TW201030893A - Method for forming isolation layer and method for fabricating nonvolatile memory device using the same - Google Patents

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201030893 六、發明說明： [相關申請案之對照參考資料] 本申請案主張2009年2月9日所提出之韓國專利申請 案第10-2009-0010274號之優先權，在此以參考的方式倂 入該韓國專利申請案之整個揭露。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種製造一半導體裝置之方法’以及 更特別地，是有關於一種能防止環溝（m〇 at)之產生的用以 φ 形成一隔離層之方法，及一種使用該方法製造非揮發性記 憶體裝置之方法。 【先前技術】 最近，一像電荷擷取型非揮發性記憶體裝置之所謂電 荷擷取裝置（charge trap device，CTD)的硏究正在積極地進 行中，以實施一具有次40奈米尺寸之大型非揮發性記億體 裝置。該電荷擷取型非揮發性記憶體裝置具有在基板上依 序堆叠一穿隧絕緣層、一電荷擷取層、一介電層及一閘極 φ 電極之堆疊結構及藉由在該電荷擷取層內之擷取位置（trap site)中擷取或捕獲電荷來儲存資料。 同時，因爲該電荷擷取型非揮發性記憶體裝置係由複 數個單位記憶體裝置之組合所構成，所以它需要一隔離 層，以使該等單位記憶體裝置在電性上彼此隔離。通常， 以一使用溝槽結構之淺溝槽隔離（STI)方法來形成該隔離 層。 第1A至1C圖描述在該習知技藝中一用以製造一電荷 201030893 擷取型非揮發性記億體裝置之方法》 參考第1A圖，在一基板11上方依序形成一穿隧絕緣 層12、一電荷擷取層13、一緩衝氧化層14及一硬罩氮化 物圖案1 5。 然後，在藉由使用該硬罩氮化物圖案15做爲一蝕刻阻 障，蝕刻該緩衝氧化層14、該電荷擷取層13、該穿隧絕緣 層12及該基板11，以形成一用於裝置隔離之溝槽16後， 藉由以一絕緣材料塡充該溝槽16,以形成一隔離層17。在 0 此，該隔離層17係使用一具有相對較優塡充特性之氧化層 (例如，一旋塗式介電（SOD)層）所形成，以防止在該層中產 生像裂縫（seam)之缺陷。 參考第1B圖，實施一濕式蝕刻製程，以移除該硬罩氮 化物圖案15。使用一磷酸溶液，移除該硬罩氮化物圖案15。 隨後，實施一清洗製程，以移除殘餘物及該緩衝氧化 層14，藉以暴露該電荷擷取層13之上表面。該清洗製程 係使用一氫氟酸溶液來實施。 參 參考第1C圖，在沿著一包括該隔離層17之合成結構 (resultant structure)的整個表面形成一介電層18後，在該 介電層18上形成一閘極電極19» 然而，在該習知技藝中，當在移除該硬罩氮化物圖案 15之製程期間可能毀損該隔離層17之邊緣時，會產生環 溝（M)。這是因爲用以做爲該隔離層17之該SOD層可能包 含像碳之雜質及其中所形成之像孔洞（void)的許多微小缺 陷，以及因而，相對容易被該磷酸溶液蝕刻。再者，因爲 201030893 該隔離層17與該緩衝氧化層14係由相同氧化層所形成， 所以該環溝（M)在該清洗製程中變得更嚴重，以及因此，該 隔離層17亦被在該清洗製程中所使用之氫氟酸溶液所蝕 刻。 此外，最好在該合成結構上方形成具有均勻厚度之該 介電層18，以便該非揮發性記億體裝置之胞元記憶體裝置 具有一致效能特性。然而，如第1C圖之元件符號B的部 分所示，因爲該環溝（M)具有一角狀及該介電層18在該環 φ 溝（M)周圍具有相對小的厚度，所以在該合成結構上方很難 形成具有均勻厚度之該介電層18。 此外，最好以該介電層18使該電荷擷取層13與該閘 極電極19在電性上彼此隔離，以使該非揮發性記憶體裝置 正常操作。然而，如第1C圖之元件符號A的部分所示， 擔心經由在該環溝（M)之區域中的該介電層18之開口的短 路會改變該電荷擷取層13與該閘極電極19之耦合比 (coupling ratio) 〇 鲁【發明内容】 本發明之一實施例係有關於提供一種形成半導體裝置 之隔離層的方法，當形成該隔離層時，其能防止在移除一 硬罩圖案之製程及清洗製程期間產生環溝。 本發明之另一實施例係有關於提供一種製造非揮發性 記憶體裝置之方法，其能防止該非揮發性記憶體裝置之效 能特性因環溝而降低。 依據本發明之一觀點，提供一種製造半導體裝置之方 201030893 法。該方法包括：形成一硬罩圖案於一基板上方；藉由轉 變該硬罩圖案之側壁的一部分，以形成一保護層；藉由使 用該硬罩圖案及該保護層做爲一蝕刻阻障來蝕刻該基板， 以形成一溝槽；藉由以一絕緣材料塡充該溝槽，以形成一 隔離層；以及移除該硬罩圖案。該方法可以進一步包括在 該硬罩圖案之移除後，實施一清洗製程。 該保護層之形成可以包括氧化該硬罩圖案之側壁的該 部分。可以使用氧氣電漿來實施該保護層之形成。可以在 • 約l〇°C至約40 0°C間之溫度下實施該保護層之形成。 該硬罩圖案之移除可以包括實施一乾式蝕刻製程。 該保護層及該隔離層可以包括一氧化層及該硬罩圖案 可以包括一矽層。 依據本發明之另一觀點，提供一種製造非揮發性記憶 體裝置之方法。該方法包括：依序形成一穿隧絕緣層、一 電荷擷取層、一第一保護層及一硬罩圖案於一基板上方； 藉由轉變該硬罩圖案之側壁的一部分，以形成一第二保護 © 層；藉由使用該硬罩圖案及該第二保護層做爲一蝕刻阻障 來蝕刻該第一保護層、該電荷擷取層、該穿隧絕緣層及該 基板，以形成一溝槽；藉由以一絕緣材料塡充該溝槽，以 形成一隔離層；移除該硬罩圖案；以及實施一清洗製程， 以暴露該電荷擷取層之上表面。 該方法可以進一步包括沿著一包括該隔離層之合成結 構的整個表面形成一介電層：以及形成一閘極電極於該介 電層上方。 201030893 該第二保護層之形成可以包括氧化該硬罩圖案之側壁 的該部分。可以使用氧氣電漿來實施該第二保護層之形 成。可以在約10°c至約’400°C間之溫度下實施該第二保護 層之形成。 該硬罩圖案之移除可以包括實施一乾式蝕刻製程。 該第一及第二保護層及該隔離層可以包括一氧化層及 該硬罩圖案可以包括一矽層。 依據本發明之另一觀點，提供一種製造非揮發性記億 Φ 體裝置之方法。該方法包括：形成一第一保護層於一基板 上方；形成一第一硬罩層於該基板上方；形成一第二硬罩 層於該第一硬罩層上方，其中該第一及第二硬罩層形成一 硬罩圖案；藉由氧化該第一硬罩層之側壁，以形成一第二 保護層，其中該第二保護層具有大於該第一保護層之厚 度；以及藉由使用該硬罩圖案及該第二保護層做爲一蝕刻 阻障來蝕刻該基板，以形成一溝槽。 【實施方式】 • 本發明之其它目的及優點可藉由下面敘述來了解及可 參考本發明之實施例而變得顯而易知。 關於該等圖式，複數層及區域所述之厚度係示範用的 而不是確切的。當提及第一層是在第二層"上"或在基板”上 "時，它可能表示該第一層係直接形成於該第二層或該基板 上，或者它可能亦表示第三層可以存在於該第一層與該基 板間。再者，雖然出現在本發明之不同實施例或圖式中， 但是相同或相似元件符號表示相同或相似組件。 201030893 &下所述之本發明提供形成一半導體裝置之一隔離層 &方法’當形成該隔離層時，其能防止在移除一硬罩圖案 之製程及清洗製程期間產生環溝，以及提供製造一非揮發 性記憶體裝置之方法，其能防止因環溝而降低效能特性。 爲了說明用，本發明使用一藉由轉變一硬罩圖案之側壁的 一部分來形成一保護層之技術原理。 第2A至2F圖描述依據本發明之一實施例的製造一電 胃擷取型非揮發性記憶體裝置之方法。 Ο 參考第2A圖，在一基板31上方形成一穿隧絕緣層 32。該穿隧絕緣層32可以包括一像氧化矽（Si02)層之氧化 層及該用於該穿隧絕緣層32之氧化矽層可以經由熱氧化 來形成。 然後，在該穿隧絕緣層32上形成一電荷擷取層33。 該電荷擷取層33係一儲存電荷之空間，亦即，一儲存資料 之空間。因爲，最好以一在顯著深度中形成有擷取位置之 材料形成該電荷擷取層33。例如，該電荷擷取層33可以 ® 是由一氮化層所形成及該氮化層可以包括一氮化矽（Si3N4) 層。 在該電荷擷取層33上形成一第一保護層34。在此， 該第一保護層34扮演防止該電荷擷取層33在隨後製程期 間被毀損之角色及做爲一在該電荷擷取層33與一待形成 之硬罩層間的緩衝層。該第一保護層34可以由一像氧化矽 (Si〇2)層之氧化層所形成。 在該第一保護層34上形成一第一硬罩層35。在本發 201030893 明之該實施例中，該第一硬罩層35係由一矽層所形成。該 矽層可以包括一多晶矽（poly-Si)層或一矽鍺（SiGe)層。 在該第一硬罩層35上形成一第二硬罩層36。該第二 硬罩層36扮演對一形成一用於裝置隔離之溝槽的隨後製 程提供一餓刻邊限（etch margin)的角色及可以由一氧化層 所形成。在此，最好以一氧化矽層形成該第二硬罩層36。 爲了說明用，因爲一矽層係一具有小於一氮化層（例如，一 氮化矽層）之硬度的材料，所以在該硬罩層係僅由該矽層所 0 形成的情況中，該隨後製程之蝕刻邊限可能是不足的。 在該第二硬罩層36上形成一光阻圖案（未顯示）後，使 用該光阻圖案做爲一蝕刻阻障，蝕刻該第二及第一硬罩層 36及35»結果，形成一包括經蝕刻的第一及第二硬罩層 35及36之硬罩圖案37。爲了說明用，雖然如第1A至1C 圖所述，該硬罩圖案在該習知技藝中係由一單層所形成， 但是依據本發明之硬罩圖案37係由該矽層（亦即，該第一 硬罩層35)及該氧化矽層（亦即，該第二硬罩層36)之堆疊層 β 所形成。 參考第2Β圖，藉由轉變該第一硬罩層35之側壁的一 部分，以形成一第二保護層35Α。該第二保護層35Α扮演 防止因在一移除該第一硬罩層35之隨後製造及一清洗製 程、或一移除該第一保護層34之製程期間毀損一隔離層之 邊緣而產生環溝之角色。因此，最好藉由考量在該移除該 第一硬罩層35之隨後製程及該清洗製程期間該隔離層之 損失量，以調整該第二保護層35Α之厚度。再者，最好形 -10- 201030893 成該第二保護層35A具有等於或大於該第一保護層34之厚 度’藉以在該隨後清洗製程中完全移除該第一保護層34期 間防止該隔離層之損失。例如，該第二保護層3 5 A可以形 成具有在約40 A至約60A範圍之厚度。 該第二保護層35A及該第一保護層34可以由相同材料 所形成。於是，該第二保護層35A可以由氧化層所形成。 藉由在該隨後清洗製程中一次移除該第一保護層34及該 第二保護層35A，以簡化一連串製程。爲了說明用，最好 • 在沉積一介電層前，移除該第二保護層35A，以在該介電 層與該電荷擷取層33間確保一接觸面積。 此外，最好藉由轉變該第一硬罩層35之側壁的該部 分，形成該第二保護層35A，以防止該硬罩圖案37之線寬 的改變。 做爲一範例，可以藉由氧化由該矽層所構成之該第一 硬罩層35的側壁之該部分，以形成該第二保護層35A。因 此，該第二保護層35A可以由氧化矽（Si02)層所形成。 Φ 特別地，可以在約l〇°C至約400°C之低溫下使用氧氣 電漿，形成該第二保護層35A。此時，用以在約10°C至約 400°C之低溫下形成該第二保護層35A的理由是相對容易 調整該第二保護層35A之厚度（T)，同時減少在該等製程期 間對該電荷擷取層3 3所施加之熱應力。亦即’在小於1 〇°C 之溫度下形成該第二保護層35A的情況中，可能無法正常 形成該第二保護層35A，或者可能降低該第二保護層35A 之形成速度，以及因而，可能損害其生產率。另一方面’ -11- 201030893 在高於400°C之溫度下形成該第二保護層35A的情況 該第二保護層35A之形成速度變得比較快。結果，可 難形成該第二保護層35A具有在約40 A至約60A範 厚度（T)及可能因對該電荷擷取層33所施加之熱應力 加而使該電荷擷取層33變形或毀損。同時，因爲可以 該氧氣電漿，形成該第二保護層35A，所以甚至在約 至約40 0°C之低溫下，可以藉由輕易氧化該矽層，形 第二保護層35A。 Φ 參考第2C圖，藉由使用該硬罩圖案37及該第二 層3 5A做爲一蝕刻阻障，依序蝕刻第一保護層34、該 擷取層33、該穿隧絕緣層32及該基板31，以形成一 裝置隔離之溝槽38。在此，以元件符號3 4A、33A及 分別表示該經蝕刻的第一保護層、該經蝕刻的電荷擺 及該經蝕刻的穿隧絕緣層。 然後，在沉積一絕緣材料，以塡充該溝槽38及覆 硬罩圖案37後，藉由對該所沉積的絕緣材料實施—平 ® 製程，直到暴露該第一硬罩層35之上表面爲止，以形 隔離層39。在此製程中，移除該第二硬罩層36。可以 一化學機械硏磨（CMP)法，實施該平坦化製程。 該隔離層39可以由相同於該第一及第二保護層 35A之材料所形成。亦即，該隔離層39可以由—氧化 形成。在此，可以使用一具有相對較優塡充特性之氧 (例如，一 SOD層）來形成該隔離層39,以防止在該層 生像裂縫之缺陷。 中， 能很 圍之 的增 使用 1 o°c 成該 保護 電荷 用於 32A 取層 蓋該 坦化 成該 使用 34及 層所 化層 中產 -12- 201030893 參考第2D圖，移除該第一硬罩層35。此時，可以經 由一乾式蝕刻製程移除該第一硬罩層35，且該乾式蝕刻製 程之蝕刻氣體可以使用對該隔離層39、該經蝕刻的第一保 護層34A及該第二保護層35A具有選擇性之氣體。亦即， 可以使用一用以選擇性餓刻該第一硬罩層35而不飽刻該 隔離層39、該經蝕刻的第一保護層34A及該第二保護層 35A之氣體做爲該蝕刻氣體。例如，在該第一硬罩層35包 括該矽層，以及該隔離層39及該經蝕刻的第一及第二保護 Φ 層34A及35A包括該氧化層之情況中，該蝕刻氣體可以使 用溴化氫（HBr)氣體、氯（Cl2)氣及SF6氣體之混合氣體 (HBr/Cl2/SF6)。 爲了說明用，在該隔離層39包括該氧化層（例如，該 SOD層），以及該等硬罩層包括該氮化層之情況中，必然實 施一使用磷酸溶液之濕式蝕刻製程，以只移除該等硬罩 層。亦即，實際上不可能經由該乾式蝕刻製程只選擇性移 除由該氮化層所形成之該等硬罩層。這是因爲，通常，做 ® 爲用以蝕刻該氮化層之氣體的氟氣（例如，cf4氣體、chf3 氣體等）亦會蝕刻該氧化層。 然而，依據本發明之該實施例，因爲該第一硬罩層35 係由該矽層所形成，所以可經由該乾式蝕刻製程只選擇性 移除該第一硬罩層35,而沒有該隔離層39、該經蝕刻的第 一保護層34A及該第二保護層35A之損失。因此，本發明 可防止該隔離層39之邊緣在移除該第一硬罩層35之製程 期間受損。再者，因爲該第二保護層35A在移除該第一硬 -13- 201030893 罩層35之製程中做爲阻障，所以可更有效地防止該隔離層 39之損失。終究，本發明防止該隔離層39之邊緣在移除 該第一硬罩層35之製程期間受損，以及因此，可防止環溝 之產生。 參考第2E圖，實施一清洗製程，以移除在該基板31 上所剩下之殘留物及暴露該經蝕刻的電荷擷取層33 A之上 表面。亦即，以該清洗製程移除該經蝕刻的第一保護層 34A。此時，雖然亦蝕刻由相同於該第一保護層34之材料 〇 所形成之該第二保護層35A，但是因爲該第二保護層35A 具有等於或大於該第一保護層34A之厚度，所以該部分經 蝕刻的第二保護層3 5A在該清洗製程期間可防止該隔離層 39之損失。因此，可防止在該清洗製程期間產生環溝。 該清洗製程可以包括一濕式蝕刻製程及使用一含氫氟 酸（HF)溶液。在此，該含氫氟酸溶液可以包括緩衝氧化物 蝕刻劑或一混合去離子水與氫氟酸溶液之經稀釋的HF溶 液。 • 參考第2F圖，沿著一包括該隔離層39之合成結構的 整個表面形成該介電層40。該介電層40可以由一具有高 介電常數（kigh-K)之材料所形成。在此，該具有高介電常數 之材料表示一具有大於氧化矽層之介電常數的材料。因 此，該高介電常數材料具有一高於3.9之介電常數。 特別地’該介電層40可以由一具有高介電常數之金屬 氧化層所形成。該金屬氧化層可以包括選自由氧化鋁 (Al2〇3)層、氧化鈴（Hf02)層、氧化鉻（Zr02)層、氧化釔（γ2〇3) -14- 201030893 層及氧化鑭（La203)層所組成之群組的單層或堆叠層。 在此，依據本發明之該實施例，藉由在形成該隔離39 時防止該環溝之產生，以在該合成結構上方形成該介電層 4〇而具有均勻厚度。由於這樣，可形成該電荷擷取型非揮 發性記憶體裝置之胞元記憶體裝置而具有一致效能特性。 亦即，可提高該非揮發性記憶體裝置之效能特性。 然後，在該介電層40上形成一閘極電極41。該閘極 電極41可以包括矽層及金屬層中之一，或該矽層及該金屬 參 層之堆疊層。該矽層可以包括一多晶矽層或一矽鍺（SiGe) 層。該金屬層可以包括選自由鎢（W)層、鈦（Ti)層、钽（Ta) 層、氮化鎢（WN)層、氮化鉬（TaN)層、氮化鈦（TiN)層及矽 化鎢（WSi)層所組成之群組中之一者。 本發明可在形成該隔離層39之製程期間防止環溝之 產生，及因而防止因經由在該環溝區域中之該介電層40的 開口的短路而造成該電荷擷取層33A與該閘極電極41之耦 合比的變動。 ® 可經由上述製程製造依據本發明之該電荷擷取型非揮 發性記億體裝置。 簡言之，依據本發明之該具體例，因舄該第一硬罩層 35包括該矽層及藉由實施該乾式蝕刻製程來移除該第一硬 罩層35，所以在移除該第一硬罩層35時，可防止該隔離 層39之損失，以及因此，防止該環溝之產生。 此外，依據本發明之該具體例，因爲藉由轉變該第一 硬罩層35之側壁的該部分，以形成該第二保護層35A，所 -15- 201030893 以可在移除該第一硬罩層35之製程期間防止該隔離層39 之損失，及因此可以更有效地防止該環溝之產生。 再者，因爲本發明形成第二保護層3 5A，所以可在該 清洗製程期間防止該隔離層39之損失及因而可非常有效 地防止該環溝之產生。 藉由在形成該隔離層39之製程期間防止環溝之產 生，本發明可防止該非揮發性記憶體裝置之效能特性因該 環溝而降低。 〇 雖然已描述關於該等特定實施例之本發明，但是熟習 該項技藝者將明顯易知在不脫離下面申請專利範圍所界定 之本發明的精神及範圍內可以實施各種變更及修改。 【囷式簡單說明】 第1A至1C圖描述在該習知技藝中一用以製造一電荷 擷取型非揮發性記憶體裝置之方法。 第2A至2F圖描述依據本發明之一實施例的一用以製 造一電荷擷取型非揮發性記憶體裝置之方法。 ® 【主要元件符號說明】 11 基板 12 穿隧絕緣層 13 電荷擷取層 14 緩衝氧化層 15 硬罩氮化物圖案 16 溝槽 17 隔離層 -16- 201030893

18 介 電 層 19 閘 極 電 極 3 1 基 板 32 穿 隧 絕 緣 層 32A 經 蝕 刻 的 穿 隧 絕 緣 層 33 電 荷 擷 取 層 33 A 經 蝕 刻 的 電 荷 擷 取 層 34 第 一 保 護 層 34A 經 触 刻 的 第 —^ 保 護 層 3 5 第 一 硬 罩 層 3 5 A 第 二 保 護 層 36 第 二 硬 罩 層 37 硬 罩 圖 案 3 8 溝 槽 39 隔 離 層 40 介 電 層 4 1 閘 極 電 極 M •m 環 溝 T 厚 度 -17-

Claims (1)

1. 201030893 七、申請專利範圍： 1. 一種製造半導體裝置之方法，該方法包括： 形成一硬罩圖案於一基板上方； 藉由轉變該硬罩圖案之側壁的一部分，以形成一保 護層； 藉由使用該硬罩圖案及該保護層做爲一蝕刻阻障 來蝕刻該基板，以形成一溝槽； 藉由以一絕緣材料塡充該溝槽，以形成一隔離層； 0 以及 移除該硬罩圖案。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，在該硬罩圖案之移除 後，進一步包括實施一清洗製程。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該保護層之形成包 括氧化該硬罩圖案之側壁的該部分。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中使用氧氣電漿來實 施該保護層之形成 參 5.如申請專利範圍第3項之方法，其中在約1〇。<3至約 4〇〇°C間之溫度下實施該保護層之形成。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該硬罩圖案之移除 包括實施一乾式蝕刻製程。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該隔離層包括一旋 塗式介電（SOD)層。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該硬罩圖案包括一 矽層及一氧化層之堆疊層以及藉由氧化該矽層來形成 -18 - 201030893 該保護層。 9.如申請專利範圍第1項之方法，其中該保護層及該隔離 層包括一氧化層以及該硬罩圖案包括一矽層。 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該硬罩圖案之移除 包括使用氫溴（HBr)氣體、氯（ci2)氣及SF6氣體之混合 氣體來實施一乾式蝕刻製程。 11. 如申請專利範圍第2項之方法，其中使用一含氫氟酸（HF) 溶液來實施該清洗製程。 Φ 12·—種製造非揮發性記憶體裝置之方法，該方法包括： 依序形成一穿隧絕緣層、一電荷擷取層、一第一保 護層及一硬罩圖案於一基板上方； 藉由轉變該硬罩圖案之側壁的一部分，以形成一第 二保護層； 藉由使用該硬罩圖案及該第二保護層做爲一鈾刻 阻障來蝕刻該第一保護層、該電荷擷取層、該穿險絕緣 層及該基板，以形成一溝槽； ® 藉由以一絕緣材料塡充該溝槽，以形成一隔離層； 移除該硬罩圖案；以及 實施一清洗製程，以暴露該電荷擷取層之上表面。 13. 如申請專利範圍第12項之方法，進一步包括： 沿者一包括該離層之口成結構（resultant structure)的整個表面形成—介電層；以及 形成一閘極電極於該介電層上方。 14. 如申請專利範圍第12項之方法’其中該第二保護層之 -19- 201030893 形成包括氧化該硬罩圖案之側壁的該部分。 15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中使用氧氣電漿來 實施該第二保護層之形成。 16. 如申請專利範圍第14項之方法，其中在約i〇〇c至約 40 0°C間之溫度下實施該第二保護層之形成。 17. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該硬罩圖案之移 除包括實施一乾式蝕刻製程。 18. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該隔離層包括一 ❹ SOD層。 19. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該硬罩圖案包括 一矽層及一氧化層之堆疊層以及藉由氧化該矽層來形 成該第二保護層。 20. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該第一及第二保 護層及該隔離層包括一氧化層以及該硬罩圖案包括一 砂層。 21·如申請專利範圍第12項之方法，其中該硬罩圖案之移 ® 除包括使用HBr氣體、ci2氣體及sf6氣體之混合氣體 來實施一乾式蝕刻製程。 22. 如申請專利範圍第12項之方法，其中使用一含氫氟酸 (HF)溶液來實施該清洗製程。 23. —種製造半導體裝置之方法，該方法包括： 形成一第一保護層於一基板上方； 形成一第一硬罩層於該基板上方； 形成一第二硬罩層於該第一硬罩層上方，其中該第 -20- 201030893 一及第二硬罩層形成一硬罩圖案； 藉由氧化該第一硬罩層之側壁，以形成一第二保護 層，其中該第二保護層具有等於或大於該第一保護層之 厚度；以及 藉由使用該硬罩圖案及該第二保護層做爲一蝕刻 阻障來蝕刻該基板，以形成一溝槽。 24.如申請專利範圍第23項之方法，進一步包括： 藉由以一絕緣材料塡充該溝槽，以形成一隔離層； 〇 以及 移除該硬罩圖案。

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