201044090 六、發明說明： I：發明戶斤屬之技術領域3 相關申請案的交互參考 本申請案為2009年3月26曰申請之待准美國申請案 S.N.12/411,828的部份接續申請案，該美國申請案的全部内 容併入此處作為參考。 發明領域 本發明一般關於顯示器。
L先前技術；1 發明背景 電子紙(也稱作e-紙)為一種顯示器技術，其常常設計為 產生與印刷紙外觀類似的可見影像。電泳顯示器為e-紙實 例之一。電泳顯示器於外部電場影響下一般使用電泳以移 動電泳介質中的帶電粒子。帶電粒子也會反應施加電場改 變而重組以產生可見的影像。 【發明内容】 發明概要 依據本發明之一實施例，係特地提出一種顯示器，包 括：至少一顯示器元件，包括：一基材；鄰接並置於該基 材之至少一部分上的一電極，及遠離該基材並相對該電極 的另一電極；設立於下列之一者上的一介電層：i)該基材或 ii)該電極或該遠電極的至少一者；置於該電極及該遠電極 之間的一可電氣激化的介質，該介質包括多數的彩色粒 子；界定於該介電層中的至少一儲庫；及其至少一部分可 201044090 操作地置於該電極及該遠電極之間的一閘電極；其中該至 少一顯示器元件構型為，當充足的電位施加至該電極、該 遠電極或該閘電極的至少一者時，藉由該多數彩色粒子的 平面内移動而形成可見的影像；及其中該至少一儲庫的面 積實質上小於該至少一顯示器元件的面積。 依據本發明之另一實施例，係特地提出一種驅動顯示 器的電路系統，該電路系統構型為實行下列步驟：於重設 階段期間，施加第一電位至該可電氣激化的介質，驅動該 多數彩色粒子朝向該電極；於寫入階段期間，施加第二電 位至該可電氣激化的介質以i)從該電極拉取該多數彩色粒 子的至少一部分，同時該多數彩色粒子的另一部分位於靠 近該電極之處，及ii)將該部分的多數彩色粒子引入一觀看 區域中；及於保持階段期間，施加第三電位至該可電氣激 化的介質以i)保持該多數彩色粒子的另一部分靠近該電 極，及ii)使被引入該觀看區域中之該部分的多數彩色粒子 散佈橫過該觀看區域的至少一部分。 依據本發明之再一實施例，係特地提出一種製造顯示 器的方法，包括：於一基材上設立一材料堆疊，該材料堆 疊包括至少一介電層、一第一導體層及一樹脂；於該樹脂 上壓紋一圖案；移除該材料堆疊的至少一部分，藉此界定 該材料堆疊中的一間隙；於該間隙中設立一第二導體層， 該第二導體層形成靠近該基材的一電極，及移除該樹脂及 該第一導體層的一部分，藉此從該第一導體層的餘留部分 形成一閘電極。 201044090 . 依據本發明之又一實施例係特地提出一種製造顯示器 的方法，包括：在置於一基材上之一連續電極層上設立一 材料堆疊，該材料堆疊包括至少一介電層、一導體層及一 樹脂；於該樹脂上壓紋一圖案；移除該材料堆疊的至少一 部分，藉此於該材料堆疊中界定一間隙以暴露該連續電極 層的至少一部分；及移除該樹脂，藉此從該導體層的餘留 部分形成一閘電極。 圖式簡單說明 ^ 本發明實施例的特徵及優點藉由參考以下的詳細說明 - 與圖式將會更為顯明，其中相似元件編號對應相同或類似 (雖然也許不盡相同）的組件。為簡明之故，具有先前描述功 能的元件編號或特徵會或者不會結合其等顯示於其中的其 他圖形一併說明。 第1A圖簡要地描述包括顯示器元件之被動定址矩陣之 顯示器的實施例； 第1B圖簡要地描述包括顯示器元件之主動定址矩陣之 〇 顯示器的實施例； 第2A至2D圖係沿著描述顯示器元件實施例之第1A及 1B圖之線2-2的簡要橫截面圖； 第3A及3B圖係沿著描述顯示器元件另一實施例之第 1A及1B圖之線2-2的簡要橫截面圖； 第4A及4B圖分別為包括線構造之顯示器元件之一實 施例的頂部及橫截面圖； * 第5A及5B圖分別為包括點構造之顯示器元件之一實 5 201044090 施例的頂部及橫戴面圖； 第6A至6F圖簡要地描述第2A圖所示之顯示器元件實 施例之定址序列的不同階段； 第7A至7F圖一起簡要地描述製造第2C圖所示之顯示 器元件實施例之方法的一實例； 第8A至8E圖一起簡要地描述製造此處揭露之顯示器 元件之另一實施例的方法的另一實例； 第9A至9E圖一起簡要地描述製造此處揭露之顯示器 元件之再一實施例的方法的再一實例； 第10A至10F圖一起簡要地描述製造此處揭露之顯示器 元件之又一實施例的方法的又一實例；及 第11A至11F圖一起簡要地描述製造此處揭露之顯示器 元件之又再一實施例的方法的一實例。 【實方方式;3 詳細說明 此處揭露的顯示器實施例一般払括至少—顯示器元 件’各個顯示器元件具有i)至少二相對電極’及ii)—閘電極 與相對電極之間的至少一儲庫。相對電極、閘電極及儲庫 以使得存在於可電氣激化介質中之彩色粒子足以平面内移 動的方式排列。此種平面内移動一般反應—或多個電極施 加至彩色粒子的足夠電位而發生。顯#器元件更包括相對 電極及閘電極的三層架構排列，此種排列方式有利地i)使得 具有不同色調層之光學狀態範圍的玎見影像得以產生而有 用於控制灰階中的影像，ii)使得光學狀態之間得以非常快 201044090 . 速地轉換’以及iii)實質上去除顯示器元件中電氣線的共平 面交叉，藉此實質上簡化顯示器的製造。 顯示器10，10’的非限制性實例簡要顯示於第1八及比 圖。顯示器10，10’一般包括至少一設立於基材12表面15上 的顯示器元件14。如顯示於第1A及1B圖者，顯示器，1〇, 包括以二維陣列排列於基材12上的數個顯示器元件14，其 中顯示器元件14以直線方式設置以形成實質正方形格柵。 顯示器元件14的其他排列包括，但不限於，長方形格柵， ® 實質三角形格柵或延展三角形格柵。 - 如亦顯示於第1A及1B圖者，顯示器元件14以基材12上 早一層的方式δ又立於基材12上。於另一實施例中，顯示5| 元件14可於基材12上堆疊為兩層以上。此種堆疊構型此處 稱為“多層堆疊”。 例如，含兩層顯示器元件14的多層堆疊可包括設立於 基材12—側上的第一系列元件14，及設立於基材12相對側 上的另一系列元件14。此種多層堆疊排列方式使得顯示器 10可以產生彩色影像。 如亦顯示於第1Α及1Β圖者，顯示器10, 10，可包括成列 及成行排列於基材12上的數個個別顯示器元件14。於其他 實施例中，顯示器元件14可備置成個別段落。無論如何， 各個元件14或元件段落14通常被至少二電極驅動；沿著各 個選擇線SLs又置的一電極及沿著各個資料線設置的— 電極。應了解者，雖然沿著選擇線SL設置的電極與沿著資 料線DL設置的電極技術上在各個顯示器元件14處相交，然 7 201044090 而顯示器元件14架構（其將結合第2圖及第3圖系列而詳細 說明於下）使電極之間彼此電氣隔離。更特定地，各個顯示 器元件14包括三層、垂直堆疊排列的電極，其中各個電極 與相鄰電極依然充分地隔離。 顯示器10，10’也可構型為經由多個不同的定址計劃而 驅動，諸如，例如被動矩陣定址（顯示於第1A圖）及主動矩 陣定址（顯示於第1B圖）。第1A圖所示的顯示器10為使用被 動定址以形成可見影像之顯示器的實例。於被動定址期 間，顯示器元件14所選擇的列（於圖式中在遠電極及閘電極 的一相交處僅有顯示一個元件14，但應了解者，顯示器元 件/像素14形成在遠及閘電極的各個相交處）以選擇線SL及 資料線DL間之電位不同所決定的光學狀態寫就。非選擇列 中的各個顯示器元件14通常維持它的狀態而無主動驅動電 路(例如電晶體等等），直到含有此種顯示器元件14的該列 被選擇。個別的電壓於圖式中標記為V選擇及Vui*。被動矩 陣定址常常用於，但不限於，液晶顯示器、電子紙或類似 物。 顯示於第1B圖的顯示器10’為使用主動定址以形成可 見影像之顯示器的實例。顯示器10’藉由將各個顯示器元件 14連接至例如電晶體“t”或其他開關裝置而主動地定址，並 且當一或多個其他元件14正被定址時，主動地維持一顯示 器元件14的狀態。個別的電壓於圖式中被標記為V«，V未 選擇與Vi、V2及V3。相較於被動定址顯示器，主動矩陣定址 典型地使得相當快速的顯示器能夠更新多次，因為更新時 201044090 . 間至少部分地依賴電晶體“t”的速度，而不是依賴光學效應 的速度。主動定址常常用於，但不限於，影音顯示器。 < 顯示器的另一實例（未顯示於第1圖系列）包括一種直接 定址的顯示器。在直接定址中，各個顯示器元件被它自己 的資料線個別地驅動。 顯示器元件14的實施例簡要地描述於第2及3圖系列。 顯示器元件14於第2圖系列中以元件編號14A，14B，14c及 14D顯示，於第3圖系列中以元件編號14E&14F顯示。在各個 ^ 顯示於第2及3圖系列的實施例中，顯示器元件14至少包括 - 基材12、介電層16及三層堆疊排列的三電極；電極24、遠 電極26及閘電極28。顯示於第2圖系列的實施例包括不同建 構的一或多個閘電極28，28’，其中至少一部分的此種電極 28，28’被設於介電層16中。應了解的是，顯示於第3圖系 列的實施例與那些描述於第2圖系列者不同。例如，描述於 第2圖系列的閘電極28係設於介電層16中，但是描述於第3 圖系列的閘電極28係設於介電層16上。於另一實施例中， ❹ 除了在儲庫18地帶，閘電極28係連續的。更且，顯示於第2 圖系列實施例的電極24與描述於第3圖系列的電極24’呈不 同的建構方式。 於一實施例中，顯示器元件14通常至少包括基材12。 於另一實施例中，顯示器元件14包括兩相對基材12，13(如 第2圖系列及第3圖描述的實施例所示）。基材12，13可從絕 緣材料、導電材料或半導電材料中選擇。於一實施例中， ' 基材12, 13從絕緣材料中選擇，其非限制性實例包括玻璃、 9 201044090 各種聚合物及/或其等的組合。若使用聚合物，合適聚合物 的非限制性實例包括聚破酸(pc)、t方基醋（par)、聚酿 亞胺(PI)、聚對献酸乙二酿（PET)、聚萘乙烯(PEN)、聚醋颯 (PES)、聚烯烴及/或其等的組合。 基材12及/或基材13也可從透明材料或不透明材料中 選擇。此種選擇至少部分依據可見影像係如何產生而不 同。例如，若顯示器10利用反射性以形成可見影像，該顯 示器10不需要穿過一或多個基材12, 13的光線，則基材12， 13可選擇自不透明材料。於一些例子中，顯示器1〇也可被 用於另一顯示器或另一影像器上方或之上。於此種例子 中，基材12 ’ 13可選擇自透明材料。 於一實施例中，基材12可由導體或半導體材料形成。 於此實施例巾，可構型顯示n元件14使得紐12的功能係 作為電極，诸如電極24’（以下詳述) 。於此種構型中，顯示
光阻及/或其等的組合。
枯界定於其中的至少一儲 示器元件14中，介電層16 是有用的，例如，對產生 201044090 • 顏色的顯示器元件而言。在其他例子中，就各個顯示 器兀件14而言，超過一個儲庫18被界定於介電層16中。此 種構型簡要地描述於第4A、4B、5A及5B圖中。例如，為了 在各個顯示器元件14内使影像光學對比最佳化，增加顯示 益10的變換速度及/或能夠使用超過一類型的彩色粒子，另 外的儲庫可以是所欲的。於一實例中，另外的儲庫Μ可形 成為週期性格柵排列（諸如顯示於第4A及4B圖者）或為非週 0 期性隨機排列（諸如顯示於第5A及SB圖者）。週期性格栅排 列典型地具有相當一致的儲庫間隔，其容易使得開關的一 - 雜最佳化。另—方面，非週期性格栅排列具有隨機的儲 Μ隔’其易於避免至少部分由於重疊的週期性格撕而產 生的干擾圖案。 更且，儲庫18可包括線構造(例如第4Α及4Β圖所示）、 點構造（例如第5Α及5Β圖所示）、二維區域、三維形狀、碎 形形狀或其等的組合。第4八及4]8圖顯示顯示器1〇之線構造 Q 之一實施例的頂視圖及橫截面圖。第4Α及4Β圖的實施例使 用週期性分布的線。線藉由圖案化線儲庫18進入形成於電 極24上的介電層16而形成，該電極24係形成於基材12上。 於其他實施例中，藉由使用壓紋技術、光蝕刻法或其他可 穿過介電層16而形成儲庫18的方式，線儲庫18可圖案化進 入介電層16中。遠電極26形成於觀看區域VA上方。 第5A及5B圖的顯示器元件14顯示非週期性分布的 點。各個點為圖案化進入介電層16以將顯示器元件14之觀 看區域VA連接至電極24’的儲庫18。於顯示的實施例中，電 11 201044090 極24係形成於基材12上的覆蓋電極。遠電㈣形成於觀看 區域VA上方。 儲庫18已經以圓形或線狀顯示。然而，應了解的是， 只要其等滿足孔口、光學對比及其他顯㈣元件14的操作 需求’本實施例的儲庫18並不限於各該形狀或尺寸。它們 可以形成為圓形、三角形、正方形、長方形菱形、星形、 圓錐形、倒金字塔形或任何其他形狀。類似地並不需要 所有的儲庫18均個-尺寸。如上所簡短提及的，可控制 儲庫18的大小使得尺寸可在週期性或是非週期性隨機方式 間變化。儲庫也可在單—段落或像素中18隨機地趕變大 小。介電層16可以多向度形狀或碎形圖案化。此圖案化包 括圖案化介電層16以堵住-些想要它成為非主動的點。 相較於顯示器元件14面積顯得較小的點構造可被認為 是零維形狀。具有實質上大於另—向度之向度的線構造可 被認為是-維形狀。具有與顯示器元件14面積相較顯得顯 著之橫截面積的儲庫18可被認為是二維地帶。具有非垂直 壁以及具有含進入觀看區域VA之突出的表面特徵的儲庫 18可被認為是三維形狀。 儲庫18的形狀及排列影響，例如未被儲庫18佔據之清 晰孔徑。在清晰狀態下，越高的清晰孔徑導致顯示器越明 亮。 於非限制性實例中，儲庫18具有延伸穿過介電層16厚 度T的預定深度，其於顯示器1〇之定址序列的—或多個階段 期間，在顯示器元件14内部提供一定體積的自由空間用以 12 201044090 . 收集帶電的彩色粒子22(顯示於第6圖系列）。定址序列的實 . 例將結合第6圖系列詳細地說明於下。 為了使顯示器元件14的清晰或透明狀態（亦即彩色粒 子緊密於儲庫18内部之處)與顯示器元件14的暗黑、有色或 不透明狀態（亦即彩色粒子橫過觀看區域¥八散佈之處）之間 的光學對比最大化，儲庫18的總面積也實質上小於顯示器 元件14的總面積。因為緊密的彩色粒子吸收其中的光線， 所以儲庫18面積通常影響處於清晰狀態之顯示器⑴，ι〇，的 〇 亮度能力。於一實施例中，儲庫18總面積小於顯示器元件 - 14總面積的約50%。於另一實施例中，儲庫18總面積小於 顯示器元件14總面積的約30%。於再一實施例中，儲庫 總面積小於顯示器元件14總面積的約20%。於又一實施例 中，儲庫18總面積小於顯示器元件14總面積的約1〇%。於 再另一實施例中，儲庫18總面積的範圍為顯示器元件14總 面積的約1%至約10%。 ◎ 顯示器元件14更包括鄰接且設於至少一部分基材12上 的電極24。於第2圖系列所示的實施例中，電極24操作地設 置於儲庫18内部。用於電極24之合適材料的非限制性實例 包括金屬（諸如，例如金、鋁、鎳、銅等）、導電氧化物(諸 如，例如氧化銦錫等）、導電聚合物（諸如，例如pED〇T(聚 (3,4-乙烯二氧噻吩)及/或類似物）、導電複合物（諸如，例如 碳奈米管層等)及/或其等的組合。 現請參考第3A及3B圖，顯示器元件14E，14F包括設立 於基材12之表面15上的連續電極24’。於此實施例中，介電 13 201044090 層16設立於電極24,上且儲庫18形成於介電層16中。於非限 制性實例中，連續電極24,連續而穿過個別的顯示器元件 14。於另一非限制性實例中，連續電極24，也連續而横過 多個顯不器元件14或整個顯示器1〇，1〇,。 再度參考所有描述於第2A至2D圖及第3圖之顯示器元 件14的貫施例’顯示器元件14更包括遠離基材12及與電極 24，24’相對的電極26。電極26此處將被稱為“遠電極，，。電 極24，24’與遠電極26之間的空間此處定義為觀看區域VA。 如以下將更為描述者，例如於第6圖系列所示之定址序列的 或夕階段期間，彩色粒子22會被拉進觀看區域VA中。於 一些例子中，例如當適當電位施加於其上時，於定址序列 的寫入階段期間，遠電極26作為資料線DL(顯示於第丨八及 1B圖）。於其他例子中，遠電極26可作為選擇線5匕或普通電 極。遠電極26也可設於顯示器10，1〇，之觀看侧乂5的附近。 應了解者，顯示器1()，1()，也可具有上下_的構型，遠電 極26因而相對於顯示器1〇, 1〇，的觀看側va而設置。於一實 例中，電極26由光學透_導電材料(其非限制性實例包括 氧化姻錫）、聚(3,4_乙稀二氧°塞吩）、導電複合物(例如碳奈 米管層）及/或類似物，及/或其等的組合形成。 .’、具示器元件14更包括设於觀看區域丫八中（亦即介於電 極^’24’與輕極26間）並與儲_讀溝通之可電氣激化 的:貝。此處所用之“可電氣激化的介質”指稱填滿整個觀 看區域VA及儲庫18的流體載體。可電氣激化的介質包括分 散於其中的多數彩色粒子22。回應於紋的電位或電場， 14 201044090 • 彩色粒子22移動及/或轉動至觀看區域VA、儲庫18或兩者内 • 部的各種地點以在定址序列的一或多個階段期間產生所欲 的可見影像。 可電氣激化的介質的非限制性實例包括電泳介質、電 子墨水各向異性的介質諸如液晶及/或類似物。可電氣激 化的介質可為透明、有色或染色的。 於一實施例中，分散於介質的彩色粒子22可包括單— ¢) 類型的粒子（諸如，例如相同顏色、相同電荷等等），或者 於另貫細1例中，包括兩種以上類型的粒子（諸如，例如兩 種以上不同顏色、不同電荷等等）。如上所述，於一實例中， 彩色粒子22可包括料同類型彩色粒子的混合。於此實例 t ’第一類型的彩色粒子22顯示第一種純，而第二類型 的彩色粒子22顯示第二種顏色。 不同類型彩色粒子22的混合也可被包括於透明介質、 有色介質或染色介質中。 Ο 顯示器元件14的實施例更包括一閘電極28，其至少一 邛刀為操作地設置於電極24，24,與遠電極26之間。於一實 例中’閘電極28作為沿著第1®所示之顯示㈣選擇線几 設置的電極。閘電極28通常用於控制彩色粒子22的移動進 入或離開儲庫18。閘電極28更被祕控制從儲庫18釋放並 移動進人觀輕域VAt之純好22_量。藉由控制從 並移動進人觀看區域VA之彩色粒子22的數 *，閘電極28也控制了顯示⑽觀看者所接受的色彩，包 括灰階中各式各樣的色調。 15 201044090 不同構型的閘電極28描述於第2及3圖系列所示之顯示 器元件14的數個實施例t。非常—般地，至少—部分的間 電獅係、操作駿置於電極24，W及遠電極％之間。於一 實施例中’顯示ϋ元⑽湖之元件編號A所標記者）包 括形成於鄰接並位在儲庫18相對側上之—部分介電㈣上 的兩閘電極28。於另-實施例中，顯示器科（第2關之元 件編號14Λ標記者）包括形成於鄰接儲庫18之—部分介電 層16上的單-開電極28。於另_實_中，顯示器元件（第 2C圖之π件編號14(：所標記者）包括位於鄰接並在儲庫叫目 對侧上的兩閘電極28，，其t各個電㈣，具有i)形成於鄰接 儲庫18之-部分介電層16上的第_部，及u)連接至第一部 並延伸穿過介電層16厚度T的第二部。於又-實施例中，顯 不器元件（第2D圖之元件編號14〇所標記者）包括單一閘電 極28,，#包括i)形成於鄰接儲庫18之—部分介電㈣上的 第和及11)連接至第—部分並延伸穿過介電層16厚度T的 第二部。 如顯示於第3圖系列，顯示器元件14e, 14p包括設置於 鄰接並在儲庫18相對側上之一部a介電層16上的兩間電極 28。然而，應該了解者’描述於第2圖系列之閘電極28，28, 的任何構型也可應用於第3圖系列所示的實施例中，反之亦 然。 現請參考第3B圖，於另-實施例中，顯示器元件ΐ4ρ 可包括至少設於閘電極28上的鈍化層21。於一實施例中， 鈍化層21由介電材料形成。此種材料的非限制性實例包括 16 201044090 . 光激化樹脂（例如SU8)、光阻、介電氧化物(例如Si02，Hf02 . 等等）、非導電聚合物及/或類似物，及/或其等的組合。 應了解的是，描述於第2圖系列及第3圖之顯示器元件 14的任一實施例具有至少三電極；i)電極24，24,、⑴遠電 極26及iii)閘電極28，28’，其等相對於彼此朝z-方向排列。 例如，顯示器元件14之各個實施例的閘電極28，28,位在朝 z-方向與電極24 ’ 24’分隔的位置’電極24，24,位在朝z-方 ^ 向與遠電極26分隔的位置。根據顯示器10之位向的不同， 於一實例中，電極，24, 24’，26, 28, 28,關於彼此可為垂 - 直地排列，然而，本發明並不想受限於此。 更要了解的是，電極24 ’ 24’、遠電極26及/或閘電極28， 28可備置為連續電極，分段電極或像素化電極。至少部分 依據該顯示器1〇，10，如何定址的不同，連續、分段及像素 化電極的任何組合均可用於顯示器元件14架構。例如，電 極中的兩個可為連續，而另一電極為分段。此種構型對於 〇 用作電子皮膚(electronic skins)、交互作用表面或類似物係 有利的。例如，分段用於電子皮膚或交互作用表面，於該 處電極的段落被圖案化成由其餘段落分離地定址。電極的 —者可為分段，而其他可為電子皮膚應用的覆蓋電極以控 制靜態圖案化或分段影像中的灰階。於另_實例中，藉: 朝方向界定兩層顯示器10，10’架構上之電極的行及列:顯 不器10, 10’可像素化’餘留電_而可作為連續(或覆蓋) 電極。 再者，含覆蓋或_電極的行或㈣極可用於像素化 17 201044090 顯示器應用中。於另一實例中，其中之一電極可作為含主 動背平面的像素板，而餘留電極可為含主動背平面的i)連續 電極、ii)分段電極或iii)像素化電極。 顯示器元件14的實施例更包括構型為當驅動顯示器10 以產生可見影像時，施加合適電位至電極24，24’、遠電極 26或閘電極28，28’之至少一者的電氣接觸。於一實例中， 電氣接觸可沿著顯示器10的一側而設置，於該處電位或電 場從各個顯示器元件14的一側施加至電極24，24’、遠電極 26或閘電極28，28’。於另一實例中，電極24，24’，26，28， 28’之至少一者的電氣連結可利用背平面而完成。背平面例 如可包括構型成驅動顯示器10的電極及構型成驅動電極的 合適硬體。例如，沿著選擇線SL的閘電極28,28’與電極24, 24’可認為係背平面的部分。於一些例子中，背平面包括額 外的元件，諸如電力供應線及類似物。 應了解的是，當顯示器10產生可見影像時，可見影像 的設計（包括所要的顏色（其可經由上述顯示器元件14的堆 疊14而達成))可藉由選擇及驅動一或多個顯示器元件14而 產生。再次，選擇哪一顯示器元件14將被驅動至少部分根 據所使用的定址計劃不同而不同。如以下將詳述者，彩色 粒子22(於適當電位或電場存在下）可被驅動以產生特別強 度的特別顏色來形成彩色影像。在顯示器元件14被構型成 產生灰階中的各種色調的例子中，彩色粒子22可(於適當電 位或電場存在下）被驅動以產生特別的強度來形成灰階中 的影像。應該更加了解者，各個顯示器元件14負責產生它 18 201044090 • 本身制_色及強度。於—些例子中，在以下結合第6圖 纟列所制之定址序列的寫人階段期間，數個顯示器元件 14被選擇以產生相同的顏色或者相同或不同的強度。在其 他例子中，數個顯示器元件14被選擇以產生相同或不同強 度的不同顏色。 更要了解的是，顯示器元件14可利用被動矩陣定址而 _…旦改變特·擇線SL的電位至適當電位，所有連 接至選擇線S L (亦即成列）的顯示器元件14均認為係“選擇 的”並且可於定址序列的寫入階段被驅動。 • 藉著依據所要產生的影像改變顯示器元件14的光學狀 態，此處所使用之選擇的顯示器元件14可被驅動、定址或 是寫入。顯示器元件14的驅動可於定址計劃的寫入階段期 間完成，其實例將結合第6圖系列說明於下。未驅動的顯示 器元件14被認為是“未選擇的”元件。當選擇的元件正被驅 動時，未選擇的元件不改變光學狀態。選擇與未選擇顯示 器元件14的光學狀態的改變或未改變將於以下詳細說明。 ^ 用於驅動顯示器之定址序列的實例簡要描述於第6Α至 6F圖。定址序列一般包括重設階段(顯示於第6八圖）’寫入 階段(顯示於第6Β至6Ε圖）’及保持階段(顯示於第6F圖）。以 下描述的定址序列為使用例如第1Α圖所示之顯示器川的被 動矩陣定址計劃。再者，顯示於第6圖系列之定址序列的實 例使用第2A圖所示之顯示器元件14a架構的實施例，包括帶 正電的彩色粒子22。應了解的是，定址序列也適用於帶負 電的彩色粒子22，但以相反的方式。也要了解者為，此處 19 201044090 Λ月的任@不ϋ①件架構（例如顯示器元件A、14β、 HC Λΐ4ρ)可被類似地定址至第6圖系列所示的序 列。
為了兒月第6圖系列所示之定址計劃的目的，電極μ接 地(亦即π疋至零電位)作為參考點。當電極Μ接地時，開電 極28將作為選擇線SL，而遠電極26將作為資料線I 然而，應了解者，閘電極28或是遠電極26任-者可被 選用為參考點。據此，所選_電極24，Μ ,啊用作參 考點以描述域定址計劃的各種階段。於另—實施例中， 顯示器H)可被驅動而無須全球參考點。在此案例中，每個 電極24，28，26的電位將會改變，而不是三個電極中之兩 個電極的電位相對於第三個電極的電位而改變。 現參考第6A圖’於重設階段期間，合適的電位施加至 顯示器元件U巾可魏激化㈣f，_純好η朝向 設於儲庫18中的電極24。更特定地，電極％被設定至足以 _帶電純粒子22進人_18㈣位（相騎接地電極 )。問咖8也狀至足錢得料粒子2咖觀看區域 VA並進人儲庫18的電位。於1例中，閘電獅的電位設 疋為，於遠電極26電位及電極24電位之間的數值。 第6B至6E圖描述於定址計劃之寫入階段，顯示器元件 Μ的各種狀態。寫人階段可包括選_顯^元件⑷的 寫入狀_示細第圖），未選擇的顯示器元件A的寫入 狀態(顯示於第_)，選擇的顯示器元件Ha的非寫入狀態 (顯示於細圖），與未選擇的顯示器元件A的非寫入狀態 20 201044090 . (顯示於第6E圖）。 此處所使用之術語“非寫入”意謂顯示器元件14八之光 學狀態或外觀的不改變。於非限制性實例中，在顯示器元 件14a先前係被選擇來寫入而後處於非寫入狀態的例子 中，於寫入期間設立的顯示器元件14a的光學狀態於非寫八 狀態期間將維持不變。換言之，術語“非寫入，，並非想要喑 不顯不器元件不產生可見的影像（亦即處於清晰狀態）；而是 意指所攜電壓不足以改變像素。 Ο 現參考第6B圖，於選擇的顯示器元件14a的寫入狀態期 - 間，遠電極26設定至足以將彩色粒子22從儲庫18内部拉動 或汲取進入觀看區域VA的電位(相對於電極24)。此種遠電 極26電位對應於想要被顯示器元件14a顯示之光學影像的 灰階等級。在帶正電彩色粒子22的案例中，閘電極烈的電 位（亦即選擇線SL)從先前“未選擇的”數值下降至使得彩色 粒子22能夠從儲庫18移除並移動進入觀看區域Va。 〇 彳請庫18拉動之純好22隨量至少料依賴遠電 極26(亦即資料線DL)施加至介質的電位而不同。例如，就 帶正電粒子22而言，較低的遠電極26電位使得較多的彩色 粒子22可從儲庫18中被拉出。於一些例子中，遠電極％可 被設定至其可能最低的電位，此電位潛在地使得實質上所 有的彩色粒子22能夠從儲庫18中被拉出。此種遠電極加電 位成被稱作資料線DL的“寫入電位”。 力選擇的顯示器元件1、的寫入狀態期間，顯示器元件 14A的光學狀態反應施加至介質的電位而改變。在許多案例 21 201044090 中，光學狀態的改變包括將齡iiit件MA從清晰狀態切換 至有色或暗黑狀態，反之易然。 顯示器元件14A暗黑狀態可藉由將彩色粒子22橫向地 越過觀看區域VA而散佈而完成。粒子22的散佈可經由平面 内移動而完成，as顯示於第紐圖者。於—實施例中，粒子 22的平面内散佈移動可經由自然擴散而完成。例如，位於 儲庫18正上方之觀看區域VA中的粒子μ具有比觀看區域 VA其他ϋ域還高的粒子22濃度。較高的濃度使得粒子叫黃 向遷移至觀看區域VA中粒子22濃度較低的區域。此種遷移 至少部分地係由於各個個·子22所產生之靜電斥力引起 粒子22彼此確實相斥的緣故。㈣—實施例中粒子辦 觀看區域VA的平㈣散佈移動可藉電㈣及遠電極加施 加至介質的電位而完成。於又—實施例中，在定址序列的 保持階段顧（其將結合第6F圖詳述於下），粒子22於觀看區 域VA中的平面内散佈移動可藉閘電極烈施加至介質的電 位而完成°在-些案例中’粒子22橫過觀看區域va的散佈 移動速度也受㈣階段期間閘電_電位、寫人階段粒子 22的自然擴散或其等之組合的控制。 應了解的是，遠電極26(相對於電極24)可設定至 —部分的彩色粒子22從儲庫18拉出而進入觀看區域^内 的電位，此可稱作顯示器元件14A的部分寫入。此種電位據 稱介於“寫入”電位及“非寫入，，電位之間。將部分彩色粒子 22(與實質上所有㈣色粒子叫目幻從儲庫18拉出決定了 顯示器H)呈現的顏色深度/色調。彩色粒子22從儲庫18中被 22 201044090 • 拉出的數量至少部分地依賴由遠電極26或閘電極28之至少 一者施加至介質的電位。藉由控制施加至介質之電位的程 度及/或時間，可以呈現與控制不同灰階等級的彩色粒子 22。任何未被拉入觀看區域¥八中的彩色粒子22由於閘電極 28的高未選擇電位而維持於靠近電極24的儲庫18内部。於 一實例中，灰階控制可藉由在閘電極28及電極24之間產生 相當小的電位差異而完成。重複上述，在遠電極％電位設 〇 $為零的例子中，斥力加至彩色粒子22,將其等保持於儲 庫W中。然而，遠電極26之充分低的電位於彩色粒子上產 ' 生相當強的吸力，其可克服閘電極28產生的斥力。藉由調 整遠電極26電位，總吸力的大小可受控制。於一實例中， 滯留斥力的強度橫過儲庫18的橫向尺度而變化。因此，來 自遠電極26的吸力得克服儲庫18中心的滯留力，同時此種 力在靠近儲庫18週邊的地方會更加地小。儲庫18中心的彩 色粒子將被没取進入觀看區域…，同時靠近儲㈣週邊的 〇 $色粒子將留在儲庫18中。遠電極26施加越大的吸力，則 越多彩色粒子22會從儲庫18中被沒取出。據此，顯示器元 件Η的灰階等級可藉著調整遠電㈣電位而控制。 在遠電極26施加至介f之電位比電㈣為高的例子 中，沒有帶正電彩色粒子22從儲庫18中被拉出。在這些例 子中，顯示器元件MA維持於光學清晰或透明狀態。這就如 同顯示於第6D圖者，其中定址計劃包括用於選擇顯示器元 件HA的非寫入狀態。 於一實施例中，當顯示器1〇以被動定址方法驅動時， 23 201044090 除了一列以外，其他的列都是典型未選擇的，而僅有—列 在任何時間是選擇的。於另一實施例中，多個列可同時被 選擇。於未選擇電壓的狀況下’可以使得所有未選擇的顯 示器元件14能夠保持不改變，而選擇的元件14正被寫入， 不論未選擇的元件14是否將要被寫入或已經被寫入。
第6C及6E圖分別描述未選擇的顯示器元件的寫入 及非寫入狀態。現在參考第6C圖，電位藉遠電極26(資料線 叫施加至介質，麵示器元件14A係被選擇的話(如顯示於 第6B圖及以上描述者）’祕加電位將典型地從儲庫18内部 汲取或拉出彩色粒子22並進入觀看區域νΑ*。然而，對於 未選擇的元件14a，閘電極28電位被設定至足魏高以防止 遠電極26施加的電位將彩色粒子22拉進觀看區域^中。換 言之，遠電極26施加的電位並不具有足夠㈣力來將彩色 粒子22拉入觀看區域VA中。據此，未選擇顯示器元件⑷ 於未寫入狀態期間的光學狀態維持不變。 A 於未選擇顯示器元件14a的非寫入狀態（如第 不），遠電極26被設定至足以將任何彩色粒㈣ 域VA中的電位。類似描述於第叱圖狀 °° 门未選擇顯不斋凡件14A的光學狀態也維持不變。 現在參考第汗圖，於保持階段期間， 方法更包括將閉電⑽的電位設定至足以3不器1〇的 色粒子22於儲庫18及觀看區域VA之間轉送的上阻指彩 擋可在不管遠電極26電位的情況下完成。於。此種隨 彩色粒子的實射，狀_極職電錢_ 24 201044090 . 於電極24的電位為足夠地高以防止彩色粒子22從儲庫18移 • 動或轉送進入觀看區域VA中，及⑴相對於遠電極26的電位 為足夠地高以防止觀看區域VA中的任何彩色粒子22移動 或轉送進入儲庫18中。 回頭參考上述觀看區域VA中彩色粒子22的散佈，於保 持階段期間，因為閘電極28設定至比遠電極％電位高的電 位，該電位防止彩色粒子22於儲庫18及觀看區域va之間的 ◎ S何父換。S此，所生的斥力也將彩色粒子22推離閘電極 22而朝向大部分的觀看區域VA，而引起粒子22的散佈。 應了解的是，以上所述的結合第6圖系列的定址序列也 T驗驅動含有帶正電及帶負電彩色粒扣混合的顯示器 元件14。於—實财，帶正電粒子及帶負電粒子具有不同 的顏色(例如黑色為帶正電粒子，洋紅為帶負電粒子顯示 器元件14例如可構型為使得黑粒子收即於一儲庫中而洋紅 粒子收集於另一儲庫中（諸如於定址序列的重設階段期 〇 間）。個別儲庫巾粒子的收集可經由對於個職子使用不同 電極(諸如電極24，24，)並施加不同電位至電極而完成。而 且於此實例中，於寫入階段期間，黑粒子可經由上述的序 列被拉進觀看區域中，同時使用其等各自的閘電極將洋紅 粒子保持於其等各自的儲庫中。此後，洋紅粒子也可使用 上述序列而被拉進觀看區域VA中，同時使用其等各自的閘 電極將黑粒子保持在其等各自的儲庫中。 結合第6圖系列的上述定址序列經由一些修飾也可用 於說明主動驅動式顯示器（例如顯示器1〇，）。例如，寫入資 25 201044090 料、擇之列的時間與顯示器川，(例如電晶體㈣主動元 ㈣充電^是與移動及/或轉動彩色粒子 22的時間相同。再者，寫入階段可包括寫入資料至所有主 動兀件’接著改變所有實質上平行之顯示器的光學 狀‘％。重設及保_段將轉實質上與上述關於被動驅動 式顯示器所說明者相同。 本發明也包括適於驅動顯示器川，1〇，的電路系統。應 了解者土匕電路系統(其非限制性實例顯示於第1A及1B圖） 可包括’但不限於軟體、硬體、章刃體及，或類似物及/或其 等的組合。 製造顯不器1〇方法的不同實施例簡要描述於第7、8、 9 10及11圖系列。描述於第7圖系列的實施例特別說明形 成包括第2CS]實施㈣示之顯*器元件14e的顯示器細 方法，而描述於第8、9、1〇&u圖系列的實施例特別說明 形成包括第2Αϋ實施例所示之顯示器^件14a之顯示器1〇 的方法。應了解的是，製造方法的任一實施例必要時可以 合適地改變以製作顯示器元件Ha、14b、14c、14d、14e及 14F的任一實施例。 現在參考第7圖系列，製造顯示器元件方法的實施例 包括設立介電層16於導電層(^上，其設立於下方基材12上 (如第7A圖所示）。使用合適的設立手段，導電層a可設立 於基材12上及介電層16可設立於導電層(：]上。合適設立手 段的非限制性實例包括噴濺、蒸發、旋轉塗覆、刮刀刀片 刮除、凹版印刷塗覆、槽膜塗覆、浸潰塗覆及/或類似手段， 26 201044090 . 及/或其等的組合。 圖案被壓紋於設立的介電層16上，如第76圖所厂、 中至少一部分的介電層16被移除，留下Pdli部分。圖案二 般界定最終將形成之顯示器元件14架構的部分。此等部八 的實例包括儲庫18(形成於第7E圖所示的方法步驟），^刀 形成閘電極28的地帶（形成於第7d圖所示的方法步驟）= 等。 〇 再至少一部分的介電層丨6及導電層。然後被移除，留 下第7C圖所示的圖案，包括移除部分pa。各種層的移κ 如經由蝕刻製程完成。例如以任何合適的蝕刻方法完成蝕 刻，包括方向性乾蝕刻、等向性濕蝕刻及/或類似蝕刻。於 一些例子中，導電層心於蝕刻期間也可用作部分介電層μ 移除的姓刻停止件。 現在參考第7〇圖，製造顯示器10的方法更包括從導電 層<^的暴露部分向上建造導電層Ci。導電層心的建造藉由 ◎使用電鍍製程成長導電層而完成。 其後，介電層16的至少一其他部分Pdl，2被移除，藉此 暴露第層導體材料(1!1的口(；^a部分(如顯示於第7E圖者）。 介電層16的至少一其他部分的移除可經由蝕刻製程完成。 至 其他部分Pdl’ 2的移除形成儲庫18(如顯示於第7E圖 者）。為了形成描述於第2圖系列之顯示器元件14的實施 例，第二層導體材料a然後設立於第一層導體材料q的暴 露部分(如顯示於第7F圖者）。設立可例如經由電鍍完成。第 一層導體材料C2形成下列之至少一者：i)設於儲庫18内部的 27 201044090 電極24，或ϋ)閘電極28的至少一其他部分。然而，要了解 的是’類似第2圖系列所示之顯示器元件14的實施例包括連 續電極(諸如第3圖系列所示的電極24’），第二層導體材料c2 可被用於形成閘電極2 8的至少一其他部分；並且電極未設 於儲庫18内部。 上述結合第7圖系列之製造顯示器方法的實施例可 被用於形成上述結合第2及3圖系列之顯示器元件14的任一 實施例，以及其他未明示於圖式中的類似構型。為了容納 顯示器元件14架構的各種改變，該方法可為任何調整。例 如’兔·顯示器元件包括單一閘電極(諸如描述於第2B圖之顯 示器元件14B的實施例），則壓紋於介電層16上的圖案可 被調整，如此所要的介電層16部分於於第7C圖所示的移除 步驟期間被移除以形成早·一閘電極（而非兩閘電極）。 其他製造顯示器10的實施例簡要地顯示於第8、9、10 及11圖系列。根據這些實施例，製造顯示器1 〇的方法實質 上藉由除去至少一圖案化步驟及降低材料移除步驟的數目 而簡化。例如，這可藉由使用其上含一或多個預設材料層 的基材12材料而完成。此種製程一般描述於第8及9圖系 列’而且此處該預設的材料層將以參考鑑別件L鑑定。 現參考製造第8圖系列所示顯示器1〇之方法的實施 例，該方法包括於基材12上設立材料堆疊s(如顯示於第8A 圖者）’其中基材12包括導體材料的預設的層lc(M1。材料堆 疊S包括設立於另一導體材料(^層上的壓紋樹脂R，該另一 導體材料ci層設立於介電材料16層上。於非限制性實例 28 201044090 中’導體層Ci的厚度範圍從約20nm至約5μπι，導體材料層
Lccm的厚度範圍從約2〇ηπ1至約25μιη，介電層16的厚度範圍 從約Ιμιη至約1〇〇μηι，及樹脂層R的厚度範圍從約1μιη至約 ΙΟΟμιη 〇 如顯示於第8Β圖者，圖案被壓紋於材料堆疊s之樹脂R 的介電層16上，通常界定顯示器元件14架構部分的圖案最 終將被形成(例如儲庫18、閘電極28等等）。樹脂R經由例如 0 樹脂層R的定時姓刻而清潔。清潔之後，至少一部分的材料 堆疊S(包括樹脂層R、導體層(^及介電層16)被移除(經由一 ' 或多個中間步驟），藉此界定堆疊S中的間隙G。間隙G暴露 導體層LC0N的一部分pL1。移除可經由蝕刻製程（例如IT〇姓 刻、間隔件姓刻及/或其等的組合)及/或經由任何其他合適 的移除手段及/或製程而完成。 如顯不於第8C圖者，另一導體層C2設立於間隙〇中， 於該處導體層C；2形成電極24。設立可藉由例如電鍍導體層 Q C2至較薄導體層lcon而完成。於一實例中，可完成電鍍， 如此所設立導體層C：2得形成至一目標厚度。於非限制性實 例中’導體層C2的目標厚度範圍從約2〇ηιη至約20微米。合 適導體層Q的非限制性實例包括鎳、銅、金、鈀及/或類似 物，及/或其等的組合。 在於間隙G中設立導體層a之後，該方法更包括移除圍 繞新設立導體層C2的一部分材料堆疊s (如顯示於第8 D圖 者）。部分材料堆疊S的移除形成儲庫18及下方較薄導體 lcon的暴露部分pLa。原始層LcQn的暴露部分可以蝕刻移 29 201044090 除，藉此使a與其餘的“⑽電氣隔絕。其後，樹腊層尺，及 一部分的導體層A被移除，藉此從導體層匕餘留部分形成 閘電極28。樹脂層R及部分導體層C,的移除可經由等向性姓 刻製程完成。所得的顯示器元件14,架構顯示於第8E圖。 製造顯示器10之方法的又一實施例描述於第9圖系 列。於此實施例中，基材12以無電的催化劑材料層^^(如 第9A圖所示）實質均勻地預塗覆。於一實施例中，催化劑層 LCAT係不連續層並包括多數小島界定於其中。小島的尺寸 實質上小於最終要形成之電極24的目標寬度。小島可在層 LCAT設置於基材12上之時形成，或是在層^心設於基材。 之後經由處理製程形成。用於層Lcat之合適催化劑材料的 非限制性貫例包括金、纪及其等的化合物。更且，催化劑 層LCAT為薄層，因而層Lcat可被認為係實質上透明的。於 一實施例中，層lcat的厚度範圍介於約0 lnm及約5〇11爪之 間。 如亦顯示於第9 A圖者，材料堆疊s設立於塗覆有催化劑 層LCAT的基材12上。材料堆疊s包括設立於導體材料層〇 上的壓紋樹脂R，而導體材料層Ci設立於介電材料層16上。 如顯示於第9B圖者，圖諸壓紋於材料堆疊S之樹脂R 的’I電層16上’通常界定部分顯示II元件14架構的圖案最 終被形成(例如儲庫18、閘電極28等等）。清潔之後至少一 部分的材料堆疊S(包括樹脂層R、其他導體層q及介電層⑹ 被移除藉此於堆疊s中界定一間隙G，如顯示於第％圖 者。間隙G最終形成儲庫18。㈣可經由敍刻（例如ιτ〇敍 30 201044090 刻、間隔件餘刻及/或其等的組合)及/或經由任何其他合適 的移除手段及/或製程完成。 如顯示於第9D圖者’另一導體層C2設立於間隙g中， 於该處導體層C2形成電極24。設立可藉由例如電鍍導體層 a至催化劑層Lcat而完成。於一實例中，電鍍可完成，如 此所设立的導體層q形成至目標厚度，例如類似第8圖系列 之層C2的目標厚度。 D 於間隙G中設立導體層C2之後，樹脂層R及一部分的導 體層C,被移除，藉此從導體層。的餘留部分形成閘電極 28 ’如顯示於第9E圖者。樹脂層r及部分導體層（^的移除可 經由等向性蝕刻製程完成。所得的顯示器元件14，，架構顯示 於第9E圖。 應了解的是’若想要的話’鈍化層21可包括於第9A圖 的樹脂R及導體層C!之間。鈍化層21然後會被留下直到於第 9D及9E圖之間被移除(經由例如蝕刻）。 ^ 製造顯示器10之方法的又一實施例描述於第10圖系 列。於此實施例中，材料堆疊S設立於未塗覆基材12上（如 顯示於第10A圖者）。材料堆疊s包括壓紋樹脂層R、導體層 C1及介電層16。 如第10B圖所示，圖案被壓紋於材料堆疊s之樹脂R的 介電層16上’通常界定顯示器元件14架構部分的圖案最終 將被形成(例如儲庫18、閘電極28等等）。清潔之後，至少一 部分的材料堆疊S(包括樹脂層R、導體層Ci及介電層16)， 及一部分的基材12被移除’藉此將間隙G界定於堆疊S2〇中 31 201044090 及界定於基材12内部。間隙G最終形成儲庫18。經移除可藉 由蝕刻（例如ITO蝕刻、間隔件蝕刻及/或其等的組合)及/或 經由任何其他合適的移除手段及/或製程而完成。 如顯示於第10C圖者，另一層l設立材料堆疊S上方並 且進入間隙G中。於一實例中，層l係另一導體層。於另一 實例中，層L係催化劑材料層。層]^的設立可經由方向性沉 積方法諸如，例如噴濺完成。於一實例中，設立於樹脂層R 上之層L的Pu部分及暴露的基材12比設立於間隙g内部之 材料堆疊S側上之層L的部分還厚。為了打破設立於樹脂 R上之層L的PL4部分與設立於間隙中之層l的pL4部分之間 的電氣連結’設立於材料堆疊S側上之層L的較薄部分pL3 例如經由蝕刻或其他合適的移除製程被移除（如顯示於第 10D圖者）。 於層L為導體材料層的例子中，設立於間隙〇内之層l 的°卩分PL4以更多相同導體材料（其非限制性實例包括錄、 銅、金、鈀及/或類似物，及/或其等的組合）電鍍至範圍為 約2〇nm至約20微米之間的目標厚度，藉此形成電極24(如顯 示於第10E圖者）。在層L係催化劑材料層的例子中，該方法 更包括在層L上方設立導體材料層（未顯示於圖式中）。催化 劑材料層然後以導體材料鑛至目標厚度以形成電極24。 於形成電極24之後’該方法更包括移除設立於樹脂層R 上之層L的部分PL3，以及一部分的材料堆疊8(如顯示於第 10F圖者）。其後，樹脂層R及一部分的導體層q被移除，藉 此從導體層(^的餘留部分形成閘電極28。樹脂層2〇 r及部 32 201044090 . 分導體層匸!的移除可經由等向性蝕刻製程完成。所得的顯 示器元件14’’’的架構顯示於第10F圖。 現在參考第11圖系列所示之製造顯示器1 〇實施例的方 法(該實施例包括連續電極24及閘電極28上的鈍化層），該方 法包括於基材12上設立材料堆疊S(如顯示於第11A圖者）， 於該處基材12包括預設的導體材料層Lcon。材料堆疊s包括 設立於鈍化層21上的壓紋樹脂R，鈍化層21本身設立於另一 導體材料層(：!上，另一導體材料層本身設立於介電材料層 ® 16上。於非限制性實例中，導體層(^的厚度範圍從約2〇nm 至約5μηι ’導體材料層Leon的厚度範圍從約20mn至約5μπι， 介電層16的厚度範圍從約Ιμιη至約ΙΟΟμιη，純化層21的厚度 範圍從約10nm至約l(^m，及樹脂層R厚度範圍從約1μιη至 約 ΙΟΟμιη。 如顯不於第11Β圖者，圖案被壓紋於材料堆疊s的樹脂 R中，通常界定顯示器元件14架構部分的圖案最終將被形成 Q (例如儲庫18、閘電極28等等）。樹脂R經由例如定時蝕刻樹 脂層R而清潔。清潔之後，至少一部分的材料堆疊s(包括樹 脂層R、鈍化層21、導體層<^及介電層16)被移除(經由一或 多個中間步驟），藉此界定堆疊3中的間隙，如顯示於第uc 圖者。間隙G暴露-部分的導體層Lc〇n，其變成—連續電極 24。移除經由蝕刻製程(例如IT〇蝕刻、間隔件蝕刻及/或其 等的組合)及/或經由任何其他合適的移除手段及/或製程而 完成。 如顯示於第11D圖者，該方法更包括移除一部分的樹脂 33 201044090 層R。部分樹脂層R的移除暴露部分的下方鈍化層21。如顯 示於第11E圖者，若想要的話，更多部分的樹脂層R及一部 分的鈍化層21可被移除，藉此暴露部分的下方導體層q。 最終，如第11F圖所示，若想要的話，餘留的樹脂層R及部 分的導體層(^可被移除，藉此從導體層心的餘留部分形成 閘電極28，該閘電極28上具有鈍化層21。樹脂層尺及部分導 體層q的移除經由例如等向性蝕刻製程而完成。所得的顯 示器元件14，，’架構顯示於第uf圖。 雖然數個貫施例已經詳細地描述，然而習於此藝者报 清楚地知道所揭露的實施例可以被修改。所以，以上的描 述應該被認為是例示而非限制。 C圖式簡單明】 第1A圖簡要地描述包括顯示器元件之被動定址矩陣之 顯示器的實施例； 第1B圖簡要地描述包括顯示器元件之主動定址矩陣之 顯示器的實施例； 弟2A至2D圖係沿著描述顯示器元件實施例之第1 a及 圖之線2-2的簡要橫截面圖； 弟3 A及3B圖係/σ者描述顯示器元件另一實施例之第 1Α及1Β圖之線2-2的簡要橫截面圖； 第4A及4B圖分別為包括線構造之顯示器元件之—實 施例的頂部及橫截面圖； 第5A及5B圖分別為包括點構造之顯示器元件之—實 施例的頂部及橫截面圖； 34 201044090 第6A至6F圖簡要地描述第2A圖所示之顯示器元件實 施例之定址序列的不同階段； 第7A至7F圖一起簡要地描述製造第2C圖所示之顯示 器元件實施例之方法的一實例； 第8A至8E圖一起簡要地描述製造此處揭露之顯示器 元件之另一實施例的方法的另一實例； 第9A至9E圖一起簡要地描述製造此處揭露之顯示器 元件之再一實施例的方法的再一實例； 第10A至10F圖一起簡要地描述製造此處揭露之顯示器 元件之又一實施例的方法的又一實例；及 第11A至11F圖一起簡要地描述製造此處揭露之顯示器 元件之又再一實施例的方法的一實例。 【主要元件符號說明】 10, 10’...顯示器 16...介電層 12...基材 18…儲庫 13...基材 21...鈍化層 14, 14a, 14b, 14c, 14〇, 14ε, 14ρ, 22...彩色粒子 14’，14”，14’’’，14’’’’...顯示器 24...電極 元件 26...遠電極 15...表面 28,28’...閘電極 35