TW201031258A - Light emitting device and electronic device - Google Patents

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TW201031258A TW098144795A TW98144795A TW201031258A TW 201031258 A TW201031258 A TW 201031258A TW 098144795 A TW098144795 A TW 098144795A TW 98144795 A TW98144795 A TW 98144795A TW 201031258 A TW201031258 A TW 201031258A
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Masahiro Katayama
Shingo Eguchi
Yoshiaki Oikawa
Ami Nakamura
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Kaoru Hatano
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Semiconductor Energy Lab
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201031258 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 . 本發明相關於具有使用電致發光之發光元件的發光裝 置。此外，本發明相關於在其上方將該等發光裝置載置爲 一組件的電子裝置。 【先前技術】 ❹ 近年’薄型平面顯不裝置已需求爲電視機、行動電話 、數位相機等的顯示裝置，且當該等顯示裝置滿足此需求 時，使用自發光元件的顯示裝置已引起關注。該等自發光 元件之一者係使用電致發光（EL)的發光元件，且此發光元 件包括插於一對電極之間的發光材料，並能藉由施用電壓 ' 而自該發光材料提供光發射。 針對此種自發射發光元件，像素可見度比液晶顯示的 像素可見度高，具有，例如，無需背光之優點，且此等自 • 發光元件適於使用爲平板顯示元件。此外，此種自發光元 件具有可減少厚度及反應速度極高的特性。 當該等發光裝置的市場膨脹時，在將產品小型化時使 . 裝置成爲較薄形狀係重要的，且該薄化技術及該小型化產 品的應用範圍迅速地散佈。例如，在專利文件1中，提出 使用分離及轉移技術的可撓電致發光裝置。 [參考文件] 專利文件1 :日本已公告專利申請案案號第2003 -174153 號。 201031258 【發明內容】 本發明之一實施例的目的係提供可薄化之高度可靠的 . 發光裝置。另外，本發明之一實施例的另一目的係以高良 率製造在其中將一發光元件設置在一可撓基材上方的發光 «-f- aa 裝置。 本發明之一實施例係包括可撓基材、形成在該可撓基 材上方的發光元件、以及覆蓋該發光元件之樹脂膜的發光 @ 裝置。此外’該發光元件至少包括一第一電極、一絕緣層 ’覆蓋該第一電極之一終端部並具有一凸部、一 EL層， 與該第一電極接觸、以及一第二電極，與該EL層接觸， 且該凸部嵌入在覆蓋該發光元件的該樹脂膜中。亦即，該 樹脂膜覆蓋該絕緣層之一全部表面及該第二電極的一全部 - 表面。 本發明之一實施例係包括第一可撓基材、形成在該第 一可撓基材上方的該發光元件、覆蓋該發光元件之樹脂膜 @ 、以及形成在該樹脂膜上方之第二可撓基材的發光裝置。 此外’該發光元件至少包括一第一電極、一絕緣層，覆蓋 該第一電極之一終端部並具有一凸部、一EL層，與該第 . 一電極接觸、以及一第二電極，與該EL層接觸，且該凸 部嵌入在覆蓋該發光元件的該樹脂膜中。亦即，該樹脂膜 覆蓋該絕緣層之一全部表面及該第二電極的一全部表面。 本發明之一實施例係包括第一可撓基材、形成在該第 一可撓基材上方的發光元件、覆蓋該發光元件之樹脂膜、 -6 - 201031258 以及形成在該樹脂膜上方之第二可撓基材的發光裝置。此 外’該發光元件至少包括一第一電極、一第一絕緣層，覆 . 蓋該第一電極的一終端部、一第二絕緣層，其與該第一絕 緣層接觸且其與該第一絕緣層的接觸區域小於該第一絕緣 層之一頂區域、一 EL層，與該第一電極接觸、以及一第 —電極’與該EL·層接觸’且該第二絕緣層嵌入在覆蓋該 發光元件的該樹脂膜中。亦即，該樹脂膜覆蓋該第二絕緣 層之一全部表面及該第一電極的一全部表面。 在本發明之任一上述實施例的該發光元件中，該第一 基材及該第二基材之一者或二者結構爲其中一纖維體係以 一有機樹脂浸漬。 須注意在此說明書中，術語「發光元件」包括其亮度 ' 係以電流或電壓控制的元件，並具體地包括無機電致發光 (EL)元件、有機EL元件等。 揭示於此說明書中的該發光元件可能係被動矩陣發光 φ 裝置或主動矩陣發光裝置之任一者。 此外，在此說明書中的該發光裝置包括影像顯示裝置 、發光裝置、及光源（包括照明裝置）。另外，該發光裝置 , 包括所有類型的模組，諸如在其中將連接器，諸如FPC( 可撓印刷電路）、TAB(捲帶式自動接合）捲帶、TCP(帶載式 封裝），附接至面板的模組；具有印刷線路板設置在其終 端之TAB捲帶或TCP的模組；以及具有藉由COG(晶粒玻 璃接合）法將1C(積體電路）直接載置在發光裝置上的模組 201031258 須注意使用於本文中之該等術語的程度，諸如「相同 」、「等於」、「實質相同」、「大約」、以及「近似」 ，意指該術語的合理偏差量，使得最後結果不會顯著地改 . 變。若此偏差不會否定其所修改之該字的意義，此等術語 的程度應解釋爲至少包括該術語之±5 %的偏差。 須注意此說明書中的該等有序數字，諸如「第一」及 「第二」，係爲了方便而使用，並不代表步驟之順序或層 的堆疊順序。此外，此說明書中的該等有序數字並不表示 @ 說明此發明的特定名稱。 根據本發明之一實施例，可提供具有高可靠性並受薄 化之發光裝置。此外，根據本發明之一實施例，也可在發 光裝置之製程中防止形狀或特徵的缺陷，從而可用高良率 製造發光裝置。 · 【實施方式】
在下文中’將參考該等隨附圖式詳細描述本發明之實 G 施例。須注意本發明並未受限於以下描述，且本發明的模 式及細節可無須脫離本發明之精神及範圍而以不同方式修 改。因此’不將本發明解釋爲受以下實施例之描述所限制 . 。在下文提供的該等結構中，相同部位或具有相似功能之 部位在不同圖式中係以相同的參考數字指示，且其解釋將 不重覆。 實施例1 -8 - 201031258 在實施例1中，將參考圖1以詳細描述發光裝置的範 例。 . 此實施例之發光裝置的顯示部描繪於圖1中。描繪於 圖1中的此實施例之發光裝置包括形成在基材200上方的 元件部170。此外，元件部170係以樹脂膜130覆蓋。 可撓基材可使用爲基材200。例如，可較佳地使用諸 如聚對苯二甲酸乙二酯（PET)及聚萘二甲酸乙二酯（PEN)的 φ 聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸 甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂（PC)、聚醚碾樹脂（PES)、聚醯 胺樹脂、環烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、 聚氯乙烯樹脂等之任一者。替代地，可將在其中纖維體係 鼇 以有機樹脂浸漬的一結構使用爲基材200。須注意當光係 ' 經由基材200傳輸時，將具有光傳輸性質的基材使用爲基 材 200。 元件部170形成在基材200的上方。元件部170至少 φ 包括發光元件140及組態爲提供電位至發光元件140的切 換元件。例如，電晶體（例如，雙極電晶體或MOS電晶體） 、二極體（例如，PN二極體、PIN二極體、肖特基二極體 • 、金屬_絕緣體—金屬（MIM)二極體、金屬一絕緣體一半 導體（MIS)二極體、或二極體連接式電晶體）、閘流體等可 使用爲該切換元件。替代地，將此等元件組合於其中的邏 輯電路可使用爲該切換元件。在此實施例中，將薄膜電晶 體106使用爲該切換元件。此外，可能將驅動器電路部包 括在元件部1 70中，以成爲驅動器積體型發光裝置。須注 -9- 201031258 意驅動器電路可形成在密閉基材的外側。 發光兀件140包括第一電極122、覆蓋該第—電極之 終端部的絕緣層137、EL層134、以及第二電極136。第 . —電極122及第二電極130之一者係作爲陽極使用，且彼 等之另一者係作爲陰極使用。 包括在發光元件中的EL層134至少包括—發光層。 此外，除了該發光層外，EL層134可具有包括電洞注入 層、電洞運輸層、電子運輸層、電子注入層等的堆叠結構 ❿ 。EL層134可使用低分子材料或高分子材料之任—者形 成。須注意形成EL層1 34的材料未限制爲僅含有機化合 物材料的材料，並可能含無機化合物材料。 須注意當該發光裝置實施全彩顯示時，可能使用呈現 ‘ 紅色（R)、綠色（G)、及藍色（B)的材料以選擇性地形成el " 層134。在單色顯示的情形中’可能使用至少呈現—色的 材料以形成EL層134。此外，可能組合EL層及彩色濾波 器（未圖示）。即使在使用單色發光層（例如，白色發光層） ◎ 的情形中’可能藉由彩色濾波器以全彩顯示。例如，當將 用於白色（W)光發射的EL層與彩色濾波器組合時，全彩顯 示可能使用四個次像素’亦即’不含彩色濾波器及RGB 像素的像素實施。 絕緣層137包括一凸部。在此實施例中，絕緣層137 ' 具有第一絕緣層137a及第二絕緣層mb的二層結構。此 外’絕緣層137係使用諸如矽之氧化物及矽的氮化物之無 機材料’諸如聚酿亞胺、聚酿胺、苯環丁嫌、丙稀酸材料 -10- 201031258 、或環氧樹脂之有機材料；砍氧院材料等形成。此外，構 成絕緣層137的第一絕緣層137a及第二絕緣層i37b可能 . 使用彼此相同或不同的材料形成。 形成在基材200上方的元件部170以樹脂膜130覆蓋 。用於形成樹脂膜130的材料範例包括有機化合物，諸如 丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、 聚碳酸酯樹脂、酚樹脂、環氧樹脂、聚縮酵、聚醚、聚胺 ^ 甲酸酯、聚醯胺（耐綸）、咲喃樹脂、或二嫌丙基鄰苯二甲 酸樹脂；在包括砂、氧、及氫之化合物當中包括Si-0-Si 鍵的無機矽氧烷聚合物，其係藉由將以石英玻璃爲代表之 以砂氧院聚合物爲底質的材料作爲起始材料而形成；或其 中以矽鍵結之氫係以諸如甲基或苯基的有機基團取代的有 ' 機矽氧烷聚合物，其以烷基矽氧聚合物、烷基倍半砂氧院 聚合物、氫化倍半矽氧烷聚合物、氫化烷基倍半砂氧院聚 合物爲代表。替代地，可將在其中纖維體係以有機樹脂浸 φ 漬的結構使用爲樹脂膜130。 此外，當光係自發光元件140之第二電極136側擷取 時，樹脂膜130係使用具有透光性質的材料形成或形成爲 . 具有夠小之厚度以至少在該發光裝置的顯示表面傳輸光。 另一方面，當光僅自發光元件140之第一電極〗22側擷取 時，樹脂膜1 3 0不必使用具有透光性質之材料形成。 在包括在於此實施例中描述之該發光裝置中的發光元 件1 4〇中，作爲分隔物（庫）使用的絕緣層1 3 7係具有一凸 部的絕緣層。須注意在圖1中，描繪包括該第一絕緣層 -11 - 201031258 137a及形成在一第一絕緣層137a上方之一第二絕緣層 13 7b的絕緣層137。然而，絕緣層137的形狀未受限於此 ，且可能具有二或多個凸部。絕緣層137具有凸部且該凸 部嵌入在樹脂膜130中，使得絕緣層137及樹脂膜130的 固定強度可以增加。結果，如此形成的發光裝置可具有高 可靠性。此外，當絕緣層137及樹脂膜130的固定強度增 加時，在該發光裝置的製程中，剝落不會在該發光元件內 側發生，且因此該發光元件可轉移至可撓基材。因此，可 用高良率製造高度可靠的發光裝置。 另外，當形成薄元件部170時，該發光裝置係可撓的 。因此，此實施例的發光裝置可黏合至不同的底質材料。 當此實施例的發光裝置附接至具有彎曲表面之底質材料時 ，可實現具有彎曲表面之顯示器或具有彎曲表面的發光裝 置。此外，當元件部170的厚度甚小時，該發光裝置的重 量可減少。 此實施例可視情況與任何實施例組合。 實施例2 在實施例2中，將參考圖2以描述發光裝置的另一範 例。須注意將省略與實施例1的部位相同或相似之該等部 位的描述。 此實施例之發光裝置的顯示部描繪於圖2中。描繪於 圖2中的此實施例之發光裝置具有設置在第一基材132及 第二基材133之間的元件部170。此外，樹脂膜130形成 -12- 201031258 在元件部170及第二基材133之間。在圖2中，樹脂膜 13〇可使用與實施例1中所描述之樹脂膜130相似的材料 . 形成。 可撓基材可使用爲第一基材132及第二基材133，且 該等基材的較佳範例包括諸如聚對苯二甲酸乙二酯（PET) 及聚萘二甲酸乙二酯（PEN)的聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、 聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂 φ (PC)、聚醚碾樹脂（PES)、聚醯胺樹脂、環烯樹脂、聚苯 乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等。須注意 至少設置在光從該發光元件擷取之該側上的該基材應係具 有透光性質的基材。 須注意第一基材132及第二基材133係由具有實質相 * 等之低熱膨脹係數的材料形成爲佳。此外，第一基材132 及第二基材133係由相同材料形成更佳。須注意將第一基 材132及第二基材133之熱膨脹係數設定爲20ppmrC或 以下爲佳’因爲該發光裝置的熱阻改善。 在此實施例中’可將在其中纖維體132a係以有機樹 脂132b浸漬的結構使用爲第一基材132及第二基材133。 . 用於第一基材132及第二基材133的該等結構係具有 13GPa或以上之彈性模數且破壞模數低於3〇OMPa的材料 爲佳。第一基材132及第二基材133的厚度在5μιη至 50 μιη之範圍中爲佳’且彼此相等爲佳。當第—基材132 的厚度等於第二基材133之厚度時，元件部17〇可設置在 該發光裝置的中心部。此外’藉由使用厚度在5μιη至 -13- 201031258 50μιη範圍中的第一基材及第二基材，該第一基材及該第 二基材的厚度大於該元件部之厚度，且因此該元件部可實 質設置在該中心部並可提供可抵抗彎曲應力的發光裝置。 . 在此實施例中，在使用爲第一基材132及第二基材 133之該等結構中的纖維體132a係編織自以規律間距間隔 之經線及以規律間距間隔的緯線。此種使用經線及緯線編 織的纖維體具有不存在經線及緯線的區域。在該情形中， 纖維體132a更容易以有機樹脂132b浸漬，因此增加在纖 0 維體1 32a及發光元件之間的黏附性。 替代地，纖維體1 32a可能係具有高密度的經線及緯 線且不存在經線及緯線之區域比率甚低的纖維體。 另外，爲增強該有機樹脂進入該紗束內側的滲透性， 該紗束可能受表面處理。例如，可將用於活化該紗束之表 ' 面的電暈放電、電漿放電等提供爲該表面處理。另外，可 提供使用矽烷耦合劑或鈦酸鹽耦合劑的表面處理。 須注意可能將在其中纖維體係以有機樹脂浸漬之複數 〇 個結構堆疊。在該情形中，可能將可能係在各結構中單層 纖維體係以有機樹脂浸漬之複數個結構的堆疊之該結構， 或在其中複數個堆疊纖維體係以有機樹脂浸漬而形成的結 . 構使用爲第一基材132或第二基材133。另外’在堆疊在 各結構中單層纖維體係以有機樹脂浸漬之複數個結構時， 其他層可能設在該等結構之間。 設置在第一基材132及第二基材133之間的元件部 1 70至少包括發光元件1 40及組態爲提供電位至發光元件 -14- 201031258 ί4〇的切換元件。在此實施例中，將薄膜電晶體106使用 爲該切換元件。此外，可能將驅動器電路部包括在元件部 • 170中，以成爲驅動器積體型發光裝置。須注意該驅動器 ^ 電路可形成在密閉基材的外側。 發光元件140包括第一電極122、覆蓋該第一電極之 終端部的絕緣層137、EL層134、以及第二電極136。第 —電極122及第二電極136之一者係作爲陽極使用，且彼 φ 等之另一者係作爲陰極使用。圖2中的發光元件140可用 與實施例1所描述之發光元件1 4〇相似的方式組態。 絕緣層137包括一凸部。在此實施例中，絕緣層137 具有第一絕緣層137a及第二絕緣層137b的二層結構。此 外，絕緣層137係使用諸如砂之氧化物及砂的氮化物之無 ' 機材料；諸如聚醯亞胺、聚醯胺、苯環丁烯、丙烯酸材料 、或環氧樹脂之有機材料；矽氧烷材料等形成。此外，構 成絕緣層137的第一絕緣層137a及第二絕緣層137b可能 • 使用彼此相同或不同的材料形成。 絕緣層137具有凸部且該凸部嵌在樹脂膜130中，亦 即，樹脂膜130覆蓋絕緣層137的全部表面及第二電極 . 136之全部表面，因此絕緣層137及樹脂膜130的固定強 度可改善。因此，如此形成的發光裝置可具有高可靠性。 藉由絕緣層137及樹脂膜130之固定強度的改善，在該發 光裝置的製程中，剝落不會在該發光元件內側發生，且因 此該發光元件可轉移至可撓基材。因此，可用高良率製造 高度可靠的發光裝置。 -15- 201031258 在此實施例中，包括在用於該第一基材及該第二基材 之該等結構中的纖維體132a係形成自具有高延伸模數或 高楊氏模數的高強度纖維。因此，即使當諸如點壓力或線 . 壓力之局部壓力施加至該發光裝置，該高強度纖維不會伸 展。壓縮力分散在纖維體132a各處，且該發光裝置整體 彎曲。結果，即使在局部壓力施加時，產生在該發光裝置 中的該曲線具有大曲率半徑，因此設置在一對結構間的該 等發光元件、佈線等不會破裂且可減少該發光裝置的損壞 @ 〇 另外，當形成薄元件部170時，該發光裝置係可撓的 。因此，此實施例的發光裝置可黏合至不同的底質材料。 當此實施例的發光裝置附接至具有彎曲表面之底質材料時 ‘ ，可實現具有彎曲表面之顯示器或具有彎曲表面的發光裝 · 置。此外，當元件部170的厚度甚小時，該發光裝置的重 量可減少。 此實施例可視情況與任何實施例組合。 © 實施例3 在實施例3中，將參考圖示詳細地描述用於製造實施 例2所描述之該發光裝置的方法。 首先，將分隔層102形成在基材100的表面上，且然 後形成絕緣層1〇4(參見圖3A)。分隔層102及絕緣層1〇4 可連續地形成。該連續形成不會導致暴露在空氣中，且因 此可防止雜質污染。 -16- 201031258 玻璃基材、石英基材、金屬基材、不鏽鋼基材等可使 用爲基材100。例如，藉由使用具有一公尺或以上之側邊 . 的長方形玻璃基材，可顯著地增加生產力。 須注意在此製程中，分隔層1 02係形成在基材1 00的 整體表面上；然而，在分隔層102形成在基材1〇〇的整體 表面上之後，可能選擇性地移除分隔層102，使得該分隔 層可依需要僅在期望區域中提供。此外，雖然將分隔層 Φ 102形成爲與基材1〇〇接觸，諸如氧化矽膜、氮氧化矽膜 、氮化砂膜、或氮化氧化砂膜（silicon nitride oxide film) 之絕緣層可能依需要形成爲與基材100接觸，且該分隔層 1 02可能形成爲與該絕緣層接觸。
分隔層102係以單層結構或係以具有30nm至200nm ' 的厚度之層的堆疊結構形成，其係藉由濺鍍法、電漿CVD 法、塗佈法、印刷法等從選自鎢（W)、鉬（Mo)、鈦（Ti)、 钽（Ta)、鈮（Nb)、鎳（Ni)、鈷（Co)、锆（Zr)、鋅（Zn)、釕 9 (Ru)、铑（Rh)、鈀（Pd)、餓（〇s)、銥（1〇、或矽（Si)的一元 素；或從含有上述任一元素作爲其主成分之合金材料或化 合物材料形成。含矽層的晶體結構可能係非晶的、微晶的 . 、或多晶的。此處，塗佈法係經由其藉由將溶液排放在待 處理物件上而形成膜的方法，且該塗佈法的範例包括旋轉 塗佈法及液滴排放法。液滴排放法係藉由從小孔排放包括 含有粒子的組成物之液滴以形成預定型樣的方法。 當分隔層102具有單層結構時，分隔層102藉由使用 含鶴、銷、或錫及銷的混合物之層而形成爲佳。替代地， -17- 201031258 分隔層102係使用含有鎢的氧化物或氮氧化物之層，或含 有鎢及鉬之混合物的氧化物或氮氧化物之層形成。例如， 須注意鎢及鉬的該混合物對應於鎢及鉬的合金。 . 當分隔層102具有堆疊結構時，將金屬層形成爲第一 層並將金屬氧化物層形成爲第二層爲佳。例如，將含有鎢 或鉬或含有鎢及鉬的混合物之層形成爲該第一金屬層。將 含有鎢或鉬之氧化物的層、含有鎢及鉬的混合物之氧化物 的層、含有鎢之氮化物的層、含有鎢及鉬的混合物之氮化 n 物的層、含有鎢之氮氧化物的層、含有鎢及鉬的混合物之 氮氧化物的層、含有鎢之氮化氧化物的層、及含有鎢及鉬 的混合物之氮化氧化物的層之任一者形成爲該第二層。 在分隔層102具有在其中將金屬層形成該第一層並將 金屬氧化物層形成爲該第二層之堆疊結構的情形中，該堆 — 疊結構可能以將含鎢層形成爲該金屬層，並將由氧化物形 成的絕緣層形成於其上的此種方式形成，因此將含鎢之氧 化物的層形成爲在該含鎢層及該絕緣層間之介面的金屬氧 〇 化物層。再者，該金屬氧化物可能以該金屬層之表面受熱 氧化處理、氧氣電漿處理、使用具有強氧化力之溶液（諸 如臭氧水）的處理等此種方式形成。 _ 絕緣層104作爲保護層使用，並設置其以在稍後的分 隔步驟中協助在分隔層1 02及絕緣層1 04間之介面的分隔 ’或在稍後的分隔步驟中防止半導體元件及佈線破裂或受 損。例如，絕緣層104係使用藉由濺鍍法、電漿CVD法 '塗佈法、印刷法等成爲單層或堆疊層之無機化合物而形 -18- 201031258 成。該無機化合物的典型範例包括氧化矽、氮化矽、氮氧 化矽、氮化氧化矽等。當將氮化矽、氮化氧化矽、氮氧化 . 矽等用於絕緣層1〇4時，可防止濕氣或諸如氧氣之氣體從 外側進入待於稍後形成之該元件層中。功能爲保護層之該 絕緣層的厚度從 l〇nm至lOOOnm爲佳，從100nm至 7 00nm更佳。 其次，將薄膜電晶體106形成在絕緣層104上方（圖 φ 3B)。薄膜電晶體106至少使用具有源極區域、汲極區域 及通道形成區域之半導體層108;閘絕緣層110;以及閘 極1 1 2而形成。 將半導體層108形成爲具有在i〇nm至i〇〇nm之範圍 中的厚度爲佳’在20nm至70nm之範圍中的厚度更佳。 ' 用於形成半導體層1〇8的材料範例包括藉由氣相沈積法或 濺鍍法使用以矽烷或鍺烷爲代表之半導體材料而形成的非 晶半導體 '藉由使用光能或熱能晶體化該非晶半導體而形 # 成的多晶半導體或微晶半導體、包括作爲主成分之有機材 料的半導體等。當將晶體半導體層使用爲該半導體層時， 該晶體半導體層係藉由雷射照射，熱處理，諸如快速熱退 火（RTA)或爐管退火，或該等方法之組合而形成。在該熱 處理中’可採行使用具有提昇矽半導體晶化之功能的金屬 元素，諸如鎳，的晶化方法。 此外’可將諸如 GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN、或 SiGeln的化合物半導體以及諸如矽（si)或鍺（Ge)之元素使 用爲該半導體的材料。另外，可能使用諸如氧化鋅（Zn〇) -19 - 201031258 、氧化錫（Sn02)、鎂鋅氧化物、氧化鎵、或氧化銦的氧化 物半導體，由部分上述氧化物半導體所形成的氧化物半導 體等。例如，可能使用由氧化鋅、氧化銦、及氧化鎵形成 的氧化物半導體。在將氧化鋅使用爲該半導體層的情形中 ，閘絕緣層使用 Y2〇3、Al2〇3、Ti〇2，或彼等任一者之堆 疊形成爲佳。將ITO、Au、Ti用於該閘電層、源極層、或 汲極層爲佳。此外，可將In、Ga等加至ZnO。 以諸如氧化矽或氮氧化矽之無機絕緣物將閘絕緣層 110製造至5nm至200nxn爲佳，且l〇nm至lOOnm更佳。 閘極112可使用金屬或將具有一導電型之雜質加至其 的多晶矽半導體形成。在使用金屬的情形中，可使用鎢 (W)、鉬（Mo)、鈦（Ti)、鉬（Ta)、鋁（A1)等。再者，也可使 用藉由氮化金屬而得到的金屬氮化物。替代地，可能使用 在其中將包括該金屬氮化物的第一層及包括該金屬之第二 層堆疊的結構。藉由形成使用該金屬氮化物的該第一層， 可將該第一層使用爲障壁金屬。換言之，可防止該第二層 的金屬擴散入該閘絕緣層或設置在該閘絕緣層下方的該半 導體層中。在使用此種堆疊結構的情形中，該閘極可能具 有在其中該第一層的終端部延伸出該第二層之終端部的形 狀。 由半導體層108、閘絕緣層110、閘極112等之組合 形成的薄膜電晶體1 06可使用任何不同種類的結構，諸如 單汲極結構、LDD(輕度摻雜汲極）結構、及閘極覆蓋汲極 結構。薄膜電晶體106係具有LDD結構的薄膜電晶體， 201031258 在該結構中，低濃度雜質區域係使用與閘極1 1 2之側邊接 觸的絕緣層（也指稱爲側壁）而形成。再者，可使用多閘極 . 結構，其中若已顯示在等效電路中，將具有相同電位之閘 電壓施加至彼等的電晶體係序列地連接的；雙閘極結構， 其中該半導體層係由在其下及在其上之閘極所包夾；等。 須注意雖然將圖示中的頂閘型薄膜電晶體描繪爲範例，可 能使用底閘型薄膜電晶體或具有其他已爲人所知之結構的 φ 薄膜電晶體。 可將使用金屬氧化物或用於半導體層之有機半導體材 料的薄膜電晶體使用爲該薄膜電晶體。該金屬氧化物的典 型範例包括鋅氧化物、鋅鎵銦氧化物等。 在薄膜電晶體係藉由相對低溫（低於500°C)製程形成 • 的情形中’分隔層102以鉬（Mo)之單層或堆疊層、將鉬包 括爲主成分的合金、及/或包括鉬元素之化合物材料形成 爲佳。 Ο 其次，形成電性連接至該薄膜電晶體106之源極區域 及汲極區域的佈線1 1 8，並形成電性連接至佈線1 1 8的第 一電極 122(圖 3C)。 . 此處，將絕緣層114及116形成爲覆蓋薄膜電晶體 1 06，並將亦能如同該源極及汲極電極作用的佈線丨丨8形 成在絕緣層116的上方。然後，將絕緣層120形成在佈線 118的上方，並將第一電極122形成在絕緣層120的上方 〇 絕緣層114及116係作爲層間絕緣層使用。絕緣層 -21 - 201031258 114及116係藉由CVD法、濺鍍法、s〇g法、液滴排放法 、網板印刷法等，形成爲具有無機材料，諸如矽之氧化物 或矽之氮化物；有機材料，諸如聚醯亞胺聚醯胺、苯環 丁烯、丙烯酸材料、或環氧樹脂；矽氧烷材料等之單層或 堆疊層。此處，可將氮化氧化矽膜形成爲係該第一層的絕 緣層114’並可將氮氧化矽膜形成爲係該第二層的絕緣層 116° 佈線118以低電阻材料（諸如鋁（A1))與使用高熔點金 屬材料（諸如鈦（Ti)或鉬（Mo))之障壁金屬的組合物形成爲 佳’例如’駄（Ti)及鋁（A1)的堆疊層結構、鉬（Mo)及鋁（A1) 的堆疊層結構等。 絕緣層120係藉由CVD法、濺鏟法、s〇G法、液滴 排放法、網板印刷法等，以無機材料，諸如矽之氧化物或 砂之氮化物；有機材料，諸如聚醯亞胺、聚醯胺、苯環丁 嫌、丙烯酸材料、或環氧樹脂；矽氧烷材料等之單層或堆 疊層形成。此處’絕緣層1 20係藉由網板印刷之環氧樹脂 形成。 須注意第一電極122係使用爲該發光元件之陽極或陰 極的電極。當將第一電極122使用爲陽極時，使用具有高 功函數的材料爲佳。例如，單層膜，諸如銦錫氧化物膜、 含矽之銦錫氧化物膜、藉由使用在其中氧化銦係與2wt % 至20wt%的氧化鋅（Zn〇)混合之標靶的濺鍍法而形成的光 傳輸導電膜、氧化鋅（ZnO)膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、 Zn膜、或Pt膜；氮化鈦膜及包含作爲其主成分的鋁之膜 -22- 201031258 的堆疊層；氮化鈦膜、包含作爲其主成分之鋁的膜、以及 其他氮化鈦膜的三層結構；等。當該陽極具有堆疊結構時 . ，該陽極可具有如佈線的低電阻並形成良好電阻接點。 當第一電極122作爲陰極使用時，使用具有低功函數 的金屬（A1、Ag、Li、Ca、或彼等之合金，諸如MgAg、 Mgln、AlLi、CaF2、或氮化鈣）爲佳。當使用爲該陰極的 第一電極122具有光傳輸性質時，將具有小厚度之金屬薄 φ 膜及光傳輸導電膜（銦錫氧化物膜、含矽之銦錫氧化物膜 、藉由使用在其中氧化銦係與2wt%至 20wt%的氧化鋅 (ZnO)混合之標靶的濺鍍法而形成的光傳輸導電膜、氧化 鋅（ZnO)膜等）的堆叠層使用爲該電極爲佳。 其次，將第一絕緣層137a形成爲覆蓋第一電極122 ' 的終端部（圖3D)。在此實施例中，第一絕緣層137a係使 用正光敏丙烯酸樹脂膜形成。爲使第一絕緣層137a可具 有高覆蓋率，將具有曲率的彎曲表面形成在其上終端部或 • 下終端部爲佳。例如，若將正型光敏丙烯酸使用爲第一絕 緣層137a的材料，將第一絕緣層137a形成爲僅在其上終 端部具有曲率半徑（0.2至3 μχη)的彎曲表面爲佳。可將藉 . 由光照射而在蝕刻劑中變爲不可溶解的負型或藉由光照射 而在蝕刻劑中變爲可溶解的正型之任一者使用爲第一絕緣 層137a。替代地，第一絕緣層137a可設有無機材料，諸 如矽之氧化物或矽的氮化物、有機材料，諸如環氧樹脂、 聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯苯酚、或苯環丁烯、或矽氧烷 材料，諸如矽氧烷樹脂，的單層結構或堆疊結構。 -23- 201031258 其次’將第二絕緣層137b形成在第一絕緣層i37a之 上。第二絕緣層137b係由無機材料，諸如矽之氧化物及 矽的氮化物、有機材料，諸如聚醯亞胺、聚醯胺、苯環丁 烯、丙烯酸材料、或環氧樹脂、或矽氧烷材料等形成，與 第一絕緣層137a相似。須注意第一絕緣層137a及第二絕 緣層137b可能由相同的材料形成或可能以彼此不同的材 料形成。此外’第一絕緣層137a及第二絕緣層137b之接 觸部的區域小於第一絕緣層137a之頂區域爲佳，且可將 參 第二絕緣層137b設置在第一絕緣層137a上的該區域內。 須注意第二絕緣層137b可藉由網板印刷法、噴墨法、以 及光微影製程等形成。以此方式，形成具有第一絕緣層 137a及第二絕緣層i37b之二層結構的絕緣層137各者》 此外’電漿處理可在絕緣層137上實施，以氧化或氮 · 化絕緣層137;因此修改絕緣層137的表面並從而可得到 緻密膜。藉由修改絕緣層137的表面，可改善絕緣層137 的強度’且可減少物理損害，諸如在開口部形成時所產生 Θ 的破裂等，或在蝕刻時的膜衰減。 其次’將EL層134形成在第一電極122之上。EL層 134可使用低分子材料或高分子材料之任一者形成。須注 意形成EL層1 34的材料未限制爲僅含有機化合物材料的 材料，且用於EL層134的該材料可能部分地含有無機化 合物材料。EL層134可能具有至少—發光層，並可能使 用發光層的單層或包括具有不同功能之層的堆疊結構。例 如’除了該發光層以外’可視情況組合功能層，諸如電洞 -24- 201031258 注入層、電洞運輸層、載子阻隔層、電子運輸層、 入層等。須注意可能包括具有二或多個該等層之功 〇 此外，EL層134可藉由濕製程或乾製程之任 成，諸如蒸鍍法、噴墨法、旋轉塗佈法、浸塗法、 印刷法。 其次，將第二電極136形成在EL層134之上 φ ，可形成在其中堆疊第一電極122、覆蓋第一電極 終端部的絕緣層137、EL層134、及第二電極136 元件140。須注意第一電極122及第二電極136之 使用爲陽極，並將彼等之另一者使用爲陰極。 在此實施例中，將第一電極122使用爲陽極， ' 層134具有在其中電洞注入層、電洞運輸層、發光 子注入層係循序地堆叠在第一電極122之上的結構 不同種類的材料用於該發光層。例如，可使用呈現 • 螢光化合物或呈現燐光之燐光化合物。 此外，當將第一電極122作爲陰極使用時，連 一電極122的薄膜電晶體106係η-通道電晶體爲佳 . 其次’將絕緣層138形成於第二電極136之上 蓋發光兀件140(圖4A)。以此方式，可形成包括薄 體106及發光元件140的元件部170。絕緣層138 發光元件140的保護層使用，並設置其以防止濕氣 在稍後之該第二基材的壓力連結製程等中進入EL 。此外’絕緣層1 3 8也作爲熱絕緣層使用，以防止 電子注 能的層 一者形 或噴嘴 。因此 122之 的發光 —者可 且 EL 層、電 。可將 螢光的 接至第 〇 ’以覆 膜電晶 係作爲 或損害 層134 當第二 -25- 201031258 基材以壓力連結時，EL層134受熱。例如，絕緣層138 係使用藉由濺鍍法、電漿CVD法、塗佈法、印刷法等成 爲單層或堆疊層之無機化合物而形成。無機化合物的典型 範例包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氮化氧化矽等。此 外，將具有良好覆蓋率的膜用於絕緣層138爲佳。替代地 ，可能將有機化合物及無機化合物的堆疊層膜用於絕緣層 138。當將氮化矽、氮化氧化矽、氮氧化矽等用於絕緣層 138時，可防止濕氣或諸如氧氣之氣體從外側進入待於稍 後形成之該元件層中。功能爲保護層之該絕緣層的厚度在 10nm至lOOOnm的範圍中爲佳，從100nm至700nm更佳 其次，如圖4B所描繪的，將樹脂膜130形成在元件 部170之上。樹脂膜130可用，例如，藉由塗佈法施用組 — 成物並於之後藉由加熱乾燥的此種方式形成。因爲樹脂膜 130在稍後的製程中係作爲該發光元件的保護層使用，樹 脂膜1 3 0在其表面上具有較少的不均勻性爲佳。此外，將 © 具有與絕緣層138有良好固定強度之材料使用爲樹脂膜 130爲佳。具體地說，當樹脂膜130係藉由塗佈法形成時 ，用於樹脂膜1 3 0之材料的範例包括有機化合物，諸如丙 . 烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、聚 碳酸酯樹脂、酚樹脂、環氧樹脂、聚縮醛、聚醚、聚胺甲 酸酯、聚醯胺（耐綸）、呋喃樹脂、或二烯丙基鄰苯二甲酸 樹脂；在包括砍、氧、及氣之化合物當中包括Si-0-Si鍵 的無機矽氧烷聚合物，其係藉由將以石英玻璃爲代表之以 -26- 201031258 矽氧烷聚合物爲底質的材料使用爲起始材料而形成；以及 在其中將鍵結至矽之氫以諸如甲基或苯基的有機基團取代 . 的有機矽氧烷聚合物、其以烷基矽氧聚合物、烷基倍半矽 氧烷聚合物、氫化倍半矽氧烷聚合物、氫化烷基倍半矽氧 烷聚合物爲代表。替代地，可能將在其中纖維體係以有機 樹脂浸漬的結構使用爲樹脂膜130。 此外，當光係自發光元件140之第二電極136側擷取 〇 時，樹脂膜130係使用具有透光性質的材料形成或形成爲 具有夠小之厚度以至少在該發光裝置的顯示表面傳輸光。 另一方面，當光僅自發光元件140之第一電極122側擷取 時，樹脂膜130不必使用具有透光性質之材料形成。 其次，將黏著片131附接至樹脂膜130。將可藉由光 ' 或熱分離的片用於黏著片131。黏著片131的附接可協助 分離’另外減少在分離之前及之後施加在元件部1 70的應 力，並抑制薄膜電晶體1 06及發光元件1 40的損害。須注 Ο 意當複數個發光裝置面板係自一基材形成（使用從一基材 得到多面板的技術）時，在設置黏著片1 3 1之前，將鈾刻 引導至形成該面板之各區域的終端部，並將該基材分割爲 . 形成該等面板的元件。替代地，該元件部由第一基材及第 二基材包夾係可能的，然後藉由切割等將其分割爲元件部 〇 其次，從基材100分離包括薄膜電晶體106、發光元 件140等的元件部1 70(圖4C)。可將任何不同的方法使用 爲分離法。例如，當將金屬氧化物層形成爲在與絕緣層 -27- 201031258 104接觸之該側上的分隔層102時，藉由晶化弱化該金屬 氧化物層，使得元件部170可從基材100分離。此外，當 將具有光傳輸性質的基材使用爲基材100，並將含氮、氧 、氫等（例如含氫之非晶矽膜、含氫之合金、含氧之合金 等）的膜使用爲分隔層102時，分隔層102以經由基材100 的雷射光照射，並蒸發包含在該分隔層中的氮、氧、或氫 ，使得分離可在基材100及分隔層102之間發生。替代地 ，可能將分隔層1 02蝕刻爲待移除，使得元件部1 70可從 @ 基材1〇〇分離。 替代地，可使用藉由機械硏磨移除基材100之方法或 藉由使用鹵素氟化物氣體，諸如NF3、BrF3、C1F3等、HF 等蝕刻以移除基材1 〇〇的方法。在該情形中，不必使用分 隔層102。此外，當將金屬氧化物層形成爲在與絕緣層 _ 104接觸之該側上的分隔層102時，藉由晶化以弱化該金 屬氧化物層，並藉由溶液或藉由使用鹵素氟化物氣體，諸 如NF3、BrF3、C1F3等蝕刻以移除分隔層102的部位係可 Θ 能的，且因此分離可在已弱化金屬氧化物膜中發生。 替代地，藉由雷射照射、使用氣體、溶液等蝕刻、使 用利刃或剝刀以形成曝露分隔層1 02的溝槽係可能的，元 . 件部170從基材100分離可在分隔層102及作爲保護層使 用之絕緣層104的介面發生，因爲該溝槽觸發該分離。例 如，可能將機械力（使用人手或夾子的分離製程、藉由滾 輪之旋轉的分離製程等）使用爲分離方法。替代地，可能 將液體滴入該溝槽中，以滲透入分隔層102及絕緣層1〇4 -28- 201031258 之間的介面’使得元件部170可從分隔層102分離。替代 地’可使用在其中將諸如NF3、BrF3、C1F3之氟化物氣體 . 引入該溝槽’且該分隔層係藉由使用該氟化物氣體之蝕刻 而移除的方法，使得元件部170從具有絕緣表面的該基材 分離。另外，該分離可能在諸如水之液體流出時實施。 作爲另一分離方法，若分隔層102係由鎢形成，分離 可在該分隔層係以氨水及過氧化氫水之混合溶液鈾刻時實 ❹ 施。 通常，包括有機化合物之該EL層及由無機化合物形 成的該第二電極之間的固定強度極端低，且在該分離製程 中膜剝落有時在該EL層及該第二電極之間的介面發生。 ' 然而，在此實施例所描述的發光元件140中，設置具有凸 ' 部之絕緣層137且絕緣層137 (或絕緣層137之凸部）係嵌 入在樹脂膜130中。亦即，樹脂膜130覆蓋絕緣層137的 整體表面（或絕緣層137之凸部）及該第二電極的整體表面 ❹ 。因爲絕緣層137在樹脂膜130中的功能如同楔子（具有 所謂的定錨效應），可改善樹脂膜130及絕緣層137的固 定強度。因此，在該分離製程中，分離難以在EL層134 _ 及第二電極136之間的介面發生，且因此可用高良率將元 件部170從基材100分離。 其次，將第一基材132設置在已分離元件部170之分 離面（該表面藉由絕緣層104的分離而曝露）的該側上。在 此實施例中，將在其中纖維體ma係以有機樹脂132b浸 漬的第一結構使用爲第一基材132(圖5A)。該結構也稱爲 -29- 201031258 預浸體。 該預浸體係以下列方式具體地形成：在纖維體以在其 中基質樹脂係以有機溶劑稀釋之漆浸漬之後，實施乾燥使 得該有機溶劑揮發且該基質樹脂半固化。該結構的厚度從 ΙΟμηι至ΙΟΟμιη爲佳，從ΙΟμιη至30μηι更佳。當使用具有 此種厚度的結構時，可製造細薄及可撓之發光裝置。 可將熱固性樹脂、可紫外光固化樹脂等使用爲有機樹 脂13 2b。典型範例包括環氧樹脂、未飽和聚酯樹脂、聚醯 _ 亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺-三哄樹脂、氰酸酯樹脂等。替 代地，可能使用熱塑性樹脂，諸如聚苯醚樹脂（polyphenylene oxide resin)、聚酸酿亞胺樹脂、或氟樹脂。藉由使用上述 之有機樹脂，可藉由熱處理將該纖維體固定至該半導體積 ’ 體電路。有機樹脂132b的玻璃轉移溫度越高，由局部壓 · 縮力摧毀的有機樹脂132b越少，此係較佳的。 高熱傳導塡料可能分佈在有機樹脂132b或纖維體 1 3 2a的紗束中。可將氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氧化鋁等 ◎ 給定爲該高熱傳導塡料。也可將諸如銀或銅之金屬的粒子 給定爲該高熱傳導塡料。當傳導塡料係包括在該有機樹脂 或該纖維的紗束中時，可輕易地將熱釋放至外側。因此， 在該發光裝置內的熱蓄積可受抑制，且因此可防止該發光 裝置受損。 纖維體132a係使用有機化合物或無機化合物之高強 度纖維的織布或不織布，並將纖維體設置爲部分地彼此相 互重疊。該高強度纖維具體地係具有高彈性模數之纖維或 -30- 201031258 具有高楊氏模數的纖維。高強度纖維的典型範例包括聚乙 烯醇纖維、聚酯纖維、聚醯胺纖維、聚乙烯纖維、醯胺纖 . 維、聚對伸苯基苯並雙噚唑樹脂、玻璃纖維、碳纖維等。 可將使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維 使用爲該玻璃纖維。須注意纖維體132a可能由上述之一 種或複數種高強度纖維形成。須注意將具有實質相同之折 射率等級的材料用於纖維體132a及有機樹脂132b爲佳。 φ 纖維體132a可能係使用用於經線及緯線之纖維束（單 紗）（下文中，將該等纖維束指稱爲紗束）編織的織布，或係 藉由以隨機方式或在一方向上堆疊複數種纖維之紗束而得 到的不織布。在該織布的情形中，可視情況使用平織、斜 紋織、锻織等。 ' 該紗束在剖面上可能具有圓形形狀或橢圓形狀。可能 將已受使用高壓水蒸氣的鬆棉處理、使用液體作爲媒體之 高頻震動、連續超音波震動、以滾筒擠壓等之纖維紗束使 Φ 用爲該纖維紗束。受鬆棉處理的纖維紗束具有大寬度、在 厚度方向上具有數量較少的單線、且在其剖面方向具有橢 圓形狀或平坦形狀。另外，藉由將鬆散扭結線使用爲該纖 ^ 維紗束，該紗束可輕易地平坦化並在剖面方向上具有橢圓 形狀或平坦形狀。以此種方式使用在剖面方向具有橢圓形 狀或平坦形狀的紗束可減少纖維體132a的厚度。因此， 可減少該結構的厚度且因此可製造薄型發光裝置。 其次，加熱並壓力連結使用爲第一基材132的該第一 結構，使得該第一結構的有機樹脂132b塑化、半固化、 -31 - 201031258 或固化。用於加熱第一基材132的溫度爲l〇〇°C或以下爲 佳。在有機樹脂1 32b係有機塑膠樹脂的情形中’已塑化 之該有機樹脂係藉由冷卻至室溫而固化。替代地’可能以 紫外線照射並壓力連結該第一結構，以半固化或固化有機 樹脂132b。藉由加熱或紫外線照及壓力連結，將有機樹脂 13 2b均勻地散佈在元件形成層124的表面上並固化。該第 一結構的壓力連結可在大氣壓力或低壓力下實施。 在壓力連結該第一結構後，移除黏著片131以曝露樹 脂膜130。然後，將第二基材133設置在樹脂膜130之上（ 圖5B)。在此實施例中，將在其中纖維體係以有機樹脂浸 漬的第二基材使用爲第二基材133，與第一基材132相似 。之後，將該第二結構加熱並受壓力連結，使得該第二結 構的有機樹脂132b塑化或固化。替代地，該第二結構可 能以紫外線照射並受壓力連結，使得有機樹脂1 3 2b固化 。須注意樹脂膜1 3 0的功能可如同第二基材1 3 3。在該情 形中，不必設置第二基材1 3 3。 經由上述製程，可形成具有由該第一基材及該第二基 材所包夾的該發光元件之此實施例的該發光裝置。 在此實施例中，作爲分隔物使用的絕緣層137具有凸 部之該結構，在其中形成第一絕緣層137a且一第二絕緣 層1 3 7b形成於其上，但此係非限定範例。可接受將作爲 分隔物使用的絕緣層137嵌入在樹脂膜130中，且該絕緣 層有大表面區域以改善與樹脂膜130的固定強度，且該絕 緣層具有凸部。例如，如在圖6A所描繪之該發光元件中 201031258 ，二第二絕緣層13 7b可能形成在一第一絕緣層137a之上 ，作爲具有凸部之絕緣層137。第二絕緣層137b可藉由光 . 微影法、網板印刷法、噴墨法等形成。此外，如在圖6B 所描繪之該發光元件中，三第二絕緣層137b可能形成在 一第一絕緣層137a之上，作爲具有凸部之絕緣層137。隨 著絕緣層1 3 7的表面區域較佳地增加，得到更多的該定錨 效應，其導致絕緣層1 3 7及樹脂膜1 3 0之間的固定強度改 φ 善。彡$注意在覆蓋該第一電極之終端部的該對絕緣層137 中，凸部的數量可能與在絕緣層137中的數量彼此不同。 須注意在複數個第二絕緣層137b設置在一第一絕緣層 13 7a之上的情形中，該複數個第二絕緣層13 7b與第一絕 . 緣層137a的接觸區域小於第一絕緣層137a之頂區域爲佳 • ，且該複數個第二絕緣層137b係設置在第一絕緣層137a 之上的該區域內。 此外，如在圖6C所描繪之該發光元件中，絕緣層 φ 137可能具有三層或更多層的堆叠結構。須注意絕緣層 137的厚度（從絕緣層120的表面至絕緣層137之最外側表 面的高度）在300nm至5μχη的範圍內爲佳。藉由將300nm _ 或更大的厚度用於該絕緣層的厚度上，可得到優秀的絕緣 性質。此外，藉由使用5μιη或更小的厚度，可形成具有高 導電性的絕緣層1 3 7。 雖然此實施例已描述將在其中該纖維體係以該有機樹 脂（所謂的預浸體）浸漬的該結構用於第一基材132及第二 基材1 3 3之範例，本發明之該等實施例未受限於此範例。 -33- 201031258 例如，可撓基材或由樹脂製成之膜，諸如聚酯樹脂’諸如 聚對苯二甲酸乙二酯（PET)、聚萘二甲酸乙二酯（PEN)、丙 烯酸樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸 甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂（PC)、聚醚碾（PES)樹脂、聚醯 胺樹脂、環烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、 聚氯乙烯樹脂等，可使用爲第一基材132或第二基材133 ，然後藉由黏著劑附接至絕緣層104或樹脂膜130。可將 各種可固化黏著劑，諸如可反應固化黏著劑、可熱固化黏 著劑、可光固化黏著劑（諸如可紫外線固化黏著劑）、厭氧 黏著劑等，使用爲該黏著劑的材料》可將環氧樹脂、丙烯 酸樹脂、聚矽氧樹脂、酚樹脂等使用爲該黏著劑的材料。 須注意將具有光傳輸性質的基材至少用於光係經由其從發 光元件140擷取的該基材。 另外’可能將金屬基材用於第一基材132或第二基材 133。該金屬基材具有從ΙΟμπι至200μιη之厚度爲佳，以 具有彈性。該金屬基材具有用於高彈性之從20μιη至 ΙΟΟμπι的厚度更佳。用於該金屬基材之金屬並無明確限制 ，但可使用諸如鋁、銅、或鎳之金屬、鋁合金、諸如不鏽 鋼的金屬合金等爲佳。此種金屬基材可藉由黏著劑附接至 絕緣層104或樹脂膜130。須注意在該金屬基材藉由黏著 劑附接之前’該金屬基材在真空中受烘烤或電漿處理以可 將附於其表面上的濕氣移除爲佳。 因爲此種金屬基材具有低透水性，作爲發光裝置之支 撐使用的此種金屬基材可防止水從發光元件140進入，且 201031258 因此該發光裝置可具有較長的使用期限。須注意此種金屬 基材具有彈性及低透水性二者，但具有低可見光傳輸性質 . ’且因此將此種金屬基材用於設置成包夾該發光裝置中的 該發光兀件之基材對的一·基材爲佳。 此外，如圖7A所描繪的，乾燥劑142可能設置在樹 脂膜130及第二基材133之間。藉由將乾燥劑142封閉於 其間，可防止因濕氣所導致的該發光元件退化。該乾燥劑 φ 可能係藉由化學吸收吸收濕氣的基質，諸如鹼土金屬的氧 化物’諸如氧化鈣或氧化鋇。須注意藉也可能使用藉由物 理吸收吸收濕氣的基質，諸如沸石或二氧化矽膠體。當光 自發光元件140之第二電極136側擷取時，乾燥劑設置在 不與像素區域重疊之區域（例如，像素區域的周邊區域）中 • 爲佳，使得該孔徑率不減少。 此外，如圖7B所描繪的，第一衝擊釋放層144及第 二衝擊釋放層146可能分別設置在第一基材132及第二基 φ 材133的外側（在未設置發光元件140之側上）。 該等衝擊釋放層具有擴散及減少待自外側施加至該發 光裝置之力的效用。因此，如圖7B所描繪的，藉由設置 . 預防自外側施加至該發光裝置之力（也指稱爲外部應力）的 該等衝擊釋放層，可緩和局部施力。因此，可增加該發光 裝置的強度，且可防止該發光裝置之損傷、缺陷特徵等。 例如，可將具有在其中彈性模數係自5PGa至12PGa 且破裂模數爲300MPa或以上之橡膠彈性的膜用於第一衝 擊釋放層144及第二衝擊釋放層146。須注意使用具有比 -35- 201031258 第一基材132及第二基材133更低的彈性及更高之破裂強 度的材料爲佳。 第一衝擊釋放層144及第二衝擊釋放層146使用高強 度材料形成爲佳。高強度材料的典型範例包括聚乙烯醇樹 脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚乙烯樹脂、醯胺樹脂、聚 對伸苯基苯並雙锷唑樹脂、玻璃樹脂等。藉由設置使用具 有彈性之高強度材料而形成的第一衝擊釋放層〗44及第二 衝擊釋放層146’將諸如局部壓力之負載擴散並由該整體 υ 層吸收，使得可防止該發光裝置受損。 具體地說，可將醯胺樹脂、聚萘二甲酸乙二酯（PEN) 樹脂、聚醚腈（PES)樹脂、聚苯硫醚（ppS)樹脂、聚醯亞胺 (PI)樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯（PET)樹脂等使用爲第一衝 擊釋放層1 44及第二衝擊釋放層146。在此實施例中，將 · 由醯胺樹脂製成之醯胺膜用於第一衝擊釋放層144及第二 衝擊釋放層146各者。 第一基材132及第一衝擊釋放層144或第二基材133 〇 及第二衝擊釋放層1 46可藉由黏著劑（未圖示）彼此相互附 接。此外，當將在其中纖維體係以有機樹脂浸漬之結構使 用爲第一基材132及第二基材133時，在其間不具有黏著 劑而可藉由加熱及加壓直接黏合彼等係可能的。 須注意雖然圖7B描繪在其中該等衝擊釋放層係針對 第一基材132及第二基材133外側之二側設置的範例，該 等衝擊釋放層可能設置在第一基材132或第二基材133任 一者的外側。須注意如圖7B所描繪的，當一對衝擊釋放 -36- 201031258 層係相關於元件部170對稱地設置時，可將施加至該發光 裝置之力均勻地散佈爲佳；因此’可防止因彎曲、折曲等 導致元件部170受損。另外，當一對基材或一對衝擊釋放 層係使用相同材料形成爲相同厚度晴’彼等可具有等同特 徵，因此該施力變得更分散。 在此實施例描述的該發光裝置中，絕緣層137具有凸 部，且此凸部嵌入在樹脂膜130中，因此該絕緣層137及 φ 樹脂膜130的固定強度可改善。因此，在該發光裝置的製 程中，剝落不會在該發光元件的內側發生，且因此該發光 元件可轉移至可撓基材。因此，可用高良率製造該發光裝 置，且如此形成的發光裝置具有高可靠性。 ' 藉由設置一對結構，彼等包夾用於此實施例中之該發 ' 光裝置的該元件部，可緩和局部施加至該發光元件的力； 因此可防止因外部應力所導致之該發光裝置的受損、缺陷 特徵等。因此，可提供在厚度及尺寸上縮減並具有耐久性 φ 的高度可靠之發光裝置。另外，可藉由防止由於製程中之 外部應力所導致的形狀及特徵缺陷，而以高良率製造發光 M-f- pcs 裝置。 此實施例可視情況與任何實施例組合。 實施例4 在實施例4中，將參考圖8A及8B的頂視圖及剖面圖 ，描述模組型發光裝置（也指稱爲EL模組）的範例。
圖8A係描繪以上述實施例所描述的方式形成之EL -37- 201031258 模組的頂視圖’且圖8 B係沿著圖8 A之A - A'線取得的剖 面圖。在圖8A中，像素部502、源極側驅動電路504、及 閘極側驅動電路503係形成於第一基材132之上。 參考數字508指示將訊號傳輸至源極側驅動電路5(M 及閘極側驅動電路5 03的佈線，且該佈線可與包括在該像 素部之切換元件中的佈線同時形成。佈線508自係外部輸 入端的FPC(可撓印刷電路）4〇2接收視訊訊號、時鐘訊號 、開始訊號、重設訊號等。雖然在圖8A及8B中僅描畫 0 FPC 402，可能將印刷佈線板（PWB)設置給FPC 402。此說 明書中的該發光裝置不僅包括發光裝置本體自身，也包括 在其中FPC或PWB係附接至其之狀態。 其次，將參考圖8B描述該剖面結構。將像素部502 ' 及閘極側驅動電路503形成在第一基材132之上，且像素 - 部5 02包括複數個像素，該等像素各者包括薄膜電晶體 106及電性連接至薄膜電晶體1〇6之汲極的第一電極。使 用在彼等之間的各向異性導電劑等，將係外部輸入端的 @ FPC 4 02附接在針對第一基材132設置的佈線508上。藉 由包括在該各向異性導電劑中的導電粒子，佈線508與形 成在FPC4 02中的佈線彼此電性連接。在圖8A及8B中， FPC 4 02係由第一基材132及第二基材133包夾。 以此方式，可得到將FPC 402連接至其的該模組型發 光裝置。 此實施例可視情況與任何實施例組合。 -38- 201031258 實施例5 可將上述實施例之任一者所描述的該發光裝置 . 電子裝置的顯示部。描述在此實施例中的電子裝置 等實施例之任一者的該發光裝置。藉由製造根據上 實施例之發光裝置的該方法，可用高良率得到高度 發光裝置。結果，具有高產量及高品質之電子裝置 爲終端產品。 φ 上述實施例之任一者所描述的該發光裝置可用 如，各種電子裝置的顯示部，諸如顯示裝置、電腦 電話、或攝影機。上述實施例之任一者所描述的該 置可用於顯示部，因此可提供具有高可靠性的輕薄 置。 • 圖9A描繪包括外殼9101、支撐基座9102、 9103、揚聲器部9104、視訊輸入端9105等的電視 電視裝置的顯示部9103係使用上述實施例之任一 φ 述的該發光裝置製造。載置上述實施例之任一者的 置之該電視機係可撓的，具有長使用期限並易於製 係可在彎曲表面上實現顯示並使用顯示部9103而 的高度可靠之產品。 圖9B描繪包括主體9201'框架9202、顯示ί ' 、鍵盤92 04、外部連接埠92 05、指標裝置92 06等 。該電腦的顯示部9203係使用上述實施例之任一 述的該發光裝置製造。載置上述實施例之任一者的 置之該電腦係可撓的，具有長使用期限並易於製造 使用爲 具有該 述任一 可靠的 可形成 於，例 、行動 發光裝 電子裝 顯示部 機。該 者所描 發光裝 造，可 輕量化 β 9203 的電腦 者所描 發光裝 ，可係 -39- 201031258 可在彎曲表面上實施顯示並使用顯示部9203而輕量化的 高度可靠之產品。 圖9C描繪包括主體9401、框架9402、顯示部94 03 . 、音訊輸入部9404、音訊輸出部9405、操作鍵9406、外 部連接埠9407等的行動電話。該行動電話的顯示部9403 係使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝置製造。載 置上述實施例之任一者的發光裝置之該行動電話係可撓的 ，具有長使用期限並易於製造，可係可在彎曲表面上實施 @ 顯示並使用顯示部9 403而輕量化的高度可靠之產品。即 使當各種附加價値加至該行動電話時，此實施例中的該輕 量行動電話可具有適於可攜電話的尺寸及重量，並適於高 功能性的行動電話。 圖9D描繪包括主體9501、顯示部9502、外殼95 03 · 、外部連接埠 9504、遙控接收器部9505、影像接收部 9506、電池9507、音訊輸入部9508、操作鍵9509、目鏡 部95 10等之攝影機。該攝影機的顯示部95 02係使用上述 〇 實施例之任一者所描述的該發光裝置製造。載置上述實施 例之任一者的發光裝置之該攝影機係可撓的，具有長使用 期限並易於製造，可係可在彎曲表面上實施顯示並使用顯 . 示部9502而輕量化的高度可靠之產品。 圖9E描繪包括主體9601、顯示部9602、外部記憶體 插入部9603、揚聲器部9604、操作鍵9605等的顯示器。 主體9601可能另外載置用於接收待顯示於電視之影像的 天線、外部輸入端、外部輸出端、電池等。該顯示器的顯 -40- 201031258 示部9602係使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝 置製造。該可撓顯示部9602可藉由捲起而儲存在主體 . 9601內’其適於一起運載。載置上述實施例之任一者的發 光裝置之該顯不器’其係可撓的，可係可實現可攜性並使 用顯示部9 602而輕量化的高度可靠之產品。 如上文所述，使用上文實施例之任一者所描述的發光 裝置而形成之該發光裝置的應用範例係廣泛的，使得該發 ❹ 光裝置可施用在所有領域的電子裝置上。 在上文實施例之任一者中描述的該發光裝置也可使用 爲照明裝置。茲參考圖10以描述用於照明裝置之該發光 裝置的一模式。 圖10描繪在其中將已描述爲上述實施例之任一者中 ' 的範例之該發光裝置施用爲係照明裝置的桌燈3000、內部 照明裝置3001及3002之範例。描繪於圖10中的桌燈 3 000將描述爲上述實施例之任一者中的一範例之發光裝置 • 使用爲光源。因此，該桌燈可實現輕量化及高可靠性。此 外，藉由使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝置， 內部照明裝置3001及3002可減少彼等之重量並具有高可 . 靠性。此外，因爲該發光裝置可撓，例如，其可係像照明 裝置3002的捲動型照明裝置。 該等照明裝置並未受限於圖10所例示之該等裝置， 且在上述實施例之任一者中描述的該發光裝置可施用至各 種模式的照明裝置，包括用於住家或公共設施的照明裝置 。在該情形中，使用上述實施例之任一者所描述的該發光 -41 * 201031258 裝置之照明裝置的發光媒體係薄膜’其提供更佳的設計自 由度。因此，可將各種精巧設計之產品提供至市場。 此實施例可視情況與任何實施例組合。 本申請案基於2009年1月8日向日本特許廳申請的 日本專利申請案編號第2009-002567號，該專利之教示全 文以提及之方式倂入本文中。 【圖式簡單說明】 @ 在該等隨附圖式中： 圖1描繪根據本發明之一實施例的發光裝置； 圖2描繪根據本發明之一實施例的發光裝置； 圖3A至3D描繪根據本發明的一實施例之用於製造 發光裝置的方法； ’ 圖4A至4C描繪根據本發明的一實施例之用於該製造 發光裝置的該方法； 圖5A及5B描繪根據本發明的一實施例之用於該製造 @ 發光裝置的該方法； 圖6A至6C各者描繪發光元件的結構範例； 圖7A及7B各者描繪根據本發明的一實施例之發光元 . 件的結構範例； 圖8A及8B描繪根據本發明之—實施例的發光裝置； 圖9A至9E各者描繪根據本發明的一實施例之發光元 件的應用範例；以及 圖1〇描繪根據本發明的一實施例之發光裝置的應用 -42- 201031258 範例。 . 【主要元件符號說明】 100、 200:基材 I 0 2 :分隔層 104、 114、 116、 120、 137、 138 ：絕緣層 106 :薄膜電晶體 ❹ 1〇8 :半導體層 II 〇 :閘絕緣層 1 1 2 :閘極 118、 508 ：佈線 1 2 2 :第一電極 ' 124 :元件形成層 1 3 0 :樹脂膜 131 :黏著片 φ 132 :第一基材 132a :纖維體 13 2b :有機樹脂 . 1 33 :第二基材 134 ： EL 層 1 36 :第二電極 137a:第一絕緣層 13 7b :第二絕緣層 140 :發光元件 -43- 201031258 142 :乾燥劑 144 :第一衝擊釋放層 146 :第二衝擊釋放層 . 170 :元件部 402 : FPC(可撓印刷電路） 502 :像素部 503 :閘極側驅動電路 5 04 :源極側驅動電路 ❿ 9101、 9503 ：外殼 9102 :支撐基座 9103 、 9203 、 9403 、 9502 、 9602 :顯示部 9104、9604 :揚聲器部 9 105 :視訊輸入端 ' 9201 、 9401 、 9501 、 9601 ：主體 9202 、 9402 ：框架 9204 :鍵盤 ❹ 9205、9407、9504 ：外部連接埠 9 2 0 6 :指標裝置 9404、9508 :音訊輸入部 、 9405 :音訊輸出部 9406、 9509、 9605 ：操作鍵 9 505 :遙控接收器部 9 5 06 :影像接收部 9 5 0 7 :電池 -44 - 201031258
9 5 1 0 :目鏡部 9603 :外部記憶體插入部 3000 :桌燈 300 1、3002 :內部照明裝置 -45-

Claims (1)

  1. 201031258 七、申請專利範園： i一種發光裝置，包含： —可撓基材； - 一發光元件，在該可撓基材上方，至少包括一第一電 極、一絕緣層，覆蓋該第一電極之一終端部並具有一凸部 、一 EL層，與該第一電極接觸、以及一第二電極，與該 EL層接觸；以及 一樹脂膜，將該凸部嵌入於其中且其覆蓋該發光元件 @ 〇 2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該可撓基 材及該樹脂膜之至少一者結構爲其中一纖維體係以一有機 樹脂浸漬。 3. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中一衝擊釋 放層形成在該可撓基材及該樹脂膜之至少一表面上。 4. 一種電子裝置，包含如申請專利範圍第1項之發光 裝置。 Θ 5. —種發光裝置，包含： 一第一可撓基材； 一發光元件，在該第一可撓基材上方，至少包括一第 _ 一電極、一絕緣層，覆蓋該第一電極之一終端部並具有一 凸部、一 EL層’與該第一電極接觸、以及一第二電極， 與該EL層接觸； 一樹脂膜’將該凸部嵌入於其中且其覆蓋該發光元件 :以及 -46- 201031258 一第二可撓基材，設置在該樹脂膜上方。 6. 如申請專利範圍第5項之發光裝置，其中該第一可 . 撓基材及該第二可撓基材之至少一者結構爲其中一纖維體 係以一有機樹脂浸漬。 7. 如申請專利範圍第5項之發光裝置，其中一衝擊釋 放層形成在該第一可撓基材及該第二可撓基材之至少一者 上。 φ 8.如申請專利範圍第5項之發光裝置，其中一乾燥劑 係設置在該發光元件及該第二可撓基材之間。 9. 如申請專利範圍第5項之發光裝置，其中該第—可 撓基材的一厚度等於該第二可撓基材之一厚度。 10. —種電子裝置，包含如申請專利範圍第5項之發 • 光裝置。 11. 一種發光裝置，包含： 一第一可撓基材； φ 一發光元件，在該第一可撓基材上方，至少包括一第 一電極、一第一絕緣層，覆蓋該第一電極的一終端部、一 第二絕緣層，其與該第一絕緣層接觸且其與該第一絕緣層 _ 的接觸面積小於該第一絕緣層之一頂面積、一 EL層，與 該第一電極接觸、以及一第二電極，與該EL層接觸； 一樹脂膜，將該第二絕緣層嵌入於其中且其覆蓋該發 光元件；以及 一第二可撓基材，設置在該樹脂膜上方。 12. 如申請專利範圍第11項之發光裝置，其中該第一 -47- 201031258 可撓基材及該第二可撓基材之至少一者結構爲其中一纖維 體係以一有機樹脂浸漬.。 13. 如申請專利範圍第u項之發光裝置，其中—衝擊 釋放層形成在該第一可撓基材及該第二可撓基材之至少一 者上。 14. 如申請專利範圍第11項之發光裝置，其中一乾燥 劑係設置在該發光元件及該第二可撓基材之間。 15. 如申請專利範圍第11項之發光裝置，其中該第一 · 可撓基材的一厚度等於該第二可撓基材之一厚度。 16. —種電子裝置，包含如申請專利範圍第11項之發 光裝置。 17. —種發光裝置，包含·· 一可撓基材： · 一第一電極，在該可撓基材上方； —絕緣層，覆蓋該第一電極的一終端部並具有一凸部 ❹ 一 EL層，與該第一電極接觸·， 一第二電極，與該EL層接觸；以及 一樹脂膜，在該第二電極上方並將該凸部嵌入於其中 _ 〇 18. 如申請專利範圍第17項之發光裝置，其中該可撓 基材及該樹脂膜之至少一者結構爲其中一纖維體係以一有 機樹脂浸漬。 19. 如申請專利範圍第17項之發光裝置，其中一衝擊 -48- 201031258 釋放層形成在該可撓基材及該樹脂膜之至少一表面上。 20. —種電子裝置’包含如申請專利範圍第17項之發 . 光裝置。 21. —種發光裝置，包含： 一可撓基材； 一發光元件’在該可撓基材上方，至少包括一第一電 極、一絕緣層’覆蓋該第一電極之一終端部並具有一凸部 φ 、— EL層，與該第一電極接觸、以及一第二電極，與該 EL層接觸；以及 一樹脂膜，覆蓋該絕緣層之一全部表面及該第二電極 的一全部表面。 22. 如申請專利範圍第21項之發光裝置，其中該可撓 ' 基材及該樹脂膜之至少一者結構爲其中一纖維體係以一有 機樹脂浸漬。 23. 如申請專利範圍第21項之發光裝置，其中一衝擊 # 釋放層形成在該可撓基材及該樹脂膜之至少一表面上。 24. —種電子裝置，包含如申請專利範圍第21項之發 光裝置。 -49-
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