TW201036052A - Dicing tape-integrated wafer back surface protective film - Google Patents

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TW201036052A
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Naohide Takamoto
Takeshi Matsumura
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Nitto Denko Corp
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Description

201036052 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 心=:一種切晶帶一體型晶圓背面保護膜。切晶 m曰曰圓月面保護膜係用於保護晶片狀工件（諸如， 半導體晶片）之背面且增強強度。 此外本發明係關於一 種使用切晶▼一體型晶圓背面保護 製造該n狀製程。 ㈣之何“件及用於 【先前技術】
❹ 近來，已日益需求半導體器件及其封裝之薄化及小型 化。因此’作為半導體器件及其封裳，已廣泛利用以半導 體晶片之電路面與基板之電極形成面相對的形式將半導體 晶片(晶片狀工件)固定至基板的彼等半導體器件及其封裝 (藉由覆晶結合所製造之一者；其可被稱作覆晶安裝半導 體器件）。在此半導體器件或其類似者中，在—些狀況下 半導體晶片（晶片狀工件）之背面係使用保護膜保護以抑制 半導體晶片之損壞（參見（例如）專利文件1至丨〇)。 專利文件 1 : JP-A-2008-166451 專利文件2 : JP-A-2008-006386 專利文件3 : JP-A-2007-261035 專利文件4 : JP-A-2007-250970 專利文件5 : JP-A-2007-158026 專利文件 6 : JP-A-2004-221169 專利文件 7 : JP-A-2004-214288 專利文件 8 : JP-A-2004-142430 146125.doc 201036052 專利文件 9 : JP-A-2004-072108 專利文件 10: JP-A-2004-063551 【發明内容】 然而，用於保護半導體晶片之背面的背面保護膜至藉由 在切塊步驟中將半導體晶圓切塊而獲得之半導體晶片之背 面的附著將引起添加用於附著之步驟，使得步驟數目增加 且成本及其類似者增加。此外，歸因於薄化，在切塊步驟 之後的半導體晶片之上提步驟中，半導體晶片在—些狀況 下可被損壞。因此，需要增強半導體晶圓或半導體晶片直 至上提步驟。 考慮到前述問題，本發明之一目標為提供_種切晶帶_ 體型晶圓背面保護膜，其能夠自半導體晶圓之切塊步驟利 用至半導體晶片之覆晶結合步驟。此外，本發明之另—目 標為提供-種切晶帶—體型晶圓背面保護膜，其能夠在半 導體晶片之切塊步驟中展現卓越固持力，且能夠在半導體 晶片之覆晶結合步驟之後展現標記性質及外觀性質。 由於用於解決上文提及之習知問題之深入研究，本發明 人已發現，在將有色晶圓背面保護膜層壓於具有基底材料 及壓敏黏接層之切晶帶之壓敏黏接層上而以整合方式形成 切晶帶及晶圓背面保護膜時，切晶帶及晶圓背面保護膜以 整合方式所形成的層壓件（切晶帶一體型晶圓背面保護膜） 可自半導體晶圓之切塊步驟利用至半導體晶片之覆晶結合 步驟，以及在半導體晶圓之切塊步驟中可展現卓越固持 力，且在半導體晶片之覆晶結合步驟之後可展現標記性質 146125.doc 201036052 及外觀性質，藉此實現本發明。 即，本發明提供一種切晶帶一體型晶圓背面保護膜，其 u括 刀阳帶，其包括一基底材料及一形成於該基底材 料上之壓敏黏接層；及—晶圓背面保護膜，其形成於該切 曰曰▼之5亥壓敏黏接層上，其中該晶圓背面保護膜經著色。
如上文’由於本發明之切晶帶—體型晶圓背面保護膜以 B曰圓；？面保D蒦膜與包括基底材料及壓敏黏接層之切晶帶整 口以及ΘΒ圓背面保護膜經著色之形式形成，故可藉由在晶 ΒΗ半導體晶圓)之切塊時將切晶帶一體型晶圓背面保護膜 附著至工件（半導體晶圓）而固持工件且有效地將工件切 鬼此外在將工件切塊以形成晶片狀工件（半導體晶片） 之後’藉由自切晶帶之壓敏黏接層剝落晶片狀工件連同有 色晶圓背面保護膜，可交旦^ 、了谷易地獲侍$面受到保護之晶片狀 工件且亦可有效地改良晶片狀工件之背面的標記性質、 外觀性質及其類似者。 此外，在本發明之切晶帶-體型晶圓背面保護膜中，由 於切晶帶與有色晶圓背面保護膜如上文提及以整合方式形 成’故在切晶帶附著至切塊步驟之前的半導體晶圓之背面 時有色晶®背面保㈣亦可附著，且由此單獨㈣著晶圓 背面保護膜之步驟(晶圓背面保護獏_附著步驟)並非必要 的。另外’在後續切塊步驟及 上杈步驟中，由於有色晶圓 #面保護膜附著於半導體晶圓之皆而+ # ^ 守版日日圓之者面或藉由切塊形成之半 ¥體晶片之背面上，故可有效蚰 啕妓地保護+導體晶圓或半導體 晶片’且由此在切塊步驟或後續步驟(上提步驟等)中可抑 146125.doc 201036052 制或防止半導體晶片之損壞。 在本發明中’有色晶圓背面保護膜較佳地具有雷射桿吃 =。另夕卜’切晶帶一體型晶圓背面保護膜可適用於一覆 晶安裝半導體器件。 本發明亦提供一種用於使用_切 :用切日日帶一體型晶圓背面保 °蔓膜製造一半導體器件之製程，兮制寂勹权 衣枉这表程包括以下步驟：將 工件附著至上文提及之切晶帶一體型晶圓背面保護膜之 該有色晶圓背面保護膜上，將該卫件切塊以形成_晶片狀 工件’自該切晶帶之該壓敏黏接層剝落該晶片狀工件連同 該有色晶圓背面保護膜’及藉由覆晶結合將該晶片狀工件 固定至一黏附物。 另外，本發明進一步提供一種覆晶安裝半導體器件，其 使用上文提及之切晶帶一體型晶圓背面保護膜製造其中 該半導體器件包含一晶片狀工件，且今切a趣 n 1干且忒切晶帶一體型晶圓 背面保護膜之該晶圓背面保護膜附著至該晶片狀工件之一 背面。 由於切晶帶及晶圓背面保護膜以整合方式形成以及晶 圓背面保護膜經著色，故本發明之切晶帶一體型晶圓背面 保瘦膜可自半導體晶圓之切塊步驟利用至半導體晶片之覆 晶結合步驟。具體而言’本發明之切晶帶一體型晶圓背面 保護膜可在半導體晶圓之切塊步驟中展現卓越固持力，且 亦可在半導體晶片之覆晶結合步驟期間及之後展現標記性 貝及外觀性質。此外，在覆晶結合步驟及其類似者中，由 於半導體晶片之背面使用有色晶圓背面保護膜保護，故可 I46l25.doc 201036052 有效地抑制或防止破損、碎 ^ ，农逋两及其類似者。不必 ㈣牛Γ月之切晶帶—體型晶圓背面保護膜可在不同於自 ”至半導體晶片之覆晶結合步驟之步驟的步 • 效地展現其功能。 有 【實施方式】 參看圖1描述本發明之一眘 u之^例，但本發明並不限於此 貫施例。圖1為展示本發明之切曰器 +赞月之切日日帶一體型晶圓背面保護 實施例的橫截面示意圖。在圖丨中，丨為切晶帶一體 孓日日圓背面保護膜，2為經著 考已之日日®月面保護膜（有時簡 单地稱作「有色晶圓背 丨甸保濩膜」），3為切晶帶，31為基 底材料，且32為壓敏黏接層。
順便提及，在本說明書之圖令，未給出對於描述而言I 2要，部分，且存在藉由放大、縮小等展示之部分以較 描述簡單。 如圖1中所示’切晶帶-體型晶圓背面保護膜1具有以下 〇構成.有色晶圓背面保護膜2形成於切晶帶3之歸黏接層 32上’切晶帶3具有基底材料31及形成於該基底材料31上 之麼敏黏接層32。就此而論，有色晶圓背面保護膜2之表 面胸著至晶圓之背面的表面)在直至其附著至晶圓之背 面刖之期間内可受隔離物或其類似物保護。 順便提及，切晶帶—體型晶圓背面保護膜可具有以下構 成：有色晶圓背面保護臈係形成於切晶帶之壓敏黏接層上 的正们表面上方’或可具有以下構成：有色晶圓背面保護 媒係部分地形成。舉例而言，如圖i中所示，切晶帶一體 I46125.doc 201036052 型晶圓背面保護膜可具有以下構成：#色晶圓背面保嘆膜 係形成於切晶帶之壓敏黏接層上，僅形成於半導體晶圓待 附著之部分上。 (有色晶圓背面保護膜） 有色晶®背面保護膜具有—薄膜形狀。在切割附著於有 色晶圓背面保護膜上之工件(半導體晶圓)之切割處理步驟 (切塊步驟）中’有色晶圓背面保護膜具有支撐緊密黏附至 其之工件的功能，且在切塊步驟之後，其具有保護晶片狀 工件(半導體晶片)之背面及在自切晶帶剝落經切塊之晶片 狀工件連同有色晶圓背面保護膜之後展現卓越標記性質及 外觀性質的功能。如上文’由於有色晶圓背面保護膜具有 卓越標記性質，故可藉由利用諸如印刷方法及雷射標記方 法之各種標記方法經由有色晶圓背面保護膜執行標記，以 將諸如文字資訊及圖形資訊之各種種類之資訊賦予至晶片 狀工件之非電路面或使用晶片狀工件之半導體器件的非電 路面。此外由控制著色之色彩，以卓越能見度觀測由 標記賦予之資訊（文字資訊、圖形資訊等）變得可能。此 外，由於有色晶圓背面保護膜經著色，故切晶帶與有色晶 圓背面保護膜可容易地彼此區分，且由此可加工性及其： 似者可得以改良。 此外，由於有色晶圓背面保護膜具有卓越外觀性質故 提供具有加值外觀之半導體器件變得可能。舉例而言，作 為半導體器件，藉由使用不同色彩對其產品進行分類為可 能的。 146125.doc 201036052 順便提及，作為有色晶圓昔 B ^ 〇曰日圓月面保濩膜，具有緊密黏附性 使得㈣片在工件之切割處理時不散開為重要的。 如上文’有色晶圓背面保護膜並不用於將半導體晶片晶 粒，σ至諸如基板之支撐部件，而是用於保護待覆晶安裝 (或已覆晶安裝）之半導體晶片之背面（非電路面），且具有 最合適功能及為此之構成。就此而論，待詩將半導體晶 片強有力地黏附至諸如基板之支撐部件的使用應用中之晶
粒結合膜為-黏接層且使用囊封材料囊封，使得該晶粒結 合膜未被I色且亦不具有標記性質（特定言t，雷射標記 能力）。因此，有色晶圓背面保護膜具有不同於晶粒結合
膜之功能或構成的功能或構成’且由此不適於使用該保護 膜作為晶粒結合膜D 在本發明中，有色晶圓背面保護膜可由樹脂組合物形 成，且較佳地由含有熱塑性樹脂及熱固性樹脂之樹脂組合 物構成。就此而論，有色晶圓背面保護膜可由熱塑性樹脂 組合物構成而不使用熱固性樹脂，或可由熱固性樹脂組合 物構成而不使用熱塑性樹脂。 熱塑性樹脂之實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯 橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙 稀酸共聚物、乙烯·丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚 碳酸醋樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、諸如6_耐綸及6,6_耐 綸之聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、諸如pET(聚 對苯二曱酸伸乙酯）及PBT(聚對苯二甲酸丁二酯）之飽和聚 醋樹脂，或碳氟化合物樹脂。熱塑性樹脂可單一地或以兩 146125.doc 201036052 個或兩個以上種類之組合使用。在此等熱塑性樹脂當中， 含有僅少量離子雜質、具有高耐熱性且能夠保證半導體元 件之可靠性的丙烯酸樹脂為較佳的。 丙烯酸樹脂並不特定地限制，且其實例包括含有一個種 類或兩個或兩個以上種類之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作為 (多個）組份的聚合物，丙烯酸酯或曱基丙烯酸酯具有含3〇 個或更少碳原子’較佳地4至18個碳原子的直鏈或分支鏈 烷基。即，在本發明中’丙烯酸樹脂具有亦包括曱基丙烯 酸樹脂的廣泛意義*烷基之實例包括曱基、乙基、丙基、 異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己 基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、 癸基、異癸基、十一基、十二基（月桂基）、十三基、十四 基、十八烧醯基團，及十八基。 此外’用於形成丙烯酸樹脂之其他單體（除了具有3 〇個 或更少碳原子之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯以外的單體）並 不特定地限制，且其實例包括含羧基單體，諸如丙烯酸、 曱基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、順 丁烯二酸、反丁烯二酸及丁烯酸；酸酐單體，諸如順丁烯 二酸酐及衣康酸酐；含羥基單體，諸如（曱基）丙烯酸2-羥 乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯、 (甲基）丙浠酸6-羥己酯、（曱基）丙烯酸8-羥辛酯、（曱基）丙 烯酸10-羥癸酯、（甲基）丙烯酸12-羥月桂酯及甲基丙烯酸 (4-經曱基環已酿）((4-hydroxymethylcyclohexyl)-methylacrylate); 含磺酸單體，諸如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(曱基）丙 146125.doc •10· 201036052 浠醯胺-2-甲基丙石黃酸、（曱基）丙烯醯胺丙橫酸、（甲基）丙 烯酸磺丙酯及（曱基）丙烯醯氧萘磺酸；及含磷酸基團單 體，諸如2-羥乙基丙烯醯磷酸酯。 此等樹脂可根據已知方法合成或可使用市售產品。 此外，熱固性樹脂之實例包括環氧樹脂及酚樹脂，以及 胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧 樹月曰及熱固性聚醯亞胺樹脂。熱固性樹脂可單一地或以兩 個或兩個以上種類之組合使用。作為熱固性樹脂，含有僅 少置腐蝕半導體元件之離子雜質的環氧樹脂為合適的。此 外’酚樹脂較佳地用作環氧樹脂之固化劑。 環氧樹脂並不特定地限制，且舉例而言，可使用雙官能 的環氧樹脂或多官能的環氧樹脂，諸如雙酚八型環氧樹 月曰、雙酚F型環氧樹脂、雙酚s型環氧樹脂、溴化雙酚a型 環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚af型環氧樹脂、 聯苯型環氧樹月旨、萘型環氧樹脂、苟型環氧樹脂、苯㈣ 〇 H黍型環氧樹脂、鄰甲料料漆型環氧樹脂、參經苯 基甲烷型環氧樹脂及四苯酚乙烷型環氧樹脂，或諸如乙内 醯脲里％氧樹脂、異氰展酸參縮水甘油醋型環氧樹脂或縮 水甘油胺型環氧樹脂的環氧樹脂。 、作為環氧樹脂，在上文所例示之彼#樹脂#中，祕清 =型環氧樹脂、聯笨型環氧樹脂、參羥苯基甲烷型環氧樹 士曰及四苯酴乙院型¥氧樹脂為較佳的。此係'因為此等環氧 樹月曰具有w反應性（其具㈣樹脂作為固化劑）且在耐熱性 及其類似者方面為優越的。 146125.doc 201036052
該等環氧樹脂可根據已知方法合成或可使用市售產品。 此外’上文提及之酚樹脂充當環氧樹脂之固化劑，且其 實例包括酚醛清漆型酚樹脂，諸如苯酚酚醛清漆樹脂、笨 酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基笨酚酚醛清 漆樹脂及壬基苯酚酚醛清漆樹脂；甲階酚醛樹脂型酚樹 脂，及聚氧苯乙烯，諸如聚對氧苯乙烯。酚樹脂可單一地 或以兩個或兩個以上種類之組合使用。在此等酚樹脂當 中，苯酚酚醛清漆樹脂及苯酚芳烷基樹脂為尤其較佳的。 此係因為半導體器件之連接可靠性可得以改良。 酚樹脂可根據已知方法合成或可使用市售產品。 較佳地制定環氧樹脂與酚樹脂之混合比率，例如，使得 以環氧樹脂組份中之環氧基團之當量計，紛樹脂中之經基 為0.5至2.0虽！。〇.8至j 2當量為更佳的。亦即，當混合比 率變成在該範圍外時’固化反應不能充分地進行，且環氧 樹脂固化產物之特性趨向於退化。 用於環氧樹脂及紛樹脂之熱固化加速催化劑並不特定
限制且可口適地選自已知熱固化加速催化劑且得以 用。熱固化加速催化劑可單一地或以兩個或兩個以上種 之組合使用。作為熱固化加速催化劑，例如，可使用基 胺之固化加速催化劑、基於奴@化加速催化劑、基= 嗤之固化加速催化劑、基於爛之固化加速催化劑或基 峨_硼之固化加速催化劑。 土 在本發明中，有色晶圓背面保護膜較佳地由含有環氧 脂、賴脂及丙稀酸樹脂之樹脂組合物形成。由於:等 146125.doc -12- 201036052 月曰含有僅少量離子雜質且具有高耐熱性，故可保證半導體 凡件之可靠性。在此狀況下之混合比率並不特定地限制， 但舉例而言’環氧樹脂與酚樹脂之混合量可合適地選自以 下枕圍：以丙烯酸樹脂組份之100重量份計，10至300重量 份。 有色晶圓背面保護膜具有至半導體晶圓之背面（非電路 形成面）之緊密黏附性為重要的。具有緊密黏附性之此有 ο 色晶圓背面保護膜可（例如）由含有環氧樹脂之樹脂組合物 形成為了父聯，能夠與在聚合物之分子鏈末端處之一官 月b基或其類似者反應之多官能化合物可作為交聯劑添加至 有色晶圓背面保護膜。歸因於此構成，可增強在高溫下之 緊密黏附性且可達成而ί熱性之改良。 乂聯劑並不特定地限制且可使用已知交聯劑。具體而 吕，作為交聯劑，不僅可提及基於異氰酸酯之交聯劑、基 於％氡基之交聯劑、基於三聚氰胺之交聯劑及基於過氧化 Q 之交如劑，而且可提及基於脲之交聯劑、基於金屬醇鹽 之交聯劑、基於金屬螯合物之交聯劑、基於金屬鹽之交聯 1基於《厌化_亞胺之交聯劑、基於嗔π坐淋之交聯劑、基 於氮丙啶之交聯劑、基於胺之交聯劑及其類似者。作為交 如劑，基於異氰酸酯之交聯劑或基於環氧基之交聯劑為合 適的。交聯劑可單一地或以兩個或兩個以上種類之組合使 用。 ，基於異氛酸醋之交聯劑之實例包括低碳數脂族聚異氰酸 ^'如一異氰酸1，2_伸乙醋、二異氰酸1,4-伸丁醋及二 146125.doc •13- 201036052 異氰酸1，6-伸己酯；脂環族聚異氰酸酯，諸如二異氰酸伸 環戊酯、二異氰酸伸環己酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二異 氰酸氫化伸甲苯酯及二異氰酸氫化伸二甲苯酯；及芳族聚 異氰酸酯’諸如二異氰酸2,4-伸甲苯酯、二異氰酸2,6·伸 曱苯酯、4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯及二異氰酸伸二甲苯 醋。另外，亦使用三羥甲基丙烷/二異氰酸伸甲苯酯三聚 加合物[商;f示名「COLONATE L」’由 Nippon Polyurethane Industry
Co.，Ltd.製造]、三羥甲基丙烷/二異氰酸伸己酯三聚加合物 [商標名「COLONATE HL」，由 Nippon Polyurethane Industry Co·，
Ltd.製造]及其類似者。此外，基於環氧基之交聯劑之實例 包括N，N，N’，N，-四縮水甘油基間二甲苯二胺、二縮水甘油 基苯胺、1,3-雙（N，N-縮水甘油基胺曱基）環己烷、丨，6_己二 醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水 甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、 聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、丙三醇 聚縮水甘油醚、異戊四醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水 甘油喊、山梨糖醇酐聚縮水甘油瞇、三經甲基丙烧聚縮水 甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油 酯、三縮水甘油基-參（2_羥乙基）異氰尿酸酯、間苯二酚二 縮水甘油醚，及雙酚_s_二縮水甘油醚，以及在分子中具 有兩個或兩個以上環氧基團的基於環氧基之樹脂。 乂聯劑之量並不特定地限制，且可視交聯程度適當地選 擇。具體而言，交聯劑之量為（例如）以聚合物組份（尤其 地，在分子鏈末端處具有一官能基之聚合物）之1〇〇重量份 146125.doc -14- 201036052 計的0.05至7重量份為較佳的。當交聯劑之量在以聚合物 組份之⑽重量份計的0.05至7重量份之範圍内日寺，緊密黏 附性及内聚性質可以高位準展現。 在本發明中，替代於交聯劑之使用或連同交聯劑之使 用’藉由使用電子束或紫外光之照射執行交聯處理亦為可 〇 ❹ 在本發明中，有色晶圓背面保護膜經著色。即，有色晶 圓背面保護膜經著色且並非無色或透明的。在有色晶心 面保護膜中’藉由著色展示之色彩並不特定地限制，作 (例如）較佳地為暗色’諸如黑色、藍色或紅色，且黑色為 在本發明中，暗色基本上意謂具有在L*a*b*色彩空間中 界定之為60或更小（自0至6〇)、較佳地50或更小（自〇至 5〇) ’及更佳地40或更小（自〇至4〇)的L*的暗色。 此外，黑色基本上意謂具有在L*a，色彩空間中界定之 為5或更小（自〇至35)、較佳地3〇或更小（自〇至，及更 佳地25或更小（自〇至25)的1^*的黑基色。就此而論，在黑 色中在L a b*色彩空間中界定之a*及b*中之每一者可根 據L之值合適地選擇。舉例而言，一及^^兩者在以下範圍 内：較佳地自-1 〇至i 〇 更佳地自-5至5 ’且進一步較佳地_3 至3(尤其地〇或約〇)。 在本發明中，在色彩空間中界定之L*、一及…可 藉使用色差n十（商標名「CR-2〇〇」，由Minolta Ltd製造； 色差。十）之篁測判定。L*a*b*色彩空間為由國際照明委員 146125.doc 201036052 會（Commission Internationale de l'Eclairage，CIE)於 1976年 推薦之色彩空間，且意謂稱為CiE1976(L*a*b*)色彩空間 之色彩空間。又，L*a*b*色彩空間定義於曰本工業標準中 之 JIS Z8729 中。 在有色晶圓背面保護膜之著色時，可根據目標色彩使用 著色劑（著色試劑）。作為此著色劑，可合適地使用諸如黑 色著色劑、藍色著色劑及紅色著色劑之各種暗色著色劑， 且黑色著色劑為更合適的。著色劑可為顏料及染料中之任 一者。著色劑可單一地或以兩個或兩個以上種類之組合使 0 用。就此而論，作為染料，有可能使用任何形式之染料， 諸如酸性染料、反應性染料、直接染料、分散染料及陽離 子染料。此外，亦關於顏料’其形式並不特定地限制且可 在已知顏料當中合適地選擇且使用。 黑色著色劑並不特定地限制，且可（例如）合適地選自無 機黑色顏料及黑色染料。此外’黑色著色劑可為著色劑混 合物，其中為青色著色劑（藍綠著色劑）、洋紅色著色劑（紫 紅著色劑）與黃色著色劑（黃著色劑）。黑色著色劑可單一地 〇 或以兩個或兩個以上種類之组合使用。當然，黑色著色劑 可與除了黑色以外之色彩的著色劑組合使用。 . 黑色著色劑之具體實例包括碳黑（諸如，爐法碳黑、槽 法碳黑、乙炔碳黑、熱碳黑或燈碳黑）、叾墨、氧化銅、 二氧化链、苯胺黑、花黑、鈦黑、花青黑、活性炭、鐵氧 體（諸如，非磁性鐵氧體或磁性鐵氧體）、磁鐵礦、氧化 鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、複合氧化物型黑色顏 146125.doc -16· 201036052 料，及蒽醌型有機黑色顏料》 作為黑色著色劑，可利用黑色染料，諸如C i.溶劑黑3、 7、22、27、29、34、43、70 ’ C.I.直接黑 17、19、22、 • 32、38、51、7卜 C.I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、 52、1〇7、109、U0、119、154’ 及.分散黑卜3、1〇、 24 ;黑色顏料，諸如c丄顏料黑丨、7 ;及其類似者。 作為此等黑色著色劑，例如，商標名為「〇丨丨BlaA BY」、商標名為「0il Black BS」、商標名為「㈤Black HBB」' 商標名為「〇u Βι_ 8〇3」、商標名為 商標名為「0il Black 597〇」、商標名為「㈤ΒΜ 59〇6」:商標名為「㈤mack 59〇5」（由㈤咖㈤以⑷ Co·，Ltd.製造）之黑色著色劑及其類似者為市售 除了黑色著色劑以外之著色劑之實例包括青色著色劑、 洋紅色著色劑及黃色著色劑。 〇 著色齊1之實例包括青色染料’諸如C.I.溶劑藍25、 ' 60 ' 70 >
Cl 、％ ; C.L酸性藍6及45 ;青色顏料，諸如 顏枓藍1、2 , r _ .15:6、i6i 、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、 1、18、22、25、56、60、63、65、 • 6’CI·料藍 此外，在洋红戈 ， 溶劑紅1、3、 色劑當中，洋紅色染料之實例包括C.Ι ο、 81、82 、、： 23 、 24 、 25 、 27、 30、 49、 52、 58、 散紅9; 丄-劑紫8、13、14、21、27;c.l_1; 146125.doc •17- 201036052 C.I.驗性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、 24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40 ; C.I.鹼 性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27及28。 在洋紅色著色劑當中，洋紅色顏料之實例包括C.1，顏料 、红1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、 15、16、17、18、19、21、22、23、3〇、31、32、37、 38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、 49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、 58、60、60:1 ' 63 > 63:1 ' 63:2、64、64:1、67、68、 81、83、87、88、89、90、92、101、104、105 ' 106、 108 、 112 、 114 、 122 、 123 、 139 、 144 、 146 、 147 、 149 、 150 、 151 、 163 、 166 、 168 、 170 、 171 、 172 、 175 、 176 、 177 、 178 、 179 、 184 、 185 、 187 、 190 、 193 、 202 、 206 、 207、209、219、222、224、238、245 ; C.I.顏料紫3、9、 19、23、31、32、33、36、38、43、50; C.I.還原紅1、 2 、 10 、 13 、 15 、 23 ' 29及35 。 此外’黃色著色劑之實例包括黃色染料，諸如C.I.溶劑 黃 19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112及 162 ;黃色顏料，諸如C.I.顏料橙31、43 ; C.I.顏料黃1、 2、3 、4、 5、6、 7、10 '11 、12 ' 13 ' 14、15 、16 、17、 23 ' 24 ' 34、35 、37、 42、 53 ' 55 ' 65 ' 73 '74 、75、 81 > 83 ' 93 > 94 、95、 97、 98、 100 、101、 104、 108、 109、 110 、113、 114、 116、 117 ' 120 、128、 129、 133 ' 138、 139 、147、 150、 151、 153 、154 ' 155 ' 156、 167、 146125.doc -18- 201036052 m、173、180、185、195;c.Wm20。 诸如青色著色劑、洋紅色著色劑及黃色 色劑可分別單一地戋以Λ 次以兩個或兩個以上種類之組合使用。 =論夂在使用諸如青色著色劑、洋紅色著色劑及黃色 l &心之兩個或兩個以上種類的狀況下， 此4者色劑之混合比率（岑旅入 手（次摻合比率）並不特定地限制，且 =4每一著色劑之種類、—目標色彩及其類似 地 選擇。 Ο
Q 較提及，在黑色著色劑為藉由混合青色著色劑、洋紅 色者色劑與黃色著色劑形成之著色劑混合物之狀況下，青 色著色劑、洋紅色著色劑及黃色著色劑中之每一者可單一 地或以兩個或兩個以上種類之組合使用。著色劑混合物中 之青色著色劑、洋紅色著色劑與黃色著色劑之混合比率 (或摻合比率）並不特定地限制，只要可展現黑基色（例如 具有在L〜*b*色彩空間中界定之在以上範®内的 ^的黑基色)’且可根據每-著色劑之類型及其類似者合 適：選擇。著色劑混合物中之青色著色劑、洋紅色著色劑 及黃色著色劑之含量可（例如）在以下範圍内合適地選擇： 相對於者色劑之總量，青色著色劑/洋紅色著色劑，黃色著 ，劑之里1G重量％至5〇重量％/1()重量％至5q重量％八〇重 量=至50重量％(較佳地2〇重量％至4〇重量％/2〇重量。/。至糾 重量％/20重量％至4〇重量。/〇)。 者色劑之含量可合適地選自在形成有色晶圓背面保護媒 (排除溶劑）之樹脂組合物中之〇>1重量％至1〇重量％的範 146125.doc -19- 201036052 且更佳地為自1重 圍，且較佳地為自〇·5重量％至8重量％， 量％至5重量％。 就此而論’其他添加劑可根據必要性合適地摻合至有色 晶圓背面保護膜中。其他添加劑之實例除了填充劑、阻辦 劑、錢耦合劑及離子捕獲劑之外亦包括增㈣、抗老化 劑、抗氧化劑及界面活性劑。
填充劑可為無機填充劑及有機填充劑中之任一者，但無 機真充d為合適的。藉由摻合諸如無機填充劑之填充劑， 可達成導電性至有色晶圓f面保護膜之賦予、冑色晶圓背 面保濃膜之導熱性之改良、有色晶圓背面保護膜之彈性模 數之控制，及其類似者。就此而論，冑色晶圓背面保護膜 可為導電的或不導電的。無機填充劑之實例包括由以下各 ^構成之各種無機粉末：⑦石、黏土、石膏、碳酸硫 酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、諸如碳化石夕及氮化石夕之陶瓷、諸 銅銀、金、錄、絡、錯、錫、辞、纪及焊料之金 屬或合金、碳及其類似者。填充劑可單-地或以兩個或兩 個以上種類之組合使用。特^言之，填充劑合適地為石夕 石’且更合適地為㈣心。無機填充劑之平均粒子直徑 較佳地在0.1 4„1至80 μιη之範圍内。無機填充劑之平均粒 子直搜可藉由雷射繞射型粒徑分布量測裝置來量測。 真充劑（例如，無機填充劑）之摻合量可為以樹脂組份之 總量之100重量份計，15〇重量份或更少（〇至15〇重量份）， 或:為100重量份或更少（G至刚重量份）。在本發明中，填 4·!之捧δ 1較佳地為以樹脂組份之總量之1 〇〇重量份 146125.doc -20· 201036052 汁，80重I份或更少（〇至80重量份），或更佳地為0至70重 量份。 阻;L劑之實例包括三氧化二銻、五氧化二銻及溴化環氧 樹脂。阻燃劑可單一地或以兩個或兩個以上種類之組合使 用。矽烷耦合劑之實例包括β-(3,4-環氧環己基）乙基三曱 氧基石夕烧、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基石夕烧Αγ_縮水甘 油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。矽烷耦合劑可單一地或以 兩们或兩個以上種類之組合使用。離子捕獲劑之實例包括 水滑石及氫氧化鉍。離子捕獲劑可單一地或以兩個或兩個 以上種類之組合使用。 有色晶圓背面保護膜可（例如）藉由利用包括以下步驟之 苇用方法形成·混合諸如環氧樹脂之熱固性樹脂及/或諸 如丙烯酸樹脂之熱塑性樹脂、著色劑（著色試劑），與可選 溶劑及其他添加劑以製備樹脂組合物，繼之以將其形成為 -薄膜狀層。具體而言’作為有色晶圓背面保護膜之薄膜 〇 狀層可（例如）藉由以下方法形成：包括將樹脂組合物塗覆 於切晶帶之麼敏黏接層上之方法，包括將樹脂組合物塗覆 於適當隔離物（諸如，剝離型紙）上以形成樹脂層且接著將 其轉移（轉錄）於切晶帶之壓敏黏接層上之方法，及類似方 法。 就此而論，在有色晶圓背面保護膜由含有諸如環氧樹脂 之熱固性樹脂之樹脂組合物形成的狀況下，有色晶圓背面 保護膜在將薄膜塗覆至半導體晶圓之前的階段係處於熱固 性樹脂未固化或部分地固化之狀態中。在此狀況下，在'將 I46125.doc -21- 201036052 其塗覆至半導體晶圓之後（具體而言，通常為在囊封材料 於覆晶結合步驟中固化時），有色晶圓背面保護膜中之熱 固性樹脂完全或幾乎完全固化。 如上文，由於有色晶圓背面保護膜甚至在薄膜含有熱固 性樹脂時仍處於熱固性樹脂未固化或部分地固化之狀能 中，故有色晶圓背面保護膜之凝膠分率並不特定地限制， 但（例如）合適地選自50重量％或更少（〇重量％至5〇重量％) 的範圍，且較佳地為3〇重量❶或更少（〇重量％至重量 %)，且更佳地為10重量％或更少（〇重量％至1〇重量％卜有 色晶圓背面保護膜之凝膠分率可藉由以下量測方法量測。 <凝膠分率量測方法> 自有色晶圓背面保護膜取樣社丨g之樣本，且精確地稱 重（樣本之重量），且在將樣本包在網孔型薄片中之後，在 室溫下將其浸沒於約50 mL之甲苯中歷時旧。其後，將溶 劑不可溶物質(網孔型薄片中之含量)自甲苯取出且在㈣ 下乾燥歷時約2小時，對乾燥之後之溶劑不可溶物質稱重 (浸沒且乾燥之後之重量），且接著根據以下方程式⑷計算 凝膠分率（重量％)。 凝朦分率(重量％)=[(浸沒且乾燥之後之重量)/(樣本之重量)]χ觸⑷ 順便提及，有色㈣背㈣護膜之凝料率可藉由樹脂 組份之種類及含量、交聯劑之籀 蜊又種類及含量、加熱溫度及加 熱時間及其類似者控制。 有色晶圓背面保護膜為有 特定地限制。有色晶圓背面 色薄膜狀物品且有色形式並不 保護膜可為（例如）由含有顯色 146125.doc •22- 201036052 劑及其類似者之熱塑性及/或熱固性樹脂及樹脂組合物形 成之薄膜狀物品，或可為具有以下構成之薄膜狀物品：由 含有熱塑性樹脂及/或熱固性樹脂之樹脂組合物形成之樹 . ㈣與著色試·經層壓。著色試劑層較佳地由著色劑及 - 含有熱塑性樹脂及/或熱固性樹脂之樹脂組合物形成。 就此而論，在有色晶圓背面保護膜為樹脂層與著色試劑 之層壓件的狀況下，呈層壓形式之有色晶圓背面保護膜較 a地具有以下形式：其中—樹脂層一著色試劑層及另— 樹脂層按次序層麼。在此狀況下，在著色試劑層之兩侧處 之兩個树脂層可為具有相同組合物之樹脂層或可為具有不 同組合物之樹脂層。 在本發明中，在有色晶圓背面保護膜為由含有諸如環氧 樹脂之熱固性樹脂之樹脂組合物形成的薄膜狀物品的狀況 下’可有效地展現至半導體晶圓之緊密黏附性。 順便提及，由於在工件（半導體晶圓）之切塊步驟中使用 〇 切割晶圓，故在一些狀況下有色晶圓背面保護膜吸收濕氣 7具有正常狀態之濕氣含量或更多。當在維持此高濕氣含 里之6況下執行覆晶結合時，水蒸氣保留在有色晶圓背面 保護膜與工件或其經處理主體（晶片狀工件）之間的緊密黏 附界面處，且在一些狀況下產生提昇。因此，作為有色曰曰 圓背面保護膜，由具有高濕氣透明度之芯材構成之層的存 在使水蒸氣擴散’且由此避免此問題變得可能。自此觀 點，有色晶圓背面保護膜可為由芯材構成之層層壓於其— 表面處或兩個表面處的保護膜.芯材之實例包括薄膜（例 146125.doc -23- 201036052 如、聚酿亞胺薄膜、聚醋薄膜、聚對苯二甲酸伸乙醋薄 膜 '聚萘二甲酸乙二31薄膜、聚碳酸喊膜等）、由玻璃 纖維或塑膠非編織纖維增強之樹脂基板，及石夕基板，及玻 璃基板。 有色晶圓背面保護膜之厚度並不特定地限制’但可（例 如）合適地選自5 0111至5〇〇 μιη之範圍。在本發明中，有色 晶圓背面保護膜之厚度較佳地為約5叫至15〇 μιη，且更佳 地為約5 μ„^100 μΓη。有色晶圓背面保護膜可具有單一層 或層壓層中之任一形式。 作為本發明中之有色晶圓背面保護膜在23。〇下之彈性 模數（拉伸儲存彈性模數Ε，）較佳地^奶或更大，更佳地 為2 GPa或更大，且進一步較佳地為3 Gpa或更大。當有色 晶圓背面保護膜之彈性模數為} (^以或更大時，在自切晶 帶之壓敏黏接層剝落晶片狀工件連同有色晶圓背面保護膜 時抑制或防止有色晶圓背面保護膜至支撐件之附著，且 接著將有色晶®背聽護膜置放於支撐件hx執行輪送及 其類似者。就此而論，如上文提及，在有色晶圓背面保護 膜由/有熱固性樹脂之樹脂組合物形成的狀況下，熱固性 樹脂通常處於未固化或部分地固化之狀態巾，使得有色晶 圓背面保4膜在23 c下之彈性模數為在熱固性樹脂未固化 或部分地固化之狀態中在23°C下的彈性模數。 有色晶圓背面保護膜在23。〇下之彈性模數（拉伸儲存彈 性模數E，)藉由以下步驟判定：製備有色晶圓背面保護膜而 不層壓至切晶帶上，且使用由Rheometrics c〇 製造之 146125.doc 201036052 動態黏彈性量測裝置「固體樣本分析儀Rs A2(s〇Hd Analyzer RSA2)」’在規定溫度下（23〇〇,在氮氣氣氛下， 量測在10 mm之樣本寬度、22·5 mm之樣本長度、〇2 mm 之樣本厚度、丨Hz之頻率及10t;/*鐘之溫度上升率之條 件下的拉伸模式中的彈性模數，且將其視為所獲得之拉伸 儲存彈性模數E，之值。 有色晶圓背面保護膜之彈性模數可藉由樹脂組份（熱塑 性樹脂及/或熱固性樹脂）之種類及含量、諸如矽石填充劑 之填充劑之種類及含量及其類似者控制。 此外，有色晶圓背面保護膜令對可見光之透光率（可見 光透射率，波長：400 nm至800 nm)並不特定地限制，但 (例如）在20%或更小（0至20%)，較佳地1〇%或更小（〇至 10 /〇)’且進一步較佳地5%或更小（〇至5%)之範圍内。當有 色晶圓背面保護膜具有20%或更小之可見光透射率時，光 之透射對半導體元件之影響為小的。 有色晶圓背面保護膜之可見光透射率（％)可基於在可見 光透過有色晶圓背面保護膜之透射之前及之後的強度改變 而判定，該判定藉由以下步驟執行：製備具有2〇 μηι之厚 度（平均厚度）之有色晶圓背面保護膜而不層壓至切晶帶 上，使用在規定強度下之具有4〇〇 11„1至8〇〇 nm之波長之可 見光照射有色晶圓背面保護膜（厚度：2〇 μπι)，且使用商 標名「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER」（由
Shimadzu Corporation製造）量測經透射之可見光之強度。 就此而論，以下亦為可能的：自厚度並非2〇 ^爪之有色晶 146125.doc -25- 201036052 圓背面保護臈之可見光透射率（％ ;波長：4〇〇 nms 800 nm)的值導出具有厚度2。叫之有色晶圓背面保護膜的可見 光透射率（〇/° ;波長：400 nm至800 nm)。在本發明中，有 色晶，背面保護臈在判定有色晶圓背面保護膜之可見光透 射率（/〇)時之厚度（平均厚度）為2〇叫，但有色晶圓背面保 蒦膜之此厚度僅4在判定有&晶圓f面保護膜之可見光透 率（）時之厚度，且可與切晶帶一體型晶圓背面保護膜 中之有色晶圓背面保護膜之厚度相同或不同。 、有色晶圓背面保護膜之可見光透射率（％)可藉由樹脂組 :之種4及含量、著色試劑（諸如’顏料或染料）之種類及 含量、填充劑之種類及含量及其類似者控制。 在本發明中，有色晶圓背面保護臈較佳地具有低濕氣吸 :率。具體而t ’作為有色晶圓背面保護膜，當使薄膜在 溫度為及濕度為85% RH之氣氛下靜置歷時168個小時 時㈣氣吸收率較佳地為14量％或更小，且更佳地為〇8 重量％或更小。藉由將有色晶圓背面保護膜之濕氣吸收率 (在於溫度為8rc及濕度為85%RH之氣氛下靜置歷時168個 小時之後)調節至1重量％或更小，雷射標記能力可增強。 此外’舉例而言’在回焊步驟中可抑制或防止空隙之產 生。有色晶圓背面保護膜之濕氣吸收率可（例如）藉由改變 待添加之無機填充劑之量來調節。有色晶圓背面保護膜之 濕。亂吸收率（重量％)為在使薄膜在溫度為85t及濕度為 85% RH之氣氛下靜置歷時168個小時時自重量改變計算之 值。在有色晶圓背面保護膜由含有熱固性樹脂之樹脂組合 146125.doc -26- 201036052 物形成之狀況下，有色晶圓背面保護膜之濕氣吸收率為在 於熱固化之後使薄膜在溫度為85t及濕度為85% RH之氣 風下靜置歷時168個小時時所獲得的值。 此外在本發明中，有色晶圓背面保護膜較佳地具有小 率之揮發性物質。具體而言，作為有色晶圓背面保護 、在於250 C之/皿度下加熱歷時！個小時之後的重量減少 之比率:(重量減少率)較佳地Μ重量％或更小，且更佳地為 Ο 〇 〇·8重里/。或更小。藉由將有色晶圓背面保護膜之重量減少 率(在於25(TC之溫度下加熱歷時i個小時之後)調節至i重量 %或更小，雷射標記能力可增強。此夕卜，舉例而言，在回 谭步財可抑制或防止裂紋之產生。冑色晶时面保護膜 之重量減少率可（例如）藉由添加能㈣少無錯焊料回焊時 之裂紋產生的無機物（例如，諸如石夕石或氧化銘之無機填 充劑)來調節。有色晶圓背面保護膜之重量減少率(重㈣ 為在將薄膜於25Gt：下加熱歷時Hg)小時時自重量改變計算 之值。在有色晶圓背面保護膜由含有熱固性樹脂之樹脂組 合物形成之狀況下，有色晶圓背面保護膜之重量減少率為 在於熱固化之後將薄詩25Gt下加熱歷時1個小時時所獲 得的值。 有色晶圓背面保護膜較佳地由隔離物（可釋放襯套，未 在圖中展示)保護。隔離物具有作為用於保護有色晶圓背 面保護膜直至其實際上被使料保護材料之功能。此外， 隔離物可在將有色晶圓背面保護膜轉移至切晶帶之基底材 料上之壓敏黏接層時進一步用作支撐基底材料。當將工件 146125.doc -27· 201036052 附著至切晶帶一體型晶圓背面保 膜上時，剝落隔離物。作為隔離物、：有“圓背面保護 兩㈣胺 乍為^離物，亦可使用聚乙烯或聚 丙烯溥膜，以及塑膠薄媒（聚 布有釋放劑(諸如，基於氟之伸乙酯)或表面塗 酸r之_基於錢燒基丙烯 δ曰之釋放劑)之紙。隔離物可藉由習知方法形成。此 外，隔離物之厚度或其類似者並不特定地限制。 (切晶帶） 切晶帶由基底材料及形成於基底材料上之壓敏黏接層構 、因此切日日π充分地具有以下構成··基底材料及壓敏 黏接層經層壓4底材料（支#基底材料）可用作用於壓敏 黏接層及其類似者之支撐材料。作為基底材料，例如，可
使用合適薄材料，例士 I 例如基於紙之基底材料，諸如紙；基 於’戴維之基底材料’諸如織物、無紡布、鼓及網；基於金 屬之基底材料’諸如金屬猪及金屬板；塑膠基底材料，諸 如塑膠薄膜及薄片；基於橡膠之基底材料，諸如橡膠薄 片’發泡體’諸如發泡薄片；及其層壓件[尤其地基於 』朦之材料與其他基底材料之層壓件、塑膠薄膜（或薄片） 被此之層壓件，等]。在本發明中，作為基底材料可合 適地使用塑膠基底材料，諸如塑膠薄膜及薄片。用於此等 塑膠材料之原材料之實例包括：烯烴樹脂，諸如聚乙烯 ()聚丙烯（ρρ)，及乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單 體組伤之共聚物’諸如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離 子鍵共聚物樹脂、乙歸_(甲基）丙烤酸共聚物，及乙稀^甲 基）丙烯酸酯（無規、交替）共聚物·，聚酯，諸如 聚對笨二曱 146125.doc •28· 201036052 酸伸乙醋（PET)、聚萘二曱酸乙二酯（PEN)，及聚對苯二曱 酸丁二酿（PBT);丙烯酸樹脂；聚氯乙烯（PVC);聚胺基曱 酸酿；聚碳酸酯；聚苯硫醚（PPS);基於醯胺之樹脂，諸 如聚酿胺（耐綸）及全芳族聚醢胺（aramide);聚醚醚酮 (PEEK);聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚（二）氯亞乙烯； ABS(丙烯腈-丁二烯_苯乙烯共聚物）；基於纖維素之樹 脂，聚矽氧樹脂；及氟化樹脂。此外，作為基底材料之材 料，亦可使用諸如以上樹脂中之每一者之交聯體的聚合 物。此等原材料可單一地或以兩個或兩個以上種類之組合 使用。 在將塑膠基底材料用作基底材料之狀況下，諸如伸長度 之變形性質可藉由拉伸處理或其類似者來控制。 基底材料之厚度並不特定地限制，且可視強度、可撓 性、預期使用目的及其類似者適當地選擇。舉例而言，厚 度一般為咖_或更小（例如，1 ㈣，㈣地 〇 1㈣至500 μΐη ’進-步較佳地3 _至300 μιη，且尤其地約 5 :至250 μπι ’但並不限於此。就此而論，基底材料可具 有早一層形式或層壓層形式中之任一形式。 可施加常用表面處理(例如，化學或物理處理，諸如鉻 酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露於高電壓電擊，或 電離輪射處理，或使用底塗劑之塗布處理），以便改良與 鄰近層之緊密黏附性、固持性質等。 類2提及，基底材料可含有在不削弱本發明之優點及其 類似者之範圍内的各種添加劑（著色試劑、填充劑、增塑 146125.doc -29. 201036052 劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、阻燃劑等）。 壓敏黏接層由壓敏黏接劑形成且具有壓敏黏附性。此壓 敏黏接劑並不特定地限制，且可合適地在已知壓敏黏接劑 當中選擇。具體而言，作為壓敏黏接劑，具有上文提及之 特性之壓敏黏接劑可在以下已知壓敏黏接劑當中合適地選 擇並使用：諸如丙烯酸壓敏黏接劑、基於橡膠之壓敏黏接 劑、基於乙烯基烷基醚之壓敏黏接劑、基於聚矽氧之壓敏 黏接劑、基於聚酯之壓敏黏接劑、基於聚醯胺之壓敏黏接 劑、基於胺基甲酸酯之壓敏黏接劑、基於氟之壓敏黏接 劑、基於本乙稀-二稀歲段共聚物之麼敏黏接劑，及螺變 特性改良壓敏黏接劑（其中具有為約20(rc或更低之熔點之 熱可熔融樹脂混合至此等壓敏黏接劑中）（參見（例如）Jp_A_ 56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040 等）。此外，作為壓敏黏接劑，亦可使用輻射可固化壓敏 黏接劑（或能量射線可固化壓敏黏接劑）或熱可膨脹壓敏黏 接劑。壓敏黏接劑可單一地或以兩個或兩個以上種類之組 合使用。 在本發明中’作為壓敏黏接劑，可合適地使用丙稀酸壓 敏黏接劑及基於橡膠之壓敏黏接劑，且特定言之，丙烯酸 壓敏黏接劑為合適的。作為丙烯酸壓敏黏接劑，可提及將 丙烯酸聚合物（均聚物或共聚物）用作原料聚合物的丙烯酸 壓敏黏接劑，該丙烯酸聚合物（均聚物或共聚物）使用一或 夕種（曱基）丙稀酸炫^旨（alkyl(meth)acrylates，（meth)acrylic acid alkyl ester)作為單體組份。 146125.doc •30- 201036052 上文提及之丙烯酸壓敏黏接劑中之（甲基）丙烯酸烷酯之 實例包括諸如以下各者之（甲基）丙烯酸烷酯：（甲基）丙烯 酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙 稀酸異丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、 (甲基）丙烯酸第二丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（甲基）丙 烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基） 丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸2_乙基己酯、（甲基）丙烯酸異 ❹ 辛酉曰、（甲基）丙稀酸壬酯、（曱基）丙烯酸異壬酯、（甲基）丙 烯酸癸酯、（曱基）丙烯酸異癸酯、（甲基）丙烯酸十一酯、 (甲基）丙烯酸十二酯、（甲基）丙烯酸十三酯、（甲基）丙烯酸 十四酯、（甲基）丙烯酸十五酯、（甲基）丙烯酸十六酯、（甲 基）丙烯酸十七酯、（甲基）丙烯酸十八酯、（曱基）丙烯酸十 九酯，及（甲基）丙烯酸二十酯。作為（曱基）丙烯酸烷酯， 具有4至1 8個碳原子之（甲基）丙烯酸烷酯為合適的。順便提 及’（曱基）丙烯酸烷酯之烷基可能為直鏈或分支鏈。 Q 上文提及之丙烯酸聚合物可含有對應於為了改良内聚 力、耐熱性、交聯能力及其類似者之目的可與上文提及之 (甲基）丙烯酸烧酯聚合之其他單體組份（可共聚合單體組 份）的單元《此等可共聚合單體組份之實例包括：含羧基 單體，諸如（甲基）丙烯酸（丙烯酸或甲基丙稀酸）、丙烯酸 缓乙酯、丙彿酸致戊酯、衣康酸、順丁稀二酸、反丁烯二 酸’及丁烯酸；含酸酐基單體’諸如順丁烯二酸酐，及衣 康酸酐；含羥基單體，諸如（曱基）丙烯酸羥乙酯、（曱基） 丙烯酸羥丙酯、（甲基）丙烯酸羥丁酯、（甲基）丙稀酸羥己 146125.doc •31· 201036052 酯、（甲基）丙浠酸羥辛酯、（甲基）丙浠酸羥癸酯、（甲基）丙 烯酸羥月桂酯，及甲基丙烯酸（4-羥甲基環已酯）；含磺酸 基單體，諸如苯乙烯績酸、稀丙基磺酸、2-(曱基）丙稀醯 胺-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯醯胺丙磺酸、（曱基）丙烯酸 磺丙酯，及（甲基）丙烯醯氧萘磺酸；含磷酸基單體，諸如 2-羥乙基丙烯醯填酸酯；基於（N上經取代）醯胺之單體， 諸如（曱基）丙烯醢胺、Ν,Ν-二曱基（曱基）丙烯醯胺、Ν_τ 基（甲基）丙烯醯胺、Ν-羥甲基（甲基）丙烯醯胺，及Ν_羥曱 基丙烷（甲基）丙烯醯胺；基於（甲基）丙烯酸胺基烷酯之單 體’諸如（曱基）丙烯酸胺基乙酯、（曱基）丙烯酸Ν,Ν_二曱 基胺基乙酯’及（甲基）丙烯酸第三丁基胺基乙酯；基於（甲 基）丙烯酸烷氧基烷酯之單體，諸如（曱基）丙烯酸曱氧基乙 酯及（曱基）丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯單體；諸如 丙烯腈及曱基丙稀腈；含環氧基丙豨酸單體，諸如（甲基） 丙烯酸縮水甘油酯；基於苯乙烯之單體，諸如苯乙烯及α_ 曱基苯乙烯；基於乙烯酯之單體，諸如乙酸乙烯酯及丙酸 乙烯酯’基於浠烴之單體，諸如異戊二浠、丁二烯，及異 丁烯；基於乙豨醚之單體，諸如乙稀醚；含氮單體，諸如 Ν-乙烯基《比咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、 乙烯基派咬酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、 乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、Ν_ 乙烯基羧酸醯胺，及Ν-乙烯基己内醯胺；基於順丁烯二醯 亞胺之單體，諸如Ν_環己基順丁烯二醯亞胺、冰異丙基順 丁烯二醯亞胺、Ν-月桂基順丁烯二醯亞胺，及…苯基順丁 146125.doc •32· 201036052 烯二醯亞胺；基於衣康醯亞胺之單體，諸如N_甲基衣康醯 亞胺、N-乙基衣康酿亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、n_辛基衣 康醯亞胺、N_2-乙基己基衣康醯亞胺、队環己基衣康醯亞 胺’及N-月桂基衣康醯亞胺；基於丁二醯亞胺之單體，諸 如N-(曱基）丙烯醯氧基亞曱基丁二醯亞胺、N_(甲基）丙稀 醯基-6-氧基六亞甲基丁二醯亞胺，及N_(甲基）丙烯醯基_8_ 氧基八亞甲基丁二醯亞胺；基於二醇之丙烯酸酯單體，諸 如聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、 甲氧基乙二醇（曱基）丙稀酸酯，及曱氧基聚丙二醇（曱基） 丙烯酸酯；具有雜環、鹵素原子、矽原子或其類似者之基 於丙烯酸酯之單體，諸如四氫糠基（甲基）丙烯酸酯、氟（甲 基）丙烯酸酯，及聚矽氧（曱基）丙烯酸酯；多官能單體，諸 如己二醇二（曱基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸 δ曰、（聚）丙二醇二（甲基）丙稀酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯 酸酯、異戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲 基）丙浠酸酯、異戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二異戊四醇六 (甲基）丙稀酸醋、環氧丙浠酸g旨、聚醋丙浠酸醋、胺基甲 酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二（甲基）丙烯酸丁酯，及二 (甲基）丙稀酸己醋；及其類似者。此等可共聚合單體組份 可單一地或以兩個或兩個以上種類之組合使用。 在將輻射可固化壓敏黏接劑（或能量射線可固化壓敏黏 接劑）用作壓敏黏接劑之狀況下，輻射可固化壓敏黏接劑 (組合物）之實例包括内部輻射可固化壓敏黏接劑，其中將 在聚合物側鏈或主鏈中具有自由基反應性碳_碳雙鍵之聚 146125.doc -33. 201036052 合物用作原料聚合物；輻射可固化壓敏黏接劑’其中將 uv可固化單體組份或募聚物組份摻合至壓敏黏接劑中； 及其類似者。此外’在將熱可膨脹壓敏黏接劑用作壓敏黏 接劑之狀況下，可提及含有壓敏黏接劑及發泡劑（尤其 地’熱可膨脹微球）之熱可膨脹壓敏黏接劑及其類似者作 為熱可膨脹壓敏黏接劑。 在本發明中，壓敏黏接層可含有在不削弱本發明之優點 之範圍内的各種添加劑（例如，增黏性樹脂、著色試劑、 增稠劑、增量劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化 劑、界面活性劑、交聯劑等）。 交聯劑並不特定地限制且可使用已知交聯劑。具體而 言，作為交聯劑，不僅可提及基於異氰酸酯之交聯劑、基 於環氧基之交聯劑、基於三聚氰胺之交聯劑及基於過氧化 物之交聯劑’而且可提及基於脲之交聯劑、基於金屬醇鹽 之交聯劑、基於金屬螯合物之交聯劑、基於金屬鹽之交聯 劑、基於碳化二亞胺之交聯劑、基於噁唑啉之交聯劑、基 於氮丙啶之交聯劑、基於胺之交聯劑及其類似者且基於 異氰酸酯之交聯劑及基於環氧基之交聯劑為合適的。基於 異氰酸酯之交聯劑及基於環氧基之交聯劑之具體實例包括 在關於有色晶圓背面保護膜之段落中所具體地例示的化合 物（具體實例）。交聯劑可單一地或以兩個或兩個以上種^ 之組合使用。順便提及，交聯劑之量並不特定地限制。 在本發明中，替代於交聯劑之使用或連同交聯劑之使 用’藉由使用電子束或紫外光之照射執行交聯處理亦為可 146125.doc •34- 201036052 能的。 壓敏黏接層可（例如）藉由利用包括以下步驟之常用方法 形成··混合塵敏黏接劑與可選溶劑及其他添加劑，且接著 使混合物成形為一片狀層。具體而言，屬敏黏接層可(例 如）藉由以下方法形成··包括將含有塵敏黏接劑與可選溶 劑及其他添加劑之混合物塗覆於基底材料上之方法，包括 將上文提及之混合物塗覆於適當隔離物（諸如’剝離型紙） ❹ 〇
上以形成壓敏黏接層且接著將其轉移（轉錄）於基底材料上 之方法，或類似方法D 壓敏黏接層之厚度並不特定地限制，且（例如）為約5 _ 至鳩Pm ’較佳地5 _至8〇 _，且更佳地15 _至％卿。 當壓敏黏接層之厚度在上文提及之範圍内時，可有效地展 現一適當壓敏黏接力。壓敏黏接層可為單一層或多層。 根據本發明，可使切晶帶一體型晶圓背面保護膜具有抗 靜電功能。歸因於此構成’可防止電路歸因於在緊密黏附 (黏附）a夺及在其剝落時靜電能量之產生或歸因於工件（半導 體晶圓等）藉由靜電能量充電而出現故障。抗靜電功能之 、、-'予可藉由一適當方式執行，諸如將抗靜電劑或傳導物質 :加至基底材料、壓敏黏接層’及有色晶圓背面保護膜之 法，或將由電荷轉移錯合物、金属薄膜或其類似者構成 傳V層提供至基底材料上之方法。作為此等方法，具有 ::文I半導體晶圓之品質之擔心的雜質離子難以產生的方 、、為較佳的。為了賦予傳導性、改良導熱性及其類似者之 目的而摻合之傳導物質（傳導填充劑）的實例包括··銀、 146125.doc -35- 201036052 :二：、銅、錄、傳導合金或其類似 狀金屬粉末；諸如氧化片 石墨。然而，古Α μ化物’非晶形碳黑，及 有色晶圓背面保護膜自不温♦ 為非傳導的。 竭自不“之硯點較佳地 在本發明中，切晶帶 或可使用市售產品。 文&及而製備且得以使用， 此外’切晶帶—體型晶时面保護膜可以 同之形式形成，或可以贈、 凡為捲 ▲艾了以4片（溥膜）經層壓之形式形成。舉 胺。纟相具有將其捲繞為捲筒之形式的狀況下，薄 ' :晶贡-體型晶圓背面保護膜根據需要由隔離物保護 下捲繞為捲筒’藉此薄膜可製備為呈將其捲繞為捲 同之狀態或形式的切晶帶—體型晶圓背面保護膜。就此而 f ’呈將其捲繞為捲筒之狀態或形式的切晶帶一體型晶圓 貪面保°蔓膜可藉由基底材料、形成於基底材料之-表面上 之壓敏黏接層、形成於㈣黏接層上之晶圓背面保護膜， 形成於基底材料之另一表面上的經可釋放處理之層（後 表面處理層）構成。 順便提及，切晶帶一體型晶圓背面保護膜之厚度（晶圓 月面保濩膜之厚度及由基底材料及壓敏黏接層構成之切晶 ▼之厚度的總厚度）可為（例如）選自η μιη至3〇〇 μηι之範圍， 且較佳地為15 μηι至200 μηι，且更佳地為2〇 4„1至15〇 μιη。 在切晶帶一體型晶圓背面保護膜中，晶圓背面保護膜之 厚度與切晶帶之壓敏黏接層之厚度的比率並不特定地限 制，但可（例如）適當地選自以下範圍：晶圓背面保護膜之 146125.doc -36 - 201036052 厚度/切晶帶之壓敏黏接層之厚度=150/5至3/100，且較佳 地為100/5至3/50 ,且更佳地為6〇/5至3/4〇。當晶圓背面保 護膜之厚度與切晶帶之壓敏黏接層之厚度的比率在以上範 圍内時，可展現適當壓敏黏接力且可展現卓越切塊性質及 上提（picking-up)性質。 此外，在切晶帶一體型晶圓背面保護膜中，晶圓背面保 濩膜之厚度與切晶帶之厚度（基底材料及壓敏黏接層之總 厚度）的比率並不特定地限制，但可（例如）適當地選自以下 〇 範圍.s曰圓背面保護膜之厚度/切晶帶之厚度=150/50至 3/500，且較佳地為100/5〇至3/3〇〇，且更佳地為6〇/5〇至 3/150。當晶圓背面保護膜之厚度與切晶帶之厚度的比率 在150/50至3/500之範圍内時，上提性質良好且可抑制或防 止切塊時側向殘餘之產生。 如上文，藉由控制晶圓背面保護膜之厚度與切晶帶之壓 敏黏接層之厚度的比率，或晶圓背面保護膜之厚度與切晶 〇 帶之厚度（基底材料及壓敏黏接層之總厚度）的比率，切塊 步驟處之切塊性質、上提步驟處之上提性質及其類似者可 改良，且切晶帶一體型晶圓背面保護膜可有效地自半導體 晶圓之切塊步驟利用至半導體晶片之覆晶結合步驟。 (切晶帶一體型晶圓背面保護膜之製造方法） 描述本發明之切晶帶一體型晶圓背面保護膜之製造方 法，同時使用切晶帶一體型晶圓背面保護膜丨作為一實 例。首先’藉由習知薄膜形成方法形成基底材料3ι。薄膜 形成方法之實例包括麼延（eaIendar)薄膜形成法、有機溶劑 146125.doc •37· 201036052 中之澆鑄法、緊密密封系統中之膨脹擠壓法、τ形模擠壓 法、共擠壓法’及乾式層壓法。 接著，藉由將壓敏黏接組合物塗覆至基底材料3丨上，繼 之以乾燥（根據需要藉由在加熱下交聯）而形成壓敏黏接層 3 2。塗覆方法之實例包括滾塗法、網版塗布及凹版塗布。 就此而論，可直接執行壓敏黏接組合物至基底材料3丨上之 塗覆以在基底材料3 1上形成壓敏黏接層32，或可將壓敏黏 接組合物塗覆至剝離型紙或表面已經受可釋放處理之其類 似者上以形成壓敏層’接著將壓敏層轉移至基底材料3 i上 以在基底材料31上形成壓敏黏接層32。因此，藉由在基底 材料31上形成壓敏黏接層32而製備切晶帶3。 另一方面，藉由將用於形成有色晶圓背面保護膜2之形 成材料塗覆至剝離型紙上以便在乾燥之後具有規定厚度， 且在規定條件下進一步乾燥（在熱固化為必要的狀況下， 根據需要執行加熱處理及乾燥），形成塗布層。藉由將塗 布層轉移至壓敏黏接層32上，使有色晶圓背面保護膜2形 成於壓敏黏接層32上。就此而論，晶圓背面保護膜2亦可 藉由將用於形成有色晶圓背面保護膜2之形成材料直接塗 覆至壓敏黏接層32上，繼之以在規定條件下乾燥（在熱固 化為必要的狀況下，根據需要執行加熱處理及乾燥），而 :成於壓敏黏接層32上。因此’可獲得根據本發明之切晶 帶一體型晶圓背面保護膜丨。順便提及，在於有色晶圓背 面保護犋2之形成時執行熱固化之狀況下，執行熱固化至 使得達成部分固化之程度為重要的，但較佳地不執行熱固 146l25.doc -38 - 201036052 化。 本發明之切晶帶一體型晶圓背面保護膜可適用於包括覆 晶結合步驟之半導體器件的製造。即，本發明之切晶帶一 體型晶圓背面保護膜用於覆晶安裝半導體器件之製造，且 自此在切晶帶-體型晶圓背面保護膜之有色晶圓背面保護 膜附著至半導體晶片之背面之條件或形式下製造覆晶安裝 半導體器件。因此，本發明之切晶帶一體型晶圓背面保護 冑可用於覆晶安裝半導體器件（在半導體晶片藉由覆晶結 合方法固定至諸如基板之黏附物的狀態或形式下之半導體 器件）。 a (半導體晶圓） 工件（半導體晶圓）並不特定地限制，只要其為已知或常 用半導體晶圓，且可在由各種材料製成之半導體晶圓當中 適當地選擇且使用。在本發明中，作為半導體晶圓，可合 適地使用石夕晶圓。 ❹ （半導體器件之製造程序） 用於製造本發明之半導體器件之製程並不特定地限制， 只要其為用於使用切晶帶一體型晶圓背面保護膜製造半導 ' 11器件之製程。舉例而言，可提及包括以下步驟之製造程 序及類似製程： 將工件附著至切晶帶一體型晶圓背面保護膜之有色晶圓 背面保護膜上的步驟（安裝步驟）； 將工件切塊以形成晶片狀工件的步驟（切塊步驟” 自切晶帶之壓敏黏接層剝落晶片狀卫件連同有色晶圓背 146125.doc •39- 201036052 面保護膜的步驟（上提步驟）；及 藉由覆晶結合將晶片狀卫件固定絲附物的步驟 結合步驟）。 更具體而言，作為用於製造半導體器件之製程，例如， 半導體器件可在將視情況提供於有色晶㈣面保護膜上之 隔離物適當地剝離之後使用本發明之切晶帶一體型晶圓背 面保護膜製造（如下）。在下文中，參看圖2A至圖2D，描述 該製程，$時使用切晶帶一體型晶圓背面保護膜)作:一 實例。 圖2A至圖2D為展示用於使用本發明之切晶帶—體型晶 圓背面保護膜製造半導體器件之製程的一實施例的橫截： 示意圖。在圖2A至K2D中，4為工件（半導體晶圓）5為晶 片狀工件（半導體晶片），5 i為形成於半導體晶片$之電路面 處之凸塊，6為黏附物，61為黏附至黏附物6之連接概墊的 用於接合之傳導材料，且卜2、3、31及32分別為切晶帶 體型曰曰圓背面保護膜、有色晶圓背面保護膜、切晶帶、 基底材料’及壓敏黏接層，如上文所提及。 (安裝步驟） 、先如圖2A中所示，將半導體晶圓（工件）4附著（按壓 結合）至切晶帶一體型晶圓背面保護膜丄中之有色晶圓背面 保護膜2上，以藉由緊密黏附及固持而固定半導體晶圓（安 裝步驟）。通常在使用諸如壓輥之按壓構件按壓之同時執 行本步驟。 (切塊步驟） 146125.doc •40· 201036052 接著，如圖2B中所示，將半導體晶圓4切塊。因此，將 半導體晶圓4切割成規定大小且個別化（形成為小片）以製造 半導體晶片(晶片狀工件)5。舉例而言，根據正常方法自半 導體晶圓4之電路面側執行切塊。此外，本步驟可採用（例 如）稱為全切之切割方法，其形成到達切晶帶—體型晶圓 背面保護膜1之切口。在本發明中，在切塊步驟中全切（完 全地切割）工件為重要的 在此場合，將工件連同有色晶
圓背面保護膜-起切塊同時完全地切财色晶时面保護 膜為重要的…本步驟為藉由將工件連同有色晶圓背面 保護臈—起切塊而形成晶片狀卫件的步驟為重要的。就此 ^在工件連同有色晶圓背面保護膜一起切塊時可以 :不幵v成於切晶帶上之形式或以切口至少部分地形成之 形式（較佳地部分地使得切晶帶未切割）執行該切塊。在本 步驟中所使用之切塊裝置並不特定地限制，且可使用習知 置此外由於半導體晶圓4藉由切晶帶—體型晶圓昔 面保護⑴黏附且固定，故可抑制晶片破裂及晶片飛：： =及亦可抑制半導體晶圓之損壞。就此而論，當有色晶圓 月面保4膜2由含有環氧樹脂之樹脂組合物形成時，抑制 或防止在切割表面處自有色晶圓背面保護膜之黏捿劑擠壓 之產生(甚至在其藉由切塊切割時)。結果，可抑制或防止 :刀割表面自身之再附著(結塊)，且由此，而且可方便地執 行待在下文提及之上提。 在切晶帶-體型晶圓背面保護膜膨脹之狀況下，胺脹可 使用習知膨脹裝置執行。膨脹裝置具有能夠向下推切晶帶 146125.doc 201036052 卜回#面保護膜穿過切塊環之圓環狀外環及 Γ:且支標切晶帶一體型晶圓背面保護膜的内 衣I因於膨脹步驟，有可能防止鄰近半導體晶片在待於 下文提及之上提㈣巾經由彼此接_造成之損壞。 (上提步驟） ^圖2C中所示而執行半導體晶片5之上提，以自切晶帶3 剝落半導體晶片5連同有色晶圓背面保護膜2，以便收集黏 附且固定至切曰曰帶一體型晶圓背面保護膜】之半導體晶片 5。上提之方法並不特定地限制，且可採用習知的各種方 法。舉例而言’可提及包括使用一針自切晶帶一體型晶圓 背面保護膜1之基底材料31側上推每一半導體晶片5且使用 一上提裝置上提經推出之半導體晶片5的方法。就此而 〇W 、纟二上提之半導體晶片5由在背面（亦被稱為非電路面、 非電極形成面等）之有色晶圓背面保護膜2保護。 (覆晶結合步驟） 藉由覆晶結合方法（覆晶安裝方法）將經上提之半導體晶 片5固定至諸如基底材料之黏附物。具體而言，半導體晶 月5根據一常用方式以半導體晶片5之電路面（亦被稱為正 面、電路圖案形成面、電極形成面等）與黏附物6相對之形 式固定至黏附物6。舉例而言，使形成於半導體晶片5之電 路面處之凸塊5 1與附著至黏附物6之連接襯墊的傳導材料 61(諸如’焊料）接觸，且使該傳導材料在按壓下熔融，藉 此可保證半導體晶片5與黏附物6之間的電連接，且半導體 晶片5可固定至黏附物6。就此而論，在半導體晶片5固定 146125.doc -42- 201036052 至黏附物6時，提前清洗半導體晶片‘5及黏附物6之相對面 及間隙且接著將囊封材料（諸如，囊封樹脂）填充至間隙中 為重要的。 作為黏附物，可使用諸如引線框架及電路板（諸如，佈 線電路板）之各種基板。基板之材料並不特定地限制，且 可提及陶瓷基板及塑膠基板。塑膠基板之實例包括環氧基 板、雙順丁烯二醯亞胺三嗪基板及聚醯亞胺基板。 Ο
在覆晶結合中，凸塊及傳導材料之材料並不特定地限 制’且其實例包括焊料（合金）’諸如基於錫-錯之金屬材 料、基於錫-銀之金屬材料、基於錫_銀_銅之金屬材料、基 於錫-鋅之金屬材料，及基於錫_鋅_鉍之金属材料；以及基 於金之金屬材料及基於銅之金屬材料。 順便提及’在本步射，使料材料㈣以連接在半導 體晶片5之電路面處之凸塊與黏附物6之表面上的傳導材 料。傳導材料熔融時之溫度通常為約260。。(例如，25(rc 至3〇〇°C)。可藉由㈣環氧樹脂或其類似物形成晶圓背面 保護膜，而使本發明之切晶帶一體型晶圓背面保護膜具有 能夠忍受在覆晶結合步驟中之高溫的耐熱性。 此外，待在清洗覆晶結合中之半導體晶片5與黏附㈣之 間的相對面(電極形成面)及間隙時使用之洗液並益特定地 限制，且該液體可為有機洗液或可為含水洗^本發明之 切晶帶-體型晶圓背面保護膜中之有色晶圓背面保護膜具 有對㈣液之耐溶劑性’且實f上不具有對此等洗液之溶 解性。因此’如上文提及’可使用各種洗液作為該洗液， 146125.doc -43· 201036052 且〉月洗可藉由任何習知 在本發明中，待在^法達成而無需任何特殊洗液。 β I 體晶片5與黏附物6之間的間隙之 封材料並無特定地限制，只要該材料為具 月匕之已α (絕緣樹腊）即可，且其可在諸如囊封樹 當中合適地選擇且使用。囊封樹脂較佳 之絕緣樹脂。囊封樹脂之實例包括含有環氧樹 :樹脂組合物。關於環氧樹脂，可提及在上文中所例示 之％氧樹脂。此外，出人女 由3有％氧树脂之樹脂組合物構成之 囊封樹脂可含有除環氧樹脂外之熱固性樹脂(諸如，紛樹 脂），或除了環氧樹脂之外亦含有熱塑性樹脂。順便提 及’可利用紛樹脂作為用於環氧樹脂之固化劑且關於此 紛樹脂’可提及在上&中㈣示之齡樹脂。 在使用囊封樹脂之囊封步驟中，囊封樹脂通常藉由加熱 而固化以達成囊封。在許多狀況下，囊封樹脂之固化通常 在175°C下執行歷時60秒至9〇秒。然而，在本發明中，並 非限於此，例如，固化可在165它至185。(：之溫度下執行歷 時右干刀4里在有色晶圓背面保護膜由含有熱固性樹脂之 樹脂組合物形成之狀況下，構成有色晶圓背面保護膜之熱 固性樹脂可在囊封樹脂之固化時完全或幾乎完全固化。 半導體晶片5與黏附物6之間的間隙之距離一般為約3〇 μιη 至 300 μιη。 在使用本發明之切晶帶一體型晶圓背面保護膜所製造之 半導體器件（覆晶安裝半導體器件）中，由於有色晶圓背面 保護膜附著於晶片狀工件之背面上，故可以卓越能見度施 146125.doc -44- 201036052 Ο
加各種標記。特定言之，甚至當標記方法為雷射標記方法 時，仍可以卓越對比率施加標記，且由此有可能以良好能 見度觀測由雷射標記所應用之各種種類的資訊（文字資 訊、圖形資訊等）。在雷射標記時，可利用已知雷射標記 裝置。此外，作為雷射，有可能利用諸如氣體雷射、固態 雷射及液體雷射之各種雷射。具體而言，作為氣體雷射: 可在無特定限制之情況下利則壬何已知a體詩，但二氧 化碳雷射（c〇2雷射）及準分子雷射（ArF雷射、KrF雷射、 XeCl雷射、XeF雷射等）為合適的。作為固態雷射，可在盈 特定限制之情況下制任何已知固態雷射，但yag雷射 (諸如，Nd:YAG雷射）及YV〇4雷射為合適的。 田於使用本發 y/j bh f 之 一二1示墁膜所製造 覆晶安裝半導難件為藉由覆晶安裝方法安裝之半導體 器件，故該器件與藉由晶粒結合安裝方法安裝之半導體器 件相比具有薄化及小型化的形狀。因&，可合適地使用覆 晶安裝半㈣料作為各種電子料及電子料或其材料 及部件。具體而言’作為利用本發明之覆晶安裝半導體器 牛之電子态件’可提及所謂的「行動電話」及「p 、 Z電腦[所謂的「舰」（掌上型終端機）、所謂的「“ ^電腦」、所謂的「NetBGQk(商榡）」，及所謂的「可 ^t^WaMe C〇mpUter)j 电腩整合之形式的小型電子器件、 Π:標I、所謂的「數位視訊相機二I電視: 土趨戲機、小型數位音郊嬙妨 ㈢Λ播放機、所謂的「電子記事 146l25.doc •45· 201036052 薄」、所謂的「電子字典」、用於所謂的「電子書」之電子 :件終端機、諸如小型數位型錶之行動電子 電子器件），及其類似者。不必說，亦可提及不同於行^ 盗件之電子器件(固定型器件等），例如，所謂的「桌上型 個人電腦」、薄型電視機、用於記錄及重現之電子器件（硬 碟錄音機、DVD播放機等)、投影儀、微型機器，及其類 似者另外’電子零件或用於電子器件及電子零件之材料 及部件並不特定地限制，且其實例包括用於所謂的 「CPU」之零件及用於各種記憶體器件（所謂的「記憶 體」、硬碟等）之部件。 實例 以下將詳細地說明性地描述本發明之較佳實例。然而， 在此等實例中描述之材料、混合量及其類似者並不意欲將 本發明之範疇限於僅彼等，除非另外規定，且其僅為解釋 性實例。此外，每一實例中之份為重量標準，除非另外規 定。 實例1 <有色晶圓背面保護膜之製造> 將以具有丙烯酸乙酯及甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的 基於丙烯酸酯之聚合物（商標名厂PARACR0N w_ 197CM」’由 Negami Chemical Industrial Co·, Ltd.製造）之 100份計，113份環氧樹脂（商標名「EPICOAT 1〇〇4」，由 JER Co.，Ltd.製造）、121份盼樹脂（商標名「milex XLC. 4L」，由Mitsui Chemicals，Inc.製造）、246份球形石夕石（商 146125.doc -46· 201036052 標名「SO-25R」，由Admatechs Co.，Ltd·製造，平均粒子 直徑·· 0.5 μιη)、5份染料1(商標名「OIL GREEN 502」，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.製造），及 5份染料 2(商 標名「OIL BLACK BS」，由 Orient Chemical Industries Co., Ltd.製造）溶解至甲基乙基酮中，以製備具有23.6重量 %之固體濃度的樹脂組合物溶液。 將該樹脂組合物溶液塗覆至由具有厚度50 μπι之聚對苯 二曱酸伸乙酯薄膜構成的作為可釋放襯套（隔離物）之經可 釋放處理的薄膜（其已經受聚矽氧釋放處理）上，且接著在 130°C下乾燥歷時2分鐘以製造具有厚度（平均厚度）20 μηι 之有色晶圓背面保護膜A。 <切晶帶一體型晶圓背面保護膜之製造> 使用手用捲筒將上文之有色晶圓背面保護膜A附著於切 晶帶（商標名「V-8-T」，由 Nitto Denko Corporation製造； 基底材料之平均厚度：65 μιη，壓敏黏接層之平均厚度： 10 μιη)之壓敏黏接層上，以製造切晶帶一體型晶圓背面保 護膜。 實例2 <有色晶圓背面保護膜之製造> 將以具有丙烯酸乙酯及曱基丙烯酸甲酯作為主要組分的 基於丙烯酸酯之聚合物（商標名 「PARACRON W-197CM」，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.製造）之 100份計，113份環氧樹脂（商標名「EPICOAT 1004」，由 JER Co.，Ltd.製造）、121份酚樹脂（商標名「MILEX XLC- 146125.doc -47- 201036052 4L」，由Mitsui Chemicals, Inc.製造）、246份球形石夕石（商 標名「SO-25R」，由Admatechs Co., Ltd.製造，平均粒子 直徑：0.5 μηι)、10份染料1(商標名「OIL GREEN 502」， 由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.製造），及 10份染料 2(商標名「OIL BLACK BS」，由 Orient Chemical Industries Co·, Ltd.製造）溶解至曱基乙基酮中，以製備具有23.6重量 %之固體濃度的樹脂組合物溶液。 將該樹脂組合物溶液塗覆至由具有厚度50 μηι之聚對苯 二曱酸伸乙酯薄膜構成的作為可釋放襯套（隔離物）之經可 釋放處理之薄膜（其已經受聚矽氧釋放處理）上，且接著在 130°C下乾燥歷時2分鐘以製造具有厚度（平均厚度）20 μπι 之有色晶圓背面保護膜Β。 <切晶帶一體型晶圓背面保護膜之製造> 使用手用捲筒將上文之有色晶圓背面保護膜Β附著於切 晶帶（商標名「V-8-T」，由 Nitto Denko Corporation製造； 基底材料之平均厚度：65 μπι，壓敏黏接層之平均厚度： 1 0 μηι)之壓敏黏接層上，以製造切晶帶一體型晶圓背面保 護膜。 實例3 <有色晶圓背面保護膜之製造> 將以具有丙烯酸乙酯及曱基丙烯酸甲酯作為主要組分的 基於丙烯酸酯之聚合物（商標名 「PARACRON W-197CM」，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.製造）之 100份計，32份環氧樹脂（商標名「EPICOAT 1004」，由 146125.doc -48- 201036052 JER Co·，Ltd.製造）、35份酚樹脂（商標名「MILEX XLC-4L」，由Mitsui Chemicals, Inc.製造）、90份球形石夕石（商標 名「SO-25R」，由Admatechs Co., Ltd.製造，平均粒子直 徑：0.5 μιη)、3份染料1(商標名「OIL GREEN 502」，由 Orient Chemical Industries Co., Ltd·製造），及3份染料2(商 標名「OIL BLACK BS」，由 Orient Chemical Industries Co., Ltd.製造）溶解至曱基乙基酮中，以製備具有23.6重量 %之固體濃度的樹脂組合物溶液。 將該樹脂組合物溶液塗覆至由具有厚度50 μιη之聚對苯 二甲酸伸乙酯薄膜構成的作為可釋放襯套（隔離物）之經釋 放處理之薄膜（其已經受聚矽氧釋放處理）上，且接著在 130°C下乾燥歷時2分鐘以製造具有厚度（平均厚度）20 μιη 之有色晶圓背面保護膜C。 <切晶帶一體型晶圓背面保護膜之製造> 使用手用捲筒將上文之有色晶圓背面保護膜C附著於切 晶帶（商標名「V-8-T」，由 Nitto Denko Corporation製造； 基底材料之平均厚度：65 μιη，壓敏黏接層之平均厚度： 1 0 μηι)之壓敏黏接層上，以製造切晶帶一體型晶圓背面保 護膜。 順便提及，在根據實例1至3之切晶帶一體型晶圓背面保 護膜中，有色晶圓背面保護膜之厚度（平均厚度）為20 μιη。此外，關於切晶帶（商標名「V-8-Τ」，由Nitto Denko 匸〇印〇^1;丨〇11製造），基底材料之厚度（平均厚度）為65 4111， 壓敏黏接層之厚度（平均厚度）為10 μιη，且總厚度為75 146125.doc • 49· 201036052 _。因此’在根據實例】至3之切晶帶一體型晶圓背面保 、有色S曰圓寺面保護膜之厚度與切晶帶之壓敏黏接 ^之厚度的比率（有色晶圓背面保護膜之厚度/切晶帶之麼 :黏接層之厚度；平均厚度之比率)為20/10，且有色晶圓 、蔓膜之厚度與切晶帶之厚度（基底材料及壓敏黏接 層之總厚度）的比率（有色晶圓背面保護膜之厚度/切晶帶之 厚度；平均厚度之比率）為20/75。 (°平估1 .晶圓背面保護膜之物理性質之量測） 胃；實例1至3中所製造之切晶帶—體型晶圓背面保護膜 曰曰圓月面保護膜（有色晶圓背面保護膜），量測可見光 透射率（％)、濕氣吸收率（重量％)及重量減少率（重量％)。 量測之結果展示於表1中。 <可見光透射率之量測方法> 使用商‘名「ABS〇rpti〇n SpECTR〇 photometer」 (由Shimadzu Corporation製造）以在規定強度下具有4〇〇 nm 至8〇〇 nm之波長的可見光照射實例1至3中所製造之有色晶 圓背面保護膜中之每一者（有色晶圓背面保護膜A至c)(厚 度.20 μπι)，且量測經透射之可見光的強度。自在穿過有 色晶圓背面保護膜之前及之後的可見光之強度改變，判定 可見光透射率（。/0)。 <濕氣吸收率之量測方法> 使實例1至3中所製造之有色晶圓背面保護膜中之每一者 (有色晶圓背面保護膜Α至C)在溫度為85。(：及濕度為85% RH 的怪溫且恆濕之腔室中靜置歷時168個小時。自在靜置之 146125.doc -50- 201036052 剷及之後的重1改變，判定濕、氣吸收率（重量％)。 <重量減少率之量測方法> 使實例1至3中所製造之有色晶圓背面保護膜中之每一者 (有色晶圓背面保護膜A至C)在25(rc下在乾燥機中靜置歷 時1個小時。自在靜置之前及之後的重量改變（重量減少 量），判定重量減少率（重量。/。）。 (評估2) 此外，在實例1至3中所製造之切晶帶一體型晶圓背面保 護膜上，藉由以下評估或量測方法評估或量測有色晶圓背 面保護膜之彈性模數，晶圓背面之切塊性質、上提性質、 覆晶結合性質、標記性質，及晶圓背面之外觀性質。評估 或量測之結果一起描述於表2中。 <有色晶圓背面保護膜之彈性模數之量測方法> 有色晶圓背面保護膜之彈性模數藉由以下步驟判定：製 備有色晶圓背面保護膜而不層壓至切晶帶上，且使用由 ◎ Rheometrics Co· Ltd.製造之動態黏彈性量測裝置「固體樣 本刀析儀RS A2(Solid Analyzer RS A2)」，在規定溫产下 (23 C )，在氮氣氣氛下，量測在1 〇 mm之樣本寬度、5 mm之樣本長度、0.2 mm之樣本厚度、1 Hz之頻率及1〇t/ 分鐘之溫度上升率之條件下的拉伸模式中的彈性模數，且 將其視為所獲得之拉伸儲存彈性模數£，之值。 <切塊性質/上提性質之評估方法> 使用實例1至3之切晶帶一體型晶圓背面保護膜中之每一 者藉由貝際上將半導體晶圓切塊而評估切塊性質，且接 146125.doc 51 201036052 著評估剝落能力，將每一評估視為對切晶帶一體型晶圓背 面保護膜之切塊效能或上提效能的評估。 使半導體晶圓（直徑：851寸，厚度：0 · 6 mm ;石夕鏡面晶 圓）經受背面拋光處理，且將具有0.2 mm之厚度之鏡面晶 圓用作工件。在自切晶帶一體型晶圓背面保護膜剝落隔離 物之後，藉由在7〇。(：下輥壓結合而將鏡面晶圓（工件）附著 至有色晶圓背面保護膜上，且進一步執行切塊。本文中’ 將切塊執行為全切以便得到1 〇 mm正方形之晶片大小。就 此而論，用於半導體晶圓研磨之條件、附著條件及切塊條 件係如下。 (用於半導體晶圓研磨之條件） 研磨裝置：商標名「DFG-8560」，由DISCO Corporation製造 半導體晶圓：8σ寸直徑（研磨背面以便自0.6 mm之厚度直裏 0.2 mm之厚度） (附著條件） 附著裝置：商標名「MA-3000II」’由Nitto Seiki Co·，Ltd.製造
附著速度：10 mm/min 附著壓力：0·15 MPa 在附著時之級溫度：70°C (切塊條件） 切塊裝置：商標名「DFD-6361」，由DISCO Corporation製造 切塊環：「2-8-1」（由 DISCO Corporation製造） 切塊速度·· 30 mm/sec 切塊刀： 146125.doc • 52- 201036052
Zl ;「203O-SE 27HCDD」，由 DISCO Corporation製造 Z2 ;「203O-SE 27HCBB」，由 DISCO Corporation製造 切塊刀旋轉速度：
Zl ； 40,000 r/min Z2 ； 45,000 r/min 切割方法：階梯切割 晶圓晶片大小：1 0.0 mm正方形 在切塊中，確認鏡面晶圓（工件）是否在不剝落之情況下 〇 穩固地固持於切晶帶一體型晶圓背面保護膜上以令人滿意 地實現切塊。將切塊良好地執行之狀況分級為「良好」， 且將切塊未良好地執行之狀況分級為「不良」，由此評估 切塊能力。 接著，藉由使用一針自切晶帶一體型晶圓背面保護膜之 切晶帶側上推工件而將藉由切塊所獲得之晶片狀工件連同 有色晶圓背面保護膜自切晶帶之麼敏黏接層剝洛*精此上 提在背面已使用有色晶圓背面保護膜保護之狀態下的晶片 ❹ 狀工件。判定在此場合之晶片（總共400片）之上提率（％)以 評估上提性質。因此，當上提率更接近100%時，上提性 - 質更好。 , 此處，上提條件係如下。 (用於半導體晶圓之上提條件） 上提裝置：商標名「SPA-300」，由Shinkawa Co·, Ltd·製造 上提針之數目：9個針 針之上推速度：20 mm/s 146125.doc -53- 201036052 針之上推距離：500 μηι 上提時間：1秒 切晶帶膨脹量：3 mm 〈用於覆晶結合性質之評估方法> 〇 在藉由上文提及之使用根據實例中之每一者之切晶帶一 體型晶圓背面保護膜的 <切塊性質/上提性質之評估方法〉 所獲得的根據每一實例之晶片狀工件上，使形成於晶片狀 工件之電路面處之凸塊以晶片狀工件之表面（電路面）與電 路板的擁有對應於電路面之佈線之表面相對的形式與附著 至電路板之連接襯墊的傳導材料（烊料）接觸，且使傳導材 料藉由將溫度升高至260〇C在壓力下熔融，且接著冷卻至 室溫，藉此使晶片狀工件固定至電路板以製造半導體器 件。根據以下評估標準評估在此場合之覆晶結合性質。 (用於覆晶結合性質之評估標準） 好：可輕易地藉由覆晶結合方法達成安裝； 差’不3b藉由覆晶結合方法達成安裝。
Q <用於晶圓背面之標記性質之評估方法> 將雷射標記施加於藉由上文提及之 <用於覆晶結合性質 之評估方法 >所獲得之半導體器件中的晶片狀工件之背面 (亦即，有色晶圓背面保護膜之正面）上。關於藉由雷射標 。己所獲得之寊訊（條碼資訊），根據以下評估標準評估使用 根據每一實例之切晶帶一體型晶圓背面保護膜所獲得的半 導體器件之雷射標記能力。 (用於雷射標記能力之評估標準） 146125.doc •54- 201036052 好.在隨機選擇之10個成人當中，判斷藉由雷射標記所獲 得之資訊令人滿意地可見的人之數目為8人或8人以上； 差：在隨機選擇之10個成人當中’判斷藉由雷射標記所獲 得之資訊令人滿意地可見的人之數目為7人或7人以下。 <用於晶圓背面之外觀性質之評估方法〉 在藉由上文提及之使用根據每一實例之切晶帶—體型曰 圓背面保護膜的 <切塊性質/上提性質之評 乃法 >所獲得
的根據每一實例之晶片狀工件上，根據以下評估梗準在 覺上評估晶片狀工件之背面的外觀性質。 (用於外觀性質之評估標準） 好：在晶圓（矽晶圓）之背面與晶片 面保護膜之間觀測不到剝落（提昇） 狀工件中之有&曰 J匕曰日 圓背 差·在晶圓（矽晶圓）之背面與晶片 面保護膜之間觀測到剝落（提昇）。 狀工件中之有色 圓背 表1
實例1 實例2 實例3 晶圓背面保護膜 可見光透芬ί (%) 有色晶圓背面保譁膜A 有色晶圓背面保護膜Β 有色晶圓背面保譆腺Γ.
實例1 拉伸儲存 彈性模數Ε (23°〇 3GPa ' 切塊 性質 JtZ. -上提 性質 覆晶結合 性質 實例2 3GPa 良好 1UU% 100% 良好 良if 貫例3 1 GPa [Too% 良好
146125.doc -55· 201036052 自表2，確認根據實例丨至3 護膜以卓越等級擁有作 曰曰一體型晶圓背面保 護膜之功能。#心^日帶之㈣及作為晶圓背面保 由於切晶帶及晶圓背面保護 之切晶帶-體型晶圓背面伴護膜中方“成於本發明 牙甶保濩膜中，以及晶圓背面保謹膜 經者色，故切晶帶一體型晶圓背面保護膜可自半導體：圓 之切塊步驟利用至半導體晶片之覆晶結合步驟。即，：發 !=帶一體型晶圓背面保護膜可合適地用作在藉由覆 曰曰結合方法之半導體器件的製造時擁有切晶帶及晶圓背面 保護膜之雙重功能的切晶帶—體型晶圓背面保護膜。 儘管已詳細地並參考本發明之具體實施例描述了本發 明’但熟習此項技術者將顯而易見’可在不脫離本發明之 範之情況下在其中進行各種改變及修改。 本申請案係基於2009年1月30曰申請之曰本專利申請案 第2009-020460號及2009年10月3〇日申請之日本專利申請 案第2009-251125號，該等申請案之全部内容特此以引用 的方式併入。 此外’本文中所引用之所有參考案之全文併入。 【圖式簡單說明】 圖1為展示本發明之切晶帶一體型晶圓背面保護膜之一 實施例的橫截面示意圖；及 圖2A至圖2D為展示用於使用本發明之切晶帶一體型晶 圓背面保護膜製造半導體器件之製程的一實施例的橫截面 示意圖。 146125.doc -56- 201036052 【主要元件符號說明】 1 切晶帶一體型晶圓背面保護膜 2 有色晶圓背面保護膜 3 切晶帶 4 半導體晶圓（工件） 5 半導體晶片（晶片狀工件） 6 黏附物 31 基底材料 Ο 32 壓敏黏接層 51 形成於半導體晶片5之電路面處之凸塊 61 黏附至黏附物6之連接襯墊的用於接合之傳導材料
146125.doc -57-

Claims (1)

  1. 201036052 七、申請專利範圍： 1· 一種切晶帶一體型晶圓背面保護膜，其包含： 一切晶帶’其包含一基底材料及一形成於該基底材料 上之壓敏黏接層；及 一晶圓背面保護膜，其形成於該切晶帶之該壓敏黏接 層上， 其中該晶圓背面保護膜經著色。 2. 如清求項1之切晶帶一體型晶圓背面保護膜’其中該有 色晶圓背面保護獏具有雷射標記能力。 3. 如清求項1之切晶帶一體型晶圓背面保護膜，其係用於 一覆晶安裝半導體器件。 4. 一種使用一切晶帶一體型晶圓背面保護膜製造一半導體 器件之方法，該方法包含以下步驟： 將工件附著至如請求項1之切晶帶一體型晶圓背面 保護膜之該有色晶圓背面保護膜上， 將該工件切塊以形成一晶片狀工件， 將該晶片狀工件連同該有色晶圓背面保護膜一起自該 切晶帶之該壓敏黏接層剝落，及 藉由覆晶結合將該晶片狀工件固定至一黏附物。 5· 一種覆晶安裝半導體器件，其係使用如請求項i之切晶 帶-體型晶圓背面保護膜製造，該半導體器件包含一晶 片狀工件，且該切晶帶一體型晶圓背面保護膜之該晶圓 背面保護膜係附著至該晶片狀工件之一背面。 146125.doc
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