201101406 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於清理基板狀設備與系統。 【先前技術】 的製之製造中，—連串 多層結構的形式訂定於1晶圓(或 =圖，並使其與;;續連 緣牛。並且’圖案化的導電層以介電材料與其 ㈣製本 :種===積:?=物=體;;來 3门鄰近㈣的元件就报有可能=操作。因=是微粒 的臨界尺寸大小之等級。^日:®上所製造的特徵部 要移除如此渺小的微粒⑦染確^相二難。&、4池_良影響下 【發明内容】 在一實施例中揭示清理基板用之上声處 頭包含一具树緣與後緣的第-模組。i清理的基“= 為沿著前緣的清理材料發放=清; ^放-層清理材料至在其下方的基板上。第—模組^包^^ 後ΐΐ沖洗材料發放口。該列沖洗材料發放口被ί 疋為向下喪放冲洗材料至在其下方的基板上。第一模組更包含 201101406 一g被訂定為沿著該列清理材料發放口後側的通氣口。此外，第 二核組^含被訂定介於該舰氣口與刻沖洗材料發放口之間的 ίίΖ ° f ―列真空ϋ餅定為在其下方的基板上的清理 - 材料;：洗?料以及由該舰氣口所供應的空氣提供多相吸取 • a人[施觸w清理基板狀下層處理頭。該下層處理頭 緣與後緣的第—模組。要清理的基板的底部以前緣 篓i餘後緣f方向通過第一模纽之上。第—模組包含被訂定為沿 =、人以收木並排放發放於該處的材料的一排放通道。第一模杈 以界定沖洗f液面區域之範_—突出邊緣。該突 〇 巧緣包含分馳奴約為断洗敎題域的前—半與後 ϋ與後部。該突出邊緣的前部位於該排放通道的後側。第- 在沖洗面區域内沿著該突出邊緣的後 L才ί ί 刻沖洗材料發放口被訂定為向上發放沖 等八;今+上的基板上。此外，第一模組包含一列被訂定以 洗剜真❹被訂定為沖 以揭，知里基板用之系統。該系統包含被訂定為 方=沾徑來移動基板而保持該基板在實質上為水平的 〇上声處Ϊ;土ί:該系統也包含位於該基板的路徑上方的- 組^·定以朝向清理材料而與該基板移動的方向相反之 的方式，使沖洗材料流過頂側沖洗響液面。該 頭包入基板的路徑下方的一下層處理頭。該下層處理 上，其被訂定來塗覆底側沖洗彎液面至該基板 側沖洗彎液面施加於該基板上的力。第一底側 層與下声二^、—^放通道’用以在絲板載具不存在於該上 ^里材Γ、之間’收集與排放待由第一頂側模組所發放的 本發明的其他實施態樣與優點將由隨後之詳細描述及隨附之 201101406 圖式，藉由本發明的實例說明當可更加明白。 【實施方式】 為了提供對本發明的透徹了解，眾多具體細節在 而，熟悉此技藝者當可明白可在該具體細節的部ϋ全 明。在其他情況下，為了避免不必要地混^發 月，亚未5羊細描述眾所皆知的製程作業。 此處提及的基板非限制性地表示半導體晶圓、硬碟、 ίΞΐί送面、液晶顯示器表面等等，其皆可能在 而可接受的汙染程度依處理該基板的特定產業而 1$、;+、二於，、此處係藉由基板表面上的汗染物微粒之存在 ii Iff*。然而’須知此處提及的汗染物微粒可採本質上 _之形式，齡祕本質上在任—基板處理盥運 达作業中可能接觸基板。 做处王/、迷 巾，此處所揭示的設備、魏及方法可肖料 二$ =^非_化基板上的汗染物微粒。在圖案化基板的 圖案化基板表面上的突起式結構可能對應於突 &二yv α夕日曰矽線或金屬線。另外，要清理的圖案化基板表面可 倉包含7特徵部，如化學機械研磨(⑽ p ananzation)程序所產生的凹陷穿孔。 鲚。—實麵來纽清除基紐染物的系 it⑽所訂定的腔室湖。腔室⑽包含輸人 处理模組121以及輸出模組123。基板載呈1〇3盥相對 來f絲板1〇2的直線運動，魏輸^模組 f i 來到輸出模組123，如箭頭107所標示。驅 運動，如執1〇5B係訂定來提供基板載具103的受控直線 定的#綠敗f ^ 土板102就沿著驅動軌1〇5Α與導引軌1〇5Β所訂 疋的直線=徑而保持在實質上為水平的方向上。 輸入拉組119包含門扉組件1]3,基板1〇2藉由基板運送元件 201101406 可穿過門扉組件113而置入腔室100。輸入模組η ^器應，當基板載具在輸入餘119的中心上時，基板^ f ίΓ ^定為可垂直移動通過基板載具1G3的開放區域。當基 靡組件113置入於腔室100時，可升起基板升降器 r其102。接著可降下基板升降器聊以放置基板撤 至土板載八103上並淨空基板載具1〇3的直線行進路徑。 ^里模組121包含上層處理頭117，當基板載具1〇3(與位於其 ΐϊίΐ】?)在上層處理頭117下方移動時，上層處理頭in配 Ο Ο 部表面。處雜組121也包含下層處理頭 ϋ圖1B) ’其相對上層處理頭117被配置在基板載具1〇3的 路徑之下、。訂定並放置下層處理頭118於適當位置，以 二tnf載ΐ 1〇3穿過處理模組121時，下層處理頭118可處理基 ϋ的表面。上層與下處理頭117與118各自都具有前緣 ^ 5 103 ㈣線路徑移動基板撤。如下更為詳細的討 Ϊ本發明中，訂定上層與下層處理頭117與118各自在基板 2的頂部與底部表面執行多階清理程序。 理頭在ίίίΓ例中，一個以上的附加處理頭可能與上層處 f碩117 —起在基板載具1G3的直線行進路徑之上使用，以及/或 處理頭可能與下層處理頭118 —秘基板載具 使Λ。舉例來說，被訂定來執行基板搬 的ΪίΪί 層與下層處理頭117與118 出模板f過處理模組121，基板載具103就來到輸 在輪出模組Γ的t;r時包含基 13基板載具1G3 _放區域。可升起基板升降^m 組i02抬至要從腔室100取出的位置。輸出模 # 門扉、、且件115，基板1〇2藉由基板運送元件可穿過門 扉轉115而從腔室100取出。一旦基板搬從基板升降器m 201101406 上取，後，y下降基板升降器m以淨空基板載具1〇3的直線行 進路後。接著，基板載具103移回至輸入模組119以重新取得下 一個要處理的基板。 —圖1B係依照本發明的一實施例所呈現的含有基板載具1〇3的 腔至之直立剖面圖，其位於上層處理頭117之下以及下層處理頭 118之上。女裝上層處理頭I〗？於驅動執與導引軌兩 J上’如此:來上層處理頭117的垂直位置就可由驅動：心 ^直位置與導引軌丨㈣的垂直位置兩者來標明，並因而標明基板 載具j03與其上所承的基板102之垂直位置。 當基板載具103移動基板1〇2至上層處理頭117的下方時， 定來執行基板102頂部表面的清理程序。相似地，當基板 ，二103移動基板102至下層處理頭118的上方時，其被訂定 底部表岭;t洗程序。在各個實施射，可訂定處 =12=的上層與下層處理頭117與118各自在基板ι〇2上 處理作業。另外，在—實施例中，訂定處理 t ΐ 層處理頭117與118為涵蓋紐102的直 ^ ^此一來基板載具103通過上層/下層處理頭117⑽之 一二人就會處理基板1〇2全部的頂部/底部表面。 角視本發明的一實施例所呈現的上層處理則7之等 ft層處理頭m包含兩個本質上紗相同的模租，即i 頂侧核組117A與第二頂側模組117B。第一頂 有效前緣201A盘右埒德矮9γπα结 η 、}、、、且117Α具有 緣細盘有效後頂側触mB具有有效前 理頭…的产清理的基板頂部以延伸於上層處 117A盘第-=二143的方向依序通過第一頂侧模組 伸於有效理綱’基板以延 ιπα的下方。接著，其杯1 向通過第—頂側模組 μ + α 接者基板延伸於有效前緣20圯至有吋德缝
的方向通過第二頂侧模組117B的下方。 有效後緣203B 在一實施例令，訂定第二頂側模组η 組Η7Α完全相同。上層處理、' ^厂弟一頂側模 甲的弟—頂側杈組117Β緊接 201101406 ，一頂側模組U7A，如此—來，相較 @ 7A的有效後緣2G3A之後。此外，在一實 ‘另—側模組117A/117B為可分開控制。然而， _ 圖日:Λ 制第一與第二頂側模組ιΐ7Α/ιΐ7Β。 立^ FI A ^古2明的一實施例所呈現的上層處理頭117之直 口^垂直裁切於上層處理頭117的前緣i4i錢緣⑷ 2B可^^言^的上層處理頭117的各種特徵可參照圖2A與 ο 等，^ΐ相二=117本質上為任一材料，如塑膠、金屬等 半導體晶圓處理程序與化學品，並 第—頂側模組117A包含一列訂定為沿著有效前 王，發放π繼。第二糊驗㈣ 有效前緣2〇m的清理材料發放口 2_。訂定各觸 ^ 20^A/2()9B _來向下發放—層的清珊料至在其下方二 S 魏連接到各自的清理材料供應流 該宰人‘同2中f美國專利中請案第12/165,577號所描述， 〇 2__ <爾板能以 μ、/—實施例中’ 1 丁定清理材料發放ϋ 209A/209B為一列的個 』=，如孔洞。在另-實施例中，奸定清理材料發放口 2〇9a/2_ 為=以上延伸於上層處理頭117長度上的槽道。在一實施例中， =理材料發放口漏綱以每秒高達約6〇毫 速率提供基板實質上均勻且完全的覆蓋，並伴以相對： =基板約25毫fKmL/基板)之清理材料雜量。❹卜，清理 ，放口 209A/209B及其相關的清理材料供應流網路可用夂 化學性質的許多不同清理材料而運作。 /、 ° 在一實施例中，此處提及的清理材料可包含一種以上用以捕 9 201101406 綱蝴口ί:彈:斗二在一實施例中，訂 為似膠的聚合物。在另外口 ^另—貫施例中，清理材料 中，清理材料為液體溶劍。而在另一實施例 的同時，亦移除5、ίί：Γ先而移除掉基板上的清理材料 美國，申請案第的 洗材料發放口 211Α。第-頂例後緣雇的沖 K ==擔發細211B。訂__洗材料發 ί ί 下發放沖洗材料至在其下方的基板上。 在，在該列的沖洗材料發放口 211A/21lB中的每個通 ^⑽3英对的直徑，以及在該列的沖洗材料發放 11Α/211Β中的母個相鄰通口以大約〇 · i 2 5英忖的中心-對-中心 7距離分隔開。然而’須知在其他實施例中，該列的沖洗材料發 口 211A/211B可訂定為具有不同的大小與間隔，只要沖洗材料 能以合適的方式從該處發放。此外，在一實施例中，可訂定該列 的沖洗材料电放口 211A/211B為一條以上之槽道，其沿第一/第二 頂侧模組117A/117B的有效後緣203A/203B延伸為一直線。 在一實施例中，訂定該列的沖洗材料發放口 211a/211]B及其 相關的沖洗材料供應流網路以介於每分約1公升(L/min)至每分約 4公升(L/min)的流率範圍發放沖洗材料。而且，沖洗材料發放口 211A/211B及其相關的清理材料供應流網路可用具有各種化學性 質的許多不同清理材料而運作。沖洗材料應與清理材料及要清理 的基板為化學性相容。在一實施例中，沖洗材料為去離子水pIW, deionized water)。然而，在另一實施例中，沖洗材料可以為許多不 同的液態材料之一，如二曱亞礙(DMSO, dimethyl sulfoxide)、二曱 基曱隨胺(DMF, dimethyl formamide)、二曱基縮醛(DMAC, dimettiyl 10 201101406 、=te)易與diw混合的極性溶劑、如霧化極性溶劑(如diw) 的f化液體、或是其任一混合物。須知上述明示的沖洗材料僅供 不範而非代^包含所有沖洗材料的集合。 ’、 如下接續討論，沖洗彎液面各在第一與第二頂侧模組117A與 ^7Β以及基板之間分別形成。各在第一與第二頂側模i且 17A/11jB中’該列的沖洗材料發放口 211A/211B供應沖洗材料 於沖洗彎液面的後側上，而第一列真空口 217A/217B移除沖洗彎 ，面的前側上的流體。因為提供第一列真空口 217A/217B於沖洗 ，液面的前侧，而非提供其於前侧與後侧兩侧，所以該列沖洗材 〇 料發放口 211A/211B的通口為朝著第一列真空口 217A/217B向下 傾斜。更具體來說，該列沖洗材料發放口 211A/211B的每個通口 被訂定為向下傾斜於由有效後緣2〇3A/2〇3B延伸向有效前 201A/201B的方向上。 ' 因為沖洗材料發放口 211A/211B的角度，所以沖洗材料可用 足以克服阻力（由基板朝向有效後緣203A/203B的移動所引起)的 液壓動量來發放，因而推進沖洗材料通過沖洗材料彎液面來到在 沖洗彎液面的前側上的該列真空口 217A/217B。另外，須知該列 沖洗材料發放口 211A/211B的通口的角度是訂定來降低沖洗材料 在有效後緣203A/203B上的壓力，以協助侷限沖洗材料彎液面的 G 主體。在一實施例中，該列沖洗材料發放口 211A/211B的每個通 口的中心線與錯垂線向量(plumb vector)之間的角度係介於最大約 為45度的範圍内。在一特定實施例中，該列沖洗材料發放口 211A/211B的每個通口的中心線與鉛垂線向量之間的角度約為2〇 度。 第一頂側模組117A包含被訂定於一列通氣口 213A與該列沖 洗材料發放口 211A之間的第一列真空口 217A。第二頂側模組 117B包含被訂定於一列通氣口 213B與該列沖洗材料發放口 211B 之間的第一列真空口 217B。各在第一與第二頂侧模組U7A/117B 中，第一列真空口 217A/217B分別配置為實質上等分有效前緣 201A/201B與有效後緣203A/203B之間的總分隔距離。 11 201101406 理材真空σ 217A/217B各自為在其下方的基板上的清 冲洗材料以及該列通氣σ 213A/213B所供應的空氣提供 :相吸岔二在—實施例中，各在第一與第二頂側模組麵⑽ 列輕σ 217A/217B及其相關真雜應網路以提供 =圍刀鐘約250標準公升(SLM，standard liters per mi她)至約 50aSLM之間的流體吸取流率。須知透過第一列真空口 217A/217B 所提供之吸力係限於不會導致基板被吸至上層處理頭117上。 須知在固定的總吸取流量或在針對吸取流固定的總橫剖面之 情況下，最小的真空口尺寸的極限係存在於清理材料會塞住真空 二库而且會使清理材料、沖洗材料與空氣之間的介面變得不穩定 生月况下。亦須知在固定的總吸取流量或在針對吸取流固定的她 ==情況下，最大的真空σ尺寸的極限係存在於清理材料ΐ 丁、吉、之間的吸取流量不足而會在真空σ之間浪漏的情況 I柿尺寸應小到足以降低相鄰真空σ之間的間隔以避免 ^里材科在真口空之财漏，但不能太小㈣致清理材料塞住真 jn. U ° Α η ί 了Λ施例中，訂定第一列真空口 217Α/217Β的每個通口約 二的直徑’以及第一列真空口 217Α/217Β的每個相鄰通 =大約〜〇.〇625英时的中心聲中心的距離分隔開。在另一實施 =中，吕丁疋第一列真空口 217Α/217Β的每個通口約為006英叶的 及第一列真空口 217Α/217Β的每個相鄰通口以大約〇125 中心普中心的距離分隔開。然而須知在另一實施例中，可 真空口 217Α/217Β具有與此處提及的特定實施例有所 、二“ ^與間隔，只要*其提供的吸力能符合上層處理頭117 乍^要求。此外，在—實施例中，可訂^第—列真空口 2ΐ7Α/2ΐ7Β 為一條以上的槽道。 第:頂麵組1ΠΑ包含一突出邊緣㈣⑽士响22^，其 被訂疋來界定沖洗彎液面區域223A的範圍於第一列真空口217八 有^緣203A之間’如此—來突出邊緣221A包含前部與後 。，八各自被訂定約為沖洗彎液面區域223A的前一半與後一半。 12 201101406 ，二頂側模組117B包含一突出邊緣22!b，其被訂定來界定沖洗 彎液面區域223B的範圍於第一列真空口 217B與有效後緣 之間，如此一來突出邊緣221B包含前部與後部，其被各自 為沖洗彎液面區域223B的前一半與後一半。 各在第一與第一頂侧模組117A/117B中，訂定第一列直办口 217Α/2ΠΒ以等分突出邊緣221A/221B的前部之前緣。突出邊緣 221A/221B後部之後緣係為第一與第二頂側模組Π7Α/ιΐ7Β的有 ^後緣2G3A/2G3B。而且，各在第—與第二頂麵組117Α/ιΐ7Β 中，訂定該列沖洗材料發放口 211A/211B在沖洗f液面區域 ❹ 223A/223B中靠近突出邊緣221A/221B的後部。 〆 —訂定突出邊緣221A/221B的後部以提供沖洗材料的彎液面體 之貫體侷限，使其存在於沖洗彎液面區域223A/223B中。而且， 邊f 22Γ21Β的後部以在基板於第—與第二頂侧模組 =7Α/117Β5之下出現時能在基板上留下均薄的沖洗材料層。突出 达緣221Α/221Β的後部提供局部增加的液壓阻力並用以將大 的沖洗材料彎液面保持在沖洗彎液面區域223Α/223Β内。 出邊緣221Α/221Β在沖洗彎液面區域 ft 中從上層處理頭117的水平表面向下突出約〇.〇2英 对。然而須知在另一實施例中，突出邊緣221A/221B在沖洗彎液 ^域223A/223B中可從上層處理頭117的水平表面突出不同距 液面受限而且沖洗材料與清理材料的個別流 動作=適於德貫f上完整地沖洗掉基板上的清理材料。 組117A包含該列通氣口 213A，其被訂定為沿著 理材科減口 2G9A的後侧2说。第二頂侧模組117B也包 二:亥列，π f 3B，其被訂定為沿著_清理材料發放口 2獅 與第二頂侧模組117A/117B各包含一個別的充 =25B I其被訂定為介於該列清理材料發放口 2〇9A/209B與弟-列真空口 217A/217B之間。各在第一二頂 中，該列真空口 213A/213B以流體連^的方式 说區域225A/225B。各在第一與第二頂侧模、组117#117；8 13 201101406 中二訂定各充溢區域225A/225B可促進從該列通氣孔2ΠΑ/213Β 至第一列真空口 217A/217B的空氣流動，而不會因為空氣流動引 起對清理材料的擾動，該清理材料係透過該列清理材料發放口 209A/209B配置到基板上。訂定各列通氣口 213A/213B沿著突出 邊緣221A/221B的長度個別提供實質上均勻的通氣空氣流至各充 溢區域 225A/225B。 在各沖洗彎液面區域223A與223B内的沖洗彎液面之侷限取 決，個別通巧第-列真空口 217A/217B的流體流之内足夠的換入 空氣。各在第一與第二頂側模組117A/117B中，訂定該列通氣口 213A/21B以提供充溢區域225A/225B足夠的空氣流，使得足夠空 氣可摻入通過第-列真轨217A/2]7B騎體流之内。訂定充溢 區域22fA/225B的容量以為流過第一列真空孔2j7A/2j7B提供足 夠的空m *魏在充溢區域225A/225B㈣存在於基板上 的清理材㈣有不利的域流影響。舉齡說，此—*利&空 可為清理材料層上的空氣阻力，其會造成清理材料層散布 Ϊίΐίί形成細紋。因此，訂定並最佳化該列通氣口 213A/213B 二對應的L域225A/225B使之轉清雜序性能，合 對清理程相清爾層方面林利 j 溢區域而與薦的直立剖面(其在垂直延伸充 =緣m與後緣⑷之間的方向上切開)面積各自約日為G35平方 万丨吉ί一，例中，第一與第二頂側模組117A/H7B各包含第- 被訂定為沿著第—列真空口^= 清理材料與沖洗材料提供細吸 下方的基板上的 與第-列真空口 2_7B二列 219Α/219Β的通口作為單相液體返 一引^工口 料彎液面的穩定性。 U域配麵免瓦解沖洗材 第一列真空口 21从/21兜為清理程序提 ° 219Α/219Β 14 201101406
布^供額外控制。在清理材料洩漏越過第一列真空口 217A/217B 的情況下，第二列真空口 219A/219B能夠移除洩漏的清理材料， 因而在沖洗彎液面區域中提供備用的沖洗能力以及避免清理材料 與沖洗材料的額外混合或稀釋。而且，第二列真空口 219A/219B 的運作可容許基板載具速率的增加，因而增加產量與擴大清理程 序容許度。
在一實施例中，第二列真空口 219A/219B的通口與該列沖洗 ^料發放口 211A/211B的通口的尺寸類似。在一實施例中’訂定 第二列真空口 219A/219B的每個通口的直徑約為0 03英吋，且第 Ο 二列真空口 219A/219B中相鄰的每個通口以大約0.125英吋的中 心-對心的距離分隔開。另外，第二列真空口 219A/219B的通口 以逆著基板移動方向向下傾斜，其與該列沖洗材料發放口 211A/211B的通口的所呈角度方式類似。第二列真空口 219A/219B 的通口之所呈角度提供第二列真空口 219A/219B與該列沖洗材料 發放口 211A/211B之間足夠的間距，以確保在遇到第二列真空口 219A/219B的吸力之前，沖洗材料能在沖洗彎液面區域223a/223b 被均勻地分布至基板上。 、圖3A係依照本發明的一實施例所呈現的下層處理頭丨丨8之等 ^視K下層處理頭118包含兩個完全相同的模組，即第一底側 杈組118A與第二底侧模組118B。下層處理頭118具有前緣3〇1 與後緣303。要被清理的基板的底部以延伸於前緣3〇1至後緣3〇3 的方向依序通過第-底側模、组118A與第二底側模組i觀的上 方。訂定第二底侧模組118B與第一底侧模組n8A相似。在 ，例中’第-與第二底麵、組118A/_為可分開控制。然而，、 在另-實施例中’可合併控制第一與第二底側模組118A/贈。 圖3B係依照本發明的一實施例所呈現的下層處理頭ιΐ8的直 抽之專肖視圖，其縱向裁切穿過第二底側模組聰。圖咒 依^發_-實施例所呈現的下層處理頭118之直立剖面 圖，♦、垂直裁切於下層處理頭118的前緣3〇1與後緣3〇3之間。 如此處所討論的各種下層處理頭118的特徵可參照圖3A、與 15 201101406 3C。可》丁疋下層處理頭ii8本質上為任一材料，如塑膠、金屬等， 該材料相容於此處所用的半導體晶圓處理程序與化學品， 形成為此處所揭示的組態。 W Π 第一與第二底側模組118Α/118Β各包含一個別的排放通道 305Α與305Β，其被訂定為沿著下層處理頭的長度以收集並 排放該處所發放的材料。如圖3Β所示，各排放通道3〇5Α/3〇5Β 從下層處理頭118的外部末端向下傾斜朝向靠近排放通道 305Α/305Β的中心位置，各自的排放口 315Α/315Β被訂定於爷中 心位置。圖3Β亦呈現液體供應口 317，其被訂定在各排放g道 305A/305B上的高點，以使如去離子水(DIW)的液體流下排放通道 305A/305B而促使排放通道305A/3〇5B中所發放的材料朝向排放 口 315A/315B移動，並預防清理材料的潑濺而影塑 305A/305B。 曰 第一與第二底側模組118入與118B各包含突出邊緣3〇7八盥 307B，其被個別訂定以界定沖洗彎液面區域3〇9A與3〇9b的^ 圍。突出邊緣307A與307B各包含前部與後部，其&各自訂定約 為沖洗彎液面區域309A/309B的前一半與後一半。各突出邊緣 307A與307B的前部個別位於排放通道3〇5A與3〇5Β α的後側。訂 定各突出邊緣307Α/307Β的後部以提供沖洗材料的彎液面體之實 體侷限，使其存在於各自的沖洗彎液面區域3〇9α/3〇9β中。訂^ 下層處理頭118的沖洗彎液面區域309Α/309Β以確保在清理過程 中基板的底部表面保持濕潤。此用以預防到達基板底部表面的過 量清理材料之過早乾燥。 第一與第二底側模組118Α/118Β各包含一列個別的沖洗材料 發放=311Α/311Β，其被訂定在各自的沖洗彎液面區域3〇9Α/3〇9Β 内沿著各自的突出邊緣307Α/307Β的後部。訂定各列沖洗材料發 放口 311Α/311Β向上發放沖洗材料至為於其上的基板上。訂定丄 列沖洗^料發放口 311Α/311Β的每個通口向上傾斜於由後緣3〇α3 延伸至前緣301的方向上。在一實施例中，各列沖洗材料發放口 311Α/311Β的每個通口的中心線與鉛垂線向量之間的角度係介於 16 201101406 最南約為45 $的範圍内。在另一實施例中，各列沖洗材料發放口 311A/311B的每個通口的中心線與鉛垂線向量之間的角度約為％ 度。 第一與第二底侧模組118A/118B各包含一列個別的真空孔 313A/313B ’其被訂定以等分個別突出邊緣3〇7A/3〇7B的前^的前 緣。訂定各列真空口 313A/313B為沖洗材料與空氣提供多相吸 取。訂定下層處理頭118與上層處理頭117在形狀因數以及液體 流動或真空吸取施加於基板的液壓力為相互映照。更具體來說， 下層處理頭118的沖洗彎液面區域309A/3〇9B與上層處理頭117 〇 的沖洗彎液面區域223A/223B本質上相同，僅在真空口 (313A/313B相對217A/217B)的組態與深度上有些微差異。 相對於上層處理頭117的第一列真空口 217A/217B的每個通 口 ’下層處理頭118的各列真空口 313A/313B可能具有不同的通 口尺寸與通口節距(pitch)。須知下層處理頭118的各列真空口 ?3A/313B，態並不會顯著影響從基板的頂部表面移除汗染物 微粒。在一實施例中，下層處理頭118的沖洗彎液面區域 3〇9A/3〇9B的深度較上層處理頭117的沖洗彎液面區域223A/223B 的深度為深，因此降低沖洗材料(從各列沖洗材料發放口 311A/311B所發放)施加於基板底部的液壓力。 〇 11由操作下層處理頭⑽來平衡由上層處理頭117施加於基 板的液壓力，下層處理頭Π8促使清理程序性能穩定。而且，當 乘載基板的基板載具不存在於上層與下層處理頭117/118之間 時’下層處理頭118與上層處理頭117 一起運作以在沖洗f液面 區域223A/309A與223B/309B内提供持續的、受限的以及穩定的 頭鲁頭沖洗材料彎液面。而且，當乘载基板的基板載具不存在於 上層與下層處理頭1Π/118之間時，下層處理頭ns的傾斜排放通 這305A/3G5B接收從上層處理頭117 _列清理材料發放口 209A/209B所發放的清理材料。 圖4係依照本發明的一實施例呈現位於基板1〇2之上的上声 處理頭117以及相對上層處理頭117位於基板1〇2之下的下層^ 17 201101406 ΐί ff頭117的第一頂侧模组117A運作以塗覆清理 403A。#作第土 接者將基板搬暴露於頂側沖洗彎液面 &作弟-頂側模組117A而使沖洗材料以實 清理材料4〇1A而與基板102移動的、方向相反) if料面概。通過糊沖洗彎液面魏的沖洗材 防清理材料戌漏超過頂侧沖洗彎液面 =上第—頂她組蘭留下沖洗材料的均勻薄膜彻在基板 40ΐ/=Γ=17的第二頂側模組mB運作以塗覆清理材料 403B 上，接者將基板1〇2暴露於頂側沖洗彎液面 的太麵模組117B而使沖洗材料以實質上單—方向性 理材料_並與基板102移動的方向i ^专''$液面4〇3B。通過頂側沖洗彎液面403B的沖洗材料 403B 〇 Ί ‘，且117B留下沖洗材料的均勻薄膜407在基板102上。 液面I〇L處Γ11/18㈣—底侧模組118A運作以塗覆底侧沖洗彎 5其& irv> \土板102上，以平衡由頂側沖洗彎液面403A所施加 02的力。操作第—底側模組U8A而使沖洗材料以實質上 =液面方？與基板102的移動方向400相反)流過底側沖洗 iiLoii。。弟一底侧模組118A訂沖洗材料的均句薄膜411 nlfif理f 118的第二底侧模組職運作以塗覆底侧沖洗彎 5 於土板102上，以平衡由頂侧沖洗彎液面403B所施加 口口基，102的力。操作第二底侧模組n8B❿使沖洗材料以實質上 =向性的方式(與基板i 〇2的移動方向4_反)流過底側沖洗 。第二底側模，留下沖洗材料的均句薄膜413 土 =上^與下層處理頭117與118的相對配置，須知當基板 不存在呤，從各列清理材料發放口 2〇9A/2〇9B所發放的清理 材料將會收集至下層處理頭118個別的排放通道3〇儲_。因 18 201101406 L㈡W處理頭117/117Β之間可於基板102進入之前產 外基於上層與下層處理頭117與118的相對配置，須知 ST Γ8的各列真空口 313趟3B分別補足上層處理頭;17 Ϊ ί ^ :空口 Μ·176的吸力’因而當基板1〇2不存在於上 理頭117/118之間時’其可供移除由上層與下層處理頭 和8兩者所發放的沖洗材料。而且，下層處理頭118的該列真 空口 313Α與313Β分別對應上層處理頭117的第一列真空口 217Α
〇 之相對配置可預防基板102被吸至上層或下層處理頭 II //11 〇 上 〇 、上層處理頭117的第一與第二頂側模組117Α/117Β各可分開 運作。而且，第一與第二頂側模組117Α/117Β的第二列真空口 219Α/^219Β亦可分開運作。另外，下層處理頭ns的第一與第二 底纖組118Α/Π8Β各可分開運作。前述使下列運作模式為可能： φ模式1 .第一頂側模組117Α開啟而第二列真空口219關閉， 第一頂側模組117Β關閉，第一底侧模組η8Α開啟，以及第 二底側模組118Β關閉。 •，式2 :第一頂側模組117Α開啟且第二列真空口219開啟， 第二頂侧模組117Β關閉，第一底側模組118Α開啟，以及第 二底側模組118Β關閉。 籲，式3 :第一頂側模組117Α開啟而第二列真空口219關閉， 第二頂側模組117Β開啟，第一底侧模組118Α開啟，以及第 二底側模組118Β開啟。 •巧式4 :第一頂侧模組117八開啟且第二列真空口219開啟， 第二頂側模組117Β開啟，第一底侧模組118Α開啟，以及第 二底側模組118Β開啟。 _此處揭不的上層處理頭117與下層處理頭118清理系統在較 向的基板產里下，以低清理材料的消耗量提供增進的微粒移除效 f(PRE，particle removai efflcienCy)。該清理系統在各沖洗彎液面的 前緣上提供最佳化的壓力分布，以在各沖洗彎液面能單侧真空吸 19 201101406 =ϋ在ϊ ί去沖洗彎液面的侷限下增加局部的吸力以增進 ,.糟在各頂侧沖洗彎液面的前緣真空口增加有效沖洗 的二-二少清理材料茂漏通過前緣真空口，而不需要額外 的總流置或吸力。 閱读用數種實施例描述之’須知熟悉此技藝者藉由 及ϊ始iU!谷與研讀圖示將能實現各種變化、新增、變更以 句二所右n ί*本發明意圖在本發明的真實精神與範脅之内 包3所有的运些變化、新增、變更以及其均等物。 【圖式簡單說明】 Ξ 本發明的—實施啦現清除基板汙染物的系統； 室之⑽呈現的含有基板載具的腔 視圖圖 照本發明的一實施例所呈現的上層處理頭之等角 利而^ 1係依照本發明的—實_所呈賴上層處理頭之直立 ，，其垂直裁切於上層處理頭时緣與後緣之間； 視圖^ Μ係依照本發明的—實施例所呈賴Μ處理頭之等角 叫面，^係依照本發明的—實施例所呈現的下層處理頭的直立 口 J面^角視圖’其縱向裁对過第二底侧模組；、 剖面本發明的—實施例所呈現的下層處理頭之直立 圓:一錢切於下層處理触前緣與麟之間；以及 頭以L ^依照本發明的—實施例呈現位於基板之上的上層處理 '相對上層處糊位於基板之下的下層處糊。θ 【主要元件符號說明】 100腔室 圍牆 1()2基板 20 201101406 103 基板載具 105A驅動軌 105B導引軌 107 箭頭 109、111基板升降器 113、115門扉組件 117 上層處理頭 117A第一頂侧處理模組 117B第二頂側處理模組 ❹ ❹ 118 下層處理頭 118A第一底側處理模組 118B第二底侧處理模組 119 輸入模組 121 處理模組 123 輸出模組 141 前緣 143 後緣 201A、201B有效前緣 203A、203B有效後緣 209A、209B清理材料發放口 211A、211B沖洗材料發放口 213A、213B 通氣口 215A、215B 後侧 217A、217B第一列真空口 219A、219B第二列真空口 221A、221B突出邊緣 223A、223B沖洗彎液面區域 225A、225B充溢區域 301 前緣 303 後緣 21 201101406 305A 307A 309A 311A 313A 315A 317 400 401A 403A 405、 409A 411 ' 、305B排放通道 、307B突出邊緣 、309B沖洗彎液面區域 、311B沖洗材料發放口 、313B真空口 、315B排放口 液體供應口 方向 、401B清理材料 、403B頂側沖洗彎液面 407 沖洗材料 、409B底侧沖洗彎液面 413 沖洗材料 22