TW201038576A - Materials for organic electroluminescent devices - Google Patents

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Amir Hossain Parham
Christof Pflumm
Arne Buesing
Holger Heil
Philipp Stoessel
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Merck Patent Gmbh
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Description

201038576 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明描述包含雜芳族橋聯原子和在橋聯原子對位位 置之胺的茚並苐衍生物，其作爲具有發光和電洞傳輸性質 之材料的新穎種類，特別是用於電發光裝置之發光及/或 電荷傳輸層。本發明此外係有關一種用於製備根據本發明 化合物之方法和有關包含彼等之電子裝置。 Ο 【先前技術】 有機電發光裝置之一般結構係描述於例如 US 45 3 9507、US 5 1 5 1 629、EP 067646 1 及 WO 98/27 1 3 6 中。 然而，仍有需要改良這些裝置： 1. 效率仍然是低的，特別是在螢光OLED的情況中 ，且應被改良。 2. 操作壽命時常仍然是短的，特別是在藍色發光之 〇 情形中，所以在此仍需要改良。 3. 操作電壓相當高，特別是在螢光OLED的情況中 。操作電壓減少導致功率之改良。此具有重大意義，特別 是針對移動應用。 4·在根據先前技術之電洞傳輸材料的情況中，電壓 依賴於電洞傳輸層之層厚度。事實上，時常會希望電洞傳 輸層之層厚度較厚。然而’此不能夠用根據先前技術之材 料達成，因爲伴隨電壓之增加。 5 · —些根據先前技術之材料顯示它們在氣相沉積法期 -5- 201038576 間於氣相沉積源之邊緣上結晶且在此阻塞氣相沉積源之問 題。因此於大量生產時若欲使用這些材料必會顯著增加技 術複雜性。 茚並莽胺類由於非常好的電洞移動能力而用作電洞傳 輸及-注入材料。此類材料顯示比較低的電壓對傳輸層厚 度的依賴性。EP 1860097、WO 2006/100896、DE 102006025846、WO 2006/122630 和 WO 2008/006449 揭示 用於電子裝置中之茚並莽二胺類。其中引述當用作電洞傳 輸材料或用作深藍色發光體時具有良好壽命。然而，這些 化合物以大量生產時具有問題：由於材料之結晶性，它們 在氣相沉積期間於氣相沉積源上結晶且阻塞氣相沉積源。 因此將這些材料使用於製備中係伴隨著增加技術複雜性。 因此在此仍需要進一步的改良。 持續需要（特別是）改良之發光化合物，特別是藍色 發光化合物，其在有機電發光裝置中導致良好效率且同時 導致長壽命及其在工業中可被加工而沒有問題。此同樣地 適用於電荷傳輸和-注入化合物及適用於螢光或磷光化合 物用之基質材料。特別地，有需要材料結晶性的改良。 【發明內容】 本發明之目的因此在於該等化合物之提供。 令人驚訝地，頃發現使用包含茚並莽衍生物（特別是 包含雜芳族橋聯原子的衍生物，其在橋聯原子對位位置被 胺取代）作爲主體材料中之藍色發光摻雜劑或作爲電洞傳 -6 201038576 輸化合物的電發光裝置具有超越先前技術之顯著改良。當 用作深藍色摻雜劑時，加工性改良（結晶性減少）、操作 電壓減少的同時電洞移動性增加且色坐標改良在此脫穎而 出。當用作電洞傳輸化合物時，在二橋聯中碳原子被雜原 子取代且在橋聯原子對位位置被胺類取代能夠減少結晶性 且因此達成改良之加工性。此外，發生··可能由於介面形 態（interfacial morphology)改變而使操作電壓較低，和 〇 由於改良之電洞移動性而電壓對傳輸層厚度之依賴性較低 。此特別適用於當材料使用於具有較大厚度之層時。在用 作藍色摻雜劑時’化合物產生改良之色坐標。 爲此’本發明提供一種通式I、n、m或IV之化合 物： 〇
其中
A對應於通式V 201038576
Er\ 、 Υ
式V 且其中該至通式I、II、I11或IV之化合物的鍵結經 由Y發生； Y 在每種情況下彼此獨立爲B、N、P、P = C)、PF2 、P=S 、 As 、 As=0 、 As=S 、 Sb 、 Sb=0 、 Sb=S 、 Bi ' Bi=0 > B i — S ' C = 0、0、S、Se' Te、S — O ' S〇2、Se - 〇 Se〇2 、Te = 0 或 Te〇2 ; Z 在每種情況下彼此獨立爲CR或N ; X 在每種情況下彼此獨立地爲選自B ( R1 ) 、c ( R1 ) 2、Si(R” 2' C = 0 ' C = NR1 > C = C ( R1 ) 2 ' 〇、S、 S = 0 > S02 ' NCR1) 'PCR1)和 PCsCOR1 之二價橋聯 » R 在每種情況下彼此獨立爲H、D、F、CM、Br、I 、N(R2) 2、N(Ar) 2 ' C ( =0 ) Ar、P(=0) Ar2、S( =0) Ar ' S ( -O ) 2Ar ' CR2 = CR2Ar、CN、N02、Si ( R2 ) 3、B(OR2) 2、0S02R2、具有1至40個C原子之直鏈烷 基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基或具有3至40個C 原子之支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基 ’其在各可經一個或更多基團R2取代，其中一個或更多 非相鄰 CH2 基團可經 R2C = CR2、CsC、Si(R2) 2、Ge( R2 ) 2、Sn(R2) 2、〇〇、C = S、C = Se、C=NR2、P(=〇) -8 - 201038576 (R2) 、SO、S02、NR2' 〇、s 或 CONR2 替換及其中一 個或更多H原子可經F、Cl、Br、I、CN或N02替換，或 具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在 每種情況下可經一個或更多基團R2取代，或具有5至4〇 個方族環原子之芳氧基或雜芳氧基，其可經一個或更多基 團R2取代，或這些系統之組合；其中二個或更多取代基 R也可彼此形成單-或多環脂族環系統；
〇 Rl在每種情況下彼此獨立爲η、D、F、Cl、Br、I 、CN、N02、N(R2) 2、b(0R2) 2、Si(R2) 3、具有 i 至40個C原子之直鏈烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷 氧基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基' 烯基、 炔基、烷氧基或硫烷氧基，其各可經一個或更多基團R2 取代，其中一個或更多非相鄰ch2基團可經-r2c = cr2-、-CE C-、Si ( R2 ) 2、Ge ( R2) 2、Sn ( R2) 2、C = 0、 C = S、C = Se、C = NR2、-0-、-S-' - C Ο O -或-C Ο N R2 -替換及 0其中一個或更多H原子可經F、Cl、Br、I、CN或N02替 換，或芳胺類或經取代之咔唑類，其各可經一個或更多基 團R2取代’或具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族 環系統，其可經一個或更多非芳族基團R2取代，或具有 5至4〇個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基，其可經一個 或更多非芳族基團R2取代，或這些系統之組合，其中二 個或更多取代基R]也可彼此形成單-或多環之環系統； R2 在每種情況下彼此獨立爲H、D或具有1至20 個C原子之脂族或芳族烴基； -9 - 201038576
Ar 在每種情況下彼此獨立爲具有5至4〇個芳族環 原子之芳族或雜芳族環系統’其可經一個或更多基圑R1 取代；
E 在每種情況下彼此獨立爲單鍵、N ( R1 ) 、〇、S 、（：（R1 ) 2、Si ( R1 ) 2 或 B ( R1 )； q =1，如果基團Y的對應中央原子爲選自第3或5 主族的元素，或=0，如果基團Y的對應中央原子爲選自 第4或6主族的元素； t 在每種情況下彼此獨立爲0或1，其中如果q = 〇 則t = 0 ’和其中t = 0表示基團R1被鍵結而不是基團E ; v 在每種情況下彼此獨立爲0或1，其中 v = 0表 示基團R被鍵結而不是基團A。 在本發明一體系中’通式I、II、III或IV中之基團 Y在每種情況下較佳彼此獨立地爲N或C = 0。 此外X較佳在每次出現時係相同或不同地選自N ( R1 )、S或C ( R1 ) 2 ’其中Ri具有如上所指示之意義。 在本發明另一體系中，基團Z在每種情況下較佳彼此 獨立爲CR。基團R在此較佳具有如上所指示之意義。 在本發明另一體系中，通式I、Π、III或IV之化合 物中的Ar較佳爲苯基、萘基、具有5 _丨5個碳原子的經取 代之芳族或雜芳族環系統或經芳胺或咔唑取代之芳族或雜 芳族環系統。 在本發明另一體系中，E不存在，也就是t = 0，或E 爲單鍵或¢:(111) 2，其中Ri具有如上所指示之意義。 -10- 201038576 此外在通式I、Π、III或IV之化合物中，標記V=1 爲較佳。 在本發明另一體系中，化合物係選自式la、II a、Ilia 和 IVa :
其中符號及標記具有如上所指示之意義。
在本發明另一體系中，化合物係選自式lb、lib、Illb 和 IVb :
R
-11 - 201038576 其中符號及標記具有如上所指示之意義。 在本發明一較佳體系中，符號X在式la、Ila、Ilia 或IVa、或lb、lib、Illb或IVb之化合物中在每次出現時 係相同或不同地表示NR1或CCR1) 2，及存在於基團A 中之符號Y表示C = 0或N。 爲了本發明，通式I、Π、III或IV之化合物較佳符 合式 VI、VII ' VIII 或 IX :
其中符號及標記具有如上所指示之意義。 在本發明另一體系中’化合物係選自式via、Vila、 Villa 和 IXa :
-12- 201038576
其中符號及標記具有如上所指示之意義。 Ο 在本發明另一體系中，化合物係選自式VIb、Vllb Vlllb 和 IXb :
R
R R R
R
其中符號及標記具有如上所指示之意義。 此外根據本發明之化合物較佳符合下列結構式1至 92。 -13- 201038576
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爲了本發明，具有1至4〇個C原子之烷基基團（其 中，除此之外，個別Η原子或CH2基也可經上述R1之定 義中的基團取代）較佳表示基團甲基、乙基、正丙基、 Q 異-丙基、正丁基、異-丁基、第二-丁基、第三·丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二-戊基、環戊基、正己基、環己 基、正庚基、環庚基、正辛基 '環辛基、2 -乙基己基、三 氟甲基、五氟乙基、2,2,2 -三氟乙基。爲了本發明，烯基 基團表示例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯 基、己稀基 '環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環 辛烯基。爲了本發明，炔基基團表示例如乙炔基、丙炔基 、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。C至 C4〇 -院氧基基團表示例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、 正丙氧基、異-丙氧基、正丁氧基、異-丁氧基、第二-丁 -23- 201038576 氧基、第三-丁氧基或2-甲基丁氧基。 爲了本發明，芳基基團佳較包含5至40個C原子； 爲了本發明，雜芳基基團包含2至40個C原子和至少一 種雜原子，其先決條件爲C原子和雜原子之總和爲至少5 。雜原子較佳係選自Ν、Ο及/或S。芳基基團或雜芳基基 團在此表示簡單芳族環，也就是苯，或簡單雜芳族環，例 如吡啶、嘧啶、噻吩、等等、或縮合芳基或雜芳基基團， 例如萘、蒽、苯並蒽、菲、芘、茈、喹啉、異喹啉、苯並 噻吩、苯並呋喃及吲哚、等等。 爲了本發明，芳族環系統在環系統中包含5至40個 C原子。爲了本發明，雜芳族環系統在環系統中包含2至 40個C原子和至少一種雜原子，其先決條件爲C原子和 雜原子之總和爲至少5。雜原子較佳係選自N、Ο及/或S 。爲了本發明，芳族或雜芳族環系統意欲表示一種系統， 其不一定只包含芳族或雜芳族基基團，而改爲其中多數個 芳族或雜芳族基基團也可被非芳族單元（較佳<10%之非 Η的原子，如例如sp混成之C、N或0原子）中斷。因 此，例如，系統9，9 ’ -螺-二蕗、9，9 -二芳基莽、三芳胺、 二芳基醚、二苯乙烯、等等爲了本發明也意欲爲芳族環系 統’如爲其中二個或多個芳基基團被直線或環狀烷基基團 或被矽基基團直中斷之系統。 具有5-60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統（其 在每種情況下也可經上述基團R取代且其可經由任何所要 位置鍵聯至芳族或雜芳族環系統）特別是表示衍生自下列 -24- 201038576 之基：苯、萘、蒽、菲、苯並蒽、芘、筷（chrysene)、 花、苯並荛（fluoranthene )、稠四苯、稠五苯、苯並蓝 、聯苯、伸聯苯（b i p h e n y 1 e n e )、聯三苯、伸聯三苯（ terphenylene)、 莽、螺二葬、二氫菲、二氫苑、四氫苑 、順式-或反式-節並葬、三聚節（truxene)、異三聚節（ isotruxene )、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯並呋喃 、異苯並呋喃、二苯並呋喃、唾吩、苯並噻吩、異苯並噻 〇 吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、嗤 啉、異喹啉、吖啶、啡啶 '苯並-5,6 -喹啉、苯並-6,7 -喹 啉、苯並-7，8 -喹啉、啡噻嗪、啡噁嗪、吡唑、吲唑、咪唑 、苯並咪唑、萘並咪唑（naphthimidazole )、啡咪唑（ phenanthrimidazole )、批 D定並味哗（pyridimidazole) ' 口比嗪並味哗 （pyrazinimidazole)、嗤螺啉並咪哩 （ quinoxalinimidazole) 、D惡唾、苯並囉哩、察螺哩 （ naphthoxazole)、蒽嚼哩（anthroxazole)、菲 D惡哩（ ❹ phenanthroxazole)、異 Π惡嗤、1，2 -噻 Π坐、l，3 -噻 D坐、苯並 噻唑、噠嗪、苯並噠嗪、嘧啶、苯並嘧啶、喹噁啉、1，5 -二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1，6-二氮雜芘 、1，8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜茈 '吡 嗪、啡嗪、啡噁嗪、啡噻嗪、烫紅環（fluorubin )、僚陡 、氮雜咔唑、苯並咔啉、啡啉、1，2,3-三唑、1,2,4-三唑、 苯並三唑、1，2,3 -噁二唑、1，2,4 -噁二唑、1,2，5 -噁二唑、 1，3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑'1，2,4-噻二唑'1,2,5-噻二 唑、1, 3，4 -噻二唑、1，3，5 -三嗪、1，2，4 -三嗪、1,2，3 -三嗪 -25- 201038576 、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪 、喋啶、吲嗪和苯並噻二唑。 根據本發明之化合物可藉由熟習該項技術者已 成步驟製備，如例如，溴化作用、鈴木（Suzuki ) 哈特維-布希沃德（Hartwig-Buchwald)偶合、等等 因此，茚並荛前驅物可例如如合成流程1中所 :苯硼酸和經取代之 1，4_二溴苯化合物的鈴木偶 著閉環，例如在強酸作用下，還原作用產生未經 反-茚並薄，其可使用烷化劑烷化。此可被鹵化（ 化），或藉由硝化作用和還原作用轉成對應胺基化 雙（二芳胺基）茚並莽可藉由二溴化合物之哈特糸 1 沃德偶合合成，如合成流程2中所示。 包含茚並莽之膦類或氧化膦類可藉由鋰化及與 氯膦類之還原作用從二溴茚並蒹合成’如合成流程 示。氧化作用則產生氧化膦。在此同樣可能使用其 子劑，如例如，AsC13、芳基 PC12、S0C12、Ar2S2 。根據本發明之另外化合物可藉由這些和熟習該有 技術者已知的方法中的相似合成流程容易地合成。 所得化合物可藉由標準方法溴化且因此用作聚合物 物或樹枝狀聚合物之單體。 本發明此外係有關一種製備通式〖、11、111或 合物之方法，其特徵在於下列步驟： a) 進行X1-取代之芳族或雜芳族二鹵素化合 一芳族或雜芳族化合物（其任意經A取代）之金 、嘌呤 知的合 偶合、 〇 述製備 合，接 取代之 例如溴 合物。 i -布希 二芳基 3中所 他親電 、等等 機合成 此外， 、寡聚 IV化 物與另 屬催化 -26- 201038576 交叉偶合反應’ b) 在偶合芳族或雜芳族化合物之間形成二價橋聯- X-， 其中X具有如上所指示之意義。X1表示二價橋聯X之前 驅物，也就是藉由有機化學之標準方法可轉化成X。此外 選擇X1以便促進閉環反應。 芳族或雜芳族二鹵素化合物較佳爲1,4-二溴苯化合物 〇 ，其較佳在鹵素之鄰位位置經X1取代，爲了產生反式衍 生物，或對應1，2-二溴苯化合物，爲了產生順式衍生物。 任意A-取代之芳族或雜芳族化合物較佳具有硼酸或 硼酸酯官能性。 在成功的閉環之後，X在芳族或雜芳族化合物之間形 成二價橋聯（參見合成流程1 )。在此羧酸酯基團或乙醯 基基團（例如）適合作爲基團X1，其然後在閉環反應中 可轉換化成橋聯x =碳。此外硝基基團適合作爲X1，其然 〇 後在閉環反應中可轉換化成橋聯x =氮。此外硫醚基團（ 特別是烷硫醚基團）適合作爲基團X1，其然後在閉環反 應中可轉換化成橋聯 x =硫。二價橋聯X後來可經另外的 基團取代，例如經烷基或芳基取代或通常經如上定義之 R1取代。以此方式製備之茚並弗化合物然後可在另外的 步驟中被官能化，例如鹵化，較佳溴化。如合成流程2和 3中所示，官能基因此可利用於該等基團之引入。 合成流程1 :茚並菲衍生物之前驅物 -27- 201038576
合成流程3 :氧化膦衍生物之合成
可被類似地反應之親電子劑：AsCI3, SbCI3, BiCI3, arylPCI2, aryl2PCL SCI2, SOCI2, S02CI2l Ar2S2, Ar2Se2, Ar2Te2, etc. 式I、II、III或IV之化合物可使用於有機電發光裝 置中。化合物的精確使用視取代基而定。 在本發明一較佳體系中，式I、II、III或IV之任一 化合物係使用於發光層中，較佳以與至少一種另外化合物 的混合物一起。式I、11、111或IV之任一化合物較佳爲 混合物中之發光化合物（摻雜劑）。較佳主體材料爲有機 • 28 - 201038576 化合物，其係在比式I、II、III或IV之任一化合物短的 波長發光或其完全不發光。 本發明因此此外係有關一種或更多式I、11、111或IV 之任一化合物與一或更多種主體材料的混合物。 式I、II、III或IV之任一化合物在發光層之混合物 中的比例爲介於0 · 1和9 9.0體積％之間，較佳介於0.5和 5 〇. 〇體積％之間’特佳介於1.0和2 0 . 〇體積％之間，特別 〇 是介於1.0和10.0體積％之間。對應地，主體材料在層中 的比例爲介於1 ·0和99.9體積％之間，較佳介於50.0和 9 9.5體積％之間’特佳介於8 0 · 0和9 9.0體積％之間，特 別是介於90.0和99.0體積％之間。 適當主體材料爲各種類之物質。較佳主體材料係選自 寡聚伸芳（oligoarylene )(例如根據 EP 676461之 2,2’，7,7’-四苯基螺二苐或二萘基蒽），特別是包含稠合 方族基團之寡聚伸方、寡聚伸方伸乙烧類（〇lig〇arylene 0 vinylenes)(例如根據 EP 67646 1 之 DPVBi 或螺- DPVBi )、多牙（P〇lyp 〇dal)金屬錯合物（例如根據 w〇 04/08 1 0 1 7 )、電洞傳導化合物（例如根據WO 04/0589 1 1 )、電子傳導化合物，特別是酮類、氧化膦類、亞颯類等 等（例如根據WO 05/08408 1和WO 05/084082 )、阻轉異 構體（atropisomers)(例如根據EP 1 65 53 59 )或硼酸衍 生物（例如根據WO 06/1 1 7052 )或苯並蒽衍生物（例如 根據WO 08/1 4523 9 )之種類。特佳主體材料係選自包含 萘、蒽、苯並蒽及/或芘之寡聚伸芳類或這些化合物之阻 -29 - 201038576 轉異構體（atropisomers )、寡聚伸芳伸乙烯類、酮類、 氧化膦類和亞颯類之種類。非常特佳主體材料係選自包含 蒽、苯並蒽及/或芘之寡聚伸芳類或這些化合物之阻轉異 構體。 式I、II、III或IV之任一化合物此外特佳用作電洞 傳輸材料及/或用作電洞注入材料。化合物然後較佳使用 於電洞傳輸層及/於電洞注入層中。爲了本發明，電洞注 入層爲與陽極直接相鄰之層。爲了本發明，電洞傳輸層爲 位於電洞注入層與發光層之間的層。如果式I、Π、ΠΙ或 IV之任一化合物係用作電洞傳輸材料或電洞注入材料， 則其較佳可與電子受體化合物摻雜例如與f^tcnq或與 EP 1476881或EP 1596445中所述之化合物摻雜。 如果式I、II、III或IV之任一化合物係用作電洞傳 輸層中之電洞傳輸材料，則1 0 0 %的比例爲較佳，也就是 此化合物以純物質使用。 特佳者也爲式I ' II、III或IV之任一化合物與包含 六氮雜聯伸三苯衍生物（特別是六氰基六氮雜聯伸三苯） 之層組合使用於電洞-傳輸或-注入層（例如根據Ep 1 1 75 470 )。因此’例如，較佳者爲下列結構：陽極_六氮 雜聯伸三苯衍生物-電洞傳輸層，其中該電洞傳輸層包含 一種或更多式I、II、III或IV之化合物。在此結構中同 樣地可能使用多數個連續電洞傳輸層，其中至少一個電洞 傳輸層包含至少一種式I、II、III或IV之化合物。下列 結構同樣爲較佳：陽極-電洞傳輸層-六氮雜聯伸三苯衍生 -30 - 201038576 物-電洞傳輸層’其中二個電洞傳輸層之至少一個包含— 種或更多式I、II、III或IV之化合物。在此結構中同樣 地可能使用複數個連續電洞傳輸層取代一個電洞傳輸層， 其中至少一個電洞傳輸層包含至少一種式I、II、III或Iv 之化合物。 此外式I、II、III或IV之任一化合物較佳係用作電 子傳輸材料及/或用作螢光和礙光Ο L E D之電洞阻隔材料 Ο 及/或用作磷光0led之三重態基質材料。此特別適用於 Y與X代表c = 0、p = o或s = 0之化合物。 本發明此外係有關上述定義之化合物於電子裝置的用 途。 上述化合物也可用於製備聚合物、寡聚物或樹枝狀聚 合物。這通常是經由可聚合官能基進行。爲此目的，特佳 者爲經反應性脫離基（諸如溴、碗、硼酸、硼酸酯、甲苯 磺酸酯或三氟甲磺酸酯）取代之化合物。這些也可用作用 0 於產生對應共軛、部份地共軛或非共軛聚合物、寡聚物之 共單體或也作爲樹枝狀聚合物之核心。聚合作用在此較佳 經由鹵素官能性或硼酸官能性進行。 本發明因此此外係有關包含一種或更多式I、11、ΠI 或IV之任一化合物的聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。 至發源於式I、II、ΠΙ或IV之化合物的聚合物、寡聚物 或樹枝狀聚合物之鍵可位在化合物的任何所要位置，其特 徵在於任意經基團R或R1取代。聚合物、寡聚物或樹枝 狀聚合物可爲共軛、部份地共軛或非共軛。同樣地所包含 -31 - 201038576 者爲根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物與另外 聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之摻合物。 爲了本發明’術語寡聚物係適用於具有約三至九個重 複單元的化合物。爲了本發明’聚合物表示一種具有十個 或更多重複單元之化合物。 這些聚合物可包含另外的重複單元。這些另外的重複 單元較佳係選自由莽類（例如根據EP 842208或WO 00/22026)、螺二荛類（例如根據 EP 707020、EP 894107 或EP 0402 8 8 6 5.6 )、三芳胺類、對-伸苯類（例如根據 WO 92/18552)、咔唑類（例如根據 WO 04/070772 或 WO 04/113468)、噻吩類（例如根據EP 1028136)、二氫菲 類（例如根據WO 05/0 1 4689 )、茚並莽類（例如根據WO 04/04 1 90 1或WO 04/1 1 341 2 )、芳族酮類（例如根據WO 05/040302)、菲類（例如根據WO 05/104264)及/或金屬 錯合物’特別是鄰金屬化銥錯合物所組成之群組。在此應 明白地指出聚合物也可具有複數個選自的上述基團之一個 或多個的不同重複單元。 本發明同樣係有關上述定義之聚合物、寡聚物或樹枝 狀聚合物於電子裝置中的用途。 本發明此外係有關一種電子裝置，其包含至少一種如 上述所定義之化合物，或一種如上述所定義之聚合物、寡 聚物或樹枝狀聚合物。 電子裝置較佳係選自由有機電發光裝置（OLED )、 有機場效電晶體（0-FET )、有機薄膜電晶體（〇_TFT ) -32- 201038576 、有機發光電晶體（O-LET)、有機積體電路（〇_IC)、 有機太陽能電池（o-sc )、有機場抑止裝置（field_ quench devices) ( 0-FQD)、發光電化學電池（LEC)、 有機光感受器（photoreceptors )和有機雷射二極體（〇_ 雷射）所組成群組。 爲了本發明’根據本發明式I、II、III或IV之任— 化合物或根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物在 Ο 有機電子裝置中較佳用作電洞傳輸層中及/或電洞注入層 中的電洞傳輸材料且在這些層中式I、II、ΙΠ* IV任— 化合物或聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物也可能任意地與 電子受體化合物摻雜。 爲了本發明’此外根據本發明式I、II、III或ιν之 任一化合物或根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合 物在電子裝置中較佳用作電子傳輸層中之電子傳輸材料及 /或用作電洞阻隔層中之電洞阻隔材料及/或用作發光層中 〇 之三重態基質材料。 此外根據本發明式I、11、I π或IV之任一化合物或 根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物在電子裝置 中較佳使用於發光層，較佳作爲發光材料。
有機電發光裝置包含陽極、陰極和至少一個發光層， 其中發光層或其他層之一包含至少一種式I、u、1„或IV 之任一化合物或根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚 合物。 陰極較佳包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含 -33- 201038576 不同金屬，諸如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系金屬 (例如 Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm 等）之多層 結構。也適合者爲包含鹼金屬或鹼土金屬和銀之合金，例 如包含鎂和銀之合金。在多層結構的情況中，除該等金屬 之外也可使用具有較高功函數之其他金屬，如例如Ag， 其中一般使用金屬之組合物，如例如Ca/Ag或Ba/Ag。較 佳者也爲在金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常 數之材料的薄中間層。適合於此目的者爲例如鹼金屬或鹼 土金屬氟化物，以及對應氧化物或碳酸鹽類（例如LiF、 Li20、BaF2、MgO、NaF、CsF、CS2C03、等等）。此層 之層厚度較佳係介於0.5和5奈米之間。 陽極較佳包含具有高功函數之材料。該陽極較佳具有 大於4.5電子伏特之功函數（相對於真空）。適合於此目 的者一方面爲具有高氧化還原電位之金屬，如例如Ag、 Pt或 Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極（例如 Al/Ni/NiOx，Al/PtOx)也爲較佳的。就一些應用而言，至 少一電極須爲透明，以進行有機材料之輻射（〇 - S C )或 光之偶合輸出（OLED/PLED，Ο-雷射）。較佳結構使用 透明陽極。在此較佳陽極材料爲導電性混合金屬氧化物。 知·佳者爲氧化姻錫（ITO)或氧化姻辞（ιζο)。此外較 佳者爲導電性摻雜有機材料，尤其是導電性摻雜聚合物。 裝置係對應地（視應用而定）構成，提供接觸和最後 密封’因爲在水及/或空氣存在下該等裝置之壽命大幅縮 短。 -34- 201038576 式I、II、III或IV之任一化合物也可用作聚合物、 寡聚物或樹枝狀聚合物中的發光單元及/或用作電洞傳輸 單元及/或用作電子傳輸單元及/或用作基質單元。 此外較佳者爲有機電發光裝置，其特徵在於在相同層 或在不同層中使用複數個發光化合物。這些化合物特佳具 有總計複數個介於3 8 0奈米和7 50奈米之間的發光最大値 ，所產生之全白色發光，也就是可使用複數個能夠發螢光 〇 或發磷光之發光化合物。特佳者爲三層系統，其中該等層 顯示藍色、綠色和橘色或紅色發光（基本結構參見例如 WO 0 5/01 1013 )。寬帶發光體同樣地可使用於白色發光 OLED。 除了陰極、陽極和發光層之外，有機電發光裝置也可 包含另外的層。這些可爲（例如）：電洞注入層、電洞傳 輸層、電洞阻隔層、電子傳輸層、電子阻隔層、電子注入 層及/或電荷產生層（T. Matsumoto等人，Multiphoton Ο Organic EL Device Having Charge Generation Layer， IDMC 2 0 0 3，Taiwan ； Session 21 OLED ( 5))或有機 或無機p/n接合。此外，在層之間（特別是在二發光層之 間）可引入中間層。然而，應指出這些層之各個不一定必 須存在。因此，特別是當使用式I、II、III或IV之任一 化合物與電子-傳導主體材料時，此外如果有機電發光裝 置不包含分開的電子傳輸層和發光層直接毗鄰電子-注人 層或直接毗鄰陰極，則獲得非常好的結果。或者，主體材 料也可同時地作爲電子傳輸層中之電子傳輸材料。有機電 -35- 201038576 發光裝置同樣地較佳不包含分開的電洞傳輸層和發光層較 佳直接毗鄰電洞注入層或直接毗鄰陽極。式I、II、III或 IV之任一化合物此外較佳可同時地用作發光層中之摻雜 劑和用作電洞傳輸層中及/或電洞注入層中之電洞傳導化 合物（呈純物質或呈混合物）。 此外較佳者一種有機電發光裝置，其特徵在於一或多 層係藉昇華法塗覆，其中材料係在真空昇華單元中以低於 1〇^毫巴，較佳爲低於ι〇_6毫巴之初壓力下氣相沉積。然 而，應指出也有可能用甚至更低的壓力，例如低於1 〇-7 毫巴之初壓力操作。 同樣地較佳者爲有機電發光裝置，其特徵在於一或多 層係以OVPD (有機氣相沉積）法或借助於載體氣昇華法 塗覆，其中材料係在介於1〇·5毫巴與1巴之間的壓力下 塗覆。此方法的特殊例子爲0VJP (有機.蒸氣噴射印刷） 法，其中材料係經由噴嘴直接塗覆且因此結構化（例如， M.S. Arnold 等人之 Appl· Phys. Lett. 2008 5 92 > 05 3 3 0 1 )〇 此外，較佳者爲有機電發光裝置，其特徵在於一或多 層係從溶液生產，如例如以旋轉塗佈或以任何所欲之印刷 法方式，如例如網版印刷、快乾印刷或套版印刷，但是特 佳爲LITI (光誘致熱成像、熱轉移印刷）或噴墨印刷。 爲此目的需要式I、II、ΙΠ或IV之任一可溶性化合物。 高溶解度可經由化合物的適當取代而達成。這些製備層的 方法特別適合於聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。 -36- 201038576 根據本發明的化合物在使用於有機電發光裝置時，較 佳具有一或多項下列超越先前技術之優點： κ與根據先前技術之系統比較，對應裝置之效率（ 特別是功率）變得較高。 2 與根據先前技術之系統比較，對應裝置之穩定性 變得較高’此點特別是從顯著較長壽命而爲明顯的。此特 別適用於根據本發明之化合物以厚層形式使用。 〇 3.當根據本發明之化合物用作電洞傳輸及/或電洞注 入層中之電洞傳輸材料時，發現電壓係與對應電洞傳輸及 /或電洞注入層的層厚度幾乎無關。相比之下，在電洞傳 輸或電洞注入層之較高層厚度的情形中，用根據先前技術 之材料獲得電壓顯著增加，其因而產生較低之OLED功率 〇 4.根據本發明之材料顯示絕對沒有或幾乎沒有在氣 相沉積期間於氣相沉積源之邊緣上結晶且阻塞氣相沉積源 〇 的傾向。它們因此比具有此問題之根據先前技術的材料更 適合於大量生產。 本申請案本文以及下列實例係針對根據本發明之化合 物有關0 L E D及對應顯示器的用途。雖然有此敘述上的限 制，但是熟習此技藝者亦有可能將根據本發明的化合物進 一步使用於其他電子裝置中’例如有機場效電晶體（〇_ FET)、有機薄膜電晶體（O-TFT)、有機發光電晶體（ 0-LET)、有機積體電路（0-IC)、有機太陽能電池（〇_ SC )、有機場淬滅裝置（0-FQD )、發光電化學電池（ -37- 201038576 LEC)、有機光感受器或有機雷射二極體（〇_雷射），僅 舉幾個應用’而無涉及額外進步性。 本發明同樣關於根據本發明的化合物在對應裝置中的 用途及這些裝置本身。 藉由下列實例詳細解釋本發明，但不希望本發明因此 被限制。 【實施方式】 實例： 除非另有指示，在保護氣氛圍下於無水溶劑中進行下 列合成。
將200克（ 732毫莫耳）的2 -溴-9,9 -二甲基- 9H -莽、 122.9克（ 732毫莫耳）的2-甲硫基（methylsu丨fanyl)苯 基硼酸和202克（950毫莫耳）的K2C03懸浮在850毫升 的T H F中和8 5 0毫升的水中，混合物用Ν 2飽和’加入 3.3克（2.9毫莫耳）的肆（三苯基膦）鈀（〇 ) ’並將混 合物在沸騰下加熱2小時。將混合物倒入3升的水 / M e Ο Η / 6 Μ H C1 1 : 1 · 1的混合物中，及抽濾出淺褐色沈 殿物，用水洗、滌並乾燥。根據1 Η ·Ν M R之產物的含重爲約 -38- 201038576 95%與190克之總產量（82%) b ) 氧化作用
在保護氣體下最初將196克（619.3毫莫耳）的來自 a)之化合物引進2.3升的冰醋酸和25〇毫升的二氯甲烷 Ο 中並冷卻至〇°C。將i·1升（619毫莫耳）的30%H2〇2溶 液逐滴加至此溶液’且將混合物攪拌過夜。將Na2s〇3溶 液加至混合物，進行相分離’並在真空中除去溶劑。根據 'H-NMR之產物的含量爲約98 %與200克之總產量（99% c) 茚並二苯並噻吩之合成
將91克（273毫莫耳）的來自b)之產物和737毫升 (8 3 29毫莫耳）的三氟甲烷磺酸的混合物在5 °C下攪拌 48小時。隨後將2.4升的水/吡啶5 : 1加至混合物，其然 後在回流下加熱2 0分鐘。冷卻至室溫之後，小心地加入 500毫升的水和1 00 0毫升的二氯甲烷。將有機相用4 X 50毫升的H20洗滌，經過MgS04乾燥，並在真空中除去 溶劑。藉由再結晶獲得純產物。根據HP LC之產物含量爲 9 8 %與6 5克之總產量（8 0 % )。 d ) 溴化作用 -39- 201038576
在保護氣體下最初將95.3克（317.6毫莫耳）的來自 c)之化合物引進2.5升的一氣甲院中並冷卻至5C。溶將 解在250毫升的氯仿中之38.4毫升（763_2毫莫耳）的 B r2逐滴加至此溶液’且將混合物攪拌過夜。將N a2 S Ο 3溶 液加至混合物’進行相分離’並在真空中除去溶劑。根據 j-NMR之產物的含量爲約98%與1；38克之總產量（95% )° e) 胺-1之合成
將19.2克（42毫莫耳）的來自d)之化合物和26克 (93毫莫耳）的二苯胺在1〇〇〇毫升二噁烷中的除氣溶液 用N2飽和1小時。首先將0.97毫升（4.2毫莫耳）的P (tBu) 3、然後0.47克（2.12毫莫耳）的乙酸鈀加至溶 液，和接著加入12克（127毫莫耳）的固態NaOtBu。在 回流下加熱反應混合物1 8小時。冷卻至室溫之後，小心 地加入1〇〇〇毫升的水。將有機相用4 X 50毫升的H20洗 滌，經過MgS04乾燥，並在真空中除去溶劑。藉由再結 晶純化純產物。根據HPLC之產物含量爲98%與25克（ 94% )之總產量。 -40- 201038576 實例2-9 ·· OLED之製備 根據本發明之OLED係藉由根據w0 04/0589 1 1之一 般方法製備，其適合於本文所述之環境（例如’層厚度變 化、所使用之材料）。 將各種OLED的結果呈現於下列的實例2至9中。以 結構化ITO (氧化銦錫）塗佈之玻璃板形成0LED之基板 〇 。爲了改良加工，將20奈米之PEDOT (聚（3,4-伸乙基 二氧基-2,5-噻吩），從水旋轉塗佈’購自H.C· Starck， Go si ar，德國）施用至基材。OLED由下列層順序所組成 :基材/ PEDOT 20奈米/ HIL1 5奈米/電洞傳輸層（HTM) 20、1 1 0或200奈米/NPB 20奈米/發光層（EML ) 30或 40奈米/電子傳輸層（ETM) 20奈米和最後陰極。 在真空室中藉由熱氣相沉積塗布除了 PEDOT之外的 材料。發光層在此總由基質材料（主體）和摻雜劑所組成 〇 ，其係藉由共蒸發與主體摻合。在所示全部實例中，電子 傳輸層由 Alq3(參嗤啉鋁（aluminium trisquinolinate) )組成。陰極由具有1奈米厚度之LiF層和沈積在上端之 具有100奈米厚度之鋁層形成。表1顯示用以構成OLED 之材料的化學結構。HTM 1、HTM2和H2在此爲根據先前 技術之材料，胺-1和H3爲根據本發明化合物之實例。 該等OLED以標準方法示性。爲此目的，電發光光譜 、電流效率（以cd/A測量）、功率（以lm/W測量）爲 發光強度之函數，從電流-電壓-發光強度特性線（IUL特 -41 - 201038576 性線）計算，和測定壽命。壽命定義爲發光強度已從初値 (2 5,000 cd/m2或8000 cd/m2)降至一半的時間。使用電 壓定義爲OLED達成1 cd/m2的亮度之電壓。 表2顯示爲一些OLED (實例2至9 )之結果。壽命 係當使用螢光摻雜物D1時從25,000 cd/m2之初發光強度 測量及當使用螢光摻雜物D2 ( Ir ( PPy ) 3 )時從 8000 cd/m2之初發光強度測量。所使用之根據本發明的電洞傳 輸材料化合物胺-1，及所使用之根據本發明的主體材料爲 來自表1之化合物H3。作爲比較，使用分別地根據前技 術之化合物HTM1和H2。 與先前技術比較，化合物胺-1在用作電洞傳輸材料 時，透過使用電壓減少和操作電壓減少而優於根據先前技 術之化合物Η Τ Μ 1 (參見表2中之實例2 - 7 )。此在使用 厚電洞傳輸層層時特別適用，其在大量生產中由於較高的 生產良率而爲有利的（參見表2中之實例4和7 )。此外 ’當使用根據本發明之化合物胺-1時，出現些微較高的 電流效率（以cd/A測量）’其與減少之電壓一起導致顯 著較高功率（以lm/W測量）。當使用具有200奈米之厚 度的電洞傳輸層時，在此最大改良爲大於3 〇 % (參見實例 表2中之4和7)。此爲重要的觀點，尤其是對於移動應 用’因爲操作時間在此由顯示器之必要功率決定性決定。 根據本發明之化合物胺-1的另一優點爲在較厚電洞傳輸 的情況中’與先前技術之Η Τ Μ 1比較，壽命中斷至非常少 的程度。 -42- 201038576 當使用根據本發明之化合物H3作爲 主體材料時，與使用根據先前技術之化启 現許多的優點（參見表2中之實例8和 前技術比較，當使用根據本發明之化合物 用和操作電壓顯著減少，但特別是獲得麗 率，其使能夠達成功率大幅增加約二倍。 用根據先前技術之化合物H2的OLED 1\ 〇 3 . 5倍壽命。 ，螢光OLED中之 、物H2比較，出 9)。首先，與先 丨H3時，出現使 I著改良的電流效 此外，與其中使 :較，獲得較長約
-43 - 201038576 表1 ^ p i8l NPB aiq3 V yy y-N n-^ / \ HIL1 H1 D1 HTM1 ό 6 -〇^€Μ2φ^~ 3^¾0 HTM2 胺-1 (根據實例1) 丨r: 3 D2 <Λ〇 H2 H3 -44 - 201038576 表2 寅例 EML厚度 ΗΤΜ厚度 使用電壓 1000cd/m2 之電壓 於 1000cd/m2 之效率 於1000 cd/m2 之效率 於1000cd/m2 之 CIEx/y ¢¢25,000 cd/m2 之壽命 2 比較 Η1+10% 之 D1 30奈米 ΗΤΜ 1 20奈米 3.2 V 5.2 V 14.8 cd/A 8.9 Im/W 0.31/0.58 350小時 3 比較 Η1+10% 之 D1 30奈米 ΗΤΜ 1 1*10奈米 3.1 V 5.5 V 17.1 cd/A 9.7 Im/W 0.29/0.61 243小時 4 比較 Η1+10% 之 D1 30奈米 ΗΤΜ 1 200奈米 4.1 V 6.9 V 15.0 cd/A 6.8 Im/W 0.30/0.58 171小時 5 Η1+10% 之 D1 3瞭米 實例.胺-1 20奈米 2.7 V 4.9 V 16.2 cd/A 10.4 Im/W 0.30/0.59 346小時 6 Η1+10% 之 D1 30奈米 货例.胺-1 110奈米 2.8 V 5.1 V 18.3 cd/A 11,3 Im/W 0,29/0.61 281小時 7 Η1+10% 之 D1 3瞭米 實例.胺-1 200奈米 2.8 V 5.6 V 16.1 cd/A 9.0 Im/W 0.30/0.57 287小時 從8000 cd/ni2 之男命 8 比較 Η2+15%之D2 . 40奈米 ΗΤΜ2 20奈米 2.4 V 5.2 V 17.2 cd/A 10.4 Im/W 0.38/0.56 39小時 9 實例.Η3+15% 之D2 4瞭米 ΗΤΜ2 20奈米 2.2 V 4.4 V 30.0 cd/A 21.4 Im/W 0.39/0.58 135小時 Ο -45-

Claims (1)

  1. 201038576 七、申請專利範圍： 1. 一種通式I、II、III或IV之化/合物， V
    A
    式I
    其中 A對應於通式V
    式V 且其中至通式I、11、III或IV之化合物的鏈結經由Y發 生； Y 在每種情況下彼此獨立爲B、N、P、P = 0、PF2 、P = S、As、As = 0、As = S、Sb、Sb = 0、Sb = S、Bi、Bi = 0 、Bi = S、C = 0、O、S、Se、Te、S = 0、S02、Se = 0、Se02 、Te = 0 或 T e O 2 » Z 在每種情況下彼此獨立爲CR或N ; X 在每種情況下彼此獨立地爲選自 MR1)、 -46- 201038576 ' Si(R')2 ' C = 0 ' C^NR1 ' C = C(R1)2 ' 0 > S ' S = 0 ^ S02 ' NiR1)、PiR1)和 P — COR1 之二價橋聯； R 在每種情況下彼此獨立爲H、D、F、Cl、Br、I 、N(R2)2、N(Ar)2、C( = 0)Ar、P( = 0)Ar2、S( = 0)Ar、 S( = 0)2Ar、CR2 = CR2Ar、C N、N O 2、S i (R2) 3、B (O R2) 2、 0S02R2、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烯基、決基 、烷氧基或硫烷氧基或具有3至40個C原子之支鏈或環 〇 狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基，其在各可經一 個或更多基團R2取代，其中一個或更多非相鄰CH2基團 可經 R2C = CR2、C^C、Si(R2)2、Ge(R2h、Sn(R2)2、c = 0、 C = S、C = Se、C = NR2 ' p( = 〇)(R2)、S0、S02、NR2、〇、s 或CONR2替換及其中一個或更多H原子可經F、Cl、Br 、I、CN或N02替換’或具有5至4〇個芳族環原子之芳 族或雜芳族環系統，其在每種情況下可經一個或更多基團 R2取代，或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧 Ο 基’其可經一個或更多基團R2取代，或這些系統之組合 ;其中二個或更多取代基可彼此形成單-或多環脂族 環系統； Rl 在每種情況下彼此獨立爲Η、D、F、Cl、Br、I 、CN、N02、N(R2)2、B(OR2)2、Si(R2)3、具有！至 4〇 個 C原子之直鏈烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基或具 有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷 氧基或硫院氧基’其各可經一個或更多基團R2取代，其 中一個或更多非相鄰CH2基團可經-R2C = CR2-、_(^C-、 -47- 201038576 Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 〇、c = S、C = Se、C = 、-〇-、_S-、-COO-或-CONR2-替換及其中一個或更多H 原子可經F ' Cl、Br、I、CN或N〇2替換，或芳胺類或經 取代之咔唑類’其各可經一個或更多基團R2取代，或具 有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可經 一個或更多非芳族基團R2取代，或具有5至40個芳族環 原子之芳氧基或雜芳氧基’其可經一個或更多非芳族基團 R2取代，或這些系統之組合’其中二個或更多取代基Ri 也可彼此形成單·或多環之環系統； R2 在每種情況下彼此獨立爲Η、D或具有1至2〇 個C原子之脂族或芳族烴基； Ar 在每種情況下彼此獨立爲具有5至40個芳族環 原子之芳族或雜芳族環系統，其可經一個或更多基團R1 取代； E 在每種情況下彼此獨立爲單鍵、N ( R1 ) 、Ο、S 、C ( R1 ) 2、Si ( R1 ) 2 或 B ( R1 ); q =1，如果基團Y的對應中央原子爲選自第3或5 主族的元素，或=〇，如果基團 Y的對應中央原子爲選自 第4或6主族的元素； t 在每種情況下彼此獨立爲0或1，其中如果q = 0 則t = 0，和其中t = 0表示基團R1被鍵結而不是基團E ; v 在每種情況下彼此獨立爲0或1，其中v = 0表 示基團R被鍵結而不是基團A。 2.根據申請專利範圍第1項之化合物，其中該基團 -48 - 201038576 Y在每種情況下彼此獨立爲N或C = 0。 3. 根據申請專利範圍第1項之化合物，其中X在每 次出現時係相同或不同地選自N ( R1 ) 、S或C ( R1 ) 2。 4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ，其中該基團Z在每種情況下彼此獨立爲CR。 5. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ，其中Ar爲苯基、萘基、具有5-15個碳原子之芳族或雜 〇 芳族環系統或經芳胺或咔唑取代之芳族或雜芳族環系統。 6. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ，其中E不存在，也就是t = 0，或其中E爲單鍵或¢:(111 )2 ° 7·根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ，選自式 la、Ila、Ilia 和 IVa :
    其中符號和標記具有申請專利範圍第1項中所指示之 意義。 8.根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 -49- 201038576 選自式 lb、lib、Illb 和 IVb : R R R
    R R R R
    R R
    A R
    A 其中符號和標記具有申請專利範圍第1項中所指示之 意義。 9.根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ，其中該化合物具有通式VI、VII、VIII或IX: p〇 rO
    A X 式VI
    A
    -50- 201038576 其中符號和標記具有申請專利範圍第1項中所指示之 意義。 1 〇.根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ，選自式 Via、Vila、Villa 和 IXa:
    r-»1
    D1
    其中符號和標記具有申請專利範圍第1項中所指示之 Ο 意義。 1 1 .根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ，選自式 VIb、Vllb、Vlllb 和 IXb : -51 - 201038576
    其中符號和標記具有申請專利範圍第1項中所指示之 意義。 12 ·〜種聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物，其包含根 據申請專利範圍第1至u項中一或多項之化合物，其中 源於根據申請專利範圍第1至11項中一或多項之化合物 而接至聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位在該化合 物的任何所要位置’且該化合物特徵在於任意經基團R或 R1取代。 13 · —種根據申請專利範圍第1至n項中一或多項 之化合物或根據申請專利範圍第1 2項之聚合物、寡聚物 或樹枝狀聚合物於有機電子裝置之用途。 1 4. 一種電子裝置，其包含至少一種根據申請專利範 圍第丨至1 1項中—或多項之化合物或根據申請專利範圍 第12項之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物，較佳係選自 由有機電發光裝置（OLED)、有機場效電晶體（0-FET -52- 201038576 )、有機薄膜電晶體（〇_TFT )、有機發光電晶體（〇_ LET)、有機積體電路（〇]〇 、有機太陽能電池（〇_sC )、有機場抑止裝置（field-qUench devices) (O-fqd) 、發光電化學電池（LEC )、有機光感受器和有機雷射二 極體（0-雷射）所組成之群組。 15.根據申請專利範圍第14項之有機電發光裝置， 其^^•徵在於該根據申請專利範圍第1至11項中一或多項 〇 之化合物或根據申請專利範圍第1 2項之聚合物、寡聚物 或樹枝狀聚合物係用作電洞傳輸層及/或電洞注入層中之 電洞傳輸材料’其中該化合物或聚合物、寡聚物或樹枝狀 聚合物在這些層中也可摻雜電子受體化合物，及/或其特 徵在於根據申請專利範圍第1至n項中一或多項之化合 物或根據申請專利範圍第1 2項之聚合物、寡聚物或樹枝 狀聚合物係用作電子傳輸層中之電子傳輸材料及/或用作 電洞阻隔層中之電洞阻隔材料及/或用作在發光層中之三 Ο 重態基質材料及/或其特徵在於有機電發光裝置之發光層 包含至少一種根據申請專利範圍第1至1 1項中一或多項 之化合物或根據申請專利範圍第12項之聚合物、寡聚物 或樹枝狀聚合物。 1 6 . —種製備根據申請專利範圍第1至n項中一或 多項之化合物之方法，其特徵在於下列步驟： a) 進行X1-取代之芳族或雜芳族二鹵化合物與另一 芳族或雜芳族化合物（其任意經A取代）之金屬催化交 叉偶合反應， -53- 201038576 b ) 在偶合芳族或雜芳族化合物之間形成二價橋聯- X-， 其中X具有申請專利範圍第1項中所指示之意義及X1表 示可轉化成X之基團。 -54- 201038576 四、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：無 (二） 本代表囷之元件符號簡單說明：無
    -3- 201038576 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：
    -4-
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