸線22a以約45。間隔彼此分開。支撐 框架221可裝設成使其從旋轉軸線22a往外呈長形藉以位居 25 201102671 測试位置TP、裝載位置Lp及卸載位置ULp處。 安裝構件21可裝設於支撐框架221的頂表面上。空氣吸 取元件F(顯示於第11圖）可裝設於各支撐框架221的一底表 面。一與安裝構件21的通孔21a(顯示於第丨丨圖）呈現導通之 通孔22b(顯示於第11圖）係可設置於其中裝設有安裝構件21 之支撐框架221的部分中。通孔2ia&22b可譬如形成圓柱形。 參照第1及2圖，旋轉單元23係轉動旋轉構件22藉以使 安裝構件21順序性位居測試位置TP處。旋轉單元23可耦合 至旋轉構件22的一底表面並用來沿旋轉軸線22a轉動旋轉 構件22。 旋轉單元23可包括一馬達231。馬達231係組構為可藉 由直接耦合至旋轉軸線22a或藉由耦合至與旋轉軸線22a連 接之一未圖示的軸來轉動旋轉構件22。若馬達231裝設於一 與未圖示的軸分開一特定距離之位置，旋轉單元23可進一步 包括一滑輪及一皮帶，其用於連接馬達231及未圖示的軸。 <測試器> 參照第1至7圖，測試器3裝設在旋轉構件21旁邊且能夠 測試一位居測試位置TP之發光二極體晶片。如上述，測試 器3係可包括測量單元31，接觸單元32，第一傳送構件幻(顯 示於第8圖）’接觸運動單元34及主體部35。 測量單元31係包括一光接收孔311(顯示於第丨丨圖），以 供液晶顯示裝置(LCD)晶片發射的光經由其被導入。測量單 元31係連接於一測試元件（未圖示），該測試元件係能夠分析 發光二極體晶片上的一測試結果、且能夠與測量元件合作 26 201102671 從經由光接收孔311導入的光來測量發光二極體晶片的一 光學特徵。光學特徵可包括明度 '波長、光通量、照明、 頻譜分佈、色溫等等。可使用一積分球作為測量單元31。 測量單元31可耦合至主體部34以使光接收孔311位居 發光二極體晶片上方。一光譜儀及一光偵測器的至少一者 可裝設於測量單元31處。譬如，測量單元31可形成一球形 且光接收孔311可形成一圓形。 參照第1至10圖，接觸單元32可連接於測試元件並能夠 與測試元件（未圖示）合作使發光二極體晶片發光。測量單元 31能夠測量發光二極體晶片的光學特徵。為此，接觸單元％ 能夠與測試元件合作以測試發光二極體晶片的一電性特徵。 接觸單元32可包括一或多個接觸銷針321及一耦合至 接觸運動單元34之接觸體部322。接觸單元32可被水平移動 且亦可藉由接觸運動單元34而被上下移動。與測試元件合 作，接觸單元32能夠使接觸於接觸銷針321之發光二極體晶 片發光。接觸單元32可包括複數個此等接觸銷針321。可使 用—探針卡作為接觸單元32。 接觸體部322可包括與接觸銷針321呈電性連接之一或 夕個終端3221。接觸銷針321係耦合至接觸體部322同時其 保持接觸於終端3221。接觸銷針321可經由終端3221電性連 接於測試元件。接觸體部422可包括複數個終端3221，且連 接銷針321可耦合至終端3221的各者。 接觸體部322可耦合至接觸運動單元34藉以位居測量 單几31與接觸於接觸銷針321的發光二極體晶片之間。測量 27 201102671 單元31可位居接觸體部322上方，而置於測試位置TP之發光 二極體晶片可位居接觸體部322下方。 接觸體部322可設有一插入孔3222供接觸銷針321插 過。接觸銷針321的一側係連接於接觸體部322頂表面上所 形成之終端3221，而接觸銷針321另一側則在插過插入孔 3222之後被帶領而接觸於恰位居接觸主體部322下方的發 光二極體晶片。從發光二極體晶片發射的光係可在穿過插 入孔3222及光接收孔311(顯示於第丨丨圖）之後抵達測量單元 31内側。譬如，接觸體部322可形成一四邊形板形，而插入 孔3222可形成一圓形。 接觸單tl32可包括—連接單元323。至少一連接終端 3D3係形献接觸料322的__側，且接觸體部您可經由 連接終端3223電性連接於連接單元323。連接單元323可連 接於測试το件（未圖示）’且接觸銷針321可經由接觸體部M2 及連接單元323電性連接於測試元件（未圖示）。 連接單70323可包括一連接溝槽3231供接觸體部32: 入其内。接觸體部322可在其插入連接溝槽則内的一側 括至少-連祕端3223。連接單元奶可被可麟地麵合 接觸運動翠元34，且接繼部322可獅人連接單元323中 位居測ϊ早131與處於職位置τρ的發光二極體晶片之皮 參照第1至11圖，第-傳送構件33係裝設於接觸單元 與位居Κ位置ΤΡ的發光二極體晶片之間。為此，在發 二極體晶片職裝置1中，由於測量單元與發光二極體 片之間隙的—部份會被第—傳送構件33所阻絕，從發光 28 201102671 極體晶片發射之後穿過測量單仙與發光二極體晶片之間 隙的光量相較於習見案例而言會降低。 第—傳送構件33可麵合至接觸運動單元34。為此，當 接觸單元32需錢_，可與第—傳送構件33分離只更換 接觸單元32。 ' 第-傳送構件33係包括_第_穿孔331及— 表面332 第一傳送 第—穿孔331可形成經過第-傳送構件33。接觸銷針 321可在插過第-穿孔331之後接觸到位居第—傳送構攸 下方之發S二極體晶ρ亦即，接觸銷針321可在插過第— 穿孔331之後被帶領而接觸於位居職位置τρ之發光二極 體晶片。從發光二極體晶片發射的光可在穿過第_穿孔33ι 及光接收孔3U线抵制量單元31_。為此，接觸銷針 321可被帶領而接觸於發光二極體晶片而不被第一傳送構 件33所阻絕，且從發光二極體晶片發射的光可抵達測量單 元31内側而不被第一傳送構件33所阻絕。 第一傳送構件33的第一穿孔331可形成為使其尺寸從 測量單元31在一面朝位居測試位置τρ的發光二極體晶片之 方向（以箭頭Η代表）逐漸減小。亦即，第一穿孔331可形成 為使其直徑從第一傳送構件33的一頂表面33a在一往下方 向（以箭頭Η代表）逐漸減小。第一穿孔331可形成為使其直 徑從第一傳送構件33的頂表面33a在往下方向（以箭頭^^代 表)逐漸減小，且其可具有一半球形。 第一傳送表面3 3 2係將發光二極體晶片發射的光傳送 29 201102671 朝向測量單元31藉以料光經由光接收孔311抵達測量單 元31内側。在一側向方向中從發光二極體晶片發射的光係 可藉由第一傳送表面332的存在而被傳送至測量單元31。藉 由此組態’由於有較大量的光可抵達測量單元31内側，發 光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶 片的效能。第-傳送表面332可由—具有高反射率的材料製 成或被其塗覆。詳細來說，第一傳送表面332可藉由抛光一 金屬或-金屬合金的-表面予以製備’或者可藉由面鏡式 塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。 “第-傳送表面332可沿著第一穿孔331的―外表面形成 藉以將從發光二極體晶片所發射的光傳送朝向測量單元 3卜亦即’如第10圖的放大圖所示，第一傳送表面332可形 成為使其隨著從第-傳送構件331的_底表面咖在一往上 方向（以箭頭G代表)行進而遠離第一穿孔332的一中μ。若 第-穿孔3卿成半球形，第—傳送表面班刊成一彎曲 表面形狀。 第一傳送構件33可進一步包括_第一突出構件如。 第—突出構件3 3 3可職為使其從位居測試位置T P的 發光二極體晶片突出於面朝測量單元31的方向(以箭職 表）。亦即’第-突出構件333可形成為從第—傳送構抑 的頂表面33a突起於往上方向（以箭則代表）。第一突出構 件333可插入於插入孔3222中》 第一突出構件333可設有-從第-傳送表面332延伸之 第一傾斜表面3331。第-傳送表面332及第—傾斜表面則 30 201102671 可形成呈現相同傾斜。亦即，第—傳送表面332及第一傾斜 表面现可形成為使其形成單曲狀表面。藉由此組 態’第一傳送表面332及第-傾斜表面伽能夠將從發光二 極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31。 為此，因為第一傳送構件33用於將從發光二極體晶片 發射的光傳送朝向之面積增大，可有較大量的光抵達測量 單凡31内側’所以發光二極體晶片職裝置丨能夠更精確地 檢測發光二極體晶片的效能。第—傾斜表面3331可由一具 有高反射率㈣料料級其塗覆。#如，第—傾斜表面 3331可由抛光一金屬或一金屬合金予以製備，或可藉由面 鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。 參”、、第1至U圖’接觸運動單元34可包括一接觸支樓機 構341，接觸麵合機構342及一接觸揚升機構343。 接觸支撐機構341係支持接觸單元32。接觸單元32可經 由接觸搞合機構342被可脫離式麵合至接觸支撑機構糾。 第—傳送構件33耦合至接觸支撐機構341藉以位居接觸單 心2下方。為此，當由於液晶顯示裝置晶片種類改變或接 觸銷針321損㈣需要更換接觸單元32時，可以與第一傳送 構件33獨立只更換接觸單元32。 接觸體部322及連接單元323的至少-者可#合至接觸 支撐機構341。接觸支撐機構341設有—通孔供第一傳送構 件33插入其中。第—傳送構件％可藉由—被插人通孔中的 插入配合機構而被耦合至接觸支撐機構34卜第一傳送構件 33可在插人通孔中之後藉由—諸如螺栓等緊固構件耗合至 31 201102671 接觸支撐機構341。 接觸支撐機構341可耦合至接觸揚升機構343。當接觸 支撐機構341藉由接觸揚升機構343被上下揚升接觸單元 32及輕合至接觸支撐機構341的第—傳送構件邮可被上 下移動。接觸支推機構341可形成-四邊形板形，其從接觸 揚升機構343在一面朝測量單元31的方向呈長形，。 接觸耦合機構342可容許接觸單元32被可脫離式耦合 至接觸支撐機構341。可使用一諸如螺栓等緊固構件作為接 觸耗合機構342。制單元32可具有-通孔供接觸麵合機構 342插過且接觸支撐機構341可具有一接合於接觸搞合機 構342之溝槽。 參照第1至12圖，接觸揚升機構343能夠在一垂直方向 (第2圖所示的Z方向）移動接觸單元32 ^接觸揚升機構343能 夠降低接觸單元32藉以容許接觸銷針321被帶領而接觸於 發光二極體晶片。發光二極體晶片的測試完成時，接觸揚 升機構343能夠升高接觸單元32同時防止接觸銷針321及發 光二極體晶片因為其間接觸而受損。 接觸揚升機構343能夠上下揚升接觸支撐機構341藉以 谷s午第一傳送構件33位居一第—位置或一第二位置。接觸 支撐機構341係耦合至第一傳送構件33。 當第一傳送構件33位居第一位置時，第一傳送構件33 被定位於安裝構件21上方，如第u圖所示。接觸揚升機構 343能夠升高接觸支撐機構341藉以使第一傳送表面332的 一下端332a位居安裝構件21的頂表面21b上方。當第一傳送 32 201102671 位居第-位置時，接觸銷針321係位居與安裝構件21 卷光一極體晶片分開一特定距離之一位置。 當第—傳送構件33位居第二位置時，第一傳送構件33 =位居-其中使安裝構件21插入第一穿孔331中之位置，如 ^ '料ϋ送構件33的底表®>33b係位居安 件21的頂表面21b下方。接觸揚升機構343_降低接 觸支標機構⑷藉以容許第_傳送表面Μ2的下端3似位居 安褒構件2i_表面21bT方。#第—傳送構件现居第二 位置時’接觸騎321係接觸於安裝構件21上所裝載之發光 極體aa片’且接觸單（32係使與接觸針321呈接觸之發 光二極體晶片發光。 此組態中，在側向方向中從發光二極體晶片發射的光 係藉由第-傳送表面332被送往測量單元21，可有較大量的 光抵達測量單元31的内側。為此，發光二極體晶片測試裝 置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。 若發光二極體晶>|位制試位置τρ,接觸揚升機構3 4 3 係降低接觸支樓機構341藉以容許第—傳送構件幻位居第 二位置。發光二極體晶片的測試完成時，接觸揚升機構343 係升高接觸支撐機構34i藉以容許第一傳送構件幻位居第 一位置。其後，旋轉單元23能夠轉動旋轉構件22。 為此，即便當旋轉構件22旋轉時，可防止安裝構件21 及安裝構件21上所裝載的發光二極體晶片碰撞到第一傳送 構件33及接觸銷針32b若-新的發光二極體晶片被裝載於 測試位置TP，旋轉單元23將停止旋轉構件22，且接觸揚升 33 201102671 機構343將降低接觸支樓機構341藉以容許第—轉移構件幻 位居第二位置。 接觸揚升機構343係能夠利用一馬達；及一輕合至馬達 及接觸單7032各者之連接部件來上下移動接觸單元32。連 接部件可為-滑輪及—皮帶，—滾珠螺桿，—凸輪構件或 類似物。接觸揚升機構343可組構為·—液壓缸或一氣動 缸來揚升接觸單元32。 此處’裝載於測試位置TP之發光二極體晶片可能並未 ^是被安裝在安裝構件21上的相同位置上。#發光二極體 晶片在裝載位置LP被裝載於安裝構件21上時，發光二極體 晶片可能未被置於-特定的預設位置，或者發光二極體晶 片在安裝構件21上的—安裝狀態可能隨著發光二極體晶片 從裝載位置LP被攜載至測試位置τρ時受到—離心力移動 而改變°為了即便在此案例中仍達成精確測試，接觸運動 單元34可進一步包括一接觸運動機構344，其在水平方向 (第1圖所示的X及Y方向）移動接觸單元32。 接觸運動機構344能夠移動接觸單元32藉以使接觸銷 針321位居—可使其接觸到發光二極體晶片之位置。接觸揚 升機構34可耗合至接觸運動機構344。接觸運動單元Μ能 夠藉由移動接觸揚升機構343來移動接觸單元32。接觸支撐 機構341可耗合至接觸運動機構料4,且接觸運動機構糾可 輕合至接觸揚升機構343。 接觸運動機構344係組構為利用—液壓缸或一氣動缸 來接觸單元32。接觸運動機構344係可組構為利用一馬達； 34 201102671 及一福合至馬達及接觸單元32各相連接料來移動 單元32。連接部件可為1輪及-皮帶，滾珠螺桿，一凸 輪構件或類似物。 接觸運動機構344可進一步包括 ――^ _接觸運動單元 观’其組構為在-第—水平方向（χ軸方向，顯示於第上 圖）移動接觸單元32;及-第二接觸運動機構·，其組構 為在-第二水平方向（方向，顯示於第_移動接觸單 接觸揚升機構343可轉合至第二接觸運動機構3442，而 第二接觸運動_3442射衫至第__接觸運動機構 344i。接觸揚升機構343可輕合至第—接觸運動機構3441， 而第-接觸揚升機構可耦合至第二接觸機構3442。 雖未圖示，接觸運動機構3 44係組構為以一用於感測發 光二極體晶片在安裝構件2!上的安裝狀態之感測器單元 (未圖示)所獲取的發光二極體晶#㈣f訊縣礎將接觸 早tl32移動至一其中可使接觸銷針321被帶領而接觸於發 光二極體晶片之位置。感測器單元(未圖示）能夠檢查發光二 極體晶片在安裝構件21上之一安裝位置。感測器單元(未圖 示）可包括一CCD攝影機，其能夠對於發光二極體晶片在安 裝構件21上的安裝狀態攝取一影像。 此處’裝載於裝載位置之發光二極體晶片可能並未總 是在相同方向安裝於安裝構件21上。當一發光二極體晶片 裝載至處於裝載位置LP的安裝構件21上時，發光二極體晶 片可能未於一特定預設方向被裝載，或者可能隨著發光二 35 201102671 b曰片從裝載位置Lp被捣載至測試位置τρ時被一離心 力轉動而使發光二極體晶片在安裝構件21上的—安裝狀態 改變。 為了即便在此案例中仍達成精確測試，接觸運動單元 34可進—步包括—接觸旋轉機構345(顯示於第13圖）。 參照第1至4圖，接觸旋轉機構345組構為可轉動接觸支 標機構341||以谷許接觸銷針321被帶領*接觸於位居測試 位置TP之發光。接觸支標機構糾可⑭合至接觸 旋轉機構345。當接觸旋轉機構345轉動接觸支撲機構341， 耗合至接觸切機構341之接觸單元32係可被轉動。 藉由此組態，由於以發光二極體晶片在處於測試位置 TP的安裝構件21上之絲狀態為基礎當接觸單元32被轉動 時可今許接觸銷針3 21精密地接觸於位居測試位置τρ之發 光二極體晶片，發光二極體晶片測試裝置1係能夠更精確地 檢測發光二極體晶片的效能。 接觸旋轉機構345可包括_接觸旋轉構件3451，一接觸 驅動機構3452及一接觸耦合機構3453。 接觸支標機構341係輕合至接觸旋轉構件34S1。接觸旋 轉構件3451可被可旋轉^^合至接觸麵合機構MM並可組 構為可藉由接觸驅動機構3452沿—接觸旋轉軸線345 i a旋 轉。當接贼轉構件3451旋轉，接觸支#機構⑷可被旋轉， 且為此，耦合至接觸支撐機構341之接觸單元32可被旋轉。 接觸驅動機構3 4 5 2能夠沿接觸旋轉軸線345丨a轉動接 觸旋轉構件3451。接觸驅動機構3452能夠轉動接觸旋轉構 36 201102671 藉以谷δ午接觸銷針3 2丄被帶領而接觸於位居測試裝 iTpn㈣晶片。接觸驅動機構3452能夠在順時針 ’、、寺針方向/σ接觸旋轉軸線345la轉動接觸旋轉機構 3451。 接觸驅動機構3452可包括-馬達3452P馬達3452a可 、且構為可藉由直餘合至接觸旋轉軸線34仏來驅動接觸 旋，構件3452W驅動接觸旋轉構件3452，或者其可組構為 可糟由耗合至-與接觸旋轉構件3仙連接之軸(未圖示）以 驅動方疋轉構件22。若馬達34似裝設於__與未圖示的轴分開 特疋距離之位置，接觸驅動機構3452可進—步包括一滑 輪及一皮γ，其連接馬達231及未圖示的軸。 接觸旋轉構件3451及接觸驅動機構遍係連接至接觸 耗合機構3453。接觸旋轉構件3451可搞合至接觸耗合機構 3453的-頂表面，而接觸鶴機構·可耗合至接 機構3453的一底表面。 口 接觸輕合機構3453可耗合至接觸揚升機構343,而接觸 揚升機構343可耦合至接觸運動機構344。此組態中，接觸 耦合機構3453可藉由接觸揚升機構343被上下移動並可藉 由接觸運動機構344在第一水平方向（X軸方向，顯示於第ι 圖）及第二水平方向(Υ軸方向，顯示於第1圖）被移動。接觸 耦合機構3453可粞合至接觸運動機構344，而接觸運動機構 344可耦合至接觸揚升機構343。 此處，接觸旋轉機構345可依據接觸旋轉軸線3451£1的 -位置而^以兩種不同方式實行。下文，可參照附圖依序 37 201102671 描述兩範例。 如第14圖的放大圖所示，一發光二極體晶片可包括兩 個塾P1及P2 ’且發光二極體“係在各㈣及咖觸於接 觸銷針3 21之時被測試。若發光二極體晶片在第i 4圖的放大 圖所顯示的-位置及方向被裝餘安裝構件21上之時置於 測試位置tp’可容許接觸銷針321接觸到塾^及^而不必在 一水平方向移動或轉動接觸單元32。然而，如上述發光 -極體晶片在絲構件21上的安裝狀態可因為不同理由而 改變。 為了在此例中達成發光二極體晶片的精確測試，在根 據第-範例的接觸旋轉機構345中’接觸驅動機構3452係組 構為可沿與接觸於發光二極體晶片的接觸銷針3 2丨一端 321a分離一特定距離之接觸旋轉軸線345U來轉動接觸旋 轉構件3451。亦即，接觸驅動機構3452能夠沿位居測試位 置TP的安裝構件21往㈣分離-歡距離之接觸旋轉轴線 3451a來轉動接觸旋轉構件3451。 參照第1至17圖，下文將描述根據第一範例之一藉由接 觸旋轉機構345帶領接觸銷針321接觸於發光二極體晶片之 製程。第15至17圖為描述根據第一範例之接觸旋轉機構3 * 5 的一操作性原理之示意圖，其中圖式顯示第14圖的放大圖 及接觸旋轉軸線3451a » 首先’發光一極體晶片可在從第14圖所示位置及方白 旋轉一特定距離及一特定角度之後以如第15圖所示的一狀 態位居測試位置TP處。第15圖的一虛線係代表處於如第14 38 201102671 圖所示位置及方向之發光二極體晶片在安裝構件21上的一 女裝狀態，而第15圖的一實線則代表處於測試位置τρ的發 光一極體晶片如上述因為不同理由被移動或轉動之後的發 光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態。 此狀態中，接觸驅動機構3452以一與位居測試位置的 發光二極體晶片被旋轉角度呈現對應之角度沿接觸旋轉軸 線3451a轉動接觸旋轉構件3451。接觸驅動機構3452能夠在 一逆時針方向沿接觸旋轉軸線345 ia轉動接觸旋轉構件 3451，如第16圖所不。在此例中，接觸單元32將被接觸驅 動機構343先行升鬲藉以不會碰撞到位居測試位置τρ的安 裝構件21及發光二極體晶片。第一傳送構件％可位居第一 位置。 接觸銷針3之1以容許其被帶領而接觸於位居測試位置 τρ的發光二極體晶片之各別墊Ρ1&Ρ2的角度被旋轉之後， 接觸運動㈣344係移動賤支_構341藉以使接觸銷針 321位居處於測試位置ΤΡ之發光二極體晶片的墊ρι&ρ2上 方’如第17®所示。可以接觸運動機構撕在第—水平方向 (X軸方向，顯示於第丨圖）及第二水平方向（γ軸方向，顯示 於第1圖）移動接觸揚升機構343之方式來實行此運動。 若接觸銷針321位居被置於測試位置τρ之發光二極體 晶片的塾Ρ1及Ρ2上方’接觸揚升機構343係降低接觸 單元 32’因此谷δ午接觸銷針321接觸到位居測試位置τρ之發光二 極體；的各義Ρ1&Ρ2。可藉由接騎升機構343降低接 觸搞合機構则來實行此物。帛—傳送構件讲被接觸 39 201102671 揚升機構343降低並因此位居第二位置。 參照第1至13圖及第18至20圖，根據第二範例的接觸旋 轉機構345中，接觸驅動機構3452係組構為可沿一被定位於 位居測試位置ΤΡ的安裝構件21下方之接觸旋轉軸線3451a 轉動接觸旋轉構件3451。位居測試位置τρ之安裝構件21係 可被定位於接觸單元32與接觸旋轉軸線3451a之間。 接觸旋轉構件3451可包括一耦合至接觸支撐機構341 之垂直框架3451b及一可旋轉式耦合至接觸耦合機構3453 之水平框架3 451 c。接觸驅動機構345 2係能夠沿設置於水平 框架3451c處之接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件 3451。 垂直框架3451 b係可形成於一容許裝載於測試位置τ p 的安裝構件21位居接觸單元32與水平框架3451c之間的高 度位置處。水平框架345 lc可從垂直框架345lc朝向位居測 試位置TP的安裝構件21呈長形藉以容許接觸旋轉軸線 3451a被定位於處於測試位置τρ的安裝構件21下方。接觸旋 轉構件3451譬如可形成一 “l”形。 為此，相較於根據上述第一範例之接觸旋轉機構345， 此第二範例中，從接觸銷針321的一端321a至接觸旋轉軸線 3451a之距離可減小。因此，接觸銷針32〖轉動藉以被帶領 而接觸到處於測試位置之發光二極體晶片的各別墊汛及？2 之後，接觸運動機構344移動接觸支撐機構341藉以使接觸 銷針321位居處於測試位置τρ之發光二極體晶片的墊以及 P2上方之一距離係可減小。 40 201102671 接觸驅動機構3452係能夠沿與被帶領而接觸到發光二 極體晶片之接觸銷針321—端321a相同的垂直線J上所設置 之接觸旋轉軸線3451a來轉動接觸旋轉構件3451。若接觸單 元32包括複數個接觸銷針321，接觸旋轉軸線321a可位居與 複數個接觸銷針321至少一者的一端321a相同之垂直線J處。 接觸驅動機構3452能夠沿位居與插入孔3222中心相同 的垂直線I (顯示於第10圖）上之接觸旋轉軸線3451a轉動接 觸旋轉構件3451。接觸旋轉軸線3451a可位居與第一穿孔 331及插入孔3222的中心相同之垂直線I處。 若接觸旋轉軸線345la位居與插入孔3222中心相同之 垂直線I上，下文將參照第13圖及第18至2〇圖描述根據第二 範例之一藉由接觸旋轉機構345帶領接觸銷針321接觸於發 光一極體晶片之製程。 首先，發光二極體晶片可在從第14圖所示位置及方向 轉動一特定距離及一特定角度之後以如第2〇圖所示狀態位 居測試位置TP。第20®中，-虛線係代表處於如第14圖所 不位置及方向之發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀 態，而一實線則代表處於測試位置TP的發光二極體晶片因 為如上述的不同理由被移動或轉動之後的發光二極體晶片 在安裝構件21上的一安裝狀態。 此狀態中，接觸驅動機構3452係以與位居測試位置的 發光二極體晶片被轉動的角度呈現對應之_角度沿接觸旋 轉轴線3451a轉動接職轉構件345卜接觸鶴機構搬 能夠在逆時針方向沿接觸旋轉麟345_動接觸旋轉構 41 201102671 件3451，如第21圖所示。 接觸銷針3 21以容許其被帶領而接觸到位居測試位置 ΤΡ之發光二極體晶片的各別墊pi及Ρ2之角度被轉動之後， 接觸運動機構344係移動接觸支撐機構341藉以使接觸銷針 321位居處於測試位置之發光二極體晶片的墊pi及Ρ2上 方’如第22圖所示。可以接觸運動機構344在第一水平方向 (X軸方向，顯示於第1圖）及第二水平方向軸方向，顯示 於第1圖）移動接觸揚升機構343之方式來實行此運動。相較 於根據上述第一範例之接觸旋轉構件345，此第二範例中， 接觸運動機構344係使接觸支撐機構341移動一較短距離， 而仍容許接觸銷針3 21位居處於測試位置τρ之發光二極體 晶片ΤΡ的塾Ρ1及Ρ2上方。 若接觸銷針3 21位居處於測試位置τρ之發光二極體晶 片的塾Ρ1及Ρ2上方，接觸揚升機構343降低接觸單元％，因 此容許接_針321接觸到位居測試位置叮之發光二極體 曰曰片的各⑺墊Ρ1及Ρ2。可以藉由接觸揚升機構343降低接觸 柄合機構则來實行此鄉。第—傳送構扣可被接觸揚 升機構343降低並因此位居第二位置。 ⑽參照第13圖，主體部34係裝設於進給器2旁邊。接觸運 動早7034及測07031輕合至主體部34。主體部％可包括 量:元31且在-水平方向呈長形之第-框架 351 箭頭Η代表）呈長形之 框架353。接 第一框架352;及一麵合至第二框架352之第 觸運動單元W合至第三框㈣—頂表面。接觸揚升機 42 201102671 構343或接觸運動機構344可龄至第三框架353的頂表面。 參照第1至26圖，發光二極體晶片測試聚置1可進一步 包括一第二傳送構件36。 _第二傳送構件30可輕合至接觸運動單元34藉以位居測 里年兀31與接觸單元32之間。藉由此（態，發光二 片賴裝置1中，由於測量單咖與接觸單元32之-間隙: 一部份會被第二傳送構件36所阻絕，穿過測量單元仙發 光二極體晶片之間隙的光量會進—步降低。接觸單元训 搞合至接觸運動單心藉以位居第—傳送構件如第二傳 送構件36之間。第二傳送構㈣及賴單心可分職合 至接觸支撐機構341。 第二傳送表 第二傳送構件36包括-第二穿孔361及一 面 362。 第二穿孔361可形成經過第二傳送構件36。從發光二極 體晶片發射的光可在穿過第一穿孔331、第二穿孔36ι及光 接收孔3U之後抵達測量單元31内側。為此，從發光二極體 日日片發射的光可抵達測量單元31内側而不被第一傳送構件 33及第一傳送構件36所阻絕。 旦^傳送構件36的第二穿孔361可形成為使其尺寸從 測®早7031在一面朝發光二極體晶片的方向（以箭代幻 逐漸減小。亦即，第二穿孔361可形成為使其直徑從第二傳 送構件36的-頂表面36a在—往下方向（以箭·代表）逐漸 減小。第二穿孔361可形成為使其直徑從第二傳送構件361 的頂表面36a在往下方㈣崎代表)逐漸減小。 43 201102671 第二傳送表面362係將發光二極體晶片發射的光傳送 朝向測量單元31藉以容許該光經由光接收孔311抵達測量 單元31内側。藉由此組態，由於可有較大量的光抵達測量 單元31内側，發光二極體晶片測試裝置丨能夠更精確地檢測 發光二極體晶片的效能。第二傳送表面362可由一具有高反 射率的材料製成或被其塗覆。詳細來說，第二傳送表面362 可藉由拋光一金屬或一金屬合金的一表面予以製備，或者 可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。 第二傳送表面362可沿著第二穿孔361的一外表面被形 成藉以將從發光二極體晶片所發射的光傳送朝向測量單元 31。亦即，如第24圖的放大圖所示，第二傳送表面362可形 成為使其隨著從第二傳送構件361的一底表面36b在一往上 方向（以箭頭G代表)行進而遠離第二穿孔362的一中心κ。若 第二穿孔361形成為使其直徑從第二傳送構件託的頂表面 36a在往下方向（以箭頭η代表)逐漸減小，第二傳送表面 可形成一彎曲表面形狀。 第二傳送表面362及第一傳送表面332可形成於單一彎 曲表面上。亦即，當第一傳送表面332及第二傳送表面362 麵合時，第-傳送表面332及第二傳送表面362可形成單一 彎曲表面。從發光二極體晶片發射的光可藉由第_傳送表 面332及第二傳送表面362傳送至測量單元31。 第二傳送構件36可進-步包括一能夠在其中接收接觸 銷針321之接收溝槽363。第二傳送構件财輕合至接觸支 撐機構341使其絲測量單元Μ與接觸單元32之間，同時接 44 201102671 第二傳送構件36可譬如 觸銷針321被接收於接收孔363中 形成一倒“U”形。 步包括一第二突 參照第25® ’第二傳送構件％可進— 2構件364。第25财雖將第二傳送構件•示 里單元第二傳送構件36可耗合至接觸運動機_，同 時第一犬出構件364插入光接收孔311中。 第二突出構件364可形成為使其從位居職位置⑽ 發先二極體晶片突出於面朝測量單元31的方向（以箭頭G代 突出構 表）。亦即，第二突出構件364可形成為從第二傳送構件％ 的頂表面36a突起於往上方向（以箭頭〇代表）。第 件可經由光接收孔311插入於測量單元31中。 第二突出構件363可設有-從第二傳送表面祕延伸之 第二傾斜表面逾。第三傳送表面362及第二傾斜表面遍 可形成單-彎曲表面。藉由此組態，第二傳送表面加及第 二傾斜表面3641能_從發光二減晶片飾的光傳送朝 向測量單元31。 、 為此’因為第二傳送構件36用於將從發光二極體晶片 發射的光傳送朝向之面積係增大，可有較大量的光抵達測 量單元31㈣，讀光二_“測試裝置旧夠更精確 地檢測㈣二極體晶片的效能。第二傾斜表面观可由一 具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如，第二傾斜表 面3641可藉由拋光一金屬或一金屬合金予以製備，或可藉 由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。 同時，由於苐二傳送構件36可如上述連同接觸單⑶ 45 201102671 被耗合至接觸支職構341，第二傳送構件％可具有作為防 止接觸單元32變形之強化板的功能。在此例中，可能相要 使第二傳送構件36及接觸單舰藉由—螺_合機構絲 似物被強固地耗合至彼此。 雖未圖示，可能將-分離的強化板耦合至接觸單元 %。譬如’若翻單元32為-探針卡，強化板可能係為被 麵合至探針卡的-絲面或—底表面越_止探針卡變 形之一板或—特定形狀的結構。強化板的功能在於防 止探 針卡由於一外部機械應力或熱應力而變形，諸如彎折。由 於此目的，強化板可^相較於探針卡而言具有較高強度 及/或勁度(Stiffness)及較低熱膨脹係數的材料製成。為此， 強化板可由-金屬或一金屬合金、或_諸如樹脂或陶究等 非金屬材料製成。譬如，此等材料可包括鋼、欽、錄、恒 範鋼（mVar)、柯華合金(k〇var)、石墨、環氧樹月旨、陶竞、 CFRP(碳纖強化式聚合物）、這些材料及/或其他材料的一合 金或一混合物。 參…、第1與2圖以及第25與26圖，根據一修改範例的第 二傳送構件36可耦合至測量單元31。 第一傳送構件36可耦合至測量單元34使其從測量單元 31突起於—面朝處於測試位置TP的發光二極體晶片之方向 (以箭頭Η代表）。亦即，第二傳送構件％可耗合至測量單元 31使’、從測里單元31突起於—往下方向（以箭頭Η代表）。 如第25圖所示，第二傳送構件％可耦合至測量單元 31 ’同時其突出構件364插人光触孔311巾。藉由此組態， 46 201102671 因為第二傳送構件36用於將從發光二極體晶片發射的光傳 送朝向測量單元31之面㈣增大，可有較大量的光抵達發 光二極體晶片測試裝置i中的測量單元31内側且因此可更 精確地檢測發光二極體晶片的效能。 當第二傳送構件35的第二突出構件364插入光接收孔 川中’第二傳送構件％可藉由—插人配合機雜合至測量 單元送構件36可在第二突出構件辦插人光接收 孔311中之後藉由-諸如螺栓等緊固構件被搞合至測量單 元3卜 如第26圖所不’第二傳送構件36可輕合至測量單元μ 使得測量單元31位居第二穿孔361處1二傳送構件％可藉 由插入配合機構或利用諸如螺检等緊固構件被柄合至測量 單元31。 參照第1與2圖及第27與28圖，根據另一修改範例的第 二傳送構件36可在-端耦合至測量單⑽且在另一端耗合 至接觸單元32。第二傳送構件36的另—端可耦合至接觸體 «Ρ322雖未圖示，第二傳送構件乂的—側可輕合至測量單 兀31，同時另一側可耦合至接觸支撐機構341。 、,第—傳送構件36設有一或多個插入通孔365可供接觸 銷針321插人其巾。當賴單元32包括賴個接觸銷針321 時，複數個插入溝槽365可形成於第二傳送構件财。與接 觸銷針相同數量的插人溝槽祕可形成於第二傳送構件 36中。 當接觸銷針321插入於插入溝槽365中，第二傳送構件 47 201102671 36的-側可麵合至測量單元31、同時另一側搞合至接觸主 體部322。藉由此組態，由於測量單仙與接觸單元Μ之間 隙可被第二傳送構件36所阻絕，可防止從發光二極體晶片 發射的光穿過測量單仙與發光二極體晶片之間。為此， 可有較大量的光抵達測量單元31内側，發光二極體晶片測 試襄置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。 若第二傳送構件36耦合至測量單元31及接觸主體部 322’測量單元31可被可移式輕合至主體部％。此組態中， 當接觸單元32_觸勒單元34所移_，與接觸單元Μ 連接之測量單元31亦可被移動^由於此目的，主體部例 包括一第一連接框架354，-第二連接框架奶及一第三連 接框架356。測量單元31可耗合至第三連接框架说。 第-連接框架354可麵合至第—框架351使其可被上下 移動。為此’當接觸運動單元354上下揚升接觸單元32時， 第-連接框架354亦可被上下揚升，且因此，測量單元财 被上下揚升。第一框架351可包括-LM軌道，且第-連接 架354可包括被可移式搞合至第一框架如之[Μ區塊。 第二連接框架355可耗合至第-連接框架354使其可在 第一水平方向(X軸方向)被移動。為此，若接觸運動單元34 在第-水平方向(X財向)移動關單找，第二連接框架 可在第水平方向(X轴方向）被移動，且因此測量單元 亦可在第水平方向⑽由方向)被移動。並且，第一連接 框架354可包# LM軌道’且第二連接框架355係可包括一 區塊其被可移式#合至第—連接框架354壯厘軌道。 48 201102671 第三連接框架356可耦合至第二連接框架355使其可在 垂直於第一水平方向（X軸方向）之第二水平方向（γ軸方向） 被移動。為此i若接觸運動單元34在第二水平方向（γ轴方 向）移動接觸單元32,第三連接框架356可在第二水平方向 (Y軸方向）被移動，且因此，測量單元32亦可在第二水平方 向（Y軸方向）被移動。第二連接框架355可包括一LM轨道， 且第二連接框架356係可包括一LM區塊，其被可移式耦合 至第二連接框架355的LM軌道。 測量單元31可被可旋轉式耦合至第三連接框架356。為 此，若接觸運動單元34轉動接觸單元32，測量單元31亦可 被旋轉。 如上述，由於當接觸運動單元31移動接觸單元32藉以 谷許接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試位置1?的發光 二極體晶片時測量單元31亦被移動，處於測試位置τρ的發 光二極體晶片可當其位居與光接收孔311中心相同的垂直 線處之時受到測試，而不論其在安裝構件21上的安裝狀態 如何。因此，發光二極體晶片裝置丨能夠更精確地檢測發光 二極體晶片效能。 參照第29至31圖，根據本發明之實施例的—修改範例 之接觸單元32係可包括一接觸銷針321，一第一體部324， —第二體部325 ’ 一第三體部326及一耦合構件327。接觸單 疋32可藉由接觸運動單元34被上下揚升並可在第—水平方 向(X軸方向)及第二水平方向(γ轴方向)被移動。測試器3可包 括根據本發明之實施例的修改範例之複數個接觸單元3 2。 49 201102671 接觸銷針321係耦合至第一體部324。第一體部324耦合 至第二體部325。第一體部324耦合至第二體部325。第—體 部3 24可從第二體部3 25在一面朝處於測試位置τ p之發光二 極體晶片的方向呈長形。第一體部324可電性連接於測試元 件（未圖示）’且接觸銷針321可經由第一體部324電性連接於 測s式元件（未圖示）。 接觸銷針321可經由一連接構件3241被可脫離式耗合 至第一體部324。為此’當接觸銷針321受損或破裂時，使 用者只需容易地更換接觸銷針321。即便若以一具有不同規 格的新發光二極體晶片來更換待測試的發光二極體晶片， 使用者仍可以適合發光二極體晶片規格之一新件來更換接 觸銷針321。 連接構件3241可被可旋轉式耗合至第一體部324。當連 接構件3241在一方向被旋轉，連接構件3241將一力施加至 第一體部324，使得接觸銷針321可輕合至第一體部324。當 連接構件3241在另一方向被旋轉，從連接構件3241施加至 第一體部324的力係被消除，所以可使接觸銷針321與第一 體部324分離。可使用一諸如螺栓等緊固構件(未圖示)作為 連接構件3241。 第一體部324耦合至第二體部325。第二體部325及第三 體部326可經由耦合構件327被可脫離式耦合至彼此。為 此，當接觸銷針321需作更換時，可藉由使第二體部325與 第二體部326分離以容易地分離接觸銷針321。第二體部325 可電性連接於賴7L件（未圖示），且接觸銷針321可經由第 50 201102671 -體部324及第二體部325而電性連接於測試元件(未圖示）。 第二體部325搞合至第三體部326。第二體部奶可經由 連接構件327被可脫離式輕合至第三體部汹，且第三體部 326可搞合至接觸運動體部324。當第三體部挪被接觸運動 單元324移動，第二體部325、第一體部似及接觸銷針321 亦可起被移動。第二體部326可電性連接於測試元件（未 圖示）’且接觸銷針321可經由第一體部324、第二體部325 及第三體部326而電性連接於測試元件（未圖示）。 連接構件327係可脫離式耦合第—體部325及第三體部 326。 可使用一諸如螺栓等緊固構件（未圖示）作為耦合構件 327。 參照第31至33圖，根據本實施例的一修改範例之測試 器3係可進一步釔括一接觸機構37。 接觸機構37具有一接觸部份371。接觸機構371可裝設 於旋轉構件22旁邊以使接觸部份371可接觸於位居測試位 置TP之安裝構件21。 接觸銷針3 71接觸到處於測試位置T P的接觸構件21且 接觸銷針321被帶領而接觸於發光二極體晶片之後，發光二 極體晶片可利用經由接觸單元32及接觸部份371供應的電 力而發光。接觸單元32及接觸機構37能夠與測試元件（未圖 示）合作使發光二極體晶片發光。接觸單元32及接觸機構37 能夠與測試元件（未圖示）合作測試發光二極體晶片的電性 特徵。 接觸部份37ί可被帶領而接觸於位居測試位置TP之安 51 201102671 裝構件21的一側向表面。接觸部份371可朝向位居測試位置 TP之安裝構件21呈長形。 接觸機構37可進一步包括一用於移動接觸部份371朝 向或遠離安裝構件21之接觸運動部件372。 右待測試的發光二極體晶片位居測試位置Tp，接觸運 動部件3 7 2係移動接觸部份3 71藉以容許接觸部份3 7丨趨近 位居測試位置TP的安裝構件21。接觸部份371可藉由受到接 觸運動部件3 72移動以被帶領而接觸到處於測試位置T p的 安裝構件21 » 若發光二極體晶片完成測試，接觸運動單元372係移動 接觸部份371藉以容許接觸部份371移動遠離位居測試位置 TP之安裝構件21。接觸部份371係被接觸運動部件372移動 並與位居測試位置TP之安裝構件21分開。 為此，當旋轉構件22被旋轉藉以使一新的待測試發光 一極體晶片位居測試位置TP時’可避免安裝構件21及接觸 部份371之間的接觸或碰撞。為此，可防止安裝構件21及接 觸部份371被摩擦所磨損或被碰撞所損害》 接觸運動部件372能夠利用一液壓缸或一氣動缸來移 動接觸部份371。接觸運動單元372能夠利用一馬達及一用 於將馬達的旋轉動作轉換成線性動作之轉換機構來移動接 觸部份371。轉換機構可為一滑輪及一皮帶、一齒條-小齒 輪齒輪、一滾珠螺桿、一凸輪構件或類似物。接觸部份371 耦合至接觸運動部件372。 此處’若安裝構件形成一圓柱形，接觸部份371由於其 52 201102671 被帶領而接觸於安裝構件21時已經發生的滑動或類似作用 而可能未確切接觸到安裝構件21。為了防止此問題，接觸 構件21可進一步包括—將變成接觸於接觸部份371之接觸 表面215。 接觸表面215可形成於當安裝構件21位居測試位置τ P 時面朝接觸部份371之安裝構件21的側向表面處。藉由接觸 表面215的存在’面對接觸部份317之安裝構件21的侧向表 面可形成一平面。為此，當接觸部份371被帶領而接觸於安 裝構件21時’可盡量減少接觸部份371或類似物的滑動，所 以根據本發明的發光二極體晶片測試裝置丨係能夠當接觸 部份371確切接觸於安裝構件21之時測試發光二極體晶片。 安裝構件2丨可具有一接觸表面215，且當接觸部份371 被帶領而接觸於接觸表面215時接觸表面215及接觸部份 371變成彼此垂直。安裝構件21可具有一在設有接觸表面 215處之側向表面中凹入一特定深度之接觸溝槽21(：。 根據本實施例的修改範例之接觸部份371可耦合至接 觸體部322，如第20至22圖所示。接觸部份371可耦合至接 觸體部322使其當接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試位 置TP的發光二極體晶片時接觸到位居測試位置τρ之安裝 構件21的頂表面21b。接觸部份371亦可被帶領而接觸於接 觸構件211(顯示於第3圖）。 為此，藉由接觸運動單元34移動接觸單元32，接觸銷 針3 21可被帶領而接觸於位居測試位置τ p的發光二極體晶 片且接觸部份3 71可被帶領而接觸於位居測試位置τ p之安 53 201102671 裝構件21的頂表面21b。 /照第32及33圖，根據本實施例的一修改範例之第一 起^構件33可設置於測量單元31處，使其從測量單元31突 於面朝處於測試位置的發光二極體晶片 發央一 ^ 方一玉體晶片受測試時測量單元3 i位居發光二極體晶片上 傳送構件33可形成為使其從測量單元31往下突起。 隹未圖示，第一傳送構件33可裝設於安裝構件21處使 、從女震台聽於—面朝測量單元31之方向。若當發光二 =體晶片受m树測量單元31位居發光三極體晶片上方， 〜傳讀件33可形成錢其從安裝構件21往上突起。發 光二極體晶片可位居第—傳送構件33内側。 复第-傳送構件3 3設有—溝槽3 3 4可供接觸銷針3 2丄插入 、^為此’縱制量單元31位居測f單元31與發光二極 片之間，可使第一傳送構件33靠近發光二極體晶片來 =發光二極體⑸。藉此，由於存在第-傳送構件33而 广許有從發光二極體晶片所發射較大量的光抵達測量單元 1，可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。 第-傳送構件33可形成_中空圓柱形。溝槽幻4可在一 面朝接觸單元32之财形成於傳賴件33處。第-傳送構 件33可由-具有高反射率的材料製成或被其塗覆。孽如， ^傳送構件33可藉由拋光―金屬或-金屬合金予以製 I或可藉由面鏡式塗覆-金屬、-樹脂材料或類似物予 从製備。 形成於第—傳送構件33處的溝槽334係可具有容許接 54 201102671 觸銷針321予以插過之尺寸。接觸銷針321可在穿過溝槽334 之後被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片。 參照第32及33圖，根據本實施例的一修改範例之測試 器3可進一步包括一測量揚升單元38。 測量揚升單元38可耦合至主體部34並用來上下揚升測 量單元31。測量單元31可耦合至第一框架351使其可被上下 揚升。 測量揚升單元38可當旋轉單元23轉動旋轉構件22時用 來往上揚升測量單元31。若待測試的發光二極體晶片位居 測試位置τρ，測量揚升單元38可往下移動測量單元31。為 此，根據本發明的發光二極體晶片測試裝置1係能夠測試處 於測試位置的發光二極體晶片同時發光二極體晶片保持靠 近測量單元31。 因此，由於可藉由第一傳送構件33而容許有從發光二 極體Ba片所發射較大量的光抵達測量單元31，可更精確地 檢測發光二極體晶片的效能。 右第—傳送構件33裝設於安裝構件21處，發光二極體 曰曰片測°式裝置1能夠測試發光二極體晶片同時使測量單元 31保持罪近第—傳送構件33並降低第一傳送構件33與測量 單7L31_f的可能性。亦可能在第—傳送構件现插入測 里單凡31之時或當第一傳送構件33接觸於測量單元31之時 測試發光二極體晶片。 為此，由於可容許有從發光二極體晶片所發射較大量 的光抵達測4單元31的内侧’根據本發明的發光二極體晶 55 201102671 片測試裝置1第一傳送構件3 3係能夠更精確地檢測發光二 極體晶片。 測量揚升單元38可利用一液壓缸、一氣動缸或類似物 來上下揚升測量單元31。測量揚升單元38可利用一馬達； 及一分別耦合至馬達及測量單元之連接部件來上下揚升測 量單元31。連接部件可身為一滑輪及一皮帶、一滚珠螺桿、 一凸輪構件、或類似物。 上文中，已經描述發光二極體晶片測試裝置1 一亦即進 給器2及測試器3。下文中，將參照附圖描述發光二極體晶 片選別裝置10之其他組件的實施例一亦即裝載器4、卸載器 5及其他組件。 <裝載器> 第35圖為一第一進給機構及一第一進給單元的示意立 體圖；第36圖為第35圖的側視圖；第37圖為一第一進給體 部、一第一進給支撐元件及一裝載單元之示意立體圖；第 38圖為第37圖的一L部分之示意放大圖；第39圖為第一進給 單元及裝載單元之示意立體圖；第40圖為一第一儲存單元 的示意立體圖；第41圖為一第一轉移單元之示意立體圖； 第42圖為第一進給體部、第一進給支撐體部、裝載單元及 第一冷卻單元之立體圖；第43至45圖為第42圖的一 Μ部分 之示意放大圖，顯示根據本實施例的一修改範例之第一冷 卻單元。 參照第34至35圖，裝載器4進給一待測試的發光二極體 晶片。裝載器4可裝設在進給器2旁邊。裝載器4可採用一用 56 201102671 於進給複數個待測試的發光二極體晶片之進給機構ι〇〇。 參照第34至36圖，進給機構1〇〇可包括—殼體1〇1，其 具有-中空部分(未圖示）；及一進給構件1〇2，其容納待測 試的發光二極體晶片且耦合至殼體101，進給構件1〇2可為 —具有黏劑的卷帶。待測試的發光二極體晶片可黏著至進 給構件102的—頂表面。進給構件可為一藍卷帶（blue taPe)，而已經通過一破裂與一擴張製程之待測試的發光二 極體晶片係可黏著於藍卷帶上同時以一特定距離彼此分開。 殼體101可形成一碟形。殼體101可包括形成圓形板形 之中空圓形部分（未圖示）。殼體10丨及中空部分（未圖示）可 具有諸如圓形板形以外的卵形板形、四角形或類似形狀等 另—形狀。 雖未圖示，裝載器4可採用一進給機構100，其設有複 數個容納溝槽可供待測試的發光二極體晶片容納其中。 參照第34至39圖，裝載器4可包括一第一進給單元41及 一農栽單元42。 第—進給單元41係移動進給機構100藉以使一待測試 的發光二極體晶片位居一其中使裝載單元4 2能夠楝取待測 忒的發光二極體晶片之第一楝取位置PP1。第一進給單元41 可包括一第一進給體部411 , 一第一進給支撐元件412，一 第—對準單元413及一第一移動單元414。 第一進給體部411係支撐進給機構100的一底表面。第 進给體部411可藉由第一移動單元414在X軸方向及γ方 向被移動。隨著第一進給體部411的運動，進給機構1〇〇可 57 201102671 被移動藉以使待測試的發光二極體晶片位居第一楝取位置 PP1 ° 第一進給體部411可藉由第一移動單元414在X軸方向 及Y軸方向被旋轉或移動。隨著第一進給體部411的移動或 旋轉，當裝載單元42揀取待測試的發光二極體晶片時，進 給機構100可被移動使得待測試的發光二極體晶片可被揀 取同時其面朝相同方向。為此，裝載單元42可將待測試的 發光二極體晶片裝載至進給器2同時使待測試的發光二極 體晶片保持面朝相同方向。 參照第34至39圖，第一進給支撐元件412係支撐由裝載 早元42所棟取之待測試的發光二極體晶片之一底表面β第 —進給支撐元件1能夠在第一揀取位置ΡΡ1下方的一位置處 支撐進給構件102的底表面。第一進給支撐元件412可裝設 成位於第一進給體部411中的一第一進給空間411a中。 第一進給支撐元件412可包括一第一揚升構件4121，一 第一揚升元件4122，一第一支撐銷針4123，及一第一銷針 揚升元件4124 » 第一揚升構件4121可在第一揀取位置PP1底下支撐進 給構件101的底表面。第一揚升構件4121可耦合至第一揚升 兀件4122並可藉由第一揚升元件4122被上下移動。第一揚 升構件4121可在一垂直方向（2軸方向）呈長形並可形成一 圓柱形桿形。 第一支撐銷針4123耦合至第一揚升構件4121内側藉以 可上下移動。第一揚升構件4121設有一第一通孔4121a可供 58 201102671 第一支撐銷針4123插過並被往上移動藉以向上突出。 第一揚升元件4122能夠上下揚升第一揚升構件4121 ^ 當進給機構100被定位於第一進給體部411或進給機構1〇〇 自第一進給體部411被移除，第一揚升元件4122可往下移動 第一揚升構件4121。若第一揚升元件4122往上移動第一揚 升構件4121，第一揚升構件4121可與進給構件1〇2分開。若 進給機構1〇〇被定位於第一進給體部411處，第一揚升元件 4122可往上揚升第一揚升構件4121。若第一揚升元件4122 往上揚升第一揚升構件4121，第一揚升構件4121可支撐進 給構件102的底表面。 第一揚升元件4122可利用一液壓或氣動缸；一滑輪及 皮帶；一滾珠螺桿；一凸輪構件；或類似物來上下揚升第 一揚升構件4121。 第一支撐銷針4123麵合至第一揚升構件4121内側並可 藉由第一銷針揚升元件4124被上下揚升。第一支撐銷針 4123可耦合至第一銷針揚升元件4124。第一支撐銷針“^ 可在一垂直方向（Z軸方向）呈長形且可形成一圓錐形。 第一銷針揚升元件4124能夠上下移動第一支撐銷針 4123 ^當裝載單元42揀取位於第一揀取位置ρρι之發光二極 體晶片時，第一銷針揚升元件4124可往上移動第—支撐銷 針4123。藉由此組態，第一支撐銷針4123可經由第—通孔 4121a突出於第一揚升構件4121上方並藉此往上推押由裝 載單元42所楝取的發光二極體晶片。因此，可容許裝載單 元42容易地楝取待測試的發光二極體晶片。若裝栽單元似 59 201102671 棟取待測試的發光二極體晶片，第一銷針揚升元件4124可 往下移動第一支撐銷針4123使得第一支撐銷針4123位於第 一揚升構件4121内側。 第一銷針揚升元件4124可利用一液壓或氣動缸；一滑 輪及皮帶；一滾珠螺絲；一凸輪構件；或類似物來上下移 動第一支撐銷針4123 » 參照第34至39圖，第一對準單元413係對準由第一進給 體。卩411所支樓之進給機構1〇〇的一位置。第一對準單元413 係包括一第一固定構件4131，一第一運動構件4132，及一 第一移動機構4133。 第一固定構件4131係裝設於第一進給體部411處並界 定第一接收體部200的一位置。第一固定構件4131可耦合至 第一進給體部411藉以突出於第一進給體部411頂表面上方 達一預設長度。進給機構100可藉由接觸到第一固定構件 4131而被對準。第一對準單元413可包括複數個此等第一固 定構件4131。 第一運動構件4132可耦合至第一移動機構4133並可被 第一移動機構4133所移動。第一運動構件4132可耦合至第 一移動機構4133藉以突出於第一進給體部411頂表面上方 一特定長度。第一運動構件4132可設置於與第一固定構件 4131裝設處呈現相對之第一進給體部411的部分處。第一對 準單元413可包括複數個此等第一運動構件Μ%。 第一運動構件4132可由第一移動機構4133被移動藉以 趨近或退離第一固定構件4131。若第一運動構件4132被移 60 201102671 動趨近第一固定構件4131，進給機構1〇〇係被第一運動構件 4132推押以捿觸到第一固定構件4ΐ3ι。為此，可使進給機 構100被對準。 第移動機構4133可1¾合至第一進給體部411並可移 動第-運動構件4132。第—移動機構4133可移動第一運動 構件4132直到進給機構刚接觸到第—固定構件4i3i為 止。第一移動機構4133可利用—液壓缸或一氣動缸來移動 第一運動構件4132。第一移動機構4133可利用一滑輪及一 皮▼，一滾珠螺桿；一凸輪構件；或類似物來移動第一運 動構件41.32。 參照第34至39圖，第一移動單元414可移動第一進給體 部411藉以容許待測試的發光二極體晶片位居第一楝取位 置PP1。第-移動單元414可在X軸方向及γ軸方向移動第— 進給體部411。 第一移動單元414可包括一第一上構件4141以供第— 進給體部4H可移式耗合；及—第—下構件㈣以供第—上 構件4141可移式耦合。 第一進給體部411及第一上構件4141可在彼此垂直的 方向被移動。若第一上構件4141耦合至第一下構件4142藉 以可移動於X軸方向，第一進給體部411可耦合至第—上構 件414i藉以可移動於γ軸方向。若第—上構件稱耗合至第 一下構件4142藉以可移動於γ軸方向，第—進給體部4ΐι可 耦合至第一上構件4141藉以可移動於X軸方向。 第-移動單元414可利用-滑輪及—皮帶；一滾珠螺 201102671 桿；一凸輪構件；或類似物來移動第一進給體部411及第一 上構件4141。 第一移動單元414可轉動第一進給體部411。第一移動 單元414可轉動第一進給體部411以使裝載單元42可在一容 許發光二極體晶片在測試器3中作測試之方向揀取發光二 極體晶片。 參照第2圖及第34至39圖，裝載單元42從進給機構1〇〇 揀取待測試的發光二極體晶片並將其裝載在位居裝載位置 LP之安裝構件21上。裝載單元42可包括一装載旋轉臂421 及一裝載驅動單元422。 一能夠吸引及固持待測試的發光二極體晶片之裝載楝 取器4211係裝設於裝載旋轉臂421處。裝載旋轉臂421可由 一揚升部件（未圖示）被上下移動。 裝載單元42可包括單一的裝載旋轉臂421及單一的裝 載揀取器4211。第4圖中，雖顯示三個裝載旋轉臂421及三 個裝載揀取器4211，此圖示只不過是顯示裝載旋轉臂421的 一往復移動途程之範例》 裝載旋轉臂421耦合至裝載驅動單元422。裝載驅動翠 元422係能夠轉動裝載旋轉臂421藉以容許裝載楝取器421丄 位居裝載位置或第一揀取位置PP1。 雖未圖示，裝載單元42可包括被分別耦合至|載旋轉 臂421之複數個裝載臂421及複數個裝載揀取器4211。裝載 驅動單元422可沿一旋轉軸線（未圖示）轉動裝載旋轉臂 421，而容許裝載揀取器4211的一者位於第一楝取位置ρρι 62 201102671 並容許裝載揀取器4211的另一者位居裝載位置Lp。裝載驅 動單元422可依順序使裝載楝取器4211位居第一棟取位置 PP1及裝載位置LP » 裝載驅動單元422可包括一馬達，並且若馬達與裝載旋 轉臂421分開一特定距離則可進一步包括一滑輪及一皮帶 或類似物。 參照第34至39圖，裝載單元42可進一步包括一裝載視 覺單元423。 裝載視覺單元423可裝設成位居第一揀取位置pp丨並用 來檢查位居第一棟取位置PP1之發光二極體晶片的一狀 態。裝載視覺單元423可檢查處於第一揀取位置ρρι之待測 a式的發光一極體晶片存在與否以及位居第一揀取位置pp 1 之發光二極體晶片的旋轉程度。第一移動單元414可以裝載 視覺單元423所獲得的發光二極體晶片狀態資訊為基礎來 移動第一移動體部411藉以容許發光二極體晶片確切位居 第一楝取位置PP1。可使用一 CCD攝影機作為裝載視覺單元 423 〇 參照第34至39圖，若裝載單元42包括裝載視覺單元 423,裝載旋轉臂421可進-步包括一第—傳遞構件4212。 第一傳遞構件4212耦合至裝載楝取器4211並可由一特 徵構造在於高透明度的材料製成。譬如，第一傳遞構件4212 可由玻璃製成。如第38圖所示，裝載楝取器4211設有一第 一空氣吸取孔4211a以吸引發光二極體晶片。第一空氣吸取 孔4211a可形成經過裝載楝取器42n。第—傳遞構件斗加可 63 201102671 在第一空氣吸取孔421 la的一側被耦合至裝載棟取器 4211 ’其中因此可使第一空氣吸取孔42lia的一側被密封。 為此，發光二極體晶片可被吸引至裝載楝取器4211且被其固 持。雖未圖示，第一空氣吸取孔4211a可連接於一吸取裝置。 穿過第一空氣吸取孔4211a的光可被容許穿過第一傳 遞構件4212。為此’即使當裝載楝取器4211位居第一楝取 位置PP1時，第一傳遞構件4212可容許裝載視覺單元423檢 查位居第一楝取位置PP1之發光二極體晶片的狀態。裝載視 覺單元423可經由第一傳遞構件4212及第一空氣吸取孔 4211a檢查位居第一揀取位置ρρι之發光二極體晶片的狀 態。因此，第一移動單元414可移動第一進給體部，使得位 居第一揀取位置PP1的發光二極體晶片可以裝載視覺單元 423所獲得的發光二極體晶片狀態資訊為基礎被裝載單元 42精確地揀取。 第一傳遞構件4212亦可使用在一用於對準第一支樓銷 針4123、第一裝載楝取器4211、及裝載視覺單元423的位置 之製程中。即便當裝載揀取器4211位居第一棟取位置ρρι 時，裝載視覺單元423可經由第一傳遞構件4212及第一空氣 吸取孔4211a檢查第一支撐銷針4123的位置。利用此方式， 裝載視覺單元423、第一支撐銷針4123、及裝載視覺單元423 的位置可被容易地對準以使裝載楝取器4211可精確地楝取 位居第一楝取位置PP1的發光二極體晶片。裝載視覺單元 423 '第一支撐銷針4123、及裝載楝取器4211可被對準藉以 位居相同垂直線上。 64 201102671 參照第34至40圖，裝載單元4 單元43。 了4步包括-第-儲存 第-儲存單元43包括-能夠在其中储 的進給機構刚之第-儲存機構431。 第-儲存機構431可包括多數個第一儲存構件，立 能夠支樓進給機構励的-底表面之兩側。多數個第一儲存 構件43U可配置成彼此在垂直方向（z轴方向）分開一特定 距離。第-儲存構件植之間的空間係、用來作為第一儲存 溝槽4312，而進給機構可被插人那些溝槽4312中。 參…、第34至41圖，裝載單元4可進一步包括一第一轉移 單元44。 第-轉移單元44可將進給機構1〇〇從第—儲存機構如 轉移至第進給體部411以及從第一進給體部μ丄轉移至第 一儲存機構431 Φ 若位居第—進給體部411的進給機構1〇〇在裝載製程完 成時變S ’第-轉移單元44可將空的進給機構⑽從第一進 給體部411轉移至第—儲存機構43卜若進給機構酬不存在 於第-進給體部41卜第-轉移單元44可轉移-新的進給機 構100以將待測試的發光二極體晶片從第一儲存機構州進 給至第一進給體部411。 利用此方式，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置 10可以進、·’。機構丨⑻自動地供應第一進給體部411以進給待 測試的發光二極體晶片，且因此，裝載製程可連續地進行。 因此，可以防止有可能因為人工操作所造成之操作時間的 65 201102671 損失。 第一轉移構件441可包括一第一轉移構件441及一第一 轉移機構442。 第一轉移構件441能夠固持進給機構1〇〇並包括一第一 固持構件4411，一第二固持構件4412，第一驅動機構4413 及一第一連接體部4414。 第一固持構件4411被帶領而接觸於進給機構1〇〇的頂 表面。第一固持構件4411被可旋轉式耦合至第一連接體部 4414。第一固持構件4411可藉由第一驅動機構3314被移動 以趨近或退離第二固持構件4412。 第一固持構件4412被帶領而接觸於進給機構1〇〇的底 表面。第二固持構件4412耦合至第一連接體部4414〇當第 一固持構件4411接觸於進給機構1〇〇的頂表面且第二固持 構件4412接觸於進給機構1〇〇的底表面，第一轉移構件441 能夠固持進給機構1 〇 〇。進給機構1 〇 〇係藉由第一轉移構件 441被第一固持構件4411施加的力所固持。 第驅動機構4413能夠移動第一固持構件4411，而容許 第一固持構件4411及第二固持構件4412彼此趨近或退離。 第一驅動機構4413能夠藉由轉動第一固持構件4411來 移動第一固持構件4 4丨丨接近或遠離第二固持構件4 4丨2。在 此例中，第—固持構件4411被可旋轉式耦合至第一連接體 部4414 〇 第—驅動機構4413耦合至第一連接體部4414。第一驅 動機構4413可包括—液壓或氣動缸，且第-固持構件4411 66 201102671 可耦合至此缸的一桿。當缸的負載被移動，第一固持構件 4411可沿一旋轉軸線441 la被轉動。 第一固持構件4411、第二固持構件4412及第一驅動構 件4413係耦合至第一連接體部4414。第一連接體部4414耦 合至第一轉移機構442。 第—轉移機構442係移動第一轉移構件441於第一儲存 機構431與第一進給單元41.之間。 第—轉移機構442能夠移動第一轉移構件4 4 !藉以容許 空的進給機構100從第一進給體部441被移動至第一儲存 機構4 31。第一轉移機構442能夠移動第一轉移機構4 4丨藉以 谷°午充填有新的待測試發光二極體晶片之新的進給機構 從第一儲存機構431被移動至第一進給體部411 ^ 第—轉移機構442能夠利用一諸如液壓缸或氣動缸等 缸或利用一滑輪及一皮帶；一滾珠螺桿；一凸輪構件；或 類似物來移動第一轉移構件441。 第一轉移構件442可耦合至一第一構台443。第一連接 體部4414可被可移式耦合至第一構台443。第一連接體部 4414可沿著第一構台443在γ軸方向被移動。 在此時，第一儲存機構431中，進給機構1〇〇可被堆積 ㈣直方向（ζ軸方向）。在此例中’第—儲存單元43可進— 步包括一第一儲存揚升機構432。 第一儲存揚升機構似可上下揚升第—儲存機構431。 第一儲存揚升機構432可上下揚升第_畴機構431使得進 給機構1〇〇可位居-其中可使第一轉移構件441固持住進給 67 201102671 機構100之位置。第—储存揚升機構432可上下揚升第一儲 存機構431使得第—轉移構件441將空的進給機構1〇〇儲存 於儲存機構231中。 第-儲存揚升機構432可_—液壓錢綠、或利用 一滑輪及皮帶；—滚珠螺桿；一凸輪構件；或類似物來上 下移動第一儲存機構431。 ’、S ##存揚升機構432來揚升第一儲存機構糾 之方法外’第-轉移構件441亦可被上下揚升，或者第一轉 移構件441及第—儲存機構431皆可被上下揚升。 第一儲存揚升機構432可包括一第一垂直體部彻及 一第一揚升體部4322。第—揚升體部似可被可移式麵合 至第一垂直體部4321。 第一储存機構431可被可脫離式輕合至第—揚升體部 4322。為此，當只有空的進給機構卿被儲存於第—儲存機 細中時，第—儲存機脚可以—其中儲存有由新的待 測試發光二極體晶片所充填的進給機構觸之新的第―儲 存機構43!錢換。因此，更換項變得容易且更換所需時 間可降低’其巾因此可㈣止有可能因為更換所造成 作時間的損失。 若第-轉移構件糾組構為只可移動於γ轴方向而不被 上下揚升，第1給體部411及第—對準單认3可 組構。 第一進給體部川可包括一第-進給貫穿溝槽4Ui。第 -進給貫穿料4!η可藉㈣第―進給料川頂表面凹 201102671 入-特定深度而形成。第-進給體部411可包括複數個此等 第-進給貫穿溝槽4in。第-轉移構件44可當其轉移進給 機構1〇〇時穿過第一進給貫穿溝槽4111。 第一對準單元413可進-步包括-第-揚升機構 4134。參照第36圖’第-揚升機構4134可耦合至第一移動 機構4133 °第-運動構件4132可耗合至第—揚升機構 4134。藉由此組態，第一揚升機構4134可在γ軸方向藉由第 -移動機構4133被移動並可上下移動第__運動構件4132。 參照第34至41圖，若第—轉移構件441被移動朝向第一 進給體部411藉以將進給機構1〇〇置於第一進給體部4ιι 中’第-揚升機構4134可往下移動第—運動構件4132。為 此’可避免進給機構1GG或第—轉移構件441與第—運動構 件4132之碰撞。 右進給機構1〇〇被置於第一進給體部411處，第一揚升 機構4134可往上移動第一運動構件4132。其後，當第一運 動構件4132被帛-義機構4133轉動，可使進給機構晒 被對準。 當第一轉移構件441將空的進給機構丨〇 〇從第一進給體 部411轉移至第一儲存機構431時，第一揚升機構可往 下移動第-運動構件4132。為此，可避免進給機構1〇〇或第 一轉移構件441與第一運動構件4132之碰撞。 參照第2圖及第34至42圖，裝載器4可進-步包括-第 一冷卻單元45。 第冷卻單元45能夠冷卻進給機構1〇〇。第一冷卻單元 69 201102671 4 5係冷卻進給機構1 〇 〇以使進給機構的溫度變成等於或低 於—正常溫度。譬如，其可將進給機構100冷卻至約2(TC或 更低。 如上述，發光二極體晶片可當其被黏著至進給構件1〇2 之時予以供應，包括一諸如藍卷帶等黏劑卷帶。在此例中， 發光二極體晶片可被裝載於位居裝載位置LP之安裝構件2 上，同時一黏劑材料以高於正常溫度的一溫度被黏著至發 光二極體晶片。由於黏劑材料，發光二極體晶片可被黏著 至安裝構件2並可能未在卸載位置1[〇>被正常地卸載。 第一冷卻單元45可冷卻進給構件1〇2，藉以冷卻出現在 進給構件102上的黏劑材料。為此，第一冷卻單元45容許發 光一極體晶片被裝載於裝載位置Lp而未黏有黏劑材料並容 許在卸載位置被正常地卸載。 第一冷卻單元45可包括一用於喷注一冷卻氣體之第一 喷注單元451。第一喷注單元451可將一冷卻氣體喷注朝向 由第一進給單元41所支撐之進給機構100。第一噴注單元 451可被進給來自一冷卻氣體供應系統（未圖示）之冷卻氣 體。第一冷卻單元45可包括複數個此等第一喷注單元451。 如第43圖所示，第一喷注單元451可被裝設於裝載單元 42藉以位於進給機構1〇〇上方。第一喷注單元45ι可裝設於 裝載視覺單元423藉以位於第一進給單元41上方。裝載視覺 單兀423可包括一使光輻射至第一揀取位置PP1之裝載發光 元件4231，且第-喷注單元451可裝設於裝载發光元件· 中。第-纽單7C451可藉由從進給機構励上方將冷卻氣 201102671 體喷注朝向進給機構励以冷卻進給機構卿。第一喷注單 元451可藉由將冷卻諸纽朝向進給構和㈣冷卻進給 構件102。第—纽單元451謂冷卻氣體纽畅第一揀 取位置PP1。 如第44圖所示，第一喷注草元451可裝設於第一進給單 ⑽藉以位於進給機構⑽底下。第—噴注單元如可裝設 於第:祕支樓元件412藉以位於第—進給體部4ιι底下。 第-噴注單元451可裝設於第—揚升構料⑵處。第一喷注 單元451可藉由從進給麟卿下方將冷卻氣料注朝向進 給機構100以冷卻進給機構丨⑻。第一噴注單元州可藉由將 冷卻氣體纽㈣進給構件1()2以冷卻進給構件丄並 且’第-似單元451係將冷卻氣體姐至其中設有藉由裝 载單元42所楝取的發光二極體晶片處之進給構件麵域 附近，因此可使其巾出财下次藉域鮮元烟揀取的 —發光二極體晶片之進給構件102區域受到冷卻。 如第45圖所描繪，第一冷卻單元45可包括一第一上噴 注單元451卜其裝設於裝載視覺單元423中藉以位於第一進 給單元41上方m纽單元4512,其裝設於第一 進給支撐元件412處藉以位於第一進給體部411底下。 第一上噴注單元4511可藉由從進給機構1〇〇上方將冷 卻氣體噴注朝向進給機構100以冷卻進給機構1〇〇。第一上 噴注單元4511可藉由將冷卻氣體喷注朝向進給構件1〇2以 冷卻進給構件m上姐單元451可將冷卻氣體喷注 朝向第一棟取位置PP1。 71 201102671 第一下喷注單元4512可藉由從進給機構10〇下方將冷 卻氣體噴注朝向進給機構1〇〇以冷卻進給機構1〇〇。第一下 喷注單元4512可藉由將冷卻氣體噴注朝向進給構件1〇2以 冷卻進給構件l〇h第一下喷注單元4512係將冷卻氣體喷注 至其中設有藉由裝載單元42所棟取的發光二極體晶片處之 進給構件102區域附近，因此可使其中出現有下次藉由裝載 單元4 2所楝取的一發光二極體晶片之進給構件丨〇 2區域受 到冷卻。 雖未圖示，根據本實施例的一修改範例之第一冷卻單 元45係可藉由在第一楝取位置ρρι處冷卻與進給機構1〇〇呈 接觸的第一進給支撐元件412來冷卻與第一進給支撐元件 412呈接觸的進給機構10〇。 第一冷卻單元45可藉由冷卻第一揚升構件4121來冷卻 與第一揚升構件4121呈接觸的進給構件1〇2。第一冷卻單元 45可藉由使一冷卻流體流通於第一揚升構件4ΐ2ι内側來冷 卻第一揚升構件4121。在此例中，第一揚升構件4121可在 中可具有一流徑供冷卻流體流過。第一冷卻單元45可利用 一熱電子器件來冷卻第一揚升構件4121。 <第一補償單元> 如上述，位居測試位置TP之發光二極體晶片可能未總 是安農在安裝構件21上的_位[t發光二極體晶片在 裝載位置LP被裝載至安裝構件21上時，發光二極體晶片可 能未被置[特定預設位置，或者當發光二極體晶片在從 裝載位置LP被攜載至载裝置TP時由一離心力或類似物 72 201102671 所移動或轉動，發光二極體晶片在安裝構件上的一安裝狀 態係可能改變。為了即便在此例中仍達成精確測試，根據 本發明的發光二極體晶片選別裝置ίο可進一步包括一第一 補償單元。第一補償單元係為一發光二極體晶片位置補償 單元的一範例。 第4 6圖為根據本實施例的一修改範例之一進給器的示 意平面圖；而第47及48圖為顯示第一補償單元的一操作關 係之示意立體圖。 參照第14圖、第34圖及第46至48圖，發光二極體晶片 選別裝置10可進一步包括一第一補償單元5。 第一補償單元5裝設於裝載器4與測試器3之間並補償 被安裝在安裝構件21之發光二極體晶片的一狀態使得發光 二極體晶片可在測試裝置TP作測試。藉由此組態，根據本 發明的發光二極體晶片測試裝置10能夠更精確地測試發光 二極體晶片的效能。 發光二極體晶片係包括墊P1及P2。唯有當墊P1及P2接 觸於接觸銷針321時，發光二極體晶片的電性性質方可作測 試且發光二極體晶片可發光。第一補償單元5可調整發光二 極體晶片的狀態藉以容許墊P1及P2能夠接觸到接觸銷針 32卜 亦即，第一補償單元5可藉由轉動發光二極體晶片來補 償被安裝在安裝構件21上之發光二極體晶片的狀態。第一 補償單元5能夠藉由移動被安裝在安裝構件21上之發光二 極體晶片來補償發光二極體晶片的狀態。 73 201102671 第一補償單元5可補償被安裝在位居裝載位置㈣測 試位置㈣間的―第—補償位置cP1處的安裝構件21上之 發光二極體晶片的狀態。在此财，安裝構件的裝設在 旋轉構件22處使得安裝構件21的至少—者可同時被定位於 裝載位置LP、第-補償位置cpi、測試位置Τρ、及却載位 置ULP各者處。旋轉單元23可轉動旋轉構肋使得安裝構 件21可依順序被定位於裝載位置Lp、第—補償位置⑼、 測試位置TP、及卸載位置ULP各者處。 第-補償單元5可包括一第一補償機仙及一第一致 動機構52U償機構51可包括—第—補償構件5ιι及一 第二補償構件512。 备發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態受到補 償時’第-補償構件511係被帶領而接觸於發光二極體晶片 的側。第一補償構件511可被第一致動機構52所移動以趨 近或退離第二補償構件512。 右第一補償構件511被第一致動機構52所移動以趨近 第一補償構件512，第一補償構件511係接觸到安裝構件21 上所安裝之發光二極體晶片的一側並可推押及移動發光二 極體晶片的一側直到發光二極體晶片的另一側接觸到第二 補償構件512為止。 $發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態受到補 $日夺’第二補償構件512被帶領而接觸於發光二極體晶片的 另一側。 若第二補償構件51被第一致動機構52移動以趨近第一 74 201102671 a貝構件511 ’第二補償構件512係接觸到安裝構件21上所 Z之發光二極體晶片的另_側並可推押及移動發光二極 晶片的另一側直到發光二極體晶片的一側接觸到第一補 償構件5U為止。 至於第—補償構件511及第二補償構件512相對於位居 51卜補償位置CP1的發光二極體晶片之配置，第"~補償構件 可位居發光二極體晶片内側，而第二補償構件512可位 光極體Βθ片外側。亦即，如第46圖所示，第一補償 牛511可當其位居發光二極體晶片内側之時被移動接近 ^離第二補償構件512，J'第二補償構件512可當其位居 極體晶片外側之時被移動接近或遠離第—補償構件 為此’若第一補償構件511及第二補償構件512移動遠 /此’縱使安裝構件21根據旋轉構件22的旋轉被轉動， 降低第—及第二補償構件5ιι及512以及發光二極體 日曰片之間碰撞的可能性。 第-補償構件511及第二補償構件512⑽合至彼此藉 以可移動於一第一補償體部化的一第一方向（箭觀的: 方向）。 第一致動機構52係移動第一及第二補償構件5ιι及5^ 以趨近或退離發光二極體晶片。發光二極體晶片被安裝在 位於第一補償位置CP1之安裴構件21上。 第一致動機構52可移動第一及第二補償構件511及 直到第一補償構件511接觸於發光二極體晶片的— WJ且第 75 201102671 二補償構件512接觸於發光二極體晶片的另一側為止。若第 一補償構件511接觸於發光二極體晶片的一側且第二補償 構件512接觸於發光二極體晶的另一側’發光二極體晶片 的墊P1及P2可被補償以接觸於接觸銷針32卜此製程中，發 光二極體晶片可當被安裝在安裝構件21上之時受到轉動及 移動。 第一致動機構52可包括一第一馬達521 ’ 一第—凸輪構 件522 ’其被第一馬達521所轉動’及一第一運動體部523， 其耦合至第一補償體部51a藉以可移動於一與第一方向呈 正交的方向（箭頭〇的方向）。第一運動體部523可包括一第 一凸輪表面5231，其接觸於第一補償構件511，及一第二凸 輪表面5232，其接觸於第二補償構件512。第一及第二凸輪 表面5231及5232可形成為在彼此相反的方向中呈現傾斜。 若第一馬達521轉動第一凸輪構件522，第一運動體部 523可根據第-凸輪構件522的旋轉角度而移動於與第一方 向呈正交的方向(箭頭Ο的方向)。當第一運動體部卿 動’第-娜構件511可沿著第—凸輪表面5231移動且第二 補償構件512可沿著第三凸輪表面伽移動。 若第一運動體部523移動於_其中裝設有第_補償機 ，方向’第一及第二補償構件5ιι及512可移動藉以更 靠近彼此，如第所示。騎，第—及第二補償構件Mi 及512可移動藉以趨近發光二極體晶片。 右第-運動體部523移動於—與其中裝設有第 一補償 機構”的方向呈現相對之方向，第—及第二補償構件舰 76 201102671 512可移動藉以遠離彼此如第47圖所示。亦即，第—及第_ 補償構件511及512可移動藉以遠離發光二極體晶片。 第一致動機構52可移動第一及第二補償構件511及512 藉以當旋轉構件22旋轉時遠離彼此。為此，可以降低第_ 及第二補償構件511及512及發光二極體晶片或安裝構件21 之間碰撞的可能性。 雖未圖示，第一致動單元5可藉由一第一揚升機構被上 下移動。當旋轉構件22旋轉時，第一揚升機構可往上移動 第一補償單元5。為此，可崎低當㈣構件22旋轉時第-、機構51及發光二極體晶片或安裝構件21之間碰撞的可 若方疋轉構件22停止且安裝構件21位於第一補償位置 cpi第—揚升機構可往下移動第一補償單元5。 在此例中，不論第一及第二補償構件511及512裝設處 立晋-)—p “ =可以避免當旋轉構件22旋轉時第一補償機構51 Z光—極體晶片或安裝構件21之間的碰撞。亦即，縱使 r棘ί —補償構件511*512被裝設於__構件22的 二之安料件21的—移動途程上，可以避免第一補償機 第發=一極體晶片或安裝構件21之間的碰撞。 一姑授-_β升機構可利用—液壓缸或氣動缸來上下移動第 第一補償。。。第—揚升機構可利用馬達及一耦合至馬達及 5。連接^早各者之連接機構來上下移動第一補償單元 杜„ 可匕括—滑輪及皮帶，一滚珠螺桿，一凸輸構 仵，及類似物。 在此時，甚笛 弟—及第二補償構件511及512裝設於安裝 77 201102671 構件一的移動途&上，第—補償單元5應處於被第—揚升機 構升门之㈣m旋轉構件2 2旋轉時避免發光二極體 晶片及第一補償機構51之間的碰撞。並且，為了使第-補 償單兀5魏發光_極體晶片的—狀態，第—補償單元$應 處於被第一揚升機構降低之—狀離。 為了免除進仃此等操作所費的額外操作時間第一及 第二補償構件511及512可如上述以發光二極體晶片 為基礎 被定位’並因此，第—補償構件511可被定位於發光二極體 晶片内側且第二補償構件5 i 2可被定位於發光二極體晶片 外側。 為此’若第―及第二補償構件511及512被移動藉以遠 離彼此而不需要額外的操料間，縱使絲構件21根據旋 轉構件22的旋轉被轉動’可以避免第—及第二補償構件511 及512以及發光二極體晶片之間的碰撞。並且，若並未提供 第一揚升機構，製造成本可降低。 參照第1至48圖，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置 ίο可選用性地包括第一補償構件511及接觸旋轉機構345的一 者或者可包括第一補償構件511及接觸旋轉機構345兩者。 已經說明第一及第二補償構件511及512皆同時藉由第 一凸輪構件522趨近或退離發光二極體晶片之實施例。然 而’本發明不限於上述實施例。易言之，雖未圖示，第一及 第二補償構件511及512可藉由致動機構彼此分離地被移動。 譬如’第一致動機構52可包括兩馬達，而這兩馬達的 一者可連接於第一補償構件511且另一馬達可連接於第二 78 201102671 補償構件512。藉由此組態’第一及第二補償構件$ 11及512 可彼此獨立地被致動。 在此例中，當發光二極體晶片的一位置受到補償時， 第一及第二補償構件511及512各者可在旋轉構件22中心的 一方向一亦即朝向旋轉軸線的一方向被移動，然後在旋轉 構件22的一往外方向—亦即朝向旋轉構件22旋轉軸線的一 徑向方向外側之一方向被移動。反之，當發光二極體晶片 的一位置受到補償時，第一及第二補償構件511及512各者 可在旋轉構件22的⑽卜方向被移動，錢在旋轉構件如 心的方向被移動。亦即，第一致動機構52可切換於一其中 使第一補償構件511在關於未㈣二補償構件512接觸之 發光二極體晶片而被移動之模式與一其中使第二補償構件 觸於未與第""補償構件511接觸之發光二極體晶片 而被移動之模式之間。 構二用：方式作調整’可相較於移動第-及第二補償 於發光二極體T二一二第二補償構件511及512分別接觸 可靠产。^ 另―側之1例來改良調整的罪度亦即，若第-及第二_構件511及512被移動直 到第一及第 片的一側及構件川及512分別接觸於發光二極體晶 者發光-極體日貞發光—極體晶片的側表面可能受損或 接觸於發光二極體n 弟二補償構件511及512 當第-及第二〃曰曰、—側及另—側時彈出 然而，若 ‘補償構件511及512只有—者如上述接觸於發 光二極體晶片之時使發光二極體的一 位置受到補償，發光 79 201102671 二極體晶片的側表面係未受損或者發光二極體晶片作調整 時並未彈出。 <第二補償單元> 下文中，將參照第49至52圖說明一第二補償單元，其 作為發光二極體晶片位置補償單元的一實施例。 八 第49圖為-第二補償單元的立體圖，第5〇圖為一第二 補償單元的一第二補償機構之分解立體圖，第_為一第 三補償構件之放大立體圖，而第52圖為顯示—第二補償單 元的一操作之正視圖。 根據本發明的發光二極體晶片選別裝置丨〇可進一步包 括一第二補償單元5A而非第-補償單元5。第二補償單元 5錄以與第一補償元件5相同的方式裝設於輯器4及測試 器3之間並補償被安裝在安裝構件21上之發光二極體晶片 的狀態使得發光二極體晶片可在測試位置叮作測試。亦 即’第二補償單元从具有與第一補償單元^目㈤的功能。 發光二極體晶片係包括墊ΜΡ2，且唯有塾^及打接 觸於接觸銷針321，發光二極體晶片的電性性f方可作測試 且發光二極體晶片可發光。第二補償單元从可調整發光二 極體阳片的-狀態藉以處於__其中使墊^及打接觸於接觸 銷針321之位置。亦即，第二補償單元Μ可藉轉動或移動 安裝構件2!上所安裝的發光二極體晶片來調整發光二極體 晶片的·一位置。 在此例中，安裝構件21可裝設於旋轉構件22中以使安 裝構件21各者可同時被定位於裝載位置LD、第-補償位置 80 201102671 CPi、測試位置τρ、及卸載位置ULP的至少一者。旋轉單元 33可轉動旋轉構件22以使安裝構件21可依順序被定位於$ 載位置LD、第-補償位置CP卜測試位置τρ、及却載位置 ULP的各者。 如第49圖所示’第二補償單元5八可包括一第二補償機 構53及一第二致動機構54。 接觸於安裝構件21上所安裝的發光二極體晶片側表面 之第二補償機構53係將發光二極體晶片往前（箭頭Fw方向） 及往後（箭頭BW方向）移動。第二補償機構53可被可移式耦 合至第二致動機構54的一底表面。 第一致動機構54包括一第一致動機構框架541及一第 一致動機構殼體542。第一致動機構框架mi可裝設且固定 至諸如將稍後描述的另一揚升機構等另一構件。第一致動 機構框架541的一上端係被第一致動機構殼體542所覆蓋， 且在第一致動機構框架541内側，裝設有用於移動第二補償 機構53之組成組件，諸如一馬達及一連接於馬達之轉換器。 第二致動機構54可包括一線性馬達。藉由使線性馬達 連接於第二補償機構53 ’第二補償機構53可被往前及往後 移動。或者，第二致動機構54可包括一旋轉馬達及一連接 於旋轉馬達之轉換器。轉換器係將旋轉馬達的一旋轉運動 轉換成一線性運動以使其傳遞至第二補償機構53並可身為 譬如一滑輪及皮帶、一齒條-小齒輪齒輪、一滾珠螺桿、及 一凸輪構件之任一者。 參照第50圖，第二補償機構53可包括一第一補償構件 81 201102671 固持件531及一第三補償構件532。 。第補彳；|構件11]持件531係包括—位於其上側上之第 平面板5311及從第_平面板5311的—端往下延伸之第 垂直板5312第—平面板53U及第—垂直板mu可形成 為—體部。第—平岐53⑽包__合溝槽5315且可 輕合至-未圖示的馬達或—經由螺_合溝槽5315連接於 馬達之未圖示的轉換器。 在第-垂直板5312的-内表面處，可設有一第一引導 構件5313。藉由使第-引導構件5313連接於-未圓示的引 導軌道藉以可滑動’當第二補償機構53往前及往後移動 時’可以防止第二補償機構53_或偏離—預設途程。第 垂直板5312係包括螺絲耦合溝槽5314藉以耦合至第三 償構件532。 第三補償構件532係包括一第一上端構件532丨以耦合 至第一補償構件固持件531的第一垂直板5312及—第—下 鸲構件5322以耦合至第一上端構件5321的一底表面成為— 體部。 參照第51圖，第一上端構件5321係包括螺絲耦合溝槽 53幻藉以耦合至第一補償構件固持件53卜亦即，第三補償 構件5 3 2的螺絲耦合溝槽5 3 23係螺絲式耦合於第—補償構 件固持件5 31的螺絲耦合溝槽5 314，因此第一補償構件固持 件531被固定且耦合至第三補償構件532。 第一下端構件5 3 22係包括一第一發光二極體晶片容納 濟槽532a ’其中設有安裝在安裴構件21上的發光二極體晶 82 201102671 片。並且’第一下端構件5322係包括一將接觸到將位於第 一發光二極體晶片容納溝槽532a中的發光二極體晶片一側 之第一接觸表面5324及一將接觸到發光二極體晶片另一側 之第二接觸表面5325。第一及第二接觸表面5324及5325係 分別面對發光二極體晶片的兩側表面，而第一接觸表面 5324與第二接觸表面5325之間的一空間係用來作為第一發 光二極體晶片容納溝槽532a。為了使發光二極體晶片位於 第—發光二極體晶片容納溝槽532a中，第一接觸表面5324 及第二接觸表面5325之間的一距離一亦即第一發光二極體 晶片容納溝槽532a的一尺寸係應大於發光二極體晶片的兩 側表面之間的一距離。因此，若第二補償機構53往前移動 (箭頭FW方向）藉以調整發光二極體晶片的一位置，發光二 極體晶片的一側係接觸於第一接觸表面5324且發光二極體 晶片的另一側並未接觸於第二接觸表面5325。反之，若第 二補償機構53往後移動（箭頭BW方向），發光二極體晶片的 另一側係接觸於第二接觸表面5325且發光二極體晶片的一 側並未接觸於第一接觸表面5324。利用此方式，第二補償 機構53往前及往後移動，因此發光二極體晶片被移動至— 其中可使墊P1及P2接觸於接觸銷針321之位置。此製程中， 發光二極體晶片可當被安裝在安裝構件21上之時受到轉動 或移動。 第一接觸表面5324的一上邊緣係連接於一第一補償構 件傾斜表面5326，且第二接觸表面5325的一上邊緣連接於 一第二補償構件傾斜表面5327。第一補償構件傾斜表面 83 201102671 5326及第二補償構件傾斜表面5327係延伸至第三補償構件 532之第一下端構件5322的一頂表面。為此，第一發光二極 體晶片容納溝槽532a的一上空間係形成一往上寬廣開啟的 在第—補償構件532上，可裝設一將於稍後描述的第 一感測器單元6 (未_)。第—感測器單元係㈣第一發光 -極體晶片容納溝槽532a及其上開啟空間來檢查處於第一 補償位置的安裳構件中之發光二極體晶片的一安裝位置。 第52圖為顯示第二補償單元从的—操作之圖式。參照 圖女裝構件21係裝設在旋轉構件22的支撐框架221 上，而一待測試的發光二極體晶片係放置在安裝構件21的 頂表面上。在第一補償位置，第二補償單元sA的第三補償 構件532健定⑽絲構件犯，因此發光二極體晶片被 置於第三補償構件5 3 2的第一發光二極體晶片容納溝槽 532a 中。 右第二補債構件532的一底表面完全接觸於安裝構件 21 ’當第三補償構件532往前及往後移動時，安裝構件21表 面有A的危I因此’理想上’第三補償構件撕可被定 位於其巾當第二補償構件说彳續妹後料時使第三 補仏構件532絲φ不接觸於安裝構件21頂表面且使第三 補償構件532的帛-及帛二接觸表面5324及5325接觸於發 光二極體晶片的側表面之高度。 第一發光二極體晶片容納溝槽532&中的第三補償構件 532係在前移動（箭頭FW的方向）然後往後移動（箭頭bw的 方向）。利用此方式’發光二極體晶片被移動至一適當位 84 201102671 置亦即可使發光二極體晶片適當作測試之位置。如上 述S第一補侦構件532往前移動（箭頭FW的方向）之時，發 光二極體晶片的一側係接觸於第—接觸表面5324且發光二 極體晶片的另一側未接觸於第二接觸表面5325。反之，當 補償構件532往後移動（箭頭Bw的方向）之時，發光二極體晶 片的另一側係接觸於第二接觸表面5325且發光二極體晶片 的一側未接觸於第一接觸表面5324。 已也述其中使發光一極體晶片往前移動然後往後移 動同時發光二極體晶片被置於第_發光二極體晶片容納溝 槽532a中之案例。然而，亦可能藉由當發光二極體晶片置 於^發光二極體晶片容納溝槽5似中之時往後移動然後 往前移動發光二極體晶片來調整發光二極體晶片的一位 置。並且，當發光二極體晶片被置於第-發光二極體晶片 容納溝槽532a中之時，可以只往前移動第三補償構件说， 或者當發光二極體晶片被置於卜發光二極體晶片容納溝 之時’可以只往後移動第三補償構件532。尚且，當 Γ二極體晶片被置於第—發光二極體晶片容納溝槽仙 之時’可以重覆地往前及往後數次移動第三補償構件 二Γ例_在則方向係指一朝向旋轉構件22的中心亦 =轉軸線之方向，而往後方向係指1其相反的方向。 補償構細的第一及第二接觸表面一25被 ==於旋轉構件22旋轉方向之 見第51 1 —極體晶片或安 圖），當旋轉構件22轉時，可以降低發光 85 201102671 裝構件21及第三補償構件532之間碰撞的可能性。 雖未圖示，第二補償單元5八可藉由一第二揚升機構被 上下移動。當旋轉構件22旋轉時，第二揚升機構可往上移 動第二補償單元5A。為此，當旋轉構件旋轉22時可以降低 第二補償機構53及發光二極體晶片或安裝構件21之間碰撞 的可能性。若旋轉構件22停止且安裝構件21被定位於第一 補償位置cpi’第二揚升機構可往下移動第二補償單元5八。 利用此方式，當旋轉構件22旋轉時，可以避免第二補 償機構53及發光二極體晶片或安裝構件21之間的碰撞。 第二揚升機構可利用一液壓紅或氣動缸來上下移動第 二補償單元5A。第二揚升機構可利用馬達及4合至馬達 與第-補償單π5Α各者之連接機構來上下移動第二補償單 ΜΑ。連接機構可包括—滑輪及皮帶，_滾珠螺桿，一凸 輪構件，及類似物。 <第—感測器單元> 再度參照第46至48圖，根據本發明的發光二極體晶片 選別裝置10可進-步包括一第一感測器翠元6。 第-感測器單元6係檢查位於第一補償位置cpi的安裝 =件21上所女裝之發光二極體晶片的_狀態。第—感測器 早及^檢查發光二極體晶片在安裝構件21中的一安裝位 置。可採用一CCD攝影機作為一第一感測器單元6。 第-感測器單元6裝設成位於第一補償機構51上並檢 查由第-補償機構51所補償且安裝在安敦構件21上之發光 -極體晶片的—狀態。第一感測器單元6可裝設在第一補償 201102671 體部51a中。 參照第1至48圖，接觸移動機構344可以第-感測器翠 元6所獲得之發光二極體晶片的狀態f訊為基礎將_單 元32移動至一其中可使接觸銷針321接觸於發光二極體晶 片之位置。為此，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置 10可精確地測試發光二極體晶片的效能。接觸單元32可藉 由接觸移動機構344在一X軸方向及一γ軸方向被移動，使 得接觸銷針321可接觸於發光二極體晶片。接觸單元32可藉 由接觸移動機構344被轉動以使接觸銷針321可接觸於發光 二極體晶片。 雖未圖示，第一感測器單元6係檢查位於第一補償位置 CP1與測試位置TP之間的一第一感測位置之安裝構件21上 所安裝之發光二極體晶片的一狀態。 在此例中’旋轉單元33可轉動旋轉構件22以使安裝構 件21可依順序被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、 第一感測位置、測試位置TP、及卸載位置ULP的各者處。 安裝構件21可裝設於旋轉構件22中以可使安裝構件21 的各者同時被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、第 一感測位置、測試位置TP、及卸載位置ULP的至少一者處。 只已描述一其中使第一感測器單元6被定位於第一補 償機構51上之案例，但第一感測器單元6可被定位於第二補 償機構53上。 <第三補償單元> 參照第34及46圖，在藉由測試器3所測試之發光二極體 87 201102671 晶片的-測試期間或之後發光二極體晶片從測試位置τρ被 移動至卸餘置ULP之時，安裝構件21上所絲之發光二 極體晶片的一狀態係可改變。在此例中，根據本發明的發 光-極體晶>|選職置1G可進—步包括__第三補償單元藉 以使卸載H9精確地從敎位射卩載位置ULp的安裝構件 21卸載發光二鋪晶片。第三補償單元料—發光二極體 晶片位置補償單元的一範例。 第5 3圖為根據本發明的一修改範例之一進給器的示音 平面圆，第54及55圖為顯示第三補償單元的一操作之示； 立體圖。 第二補償單元7係裝設於測 參照第34圖及第53至55圖， 試器1 2 3 4 5與卸載器6之間並補償安裝構件上所安裝之發光二 極體晶片的-狀態使得發光二極體晶片被絲於安裝構件 元7係藉由移動安裝構件21上所安裝的發光二極體晶 補償發光二極體晶片的一狀態。 2 1 1上藉以在卸載位置ULP處從其卸载1此，卸載器6可從 2 安裝構件21精確地卸載發光二極體晶片。 3 第三補償單元7 8係藉由轉動安裝構件21所絲之發光 4 一極體晶片來補償發光一極體晶片的—狀態。第三補償單 5 片來 6 載位置LDU償位置m、測試位置τρ、 ^ 7 第三補償單元7係補償被定位於測試位置T陳卸載位 置ULP之間的-第二㈣位置CP2之安裝構件&所安裝 的發光二極體日日日片之-狀‘I在此例中，安裝構件Μ、 8 設於旋轉構件22枝縣«件Μ切叫蚊位、 201102671 置CP2、及卸載位置ULp的至少一者處。旋轉單元33可轉動 旋轉構件22使得安裝構件21可被定位於裝載位置LD、第一 補償位置cpi、測試位置TP、第二補償位置CP2、及卸載位 置ULP的各者處。 第二補償單元7可包括一第三補償機構71及一第三致 動機構72。第三補償機構71包括一第四補償構件711及一第 五補償構件712。 當安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態 時’第四補償構件711係接觸於發光二極體晶片的一側。第 四補償構件可藉由第三補償機構7 2被移動以趨近或退離第 五補償構件712。 若第四補償構件711被第三致動機構72移動以趨近第 五補償構件712，第四補償構件711係接觸於安裝構件21上 所安裝之發光二極體晶片的一側’並推押且移動發光二極 體晶片的一側直到發光二極體晶片的另一側接觸於第五補 償構件712為止d 當安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態受 到補償時’第五補償構件712係接觸於發光二極體晶片的另 側。第五補償構件712可被第三致動機構72所移動以趨近 或退離第四補償構件711。 右第五補償構件712被第三致動機構72所移動以趨近 補償構件711 ’第五補償構件712係接觸於安裝構件21 上所女裝之發光二極體晶片的另一側，並推押且移動發光 一極體晶片的另~側直到發光二極體晶片的-側接觸於第 201102671 四補償構件711為止。 第四及第五補償構件711及712可以位於第二補償位置 CP2的發光二極體晶片為基礎被定位，且因此，第四補償構 件711可被定位於發光二極體晶片内側且第五補償構件712 可被定位於發光二極體晶片外側。亦即，如第53圖所描繪， 第四補償構件711可被移動以趨近或退離第五構件712同時 位於發光二極體晶片内側，而第五補償構件712可被移動以 趨近或退離第四構件711同時位於發光二極體晶片外側。 為此，若第四及第五補償構件711及712被移動以遠離 彼此’縱使安裝構件21根據旋轉構件22的旋轉而轉動，可 以降低第四及第五補償構件711及712以及發光二極體晶片 之間碰撞的可能性。 第四補償構件711及第五補償構件712可耦合至一第二 補償體部71a以可移動於一第二方向（箭頭p的方向）。 第三致動機構72移動第四及第五補償構件711及712以 趨近或退離發光二極體晶片。發光二極體晶片係安裝在位 於第二補償位置CP2之安裝構件21上。 第三致動機構72可移動第四及第五補償構件711及712 直到第四補償構件711接觸於發光二極體晶片的一側且第 五補償構件712接觸於發光二極體晶片的另一側為止。若第 四補償構件711接觸於發光二極體晶片的一側且第五補償 構件712接觸於發光二極體晶片的另一側，發光二極體晶片 可被補償以由卸載器9精確地卸載。此製程中，發光二極體 晶片可當安裝於安裝構件21上之時被轉動及移動。 90 201102671 第三致動機構72可包括一第二馬達721，一第二凸輪構 件722 ’其被第二馬達721所轉動，一第二運動體部723，其 耦合至第二補償體部71a藉以可移動於與第二方向呈正交 的一方向（箭頭Q的方向）。第二運動體部723可包括一接觸 於第四補償構件711之第三凸輪表面7231以及一接觸於第 五補償構件712之第四凸輪表面7232。第三及第四凸輪表面 7231及7232可形成為在彼此相反的方向呈現傾斜。 若第二馬達721轉動第二凸輪構件722,第二運動體部 723可根據第二凸輪構件722的一旋轉角度移動於與第二方 向呈現正交的方向（箭頭Q的方向）。當第二運動體部723移 動’第四補償構件711可沿著第三凸輪表面7231移動且第五 補償構件712可沿著第四凸輪表面7232移動。 若第二運動體部723移動於一其中裝設有第三補償機 構71之方向，第四及第五補償構件711及712可移動藉以更 接近彼此如第55圖所示。亦即，第四及第五補償構件711及 712可移動藉以趨近發光二極體晶片。 若第二運動體部723移動於與其中裝設有第三補償機 構71的方向呈相反之一方向，第四及第五補償構件711及 712可移動藉以遠離彼此如第54圖所描繪。亦即，第四及第 五補償構件711及712可移動藉以遠離發光二極體晶片。 當旋轉構件22轉動時，第三致動機構72可移動第四及 第五補償構件711及712藉以遠離彼此。為此’可以降低第 四及第五補償構件711及712以及發光二極體晶片或安裂構 件21之間碰撞的可能性。 201102671 雖未圖示，第三補償單元5可藉由—第三揚升機構被上 下移動。當旋轉構件22轉動時第三揚升機構可往上移動第 三補償單元7。為此，可以降低當旋轉構_轉動時第三補 償機構71及發光二極體晶片或安裝構件21之間碰撞的可能 性。若旋轉構件22停止且安裝構件21被定位於第二補償位 置CP2’第三揚升機構可往下移動第三補償單元7。 第三揚升機構可利用—液壓紅或氣動红來上下移動第 三補償單元7。第三揚升機構可利料達及—搞合至馬達及 第三補償單元7的各者之連接機構來上下移動第三補償單 元7。連接機構可包括-滑輪及皮帶，—滾珠螺桿，一凸輪 構件，及類似物。 在此例中，不論其中裝設有第四及第五補償構件711及 712之位置如何，可以避免#旋轉構攸旋轉時第三補償機 構71及發光二極體晶片或安裝構件21之_碰撞。亦即， 縱使第四及第五補償構件711及712被裝設於根據旋轉構件 22的旋轉之安裝構件21的—移動途程上，可以避免第三補 償機構71及發光二鋪晶丨或安裝構件21之間的碰撞。 在此時*第四及第五補償構件及爪裝設於安裝 構件21的移動途&上’第三補償單元7應處於被第三揚升機 構所升高的-狀態藉以避免當旋轉構件22轉動時發光二極 體晶片及第三補償機構71之間的碰撞。並且，為了使第三 補償單元7調整發光二極體晶片m第三補償單元7 應處於被第三揚升機構所降低的一狀態。 為了免除進行此等操作所費的額外操作時間，第四及 92 201102671 第五補償構件711及712可如上述以位於第二補償位置CP2 的發光一極體晶片為基礎被定位，且因此，第四補償構件 T被疋位於發光二極體晶片内側且第五補償構件712可 被定位於發光二極體晶片外側。 為此，若第四及第五補償構件711及712被移動藉以遠 離彼此而無需額外操作時間，縱使安裝構件21根據旋轉構 件22的旋轉而被轉動，可以避免第四及第五補償構件711及 712以及發光二極體晶片之間的碰撞。並且，若未提供第三 揚升機構，製造成本可降低。 已描述藉由第二凸輪構件722同時使第四及第五補償 構件711及712趨近或退離發光二極體晶片之實施例。然 而，本發明不限於上述實施例。易言之，雖未圖示，第四及 第五補償構件711及712可彼此分離地被致動機構所移動。 譬如’第三致動機構72可包括兩馬達，而這兩馬達的 一者可連接於第四補償構件711且另一馬達可連接於第五 補償構件712。藉由此組態，第四及第五補償構件711及712 可彼此獨立地被致動。 在此例中，當發光二極體晶片的一位置受到補償時， 第四及第五補償構件711及712的各者可在旋轉構件22中心 的一方向一亦即朝向旋轉轴線的一方向被移動，然後在旋 轉構件22的一往外方向一亦即朝向旋轉構件22旋轉軸線的 一徑向方向外側之一方向被移動。反之，當發光二極體晶 片的一位置受到補償時，第四及第五補償構件711及712的 各者可在旋轉構件22的往外方向被移動然後在旋轉構件22 93 201102671 中心的方向被移動。亦即，第三致動機構72可切換於一其 中使第四補償構件711接觸於未與第五補償構件712接觸的 發光二極體晶片而被移動之模式及一其中使第五補償構件 712接觸於未與第四補償構件711接觸的發光二極體晶片而 被移動之模式之間。 若利用此方式作調整，相較於移動第四及第五補償構 件711及712直到第四及第五漏構件711及712分別接觸於 發光:極體晶片的-側及另—側之案例而言，可改良調整 的可靠度。亦即，若第四及第五補償構件711及712被移動 直到第四及第五補償構件711及712分襲觸於發光二極體 晶片的-側及另一側為止’發光二極體晶片的側表面可能 ㈣或者發光二極體晶片可能在當第四及第五補償構件 7Π及712接觸於發光二極體晶片的—側及另—側時之瞬間 彈出然而’若發光二極體晶片的—位置受到補償同時第 四及第五補償構件711及712只有—者如上述 描艘日y μ , 5又— 極體晶^絲面縣受損或者發光二 極體日日片不會在作調整時彈出。 <第四補償單元> 發光1=:將參照第56至59圖描述'第四補償單元作為 °體晶片位置補償單元的一實施例。 =56圖為-第四補償單元的立體圖，第π圖為一第四 補1員早第四補償機構之分解立體圖 ::件的放大立體圖一示-第 ^栎作之正視圖。 94 201102671 根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可進一步包 括〆第四補償單元7八，而非第三補償單元7。第四補償單元 7A係以與第二補償單元7相同的方式裝設於測試器3及卸載 器9之間並補償安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的 一狀態，使得發光二極體晶片可在卸載位置ULP被卸載。 亦即，第四補償單元7A具有與第三補償單元7相同的功能。 第四補債單元7A係補償位於測試位置Tp與卸載位置 ULP之間的第二補償位置CP2的安裝構件21上所安裝之發 光二極體晶片的一狀態。在此例中，安裝構件21可裝設於 旋轉構件22中使得安裝構件21的各者可同時被定位於裝載 位置LD、第一補償位置CP1、測試位置1>1>、第二補償位置 CP2、及卸載位£财的至少—者處。旋轉單元讲轉動旋 轉構件22使得安裝構件21可依順序被定位於裝載位置 LD、第一補償位置cp卜測試位置TP、第二補償位£cp2、 及卸載位置ULP的各者處。 如第56圖所描繪’第四補償單元7A可包括一第四補償 機構73及一第四致動機構74。 接觸於安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的側表 面之第四補償機構73係往前（箭頭FW的方向）及往後（箭頭 BW的方向）移動發光二極體晶片。第四補償機助被可移 式耦合至第四致動機構74的一底表面。 ,第四致動機構74係包括一第二致動機構框架741及一 第二致動機構殼體742。第二致動機構框架％可裝設於且 固定至另-構件，諸如稱後描述的另—揚升機構。 ^二致 95 201102671 動機構框架741的一上端係被第二致動機構殼體742所覆 蓋，且在第二致動機構框架741内側，裝設有用於移動第四 補償機構73之組成組件，諸如一馬達及一連接於馬達的轉 換器。 第四致動機構74可包括一線性馬達。藉由使線性馬達 連接於第四補償機構73，第四補償機構73可被往前及往後 移動。或者，第四致動機構74可包括一轉動馬達及一連接 於轉動馬達之轉換器。轉換器係將轉動馬達的一旋轉運動 轉換成一線性運動以將其傳遞至第四補償機構73且可譬如 身為一滑輪及皮帶、一齒條-小齒輪齒輪、一滾珠螺桿、及 —凸輪構件之任一者。 參照第57圖，第四補償機構73可包括一第二補償構件 固持件731及一第六補償構件732。 第二補償構件固持件731係包括一位於其上側上之第 二平面板7311及一從第二平面板7311的一端往下延伸之第 二垂直板7312。第二平面板7311及第二垂直板7312可形成 為一體部。第二平面板7311係包括螺絲耦合溝槽7315並可 耦合至一未圖示的馬達或一經由螺絲耦合溝槽7315連接於 馬達之未圖示的轉換器。 在第一垂直板7312的一内表面處，可設置—第二引導 構件7313。藉由使第二引導構件7313連接於一未圖示的引 導軌道而可滑動，當第四補償機構73往前及往後移動時， 可以防止第四補償機構73振動或偏離一預設途程。第二垂 直板7312係包括螺絲耦合溝槽7314藉以耦合至第六補償構 96 201102671 件732 〇 合至第 第六補償構件7观包括1二上端構件7321以被輛 補償構件固持件731的笛-士 *上 卞的第一垂直板7312及一第二 ^構件合至第二上端構件732ι的—底表面成 為—體部。 U58H上端構件彻係包括螺絲耦合溝槽 23藉以被耦合至第二補償構件固持件731。亦即，第六補 償構件732的螺絲搞合溝槽7323係螺絲式輕合於第二補償 構件固持件7 31 __合溝槽7 3丨4，因此使第二補償構件 固持件731被固定且耦合至第六補償構件732。 第二下端構件7322係包括一第二發光二極體晶片容納 溝槽732a，其中設有被安裝於安裝構件21上之發光二極體 晶片。並X，第二下端構件7322係包括一第三接觸表面7324 以接觸於位於第二發光二極體晶片容納溝槽7 3 2a中之發光 二極體晶片的一側，及一第四接觸表面7325以接觸於發光 二極體晶片的另一側。第三及第四接觸表面7324及7325係 刀別面對發光一^極體晶片的兩側表面，而第三接觸表面 7324及第二接觸表面7325之間的一空間係用來作為第二發 光一極體晶片容納溝槽732a。為了使發光二極體晶片位於 第二發光二極體晶片容納溝槽732a中，第三接觸表面7324 及第四接觸表面7325之間的一距離一亦即第二發射容納溝 槽732a的一尺寸係應大於發光二極體晶片的兩側表面之間 的—距離。因此，若第四補償機構73往前（箭頭FW的方向） 移動藉以調整發光二極體晶片的一位置，發光二極體晶片 97 201102671 的一側係接觸於第三接觸表面7324且發光二極體晶片的另 侧未接觸於第四接觸表面7325。反之，若第四補償機構 73往後移動（箭頭BW的方向），發光二極體晶片的另一側係 接觸於第四接觸表面7325且發光二極體晶片的一側並未接 觸於第三接觸表面7324。利用此方式，第四補償機構73往 前及往後移動，因此使發光二極體晶片被移動至一適於卸 載的位置"此製程中，發光二極體晶片可當安裝在安裴構 件21上之時被轉動或移動。 第三接觸表面7324的一上邊緣係連接於一第三補償構 件傾斜表面7326，且第四接觸表面7325的一上邊緣連接於 一第四補償構件傾斜表面7327。第三補償構件傾斜表面 7326及第四補償構件傾斜表面7327係延伸至第六補償構件 732之第一下端構件7322的一頂表面。為此，第二發光二極 體晶片容納溝槽732a的一上空間係形成為一往上寬廣開啟 的形狀。在第六補償構件732上，可裝設一將於稍後描述的 第二感測器單元8(未圖示）。第二感測器單元係經由第二發光 二極體晶片容納溝槽732a及其上開啟空間來檢查處於第二 補4員位置之發光二極體晶片在安裝構件中的一安裝位置。 第59圖為顯示第四補償單元7八的一操作之圖式。參照 第59圖，在旋轉構件22的支撐框架221上，裝設有安裝構件 2卜且在安裝構件21的頂表面上，放置有—經測試的發光 二極體晶片。在第二補償位置處，第四補償單元从的第六 補償構件732係敎㈣轉構件21上，因此使發光二極體 晶片被放置於第六補償構件732的第二發光二極體晶片容 98 201102671 納溝槽732a中。 若第六補償單元732的-底表面完全接觸於安裝構件 …當第六補償構件732往前及往後移動時，安裝構件⑽ 面將有可％ &損之危險Μ此，理想上，第六補償構件732 可被定位於其中當第六補償構件732往前及往後移動時 使第/、補㊣構件732的底表面未接觸於安|構件21頂表面 且使第八補仏構件732的帛三及第四接觸表面7324及7325 接觸於發光二極體晶片側表面之高度處。 第二發光二極體晶片容納溝槽7 3 2a中的第六補償構件 732係往刖（箭頭FW的方向）移動然後往後（箭頭的方向） 移動。利用此方式，發光二極體晶片係被移動至一適當位 置—亦即—其中使發光二極體晶片可被適當卸載之位置。 如上述’當第六補償構件732往前（箭頭FW的方向）移動之 時’發光二極體晶片的一側係接觸於第三接觸表面7324且 發光一極體晶片的另一側未接觸於第四接觸表面7325。反 之，當第六補償構件732往後（箭頭BW的方向）移動之時，發 光一極體晶片的另一側係接觸於第四接觸表面7325且發光 一極體晶片的—側未接觸於第三接觸表面7324。 已說明—其中當發光二極體晶片置於第二發光二極體 晶片容納溝槽7 3 2 a中之時使發光二極體晶片往前移動然後 在後移動之案例。然而，亦可以藉由當發光二極體晶片置 於第二發光二極體晶片容納溝槽7 3 2a中之時使發光二極體 曰曰片在後移動然後往前移動來調整發光二極體晶片的一位 置。並且，當發光二極體晶片置於第二發光二極體晶片容 99 201102671 納溝槽732a中之時，可以只往前移動第六補償構件732，或 者當發光二極體晶片置於第二發光二極體晶片容納溝槽 732a中之時，可以只往後移動第六補償構件732。尚且，當 發光二極體晶片置於第二發光二極體晶片容納溝槽仙中 之時，可以往前及紐數纽覆__六補償構件Μ。 在此例中，往前方向係指-朝向旋轉構件22的中心— 亦即旋轉軸線之方向，而往後方向係备與其相反的方 向。若第六補償構件732的第三及第四接觸表面機及 被定位於當旋轉構件22_時與旋轉構件U旋轉方向呈平 行之-方向（請見第_)，可以降低Μ二極體晶片或安裝 構件21及第六補償構件732之間碰撞的可能性。 雖未圖示’第四補償單S7A可藉由_第四揚升機構被 上下移動。當旋轉構件22旋轉時，第四揚升機構可往上移 動第四補償單元7Α。為此，可以降低#旋轉構_旋轉時 第四補償機構73及發光二極體晶^安裝構件歡間碰撞 的可能性。若_構件22停止且安裝構仙被定位於第二 樹貝位置CP2’第四揚升機構可往下移動第四補償單元7八。 利用此方式，當旋轉構件22旋轉時，可以避免第四補 償機構73及發光二極體晶片或安裝構_之間的碰撞。 第：揚升機構可利用一液塵缸或氣動缸來上下移動第 四補償單TC7A。第四揚升機構可利用馬達及—㉟合至馬達 及第四補償單各者之連接機構來上下移動第四補償單 元7A。連接機構可包括-滑輪及皮帶，-滾珠螺桿，一凸 輪構件’及類似物。 100 201102671 <第二感測器單元> 第二：:: 包括—第二感測器單元8。 構件21上所安2= 錄查位於第二補償位置⑵的安裝 疗文裝之發光二極體晶片的—狀 單元8檢查發光二極 #二感測器 旋_ κ 件21令的-安裝位置及 二:C_影機作為-第二感測器單元6。 第-感測裔單元8係裝設成位於第三補償機構7ι上並 機構71所補償且安裝在安裝_上之發 償體部71Γ中態㈣w在第二補 、2據本發明的發光二極體晶片選別裝置Η)包括第二 感測器單元8’卸載器9可以第二感測器單元8所獲得之發光 一極體ΗΒ片的狀態資吼為基礎從位於卸載位置uLp的安裝 構件21精確地卸載發光二極體晶片。 雖未圖示’第二感測器單元8檢查位於第二補償位置 CP2及卸載位置ULP之間的一第二感測位置之發光二極體 晶片的一狀態。第二感測器單元8係檢查發光二極體晶片在 安裝構件21中之一安裝位置及旋轉程度。 在此例中，旋轉單元33可轉動旋轉構件22使得安裝構 件21可依順序被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、 第一感測位置、測試位置TP、第二補償位置CP2、及卸載 位置ULP的各者處。 安裝構件21可裝設於旋轉構件22中以使安裝構件21各 101 201102671 成可同時被定位於裝載位置LD、第一補償位置CH、第一 〉貝丨J 、 、直、測試位置TP、第二補償位置、及卸載位置ULP 的至少-者處。 只已描述一使第二感測器單元8被定位於第三補償機 構71上之案例，但第二感測器單元8可被定位於第四補償機 樽73上。 <第一移除單元> 如上述’發光二極體晶片係安裝在位於裝載位置LP且 破移動至測試位置TP之安裝構件21上，而發光二極體晶片 在測試後被移動至卸載位置ULP予以卸載。穿過卸載位置 ^lp之安裝構件21係再度被移動至卸載位置Lp，而在裝載 饭置LP處，一新的發光二極體晶片被裝載至安裝構件21中。 然而，若發光二極體晶片未從安裝構件21被妥當地卸 栽’發光二極體晶片係留存在穿過卸載位置ULP至裝載位 置LP的安裝構件21處’且因此’另一新的發光二極體晶片 無法被妥當地裝載至安裝構件21中。並且，由於發光二極 趲晶片未被妥當地裝載至移動到測試位置TP之安裝構件21 中，新的發光二極體晶片無法妥當地作測試。 為了防止此問題’根據本發明的發光二極體晶片選別 羧置10可包括一用於移除留存在穿過卸載位置ULP之安裝 才冓件21處的發光二極體晶片之第一移除單元11。因此，根 據本發明的發光二極體晶片選別裝置丨〇係穩定地裝載及測 試發光二極體晶片’因此可改良發光二極體晶片之測試的 锖確度。 102 201102671 #照第60圖’第-移除單元U裝設於卸載位置咖與 裝載位置LP之間，且因此，可以移除留存在穿過卸載位置 ULP的安裝構件21處之發光二和續晶片。當發光二極體晶 片被移除時’留存在安裝構件21處的異物可自其被移除。 第一移除單兀11係從位於一第—移除位置]?之安裝構 件21移除發光二極體晶片。第-移除位置靴定位於却載位 置ULP與裝載位置LP之間。旋轉單元23可轉動旋轉單元22 以使安裝構件21可依順序被定位於裝載位置Ld、測試位置 TP、卸載位置ULP、及第一移除位置]?的各者處。亦即，若 旋轉單元23將安裝構件21放置於裝載位置Lp、測試位置 TP、及卸載位置ULP的各者處，穿過卸載位置ULp的安裝 構件21係被定位於第一移除位置F。複數個安裝構件21可裝 設於旋轉構件22中使得安裝構件21各者可同時被定位於測 試位置TP、裝载位置LP、卸載位置ULP、及第一移除位置F 的至少一者處。 為此，在根據本發明的發光二極體晶片選別裝置1〇 中，可以防止因為分離地轉動及停止旋轉構件22藉以移除 留存在穿過卸載位置ULP之安裝構件21處的發光二極體晶 片所造成之操作時間損失。並且，根據本發明的發光二極 體晶片選別裝置10中，當發光二極體晶片在裝載位置LP處 被裝載、在測試位置TP被測試、及在卸載位置ULP被卸載 之時，留存在安裝構件21處的發光二極體晶片可在第一移 除位置F被移除。因此，可以移除留存在安裝構件21處的發 光二極體晶片而不需要額外的操作時間。 103 201102671 第一移除單元11可包括一喷注單元（未圖示），其將一用 於移除發光二極體晶片之流體喷注朝向位於第一移除位置 F的安裝構件21。喷注單元（未圖示）可被定位在處於第一移 除位置F的安裝構件21以及旋轉構件22的一旋轉軸線22a之 間並將流體噴注朝向處於第一移除位置F之安裝構件21。因 此’發光二極體晶片可被移除至旋轉構件22外側。由於發 光二極體晶片晶片可被移除至旋轉構件22外側，可以防止 堵塞或短路發生。 參照第60至63圖，第一移除單元11可包括一位於第一 移除位置F之體部111。 在第一移除位置F，發光二極體晶片係被定位於體部 處所形成之貫穿溝槽1111處。因此，當旋轉構件22轉動 時，可以容許安裝構件21被定位於第—移除位置？處藉以不 會在不移動體部111的情形下碰撞到體部lu。 一第一連接孔1112係形成於體部丨^的一側ma處藉以 導通於貫穿溝槽1111。體部111的-側1113可連接於用以喷 注流體以移除位於第一移除位置F的發光二極體晶片之喷 注單元(未圖示）。從喷注單元(未圖示)所喷注之流體係經由 第一連接孔1112被轉移至貫穿溝並從位於第一移除 位置F之安裝構件21移除發光二極體晶片。 雖未圖示，喷注單元可包括-注射農置，其用於喷注 一流體，及-賴衫，其詩連接叫Μ讀部山的 從崎裝置雜射的㈣轉移至貫穿溝槽 1111。可採用一軟管作為一連接單元。 104 201102671 一第二連接孔1113形成於體部lii的另一側mb處藉 以導通於貫穿溝槽11U。體部U1的另一側11115可連接於一 空氣吸取單元（未圖示），其用於吸取一流體使得從位於第一 移除位置F的安裝構件21所移除之發光二極體晶片自貫穿 溝槽111被移動至第二連接孔1113。空氣吸取單元（未圖示） 係在一從貫穿溝槽U11往第二連接孔1113的方向吸取流 體，並因此可使發光二極體晶片從貫穿溝槽移動朝 向第二連接孔1113。 雖未圖示，空氣吸取單元可包括一吸取裝置，其用於 吸取一流體，及一連接單元，其用於連接吸取裝置及體部 111的另一側111b。可採用一軟管作為一連接單元。 若體部111的一側llla連接於喷注單元且體部丨丨丨的另 一側111b連接於空氣吸取單元，從喷注單元所喷注的流體 係經由第一連接孔1112被轉移至貫穿溝槽mi並被空氣吸 取單元所吸取然後從貫穿溝槽llu被移至第二連接孔 1113。亦即，流體係經由貫穿溝槽1111從第一連接孔ni2 被移動至第一連接孔1113，並在此製程中，發光二極體晶 片可從位於第一移除位置F之安裝構件21被移除。 以位於第一移除位置F之安裝構件21為基礎，體部lu 的一側111a可被定位於旋轉構件22内側且體部iU的另— 側111b可被定位於旋轉構件22外側。體部ui的一側1113可 被疋位於第一移除位置F的安裝構件21以及旋轉構件22的 旋轉軸線22a之間《因此，發光二極體晶片可被移除至旋轉 構件22外側。由於發光二極體晶片可被移除至旋轉構件22 105 201102671 外側’可以防止發生堵塞或短路。 參照第60圖，第一移除單元丨丨可進—步包括一儲存構 件112及一連接構件113。 儲存構件112係儲存從位於第一移除位置F的安裝構件 21所移除之發光二極體晶片。因此，不論體部⑴的一裝設 方向如何，所移除的發光二極體晶片係被移動至諸如旋轉 構件22等其他域組件，且目此，可以防止發找塞或短 路。儲存於儲存構件112中的發光二極體晶片係可再度被跋 載至安裝構件21巾絲據—職絲依驗別予以分級。 儲存構件112可形成為在其中儲存有經移除的發光二 極體晶片。譬如’儲存構件112可整體形成為—中空圓柱形。 連接構件113係連接料U1及儲存構件112。從位於第 一移除位置F的安裝構件21所移除之發光二極體晶片係經 由第-連接孔1113及連接構件113被移動⑽存構件M2。 可採用—軟管作為一連接構件113。 <第二移除單元> 發光二極體晶片可設置成使其黏著至一諸如藍卷帶等 2卷帶。在此例中，黏有一黏劑材料的發光二極體晶片 係可，裝迪位於㈣位置Lp之安裝構件21中，而發光二 ^體阳片可利⑽缝料被黏著至安裝構件21。為此，可 能使得發光二極體W結在卸餘4ULp被妥當卸載。 Π S由第移除移除單元11來移除無法在卸載位置 Z處被妥當㈣且留存在安裝構件21處之發光二極體晶 。然而’縱使發光二極體晶片被第-移除單元11所移除， 106 201102671 黏劑材料仍可留存在安裝構件21處。此黏劑材料會污染一 將在裝載位置LP處被裝載之新的發光二極體晶片，且當其 經由反覆操作而累積時，無法在卸載位置被妥當卸載的發 光二極體晶片數將變多。為了移除此黏劑材料，根據本發 明的發光一極體晶片選別裝置10可包括第二移除單元I〗。 參照第64圖，第二移除單元12係裝設於卸載位置ULp 與裝載位置LP之間，因此可以移除留存在穿過卸載位置 ULP的安裝構件21處之黏劑材料。第二移除單元12可裝設 於第一移除單元11旁邊。 第一移除箪元12可移除留存在位於一第二移除位置g 之安裝構件21處的黏劑材料。第二移除位置(；}被定位於第一 移除位置F與裝載位置LP之間。 旋轉單元23可轉動旋轉構件22以使安裝構件21可依順 序被定位於裝載位置LD、測試位置TP、卸載位置11〇>、第 一移除位置F、及第二移除位置G的各者處。亦即，若旋轉 單元23將安裝構件21放置在裝載位置lp、測試位置τρ、卸 載位置ULP、及第一移除位置F的各者處，穿過卸載位置ULp 之安裝構件21係被定位於第二移除位置G處。複數個安裝構 件21可被裝設於旋轉構件22中以使安裝構件21各者可同時 被定位於測試位置TP、裝載位置LP、卸載位置uLP、第一 移除位置F、及苐二移除位置G的至少一者處。 因此，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10中， 可以防止因為分離地旋轉及停止旋轉構件22藉以移除留存 在穿過卸載位置ULP之安裝構件21處的黏劑材料所造成之 107 201102671 操作時間的損失。並且，根據本發明的發光二極體晶片選 別裝置10中，當發光二極體晶片在裝載位置LP被裝載、在 測試位置TP作測試、在卸載位置ULP被卸載、及在第—移 除位置F被移除之時’留存在安裝構件21之黏劑材料可在第 二移除位置G被移除。因此，可以移除留存在安裝構件21 處之發光二極體晶片而不需要額外的操作時間，且亦可以 一充分時間來移除留存在安裝構件21處之黏劑材料。 第二移除單元12可包括一接觸構件121，其接觸於穿過 卸載位置ULP之安裝構件21的頂表面藉以移除留存在安裝 構件21頂表面處之黏劑材料。第二移除單元12可包括至少 一個或多個接觸構件121。 接觸構件121可包括諸如織物、刷、及皮革等材料的至 少任-者崎除留存在安裝構件21頂表面處的黏劑材料。 接觸構件121可進-步包括__可以充分黏著強度黏著至留 存在安裝構件21處的黏騎料之㈣H理想上，接觸 構件121中所包括的黏劑材料係可以比留存在安裝構件^ 地的黏㈣料與安裝構件21之間的黏著強度更大之黏著強 度被黏著至留存在安裝構件U處⑽劑材料。 接觸構件121係藉由旋轉構件22的轉動而擦磨抵住安 " ㈣表面，II以移除留存在安裝構件21頂表面處 J劑材料。藉由稍後所描述的另-組態，接觸構件121可 =轉性或祕移^祕留存在絲構件U頂表面處之 黏劑材料。 參照第64及65 m 吻 0 夂〇5圖，第二移除單元12可進—步包括一支 108 201102671 撐構件以被耦合至接觸構件】2J。 了 構件⑵可耦合至接觸構件121使得接觸構件⑵ :被轉動。為此，若旋轉構件22轉 觸於安裝構件頂表面之時 9121係田接 在安裝構件轉動，因此可使留存 件頂表面處之_材料被移除。接觸構件121可 f 一㈣轴線咖被轉動並可整體形成-圓柱形狀。若第 :=早心2包括複數個接觸構件⑵，接觸構 係可被可旋轉故合至支撐構件⑵。 經修改範例之第二移除單 參照第66圖，根據本發明的 70 12係可進_步包括1於轉動接觸構件⑵之驅動單元 並 =妾觸構件121可沿旋轉轴線12叫請見第65圖)被轉動 可整體形成一圓柱形狀。 田接觸構件接觸於安裝構件以頂表面之時，驅動單 心3係轉動接觸構件121，因此接觸構件⑵可移除留存在 安裝構件21頂表面處的黏劑材料。縱使旋轉構件功亭止， 接觸構件121可藉由_單元⑵來㈣留存在安裝構件 頂表面之黏劑材料。 "驅動早TU23’合至支揮構件122’且接觸構件⑵可 。走轉轴線121a被順時針或逆時針方向轉動。驅動單元⑵ :包括—馬達123卜馬達1231可直難合线轉軸線121a 错以轉動接觸構件121或可耗合至—與旋轉轴線ma麵合 的軸(未圖示)藉以轉動接觸構件121。若馬達則裝設於一 '、軸(未®7F)呈-預定距離之位置處，_單元123可進一 步包括-用於連接馬達與轴(未圖示)之滑輪及皮帶。 109 201102671 參照第67圖，根據本發明的經修改範例之第二移除單 兀12係可進一步包括一用於移動支撐構件122之移動單元 (未圖示）。接觸構件可隨著支撐構件122移動而與支撐構件 122—起被移動並可整體形成為一矩形。接觸構件ΐ2ι可形 成為諸如圓柱形而非矩形等另一形狀，只要其可接觸於安 裝構件21頂表面即可。 移動單元可耦合至支撐構件122並可當接觸構件121接 觸於安裝構件21絲面之時祕地移動支料件122，因此 可使接觸構件121移除留存在安裝構件21頂表面處的黏劑 材料。縱使旋轉構件22停止，接觸構件121可藉由移動單元 來移除留存在安裝構件21頂表面處的黏劑材料。 移動單元係利用一液壓缸或氣動缸來移動支撐構件 122。移動單元可___馬達及—用於將馬達的_旋轉運動 轉換成一線性運動之轉換器來移動支撐構件122。轉換器可 為-滑輪及皮帶 齒條·小齒輪齒輪、—滾珠螺桿、及一 凸輪構件之任—者。轉㈣可耗合至馬達及支撐構件122的 各者。 雖未圖示，發光二極體晶片選別裝置10可進—步包括 一用於上下移動第二移除單元12之揚升單元。 揚升單元可柄合至第二移除單元12並可上下移動第二 移除單元12使得接觸構件121可被定位於一第一位置或： 第二位置處。若接觸構件121被定位於第—位置處，接觸構 件121係接觸於穿過卸載位置uLp之安裝構件2丨的頂表 面。右接職件m被定位於第二位置處，接觸構件⑵係 110 201102671 遠離穿過卸載位置ULP之安裝構件21的頂表面。 當旋轉單无23轉動旋轉構件22時，揚升單元可往上移 動第二移除單元12使得接觸構件121可被定位於第二位置 處。轉單元23停止旋轉構件22時，揚升單元可往下移 動第=移除單元12使得接觸構件121可被定位於第—位置 處猎由此組雄，根據本發明的發光二極體晶片選別 旋轉構件22轉動時安裝構件21及接觸構件⑵ 之間娅揸的可能性。 除單=單:可利用或氣動缸來上下移動第二移 轉運動轉換Γ單元可利用一馬達及一用於將馬達的一旋 元12。轉換生運動之轉換器來上下移動第二移除單 滾珠％//為―滑輪及皮帶、—齒條-小齒輪齒輪、-累才干、及一凸輪構件之任一 及第二歸單元12的各者。 #合至馬達 <卸载器> 參照第34及κι _ 驻姓从 圖’卸載器9係從位於卸載位置ULP的安 裝構件2!卸_光二 ^MULP的女 發光二極體曰片、$體曰曰片。在此例中，根據本發明的 之卸載器料括㈣三奸施例中描述 <第-實施例〉 附圖依順序說明各別實施例。 第68圖係為—卸載器的示专立 容納機構及-第—接 u ® ’第69圖為-第- 存單元的示意立體圖 意立體圖，第70圖為一儲 立體圖。_ ’而第71圖為-第二轉移單元的示意 111 201102671 參照第34、46圖及第68至71圖，卸載器9可包括一裝設 於測試器3旁邊之緩衝器總成91。 緩衝器總成91可使用一用於支撐複數個經測試的發光 二極體晶片之第一容納機構200。 第一容納機構200可包括一具有一中空部分（未圖示）之 第一殼體201，及一耦合至第一殼體之第一接收構件2〇2， 其中设有經測试的發光一極體晶片。第一接收構件2〇2可為 一黏劑卷帶。經測試的發光二極體晶片可黏著至第一接收 構件202的一頂表面。第一接收構件2〇2可為一藍卷帶。 第一殼體201可整體形成為一四角形。第—殼體2〇1可 包括整體形成為-四角形之中空體部（未圖示）。雖未圖示， 第-殼體2〇1及中空部分(未圖示)可形成為 一碟形。第一殼體 201及中空部分(未圖示)可形成為諸如_碟形等另—形狀。 雖未圖不’緩㈣總成91可使用具有複數够納溝槽之 第合，内機構200,其中容納有經測試的發光二極體晶片。 - I 第34 46圖及第68至71圖，緩衝器總成91可包括 一卸載單元911，—笫一植队。〇 祀，及―第二轉移單元=平元912…第二健存單元 卸載單元911藉由從位於 楝取_試⑽光二極體晶片 200以進行一卸載製程。 卸載位置ULP之安裝構件21 並將其轉移至第一容納機構 卸载旋轉臂9111及一卸載驅動 ㈣單元911可包括 單元9112。 一能夠吸附經 測斌的發光二極體晶片之卸載楝取器 112 201102671 9111a係裝設於卸倾轉f 91减。卸載旋轉物u可藉由 一揚升部件（未圖示)被上下移動。 9 ，却載旋㈣9111可被往復㈣，使得域楝取器9Ula 可當受到卸載驅動單元9112轉動之時被定位於卸載位置 ULP處及第-容_構2⑽上。卸麟取抓山可被定位於 第一接收單元912處的第一容納機構2〇〇上。 、 卻載單元911可包括單一的卸載旋轉臂9iu及單—的 卸載楝取器9111a。第68圖中，提供三個卸载旋轉臂9山及 三個卸載楝取器9111a用以顯示卸載旋轉臂9U1之—往復 運動的一途程。 卸載驅動單元9112係耦合至卸載旋轉臂9111。卸載驅 動單元9!12謂動卸載_臂9111使得卸麟取器9出& 可被定位於卸載位置ULP處或第一容納機構2〇〇上。 雖未圖示，卸載單元911可包括複數個卸載旋轉臂9iu 及複數個各被耦合至各卸載旋轉臂9111之卸載楝取器 9111a。卸載驅動單元9112係當沿一旋轉軸線(未圖示）轉動 卸載旋轉臂9111之時容許卸載楝取器91Ua的任一者被定 位於卸載位置ULP處且卸載楝取器9111a的任—者被定位於第 一容納機構200上。卸載驅動單元9112可容許卸載楝取器 9111a依順序被定位於卸載位置ULP處及第—容納機構2〇〇上。 卸載驅動單元9112可包括一馬達，且若馬達被定位於 相距卸載旋轉臂9111呈一預定距離處則可進一步包括一滑 輪及皮帶或類似物。 卸載單元911可將經測試的發光二極體晶片從安裝構 113 201102671 件21轉移至第一容納機構2〇〇,使得發光二極體晶片以與由 進給器機構100所支撐者相同的圖案被配置於第一容納機 構200中。 參照第34、46圖及第68至71圖，第一接收單元912係移 動第一容納機構200，使得第一容納機構2〇〇可被定位於一 其中可使卸載單元911放置經測試的發光二極體晶片之位 置處。 第一接收單元912可包括一第一接收體部9121，一第二 對準單元9122，及一第二移動單元9123。 第一接收體部9121係支撐第一容納機構2〇〇的一底表 面。第一接收體部9121可藉由第二移動單元9123在一X軸方 向及一Y軸方向被移動。根據第一接收體部9121的運動，第 一容納機構200可被移動至一其中可使卸載單元911放置經 測試的發光二極體晶片之位置。 第一接收體部9121可藉由第二移動單元9123在χ軸方 向及γ軸方向被移動。根據第一接收體部9121的移動及轉 動，卸載單元911可將經測試的發光二極體晶片放置在第一 容納機構200中藉以前往相同方向。 一第二支撐裝置9121a可裝設於第一接收體部9121 中。第一接收體部9121可包括—第一接收空間9121b，其中 可裝設有第二支撐裝置9121a。第二支撐裝置9121a可支撐 由卸載單元911放置在第一容納機構2〇〇中之經測試的發光 二極體晶片的一底表面。第二支撐裝置91213可在第一容納 機構200底下支撐第一接收構件2〇2的底表面。第二支撐裝 114 201102671 置9121a可藉由一揚升部件（未圖示)被上下移動。 第接收體部912丨可包括一第一接收貫穿溝槽 9121c。第-接收貫穿溝槽9121c可自第—接收體部9i2i頂 表面以一預定深度形成至一凹陷中。第一接收體部9121可 包括複數個第—接收貫穿溝槽9121c。第二轉移單元914係 經由第一接收賁穿溝槽9121c將第-容納機構2_移至第 一接收體部9121。 參照第34、46圖及第68至71圖，第二對準單元9122係 對準由第一接收體部9121所支撐之第一容納機構2〇〇的一 位置。第二對準單元9122包括一第二固定構件9122a，-第 二運動構件9122b，一第二移動機構9122(：，及一第二揚升 機構9122d。 第二固定構件9122a係裝設於第一接收體部9121中並 決定第一接收體部200的一位置。第二固定構件91223可耦 合至第一接收體部9121藉以自第一接收體部9i2i頂表面以 預疋鬲度往上突出。第一容納機構2〇〇可藉由接觸於第二 固夂構件9122a而被對準。第二對準單元9122可包括複數個 第二固定構件9122a。 第二運動構件9122b可耦合至第二移動機構9122(：並可 被第二移動機構9122c移動。第二運動構件912213可耦合至 第一移動機構9122c藉以從第一接收體部9121頂表面以一 預定高度往上突出。第二運動構件9122b可被定位為與一其 中使第一固疋構件9122a裝設於接收體部9121中之位置呈 現相對。第二對準單元9122可包括複數個第二運動構件 115 201102671 9122b 〇 第一運動構件9122b可被第二移動機構9122(：移動藉以 趨近或退離第二固定構件9122a。若第二運動構件9122被移 動乂趨近第―固定構件9122,第—容納機構係被第二運 動構件9mb推押以接觸於第二固定構件9122a。為此可 使第一容納機構200被對準。 第二移動機構9122c可耦合至第一接收體部9121並可 移動第—運動構件9122b。第二移動機構9122e可移動第二 運動構件9122b直到第-容納機構接觸於第二@定構件 9122a為止。第二移動機構叱以可利用—液壓缸或氣動缸 來移動第一運動構件9122b。第二移動機構91瓜可利用一 /月輪及皮帶、利用—滚珠螺桿、或利用—凸輪構件來移動 第二運動構件9122b。 第二揚升機構9122d可耗合至第二移動機構9122c。第 二揚升機構9122d可耦合至第二運動構件犯㉑。藉由此組 態’揚升機構9U2C1可在Y軸方向被第二移動機構91咖所移 動且可上下移動第二運動構件9122b。 右第一轉移單元914被移往第一接收體部9121藉以將 第谷納機構20〇放置在第一接收體部9121中，第二揚升機 構9122d可往下移動第二運動構件9122d。藉由此組態，可 以避免第-容納機構200或第二轉移單元914及第二運動構 件9122b之間的碰撞。 若第一容納機構200被放置在第一接收體部9121中，第 二揚升機構9122d可往上移動第二運動構件9122卜然後， 116 201102671 第一運動構件91221)被第二移動機構9122c移動，因此可使 第一容納機構200被對準。 右第二轉移單元914將用於支撐經測試的發光二極體 晶片之第一容納機構2〇〇從第一接收體部9121轉移至第二 儲存單TC913，第二揚升機構9122£1可往下移動第二運動構 件91221^為此，可以避免第一容納機構2〇〇或第二轉移單 元914及第二運動構件912215之間碰撞的可能性。 參照第34、46圖及第68至71圖，第二移動單元9123可 移動第接收體部9121使得第一容納機構2〇〇可被定位於 一其中使卸載單元911放置經測試的發光二極體晶片之位 置處。第二移動單元9123可在X軸方向及Y軸方向移動第一 接收體部9121。 第二移動單元9123係可包括一第二上構件9123&以供 與第一接收體部9121合併而可移動，及一第二下構件9123b 以供與第二上構件9123a合併而可移動。 第一接收體部9121及第二上構件9l23a可在彼此正交 的一方向被移動。若第二上構件912知耦合至第二下構件 9123b以可移動於X轴方向，第一接收體部9丨21可耗合至第 二上構件9123a以可移動於γ軸方向。若第二上構件9123& 耦合至第二下構件9123b以可移動於γ軸方向，第一接收體 部9121可耦合至第二上構件9123a以可移動於χ軸方向。 第二移動單元9123可利用一液壓缸或氣動缸、利用一 滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用—凸輪構件來移動 第一接收體部9121及第二上構件9123a。 117 201102671 第二移動單元9123可轉動第一接收體部9121。第二移 動單元9123可轉動第一接收體部9121使得卸載單元911可 將經測試的發光二極體晶片放置在第一容納機構2〇〇中藉 以前往相同方向。 參照第34、46圖及第68至71圖，第二儲存單元913係包 括—能夠在其中儲存複數個第一容納機構2 〇 〇之第二儲存 機構9131。 第二儲存機構9131可包括能夠支樓第一容納機構2〇〇 的一底表面兩側之複數個第二儲存構件9131a。複數個第二 儲存構件9131a可位居在—垂直方向（z軸方向）遠離彼此呈 預疋距離。第二儲存構件913&之間的空間係作為一第二 儲存溝槽9131b且第一容納機構2⑻各者可被插入其中。 參照第34、46圖及68至71圖，第二轉移單元914可將第 一容納機構200從第二儲存機構9131轉移至第一接收體部 9121並可將第一容納機構2〇〇從第一接收體部9⑵轉移至 第一儲存機構9131。 第二轉移單元914可將空的第一容納機構200從第二儲 存機構9131轉移至第—接收體部912卜若位於第—接收體 4 9121中的第一容納機構2〇〇被充填有經測試的發光二極 體晶片’第二轉移單元914可將第—容納機構酬從第一接 收體部9121轉移至第二儲存機構9131。 利用此方式，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置 10係自動地供應第-容納機構·，其中經測試的發光二極 體晶片被放置至第—接收體部912卜且因此，卸載製程<速 118 201102671 續地進行並可以防止因為人工操作造成的操作時間損失。 第二轉移單元914可將第一容納機構2〇〇轉移於第一接 收單元912及第二儲存機構9131之間。第二轉移單元914係 包括一第一轉移構件9141及一第二轉移機構9142。 第一轉移構件9141可握持第一容納機構2〇〇。由於第二 轉移構件9141係由分別與第一握持構件4411、第二握持構 件4412、第一驅動機構4413及第一連接體部4414呈對應且 實質相同之組件構成，為了本發明清楚起見已經省略這些 組件的說明。 第二轉移機構9142係將第二轉移構件9141轉移於第二 儲存機構9131及第一接收單元912之間。第二轉移機構9142 可移動第二轉移構件9141使得空的第一容納機構2 〇 〇可從 第二儲存機構9131被轉移至第一接收體部9121。第二轉移 機構914 2可移動第二轉移構件9141使得充填有經測試的發 光二極體晶片之第一容納機構2〇〇可從第一接收體部9121 被轉移至第二儲存機構9131。 第二轉移機構9142可利用一液壓缸或氣動缸、利用一 滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動 第二轉移構件914h 第二轉移機構9142可耦合至一第二構台9143。第二轉 移構件9141可沿著第二構台9丨4 3被移動於γ軸方向。 在此時，第二儲存機構9131中，第一容納機構2〇〇可被 堆積於垂直方向（z軸方向）。在此例中，第二儲存單元913 可進一步包括一第二儲存揚升機構9132。 119 201102671 第二儲存揚升機構913 2可上下移動第二儲存機構 9131。第二儲存揚升機構9132可上下移動第二儲存機構 9131使得第—容納機構2〇〇可被定位於一其中可使第二轉 移構件9141雜帛—容賴構之位置處。第二儲存揚升機 構9132可上下移動第二儲存機構9131使得第二轉移機構9141 將第一容納機構2〇〇放置在儲存機構231中以儲存於其中。 第二儲存揚升機構9132可利用一液壓缸或氣動缸、利 用-滑輪及皮帶、利用—滾珠螺桿、或利用_凸輪構件來 上下移動第二儲存機構9131。 除了第二儲存機構9131外，第二儲存揚升機構9132可 上下移動第二轉移構件9141，或可上下移動第二轉移構件 9141及第二儲存機構9131兩者。 第二儲存揚升機構9132可包括一第二垂直體部9132& 及一第二揚升體部9132b。第二垂直體部9132a耦合至第二 揚升體部9132b藉以可上下移動。 第二儲存機構9131可被可脫離式耦合至第二揚升體部 9l32t>。為此’若第二儲存機構9131在其中只儲存充填有經 测忒的發光二極體晶片之第一容納機構2〇〇，第二儲存機構 9131係可由—其中儲存有空的第一容納機構200之新的第 儲存機構9131予以更換。因此，一更換操作變得容易進 行且可縮短更換操作所需的時間，因此可以防止因為更換 操作造成的操作時間損失。 。。右當裝載製程完成，第-儲存機構231只儲存空的進給 益機構：1 * 第一儲存機構231可用來作為一第二儲存機構 120 201102671 9m。 <第二實施例> 第72圖係為根據本發明的一經修改範例之一包括一卸 載器之發光二極體晶片選別裝置的示意立體圖，第73圖為 第72圖的平面圖，第74及75圖為根據本發明的一經修改範 例之一第二儲存單元的示意立體圖，第76圖為一第二轉移 單元及一第三轉移單元之示意立體圖，第77圖為一第一容 納機構及一第二進給器的示意立體圖，第78圖為第77圖的 側視圖，第79圖為一第二進給體部、一第二進給支撐裝置 及一選別總成之示意立體圖，第80圖為第79圖的一部分T 之放大示意側视橫剖視圖，第81圖為一第二進給體部、一 第二進給支撐裝置、一選別總成及一第二冷卻單元之示意 立體圖，第83至85圖為根據本發明的一經修改範例相對於 一第一冷卻單元之第82圖的一部分U之放大示意側視圖，第 86圖為一第二容納機構及一第二接收單元之示意立體圖， 第87圖為一第三儲存單元之示意立體圖，而第88圖為一第 四轉移單元的示意立體圖。 參照第72至88圖，根據本發明的一經修改範例之卸載 器9可包括一裝設在緩衝器總成91旁邊之選別總成92。 選別總成9 2可使用一用於支撐複數個經測試的發光二 極體晶片之第二容納機構300。 參照第77及78圖，第二容納機構300可包括一具有一中 空部分（未圖示）之第二殼體301，及一耦合至第二殼體301 之第二接收構件302,其中設有經測試的發光二極體晶片。 121 201102671 第二接收構件302可為一黏劑卷帶。經測試的發光二極體晶 片可黏著至第二接收構件3〇2的一頂表面。第二接收構件 302可為一藍卷帶。 如第77圖所描繪，第二殼體301可整體形成為一四角 形。第二殼體3〇1可包括整體形成為一四角形之中空部分 (未圖示）。雖未圖示，第二殼體3〇1及中空部分（未圖示）可 形成為諸如碟形及橢圓碟形等另一形狀。 雖未圖示’選別總成92可使用具有複數個容納溝槽之 第二容納機構300 ,其中容納有經測試的發光二極體晶片。 參照第72至88圖，選別總成92係根據一測試結果依照 級別來選別穿過緩衝器總成91且由第一容納機構2〇〇支撐 之經測試的發光二極體晶片並將發光二極體晶片轉移至^ 二容納機構3GG。經測試的發光二極體晶片可對應於其級別 被轉移至第二容納機構3〇〇。 選別總成92可包括一第三轉移單元921，—第二進給器 922’ 一選別總成923’ 一第二接收單元924,—第三儲存單 元925，及一第四轉移單元926。 參照第72至77圖，若根據本發明的卸栽器9包括選別她 成92,第二儲存單元913可進—步包括—移動裝置9133。、 運動裝置9133可使第二儲存機構9131移動於 置R與-第二位置S之間。第二儲存機_ = 合至運動裝频33。 被了移式輕 122 201102671 儲存機構9131外。 在第二位置s，第三轉移單元921將第—容納機構2〇〇 插入第二儲存機構9131内或將第一容納機構2〇〇取出第二 儲存機構9131外。 藉由此組態，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置 10係容許利用第二儲存單元913使得用於支撐穿過緩衝器 總成之經賴的發光二極體晶片之第—容納機構2〇〇被 自動地轉移至選別總成91。 雖未圖示，用於支撐穿過緩衝器總成91之經測試的發 光二極體晶片之第一容納機構200可利用一分離的轉移部 件被人工式轉移至選別總成91或被自動式轉移至選別總成 91。相較於這些方法，上述使用包括運動裝置9133的第二 :子單元913之方法係具有諸如材料成本降低及待命時間 縮短等許多優點。 運動機構9133可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪 及皮帶、利用一滚珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動第二 儲存機構9131。運動裝置9133可輕合至第二儲存揚升機構 9132。運動裝置9133可藉由移動第二儲存揚升機構9132來 移動第二儲存機構9131。 在此時，以位於第二接收單元924處的第二容納機構 3〇0為基礎，選別總成92可先從第一容納機構200將應被轉 移至第一容納機構3〇〇之一指定級別的發光二極體晶片轉 移至第二容納機構300。若指定級別的發光二極體晶片除外 之其他發光二極體晶片留存在位於第二進給器922的第一 123 201102671 容納機構200處’選別總成92係將第一容納機構200轉移至 第二儲存機構9131並將另一第一容納機構2〇〇轉移至第二 進給器922。然後，選別總成92可繼續將指定級別的發光二 極體晶片從第一容納機構200轉移至第二容納機構3〇〇。 易言之’選別總成92可將儲存在第二儲存機構9131中 的第一容納機構200依順序放置入第二進給器922中直到第 二容納機構300充填有一指定級別的發光二極體晶片為止。 以位於第二進給器922處的第一容納機構2〇〇為基礎， 選別總成92可依順序將儲存於第三儲存單元923中的第二 容納機構300放置入第二接收單元924中直到第一容納機構 200變空為止。 上述操作中，可藉由第三轉移單元921進行將第一容納 機構200轉移於第二儲存機構9131與第二進給器922之間的 操作。 第二轉移單元921可將用於支撐經測試的發光二極體 晶片之第一容納機構2〇〇從第二儲存機構9131轉移至第二 進給器922。若位於第二進給器922處的第一容納機構2〇〇之 操作完成，第三轉移單元921可將第一容納機構2〇〇從第二 進給器922轉移至第二儲存機構9131。 如上述，選別機構92係根據一測試結果依照級別來選 別穿過緩衝器總成91且由第一容納機構2〇〇支撐之經測試 的發光二極體晶片並將發光二極體晶片轉移至第二容納機 構300。經測試的發光二極體晶片可對應於其級別被轉移至 第二容納機構300。 124 201102671 第一轉移單元921可將第一容納機構200轉移於第二儲 存機構9131與第二進給||922之間。第三轉移單元921可將 第—容納機構200從第二儲存機構9131轉移至第二進給器 922並可將第一容納機構2〇〇從第二進給器922轉移至第二 儲存機構9131。第三轉移單元921包括一第三轉移構件9211 及一第三轉移機構9212。 第二轉移構件9211可握持第一容納機構2〇〇。由於第三 轉移構件9211係由分別與第一握持構件4411、第二握持構 件4412、第一驅動機構4413及第一連接體部4414呈對應且 實質相同之組件構成，為了本發明清楚起見已經省略這些 組件的說明。 第三轉移機構9212係將第三轉移構件9211轉移於第二 儲存機構9131及第二進給器922之間。 第三轉移機構9212可移動第三轉移構件9211使得第— 容納機構200可從第二儲存機構9131被轉移至第二進給器 922。第三轉移機構9212可移動第三轉移構件9211使得第— 容納機構200可從第二進給器922被轉移至第二儲存機構 913卜 第三轉移機構9142可利用一液壓缸或氣動缸、利用_ 滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動 第三轉移構件9211。 第三轉移機構9212可耦合至一第三構台9213。第三轉 移構件9 211可沿著第三構台9 213被移動於Y軸方向。如第7 6 圖所描繪，第三構台9213及第二構台9143可形成為一體 201102671 部。第三轉移機構9212及第二轉移機構9142可裝設成面對 彼此。 參照第72至81圖，第二進給器922係移動第一容納機構 使得經測試的發光二極體晶片可被定位於一其中可使選別 總成923從第一容納機構200楝取經測試的發光二極體晶片 之位置。第77及78圖中，第一容納機構200形成為一碟形， 但可以使用被形成為諸如上述四角形等另一形狀之第一容 納機構200。 第二進給器922可包括一第二進給體部9221，一第二進 給支撐元件9222，一第三對準單元9223，及一第三移動單 元9224。 第二進給體部9221係支撐第一容納機構2〇〇的一底表 面。第二進給體部9221可藉由第三移動單元9224被移動於X 軸方向及Y軸方向。根據第二進給體部9221的運動，第一容 納機構200可被移動至一其中可使經測試的發光二極體晶 片被選別總成923揀取之位置。 第二進給體部9221可藉由第三移動單元9224被移動於 X軸方向及Y軸方向或被轉動。根據第二進給體部9221的移 動或轉動，當選別總成923揀取經測試的發光二極體晶片 時，第一容納機構200可被移動使得經測試的發光二極體晶 片可當前在相同方向之時被棟取。為此，選別總成923可將 經測試的發光二極體晶片轉移至第二容納機構3〇〇而使經 測試的發光二極體晶片保持前往相同方向。 第二進給體部9221可包括一第二進給空間9221a,其中 126 201102671 可裝設有第二進給支撐元件9222。第二進給體部9221可包 括一第二進給貫穿溝槽9221b。第二進給貫穿溝槽9221b可 自第一進給體部9221頂表面以一預定深度形成至一凹陷 中。第二進給體部9221可包括複數個第二進給貫穿溝槽 9221b。第三轉移單元921係經由第二進給貫穿溝槽9221b將 第一容納機構200轉移至第二進給體部9221。 第二進給支撐元件9222係支撐由選別總成923所揀取 之經測試的發光二極體晶片之一底表面。第一容納機構2〇〇 中，第一殼體201係由第二進給體部9221支撐且第一接收構 件202由第二進給支撐元件9222支撐。第二進給支撐元件 9222係在一第二楝取位置pp2底下支撐第一接收構件2〇2的 底表面。在第二楝取位置pp2，選別總成923可從第一容納 機構200楝取經測試的發光二極體晶片。第二進給支撐元件 9222係可裝設成被定位於第二進給空間9221a中。 第二進給支撐元件9222可包括一第二揚升構件 9222a ’ 一第二揚升裝置9222b，一第二支撐銷針9222c，及 一第二銷針揚升裝置9222d。 第二揚升構件9222a係在第二楝取位置PP2底下支撐第 一接收構件202的底表面。第二揚升構件9222a係耦合至第 一揚升裝置9222b並可藉由第二揚升裝置9222b被上下移 動。第二揚升構件9222a可在垂直方向（z軸方向）形成長形並 可整體形成一圓柱形桿形。 第二揚升構件9222a的内側係耦合至第二支撐銷針 9222c藉以可上下移動。第二揚升構件9222&具有一第二通孔 127 201102671 9222e可供第—支樓銷針9222c穿過藉以往上突出及移動β 第一揚升裝置9222b係上下移動第二揚升構件9222a。 δ第谷納機構200被定位於第二進給體部9221處或第一 容納機構200從第二進給體部9221被移除時，第二揚升裝置 9222b可往下移動第二揚升構件。若第二揚升裝置9222b往 下移動第二揚升構件9222a，第二揚升構件9222&可與第一 接收構件2G2^。若第-容納機構⑽被定位於第二進給 體部9221處’第二揚升裝置9222a可往上移動第二揚升構件 9222a。若第二揚升裝置9222a往上移動第二揚升構件 9222a ， 第二揚升構件9222a可支撐第一接收構件2〇2的底表面。 第二揚升裝置9222b可利用一液壓缸或氣動缸、利用一 /月輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來上下 移動第二揚升構件9222a » 第一支撐銷針9222c耦合至第二揚升構件9222a内側並 可藉由第二銷針揚升裝置9222d被上下移動。第二支撐銷針 9222c可耦合至第二銷針揚升裝置9222d。第二支撐銷針 9222c可在一垂直方向（z軸方向）形成為長形且可整體形成 為一圓錐形。 第二銷針揚升裝置9222d可上下移動第二支撐銷針 9222c。當選別總成923揀取被定位於第二揀取位置pp2處之 發光二極體晶片時，第二銷針揚升裝置9222d可往上移動第 二支撐銷針9222c。藉由此組態，第二支撐銷針赚可經 由第二通孔9222e從第二揚升構件9222a往上突出並可往上 推押由選職成923揀取之發光二極體晶片。因此，選別總 128 201102671 成923變得容易棟取經測試的發 ::取經測試的發光二_片,第::針 == 二1=第一支撐銷針92办使得第二支撐銷針9222。可 被疋位於第一揚升構件9222a内側。 第二銷針揚升裝置9222d可利 ^ 和用/夜壓缸或氣動缸、利 輪及皮帶'利用-滾珠螺桿、或利用-凸輪構件來 上下移動第二支撐銷針9222c。 在此時，第一接收構件2〇2可包括一諸如藍卷帶等黏劑 卷帶。在此例中，第-接收構件搬可能因為處於比正常溫 度更南溫度的熱膨脹而無法維持其水平狀態因此經測試 的發光二極體晶片之-位置可能根據第—接收構件2〇的熱 膨脹程度㈣變。為此，制總成923可能無法從第一接收 構件202精確地楝取經測試的發光二極體晶片。 為了不淪第一接收構件2〇2的熱膨脹程度如何皆使選 別總成923精確地從第一接收構件2〇2楝取經測試的發光二 極體晶片，根據本發明的經修改範例之第二進給支撐元件 9222係可包括一支撐機構9222f及一支樓揚升裝置9222g。 支#機構9222f可耦合至支撐揚升裝置9222g0支撐機 構9222f可裝設於第二進給體部9221中藉以被定位於第一 容納機構200底下。第二進給支撐元件9222可包括複數個支 擇機構9222f並可包括至少兩個支樓機構9222f。 支#機構9222f可當被支撐揚升裝置9222g上下移動之 時往上推押其中放置有經測試的發光二極體晶片之第一接 收構件202的外側區域。支撐機構9222f可在垂直方向（Z軸 129 201102671 方向）形成為長形並可整體形成為— ‘‘L，，形。 支撐揚升裝置9222g可上下移動切機構·f。第二 進給支樓元件9222可包減數個切揚升裝置9取並可 包括與支撐機構92似相同數量的切揚升裝置92吻。支 撐機構9222f各者·合至支樓揚升裝置9吻各者。支標 揚升裝置9222g可上下移動支樓機構92议使得第一接收構 件202可從進給體部9221往上突出。 若支撐揚升裝置9222g往上移動支撐機構9222f，支撐 機構9222f可往上推押其中放置有經測試的發光二極體晶 片之第接收構件202的外側區域。藉由此組態，第一接收 構件202可當從進給體部9221往上突出之時被支撐機構 9222f拉取’且由於有一預定拉力施加至第一接收構件 2〇2’其中放置有經測試的發光二極體晶片之第一接收構件 202的區域係可維持處於一水平狀態。因此，不論第一接收 構件202的熱膨脹程度如何，選別揀取器923皆可以從第一 谷納機構200精確地棟取經測試的發光二極體晶片。 若支撐揚升裝置9222g往下移動支撐機構9222f，支撐 機構9222f可與第一接收構件2〇2分開。藉由此組態’支撐 機構9222f未有任何中斷，第三轉移單元921係容許第一容 納機構200被定位於第二進給體部9221中並從第二進給體 部9221移除第一容納機構2〇〇。 支撐揚升裝置9222g可利用一液壓缸或氣動缸、利用一 滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來上下 移動支撐機構9222f 〇 130 201102671 參照第72至81圖，第三對準單元9223係對準由第二進 給體部9221支撐的第一容納機構2〇〇之位置。由於第三對準 單元9223分別係由與第二固定構件9·、第二運動構件 9122b、第一移動機構9122c、及第二揚升機構9122(1呈現對 應或實質㈣之組件構成，為了本發明清楚起見將省略這 些組件的說明。 參照第72至81圖，第三移動單元9224係移動第二進給 體部9221使得經測試的發光二極體日日日片敎位於一其中可 使選別總成923楝取經測試的發光二極體晶片之位置。第三 移動單S9224可在X軸方向及丫軸方向移動第i進給體部 9221 〇 第二移動單709224可包括_被可移式耦合至第 二進給 體部9221之第三上構件9223a及—被可移絲合至第三上 構件9223a之第三下構件9223b。 ▲第二進給體部9221及第三上構件9223a可在-彼此正 义的方向被移動。右第二上構件9223罐合至第三下構件 9纖以可移動於x方向，第二進給體部9221可麵合至第三 上構件9223似可移練¥方向。若第三上構攸咖柄合至 第三下構件9223b以可移動於γ方向第二進給體部咖可 耦合至第三上構件9223a以可移動於χ軸。 第三移動單元9224可利用一液壓缸或氣動紅、利用一 滑輪及皮帶、湘-滾珠螺桿、或利用―凸輪構件來移動 第二進給體部9221及第三上構件9223a。 第三移動單元9224可轉動第二進給體部9221。第三移 131 201102671 動單元9224可轉動第二進給體部9221使得選別總成923可 楝取前往相同方向之經測試的發光二極體晶片。 參照第72至81圖，選別總成923將經測試的發光二極體 晶片從第一容納機構200轉移至第二容納機構300 » 選別總成923從被定位於第二進給體部9221中的第一 容納機構200楝取經測試的發光二極體晶片並將經測試的 發光二極體晶片對應於其級別轉移至第二容納機構。 選別總成923可包括一選別旋轉臂9231及一選別驅動 單元9232。 選別旋轉臂9231中，裝設有一能夠吸附經測試的發光 二極體晶片之選別揀取器9231a。選別旋轉臂9231可藉由一 揚升部件（未圖示）被上下移動。選別旋轉臂9231可被往復移 動使得選別揀取器9231a可當受到選別驅動單元9232轉動 之時被定位於第一容納機構200上及第二容納機構3〇〇上。 選別楝取器9231 a可被定位於位居第二進給體部9221處之 第一容納機構200上及位居第二接收單元924處之第二容納 機構300上。 選別總成923可包括孕·一的選別旋轉臂9231及單一的 選別揀取器9231a。第31圖中，提供三個選別旋轉臂9231及 三個選別楝取器9231a藉以顯示選別旋轉臂9231之一往復 運動的一途程。 選別驅動單元9232係耦合至選別熒轉臂9231。 動單元9232可㈣制旋轉臂伽使得㈣⑽取器9池 可被定位於第-容納機構200上及第二容納機卿〇上。 132 201102671 雖未圖示，選別總成923可包括複數個選別旋轉臂9231 及複數個各被耦合至各選別旋轉臂923丨之選別楝取器 9231a。選別驅動單元9232係當沿一旋轉軸線（未圖示）轉動 選別旋轉臂9231之時容許選別揀取器9231a的任一者被定 位於位居第二進給體部9221處的第一容納機構2〇〇上且選 別揀取器923la的任一者被定位於位居第二接收單元924處 的第一谷納機構300上。選別驅動單元9232可容許選別揀取 器9231 a依順序被定位於第一容納機構2〇〇上及第二容納機 構300上。 選別驅動單元9232可包括一馬達，且若馬達被定位於 相距選別旋轉臂9231呈一預定距離處則可進一步包括一滑 輪及皮帶。 參照第72至81圖，選別總成923可進一步包括一選別視 覺單元9233。 選別視覺單元9 23 3係裝設成被定位於第二揀取位置 PP2上並檢查位於第二棟取位置卩^處之發光二極體晶片的 一狀態。選別視覺單元9233可檢查經測試的發光二極體晶 片疋否位於第二揀取位置PP2處及位於第二楝取位置pp2處 之發光一極體晶片的一旋轉程度。第三移動單元9224可移 動第二進給體部9221，使得位於第二棟取位置PP2處的發光 二極體晶片可以選別視覺單元9233所獲得之發光二極體晶 片的狀態資訊為基礎被選別總成923精確地楝取。可採用一 CCD攝影機作為一選別視覺單元9233。 參照第72至81圖’若選別總成923包括選別視覺單元 133 201102671 9233，選別旋轉臂娜可進一步包括一第二傳遞構件 9231b 。 第二傳遞構件9231b係耦合至選別揀取器9231a並可由 一高透明度的材料製成。譬如，第二傳遞構件9231a可由玻 璃製成。如第80圖所描繪，—第二空氣吸取孔9231。係裝設 於選別揀取器9231a中藉以吸附發光二極體晶片。第二空氣 吸取孔9231e可形成穿過選別楝取㈣3U。第二空氣吸取 孔231c的側上之第二傳遞構件923ib係可麵合至選別揀 取器9231a’因此第二空氣吸取孔9231c的一側可被密封。 因此，發光二極體晶片可被吸附至選別揀取器923ia。雖未 圖示，第二空氣吸取孔9231c可連接於一吸取裝置。 第二傳遞構件9231b係容許經過第二空氣吸取孔9231ε 之光穿過。為此，縱使選別楝取器9231a被定位於第二揀取 位置PP2處，選別視覺單元9233可檢查位於第二揀取位置 PP2處之發光二極體晶片的一狀態。選別視覺單元9233係可 經由第二傳遞構件9231b及第二空氣吸取孔9231c來檢查位 於第二揀取位置PP2處之發光二極體晶片的狀態。因此，第 二移動單元9224可移動第二進給體部9221 ,使得位於第二 楝取位置PP2處的發光二極體晶片可以選別視覺單元9233 所獲得之發光二極體晶片的狀態資訊為基礎被選別總成 923精確地楝取。 第二傳遞構件9231b可用來對準第二支撐銷針9222c、 第一選別楝取器9231a、及選別視覺單元9233之位置。縱使 選別揀取器9231a被定位於第二楝取位置pp2處，選別視覺 134 201102671 單元9233可經由第二傳遞構件9231b及第二空氣吸取孔 9231c來檢查第二支撐銷針9222c的一位置。為此，選別視 覺單元9233、第二支撐銷針9222C及選別揀取器9231a之位 置可被容易地對準，使得選別楝取器9231a可精確地揀取位 於第二揀取位置PP2處的發光二極體晶片。選別視覺單元 9233、第二支撐銷針9222c及選別揀取器9231a係可對準藉 以位於彼此相同的垂直線中。 參照第72至85圖，根據本發明的經修改範例之選別總 成92可進一步包括一第二冷卻單元927。 第二冷卻單元927係冷卻第一容納機構200。第二冷卻 單元927係冷卻第一容納機構200藉以等於或低於一正常溫 度，並冷卻第一容納機構200藉以約為20°C或更低。 如上述，發光一極體晶片可被提供至第一接收構件 2〇2 ’其包括一諸如藍卷帶等黏劑卷帶同時與其黏著。在此 例中，發光二極體晶片可從第一容納機構2〇〇被揀取，同時 黏劑材料係在比正常溫度更高的一溫度被黏著至發光二 極體晶丨。黏劑材料係容許S光二極體晶片以-高黏著強 度破黏著至第二容納機構3〇〇。第二冷卻單元927可冷卻第 —接收構件202，藉以冷卻第一接收構件2〇2處的黏劑材 料。因此，第二冷卻單元927可以使發光二極體晶片在第二 楝取位置PP2處被楝取而無與其黏著的黏著材料。 第一冷郃單元927可包括一用於喷注一冷卻氣體之第 -嘴注單元927卜第二纽單元9271可將冷卻氣體喷注朝 向由第—進給器922支撐之第一容納機構2〇()。第二喷注單 135 201102671 元9271可被提供來自—冷卻氣體供應线（未圖示）之冷卻 氣體。第二冷卻單元927可包括複數個第二噴注單元咖。 如第83圖所描繪’第三喷注單元9271可裝設在選別總 成923中藉以被定位於第一容納機構2〇〇上。第二噴注單元 9271可裂設在選別視覺單元則中藉以被定位於第^進給 器922上。選別視覺單元9233可包括—選別發光元件 9233a，其將一光輻射至第二楝取位置pp2，且第二喷注單 元9271可裝設在選別發光元件92333中。第二噴注單元9271 可藉由將冷卻氣體從第一容納機構2〇〇上方噴注朝向第一 容納機構200以冷卻第一容納機構2〇0。第二噴注單元9271 可藉由將冷卻氣體喷注朝向第二接收構件2〇2以冷卻第二 接收構件202。第二喷注單元9271可將冷卻氣體喷注朝向第 二揀取位置PP2。 如第84圖所描繪，第二喷注單元9271可裝設在第二進 給器922中藉以被定位於第一容納機構200底下。第二喷注 單元9271可裝設在第二進給支撐單元9222中藉以被定位於 第二進給體部9221底下。第二喷注單元9271可裝設在第二 揚升構件9222a中。第二噴注單元9271可藉由將冷卻氣體從 第一容納機構200下方喷注朝向第一容納機構200以冷卻第 —容納機構200。第二噴注單元9271可藉由將冷卻氣體喷注 朝向第一接收構件202以冷卻第一接收構件202。第二噴注 單元9271將冷卻氣體喷注至其中設有將被選別總成923從 第一接收構件202揀取的發光二極體晶片之區域附近，因此 其中接下來將被選別總成923從第一接收構件202揀取的發 136 201102671 光二極體晶片之區域係可受到冷卻。 如第85圖所描繪，第二冷卻單元927可包括一第二上噴 /主單兀927la’其裝設在選職覺單元9233帽以被定位於 第二進給ϋ922上’及—第二下纽單元9,，其裝設在 第二進給支撐元件9222中藉以被定位於第二進給體部9221 底下。 第二上噴注單元9271a可藉由將冷卻氣體從第一容納 機構200上方噴注朝向第一容納機構2〇〇以冷卻第一容納機 構200帛—上噴注單元927la可藉由將冷卻氣體噴注朝向 第一接收構件202以冷卻第一接收構件2〇2。第二上噴注單 元9271a可將冷卻氣體注射朝向第二棟取位置pp2。 第二下噴注單元9271b可藉由將冷卻氣體從第一容納 機構200下方喷注朝向第一容納機構2〇〇以冷卻第一容納機 構200 1二下喷注單元9271b可藉由將冷卻氣體嗔注朝向 第一接收構件202以冷卻第一接收構件2〇2。第二下喷注單 元927lb係喷注冷卻氣體至其中設有將被選別總成923從第 一接收構件202棟取的發光一極體晶片之區域附近，因此可 使其中接下來將被選別總成923從第—接收構件2〇2揀取的 發光二極體晶片之區域受到冷卻。 雖未圖示’根據本發明的經修改範例之第二冷卻單元 927係可在第·一棟取位置PP2處藉由冷卻接觸於第_一容納機 構200的第二進給支樓元件9222來冷卻接觸於第二進給支 撐元件9222之第一容納機構200。 第二冷卻單元927可藉由冷卻第二揚升構件9222a以冷 137 201102671 卻接觸於第二揚升構件9222a之第一接收構件202。第二冷 卻單元927可藉由使一冷卻流體流通於第二揚升構件9222a 内側以冷卻第二揚升構件9222a。在此例中，第二揚升構件 9222a中可包括一流徑以供冷卻流體流過。第二冷卻單元 927可藉由使用一熱電子器件來冷卻第二揚升構件9222a。 參照第72至86圖，第二接收單元924係支撐第二容納機 構300並移動第二容納機構3〇〇藉以被定位於一其中使選別 總成923放置經測試的發光二極體晶片之位置處。 第二接收單元924係包括一第二接收體部9241，一第四 對準單元9242，及一第四移動單元9243。 第二接收體部9241係由與第一接收體部9121呈現對應 且實質相同之組件構成。第二接收體部9241可藉由第四移 動單元9243被移動於X軸方向及γ軸方向或可被轉動。根據 第二接收體部9241的移動及轉動，選別總成923可將經測試 的發光二極體晶片放置在第二容納機構3 〇 〇上藉以前往相 同方向。第四對準單元9242係分別由與第二固定構件 9122a、第二運動構件9122b、第二移動機構9122(^及第二揚 升機構9122d呈現對應且實質相同之組件構成。第四移動單 元9243係由與第二移動單元9123呈現對應且實質相同之級 件構成。因此，為了本發明清楚起見將省略這些組件的說明。 參照第72至87圖，第二儲存單元925係包括一第三儲存 機構9251 ’其中能夠儲存複數個第二容納機構3〇〇。 第三儲存機構9251可包括複數個第三儲存構件 9251a’其能夠支撐第二容納機構3〇〇的一底表面兩側。複 138 201102671 數個第_儲存構件91仏可在垂直方向(z軸方向）彼此遠離 預疋距離第二儲存構件9151a之間的空間係作為-第三 且第二容納機構獅各者可被插入其中。 在第二儲存機構9251中，第二容納機構300可被堆積於 垂直方向（Z轴方向）°在此例中，第三儲存單元925可進― 步包括一第三儲存揚升機構9252。 第三儲存揚升機構9252可上下移動第三儲存機構 9251。第二儲存揚升機構9252可上下移動第三儲存機構 9251，使得第二容納機構300可被定位於一其中可使第四轉 移單70926握持第二容納機構3〇〇之位置處。第三儲存揚升 機構9252可上下移動第三儲存機構9251，使得第四轉移單 凡926放置第二容納機構3〇〇於儲存機構23丨中以儲存其内。 第二儲存揚升機構9252可利用一液壓缸或氣動缸、利 用一滑輪及皮帶、利用一滚珠螺桿、或利用一凸輪構件藉 以上下移動第三儲存機構9251。 除了第三儲存機構9251外，第三儲存揚升機構9252可 上下移動第四轉移單元926,或可上下移動第四轉移單元 926及第三儲存機構9251兩者。 第二儲存揚升機構9252可包括一第三垂直體部9252a 及一第三揚升體部9252b。第三垂直體部9252a係耦合至第 三揚升體部9252b藉以可上下移動。 第二儲存機構9251可被可脫離式耦合至第三揚升體部 9252b。因此，一更換操作變得容易進行且即使當第三儲存 機構9251被更換之時其他組件仍可被連續致動，因此可以 139 201102671 防止因為更換操作造成的操作時間損失。 參照第72至88圖’第四轉移卓元926可將第二容納機構 300從第三儲存機構9251轉移至第二接收體部9241並可將 第二容納機構300從第二接收體部9241轉移至第三儲存機 構925卜 如上述’以被定位於第二接收單元924之第二容納機構 300為基礎，選別總成92可先將應被轉移至第二容納機構 300之一指定級別的發光二極體晶片從第一容納機構2〇〇轉 移至第二容納機構3〇〇。若有指定級別的發光二極體晶片除 外之其他發光二極體晶片留存在位於第二進給器922之第 一谷納機構200處，選別總成92將第一容納機構2〇〇轉移至 第二儲存機構9131並將另一第一容納機構2〇〇轉移至第二 進給器922。然後，選別總成92可繼續將指定級別的發光二 極體晶片從第一容納機構2 〇 〇轉移至第二容納機構3 〇 〇。 易δ之，選別總成92可將儲存於第二儲存機構9131中 的第合納機構200依順序放置入第二進給器922内，直到 第二容納機構3_填有應被轉移至該處之^級別的 發光二極體晶片為止。 以位於第一進給器922處的第-容納機構200為基礎， 選别〜成92可㈣存於第三儲存機構巾的第二容納機 構3〇0依順序放置入第二接收單元924内，直到第一容納機 構200變空為止。 上述操作中，可藉由第四轉移單元926進行將第二容納 機構轉移於第二儲存機構卩⑸與第二接收單元924之間 140 201102671 的操作。 第四轉移單元926可將第二容納機構200轉移於第二接 收單元924與第三儲存機構9251之間。第四轉移單元幻以系 包括一第四轉移構件9261及一第四轉移機構9262。 第四轉移構件9261可握持第二容納機構300。由於第四 轉移構件9261係分別由與第一握持構件4411、第二握持構 件4412、第一驅動機構4413及第—連接體部4414呈現對應 且實質相同之組件構成，為了本發明清楚起見將省略這些 組件的說明。 第四轉移機構9262將第四轉移構件9261轉移於第三儲 存機構9251與第一接收單元924之間。第四轉移機構9262可 利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠 螺桿、或利用一凸輪構件來移動第四轉移單元926。第四轉 移機構9262可耦合至一第四構台9263。第四轉移構件9261 可沿著第四構台9263被移動於γ軸方向。 <第三實施例> 第89圖為根據本發明的經修改範例之包括一卸載器之 —發光二極體晶片選別裝置的一部份組態之示意立體圖， 而第90圖為第89圖的平面圖。 參照第72、73、89及90圆，根據本發明的經修改範例 之卸載器9係可包括一裝設於測試器3旁邊之分級總成93。 第89及90圖中，省略第72及73圖所示的部分組件，但發光 —極體晶片選別裝置10可包括緩衝器總成91及選別總成92 除外之相同組件。 141 201102671 選別總成9 3係根據一測試結果依照級別將位於卸載位 置ULP之經測試的發光二極體晶片分級。有鑑於此，分級 總成93係不同於包括有缓衝器總成91及選別總成92之卸載 器9。第三實施例具有優於第—及第二實施例之能夠縮小整 體設備的優點。 分級總成93可包括一分級單元931及一分級機構932。 分級單元931將經測試的發光二極體晶片從位於卸載 位置ULP之安裝構件21轉移至分級機構932。分級單元931 可包括一分級旋轉臂9311及一第一驅動裝置9312。 分級旋轉臂9311中，裝設有一能夠吸附經測試的發光 二極體晶片之分級揀取器9311a。分級旋轉臂9311可被往復 移動使得分級揀取器9311a可被定位於卸載位置ULP處及 分級機構932上同時被驅動裝置9312轉動。分級旋轉臂9311 可藉由一揚升部件（未圖示）被上下移動。 分級單元931可包括單一的分級旋轉臂9311及單一的 分級揀取器9311a。第89及90圖中，提供四個分級旋轉臂 9311及四個分級揀取器9311a用以顯示分級旋轉臂9311之 —往復運動的一途程。 驅動裝置9312可耦合至分級旋轉臂9311。驅動裝置 9312可轉動分級旋轉臂9311使得分級揀取器9311a可被定 位於卸載位置ULP處及分級機構932上。驅動裝置9312可在 約180°的一範圍中轉動分級旋轉臂9311並可在順時針或逆 時針方向轉動分級旋轉臂9311。 雖未圖示，分級單元931可包括複數個分級旋轉臂9311 142 201102671 及複數個各被耦合至各分級旋轉臂9 3 Η之分級揀取器 9311a。驅動裝置9312係容許分級揀取器9311a的任一者被 定位於卸載位置ULP處且分級揀取器9311a的任一者被定 位於分級機構932上同時沿一旋轉軸線(未圖示）轉動分級旋 轉臂9311。驅動裝置9312係容許分級楝取器9311a依順序被 定位於卸載位置ULP處及分級機構932上。 驅動裝置9312可包括一馬達’且若馬達被定位於遠離 分級旋轉臂9 311 —預定距離則可進一步包括一滑輪及皮帶 或類似物。 分級機構932係包括一移動板9321，一倉區塊9322，及 一致動元件9323。 在移動板9321中，裝設有複數個倉區塊9322。移動板 9321可藉由致動元件9323被移動於X軸方向及Y軸方向。 在移動板9321中，分級單元931係依照級別放置經測試 的發光二極體晶片。與如同使用者所要求的級別數呈現對 應數量之倉區塊9322係可被裝設於移動板9321中。 致動元件9323係移動倉區塊9322，使得倉區塊9322可 被定位於一其中可使分級單元931放置經測試的發光二極 體晶片之分級位置（未圖示）處。致動元件9323可移動移動板 9321 ’以使與分級單元931所揀取的經測試發光二極體晶片 之級別呈現對應的倉區塊93 22被定位於分級位置（未圖示） 處。分級位置可為藉由第一驅動裝置9312之第一分級揀取 器9311a的一旋轉途程底下之一位置。致動元件9323可利用 一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、 143 201102671 或利用一凸輪構件來移動移動板9321。 分級總成93可包括複數個分級單元931及複數個分級 機構932。分級單元931及分級機構932可以各不同級別來分 級經測試的發光二極體晶片。 為此，可以在設置於分級機構932各者中之移動板9321 中以相對較少的數量來裝設倉區塊9322。因此，可以降低 移動板9321的一運動距離及移動移動板9321所需的時間， 藉以使致動元件9323可與分級單元931在分級位置（未圖示) 所揀取的發光二極體晶片級別呈現對應地放置倉區塊 9322。 在此例中，旋轉單元33可轉動旋轉構件32使得安裝構 件21可依順序被定位於複數個卸載位置1；1^處。如第允圖 所描繪，旋轉單元33可轉動旋轉構件32使得安裝構件21各 者被定位於一第一卸載位置ULP1處及一第二卸載位置 ULP2 處。 提供本發明的上文描述以供示範用，且熟習該技藝者 將瞭解可作出不同變化及修改而不改變本發明的技術概念 及重要特徵構造。因此，顯然上述實施例在所有態樣中皆 為示範性質而並未限制本發明。 本發明提供一能夠藉由精確測量一發光二極體晶片的 效能來分級發光二極體晶片、降低材料成本及處理成本而 不對於發光一極體晶片進行不必要的封裝製程及測試製 程、且降低製造成本之發光二極體晶片選別裝置。 【圖式簡單說明】 144 201102671 第1圖係為根據本發明之一發光二極體晶片測試裝置 的示意立體圖； 第2圖為一進給器的示意立體圖； 第3圖為第2圖的A-A橫剖視圖，其顯示一安裝構件； 第4圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一安裝 構件的示意立體圖； 第5圖為第4圖的B-B橫剖視圖； 第6圖為根據本發明之實施例的另一修改範例之一安 裝構件的示意橫剖視圖； 第7圖為根據本發明之發光二極體晶片測試裝置的示 意正視圖； 第8圖為顯示一接觸單元、一運動單元及一第一傳送構 件之示意立體圖； 第9圖為第8圖的分解立體圖； 第10圖為第8圖的D-D橫剖視圖； 第11及12圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示在根 據本發明的發光二極體晶片測試裝置中被測試之一發光二 極體晶片的一狀態； 第13圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光 二極體晶片測試裝置的示意正視圖； 第14至17圖顯示用於描述一測試發光二極體晶片的製 程之操作狀態； 第18圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸 運動單元的示意立體圖； 145 201102671 第19圖為第18圖的分解立體圖； 第20至22圖顯示用於描述一利用根據本發明之實施例 的修改範例之接觸運動單元來測試發光二極體晶片之製程 的示意性操作狀態； 第23圖係為顯示接觸單元、運動單元、第一傳送構件 及一第二傳送構件之示意分解圖； 第24圖為顯示第23圖的組件之耦合的側橫剖視圖； 第25至27圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示根據 本發明之實施例的一修改範例之一第二傳送構件； 第2 8圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一 測量單元、一接觸單元及一主體部的示意立體圖； 第2 9至3 0圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一 接觸單元的立體圖； 第31圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一包 括一接觸單元的發光二極體晶片測試裝置之示意立體圖； 第3 2圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一發 光二極體晶片測試裝置的示意正視圖； 第33圖為顯示第32圖的一測試位置之示意放大圖； 第3 4圖為根據本發明之發光二極體晶片選別裝置的示 意平面圖； 第35圖為一第一進給機構及一第一進給單元的示意立 體圖； 第36圖為第35圖的側視圖； 第37圖為一第一進給體部、一第一進給支撐元件及一 146 201102671 裝載單元之示意立體圖； 第3 8圖係為顯示第3 7圖的一部份L之示意放大側橫剖 視圖， 第39圖為顯示第一進給單元及裝載單元之示意立體圖； 第40圖為顯示一第一儲存單元之示意立體圖； 第41圖描繪一第一轉移單元之示意立體圖； 第42圖為第一進給體部、第一進給支撐元件、裝載單 元及一第一冷卻單元之示意立體圖； 第43至45圖為第42圖的一部份Μ之示意放大側視圖，顯 示根據本發明之實施例的一修改範例之一第一冷卻單元； 第4 6圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一進給 器的示意平面圖； 第47及48圖為顯示一第一補償單元的一操作關係之示 意立體圖； 第49圖為一第二補償單元之立體圖； 第50圖為第二補償單元的一第二補償機構之分解立體圖； 第51圖為一第三補償構件之放大立體圖； 第52圖為顯示第二補償單元的一操作關係之正視圖； 第5 3圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一進給 器的示意平面圖； 第54及55圖為一第三補償單元的一操作關係之示意立 體圖； 第56圖為一第四補償單元之立體圖； 第57圖為第四補償單元的一第四補償構件之分解立體圖； 147 201102671 第58圖提供一第六補償構件之放大立體圖； 第59圖為顯示第四補償單元的一操作關係之正視圖； 第60圖為顯示根據本發明的一安裝構件、一旋轉構件 及一第一移除單元之示意平面圖； 第61圖為顯示根據本發明的第一移除單元之示意立體圖； 第62圖為顯示根據本發明的第一移除單元、旋轉構件 及安裝構件之示意側視圖； 第63圖為顯示根據本發明的第一移除單元之部份橫剖 視圖， 第64圖為顯示根據本發明的安裝構件、旋轉構件、第 一移除單元及一第二移除單元之示意平面圖； 第65圖為顯示安裝構件及第二移除單元之示意側視圖； 第66及67圖為根據本發明的第二移除單元之示意圖； 第68圖為一卸載單元之示意立體圖； 第69圖為一第一容納機構及一第一容納單元之示意立 體圖； 第70圖為一第二儲存單元的示意立體圖； 第71圖為一第二轉移單元之示意立體圖； 第72圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一包括 一卸載單元的發光二極體晶片選別裝置之示意立體圖； 第73圖為第72圖的平面圖； 第7 4及7 5圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一 第二儲存單元的示意立體圖； 第76圖為第二轉移單元及一第三轉移單元之示意立體圖； 148 201102671 第77圖為第一容納機構及一第二進給單元之示意立體圖； 第78圖為第78圖的側視圖； 第79圖為一第二進給體部、一第二進給支撐元件、及 一選別單元之示意立體圖； 第80圖為顯示第79圖的一部份T之示意放大側橫剖視圖； 第81圖為選別單元之示意立體圖； 第82圖描繪第二進給體部、第二進給支撐元件、選別 單元及一第二冷卻單元之示意立體圖； 第83至85圖為第82圖的一部份U之示意放大側剖視 圖，顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第一冷卻 單元； 第86圖為一第二容納機構及一第二容納單元之示意立 體圖； 第87圖為一第三儲存單元之示意立體圖； 第88圖為一第四轉移單元之示意立體圖； 第8 9圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一 包括一卸載單元之發光二極體晶片選別裝置的一部份性組 態之示意立體圖； 第90圖為第89圖的平面圖。 【主要元件符號說明】 1··.發光二極體晶片測試裝置 5…第三補償單元 2···進給器 5A…第二補償單元 3···測試器 6…第二感測器單元 4.··裝載器 7…第三補償單元 149 201102671 7A…第四補償單元 8···第二感測器單元 9…卸載器 10…發光二極體晶片選別裝置 11…第一移除單元 12…第二移除單元 20…第一接收構件 21…安裝構件 21a···通孔 21b…安裝構件21的頂表面 21c···接觸溝槽 22…旋轉構件 22a···旋轉軸線 22b···通孔 23…旋轉單元 31…測量單元 32…接觸單元 33…第一傳送構件，旋轉單元 33a...第一傳送構件33的頂表面 33b…第一傳送構件331的底表面 34…接觸運動單元 35…主體部 36…第二傳送構件 36a…第二傳送構件36的頂表面 36b…第二傳送構件361的底表面 37…接觸機構 38…測量揚升單元 4l···第一進給單元 42…裝載單元 43…第一儲存單元 44…第一轉移單元 45…第一冷卻單元 51…第一補償機構 51a···第一補償體部 52…第一致動機構 53…第二補償機構 54…第二致動機構 71…第三補償機構 71a···第二補償體部 72…第三致動機構 73…第四補償機構 74…第四致動機構 91…緩衝器總成 92,923…選別總成 93…分級總成 100···進給機構 10l···殼體 102…進給構件 150 201102671 111···體部 llla，lllb···體部 111 的側 112…儲存構件 113···連接構件 121,211…接觸構件 121a…旋轉轴線 122···支撐構件 123···驅動單元 200···第一容納機構 201."第一殼體 202···第一接收構件 212···第一安裝體部 212a…第一安裝體部212的側 213···反射構件 214..·第二安裝體部 215…接觸表面 221···支撐框架 231,1231，3452a …馬達 231···第一儲存機構 300.·.第二容納機構 301···第二殼體 302···第二接收構件 311…光接收孔 321···接觸銷針 321a…接觸銷針321端 322…接觸體部 323…連接單元 324…第一體部 325···第二體部 326…第三體部 327…耦合構件 331···第一穿孔 332···第一傳送表面 332a…第一傳送表面332的下端 333···第一突出構件 334…溝槽 341···接觸支撐機構 342,3453···接觸耦合機構 343…接觸揚升機構 344…接觸運動機構，接觸移動 機構 345…接觸旋轉構件，接觸旋轉 機構 351…第一框架 352···第二框架 353…第三框架 354.··第一連接框架 355…第二連接框架 151 201102671 356···第三連接框架 361···第二穿孔 362···第二傳送表面 363…接收溝槽 364…第二突出構件 365···插入通孔 371···接觸部份，接觸運動部件 372…接觸運動單元 411···第一進給體部 411a…第一進給空間 412···第一進給支撐元件 413···第一對準單元 414..·第一移動單元 421···裝載旋轉臂 422…裝載驅動單元 423···裝載視覺單元 431···第一儲存機構 432…第一儲存揚升機構 441".第一轉移構件 442···第一轉移機構 443…第一構台 451···第一喷注單元 511···第一補償構件 512···第二補償構件 521…第一馬達 522···第一凸輪構件 523.. .第一運動體部 531···第一補償構件固持件 532.··第三補償構件 532a…第一發光二極體晶片容 納溝槽 541…第一致動機構框架 542···第一致動機構殼體 711.. .第四補償構件 712···第五補償構件 721."第二馬達 722···第二凸輪構件 723···第二運動體部 731"·第二補償構件固持件 732···第六補償構件 732a…第二發光二極體晶片容 納溝槽 741···第二致動機構框架 742···第二致動機構殼體 826.. .第四轉移單元 911·.·卸載單元 912·.·第一接收單元 913···第二儲存單元 152 201102671 91Φ·.第二轉移單元 921...第三轉移單元 922."第二進給器 924…第二接收單元 925."第三儲存單元 926…第四轉移單元 927···第二冷卻單元 931···分級單元 932…分級機構 1111…貫穿溝槽 1112…第一連接孔 1113…第二連接孔 2121…突件 2122…溝槽 2123…耦合溝槽 2141…傾斜表面 2142…傾斜溝槽 3221.··終端 3222…插入孔 3223…連接終端 3231…連接溝槽 3241···連接構件 3331…第一傾斜表面 3441···第一接觸運動單元 3442···第二接觸運動機構 3451…接觸旋轉構件 3451a···接觸旋轉轴線 345 lb···垂直框架 3451c…水平框架 3452…接觸驅動機構 3641.··第二傾斜表面 4111…第一進給貫穿溝槽 4121…第一揚升構件 4121a.··第一通孔 4122…第一揚升元件 4123…第一支撐銷針 4124…第一銷針揚升元件 4131…第一固定構件 4132…第一運動構件 4133…第一移動機構 4134…第一揚升機構 4141…第一上構件 4142…第一下構件 4211…第一裝載揀取器 4211a…第一空氣吸取孔 4212···第一傳遞構件 423l···裝載發光元件 431l···第一儲存構件 153 201102671 4312…第一儲存溝槽 432l···第一垂直體部 4322…第一揚升體部 4411…第一固持構件，第一握 持構件 4411a" ·旋轉轴線 4412…第二固持構件，第二握 持構件 4413…第一驅動機構 4414…第一連接體部 4511…第一上喷注單元 4512…第一下喷注單元 523l···第一凸輪表面 5232…第二凸輪表面 5311…第一平面板 5312…第一垂直板 5313…第一引導構件 5314,5315,5323,7314,7315, 7323…螺絲耦合溝槽 532l···第一上端構件 5322…第一下端構件 5324…第一接觸表面 5325…第二接觸表面 5326…第一補償構件傾斜表面 5327…第二補償構件傾斜表面 7231…第三凸輪表面 7232…第四凸輪表面 7311…第二平面板 7312…第二垂直板 7313…第二引導構件 732l···第二上端構件 7322…第二下端構件 7324…第三接觸表面 7325…第四接觸表面 7326…第三補償構件傾斜表面 7327…第四補償構件傾斜表面 9111…卸載旋轉臂 9111a···卸載揀取器 9112…卸載驅動單元 9121…第一接收體部 9121a".第二支撐裝置 9121b···第一接收空間 9121c···第一接收貫穿溝槽 9122…第二對準單元 9122a···第二固定構件 9122b…第二運動構件 9122c".第二移動機構 9122d···第二揚升機構 154 201102671 9123…第二移動單元 9222e…第二通孔 9123a··.第二上構件 9222f…支撐機構 9123b···第二下構件 9222g··.支撐揚升裝置 9131…第二儲存機構 9223…第三對準單元 9131a···第二儲存構件 9223a…第三上構件 9131b_··第二儲存溝槽 9223b…第三下構件 9132…第二儲存揚升機構 9224…第三移動單元 9132a···第二垂直體部 9231…選別旋轉臂 9132b···第二揚升體部 9231a…第二選別揀取器 9133…移動裝置 9231b…第二傳遞構件 9141…第一轉移構件 9231c…第二空氣吸取孔 9142…第二轉移機構 9232…選別驅動單元 9143…第二構台 9233…選別視覺單元 9151a···第三儲存構件 9233a…選別發光元件 9151b".第三儲存溝槽 9241"·第二接收體部 9213…第三構台 9242…第四對準單元 9221…第二進給體部 9243...第四移動單元 9221a···第二進給空間 9251…第三儲存機構 9221b···第二進給貫穿溝槽 9252…第三儲存揚升機構 9222…第二進給支撐元件 9252b…第三揚升體部 9222a."第二揚升構件 9261…第四轉移構件 9222b…第二揚升裝置 9262…第四轉移機構 9222c".第二支撐銷針 9263…第四構台 9222d.··第二銷針揚升裝置 9271···第二喷注單元 155 201102671 9271a…第二上喷注單元 9271b".第二下喷注單元 9311…分級旋轉臂 9311a···第一分級揀取器 9312…第一驅動裝置 9321…移動板 9322…倉區塊 9323···致動元件 BW,FW…箭頭 CPl···第一補償位置 CP2…第二補償位置 ΕΑΗ,Ν,Ο,ΡΑ …箭頭 F···空氣吸取元件 F· · ·第一移除位置 G…第二移除位置 I..·第一穿孔332的中心 Κ···第二穿孔362的中心 LP…裝載位置 Ρ1，Ρ2…墊 ΡΡ1···第一揀取位置 ΡΡ2…第二揀取位置 R…第一位置 S···第二位置 ΤΡ…測試位置 ULP…卸載位置 156